TW202303807A - 模組化晶圓台及其製造方法 - Google Patents

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沙哈巴 瑟凡
塔莫 優特迪克
馬修 里普森
馬克思 馬特尼斯 派特斯 安德雷恩尼斯 維莫倫
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荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司
荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Abstract

本發明係關於一種模組化晶圓台及用於翻新一廢棄晶圓以製造該模組化晶圓台之方法。舉例而言，一種方法可包括自一晶圓台之一表面移除一或多個瘤節。該方法亦可包括在移除該一或多個瘤節之後研磨該晶圓台之該表面以形成一核心模組。該方法亦可包括形成其上具有複數個瘤節之一瘤節模組。該方法亦可包括將該核心模組接合至該瘤節模組。

Description

模組化晶圓台及其製造方法
本發明係關於微影系統，例如，模組化晶圓台及用於翻新廢棄晶圓以製造模組化晶圓台之方法。
微影設備係將所要圖案塗覆至基板上，通常塗覆至基板之目標部分上之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化裝置(其替代地稱作遮罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。大體而言，單一基板將含有連續地經圖案化之鄰近目標部分之群組。已知之微影設備包括：所謂的步進器，其中藉由將整個圖案一次性曝光至目標部分上來輻射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束來掃描圖案同時平行或反平行於此掃描方向而同步地掃描目標部分來輻射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化裝置轉印至基板。
另一微影系統係干涉微影系統，其中不存在圖案化裝置，而是光束分裂成兩個光束，且經由使用反射系統而使該等兩個光束在基板之目標部分處引起干涉。該干涉使得在基板的目標部分處形成線。
在微影操作期間，不同處理步驟通常要求不同層依序地形成於基板上。針對每一圖案轉印程序，層之定序通常藉由根據每一層之所要圖案更換不同倍縮光罩來實現。典型微影系統在關於倍縮光罩上之圖案及自倍縮光罩轉印至晶圓上之圖案的亞奈米容差內工作。
需要翻新廢棄晶圓台。
在一些實施例中，一種方法包括以下操作。自一晶圓台之一表面移除一或多個瘤節。在移除該一或多個瘤節之後研磨該晶圓台之該表面以形成一核心模組。形成其上具有複數個瘤節之一瘤節模組。將該核心模組接合至該瘤節模組。
在一些實施例中，一種晶圓台包括以下組件。一核心模組，其經組態以藉由自一晶圓台之一表面移除一或多個瘤節且在移除該一或多個瘤節之後研磨該晶圓台之該表面而形成。一瘤節模組，其具有形成其上之複數個瘤節。複數個接合接觸件，其經組態以將該核心模組接合至該瘤節模組。
在一些實施例中，一種方法包括用於形成一核心模組之以下操作。藉由機械地研磨該一或多個瘤節而自一晶圓台之一表面移除一或多個瘤節。在使用一化學機械研磨(CMP)程序移除該一或多個瘤節之後研磨該晶圓台之該表面。形成具有複數個瘤節之一瘤節模組。使用諸如光學接觸/接合、焊料接合、黏著劑接合、共晶接合、陽極接合金屬-金屬擴散接合及其類似者之技術將該核心模組接合至該瘤節模組。
下文參考隨附圖式詳細地描述本發明之另外特徵以及各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於繪示性目的呈現此等實施例。基於本文中所含之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將為顯而易見的。
本說明書揭示併有本發明之特徵的一或多個實施例。提供所揭示實施例作為實例。本發明之範疇不限於所揭示實施例。所主張之特徵由此處隨附之申請專利範圍限定。
所描述實施例及本說明書中對「一個實施例」、「一實施例」、「一實例實施例」等之參考指示所描述實施例可包括特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必係指相同實施例。此外，當結合一實施例描述特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆係在熟習此項技術者之認識範圍內。
為易於描述，本文中可使用諸如「在…之下」、「在…下方」、「下部」、「在…上方」、「在…上」、「上部」及其類似者的空間相對術語，來描述如圖式中所繪示之一個元件或特徵與另一元件或特徵之關係。除圖式中所描繪之定向以外，空間相對術語意欲涵蓋裝置在使用或操作中之不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)且本文中所使用的空間相對描述詞可同樣相應地進行解譯。
如本文中所使用之術語「約」指示可基於特定技術而變化之給定數量的值。基於特定技術，術語「約」可指示例如在值之10%至30%內(例如，值之±10%、±20%或±30%)變化之給定數量之值。
本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合予以實施。本發明之實施例亦可經實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可藉由一或多個處理器讀取及實行。機器可讀媒體可包括用於以可由機器(例如，計算裝置)讀取之形式儲存或傳輸資訊之任何機制。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外信號、數位信號等)；及其他者。此外，韌體、軟體、常式及/或指令可在本文中被描述為執行特定動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅出於方便起見，且此等動作事實上係由計算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等之其他裝置引起。術語「非暫時性」可在本文中用於表徵用於儲存資料、資訊、指令及類似者之電腦可讀媒體，唯一例外為暫時性傳播信號。
然而，在更詳細地描述此等實施例之前，具指導性的係呈現其中可實施本發明之實施例之實例環境。
實例微影系統
圖1A及圖1B分別展示微影設備100及微影設備100'之示意性繪示，其中可實施本發明之實施例。微影設備100及微影設備100'各自包括以下：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，深紫外線或極紫外線輻射)；支撐結構(例如，遮罩台) MT，其經組態以支撐圖案化裝置(例如，遮罩、倍縮光罩或動態圖案化裝置) MA且連接至經組態以準確地定位圖案化裝置MA之第一定位器PM；及基板台(例如，晶圓台) WT，其經組態以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以準確地定位基板W之第二定位器PW。微影設備100及100'亦具有投影系統PS，其經組態以將由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分(例如，包含一或多個晶粒) C上。在微影設備100中，圖案化裝置MA及投影系統PS為反射性的。在微影設備100'中，圖案化裝置MA及投影系統PS為透射性的。
照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射光束B之各種類型之光學組件，諸如折射、反射、反射折射、磁性、電磁、靜電或其它類型之光學組件或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化裝置MA相對於參考框架之定向、微影設備100及100'中之至少一者之設計及其他條件(諸如圖案化裝置MA是否固持於真空環境中)的方式來固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可為例如框架或台，其可視需要而固定或可移動。藉由使用感測器，支撐結構MT可確保圖案化裝置MA例如相對於投影系統PS處於所要位置。
應將術語「圖案化裝置」MA廣泛地解釋為指代可用以在其橫截面中向輻射光束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何裝置。賦予至輻射光束B之圖案可對應於裝置中產生於目標部分C中以形成積體電路的特定功能層。
圖案化裝置MA可為透射性的(如在圖1B之微影設備100'中)或反射性的(如在圖1A之微影設備100中)。圖案化裝置MA之實例包括倍縮光罩、遮罩、可程式規劃鏡面陣列或可程式化LCD面板。遮罩在微影中已為所熟知，且包括諸如二元、交替相移或衰減相移之遮罩類型，以及各種混合遮罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例採用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由小鏡面矩陣反射之輻射光束B中賦予圖案。
術語「投影系統」PS可涵蓋如適於所使用之曝光輻射或適於諸如基板W上之浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型的投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合。真空環境可用於EUV或電子射束輻射，此係由於其他氣體可吸收過多輻射或電子。因此，可藉助於真空壁及真空泵將真空環境提供至整個光束路徑。
微影設備100及/或微影設備100'可屬於具有兩個(雙載物台)或更多個基板台WT(及/或兩個或更多個遮罩台)。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外基板台WT，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT用於曝光。在一些情形下，額外台可不為基板台WT。
微影設備亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影設備中之其他空間，例如遮罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中為吾人所熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參考圖1A及圖1B，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源SO為準分子雷射器時，源SO及微影設備100、100'可為單獨的物理實體。在此等情況下，不認為源SO形成微影設備100或100'之部分，且輻射光束B藉助於包括(例如)合適之導向鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統BD (在圖1B中)而自源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當源SO為汞燈時，源SO可為微影設備100、100'之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD (若需要)可稱為輻射系統。
照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD (在圖1B中)。大體而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱作「σ外部」及「σ內部」)。另外，照明器IL可包含各種其他組件(在圖1B中)，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用於調節輻射光束B以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
參考圖1A，輻射光束B入射於經固持於支撐結構(例如，遮罩台) MT上之圖案化裝置(例如，遮罩) MA上，且由圖案化裝置MA圖案化。在微影設備100中，自圖案化裝置(例如遮罩) MA反射輻射光束B。在自圖案化裝置(例如，遮罩) MA反射之後，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統PS將輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF2 (例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT (例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用於相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化裝置(例如，遮罩) MA。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置(例如，遮罩) MA及基板W。
參考圖1B，輻射光束B入射於經固持於支撐結構(例如，遮罩台MT)上之圖案化裝置(例如，遮罩MA)上，且由圖案化裝置圖案化。在已橫穿遮罩MA之情況下，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。投影系統具有至照明系統光瞳IPU之光瞳共軛PPU。輻射之部分自照明系統光瞳IPU處之強度分佈發散且橫穿遮罩圖案而不受到遮罩圖案處之繞射影響，且產生照明系統光瞳IPU處之強度分佈影像。
投影系統PS將遮罩圖案MP之影像MP'投影至塗佈於基板W上之光阻層上，其中影像MP'由繞射光束形成，該等繞射光束自標記圖案MP由來自強度分佈之輻射產生。舉例而言，遮罩圖案MP可包括線及空間陣列。在陣列處且不同於零階繞射之輻射之繞射產生轉向繞射光束，該轉向繞射光束在垂直於線之方向上改變方向。非繞射光束(即，所謂的零階繞射光束)橫穿圖案，而傳播方向沒有任何變化。零階繞射光束橫穿投影系統PS之在投影系統PS之光瞳共軛PPU上游的上部透鏡或上部透鏡群組，以到達光瞳共軛PPU。在光瞳共軛PPU之平面中且與零階繞射光束相關聯的強度分佈之部分為照明系統IL之照明系統光瞳IPU中之強度分佈之一影像。例如孔徑裝置PD係安置於包括投影系統PS之光瞳共軛PPU之平面處或實質上安置於該平面處。
投影系統PS經配置以藉助於透鏡或透鏡群組L不僅捕捉零階繞射光束，而且亦捕捉第一階或第一階及較高階繞射光束(未展示)。在一些實施例中，可使用用於使在垂直於線之方向上延伸之線圖案成像的偶極照明以利用偶極照明之解析度增強效應。舉例而言，第一階繞射光束在晶圓W層級下干涉對應的零階繞射光束，而以最高可能解析度及程序窗口(亦即，具有容許曝光劑量偏差組合之可用聚焦深度)產生線圖案MP之影像。在一些實施例中，可藉由在照明系統光瞳IPU之相對象限中提供輻射極(圖中未展示)來減小散光像差。此外，在一些實施例中，可藉由阻擋投影系統之光瞳共軛PPU中之與相對四分體中之輻射極相關聯的零階光束來減小散光像差。此情形更詳細地描述於2009年3月31日發佈之US 7,511,799 B2中，該專利以全文引用之方式併入本文中。
藉助於第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)可準確地移動基板台WT (例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。類似地，可使用第一定位器PM及另一位置感測器(圖1B中未展示)以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位遮罩MA (例如，在以機械方式自遮罩庫取得之後或在掃描期間)。
大體而言，可藉助於形成第一定位器PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現遮罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，遮罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準遮罩MA與基板W。儘管基板對準標記(如所繪示)佔據專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(稱為切割道對準標記)。類似地，在超過一個晶粒設置於遮罩MA上之情況下，遮罩對準標記可位於該等晶粒之間。
遮罩台MT及圖案化裝置MA可處於真空腔室V中，其中真空內機器人(機械臂)IVR可用於將諸如遮罩之圖案化裝置移入及移出真空腔室。替代地，當遮罩台MT及圖案化裝置MA處於真空腔室外部時，類似於真空內機器人IVR，真空外機器人可用於各種輸送操作。需要校準真空內機器人及真空外機器人兩者以用於將任何酬載(例如，遮罩)平滑轉移至轉移站之固定運動學座架。
微影設備100及100'可在以下模式中之至少一者下使用：
1. 在步進模式下，在將賦予至輻射光束B之整個圖案一次性地投影至目標部分C上時，支撐結構(例如遮罩台) MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2. 在掃描模式下，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，遮罩台) MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之(縮小率)放大率及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，遮罩台) MT之速度及方向。
3. 在另一模式下，在將賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如遮罩台)MT實質上保持靜止，從而固持可程式化圖案化裝置，且移動或掃描基板台WT。可使用脈衝式輻射源SO，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化裝置(諸如可程式化鏡面陣列)之無遮罩微影。
亦可使用對所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
在一些實施例中，微影設備可產生DUV及/或EUV輻射。舉例而言，微影設備100'可經組態以使用DUV源進行操作。在另一實例中，微影設備100包括極紫外線(EUV)源，該極紫外線(EUV)源經組態以產生用於EUV微影之EUV輻射光束。大體而言，EUV源經組態以處於輻射系統中，且對應的照明系統經組態以調節EUV源之EUV輻射光束。
圖2更詳細地展示微影設備100，其包括源收集器設備SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器設備SO經建構且經配置以使得可將真空環境維持於源收集器設備SO之圍封結構220中。可藉由放電產生電漿源形成EUV輻射發射電漿210。可藉由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)來產生EUV輻射，其中產生極熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。藉由例如造成至少部分離子化電漿之放電來產生極熱電漿210。可需要例如分壓為10 Pa之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適之氣體或蒸汽以用於輻射之有效產生。在一些實施例中，提供受激發錫(Sn)之電漿以產生EUV輻射。
由熱電漿210發射之輻射經由定位於源腔室211中之開口中或後方之任選氣體障壁或污染物阱230 (在一些情況下亦稱作污染物障壁或箔阱)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物阱230可包括通道結構。污染物阱230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。本文進一步所指示之污染物阱或污染物障壁230至少包括通道結構。
收集器腔室212可包括可為所謂掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側部251及下游輻射收集器側部252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵濾光片240反射以聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常稱為中間焦點，且源收集器設備經配置以使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口219處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。光柵濾光片240尤其用於抑制紅外(IR)輻射。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，該照明系統IL可包括琢面化場鏡裝置222及琢面化瞳鏡裝置224，其經配置以在圖案化裝置MA處提供輻射光束221之所要角度分佈以及在圖案化裝置MA處提供輻射強度的所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化裝置MA處反射輻射光束221後，形成圖案化光束226，且由投影系統PS經由反射元件228、229將圖案化光束226成像至藉由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
比所展示之元件更多的元件通常可存在於照明光學器件單元IL及投影系統PS中。取決於微影設備之類型，可視情況存在光柵濾光片240。此外，可存在比圖2所展示之鏡面多的鏡面，例如，除圖2中所示的以外，在投影系統PS中可存在一個至六個額外反射元件。
如圖2中所繪示，收集器光學器件CO經描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅作為採集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255圍繞光軸O軸向對稱地安置，且此類型之收集器光學器件CO較佳地結合放電產生電漿源(常常稱為DPP源)使用。
例示性微影單元
圖3展示根據一些實施例之微影單元300，有時亦稱為微影單元(lithocell)或叢集。微影設備100或100'可形成微影單元300之部分。微影單元300亦可包括一或多個設備以對基板進行曝光前程序及曝光後程序。習知地，此等設備包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以使經曝光抗蝕劑顯影之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板，在不同程序設備之間移動基板，且將基板遞送至微影設備100或100'之裝載區LB。常常統稱為塗佈顯影系統(track)之此等裝置係在自身由監督控制系統SCS控制之塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，該監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU來控制微影設備。因此，不同設備可經操作以最大化產出量及處理效率。
例示性設備
在一些實施例中，晶圓台用於在微影程序期間的量測、對準及曝光期間支撐晶圓。舉例而言，對於浸潤及乾燥程序兩者，晶圓台充當接觸微影設備(諸如，圖1A或圖1B中所展示之微影設備)中之晶圓的表面。晶圓台可包括複數個瘤節，其最小化至晶圓之接觸表面，提供用以確保晶圓平坦度之平坦介面，且提供用以最小化晶圓裝載柵格之經定義粗糙度。
用於製造晶圓台之當前程序可包括增加生產之循環時間且增加產生晶圓台之成本的批量生產步驟。用於製造晶圓台之程序可產生無法使用之大量廢棄晶圓台。用於製造晶圓台之當前程序可限制在瘤節上塗佈高溫塗層之能力，此係歸因於用於現有晶圓台中之接合的限制。在現有晶圓台之頂部上施加高溫(例如，高達900℃)以增加高品質材料及新塗層(具有所要屬性之新材料)可歸因於廢棄晶圓台材料在此等高溫下之不穩定性而具有挑戰性。
圖4展示根據一些實施例之晶圓台400之示意圖。在一些實施例中，晶圓台400可實施於微影設備，例如微影設備100及/或100'中。
晶圓台400可包括核心模組410、一或多個瘤節模組420、一或多個冷卻通道430、回填氣體(BFG)系統440及一或多個接合接觸件450。在一些實施例中，可使用用於製造核心模組410及一或多個瘤節模組420之並行處理步驟來製造晶圓台400。
舉例而言，如圖5中所繪示，可使用廢棄晶圓台500來形成(例如製造)核心模組410。繼續參考圖4及圖5，在一些實施例中，核心模組410可藉由自廢棄晶圓台500之頂部及/或底部表面移除(例如，藉由機械地研磨而移除)瘤節510來製造。瘤節510可與廢棄晶圓台500整合且稱為整合式瘤節。在一些實施例中，自廢棄晶圓台500移除之瘤節510可不與廢棄晶圓台500整合。
可使用用於研磨材料(例如，矽化碳化矽(SiSiC))之任何合適技術來執行機械地研磨瘤節510。
製造核心模組410亦可包括在移除瘤節510之後研磨廢棄晶圓台500。舉例而言，研磨廢棄晶圓台500可包括化學機械研磨(CMP)程序。一般熟習此項技術者應理解，此僅為實例研磨程序，且根據本發明之態樣進一步涵蓋其他研磨程序。
在一些實施例中，可在單獨製造程序中形成(例如製造)一或多個瘤節模組420。舉例而言，如一般熟習此項技術者應理解，可在第二基板上製造一或多個瘤節模組420。
在一些實施例中，在單獨基板上製造一或多個瘤節模組420允許使用與用於核心模組410之材料不同的材料。舉例而言，可使用SiSiC製造核心模組410，同時可使用與用於核心模組410之材料不同的材料來製造一或多個瘤節模組420。作為另一實例，不同材料在基板上可具有與用於核心模組410之材料不同的結晶結構。舉例而言，可使用矽(Si)、藍寶石、碳化矽(SiC)等來製造一或多個瘤節模組420。一般熟習此項技術者應理解，此等僅為可用於一或多個瘤節模組之材料之實例，且根據本發明之態樣進一步涵蓋其他材料。
在一些實施例中，可使用與核心模組410相同之材料來製造一或多個瘤節模組420。
在一些實施例中，當使用廢棄晶圓台製造核心模組410時，核心模組410包括使用接合410c彼此接合之上部層410a及下部層410b。如圖4中所繪示，與接合至下部層410b之瘤節模組420之瘤節422相比，接合至上部層410a之瘤節模組420之瘤節422可具有不同大小及形狀。
另外，由於瘤節模組420可在單獨程序中製造，因此接合至上部層410a之瘤節模組420之瘤節422的塗層424可為與接合至下部層410b之瘤節模組420之瘤節422的塗層424不同的材料。
在一些實施例中，由於可單獨地製造一或多個瘤節模組420，因此可使用高溫(例如，高達900℃)在一或多個瘤節模組420之每一瘤節422上塗佈塗層424。即，接合410c不再為可塗佈塗層424的溫度的限制因素，且因此，塗層424可為塗佈於瘤節422之高溫塗層。舉例而言，高溫塗層可為需要溫度大於420℃之塗層。作為一個實例，高溫塗層可為需要600℃之高溫金剛石塗層。根據一些實施例，製造程序之分段可允許施加較高溫度，在該較高溫度下可將塗層424塗佈於一或多個瘤節模組420而不會影響與核心模組410內之接合相關聯的任何結構性不穩定性/敏感度。
在一些實施例中，可藉由使核心模組410及一或多個瘤節模組420彼此接合來形成晶圓台400。可使用諸如光學接觸、焊料接合、黏著劑接合、共晶接合、陽極接合、金屬-金屬擴散接合及/或其組合之技術來進行將核心模組410接合至一或多個瘤節模組420。
因此，本發明之一些實施例提供用於在單獨製造步驟中製造晶圓台400之製造程序，例如，核心模組410與一或多個瘤節模組420係彼此單獨地製造。舉例而言，可藉由翻新廢棄晶圓台來製造核心模組410，且可在單獨基板上並行地製造一或多個瘤節模組420。在單獨地製造核心模組410及一或多個瘤節模組420之後，核心模組410及一或多個瘤節模組420可彼此接合以形成晶圓台400。
圖6展示根據一些實施例之實例方法600。在一個實例中，方法600可用以製造模組化晶圓台。應瞭解，並非可能需要所有步驟來執行本文中所提供之揭示內容。此外，一些步驟可同時或以不同於圖6中所展示之次序的次序執行，如一般熟習此項技術者將理解。
在步驟602處，可自晶圓台之表面移除一或多個瘤節。移除可包括機械地研磨一或多個瘤節。
在步驟604處，可在移除一或多個瘤節之後研磨晶圓台之表面以形成核心模組。根據一些實施例，研磨可包括使用化學機械研磨(CMP)程序。
在步驟606處，可形成其上具有複數個瘤節之瘤節模組。在一些實施例中，與核心模組單獨地形成瘤節模組可允許能夠使用在可不影響核心模組之不同(例如，高)溫度下所應用之不同材料。
在步驟608中，可將核心模組接合至瘤節模組。根據一些實施例，將核心模組接合至瘤節模組可包括使用焊料接合或光學接觸進行接合。
根據一些實施例，方法600可進一步包括在複數個瘤節中之每一瘤節上形成高溫塗層。在一非限制性實例中，高溫塗層可為例如高溫金剛石塗層。根據一些實施例，方法600可進一步包括使用與用於核心模組之材料相同或不同的材料來製造瘤節模組。
可瞭解，用於單獨製造步驟中之WT之所提議製造方法向現有製造程序提供一系列益處及成本節省。亦可瞭解，可單獨地及/或同時完成(例如，瘤節結構及核心結構之)單獨製造步驟，藉此減少製造時間。根據一些實施例，本文中所提供之單獨製造程序允許將高溫塗層塗佈於瘤節結構之頂部上。單獨製造程序可允許瘤節結構自與核心結構及/或相關聯接合相關聯之任何不穩定性解耦。此繼而可允許使用可用於製造瘤節之新材料領域。舉例而言，可用具有不同結晶結構之不同穩固材料來製造瘤節。因而，可獨立於核心之結構/材料來工程改造瘤節之屬性。根據一些實施例，單獨製造程序可減少用於現有WT製造程序之當前循環時間，且可藉由使得能夠翻新現有廢棄WT(其中可藉由恰當碾磨及研磨步驟來移除瘤節圖案)而減少製造成本。因此，可將諸如高溫金剛石之新塗層塗佈於瘤節上—藉此使得能夠製造更穩固瘤節，其對其機械/摩擦機械屬性具有較佳控制。
在一些實施例中，本文中所描述之所提議之模組化WT製造程序可允許將新材料及新塗層整合至現有WT技術—藉此改良晶圓裝載柵格(WLG)及歸因於製造較穩固瘤節之疊對問題。在一些實施例中，此亦可允許使用單晶基板來進一步工程改造瘤節模組之結晶結構的製造。
可使用以下條項進一步描述實施例： 1. 一種方法，其包含： 自一晶圓台之一表面移除一或多個瘤節； 在移除該一或多個瘤節之後研磨該晶圓台之該表面以形成一核心模組； 形成其上具有複數個瘤節之一瘤節模組；及 將該核心模組接合至該瘤節模組。 2. 如條項1之方法，其中該將該核心模組接合至該瘤節模組包含使用光學接觸件來接合該核心模組及該瘤節模組。 3. 如條項1之方法，其中該將該核心模組接合至該瘤節模組包含使用焊料接合來接合該核心模組及該瘤節模組。 4. 如條項1之方法，其中： 該移除包含機械地研磨該一或多個瘤節；且 該研磨包含使用化學機械研磨(CMP)程序。 5. 如條項1之方法，其進一步包含在該複數個瘤節中之每一瘤節上形成一高溫塗層。 6. 如條項5之方法，其中該高溫塗層為一高溫金剛石塗層。 7. 如條項1之方法，其進一步包含使用與用於該核心模組之一材料不同的一材料來製造該瘤節模組。 8. 如條項1之方法，其進一步包含使用與用於該核心模組之一材料相同的一材料來製造該瘤節模組。 9. 一種晶圓台，其包含： 一核心模組，其經組態以藉由自一晶圓台之一表面移除一或多個瘤節且在移除該一或多個瘤節之後研磨該晶圓台之該表面而形成； 一瘤節模組，其具有形成於其上之複數個瘤節；及 複數個接合接觸件，其經組態以將該核心模組接合至該瘤節模組。 10.      如條項9之晶圓台，其中該複數個接合接觸件包含複數個光學接觸件。 11.      如條項9之晶圓台，其中複數個接合接觸件包含複數個焊料接合接觸件。 12.      如條項9之晶圓台，該瘤節模組包含形成於該複數個瘤節中之每一瘤節上之一高溫塗層， 13.      如條項12之晶圓台，其中該高溫塗層包含一高溫金剛石塗層。 14.      如條項9之晶圓台，其中該瘤節模組包含與用於該核心模組之一材料不同的一材料。 15.      如條項9之晶圓台，其中該瘤節模組包含與用於該核心模組之一材料相同的一材料。 16.      如條項9之晶圓台，其中該核心模組包含彼此接合之一上部層及一下部層。 17.      如條項9之晶圓台，其中該複數個接合接觸件包含黏著劑接合、共晶接合、陽極接合、金屬-金屬擴散接合或陽極接合。 18.      一種方法，其包含： 藉由以下操作形成一核心模組： 藉由機械地研磨該一或多個瘤節而自一晶圓台之一表面移除一或多個瘤節；及 在使用一化學機械研磨(CMP)程序移除該一或多個瘤節之後研磨該晶圓台之該表面； 形成具有複數個瘤節之一瘤節模組；及 使用一光學接觸一焊料接合將該核心模組接合至該瘤節模組。 19.      如條項18之方法，其中該形成一瘤節模組進一步包含在將該核心模組接合至該瘤節模組之前在該複數個瘤節中之每一瘤節上形成一高溫塗層。 20.      如條項19之方法，其中該高溫塗層為一高溫金剛石塗層。 21.      如條項18之方法，其中該瘤節模組使用與用於該核心模組之一材料不同的一材料。
儘管在本文中可特定地參考微影設備在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影設備可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、LCD、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在例如塗佈顯影系統單元(通常將抗蝕劑層施加至基板且使經曝光抗蝕劑顯影之工具)、度量衡單元及/或檢測單元中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之本發明應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理超過一次，例如以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可已特定地參考在光學微影之內容背景中之本發明的實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如壓印微影)中，且在內容背景允許的情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化裝置中之構形(topography)界定基板上產生之圖案。能將圖案化裝置之構形壓入經供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化裝置移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
應理解，本文中之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，使得本發明之術語或措詞待由熟習相關技術者按照本文中之教示予以解譯。
如本文中所使用之術語「基板」描述上面經添加有材料層的材料。在一些實施例中，基板自身能經圖案化，且添加於基板之頂部上之材料亦可經圖案化，或可保持而不進行圖案化。
儘管可在本文中特定地參考根據本發明之設備及/或系統在IC製造中之使用，但應明確理解，此等設備及/或系統具有許多其他可能的應用。舉例而言，其可用於製造積體光學系統、用於磁疇記憶體之引導及偵測圖案、LCD面板、薄膜磁頭等。熟習此項技術者將瞭解，在此等替代應用之內容背景中，本文中之術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被視為分別由更一般術語「遮罩」、「基板」及「目標部分」替代。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。該描述不意欲限制本發明。
應瞭解，實施方式章節而非發明內容及摘要章節意欲用以解釋申請專利範圍。發明內容及發明摘要章節可闡述如由本發明人所考慮的本發明之一或多個而非所有例示性實施例，且因此，不意欲以任何方式來限制本發明及所附申請專利範圍。
上文已藉助於繪示特定功能及其關係之實施方式的功能建置區塊來描述本發明。為了便於描述，本文已任意地定義此等功能建置區塊之邊界。只要適當地進行指定功能及該等功能之關係，便可界定替代邊界。
對特定實施例之前述描述將因此充分地揭示本發明之一般性質使得在不偏離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識，針對各種應用而容易地修改及/或調適該等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文所呈現之教示內容及指導，希望此等調適及潤飾屬於所揭示實施例之等效物的含義及範圍內。
受保護主題之廣度及範疇不應受到上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者予以界定。
100:微影設備 100':微影設備 210:電漿 211:源腔室 212:收集器腔室 219:開口 220:圍封結構 221:輻射光束 222:琢面化場鏡裝置 224:琢面化瞳鏡裝置 226:圖案化光束 228:反射元件 229:反射元件 230:污染物阱 240:光柵濾光片 251:上游輻射收集器側部 252:下游輻射收集器側部 253:掠入射反射器 254:掠入射反射器 255:掠入射反射器 300:微影單元 400:晶圓台 410:核心模組 410a:上部層 410b:下部層 410c:接合 420:瘤節模組 422:瘤節 424:塗層 430:冷卻通道 440:回填氣體系統 450:接合接觸件 500:廢棄晶圓台 510:瘤節 600:實例方法 602:步驟 604:步驟 606:步驟 608:步驟 AD:調整器 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 BK:烘烤板 C:目標部分 CH:冷卻板 CO:聚光器/輻射收集器 DE:顯影器 IF:虛擬源點/位置感測器 IF1:位置感測器 IF2:位置感測器 IL:照明系統 IN:積光器 IPU:照明系統光瞳 IVR:真空內機器人 I/O1:輸入/輸出埠 I/O2:輸入/輸出埠 L:透鏡或透鏡群組 LACU:微影控制單元 LB:裝載區 M1:遮罩對準標記 M2:遮罩對準標記 MA:圖案化裝置/遮罩 MP:遮罩圖案 MP':影像 MT:支撐結構/遮罩台 O:光軸 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PD:孔徑裝置 PM:第一定位器 PPU:光瞳共軛 PS:投影系統 PW:第二定位器 RO:機器人 SC:旋塗器 SCS:監督控制系統 SO:輻射源/源收集器設備 TCU:塗佈顯影系統控制單元 V:真空腔室 W:基板 WT:基板台 X:方向 Y:方向 Z:方向
併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式繪示本發明，且連同描述進一步用於解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠製造及使用本文中所描述之實施例。 圖1A展示根據一些實施例之反射微影設備之示意圖。 圖1B展示根據一些實施例之透射微影設備之示意圖。 圖2展示根據一些實施例之反射微影設備之更詳細示意圖。 圖3展示根據一些實施例之微影單元之示意圖。 圖4展示根據一些實施例之實例模組化晶圓台。 圖5展示根據一些實施例之翻新廢棄晶圓台的實例程序。 圖6展示根據一些實施例之用於製造模組化晶圓台之一實例程序。 本發明之特徵將根據下文結合圖式所闡述之詳細描述變得顯而易見，在圖式中，相同參考標號貫穿全文標識對應元件。在該等圖式中，相同參考標號通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。此外，通常，參考標號之最左側數字標識首次出現該參考標號之圖式。除非另外指示，否則貫穿本發明提供之圖式不應解譯為按比例繪製。
410:核心模組
500:廢棄晶圓台
510:瘤節

Claims (15)

  1. 一種方法，其包含： 自一晶圓台之一表面移除一或多個瘤節； 在移除該一或多個瘤節之後研磨該晶圓台之該表面以形成一核心模組； 形成其上具有複數個瘤節之一瘤節模組；及 將該核心模組接合至該瘤節模組。
  2. 如請求項1之方法，其中該將該核心模組接合至該瘤節模組包含使用光學接觸來接合該核心模組與該瘤節模組。
  3. 如請求項1之方法，其中該將該核心模組接合至該瘤節模組包含使用焊料接合來接合該核心模組與該瘤節模組。
  4. 如請求項1之方法，其中： 該移除包含機械地研磨該一或多個瘤節；且 該研磨包含使用一化學機械研磨(CMP)程序。
  5. 如請求項1之方法，其進一步包含在該複數個瘤節中之每一瘤節上形成一高溫塗層，其中該高溫塗層為一高溫金剛石塗層。
  6. 如請求項1之方法，其進一步包含使用與用於該核心模組之一材料不同的一材料來製造該瘤節模組。
  7. 如請求項1之方法，其進一步包含使用與用於該核心模組之一材料相同的一材料來製造該瘤節模組。
  8. 一種晶圓台，其包含： 一核心模組，其經組態以藉由自一晶圓台之一表面移除一或多個瘤節且在移除該一或多個瘤節之後研磨該晶圓台之該表面而形成； 一瘤節模組，其具有形成於其上之複數個瘤節；及 複數個接合接觸件，其經組態以將該核心模組接合至該瘤節模組。
  9. 如請求項8之晶圓台，其中該複數個接合接觸件包含複數個光學接觸件。
  10. 如請求項8之晶圓台，其中該複數個接合接觸件包含複數個焊料接合接觸件。
  11. 如請求項8之晶圓台，其中： 該瘤節模組包含形成於該複數個瘤節中之每一瘤節上之一高溫塗層；且 該高溫塗層包含一高溫金剛石塗層。
  12. 如請求項8之晶圓台，其中該瘤節模組包含與用於該核心模組之一材料不同的一材料。
  13. 如請求項8之晶圓台，其中該瘤節模組包含與用於該核心模組之一材料相同的一材料。
  14. 如請求項8之晶圓台，其中該核心模組包含彼此接合之一上部層及一下部層。
  15. 如請求項8之晶圓台，其中該複數個接合接觸件包含黏著劑接合、共晶接合、陽極接合、金屬-金屬擴散接合或陽極接合。
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