CN118076924A - 光刻设备、衬底台、和制造方法 - Google Patents

光刻设备、衬底台、和制造方法 Download PDF

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S·莉琳吉斯
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Abstract

一种方法包括：使用辐射或热来处理物体的突节表面；和设置所述辐射或热的参数以使所述突节表面实现预定的表面强度、硬度、粗糙度、摩擦系数、耐化学性、耐磨性和/或腐蚀性。

Description

光刻设备、衬底台、和制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年6月22日递交的美国临时专利申请号63/213,456的优先权，并且所述美国临时专利申请的全部内容通过引用而被合并入本文中。
技术领域
本公开涉及衬底台、纹理化台表面、和在用于例如光刻系统和过程中的衬底台表面上实现突节和纳米结构的方法。
背景技术
光刻设备是将期望的图案涂覆至衬底上(通常涂覆至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在那种情况下，图案形成装置(其替代地称作掩模或掩模版)可以用于产生待形成在IC的单层上的电路图案。这种图案可以转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。通常经由成像至设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包括连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中，通过将整个图案一次性曝光至目标部分上来照射每个目标部分；和所谓的扫描器，其中，通过在给定方向(“扫描”方向)上经由辐射束来扫描模式同时平行或反向平行于这种扫描方向而同步地扫描目标部分来照射每个目标部分。也可能通过将图案压印至衬底上来将图案从图案形成装置转印至衬底。
另一光刻系统为干涉光刻系统，其中，不存在图案形成装置，而是拆分成两个束的光束，并且经由使用反射系统使得所述两个束在衬底的目标部分处发生干涉。所述干涉使得在衬底的目标部分处形成线。
在光刻操作期间，不同处理步骤可能要求不同层连续地形成在衬底上。因此，可以有必要以高准确度相对于形成在衬底上的先前图案来定位所述衬底。通常，将对准标记放置在待对准的衬底上且参考第二目标来定位对准标记。光刻设备可以使用对准设备来检测对准标记的位置且使用对准标记来对准衬底以确保从掩模的准确暴露。两个不同层处的对准标记之间的未对准被测量为重叠误差。
为了监测光刻过程，测量经图案化的衬底的参数。例如，参数可以包括形成在经图案化的衬底中或上的连续层之间的重叠误差，和经显影的光敏抗蚀剂的临界线宽。可以在产品衬底上和/或专用量测目标上执行这种测量。存在用于对在光刻过程中形成的微观结构进行测量的各种技术，包括使用扫描电子显微镜和各种专用工具。专用检查工具的快速且非侵入性形式是散射仪，其中，将辐射束引导至衬底的表面上的目标上，并且测量散射或反射束的性质。通过将束在其已由衬底反射或散射之前与之后的性质进行比较，可以确定衬底的性质。例如，可以通过将反射束与储存在与已知衬底性质相关联的已知测量库中的数据进行比较来进行这种确定。光谱散射仪将宽带辐射束引导至衬底上且测量散射至特定窄角度范围内的辐射的频谱(作为波长的函数的强度)。相比之下，角分辨散射仪使用单色辐射束且测量作为角度的函数的散射辐射的强度。
这些光学散射仪可以用于测量参数，诸如形成在经图案化的衬底中或上的两个层之间的所产生的光敏抗蚀剂或重叠误差(OV)的临界尺寸。可以通过将照射束在所述束由衬底反射或散射之前与之后的性质进行比较来确定衬底的性质。
期望指示和维护衬底台的表面上的摩擦性能(例如，摩擦、硬度、磨损)。衬底台具有可能难以满足的表面水平公差，这是因为光刻和量测过程的精确度需求。与其表面区域的宽度(例如，＞100mm)相比为相对较薄的(例如，＜1mm厚)的晶片(例如，半导体衬底)对衬底台的不均匀性特别敏感。另外，接触的超光滑的表面可能变为“黏”在一起，这可能当衬底必须从衬底台脱离接合时出现问题。
发明内容
因此，期望针对衬底台开发允许增强耐磨性和摩擦性能的结构和方法。
在一些实施例中，一种方法包括使用辐射或热来处理物体的突节表面。所述方法还包括设置所述辐射或热的参数以使所述突节表面实现预定的表面强度、硬度、粗糙度、摩擦系数、耐化学性、耐磨性和/或腐蚀性。
在一些实施例中，一种支撑台包括突节表面。所述突节表面包括接触层，所述接触层被配置成经处理以使所述接触层实现预定的表面强度、硬度、粗糙度、摩擦系数、耐化学性、耐磨性和/或腐蚀性。所述接触层已基于暴露于辐射束或暴露于热而被处理，使得所述接触层的参数大于参考层的相同参数，所述参考层具有与所述接触层相同的构造但未暴露于所述辐射束或热。
在一些实施例中，一种光刻设备包括照射系统、投影系统和支撑台。所述支撑台包括突节表面。所述突节表面包括接触层，所述接触层被配置成经处理以使所述接触层实现预定的表面强度、硬度、粗糙度、摩擦系数、耐化学性、耐磨性和/或腐蚀性。所述接触层已基于暴露于辐射束或暴露于热而被处理，使得所述接触层的参数大于参考层的相同参数，所述参考层具有与所述接触层相同的构造但未暴露于所述辐射束或热。所述照射系统被配置成照射图案形成装置的图案。所述投影系统被配置成将所述图案的图像投影至衬底上。
下文参考随附附图详细地描述本公开的另外的特征以及各个实施例的结构和操作。应注意，本公开不限于本文中所描述的特定实施例。本文中仅出于说明性目的呈现这些实施例。基于本文中所含的教导，额外的实施例将对于相关领域技术人员显而易见。
附图说明
被合并入本文中且形成本说明书的部分的随附附图图示了本公开，并且连同描述进一步用于解释本公开的原理且使相关领域技术人员能够制造和使用本文中所描述的实施例。
图1A示出根据一些实施例的反射型光刻设备的示意图。
图1B示出根据一些实施例的透射型光刻设备的示意图。
图2示出根据一些实施例的反射型光刻设备的更详细示意图。
图3示出根据一些实施例的光刻单元的示意图。
图4示出根据一些实施例的衬底平台的示意图。
图5示出根据一些实施例的衬底台的区域的横截面示意图。
图6示出根据一些实施例的用于操控接触表面的性质的方法步骤。
图7A和图7B示出根据一些实施例的表示接触表面的表面形貌测量的曲线图。
图8示出根据一些实施例的对物体的激光处理。
本公开的特征将根据下文结合附图所阐述的详细描述变得显而易见，在附图中，相同附图标记贯穿全文标识对应的元件。在所述附图中，相同附图标记通常指示相同的、功能上类似的和/或结构上类似的元件。此外，通常，附图标记的最左侧数字标识首次出现所述附图标记的附图。除非另外指示，否则贯穿本公开提供的附图不应被解释为按比例绘制。
具体实施方式
本说明书公开包含本公开的特征的一个或更多个实施例。提供所公开的实施例作为示例。本公开的范围不限于所公开的实施例。要求保护的特征由随附的权利要求限定。
所描述的实施例和本说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的参考指示所描述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但每个实施例可能不必包括所述特定特征、结构或特性。此外，这些词组不必是指相同的实施例。此外，当结合实施例描述特定特征、结构或特性时，应理解，无论是否来明确描述的，结合其它实施例来实现这种特征、结构或特性都是在本领域技术人员的认识范围内。
为易于描述的，本文中可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下部”、“在……上方”、“在……上”、“上部”等的空间相对术语来描述如附图中所图示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除附图中描绘的方向以外，空间相对术语也旨在涵盖器件在使用或操作中的不同定向。设备可以以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)且本文中所使用的空间相对描述词同样可以相应地解释。
如本文中所使用的术语“约”指示可以基于特定技术而变化的给定数量的值。基于特定技术，术语“约”可以指示例如在值的10％至30％内(例如，值的±10％、±20％或±30％)变化的给定数量的值。
然而，在更详细地描述这些实施例之前，呈现其中可以实施本公开的实施例的示例环境是具有指导性的。
示例光刻系统
图1A和图1B分别示出光刻设备100和光刻设备100'，其中，可以实施本公开的实施例。光刻设备100和光刻设备100'每个都包括以下：照射系统(照射器)IL，所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如，深紫外或极紫外辐射)；支撑结构(例如，掩模台)MT，所述支撑结构被配置成支撑图案形成装置(例如，掩模、掩模版或动态图案形成装置)MA且连接至配置成准确地定位图案形成装置MA的第一定位器PM；以及衬底台(例如，晶片台)WT，所述衬底台被配置成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W且连接至配置成准确地定位衬底W的第二定位器PW。光刻设备100和100'也具有投影系统PS，所述投影系统被配置成将由图案形成装置MA赋予至辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分(例如，包括一个或更多个管芯)C上。在光刻设备100中，图案形成装置MA和投影系统PS为反射性的。在光刻设备100'中，图案形成装置MA和投影系统PS为透射性的。
照射系统IL可以包括用于引导、成形或控制辐射束B的各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型、静电或其它类型的光学部件或其任何组合。
支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA相对于参考系的方向、光刻设备100和100'中的至少一个的设计和其它条件(诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中)的方式来保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术以保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以是例如框架或台，其可以根据需要而是固定或可移动的。通过使用传感器，支撑结构MT可以确保图案形成装置MA例如相对于投影系统PS处于期望的位置。
应将术语“图案形成装置”MA广义地解释为指代可以用于在其横截面中向辐射束B赋予图案以便在衬底W的目标部分C中产生图案的任何装置。赋予至辐射束B的图案可以对应于器件中产生于目标部分C中以形成集成电路的特定功能层。
图案形成装置MA可以是透射性的(如在图1B的光刻设备100'中)或反射性的(如在图1A的光刻设备100中)。图案形成装置MA的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列或可编程LCD面板。掩模在光刻中已为所众所周知的，并且包括诸如二元、交替相移或衰减相移的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，所述小反射镜中的各项可以单独的倾斜，以便使入射辐射束在不同方向上反射。倾斜反射镜在由小反射镜矩阵反射的辐射束B中赋予图案。
术语“投影系统”PS可以涵盖如适于所使用的曝光辐射或适于诸如衬底W上的浸没液体的使用或真空的使用之类的其它因素的任何类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统或其任何组合。真空环境可以用于EUV或电子射束辐射，这是由于其它气体可吸收过多辐射或电子。因此，可以借助于真空壁和真空泵将真空环境提供至整个束路径。
光刻设备100和/或光刻设备100'可以属于具有两个(双平台)或更多个衬底台WT(和/或两个或更多个掩模台)。在这些“多平台”机器中，可以并行地使用额外的衬底台WT，或可以在一个或更多个台上进行预备步骤，同时将一个或更多个其它衬底台WT用于曝光。在一些情形下，额外的台可以不是衬底台WT。
光刻设备也可以属于如下类型：其中衬底的至少一部分可以由具有相对高折射率的液体(例如，水)覆盖，以便填充投影系统与衬底之间的空间。也可以将浸没液体施加至光刻设备中的其它空间，例如掩模与投影系统之间的空间。浸没技术在本领域中已众所周知的用于增大投影系统的数值孔径。如本文中所使用的术语“浸没”不意味着诸如衬底之类的结构必须浸没在液体中，而是仅意味着液体在曝光期间位于投影系统与衬底之间。
参考图1A和图1B，照射器IL从辐射源SO接收辐射束。例如，当源SO为准分子激光器时，源SO和光刻设备100、100'可以是分立的物理实体。在这些情况下，不认为源SO形成光刻设备100或100'的部分，并且辐射束B借助于包括(例如)合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD(在图1B中)而从源SO传递至照射器IL。在其它情况下，例如，当源SO为汞灯时，源SO可以是光刻设备100、100'的组成部分。源SO和照射器IL连同束传递系统BD(如果需要)可以被称为辐射系统。
照射器IL可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器AD(在图1B中)。通常，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别称作“σ-外部”和“σ-内部”)。另外，照射器IL可以包括各种其它部件(在图1B中)，诸如积分器IN和聚光器CO。照射器IL可以用于调节辐射束B以在其横截面中具有期望的均一性和强度分布。
参考图1A，辐射束B入射到被保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且由图案形成装置MA图案化。在光刻设备100中，从图案形成装置(例如，掩模)MA反射辐射束B。在从图案形成装置(例如，掩模)MA反射之后，辐射束B穿过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束B聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF2(例如，干涉测量器件、线性编码器或电容式传感器)，可以准确地移动衬底台WT(例如，以便使不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中)。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器IF1可以用于相对于辐射束B的路径准确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。
参考图1B，辐射束B入射到被保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且由图案形成装置图案化。在已横穿掩模MA的情况下，辐射束穿过投影系统PS，所述投影系统PS将束聚焦至衬底W的目标部分C上。投影系统具有至照射系统光瞳IPU的光瞳共轭PPU。辐射的部分从照射系统光瞳IPU处的强度分布发散且横穿掩模图案而不受到掩模图案处的衍射影响，并且产生照射系统光瞳IPU处的强度分布图像。
投影系统PS将掩模图案MP的图像MP'投影至涂覆于衬底W上的抗蚀剂层上，其中，图像MP'由衍射束形成，所述衍射束从标记图案MP由来自强度分布的辐射产生。例如，掩模图案MP可以包括线和空间阵列。在阵列处且不同于零阶衍射的辐射的衍射产生经转向的衍射束，所述经转向的衍射束在垂直于线的方向上改变方向。没有衍射束(即，所谓的零阶衍射束)横穿图案，而传播方向没有任何变化。零阶衍射束横穿投影系统PS的在投影系统PS的光瞳共轭PPU上游的上部透镜或上部透镜组，以到达光瞳共轭PPU。在光瞳共轭PPU的平面中且与零阶衍射束相关联的强度分布的部分为照射系统IL的照射系统光瞳IPU中的强度分布的图像。孔装置PD，例如是设置在包括投影系统PS的光瞳共轭PPU的平面处或大致设置在所述平面处。
投影系统PS被布置成借助于透镜或透镜组L不仅捕获零阶衍射束，而且也捕获一阶、或一阶和更高阶衍射束(未示出)。在一些实施例中，可以使用用于使在垂直于线的方向上延伸的线图案成像的偶极照射以利用偶极照射的分辨率增强效应。例如，一阶衍射束在晶片W的水平处于相应的零阶衍射束干涉，而以最高可能分辨率和过程窗口(即，与容许曝光剂量偏差组合的可以用焦深)产生线图案MP的图像。在一些实施例中，可以通过在照射系统光瞳IPU的相对象限中提供辐射极(图中未示出)来减小散光像差。此外，在一些实施例中，可以通过阻挡投影系统的光瞳共轭PPU中的与相对四分体中的辐射极相关联的零阶束来减小散光像差。这种情形在于2009年3月31日授权的US 7,511,799 B2中更详细地描述，该专利以全文引用的方式并入本文中。
借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉测量器件、线性编码器或电容式传感器)可以准确地移动衬底台WT(例如，以便使不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中)。类似地，可以使用第一定位器PM和另一位置传感器(图1B中未示出)以相对于辐射束B的路径来准确地定位掩模MA(例如，在以机械方式从掩模库获取之后或在扫描期间)。
通常，可以借助于形成第一定位器PM的构件的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现掩模台MT的移动。类似地，可以使用形成第二定位器PW的部分的长行程模块和短行程模块来实现衬底台WT的移动。在步进器(相对于扫描器)的情况下，掩模台MT可以仅连接至短行程致动器，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。虽然衬底对准标记(如所图示的)占据专用目标部分，但其可以位于目标部分之间的空间中(称为划线对准标记)。类似地，在超过一个管芯设置在掩模MA上的情形中，掩模对准标记可以位于所述管芯之间。
掩模台MT和图案形成装置MA可以处于真空腔室V中，其中，真空内机器人IVR可以用于将诸如掩模的图案形成装置移入和移出真空腔室。替代地，当掩模台MT和图案形成装置MA处于真空腔室外部时，类似于真空内机器人IVR，真空外机器人可以用于各种输送操作。应校准真空内机器人和真空外机器人两者以用于将任何有效负载(例如，掩模)平滑地转移至转移站的固定运动安装台。
光刻设备100和100'可以在以下模式中的至少一种模式下使用:
1.在步进模式下，在将赋予至辐射束B的整个图案一次性地投影至目标部分C上时，支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT保持基本上静止(即，单次静态曝光)。接着使衬底台WT在X和/或Y方向上移位，使得可以曝光不同的目标部分C。
2.在扫描模式下，在将赋予至辐射束B的图案投影至目标部分C上时，同步地扫描支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT(即，单次动态曝光)。可以通过投影系统PS的(缩小率)放大率和图像反转特性来确定衬底台WT相对于支撑结构(例如，掩模台)MT的速度和方向。
3.在另一模式下，在将赋予至辐射束B的图案投影至目标部分C上时，使支撑结构(例如，掩模台)MT大致保持静止，从而保持可编程图案形成装置，并且移动或扫描衬底台WT。可以使用脉冲辐射源SO，并且在衬底台WT的每个移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要来更新可编程图案形成装置。这种操作模式可以易于应用于利用可编程图案形成装置(诸如可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术。
也可以使用对所描述的使用模式的组合和/或变化或完全不同的使用模式。
在另一实施例中，光刻设备100包括极紫外(EUV)源，所述极紫外(EUV)源被配置成产生用于EUV光刻的EUV辐射束。通常，EUV源被配置成处于辐射系统中，并且相应的照射系统被配置成调节EUV源的EUV辐射束。
图2更详细地示出光刻设备100，所述光刻设备包括源收集器设备SO、照射系统IL和投影系统PS。源收集器设备SO被构造且被布置成使得可以在源收集器设备SO的围封结构220中维持真空环境。可以通过放电产生等离子体源形成EUV辐射发射等离子体210。可以通过气体或蒸汽(例如，Xe气体、Li蒸汽或Sn蒸汽)来产生EUV辐射，其中，产生非常热的等离子体210以发射在电磁光谱的EUV范围内的辐射。通过例如造成至少部分离子化等离子体的放电来产生非常热的等离子体210。例如分压为10Pa的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其它合适的气体或蒸汽可以用于辐射的有效产生。在一些实施例中，提供受激发锡(Sn)的等离子体以产生EUV辐射。
由热等离子体210发射的辐射经由定位在源腔室211中的开口中或后方的可选的气体屏障或污染物陷阱230(在一些情况下也称作污染物屏障或箔阱)而从源腔室211传递至收集器腔室212中。污染物陷阱230可以包括通道结构。污染物陷阱230也可以包括气体屏障或气体屏障与通道结构的组合。本文中进一步所指示的污染物陷阱230(或污染物屏障)至少包括通道结构。
收集器腔室212可以包括可以是所谓掠入射收集器的辐射收集器CO。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。横穿收集器CO的辐射可以从光栅滤波器240反射以聚焦于虚拟源点IF中。虚拟源点INTF通常称为中间焦点，并且源收集器设备被布置成使得中间焦点INTF位于围封结构220中的开口219处或附近。虚拟源点INTF为辐射发射等离子体210的图像。光栅滤波器240尤其用于抑制红外(IR)辐射。
随后，辐射横穿照射系统IL，所述照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224，其被布置成在图案形成装置MA处提供辐射束221的期望的角分布以及在图案形成装置MA处提供辐射强度的期望的均一性。在由支撑结构MT保持的图案形成装置MA处反射辐射束221后，形成图案化束226，并且由投影系统PS经由反射元件228、229将图案化束226成像至通过晶片平台或衬底台WT保持的衬底W上。
在照射光学器件单元IL和投影系统PS中通常可以存在比所示出的元件更多的元件。依赖于光刻设备的类型，可以可选地存在光栅滤波器240。此外，可以存在比图2所示出的反射镜更多的反射镜，例如，除图2中所示出的以外，在投影系统PS中可以存在一个至六个额外的反射元件。
如图2中所图示的，收集器光学器件CO被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的巢状收集器，仅作为采集器(或收集器反射镜)的示例。掠入射反射器253、254和255围绕光轴O轴向对称地设置成，并且这种类型的收集器光学器件CO优选地结合放电产生等离子体源(常常称为DPP源)使用。
示例性光刻单元
图3示出根据一些实施例的光刻单元300，有时也称为光刻元或簇。光刻设备100或100'可以形成光刻单元300的部分。光刻单元300也可以包括一个或更多个设备成对衬底执行曝光前过程和曝光后过程。常规地，这些设备包括用于沉积抗蚀剂层的旋涂器SC、用于使经曝光的抗蚀剂显影的显影器DE、激冷板CH和焙烤板BK。衬底输送装置或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底，在不同过程设备之间移动衬底，并且将衬底传递至光刻设备100或100'的装载进料台LB。这些装置(常常统称为轨道或涂覆显影系统的)自身处于由管理控制系统SCS控制的轨道或涂覆显影系统控制单元TCU的控制下，所述管理控制系统SCS也经由光刻控制单元LACU来控制光刻设备。因此，不同设备可以被操作以最大化生产量和处理效率。
本公开的实施例可以以硬件、固件、软件或其任何组合形式实施。本公开的实施例也可以实施为储存在机器可读介质上的指令，所述指令可以由一个或更多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于储存或传输以可以由机器(例如，计算装置)读取的形式的信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括：只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘储存介质；光学储存介质；闪存装置；电学、光学、声学或其它形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)等等。另外，可以在本文中将固件、软件、例程和/或指令描述为执行某些动作。然而，应了解，这些描述仅出于方便起见，并且这些动作实际上由计算装置、处理器、控制器或执行固件、软件、例程、指令等的其它装置引起。
示例性衬底台
图4示出根据一些实施例的衬底平台400的示意图。在一些实施例中，衬底平台包括衬底台402、支撑区块404、以及一个或更多个传感器结构406。在一些实施例中，衬底台402包括夹具以保持衬底408(例如，静电夹具)。在一些实施例中，一个或更多个传感器结构406中的每个传感器结构包括透射图像传感器(TIS)板。TIS板是传感器单元，所述传感器单元包括用于在TIS感测系统中使用的一个或更多个传感器和/或标记，所述TIS感测系统用于相对于相对于光刻设备(例如，光刻设备100，图1)的投影系统(例如，投影系统PS，图1)和掩模(例如，掩模MA，图1)准确定位所述晶片。虽然在此处示出TIS板以供进行图示，本文中的实施例不限于任何特定传感器。衬底台402被设置在支撑区块404上。一个或更多个传感器结构406被设置在支撑区块404上。
在一些实施例中，当衬底平台400支撑衬底408时，衬底408被设置在衬底台402上。
可以在本文中使用术语“平坦”、“平整度”等来描述相对于大体平面表面的结构。例如，弯曲的或不水平的表面可以是一种不符合平坦平面的表面。表面上的突起和/或凹陷也可以被表征为与“平坦”平面的偏差。
在一些实施例中，上文所提及的所述衬底台的表面(例如，图1A和图1B中的晶片台WT、图4中的衬底台402)可以是平坦的或突节的(例如，如图5中所示出的)。当衬底台的表面是平坦的时，则被黏在所述衬底台与晶片之间的任何微粒或污染物将使得污染物印制穿过所述晶片，从而在其附近引起光刻误差。因此，污染物降低器件产率且增加生产成本。
在衬底台上设置突节有助于减少平坦衬底台的不良影响。当将晶片夹持至突节式衬底台时，可以在晶片不接触所述衬底台的区域中获得空白的空间。空白的空间充当污染物的囊袋以便防止印制误差。另一特征是，很可能由于由所述多个突节引起的负荷的增加(例如，每单位面积的经增加的局部压力或力)而分解所述多个突节上的污染物。压碎污染物也有助于减少透印误差(print-through error)。在一些实施例中，所述多个突节的组合表面区域可以是衬底台的表面区域的约1％至5％。这里，所述多个突节的表面区域是指所述多个突节的与所述晶片相接触的表面(例如，不包括所述多个突节的侧壁)。并且所述衬底台的表面区域是指所述多个突节所驻留于的衬底台的表面(例如，不包括所述衬底台的横向侧或背侧)的跨度。当所述晶片被夹持至突节式衬底台上时，与平坦衬底台相比，负荷增加100倍，这种足以分解大部分污染物。虽然在这里，示例使用衬底台，但所述示例并非旨在是限制性的。例如，本公开的实施例可以在用于各种夹持结构(例如，静电夹具、夹持隔膜)的掩模版台上且在多种光刻系统(例如，EUV、DUV)中被实施。
图5示出根据一些实施例的衬底台500的区域的横截面示意图。衬底台500包括突节表面502，所述突节表面包括突节504。突节表面502可以是被设置在衬底台500上的静电夹具的表面。当衬底台500支撑衬底506时，突节504可接触衬底506。
在一些实施例中，多个突节504中的每个突节具有约100微米至1000微米的宽度或直径(与突节表面502的平面平行的尺寸)。多个突节504中的每个突节具有约10微米至200微米、10微米至150微米，或10微米至100微米的高度(与突节表面502的平面垂直的尺寸)。可以基于条件性考虑因素而使用多个突节504的其它尺寸。例如，多个突节504的尺寸可以基于光刻设备中的典型的或预期的污染物微粒的尺寸。在另一示例中，接触表面积是影响摩擦的参数。因此，多个突节504的尺寸可以基于达到指定摩擦的接触区域。
突节-晶片界面管控所述衬底台的功能性能。例如，当衬底台的表面是平滑的时，在所述衬底台的平滑表面与晶片的平滑表面之间可以产生粘着力，即称为紧贴(wringing)的现象。一种用以缓解问题的方法是使接触表面呈突节状和/或粗糙。然而，经由重复使用，粗糙的突节顶部不保持它们的粗糙度。突节顶部的初始粗糙度越粗糙，则将其研磨掉即抛光掉和磨损的速度就越快。一种用以减少突节-晶片的界面处的摩擦的方法是使用低摩擦涂层来涂覆所述突节。然而，在存在有水的情况下(例如，浸没光刻)，可以相当快速地研磨掉即抛光掉所述涂层。
此外，已观察到，衬底台的所述突节表面易于受到不同寻常地快速的磨损，尤其是在与所述衬底台的中心远离的边缘处的磨损(即，不均匀磨损)的影响。不均匀磨损导致晶片在被夹持至所述衬底台时弯曲，这继而降低器件结构的光刻放置即光刻定位的准确度、随时间变化的重叠漂移，等等。由于所述夹持表面的全局形状的变化，总磨损可能导致5成像性能降低。
在光刻过程中使用的常规衬底台通常被发送回至制造商以用于进行翻新即修整，或利用新衬底替换。两种替代方案均可能是成本高的。此外，修整可以是缓慢过程，其中，根据磨损特征(即，非标准的修整过程)，处理会发生许多变化，并且通常持续数周或数月才可以将最终产品返回至消费者。
示例性衬底台制造方法
一种解决与接触表面(例如，用于光刻过程中的突节表面)的修整或翻新相关联的问题的方法可能通过在制造过程期间操控所述表面材料的性质来延长所述表面的使用寿命。例如，在制造期间，可以将多个过程应用于所述接触表面以使所述表面材料硬化。经硬化的接触表面可能更具耐磨性。硬度和耐磨性是所述接触表面的性质的非限制性示例。所述接触表面的性质的其它非限制性示例可以包括表面强度、粗糙度、摩擦系数、耐化学性、腐蚀性，等等。此外，所述多个过程并不局限于重新制造的表面。返回以供进行修整或翻新的已使用的接触表面也可以使用本文中所披露的所述多个过程在先前使用的产品上重新涂覆更耐用、持久的表面。
图6示出根据一些实施例的用于操控接触表面的性质的方法步骤。在步骤602处，利用辐射或热来处理物体(例如，衬底台、夹具等)的突节表面。在步骤604处，设置辐射或热的参数以便实现突节表面的预定的表面强度、硬度、粗糙度、摩擦系数、耐化学性、耐磨性和/或腐蚀性。
图7A示出根据一些实施例的表示接触表面(例如，静电夹具的突节顶部表面)的表面形貌测量结果的曲线图702。曲线图702中的数据与已利用如图6的方法中所描述的激光进行处理的接触表面的一部分相对应。曲线图702的纵轴表示相对于所述接触表面的平面的形貌高度或深度(以非限制性的任意单位a.u.计量)。横轴表示在垂直于形貌高度的方向上(即，沿所述接触表面的表面)的距离(以任意单位a.u.计量)。此外，已移除(例如，使用研磨过程)区域704中的材料，而区域706已免于受研磨过程。
在一些实施例中，曲线图702中的数据示出研磨过程在所述接触表面上产生深度为约2a.u.的凹部。所移除材料的深度与所述接触表面材料的性质(例如，硬度)关联。如前所述，可以基于关于图6所描述的激光或热处理来调整接触表面材料的性质。例如，激光可以将局部热引入至所述接触表面且在所述接触表面的材料中引发退火效应。以这种方式，相较于例如在烘箱中加热整个物体，接触表面的多个区域可以作为用于进行处理的目标。加热所述物体的某些部分可能是不期望的，尤其是在若所述物体是具有不等热膨胀系数的黏附部件的组件的情况下。
为了比较，图7B示出根据一些实施例的表示接触表面(例如，静电夹具的突节顶部表面)的表面形貌测量结果的曲线图708。曲线图708的轴与曲线图702中的轴相同。曲线图708中的数据对应于尚未利用激光进行处理的所述接触表面的一部分。图7B中所示出的所述接触表面确实具有已暴露于参考图7A所描述的相同研磨过程的区域710和免受研磨过程的区域712。
在一些实施例中，曲线图708中的数据示出研磨过程即抛光过程在所述接触表面上产生深度为约3a.u.的凹部。激光处理能够使通过研磨过程而被移除的材料的量减少或减轻约33％。因此，激光处理具有改变所述接触表面的材料性质的效果，使得更难以移除材料，即改善了耐磨性。简要地参考图6，步骤604处的辐射或热的参数可以对应于所述接触表面的材料性质的期望的结果。辐射或热的参数可以包括例如曝光时间、脉冲、脉冲长度、幅值、量值、重复率、波长、焦斑尺寸、焦斑形状、脉冲能量、脉冲峰值功率、平均功率、脉冲间时间、扫描速度、扫描间距、扫描模式和/或类似物。
图8示出根据一些实施例的对物体的激光处理。在一些实施例中，所述结构可以是具有接触层802的突节表面。接触层802可以具有接触表面804。在一些实施例中，所述突节表面可以被涂覆有牺牲层806和透明限制层808。牺牲层806可以被设置在所述突节表面上(例如，设置在接触表面804上)。透明限制层808可以被设置在牺牲层806上。
在一些实施例中，图6的方法可以被应用于图8中所示出的突节表面。例如，朝向所述突节表面而引导辐射束810(例如，激光)，使得辐射束入射到透明限制层808上。在透明限制层808的情境中，术语“透明”等可以指代相对于辐射束810的波长的透明度或部分透明度。即，辐射束810的能量的至少一部分可被透射穿过透明限制层808，使得所述辐射能够与牺牲层806相互作用。
在一些实施例中，牺牲层806包括吸收一定波长的辐射束810的材料。当牺牲层806的材料与辐射束810相互作用时，牺牲层的材料可快速地膨胀(例如，剥蚀、分解、蒸发，等等)以便产生冲击波812。例如，牺牲层806的材料可以包括黑色胶带。冲击波812可以冲击和压缩接触层802。所述压缩可以改变接触层802的材料性质(例如，原子堆积密度、表面强度、硬度、粗糙度、摩擦系数、耐化学性、耐磨性、和/或腐蚀性)。以这种方式，可以操控所述突节表面的性质。上文所描述的激光/冲击波过程可以被称为激光喷丸或激光冲击(peening)。
在一些实施例中，透明限制层808的不存在可以使得冲击波812远离接触层802而不是朝向接触层802膨胀—即，冲击波能量被浪费。因此，透明限制层808用于限制牺牲层806的膨胀材料以便朝向接触表面804引导冲击波812。
再次参考图6，在一些实施例中，所述突节表面可以包括如参考图8所描述的结构。接着，步骤602(利用辐射或热进行处理的步骤)可以包括使所述辐射透射穿过透明限制层以照射牺牲层。在步骤606处，基于所述照射而使牺牲层分解以便产生冲击波。在步骤608处，使用所述透明限制层限制所述牺牲层的分解材料，以朝向所述突节表面引导冲击波。在步骤610处，基于所述冲击波冲击所述突节表面来增加所述突节表面的分子的堆积密度(packing density)。
在一些实施例中，设置(或选择)辐射或热的参数的步骤604可以包括基于牺牲层和/或接触层802的材料(例如，钛(例如，TiN)、铬(例如，CrN)、类金刚石碳、和/或类似物)来设置辐射或热的参数。例如，所产生的冲击波可能对所述牺牲层的材料如何对曝光时间、脉冲、脉冲长度、幅值、量值、重复率、波长和/或类似物做出反应是敏感的。期望控制所述冲击波的压力，使得可以在不损坏所述突节表面的情况下操控所述突节表面的性质。
参考图6的较早实施例提及将辐射或热直接地施加至所述突节表面(即，无牺牲层或限制层)。在一些实施例中，利用辐射或热进行处理可以包括使辐射或热与所述突节表面直接地相互作用，而不首先使辐射或热穿过另一材料。
可以按照任何能够设想到的次序执行图6的方法步骤且不需要执行所有步骤。此外，上文所描述的图6的方法步骤仅反映多个步骤的示例且不是限制性的。即，可以基于本文中所描述的实施例中的任一个实施例来设想另外的方法步骤和功能。
在一些实施例中，当比较经处理的接触层与未经处理的接触层时，未经处理的接触层可以被称为参考层。在处理所述接触层之前，所述参考层和经处理的接触层可以具有相同的或大致类似的构造。以这种方式，与所述参考层相比，可以量化经处理的接触层的性能参数。这种比较的示例可以例如是如在图7A和图7B中所示出的。图7A可以对应于经处理的接触层，而图7B可以对应于参考层。
在一些实施例中，支撑台(参见例如图1的掩模台MT或衬底台WT)可以包括突节表面，所述突节表面包括接触层。所述支撑台可以是光刻设备(例如，光刻设备100或100')的一部分。所述接触层可以被处理以使所述接触层实现预定的表面强度、硬度、粗糙度、摩擦系数、耐化学性、耐磨性、和/或腐蚀性。已基于暴露于辐射束或暴露于热而受处理的所述接触层的参数(例如，硬度)大于参考层的相同参数(例如，如果先前提及的参数是硬度，则为硬度)，所述参考层具有与所述接触层相同的构造但未暴露于辐射束或热。所述突节表面可以是静电夹具的一部分，所述静电夹具是所述支撑台的一部分。
可以使用以下方面进一步描述实施例：
1.一种方法，包括：
使用辐射或热来处理物体的突节表面；和
设置所述辐射或热的参数以使所述突节表面实现预定的表面强度、硬度、粗糙度、摩擦系数、耐化学性、耐磨性和/或腐蚀性。
2.根据方面1所述的方法，其中，
所述突节表面包括被设置在所述突节表面上的牺牲层和被设置在所述牺牲层上的透明限制层；以及
所述透明限制层对所述辐射是至少部分地透明的。
3.根据方面2所述的方法，其中，所述处理包括使所述辐射透射穿过所述透明限制层以照射所述牺牲层，并且所述方法还包括：
基于对所述牺牲层的所述照射而使所述牺牲分解以产生冲击波；和
使用所述透明限制层限制所述牺牲层的分解材料，以朝向所述突节表面引导所述冲击波。
4.根据方面3所述的方法，还包括基于对所述冲击波的所述引导来增加所述突节表面的分子的堆积密度。
5.根据方面1所述的方法，其中，所述处理包括：在不首先传递所述辐射或热穿过另一材料的情况下，使所述辐射或热与所述突节表面直接地相互作用。
6.根据方面1所述的方法，其中，基于包括钛、铬和/或类金刚石碳的所述突节表面来选择所述辐射或热的所述参数。
7.根据方面1所述的方法，其中，所述辐射或热的设置参数包括曝光时间、脉冲、脉冲长度、幅值、量值、重复率、波长、焦斑尺寸、焦斑形状、脉冲能量、脉冲峰值功率、平均功率、脉冲间时间、扫描速度、扫描间距和/或扫描模式。
8.根据方面1所述的方法，其中，所述处理包括使用激光来处理所述突节表面。
9.根据方面1所述的方法，还包括使用静电夹具或支撑台作为所述物体、或使用所述静电夹具和所述支撑台作为所述物体。
10.一种支撑台，包括：
突节表面，所述突节表面包括接触层，所述接触层被配置成经处理以使所述接触层实现预定的表面强度、硬度、粗糙度、摩擦系数、耐化学性、耐磨性和/或腐蚀性；
其中所述接触层已基于暴露于辐射束或暴露于热而被处理，使得所述接触层的参数大于参考层的相同参数，所述参考层具有与所述接触层相同的构造但未暴露于所述辐射束或热。
11.根据方面10所述的支撑台，还包括静电夹具，所述静电夹具包括所述突节表面。
12.根据方面10所述的支撑台，其中，所述接触层的所述参数包括硬度和/或耐磨性。
13.根据方面10所述的支撑台，其中，所述接触层包括钛、铬和/或类金刚石碳。
14.根据方面10所述的支撑台，其中：
牺牲层被设置在所述接触层上；
所述突节表面还包括被设置在所述牺牲层上的透明限制层；以及
所述透明限制层对所述辐射束是至少部分地透明的。
15.根据方面14所述的支撑台，其中，所述接触层已基于以下操作而被处理：使辐射透射穿过所述透明限制层以照射所述牺牲层，基于对所述牺牲层的所述照射而使所述牺牲分解以产生冲击波，和使用所述透明限制层限制所述牺牲层的分解材料，以朝向所述突节表面引导所述冲击波。
16.一种光刻设备，包括：
照射系统，所述照射系统被配置成照射图案形成装置的图案；
投影系统，所述投影系统被配置成将所述图案的图像投影至衬底上；以及
支撑台，所述支撑台包括：
突节表面，所述突节表面包括接触层，所述接触层被配置成经处理以使所述接触层实现预定的表面强度、硬度、粗糙度、摩擦系数、耐化学性、耐磨性和/或腐蚀性；
其中所述接触层已基于暴露于辐射束或暴露于热而被处理，使得所述接触层的参数大于参考层的相同参数，所述参考层具有与所述接触层相同的构造但未暴露于所述辐射束或热。
17.根据方面16所述的光刻设备，还包括静电夹具，所述静电夹具包括所述突节表面。
18.根据方面16所述的光刻设备，其中，所述接触层的所述参数包括硬度和/或耐磨性。
19.根据方面16所述的光刻设备，其中，所述接触层包括钛、铬和/或类金刚石碳。
20.根据方面16所述的光刻设备，其中，所述支撑台被配置成支撑所述衬底。
21.根据方面16所述的光刻设备，其中，所述支撑台被配置成支撑所述图案形成装置。
22.根据方面16所述的光刻设备，其中：
牺牲层被设置在所述接触层上；
所述突节表面还包括被设置在所述牺牲层上的透明限制层；以及
所述透明限制层对所述辐射束是至少部分地透明的。
23.根据方面22所述的光刻设备，其中，所述接触层已基于以下操作而被处理：使辐射透射穿过所述透明限制层以照射所述牺牲层，基于对所述牺牲层的所述照射而使所述牺牲分解以产生冲击波，和使用所述透明限制层限制所述牺牲层的分解材料，以朝向所述突节表面引导所述冲击波。
虽然在本文中可以具体地参考光刻设备在IC制造中的使用，但应理解，本文中所描述的光刻设备可以具有其它应用，诸如，制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、LCD、薄膜磁头，等。本领域技术人员应了解，在这些替代应用的情境下，可以认为本文中对术语“晶片”或“管芯”的任何使用分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。可以在曝光之前或之后在(例如)轨道单元(通常将抗蚀剂层施加至衬底且使经曝光的抗蚀剂显影的工具)、量测单元和/或检测单元中处理本文中提及的衬底。适用时，可以将本文中的公开内容应用于这些和其它衬底处理工具。此外，可以将衬底处理超过一次(例如)以便产生多层IC，使得本文中所使用的术语衬底也可以指已经包括多个经处理的层的衬底。
虽然上文可以具体地参考在光学光刻术的情境下对所公开的实施例的使用，但将了解，所公开的实施例可以用于其它应用(例如，压印光刻术)中，并且在情境允许的情况下不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的形貌定义在衬底上产生的图案。可以将图案形成装置的形貌压入至供应给衬底的抗蚀剂层中，在衬底上，抗蚀剂是通过施加电磁辐射、热、压力或其组合而固化。在抗蚀剂固化之后将图案形成装置移出抗蚀剂，从而在其中留下图案。
应理解，本文中的措词或术语是出于描述而不是限制的目的，使得本公开的术语或措词将要由相关领域技术人员按照本文中的教导来解释。
本公开的实施例的以上示例是说明性而不是限制性的。通常在所述领域中遇到的将对本领域技术人员显而易见的多种调节和参数的其它适合的修改和调整在本公开的精神和范围内。
虽然上文已描述本公开的特定实施例，但应了解，本公开的实施例可以以与所描述的方式不同的其它方式来实践。描述旨在是说明性的，而不是限制性的。由此，本领域技术人员将明白，可以在不背离下文所阐述的权利要求的范围的情况下如所描述的对本公开进行修改。
应了解，实施方式章节而不是发明内容和说明书摘要章节旨在用于解释权利要求。发明内容和说明书摘要章节可阐述如由本发明人所考虑的本公开的一个或更多个而不是所有示例性实施例，因此，不旨在以任何方式来限制本公开和所附权利要求。
上文已借助于图示特定功能及其关系的实施方式的功能构造块来描述本公开。为了便于描述的，本文中已任意地定义这些功能构造块的边界。只要适当地执行指定功能和所述功能的关系，就可以限定替代边界。
对特定实施例的前述描述将如此充分地揭示本公开的一般性质而使得在不背离本公开的一般概念的情况下，其他人可以通过应用本领域的技能范围内的知识，针对各种应用而容易地修改和/或调适这些特定实施例，而无需进行过度实验。因此，基于本文中所呈现的教导和引导，这些调适和修改旨在在所公开的实施例的等效物的涵义和范围内。
受保护主题的广度和范围不应受到上述示例性实施例中的任一个限制，而应仅根据以下权利要求及其等效物来限定。

Claims (15)

1.一种方法，包括：
使用辐射或热来处理物体的突节表面；和
设置所述辐射或热的参数以使所述突节表面实现预定的表面强度、硬度、粗糙度、摩擦系数、耐化学性、耐磨性和/或腐蚀性。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述突节表面包括被设置在所述突节表面上的牺牲层和被设置在所述牺牲层上的透明限制层；以及
所述透明限制层对所述辐射是至少部分地透明的。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述处理包括使所述辐射透射穿过所述透明限制层以照射所述牺牲层，并且所述方法还包括：
基于对所述牺牲层的所述照射而使所述牺牲分解以产生冲击波；
使用所述透明限制层限制所述牺牲层的分解材料，以朝向所述突节表面引导所述冲击波；和
基于对所述冲击波的所述引导来增加所述突节表面的分子的堆积密度。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述处理包括：在不首先传递所述辐射或热穿过另一材料的情况下，使所述辐射或热与所述突节表面直接地相互作用；以及
基于包括钛、铬和/或类金刚石碳的所述突节表面来选择所述辐射或热的所述参数。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述辐射或热的设置参数包括曝光时间、脉冲、脉冲长度、幅值、量值、重复率、波长、焦斑尺寸、焦斑形状、脉冲能量、脉冲峰值功率、平均功率、脉冲间时间、扫描速度、扫描间距和/或扫描模式。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括使用静电夹具或支撑台作为所述物体、或使用所述静电夹具和所述支撑台作为所述物体，其中，所述处理包括使用激光来处理所述突节表面。
7.一种支撑台，包括：
突节表面，所述突节表面包括接触层，所述接触层被配置成经处理以使所述接触层实现预定的表面强度、硬度、粗糙度、摩擦系数、耐化学性、耐磨性和/或腐蚀性；
其中，所述接触层已基于暴露于辐射束或暴露于热而被处理，使得所述接触层的参数大于参考层的相同参数，所述参考层具有与所述接触层相同的构造但未暴露于所述辐射束或热。
8.根据权利要求7所述的支撑台，还包括静电夹具，所述静电夹具包括所述突节表面，其中：
所述接触层的所述参数包括硬度和/或耐磨性；以及
所述接触层包括钛、铬和/或类金刚石碳。
9.根据权利要求7所述的支撑台，其中：
牺牲层被设置在所述接触层上；
所述突节表面还包括被设置在所述牺牲层上的透明限制层；并且
所述透明限制层对所述辐射束是至少部分地透明的。
10.根据权利要求9所述的支撑台，其中，所述接触层已基于以下操作而被处理：使辐射透射穿过所述透明限制层以照射所述牺牲层，基于对所述牺牲层的所述照射而使所述牺牲分解以产生冲击波，以及使用所述透明限制层限制所述牺牲层的分解材料，以朝向所述突节表面引导所述冲击波。
11.一种光刻设备，包括：
照射系统，所述照射系统被配置成照射图案形成装置的图案；
投影系统，所述投影系统被配置成将所述图案的图像投影至衬底上；以及
支撑台，所述支撑台包括：
突节表面，所述突节表面包括接触层，所述接触层被配置成经处理以使所述接触层实现预定的表面强度、硬度、粗糙度、摩擦系数、耐化学性、耐磨性和/或腐蚀性；
其中所述接触层已基于暴露于辐射束或暴露于热而被处理，使得所述接触层的参数大于参考层的相同参数，所述参考层具有与所述接触层相同的构造但未暴露于所述辐射束或热。
12.根据权利要求11所述的光刻设备，还包括静电夹具，所述静电夹具包括所述突节表面，其中：
所述接触层的所述参数包括硬度和/或耐磨性；并且
所述接触层包括钛、铬和/或类金刚石碳。
13.根据权利要求11所述的光刻设备，其中，所述支撑台被配置成支撑所述衬底，或所述支撑台被配置成支撑所述图案形成装置。
14.根据权利要求11所述的光刻设备，其中：
牺牲层被设置在所述接触层上；
所述突节表面还包括被设置在所述牺牲层上的透明限制层；并且
所述透明限制层对所述辐射束是至少部分地透明的。
15.根据权利要求11所述的光刻设备，其中，所述接触层已基于以下操作而被处理：使辐射透射穿过所述透明限制层以照射所述牺牲层，基于对所述牺牲层的所述照射而使所述牺牲分解以产生冲击波，和使用所述透明限制层限制所述牺牲层的分解材料，以朝向所述突节表面引导所述冲击波。
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