JP6774507B2 - 基板ホルダ及び基板ホルダを製造する方法 - Google Patents

基板ホルダ及び基板ホルダを製造する方法 Download PDF

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Description

関連出願の相互参照
[0001] 本願は２０１６年７月６日出願の欧州特許出願第１６１７８０９９．４号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0002] 本発明は、基板ホルダ及び基板ホルダを製造する方法に関する。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
[0004] 基板は、パターニングデバイスからパターンを転写するときに、リソグラフィ装置内の基板ホルダ上にクランプされる。基板ホルダは、従来、基板を支持するための複数のバールを有する。基板に接触しているバールの総面積は、基板の総面積に比べて小さい。したがって、基板又は基板ホルダの表面にランダムに位置する汚染物質粒子が、バールと基板との間にトラップされる可能性は小さい。また、基板ホルダの製造の際、大きな表面を厳密に平坦にするよりも、バールの頂部を厳密に同一平面上にすることができる。
[0005] 露光の準備において基板が基板ホルダ上に最初にロードされるとき、基板は、３箇所で基板を保持するいわゆるｅピンによって支持される。基板がｅピンによって保持されている間、その重みによって基板が歪められることになり、例えば上から見たときに凸状になる。基板を基板ホルダ上にロードするために、基板が基板ホルダのバールによって支持されるように、ｅピンは引っ込められる。基板が基板ホルダのバール上まで下げられると、基板はいくつかの場所、例えばエッジ付近で、他の場所、例えば中央付近より前に接触することになる。バールと基板の下面との間の摩擦によって、基板が平坦な応力のかからない状態に完全に弛緩するのが妨げられる場合がある。
[0006] ｅピン上で支持されるときに基板の重みによって生じる湾曲は、基板の剛性に起因して相対的に小さい。加えて、基板が基板ホルダのバール上にあるときに、何らかのリラクゼーションが生じる。それにもかかわらず、残余湾曲は、望ましくないオーバーレイエラーを生じさせるのに十分であり得る。更に基板は、ｅピン上で支持される前でさえ、平坦でなくなる（例えば、たわむ）可能性があり、これによってエラーが増加することになる。
[0007] 例えば、オーバーレイエラーを低減し得る、改良された基板ホルダを提供することが望ましい。
[0008] 本発明の一態様に従い、リソグラフィ装置において使用するため、及び基板を支持するように構成された、基板ホルダが提供され、基板ホルダは、
本体表面を有する本体と、
本体表面から突出する複数のバールと、
を備え、
各バールはバール側面及び遠位端面を有し、遠位端面は基板と係合するように構成され、
バールの遠位端面は、支持平面に実質的に一致し、基板を支持するように構成され、
炭素系材料の層が炭素系材料の複数の分離領域内に提供され、炭素系材料の層は、炭素系材料の複数の分離領域外の本体表面の一部よりも低い摩擦係数を表面に提供し、
炭素系材料の層はバールのうちの少なくとも１つの遠位端面の一部のみをカバーするか、又は、炭素系材料の層は、遠位端面と、バールのうちの少なくとも１つのバール側面の少なくとも一部とをカバーする。
[0009] 本発明の一態様に従い、基板ホルダを製造する方法が提供され、方法は、
本体表面を伴う本体を有し、本体表面から突出する複数のバールを有する、基板ホルダブランクを提供することであって、各バールはバール側面及び遠位端面を有し、遠位端面は基板と係合するように構成され、バールの遠位端面は、支持平面に実質的に一致し、基板を支持するように構成される、基板ホルダブランクを提供すること、
炭素系材料の複数の分離領域において炭素系材料の層を提供することであって、炭素系材料の層は、炭素系材料の複数の分離領域外の本体表面の一部よりも低い摩擦係数を表面に提供し、複数の分離領域は、炭素系材料の層がバールのうちの少なくとも１つの遠位端面の一部のみをカバーするか、又は、炭素系材料の層が、遠位端面とバールのうちの少なくとも１つのバール側面の一部とをカバーするように、位置決めされる、炭素系材料の層を提供すること、
を含む。
[0010] 本発明の一態様に従い、リソグラフィ装置において使用するため、及び基板を支持するように構成された、基板ホルダが提供され、基板ホルダは、
本体表面を有する本体と、
本体表面から突出する複数のバールと、
を備え、
各バールはバール側面及び遠位端面を有し、遠位端面は基板と係合するように構成され、
バールの遠位端面は、支持平面に実質的に一致し、基板を支持するように構成され、
炭素系材料の連続層が提供され、連続層は、各々が第１の厚みを有する複数の第１の領域と、第２の厚みを有する少なくとも１つの第２の領域とを備え、炭素系材料は、本体表面よりも低い摩擦係数を表面に提供し、
複数の第１の領域は共に、バールのうちの少なくとも１つの遠位端面の一部のみをカバーするか、又は、遠位端面とバールのうちの少なくとも１つのバール側面の少なくとも一部とをカバーし、
第１の厚みは第２の厚みよりも大きい。
[0011] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
[0012]リソグラフィ装置を概略的に示す図である。 [0013]一実施形態に従った、基板ホルダを示す平面図である。 [0014]一実施形態に従った、基板ホルダのバールを示す断面図である。 [0015]一実施形態に従った、基板ホルダを製造する方法を示す図である。 [0016]上から下に、ダイヤモンド状炭素を用いるコーティングの前の基板ホルダ全体の位置での平坦性の変動を示す、（上）全体的クランプ形状における偏差、（中）基板ホルダ平坦性のオーバーレイ補正不能コンポーネント、（下）基板ホルダ平坦性のフォーカス補正不能コンポーネントという、３つの異なる実験データのプロットを示す図である。 [0017]上から下に、ダイヤモンド状炭素の単一の連続層を用いるコーティングの後の基板ホルダ全体の位置での平坦性の変動を示す、（上）全体的クランプ形状における偏差、（中）基板ホルダ平坦性のオーバーレイ補正不能コンポーネント、（下）基板ホルダ平坦性のフォーカス補正不能コンポーネントという、３つの異なる実験データのプロットを示す図である。 [0018]上から下に、基板ホルダにダイヤモンド状コーティングの複数の分離領域が提供された後の基板ホルダ全体の位置での平坦性の変動を示す、（上）全体的クランプ形状における偏差、（中）基板ホルダ平坦性のオーバーレイ補正不能コンポーネント、（下）基板ホルダ平坦性のフォーカス補正不能コンポーネントという、３つの異なる実験データのプロットを示す図である。 [0019]代替実施形態に従った、基板ホルダのバールを示す断面図である。
[0020] 図１は、一実施形態のリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、
放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板の表面、例えば基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された、支持テーブル、例えば１つ以上のセンサを支持するためのセンサテーブルあるいは基板支持装置６０と、
パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイの一部を含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
[0021] 照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
[0022] 支持構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
[0023] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗのターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに付与されるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板Ｗのターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
[0024] パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフトマスク、ハーフトーン型（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、更には様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを付与する。
[0025] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電光学システム、又はその任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これは更に一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
[0026] 本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
[0027] リソグラフィ装置は、２つ以上のテーブル（あるいはステージ又は支持体）、例えば、２つ以上の基板テーブル、あるいは、１つ以上の基板テーブル及び１つ以上のセンサ又は測定テーブルの組み合わせを有する、タイプであり得る。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に１つ以上のテーブルで予備工程を実行することができる。リソグラフィ装置は、基板、センサ、及び測定テーブルと同様に、並行して使用できる、２つ以上のパターニングデバイステーブル（あるいはステージ又は支持体）を有し得る。リソグラフィ装置は、露光前の製品基板を特徴付けるための様々なセンサが存在する測定ステーションと、露光が実施される露光ステーションとを有する、タイプであり得る。
[0028] リソグラフィ装置は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の液浸空間１１を満たすように、基板Ｗの少なくとも一部が、相対的に高い屈折率を有する液浸液、例えば超純水（ＵＰＷ）などの水によってカバーされ得る、タイプであり得る。液浸液は、例えばパターニングデバイスＭＡと投影システムＰＳの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で使用することができる。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板Ｗなどの構造を液浸液中に沈めなければならないという意味ではなく、「液浸」は、液浸液が投影システムＰＳと基板Ｗとの間に位置するというほどの意味である。投影システムＰＳから基板Ｗへのパターン付き放射ビームＢの経路は、全面的に液浸液を通る。投影システムＰＳの最終光学素子と基板Ｗとの間に液浸液を提供するための配置において、液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終光学要素１００と投影システムＰＳに対向するステージ又はテーブルの対向表面との間の液浸空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。
[0029] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
[0030] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えていてもよい。一般に、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、別に提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）。
[0031] 放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は容量センサ）の助けにより、基板支持装置６０を、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動できる。
[0032] 同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板支持装置６０の移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。
[0033] ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Ｃの間の空間に位置してもよい（スクライブラインアライメントマークとして周知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２をダイ間に配置してもよい。
[0034] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
[0035] １．ステップモードでは、支持構造ＭＴ及び基板支持装置６０は、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板支持装置６０がＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
[0036] ２．スキャンモードでは、支持構造ＭＴ及び基板支持装置６０は同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板支持装置６０の速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。
[0037] ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板支持装置６０を移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板支持装置６０を移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
[0038] 上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
[0039] コントローラ５００はリソグラフィ装置の動作全体を制御し、具体的には、下記で更に説明する動作プロセスを実行する。コントローラ５００は、中央処理ユニット、揮発性及び不揮発性記憶手段、キーボード及びスクリーンなどの１つ以上の入力及び出力デバイス、１つ以上のネットワーク接続、並びに、リソグラフィ装置の様々な部分への１つ以上のインターフェースを備える、好適にプログラムされた汎用コンピュータとして具体化可能である。制御コンピュータとリソグラフィ装置との間に１対１の関係が必要でないことを理解されよう。１台のコンピュータが複数のリソグラフィ装置を制御することができる。複数のネットワーク化コンピュータを使用して、１台のリソグラフィ装置を制御することができる。コントローラ５００は、リソグラフィ装置が一部を形成するそのリソセル又はクラスタ内で、１つ以上の関連付けられた処理デバイス及び基板ハンドリングデバイスを制御するようにも構成され得る。コントローラ５００は、リソセル又はクラスタの監視制御システム及び／又は製造工場の全体制御システムに従属するようにも構成可能である。
[0040] 基板支持装置６０は基板ホルダＷＴを備える。基板Ｗは、従来、露光の間、基板ホルダＷＴにクランプされる。通常、２つのクランプ技法が使用される。真空クランプでは、例えば、基板ホルダＷＴと基板Ｗとの間の空間を、基板Ｗの上の高圧力よりも低い低圧力に接続することによって、基板Ｗ全体にわたる圧力差が確立される。圧力差は、基板Ｗを基板ホルダＷＴに保持する力を生じさせる。静電クランプでは、静電力を使用して、基板Ｗと基板ホルダＷＴとの間に力が及ぼされる。これを達成するためにいくつかの異なる配置が知られている。１つの配置において、第１の電極が基板Ｗの下面に提供され、第２の電極が基板ホルダＷＴの上面に提供される。第１と第２の電極の間に電位差が確立される。別の配置において、２つの半円電極が基板ホルダＷＴ上に提供され、導電層が基板Ｗ上に提供される。２つの半円電極と基板Ｗ上の導電層とが２つの直列キャパシタのように働くように、２つの半円電極間の電位差が印加される。
[0041] 露光のために基板Ｗを基板ホルダＷＴ上にロードするために、基板Ｗは基板ハンドラロボットによってピックアップされ、ｅピンのセット上まで下げられる。ｅピンは基板ホルダＷＴを介して突出する。ｅピンは、伸縮可能なように始動される。ｅピンには、基板Ｗを把持するために、その先端に吸引開口が提供され得る。ｅピンは、基板ホルダＷＴの中心周囲に３つのｅピンが間隔を置いて配置される。基板Ｗがｅピン上に定着されると、基板Ｗが基板ホルダＷＴのバールによって支持されるように、ｅピンは引っ込められる。基板Ｗがｅピンによって保持されている間、それ自体の重みによって基板Ｗは歪められ、例えば上から見ると凸状になる。基板Ｗがバール上まで下げられると、基板が基板ホルダのバール上まで下げられると、基板Ｗはいくつかの場所、例えば基板ホルダＷＴのエッジ付近で、他の場所、例えば基板ホルダＷＴの中央付近より前に、バールに接触することになる。バールと基板Ｗの下面との間の摩擦によって基板Ｗが平坦な応力のかからない状態に完全に弛緩するのが妨げられる場合がある。基板Ｗの剛性に起因して、ｅピン上で支持されているときの基板Ｗの湾曲は小さく、基板Ｗが基板ホルダＷＴのバール上にあるときは何らかのリラクゼーションが生じるが、それでもなお残余湾曲は、望ましくないオーバーレイエラーを生じさせるのに十分であり得る。
[0042] ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）の層又はコーティングを、基板ホルダＷＴ上に提供することができる。基板ホルダＷＴと基板Ｗとの間のインターフェース特性を向上させるために、基板ホルダＷＴにＤＬＣの層を提供することができる。基板ホルダＷＴ上のＤＬＣの層が、基板ホルダＷＴの支持平面に対して平行な（及び、したがって基板Ｗの表面に対して平行な）方向の摩擦を減少させる。ＤＬＣの層は、ＳｉＳｉＣで作られたバールに比べて、バールと基板Ｗとの間の摩擦係数を約２分の１に減少させることができる。これによって、基板Ｗが基板ホルダＷＴ上に配置されたときに完全に弛緩させることができる。これにより、オーバーレイエラーが減少する。基板ホルダＷＴをＤＬＣでコーティングすることには、基板ホルダＷＴの寿命を増加させる追加の利点がある。基板ホルダＷＴが基板Ｗと物理的に接触しているとき、ＤＬＣの層の硬度及び靭性が基板ホルダＷＴの摩耗を減少させる。
[0043] ＤＬＣの層は、摩擦を減少させる（及び、それによってオーバーレイエラーを減少させる）ため、及び／又は、基板ホルダＷＴの摩耗を減少させるために、基板ホルダＷＴ上に提供することが可能な、炭素系材料の層の一例である。特にＤＬＣを参照しながら本発明の実施形態を説明する。しかしながら、代替実施形態において、ＤＬＣに加えて、又はＤＬＣの代わりに、基板ホルダＷＴの本体よりも低い摩擦係数を有する任意の他の炭素系材料が使用できる。こうした炭素系材料は、固体及び／又は無機の炭素系材料であり得る。炭素系材料は、基板ホルダＷＴの本体よりも高い摩耗耐性を有し得る。炭素系材料はグラフェンを含み得る。例えば、炭素系材料は、ダイヤモンド状炭素、グラフェン、グラファイト、４面体非晶質炭素（ｔａ−Ｃ）、非晶質炭素（ａ−Ｃ）、融合タングステンを伴う非晶質炭素（ａ−Ｃ：Ｗ）、融合タングステンを伴う４面体非晶質炭素（ｔａ−Ｃ：Ｗ）、水素化非晶質炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）、４面体水素化非晶質炭素（ｔａ−Ｃ：Ｈ）、融合タングステンを伴う水素化非晶質炭素（ａ−Ｃ：Ｈ：Ｗ）、融合タングステンを伴う４面体水素化非晶質炭素（ｔａ−Ｃ：Ｈ：Ｗ）、シリコンドーピングを伴う水素化非晶質炭素（ａ−Ｃ：Ｈ：Ｓｉ）、シリコンドーピングを伴う４面体水素化非晶質炭素（ｔａ−Ｃ：Ｈ：Ｓｉ）、フッ素ドーピングを伴う水素化非晶質炭素（ａ−Ｃ：Ｈ：Ｆ）、フッ素ドーピングを伴う４面体水素化非晶質炭素（ｔａ−Ｃ：Ｈ：Ｆ）、超ナノ結晶ダイヤモンド（ＵＮＣＤ）、ダイヤモンド、炭化タングステン、炭化クロム、炭化チタン、Ｃｒ２Ｃ／ａ−Ｃ：Ｈ、グラファイト／ＴｉＣ／Ｔｉ合金、及びアルミナに組み込まれた多層カーボンナノチューブ（ＭＷＣＮＴ）からなる、グループから選択可能である。これらの炭素系材料の各々は、高い摩耗耐性及び低い摩擦特性を示す。以下で説明する実施形態において、これらの特定の炭素系材料のうちのいずれかを、ＤＬＣの代わりに、又はＤＬＣに加えて使用することができる。
[0044] 発明者等は、基板ホルダＷＴ上に提供されるＤＬＣの層などの炭素系材料の層が高い内部圧縮応力を生じさせることを識別した。これらの内部応力は、生産プロセス、及びＤＬＣなどの炭素系材料の材料特性に起因する。例えばＤＬＣの層における内部応力は、基板ホルダＷＴの変形につながる可能性がある。変形は、基板ホルダＷＴの屈曲、基板ホルダＷＴのカーリング、又は他の変形を含む。発明者等は、厚さ１μｍのＤＬＣの層でコーティングされた典型的な基板ホルダＷＴについて測定を実行し、約２．５マイクロメートルの全体的な最大−最小変形を発見した。この変形は、基板Ｗ及び基板ホルダＷＴを第２のポジショナＰＷに対してクランプすることによって、部分的に抑制可能である。しかしながら、基板ホルダＷＴの外側エッジは、クランプシステムによって支持されない可能性がある。したがって、ＤＬＣ層の内部応力に起因する基板ホルダＷＴの外側エッジの変形は抑制することができない。典型的な基板ホルダＷＴについての測定において、発明者等は、この影響が、外側エッジの１５０ｎｍから２００ｎｍのカールダウンにつながることを発見した。結果として、外側エッジはリソグラフィ装置のフォーカスから外れる可能性がある。基板ホルダＷＴの全体的な変形を補償するために考えられる一例は、ＤＬＣの層が印加された後に基板ホルダＷＴの平坦性を補正することである。しかしながらこの手法は、大量且つコストのかかる後処理を必要とする。たとえこうした後処理が適用された場合であっても、多くのリソグラフィプロセスに関する平坦性要件を満たさないことになる。
[0045] 図２は、一実施形態に従った、リソグラフィ装置において使用するための基板ホルダＷＴを示す。基板ホルダＷＴは基板Ｗを支持する。基板ホルダＷＴは本体２１を備える。本体２１は本体表面２２を有する。本体表面２２から突出する複数のバール２０が提供される。各バール２０の遠位端面２０ａは基板Ｗと係合する。バール２０の遠位端面２０ａは、実質的に支持平面に一致し、基板Ｗを支持する。本体２１及びバール２０は、シリコンマトリックス内に炭化ケイ素（ＳｉＣ）グレインを有するセラミック材料、ＳｉＳｉＣから形成され得る。代替として、本体２１及びバール２０はＳｉＣから形成され得る。
[0046] 複数の貫通孔８９が本体２１内に形成され得る。貫通孔８９は、基板Ｗを受け取るために、ｅピンが基板ホルダＷＴを介して突出できるようにする。貫通孔８９は、基板Ｗと基板ホルダＷＴとの間の空間を排気できるようにし得る。基板Ｗと基板ホルダＷＴとの間の空間の排気によって、基板Ｗの上の空間が排気されない場合も、クランプ力を提供することができる。クランプ力は基板Ｗを適所に保持する。基板Ｗの上の空間が排気されない場合も、ＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ装置の場合と同様に、静電クランプを形成するために基板ホルダＷＴ上に電極を提供することができる。
[0047] 一実施形態において、基板ホルダＷＴはシール８７を更に備える。シール８７は、本体表面２２から突出し得る。シール８７はシール端面を有し得る。シール８７は貫通孔８９を囲み得る。シール端面は、貫通孔８９周囲に連続リングを形成し得る。他の実施形態において、シール８７は、貫通孔８９を囲む任意の他の形状を有し得る。シール８７の高さは、実質的にバール２０の高さに等しい可能性があるため、シール端面は、バール２０の遠位端面２０ａによって画定される実質的に平坦な支持平面に一致することになる。シール８７は、基板Ｗが基板ホルダＷＴのバール２０上にあるとき、基板Ｗに接触し得る。シール８７が基板Ｗに接触し得るため、貫通孔８９とシール８７の外部エリアとの間の流体連絡は防止される。基板Ｗの上の圧力よりも低い低圧力を貫通孔８９に印加することによって、基板Ｗは基板ホルダＷＴにクランプされ得る。代替として、シール８７が基板Ｗに接触しないように、シール８７はバール２０の高さよりもわずかに低い高さを有し得る。こうしたシール８７は、低圧力を生じさせるように、貫通孔８９内に流れ込むガスフローを減少させる。任意選択として、又は代替として、基板ホルダＷＴの周辺近くにエッジシール８５が提供され得る。エッジシール８５は、基板ホルダＷＴの外側周辺の突出うねである。エッジシール８５は、バール２０の高さよりもわずかに低い高さを有し得、クランプ力を提供するように、基板Ｗと基板ホルダＷＴとの間の空間に流れ込むガスフローを減少させる。
[0048] 例えば、基板ホルダＷＴと基板Ｗとの間のガスフロー及び／又は熱伝導率を制御するために、他の構造が提供可能である。基板ホルダＷＴには、電子コンポーネントが提供可能である。電子コンポーネントはヒータ及びセンサを含み得る。ヒータ及びセンサを使用して、基板ホルダＷＴ及び基板Ｗの温度を制御し得る。
[0049] バール２０が、図３において拡大して示されている。一実施形態において、各バール２０はバール側面２０ｂ及び遠位端面２０ａを有する。バール２０は、１００μｍから５００μｍの範囲内の、例えば約１５０μｍの高さｈ１を有し得る。バール２０の遠位端面２０ａの直径ｄ１は、１００μｍから３００μｍの範囲内、例えば約２００μｍであり得る。バール２０のピッチは、約０．５ｍｍから３ｍｍの範囲内、例えば約１．５ｍｍであり得る。バール２０のピッチは、２つの近接バール２０の中心間の距離である。一実施形態において、すべてのバール２０の遠位端面２０ａの総面積は、基板Ｗ又は基板ホルダＷＴの総面積１％から３％の範囲内である。図３に示されるように、バール２０は円錐台形状でありえ、バール側面２０ｂはわずかに傾斜している。一実施形態において、バール側面２０ｂは垂直であるか、又は張り出していてもよい。一実施形態において、バール２０は平面的に見て円形である。バール２０は、所望であれば他の形状に形成することも可能である。
[0050] 一実施形態において、ＤＬＣの層が提供される。代替の実施形態において、ＤＬＣ以外の炭素系材料の層が提供される。ＤＬＣ又は他の炭素系材料の層は、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の複数の分離領域２３内に提供される。一実施形態において、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層は、バール２０の遠位端面２０ａ、及びバール側面２０ｂの一部をカバーする。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層は、オーバーレイエラーを減少させるために、バール２０の遠位端面２０ａ上に提供される。実際には、製造方法は、バール２０の遠位端面２０ａのみがカバーされる（及び、バール側面２０ｂはカバーされない）ようにできるほど正確ではない場合がある。バール２０の遠位端面２０ａを厳密にカバーすることを目標にすることによって、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層が、遠位端面２０ａと単に重なる（完全にカバーするのではない）というリスクが存在する。これは、利用可能な製造方法の不正確性に起因する。バール側面２０ｂの少なくとも一部を炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）によってカバーすることによって、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層を提供する際の不正確性のマージンが認められる。これにより、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層の製造を容易及び安価にする。バール２０の遠位端面２０ａに加えて、バール側面２０ｂの一部をカバーすることの更なる利点は、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層をバール２０に接着することが改良されることである。これによって、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）がバール２０から分離するリスクが低減される。
[0051] 別の実施形態において、炭素系材料の層はバール２０の遠位端面２０ａの一部のみ（すべてではない）をカバーする。これは、例えば、炭素系材料がより容易に提供可能な場合、又は、好ましくはバール２０の遠位端面２０ａ上の特定の領域に取り付ける場合に有利である。ＳｉＳｉＣから形成されるバールは、シリコンマトリックス内にＳｉＣグレインを含む。炭素系材料、例えばグラフェンは、シリコンマトリックスよりもＳｉＣグレインにより良く接着し得る。更に、炭素系材料、例えばグラフェンは、シリコンマトリックスではなく、ＳｉＣグレイン上に選択的に成長し得る。炭素系材料によってカバーされるバール２０の遠位端面２０ａの一部は、バール２０の遠位端面２０ａ上のＳｉＣグレインであり得る。バール２０の遠位端面２０ａの一部のみをカバーすることで、炭素系材料の層の製造をより容易及び／又は安価にすることができる。
[0052] 炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層は、バール２０の遠位端面２０ａのすぐ隣にあるバール側面２０ｂの一部上に提供され得る。言い換えれば、バール側面２０ｂの一部上に提供される炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）は、バール２０の遠位端面２０ａを完全に囲むことができる。いくつかの実施形態において、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層は、バール側面２０ｂ、遠位端面２０ａ、及び本体表面２２の一部をカバーする。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層は、バール側面２０ｂのすぐ隣にある本体表面２２の一部をカバーすることができる。これによって、更に、使用可能な製造方法を使用する不正確性のマージンが増加する。このようにして、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層の製造を、より容易及び安価にすることができる。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層をバール２０に接着することが、更に改良される。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）を、バール２０の遠位端面２０ａ以外の領域に提供することは、これらの領域の摩耗に対する耐性も向上させ得、それによって、基板ホルダの寿命も向上させる。
[0053] いくつかの実施形態において、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層は、シール８７のシール端面をカバーする。加えて、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層は、本体表面２２から突出する任意の他のフィーチャの遠位端面上に提供され得る。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層は、基板Ｗに接触可能な任意の他のコンポーネント上に提供され得る。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層は、基板ホルダＷＴ上の受動的水管理を向上させるために、本体表面２２に局所的に提供され得る。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層は、基板ホルダＷＴのクリーニングをより容易にするために、本体表面２２に局所的に提供され得る。
[0054] いくつかの実施形態において、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層は、基板ホルダＷＴのすべてのバール２０上に提供される。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層は、本体表面２２から突出する複数のバール２０の各々（すなわち、すべて）の遠位端面２０ａをカバーすることができる。したがって、摩擦の全般的な低減が最大となる。オーバーレイエラーは最小となる。しかしながら、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層をあるバール２０のみに提供することが可能である。例えば、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層を、基板ホルダＷＴの中央領域内のバール２０にのみ提供可能である。一実施形態において、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層は、本体表面２２から突出する複数のバール２０の各々のバール側面２０ｂの少なくとも一部を更にカバーする。
[0055] 炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層は、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の複数の分離した、又は途切れた領域２３内に提供される。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層は、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の複数の分離領域２３で構成され得るか、又は分離領域２３からなり得る。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３のうちのいずれも、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３のうちの別の１つに接続していないか、又は接触していない。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の複数の分離領域２３内に炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層を提供することによって、基板ホルダＷＴ上の炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）における内部応力の影響が低減される。これによって、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の単一の連続層が提供された場合に生じることになる変形に比べて、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）における内部応力から生じる基板ホルダＷＴの全体的な変形が低減される。
[0056] 炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３の各々、又は、バール２０上に提供される炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３の各々は、実質的に同じ特徴及び寸法を含み得る。代替として、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３は互いに異なり得る。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３は、遠位端面２０ａ上及びバール２０のバール側面２０ｂの一部に提供され得る。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３は、バール側面２０ｂ全体、及び、バール側面２０ｂのすぐ隣にある本体表面２２の一部２０ｃをカバーすることができる。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の１つ以上の分離領域２３は、シール８７の遠位端面上に提供され得る。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の１つ以上の分離領域２３は、本体表面２２から突出する任意の他のフィーチャ上に提供され得る。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３は、平面的に見たときに円形であり得る。代替として、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３は他の形状で形成され得る。
[0057] 一実施形態において、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の複数の分離領域２３のうちの１つ以上の各々は、単一バール（すなわち、唯一のバール２０）のバール側面２０ｂの一部及び遠位端面２０ａをカバーする。これにより、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３の横寸法を制限し、これによって、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の内部応力から生じる基板ホルダＷＴの変形を減少させる。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３の各々は、単一バール２０の遠位端面２０ａをカバーし得る。言い換えれば、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３の各々は、１つのバール２０上にのみ提供され得、第２のバール２０には提供されない。バール２０上に提供される炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３の各々は、単一バール２０の遠位端面２０ａをカバーし得る。代替として、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の複数の分離領域２３の１つ以上の各々は、複数のバール２０、例えば近接バール２０のグループ上に提供され得る。
[0058] 炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３は、本体表面２２に対して垂直に見たときに、バール２０の遠位端面２０ａの直径ｄ１よりも大きい、最小横寸法、又は直径ｄ２を有し得る。一実施形態において、単一バール２０のバール側面２０ｂの一部及び遠位端面２０ａをカバーする、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３の各々は、本体表面２２に対して垂直に見たときに、バール２０の中心と最も近い他のバール２０の中心との間の距離よりも小さい、最大横寸法、又は直径ｄ２を有する。バール２０上に提供される炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３は、そのバール２０の中心と最も近い他のバール２０の中心との間の中間点まで延長し得る。例えば、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３は、平面的に見たときに、１００μｍから２ｍｍの範囲内、又は好ましくは２００μｍから５００μｍの範囲内の、直径ｄ２、又は平均横寸法を有し得る。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３の横寸法を制限することで、基板ホルダＷＴの変形を減少させる。
[0059] 一実施形態において、炭素系材料の層はＤＬＣの層を含み、０．５μｍから１．５μｍの範囲内の厚みを有する。したがって、ＤＬＣの層を構成するＤＬＣの分離領域２３は、０．５μｍから１．５μｍの範囲内の厚みｔ１を有する。最小厚み０．５μｍは、例えば、ＤＬＣの層の頂面の平坦性を向上させるために、堆積後にＤＬＣの層を処理することができる。後処理は、ＤＬＣの層の頂面が支持平面ＳＰに正確に一致するように保証することができる。最小厚み０．５μｍは、更に、いずれの小さな局所的陥没又は突出も平らにすることができる。最大厚み１．５μｍは、ＤＬＣの層内の内部圧縮応力が低く維持されることを保証する。他の実施形態において、炭素系材料の層は、ＤＬＣ以外の炭素系材料を含み、０．５μｍから１．５μｍの範囲内の厚みも有する。これにより、ＤＬＣに関して説明した利点と同じ利点を提供し得る。
[0060] 代替実施形態において、任意選択として、下にあるＤＬＣの層の表面に実質的に続くように十分薄いＤＬＣのより薄い層が、炭素系材料の一例として提供される。一実施形態において、ＤＬＣの層は、３０ｎｍから２００ｎｍの範囲内の厚みを有する。この場合、ＤＬＣの層を構成するＤＬＣの分離領域２３は、３０ｎｍから２００ｎｍの範囲内の厚みｔ１を有する。こうした薄いＤＬＣの層を提供することで、ＤＬＣの層内の内部圧縮応力を更に減少させる。他の炭素系材料の層も、３０ｎｍから２００ｎｍの範囲内の厚みを有し得る。これによって、炭素系材料の層内の内部圧縮応力を更に減少させる。
[0061] 望ましい特性を達成するために、炭素系材料の層の一例として、ＤＬＣの層の正確な配合（例えば、非晶質水素化炭素、ａ：Ｃ−Ｈ、又は４面体非晶質炭素、ｔａ−Ｃ内の、水素含有量）を選択することができる。望ましい特性は、例えば、本体２１の材料への接着、機械的強度、ロバスト性、及び基板Ｗに対する摩擦の係数を含み得る。ＤＬＣの層に含めることが可能な好適な添加物は、シリコン、酸素、窒素、モリブデン、及びフッ素を含む。基板ホルダＷＴの本体２１及びバール２０がＳｉＳｉＣ又はＳｉＣから形成される場合、ＤＬＣの層内にシリコンを含めることで、基板ホルダＷＴへの接着を向上させることができる。一実施形態において、バール表面２０ａ、２０ｂとＤＬＣの層との間に接着促進層を提供することができる。ＤＬＣの層へのフッ素の添加により、摩擦を更に減少させることができる。こうした望ましい特性を達成するために、他の炭素系材料で作られる層の正確な配合を選択することもできる。
[0062] 一実施形態において、ＤＬＣの層は、ＤＬＣの層は無いが、その他はすべての点で同様の、ＳｉＳｉＣの基板ホルダＷＴに比べて、基板ホルダＷＴと基板Ｗとの間の摩擦を２分の１に減少させる。一実施形態において、垂直力対けん引力の比として定義される摩擦係数は、約０．１とすることができる。摩擦係数は、１片の基板Ｗを基板ホルダＷＴ上に配置すること、及び、基板ホルダＷＴを横切って基板Ｗをドラッグするために必要な力を測定することによって、測定可能である。垂直力は、望ましくは約ｍＮであり、１片の基板Ｗの重み、基板Ｗの頂部に置かれる追加の重み、又は、それ全体にわたる圧力差を介して、提供可能である。周囲湿度が摩擦係数の測定に影響を与える可能性があるため、好ましくは、測定は、３０°から７０°の範囲内の相対湿度ＲＨで実行される。他の炭素系材料も、基板ホルダＷＴと基板Ｗとの間の摩擦を大幅に減少させることができる。
[0063] ＤＬＣの層の追加の利点は、ＤＬＣがＳｉＳｉＣよりも堅牢でないことである。一実施形態において、ＤＬＣの層は、純粋なＳｉＳｉＣよりも約７０％低い堅牢性を有する。このＤＬＣの堅牢性の低下は、ＤＬＣの高い硬度と組み合わせて、基板ホルダＷＴの摩耗に対する耐性を向上させることができる。他の炭素系材料も、基板ホルダＷＴの摩耗に対する耐性を向上させることができる。
[0064] 一実施形態において、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の複数の分離領域２３は、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の事前に堆積された層から、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の領域を選択的に除去することによって形成される。単一の連続する炭素系材料層（例えば、ＤＬＣ）から、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の複数の分離領域２３を形成することによって、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３の各々の厚み及び特性が一定であることが保証される。これにより、バール２０の遠位端面２０ａ上の炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層の頂面が、実質的に平坦な支持平面ＳＰに一致することが保証される。
[0065] 図４は、一実施形態に従った、基板ホルダＷＴを製造する方法を示す。第１のステップＳ１において、基板ホルダブランク、又はテンプレートが提供される。基板ホルダブランクは、ＳｉＳｉＣで作られ得る。基板ホルダブランクは本体２１を有する。本体２１は本体表面２２を有する。基板ホルダブランクは、本体表面２２から突出する複数のバール２０を有する。各バール２０は、バール側面２０ｂ及び遠位端面２０ａを有する。バール２０の遠位端面２０ａは、実質的に支持平面に一致し、基板Ｗを支持する。各バール２０の遠位端面２０ａは、基板Ｗと係合する。代替として、基板ホルダブランクは、既知の製造方法を使用して第１のステップで製造され得る。
[0066] 方法は、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の複数の分離領域２３内に炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層を提供することを更に含む。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の複数の分離領域２３は、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層がバール２０の遠位端面２０ａ及びバール側面２０ｂの一部をカバーするように、位置決めされる。
[0067] 一実施形態において、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層は、本体表面２２及び複数のバール２０上に、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の単一の連続層を第１に提供することＳ２によって提供される。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の連続層は、基板ホルダＷＴの中央領域内のバール２０などの、あるバール２０にのみ、提供されることＳ２が可能である。代替として、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の連続層は、基板ホルダＷＴの全体に提供されることＳ２が可能である。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の連続層は、例えば、プラズマ堆積プロセスを使用して、基板ホルダＷＴに提供され得る。
[0068] 次に、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の領域は、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の複数の分離領域２３を形成するように、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の連続層から選択的に除去されるＳ３。言い換えれば、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の連続層は、パターン化、構造化、又は中断される。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の複数の分離領域２３は、前述のような特徴及び特性を有し得る。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の選択的除去Ｓ３は、（例えば、フォトレジスト又は金属からなる）マスクを介するエッチング又は研磨用サンドブラスティング、あるいは放電加工によって達成可能であるが、これらの方法に限定されない。
[0069] 代替実施形態において、ステップＳ２及びＳ３は、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層が炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の複数の分離領域２３以外の領域上に形成されるのを防止しながら、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層が提供される、処理によって置き換えられ、それによって炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の複数の分離領域２３を形成する。例えば、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層の堆積中、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の複数の分離領域２３以外の領域をマスクすることができる。
[0070] 任意選択の更なるステップＳ４において、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３に、後処理を施すことができる。後処理を使用して、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３の上面が望ましい平坦性を有し、支持平面ＳＰに正確に一致することが保証され得る。後処理ステップＳ３は、例えばレーザアブレーション、イオンエッチング、又はイオンビームフィギュアリング（ＩＢＦ）による、材料の選択的除去を含み得る。後処理後、基板ホルダＷＴはテストされＳ５、例えば、必要であれば酸素プラズマ処理又は機械研磨を使用することによって再加工可能である。
[0071] 第１に、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の単一の連続層を提供することＳ２の利点は、こうした層が非常に均一に堆積可能であり、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の連続層全体にわたる一定の厚み及び内部構造につながることである。結果として、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の選択的除去Ｓ３、又は炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の連続層のパターン化の後、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の残りの分離領域２３は、すべて、実質的に等しい特性及び厚みを有する。これにより、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３の頂面が、すべて同じ実質的に平坦な支持平面ＳＰに一致することが保証される。これにより、後処理の要件が最小限になる。
[0072] 代替として、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の複数の分離領域２３内の基板ホルダＷＴに炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）が提供されるように、マスクを介してブランク又はテンプレート上に炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）を堆積することによって、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の分離領域２３が形成され得る。代替として、マスクは、例えばフォトレジスト又は金属の犠牲層からなり得る。
[0073] 一実施形態において、基板Ｗ上に像を投影するためのリソグラフィ装置が提供される。リソグラフィ装置は、前述のような基板ホルダＷＴを備える。
[0074] 一実施形態において、リソグラフィ装置は、パターニングデバイスＭＡを支持するように構成された支持構造ＭＴを更に備える。投影システムＰＳは、パターニングデバイスＭＡによってパターン付与されたビームを基板Ｗ上に投影する。クランプシステムは、基板ホルダＷＴに基板Ｗをクランプする。
[0075] 一実施形態において、リソグラフィ装置を使用するデバイスを製造する方法が提供される。リソグラフィ装置は、前述のような基板ホルダＷＴと、基板ホルダＷＴに基板Ｗをクランプするためのクランプシステムとを有する。方法は、基板ホルダＷＴ上に基板Ｗをロードすることを含む。方法は更に、基板Ｗの変形の弛緩を可能にすることを含む。方法は更に、クランプシステムを係合することを含む。方法は更に、パターンを基板Ｗ上に露光することを含む。
[0076] クランプを係合する前に、基板Ｗの変形の弛緩を可能にすることによって、オーバーレイエラーを最小化することができる。炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層は、いかなる遅延も無しに弛緩を発生させることを可能にする。
[0077] 図５〜図７は、ＤＬＣの単一の連続層の代わりにＤＬＣの分離領域２３を使用することによって、改良された基板ホルダＷＴの平坦性がどのように取得されるかを示す、実験データを示す。各図は、３つの異なる手段に従って、基板ホルダＷＴの平坦性における偏差を示す、実験データの３つのプロット、（上）全体的なクランプ形状における偏差、（中）基板ホルダ平坦性のオーバーレイ補正不可コンポーネント、及び（下）基板ホルダ平坦性のフォーカス補正不可コンポーネント、を含む。異なるレベルの偏差にわたるピクセルの分布及びシェーディングキーを示すヒストグラムが、各プロットの下に提供されている。図５〜図７の各々における上のプロットでは、中央のより暗い領域は相対的に大きな偏差を表し、より明るいグレー領域は中間偏差を表し、周辺のより暗い領域は相対的に小さい偏差を表す。図５〜図７の各々における真ん中のプロットでは、プロットのほとんどが相対的に小さい偏差（プロットの下に提供されるヒストグラムにおけるピークのシェードに対応する）に対応する。図５〜図７の各々における下のプロットでは、プロットのほとんどが相対的に小さい偏差（プロットの下のヒストグラムの２つのピーク領域のシェードに対応する）に対応するが、より暗い領域は相対的に大きい偏差を表す。図５〜図７は、ＤＬＣの単一の連続層の適用は、平坦性からの相対的に大きな偏差につながり、図６の下のプロット（単一の連続層でのコーティング後）と図５の下のプロット（コーティング前）とを比較することによって、最も明白に認識可能である。ＤＬＣの分離領域２３を提供するためにＤＬＣの連続層を構造化することで、平坦性からの偏差は著しく減少し、図６の下のプロット（ＤＬＣの単一の連続層でのコーティング後）と図７の下のプロット（ＤＬＣの分離領域２３でのコーティング前）とを比較することによって、最も明白に認識可能である。図７の下のプロットにおけるより暗い領域の量が図６の下のプロットと比較して大幅に少ないことは、ＤＬＣの分離領域２３が使用されるときに、平坦性が向上することを示す。この特定の実験例において、ＤＬＣの単一の連続層における高い内部応力は、基板ホルダＷＴの屈曲及び変形につながり、基板ホルダＷＴの外側エッジは、基板ホルダＷＴの中央に対して約２．３μｍから２．５μｍだけカールダウンする。ＤＬＣの分離領域２３が提供される場合、変形は大幅に少ない。ＤＬＣの分離領域２３が使用されるときに観察される平坦性の偏差は、ＤＬＣでのいずれのコーティングよりも前に見られる偏差と同様である。より一般的には、発明者等は、厚みが約１ミクロンのＤＬＣの単一の連続層における内部応力は、基板ホルダＷＴにおけるミクロン規模の変形につながる可能性があることを実験から発見した。
[0078] 図３の実施形態において、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の層は、炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）の複数の分離した、又は途切れた領域２３内に提供される。これらの分離領域２３間には炭素系材料は提供されない。このようにして、基板ホルダＷＴの本体表面２２は露光される。発明者等は、基板ホルダＷＴの後処理の間、例えばイオンビームフィギュアリング（ＩＢＦ）の間、基板ホルダＷＴの露光されたＳｉＳｉＣ又はＳｉＣ本体表面２２からの材料は、ＳｉＯｘ又はＳｉＣ粒子としてスパッタオフされ得ることに気付いた。こうした粒子は炭素系材料の層の頂部に堆積し、汚染層を形成する場合がある。この汚染層は、バール２０の遠位端面２０ａの表面の粗さを増加させ、基板ホルダＷＴと基板Ｗとの間の摩擦の増加につながる。したがって、こうした汚染層の形成を避けることが望ましい。
[0079] 発明者等は、こうした汚染層の形成が、図８に示すような炭素系材料の連続層を提供することによって防止又は緩和できることを発見した。連続層は、複数の第１の領域２３を有する。各第１の領域２３は、第１の厚みｔ１（すなわち、同じ厚み）を有する。第１の厚みｔ１は、各第１の領域２３内で実質的に均一である。連続層は、第２の厚みｔ２を有する少なくとも１つの第２の領域２５を更に備える。第１の厚みｔ１は第２の厚みｔ２よりも大きい。
[0080] 複数の第１の領域２３は共に、バール２０のうちの少なくとも１つの遠位端面２０ａの一部のみ、又は、バール２０のうちの少なくとも１つの遠位端面２０ａの少なくとも一部及びバール側面２０ｂの少なくとも一部の両方の、いずれかをカバーする。実施形態において、第１の領域２３は、図３を参照しながら上記で考察した炭素系材料の分離領域２３と、同じサイズ、形状、及び／又は位置を有する。炭素系材料の第１の領域２３も、基板ホルダＷＴの本体表面２２よりも摩擦係数が低い表面を提供し、それによって、前述の炭素系材料の分離領域２３と同様にオーバーレイエラーを減少させる。
[0081] 第１の領域２３よりも少ない厚みを有する少なくとも１つの第２の領域２５を提供することで、均一厚みの連続層に比べて全体の内部応力が低くなると同時に摩耗に対する適切な耐性を達成する、連続層を提供することが可能である。これは、摩耗に対する耐性を達成するのに十分大きな厚みが、基板Ｗに接触していないエリアでは必要ないためである。基板Ｗに接触していないエリアのうちの少なくともいくつかに、より薄い第２の領域２５を提供することで、摩耗に対する耐性にいかなる悪影響も与えることなく内部応力を減少させる。各第２の領域２５における単位面積当たりの内部応力は、各第１の領域２３における単位面積当たりの内部応力よりも低い。
[0082] 図３を参照しながら上記で考察したタイプの実施形態とは対照的に、（炭素系材料が第１の領域２３間に存在するような）炭素系材料の連続層を提供することで、基板ホルダＷＴの本体表面２２が露光されない、又は少なくとも露光される本体表面２２が少ないことが保証される。イオンビームフィギュアリングなどの後処理ステップは、炭素系材料の少なくとも１つの第２の領域２５によってカバーされた基板ホルダＷＴの本体表面２２の領域に、直接作用することはできない。後処理の間に、炭素系材料の層の頂部に汚染層が形成されることは防止又は低減される。少なくとも１つの第２の領域２５は、複数の第１の領域２３の間のエリアのすべて又は実質的にすべてをカバーし得る。これによって、本体表面２２のいずれの部分も基板ホルダＷＴの後処理に曝されず、汚染層の形成のリスクは最小限となる。
[0083] 一実施形態において、少なくとも１つの第２の領域２５は第１の領域２３に接続し、本体表面２２及び基板ホルダＷＴのバール２０を覆う連続層を共に形成する。一実施形態において、第１の領域２３及び少なくとも１つの第２の領域２５は、本体表面２２及び／又は基板ホルダＷＴのバール２０上に直接提供される。
[0084] 様々な実施形態において、炭素系材料の第１の厚みｔ１は、０．５μｍから１．５μｍの範囲内となるように選択される。バール２０の頂部の厚み０．５μｍ以上の炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）は、摩耗に対する適切な耐性を提供すること、後処理（イオンビームフィギュアリング又はラッピングなど）において平坦性を達成するための実際的なマージンを提供すること、及び、ターゲット表面の信頼性のある全カバレッジを促進することが、わかっている。厚み１．５μｍ以下の炭素系材料（例えば、ＤＬＣ）は、オーバーレイエラーに過度に寄与しないように十分低い内部応力を、第１の領域２３内に提供することがわかっている。
[0085] 様々な実施形態において、炭素系材料の第２の厚みｔ２は、２００ｎｍから３００ｎｍの範囲内となるように選択される。２００ｎｍ又はそれ以上の厚みは、後処理ステップ（イオンビームフィギュアリングなど）が基板ホルダＷＴの本体表面２２まで達するリスクを低減させ、それによって、汚染層が形成されるリスクを低減させることがわかっている。３００ｎｍ未満の厚みは、基板ホルダＷＴに作用する内部応力が、基板ホルダＷＴエッジの過度のカールダウン及び関連するオーバーレイエラーを回避するのに十分なように低減されることを保証するのに効果的であることがわかっている。
[0086] 図８の実施形態は、図４に関して説明した方法に従って生成され得るが、ステップＳ３において、炭素系材料の事前に堆積された連続層の少なくとも１つの選択領域から、炭素系材料が（完全にではなく）部分的にのみ除去されることを除く。部分的な除去は、少なくとも１つの選択領域内の炭素系材料の厚みの低減を含む。炭素系材料が除去されていない領域は、第１の領域２３を形成し得る。炭素系材料が部分的に除去されている少なくとも１つの領域は、少なくとも１つの第２の領域２５を形成し得る。部分的な除去は、例えば、（例えば、フォトレジスト又は金属からなる）マスクを介するエッチング又は研磨用サンドブラスティング、放電加工、又はレーザアブレーションによって、実施され得る。
[0087] 代替として、図８の実施形態は、炭素系材料の薄い連続層（２００ｎｍから３００ｎｍの範囲内などの、第２の厚みに等しい）を第１に提供することによって生成され得る。次いで、より厚い層を選択領域内に追加し、例えば、炭素系材料が第１の領域２３以外の領域上に形成されるのを防ぎながら、炭素系材料を追加することによって、第１の厚み（例えば、０．５μｍから１．５μｍの範囲内）を有する第１の領域２３を形成することができる。これは、例えば堆積中のマスキングによって達成され得る。別の実施形態において、より厚い第１の領域２３が第１のステップにおいて（例えば、マスクされた堆積によって）選択的に形成され、少なくとも１つの第２の領域２５が、後続のステップにおいて連続する薄い層を（少なくとも１つの第２の領域２５及び第１の領域２３を覆って）印加することによって形成される。
[0088] ＤＬＣ以外の炭素系材料が、基板ホルダＷＴ上に提供され得る。こうしたＤＬＣの代替の１つがグラフェンである。グラフェンは、バール２０の遠位端面２０ａ上で潤滑剤及び耐摩耗コーティングとして使用され得る。したがって、グラフェンの層は、のぞましくないオーバーレイエラーの影響を低減させるために、摩擦低減及び耐摩耗コーティングとして、基板ホルダＷＴ上に提供され得る。グラフェンの層は、図３の実施形態に関して説明したように、グラフェンの複数の分離領域２３内の基板支持体ＷＴ上に提供され得る。これによって、基板支持体ＷＴ上での高品質グラフェンの単純で効率的な提供を可能にする。グラフェン表面の品質、並びにグラフェンと基板ホルダＷＴとの間のインターフェースの品質は、グラフェンの摩耗に対する耐性及びその低摩擦特性に直接影響する。
[0089] グラフェンの層は、単層グラフェン又は多層グラフェンを含み得る。単層グラフェンの提供は、基板ホルダＷＴの摩耗及び基板ホルダＷＴと基板Ｗとの間の摩擦を劇的に低減させるのに十分である。基板ホルダＷＴのバール２０上にグラフェンの層が提供されると、バール２０とバール２０によって支持される基板Ｗとの間の直接の微小の接触が回避され、高摩擦及び摩耗につながる化学結合は形成されないことになる。更に、グラフェンの低欠陥密度は、基板Ｗ又は基板Ｗ上の有機汚染物への接着力を最小限にする。更にグラフェンの層は、バール２０の遠位端面２０ａのいかなる本来の凹凸も補償する。グラフェンは固有の低表面エネルギーを有し、これが、バール２０上の毛細管（又は水）架橋の固定によって生じる摩擦力に対する寄与を最小にする。こうした毛細管架橋は、リソグラフィ装置内で使用される液浸液、又は空中の水蒸気から生じ得、基板ホルダＷＴの摩耗率を著しく増加し得る。このようにして、グラフェンは、基板ホルダＷＴ上の摩耗及び摩耗デブリの生成を効果的に減少又は最小化させる。グラフェンは、摩擦係数を著しく低減し、基板ホルダＷＴの摩耗に対する耐性を向上させる、炭素系材料の一例である。
[0090] 単層グラフェンの代わりに多層グラフェンを提供することで、グラフェンの層の摩耗に対する耐性を向上させることができる。これは、摩耗が、グラフェンと基板ホルダＷＴとの間の接触インターフェースにまで達する可能性が低いためである。したがって、摩耗は、多層グラフェンの基板ホルダＷＴへの接着に最小限の影響を与えるのみである。
[0091] 基板ホルダＷＴにグラフェンの層を提供する方法は、基板ホルダＷＴを提供すること、基板ホルダＷＴの少なくとも一部を水素雰囲気に浸すこと、及び、放射ビームＢを使用して基板ホルダＷＴの少なくとも一部を照射することを含む。照射される基板ホルダＷＴの部分は、図３の実施形態に関連して考察される、炭素系材料の複数の分離領域２３に対応し得る。方法は、リソグラフィ装置内で実施可能である。水素雰囲気及び放射ビームは、リソグラフィ装置によって提供され得る。
[0092] 基板ホルダＷＴは、ＳｉＳｉＣ又はＳｉＣで作られ得る。ＳｉＣで作られた基板ホルダＷＴを使用することで、基板ホルダＷＴ上にグラフェンを直接成長させることができる。更に、ＳｉＣ基板ホルダＷＴの等質構造により、基板ホルダＷＴの各バール２０の機械接触特性の正確な定義が可能となる。グラフェンは、例えば高温で生じ得るシリコン原子の脱離に基づいてＳｉＣ上に形成され得る。したがってグラフェンは、ＳｉＣ基板ホルダＷＴのバルク材料から直接形成され得る。１つのグラフェン層を形成するために、３つのＳｉＣ二重層が必要である。これは、（６√３×６√３）Ｒ３０°構造を伴う炭素中間層の形成によって仲介される。再度追加のグラフェン層を形成することは、（６√３×６√３）Ｒ３０°構造の形成につながる。同時に、第１の（６√３×６√３）Ｒ３０°構造は、ＳｉＣ基板ホルダＷＴへのその共有結合から解放され、真のグラフェン層に変換される。このようにして、すべてのグラフェン層は、基板ホルダＷＴに対して同じ３０°回転を用いて形成される。
[0093] ＳｉＣ基板ホルダＷＴ上でのグラフェンのこうした成長は、リソグラフィ装置内の原位置で達成され得る。基板ホルダＷＴが水素雰囲気によって囲まれている間に、基板ホルダＷＴの選択領域、又は基板ホルダＷＴ全体が、リソグラフィ装置の放射ビームＢに露光され得る。水素雰囲気は分子状水素を含む。この分子状水素は、放射ビームＢとの相互作用時に原子状水素に解離される。ＳｉＣ基板ホルダＷＴのシリコン原子と原子状水素の化学的相互作用は、シランガスＳｉＨ４の形成、及びしたがってシリコンの脱離につながる。シリコン原子の脱離後、基板ホルダＷＴの上層内に残る炭素原子は、それら自体を（６√３×６√３）Ｒ３０°構造に再編成し、その後、真のグラフェン層を形成する。揮発性ＳｉＨ４は、リソグラフィ装置の真空機器を使用して、リソグラフィ装置から即時に排気することができる。
[0094] 放射ビームＢの波長は重要ではない。放射ビームＢの波長は、例えば可視（３９０ｎｍから７００ｎｍ）、又は赤外線（７００ｎｍから１ｍｍ）レジーム内であるものとすることができる。代替として、約１９３ｎｍ（ＤＵＶ）、約１３．５ｎｍ（ＥＵＶ）、及び更に短い波長（ＢＥＵＶ）が使用可能であるため、グラフェンを成長させるために、リソグラフィ装置のＤＵＶ、ＥＵＶ、又は他の放射ビームＢを使用することが可能になる。放射ビームＢは、５ｎｍから１ｍｍの範囲内の波長を有し得る。好ましくは、放射ビームＢは１０ｎｍから２００ｎｍの範囲内の波長を有する。この結果として、ＳｉＣ基板ホルダＷＴのＣ又はＳｉの内部シェルの励起が生じることはない。この波長の放射は、結果として、外側シェル励起及び結合破壊、又は加熱のいずれかを生じさせることになる。この波長の放射は、分子状水素を原子状水素に効果的に解離させる。リソグラフィ装置はＥＵＶリソグラフィ装置であってよく、ＥＵＶリソグラフィ装置のＥＵＶ放射ビームＢを使用して、分子状水素を解離させることができる。代替として、リソグラフィ装置はＤＵＶリソグラフィ装置であってよく、ＤＵＶリソグラフィ装置のＤＵＶ放射ビームＢを使用して、分子状水素を解離させることができる。
[0095] 水素雰囲気の圧力は重要ではない。圧力は、例えば、０．５Ｐａから１０Ｐａの範囲内などの、約１Ｐａ又は数Ｐａであり得る。圧力はリソグラフィ装置内の圧力に対応し得るため、水素雰囲気は、例えば約１Ｐａの圧力で提供されることになる。約１Ｐａ又は数Ｐａの圧力は、基板ホルダＷＴ上でグラフェンを効果的に成長させるのに十分である。圧力は、リソグラフィ装置の通常のリソグラフィ処理において、干渉しないか又は干渉が最小限であるように十分低い。
[0096] 加えて、ＥＵＶリソグラフィ装置内などでのグラフェンの水素雰囲気に対する曝露を、グラフェンの原子レベル修復に使用することもできる。例えば摩耗によって損傷したグラフェンの層は、機械応力に起因する破断の影響を受けやすい。ダングリングボンドは、グラフェンの損傷部位で曝露される。水素原子は、これらのダングリングボンドに結合し、したがってこれらを不動態化する。これにより、グラフェンの層の寿命を大幅に延長し、その望ましい摩耗に対する耐性及び摩擦特性をより長い期間維持することができる。同様に、例えば、ＤＵＶリソグラフィ装置内に存在する水蒸気中の水素は、グラフェンの層のダングリングボンドを結合及び不動態化し、したがって、グラフェンの層の寿命を延長することができる。したがって、ＥＵＶ又はＤＵＶリソグラフィ装置における基板ホルダＷＴ上のグラフェンの層は、延長された期間、その望ましい特性を維持することができる。
[0097] 基板ホルダＷＴ上のグラフェンの層は、基板Ｗが基板ホルダＷＴ上にロードされるとき、及び基板ホルダＷＴからアンロードされるとき、摩耗する可能性がある。これにより、基板ホルダＷＴの低摩擦特性が低減する。グラフェンの層は、例えば基板ホルダＷＴの摩擦係数が所定の閾値を超えたときに、リソグラフィ装置内で定期的に新しくすることが可能である。グラフェンの層は、例えば、単一の基板Ｗのロード及びアンロード後に毎回、又は、所定数の基板Ｗのロード及びアンロード後に毎回、新しくすることが可能である。グラフェンの層の更新頻度は、グラフェンの層の摩耗率に依存する。グラフェンの層は、基板ホルダＷＴによって保持されている基板Ｗがないとき、例えば、基板Ｗを基板ホルダＷＴからアンロードした後、及び次の基板Ｗが基板ホルダＷＴ上にロードされる前に、新しくされる。グラフェンの層を提供するプロセスは、リソグラフィ処理が実施されない短い時間間隔を必要とする場合がある。しかしながら、グラフェンの層の更新頻度は、リソグラフィ装置のリソグラフィ処理を大幅に干渉しない程度に十分少ないことが予想される。
[0098] 基板ホルダＷＴにグラフェンの層を提供する代替方法は、基板ホルダＷＴを提供すること、及び、レーザビームを使用して基板ホルダＷＴの少なくとも一部を照射することを含む。照射される基板ホルダＷＴの部分は、前述の炭素系材料の複数の分離領域２３に対応し得る。方法は、リソグラフィ装置内の原位置で実施され得る。
[0099] レーザビームは、照射される基板ホルダＷＴの部分を局所的に加熱する。加熱されたＳｉＣの表面層は、気体のＳｉ及び固体のＣに分解されるため、ＳｉはＳｉＣ基板ホルダＷＴから脱離されることになる。シリコン原子の脱離後、基板ホルダＷＴの上層内に残る炭素原子は、それら自体を（６√３×６√３）Ｒ３０°構造に再編成し、その後、真のグラフェン層を形成する。
[0100] レーザビームは、例えば、ＣＯ２レーザビームであり得る。こうしたＣＯ２レーザビームの波長は、９．４μｍから１０．６μｍの範囲内であり得る。
[0101] この代替方法の利点は、水素雰囲気の提供が不要であり、したがって既存のＤＵＶリソグラフィ装置内でより容易に実行できることである。
[0102] 基板ホルダＷＴにグラフェンの層を提供する上記の方法を、ＳｉＣ基板ホルダに関して説明してきた。しかしながら、グラフェンの層は、Ｓｉマトリックス内にＳｉＣグレインを含むＳｉＳｉＣ基板ホルダＷＴ上に提供することもできる。グラフェンの層は、前述のメカニズムのうちの１つによるＳｉ原子の脱離に続き、基板ホルダＷＴのＳｉＣグレイン上に成長させることができる。したがって、グラフェンの層はＳｉＣグレイン上に直接提供され得る。ＳｉＣグレインは、基板ホルダＷＴのバール２０の遠位端面２０ａ上に提供され得る。したがって、グラフェンの層は、バール２０の遠位端面２０ａの一部上のみ（ＳｉＣグレイン上のみ）に、及びすべてではなく（ＳｉＣグレインを保持しているＳｉマトリックスではなく）、提供され得る。ＳｉＣグレインは、基板Ｗと直接接触している基板ホルダＷＴの部分である。したがって、基板ホルダＷＴのＳｉＣグレインの摩耗に対する耐性及び摩擦特性を向上させることが、特に望ましい。
[0103] 基板ホルダＷＴにグラフェンの層を提供する更なる代替の方法において、グラフェンの層は、基板ホルダＷＴの少なくとも一部上へのグラフェンの機械的剥離によって提供され得る。グラフェンは、ＳｉＣ又はＳｉＳｉＣ基板ホルダＷＴ、又はＤＬＣ及びＣｒＮコーティングを伴う基板ホルダＷＴ上に、直接機械的に剥離され得る。これによって、基板ホルダＷＴ上へのグラフェンの層の提供が単純になる。ＳｉＣ基板ホルダＷＴの高い構造的均一性によって、ＳｉＣバールの形状化及び研磨をかなり正確にすることが可能であり、これによって、最小の表面欠陥を伴うＳｉＣバール上にグラフェンを剥離させることができる。
[0104] 代替として、基板ホルダＷＴへのグラフェンの接着を向上させるために、基板ホルダＷＴの少なくとも一部上に接着層が第１に提供され得る。接着層が提供される基板ホルダＷＴの部分は、図３の実施形態に関して考察した、炭素系材料の複数の分離領域２３に対応し得る。グラフェンを提供する前に接着層を印加することによって、グラフェンの接着及び表面特性を最適化すること、及びしたがって、その摩耗に対する耐性及び摩擦特性を最適化することが可能である。
[0105] グラフェンは、金属、誘電体、半導体、及び複合材料などの、様々な電子構造を備える広範囲の材料との強い結合を確立することができる。グラフェンは、不完全に充填された電子ｄバンドに起因して、金属及び金属合金と化学的に結合し得る。したがって、接着層は、鉄、コバルト、パラジウム、ニッケル、チタニウム、又はスチールなどの、金属又は金属合金であり得る。グラフェンは、その高い電荷密度に起因して、誘電体及び半導体に静電的に結合することもできる。誘電体又は半導体へのグラフェンの接着は、誘電体又は半導体の誘電率εと共に増加する。接着層は、２．５よりも大きい誘電率εを有し得る。接着層は、例えば、Ａｌ２Ｏ（ε＝９）、ＡＩＮ（ε＝９）、Ｃｕ２Ｏ（ε＝１８）、Ｈｆ２Ｏ（ε＝２０〜７７、結晶構造解析に依存する）、ａ−Ｚｒ２Ｏ（ε＝２２）、ダイヤモンド（ε＝１０）、ＤＬＣ（ε＝２．５〜６）、ＳｉＣ（ε＝１０）、又はＳｉ２Ｏ（ε＝４）からなるグループから選択することができる。
[0106] Ｈｆ２Ｏへのグラフェンの接着は、真空アニールによって更に向上し得る。加えてグラフェンは、ＤＬＣ又はＳｉＣなどの誘電体又は半導体に化学的に結合可能であり、こうした材料へのグラフェンの接着を更に向上させる。これらの材料のうちのいずれかへのグラフェンの接着は、接着剤溶液の薄い（例えば、原子）化学層を基板ホルダＷＴに印加することによって、更に向上し得る。接着剤溶液は有機又は無機であってよい。接着剤溶液は、例えば、エチレン酢酸ビニール、又は、接着層に関して上記に列挙した無機材料のうちの１つであってよい。
[0107] 前述の基板ホルダＷＴへグラフェンを提供する方法により、基板ホルダＷＴ上の選択領域にグラフェンの層を印加することができる。これらの選択領域は、図３の実施形態に関して説明した炭素系材料の複数の分離領域２３に対応し得る。グラフェンは、基板Ｗの摩耗及びスライディングによって最も影響を受けるバール２０、例えば、基板ホルダＷＴのエッジ付近の外側バール２０に、選択的に印加することができる。グラフェンを印加する基板ホルダＷＴ上の領域を選択することで、基板ホルダＷＴの各バール２０の摩擦力の局所調整が可能になるため、基板Ｗのロードグリッドを向上させることもできる。
[0108] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
[0109] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍもしくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組み合わせを指す。
[0110] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることは理解されよう。
[0111] １つ以上のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内にある１つ以上のコンピュータプロセッサによって読み出される時に、本明細書に記載するあらゆるコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、送信するのに適した任意の構成を有する。１つ以上のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ以上のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。したがって、コントローラは、１つ以上のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。
[0112] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
[0113] 下記の条項は好ましい実施形態を定義する。出願人は、これらの条項に記載された特徴の組み合わせの保護を追求する権利を保持する。本出願の請求項は、この先の３６ページからの「特許請求の範囲」と見出しが付けられた別のセクションに含まれる。
[0114] 条項１：リソグラフィ装置において使用するため、及び基板を支持するように構成された、基板ホルダであって、基板ホルダは、
本体表面を有する本体と、
本体表面から突出する複数のバールと、
を備え、
各バールはバール側面及び遠位端面を有し、遠位端面は基板と係合するように構成され、
バールの遠位端面は、支持平面に実質的に一致し、基板を支持するように構成され、
ダイヤモンド状炭素が、ダイヤモンド状炭素の複数の分離領域内に提供され、
ダイヤモンド状炭素の層は、遠位端面と、バールのうちの少なくとも１つのバール側面の少なくとも一部とをカバーする、
基板ホルダ。
[0115] 条項２：ダイヤモンド状炭素の層は、バールのうちの少なくとも１つの、バール側面、遠位端面、及び、バール側面のすぐ隣にある本体表面の一部をカバーする、条項１の基板ホルダ。
[0116] 条項３：ダイヤモンド状炭素の複数の分離領域のうちの１つ以上の各々は、単一バールのバール側面の一部及び遠位端面をカバーする、条項１又は条項２の基板ホルダ。
[0117] 条項４：単一バールのバール側面の一部及び遠位端面をカバーする、ダイヤモンド状炭素の分離領域の各々は、本体表面に対して垂直に見たときに、バールの中心と最も近い他のバールの中心との間の距離よりも小さい最大横寸法を有する、条項３の基板ホルダ。
[0118] 条項５：ダイヤモンド状炭素の層は、本体表面から突出する複数のバールの各々の遠位端面をカバーする、上記いずれかの項の基板ホルダ。
[0119] 条項６：ダイヤモンド状炭素の層は、本体表面から突出する複数のバールの各々のバール側面の少なくとも一部を更にカバーする、条項５の基板ホルダ。
[0120] 条項７：ダイヤモンド状炭素の層は、０．５μｍから１．５μｍの範囲内の厚みを有する、上記いずれかの項の基板ホルダ。
[0121] 条項８：ダイヤモンド状炭素の層は、３０ｎｍから２００ｎｍの範囲内の厚みを有する、条項１から条項６のいずれかの基板ホルダ。
[0122] 条項９：本体表面から突出するシールを更に備え、シールはシール端面を有し、
ダイヤモンド状炭素の層はシール端面をカバーする、
上記いずれかの項の基板ホルダ。
[0123] 条項１０：ダイヤモンド状炭素の複数の分離領域は、ダイヤモンド状炭素の事前に堆積された層からダイヤモンド状炭素の領域を選択的に除去することによって形成される、上記いずれかの項の基板ホルダ。
[0124] 条項１１：基板ホルダを製造する方法であって、
本体表面を伴う本体を有し、本体表面から突出する複数のバールを有する、基板ホルダブランクを提供することであって、各バールはバール側面及び遠位端面を有し、遠位端面は基板と係合するように構成され、バールの遠位端面は、支持平面に実質的に一致し、基板を支持するように構成される、基板ホルダブランクを提供すること、
ダイヤモンド状炭素の複数の分離領域においてダイヤモンド状炭素の層を提供することであって、複数の分離領域は、ダイヤモンド状炭素の層が、遠位端面とバールのうちの少なくとも１つのバール側面の一部とをカバーするように、位置決めされる、ダイヤモンド状炭素の層を提供すること、
を含む、方法。
[0125] 条項１２：ダイヤモンド状炭素の層を提供することは、
本体表面の少なくとも一部及び複数のバール上にダイヤモンド状炭素の連続層を提供すること、及び、
ダイヤモンド状炭素の複数の分離領域を形成するために、ダイヤモンド状炭素の連続層からダイヤモンド状炭素の領域を選択的に除去すること、
を含む、条項１１の方法。
[0126] 条項１３：ダイヤモンド状炭素の層を提供することは、
ダイヤモンド状炭素の層がダイヤモンド状炭素の複数の分離領域以外の領域上に形成されるのを選択的に防止しながら、ダイヤモンド状炭素の層を提供することを含み、それによってダイヤモンド状炭素の複数の分離領域を形成する
条項１１の方法。
[0127] 条項１４：像を基板上に投影するためのリソグラフィ装置であって、
条項１から条項１０のいずれかに記載の基板を支持するように構成された基板ホルダ、
を備える、リソグラフィ装置。
[0128] 条項１５：
パターニングデバイスを支持するように構成された支持構造と、
パターニングデバイスによってパターン付与されたビームを基板上に投影するように配置された、投影システムと、
基板を基板ホルダにクランプするためのクランプシステムと、
を更に備える、条項１４のリソグラフィ装置。
[0129] 条項１６：条項１から条項１０のいずれかの基板ホルダと、基板を基板ホルダにクランプするためのクランプシステムとを有する、リソグラフィ装置を使用するデバイスを製造する方法であって、
基板を基板ホルダ上にロードすること、
基板の変形の弛緩を可能にすること、
クランプシステムを係合すること、及び、
パターンを基板上に露光すること、
を含む、方法。
[0130] 条項１７：リソグラフィ装置において使用するため、及び基板を支持するように構成された、基板ホルダであって、基板ホルダは、
本体表面を有する本体と、
本体表面から突出する複数のバールと、
を備え、
各バールはバール側面及び遠位端面を有し、遠位端面は基板と係合するように構成され、
バールの遠位端面は、支持平面に実質的に一致し、基板を支持するように構成され、
炭素系材料の層が炭素系材料の複数の分離領域内に提供され、炭素系材料の層は、炭素系材料の複数の分離領域外の本体表面の一部よりも低い摩擦係数を表面に提供し、
炭素系材料の層はバールのうちの少なくとも１つの遠位端面の一部のみをカバーするか、又は、炭素系材料の層は、遠位端面と、バールのうちの少なくとも１つのバール側面の少なくとも一部とをカバーする、
基板ホルダ。
[0131] 条項１８：炭素系材料はダイヤモンド状炭素である、条項１７の基板ホルダ。
[0132] 条項１９：炭素系材料の層は、バールのうちの少なくとも１つの、バール側面、遠位端面、及び、バール側面のすぐ隣にある本体表面の一部をカバーする、条項１７又は条項１８の基板ホルダ。
[0133] 条項２０：炭素系材料の複数の分離領域のうちの１つ以上の各々は、単一バールのバール側面の一部及び遠位端面をカバーする、条項１７から条項１９の基板ホルダ。
[0134] 条項２１：単一バールのバール側面の一部及び遠位端面をカバーする、炭素系材料の分離領域の各々は、本体表面に対して垂直に見たときに、バールの中心と最も近い他のバールの中心との間の距離よりも小さい最大横寸法を有する、条項２０の基板ホルダ。
[0135] 条項２２：炭素系材料の層は、本体表面から突出する複数のバールの各々の遠位端面をカバーする、条項１７から条項２１のいずれかの基板ホルダ。
[0136] 条項２３：炭素系材料の層は、本体表面から突出する複数のバールの各々のバール側面の少なくとも一部を更にカバーする、条項２２の基板ホルダ。
[0137] 条項２４：炭素系材料の層は、０．５μｍから１．５μｍの範囲内の厚みを有する、条項１７から条項２３のいずれかの基板ホルダ。
[0138] 条項２５：炭素系材料の層は、３０ｎｍから２００ｎｍの範囲内の厚みを有する、条項１７から条項２３のいずれかの基板ホルダ。
[0139] 条項２６：本体表面から突出するシールを更に備え、シールはシール端面を有し、
炭素系材料の層はシール端面をカバーする、
条項１７から条項２５のいずれかの基板ホルダ。
[0140] 条項２７：炭素系材料の複数の分離領域は、炭素系材料の事前に堆積された層から炭素系材料の領域を選択的に除去することによって形成される、条項１７から条項２６のいずれかの基板ホルダ。
[0141] 条項２８：基板ホルダを製造する方法であって、
本体表面を伴う本体を有し、本体表面から突出する複数のバールを有する、基板ホルダブランクを提供することであって、各バールはバール側面及び遠位端面を有し、遠位端面は基板と係合するように構成され、バールの遠位端面は、支持平面に実質的に一致し、基板を支持するように構成される、基板ホルダブランクを提供すること、
炭素系材料の複数の分離領域において炭素系材料の層を提供することであって、炭素系材料の層は、炭素系材料の複数の分離領域外の本体表面の一部よりも低い摩擦係数を表面に提供し、複数の分離領域は、炭素系材料の層がバールのうちの少なくとも１つの遠位端面の一部のみをカバーするか、又は、炭素系材料の層が、遠位端面とバールのうちの少なくとも１つのバール側面の一部とをカバーするように、位置決めされる、炭素系材料の層を提供すること、
を含む、方法。
[0142] 条項２９：炭素系材料の層を提供することは、
本体表面の少なくとも一部及び複数のバール上に炭素系材料の連続層を提供すること、及び、
炭素系材料の複数の分離領域を形成するために、炭素系材料の連続層から炭素系材料の領域を選択的に除去すること、
を含む、条項２８の方法。
[0143] 条項３０：炭素系材料の層を提供することは、
炭素系材料の層が炭素系材料の複数の分離領域以外の領域上に形成されるのを選択的に防止しながら、炭素系材料の層を提供することを含み、それによって炭素系材料の複数の分離領域を形成する
条項２８の方法。
[0144] 条項３１：リソグラフィ装置において使用するため、及び基板を支持するように構成された、基板ホルダが提供され、基板ホルダは、
本体表面を有する本体と、
本体表面から突出する複数のバールと、
を備え、
各バールはバール側面及び遠位端面を有し、遠位端面は基板と係合するように構成され、
バールの遠位端面は、支持平面に実質的に一致し、基板を支持するように構成され、
炭素系材料の連続層が提供され、連続層は、各々が条項１の厚みを有する複数の条項１の領域と、条項２の厚みを有する少なくとも１つの条項２の領域とを備え、炭素系材料は、本体表面よりも低い摩擦係数を表面に提供し、
複数の条項１の領域は共に、バールのうちの少なくとも１つの遠位端面の一部のみをカバーするか、又は、遠位端面とバールのうちの少なくとも１つのバール側面の少なくとも一部とをカバーし、
条項１の厚みは条項２の厚みよりも大きい、
基板ホルダ。
[0145] 条項３２：条項１の厚みは０．５μｍから１．５μｍの範囲内にあり、条項２の厚みは２００ｎｍから３００ｎｍの範囲内にある、条項３１の基板ホルダ。
[0146] 条項３３：像を基板上に投影するためのリソグラフィ装置であって、
条項１７から条項２７又は条項３１から条項３２のいずれかに記載の基板を支持するように構成された基板ホルダ、
を備える、リソグラフィ装置。
[0147] 条項３４：
パターニングデバイスを支持するように構成された支持構造、
パターニングデバイスによってパターン付与されたビームを基板上に投影するように配置された投影システム、及び、
基板を基板ホルダにクランプするためのクランプシステム、
を更に備える、条項３３のリソグラフィ装置。
[0148] 条項３５：条項１７から条項２７又は条項３１から条項３２のいずれかの基板ホルダと、基板を基板ホルダにクランプするためのクランプシステムとを有する、リソグラフィ装置を使用するデバイスを製造する方法であって、
基板を基板ホルダ上にロードすること、
基板の変形の弛緩を可能にすること、
クランプシステムを係合すること、及び、
パターンを基板上に露光すること、
を含む、方法。

Claims (15)

  1. リソグラフィ装置において使用するため、及び基板を支持するように構成された、基板ホルダであって、前記基板ホルダは、
    本体表面を有する本体と、
    前記本体表面から突出する複数のバールと、
    を備え、
    各バールはバール側面及び遠位端面を有し、前記遠位端面は前記基板と係合するように構成され、
    前記バールの前記遠位端面は、支持平面に実質的に一致し、前記基板を支持するように構成され、
    炭素系材料の連続層が提供され、前記連続層は、各々が第１の厚みを有する複数の第１の領域と、第２の厚みを有する少なくとも１つの第２の領域とを備え、前記炭素系材料は、前記本体表面よりも低い摩擦係数を表面に提供し、
    前記複数の第１の領域は共に、前記バールのうちの少なくとも１つの前記遠位端面の一部のみをカバーするか、又は、前記遠位端面と前記バールのうちの少なくとも１つの前記バール側面の少なくとも一部とをカバーし、
    前記第１の厚みは前記第２の厚みよりも大きく、前記第２の厚みは３００ｎｍよりも小さい、
    基板ホルダ。
  2. 前記第１の厚みは０．５μｍから１．５μｍの範囲内にあり、前記第２の厚みは２００ｎｍから３００ｎｍの範囲内にある、請求項１に記載の基板ホルダ。
  3. 前記炭素系材料はダイヤモンド状炭素である、請求項１又は２に記載の基板ホルダ。
  4. 前記複数の第１の領域の各々は、前記バールのうちの少なくとも１つの、前記バール側面、前記遠位端面、及び、前記バール側面のすぐ隣にある前記本体表面の一部をカバーする、請求項１から３のいずれか一項に記載の基板ホルダ。
  5. 前記複数の第１の領域のうちの１つ以上の各々は、単一バールの前記バール側面の一部及び前記遠位端面をカバーする、請求項１から４のいずれかに記載の基板ホルダ。
  6. 単一バールの前記バール側面の一部及び前記遠位端面をカバーする、前記複数の第１の領域の各々は、前記本体表面に対して垂直に見たときに、前記バールの中心と最も近い他のバールの中心との間の距離よりも小さい最大横寸法を有する、請求項５に記載の基板ホルダ。
  7. 前記複数の第１の領域は、前記本体表面から突出する前記複数のバールの各々の前記遠位端面をカバーする、請求項１から６のいずれかに記載の基板ホルダ。
  8. 前記本体表面から突出するシールを更に備え、前記シールはシール端面を有し、
    前記複数の第１の領域は前記シール端面をカバーする、
    請求項１から７のいずれかに記載の基板ホルダ。
  9. リソグラフィ装置において使用するため、及び基板を支持するように構成された、基板ホルダであって、前記基板ホルダは、
    本体表面を有する本体と、
    前記本体表面から突出する複数のバールと、
    を備え、
    各バールはバール側面及び遠位端面を有し、前記遠位端面は前記基板と係合するように構成され、
    前記バールの前記遠位端面は、支持平面に実質的に一致し、前記基板を支持するように構成され、
    炭素系材料の層が炭素系材料の複数の分離領域内に提供され、前記炭素系材料の層は、前記炭素系材料の複数の分離領域外の前記本体表面の一部よりも低い摩擦係数を表面に提供し、
    前記炭素系材料の層は、前記遠位端面と、前記バールのうちの少なくとも１つの前記バール側面の少なくとも一部とをカバーし、前記分離領域の各々は複数のバール上に提供される、
    基板ホルダ。
  10. 前記炭素系材料の層は、０．５μｍから１．５μｍの範囲内の厚みを有する、請求項９に記載の基板ホルダ。
  11. リソグラフィ装置において使用するため、及び基板を支持するように構成された、基板ホルダであって、前記基板ホルダは、
    本体表面を有する本体と、
    前記本体表面から突出する複数のバールと、
    を備え、
    各バールはバール側面及び遠位端面を有し、前記遠位端面は前記基板と係合するように構成され、
    前記バールの前記遠位端面は、支持平面に実質的に一致し、前記基板を支持するように構成され、
    炭素系材料の層が炭素系材料の複数の分離領域内に提供され、前記炭素系材料の層は、前記炭素系材料の複数の分離領域外の前記本体表面の一部よりも低い摩擦係数を表面に提供し、
    前記炭素系材料の層は前記バールのうちの少なくとも１つの前記遠位端面の一部のみをカバーし、前記炭素系材料の層は、０．５μｍから１．５μｍの範囲内の厚みを有する、基板ホルダ。
  12. リソグラフィ装置において使用するため、及び基板を支持するように構成された、基板ホルダであって、前記基板ホルダは、
    本体表面を有する本体と、
    前記本体表面から突出する複数のバールと、
    を備え、
    各バールはバール側面及び遠位端面を有し、前記遠位端面は前記基板と係合するように構成され、
    前記バールの前記遠位端面は、支持平面に実質的に一致し、前記基板を支持するように構成され、
    炭素系材料の層が炭素系材料の複数の分離領域内に提供され、前記炭素系材料の層は、前記炭素系材料の複数の分離領域外の前記本体表面の一部よりも低い摩擦係数を表面に提供し、
    前記炭素系材料の層は前記バールのうちの少なくとも１つの前記遠位端面の一部のみをカバーし、前記炭素系材料はグラフェンを含む、
    基板ホルダ。
  13. 各バールはシリコンマトリックス内にＳｉＣグレインを含み、前記炭素系材料によってカバーされる各バールの前記遠位端面の前記一部は、前記バールの前記遠位端面上のＳｉＣグレインである、請求項１１又は１２に記載の基板ホルダ。
  14. 基板ホルダを製造する方法であって、
    本体表面を伴う本体を有し、前記本体表面から突出する複数のバールを有する、基板ホルダブランクを提供することであって、各バールはバール側面及び遠位端面を有し、前記遠位端面は基板と係合するように構成され、前記バールの前記遠位端面は、支持平面に実質的に一致し、基板を支持するように構成される、基板ホルダブランクを提供すること、
    炭素系材料の連続層を提供することであって、前記連続層は、各々が第１の厚みを有する複数の第１の領域と、第２の厚みを有する少なくとも１つの第２の領域とを備え、前記炭素系材料の層は、前記本体表面よりも低い摩擦係数を表面に提供する、炭素系材料の連続層を提供すること、
    を含み、
    前記炭素系材料の連続層を提供することは、
    前記本体表面の少なくとも一部及び前記複数のバール上に、前記第１の厚みを有する炭素系材料の層を提供すること、及び、
    前記炭素系材料の連続層を形成するために、前記少なくとも１つの第２の領域内の前記炭素系材料の前記厚みを選択的に減少させること、
    を含む、
    方法。
  15. 基板ホルダを製造する方法であって、
    本体表面を伴う本体を有し、前記本体表面から突出する複数のバールを有する、基板ホルダを提供することであって、各バールはバール側面及び遠位端面を有し、前記遠位端面は基板と係合するように構成され、前記バールの前記遠位端面は、支持平面に実質的に一致し、基板を支持するように構成される、基板ホルダを提供すること、
    前記基板ホルダの少なくとも一部を水素雰囲気に浸すこと、
    炭素系材料の複数の分離領域内にグラフェンの層を形成するように、放射ビームを使用して前記基板ホルダの前記少なくとも一部上の前記複数の分離領域を照射することであって、前記グラフェンの層が前記バールのうちの少なくとも１つの前記遠位端面の一部のみをカバーするように、前記複数の分離領域が位置決めされる、照射すること、
    を含む、方法。
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