JP7477652B2 - リソグラフィ装置用基板ホルダ及び基板ホルダの製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 256
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 77
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 159
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 134
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 87
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 77
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 31
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 28
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 28
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 24
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 23
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 12
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 9
- 238000007373 indentation Methods 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 30
- 235000019589 hardness Nutrition 0.000 description 28
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 23
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 12
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 9
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 210000000887 face Anatomy 0.000 description 2
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006094 Zerodur Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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Description
[0001] 本出願は、2020年6月8日に申請された米国仮特許出願第63/036,028号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
-プログラマブルミラーアレイ。このようなデバイスの一例は、粘弾性制御層及び反射面を有する行列アドレス可能面である。このような装置の背景にある基本原理は、(例えば、)反射面のアドレスされたエリアは、回折された放射として入射放射を反射する一方で、アドレスされていないエリアは、回折されていない放射として入射放射を反射するということである。適切なフィルタを使用すると、上記回折されていない放射を反射されたビームからフィルタリングして、回折された放射だけを後に残すことができ、このやり方で、ビームは、行列アドレス可能面のアドレスパターンに従ってパターニングされるようになる。必要な行列アドレス指定は、適切な電子手段を使用して実行することができる。このようなミラーアレイに関するより多くの情報は、例えば、米国特許第5,296,891号及び第5,523,193号から収集することができ、それらは参照により本明細書に組み込まれる。
-プログラマブルLCDアレイ。このような構造の一例が、米国特許第5,229,872号に与えられており、参照により本明細書に組み込まれる。
1.リソグラフィ装置用基板ホルダであって、基板ホルダから突起する複数のバールを含み、各バールが基板と係合するように構成された先端部表面を有する基板ホルダの製造方法であって、
プラズマ促進化学気相成長法を介して、複数のバールのうちの1つ又は複数のバールの先端部表面で耐摩耗性材料からなるコーティングを施すことであって、
プラズマを発生させるために、RF電極の無線周波数(RF)電力を100~1000Wの範囲で調節すること、及び
チャンバ内で、複数のバールのうちの1つ又は複数のバールを、20~300sccmの間のガス流量で前駆体ガスであって、ヘキサンである前駆体ガスに曝露することを含むコーティングを施すことを含む方法。
2.コーティングを施すことが、
1x10-3~5x10-2mbarの範囲である、基板ホルダが置かれているチャンバの真空レベル、又は
5~100rpmの範囲である、基板ホルダが置かれているテーブルのターンテーブル速度、
のうちの少なくとも1つを含む、1つ又は複数のプロセスパラメータを調節することをさらに含む、条項1に記載の方法。
3.耐摩耗性材料を用いたコーティングにより、複数のバールのうちの1つ又は複数のバールの先端部表面が、次の特性、すなわち、
0.05~0.5の範囲である、結果として生じるコーティングの摩擦係数、
ハイスポットが10nm未満であり、基板ホルダの複数のバール全体の厚さの均一性が、直径300nm以下にわたるコーティング厚さの10%の範囲内である、結果として生じるコーティングの表面、又は
0.1~1.5nmの範囲であるウェーハロードグリッドであって、基準に対する基板の相対的な位置決め誤差であるウェーハロードグリッド、
のうちの少なくとも1つをさらに有するようになる、条項1又は2に記載の方法。
4.耐摩耗性材料がダイヤモンド様炭素(DLC)である、条項1~3の何れか一項に記載の方法。
5.DLCが、(i)B、N、Si、O、F、SドープDLC、及び/又は(ii)Ti、Ta、Cr、W、Fe、Cu、Nb、Zr、Mo、Co、Ni、Ru、Al、Au又はAgがドープされた金属ドープDLCを含む、条項4に記載の方法。
6.耐摩耗性材料からなるコーティングにより、1つ又は複数のバールの先端面が、20GPa~27GPaの範囲の硬度の特性、及び希薄NaCl溶液においておよそ+2.5Vでポテンシオスタット定電位電解法によって測定される腐食速度であって、0.1nm/hr~2nm/hrの範囲の腐食速度の特性を有するようになる、条項1~5の何れか一項に記載の方法。
7.硬度がナノ押し込み法によって測定され、測定が、ナノ-DMAトランスデューサを使用するダイヤモンド・ベルコヴィッチチップを使用して行われ、押し込み深さがコーティング厚さの10%未満で保たれる、条項1~6の何れか一項に記載の方法。
8.コーティングの厚さが200nm~3ミクロンの間である、条項1~7の何れか一項に記載の方法。
9.コーティングを施す前に、アルゴン(Ar)ガスを用いて複数のバールを洗浄することをさらに含む、条項1~8の何れか一項に記載の方法。
10.洗浄することが、
Arガスを使用して、およそ1000WのRF電力でプラズマを生成し、
Arガスの流量を100秒間に75sccmの間に調節することをさらに含む、条項9に記載の方法。
11.Arの流量を徐々に減少させ、同時にヘキサンの流量を増加させること、及び
コーティングを施すためにRF電力を100W~1000Wの間に徐々にチューニングすることをさらに含む、条項10に記載の方法。
12.チャンバが、
チャンバの内部の直径、
チャンバの上部とターンテーブルとの間の距離、及び/又は
基板若しくはターンテーブルと、ガスディストリビューションラインとの間の距離によって特徴付けされるジオメトリを有する条項1~11の何れか一項に記載の方法。
13.リソグラフィ装置用基板ホルダであって、基板ホルダから突起する複数のバールを含み、各バールが基板と係合するように構成された先端部表面を有する基板ホルダの製造方法であって、
プラズマ促進化学気相成長法を介して、複数のバールのうちの1つ又は複数のバールの先端部表面で耐摩耗性材料からなるコーティングを施すことであって、
プラズマを発生させるために、RF電極の無線周波数(RF)電力を50~750Wの範囲で調節すること、及び
チャンバ内で、複数のバールのうちの1つ又は複数のバールを、10~100sccmの間のガス流量で前駆体ガスであって、アセチレンである前駆体ガスに曝露することを含むコーティングを施すことを含む方法。
14.コーティングを施すことが、
1x10-3~5x10-2mbarの範囲である、基板ホルダが置かれているチャンバの真空レベル、又は
5~100rpmの範囲である、基板ホルダが置かれているテーブルのターンテーブル速度、のうちの少なくとも1つを含む、1つ又は複数のプロセスパラメータを調節することをさらに含む、条項13に記載の方法。
15.耐摩耗性材料を用いたコーティングにより、複数のバールのうちの1つ又は複数のバールの先端部表面が、次の特性、すなわち、
0.05~0.5の範囲である、結果として生じるコーティングの摩擦係数、
ナノ隆起が10nm未満であり、基板ホルダの複数のバール全体の厚さの均一性が、直径300nm以下にわたるコーティング厚さの10%の範囲内である、結果として生じるコーティングの表面、又は
0.1~1.5nmの範囲であるウェーハロードグリッドであって、基準に対する基板の相対的な位置決め誤差であるウェーハロードグリッド、のうちの少なくとも1つをさらに有するようになる、条項13又は14に記載の方法。
16.耐摩耗性材料がダイヤモンド様炭素(DLC)である、条項13~15の何れか一項に記載の方法。
17.DLCが、(i)B、N、Si、O、F、SドープDLC、及び/又は(ii)Ti、Ta、Cr、W、Fe、Cu、Nb、Zr、Mo、Co、Ni、Ru、Al、Au又はAgがドープされた金属ドープDLCを含む、条項16に記載の方法。
18.耐摩耗性材料からなるコーティングにより、1つ又は複数のバールの先端面が、25GPa~35GPaの範囲の硬度の特性、及び作用電極と対電極との間の電位差およそ+2.5Vで3極電気化学セルにおいて定電位電解法によって測定され、希薄NaCl溶液において参照電極に対して適用される腐食速度であって、0.1nm/hr~2nm/hrの範囲の腐食速度の特性を有するようになる、条項13~17の何れか一項に記載の方法。
19.硬度がナノ押し込み法によって測定され、測定が、ナノ-DMAトランスデューサを使用するダイヤモンド・ベルコヴィッチチップを使用して行われ、押し込み深さがコーティング厚さの10%未満で保たれる、条項13~18の何れか一項に記載の方法。
20.コーティングの厚さが200nm~3ミクロンの間である、条項13~19の何れか一項に記載の方法。
21.コーティングを施す前に、アルゴン(Ar)ガスを用いて複数のバールを洗浄することをさらに含む、条項13~20の何れか一項に記載の方法。
22.洗浄することが、
Arガスを使用して、およそ1000WのRF電力でプラズマを生成し、
Arガスの流量を100秒間に75sccmの間に調節することをさらに含む、条項21に記載の方法。
23.Arの流量を徐々に減少させ、同時にヘキサンの流量を増加させること、及び
コーティングを施すためにRF電力を100W~1000Wの間に徐々にチューニングすることをさらに含む、条項22に記載の方法。
24.チャンバが、
チャンバの内部の直径、
チャンバの上部とターンテーブルとの間の距離、及び/又は
基板若しくはターンテーブルと、ガスディストリビューションラインとの間の距離によって特徴付けされるジオメトリを有する条項13~23の何れか一項に記載の方法。
25.リソグラフィ装置用の、基板を支持するように構成された基板ホルダであって、
本体表面を有する本体と、
本体表面から突起する複数のバールであって、
基板と係合するように構成された先端部表面をそれぞれが有するバールであり、
先端部表面が支持平面に実質的に一致するとともに、基板を支持するために構成されたバールと、
20~27GPaの範囲、又は25~35GPaの範囲の硬度、及び作用電極と対電極との間の電位差およそ+2.5Vで3極電気化学セルにおいて定電位電解法によって測定され、希薄NaCl溶液において参照電極に対して適用される腐食速度であって、0.1~2nm/hrの範囲の腐食速度を有する耐摩耗性材料で被覆されている複数のバールのうちの1つ又は複数のバールの先端部表面と、
を含む基板ホルダ。
26.先端部表面の硬度が20~27GPaの範囲であり、腐食速度が0.1~2nm/hrの範囲である、条項25の何れかに記載の基板ホルダ。
27.先端部表面の硬度が25~35GPaの範囲であり、腐食速度が0.1~1.5nm/hrの範囲である、条項26の何れかに記載の基板ホルダ。
28.先端部表面が、次の特性、すなわち、
0.05~0.5の範囲である、結果として生じるコーティングの摩擦係数、
ナノ隆起が10nm未満であり、基板ホルダの複数のバール全体の厚さの均一性が、直径300nm以下にわたるコーティング厚さの10%の範囲内である、結果として生じるコーティングの表面、又は
0.1~1.5の範囲であるウェーハロードグリッドであって、基準に対する基板の相対的な位置決め誤差であるウェーハロードグリッド、のうちの少なくとも1つをさらに有する、条項25~27の何れか一項に記載の基板ホルダ。
29.硬度がナノ押し込み法によって測定され、測定が、ナノ-DMAトランスデューサを使用するダイヤモンド・ベルコヴィッチチップを使用して行われ、押し込み深さがコーティング厚さの10%未満で保たれる、条項25~28の何れか一項に記載の基板ホルダ。
30.コーティングの厚さが200nm~3ミクロンの間である、条項25~29の何れか一項に記載の方法。
31.耐摩耗性材料がダイヤモンド様炭素(DLC)のうちの1つである、条項25~30の何れか一項に記載の基板ホルダ。
32.DLCが、(i)B、N、Si、O、F、SドープDLC、及び/又は(ii)Ti、Ta、Cr、W、Fe、Cu、Nb、Zr、Mo、Co、Ni、Ru、Al、Au、又はAgがドープされた金属ドープDLCを含む、条項31に記載の基板ホルダ。
33.リソグラフィ装置用基板ホルダであって、基板ホルダから突起する複数のバールを含み、各バールが基板と係合するように構成された先端部表面を有する基板ホルダの製造方法であって、
プラズマ促進化学気相成長法を介して、複数のバールのうちの1つ又は複数のバールの先端部表面で耐摩耗性材料からなる第1のコーティングを施すことであって、
プラズマを発生させるために、RF電極の無線周波数(RF)電力を100~1000Wの範囲で調節すること、及び
チャンバ内で、複数のバールのうちの1つ又は複数のバールを、20~300sccmの間のガス流量で前駆体ガスであって、ヘキサンである前駆体ガスに曝露すること
を含む第1のコーティングを施すことと、
プラズマ促進化学気相成長法を介して、複数のバールのうちの1つ又は複数のバールの先端部表面で耐摩耗性材料からなる第2のコーティングを施すことであって、
プラズマを発生させるために、RF電極の無線周波数(RF)電力を50~750Wの範囲で調節すること、及び
チャンバ内で、複数のバールのうちの1つ又は複数のバールを、10~100sccmの間のガス流量で前駆体ガスであって、アセチレンである前駆体ガスに曝露すること
を含む第2のコーティングを施すことと、を含む方法。
Claims (15)
- リソグラフィ装置用基板ホルダであって、前記基板ホルダから突起する複数のバールを含み、各バールが基板と係合するように構成された先端部表面を有する前記基板ホルダの製造方法であって、
プラズマ促進化学気相成長法を介して、前記複数のバールのうちの1つ又は複数のバールの前記先端部表面でダイヤモンド様炭素(DLC)である耐摩耗性材料からなるコーティングを施すことであって、
プラズマを発生させるために、RF電極の無線周波数(RF)電力を100~1000Wの範囲で調節すること、及び
チャンバ内で、前記複数のバールのうちの1つ又は複数のバールを、20~300sccmの間のガス流量で前駆体ガスであって、ヘキサンである前記前駆体ガスに曝露することを含む前記コーティングを施すこと
を含む方法。 - 前記コーティングを施すことが、
1x10-3~5x10-2mbarの範囲である、前記基板ホルダが置かれている前記チャンバの真空レベル、又は
5~100rpmの範囲である、前記基板ホルダが置かれているテーブルのターンテーブル速度、
のうちの少なくとも1つを含む、1つ又は複数のプロセスパラメータを調節することをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記耐摩耗性材料を用いた前記コーティングにより、前記複数のバールのうちの1つ又は複数のバールの前記先端部表面が、次の特性、すなわち、
0.05~0.5の範囲である、結果として生じる前記コーティングの摩擦係数、
ハイスポットが10nm未満であり、前記基板ホルダの前記複数のバール全体の厚さの均一性が、直径300nm以下にわたるコーティング厚さの10%の範囲内である、結果として生じる前記コーティングの表面、又は
0.1~1.5nmの範囲であるウェーハロードグリッドであって、基準に対する前記基板の相対的な位置決め誤差である前記ウェーハロードグリッド、
のうちの少なくとも1つをさらに有するようになる、請求項1又は2に記載の方法。 - 前記DLCが、(i)B、N、Si、O、F、SドープDLC、及び/又は(ii)Ti、Ta、Cr、W、Fe、Cu、Nb、Zr、Mo、Co、Ni、Ru、Al、Au又はAgがドープされた金属ドープDLCを含む、請求項1~3の何れか一項に記載の方法。
- 前記耐摩耗性材料からなる前記コーティングにより、前記1つ又は複数のバールの前記先端面が、20GPa~27GPaの範囲の硬度の特性、及び希薄NaCl溶液においておよそ+2.5Vでポテンシオスタット定電位電解法によって測定される腐食速度であって、0.1nm/hr~2nm/hrの範囲の前記腐食速度の特性を有するようになり、及び/又は
前記硬度がナノ押し込み法によって測定され、前記測定が、ナノ-DMAトランスデューサを使用するダイヤモンド・ベルコヴィッチチップを使用して行われ、押し込み深さが前記コーティング厚さの10%未満で保たれる、請求項1~4の何れか一項に記載の方法。 - 前記コーティングを施す前に、アルゴン(Ar)ガスを用いて前記複数のバールを洗浄することであって、前記Arガスを使用して、およそ1000WのRF電力でプラズマを生成すること、及び前記Arガスの流量を100秒間に75sccmの間に調節することを含む、洗浄することと、
前記Arの流量を徐々に減少させ、同時に前記ヘキサンの流量を増加させることと、
前記コーティングを施すために前記RF電力を100W~1000Wの間に徐々にチューニングすることと、
をさらに含む、請求項1~5の何れか一項に記載の方法。 - 前記チャンバが、
前記チャンバの内部の直径、
前記チャンバの上部とターンテーブルとの間の距離、及び/又は
基板若しくはターンテーブルと、ガスディストリビューションラインとの間の距離によって特徴付けされるジオメトリを有する請求項1~6の何れか一項に記載の方法。 - リソグラフィ装置用基板ホルダであって、前記基板ホルダから突起する複数のバールを含み、各バールが基板と係合するように構成された先端部表面を有する前記基板ホルダの製造方法であって、
プラズマ促進化学気相成長法を介して、前記複数のバールのうちの1つ又は複数のバールの前記先端部表面でダイヤモンド様炭素(DLC)である耐摩耗性材料からなるコーティングを施すことであって、
プラズマを発生させるために、RF電極の無線周波数(RF)電力を50~750Wの範囲で調節すること、及び
チャンバ内で、前記複数のバールのうちの1つ又は複数のバールを、10~100sccmの間のガス流量で前駆体ガスであって、アセチレンである前記前駆体ガスに曝露すること、を含む前記コーティングを施すことを含む方法。 - 前記コーティングを施すことが、
1x10-3~5x10-2mbarの範囲である、前記基板ホルダが置かれている前記チャンバの真空レベル、又は
5~100rpmの範囲である、前記基板ホルダが置かれているテーブルのターンテーブル速度、
のうちの少なくとも1つを含む、1つ又は複数のプロセスパラメータを調節することをさらに含む、請求項8に記載の方法。 - 前記耐摩耗性材料を用いた前記コーティングにより、前記複数のバールのうちの1つ又は複数のバールの前記先端部表面が、次の特性、すなわち、
0.05~0.5の範囲である、結果として生じる前記コーティングの摩擦係数、
ナノ隆起が10nm未満であり、前記基板ホルダの前記複数のバール全体の厚さの均一性が、直径300nm以下にわたるコーティング厚さの10%の範囲内である、結果として生じる前記コーティングの表面、又は
0.1~1.5nmの範囲であるウェーハロードグリッドであって、基準に対する前記基板の相対的な位置決め誤差である前記ウェーハロードグリッド、
のうちの少なくとも1つをさらに有するようになる、請求項8又は9に記載の方法。 - 前記DLCが、(i)B、N、Si、O、F、SドープDLC、及び/又は(ii)Ti、Ta、Cr、W、Fe、Cu、Nb、Zr、Mo、Co、Ni、Ru、Al、Au又はAgがドープされた金属ドープDLCを含む、請求項8~10の何れか一項に記載の方法。
- 前記耐摩耗性材料からなる前記コーティングにより、前記1つ又は複数のバールの前記先端面が、25GPa~35GPaの範囲の硬度の特性、及び作用電極と対電極との間の電位差およそ+2.5Vで3極電気化学セルにおいて定電位電解法によって測定され、希薄NaCl溶液において参照電極に対して適用される腐食速度であって、0.1nm/hr~2nm/hrの範囲の前記腐食速度の特性を有するようになり、及び/又は
前記硬度がナノ押し込み法によって測定され、前記測定が、ナノ-DMAトランスデューサを使用するダイヤモンド・ベルコヴィッチチップを使用して行われ、押し込み深さが前記コーティング厚さの10%未満で保たれる、請求項8~11の何れか一項に記載の方法。 - 前記コーティングを施す前に、アルゴン(Ar)ガスを用いて前記複数のバールを洗浄することであって、前記Arガスを使用して、およそ1000WのRF電力でプラズマを生成すること、及び前記Arガスの流量を100秒間に75sccmの間に調節することを含む洗浄することと、
前記Arの流量を徐々に減少させ、同時に前記ヘキサンの流量を増加させることと、
前記コーティングを施すために前記RF電力を100W~1000Wの間に徐々にチューニングすることと、
をさらに含む、請求項8~12の何れか一項に記載の方法。 - 前記チャンバが、
前記チャンバの内部の直径、
前記チャンバの上部とターンテーブルとの間の距離、及び/又は
基板若しくはターンテーブルと、ガスディストリビューションラインとの間の距離によって特徴付けされるジオメトリを有する請求項8~13の何れか一項に記載の方法。 - リソグラフィ装置用の、基板を支持するように構成された基板ホルダであって、
本体表面を有する本体と、
前記本体表面から突起する複数のバールであって、
それぞれが前記基板と係合するように構成された先端部表面を有するバールであり、
前記バールの前記先端部表面が支持平面に実質的に一致するとともに、前記基板を支持するために構成された前記バールと、
20~27GPaの範囲、又は25~35GPaの範囲の硬度、及び0.1~2nm/hrの範囲の腐食速度であって、作用電極と対電極との間の電位差およそ+2.5Vで3極電気化学セルにおいて定電位電解法によって測定され、希薄NaCl溶液において参照電極に対して適用される前記腐食速度を有する耐摩耗性材料で被覆されている前記複数のバールのうちの1つ又は複数のバールの前記先端部表面と、を含む基板ホルダ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202063036028P | 2020-06-08 | 2020-06-08 | |
US63/036,028 | 2020-06-08 | ||
PCT/EP2021/063942 WO2021249768A1 (en) | 2020-06-08 | 2021-05-25 | Substrate holder for use in a lithographic apparatus and a method of manufacturing a substrate holder |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023529577A JP2023529577A (ja) | 2023-07-11 |
JP7477652B2 true JP7477652B2 (ja) | 2024-05-01 |
Family
ID=76269711
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022571839A Active JP7477652B2 (ja) | 2020-06-08 | 2021-05-25 | リソグラフィ装置用基板ホルダ及び基板ホルダの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP4162324A1 (ja) |
JP (1) | JP7477652B2 (ja) |
KR (1) | KR20230007508A (ja) |
CN (1) | CN115698864A (ja) |
TW (1) | TWI824252B (ja) |
WO (1) | WO2021249768A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4318133A1 (en) | 2022-08-05 | 2024-02-07 | ASML Netherlands B.V. | System, apparatus and method for selective surface treatment |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2006188734A (ja) | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | アモルファスカーボン膜被覆基材及びアモルファスカーボン膜の成膜方法 |
JP2018527697A (ja) | 2015-07-03 | 2018-09-20 | テトラ ラバル ホールディングス アンド ファイナンス エス エイ | プラズマ増強プロセスにおけるウェブ状基材の処理のためのデバイス |
WO2019091694A1 (en) | 2017-11-08 | 2019-05-16 | Asml Netherlands B.V. | A substrate holder and a method of manufacturing a device |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523193A (en) | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
US5296891A (en) | 1990-05-02 | 1994-03-22 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Illumination device |
US5229872A (en) | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
DE69735016T2 (de) | 1996-12-24 | 2006-08-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern |
DE102007005780A1 (de) * | 2006-08-10 | 2008-02-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Verbundstruktur für die Mikrolithographie und optische Anordnung |
US20080138504A1 (en) * | 2006-12-08 | 2008-06-12 | Coorstek, Inc. | Coatings for components of semiconductor wafer fabrication equipment |
US20150333213A1 (en) * | 2014-05-19 | 2015-11-19 | Applied Materials, Inc. | Diamond-like carbon coatings for substrate carriers |
KR102172221B1 (ko) * | 2018-07-31 | 2020-10-30 | 주식회사 시엠테크놀로지 | Dlc 코팅층을 구비한 펠리클 수납용기 |
-
2021
- 2021-05-25 CN CN202180041129.5A patent/CN115698864A/zh active Pending
- 2021-05-25 WO PCT/EP2021/063942 patent/WO2021249768A1/en unknown
- 2021-05-25 JP JP2022571839A patent/JP7477652B2/ja active Active
- 2021-05-25 EP EP21729829.8A patent/EP4162324A1/en active Pending
- 2021-05-25 KR KR1020227043099A patent/KR20230007508A/ko unknown
- 2021-06-07 TW TW110120555A patent/TWI824252B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001525498A (ja) | 1997-12-05 | 2001-12-11 | アドヴァンスド リフラクトリ テクノロジーズ,インコーポレイティッド | フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物 |
JP2006188734A (ja) | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | アモルファスカーボン膜被覆基材及びアモルファスカーボン膜の成膜方法 |
JP2018527697A (ja) | 2015-07-03 | 2018-09-20 | テトラ ラバル ホールディングス アンド ファイナンス エス エイ | プラズマ増強プロセスにおけるウェブ状基材の処理のためのデバイス |
WO2019091694A1 (en) | 2017-11-08 | 2019-05-16 | Asml Netherlands B.V. | A substrate holder and a method of manufacturing a device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202212984A (zh) | 2022-04-01 |
EP4162324A1 (en) | 2023-04-12 |
KR20230007508A (ko) | 2023-01-12 |
TWI824252B (zh) | 2023-12-01 |
WO2021249768A1 (en) | 2021-12-16 |
JP2023529577A (ja) | 2023-07-11 |
CN115698864A (zh) | 2023-02-03 |
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Legal Events
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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