JP2001525498A - フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物 - Google Patents

フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物

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JP2001525498A JP2000524110A JP2000524110A JP2001525498A JP 2001525498 A JP2001525498 A JP 2001525498A JP 2000524110 A JP2000524110 A JP 2000524110A JP 2000524110 A JP2000524110 A JP 2000524110A JP 2001525498 A JP2001525498 A JP 2001525498A
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ジェイ．ブレイ ドナルド
ヴェンカトラマン チャンドラ
エイ．アウテン クレイグ
ジー．ホルター クリストファー
ゴエル アーヴィンド
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アドヴァンスド リフラクトリ テクノロジーズ，インコーポレイティッド
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Abstract

(57)【要約】 本発明はさまざまな基体の上への炭素、珪素、酸素、水素、及びフッ素を含むダイアモンド様組成物を含むフッ素をドープされた被覆物に関する。好ましい基体には、可撓性基体、精密刃基体、及び電気外科用器具が含まれる。本発明はフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物で被覆された基体を製造する方法であって、真空被覆室に該基体を置く工程及び炭素、珪素、酸素、水素、及びフッ素のイオン、原子、又はラジカルから構成される固まりのない粒子ビームであって、各粒子種の平均自由行路がその粒子源と基体の成長する粒子被覆表面との間の距離よりも大きい粒子ビームの共沈着により該基体の上に炭素、珪素、酸素、水素、及びフッ素を含むダイアモンド様組成物を沈着させる工程を含む方法にも関する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本出願は１９９５年１０月３日に出願した米国特許出願第０８／５３８，７３
１号の継続出願である１９９８年８月１４日に出願した米国特許出願第０９／１
３３，９５１号の一部継続出願である。本出願は１９９７年１２月５日出願の米
国仮特許出願第６０／０６７，５６７号及び１９９７年１２月５日に出願した米
国仮特許出願第６０／０６７，７５０号の優先権を主張する。
【０００２】 発明の分野 本発明は、基体上のフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物に関する。よ
り具体的には本発明は可撓性基体、精密な刃を持った基体、及び電気外科用機械
の上へのこのような被覆物に関する。
【０００３】 発明の背景 鋭い刃の保存は多数の生産物及び産業にとって重要である。多くの産業用の刃
及び医学用の道具はその鋭利な刃が合理的な長期間の間維持され得て初めて有用
となる。この鋭利さは基体により形成される刃及びその上の何らかの被覆物の精
度の結果である。剃刀の刃は、例えば、刃の最先端で約７５〜約１０００オング
ストロームの曲率半径をなすように成型された刃を持つ。比較のために、ヒトの
毛髪は約１００マイクロメーターの幅を持つ。このような精密な基体の刃は、そ
の劣化を阻止する目的で、刃の精度を保存するために被覆されることがしばしば
ある。
【０００４】 精密刃の劣化は腐食性及び／又は侵食性の力により惹起され得る。例えば、剃
刀の刃は最初の使用ですぐにある程度まで極めて容易に切れ味が悪くなる。した
がって、剃刀の刃に使用される鋼はしばしばスパッタリング蒸着された金属被覆
物でまず被覆した後、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）で被覆する。Ｐ
ＴＦＥ被覆は通常数十から数千オングストロームの厚さであり、実質的に最初の
使用で刃から除去される。充分なＰＴＦＥは潤滑維持の手段を与え続ける。しか
し、ＰＴＦＥ被覆は精密刃の劣化を防止しない。
【０００５】 精密刃の鈍化は刃の最先端における曲率半径の増加、鋸状の刃を生じる刃の亀
裂、欠け若しくはひび、刃材料の侵食、又はこれらの要因の組み合わせによるも
のでありうる。剃刀の刃では、精密刃の劣化により摩擦が増大し利用者の不安を
招く。そのため、刃を取り替えるか、一部の使い捨て用品ならば剃刀そのものを
捨てる。産業分野又は医療分野などでのより高価な刃物類では、精密刃の道具の
鈍化により刃の鋭利化又は刃の再形成が必要となり、経費が増す。
【０００６】 刃の完全さを保存するための試みとして、より硬い物質の被覆物の蒸着が試行
されてきた。多数の応用のためにはこの被覆物はすぐれた熱安定性、すなわち、
それ自体の使用（鋸刃）から生ずる高温又は滅菌手法（オートクレーブする外科
用器具）から生じる高温に耐えることができる熱安定性も有さなければならない
。
【０００７】 鋼、亜鉛、アルミニウム、クロム、ニッケル、カドミウム、タンタル、パラジ
ウム、ホウ素、珪素、銅、ガリウム、レニウム、及びその合金などの金属系被覆
物は、精密刃を保存することが証明され、鋭利な刃に保護用の被覆を与えるため
多くの産業で使用されている。しかし、これらの物質から製造される被覆物は一
般に金属性の基体にしか適さない。
【０００８】 珪酸塩系の被覆物も空気、酸、アルカリ、及び高温ガスに耐性があることが知
られている。しかし、珪酸塩から製造される被覆物は特別に強い物質ではないの
で、精密刃を適切に保護するとは思われない。
【０００９】 あるセラミックの物質は、良好な腐食耐性を有し、おそらく刃を保護する被覆
物として使用できるであろう。しかしながら、セラミックはもろく、熱ショック
の破損を被り易い。典型的には、それらは粗くかつ多孔性であり、所望の低摩擦
を与えないであろう。
【００１０】 ある硬いダイアモンド様被覆物（ＤＬＣｓ）が試行された。しかし、被覆物は
単に硬いだけでなく、基体へのすぐれた粘着性を有しなければならない。既知の
ＤＬＣは基体へ付着させるためにしばしば中間層を必要とする。物品の中には、
このような中間層が問題とならないものもある。しかし、精密刃を保護するため
には、全被覆物の合計の厚さが刃の最先端における非常に小さい曲率半径を認め
うる程増化させるものであってはならない。さらに、ＤＬＣと基体との間の中間
層を蒸着する追加の工程により生産費が上昇する。これは重要であり、使い捨て
の剃刀や剃刀の刃などの安価な物品にとっては経済的に不合理でさえある。
【００１１】 したがって、中間層を設けることなく精密刃を保護するために金属及び非金属
の両方の表面に適用でき、かつ、強く、硬く、極めて粘着性で、温度、pH、及び
化学物質に反応しない被覆物が非常に望ましいであろう。
【００１２】 物品を清掃すると粘着性の残留物が容易に取り除けるような取り外し又は非粘
着性の被覆物が施された料理用具、工業用具、又は医療器具などの多数のタイプ
の物品を提供することも望ましい。非粘着性の被覆物には例えばポリテトラフル
オロエチレンなどのフッ化炭素樹脂又は珪素樹脂が含まれる。
【００１３】 非粘着性の被覆物を有する代表的な物品には電気外科用刃が含まれる。電気外
科の手法では、電気外科用器具が組織を切断するため及び／又は焼灼により血液
を凝固させるために高周波電圧で作動される。このような器具には通常一極系又
は二極系のどちらかで導電刃が組み込まれる。電気外科用器具は手術中の出血を
制御するのに効果的であることが示されてきたが、前記器具の共通の課題は切断
器具の表面に組織が粘着することであり、結果として切断効率が低下し、切断器
具の早い取替えが必要となる。この課題に対する１つの方法は焼灼された組織が
ほとんど付着しない非粘着性材料で切断器具を被覆することであった。もちろん
、このような被覆材料は電気外科用電流を流すのに適していなければならず、又
は少なくとも前記被覆は切断器具表面から組織へ電流を流させるように設定され
なければならない。
【００１４】 非粘着性材料による電気外科用器具の被覆は外科的手法の効率を改善してきた
が、既知の被覆材料には多数の欠陥がある。例えば、これらの被覆物は電気伝導
度が不十分であり、基体にうまく付着せず、手術中の使用条件下で劣化しやすく
、そして繰り返される滅菌サイクルの結果として表面腐食及び点食をうける。
【００１５】 また、可撓性基体上に抵抗器又はキャパシターなどの受動装置及び能動装置を
搭載する必要が増している。不連続要素の相互接続技術の使用は、多層化、高コ
ストの組立て、重量比に対する不都合なサイズ、大きな装置コスト、及び複数の
加工工程の影響を受けない。薄膜の受動の抵抗器及びキャパシターの使用により
、ハンダの相互接続に対する必要がなくなり、多層化能と重量比に対する優れた
サイズを有する集積化が促進される。従って、ポリイミド又は高温ポリマーなど
の可撓性基体上における誘電性の薄い被覆物の使用は重要になりつつある。多層
チップモジュール（ＭＣＭ）及びＦＬＥＸ回路における集積された抵抗器及びキ
ャパシターの使用は可撓性基体上における被覆物の使用の一分野である。フリッ
プチップ、表面実装、又は直接的なチップの取付けを含む任意のＭＣＭ技術を用
いて使用され得る被覆物が望ましい。
【００１６】 現在、抵抗器及びキャパシターは別個の構成要素として製造され、ハンダ又は
ワイア結合により据え付けられる。これは高コストの組立て、ハンダ付けを行う
ための高価な装置、重量比に対する不都合なサイズ、及び多層回路の組立ての困
難を伴う。
【００１７】 本発明はこれらの欠陥を克服することを意図する。
【００１８】 発明の概要 本発明はフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物で被覆された基体を含む
物品であって、前記被覆物が炭素、珪素、酸素、水素、及びフッ素を含むダイア
モンド様組成物を含むものである物品に関する。
【００１９】 一つの様態において、本発明はフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物で
被覆された可撓性基体に関する。前記被覆物は炭素、珪素、酸素、水素、及びフ
ッ素を含み、好ましくは約0.05ミクロンから約10ミクロンの厚さで被覆される。
【００２０】 別の一様態において、本発明は炭素、珪素、酸素、水素、及びフッ素を含むフ
ッ素をドープされたダイアモンド様被覆物で被覆された精密刃基体に関する。
【００２１】 さらに他の態様において、本発明はフッ素をドープされたダイアモンド様被覆
物で被覆された電気外科用器具に関する。前記被覆物は炭素、珪素、酸素、水素
、及びフッ素を含む。
【００２２】 さらなる態様において、本発明は炭素、珪素、酸素、水素、フッ素、及び追加
ドーパントを含むフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物で被覆された基体
に関する。
【００２３】 さらに本発明は、フッ素をドープされたダイアモンド様被覆で被覆された基体
を含む物品を製造する方法であって、真空被覆室に該基体を置く工程、及び炭素
、珪素、酸素、水素、及びフッ素のイオン、原子、又はラジカルから構成される
固まりのない粒子ビームの共蒸着により該基体の上に炭素、珪素、酸素、水素、
及びフッ素を含むダイアモンド様組成物を蒸着させる工程を含む方法に関する。
各粒子種の平均自由行路はその粒子源と基体の成長する粒子被覆表面との間の距
離を大きく超えるものである。
【００２４】 本発明の詳細な説明 本発明はフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物で被覆された基体を含む
物品に関する。本発明の被覆物は炭素、珪素、水素、酸素、及びフッ素を含む。
この被覆物は、可撓性基体、精密刃の基体、ならびに優れた接着性及び低い膜応
力を備える電気外科用器具を含む種々の基体上に蒸着されうる。この被覆物は腐
食及び侵食に耐性がある。この被覆物は極めて硬く長期間の耐久性を有する。こ
の被覆物は精密刃を保護し、具体的な適用のための性質の最良の組み合わせを得
るために化学的組成物を操作することにより電気的に「調整する」ことができ又
は所望するように改変することができる。
【００２５】 本明細書で用いられるとき、また通常理解されるとき、「精密な刃」とは基体
の最も狭くなる領域であり、先端で曲率半径が小さくなるよう基体の両面が収束
する。小さな曲率半径とは約２５オングストロームから数ミクロンまでのもので
あると理解される。非常に鋭利な刃では、その曲率半径は約７５オングストロー
ムから約１０００オングストロームまでである。他の鋭利でない切断道具では、
先端の半径は数百ミクロンまでであるが、それでもそれは精密刃と考えられる。
【００２６】 腐食とは、環境との反応による金属又は合金の電気化学的分解として定義され
、酸や塩基の存在により促進される。一般的に、金属又は合金の腐食性は活量系
列におけるその位置に依存する。腐食産物はしばしば金属の酸化物又はハロゲン
化物の形態をとる。さらに、腐食は有機物質との接触及び自然環境の条件にさら
されることによる非金属基体の分解であると考えられる。
【００２７】 本発明の被覆物は、刃の保存性及び耐腐食性に加え、強固であり、かつ化学物質
により生じる侵食、磨耗、又は切除に耐性があり、熱にも安定である。従って、
この被覆物は生物学的攻撃又は化学的攻撃を受けつけない。侵食に対する本発明
の被覆物の耐性により、例えば物理的な削げ落ちの可能性が低くなる。したがっ
てこの基体は環境の腐食にさらされにくい。この被覆物は種々の基体に優れた接
着性を有し、既知のダイアモンド様被覆を腐食することが知られている温度以上
の高温の熱ショックに対して耐性がある。
【００２８】 本発明の一つの好ましい被覆物には、水素原子によって化学的に安定化された
炭素ネットワーク、及び最終的に無定形構造となる酸素原子により安定化された
ガラス様珪素ネットワークが含まれる。理論により束縛されることを意味するわ
けではないが、フッ素が水素又は珪素のいずれかの一部と置換し置換的に取込ま
れると考えられる。本明細書で用いられる「無定形」とは、固体中での原子のラ
ンダムな構造又は配列であって、結果として規則的な秩序範囲が広くなく、結晶
化度又は粒度を欠いている配列を意味する。このような被覆物は約１０オングス
トローム以上のクラスター又は配列を含まない。原子基準でのクラスターのこの
欠如は本発明の被覆物の重要な特徴である。クラスターは構造の無定形性を破壊
することができ、劣化の活性中心として働くことができる。
【００２９】 本発明のフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物は絶縁性であるが、具体
的な適用において必要とされる電気抵抗率に応じて、抵抗率を適応させそして調
整するために、この被覆物にフッ素に加えて一つ以上のドーパントを含めること
が好ましい。こうして、本発明はまたフッ素、炭素、珪素、酸素、水素、及び追
加のドーパントを含むフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物にも関する。
【００３０】 追加されるドーパントは周期表のＩｂ〜ＶＩＩｂ族及びＶＩＩＩ族の遷移金属
及び非金属のいずれか又は組み合わせである。さらに、珪素原子及び酸素原子は
他の元素及び化合物とのドーパントネットワークにおいても使用されうる。
【００３１】 伝導性膜が好ましいときでも、非金属ドーパントを本発明の選択ドーパントと
して組み込みうる。さらに、絶縁性被覆物が望ましい場合、非伝導性ドーパント
も組み込みうる。これらには反応して非伝導性化合物となる伝導性元素も含まれ
うる。導電性被覆物が望まれる場合、導電性の元素及び化合物をドーパントとし
て使用しうる。
【００３２】 それゆえ、本発明に従って、好ましい被覆物にはＣ−Ｆ／Ｈネットワーク、ガ
ラス様Ｓｉ−Ｏネットワーク、及び任意選択的に、追加のドーパントネットワー
クが含まれる。前記の二つ又は三つのネットワークの任意の相互浸透により、本
発明のフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物で見られるあらゆる方向にお
いて均一な強度の構造物が形成されると考えられる。この構造物は約８０オング
ストローム（８ｎｍ）の厚さでさえマイクロ細孔を持たない。従って、このフッ
素をドープされたダイアモンド様被覆物は極めて安定で、独自の組み合わせの化
学的性質、機械的性質、電子的性質、及び超伝導性を有する。50％もの高い金属
濃度においてさえ炭化物の形成は防止され得る（オージェ電子分光法、化学分析
用電子分光法（ＥＳＣＡ）、Ｘ線吸収広域微細構造分光法、及びフーリエ変換赤
外分光法（ＦＴＩＲ）を用いて立証される）。また、これらの被覆物の性質は、
蒸着技法及びパラメータ並びに選択されるドーパント及びその濃度に応じて広範
囲に及んで多様化させることができる。既に言及したように、この被覆物の構造
は分子レベルで調整することができる。こうして、所望の機械強度、硬度、及び
耐薬品性を備えた独自の電気的性質、光学的性質、及び他の望ましい固体の性質
を被覆物に与えることができる。
【００３３】 もし必要な場合、可撓性基体にとって好ましい追加ドーパント元素はＢ、Ｓｉ
、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｏ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ
、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎ、Ａｇ、
及びＡｕであり、Ｔｉ及びＷが好ましい。
【００３４】 精密に刃付けされた基体にとって、金属をドープされた耐腐食性の被覆物に特
に効果的な好ましい追加ドーパント元素は、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｏ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ
、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎ、Ａｇ、及びＡｕであり、Ｗ、Ｃｒ
、Ｚｒ、Ｔｉ及びＨｆが好ましい。ドーパントとして用いられうる好ましい化合
物はＴｉＮ、ＢＮ、ＡｌＮ、ＺｒＮ、及びＣｒＮであり、ＴｉＮ及びＺｒＮが最
も好ましい。
【００３５】 電気外科用器具にとって好ましい追加ドーパント元素は、Ｂ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｏ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎ、Ａｇ
、及びＡｕであり、Ｗ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉ及びＨｆが最も好ましい。好ましいド
ーパント化合物にはＴｉＮ、ＢＮ、ＡｌＮ、ＺｒＮ、及びＣｒＮが含まれ、Ｔｉ
Ｎ、ＡｌＮ、及びＣｒＮが最も好ましい。
【００３６】 フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の電気的性質は多様であり、被覆
物の性質を維持しながら、約１０-2から 約１０15オーム−ｃｍの最適抵抗度を
付与することができる。ある３−ネットワークのナノ複合体ネットワークにおい
て、電気抵抗がない超伝導状態への転移が低温で観察される。
【００３７】 フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の炭素含量は被覆物の約４０原子
％より大きい、例えば約４０から約９８原子％であり、より好ましくは約５０か
ら約９８原子％であることが好ましい。。フッ素をドープされたダイアモンド様
被覆物のフッ素含量は、炭素濃度の少なくとも約１原子％から約４０原子％まで
であるのが好ましい。このような被覆物は理論的には水素がなくとも調製されう
るが、水素含量が炭素濃度の少なくとも約１原子％から約４０原子％までである
ことが好ましい。珪素、酸素、及び（もしあるならば）ドーパントの合計は被覆
組成物の約２原子％より大である。一つの好ましい態様において、炭素原子対珪
素原子の比は約４：１から約９：１であり、炭素原子対フッ素原子の比は約1.1
：１から約2.5 ：１であり、炭素原子対水素原子の比は約1.1 ：１から約2.5 ：
１であり、珪素原子対酸素原子の比は約0.6 ：１から約1.7 ：１であり、そして
ドーパント対炭素原子の比は約０：１から約1.5 ：１である。この態様は可撓性
基体に好ましい。別の好ましい態様の一つにおいて、炭素原子対珪素原子の比は
約２：１から約８：１であり、水素原子対炭素原子の比は約0.01：１から約0.4
：１であり、珪素原子対酸素原子の比は約0.5 ：１から約３：１であり、そして
ドーパント対炭素原子の比は約0.1 ：１から約1.5 ：１である。従って、この被
覆物には１部の炭素毎に、約0.01から約0.4 部の水素、約0.125 から約0.5 部の
珪素、及び約0.0375から約1.0 部の酸素が存在する。このような組成物において
、もしドーパントが含まれるならば、金属をドープされた被覆物に付与される所
望の性質に応じて、１部の炭素毎にドーパントは約0.01から約1.5 部存在するこ
とになる。この態様は精密に刃付けされた基体及び電気外科用器具に好ましい。
【００３８】 フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の密度は約1.8 から約2.1 g/cm3 まで変化する。残りの空間は約0.28から約0.35 nm までの直径をもつナノ細孔の
無秩序のネットワークにより占められる。このナノ細孔ネットワークは固まり又
はマイクロ細孔を形成しない。次いで、フッ素をドープされたダイアモンド様被
覆物の性質はドーパントを添加することにより調整されうる。このドーパントは
不規則な形式でナノ細孔ネットワークを満たし、最終的には、５０原子％もの高
い濃度の場合でさえ固まり又は微結晶粒子を含まない、一定のドーパント濃度の
さらなるネットワークを生ずる。約１０原子％より低い濃度で、ドーパントはダ
イアモンド様基質のナノ細孔中に別々の原子として分布する。この準無秩序構造
におけるドーパント原子間の平均距離はドーパント濃度により制御することがで
きる。ドーパントの元素又は化合物の相対濃度が約２０〜２５原子％に達すると
、ドーパントはフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物中で第三のネットワ
ークを形成する。
【００３９】 本発明のフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物は、可撓性基体上に抵抗
器及びキャパシターを作製するのにとくに有用である。この被覆物はＭＣＭ処理
に組込まれる得るだけでなく、良好な性能、優れたサイズ対重量比を与え、写真
製版によりパターニングすることができ、そして多層化能をも有する。この被覆
物の厚さ及びパターニングならびに炭素、珪素、水素、酸素、フッ素、及び任意
の追加ドーパントの割合は、目的とする特定の装置に合うように調整される。こ
の被覆物は、多様な可撓性基体、特に、好ましくは約１００℃より高いＴｇ、最
も好ましくは約１５０℃より高いＴｇをもち、優れた接着性と低い膜応力とを備
えた親水性又は疎水性の熱可塑性ポリマーなどの重合膜に対して蒸着することが
できる。この重合膜はポリイミド、ポリエステル、ポリテルミド（polythermide
) 、ポリアミド−イミド、ポリエチレンテレフタレート、カプトン（登録商標）
（デュポン社、デラウェア州、ウィルミントン）、マイラー（登録商標）（デュ
ポン社、デラウェア州、ウィルミントン）、アルテム（登録商標）（ジェネラル
・エレクトリック社、マサチューセッツ州、ピッツフィールド）、及びトルロン
（登録商標）（アモコ・パフォーマンス・プロダクツ社、ジョージア州、アルフ
ァレッタ）からなる群より選択されることが好ましい。ダイアモンド様被覆物に
おける金属ドーパント及びフッ素の含有量を調整できることにより、多様な可撓
性基体材料に適合した被覆ができる。
【００４０】 本発明のフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物は剃刀刃などの精密に刃
付けされた器具用の被覆物としても特に有用である。一つの態様において、図９
は本発明のフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物で被覆された精密に刃付
けされた先端２４を備えた剃刀刃１８の拡大断面図を示す。図９において、基体
２０、即ち鋼の剃刀刃はフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の層２１で
被覆される。ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の薄い被覆物２２がフッ
素をドープされたダイアモンド様被覆物２１の上に蒸着される。
【００４１】 図１０は、内層２３で被覆された基体２０を含む精密に刃付けされた先端２４
を備えた被覆された刃１９を示す。次いで、内層２３はフッ素をドープされたダ
イアモンド様被覆物２１で被覆され、２１は最終的にＰＴＦＥ被覆物２２で被覆
される。この内層は、珪素、炭化珪素、バナジウム、タンタル、ニオビウム、モ
リブデン、及びそれらの合金の単独又は互いの組み合わせから選択される材料の
薄層である。この内層は約５０から約５００オングストロームの厚さで蒸着され
る。ＰＴＦＥは約１０オングストロームから約１０００オングストローム、好ま
しくは約２５から約７５オングストロームの厚さで蒸着される。
【００４２】 一つの態様において、刃は剃刀へと組立てられる。図１１は、使い捨て剃刀２
５の頭部部品２６に組み込まれた図９の刃１８を示す。頭部の開口部２７は髭剃
り面から屑を通過させる。従って、本発明のフッ素をドープされたダイアモンド
様被覆物で被覆された刃が２枚刃又は１枚刃の補充用などの刃として製造され、
あるいは剃刀完成品に組込まれうる。
【００４３】 精密刃を保存する本発明のフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物には多
くの用途が存在し、金属及び非金属、電気外科用器具、剃刀の刃、工業用具若し
くは非工業用具、刃物類、ナイフ、ポケットナイフ、及び腐食及び／又は侵食の
攻撃をうけ易くかつ鈍化する精密に刃付けされた基体すべての被覆物を含むが、
これらに限定されない。
【００４４】 さらに本発明のフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物は、参照により本
明細書にインコーポレートされる米国特許第5,197,962 号及び第5,549,604 号に
記載された電気外科用刃などの電気外科用器具のための被覆物としてとくに有用
である。
【００４５】 さらに、フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物は、二極鉗子、腹腔鏡器
具、歯科用ブラケット、及びカテーテルなどの生物医学装置等の他の装置を被覆
するために用いられうる。
【００４６】 所望の物理学的性質を付与するために、同一もしくは異なる（化学的内容に基
づいて）多層のフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物を単層又多層で用い
ることが意図される。例えば、フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物は、
所望の性質を付与するために金属か又は非金属の追加ドーパントを含むフッ素を
ドープされたダイアモンド様被覆物で積層してもよい。
【００４７】 接着性を改善するため、従来型のダイアモンド様被覆物（「ＤＬＣ」）は基体
とＤＬＣ被覆物との間にしばしば内層を有する。しかし、この内層はＤＬＣ被覆
物の有用な厚さを制限する。もしＤＬＣ被覆物が厚すぎると、層間剥離が起こる
。驚くべきことに、本発明のフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物を用い
ると、接着性が非常に良く、内層を必要としない。その結果、基体からの層間剥
離の危険性にさらされることなく被覆材料をより厚く塗布し得る。Ｓｉ−Ｏネッ
トワークの低い固有応力によって、フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物
のより厚い層を塗布でき、この能力がフッ素をドープされたダイアモンド様被覆
物で被覆された基体のすぐれた腐食耐性に貢献すると考えられる。もし必要なら
ば、内層にフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物を用いてもよい。フッ素
をドープされたダイアモンド様被覆物は、基体ならびに内層に対する適合性及び
接着性を最適化するようドーパントを添加しうるため、フッ素をドープされたダ
イアモンド様被覆物の調整可能性が内層に対するフッ素をドープされたダイアモ
ンド様被覆物の良好な接着性をも保証する。このような「調整」はドーパント濃
度ならびに特定のドーパントを増やしながら変更することにより達成される。ド
ーパントが含まれない場合でも、フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物は
その性質を変更させうる。化学的組成物の変更に加えて、温度や圧力（これらに
限定されない）を含む蒸着条件を変更することによってもフッ素をドープされた
ダイアモンド様被覆物の性質の変更を達成することができる。従って、フッ素を
ドープされたダイアモンド様被覆物は金属含有基体及び非金属含有基体の両方に
よく接着する。
【００４８】 精密に刃付けされた基体及び可撓性基体に塗布されるとき、本発明の被覆物は
、優れた接着性に加えて、追加ドーパントなしに極めて高い絶縁耐力、低い誘電
定数、低い表面エネルギー、及び高い水接触角を有する。追加ドーパントを含ま
ない被覆物は1 MV/cm を超え、4 MV/cm もの高さにもなる絶縁耐力を有する。こ
の被覆物は2.5 もの極めて低い誘電定数を有する。この被覆物は19.6ダイン/cm
もの極めて低い表面エネルギーを有する。この被覆物は101 °もの高い水接触角
を有する。この被覆物の高い水接触角により可撓性基体の表面が疎水性になる。
【００４９】 可撓性基体に塗布されるとき、この被覆物は電気的性質において優れた熱安定
性を有する。被覆物の誘電定数は−173 ℃から177 ℃の温度範囲で変化しない。
この温度範囲には−25℃から125 ℃の軍事用温度範囲が包含される。
【００５０】 本発明の電気外科的器具のためのフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物
には、上記の追加ドーパントを含めることが好ましい。このような被覆物は好ま
しくは約１から約１０００オームのインピーダンス、約１０-2から約１０15オー
ム−ｃｍの被覆物の抵抗度を有する物品を形成する。また、このような器具のこ
の被覆物は、好ましくは約１９から約２９ダイン／ｃｍ、最も好ましくは約２４
から約２６ダイン／ｃｍの表面エネルギーを有する。この被覆物の水接触角は約
８０°から約１０１°が好ましい。
【００５１】 酸素により安定化されるガラス様珪素の存在は、被覆物の内部応力を低減し、
それにより基体への直接的な接着性を強化し、ならびに高温での黒鉛炭素の成長
を防止し、金属含有被覆物における金属の固まりの形成を防止することに役立つ
。これは、本発明のフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の基体材料に対
する優れた接着性をもたらすらしい。
【００５２】 フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物で見られる低い固有応力はその耐
腐食性に貢献する。被覆物は腐食性試薬に対して無反応でなければならないだけ
でなく、腐食性試薬と保護された基体との間の接触を防止する遮断層としても作
用すべきである。従来のＤＬＣ膜はしばしば高い固有応力を有し、その結果、ピ
ンホールや全面的多孔性を被る。本発明のフッ素をドープされたダイアモンド様
被覆物は比較的低いその応力のため孔が生じない、従って化学的攻撃及び浸透に
耐性がある。
【００５３】 本発明のフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物は、従来のダイアモンド
様材料の熱安定性をはるかに凌ぐ熱安定性を有する。結晶ダイアモンドは黒鉛化
が起きる約1100℃まで安定である。石英は1470℃まで長期の熱安定性を有し、17
00℃まで短期の熱安定性を有する。従来の非合金ダイアモンド様膜は黒鉛化が起
きる前の約600 ℃までしか安定でない。合金のＤＬＣ膜はきわめて熱安定性が悪
い。対照的に、本発明のフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物は1250℃ま
で長期の安定性を有し、2000℃まで短期の安定性を有する。従って、本発明の被
覆物の熱安定性は結晶ダイアモンドの熱安定性を凌ぎ、無定形のダイアモンド様
状態を保存する。
【００５４】 約600 ℃から約1000℃の範囲で、フッ素をドープされたダイアモンド様被覆材
料の炭素基質の化学結合は部分的にｓｐ3 からｓｐ2 へと変化する。しかし、一
般的構造とその「ダイアモンド様」性質は保存される。対照的に、同様な条件下
において、従来のＤＬＣは黒鉛化しダイアモンド様性質を失う。さらに、400 ℃
から500 ℃の範囲において（好ましくは430 ℃）、逆の焼きなましが観察され、
それによりｓｐ3 対ｓｐ2 の比が増化する。黒鉛化炭素はＤＬＣより導電性が高
いため、絶縁性質を保存するために炭素の黒鉛化を阻害することが極めて重要で
ある。従って、フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の熱安定性は本発明
の絶縁被覆物にＤＬＣ被覆物に優る顕著な利点を付与する。
【００５５】 本発明のフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の別の利点はそれらの硬
度と耐久性である。フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物、特に金属をド
ープされた被覆物は高い微小硬度と弾性を結合させる。こうして、本発明のフッ
素をドープされたダイアモンド様被覆物の微小硬度は約５から約３２ＧＰａに及
ぶ。
【００５６】 本発明はフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物で被覆された基体を製造
する方法をも含む。本方法は、真空被覆室に基体を置く工程、及び炭素、珪素、
酸素、水素、及びフッ素のイオン、原子、又はラジカルから成る固まりのない粒
子ビームの共蒸着により炭素、珪素、酸素、水素、及びフッ素を含むダイアモン
ド様組成物を基体上に蒸着する工程を含み、各粒子種の平均自由行路がその粒子
源と基体の成長する粒子被覆表面との間の距離を超える方法である。
【００５７】 より具体的には、本発明のフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物は、関
連元素のイオン、原子、又はラジカルの固まりのないビームによる共蒸着を経て
合成され、その工程において、各粒子種の平均自由行路はその粒子源と基体の成
長する粒子被覆表面との距離を超えるものであり、各ビームは充分に規定された
エネルギーの粒子を含むものである。炭素を含有する粒子ビームはプラズマトロ
ンでプラズマ放電により作成することができ、これを真空室で高電圧場により荷
電粒子として分離し、基体に向ける。
【００５８】 少なくとも50％の炭素含有粒子が約100eV を凌ぐ運動エネルギーを有する。成
長中の基体温度は500 ℃を超えるべきでない。
【００５９】 図５は、被覆物の蒸着工程に使用される被覆室の一つの好ましい態様を示す。
真空蒸着室１は基体試料を被覆するために提供される。前駆体の注入口系１３は
金属チューブと液体の前駆体が射出される多孔性のセラミック材料とを含む。
【００６０】 この前駆体はＣ、Ｓｉ、Ｈ、Ｏ、及びＦの前駆体として有用な任意の化合物で
ある。有機珪素化合物はＣ、Ｈ、Ｓｉ、Ｏ、及びＦの好ましい前駆体である。一
つの好ましい有機珪素化合物は液体のポリトリフルオロプロピルメチルシロキサ
ンである。特に好ましい前駆体はポリ−３，３，３−トリフルオロプロピルメチ
ルシロキサン−（50％）ジメチルシロキサン共重合体である。
【００６１】 前駆体の注入口系１３は室の基板１１により前記室に組み込まれることを示す
。熱陰極２は抵抗により加熱されるタングステンフィラメント４を含む。フッ素
をドープされたダイアモンド様被覆物で被覆される基体５は基体ホルダー６に付
着される。電源８（ＤＣ又はＲＦ）は基体にバイアスを掛けるために使用される
。実際には、この系は通常の真空ポンプダウン手法を用いて「ポンプダウン」す
る。ポート７に位置するゲートのバルブ（示されていない）を閉め、室が大気圧
に達するまで、乾燥した空気、窒素、又はアルゴンで満たす。次いで、室のドア
９を開き、被覆される基体５は任意の多くの可能な方法（ばね、クリップ、ねじ
、留め金等）を用いて基体ホルダー６に付着させる。特別な形態の基体には特別
な取付具を必要とする。基体ホルダーは、作動中に、中心のドライブシャフト１
０の軸周りと１０に垂直なそれ自体の軸との両方を回転させるシリンダー試料（
示されていない）も握るように設計される。この方法では、シリンダーの軸は１
０の軸に垂直となるであろう。
【００６２】 基体を入れると、室のドアを閉め、室を真空排気し、ゲートのバルブを開いて
、システムの圧を少なくとも１０-5から１０-6トルまで下げる。これはシステム
の底面圧の望ましい範囲である。上記の底面圧に達すると、室圧が約５ｘ１０-5 から１ｘ１０-3トル、好ましくは約１〜３ｘ１０-4トルに達するまで、ニードル
弁又は質量流量制御器を介してアルゴンガスを室に導入する。この時点で、フィ
ラメント電流、フィラメントのバイアス、及び電磁石の電源を入れる。フィラメ
ント電流は熱陰極（フィラメント又は陰極とも呼ばれる）を通る電流である。フ
ィラメントのバイアスはフィラメントにかける一定の浮動電圧（接地に関して約
−１５０Ｖ）である。プラズマ電流はフィラメントと基板又は接地との間の電流
として測定する。この電圧はフィラメントにより放出される電子を基板１１へ移
動させる場を提供する。電磁石の電源は電磁石に電流を供給し、電磁石は磁場を
生成し、結果としてらせんとなる電子軌道を生じ、電子軌道の長さを増大させ、
前駆体の蒸発により生じる気化分子と電子との衝突の確率を改善する。同時に基
体のバイアスの電源を入れる。
【００６３】 これらの電源を入れると、蒸着前の基体の洗浄に用いられるアルゴンガスが生
じる。必要な洗浄時間の後、前駆体の供給が開始される。これらの前駆体は１か
ら１０個の珪素原子を有することが好ましい。好ましい前駆体はフッ化シリコン
であり、ポリ−３，３，３−トリフルオロプロピルメチルシロキサン−（50％）
ジメチルシロキサン共重合体が特に好ましい。この前駆体は、熱フィラメントに
より加熱されるマイクロ細孔セラミックのディスペンサー又は金属のディスペン
サーを用いて活性プラズマ領域に直接導入される。前駆体は不活性ガス（供給ガ
スとしてアルゴン）ならびにメタン、アセチレン、及びブタン（ただしこれらに
限定されない）などの活性ガスの両方である他のガスと混合され得る。熱フィラ
メントの光子及び電子の放出は前駆体の断片化とイオン化を生じる。
【００６４】 前駆体の流れはニードル弁により制御され、室と外気の間の圧力差により生じ
る。室内の前駆体の流れと蒸発が安定すると、アルゴンガスの流れがとまる。イ
オン化された前駆体の蒸気は安定なプラズマを形成し、プラズマからのイオンは
基体のバイアスにより基体のホルダーへと加速される。こうして、フッ素をドー
プされた膜の蒸着が起こる。
【００６５】 前駆体はまた、当分野で知られる流れ制御器、加熱器、及びディスペンサーか
らなる液体−蒸気輸送系を用いて前記システムに導入される。液体−蒸気輸送系
は、真空技術の分野で知られる従来型の在庫のある部品である。前駆体を容器に
貯蔵しフラッシュ蒸発器に輸送する。この前駆体をフラッシュ蒸発し蒸気とする
。前駆体の蒸気の流速を正確に制御するために質量流量制御器を使用する。必要
はないが、アルゴンなどの混合ガスを前駆体の蒸発を助長するために用いること
ができる。液体輸送系の場合、電子源は前駆体輸送系から分離した熱フィラメン
トである。
【００６６】 高真空は、室を機械ポンプで大まかに下げた後、高真空ポンプで排気すことに
より、達成される。ポンプは拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、極低温ポンプ、又
は真空技術の分野で知られる他の高真空ポンプであることができる。被覆物は、
小容量のためには、バッチ工程で本発明の工程で蒸着される。このような例では
、蒸着室内で基体を基体ホルダーに載せ、室を真空排気し、蒸着を行い、室を排
気した後、被覆された基体を取り出す。
【００６７】 大容量の場合は、本発明の工程は空気−空気系で実施することができる。この
ような空気−空気系は、洗浄、蒸着室への部品の輸送、及び基体ホルダー上に該
部品を機械／ロボットで載せる。この後、基体ホルダーを負荷ロック室（load-l
ock chamber ）に入れ、蒸着室へ入れ、被覆する。被覆後、基体ホルダーを蒸着
室から取り出し、負荷ロック室に入れた後、大気中に出す。被覆対象である基体
は基体ホルダー上で回転させたり、傾けたり、又は他方向に向けたりでき、また
、他の工程中に操作してもよい。
【００６８】 基体は基体ホルダーに載せるている間中回転させたり、傾けたり、振動させた
りしなければならない。粒子又は屑の蓄積及び基体表面の汚染を最小限にするた
めには垂直方向が好ましい。基体表面に蒸着される粒子及び屑を最小限にするた
めに蒸着室は低乱流真空ポンプを用いて真空排気される。
【００６９】 アルゴンイオン洗浄はグロー放電洗浄によっても成し遂げられる。グロー放電
洗浄では、室圧が１０-3トルの範囲になるまでアルゴンガスを導入する。グロー
放電はＲＦ又はＤＣにより励起される。放電中、約0.03から約5.0 kVの基体バイ
アスを使用することができる。ＲＦの周波数は９０〜４５０ｋＨｚの範囲である
。
【００７０】 カウフマン型のイオン源、ＲＦコイル、及びＲＦ平行板を含む（ただしこれら
に限定されない）蒸着被覆の分野で知られる他のイオン源はイオン生成にも使用
され得る。カウフマンのイオン源及び前駆体の液体輸送系からなる蒸着系はこれ
らの被覆物を精密刃に蒸着するために使用されうる。カウフマンのイオン源は不
活性ガス又は前駆体ガスで作動されうる。カウフマンのイオン源は不活性ガスで
作動され、前駆体ガスは個別に蒸着室に導入されることが好ましい。カウフマン
のイオン源は、衝撃が増大し、硬いダイアモンド様被覆物が生ずるように充分に
高いビーム電圧で作動される。カウフマンのイオン源は、４００から１５００Ｖ
の範囲、好ましくは８００から１２００Ｖの範囲のビーム電圧で作動される。ア
ルゴンイオンのエッチングに加えて、アルゴンガスと酸素ガスなどの少量の反応
性ガスを導入することにより他のプラズマ洗浄を実施することができる。イオン
洗浄工程は、基体に蒸着された被覆物の接着性を改善し、ならびに炭化水素の汚
染及び他の汚染を効果的に除去することが見出された。
【００７１】 追加ドーパント物質の共蒸着は下記のように実施される。基準圧に達した後、
磁電管へのアルゴンの流れが始まり磁電管８の電源を入れる。基体がスパッタリ
ングにより洗浄される間、シャッター１２が蒸着を防止するために用いられる。
洗浄が完了すると、シャッター１２を開き、所望の電力レベルでスパッタリング
を実施する。これは、どの種類の被覆物の構造及び組成が望まれるかに応じて、
被覆物の蒸着の開始前、被覆物の蒸着中、被覆物の蒸着後、又は被覆物の蒸着中
に断続的に起こしうる。ＤＣ又はＲＦのスパッタリングを用いて、あらゆる種類
の材料（金属、セラミックス、合金等）を共蒸着用に使用することができる。
【００７２】 被覆物の成長条件は図３を参照して述べれば以下の通りである。プラズマ生成
の活性ゾーン２圧力が約1.0 ｘ１０-3から約5.0 ｘ１０-2トルの範囲のにあると
き、蒸着室１の圧力は１０-3トルを超えるべきではない。陰極フィラメントの温
度が約２１００から約２９５０℃の範囲にあるとき、基体の温度は約２００℃を
超えるべきでない。フィラメントを横切る電圧が約２０から約３０Ｖであるとき
、陰極フィラメントの電流は約７０から約１３０Ａである。プラズマ電流は約0.
5 から約20.0Ａであるとき、接地に関する電圧は約７０から約１３０Ｖである。
炭素を含有する全種類及びＳｉを含有する全種類がそれぞれ約１００から約１２
００ｅＶ及び約２５から約３００ｅＶの範囲の運動エネルギーを有するとき、基
体ホルダーの電圧は約0.1 から約5.0 Kvである。金属ビームは自由原子又は単原
子イオンからなる。金属原子／イオンの運動エネルギーは約２５ｅＶを超えない
。前駆体の流速が約０．５から約５．０ｃｃ／時間のとき、被覆物の成長速度は
約０．１から約２．０マイクロメーター／時間である。
【００７３】 ほとんどの適用に対する作動の好ましい範囲は約１〜３ｘ１０-5トルの圧力
、約１アンペアのプラズマ電流、約６０から７５アンペアのフィラメント電流、
約６００から約１０００Ｖの直流の基体電圧、又はＲＦモードで約１００Ｗの前
進力である。ＲＦ形式の好ましい周波数は約９０から約３００ＫＨｚである。好
ましい磁電管力は、被覆物に望まれる材料の型、組成、及び構造に依存する。
【００７４】 さらに好ましい態様において、図３に図示するように、蒸着の好ましい方法は
、炭素の約５Ｋｗｈ／ｇ原子を超えるプラズマエネルギーの密度を用いる三極管
のプラズマトロンでのプラズマ放電を使用する。荷電粒子が真空室で高電場によ
り分離され基体上へと向かう。基体ホルダーの電位は約−０．３から約＋５．０
Ｋｖが好ましく、最も好ましくは１．０＋／−０．２Ｋｖであり、約０から約２
５ＭｈｚのＤＣ及び約９０から約３００ＫＨｚのＲＦの範囲の周波数に応じて変
化する。プラズマトロンにおける炭素前駆体の流れに対する電子放出の比は１粒
子につき約０．５から約１．５個の電子である。
【００７５】 ドーパントを含むビームの形成は、下記の方法、即ち１）熱蒸発；２）イオン
・スパッタリング；及び３）イオンビームのいずれか一つ又は組み合わせにより
実現する。ドーパントを含むビームは、蒸着室自体での粒子間衝突を排除するた
め、真空室を通って成長中の被覆表面上に直接向けられる。図３に図示するよう
に、基体は回転する基体ホルダー上の隣室に置き、前記ホルダー（例えばドラム
）は二重回転運動を確実にし、前記隣室は原子又はイオンのビームの放出のため
の開口部によりプラズマ生成室に接続される。別法として、プラズマ生成は基体
を含む室内で実施してもよい（図５）。ＤＣ又は高周波の電位は一般に蒸着工程
中に基体に適用される。基体の外部加熱は必要としない。
【００７６】 上述のフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の蒸着方法の有用な変形に
は、Ｓｉ及びＯの前駆体としてのスパッタリングされた珪素及び酸素ガスの使用
、Ｓｉ及びＯの起源としての固体のＳｉＯ2 の使用、Ｓｉ及びＯの起源としての
ＳｉＨ4 及び酸素含有ガスの使用、Ｃ、Ｆ、及びＨの起源としての黒鉛標的、水
素、及びフッ化炭素のガスの使用、Ｆ、Ｃ、Ｈ、Ｓｉ、Ｏ及び金属の起源として
の金属含有フッ化シリコン化合物の使用、Ｃ、Ｆ、Ｈ、Ｓｉ、及びＯの起源とし
てのフッ化シリコン化合物と金属の起源としての金属有機化合物との併用、炭素
及び水素の前駆体としてのスパッタリングされた炭素及び水素又は炭化水素ガス
の使用、フッ素前駆体としてのフッ化有機珪素の使用、又はそれらの組み合わせ
が含まれる。被覆物の蒸着はＲＦ容量結合放電（ＣＣＤ）によっても実施されう
る。
【００７７】 フッ化シリコン又は他の前駆体は、個別に加熱されたマイクロ細孔セラミック
もしくは金属のディスペンサー又は先述した液体蒸気射出系の一つのどちらかに
より導入されうる。前駆体は、典型的には１０-2トルの範囲の蒸着圧を達成する
ため、供給ガスとしてアルゴンなどの不活性ガス又はメタン、アセチレン、及び
ブタンを含む（ただしこれらに限定されない）活性ガスの両方の他のガスと混合
することができる。単一板又は平行板の配置を使用することができる。基体は前
記板の１つと付着させる。次いで、ＲＦ又はＰＤＣ電圧をかける。容量性ＲＦ放
電の場合、ＲＦの周波数は１００ｋＨｚから１００Ｍｈｚの範囲である。他の方
法では、大きなＲＦアンテナを室内に設置し、放電を励起する。このアンテナは
銅、ステンレス鋼、又は当技術材料の他の既知の状態から製造することができる
。スパッタリングを防止するため磁器などの保護被覆物をアンテナの表面に適用
することができる。
【００７８】 プラスチックなどの非伝導性の基体上への蒸着に関して、中性ラジカルの流れ
が高電圧標的から反射し基体へと向かう方法を図４に図示する。この工程では、
反射電極が中性ビームを生成するために使用される以外は図３に示すものと同じ
蒸着を用いる。この工程は、成長中に基体上に当たる荷電した及び／又は速い粒
子から生じる基体の表面損傷をなくす。
【００７９】 超薄絶縁性被覆物を蒸着するための好ましい方法には、蒸気（約３ｘ１０-4
トル）により再充填された真空室を通るイオン衝撃（例えば、約３０から約１５
０ｅＶの範囲のエネルギーを有するＡｒ+ 又はＫ+ ）を含む。これは被覆物の自
己安定化成長をもたらし、最大の厚さは吸収されたラジカルの電荷の緩和のため
の最大トンネル距離により制御される。
【００８０】 本発明の被覆物を蒸着するために選択可能な方法はＲＦ容量放電である。
【００８１】 さらに他の好ましい態様では、本発明は抵抗器を製造する方法に関する。この
方法はダイアモンド様炭素、珪素、水素、酸素、フッ素、及び金属を含む被覆物
を蒸着する工程及び実施例１８に記載するように蒸着された被覆物をパターニン
グする工程をさらに含む。
【００８２】 他の好ましい態様において、本発明はキャパシターを製造する方法に関する。
この方法は金属底面電極を蒸着する工程、ダイアモンド様炭素、珪素、水素、酸
素、及びフッ素を含む被覆物を蒸着する工程、及びパターニングされた上部の金
属電極を蒸着する工程をさらに含む。金属底面電極はＴｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｔａ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ｔｉなどの金属又は当分野で知られる他の電極金属であろう
。上部の電極物質はＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、又は当分野で知られ
る他の電極金属であろう。当分野で知られる単純なシャドー・マスキング又は石
板印刷パターニングにより上部の金属電極をパターニングすることができる。
【００８３】 極めて均一でナノ細孔の超薄絶縁性フッ素をドープされたダイアモンド様被覆
物が本発明に従って蒸着されうる。蒸着された被覆物の厚さには、理論上、上下
限はない。現存技術及び入手可能な装置により、原子スケールでの複合被覆と通
常約１μｍから約１０μｍの範囲の被覆物の厚さが可能になった。電気外科用器
具では約０．５μｍから約５μｍの範囲の被覆物の厚さが有用であり、蒸着され
た被覆物の好ましい厚さは約２μｍから約３μｍである。可撓性基体では、被覆
物の厚さが0.005 μｍから１０μｍの範囲であることができる。鋭利な刃を適切
に保護するために蒸着されるフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の厚さ
は基体の性質に依存する。非常に小さく鋭利な刃は約５ｎｍから約１５０ｎｍの
被覆物を必要とするに過ぎないが、一方、他の物品は数マイクロメーター（ミク
ロン）の厚さの保護化フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物を必要としう
る。従って、上述した本発明の被覆物は、被覆対象である精密に刃付けされた基
体の必要な適用のみに応じて約５ｎｍから約１２μｍ、好ましくは約２０ｎｍか
ら約１２μｍの範囲の厚さで、選択される精密に刃付けされた基体上に又はもし
必要であれば中間層上に蒸着してもよい。
【００８４】 以下の実施例は本発明をさらに説明するために役立つものであって、本発明を
制限するものと解釈すべきでない。
【００８５】 実施例 実施例１ 剃刀刃上へのフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の蒸着 一組の２０００枚の剃刀刃の両面をフッ素をドープされたダイアモンド様被覆
物で被覆した。この剃刀刃を刃のへりが蒸着源と向かい合う（刃がビームに対し
て平行を保つ）ように鋼固定具の上に載せた。蒸着は1.8 ｘ10-4トルの圧力、1.
0 〜1.1 アンペアのプラズマ電流、及び630 ＶのＤＣ基体バイアスで実施した。
この蒸着は４４分間行った。プラズマトロンの開始及び停止の間、基体を遮蔽す
るためにシャッターを用いた。0.13マイクロメーター／時間の蒸着速度で試験を
操業し、平坦部を蒸着ビームに面するように保った刃の表面上に９２０オングス
トローム（０．０９２マイクロメータ）の被覆物厚さで蒸着した。刃の最先端の
厚さは約３００〜５００オングストロームであった。
【００８６】実施例２ 剃刀刃上へのフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の蒸着（１ ２分の蒸着時間） 一組の２０００枚の剃刀刃の両面をフッ素をドープされたダイアモンド様被覆
物で被覆した。剃刀刃は刃のへりが蒸着源と向かい合うように鋼固定具の上に載
せた。蒸着は1.５ｘ10-4トルの圧力、0.5 アンペアのプラズマ電流、及び570 Ｖ
のＤＣ基体バイアスで実施した。蒸着は0.５マイクロメーター／時間の蒸着速度
で１２分間行った。平坦な表面上に１０６０オングストロームの厚さで被覆した
。刃の先端の被覆物の厚さは約３５０〜５５０オングストロームであった。この
被覆物はナノ刻み目による測定で6.5 ＧＰａの硬度を示した。
【００８７】実施例３ 剃刀刃上への追加ドーパントを含むフッ素をドープされたダイアモン ド様被覆物の蒸着 下記の室条件の下で、さらにチタンをドープされたフッ素ドープダイアモンド
様被覆物で別の刃を被覆した。チタンのドーピングが１０から２０％で、ＲＦバ
イアス周波数が２００ＫＨｚ、基体バイアスが３５０Ｖ、前進電力が６５から８
０Ｗだった。平坦な表面上に７５０オングストロームの厚さの被覆物が生じた。
この被覆物の硬度はナノ刻み目による測定で４．５ＧＰａであった。
【００８８】実施例４ 羊毛フェルト剃り試験 実施例１〜３の手順にしたがって被覆された刃は、刃を羊毛フェルトに対して
当て、フェルトを３０回剃る（６インチの剃り長さ）ことにより試験した。剃り
試験の前後に刃のへりを光学顕微鏡で観察した。剃り試験の前後でこの被覆物は
刃のへりに良好な接着性を示した。
【００８９】実施例５ カプトン（登録商標）膜へのフッ素をドープされたダイアモンド様被 覆物の蒸着 カプトン（登録商標）膜の２ｘ２正方形の基体をシクロヘキサン中で超音波洗
浄し、窒素ガスで乾燥し、２４インチの基体支持体上に載せた。珪素、ガラス、
炭素鋼、ステンレス鋼、及び擦り切れた酸化アルミニウムの基体の対照試料をア
セトン、塩化メチレン、メタノール中で洗浄し、窒素ガスで風乾し、基体支持体
上に載せた。室は８ｘ１０-5トルの最終圧力まで真空排気した。アルゴンガスを
室に導入し圧力を１０-2トルまで上げた。基体は毎分７回転数で回転させた。Ｒ
Ｆ基体バイアスを使用し、この基体バイアスを３５０Ｖまで上げた。基体を上記
の条件で１５分間アルゴンイオンでエッチングした。洗浄の15分後、圧力を3.8
ｘ１０-4トルまで下げた。三極管プラズマトロンは1.0 Ａのプラズマ電流を生じ
るまで上げた。ポリ−３，３，３−トリフルオロプロピルメチルシロキサン−（
50％）ジメチルシロキサン共重合体前駆体をプラズマ中に直接導入した。フッ素
をドープされたダイアモンド様被覆物の蒸着は上記の条件下で60分間行った。こ
れにより０．５マイクロメーターの厚さの、基体膜に極めて接着性がある被覆物
を得た。フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物は、接触角測定により測定
されたとき、20.4ダイン／ｃｍの表面エネルギーを示した。対照の珪素基体は被
覆物の絶縁性を測定するために使用した。フッ素をドープされたダイアモンド様
被覆物の絶縁耐力は１ＭＶ／ｃｍ以上であった。フッ素をドープされたダイアモ
ンド様被覆物の水接触角は９１°であった。
【００９０】実施例６ 金属被覆されたアルテム（登録商標）膜上へのフッ素をドープされた ダイアモンド様被覆物の蒸着 金属被覆されたアルテム（登録商標）膜の２ｘ２正方形の基体を２４インチの
基体支持体上に載せた。珪素、ガラス、炭素鋼、ステンレス鋼、及び擦り切れた
酸化アルミニウムの基体の対照試料をアセトン、塩化メチレン、メタノール中で
洗浄し、窒素ガスで風乾した。対照試料も基体支持体上に載せた。基体はシャッ
ターで閉ざした。室は８ｘ１０-5トルの最終圧力まで真空排気した。三極管プラ
ズマトロンは1.0 Ａのプラズマ電流を生じるまで上げた。ポリ−３，３，３−ト
リフルオロプロピルメチルシロキサン−（50％）ジメチルシロキサン共重合体前
駆体をプラズマ中に直接導入した。安定化の１５分後、圧力を２ｘ１０-4トルま
で上げた。基体は毎分７回転数で回転させた。基体のシャッターを除去した。Ｒ
Ｆ基体バイアスを使用し、この基体バイアスを１１０Ｖまで上げた。フッ素をド
ープされたダイアモンド様被覆物の蒸着は上記の条件下で１５分間行った。これ
により０．３マイクロメーターの厚さの基体膜に極めて接着性がある被覆物を得
た。この被覆物は、接触角測定により測定されたとき、２２．５ダイン／ｃｍの
表面エネルギーを示した。対照の珪素基体は被覆物の絶縁性を測定するために使
用した。フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の絶縁耐力は２ＭＶ／ｃｍ
以上であった。フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の水接触角は８１．
５°であった。
【００９１】実施例７ 金属被覆されたカプトン（登録商標）膜上へのフッ素をドープされた ダイアモンド様被覆物の蒸着 金属被覆されたカプトン（登録商標）膜の２ｘ２正方形の基体を２４インチの
基体支持体上に載せた。珪素、ガラス、炭素鋼、ステンレス鋼、及び擦り切れた
酸化アルミニウムの基体の対照試料をアセトン、塩化メチレン、メタノール中で
洗浄し、窒素ガスで風乾した。対照試料も基体支持体上に載せた。基体はシャッ
ターで閉ざした。室は８ｘ１０-5トルの最終圧力まで真空排気した。三極管プラ
ズマトロンは1.0 Ａのプラズマ電流を生じるまで上げた。ポリ−３，３，３−ト
リフルオロプロピルメチルシロキサン−（50％）ジメチルシロキサン共重合体前
駆体をプラズマ中に直接導入した。安定化の１５分後、圧力を２ｘ１０-4トルま
で上げた。基体は毎分７回転数で回転させた。基体のシャッターを除去した。Ｒ
Ｆ基体バイアスを使用し、この基体バイアスを５３０Ｖまで上げた。フッ素をド
ープされたダイアモンド様被覆物の蒸着は上記の条件下で６分間行った。この室
を大気圧まで換気した。金属被覆されたカプトン（登録商標）基体を裏返し、非
被覆面を被覆させた。第二面も同様にして被覆した。これにより、金属被覆され
たカプトン（登録商標）膜の両面上に０．１５マイクロメーターの厚さの極めて
接着性のある被覆物を得た。フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物は接触
角測定により測定されたとき２０．９ダイン／ｃｍの表面エネルギーを示した。
対照の珪素基体を被覆物の絶縁性を測定するために使用した。フッ素をドープさ
れたダイアモンド様被覆物の絶縁耐力は１ＭＶ／ｃｍ以上であった。フッ素をド
ープされたダイアモンド様被覆物の水接触角は９３°であった。
【００９２】実施例８ 金属被覆された珪素へのフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物 の蒸着 直径４インチの金属被覆された珪素基体を２４インチの基体支持体上に載せた
。珪素、ガラス、炭素鋼、ステンレス鋼、及び擦り切れた酸化アルミニウムの基
体の対照試料をアセトン、塩化メチレン、メタノール中で洗浄し、窒素ガスで風
乾した。対照試料も基体支持体上に載せた。基体はシャッターで閉ざした。室は
８ｘ１０-5トルの最終圧力まで真空排気した。三極管プラズマトロンは1.0 Ａの
プラズマ電流を生じるまで上げた。ポリ−３，３，３−トリフルオロプロピルメ
チルシロキサン−（50％）ジメチルシロキサン共重合体前駆体をプラズマ中に直
接導入した。安定化の１５分後、圧力を２ｘ１０-4トルまで上げた。基体は毎分
７回転数で回転させた。基体のシャッターを除去した。ＲＦ基体バイアスを使用
し、この基体バイアスを１０８Ｖまで上げた。フッ素をドープされたダイアモン
ド様被覆物の蒸着は上記の条件下で１８分間行った。これにより、０．２１マイ
クロメーターの厚さの極めて接着性のある被覆物を得た。フッ素をドープされた
ダイアモンド様被覆物は接触角測定により測定されたとき２２ダイン／ｃｍの表
面エネルギーを示した。金属被覆された珪素上のフッ素をドープされたダイアモ
ンド様被覆物の絶縁耐力は３．８ＭＶ／ｃｍであった。
【００９３】実施例９ 炭素、珪素、水素、及び酸素を含む被覆物とさらにフッ素を含む被覆 物との比較 この実施例は炭素、珪素、水素、及び酸素を含む被覆物とさらにフッ素を含む
被覆物との比較に関するものであった。
【００９４】 被覆材料と被覆されていない材料についての幾つかの摩擦性質をピン−オン−
ディスク（ＰＯＤ）摩擦測定器を用いて二つの試験ステーション（系１及び系２
）（スパイア社）で測定することができる。これらの性質には摩擦係数（ＣＯＦ
）、耐久性、及び磨耗因子が含まれる。
【００９５】 常套的な評価試験を進める前に、一連の再現性試験を行った。試験条件を以下
の表１に列挙する。この一連の試験は周囲条件で行った。被覆の前に、３つのｐ
−Ｓｉウェーハを１０枚の１”ｘ１”クーポンに切断した。全てのクーポンは一
回の操行中に（＃６５７）米国特許第5,352,493 号に記載されたようにフッ素を
ドープされていないダイアモンド様被覆物で被覆した。ポリフェニルメチルシロ
キサン前駆体（ゲレスト社）をフッ素をドープされていないダイアモンド様被覆
物を蒸着するために用いた。試料の厚さは1.619 μｍであった。被覆後、この試
料を清潔な容器に入れ周囲条件に 8時間さらした。接着性をテープ引っ張り試験
により測定し、２枚のクーポンで行った。接着性は全ての場合で優れていた。
【００９６】
【表１】
【００９７】 次に、５Ｎの負荷の下ＰＯＤ摩擦測定器中で２２５ＲＰＭ及び10,000回転で摩
擦試験を実施した。ボール／ピンは1/4 ”−炭化タングステンであり、減摩はな
かった。スパイア社の摩擦試験器は完全に独立した２つの試験用腕を有する。ｆ
ｆ及びｆｈを除く全ての試料は系１で行われた。結果を下記の表２に示す。平均
摩擦係数（ＣＯＦ）は系１で０．１７、系２で０．０８であった。この相違は測
定誤差と考えられる。
【００９８】
【表２】
【００９９】 フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の蒸着 次に、フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物を基体上に蒸着した。熱フ
ィラメントで補助されたプラズマ化学蒸気蒸着（ＰＡＣＶＤ）法を用いてフッ素
をドープされたダイアモンド様被覆物を蒸着した。フッ素を含む市販の有機シリ
コン系前駆体、特にポリ−３，３，３−トリフルオロプロピルメチルシロキサン
−（50％）ジメチルシロキサン共重合体（ゲレスト社、ツリータウン、ペンシル
バニア州）が、非常に低い表面エネルギー（約２０ダイン／ｃｍ）及び着氷防止
性をもつ極めて接着性のある膜を生成することが見出された。いくつかの蒸着作
業が完了した。珪素、炭素鋼、ステンレス鋼、アルミニウム、テフロン（登録商
標）フッ化炭素重合体、及びチタンなどの基体上に被覆した。下記の表３は試料
の操行に利用したパラメータと条件を列挙する。
【０１００】
【表３】
【０１０１】
【表４】
【０１０２】 着氷防止実験 フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物とドーピングなしのダイアモンド
様被覆物（ＤＬＮ）の両方で定性的着氷試験を行った。
【０１０３】 一滴の水道水をＤＬＣ及びフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物で被覆
されたＳｉウェーハの上に載せた。この試料をフリーザ（２８°Ｆ）に 1時間入
れ、水滴を凍らせた。試料を取出し水滴を取除いた。水滴を取除くために要した
労力を記録した。凍った水滴はフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の表
面から容易に滑り落ちた。対照的に、氷はＤＬＣに対して非常に良く張り付き、
最終的に解氷した。また、フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物で被覆さ
れた試料を水中に浸すことにより、水がフッ素をドープされたダイアモンド様被
覆物から如何に容易に滑り落ちるかが明白に示された。被覆物を水から取り出す
と残水は玉状に付く（高い接触角）。
【０１０４】実施例１０ フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の特性決定 フッ化膜の評価を下記の表５に提示する。被覆物の製造の操行条件は実施例９
で上述される。
【０１０５】
【表５】
【０１０６】 硬度は１０から１２ＧＰa の範囲であり、膜応力は−174 から−45９ＭＰａの
範囲であった。（Ｃ：Ｈ：Ｓｉ：Ｏ）被覆基質へフッ素をドープするとこの被覆
物は低い固有膜応力を示し続けた。比較すると、フッ素をドープされていない被
覆物の硬度は約６から約２１ＧＰａの範囲であり、弾性率は約６０〜２２０ＧＰ
ａであった。この被覆物はある範囲の基体材料、即ち、珪素、テフロン（登録商
標）フッ化炭素重合体、ポリエチレン、チタン、ステンレス鋼、炭素鋼、及びア
ルミニウムによく付着した。低い応力と高い弾性率の組み合わせによりこの性質
が得られた。
【０１０７】 これらの性質は摩擦性能の重要な前兆である。多くの薄膜被覆物は、伸長性又
は圧縮性のいずれかの高い固有応力による負荷の下で応力により誘発される欠損
及び粘着破壊を受け易い。さらに、フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物
は非常に平滑で基体の表面の特徴を再生した。表面の形態は摩擦係数、耐久性、
及び破損機構に極めて重要な役割を果たし、したがって本質的に平滑な膜が望ま
しい。
【０１０８】実施例１１ フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物で被覆された基体のピ ン−オン−ディスク測定 被覆された基体の摩擦性質はピン−オン−ディスク（ＰＯＤ）試験で測定され
た。ＰＯＤは非被覆部分及び他の被覆物に対する性能を基準化するのに非常に有
用である。この試験は、５Ｎの負荷、２２５ＲＰＭで、潤滑なし、及び周囲環境
（３０〜５０％ＲＨ）で操行した。ボールは1/4"−炭化タングステンであった。
珪素上での被覆物の摩擦係数（平均）及び磨耗因子を表６にまとめる。
【０１０９】 珪素（１００）は原子が平滑で、非常に硬く（Ｈ＝１３．３ＧＰａ）、通常使
用されるため、選択された。珪素はアルミニウム（Ｈ＝0.1 から１ＧＰａ）又は
軟鋼（Ｈ＝３から４ＧＰａ）のいずれと比較しても非常に硬い。珪素の表面変形
はこれらの試験で用いられるヘルツ圧力における因子ではなかった。１０Ｎの負
荷をかけてみたが、被覆物は一例を除き3000回転未満で破損した。この被覆物は
１μｍ未満の厚さであったが、１０Ｎの圧力はあまりにも大きかった。５Ｎにお
いては、被覆物は二つの被覆物を除いて破損しなかった。例えば２si0699e の一
つの例では、被覆物の残留応力は最低応力の被覆物より２倍高かった。
【０１１０】
【表６】
【０１１１】 最も低い磨耗因子は、ＤＬＮ（平均で5 ｘ10-8mm3/Nm）と比較しても優れてい
る3.09ｘ10-8mm3/Nmであった。フッ素をドープされた膜の磨耗因子対硬度と硬度
対バイアスの結果を図６及び図７に示す。
【０１１２】実施例１２ フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の構成要素の原子濃度 の測定 フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の試料は実施例９に上述したよう
に製造した。以下の表７に重量％で示すように、これらの試料は下記の原子濃度
をもつことが決定された。
【０１１３】
【表７】
【０１１４】実施例１３ 金属ドーパントをさらに含むフッ素をドープされたダイアモンド様 被覆物の製造 実施例９で上述したようにフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物を製造
した。次いで、チタンとアルミニウムを被覆物にドープすると、電気抵抗率が１
ｅ＋１６から１ｅ−０１オーム−ｃｍまで変化した。正確な原子百分率は測定し
なかった。いくつかのフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の表面エネル
ギーを表８に示す。ガンマｃは臨界表面エネルギーであり、ガンマｄは表面エネ
ルギーの分散成分であり、ガンマｐは表面エネルギーの極性成分である。被覆イ
ンピーダンスは表９に示す。
【０１１５】
【表８】
【０１１６】
【表９】
【０１１７】 環境的安定度 珪素ウェーハ（１”ｘ３”）上に蒸着されたＴｉ−ＤＬＮ被覆物（試料番号：
3si0642 及び3si0641 ）を流動オートクレーブ装置に入れた。この被覆物を１０
０分間２５０°Ｆにさらした。被覆物の剥離は観察されず、被覆物は耐傷性のま
まであった。
【０１１８】実施例１４ フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の表面エネルギーの測 定 実施例９で上述したように調製されたフッ素をドープされたダイアモンド様被
覆物の表面エネルギーを測定した。これを図８に示す。γc は臨界表面エネルギ
ー（１ｍＮ／ｍは１ダイン／ｃｍに等しい）、γd は表面エネルギーの分散成分
であり、γp は表面エネルギーの極性成分であり、γc ＝γd ＋γp である。
【０１１９】実施例１５ フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物を用いる金属−絶縁体 −金属ヘテロ構造の設計のための電気的パラメータの決定 金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）多層の設計が抵抗率及び誘電測定のため本研究
で利用された。ＭＩＭはアルミめっきされたガラスの基体上に製造された。底部
の金属層は連続層で普通の電極として働いた。底部の電極の厚さは0.2 から0.5
μｍの間で磁電管スパッタリングにより蒸着された。Ａｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、
及びＡｕなどの金属が、フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物と安定なオ
ーム接触を形成できるそれらの能力に基づいて使用された。疎水性をもつ絶縁被
覆物として、底部の電極の上に追加ドーパントを含まないフッ素をドープされた
ダイアモンド様被覆物が蒸着された。フッ素をドープされたダイアモンド様被覆
物の層は厚さが0.09から0.52μｍの範囲であった。フッ素をドープされたダイア
モンド様被覆物の層の上部に上部電極として銀のドットを作成した。
【０１２０】 電極ワイアを銀塗料を用いて付着させ、１０から３０分間乾燥させた。フッ素
をドープされたダイアモンド様被覆物の静電容量構造の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）試
験は、6517ケイスリー電位計及びケイスリーモデル8002ａ試験備品（ケイスリー
・インスツルメンツ社、クレーブランド、オハイオ州）を用いて行った。モデル
6517は、外部温度、外部相対湿度、抵抗率、電圧、及び電流の測定を含む多くの
測定能を備えた6 1/2 −ディジット電位計／高抵抗系である。この電位計はフェ
ムトアンペア感度及び内臓された1000Ｖの電源を有する。モデル６５１７は、電
流が平衡に達するようにプログラムされた時間の間テスト電圧がかけられる「バ
イアス−測定」順序を自動的に実行する。次いで、平衡すると所望の電圧で測定
がなされる。試験備品は、表面抵抗及び体積抵抗を測定するために安全装置がつ
けられ、モデル６５１７電位計／高抵抗系の測定能を維持するよう設計される。
モデル８００２ａは１０15オームもの高さの抵抗を測定できる。５Ｖの名目電圧
における電流−電圧測定から、フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の抵
抗率を測定した。フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の破損特性を決定
するため、漏洩電流を、増大する適用電圧の関数としてプロットした。試料８に
ついて、抵抗率測定を８回繰り返し、平均した。表１０では、このプログラムの
下で蒸着されたフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の抵抗率を、対応す
る厚さ及び％抵抗変化と共に列挙した。
【０１２１】
【表１０】
【０１２２】 ほとんどの被覆物は１０10オーム−ｃｍ以上の抵抗率を示した。被覆物の中に
は１０15オーム−ｃｍ範囲の抵抗率を示すものもあった。高抵抗率膜の全てが疎
水性でもあり、水接触角は８５から９４°の間であった。一つの被覆物（操行番
号６５３）だけが１０6 オーム−ｃｍの範囲の抵抗率を示した。この特定の被覆
物は、１０10オーム−ｃｍ範囲の抵抗率とするための試みとして通常と異なる蒸
着条件の下で蒸着した。
【０１２３】 絶縁耐力は上記のように電流−電圧測定から測定した。0.79から3.14ｍｍ2 の
範囲の試料面積に対して測定を行った。データの整合性のために複数回の測定を
試料に対して行った。「バイアス−測定」順序及び交互極性法を測定に用いた。
表１１では、このプログラムの下で蒸着されたフッ素をドープされたダイアモン
ド様被覆物の一部の絶縁耐力を、対応する厚さ及び測定面積と共に列挙する。
【０１２４】
【表１１】
【０１２５】 絶縁耐力を試験した６種の被覆物の中で、４種は１ＭＶ／ｃｍ以上の絶縁耐力
を示した。これらの４種のうち、試料６５５と試料７１１は２．９から４．５Ｍ
Ｖ／ｃｍの範囲の絶縁耐力を示した。しかし、試料６５５は測定領域に対する絶
縁耐力の依存性をも示す。これは、ピンホール又は粒子などの被覆物中の欠陥に
起因し得る。
【０１２６】 厚さ０．１５から０．２１μｍの範囲のフッ素をドープされたダイアモンド様
被覆物では、わずかに広い領域（１０ｍｍ2 ）上で3.8 ＭＶ／ｃｍもの高さの絶
縁耐力及び0.0040もの低い散逸因子が測定された。被覆物の誘電率は、静電容量
の測定で測定されたとき約３．５である。静電容量の測定により、フッ素をドー
プされたダイアモンド様被覆物は−173 ℃から＋１７７℃の温度範囲で1. 5％未
満の変化しか示さず、熱安定性であることも示された。
【０１２７】実施例１６ フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の表面エネルギー／水 接触角の測定 フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物について、表面エネルギー及び水
接触角を評価した。一部の用途には、被覆物は疎水性でなければならない。疎水
性には、フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の表面エネルギーが非常に
低くかつ水接触角が高いことが必要である。水滴に作用する力を等式で表すと、 γs ＝γs1＋γ1 ｃｏｓθ と書くことができる。さらに、表面エネルギー（γ）は二つの成分、即ち極性成
分（γp ）及び分散成分（γd ）要素から構成される。従って、 γ＝γp ＋γd となる。バッファローにあるニューヨーク州立大学で表面エネルギーと接触角の
測定が行われた。
【０１２８】 フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の接触角及び表面エネルギーの値
を表１２に列挙する。得られた表面エネルギー及び水接触角の範囲は20.4から24
.4ダイン／ｃｍ及び８３°から９８°であった。本明細書で報告される水接触角
の全データについての誤差は±１°である。また、水接触角の測定から、接触角
が容易にかつ正確に測定できるため、被覆物の疎水性が卓越していることが示さ
れる。接触角は水滴の周辺で同じであるため、水滴は対称的ビーズとなる。
【０１２９】
【表１２】
【０１３０】 表面エネルギーの極性成分（γp ）は水接触角と密接に関連するようである。
得られた極性成分の範囲は2.7 から6.7 ダイン／ｃｍであった。
【０１３１】実施例１７ 重合体基体とフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物との適合 性の測定 温度の適合性 無処理のカプトン、金属被覆されたカプトン、金属被覆されたアルテム、及び
ライトンの基体の非常に薄い隔膜をフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物
で被覆した。蒸着は低温で実施したので、蒸着中にいずれの基体も損傷を受けな
かった。これは、重合体基体に対するフッ素をドープされたダイアモンド様被覆
物の蒸着工程の温度適合性を証明する。
【０１３２】 接着性 各蒸着操業から得た珪素及びガラスの対照試料に対してＡＳＴＭ接着試験を行
った。金属被覆されたカプトン試料についても一部接着試験を実施した。これら
の試験により接着効果の定性的順位が与えられる。フッ素をドープされたダイア
モンド様被覆物をＡＳＴＭ試験Ｄ3359〜87を用いて接着試験した。接着試験は対
照試料での全蒸着操業で実施した。対照の珪素及びガラスの試料についての接着
試験の結果は、表１３で一覧する。
【０１３３】
【表１３】
【０１３４】実施例１８ フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物のパターニング フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物のエッチングが反応性イオンエッ
チングにより研究された。フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物をエッチ
ングするエッチング化学の一つにはＣＦ4 と酸素の使用が含まれる。低い出力で
は、酸素の付加は取るに足らない効果である。出力レベルが大きくなるほど酸素
付加の効果は大きくなる。１００Ｗの出力レベル（３２Ｗ／ｃｍ2 の妥当な出力
密度）で、最大エッチング速度が約１５ｓｃｃｍの酸素で生じる。酸素付加がな
いと、フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物のエッチング速度は同様な条
件下での二酸化ケイ素のエッチング速度と匹敵する。
【０１３５】 異なる線幅の幾何学が研究された。1.5 ミクロンの線幅により非常にすぐれた
解像が達成され得る。
【０１３６】 純粋な酸素、塩化水素、及びフォトレジストアシュアー（photoresist asher
）におけるフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物のエッチング速度を研究
した。フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物のエッチング速度は全ての場
合で２０オングストローム／分未満である。 1時間のエッチング後でさえ工程が
観察されなかったものもあった。これは、フッ素をドープされたダイアモンド様
被覆物のエッチングが選択的であり、金属及びフォトレジストの除去に使用され
るエッチング化学がフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物に影響しないこ
とを示している。
【０１３７】実施例１９ フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物で被覆された電気外科 用刃 2枚のステンレス鋼の電気外科用刃をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄
し、脱イオン水ですすいで、ごみや他の大きな汚染物を除去した。試料を空気中
で約30分間室温で乾燥させた。この刃を固定ねじを備えたアルミニウムの支持体
に載せた。この支持体を直径30.48 ｃｍ（１２インチ）のステンレス鋼の遊星連
動支持体に固定した。シリコン（100 ）及びガラスクーポンを電気外科用刃支持
体のそばに載せた。これらのクーポンは電気外科用刃と同様な方法で洗浄した。
このクーポンは2.54ｃｍｘ2.54ｃｍであった。応力を測定するため7.62ｃｍｘ2.
54ｃｍのより長い珪素のクーポンを含めた。ステンレス鋼の支持体を１ｍｘ１ｍ
ｘ１ｍのステンレス鋼の真空室に入れた。この真空室はルーツ送風機、機械ポン
プ、及び２個の拡散ポンプで基準圧の5.0 ｘ１０-6ｍバールまで排気した。蒸着
均一性を高めるため、試料を毎分 7回転で回転させた。基体をさらにアルゴング
ロー放電を用いて洗浄した。圧力が2.0 ｘ10-4ｍバールに達するまでアルゴンガ
スを真空室に送った。次に、高電流電源からの75.1アンペアの交流によりタング
ステンフィラメントを加熱した。操行中フィラメントは2100℃以上の温度に達し
た。１５０ボルト（直流）のバイアス電圧をフィラメントと接地した室との間に
かけた。個別の直流電源を使用した。熱イオン電子が生成し、アルゴンプラズマ
放電が生じた。1.04アンペアのプラズマ電流はフィラメントバイアス電源で測定
された。３１５ボルトの高周波バイアスを電気外科用刃にかけた。高周波発生器
は２００ｋＨｚで作動する。前方にかけられた電力は８０ワットで負荷電力は７
８ワットであった。電気外科用刃を15分間スパッタリング−エッチングした。15
分後に、アルゴンガスを止め、フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の蒸
着を開始した。シロキサン蒸気（液体のポリ−３，３，３−トリフルオロプロピ
ルメチルシロキサン又は液体のポリ−３，３，３−トリフルオロプロピルメチル
シロキサン−（50％）ジメチルシロキサン共重合体）を0.04ｓｃｃｍで室に導入
しながら、タングステンフィラメント及びバイアスをそのまま放置した。室圧を
2.7 ｘ10-4ｍバールに維持した。蒸着を90分間行った。試料を室内で30分間冷却
した。1.013 ｍバールの大気圧に達するまで窒素ガスを室に導入することにより
室を換気した。試料及びクーポンを支持体から降ろした。電気外科用刃及びクー
ポンの両方に暗黒色の被覆物が観察された。この電気外科用刃上のフッ素をドー
プされたダイアモンド様被覆物は耐磨耗性であった。鋭利な鋼ナイフを被覆物上
で前後に動かした。この被覆物は剥離しなかった。珪素及びガラスクーポンの両
面上の被覆物の厚さを測定するために表面プロフィロメーター（profilometer）
を用いた。測定された厚さは、珪素クーポンとガラスクーポンの上でそれぞれ1.
367 ミクロンと1.698 ミクロンであった。算出された蒸着速度はシリコンクーポ
ン及びガラスクーポン上でそれぞれ0.911 ミクロン／時及び1.132 ミクロン／時
であった。被覆物のマイクロ硬度及び弾性率はナノアイデンター（nanoidenter
）を用いて珪素クーポンについて測定し、それぞれ12.4ＧＰａ及び104.6 ＧＰａ
であった。7.62ｘ2.54ｃｍの珪素クーポンについての曲率から応力を測定した。
その応力は−636 ＭＰａ（圧縮）であった。
【０１３８】実施例２０ 金属ドーパントをさらに含むフッ素をドープされたダイアモンド様 被覆物で被覆された電気外科用刃 金属ドーパントをさらに含むフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物を電
気外科用刃上に被覆した。好ましい追加金属ドーパントはチタンであった。この
態様において、磁電管共スパッタリングによりチタンをフッ素をドープされたダ
イアモンド様被覆物中に導入した。チタンは、高周波エネルギーを伝導するのに
充分な抵抗率（４２ミクロオーム−ｃｍ）をもつ生体適合性金属である。
【０１３９】 蒸着前に、電気外科用刃を穏和な界面活性剤及びイソプロピルアルコール中で
それぞれ15分間超音波洗浄した。各工程の間に、残留物を取除くため刃を15分間
脱イオン水ですすいだ。この刃を約20分間空気中で乾燥させた。洗浄した刃を基
体テーブルに載せた。蒸着中、基体テーブルにバイアスをかけた。300 〜800 ボ
ルトのＤＣバイアスをかけるために100 〜300 ｋＨｚの高周波発生器を使用した
。
【０１４０】 刃を被覆システムに載せた後、室を１ｘ１０-6トルまで真空排気した。工程の
流れは以下の通りであった。アルゴンを室に導入した。それは主にスパッタリン
グガスとして使用した。アルゴンの流速は通常毎分１６標準立方センチメーター
（sccm）であった。ガスの全圧は１ｘ１０-4から１ｘ１０-2トルまで変化させた
。基体テーブルにバイアスをかけた。次に、チタンのスパッタリングを開始した
。磁電管標的のチタンにバイアスをかけるために、直流（DC) 発生器又はパルス
直流（PDC)発生器の両方を使用した。磁電管の電力は1500ワットであった。数秒
後、熱フィラメント三極管放電を開始した。６０Hz電源（１４ボルトDC及び９０
アンペア）により白熱するまでタングステンフィラメントを加熱した。プラズマ
放電を起こさせるため、１５０ボルトのDCバイアスをフィラメントにかけた。最
初はアルゴンがイオン化した。しかし、フッ化シロキサン前駆体である液体のポ
リ−３，３，３−トリフルオロプロピルメチルシロキサン−（50％）ジメチルシ
ロキサン（eFMS-221、ゲレスト社、ペンシルバニア州）を室に導入した。このフ
ッ化前駆体はイオン化し、体積グロー放電が室に充満した。
【０１４１】 これらの被覆物の典型的なインピーダンスは１００ｋHzで５０から２００オー
ムまで変化した。表面エネルギーは低いままで２５から２９mN/mまで変動した。
最適な切断性能は２５mN/mで達成された。このデータを表１４に示す。
【０１４２】
【表１４】
【０１４３】 前述した工程の他の態様はフィラメントのない放電である。これは中空陰極、
容量結合高周波、電磁結合高周波、又はマイクロ波プラズマ放電を利用する。チ
タンのドーピングは熱蒸発又はｃ−ビーム蒸発により達成され得る。さらに、チ
タンが添加されたシロキサンも利用されうる。
【０１４４】 説明の目的で本発明を詳細に記載したが、このような詳述は前記の目的のため
だけであり、請求の範囲で定義される本発明の精神及び範囲から逸脱することな
く当業者により変形され得ることが理解される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明の金属をドープされた被覆物の電気抵抗率の濃度依存性を示す
概要図である。
【図２】 図２は、本発明の金属をドープされた被覆物の電気抵抗率の温度依存性を示す
概要図である。
【図３】 図３は、被覆物の蒸着のための蒸着室の断面図である。
【図４】 図４は、反射電極を用いる被覆物の蒸着のための蒸着室の断面図である。
【図５】 図５は、蒸着室内に必須のものとして設置されたプラズマ源を用いる好ましい
蒸着室の断面図である。
【図６】 図６は、本発明のフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物についての耐久
因子対硬度のプロットである。
【図７】 図７は、本発明のフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物についての硬度
対バイアスのプロットである。
【図８】 図８は、本発明のフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物についての表面
エネルギーを示すプロットである。
【図９】 図９は、本発明の被覆物を有する剃刀刃の拡大断面図である。
【図１０】 図１０は、本発明の被覆物及び内層を有する剃刀刃の拡大断面図である。
【図１１】 図１１は、頭部に組込まれたフッ素をドープされたダイアモンド様被覆物で被
覆された剃刀刃をもつ剃刀の透視図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ３２Ｂ 7/00 Ｂ３２Ｂ 7/00 9/00 9/00 Ｚ 9/04 9/04 15/04 15/04 Ｚ 17/00 17/00 19/00 19/00 Ｃ３０Ｂ 29/02 Ｃ３０Ｂ 29/02 (31)優先権主張番号 ０９／１３３，９５１ (32)優先日 平成10年８月14日(1998．8．14) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (31)優先権主張番号 ０９／２０４，４４１ (32)優先日 平成10年12月２日(1998．12．2) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ) ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ， ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，Ｄ Ｋ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ， ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，Ｌ Ｖ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ， ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，Ｕ Ｚ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 チャンドラ ヴェンカトラマン アメリカ合衆国、ニューヨーク州 14221、 ウイリアムズヴィル、スプリング メドウ ドライブ 135番地、アパートメント２ (72)発明者 クレイグ エイ．アウテン アメリカ合衆国、ニューヨーク州 14214、 バッファロー、ウッドワード アヴェニュ ー 284番地 (72)発明者 クリストファー ジー．ホルター アメリカ合衆国、ニューヨーク州 14075、 ハンブルグ、キルシュナー パークウエイ 3022番地 (72)発明者 アーヴィンド ゴエル アメリカ合衆国、ペンシルベニア州 19130、フィラデルフィア、ベン フラン クリン ハイウエイ 2200番地、スート エヌ312

Claims (85)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フッ素をドープされた被覆物で被覆された基体を含む物品で
    あって、該被覆物が炭素、珪素、酸素、水素、及びフッ素を含むダイアモンド様
    組成物を含むものである物品。
  2. 【請求項２】 前記基体が可撓性基体である請求項１記載の物品。
  3. 【請求項３】 前記可撓性基体が重合体膜である請求項２記載の物品。
  4. 【請求項４】 前記重合体膜がポリイミド、ポリエステル、ポリテルミド (
    polythermide) 、ポリアミドイミド、及びポリエチレンテレフタレートの膜から
    なる群より選択されるものである請求項３記載の物品。
  5. 【請求項５】 前記フッ素をドープされた被覆物が追加のドーパントをさら
    に含むものである請求項４記載の物品。
  6. 【請求項６】 前記追加ドーパントが周期表のＩｂ〜ＶＩＩｂ族及びＶＩＩ
    Ｉ族の元素からなる群より選択されるものである請求項５記載の物品。
  7. 【請求項７】 前記追加ドーパントがＢ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｏ、Ｍｏ、Ｗ
    、Ｔａ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、
    Ｚｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎ、Ａｇ、及びＡｕからなる群より選択
    されるものである請求項６記載の物品。
  8. 【請求項８】 前記追加ドーパントがチタンである請求項７記載の物品。
  9. 【請求項９】 前記フッ素をドープされた被覆物が約0.005 マイクロメータ
    ーから約10マイクロメーターの厚さを有するものである請求項２記載の物品。
  10. 【請求項１０】 前記炭素、水素、珪素、酸素、及びフッ素が約１から約10
    個の珪素原子をもつオルガノシロキサンの分解から得られるものである請求項２
    記載の物品。
  11. 【請求項１１】 前記オルガノシロキサンがポリトリフルオロプロピルメチ
    ルシロキサンである請求項１０記載の物品。
  12. 【請求項１２】 前記オルガノシロキサンがポリ−３，３，３−トリフルオ
    ロプロピルメチルシロキサン−（50％）ジメチルシロキサン共重合体である請求
    項１０記載の物品。
  13. 【請求項１３】 前記フッ素をドープされた被覆物の炭素含量が約４０重量
    ％から約９８重量％である請求項２記載の物品。
  14. 【請求項１４】 前記フッ素をドープされた被覆物の炭素対珪素の重量比が
    約４：１から約９：１である請求項２記載の物品。
  15. 【請求項１５】 前記フッ素をドープされた被覆物の珪素対酸素の重量比が
    約0.6 ：1 から約1.7 ：1 である請求項２記載の物品。
  16. 【請求項１６】 前記フッ素をドープされた被覆物の炭素含量がフッ素をド
    ープされた被覆物の少なくとも４０原子％であり、水素含量が炭素の約４０原子
    ％以下であり、珪素、酸素、及びドーパントの合計が被覆物の約２原子％より大
    である請求項２記載の物品。
  17. 【請求項１７】 前記フッ素をドープされた被覆物が約１MV/cm から約４MV
    /cm の絶縁耐力を有するものである請求項２記載の物品。
  18. 【請求項１８】 前記フッ素をドープされた被覆物が約１０14オーム−cmか
    ら約１０-2オーム−cmの抵抗率を有するものである請求項２記載の物品。
  19. 【請求項１９】 前記フッ素をドープされた被覆物が約19.5ダイン／cmから
    約26ダイン／cmの表面エネルギーを有するものである請求項２記載の物品。
  20. 【請求項２０】 前記フッ素をドープされた被覆物が約８０°から約１０１
    °の水接触角を有するものである請求項２記載の物品。
  21. 【請求項２１】 前記基体が精密に刃付けされた基体である請求項１記載の
    物品。
  22. 【請求項２２】 前記精密に刃付けされた基体が金属を含むものである請求
    項２１記載の物品。
  23. 【請求項２３】 前記精密に刃付けされた基体が非金属を含むものである請
    求項２１記載の物品。
  24. 【請求項２４】 前記基体が工業用具、外科用器具、ナイフ、及び剃刀から
    なる群より選択されるものである請求項２１記載の物品。
  25. 【請求項２５】 前記基体が剃刀の刃である請求項２４記載の物品。
  26. 【請求項２６】 前記フッ素をドープされた被覆物が追加のドーパントをさ
    らに含むものである請求項２１記載の物品。
  27. 【請求項２７】 前記追加ドーパントが周期表のＩｂ〜ＶＩＩｂ族及びＶＩ
    ＩＩ族の元素からなる群より選択されるものである請求項２６記載の物品。
  28. 【請求項２８】 前記追加ドーパントがＢ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｏ、Ｍｏ、
    Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ
    、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎ、Ａｇ、及びＡｕからなる群より選
    択されるものである請求項２７記載の物品。
  29. 【請求項２９】 前記フッ素をドープされた被覆物が約５ｎｍから約１２マ
    イクロメーターの厚さまで基体上に蒸着されるものである請求項２１記載の物品
    。
  30. 【請求項３０】 前記被覆物が約５ｎｍから約１５０ｎｍの厚さまで基体上
    に蒸着されるものである請求項２１記載の物品。
  31. 【請求項３１】 前記フッ素をドープされた被覆物が中間層なしで直接基体
    中に蒸着されるものである請求項２１記載の物品。
  32. 【請求項３２】 前記炭素、水素、珪素、酸素、及びフッ素が約１から約
    10個の珪素原子をもつオルガノシロキサンの分解から得られるものである請求項
    ２１記載の物品。
  33. 【請求項３３】 前記オルガノシロキサンがポリトリフルオロプロピルメチ
    ルシロキサンである請求項３２記載の物品。
  34. 【請求項３４】 前記オルガノシロキサンがポリ−３，３，３−トリフルオ
    ロプロピルメチルシロキサン−（50％）ジメチルシロキサン共重合体である請求
    項３２記載の物品。
  35. 【請求項３５】 前記フッ素をドープされた被覆物の炭素含量が約４０重量
    ％から約９８重量％である請求項２１記載の物品。
  36. 【請求項３６】 前記フッ素をドープされた被覆物の炭素対珪素の重量比が
    約２：１から約８：１である請求項２１記載の物品。
  37. 【請求項３７】 前記フッ素をドープされた被覆物の珪素対酸素の重量比が
    約0.5 ：1 から約３：1 である請求項２１記載の物品。
  38. 【請求項３８】 前記フッ素をドープされた被覆物の炭素含量がフッ素をド
    ープされた被覆物の少なくとも４０原子％であり、水素含量が炭素の約４０原子
    ％以下であり、珪素、酸素、及びドーパントの合計が被覆物の約２原子％より大
    である請求項２１記載の物品。
  39. 【請求項３９】 前記フッ素をドープされた被覆物が約１０14オーム−cmか
    ら約１０-2オーム−cmの抵抗率を有するものである請求項２１記載の物品。
  40. 【請求項４０】 前記フッ素をドープされた被覆物が約19.5ダイン／cmから
    約26ダイン／cmの表面エネルギーを有するものである請求項２１記載の物品。
  41. 【請求項４１】 前記フッ素をドープされた被覆物が約８０°から約１０１
    °の水接触角を有するものである請求項２１記載の物品。
  42. 【請求項４２】 前記基体が電気外科用器具である請求項１記載の物品。
  43. 【請求項４３】 前記電気外科用器具が電気外科用刃、二極鉗子、腹腔鏡器
    具、歯科用ブラケット、及び生物医学装置からなる群より選択されるものである
    請求項４２記載の物品。
  44. 【請求項４４】 前記電気外科用器具が精密に刃付けされた基体である請求
    項４２記載の物品。
  45. 【請求項４５】 フッ素をドープされた被覆物が追加ドーパントをさらに含
    むものである請求項４２記載の物品。
  46. 【請求項４６】 前記追加ドーパントが周期表のＩｂ〜ＶＩＩｂ族及びＶＩ
    ＩＩ族の元素からなる群より選択されるものである請求項４５記載の物品。
  47. 【請求項４７】 前記追加ドーパントがＢ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ
    、Ｏ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｍｎ
    、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎ、Ａｇ、Ａｕ、ＴｉＮ
    ，ＢＮ、ＡｌＮ、ＺｒＮ、及びＣｒＮからなる群より選択されるものである請求
    項４６記載の物品。
  48. 【請求項４８】 前記フッ素をドープされた被覆物が約0.5 μｍから約５μ
    ｍの厚さまで蒸着されるものである請求項４２記載の物品。
  49. 【請求項４９】 前記フッ素をドープされた被覆物が約２μｍから約３μｍ
    の厚さまで蒸着されるものである請求項４２記載の物品。
  50. 【請求項５０】 前記炭素、水素、珪素、及び酸素が約１から約10個の珪素
    原子をもつオルガノシロキサンの分解から得られるものである請求項４２記載の
    物品。
  51. 【請求項５１】 前記オルガノシロキサンがポリトリフルオロプロピルメチ
    ルシロキサンである請求項５０記載の物品。
  52. 【請求項５２】 前記オルガノシロキサンがポリ−３，３，３−トリフルオ
    ロプロピルメチルシロキサン−（50％）ジメチルシロキサン共重合体である請求
    項５０記載の物品。
  53. 【請求項５３】 前記フッ素をドープされた被覆物の炭素含量が約４０重量
    ％から約９８重量％である請求項４２記載の物品。
  54. 【請求項５４】 前記フッ素をドープされた被覆物の炭素対珪素の重量比が
    約２：１から約８：１である請求項４２記載の物品。
  55. 【請求項５５】 前記フッ素をドープされた被覆物の珪素対酸素の重量比が
    約0.5 ：1 から約３：1 である請求項４２記載の物品。
  56. 【請求項５６】 前記フッ素をドープされた被覆物の炭素含量がフッ素をド
    ープされた被覆物の少なくとも４０原子％であり、水素含量が炭素の約４０原子
    ％以下であり、珪素、酸素、及びドーパントの合計が被覆物の約２原子％より大
    である請求項４２記載の物品。
  57. 【請求項５７】 前記物品が約１オームから約1000オームのインピーダンス
    を有するものである請求項４２記載の物品。
  58. 【請求項５８】 前記フッ素をドープされた被覆物が約１０-2オーム−cmか
    ら約１０15オーム−cmの抵抗率を有するものである請求項４２記載の物品。
  59. 【請求項５９】 前記フッ素をドープされた被覆物が約19ダイン／cmから約
    29ダイン／cmの表面エネルギーを有するものである請求項４２記載の物品。
  60. 【請求項６０】 前記フッ素をドープされた被覆物が約８０°から約１０１
    °の水接触角を有するものである請求項４２記載の物品。
  61. 【請求項６１】 フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物で被覆された
    基体を製造する方法であって、 真空被覆室に該基体を置く工程、及び 炭素、珪素、酸素、水素、及びフッ素のイオン、原子、又はラジカルから
    構成される固まりのない粒子ビームであって、各粒子種の平均自由行路がその粒
    子源と基体の成長する粒子被覆表面との距離を超えるものである粒子ビームの共
    蒸着により該基体の上に炭素、珪素、酸素、水素、及びフッ素を含むダイアモン
    ド様組成物を蒸着させる工程、 を含む方法。
  62. 【請求項６２】 前記基体が可撓性基体である請求項６１記載の方法。
  63. 【請求項６３】 前記被覆物を約0.005 メイクロメーターから約10マイクロ
    メーターの厚さまで可撓性基体上に蒸着する工程をさらに含む請求項６２記載の
    方法。
  64. 【請求項６４】 前記基体が精密に刃付けされた基体である請求項６１記載
    の方法。
  65. 【請求項６５】 前記フッ素をドープされた被覆物が約５ｎｍから約１２マ
    イクロメーターの厚さまで精密に刃付けされた基体上に蒸着されるものである請
    求項６４記載の方法。
  66. 【請求項６６】 前記フッ素をドープされた被覆物が約５ｎｍから約１５０
    ｎｍの厚さまで精密に刃付けされた基体上に蒸着されるものである請求項６４記
    載の方法。
  67. 【請求項６７】 前記基体が電気外科用器具である請求項６１記載の方法。
  68. 【請求項６８】 前記フッ素をドープされた被覆物中に追加ドーパントを共
    蒸着させる工程をさらに含む請求項６１記載の方法。
  69. 【請求項６９】 前記追加ドーパントが周期表のＩｂ〜ＶＩＩｂ族及びＶＩ
    ＩＩ族の元素からなる群より選択されるものである請求項６８記載の方法。
  70. 【請求項７０】 前記ドーパントがＢ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｏ
    、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎ
    ｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎ、Ａｇ、Ａｕ、ＴｉＮ、Ｂ
    Ｎ、ＡｌＮ、ＺｒＮ、及びＣｒＮからなる群より選択されるものである請求項６
    ９記載の方法。
  71. 【請求項７１】 前記炭素、水素、珪素、及び酸素が約１から約10個の珪素
    原子をもつオルガノシロキサンの分解から得られるものである請求項６１記載の
    方法。
  72. 【請求項７２】 前記オルガノシロキサンがポリトリフルオロプロピルメチ
    ルシロキサンである請求項７１記載の方法。
  73. 【請求項７３】 前記オルガノシロキサンがポリ−３，３，３−トリフルオ
    ロプロピルメチルシロキサン−（50％）ジメチルシロキサン共重合体である請求
    項７１記載の方法。
  74. 【請求項７４】 前記被覆物の炭素含量が約４０重量％から約９８重量％で
    ある請求項６１記載の方法。
  75. 【請求項７５】 前記被覆物の炭素対珪素の重量比が約２：１から約８：１
    である請求項６１記載の方法。
  76. 【請求項７６】 前記フッ素をドープされた被覆物の炭素対珪素の重量比が
    約４：1 から約９：1 である請求項６１記載の方法。
  77. 【請求項７７】 前記被覆物の珪素対酸素の重量比が約0.5 ：1 から約３：
    1 である請求項６１記載の方法。
  78. 【請求項７８】 前記フッ素をドープされた被覆物の珪素対酸素の重量比が
    約0.6 ：1 から約1.7 ：1 である請求項６１記載の物品。
  79. 【請求項７９】 前記ダイアモンド様固体物質の炭素含量がフッ素をドープ
    されたダイアモンド様被覆物の約４０原子％より大であり、水素含量が炭素の約
    ４０原子％以下であり、珪素、酸素、及びドーパントの合計がフッ素をドープさ
    れたダイアモンド様被覆物の約２原子％より大である請求項６１記載の方法。
  80. 【請求項８０】 前記フッ素をドープされた被覆物が約１MV/cm から約４MV
    /cm の絶縁耐力を有するものである請求項６１記載の方法。
  81. 【請求項８１】 前記フッ素をドープされた被覆物が約１０14オーム−cmか
    ら約１０-2オーム−cmの抵抗率を有するものである請求項６１記載の方法。
  82. 【請求項８２】 前記フッ素をドープされた被覆物が約19.5ダイン／cmから
    約26ダイン／cmの表面エネルギーを有するものである請求項６１記載の方法。
  83. 【請求項８３】 前記フッ素をドープされた被覆物が約８０°から約１０１
    °の水接触角を有するものである請求項６１記載の方法。
  84. 【請求項８４】 抵抗器を形成するのに効果的な条件下で蒸着された、フッ
    素をドープされたダイアモンド様被覆物をパターニングする工程をさらに含む請
    求項６８記載の方法。
  85. 【請求項８５】 フッ素をドープされたダイアモンド様被覆物の下に底部金
    属電極を蒸着する工程、 上部金属電極を蒸着する工程、及び キャパシターを形成するのに効果的な条件下で蒸着された上部の金属電極
    をパターニングする工程、 をさらに含む請求項６１記載の方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006519679A (ja) * 2003-03-04 2006-08-31 ザ ジレット カンパニー かみそりの刃
JP2012514503A (ja) * 2009-01-12 2012-06-28 ザ ジレット カンパニー 等方圧加圧を使用する、刃先上の薄く均一なコーティングの形成
JP2012528735A (ja) * 2009-06-02 2012-11-15 サンーゴバン アブレイシブズ，インコーポレイティド 耐腐食性ｃｍｐコンディショニング工具並びにその作製および使用法
JP2013151587A (ja) * 2012-01-24 2013-08-08 Toyota Gakuen 成膜法及びその成膜法により得られる刃物材料
JP2013176761A (ja) * 2005-11-30 2013-09-09 Boeing Co:The 旅客機の窓用の耐久性のある透明コーティング

Families Citing this family (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6334960B1 (en) * 1999-03-11 2002-01-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Step and flash imprint lithography
JP3555844B2 (ja) 1999-04-09 2004-08-18 三宅 正二郎 摺動部材およびその製造方法
WO2000079020A1 (fr) * 1999-06-18 2000-12-28 Nissin Electric Co., Ltd. Film de carbone, procede de formation associe, article recouvert de ce film, et procede de preparation de cet article
US6589239B2 (en) * 2000-02-01 2003-07-08 Ashok C. Khandkar Electrosurgical knife
US6684513B1 (en) * 2000-02-29 2004-02-03 The Gillette Company Razor blade technology
US6749813B1 (en) 2000-03-05 2004-06-15 3M Innovative Properties Company Fluid handling devices with diamond-like films
US6795636B1 (en) 2000-03-05 2004-09-21 3M Innovative Properties Company Radiation-transmissive films on glass articles
US6696157B1 (en) * 2000-03-05 2004-02-24 3M Innovative Properties Company Diamond-like glass thin films
US6669996B2 (en) * 2000-07-06 2003-12-30 University Of Louisville Method of synthesizing metal doped diamond-like carbon films
US6764757B1 (en) * 2000-07-10 2004-07-20 Seagate Technology Llc Recording medium with a lubricating layer having increased thermal stability
JP2002338388A (ja) * 2001-02-15 2002-11-27 Ngk Insulators Ltd ダイヤモンドコート部材
US7156859B2 (en) 2001-07-23 2007-01-02 Fos Holding S.A. Device for separating the epithelium layer from the surface of the cornea of an eye
US7106939B2 (en) 2001-09-19 2006-09-12 3M Innovative Properties Company Optical and optoelectronic articles
US20030109865A1 (en) * 2001-12-12 2003-06-12 Megadyne Medical Products, Inc. Utilization of a multi-character material in a surface coating of an electrosurgical instrument
US6878419B2 (en) * 2001-12-14 2005-04-12 3M Innovative Properties Co. Plasma treatment of porous materials
US6818570B2 (en) 2002-03-04 2004-11-16 Asm Japan K.K. Method of forming silicon-containing insulation film having low dielectric constant and high mechanical strength
US6835045B1 (en) * 2002-05-10 2004-12-28 Brent W. Barbee Rotor blade protector
US7307343B2 (en) * 2002-05-30 2007-12-11 Air Products And Chemicals, Inc. Low dielectric materials and methods for making same
US8349241B2 (en) 2002-10-04 2013-01-08 Molecular Imprints, Inc. Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability
US7080545B2 (en) * 2002-10-17 2006-07-25 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and process for sensing fluoro species in semiconductor processing systems
US7296458B2 (en) * 2002-10-17 2007-11-20 Advanced Technology Materials, Inc Nickel-coated free-standing silicon carbide structure for sensing fluoro or halogen species in semiconductor processing systems, and processes of making and using same
US20040163445A1 (en) * 2002-10-17 2004-08-26 Dimeo Frank Apparatus and process for sensing fluoro species in semiconductor processing systems
US7228724B2 (en) * 2002-10-17 2007-06-12 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and process for sensing target gas species in semiconductor processing systems
US6969198B2 (en) 2002-11-06 2005-11-29 Nissan Motor Co., Ltd. Low-friction sliding mechanism
US7365103B2 (en) * 2002-12-12 2008-04-29 Board Of Regents, The University Of Texas System Compositions for dark-field polymerization and method of using the same for imprint lithography processes
US20040112862A1 (en) * 2002-12-12 2004-06-17 Molecular Imprints, Inc. Planarization composition and method of patterning a substrate using the same
US20060108710A1 (en) * 2004-11-24 2006-05-25 Molecular Imprints, Inc. Method to reduce adhesion between a conformable region and a mold
US20050160934A1 (en) * 2004-01-23 2005-07-28 Molecular Imprints, Inc. Materials and methods for imprint lithography
US7307118B2 (en) * 2004-11-24 2007-12-11 Molecular Imprints, Inc. Composition to reduce adhesion between a conformable region and a mold
JP4863152B2 (ja) 2003-07-31 2012-01-25 日産自動車株式会社 歯車
KR101003865B1 (ko) 2003-08-06 2010-12-30 닛산 지도우샤 가부시키가이샤 저마찰 접동 기구, 저마찰제 조성물 및 마찰 감소 방법
JP4973971B2 (ja) 2003-08-08 2012-07-11 日産自動車株式会社 摺動部材
US7771821B2 (en) 2003-08-21 2010-08-10 Nissan Motor Co., Ltd. Low-friction sliding member and low-friction sliding mechanism using same
EP1508611B1 (en) 2003-08-22 2019-04-17 Nissan Motor Co., Ltd. Transmission comprising low-friction sliding members and transmission oil therefor
US7122482B2 (en) * 2003-10-27 2006-10-17 Molecular Imprints, Inc. Methods for fabricating patterned features utilizing imprint lithography
JP2007519905A (ja) * 2004-01-16 2007-07-19 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 半導体処理システム内の対象ガス種を検知するための装置及び方法
US8076386B2 (en) 2004-02-23 2011-12-13 Molecular Imprints, Inc. Materials for imprint lithography
US7906180B2 (en) 2004-02-27 2011-03-15 Molecular Imprints, Inc. Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material
CN1938224B (zh) * 2004-03-30 2011-03-30 东洋先进机床有限公司 基材表面处理方法及处理了表面的基材、医疗材料和器具
ES2380699T3 (es) * 2004-06-08 2012-05-17 Dichroic Cell S.R.L. Sistema para la deposición química en fase de vapor asistida por plasma de baja energía
US7939131B2 (en) 2004-08-16 2011-05-10 Molecular Imprints, Inc. Method to provide a layer with uniform etch characteristics
US7282550B2 (en) * 2004-08-16 2007-10-16 Molecular Imprints, Inc. Composition to provide a layer with uniform etch characteristics
US20060062922A1 (en) 2004-09-23 2006-03-23 Molecular Imprints, Inc. Polymerization technique to attenuate oxygen inhibition of solidification of liquids and composition therefor
US20060081557A1 (en) * 2004-10-18 2006-04-20 Molecular Imprints, Inc. Low-k dielectric functional imprinting materials
DE102004052068B4 (de) * 2004-10-26 2008-04-03 GFD-Gesellschaft für Diamantprodukte mbH Schneidwerkzeug und dessen Verwendung
US7292326B2 (en) 2004-11-30 2007-11-06 Molecular Imprints, Inc. Interferometric analysis for the manufacture of nano-scale devices
US20060211253A1 (en) * 2005-03-16 2006-09-21 Ing-Shin Chen Method and apparatus for monitoring plasma conditions in an etching plasma processing facility
US8814861B2 (en) 2005-05-12 2014-08-26 Innovatech, Llc Electrosurgical electrode and method of manufacturing same
US7147634B2 (en) 2005-05-12 2006-12-12 Orion Industries, Ltd. Electrosurgical electrode and method of manufacturing same
FR2888149B1 (fr) * 2005-07-05 2008-12-26 Stephanois Rech Mec Ensemble de coupe pour rasoir electrique
US7759407B2 (en) 2005-07-22 2010-07-20 Molecular Imprints, Inc. Composition for adhering materials together
US8808808B2 (en) 2005-07-22 2014-08-19 Molecular Imprints, Inc. Method for imprint lithography utilizing an adhesion primer layer
US8557351B2 (en) * 2005-07-22 2013-10-15 Molecular Imprints, Inc. Method for adhering materials together
SE529375C2 (sv) * 2005-07-22 2007-07-24 Sandvik Intellectual Property Anordning för förbättrad plasmaaktivitet i PVD-reaktorer
US8142703B2 (en) * 2005-10-05 2012-03-27 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography method
US7569053B2 (en) * 2006-03-03 2009-08-04 Intact Medical Corporation Apparatus for retrieving a tissue volume with improved positioning precursor assembly
US7448135B2 (en) * 2006-03-29 2008-11-11 The Gillette Company Multi-blade razors
US20070227008A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-04 Andrew Zhuk Razors
US7882640B2 (en) * 2006-03-29 2011-02-08 The Gillette Company Razor blades and razors
US8499462B2 (en) 2006-04-10 2013-08-06 The Gillette Company Cutting members for shaving razors
US8011104B2 (en) 2006-04-10 2011-09-06 The Gillette Company Cutting members for shaving razors
US20070254170A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Hoover Kelly L Erosion resistant anti-icing coatings
JP5176337B2 (ja) * 2006-05-12 2013-04-03 株式会社デンソー 皮膜構造及びその形成方法
US9196270B1 (en) 2006-12-07 2015-11-24 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a magnetoresistive element having small critical dimensions
US7878054B2 (en) * 2007-02-28 2011-02-01 The Boeing Company Barrier coatings for polymeric substrates
WO2008123957A2 (en) 2007-04-04 2008-10-16 Aculon, Inc. Coated cutting tool
GB2451060B (en) * 2007-07-11 2013-01-09 Diameter Ltd Dual coatings applied to medical devices
BRPI0814936A2 (pt) * 2007-08-23 2015-02-03 Saint Gobain Abrasives Inc Concepção otimizada de condidionador de cmp para cmp óxido/metal da próxima geração
US8316527B2 (en) * 2008-04-01 2012-11-27 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing at least one magnetoresistive device
US20090263668A1 (en) * 2008-04-21 2009-10-22 3M Innovative Properties Company Durable coating of an oligomer and methods of applying
US8349195B1 (en) 2008-06-27 2013-01-08 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a magnetoresistive structure using undercut free mask
KR20100005614A (ko) * 2008-07-07 2010-01-15 황이삭 이발기날 어셈블리
US9248579B2 (en) * 2008-07-16 2016-02-02 The Gillette Company Razors and razor cartridges
JP5244495B2 (ja) * 2008-08-06 2013-07-24 三菱重工業株式会社 回転機械用の部品
US20100109195A1 (en) 2008-11-05 2010-05-06 Molecular Imprints, Inc. Release agent partition control in imprint lithography
WO2010110834A1 (en) 2009-03-24 2010-09-30 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Abrasive tool for use as a chemical mechanical planarization pad conditioner
US20120141800A1 (en) * 2009-06-09 2012-06-07 The Swatch Group Research And Development Ltd. Method for coating micromechanical components of a micromechanical system, in particular a watch and related micromechanical coated component
JP5667176B2 (ja) * 2009-06-18 2015-02-12 スルザー メタプラス ゲーエムベーハー 保護コーティング、保護コーティングを有するコーティング部材、並びに保護コーティングを製造するための方法
US9327416B2 (en) 2009-07-17 2016-05-03 The Gillette Company Atomic layer deposition coatings on razor components
WO2011028700A2 (en) 2009-09-01 2011-03-10 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Chemical mechanical polishing conditioner
DE102010002687C5 (de) * 2010-03-09 2015-09-10 Federal-Mogul Burscheid Gmbh Verfahren zur Beschichtung zumindest der Innenfläche eines Kolbenrings sowie Kolbenring
TWI432595B (zh) 2010-04-30 2014-04-01 Winsky Technology Ltd 基板塗層及其形成方法
US20110294916A1 (en) * 2010-05-26 2011-12-01 3M Innovative Properties Company Hydrophilic marking film having plasma chemical vapor deposition treated protective layer
JP5966564B2 (ja) * 2011-06-08 2016-08-10 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライビングホイール及びスクライブ方法
US20130031794A1 (en) 2011-08-05 2013-02-07 Duff Jr Ronald Richard RAZOR BLADES WITH ALUMINUM MAGNESIUM BORIDE (AlMgB14)-BASED COATINGS
US8911868B2 (en) 2011-08-17 2014-12-16 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. Coating based on diamond-like carbon
US20130104461A1 (en) * 2011-09-16 2013-05-02 Carbodeon Ltd Oy Coating material, coating and coated object
US8852959B2 (en) * 2011-12-19 2014-10-07 Northrup Grumman Systems Corporation Low temperature resistor for superconductor circuits
CN103374697B (zh) * 2012-04-20 2017-09-29 深圳富泰宏精密工业有限公司 类金刚石膜层的表面处理方法及制品
SI24182B (sl) 2012-09-21 2017-05-31 UNIVERZA V LJUBLJANI Fakulteta za stojništvo Batni obroč, s tovrstnim obročem opremljen bat ter vsaj en tovrsten bat obsegajoč batni stroj
US9670304B2 (en) * 2012-11-05 2017-06-06 Liang Wang Composite for preventing ice adhesion
US8889225B2 (en) 2012-12-21 2014-11-18 The Gillette Company Chemical vapor deposition of fluorocarbon polymers
DE102013207989A1 (de) * 2013-04-30 2014-10-30 Schunk Kohlenstofftechnik Gmbh Verfahren zur Beschichtung von Artikeln
DE102013207988A1 (de) * 2013-04-30 2014-10-30 Schunk Kohlenstofftechnik Gmbh Verfahren zur Beschichtung von Laborwerkzeugen
WO2015123367A1 (en) * 2014-02-11 2015-08-20 The Mackinac Technology Company Fluorinated and hydrogenated diamond-like carbon materials for anti-reflective coatings
CN111941475B (zh) * 2014-12-22 2022-05-24 比克-维尔莱克 剃须刀片
US11230025B2 (en) * 2015-11-13 2022-01-25 The Gillette Company Llc Razor blade
US11654588B2 (en) 2016-08-15 2023-05-23 The Gillette Company Llc Razor blades
CN108307581A (zh) * 2017-01-12 2018-07-20 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 具有嵌入式部件承载件的电子设备
US11432869B2 (en) * 2017-09-22 2022-09-06 Covidien Lp Method for coating electrosurgical tissue sealing device with non-stick coating
DE102019200681B4 (de) * 2019-01-21 2022-09-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Schneidwerkzeug mit amorphem Kohlenstoff und Multilagenbeschichtung und Verfahren zu dessen Herstellung
KR102211395B1 (ko) * 2019-05-22 2021-02-03 주식회사 도루코 면도날 및 면도날 제조방법

Family Cites Families (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4191735A (en) 1973-06-07 1980-03-04 National Research Development Corporation Growth of synthetic diamonds
CA1232228A (en) * 1984-03-13 1988-02-02 Tatsuro Miyasato Coating film and method and apparatus for producing the same
AT386558B (de) 1984-03-30 1988-09-12 De Beers Ind Diamond Verwendung eines schleifwerkzeuges
DE3585226D1 (de) 1984-08-24 1992-02-27 Univ Australian Diamantaggregate und deren herstellung.
US4985051A (en) 1984-08-24 1991-01-15 The Australian National University Diamond compacts
US4783361A (en) * 1984-09-10 1988-11-08 Ovonic Synthetic Materials Company, Inc. Coated lenses
US4877677A (en) 1985-02-19 1989-10-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Wear-protected device
EP0221531A3 (en) 1985-11-06 1992-02-19 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha High heat conductive insulated substrate and method of manufacturing the same
US4933058A (en) 1986-01-23 1990-06-12 The Gillette Company Formation of hard coatings on cutting edges
US4897829A (en) 1986-11-20 1990-01-30 Canon Kabushiki Kaisha Cardlike optical recording medium
JPS63210099A (ja) 1987-02-26 1988-08-31 Nissin Electric Co Ltd ダイヤモンド膜の作製方法
DE3706340A1 (de) 1987-02-27 1988-09-08 Winter & Sohn Ernst Verfahren zum auftragen einer verschleissschutzschicht und danach hergestelltes erzeugnis
DE3710272C1 (de) 1987-03-28 1988-07-28 Bergwerksverband Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Kohlenstoff-Katalysators fuer die NOx-Reduktion mit Ammoniak und seine Verwendung
US5040501A (en) 1987-03-31 1991-08-20 Lemelson Jerome H Valves and valve components
US4960643A (en) 1987-03-31 1990-10-02 Lemelson Jerome H Composite synthetic materials
US4822466A (en) 1987-06-25 1989-04-18 University Of Houston - University Park Chemically bonded diamond films and method for producing same
US4816291A (en) 1987-08-19 1989-03-28 The Regents Of The University Of California Process for making diamond, doped diamond, diamond-cubic boron nitride composite films
US5256483A (en) 1988-02-05 1993-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing method and apparatus
US4925701A (en) 1988-05-27 1990-05-15 Xerox Corporation Processes for the preparation of polycrystalline diamond films
AU625072B2 (en) * 1988-07-13 1992-07-02 Warner-Lambert Company Shaving razors
GB8821944D0 (en) 1988-09-19 1988-10-19 Gillette Co Method & apparatus for forming surface of workpiece
US5002899A (en) 1988-09-30 1991-03-26 Massachusetts Institute Of Technology Electrical contacts on diamond
US5055318A (en) 1988-10-11 1991-10-08 Beamalloy Corporation Dual ion beam ballistic alloying process
US4992298A (en) 1988-10-11 1991-02-12 Beamalloy Corporation Dual ion beam ballistic alloying process
CA2000805C (en) 1988-10-17 1994-01-18 Kiyoshi Sudani Carbon/metal composite
DE68916207T3 (de) 1988-12-21 1999-11-25 Mitsubishi Materials Corp Diamantbeschichtetes Werkzeug, Substrate dafür und Verfahren zu dessen Herstellung.
US5171732A (en) 1988-12-23 1992-12-15 Troy Investments, Inc. Method of making a josephson junction
EP0588449B1 (en) 1988-12-27 1997-08-06 Canon Kabushiki Kaisha Electric field light-emitting device
US5142390A (en) 1989-02-23 1992-08-25 Ricoh Company, Ltd. MIM element with a doped hard carbon film
JPH0620464B2 (ja) 1989-04-03 1994-03-23 信越化学工業株式会社 医療用切開、圧入器具およびその製造方法
US5101288A (en) 1989-04-06 1992-03-31 Ricoh Company, Ltd. LCD having obliquely split or interdigitated pixels connected to MIM elements having a diamond-like insulator
JPH07105035B2 (ja) 1989-04-06 1995-11-13 松下電器産業株式会社 磁気記録媒体およびその製造方法
US5087434A (en) 1989-04-21 1992-02-11 The Pennsylvania Research Corporation Synthesis of diamond powders in the gas phase
US5266409A (en) * 1989-04-28 1993-11-30 Digital Equipment Corporation Hydrogenated carbon compositions
JP2799875B2 (ja) 1989-05-20 1998-09-21 株式会社リコー 液晶表示装置
US4961958A (en) 1989-06-30 1990-10-09 The Regents Of The Univ. Of Calif. Process for making diamond, and doped diamond films at low temperature
US5206083A (en) 1989-09-18 1993-04-27 Cornell Research Foundation, Inc. Diamond and diamond-like films and coatings prepared by deposition on substrate that contain a dispersion of diamond particles
US5183602A (en) 1989-09-18 1993-02-02 Cornell Research Foundation, Inc. Infra red diamond composites
US5169579A (en) 1989-12-04 1992-12-08 Board Of Regents, The University Of Texas System Catalyst and plasma assisted nucleation and renucleation of gas phase selective laser deposition
AU631037B2 (en) 1989-12-28 1992-11-12 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Hard and lubricant thin film of amorphous carbon-hydrogen-silicon, iron base metallic material coated therewith, and the process for producing the same
US5110577A (en) 1990-01-12 1992-05-05 Ford Motor Company Process of depositing a carbon film having metallic properties
US5243199A (en) 1990-01-19 1993-09-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. High frequency device
JPH03278463A (ja) 1990-03-27 1991-12-10 Canon Inc ショットキーダイオードの形成方法
US5094915A (en) 1990-05-16 1992-03-10 The Ohio State University Laser-excited synthesis of carbon films from carbon monoxide-containing gas mixtures
US5100424A (en) 1990-05-21 1992-03-31 Cardiovascular Imaging Systems, Inc. Intravascular catheter having combined imaging abrasion head
US5077103A (en) 1990-06-25 1991-12-31 Rockwell International Corporation Refractory solid-state heat pipes and heat shields
US5202571A (en) 1990-07-06 1993-04-13 Canon Kabushiki Kaisha Electron emitting device with diamond
US5174983A (en) 1990-09-24 1992-12-29 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Flame or plasma synthesis of diamond under turbulent and transition flow conditions
US5135808A (en) 1990-09-27 1992-08-04 Diamonex, Incorporated Abrasion wear resistant coated substrate product
US5190807A (en) 1990-10-18 1993-03-02 Diamonex, Incorporated Abrasion wear resistant polymeric substrate product
JP2929779B2 (ja) * 1991-02-15 1999-08-03 トヨタ自動車株式会社 炭素被膜付撥水ガラス
US5142785A (en) 1991-04-26 1992-09-01 The Gillette Company Razor technology
US5786068A (en) 1991-05-03 1998-07-28 Advanced Refractory Technologies, Inc. Electrically tunable coatings
US5718976A (en) 1991-05-03 1998-02-17 Advanced Refractory Technologies, Inc. Erosion resistant diamond-like nanocomposite coatings for optical components
US5728465A (en) 1991-05-03 1998-03-17 Advanced Refractory Technologies, Inc. Diamond-like nanocomposite corrosion resistant coatings
US5352493A (en) 1991-05-03 1994-10-04 Veniamin Dorfman Method for forming diamond-like nanocomposite or doped-diamond-like nanocomposite films
US5232568A (en) 1991-06-24 1993-08-03 The Gillette Company Razor technology
US5295305B1 (en) 1992-02-13 1996-08-13 Gillette Co Razor blade technology
US5249554A (en) 1993-01-08 1993-10-05 Ford Motor Company Powertrain component with adherent film having a graded composition
US5618619A (en) * 1994-03-03 1997-04-08 Monsanto Company Highly abrasion-resistant, flexible coatings for soft substrates
US5638251A (en) 1995-10-03 1997-06-10 Advanced Refractory Technologies, Inc. Capacitive thin films using diamond-like nanocomposite materials
US5795648A (en) 1995-10-03 1998-08-18 Advanced Refractory Technologies, Inc. Method for preserving precision edges using diamond-like nanocomposite film coatings
US5693305A (en) 1995-10-19 1997-12-02 Advanced Refractory Technologies, Inc. Method for synthesizing aluminum nitride whiskers
US5665326A (en) 1995-11-13 1997-09-09 Advanced Refractory Technologies, Inc. Method for synthesizing titanium nitride whiskers

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006519679A (ja) * 2003-03-04 2006-08-31 ザ ジレット カンパニー かみそりの刃
JP2012066093A (ja) * 2003-03-04 2012-04-05 Gillette Co かみそりの刃
JP2013176761A (ja) * 2005-11-30 2013-09-09 Boeing Co:The 旅客機の窓用の耐久性のある透明コーティング
JP2016194075A (ja) * 2005-11-30 2016-11-17 ザ・ボーイング・カンパニーＴｈｅ Ｂｏｅｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ 旅客機の窓用の耐久性のある透明コーティング
JP2012514503A (ja) * 2009-01-12 2012-06-28 ザ ジレット カンパニー 等方圧加圧を使用する、刃先上の薄く均一なコーティングの形成
JP2012528735A (ja) * 2009-06-02 2012-11-15 サンーゴバン アブレイシブズ，インコーポレイティド 耐腐食性ｃｍｐコンディショニング工具並びにその作製および使用法
JP2014079879A (ja) * 2009-06-02 2014-05-08 Saint-Gobain Abrasives Inc 耐腐食性ｃｍｐコンディショニング工具の作製および使用法
JP2013151587A (ja) * 2012-01-24 2013-08-08 Toyota Gakuen 成膜法及びその成膜法により得られる刃物材料

Also Published As

Publication number Publication date
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KR20010032812A (ko) 2001-04-25
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