TWI595324B - 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法 - Google Patents

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TWI595324B
TWI595324B TW101125992A TW101125992A TWI595324B TW I595324 B TWI595324 B TW I595324B TW 101125992 A TW101125992 A TW 101125992A TW 101125992 A TW101125992 A TW 101125992A TW I595324 B TWI595324 B TW I595324B
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佐藤真路
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尼康股份有限公司
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Description

曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
本發明係關於曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式及記錄媒體。
本申請案主張2011年7月21日提出之日本專利申請第2011-159999號及2012年5月22日提出之日本專利第2012-116713號之優先權。並將上述申請案之內容援用於此。
於半導體元件、電子元件等微元件之製程中，使用例如下述專利文獻所揭露之、透過液體以曝光用光使基板曝光的液浸曝光裝置。曝光裝置具備可保持基板移動之基板載台，使該基板載台所保持之基板曝光。
先行技術文獻
[專利文獻1]美國專利公開第2008/0043211號說明書
[專利文獻2]美國專利公開第2008/0100812號說明書
液浸曝光裝置中，例如液體殘留在基板上面及基板載台上面之至少一方時，有可能發生曝光不良。其結果，即有可能產生不良元件。
本發明之態樣，其目的在提供一種能抑制曝光不良之發生的曝光裝置及曝光方法。此外，本發明之態樣，其目 的在提供一種能抑制不良元件之產生的元件製造方法、程式、及記錄媒體。
本發明第1態樣提供一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光，具備：光學構件，具有該曝光用光射出之射出面；基板保持裝置，包含將該基板之下面以可釋放之方式加以保持的第1保持部、以及用以規定可配置該基板之開口、具有在該基板被保持於該第1保持部保持之狀態下配置在該基板之上面周圍之上面的第1構件；以及多孔構件，至少一部分係配置在該基板與該第1構件間之間隙、具有對該液體為撥液性之上面；透過該多孔構件回收流入該間隙之該液體之至少一部分。
本發明第2態樣提供一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光：具備光學構件，具有該曝光用光射出之射出面；基板保持裝置，包含將該基板之下面以可釋放之方式加以保持的第1保持部、以及用以規定可配置該基板之開口、具有在該基板被保持於該第1保持部保持之狀態下配置在該基板之上面周圍之上面的第1構件；以及回收口，在該基板及該第1保持部之至少一方之周圍配置有複數個，可回收流入該基板與該第1構件間之間隙之該液體之至少一部分；在該液體之液浸空間形成在該光學構件之射出面側的狀態下，移動該基板及該第1構件；根據相對該液浸空間之該間隙之位置、及相對該液浸空間之該間隙之移動條件之一方或雙方，進行從該複數個回收口中之 部分回收口回收該液體。
本發明第3態樣提供一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光：具備光學構件，具有該曝光用光射出之射出面；基板保持裝置，包含將該基板之下面以可釋放之方式加以保持的第1保持部、以及用以規定可配置該基板之開口、具有在該基板被保持於該第1保持部保持之狀態下配置在該基板之上面周圍之上面的第1構件；以及回收口，配置成與該基板之側面對向，回收流入該基板與該第1構件間之間隙之該液體之至少一部分。
本發明第4態樣提供一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光：具備光學構件，具有該曝光用光射出之射出面；以及基板保持裝置，包含將該基板之下面以可釋放之方式加以保持的第1保持部、以及用以規定可配置該基板之開口、具有在該基板被保持於該第1保持部保持之狀態下配置在該基板之上面周圍之上面的第1構件；該第1構件之開口，包含位於距該第1保持部中心之第1距離、被保持於該第1保持部之該基板之側面可對向的第1區域，以及和該第1區域相鄰配置、位於距該第1保持部中心之較該第1距離長之第2距離的第2區域。
本發明第5態樣提供一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光：具備光學構件，具有該曝光用光射出之射出面；以及基板保持裝置，包含將該基板之下面以可釋放之方式加以保持的第1保持部、以及用以規定可配置該基板之開口、具有在該基板被保持於該第1保持部保持 之狀態下配置在該基板之上面周圍之上面的第1構件；該第1構件之內面，包含第1內面以及配置在該第1內面上方、該基板側面之至少一部分對向且下端與該第1內面連結而上端與該第1構件上面連結之第2內面；該第1內面與該第2內面非平行，於該第1構件上面之法線方向，該第2內面之尺寸較該第1內面之尺寸大；至少該第2內面係相對該第1保持部中心朝外側向上方傾斜。
本發明第6態樣提供一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光照射基板之上面：具備光學構件，具有該曝光用光射出之射出面；以及基板保持裝置，包含將該基板之下面以可釋放之方式加以保持的第1保持部、以及具有上面及用以規定該上面外緣之一部分之邊緣部的第1構件；該第1構件之該邊緣部，係以被保持於該第1保持部之該基板之邊緣部沿此之方式延伸於既定方向；於該第1構件之該邊緣部，沿該既定方向形成有複數個凸部。
本發明第7態樣提供一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光：具備光學構件，具有該曝光用光射出之射出面；以及基板保持裝置，包含將該基板之下面以可釋放之方式加以保持的第1保持部、以及用以規定可配置該基板之開口、具有在該基板被保持於該第1保持部保持之狀態下配置在該基板之上面周圍之上面的第1構件；該第1構件之內面，包含該基板之側面可對向的第1內面，以及配置在該第1內面下方、相對該第1保持部較該第1內面更分離的第2內面；具備配置成至少一部分與該第2 內面對向之多孔構件；透過該多孔構件，回收流入該基板與該第1構件間之間隙之該液體之至少一部分。
本發明第8態樣提供一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光：具備光學構件，具有該曝光用光射出之射出面；以及基板保持裝置，包含將該基板之下面以可釋放之方式加以保持的第1保持部、以及用以規定可配置該基板之開口、具有在該基板被保持於該第1保持部保持之狀態下配置在該基板之上面周圍之上面的第1構件；該第1構件包含該基板之側面可對向之第1內面、配置在該第1內面下方且相對該第1保持部較該第1內面更分離之第2內面、以及與該第1內面之下端及該第2內面之上端連結而朝向與該第1構件之上面相反方向之下面。
本發明第9態樣提供一種曝光裝置，係透過液浸空間之液體以曝光用光使基板曝光：具備光學構件，具有該曝光用光射出之射出面；基板保持裝置，包含將該基板之下面以可釋放之方式加以保持的第1保持部、配置在該第1保持部周圍至少一部分的測量構件、以及與該測量構件相鄰設置且具有該液浸空間可形成之上面的第1構件；以及多孔構件，至少一部分係配置在該測量構件與該第1構件間之間隙，具有對該液體為撥液性之上面；透過該多孔構件回收流入該間隙之該液體之至少一部分。
本發明第10態樣提供一種曝光裝置，係透過液浸空間之液體以曝光用光使基板曝光：具備光學構件，具有該曝光用光射出之射出面；基板保持裝置，包含將該基板之下 面以可釋放之方式加以保持的第1保持部、配置在該第1保持部周圍至少一部分的測量構件、以及與該測量構件相鄰設置且具有該液浸空間可形成之上面的第1構件；以及複數個回收口，可回收流入該測量構件與該第1構件間之間隙之該液體之至少一部分；在該光學構件之該射出面側形成該液浸空間的狀態下，移動該測量構件及該第1構件；根據相對該液浸空間之該間隙之位置、及相對該液浸空間之該間隙之移動條件之一方或雙方，進行從該複數個回收口中之一部分回收口回收該液體。
本發明第11態樣提供一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光：具備光學構件，具有該曝光用光射出之射出面；基板保持裝置，包含將該基板之下面以可釋放之方式加以保持的第1保持部、配置在該第1保持部周圍之至少一部分且具有該液浸空間可形成之上面的測量構件、以及與該測量構件相鄰設置且具有該液浸空間可形成之上面的第1構件；以及回收口，配置成與該測量構件之側面對向，回收流入該測量構件與該第1構件間之間隙之該液體之至少一部分。
本發明第12態樣提供一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光：具備光學構件，具有該曝光用光射出之射出面；以及基板保持裝置，包含將該基板之下面以可釋放之方式加以保持的第1保持部、配置在該第1保持部周圍之至少一部分且具有該液浸空間可形成之上面的測量構件、以及與該測量構件相鄰設置且具有該液浸空間可形 成之上面的第1構件；與該測量構件之間形成間隙之該第1構件之側面，包含位於距該測量構件中心之第1距離且該測量構件之側面可對向的第1區域、以及與該第1區域相鄰配置且位於距該測量構件中心較該第1距離長之第2距離的第2區域。
本發明第13態樣提供一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光：光學構件，具有曝光用光射出之射出面；第1構件，能在光學構件之下方移動、具有液浸空間可形成之第1上面；以及第2構件，能在光學構件之下方以和第1構件相鄰接之狀態移動、具有液浸空間可形成之第2上面；與第1構件之側面間形成間隙之第2構件之側面，包含位於距第1構件側面之第1距離且能與第1構件之側面對向的第1區域、以及與第1區域相鄰配置且位於距第1構件側面較第1距離長之第2距離的第2區域。
本發明第14態樣提供一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光：具備光學構件，具有該曝光用光射出之射出面；以及基板保持裝置，包含將該基板之下面以可釋放之方式加以保持的第1保持部、配置在該第1保持部周圍之至少一部分且具有該液浸空間可形成之上面的測量構件、以及與該測量構件相鄰設置且具有該液浸空間可形成之上面的第1構件；該第1構件之內面包含第1內面以及配置在該第1內面上方、該測量構件側面之至少一部分與之對向且下端與該第1內面連結而上端與該第1構件上面連結之第2內面；該第1內面與該第2內面非平行，於 該第1構件之上面之法線方向，該第2內面之尺寸較該第1內面之尺寸大；至少該第2內面係相對該測量構件中心朝外側向上方傾斜。
本發明第15態樣提供一種曝光裝置，係透過形成在光學構件射出面側之液浸空間之液體以曝光用光照射基板之上面：具備第1構件，具有第1上面與規定該第1上面之外緣之一部分的第1邊緣部，以該第1上面之至少一部分與該液浸空間接觸之方式在該光學構件下方移動；以及第2構件，具有第2上面與規定該第2上面之外緣之一部分的第2邊緣部，於該光學構件下方移動；該第1邊緣部及該第2邊緣部延伸於既定方向；該第1邊緣部與該第2邊緣部之間形成有間隙；於該第1邊緣部，沿該既定方向形成有複數個凸部。
本發明第16態樣提供一種元件製造方法，包含：使用第1至第15態樣中任一態樣之曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光後之基板顯影的動作。
本發明第17態樣提供一種曝光方法，係透過液體以曝光用光使基板曝光，包含：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、以及用以規定可配置該基板之開口且在該基板被保持於該第1保持部之狀態下至少一部分配置在該基板周圍之第1構件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間的狀態下，使該基板曝光的動作；以及透過至少一部分配置在該基板與該第1 構件間之間隙、具有對液體為撥液性之上面的多孔構件，回收流入該間隙之該液體之至少一部分的動作。
本發明第18態樣提供一種曝光方法，係透過液體以曝光用光使基板曝光，包含：在具有該曝光用光射出之射出面之光學構件的射出面側形成有液體之液浸空間的狀態下，一邊移動將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持的該基板、及用以規定可配置該基板之開口且在該基板被保持於該第1保持部之狀態下至少一部分係配置在該基板周圍的第1構件，一邊使該基板曝光的動作：以及根據相對於該液浸空間之該基板與該第1構件間之間隙之位置、以及相對於該液浸空間之該間隙之移動條件中之一方或雙方，從配置在該基板及該第1保持部中至少一方周圍之複數個回收口中之部分回收口，回收流入該間隙之該液體之至少一部分的動作。
本發明第19態樣提供一種曝光方法，係透過液體以曝光用光使基板曝光，包含：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、以及用以規定可配置該基板之開口、在該基板被保持於該第1保持部之狀態下至少一部分配置在該基板周圍之第1構件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；以及從配置成與該基板側面對向之回收口，回收流入該基板與該第1構件間之間隙之該液體之至少一部分的動作。
本發明第20態樣提供一種曝光方法，係透過液體以曝光用光使基板曝光，包含：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、以及用以規定可配置該基板之開口、在該基板被保持於該第1保持部之狀態下至少一部分配置在該基板周圍之第1構件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；以及該第1構件之開口，包含位於距該第1保持部中心之第1距離、被保持於該第1保持部之該基板之側面可對向的第1區域，以及和該第1區域相鄰配置、位於距該第1保持部中心之較該第1距離長之第2距離的第2區域。
本發明第21態樣提供一種曝光方法，係透過液體以曝光用光使基板曝光，包含：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、以及用以規定可配置該基板之開口、在該基板被保持於該第1保持部之狀態下至少一部分配置在該基板周圍之第1構件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；該第1構件之內面，包含第1內面與配置在該第1內面上方、該基板側面之至少一部分與之對向、下端與該第1內面連結且上端與該第1構件之上面連結之第2內面；該第1內面與該第2內面非平行，於該第1構件上面之法線方向，該第2內面之尺寸較該第1內面之尺寸大； 至少該第2內面係相對該第1保持部中心朝外側向上方傾斜。
本發明第22態樣提供一種曝光方法，係透過液體以曝光用光照射基板之上面，包含：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、以及具有上面與用以規定該上面外緣之一部分之邊緣部的第1構件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；該第1構件之該邊緣部，係以該第1保持部所保持之該基板之邊緣部沿此之方式延伸於既定方向；於該第1構件之該邊緣部，沿該既定方向形成有複數個凸部。
本發明第23態樣提供一種曝光方法，係透過液體以曝光用光使基板曝光，包含：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、以及用以規定可配置該基板之開口、在該基板被保持於該第1保持部之狀態下至少一部分係配置在該基板上面周圍之第1構件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；該第1構件之內面，包含該基板之側面可對向之第1內面與配置在該第1內面下方、對該第1保持部較該第1內面遠離之第2內面；透過至少一部分係與該第2內面對向之方式配置之多孔構件，回收流入該基板與該第1構件間之間隙之該液體之至少一部分。
本發明第24態樣提供一種曝光方法，係透過液浸空間之液體以曝光用光使基板曝光，包含：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、配置在該第1保持部周圍至少一部分之測量構件的上面、以及與該測量構件鄰設置之第1構件的上面中至少一者之間，形成有該液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；以及透過至少一部分係配置在該測量構件與該第1構件間之間隙、具有對該液體為撥液性之上面的多孔構件，回收流入該間隙之該液體之至少一部分的動作。
本發明第25態樣提供一種曝光方法，係透過液浸空間之液體以曝光用光使基板曝光，包含：在具有該曝光用光射出之射出面之光學構件的射出面側形成有該液浸空間之狀態下，一邊移動將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持的該基板、配置在該第1保持部周圍至少一部分的測量構件、及與該測量構件鄰接設置的第1構件，一邊使該基板曝光的動作；以及根據相對於該液浸空間之該測量構件與該第1構件間之間隙的位置、以及相對該液浸空間之該間隙的移動條件之一方或雙方，從配置在該間隙之複數個回收口中之部分回收口，回收流入該間隙之該液體之至少一部分的動作。
本發明第26態樣提供一種曝光方法，係透過液體以曝光用光使基板曝光，包含：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保 持之第1保持部所保持之該基板的上面、配置在該第1保持部周圍之至少一部分之測量構件的上面、以及與該測量構件相鄰設置之第1構件的上面中至少一者之間，以該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；以及從與該測量構件之側面對向配置之回收口，回收流入該測量構件與該第1構件間之間隙之該液體之至少一部分的動作。
本發明第27態樣提供一種曝光方法，係透過液體以曝光用光使基板曝光，包含：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、配置在該第1保持部周圍之至少一部分之測量構件的上面、以及與該測量構件相鄰設置之第1構件的上面中至少一者之間，以該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；與該測量構件之間形成間隙之該第1構件之側面，包含位於距該測量構件中心之第1距離、可與該測量構件之側面對向的第1區域與和該第1區域相鄰配置、位於距該測量構件中心較該第1距離長之第2距離的第2區域。
本發明第28態樣提供一種曝光方法，係透過液體以曝光用光使基板曝光，包含：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、配置在該第1保持部周圍之至少一部分之測量構件的上面、以及與該測量構件相鄰設置之第1構件的上面中至少一者之間，以該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；該第1 構件之內面，包含第1內面與配置在該第1內面上方、該測量構件側面之至少一部分與之對向、下端與該第1內面連結且上端與該第1構件之上面連結之第2內面；該第1內面與該第2內面非平行，於該第1構件上面之法線方向，該第2內面之尺寸較該第1內面之尺寸大；至少該第2內面係相對該測量構件中心朝外側向上方傾斜。
本發明第29態樣提供一種曝光方法，係透過形成在光學構件射出面側之液浸空間之液體將曝光用光照射於基板上面，包含：使具有第1上面與用以規定該第1上面之部分外緣之第1邊緣部的第1構件，以該第1上面之至少一部分與該液浸空間接觸之方式在該光學構件下方移動的動作；以及使具有第2上面與用以規定該第2上面之部分外緣之第2邊緣部的第2構件，在該光學構件下方移動的動作；該第1邊緣部及該第2邊緣部延伸於既定方向；於該第1邊緣部與該第2邊緣部之間形成有間隙；於該第1邊緣部沿該既定方向形成有複數個凸部。
本發明第30態樣提供一種元件製造方法，包含；使用第17至29態樣中任一態樣之曝光方法使基板曝光的動作；以及使曝光後之該基板顯影的動作。
本發明第31態樣提供一種程式，係使電腦實施透過液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置的控制，其使電腦實施：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、以及用以規定可配置該基板之開口且在 該基板被保持於該第1保持部之狀態下至少一部分配置在該基板周圍之第1構件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間的狀態下，使該基板曝光的動作；以及透過至少一部分配置在該基板與該第1構件間之間隙、具有對液體為撥液性之上面的多孔構件，回收流入該間隙之該液體之至少一部分的動作。
本發明第32態樣提供一種程式，係使電腦實施透過液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置的控制，其使電腦實施：在具有該曝光用光射出之射出面之光學構件的射出面側形成有液體之液浸空間的狀態下，一邊移動將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持的該基板、及用以規定可配置該基板之開口且在該基板被保持於該第1保持部之狀態下至少一部分係配置在該基板周圍的第1構件，一邊使該基板曝光的動作：以及根據相對於該液浸空間之該基板與該第1構件間之間隙之位置、以及相對於該液浸空間之該間隙之移動條件中之一方或雙方，從配置在該基板及該第1保持部中至少一方周圍之複數個回收口中之部分回收口，回收流入該間隙之該液體之至少一部分的動作。
本發明第33態樣提供一種程式，係使電腦實施透過液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置的控制，其使電腦實施：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、以及用以規定可配置該基板之開口、在 該基板被保持於該第1保持部之狀態下至少一部分配置在該基板周圍之第1構件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；以及從配置成與該基板側面對向之回收口，回收流入該基板與該第1構件間之間隙之該液體之至少一部分的動作。
本發明第34態樣提供一種程式，係使電腦實施透過液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置的控制，其使電腦實施：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、以及用以規定可配置該基板之開口、在該基板被保持於該第1保持部之狀態下至少一部分配置在該基板周圍之第1構件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；該第1構件之開口，包含位於距該第1保持部中心之第1距離、被保持於該第1保持部之該基板之側面可對向的第1區域，以及和該第1區域相鄰配置、位於距該第1保持部中心之較該第1距離長之第2距離的第2區域。
本發明第35態樣提供一種程式，係使電腦實施透過液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置的控制，其使電腦實施：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、以及用以規定可配置該基板之開口、在該基板被保持於該第1保持部之狀態下至少一部分配置在該基板周圍之第1構件的上面中至少一方之間，以該液體 形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；該第1構件之內面，包含第1內面與配置在該第1內面上方、該基板側面之至少一部分與之對向、下端與該第1內面連結且上端與該第1構件之上面連結之第2內面；該第1內面與該第2內面非平行，於該第1構件上面之法線方向，該第2內面之尺寸較該第1內面之尺寸大；至少該第2內面係相對該第1保持部中心朝外側向上方傾斜。
本發明第36態樣提供一種程式，係使電腦實施透過液體將曝光用光照射於基板上面之曝光裝置的控制，其使電腦實施：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、以及具有上面與用以規定該上面外緣之一部分之邊緣部的第1構件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；該第1構件之該邊緣部，係以該第1保持部所保持之該基板之邊緣部沿此之方式延伸於既定方向；於該第1構件之該邊緣部，沿該既定方向形成有複數個凸部。
本發明第37態樣提供一種程式，係使電腦實施透過液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置的控制，其使電腦實施：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、以及用以規定可配置該基板之開口、在該基板被保持於該第1保持部之狀態下至少一部分係配置在該基板上面周圍之第1構件的上面中至少一方之間，以 該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；該第1構件之內面，包含該基板之側面可對向之第1內面與配置在該第1內面下方、對該第1保持部較該第1內面遠離之第2內面；透過至少一部分係與該第2內面對向之方式配置之多孔構件，回收流入該基板與該第1構件間之間隙之該液體之至少一部分。
本發明第38態樣提供一種程式，係使電腦實施透過液浸空間之液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置的控制，其使電腦實施：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、配置在該第1保持部周圍至少一部分之測量構件的上面、以及與該測量構件鄰設置之第1構件的上面中至少一者之間，形成有該液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；以及透過至少一部分係配置在該測量構件與該第1構件間之間隙、具有對該液體為撥液性之上面的多孔構件，回收流入該間隙之該液體之至少一部分的動作。
本發明第39態樣提供一種程式，係使電腦實施透過液浸空間之液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置的控制，其使電腦實施：在具有該曝光用光射出之射出面之光學構件的射出面側形成有該液浸空間之狀態下，一邊移動將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持的該基板、配置在該第1保持部周圍至少一部分的測量構件、及與該測量構件鄰接設置的第1構件，一邊使該基板 曝光的動作；以及根據相對於該液浸空間之該測量構件與該第1構件間之間隙的位置、以及相對該液浸空間之該間隙的移動條件之一方或雙方，從配置在該間隙之複數個回收口中之部分回收口，回收流入該間隙之該液體之至少一部分的動作。
本發明第40態樣提供一種程式，係使電腦實施透過液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置的控制，其使電腦實施：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、配置在該第1保持部周圍之至少一部分之測量構件的上面、以及與該測量構件相鄰設置之第1構件的上面中至少一者之間，以該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；以及從與該測量構件之側面對向配置之回收口，回收流入該測量構件與該第1構件間之間隙之該液體之至少一部分的動作。
本發明第41態樣提供一種程式，係使電腦實施透過液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置的控制，其使電腦實施：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、配置在該第1保持部周圍之至少一部分之測量構件的上面、以及與該測量構件相鄰設置之第1構件的上面中至少一者之間，以該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；與該測量構件之間形成間隙之該第1構件之側面，包含位於距該測量構件中心之第1距 離、可與該測量構件之側面對向的第1區域與和該第1區域相鄰配置、位於距該測量構件中心較該第1距離長之第2距離的第2區域。
本發明第42態樣提供一種程式，係使電腦實施透過液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置的控制，其使電腦實施：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、配置在該第1保持部周圍之至少一部分之測量構件的上面、以及與該測量構件相鄰設置之第1構件的上面中至少一者之間，以該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；該第1構件之內面，包含第1內面與配置在該第1內面上方、該測量構件側面之至少一部分與之對向、下端與該第1內面連結且上端與該第1構件之上面連結之第2內面；該第1內面與該第2內面非平行，於該第1構件上面之法線方向，該第2內面之尺寸較該第1內面之尺寸大；至少該第2內面係相對該測量構件中心朝外側向上方傾斜。
本發明第43態樣提供一種程式，係使電腦實施透過形成在光學構件射出面側之液浸空間之液體將曝光用光照射於基板上面之曝光裝置的控制，其使電腦實施：使具有第1上面與用以規定該第1上面之部分外緣之第1邊緣部的第1構件，以該第1上面之至少一部分與該液浸空間接觸之方式在該光學構件下方移動的動作；以及使具有第2上面與用以規定該第2上面之部分外緣之第2邊緣部的第2構件， 在該光學構件下方移動的動作；該第1邊緣部及該第2邊緣部延伸於既定方向；於該第1邊緣部與該第2邊緣部之間形成有間隙；於該第1邊緣部沿該既定方向形成有複數個凸部。
本發明第44態樣提供一種電腦可讀取之記錄媒體，其記錄有第31至43態樣中任一態樣之程式。
根據本發明之上述態樣，可抑制曝光不良之發生。此外，根據本發明之上述態樣，可抑制不良元件之產生。
以下，一邊參照圖式一邊說明本發明之實施形態，但本發明並不限定於此。以下之說明中，係設定一XYZ正交座標系，一邊參照此XYZ正交座標系一邊說明各部之位置關係。並設水平面內之既定方向為X軸方向、於水平面內與X軸方向正交之方向為Y軸方向、分別與X軸方向及Y軸方向正交之方向(亦即鉛直方向)為Z軸方向。此外，設繞X軸、Y軸及Z軸旋轉(傾斜)方向分別為θX、θY及θZ方向。
<第1實施形態>
首先，說明第1實施形態。圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置EX之一例的概略構成圖。本實施形態之曝光裝置EX係透過液體LQ以曝光用光EL使基板P曝光之液浸曝光裝置。本實施形態中，形成有將曝光用光EL之光路之 至少一部分以液體LQ加以充滿之液浸空間LS。液浸空間係被液體充滿之部分(空間、區域)。基板P係透過液浸空間LS之液體LQ以曝光用光EL加以曝光。本實施形態中，液體LQ係使用水(純水)。
又，本實施形態之曝光裝置EX，係例如美國專利第6897963號說明書、歐洲專利公開第1713113號說明書等所揭示之具備基板載台與測量載台的曝光裝置。
圖1中，曝光裝置EX，具備：可保持光罩M移動之光罩載台1、可保持基板P移動之基板載台2、不保持基板P而可搭載測量曝光用光EL之測量構件C及測量器移動之測量載台3、使光罩載台1移動之驅動系統4、使基板載台2移動之驅動系統5、使測量載台3移動之驅動系統6、以曝光用光EL照明光罩M之照明系IL、將經曝光用光EL照明之光罩M之圖案之像投影至基板P之投影光學系PL、能以曝光用光EL之光路之至少一部分被液體LQ充滿之方式形成液浸空間LS之液浸構件7、控制曝光裝置EX全體之動作之控制裝置8、以及連接於控制裝置8用以儲存與曝光相關之各種資訊之記憶裝置8R。記憶裝置8R，包含例如RAM等之記憶體、硬碟、CD-ROM等之記錄媒體。於記憶裝置8安裝有用以控制電腦系統之作業系統(OS)，內儲存有用以控制曝光裝置EX之程式。
曝光裝置EX亦具備測量光罩載台1、基板載台2及測量載台3之位置之干涉儀系統11、與檢測系統300。檢測系統300包含可檢測基板P之對準標記之對準系統302、與可 檢測基板P之上面(表面)Pa之位置之表面位置檢測系統303。又，檢測系統300亦可具備例如美國專利申請公開第2007/0288121號所揭示之用以檢測基板載台2之位置之編碼器系統。
光罩M包含形成有待投影至基板P之元件圖案之標線片(reticle)。光罩M包含透射型光罩，此種透射型光罩具有例如玻璃板等之透明板、與在該透明板上使用鉻等遮光材料形成之圖案。又，光罩M亦可使用反射型光罩。
基板P係用以製造元件之基板。基板P包含例如半導體晶圓等之基材與該基材上形成之感光膜。感光膜係感光材(photoresist光阻劑)之膜。又，基板P除感光膜外亦可包含其他膜。例如，基板P可包含反射防止膜、或包含保護感光膜之保護膜(topcoat膜)。
又，曝光裝置EX亦具備調整曝光用光EL行進之空間102之環境(温度、濕度、壓力及潔淨度之至少一種)之腔室裝置103。腔室裝置103，具備形成空間102之腔室構件104與調整該空間102之環境之空調系統105。
空間102包含空間102A及空間102B。空間102A係處理基板P之空間。基板載台2及測量載台3在空間102A中移動。
空調系統105具有對空間102A、102B供應氣體之供氣部105S，從該供氣部105S將氣體供應至空間102A、102B以調整該空間102A、102B之環境。本實施形態中，至少基板載台2、測量載台3及投影光學系PL之終端光學元件12 係配置在空間102A。
照明系IL對既定照明區域IR照射曝光用光EL。照明區域IR包含從照明系IL射出之曝光用光EL可照射之位置。照明系IL以均一照度分布之曝光用光EL照明配置在照明區域IR之光罩M之至少一部分。從照明系IL射出之曝光用光EL，係使用例如從水銀燈射出之輝線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)、ArF準分子雷射光(波長193nm)及F2雷射光(波長157nm)等之真空紫外光(VUV光)等。本實施形態中，曝光用光EL係使用紫外光(真空紫外光)之ArF準分子雷射光。
光罩載台1能在保持光罩M之狀態下，在包含照明區域IR之基座構件9之導引面9G上移動。驅動系統4包含用以在導引面9G上移動光罩載台1之平面馬達。平面馬達係例如美國專利第6452292號所揭示，具有配置在光罩載台1之可動子與配置在基座構件9之固定子。本實施形態中，光罩載台1可藉由驅動系統4之作動，在導引面9G上移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ方向之6個方向。
投影光學系PL將曝光用光EL照射於既定投影區域PR。投影區域PR包含從投影光學系PL射出之曝光用光EL可照射到之位置。投影光學系PL將光罩M之圖案像以既定投影倍率投影至配置在投影區域PR之基板P之至少一部分。本實施形態之投影光學系PL係投影倍率例如為1/4、1/5或1/8等之縮小系。當然，投影光學系PL亦可以是 等倍系及放大系之任一者。本實施形態中，投影光學系PL之光軸AX與Z軸平行。又，投影光學系PL可以是不包含反射光學元件之折射系、不包含折射光學元件之反射系、或包含反射光學元件與折射光學元件之反射折射系中之任一種。又，投影光學系PL可以形成倒立像與正立像之任一種。
基板載台2可移動至從投影光學系PL射出之曝光用光EL可照射到之位置(投影區域PR)。基板載台2能在保持基板P之狀態下，在包含投影區域PR之基座構件10之導引面10G上移動。測量載台3可移動至從投影光學系PL射出之曝光用光EL可照射到之位置(投影區域PR)。測量載台3能在保持測量構件C之狀態下，在包含投影區域PR之基座構件10之引導面10G上移動。基板載台2與測量載台3可在導引面10G上獨立移動。
用以移動基板載台2之驅動系統5包含用以在導引面10G上移動基板載台2之平面馬達。平面馬達係例如美國專利第6452292號所揭示，具有配置在基板載台2之可動子與配置在基座構件10之固定子。同樣的，用以移動測量載台3之驅動系統6包含平面馬達，具有配置在測量載台3之可動子與配置在基座構件10之固定子。
本實施形態中，基板載台2具有將基板P之下面Pb以可釋放之方式加以保持之第1保持部31、與規定可配置基板P之開口Th且在基板P被保持於第1保持部31之狀態下配置在基板P之上面Pa周圍之上面。
又，本實施形態中，基板載台2具有例如美國專利申請公開第2007/0177125號、及美國專利申請公開第2008/0049209號等所揭之配置在第1保持部31之周圍、將覆蓋構件T之下面Tb保持成可釋放之第2保持部32。覆蓋構件T配置在被保持於第1保持部31之基板P之周圍。本實施形態中，覆蓋構件T具有配置第1保持部31所保持之基板P之開口Th。本實施形態中，覆蓋構件T具有上面2U。
本實施形態中，第1保持部31可將基板P保持成基板P之上面Pa與XY平面大致平行。第2保持部32將覆蓋構件T保持成覆蓋構件T之上面2U與XY平面大致平行。本實施形態中，被保持在第1保持部31之基板P之上面Pa與被保持在第2保持部32之覆蓋構件T之上面2U，係配置在大致同一平面內(大致成一面)。
此外，覆蓋構件T可一體的形成於基板載台2。例如，基板載台2之至少部分構件可具有上面2U。
本實施形態中，測量載台3具有將測量構件C以可釋放之方式加以保持之第3保持部33、與配置在第3保持部33周圍將覆蓋構件Q以可釋放之方式加以保持之第4保持部34。第3、第4保持部33、34具有銷夾頭(pin chuck)機構。覆蓋構件Q配置在被保持於第3保持部33之測量構件C周圍。又，於第3保持部33及第4保持部34之至少一方使用之保持機構不限於銷夾頭機構。此外，測量構件C及覆蓋構件Q之至少一方可一體的形成於測量載台3。
本實施形態中，第3保持部33將測量構件C保持成測 量構件C之上面與XY平面大致平行。第4保持部34將覆蓋構件Q保持成覆蓋構件Q之上面與XY平面大致平行。本實施形態中，被保持於第3保持部33之測量構件C之上面與被保持於第4保持部34之覆蓋構件Q之上面，大致配置在同一平面內(大致成一面)。
此處，於以下說明中，將被保持於第2保持部32之覆蓋構件T之上面2U適當的稱為基板載台2之上面2U，將被保持於第3保持部33之測量構件C之上面及被保持於第4保持部34之覆蓋構件Q之上面適當的合稱為測量載台3之上面3U。
干涉儀系統11，包含測量光罩載台1之位置之雷射干涉儀單元11A與測量基板載台2及測量載台3之位置之雷射干涉儀單元11B。雷射干涉儀單元11A可使用配置在光罩載台1之測量鏡(mirror)1R，測量光罩載台1之位置。雷射干涉儀單元11B可使用配置在基板載台2之測量鏡2R及配置在測量載台3之測量鏡3R，測量基板載台2及測量載台3各個之位置。
對準系統302檢測基板P之對準標記，以檢測該基板P之照射區域S之位置。對準系統302具有基板載台2(基板P)可對向之下面。基板載台2之上面2U及被保持於基板載台2之基板P之上面(表面)Pa，可與朝向-Z方向之對準系統302之下面對向。
表面位置檢測系統303，例如亦被稱為自動對焦、調平系統，對被保持於基板載台2之基板P之上面(表面)Pa照 射檢測光，以檢測該基板P之上面Pa之位置。表面位置檢測系統303具有可與基板載台2(基板P)對向之下面。基板載台2之上面2U及被保持於基板載台2之基板P之上面Pa，能與朝向-Z方向之表面位置檢測系統303之下面對向。
實施基板P之曝光處理時、或實施既定測量處理時，控制裝置8根據干涉儀系統11之測量結果及檢測系統300之檢測結果，使驅動系統4、5、6作動以實施光罩載台1(光罩M)、基板載台2(基板P)及測量載台3(測量構件C)之位置控制。
液浸構件7可形成一曝光用光EL之光路之至少一部分被液體LQ充滿之液浸空間LS。液浸構件7係配置在投影光學系PL之複數個光學元件中最接近投影光學系PL之像面之終端光學元件12之近旁。本實施形態中，液浸構件7為一環狀構件，配置在曝光用光EL之光路周圍。本實施形態中，液浸構件7之至少一部分係配置在終端光學元件12之周圍。
終端光學元件12具有朝向投影光學系PL之像面射出曝光用光EL之射出面13。本實施形態中，於射出面13側形成液浸空間LS。液浸空間LS係形成為從射出面13射出之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿。從射出面13射出之曝光用光EL行進於-Z方向。射出面13朝向曝光用光EL之行進方向(-Z方向)。本實施形態中，射出面13係與XY平面大致平行之平面。當然，射出面13亦可相對XY平面傾斜、或者包含曲面。
液浸構件7具有至少一部分朝向-Z方向之下面14。本實施形態中，射出面13及下面14可在與配置於從射出面13射出之曝光用光EL可照射到之位置(投影區域PR)之物體之間保持液體LQ。液浸空間LS係由被保持在射出面13及下面14之至少一部分與配置在投影區域PR之物體之間的液體LQ而形成。液浸空間LS係以射出面13與配置在投影區域PR之物體之間之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之方式形成。液浸構件7可在與物體之間保持液體LQ以將終端光學元件12與物體之間之曝光用光EL之光路K以液體LQ加以充滿。
本實施形態中，可配置在投影區域PR之物體，包含可在投影光學系PL之像面側(終端光學元件12之射出面13側)相對投影區域PR移動之物體。該物體可相對終端光學元件12及液浸構件7移動。該物體具有能與射出面13及下面14之至少一方對向之上面(表面)。物體之上面可在與射出面13之間形成液浸空間LS。該物體可在與終端光學元件12之光軸(Z軸)垂直之面內(XY平面內)移動。本實施形態中，物體之上面可在與射出面13及下面14之至少一部分之間形成液浸空間LS。藉由將液體LQ保持在一側之射出面13及下面14與另一側之物體之上面(表面)之間，來以終端光學元件12與物體之間之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之方式形成液浸空間LS。
本實施形態中，該物體包含基板載台2、被保持於基板載台2之基板P、測量載台3及被保持於測量載台3之測量 構件C中之至少一者。例如，基板載台2之上面2U及被保持於基板載台2之基板P之表面(上面)Pa，能與朝向-Z方向之終端光學元件12之射出面13及朝向-Z方向之液浸構件7之下面14對向。當然，可配置在投影區域PR之物體並不限於基板載台2、被保持於基板載台2之基板P、測量載台3及被保持於測量載台3之測量構件C之至少一者。此外，該等物體能與檢測系統300之至少一部分對向。
本實施形態中，液浸空間LS係形成為當基板P被曝光用光EL照射時，包含投影區域PR之基板P表面之部分區域被液體LQ覆蓋。於基板P之曝光時，液浸構件7可以終端光學元件12與基板P之間之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之方式，在與基板P之間保持液體LQ。液體LQ之界面(彎月面、邊緣)LG之至少一部係形成在液浸構件7之下面14與基板P之表面之間。亦即，本實施形態之曝光裝置EX係採用局部液浸方式。
圖2係顯示本實施形態之液浸構件7及基板載台2之一例的側視剖面圖。圖3係圖2之部分放大圖。又，圖2中，雖係於投影區域PR(與終端光學元件12及液浸構件7對向之置)配置有基板P，但如上所述，亦可例如配置基板載台2(覆蓋構件T)及測量載台3(覆蓋構件Q、測量構件C)。
如圖2所示，液浸構件7包含至少一部分與終端光學元件12之射出面13對向之對向部71、與至少一部分配置在終端光學元件12周圍之本體部72。對向部71在與射出面13對向之位置具有孔(開口)7K。對向部71具有至少一部 分隔著間隙與射出面13對向之上面7U、與基板P(物體)可對向之下面7H。孔7K係形成將上面7U與下面7H加以連結。上面7U配置在孔7K之上端周圍、下面7H則配置在孔7K之下端周圍。從射出面13射出之曝光用光EL，可通過孔7K照射於基板P。
本實施形態中，上面7U及下面7H分別配置在光路K之周圍。本實施形態中，下面7H為平坦面。下面7H可在與基板P(物體)之間保持液體LQ。以下之說明中，將下面7H適當的稱為保持面7H。
又，液浸構件7具有可供應液體LQ之供應口15、與可回收液體LQ之回收口16。供應口15，例如在基板P之曝光時供應液體LQ。
回收口16例如在基板P之曝光時回收液體LQ。此外，供應口15在基板P之曝光時及非曝光時之任一方或雙方時皆能供應液體LQ。又，回收口16則在基板P之曝光時及非曝光時之任一方或雙方時皆能回收液體LQ。
供應口15係配置成在從射出面13射出之曝光用光EL之光路K近旁，面向該光路K。又，供應口15只要是面向射出面13與開口7K間之空間及終端光學元件12側面中之一方雙方即可。本實施形態中，供應口15係將液體LQ供應至上面7U與射出面13間之空間。從供應口15供應之液體LQ，在流過該上面7U與射出面13間之空間後，透過開口7K供應至基板P(物體)上。
供應口15透過流路17與液體供應裝置18連接。液體 供應裝置18可送出潔淨且温度經調整之液體LQ。流路17包含形成在液浸構件7內部之供應流路17R及將該供應流路17R與液體供應裝置18加以連接之供應管形成之流路。從液體供應裝置18送出之液體LQ經由流路17供應至供應口15。至少於基板P之曝光中，供應口15供應液體LQ。
回收口16可回收與液浸構件7之下面14對向之物體上之液體LQ之至少一部分。回收口16配置在曝光用光EL通過之開口7K周圍之至少一部分。本實施形態中，回收口16係配置在保持面7H周圍之至少一部分。回收口16配置在與物體表面對向之液浸構件7之既定位置。至少於基板P之曝光中，基板P對向於回收口16。於基板P之曝光中，回收口16回收基板P上之液體LQ。
本實施形態中，本體部72具有面向基板P(物體)之開口7P。開口7P配置在保持面7H周圍之至少一部分。本實施形態中，液浸構件7具有配置在開口7P之多孔構件19。本實施形態中，多孔構件19係包含複數個孔(openings或pores)之板片狀構件。又，亦可於開口7P配置多數小孔形成為網眼狀之多孔構件的網眼篩(mesh filter)。
本實施形態中，多孔構件19具有基板P(物體)可對向之下面19H、朝向下面19H之相反方向之上面19U、與將上面19U與下面19H加以連結之複數個孔。下面19H配置在保持面7H周圍之至少一部分。本實施形態中，液浸構件7之下面14之至少一部分包含保持面7H及下面19H。
本實施形態中，回收口16包含多孔構件19之孔。本 實施形態中，基板P(物體)上之液體LQ係透過多孔構件19之孔(回收口16)加以回收。又，亦可不配置多孔構件19。
回收口16透過流路20與液體回收裝置21連接。液體回收裝置21可將回收口16連接於真空系統，透過回收口16吸引液體LQ。流路20包含形成在液浸構件7內部之回收流路20R、及以將該回收流路20R與液體回收裝置21加以連接之回收管形成之流路。從回收口16回收之液體LQ，透過流路20回收至液體回收裝置21。
本實施形態中，控制裝置8可藉由與從供應口15之液體LQ之供應動作並行，實施從回收口16之液體LQ之回收動作，據以在一側之終端光學元件12及液浸構件7與另一側之物體之間以液體LQ形成液浸空間LS。
又，作為液浸構件7，可使用例如美國專利申請公開第2007/0132976號說明書、歐洲專利申請公開第1768170號說明書所揭示之液浸構件(嘴(nozzle)構件)。
如圖2及圖3所示，基板載台2具備至少一部分係配置在基板P與覆蓋構件T(基板載台2)間之間隙Ga的多孔構件80。本實施形態中，流入間隙Ga之液體LQ之至少一部分係透過多孔構件80加以回收。
本實施形態中，多孔構件80，具有射出面13及下面14之至少一方可對向之上面80A、被第1保持部31保持之基板P之側面Pc可對向之第1側面80B、以及被第2保持部32保持之覆蓋構件T之內面Tc可對向之第2側面80C。基板P之側面Pc，將基板P之上面Pa與朝向上面Pa之相 反方向之基板P之下面Pb加以連結。覆蓋構件T之內面Tc，將覆蓋構件T之上面Ta與朝向上面Ta之相反方向之覆蓋構件T之下面Tb加以連結。覆蓋構件T之上面Ta包含基板載台2之上面2U。在未配置多孔構件80之狀態下，基板P之側面Pc與覆蓋構件T之內面Tc可對向。
本實施形態中，多孔構件80為例如鈦製。多孔構件80能以例如燒結法形成。
本實施形態中，多孔構件80之上面80A對液體LQ為撥液性。
本實施形態中，上面80A對液體LQ對之接觸角，例如大於90度。上面80A對液體LQ之接觸角，可以是例如100度以上、或110度以上。
本實施形態中，於多孔構件80之上面80A塗有含氟之撥液性材料。亦即，於上面80A配置有含撥液性材料之膜80F。撥液性材料可以是例如PFA(過氟烷基化物，Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)、PTFE(聚四氟乙烯，Poly tetra fluoro ethylene)、PEEK(聚醚醚酮，polyetheretherketone)、或鐵氟龍(登錄商標)。
本實施形態中，多孔構件80之上面80A對液體LQ之接觸角大於第1側面80B之接觸角。此外，本實施形態中，多孔構件80之上面80A對液體LQ之接觸角大於第2側面80C之接觸角。
又，多孔構件80之上面80A對液體LQ之接觸角可較第1側面80B之接觸角小、亦可與第1側面80B之接觸角 大致相同。此外，多孔構件80之上面80A對液體LQ之接觸角，可較第2側面80C之接觸角小、亦可與第2側面80C之接觸角大致相同。
本實施形態中，基板P之上面Pa對液體LQ之接觸角、及覆蓋構件T之上面Ta之接觸角，較第1側面80B之接觸角大。又，本實施形態中，基板P之上面Pa對液體LQ之接觸角、及覆蓋構件T之上面Ta之接觸角，可較第2側面80C之接觸角大。
又，對液體LQ之基板P之上面Pa之接觸角、及覆蓋構件T之上面Ta之接觸角，可較第1側面80B之接觸角小、亦可與第1側面80B之接觸角大致相同。此外，對液體LQ之基板P之上面Pa之接觸角、及覆蓋構件T之上面Ta之接觸角，可較第2側面80C之接觸角小、亦可與第2側面80C之接觸角大致相同。
又，本實施形態中，多孔構件80之上面80A與被第1保持部31保持之基板P之上面Pa、及被第2保持部32保持之覆蓋構件T之上面Ta大致成一面。
又，多孔構件80之上面80A可配置在較基板P之上面Pa及覆蓋構件T之上面Ta低之位置(-Z側之位置)、亦可配置在較高之位置(+Z側之位置)。
本實施形態中，被第1保持部31保持之基板P之側面Pc、與多孔構件80之第1側面80B間之距離L1，較被第2保持部32保持之覆蓋構件T之內面Tc、與多孔構件80之第2側面80C間之距離L2大。
又，側面Pc與第1側面80B間之距離L1，可較內面Tc與第2側面80C間之距離L2小、亦可以與距離L2大致相同。
本實施形態中，基板載台2具有通至間隙Ga之空間部23。空間部23位於間隙Ga之下方。本實施形態中，多孔構件80之至少一部分係配置在空間部23。本實施形態中，多孔構件80，包含配置在間隙Ga之第1部分801、與配置在空間部23之第2部分802。
本實施形態中，於相對第1保持部31中心之放射方向，間隙Ga之尺寸Wa較空間部23之尺寸Wb小。又，尺寸Wa可大於尺寸Wb、亦可與尺寸Wb大致相同。
又，本實施形態中，於相對第1保持部31中心之放射方向，第2部分802之尺寸W2較第1部分801之尺寸W1大。此外，尺寸W2可較尺寸W1小、亦可與尺寸W1大致相同。
又，相對第1保持部31中心之放射方向之尺寸，係指在XY平面內之放射方向之尺寸。
本實施形態中，多孔構件80被盒81支承。盒81於空間部23，配置成與第2部分802之至少一部分接觸。本實施形態中，盒81係配置成與第2部分802之下面及側面之至少一部分接觸。本實施形態中，盒81係例如陶藝製。又，盒81亦可以是金屬製。
又，本實施形態中，於多孔構件80及盒81與覆蓋構件T之間，配置支承構件82。支承構件82被支承於多孔構 件80(第2部分802)及盒81之至少一部分。支承構件82能與覆蓋構件T之下面Tb之至少一部分對向。支承構件82支承覆蓋構件T之下面Tb之至少一部分。
本實施形態中，基板載台2具有配置於空間部23之吸引口24。本實施形態中，吸引口24係形成在形成空間部23之基板載台2內面之至少一部分。吸引口24吸引空間部23之流體之至少一部分，以使空間部23成為負壓。吸引口24可吸引空間部23之液體及氣體之一方或雙方。
吸引口24透過流路25與流體吸引裝置26連接。流體吸引裝置26可將吸引口24連接於真空系統，透過吸引口24吸引液體及氣體中之一方或雙方。流路25之至少一部分係形成在基板載台2之內部。從吸引口24吸引之流體(液體及氣體中之至少一方)係透過流路25被吸引至流體吸引裝置26。
本實施形態中，盒81具有將盒81之外面與內面加以連結之孔(開口)81H。孔81H上端之開口83，面向多孔構件80之下面。孔81H下端之開口與吸引口24連結。吸引口24透過孔81H吸引該盒81內側空間之流體，以使盒81之內側空間成為負壓。
本實施形態中，第1保持部31具有例如銷夾頭機構。第1保持部31具有配置在基板載台2之支承面31S且基板P之下面Pb可對向之周壁部35、配置在周壁部35內側之支承面31S且包含複數個銷(pin)構件之支持部36、以及配置在支承面31S用以吸引流體之吸引口37。吸引口37與流 體吸引裝置連接。流體吸引裝置受控制裝置8控制。周壁部35之上面能與基板P之下面Pb對向。周壁部35可在與基板P之下面Pb之間之至少一部分形成負壓空間。又，於支承面31，周壁部35為實質圓形，於前述及後述說明中，第1保持部31之中心為周壁部35之中心。此外，本實施形態中，於XY平面內，周壁部35為實質圓形(圓環狀)。控制裝置8可在基板P之下面Pb與周壁部35之上面接觸之狀態下，實施吸引口37之吸引動作，據以使周壁部35與基板P之下面Pb與支承面31S所形成之空間31H成為負壓。據此，將基板P保持於第1保持部31。又，藉由解除吸引口37之吸引動作，基板P即從第1保持部31解放。
本實施形態中，藉由使空間31H成為負壓，將基板P之下面保持於支承部36(複數個銷構件)之上端。亦即，藉由支承部36(複數個銷構件)之上端規定保持基板P之保持面36S之至少一部分。
本實施形態中，第2保持部32具有例如銷夾頭機構。第2保持部32具有於基板載台2之支承面32S圍繞周壁部35配置且覆蓋構件T之下面Tb可對向之周壁部38、於支承面32S圍繞周壁部38配置且覆蓋構件T之下面Tb可對向之周壁部39、配置在周壁部38與周壁部39間之支承面32S且包含複數個銷構件之支持部40、以及配置在支承面32S用以吸引流體之吸引口41。吸引口41與流體吸引裝置連接。流體吸引裝置受控制裝置8控制。周壁部38、39之上面可與覆蓋構件T之下面Tb對向。周壁部38、39可在 與覆蓋構件T之下面Tb間之至少一部分形成負壓空間。控制裝置8可在覆蓋構件T之下面Tb與周壁部38、39之上面接觸之狀態下，藉由實施吸引口41之吸引動作，據以使周壁部38與周壁部39與覆蓋構件T之下面Tb與支承面32S所形成之空間32H成為負壓。據此，將覆蓋構件T保持於第2保持部32。此外，藉由解除吸引口41之吸引動作，使覆蓋構件T從第2保持部32解放。
空間部23包含周壁部35周圍之空間。本實施形態中，空間部23包含周壁部35與周壁部38間之空間。
圖4係顯示透過多孔構件80回收流入間隙Ga之液體LQ之至少一部分之一狀態例的圖。本實施形態，係在終端光學元件12及液浸構件7與被第1保持部31保持之基板P及被第2保持部32保持之覆蓋構件T中至少一方之間，形成液浸空間LS。又，液浸空間LS有可能形成在間隙Ga上。此時，該液浸空間LS之液體LQ之至少一部分有可能流入間隙Ga。
本實施形態中，控制裝置8將流入間隙Ga之液體LQ之至少一部分，透過多孔構件80加以回收。回收流入間隙Ga之液體LQ時，控制裝置8控制流體吸引裝置26將吸引口24連接於真空系統。據此，空間部23之流體即被從吸引口24吸出，空間部23成為負壓。
如上所述，吸引口24可透過孔81H吸引盒81內側空間之流體。藉由吸引口24之吸引動作之進行，盒81之內側空間、及配置在該盒81內側空間之多孔構件80之孔， 即成為負壓。如此，多孔構件80周圍之流體即被從多孔構件80之孔吸出。
如圖4所示，藉由吸引口24之吸引動作之進行，流入多孔構件80之第1側面80B與基板P之側面Pc間之液體LQ，即被第1側面80B之孔吸引。亦即，多孔構件80將流入第1側面80B與基板P之側面Pc間之液體LQ，從與基板P之側面Pc對向之第1側面80B之孔加以回收。
又，如圖4所示，藉由吸引口24之吸引動作之進行，流入多孔構件80之第2側面80C與覆蓋構件T之內面Tc間之液體LQ，被第2側面80C之孔吸引。亦即，多孔構件80，將流入第2側面80C與覆蓋構件T之內面Tc間之液體LQ，從與覆蓋構件T之內面Tc對向之第2側面80C之孔回收。
經由多孔構件80回收之液體LQ之至少一部分，從吸引口24吸引。本實施形態中，從第1、第2側面80B、80C之孔回收之液體LQ之至少一部分，在流過多孔構件80內部後，從吸引口24吸引。據此，即從間隙Ga及空間部23除去液體LQ。
本實施形態中，第2部分802之下面及側面被盒81覆蓋。
第1部分801之第1、第2側面80B、80C未被盒81覆蓋。第1部分801之第1、第2側面80B、80C能與流入間隙Ga之液體LQ接觸。因此，藉由吸引口24之吸引動作之進行，流入間隙Ga之液體LQ即被從第1、第2側面80B、 80C順暢的回收。
如以上所述，本實施形態中，對液體LQ之多孔構件80之上面80A之接觸角，較第1、第2側面80B、80C之接觸角大。本實施形態中，液體LQ往上面80A之孔之流入，較往第1、第2側面80B、80C之孔之流入受到抑制。例如，多孔構件80可不從上面80A之孔回收液體LQ。
又，液體LQ往上面80A之孔之流入，可以不較往第1、第2側面80B、80C之孔之流入受到抑制。亦即，多孔構件80可以從上面80A之孔回收液體LQ。
其次，針對曝光裝置EX之動作之一例，參照圖5、圖6及圖7加以說明。圖5係顯示本實施形態之曝光裝置EX之一動作例的流程圖。圖6係顯示被保持於第1保持部31(基板載台2)之基板P之一例的圖。圖7係顯示基板載台2及測量載台3之一動作例的圖。
本實施形態中，基板載台2至少可在第1位置EP與第2位置RP之間移動。第1位置EP，係可在終端光學元件12及液浸構件7與第1保持部31所保持之基板P之上面Pa及基板載台2之上面2U(Ta)中至少一方之間形成液浸空間LS之位置。換言之，第1位置EP係與終端光學元件12及液浸構件7對向之位置。
第2位置RP，係無法在終端光學元件12及液浸構件7與第1保持部31所保持之基板P之上面Pa及基板載台2之上面2U中至少一方之間形成液浸空間LS之位置。
第1位置EP係可使第1保持部31所保持之基板P曝 光之位置。本實施形態中，第2位置RP，係例如實施將曝光後之基板P從第1保持部31搬出之動作及將曝光前之基板P搬入第1保持部31之動作中至少一方的基板更換位置。
又，第2位置EP不限於基板更換位置。
以下之說明中，將第1位置EP適當的稱為曝光位置EP，將第2位置RP適當的稱為基板更換位置RP。
又，以下之說明中，將在基板更換位置RP進行之將曝光前之基板P搬入第1保持部31之處理、以及將曝光後之基板P從第1保持部31搬出之處理，適當的稱為基板更換處理。
為使保持在第1保持部31之基板P曝光，使基板載台2移動至曝光位置EP，在終端光學元件12及液浸構件7與基板載台2(基板P)之間以液體LQ形成液浸空間LS後，控制裝置8即開始基板P之曝光處理(步驟ST1)。
本實施形態之曝光裝置EX係一邊使光罩M與基板P往既定掃描方向同步移動、一邊將光罩M之圖案像投影至基板P之掃描型曝光裝置(所謂的掃描步進機)。本實施形態中，係設基板P之掃描方向(同步移動方向)為Y軸方向，光罩M之掃描方向(同步移動方向)亦設為Y軸方向。控制裝置8使基板P相對投影光學系PL之投影區域PR移動於Y軸方向，並與該基板P往Y軸方向之移動同步，一邊相對照明系IL之照明區域IR使光罩M移動於Y軸方向、一邊透過投影光學系PL與基板P上之液浸空間LS之液體LQ將曝光用光EL照射於基板P。據此，基板P即透過液體LQ 而被曝光用光EL曝光，光罩M之圖案像透過投影光學系PL及液體LQ被投影至基板P。
如圖6所示，本實施形態中，基板P上曝光對象區域之照射區域S係成矩陣狀配置複數個。控制裝置8使基板P上所定之複數個照射區域S依序曝光。
使基板P之照射區域S曝光時，使終端光學元件12及液浸構件7與基板P對向，形成一以液體LQ充滿終端光學元件12與基板P間之曝光用光EL之光路K的液浸空間LS。使基板P之複數個照射區域S依序曝光時，在終端光學元件12及液浸構件7與基板P之上面Pa及基板載台2之上面2U中至少一方之間以液體LQ形成有液浸空間LS之狀態下，藉由驅動系統5使基板載台2於XY平面內移動。控制裝置8，在終端光學元件12及液浸構件7與基板P之上面Pa及基板載台2之上面2U中至少一方之間以液體LQ形成有液浸空間LS之狀態下，一邊移動基板載台2、一邊實施基板P之曝光。
例如為使基板P上之複數個照射區域S中最初之照射區域(第1照射區域)S曝光，控制裝置8使該第1照射區域S移動至曝光開始位置。控制裝置8在形成有液浸空間LS之狀態下，一邊使第1照射區域S(基板P)相對投影光學系PL之投影區域PR移動於Y軸方向、一邊對該第1照射區域S照射曝光用光EL。
第1照射區域S之曝光結束後，為使下一個第2照射區域S曝光，控制裝置8在形成有液浸空間LS之狀態下， 使基板P移動於X軸方向(或於XY平面內相對X軸方向傾斜之方向)，將第2照射區域S移動至曝光開始位置。控制裝置8，與第1照射區域S同樣的使第2照射區域S曝光。
控制裝置8，一邊反複進行在使照射區域S相對投影區域PR移動於Y軸方向之同時對該照射區域S照射曝光用光EL之動作(掃描曝光動作)、與該照射區域S之曝光結束後為使下一個照射區域S移動至曝光開始位置之動作(步進動作)，一邊透過投影光學系PL及液浸空間LS之液體LQ使基板P上之複數個照射區域S依序曝光。對基板P之複數個照射區域S依序照射曝光用光EL。
本實施形態中，控制裝置8一邊使基板載台2移動以使投影光學系PL之投影區域PR與基板P沿圖6中箭頭R1所示移動軌跡相對移動、一邊對投影區域PR照射曝光用光EL透過液體LQ以曝光用光EL使基板P之複數個照射區域S依序曝光。在基板載台2於基板P之曝光中之移動中的至少一部分，液浸空間LS係形成在間隙Ga上。
基板P上之複數個照射區域S中最後一個照射區域S之曝光結束，換言之，對複數個照射區域S之曝光用光EL之照射結束後，即結束該基板P之曝光(步驟ST2)。
對複數個照射區域S之曝光用光EL之照射結束後(基板P之曝光結束後)，控制裝置8為實施基板更換處理而使基板載台2移動至基板更換位置RP(步驟ST3)。
如圖7所示，在將基板載台2配置於基板更換位置RP後，控制裝置8即使用基板搬送裝置(未圖示)將曝光後之基 板P從第1保持部31搬出(卸載)(步驟ST4)。
在將曝光後之基板P從第1保持部31搬出(卸載)後，控制裝置8使用基板搬送裝置(未圖示)將曝光前之基板P搬入(裝載於)第1保持部31(步驟ST5)。
又，如圖7所示，在實施基板更換處理時，係於曝光位置EP配置測量載台3。控制裝置8，視需要使用測量載台3(測量構件C、測量器)實施既定之測量處理。將曝光前之基板P裝載於第1保持部31、使用測量載台3之測量處理結束後，控制裝置8使基板載台2移動至曝光位置EP(步驟ST6)。
本實施形態中，控制裝置8在基板載台2從基板更換位置RP往曝光位置EP之移動時，使用對準系統302進行檢測基板載台2(第1保持部31)所保持之基板P之對準標記(步驟ST7)。又，控制裝置8在基板載台2從基板更換位置RP往曝光位置EP之移動時，使用表面位置檢測系統303檢測基板載台2(第1保持部31)所保持之基板P之上面Pa之位置。
基板P之對準標記之檢測及基板P之上面Pa之位置之檢測結束後，控制裝置8根據該檢測結果一邊調整基板P之位置、一邊開始該基板P之曝光。之後，反複進行同樣之處理，複數個基板P即被依序曝光。
本實施形態中，在實施基板P之曝光之第1期間的至少一部分、及未實施基板P之曝光之第2期間的至少一部分之各個中，實施吸引口24(多孔構件80)之吸引動作。
本實施形態中，第1期間包含基板載台2P被配置於曝光位置EP之期間。又，第1期間包含基板P之曝光開始起(步驟ST1)至該基板P之曝光結束為止(步驟ST2)之期間。
本實施形態中，第1期間包含從複數個照射區域S中最初之照射區域S之曝光開始起，至最後一個照射區域S之曝光結束為止之期間。控制裝置8從複數個照射區域S中最初之照射區域S之曝光開始起至最後一個照射區域S之曝光結束為止，持續實施吸引口24之流體吸引動作。
據此，在例如對複數個照射區域S依序照射曝光用光EL之第1期間之至少一部分中，於間隙Ga上形成液浸空間LS，即使該液浸空間LS之液體LQ透過間隙Ga流入間隙Ga，流入間隙Ga之液體LQ亦會在第1期間中立即被吸引口24(多孔構件80)吸引。此外，透過間隙Ga流入空間部23之液體LQ亦從吸引口24(多孔構件80)被吸引。
本實施形態中，第2期間包含對基板P之曝光用光EL之照射結束後之期間。本實施形態中，第2期間包含對複數個照射區域S之曝光用光EL之照射結束後之期間。換言之，第2期間包含複數個照射區域S中最後一個照射區域S之曝光後之期間。藉由於第2期間實施之吸引口24(多孔構件80)之吸引動作，即使在第1期間實施吸引口24(多孔構件80)之吸引動作亦無法將空間部23之液體LQ完全吸引(回收)，亦可藉由在該第2期間之吸引口24(多孔構件80)之吸引動作，從間隙Ga(空間部23)除去液體LQ。
又，本實施形態中，第2期間包含對基板P開始照射 曝光用光EL前之期間。本實施形態中，第2期間包含對複數個照射區域S開始照射曝光用光EL前之期間。換言之，第2期間包含複數個照射區域S中最初之照射區域S之曝光前之期間。藉由在第2期間實施吸引口24(多孔構件80)之吸引動作，可在從間隙Ga(空間部23)除去液體LQ後開始基板P之曝光。
本實施形態中，控制裝置8控制實施基板P之曝光之第1期間之至少一部分中之吸引口24(多孔構件80)之吸引力，較未實施基板P之曝光之第2期間中之吸引口24(多孔構件80)之吸引力小。亦即，控制裝置8控制在第1期間之至少一部分以第1吸引力從吸引口24吸引間隙Ga(空間部23)之流體，在第2期間則以較第1吸引力大之第2吸引力從吸引口24吸引間隙Ga(空間部23)之流體。換言之，控制裝置8控制在第1期間之至少一部分以每單位時間之第1流量從吸引口24(多孔構件80)吸引流體，而在第2期間則以較每單位時間之第1流量多之第2流量從吸引口24(多孔構件80)吸引流體。
本實施形態中，第2期間包含從待依序曝光之複數個基板P中第1基板P之曝光結束時(最後一個照射區域S之曝光結束時)至下一個第2基板P之曝光開始時(最初之照射區域S之曝光開始時)為止之至少一部分期間。
例如，第2期間可以是從第1基板P之曝光結束後(步驟ST2)至將該曝光後之第1基板P從第1保持部31搬出、並將曝光前之第2基板P搬入第1保持部31，該曝光前之 第2基板P之對準標記檢測開始(步驟ST7)為止之期間。亦即，本實施形態中，第2期間可以是從基板P之曝光結束(步驟ST2)至次一基板P之對準標記檢測為止(步驟ST7)之期間。
又，第2期間亦可以是對基板P之曝光用光EL之照射結束後(步驟ST2)，以第1保持部31保持曝光前基板P之基板載台2開始移動至曝光位置EP為止(步驟ST6)之期間。
又，第2期間亦可以是對基板P之曝光用光EL之照射結束後(步驟ST2)，將曝光前基板P搬入第1保持部31為止(步驟ST5)之期間。
又，第2期間亦可以是對基板P之曝光用光EL之照射結束後(步驟ST2)，將基板P從第1保持部31搬出為止(步驟ST4)之期間。
又，第2期間亦可以是對基板P之曝光用光EL之照射結束後(步驟ST2)，以第1保持部31保持該曝光後基板P之基板載台2開始移動至基板更換位置EP為止(步驟ST3)之期間。
又，第2期間亦可以是基板載台2被配置於基板更換位置RP之期間。此外，第2期間亦可以是基板P未被保持在第1保持部31之期間。基板P未被保持在第1保持部31之期間，包含從曝光後之基板P被從第1保持部31搬出(步驟ST4)至曝光前之基板P被搬入第1保持部31為止(步驟ST5)之期間(基板更換處理期間)。又，基板P未被保持在第1保持部31之期間不限於基板更換處理期間。
又，第2期間可以是步驟ST3~ST7之期間、步驟ST3~ST6之期間、步驟ST3~ST5之期間、步驟ST3~ST4之期間、步驟ST4~ST7之期間、或步驟ST4~ST6之期間。
本實施形態中，控制裝置8控制在基板P(複數個照射區域S)之曝光中從吸引口24(多孔構件80)以第1吸引力吸引流體，在對基板P之最後一個照射區域S之曝光用光EL之照射結束時(步驟ST2)，將吸引口24(多孔構件80)之吸引力從第1吸引力變更為第2吸引力。此場合，第2期間亦包含對基板P(複數個照射區域S)之曝光用光EL之照射結束後，於終端光學元件12及液浸構件7與基板P之上面及基板載台2之上面2U中至少一方之間形成有液浸空間LS之期間。
又，亦可在從液浸空間LS形成於基板載台2上之狀態變化成形成於測量載台3上之狀態時(例如步驟ST3)，將吸引口24(多孔構件80)之吸引力從第1吸引力變更為第2吸引力。此場合，曝光用光EL之照射結束後，在液浸空間LS形成於基板P之上面及基板載台2之上面2U中至少一方之上之期間中，從吸引口24(多孔構件80)以第1吸引力吸引流體。
當然，亦可在將曝光後之基板P從第1保持部31搬出時(步驟ST4)，將吸引口24(多孔構件80)之吸引力從第1吸引力變更為第2吸引力。
又，亦可在將曝光前之基板P搬入第1保持部31時(步驟ST5)，將吸引口24(多孔構件80)之吸引力從第2吸引力 變更為第1吸引力。
又，亦可在從液浸空間LS形成於測量載台3上之狀態變化成形成於基板載台2上之狀態時(例如步驟ST6)，將吸引口24(多孔構件80)之吸引力從第2吸引力變更為第1吸引力。
又，亦可在檢測基板P之對準標記時(步驟ST7)，將吸引口24(多孔構件80)之吸引力從第2吸引力變更為第1吸引力。
此外，亦可在對基板P之最初之照射區域S開始照射曝光用光EL時(步驟ST1)，將吸引口24(多孔構件80)之吸引力從第2吸引力變更為第1吸引力。
再者，本實施形態，例如可在對基板P(照射區域S)照射曝光用光EL之掃描曝光動作中實施吸引口24(多孔構件80)之流體吸引動作，而在不對基板P照射曝光用光EL之步進動作中停止吸引口24(多孔構件80)之流體吸引動作。當然，亦可在不對基板P照射曝光用光EL之步進動作中實施吸引口24(多孔構件80)之流體吸引動作，而在對基板P(照射區域S)照射曝光用光EL之掃描曝光動作中停止吸引口24(多孔構件80)之流體吸引動作。
此外，本實施形態，可在掃描曝光動作中從吸引口24(多孔構件80)以第1吸引力吸引流體，而於步進動作中從吸引口24(多孔構件80)以第2吸引力吸引流體。
如以上之說明，根據本實施形態，由於係設計成將流入間隙Ga之液體LQ透過至少一部分配置在間隙Ga之多 孔構件80加以回收，因此能抑制液體LQ之殘留。是以，能抑制曝光不良之發生、以及不良元件之產生。
又，本實施形態中，多孔構件80之上面80A對液體LQ為撥液性，因此能抑制液體LQ殘留於上面80A。
<第2實施形態>
其次，說明第2實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖8係顯示第2實施形態之基板載台200A之一例的圖。如圖8所示，本實施形態中，多孔構件80係配置成多孔構件80之第2側面80C與覆蓋構件T之內面Tc接觸。又，圖8所示例中，省略了支承構件82。當然，亦可於圖8所示例中配置支承構件82。
又，本實施形態中，基板載台200A具備調整多孔構件80之温度的温度調整裝置305。温度調整裝置305，例如包含帕耳帖元件。
本實施形態中，温度調整裝置305以和盒81接觸之方式配置。温度調整裝置305透過盒81調整多孔構件80之温度。温度調整裝置305亦能調整盒81之温度。
此外，温度調整裝置305亦可配置成與多孔構件80之至少一部分接觸。
又，温度調整裝置305亦可包含將經温度調整之流體(氣體及液體之一方或雙方)供應至例如盒81內部形成之流路的供應裝置。
又，本實施形態中，基板載台2具備調整覆蓋構件T之温度的温度調整裝置306。温度調整裝置306，例如包含帕耳帖元件。本實施形態中，温度調整裝置306以和覆蓋構件T之下面Tb接觸之方式配置。本實施形態中，温度調整裝置306係配置成在周壁部38與周壁部39間之空間32H，接觸覆蓋構件T之下面Tb。又，温度調整裝置306亦可不接觸覆蓋構件T。例如，温度調整裝置306可以和覆蓋構件T之下面Tb對向之方式配置於支承面32S。
此外，温度調整裝置306亦可包含例如將經温度調整之流體(氣體及液體之一方或雙方)供應至覆蓋構件T內部形成之流路的供應裝置。
又，亦可設置調整於第1實施形態說明之多孔構件80之温度的温度調整裝置、以及調整覆蓋構件T之温度的温度調整裝置。
又，上述實施形態中，於盒81之周圍可以沒有間隙。此外，亦可設置用以回收流入盒81周圍之間隙之液體LQ的回收口。
<第3實施形態>
其次，說明第3實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖9係顯示第3實施形態之基板載台200B之一例的圖。圖9中，多孔構件800B包含板片狀部分801B、板片狀部分802B、與棒狀部分803B。
部分801B於空間部23配置成面向間隙Ga。部分802B則於空間部23配置成面向吸引口24。部分803B配置在部分801B與部分802B之間。
本實施形態中，多孔構件800B未配置在間隙Ga。又，可將多孔構件800B(部分801B)之至少一部分配置於間隙Ga。
又，圖9所示例中，覆蓋構件T2之下面Tb之一部分之區域84B、及內面Tc之一部分之區域84C，對液體LQ為親液性。區域84B係相對開口Th(第1保持部31)之中心，較周壁部38為內側之區域。區域84C係包含內面Tc之下端、不包含上端之區域。區域84C之下端與區域84B連結。下面Tb之區域84B與多孔構件800B(部分801B)之上面對向。
本實施形態中，下面Tb(區域84B)與多孔構件800B(部分801B)之上面，隔著間隙對向。又，下面Tb(區域84B)與多孔構件800B(部分801B)之上面亦可以是接觸的。
本實施形態中，對液體LQ之區域84B、84C之接觸角例如小於90度。對液體LQ之區域84B、84C之接觸角，可以是例如80度以下、亦可以是70度以下。
本實施形態中，下面Tb之一部分及內面Tc之一部分塗有親液性之材料。亦即，於下面Tb之一部分及內面Tc之一部分，配置有包含親液性之材料。又，區域84B、84C可以是例如鈦的表面。
本實施形態中，對液體LQ之覆蓋構件T之內面Tc之 區域84C之接觸角，較覆蓋構件T之上面Ta之接觸角小。又，對液體LQ之覆蓋構件T之下面Tb之區域84B之接觸角，較覆蓋構件T之上面Ta之接觸角小。
又，本實施形態中，區域84C上方之內面Tc之區域84D，相對開口Th(第1保持部31)之中心朝外側向上方傾斜。
流入間隙Ga之液體LQ透過多孔構件80B加以回收。透過多孔構件800B回收之液體LQ之至少一部分係從吸引口24吸引。
如以上之說明，本實施形態，亦能回收流入間隙Ga之液體LQ，以抑制液體LQ之殘留。
<第4實施形態>
其次，說明第4實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖10係顯示第4實施形態之基板載台200C之一例的圖。圖10中，基板載台2具備對覆蓋構件T2賦予超音波之超音波產生裝置85。超音波產生裝置85包含例如壓電元件等之超音波產生元件。
又，本實施形態中，雖係將第3實施形態所說明之覆蓋構件T2保持於第2保持部32，但亦可是將第1、第2實施形態所說明之覆蓋構件T保持於第2保持部32。
超音波產生裝置85與覆蓋構件T2之至少一部分接觸。本實施形態中，超音波產生裝置85係配置成與覆蓋構 件T2之背面Tb接觸。
本實施形態中，超音波產生裝置85係配置在周壁部38與周壁部39間之空間32H，與背面Tb接觸。本實施形態中，第2保持部32具有配置在空間32H、用以支承超音波產生裝置85之支承部86。
於空間部23配置多孔構件800。本實施形態中，雖未於間隙Ga配置多孔構件800，但亦可將多孔構件800之至少一部分配於間隙Ga。
藉由超音波產生裝置85之作動，使覆蓋構件T2振動。由於覆蓋構件T2振動，存在於間隙Ga之液體LQ即順暢的移動至空間部23。例如於間隙Ga殘留有液體LQ之情形時，藉由覆蓋構件T2之振動，該液體LQ即掉落至空間部23。又，在例如液體LQ(例如液體LQ之滴)附著在覆蓋構件T2之內面Tc之情形時，藉由覆蓋構件T2之振動，附著在該內面Tc之液體LQ即掉落至空間部23。此外，在內面Tc與側面Pc之間存在液體LQ之界面之情形時，藉由覆蓋構件T2之振動，該液體LQ之界面即往空間部23移動。
從間隙Ga移動至空間部23之液體LQ，透過多孔構件800加以回收。
透過多孔構件800回收之液體LQ之至少一部分，從吸引口24加以吸引。
如以上之說明，本實施形態，亦能回收流入間隙Ga之液體LQ，以抑制液體LQ之殘留。
<第5實施形態>
其次，說明第5實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖11係顯示第5實施形態之基板載台200D之一例的圖。圖11中，基板載台200D，具備將基板P之下面Pb以可釋放之方式加以保持的第1保持部31與用以規定可配置基板P之開口Uh、具備在基板P被保持於第1保持部31之狀態下配置在基板P之上面Pa周圍之上面Ua的回收構件U。
本實施形態中，回收構件U配置在第1保持部31周圍之至少一部分。回收構件U之至少一部分配置成圍繞周壁部35。本實施形態中，回收構件U與周壁部35間形成間隙Gb。又，回收構件U與周壁部35之至少一部分可以是接觸的。
本實施形態中，回收構件U被支承於基板載台2之保持部87。保持部87將回收構件U以可釋放之方式加以保持。又，回收構件U與基板載台2可以是一體的。
本實施形態中，上面Ua與XY平面大致平行。上面Ua與上面Pa配置在同一平面內(成一面)。又，於Z軸方向之上面Ua之位置與上面Pa之位置可以不同。例如，上面Ua可以配置在上面Pa低之位置(-Z側之位置)、亦可以配置在較其高之位置(+Z側之位置)。
又，回收構件U具有被保持於第1保持部31之基板P之側面Pc可對向之內面Uc、與至少一部分與基板P之下面 Pb對向之對向面Ub。
本實施形態中，回收構件U之內面Uc與基板P之側面Pc間形成有間隙Ga。又，對向面Ub與基板P之下面Pb間形成有間隙Gc。亦即，回收構件U與基板P是分離的。
本實施形態中，上面Ua對液體LQ為撥液性。本實施形態中，對液體LQ之上面Ua之接觸角較內面Uc之接觸角大。又，對液體LQ之上面Ua之接觸角可以較內面Uc之接觸角小、亦可與內面Uc之接觸角大致相同。
回收構件U具有配置成與第1保持部31所保持之基板P之側面Pc對向的回收口88。回收口88回收流體(氣體及液體之至少一方)。
回收口88回收流入基板P與回收構件U間之間隙Ga之液體LQ之至少一部分。本實施形態中，回收口88係複數個配置在基板P之周圍。
回收構件U具有空間部89。空間部89形成在回收構件U之內部。
回收口88與空間部89之至少一部分連結。從回收口88回收之液體LQ，流過空間部89之至少一部分。
本實施形態中，回收構件U具有面向空間部89之吸引口90。本實施形態中，吸引口90形成在形成空間部89之回收構件U之內面之至少一部分。吸引口90吸引空間部89之流體之至少一部分，以使空間部89成為負壓。吸引口90能吸引空間部89之液體及氣體之一方或雙方。
吸引口90透過流路91與流體吸引裝置92連接。流體 吸引裝置92可將吸引口90連接於真空系統，可透過吸引口90吸引液體及氣體之一方或雙方。從吸引口90吸引之流體(液體及氣體之至少一方)透過流路91被吸引至流體吸引裝置92。
流入間隙Ga之液體LQ之至少一部分從回收口88加以回收。回收流入間隙Ga之液體LQ時，控制裝置8控制流體吸引裝置92，將吸引口90連接於真空系統。當空間部89之流體從吸引口90被吸引而空間部89成為負壓時，回收口88周圍之流體即從回收口88被回收。
藉由進行吸引口90之吸引動作，流入回收構件U之內面Uc與基板P之側面Pc之間之液體LQ，從回收口88被回收。亦即，回收構件U將流入內面Uc與側面Pc之間之液體LQ，從與基板P之側面Pc對向之回收口88加以回收。
如以上之說明，本實施形態，亦能回收流入間隙Ga之液體LQ，以抑制液體LQ之殘留。
又，如圖11所示，亦可設置用以調整回收構件U之温度的温度調整裝置93。例如，用以調整回收構件U之温度的帕耳帖元件，可以配置成與回收構件U接觸。
<第6實施形態>
其次，說明第6實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖12係顯示第6實施形態之基板載台200E之一例的圖。圖12中，基板載台200E，具備將基板P之下面Pb以 可釋放之方式加以保持的第1保持部31與用以規定可配置基板P之開口Th、具有在基板P被保持於第1保持部31之狀態下配置在基板P之上面Pa周圍之上面Ta的覆蓋構件T3。
本實施形態中，覆蓋構件T3包含多孔構件。覆蓋構件T3具有能與基板P之側面Pc對向之內面Tc。覆蓋構件T3配置在內面Tc，能從基板P之側面Pc對向之多孔構件之孔回收流入間隙Ga之液體LQ之至少一部分。
本實施形態中，覆蓋構件T3透過流路94與流體吸引裝置95連接。流體吸引裝置95可將覆蓋構件T3連接於真空系統。控制裝置8控制流體吸引裝置95，可藉由將覆蓋構件T3連接於真空系統，而從基板P之側面Pc對向之覆蓋構件T3之孔回收流入間隙Ga之液體LQ之至少一部分。
<第7實施形態>
其次，說明第7實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖13係顯示第7實施形態之基板載台200F之一例的圖。圖13中，基板載台200F，具備將基板P之下面Pb以可釋放之方式加以保持的第1保持部31與用以規定可配置基板P之開口Th、具有在基板P被保持於第1保持部31之狀態下配置在基板P之上面Pa周圍之上面Ta的覆蓋構件T。又，基板載台2具有連通至基板P與覆蓋構件T間之間隙Ga的空間部23。
本實施形態中，基板載台200F具備配置在空間部23、具有可回收流入間隙Ga之液體LQ之至少一部分之回收口95的回收構件100。
回收構件100，包含配置成至少一部分係面向間隙Ga之多孔構件97與支承多孔構件97、在與多孔構件97之間形成空間99之支承構件98。
多孔構件97為板片狀。多孔構件97具有至少一部分係面向間隙Ga之上面97A、朝向上面97A之相反方向而面向空間99之下面97B、以及將上面97A與下面97B加以連結之複數個孔97H。本實施形態中，回收口95包含孔97H之上端。
又，回收構件100具有面向空間99、對空間99供應液體LQ之供應口110、與回收空間99之液體LQ之回收口111。供應口110透過流路112與液體供應裝置113連接。回收口111透過流路114與液體回收裝置115連接。
本實施形態中，從回收口95實質上僅回收液體LQ，不回收氣體。
本實施形態中，從回收口95回收流入間隙Ga之液體LQ時，控制裝置8控制液體供應裝置113及液體回收裝置115之至少一方，將空間99以液體LQ充滿。又，控制裝置8調整上面97A側之壓力(腔室裝置103之空間102之壓力)與下面97B側之壓力(空間99之壓力)間之差，以從回收口95僅回收液體LQ而不回收氣體。控制裝置8可控制腔室裝置103(空調系統105)調整空間102之壓力。此外，控 制裝置8可控制液體供應裝置113及液體回收裝置115之至少一方，以調整空間99之壓力。控制裝置8調整空間102之壓力及空間99之壓力之至少一方，以從回收口95僅回收液體LQ而不回收氣體。控制裝置8，根據例如對液體LQ之孔97H內面之接觸角、以及液體LQ之表面張力等，調整空間102之壓力與空間99之壓力之差。透過多孔構件僅回收液體之技術，已揭露於例如美國專利第7292313號說明書等。
流入間隙Ga之液體LQ，透過多孔構件95加以回收。透過多孔構件95流入空間99之液體LQ之至少一部分，透過回收口111回收至液體回收裝置115。
如以上之說明，本實施形態，亦能回收流入間隙Ga之液體LQ，以抑制液體LQ之殘留。
又，圖13所示之孔構件97，係於金屬板片形成複數個孔97H據以形成。此外，亦可透過以例如圖14所示之藉燒結法形成之多孔構件116來回收液體LQ。圖14所示例中，亦可藉由調整空間99之壓力與空間102之壓力之差，據以透過多孔構件116僅回收液體LQ。
<第8實施形態>
其次，說明第8實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖15係顯示第8實施形態之基板載台200H之一例的圖。圖15中，基板載台200H，具備將基板P之下面Pb以 可釋放之方式加以保持的第1保持部31與用以規定可配置基板P之開口Th、具有在基板P被保持於第1保持部31之狀態下配置在基板P之上面Pa周圍之上面Ta的覆蓋構件T。又，基板載台200H具有連通至基板P與覆蓋構件T間之間隙Ga的空間部23。
本實施形態中，基板載台200H，具備配置於空間部23、具有可回收流入間隙Ga之液體LQ之至少一部分之回收口118的回收構件117。
回收構件117，具有配置成至少一部分面向間隙Ga之回收口118、與回收口118連結而形成在內部之空間119、以及面向空間119用以回收空間119之流體之回收口120。回收口120透過流路121與流體回收裝置122連接。
本實施形態中，從回收口118回收液體LQ及氣體。當然，亦可從回收口118僅回收液體LQ、或僅回收氣體。
從回收口118回收流入間隙Ga之液體LQ時，控制裝置8控制流體回收裝置122以使空間119成為負壓。據此，流入間隙Ga之液體LQ之至少一部分即被從回收口118回收。透過回收口118流入空間119之液體LQ之至少一部分，則透過回收口120回收至流體回收裝置122。此外，從回收口118流入空間119之氣體，亦透過回收口120回收至流體回收裝置122。
本實施形態中，基板載台200H具有調整回收構件117之温度的温度調整裝置123。温度調整裝置123，具有：具有供温度調整用流體流動之流路124的調溫構件125、與將 經温度調整之流體供應至流路124之供應裝置126。調溫構件125係配置成與回收構件117接觸。供應裝置126將例如經温度調整之液體供應至流路124。又，供應裝置126亦可以是將經温度調整之氣體供應至流路124。此外，流路124之流體可回到供應裝置126、亦可回收至與供應裝置126不同之其他裝置(例如回收裝置)。
又，温度調整裝置123可包含例如帕耳帖元件。例如，可將帕耳帖元件配置成與回收構件117接觸。
<第9實施形態>
其次，說明第9實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖16係顯示第9實施形態之基板載台200L之一例的圖。圖16中，基板載台200L，具備將基板P之下面Pb以可釋放之方式加以保持的第1保持部31與用以規定可配置基板P之開口Th、具有在基板P被保持於第1保持部31之狀態下配置在基板P之上面Pa周圍之上面Ta的覆蓋構件T10。又，基板載台200L具有連通至基板P與覆蓋構件T10間之間隙Ga之空間部23。於空間部23配置有多孔構件800L。多孔構件800L之至少一部分配置在間隙Ga之下方。流入間隙Ga之液體LQ之至少一部分係透過多孔構件800L加以回收。
本實施形態中，覆蓋構件T10，具有基板P之側面Pc可對向之第1內面Tc11與配置在第1內面Tc11下方、相 對第1保持部31較第1內面Tc11遠離之第2內面Tc12。
又，覆蓋構件T10具有與第1內面Tc11之下端連結、朝向上面Ta之相反方向之下面Tc13。第2內面Tc12與下面Tc13之外緣連結。下面Tc13與第2內面Tc12之上端連結。
本實施形態中，第1內面Tc11與第2內面Tc12實質上平行。第1內面Tc11及第2內面Tc12與終端光學元件12之光軸(Z軸)實質上平行。本實施形態中，上面Ta與下面Tc13實質上平行。
本實施形態中，第1內面Tc11及第2內面Tc12與上面Ta之法線實質上平行。
於上面Ta之法線方向(Z軸方向)，第1內面Tc11之尺寸H11較第2內面Tc12之尺寸H12小。尺寸H11包含上面Ta與下面Tc13間之距離。
多孔構件800L之上面800La之一部分隔著間隙與下面Tc13對向。
本實施形態中，上面800La係多孔構件800之上端。本實施形態中，上面800La係配置在較覆蓋構件T10之上面Ta之下方、較第1保持部31之保持面36S上方處。又，上面800La配置在較第1內面Tc11之下端下方、較第2內面Tc12之下端上方處。此外，如圖16所示，在基板P被保持於第1保持部31之狀態下，上面800La係配置在基板P與覆蓋構件T10之間。又，多孔構件800L外側面之至少一部分，隔著間隙與第2內面Tc12對向。此外，多孔構件 800L內側面之至少一部分與基板P之側面Pc對向。本實施形態中，多孔構件800L不與第1內面Tc11對向。
又，本實施形態中，亦可配置成多孔構件800L之至少一部分與第1內面Tc11對向。
根據本實施形態，例如基板載台200L以液浸空間LS從覆蓋構件T10之上面Ta移動至基板P之上面Pa之方式移動之情形時，可防止液體LQ殘留在間隙Ga近旁之覆蓋構件T10之上面Ta之現象、或防止液體LQ留在間隙Ga之現象(所謂架橋現象)。
又，如圖17所示，多孔構件800M之上面800Ma之一部分可與下面Tc13接觸。此外，如圖17所示，多孔構件800M之上面800Ma與下面Tc13可透過黏著劑800Mc加以黏著。又，多孔構件800M外側面之一部分可與第2內面Tc12接觸。
又，如圖17所示，多孔構件800M可具有角部800Mk。角部800Mk面向間隙Ga。又，下面Tc13之一部分亦可不與多孔構件800M對向。換言之，下面Tc13可具有與多孔構件800M對向之對向區域、與不對向之非對向區域。此外，亦可於下面Tc13之非對向區域與多孔構件800M(角部800Mk)之間形成有空間800Ms。
<第10實施形態>
其次，說明第10實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖18係顯示第10實施形態之基板載台200N之一例的圖。圖18中，基板載台200N，具備將基板P之下面Pb以可釋放之方式加以保持的第1保持部31與用以規定可配置基板P之開口Th、具有在基板P被保持於第1保持部31之狀態下配置在基板P之上面Pa周圍之上面Ta的覆蓋構件T11。又，基板載台200N具有連通至基板P與覆蓋構件T11間之間隙Ga之空間部23。於空間部23配置有多孔構件800N。流入間隙Ga之液體LQ之至少一部分透過多孔構件800N加以回收。
如圖18所示，基板P之側面Pc對向之覆蓋構件T11之內面Tc之至少一部分，係相對第1保持部31之中心朝外側向下方傾斜。
本實施形態中，藉由多孔構件800N將空間部23中之液體LQ與氣體Gs分離回收。本實施形態中，於多孔構件800N形成有主要是氣體Gs流通、而液體LQ之流通受到限制之流路127R。流路127R之一端與空間部23之氣體空間連接。流路127R之另一端與包含真空系統之流體吸引裝置127連接。流路127R之尺寸(直徑)較多孔構件800N之孔之尺寸大。
多孔構件800N透過流路128R與包含真空系統之流體吸引裝置128連接。流路128R之一端(上端)與多孔構件800N之下面連接。
空間部23之液體LQ流過與流路127R不同之多孔構件800R之內部流路，被回收至流體吸引裝置128。
從間隙Ga流入空間部23之液體LQ，接觸多孔構件800N之表面(上面等)。藉由流體吸引裝置128之作動，接觸於該多孔構件800N表面之液體LQ，透過多孔構件800N被回收至流體吸引裝置128。
又，藉由流體吸引裝置127之作動，空間部23之氣體Gs經由流路127R被回收至流體吸引裝置127。又，藉由流體吸引裝置127之作動，生成從間隙Ga之上側空間(上面Pa、Ta側之空間)流向空間部23之氣體Gs之流動。藉由該氣體Gs之流動，可將該液體LQ拉至空間部23，防止例如液體LQ停留於間隙Ga之現象(所謂架橋現象)。
又，於流路127R實質上僅氣體Gs流過，液體LQ並不流過，因此可抑制汽化熱之發生。
又，如圖19所示，亦可調整多孔構件800N下面側之壓力與上面側之壓力之差，以在連接於多孔構件800N下面之流路128Rb被液體LQ充滿之狀態下，透過多孔構件800N將液體LQ回收至流體吸引裝置128b。本實施形態中，多孔構件800N下面側之壓力可藉流體吸引裝置128b加以調整。多孔構件800N上面側之壓力可藉例如腔室裝置103(空調系統105)加以調整。又，透過多孔構件僅回收液體之技術例已揭露於例如美國專利第7292313號說明書等。
<第11實施形態>
其次，說明第11實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖20係顯示本實施形態之基板載台200J之一部分的側視剖面圖，圖21係從上側(+Z側)所視之基板載台200J之一部分的圖。圖20及圖21中，基板載台200J，具備將基板P以可釋放之方式加以保持的第1保持部31J、將覆蓋構件T以可釋放之方式加以保持的第2保持部32J、以及通至基板P之上面Pa與覆蓋構件T之上面Ta間之間隙Ga的空間部23。空間部23包含周壁部35周圍之空間。本實施形態中，空間部23包含周壁部35與周壁部38間之空間。
又，圖21顯示了第1保持部31J上沒有基板P、第2保持部32J上沒有覆蓋構件T之狀態。又，圖20及圖21所示例中，基板載台200J雖係具有第1實施形態所說明之多孔構件80，但亦可以是具有第2~第10實施形態中任一形態所說明之多孔構件(回收構件)。
第1保持部31J，具有配置在周壁部35內側、基板P之下面Pb可對向之周壁部43與將氣體供應至周壁部35與周壁部43間之空間部44的供氣口45。又，第1保持部31J具有排出空間部44之流體(液體及氣體之一方或雙方)之排出口46。
第1保持部31J之支承部36配置在周壁部43之內側。本實施形態，在基板P之下面Pb與周壁部43之上面對向之狀態下，於基板P之下面Pb與周壁部43與支承面31S之間形成空間31H。
如圖21所示，供氣口45係沿著周壁部43(周壁部35)配置有複數個。排出口46沿周壁部43(周壁部35)配置有複 數個。本實施形態中，於供氣口45之一方及另一側分別配置有排出口46。換言之，於2個排出口46之間配置有供氣口45。又，本實施形態中，於排出口46之一方及另一側分別配置有供氣口45。換言之，於2個供氣口45之間配置有排出口46。亦即，本實施形態中，於周壁部43周圍，複數個供氣口45與複數個排出口46係交互配置。當然，複數個供氣口45與複數個排出口46亦可以不是交互配置。例如，可於供氣口45之一側配置排出口46、於另一側配置供氣口45。例如，於排出口46之一側配置供氣口45、於另一側配置排出口46。
本實施形態中，供氣口45係透過流路與供氣裝置連接。供氣裝置，包含例如可送出氣體之泵、可調整所供應之氣體之温度的温度調整裝置、以及可除去所供應之氣體中之異物(雜質)之過濾裝置等。
本實施形態中，排出口46係透過流路與流體吸引裝置連接。流體吸引裝置，包含例如可吸引流體(氣體及液體之一方或雙方)之泵、以及將所吸引之氣體與液體加以分離之氣液分離裝置等。
連接於供氣口45之供氣裝置、及連接於排出口46之流體吸引裝置受控制裝置8控制。控制裝置8可控制從供氣口45之供氣動作及從排出口46之排氣動作(吸引動作)。藉由從供氣口45供應氣體、並從排出口46排出排氣(吸引)流體，如圖21所示，於空間部44生成氣流F。例如，於空間部44，氣體從供氣口45朝向排出口46流動。
如圖20所示，被保持於第1保持部31J之基板P與被保持於第2保持部32之覆蓋構件T之間形成間隙Ga。基板P之上面Pa及覆蓋構件T之上面Ta之至少一方面向之空間中存在之液體LQ(例如液浸空間LS之液體LQ)，有可能透過間隙Ga流入空間部23。
又，液體LQ有可能流入例如空間部44。例如，空間部23之液體LQ有可能通過基板P之下面Pb與周壁部35上面之間而流入空間部44。本實施形態中，排出口46可吸引空間部44之液體LQ。控制裝置8可控制實施排出口46之吸引動作，以從空間部44除去液體LQ。據此，液體LQ流入空間31H之情形即受到抑制。
<第12實施形態>
其次，說明第12實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖22係顯示第12實施形態之基板載台200K之一部分的圖。圖22係從上方所視之基板載台200K之周壁部35及周壁部38的圖。基板載台200K係例如第1實施形態所說明之基板載台2中省略多孔構件80之形態。
如圖22所示，於第1保持部31之周壁部35與第2保持部32之周壁部38之間配置吸引口24。吸引口24於第1保持部31周圍配置有複數個。
吸引口24之各個，可回收流入基板P與覆蓋構件T間之間隙Ga之液體LQ之至少一部分。圖22所示例中，並未 於空間部23配置多孔構件。
在液體LQ之液浸空間LS形成在終端光學元件12之射出面13側之狀態下，相對終端光學元件12，基板P及覆蓋構件T於XY平面內移動。例如，與上述實施形態同樣的，於基板P之曝光中，在液體LQ之液浸空間LS形成在終端光學元件12及液浸構件7與基板P及覆蓋構件T之至少一方之間的狀態下，相對終端光學元件12及液浸構件7，基板P及覆蓋構件T於XY平面內移動。
本實施形態，係根據相對液浸空間LS之間隙Ga之位置、以及相對液浸空間LS之間隙Ga之移動條件之一方或雙方，進行從複數個吸引口24中之部分之回收口24回收液體LQ。
圖23係用以說明本實施形態之曝光裝置EX之一動作例的示意圖。控制裝置8根據例如形成在基板P周圍之間隙Ga與液浸空間LS之位置關係，控制複數個吸引口24之吸引動作。
本實施形態中，基板P周圍之間隙Ga，分為例如第1部分AR1~第6部分AR6。控制裝置8，在間隙Ga中、例如第2部分AR2上有液浸空間LS時，即進行從第1保持部31周圍配置之複數個吸引口24中、配置在可吸引流入第2部分AR2之液體LQ之位置之吸引口24的吸引動作。本實施形態，係進行配置在緊臨第2部分AR2下方之吸引口24的吸引動作。另一方面，控制裝置8在第2部分AR2上有液浸空間LS時，並不進行從配置在第1保持部31周圍之 複數個吸引口24中、配置在可回收在流入第1、第3、第4、第5、第6部分AR1、AR3、AR4、AR5、AR6之液體LQ之位置之吸引口24的吸引動作。例如，在第2部分AR2上存在液浸空間LS時，停止配置在緊臨第1、第3、第4、第5、第6部分AR1、AR3、AR4、AR5、AR6下方之吸引口24的吸引動作。
又，控制裝置8，在間隙Ga中、例如於第4部分AR4上有液浸空間LS時，即進行配置在第1保持部31周圍之複數個吸引口24中、配置在可回收流入第4部分AR4之液體LQ之位置之吸引口24的吸引動作。
另一方面，控制裝置8在間隙Ga中、於第4部分AR4上有液浸空間LS時，並不進行配置在第1保持部31周圍之複數個吸引口24中、配置在可回收流入第1、第2、第3、第5、第6部分AR1、AR2、AR3、AR5、AR6之液體LQ之位置之吸引口24的吸引動作(停止)。
控制裝置8可根據例如干涉儀系統11之測量結果，求出在XY平面內之液浸空間LS與第1部分~第6部分AR1~AR6間之位置關係。
本實施形態中，基板載台200K之位置係以干涉儀系統11加以測量。干涉儀系統11，對基板載台200K所具有之干涉儀用之測量鏡2R照射檢測光，以求出該基板載台200K之位置。基板載台200K所具有之測量鏡2R與間隙Ga(第1部分AR1~第6部分AR6)間之位置關係為已知。因此，控制裝置8可根據干涉儀系統11之測量結果，求出在干涉儀 系統11之座標系內之間隙Ga(第1部分AR1~第6部分AR6)之位置。
又，本實施形態中，液浸空間LS之液體LQ之界面LG之位置為已知。此外，在終端光學元件12及液浸構件7與基板載台200K等物體間形成有液浸空間LS之狀態下物體移動時之界面LG之位置，亦為已知。例如，界面LG之位置，係根據包含從液浸構件7之供應口15之每單位時間之液體供應量、及從回收口16之每單位時間之液體回收量的液浸條件來加以決定。
又，界面LG之位置，係根據在形成液浸空間LS之狀態下之物體移動條件(移動速度、加速度、於某一方向之移動距離、及移動軌跡等)加以決定。
例如，根據液浸條件及移動條件之至少一方決定之界面LG之位置，可根據預備實驗或模擬求出。本實施形態中，控制裝置8包含記憶裝置8R，與根據液浸條件及移動條件之至少一方決定之界面LG之位置相關之資訊，儲存於記憶裝置8R。
因此，控制裝置8可根據干涉儀系統11之測量結果、與記憶裝置8R之儲存資訊，求出在干涉儀系統11之座標系內之間隙Ga(第1部分AR1~第6部分AR6)與液浸空間LS(界面LG)間之位置關係。
本實施形態中，控制裝置8根據間隙Ga(第1部分AR1~第6部分AR6)與界面LG間之位置關係，進行從複數個吸引口24中之部分吸引口24之吸引動作。例如，在第1 部分AR1上配置液浸空間LS之前一刻，控制裝置8及開始與原本停止吸引動作之第1部分AR1對應之吸引口24(例如，緊臨第1部分AR1下方之吸引口24)之吸引動作。
據此，例如在液浸空間LS配置在第1部分AR1上時，可將流入第1部分AR1之液體LQ之至少一部分從對應該第1部分AR1之吸引口24吸引。此外，緊接著在液浸空間LS通過第1部分AR1之上後，控制裝置8可停止與原本進行吸引動作之第1部分AR1對應之吸引口24之吸引動作。此外，控制裝置8亦可在液浸空間LS通過第2部分AR2~第6部分AR6各個之上時，實施同樣的控制。
又，本實施形態中，例如圖24所示，可於空間部23配置多孔構件80J。於多孔構件80J下方，配置有複數個參照圖22所說明之吸引口24。藉由複數個吸引口24中之部分吸引口24之吸引動作之進行，實施使用多孔構件80J中、配置在進行吸引動作之該吸引口24上方之多孔構件80J之一部分的液體回收動作。圖24所示例中，控制裝置8亦可根據相對液浸空間LS之間隙Ga之位置、以及相對液浸空間LS之間隙Ga之移動條件之一方或雙方，從多孔構件80J之一部分進行液體LS之回收。
此外，亦可在基板P周圍配置複數個參照圖4、圖8、圖11、圖12及圖20等所說明之配置成與基板P之側面Pc對向的回收口，根據相對液浸空間LS之間隙Ga之位置、以及相對液浸空間LS之間隙Ga之移動條件之一方或雙方，從該等複數個回收口中之部分回收口進行液體LQ之回 收。
又，本實施形態，係根據相對液浸空間LS之間隙Ga之位置、及相對液浸空間LS之間隙Ga之移動條件之一方或雙方，從複數個回收口24中之部分回收口24進行液體LQ之回收。但本實施形態，亦可根據例如相對終端光學元件12之間隙Ga之位置、及相對液浸空間LS之間隙Ga之移動條件之一方或雙方，從複數個回收口24中之部分回收口24進行液體LQ之回收。此外，亦可根據例如相對液浸構件7之間隙Ga之位置、及相對液浸構件7之間隙Ga之移動條件之一方或雙方，從複數個回收口24中之部分回收口24進行液體LQ之回收。
亦即，本實施形態，可將相對終端光學元件12之間隙Ga之位置，視為相對液浸空間LS之間隙Ga之位置，亦可將相對液浸構件7之間隙Ga之位置，視為相對液浸空間LS之間隙Ga之位置。又，亦可將相對終端光學元件12之間隙Ga之移動條件，視為相對液浸空間LS之間隙Ga之移動條件，將相對液浸構件7之間隙Ga之移動條件，視為相對液浸空間LS之間隙Ga之移動條件。
<第13實施形態>
其次，說明第13實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖25係顯示配置在基板P周圍之覆蓋構件T4之開口Tk之一例的示意圖。基板P可配置在覆蓋構件T4之開口 Tk。覆蓋構件T4之開口Tk，位在距第1保持部31中心之第1距離D1，包含被保持於第1保持部31之基板P之側面Pc可對向的第1區域A1與和第1區域A1相鄰配置、位在距第1保持部31中心較第1距離D1長之第2距離D2的第2區域A2。
本實施形態中，第2區域A2係於第1保持部31之周方向，與第1區域A1相鄰配置。換言之，第1區域A1與第2區域A2係在與終端光學元件12之光軸(Z軸)垂直之面內(XY平面內)彼此相鄰。
本實施形態中，第1保持部31之周方向包含周壁部35之周方向。又，本實施形態中，周壁部35之周方向包含周壁部38之周方向。本實施形態中，周壁部35於XY平面內為實質圓形(圓環狀)。周壁部38亦於XY平面內為實質圓形(圓環狀)。本實施形態中，周壁部35之中心與周壁部38之中心實質一致。換言之，周壁部35與周壁部38係配置成同心狀。
又，本實施形態中，基板P之外形(基板P之邊緣部Egp之形狀)為實質圓形。於XY平面內，第1保持部31之中心(周壁部35之中心)與被保持於該第1保持部31之基板P之中心，實質一致。本實施形態中，第1保持部31之周方向包含沿被保持於第1保持部31之基板P之邊緣部Egp的方向。當然，第1保持部31之中心與被保持於該第1保持部31之基板P之中心，可以不是一致的。
於被保持於第1保持部31之基板P之邊緣部Egp周 圍，配置覆蓋構件T4之邊緣部(內側邊緣部)Egt。又，覆蓋構件T4之上面Ta，係配置在被保持於第1保持部31之基板P之上面周圍。覆蓋構件T4之開口Tk以覆蓋構件T4之邊緣部Egt加以規定。此外，邊緣部Egt規定覆蓋構件T4之上面Ta之緣(內緣)之至少一部分。
覆蓋構件T4之邊緣部Egt係配置在第1保持部31之周圍。於基板P之邊緣部Egp與覆蓋構件T4之邊緣部Egt之間，沿第1保持部31之周方向形成間隙。基板P之邊緣部Egp與覆蓋構件T4之邊緣部Egt，隔著間隙對向。
覆蓋構件T4之邊緣部Egt，係以保持於第1保持部31之基板P之邊緣部Egp沿此之方式延伸於第1保持部31之周方向。
又，開口Tk包含將第1區域A1與第2區域A2加以連結之第3區域A3。
本實施形態中，第1~第3區域A1~A3包含由覆蓋構件T4之上面Ta與內面Tc形成之角部之至少一部分。又，第1~第3區域A1~A3可包含覆蓋構件T4之上面Ta之至少一部分、亦可包含內面Tc之至少一部分。
第1區域A1與第2區域A2於第1保持部31之周方向交互配置。亦即，開口Tk具有複數個於第1保持部31之周方向交互配置、相對第1保持部31中心突出之凸部Tka與相對第1保持部31中心陷入之凹部Tkb。本實施形態中，第1區域A1於XY平面內為曲面(曲線)。第2區域A2於XY平面內為曲面(曲線)。
亦即，本實施形態中，覆蓋構件T4之邊緣部Egt，包含沿第1保持部31之周方向形成之複數個凸部Tka。凸部Tka包含第1區域A1。凹部Tkb包含第2區域A2。複數個凸部Tka包含於第1保持部31之周方向彼相鄰之第1凸部Tka及第2凸部Tka。本實施形態中，覆蓋構件T4之上面Ta包含凸部Tka之上面。
又，本實施形態中，於相對第1保持部31中心之放射方向之第1區域A1與第2區域A2間之距離Da，與於第1保持部31周方向彼此相鄰之第1區域A1之距離R1大致相同。又，距離Da與於第1保持部31周方向彼此相鄰之第2區域A2之距離R2大致相同。當然，距離Da可以較距離R1長。再者，距離Da亦可較距離R2長。
又，本實施形態中，複數個凸部Tka係沿第1保持部31之周方向以一定間隔配置。於第1保持部31之周方向彼此相鄰之第1凸部Tka與第2凸部Tka於第1保持部31周方向之距離R1，與第2凸部Tka與第3凸部Tka於第1保持部31周方向之距離R1實質相等。
本實施形態中，例如基板載台2以液浸空間LS從覆蓋構件T4之上面Ta往基板P之上面Pa移動之方移動時，液浸空間LS之液體LQ例如殘留於基板P上之情形受到抑制。
圖26係顯示比較例的示意圖。圖26中，覆蓋構件Tj之開口係沿基板P外形之形狀。例如，當基板載台2以液浸空間LS從覆蓋構件Tj上移至基板P上之方式往-Y方向移動時，液浸空間LS，即從圖26(A)所示狀態、經圖26(B) 所示狀態，變化成圖26(C)所示狀態。圖26(A)係顯示由於基板載台2往-Y方向之移動，而液浸空間LS從覆蓋構件Tj上往基板P上之移動結束前一刻之狀態。圖26(B)係顯示基板載台2從圖26(A)所示狀態進一步往-Y方向移動之狀態。圖26(C)則係顯示基板載台2從圖22(B)所示狀態進一步往-Y方向移動之狀態。
如圖26(C)所示，由於液浸空間LS從覆蓋構件Tj上移至基板P上，因此液浸空間LS之液體LQ之一部分有可能被拉長、斷開而成為滴狀殘留在基板P上。
本案發明人發現，液體LQ殘留在基板P上之原因之一，係配置在基板P周圍之覆蓋構件之形狀。例如，液浸空間LS以通過間隙Ga上之方式從覆蓋構件上往基板P上移動時，液浸空間LS之液體LQ會視覆蓋構件之形狀(間隙Ga之形狀)流動。本案發明人發現，藉由調整覆蓋構件之形狀，可使液體LQ以不會殘留在基板P上之方式流動。亦即，本案發明人發現，藉由對與基板P形成間隙Ga之覆蓋構件之內側邊緣形狀進行改善，可使得液浸空間LS從覆蓋構件上往基板P上移動時，液體LQ易於從覆蓋構件分離，而能抑制殘留在基板P上。
以下說明中，將基板載台2於XY平面內往第1方向(例如-Y方向)移動之情形時，液浸空間LS之液體LQ之界面LG中相對終端光學元件12之光軸於第1方向側(例如-Y側)之界面LGb，適當的稱為後側界面LGb。
例如，當液體LQ因接觸之物體之幾何學上形狀之急激 變化而使得後側界面LGb之形狀變化，液體LQ會顯示停留在物體之舉動，其結果，即有可能產生完工在物體上之現象。圖26所示例中，液浸空間LS依序移動於覆蓋構件Tj上、間隙Ga上及基板P上，由於間隙Ga之存在，於覆蓋構件Tj與基板P急激產生幾何學上之形狀變化。由於該幾何學上之形狀變化，液浸空間LS之液體LQ之流動即有可能產生液體LQ之至少一部分殘留在基板P上之情形。
圖27係以示意方式顯示本實施形態之後側界面LGb近旁之液體LQ之流動的圖。
例如，在基板載台2以液浸空間LS從覆蓋構件T4上移動至基板P上之方式往+Y方向移動之情形時，於後側界面LGb近旁，液浸空間LS之液體LQ之至少一部分，有可能往圖27中、以箭頭fr所示方向流動。亦即，液浸空間LS之液體LQ之至少一部分會沿第3區域A3，從第2區域(凹部)A2朝向第1區域(凸部)A1流動。
本實施形態中，沿第3區域A3之方向，與液浸空間LS與基板載台2之相對移動方向(此處為Y軸方向)大致一致。亦即，液浸空間LS從覆蓋構件T4上移動至基板P上時，液浸空間LS與基板載台2之相對移動方向(Y軸方向)與在後側界面LGb近旁之液體LQ之流動方向(沿第3區域A3之方向)大致一致。因此，根據本實施形態的話，後側界面LGb近旁之液體LQ朝第1區域A1(凸部Tka)流動，液浸空間LS之液體LQ在從覆蓋構件T4分離之前一刻，液浸空間LS之液體LQ不與覆蓋構件T4之第2區域A2及第 3區域A3接觸之可能性變高，而不會殘留在基板P上。亦即，後側界面LGb在從覆蓋構件T4移動至基板P上時，可藉由形成在覆蓋構件T4之微細形狀，得到減輕覆蓋構件T4與液浸空間LS之液體LQ之接觸面積的效果。據此，後側界面LGb即能從覆蓋構件順利的離開，液體LQ殘留在基板P上面之情形受到抑制。
如以上之說明，根據本實施形態，例如基板載台2以液浸空間LS從覆蓋構件T4上移動至基板P上之方式移動之場合，能抑制基板P上液體LQ之殘留。因此，能抑制曝光不良之發生、以及不良元件之產生。
又，本實施形態中，例如圖28所示之覆蓋構件T5般，於相對第1保持部31中心之放射方向之第1區域A1(凸部)與第2區域A2(凹部)間之距離Da，可較相對第1保持部31周方向之彼此相鄰之第1區域A1之距離R1短、亦可較彼此相鄰之第2區域A2之距離R2短。
又，亦可如圖29所示之覆蓋構件T6般，第1區域A1(凸部)及第2區域A2(凹部)具有角部。
此外，亦可如圖30所示之覆蓋構件T7般，第1區域A1與第3區域A3大致直角相交、第2區域A2與第3區域A3大致直角相交。圖30所示例中，第3區域A3之尺寸可以較第1區域A1(第2區域A2)之尺寸小。
又，亦可如圖31所示之覆蓋構件T12般，在第1區域A1與第3區域A3大致直角相交、第2區域A2與第3區域A3大致直角相交之情形時，第3區域A3之尺寸較第1區 域A1(第2區域A2)之尺寸大。亦即，於第1保持部31周方向之第1區域A1之尺寸W1，可較相對第1保持部31中心之放射方向之第1區域A1與第2區域A2間之距離Da小。此外，於第1保持部31周方向之第2區域A2之尺寸W2，可以較相對第1保持部31中心之放射方向之第1區域A1與第2區域A2間之距離Da小。
又，於第1保持部31周方向彼此相鄰之第1區域A1之距離R1，可以較距離Da小。又，於第1保持部31周方向彼此相鄰之第2區域A2之距離R2可以較距離Da小。
又，亦可如圖32所示之覆蓋構件T13般，配置在第1區域A1兩側之第3區域A3a與第3區域A3b間之距離，朝向第1區域A1慢慢的變小。
又，亦可如圖33所示之覆蓋構件T14般，配置在第1區域A1兩側之第3區域A3c與第3區域A3d之至少一部分平行。
<第14實施形態>
其次，說明第14實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖34係顯示本實施形態之覆蓋構件T8之一例的剖面圖。如圖34所示，基板P之側面Pc對向之覆蓋構件T8之內面Tc之至少一部分，係相對第1保持部31中心朝外側向上方傾斜。
本實施形態中，覆蓋構件T8之內面Tc，包含第1內面 Tc1與配置在第1內面Tc1上方、基板P之側面Pc之至少一部分與之對向、下端與第1內面Tc1連結而上端與覆蓋構件T8之上面Ta連結之第2內面Tc2。
第1內面Tc1與第2內面Tc2非平行。於覆蓋構件T8之上面Ta之法線方向(Z軸方向)，第2內面Tc2之尺寸H2較第1內面Tc1之尺寸H1大。本實施形態中，第2內面Tc2係相對第1保持部31中心朝外側向上方傾斜。本實施形態中，第1內面Tc1與Z軸大致平行。
又，第1內面Tc1之下端與覆蓋構件T8之下面Tb連結。本實施形態中，覆蓋構件T8之上面Ta與下面Tb大致平行。此外，上面Ta與XY平面大致平行。
本實施形態中，於Y軸方向(相對第1保持部31中心之放射方向)之第2內面Tc2之尺寸E2，較於Z軸方向之第2內面Tc2之尺寸H2大。又，第2內面Tc2相對XY平面之角度，例如為10度~45度。
圖35係顯示液浸空間LS從覆蓋構件T8上往基板P上移動之狀態之一例的圖。液浸空間LS，從圖35(A)所示之狀態、經圖35(B)所示狀態，變化至圖35(C)所示狀態。圖35顯示基板載台2以液浸空間LS從覆蓋構件T8上往基板P上移動之方式往+Y方向移動之狀態之一例。
圖35(A)顯示液浸空間LS之後側界面LGb位於覆蓋構件T8上之狀態。圖35(B)顯示後側界面LGb從覆蓋構件T8上往基板P上移動之狀態。圖35(C)顯示後側界面LGb位於基板P上之狀態。
由於覆蓋構件T8具有包含傾斜之第2內面Tc2的內面Tc，因此在基板載台2以液浸空間LS從覆蓋構件T8上往基板P上移動之方式移動時，液浸空間LS之液體LQ殘留在基板P上之情形即受到抑制。
例如圖35(A)所示，後側界面LGb之下端位於第2內面Tc2時，後側界面LGb與第2內面Tc2所成角度接近90度。亦即，覆蓋構件T8上形成液體LQ之薄膜之情形受到抑制。本實施形態中，後側界面LGb在第2內面Tc2上移動時，如後側界面LGb與第2內面Tc2所成角度為接近90度之值所示，換言之，為避免在第2內面Tc2上形成液體LQ之薄膜，調整了第2內面Tc2之尺寸H2、尺寸E2、及對XY平面之角度等。
如圖35(B)所示，在後側界面LGb之下端從覆蓋構件T8之第2內面Tc2移動至基板P之上面Pa之後一刻，後側界面LGb與上面Pa所成角度接近90度。亦即，在基板P上形成液體LQ之薄膜之情形受到抑制。本實施形態中，在後側界面LGb從第2內面Tc2上移動至基板P之上面Pa上時，如後側界面LGb與上面Pa所成角度接近90度之值所示，換言之，為避免上面Pa上形成液體LQ之薄膜，調整了第2內面Tc2之尺寸H2、尺寸E2、及對XY平面之角度等。
如圖35(C)所示，在後側界面LGb之下端位於基板P之上面Pa時，後側界面LGb與基板P之上面Pa所成角度接近90度。亦即，基板P上形成液體LQ之薄膜之情形受 到抑制。
圖36中顯示了比較例。圖36中，覆蓋構件Tj具有內面Tc。內面Tc與Z軸大致平行。
圖36(A)~圖36(C)係顯示基板載台2以液浸空間LS從覆蓋構件Tj上往基板P上移動之方式往+Y方向移動之狀態之一例的圖。液浸空間LS從圖36(A)所示狀態、經圖36(B)所示狀態變化為圖36(C)所示狀態。
圖36(A)顯示液浸空間LS之後側界面LGb位於覆蓋構件Tj上之狀態。圖36(B)顯示後側界面LGb從覆蓋構件Tj上往基板P上移動之狀態。圖36(C)則顯示後側界面LGb位於基板P上之狀態。
如圖36(A)所示，後側界面LGb之下端位於上面Ta之邊緣時，後側界面LGb與上面Ta所成之角度小。如圖36(B)所示，後側界面LGb之下端從覆蓋構件Tj之上面Ta移至基板P之上面Pa之後一刻，後側界面LGb與上面Pa所成之角度亦小。亦即，基板P上形成液體LQ之薄膜之可能性變高。其結果，如圖36(C)所示，基板P上殘留液體LQ之可能性變高。
如以上之說明，根據本實施形態，由於內面Tc包含傾斜之第2內面Tc2，因此在液浸空間LS從覆蓋構件T8上移基板P上時，液體LQ薄膜化之情形受到抑制。因此，液體LQ殘留在基板P上等之情況受到抑制。
此外，例如參照圖25、圖28~圖33等所說明之覆蓋構件之凸部，亦可具有參照圖34等所說明之第2內面Tc2。 亦即，覆蓋構件T之凸部可具有從其前端部往離開第1保持部31之方向、且向上方傾斜之上面。
又，如圖37所示，基板P之側面Pc對向之覆蓋構件T15之內面Tc之至少一部分，可相對第1保持部31之中心朝外側向下方傾斜。圖37中，覆蓋構件T15之面Tc，包含第1內面Tc14與配置在第1內面Tc14下方、基板P之側面Pc之至少一部分與之對向、上端與第1內面Tc14連結而下端與覆蓋構件T15之下面Tb連結之第2內面Tc15。
第1內面Tc14與第2內面Tc15非平行。於覆蓋構件T15之上面Ta之法線方向(Z軸方向)，第2內面Tc15之尺寸H15較第1內面Tc14之尺寸H14大。圖37所示例中，第2內面Tc15相對第1保持部31之中心朝外側向下方傾斜。第1內面Tc14與Z軸大致平行。
又，第1內面Tc14之上端與覆蓋構件T15之上面Ta連結。覆蓋構件T15之上面Ta與下面Tb大致平行。此外，上面Ta與XY平面大致平行。
於Y軸方向(相對第1保持部31中心之放射方向)之第2內面Tc15之尺寸E15，較於Z軸方向之第2內面Tc15之尺寸H15大。又，相對XY平面之第2內面Tc15之角度例如為10度~45度。
於圖37所示之覆蓋構件T15中，液體LQ之殘留等亦受到抑制。
此外，如圖38所示，亦可於第1內面Tc14設置複數個凸部130。藉由凸部130，調整對液體LQ之第1內面Tc14 之接觸角。
又，例如參照圖25、圖28~圖33等所說明之覆蓋構件之凸部，可具有參照圖37等所說明之第2內面Tc15。亦即，覆蓋構件T之凸部可具有從其前端部往離開第1保持部31之方向、且向下方傾斜之下面。
又，亦可於參照例如圖25、圖28~圖33等所說明之於覆蓋構件之凸部，設置參照圖38等所說明之凸部130。
<第15實施形態>
其次，說明第15實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖39係顯示本實施形態之覆蓋構件T16之一例的剖面圖。如圖39所示，基板P之側面Pc對向之覆蓋構件T16之內面Tc之一部分，係相對第1保持部31之中心往外側上方傾斜，一部分則往下方傾斜。
本實施形態中，覆蓋構件T16之內面Tc，包含至少一部分對向於基板P之側面Pc的第1內面Tc16與配置在第1內面Tc16之下方、基板P之側面Pc之至少一部分對向的第2內面Tc17。
第1內面Tc16之上端與覆蓋構件T16之上面Ta連結。第1內面Tc16之下端與第2內面Tc17之上端連結。第2內面Tc17之下端與覆蓋構件T16之下面Tb連結。
第1內面Tc16與第2內面Tc17非平行。於覆蓋構件T16之上面Ta之法線方向(Z軸方向)，第2內面Tc17之尺 寸H17較第1內面Tc16之尺寸H16大。本實施形態中，第1內面Tc16相對第1保持部31之中心朝外側向上方傾斜。第2內面Tc17相對第1保持部31之中心朝外側向下方傾斜。
覆蓋構件T16之上面Ta與下面Tb大致平行。又，上面Ta與XY平面大致平行。
本實施形態中，於Y軸方向(相對第1保持部31中心之放射方向)之第2內面Tc17之尺寸E17，較於Z軸方向之第2內面Tc17之尺寸H17大。又，相對XY平面之第2內面Tc17之角度，例如為10度~45度。此外，第1內面Tc16與第2內面Tc17所成角度θc為銳角。第1內面Tc16與第2內面Tc17形成之角部是尖的。
本實施形態，亦能抑制液體LQ之殘留等。
又，例如參照圖25、圖28~圖33等所說明之覆蓋構件之凸部，可具有參照圖39等所說明之第1內面Tc16及第2內面Tc17。亦即，覆蓋構件T之凸部可具有從其前端部往離開第1保持部31之方向、且向下方傾斜的下面與向上方傾斜的上面。
<第16實施形態>
其次，說明第16實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖40及圖41係顯示本實施形態之曝光裝置EX2之一例的圖。本實施形態之曝光裝置EX2，具備例如美國專利 申請公開第2007/0288121號所揭示之使用基板載台200G具有之標尺構件GT來測量該基板載台200G之位置的編碼器系統600。標尺構件GT具有作為測量基板載台200G之位置之測量構件的功能。圖40係顯示編碼器系統600之圖，圖41則係顯示基板載台200G及測量載台3之圖。
圖41中，基板載台200G，具有將基板P之下面以可釋放之方式加以保持的第1保持部31、配置在第1保持部31周圍之至少一部分且可形成液浸空間LS的標尺構件GT、以及與標尺構件GT鄰接設置且具有可形成液浸空間LS之上面的覆蓋構件T9。本實施形態中，覆蓋構件T9配置在被保持於第1保持部31之基板P之周圍。標尺構件GT配置在覆蓋構件T9之周圍。又，亦可以是標尺構件GT配置在被保持於第1保持部31之基板P之周圍，而覆蓋構件T9配置在標尺構件GT之周圍。標尺構件GT具有以編碼器系統600之編碼器讀頭測量之格子。覆蓋構件T9不具有格子。
本實施形態中，標尺構件GT與覆蓋構件T9之間形成有間隙Gm。
此外，如圖41所示，於測量載台3，測量構件C與覆蓋構件Q之間形成有間隙Gn。
覆蓋構件T9，具有終端光學元件12可對向的上面、與用以規定該上面之緣(外緣)之至少一部分的邊緣部Eg9。標尺構件GT，具有終端光學元件12可對向的上面、與用以規定該上面之緣(內緣)之至少一部分的邊緣部Egg。覆蓋構件T9之上面與標尺構件GT之上面係隔著間隙Gm並置。 標尺構件GT之上面配置在覆蓋構件T9之上面周圍。
藉由基板載台200G之移動，覆蓋構件T9及標尺構件GT即在終端光學元件12之下方移動。覆蓋構件T9以該覆蓋構件T9上面之至少一部分與液浸空間LS之液體LQ接觸之方式，在終端光學元件12之下方移動。標尺構件GT以該標尺構件GT上面之至少一部分與液浸空間LS之液體LQ接觸之方式，在終端光學元件12之下方移動。
覆蓋構件Q，具有終端光學元件12可對向的上面、與用以規定該上面之緣(內緣)之至少一部分的邊緣部Egq。測量構件C，具有終端光學元件12可對向的上面、與用以規定該上面之緣(外緣)之至少一部分的邊緣部Egc。覆蓋構件Q之上面與測量構件C之上面隔著間隙Gn並置。
覆蓋構件Q之上面配置在測量構件C之上面周圍。
藉由測量載台3之移動，覆蓋構件Q及測量構件C即在終端光學元件12之下方移動。覆蓋構件Q以該覆蓋構件Q之上面之至少一部分與液浸空間LS之液體LQ接觸之方式，在終端光學元件12之下方移動。測量構件C以該測量構件C之上面之至少一部分與液浸空間LS之液體LQ接觸之方式，在終端光學元件12之下方移動。
圖42係顯示標尺構件GT與覆蓋構件T9間之間隙Gm近旁的側視剖面圖。間隙Gm，包含標尺構件GT之邊緣部Egg與覆蓋構件T9之邊緣部Eg9間之間隙。圖42中，基板載台200G，具有至少一部分係配置在標尺構件GT與覆蓋構件T9間之間隙Gm、具有對液體LQ為撥液性之上面 的多孔構件80G。回收至多孔構件80G之液體LQ，透過吸引口24G及流路25G被吸引至流體吸引裝置26G。
此外，亦可於測量載台3，在測量構件C與覆蓋構件Q間之間隙Gn，配置具有對液體LQ為撥液性之上面的多孔構件，透過該多孔構件來回收流入間隙Gn之液體LQ之至少一部分。又，間隙Gn，包含測量構件C之邊緣部Egc與覆蓋構件Q之邊緣部Egq間之間隙。
又，亦可如圖43所示，從配置成與標尺構件GT之側面對向之回收口700，回收流入間隙Gm之液體LQ之至少一部分。圖43所示例中，係於覆蓋構件T9配置回收口700。此外，亦可從配置成與覆蓋構件T9之側面對向之回收口，回收流入間隙Gm之液體LQ之至少一部分。該回收口可配置於標尺構件GT。
又，於測量載台3，亦可從配置成與測量構件C之側面對向之回收口，回收流入間隙Gn之液體LQ之至少一部分。該回收口可配置於覆蓋構件Q。此外，亦可從配置成與覆蓋構件Q之側面對向之回收口，回收流入間隙Gn之液體LQ之至少一部分。
該回收口可配置於測量構件C。
又，如圖44所示，與標尺構件GT之間形成間隙Gm之覆蓋構件T9之側面(邊緣部Eg9)，可包含位於距標尺構件GT中心之第1距離、標尺構件GT之側面可對向的第1區域Ag1與和第1區域Ag1相鄰配置、位於距標尺構件GT中心較第1距離長之第2距離的第2區域Ag2。
如圖41等所示，本實施形態中，在XY平面內之標尺構件GT之邊緣部Egg之外形，為實質四方形。邊緣部Egg包含延伸於X軸方向之部分與延伸於Y軸方向之部分。延伸於X軸方向之部分係與X軸平行之直線。延伸於Y軸方向之部分係與Y軸平行之直線。
又，覆蓋構件T9之邊緣部Eg9亦包含延伸於X軸方向之部分與延伸於Y軸方向之部分。
圖44中，第1區域Ag1與第2區域Ag2於X軸方向交互配置。亦即，覆蓋構件T9，包含複數個於沿著標尺構件GT之邊緣部Egg之X軸方向交互配置、相對標尺構件GT突出之凸部Tma與相對標尺構件GT陷入之凹部Tmb。本實施形態中，第1區域Ag1於XY平面內為曲面(曲線)。第2區域Ag2於XY平面內為曲面(曲線)。
亦即，本實施形態中，覆蓋構件T9之邊緣部Eg9包含沿X軸方向形成之複數個凸部Tma。凸部Tma包含第1區域Ag1。凹部Tmb包含第2區域Ag2。複數個凸部Tma包含於X軸方向彼此相鄰之第1凸部Tma及第2凸部Tma。本實施形態中，覆蓋構件T9之上面包含凸部Tma之上面。
本實施形態中，複數個凸部Tma係沿X軸方向以一定間隔配置。
於X軸方向彼此相鄰之第1凸部Tma與第2凸部Tma間於X軸方向之距離，和第2凸部Tma與第3凸部Tma間於X軸方向之距離實質相等。
又，圖44雖係顯示凸部Tma於X軸方向之配置例，但 於Y軸方向亦同。
此外，與覆蓋構件T9之間形成間隙Gm之標尺構件GT之側面，可包含位於距覆蓋構件T9中心之第1距離且覆蓋構件T9之側面可對向的第1區域與和第1區域相鄰配置且位於較距覆蓋構件T9中心之第1距離長之第2距離的第2區域。亦即，可於標尺構件GT之邊緣部Egg於X軸方向(Y軸方向)配置複數個凸部。
又，於測量載台3，與測量構件C之間形成間隙Gn之覆蓋構件Q之側面，可包含位於距測量構件C中心之第1距離且測量構件C之側面可對向的第1區域與和第1區域相鄰配置且位於較距測量構件C中心之第1距離長之第2距離的第2區域。亦即，可於覆蓋構件Q之邊緣部Egq配置複數個凸部。覆蓋構件Q之凸部，可在配置測量構件C之覆蓋構件Q之開口中心之周方向配置複數個配置。
又，在與覆蓋構件Q之間形成間隙Gn之測量構件C之側面，可包含位於距測量構件C中心之第1距離且測量構件C之側面可對向的第1區域與和第1區域相鄰配置且位於較距測量構件C中心之第1距離長之第2距離的第2區域。亦即，可於測量構件C之邊緣部Egc配置複數個凸部。
測量構件C之凸部可於測量構件C之中心之周方向配置複數個。
此外，如圖45所示，覆蓋構件T9之內面可包含第1內面Tcg1與配置在第1內面Tcg1之上方、標尺構件GT側 面之至少一部分與之對向、下端與第1內面Tcg1連結且上端與覆蓋構件T9之上面連結之第2內面Tcg2。第1內面Tcg1與前述第2內面Tcg2非平行，於覆蓋構件T9上面之法線方向，第2內面Tcg2之尺寸較第1內面Tcg1之尺寸大，至少第2內面Tcg2可以是相對標尺構件GT之中心朝外側向上方傾斜。
又，標尺構件GT之內面，可包含第1內面與配置在第1內面上方、覆蓋構件T9側面之至少一部分與之對向、下端與第1內面連結且上端與標尺構件GT之上面連結的第2內面。第1內面與前述第2內面非平行，於標尺構件GT上面之法線方向，第2內面之尺寸較第1內面之尺寸大，至少第2內面可相對覆蓋構件T9之中心朝外側向上方傾斜。
又，於測量載台3，覆蓋構件Q之內面，可包含第1內面與配置在第1內面上方、測量構件C側面之至少一部分與之對向、下端與第1內面連結且上端與覆蓋構件Q之上面連結的第2內面。第1內面與前述第2內面非平行，於覆蓋構件Q上面之法線方向，第2內面之尺寸較第1內面之尺寸大，至少第2內面可相對測量構件C之中心朝外側向上方傾斜。
又，測量構件C之內面，可包含第1內面與配置在第1內面上方、覆蓋構件Q側面之至少一部分與之對向、下端與第1內面連結且上端與測量構件C之上面連結的第2內面。第1內面與前述第2內面非平行，於測量構件C上面之法線方向，第2內面之尺寸較第1內面之尺寸大，至少 第2內面可相對覆蓋構件Q之中心朝外側向上方傾斜。
又，上述覆蓋構件之所有形狀(構造)，皆可適用於標尺構件GT、測量構件C及覆蓋構件Q等。
又，參照例如圖44等所說明之覆蓋構件T9之凸部，可具有參照圖45等所說明之第1內面Tcg1及第2內面Tcg2。亦即，覆蓋構件T9之凸部可具有從其前端部往離開第1保持部31之方向、且向上方傾斜之上面。
又，覆蓋構件T9之凸部可具有從其前端部往離開第1保持部31之方向、且向下方傾斜之下面。
又，標尺構件GT之凸部可具有從其前端部往離開第1保持部31之方向、且向上方傾斜之上面。
又，標尺構件GT之凸部可具有從其前端部往離開第1保持部31之方向、且向下方傾斜之下面。
又，亦可設置複數個可回收流入標尺構件GT與覆蓋構件T9間之間隙Gm之液體LQ之至少一部分的回收口。例如，可以圍繞第1保持部31之方式設置複數個回收口。可在終端光學元件12之射出面13側形成有液浸空間LS之狀態下，標尺構件GT及覆蓋構件T9移動時，根據相對液浸空間LS(終端光學元件12、液浸構件7)之間隙Gm之位置、及相對液浸空間LS(終端光學元件12、液浸構件7)之間隙Gm之移動條件之一方或雙方，從複數個回收口中之部分回收口進行液體LQ之回收。
又，亦可於測量載台3，設置複數個能回收流入測量構件C與覆蓋構件Q間之間隙Gn之液體LQ之至少一部分的 回收口。例如，可以圍繞保持測量構件C之保持部之方式設置複數個回收口。可在終端光學元件12之射出面13側形成有液浸空間LS之狀態下，移動測量構件C及覆蓋構件Q時，根據相對液浸空間LS(終端光學元件12、液浸構件7)之間隙Gn之位置、及相對液浸空間LS(終端光學元件12、液浸構件7)之間隙Gn之移動條件之一方或雙方，從複數個回收口中之部分回收口進行液體LQ之回收。
又，亦可於基板載台，在第1保持部31周圍之至少一部分配置曝光用光EL照射之測量構件C。此外，亦可和該測量構件C相鄰接之方式配置覆蓋構件(T等)。例如，可在基板載台具有之覆蓋構件(T等)設置用以配置測量構件C之開口。再者，亦可於該基板載台設置至少一部分係配置在測量構件C與覆蓋構件間之間隙、具有對液體LQ為撥液性之上面的多孔構件。可透過該多孔構件回收流入間隙之液體LQ之至少一部分。
又，在基板載台設置測量構件C之場合，可以圍繞保持該測量構件C之保持部之方式設置複數個可回收流入測量構件C與覆蓋構件間之間隙之液體LQ之至少一部分的回收口。可在終端光學元件12之射出面13側形成有液浸空間LS之狀態下，移動測量構件C及覆蓋構件之場合，根據相對液浸空間LS之測量構件C與覆蓋構件間之間隙之位置、及相對液浸空間LS之測量構件C與覆蓋構件間之間隙之移動條件之一方或雙方，從複數個回收口中之部分回收口進行液體LQ之回收。
此外，在基板載台設置測量構件C之場合，可從與該測量構件C之側面對向配置之回收口，回收流入測量構件C覆蓋構件間之間隙之液體LQ之至少一部分。該回收口，例如可設置於覆蓋構件。
又，在基板載台設置測量構件C之場合，與該測量構件C之間形成間隙之覆蓋構件之側面，可包含位於距測量構件C中心之第1距離、測量構件C之側面可對向的第1區域與和第1區域相鄰配置、位於較距測量構件C中心之第1距離長之第2距離的第2區域。亦即，可於該覆蓋構件之邊緣部設置複數個凸部。此外，亦可於測量構件之邊緣部設置複數個凸部。
又，在基板載台設置測量構件C之場合，與該測量構件C鄰接設置之覆蓋構件之內面，可包含第1內面與配置在第1內面上方、測量構件C側面之至少一部分可與之對向、下端與第1內面連結且上端與覆蓋構件之上面連結的第2內面。又，第1內面與第2內面非平行，於覆蓋構件上面之法線方向，第2內面之尺寸較第1內面之尺寸大，至少第2內面可相對測量構件之中心朝外側向上方傾斜。
又，上述覆蓋構件等之所有形狀(構造)，可適用於在曝光裝置EX(EX2)內彼此相鄰之構件B1及構件B2中之至少一方。亦即，在曝光裝置EX(EX2)具備能在終端光學元件12下方移動、分別具有可形成液浸空間LS之上面之2個構件B1、B2之情形時，在與一構件B1之側面之間形成間隙之另一構件B2之側面，可包含位於距構件B1側面之第1 距離、構件B1之側面可與之對向的第1區域與和第1區域相鄰配置、位於較距構件B1側面之第1距離長之第2距離的第2區域。
構件B1之上面與構件B2之上面係透過間隙並置。亦即，可於隔著間隙配置之構件B1之邊緣部及構件B2之邊緣部之至少一方，沿既定方向設置複數個凸部。又，該凸部可具有傾斜之下面。
如上所述，在一方之構件B1是標尺構件GT時，另一方之構件B2可以是覆蓋構件T9。在一方之構件B1是覆蓋構件T9時，另一方之構件B2可以是標尺構件GT。在一方之構件B1是覆蓋構件Q時，另一方之構件B2可以是測量構件C。而在一方之構件B1是測量構件C時，另一方之構件B2可以是覆蓋構件Q。
又，基板P雖非曝光裝置EX之一部分，但若一方之構件是基板P時，另一方之構件B2可以是覆蓋構件(T等)、亦可以是標尺構件GT。
又，本實施形態之曝光裝置EX(EX2)，可如美國專利申請公開第2006/0023186號及美國專利申請公開第2007/0127006號等之揭示，為了在終端光學元件12及液浸構件7與基板載台及測量載台中之至少一方之間持續形成液體LQ之液浸空間LS，而在使基板載台之上面與測量載台之上面接近或接觸之狀態下，一邊使終端光學元件12及液浸構件7與基板載台及測量載台中之至少一方對向、一邊相對終端光學元件12及液浸構件7使基板載台及測量載台 在XY平面內移動。亦即，曝光裝置EX(EX2)，可在使基板載台與測量載台接近或接觸之狀態下使該等基板載台與測量載台在XY平面內移動，以使液浸空間LS從形成在終端光學元件12及液浸構件7與基板載台之間的狀態、與形成在終端光學元件12及液浸構件7與測量載台之間的狀態中之一方變化至另一方。此場合，一方之構件B1是基板載台時，另一方之構件B2可以是測量載台。一方之構件B1是測量載台時，另一他之構件B2可以是基板載台。此外，基板載台包含被保持於該基板載台之覆蓋構件(T等)及標尺構件(GT等)中之至少一方。測量載台包含被保持於該測量載台之覆蓋構件(Q等)及測量構件(C等)中之至少一方。
又，若係例如美國專利第6341007號、美國專利第6208407號及美國專利第6262796號等所揭示之具備第1、第2基板載台之雙載台型曝光裝置之場合，一方之構件B1是第1基板載台時，另一方之構件B2可以是第2基板載台。
亦即，上述一方之構件B1之形狀可以是圖25、圖28~圖34、圖37~圖39、圖44、圖45等所示之形狀。另一方之構件B2之形狀可以是圖25、圖28~圖34、圖37~圖39、圖44、圖45等所示之形狀。構件B1及與構件B1對向之構件B2之雙方，可以是圖25、圖28~圖34、圖37~圖39、圖44、圖45等所示之形狀。
又，構件B1可以是圖46所示之形狀、亦可以是圖47所示之形狀。構件B1可在終端光學元件12之下方移動，具有可形成液浸空間LS之上面。構件B1之側面與構件B2 之側面之間形成間隙。構件B2可在終端光學元件12之下方以和構件B1鄰接之狀態移動，具有可形成液浸空間LS之上面。構件B1及構件B2在與終端光學元件12之光軸(Z軸)垂直之面內(XY平面內)移動。
構件B1之側面，包含位於距構件B2側面之第1距離D1、構件B2之側面可對向的第1區域A1與和第1區域A1相鄰配置、位於較距構件B2側面之第1距離D1長之第2距離D2的第2區域A2。第1區域A1與第2區域A2在XY平面內彼此相鄰。第1區域A1與第2區域A2在XY平面內交互配置。
在XY平面內之第1區域A1之尺寸W1，較第1區域A1與第2區域A2間之距離Da小。又，第2區域A2之尺寸W2較距離Da小。
彼此相鄰之第1區域A1之距離(間距)R1較距離Da小。彼此相鄰之第2區域A2之距離(間距)R2亦較距離Da小。
此外，構件B2可具有第1、第2區域A1、A2，或者構件B1及構件B2之雙方可具有第1、第2區域A1、A2。
據此，例如即使是構件B1及構件B2相對終端光學元件12及液浸構件7在XY平面內移動，以使液浸空間LS從構件B1上移動至構件B2上時，構件B1、B2上液體LQ殘留情形亦會受到抑制。又，即使構件B1及構件B2相對終端光學元件12及液浸構件7在XY平面內移動，以使液浸空間LS從構件B2上移動至構件B1上時，構件B1、B2 上液體LQ殘留之情形亦會受到抑制。
接著，說明清潔上述多孔構件80之清潔程序。針對上述各實施形態中之多孔構件(例如多孔構件800D等)皆可適用以下清潔程序事，自無需贅言。此外，在清潔被保持於基板載台之覆蓋構件(T等)及標尺構件(GT等)、被保持於測量載台之覆蓋構件(Q等)及測量構件(C等)等時，亦可使用此清潔程序。
本實施形態之清潔程序，可在例如因曝光而使得形成於基板P之圖案中缺陷增加之情形、或在曝光後之基板P上面之周緣部殘留液體增加之情形時等，視需要實施。
本實施形態之清潔程序，包含供應清潔(cleaning)用液體LC之處理、與在使用液體LC進行清潔後供應清洗(rinse)用液體之處理。又，亦可適當追加供應清潔用液體LC之處理與供應清洗用液體之處理以外的處理。此外，亦可省略供應清洗用液體之處理。
作為清潔用液體LC，可使用鹼性液體。例如液體LC可包含氫氧化四甲銨(TMAH：tetramethyl ammonium hydroxide)。例如液體LC可使用氫氧化四甲銨(TMAH：tetramethyl ammonium hydroxide)水溶液。
又，作為液體LC，可使用酸性液體。例如液體LC可包含過氧化氫。例如液體LC可使用過氧化氫水溶液(過氧化氫水)。
此外，作為液體LC，可使用氫氧化鈉、氫氧化鉀等之無機鹼溶液、氫氧化三甲(2-羥乙酯)銨等之有機鹼溶液。 又，亦可使用氨水作為液體LC。又，液體LC亦可包含緩衝氫氟酸溶液。此外，液體LC可以是包含氫氟酸及過氧化氫之溶液。緩衝氫氟酸溶液係氫氟酸與氟化銨之混合物。又，亦可使用包含臭氧之臭氧液體作為液體LC。再者，亦可使用包含過氧化氫與臭氧之溶液作為液體LC。又，作為清潔用液體，亦可使用上述曝光用液體LQ。
清洗用液體，可使用與上述曝光用液體LQ相同之液體。作為清洗用液體，本實施形態係使用例如水(純水)。
實施本實施形態之清潔程序時，可於第1保持部31保持虛擬基板DP。虛擬基板DP係較用製造元件之基板P更不易釋出異物之基板。虛擬基板DP，可使用例如半導體晶圓。例如，可使用未形成感光膜而形成有對液體LC(LQ)為撥液性之膜的半導體晶圓。此外，作為虛擬基板DP，亦可使用例如金屬製的基板。
於上述清潔程序中，為在液浸構件7與多孔構件(例如多孔構件80)之間形成清潔用液體LC之液浸空間，而對液浸構件7之下面14面向之空間供應液體LC。控制裝置8控制實施既定時間之液體LC之供應。既定時間，係例如可充分清潔洗淨對象之多孔構件80之液體LC的供應時間。本實施形態中，在對下面14面向之空間供應液體LC時，於第1保持部31保持虛擬基板DP、於第2保持部32保持覆蓋構件T。在虛擬基板DP與覆蓋構件T間之間隙配置多孔構件80之至少一部分之狀態下，對下面14面向之空間供應液體LC。
此時，可透過多孔構件80回收從液浸構件7供應之液體LC之至少一部分。例如，控制裝置8可控制流體吸引裝置26從多孔構件80之孔回收液體LC。據此，多孔構件80之孔之內面(多孔構件80之內部)即被液體LC清潔。
控制裝置8，在開始液體LC之供應後經既定時間，即停止液體LC之供應。據此，使用液體LC之清潔即結束。停止液體LC之供應後，控制裝置8持續進行既定時間之使用多孔構件80之回收，以回收存在於上述間隙等之液體LC。
液體LC被回收後，控制裝置8供應清洗用液體。本實施形態，係從液浸構件7供應清洗用液體LQ。例如，可從液浸構件7之供應口15供應液體LQ、亦可從回收口16供應液體LQ，或從與供應口15及回收口16不同之其他設於液浸構件7之開口供應液體LQ。從液浸構件7供應清洗用液體LQ時，於第1保持部31保持虛擬基板DP。
又，上述清潔程序之清潔對象，不限於上述。亦即，對從基板P與覆蓋構件T間之間隙流入該間隙下方空間之液體LQ有可能接觸之構件，皆可適用本實施形態之清潔程序。
又，如上所述，控制裝置8包含含CPU等之電腦系統。
又，控制裝置8包含可實施電腦系統與外部裝置間之通訊的介面。記憶裝置8R，例如包含RAM等之記憶體、硬碟、CD-ROM等之記錄媒體。於記憶裝置8R安裝有用以控制電腦系統之作業系統(OS)，內儲存有用以控制曝光裝 置EX之程式。
又，亦可於控制裝置8連接可輸入輸入信號之輸入裝置。輸入裝置包含鍵盤、滑鼠等之輸入機器、或可輸入來自外部裝置之資料的通訊裝置等。此外，亦可裝設液晶顯示器等之顯示裝置。
包含記錄在記憶裝置8R之程式的各種資訊，可由控制裝置8(電腦系統)加以讀取。於記憶裝置8R中，儲存有使控制裝置8實施透過液體LQ以曝光用光EL使基板P曝光之曝光裝置EX之控制的程式。
記憶裝置8R中記錄之程式，可依上述實施形態，使控制裝置8實施：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、以及用以規定可配置該基板之開口且在該基板被保持於該第1保持部之狀態下至少一部分配置在該基板周圍之第1構件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間的狀態下，使該基板曝光的動作；以及透過至少一部分配置在該基板與該第1構件間之間隙、具有對液體為撥液性之上面的多孔構件，回收流入該間隙之該液體之至少一部分的動作。
又，記憶裝置8R中記錄之程式，可依上述實施形態，使控制裝置8實施：在具有該曝光用光射出之射出面之光學構件的射出面側形成有液體之液浸空間的狀態下，一邊移動將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持的該基板、及用以規定可配置該基板之開口且在該 基板被保持於該第1保持部之狀態下至少一部分係配置在該基板周圍的第1構件，一邊使該基板曝光的動作：以及根據相對於該液浸空間之該基板與該第1構件間之間隙之位置、以及相對於該液浸空間之該間隙之移動條件中之一方或雙方，從配置在該基板及該第1保持部中至少一方周圍之複數個回收口中之部分回收口，回收流入該間隙之該液體之至少一部分的動作。
又，記憶裝置8R中記錄之程式，可依上述實施形態，使控制裝置8實施：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、以及用以規定可配置該基板之開口、在該基板被保持於該第1保持部之狀態下至少一部分配置在該基板周圍之第1構件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；以及從配置成與該基板側面對向之回收口，回收流入該基板與該第1構件間之間隙之該液體之至少一部分的動作。
又，記憶裝置8R中記錄之程式，可依上述實施形態，使控制裝置8實施：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、以及用以規定可配置該基板之開口、在該基板被保持於該第1保持部之狀態下至少一部分配置在該基板周圍之第1構件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動 作；該第1構件之開口，包含位於距該第1保持部中心之第1距離、被保持於該第1保持部之該基板之側面可對向的第1區域，以及和該第1區域相鄰配置、位於距該第1保持部中心之較該第1距離長之第2距離的第2區域。
又，記憶裝置8R中記錄之程式，可依上述實施形態，使控制裝置8實施：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、以及用以規定可配置該基板之開口、在該基板被保持於該第1保持部之狀態下至少一部分配置在該基板周圍之第1構件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；該第1構件之內面，包含第1內面與配置在該第1內面上方、該基板側面之至少一部分與之對向、下端與該第1內面連結且上端與該第1構件之上面連結之第2內面；該第1內面與該第2內面非平行，於該第1構件上面之法線方向，該第2內面之尺寸較該第1內面之尺寸大；至少該第2內面係相對該第1保持部中心朝外側向上方傾斜。
又，記憶裝置8R中記錄之程式，可依上述實施形態，使控制裝置8實施：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、以及具有上面與用以規定該上面外緣之一部分之邊緣部的第1構件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；該第1構件之該邊緣部，係以該第1保持部所保 持之該基板之邊緣部沿此之方式延伸於既定方向；於該第1構件之該邊緣部，沿該既定方向形成有複數個凸部。
又，記憶裝置8R中記錄之程式，可依上述實施形態，使控制裝置8實施：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、以及用以規定可配置該基板之開口、在該基板被保持於該第1保持部之狀態下至少一部分係配置在該基板上面周圍之第1構件的上面中至少一方之間，以該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；該第1構件之內面，包含該基板之側面可對向之第1內面與配置在該第1內面下方、對該第1保持部較該第1內面遠離之第2內面；透過至少一部分係與該第2內面對向之方式配置之多孔構件，回收流入該基板與該第1構件間之間隙之該液體之至少一部分。
又，記憶裝置8R中記錄之程式，可依上述實施形態，使控制裝置8實施：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、配置在該第1保持部周圍至少一部分之測量構件的上面、以及與該測量構件鄰設置之第1構件的上面中至少一者之間，形成有該液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；以及透過至少一部分係配置在該測量構件與該第1構件間之間隙、具有對該液體為撥液性之上面的多孔構件，回收流入該間隙之該液體之至少一部分的動作。
又，記憶裝置8R中記錄之程式，可依上述實施形態，使控制裝置8實施：在具有該曝光用光射出之射出面之光學構件的射出面側形成有該液浸空間之狀態下，一邊移動將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持的該基板、配置在該第1保持部周圍至少一部分的測量構件、及與該測量構件鄰接設置的第1構件，一邊使該基板曝光的動作；以及根據相對於該液浸空間之該測量構件與該第1構件間之間隙的位置、以及相對該液浸空間之該間隙的移動條件之一方或雙方，從配置在該間隙之複數個回收口中之部分回收口，回收流入該間隙之該液體之至少一部分的動作。
又，記憶裝置8R中記錄之程式，可依上述實施形態，使控制裝置8實施：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、配置在該第1保持部周圍之至少一部分之測量構件的上面、以及與該測量構件相鄰設置之第1構件的上面中至少一者之間，以該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；以及從與該測量構件之側面對向配置之回收口，回收流入該測量構件與該第1構件間之間隙之該液體之至少一部分的動作。
又，記憶裝置8R中記錄之程式，可依上述實施形態，使控制裝置8實施：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、配置在該第1保持部周圍 之至少一部分之測量構件的上面、以及與該測量構件相鄰設置之第1構件的上面中至少一者之間，以該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；與該測量構件之間形成間隙之該第1構件之側面，包含位於距該測量構件中心之第1距離、可與該測量構件之側面對向的第1區域與和該第1區域相鄰配置、位於距該測量構件中心較該第1距離長之第2距離的第2區域。
又，記憶裝置8R中記錄之程式，可依上述實施形態，使控制裝置8實施：在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與將該基板之下面以可釋放之方式加以保持之第1保持部所保持之該基板的上面、配置在該第1保持部周圍之至少一部分之測量構件的上面、以及與該測量構件相鄰設置之第1構件的上面中至少一者之間，以該液體形成有液浸空間之狀態，使該基板曝光的動作；該第1構件之內面，包含第1內面與配置在該第1內面上方、該測量構件側面之至少一部分與之對向、下端與該第1內面連結且上端與該第1構件之上面連結之第2內面；該第1內面與該第2內面非平行，於該第1構件上面之法線方向，該第2內面之尺寸較該第1內面之尺寸大；至少該第2內面係相對該測量構件中心朝外側向上方傾斜。
又，記憶裝置8R中記錄之程式，可依上述實施形態，使控制裝置8實施：使具有第1上面與用以規定該第1上面之部分外緣之第1邊緣部的第1構件，以該第1上面之至少一部分與該液浸空間接觸之方式在該光學構件下方移動 的動作；以及使具有第2上面與用以規定該第2上面之部分外緣之第2邊緣部的第2構件，在該光學構件下方移動的動作；該第1邊緣部及該第2邊緣部延伸於既定方向；於該第1邊緣部與該第2邊緣部之間形成有間隙；於該第1邊緣部沿該既定方向形成有複數個凸部。
藉由將記憶裝置8R中儲存之程式讀取至控制裝置8，基板載台2、液浸構件7、驅動系統5及流體吸引裝置26等曝光裝置EX之各種裝置即協同動作，在形成有液浸空間LS之狀態下，實施基板P之液浸曝光等的各種處理。
又，上述各實施形態中，雖然投影光學系PL之終端光學元件12之射出側(像面側)之光路K係被液體LQ充滿，但投影光學系PL亦可以是例如國際公開第2004/019128號所揭示之終端光學元件12之入射側(物體面側)光路亦被液體LQ充滿之投影光學系。
又，上述各實施形態中，曝光用之液體LQ雖係使用水，但亦可以是水以外之液體。液體LQ，以對曝光用光EL具有穿透性、對曝光用光EL具有高折射率、對形成投影光學系PL或基板P之表面之感光材(光阻劑)等膜安定者較佳。例如，液體LQ可以是氫氟醚(HFE)、全氟化聚醚(PFPE)、氟素潤滑油(fomblin(登錄商標)oil)等。此外，液體LQ亦可是各種流體、例如超臨界流體。
又，上述各實施形態之基板P，不僅僅是半導體元件製造用之半導體晶圓，亦可適用顯示元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、或曝光裝置所使用之光罩或標線片 之原版(合成石英、矽晶圓)等。
又，作為曝光裝置EX，除了使光罩M與基板P同步移動來對光罩M之圖案進行掃描曝光的步進掃描方式之掃描型曝光裝置(掃描步進機)之外，亦可以適用例如使光罩M與基板P在靜止之狀態下，使光罩M之圖案一次曝光，並使基板P依序步進移動的之步進重複方式的投影曝光裝置(步進機)。
再者，於步進重複方式之曝光中，亦可在使第1圖案與基板P大致静止之狀態，使用投影光學系PL將第1圖案之縮小像轉印至基板P上後，在第2圖案與基板P大致静止之狀態，使用投影光學系PL將第2圖案之縮小像與第1圖案局部重疊而一次曝光至基板P上(接合方式之一次曝光裝置)。又，接合方式之曝光裝置，亦可以是於基板P上至少將二個圖案局部的重疊轉印，並使基板P依序移動之步進接合(step & stitch)方式之曝光裝置。
又，本發明亦能適用於例如美國專利第6611316號所揭示之將2個光罩之圖案透過投影光學系在基板P上加以合成，以一次掃描曝光使基板P上之1個照射區域大致同時雙重曝光之曝光裝置。此外，本發明亦能適用於近接方式之曝光裝置、反射鏡投影對準器(mirror projection aligner)等。
又，本發函亦可適用於例如美國專利第6341007號、美國專利第6208407號、及美國專利第6262796號等所揭之具備複數個基板載台之雙載台型的曝光裝置。例如，如 圖48所示，曝光裝置EX可具備2個基板載台2001、2002。此時，可與射出面13對向配置之物體，包含一方之基板載台、保持於該一方之基板載台之基板、另一方之基板載台、以及被保持於該另一方之基板載台之基板中之至少一者。
此外，亦能適用於具備複數個基板載台與測量載台之曝光裝置。
曝光裝置EX之種類不限於將半導體元件圖案曝光至基板P之半導體元件製造用之曝光裝置，亦可廣泛適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置、或用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、微機器、MEMS、DNA晶片、標線片或光罩等之曝光裝置。
又，上述實施形態中，雖係使用在光透射性基板上形成有既定遮光圖案(或相位圖案、減光圖案)之光透射型光罩，但亦可取代此光罩，使用例如美國專利第6778257號公報所揭示，根據待曝光圖案之電子資料來形成透射圖案或反射圖案、或形成發光圖案之可變成形光罩(電子光罩、主動光罩或影像產生器)。又，亦可取代具有非發光型影像顯示元件之可變成形光罩，而裝備包含自發光型影像顯示元件之圖案形成裝置。
上述各實施形態中，雖係以具備投影光學系PL之曝光裝置為例作了說明，但本發明亦可適用於不使用投影光學系PL之曝光裝置及曝光方法。例如，可在透鏡等光學構件與基板之間形成液浸空間，透過該光學構件對基板照射曝光用光。
又，本發明亦可適用於例如國際公開第2001/035168號小冊子所揭示之藉由在基板P上形成干涉條紋，據以在基板上曝光線與空間圖案(line & space pattern)的曝光裝置(微影系統)。
上述實施形態之曝光裝置EX，係藉由組裝各種次系統(含各構成要素)，以能保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後，係進行對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統至曝光裝置EX之組裝製程，係包含機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置EX之組裝步驟前，有各次系統個別之組裝步驟。在各種次系統組裝至曝光裝置EX之步驟結束後，即進行綜合調整，以確保曝光裝置EX整體之各種精度。此外，曝光裝置EX之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理之無塵室進行。
半導體元件等之微元件，如圖49所示，係經進行微元件之功能、性能設計之步驟201，根據此設計步驟製作光罩M(標線片)之步驟202，製造元件基材之基板之步驟203，包含依據上述實施形態進行基板處理(曝光處理，包含使用光罩M之圖案以曝光用光EL使基板曝光之動作、以及使曝光後基板顯影之動作)的基板処理步驟204，元件組裝步驟(包含切割步驟、結合步驟、封裝步驟等之加工製程)205， 以及檢査步驟206等而製造。
又，上述各實施形態之要件可適當加以組合。又，亦有不使用部分構成要素之情形。此外，在法令許可範圍內，援用上述各實施形態及變形例所引用之關於曝光裝置等之所有公開公報及美國專利之揭示作為本文記載之一部分分。
1‧‧‧光罩載台
2‧‧‧基板載台
2U、3U‧‧‧上面
3‧‧‧測量載台
3R‧‧‧測量鏡
4、5、6‧‧‧驅動系統
7‧‧‧液浸構件
7H‧‧‧下面
7K‧‧‧孔
7P‧‧‧開口
7U‧‧‧上面
8‧‧‧控制裝置
8R‧‧‧記憶裝置
9、10‧‧‧基座構件
9G、10G‧‧‧導引面
11‧‧‧干涉儀系統
11A、11B‧‧‧雷射干涉儀單元
12‧‧‧終端光學元件
13‧‧‧射出面
14‧‧‧下面
15‧‧‧供應口
16‧‧‧回收口
17‧‧‧流路
17R‧‧‧供應流路
18‧‧‧液體供應裝置
19‧‧‧多孔構件
19H‧‧‧下面
19U‧‧‧上面
20‧‧‧流路
20R‧‧‧回收流路
21‧‧‧液體回收裝置
22‧‧‧吸引口
23‧‧‧空間部
24‧‧‧吸引口
25‧‧‧流路
26‧‧‧流體吸引裝置
31~34‧‧‧第1~第4保持部
31H、32H‧‧‧空間
31J‧‧‧第1保持部
31S、32S‧‧‧支承面
35‧‧‧周壁部
36、40‧‧‧支承部
36S‧‧‧保持面
37、41‧‧‧吸引口
38、39、43‧‧‧周壁部
44‧‧‧空間部
45‧‧‧供氣口
46‧‧‧排出口
71‧‧‧液浸構件之對向部
72‧‧‧液浸構件之本體部
80‧‧‧多孔構件
80A‧‧‧上面
80B‧‧‧第1側面
80C‧‧‧第2側面
80F‧‧‧膜
81‧‧‧盒
81H‧‧‧孔
82‧‧‧支承構件
83‧‧‧開口
84B、84C‧‧‧區域
85‧‧‧超音波產生裝置
88‧‧‧回收口
89‧‧‧空間部
90‧‧‧吸引口
91、94‧‧‧流路
93‧‧‧溫度調整裝置
95‧‧‧流體吸引裝置
97‧‧‧多孔構件
97A‧‧‧上面
97B‧‧‧下面
97H‧‧‧孔
99‧‧‧空間
102‧‧‧空間
103‧‧‧腔室裝置
104‧‧‧腔室構件
105‧‧‧空調系統
105S‧‧‧供氣部
111‧‧‧回收口
112、114、124‧‧‧流路
113‧‧‧液體供應裝置
115、122‧‧‧液體回收裝置
116‧‧‧多孔構件
117‧‧‧回收構件
118、120‧‧‧回收口
119‧‧‧空間
123‧‧‧温度調整裝置
125‧‧‧調溫構件
126‧‧‧供應裝置
127、128、128b‧‧‧流體吸引裝置
127R、128R、128Rb‧‧‧流路
130‧‧‧凸部
200A~200H、200J~200L‧‧‧基板載台
300‧‧‧檢測系統
302‧‧‧對準系統
303‧‧‧表面位置檢測系統
305‧‧‧温度調整裝置
306‧‧‧温度調整裝置
800、800B、800L、800M、800N、800R‧‧‧多孔構件
800La、800Ma‧‧‧上面
800Mc‧‧‧黏著劑
800Mk‧‧‧角部
800Ms‧‧‧空間
801‧‧‧第1部分
801B‧‧‧板片狀部分
802B‧‧‧板片狀部分
803B‧‧‧棒狀部分
802‧‧‧第2部分
A1‧‧‧第1區域
A2‧‧‧第2區域
A3‧‧‧第3區域
AR1~AR6‧‧‧間隙Ga之第1~第6部分
C‧‧‧測量構件
D1、D2‧‧‧第1、第2距離
Da‧‧‧第1區域與第2區域間之距離
EL‧‧‧曝光用光
Egc‧‧‧測量構件C之邊緣部
Egg‧‧‧標尺構件Gt之邊緣部
Egp‧‧‧基板P之邊緣部
Egt‧‧‧覆蓋構件T4之邊緣部
EP‧‧‧第1位置
EX、EX2‧‧‧曝光裝置
F‧‧‧氣流
Ga、Gb、Gc、Gm、Gn‧‧‧間隙
Gt‧‧‧標尺構件
Gs‧‧‧氣體
IL‧‧‧照明系
IR‧‧‧照明區域
K‧‧‧光路
L1‧‧‧側面Pc與第1側面80B間之距離
L2‧‧‧內面Tc與第2側面80C間之距離
LG‧‧‧液體之界面
LGb‧‧‧液體之後側界面
LQ‧‧‧液體
LS‧‧‧液浸空間
M‧‧‧光罩
P‧‧‧基板
Pa‧‧‧基板P之上面
Pb‧‧‧基板P之下面
Pc‧‧‧基板P之側面
PL‧‧‧投影光學系
Q‧‧‧覆蓋構件
RP‧‧‧第2位置
S‧‧‧照射區域
T~T16‧‧‧覆蓋構件
Ta‧‧‧上面
Tb‧‧‧下面
Tc‧‧‧內面
Tc1、Tc11、Tc14、Tc16、Tcg1‧‧‧第1內面
Tc2、Tc12、Tc15、Tc17、Tcg2‧‧‧第2內面
Tc13‧‧‧下面
Th、Tk‧‧‧開口
Tj‧‧‧覆蓋構件
Tka、Tma‧‧‧凸部
Tkb、Tmb‧‧‧凹部
U‧‧‧回收構件
Uc‧‧‧內面
Ub‧‧‧對向面
W1‧‧‧第1部分801之尺寸
W2‧‧‧第2部分802之尺寸
Wa‧‧‧間隙Ga之尺寸
Wb‧‧‧空間部23之尺寸
圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置之一例的概略構成圖。
圖2係顯示第1實施形態之液浸構件及基板載台之一例的圖。
圖3係顯示第1實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖4係顯示第1實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖5係顯示第1實施形態之曝光方法之一例的流程圖。
圖6係用以說明第1實施形態之曝光方法之一例的圖。
圖7係用以說明第1實施形態之曝光方法之一例的圖。
圖8係顯示第2實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖9係顯示第3實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖10係顯示第4實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖11係顯示第5實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖12係顯示第6實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖13係顯示第7實施形態之基板載台之一例的圖。
圖14係顯示第7實施形態之基板載台之一例的圖。
圖15係顯示第8實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖16係顯示第9實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖17係顯示第9實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖18係顯示第10實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖19係顯示第10實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖20係顯示第11實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖21係顯示第11實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖22係顯示第12實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖23係顯示第12實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖24係顯示第12實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖25係顯示第13實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖26係比較例的圖。
圖27係顯示第13實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖28係顯示第13實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖29係顯示第13實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖30係顯示第13實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖31係顯示第13實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖32係顯示第13實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖33係顯示第13實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖34係顯示第14實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖35係顯示第14實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖36係比較例的圖。
圖37係顯示第14實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖38係顯示第14實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖39係顯示第15實施形態之基板載台之一部分的圖。
圖40係顯示第16實施形態之曝光裝置之一例的圖。
圖41係顯示第16實施形態之曝光裝置之一例的圖。
圖42係顯示第16實施形態之曝光裝置之一例的圖。
圖43係顯示第16實施形態之曝光裝置之一例的圖。
圖44係顯示第16實施形態之曝光裝置之一例的圖。
圖45係顯示第16實施形態之曝光裝置之一例的圖。
圖46係顯示第16實施形態之曝光裝置之一例的圖。
圖47係顯示第16實施形態之曝光裝置之一例的圖。
圖48係基板載台之一例的圖。
圖49係顯示元件之一製程例的流程圖。
23‧‧‧空間部
24‧‧‧吸引口
25‧‧‧流路
26‧‧‧流體吸引裝置
31、32‧‧‧第1、第2保持部
31H、32H‧‧‧空間
31S、32S‧‧‧支承面
35‧‧‧周壁部
36、40‧‧‧支承部
36S‧‧‧保持面
37、41‧‧‧吸引口
38‧‧‧周壁部
80‧‧‧多孔構件
80A‧‧‧上面
80B‧‧‧第1側面
80C‧‧‧第2側面
80F‧‧‧膜
81‧‧‧盒
81H‧‧‧孔
82‧‧‧支承構件
83‧‧‧開口
801‧‧‧第1部分
802‧‧‧第2部分
Ga‧‧‧間隙
L1‧‧‧側面Pc與第1側面80B間之距離
L2‧‧‧內面Tc與第2側面80C間之距離
P‧‧‧基板
Pa‧‧‧基板P之上面
Pb‧‧‧基板P之下面
Pc‧‧‧基板P之側面
Ta(2U)‧‧‧上面
Tb‧‧‧下面
Tc‧‧‧內面
W1‧‧‧第1部分801之尺寸
W2‧‧‧第2部分802之尺寸
Wa‧‧‧間隙Ga之尺寸
Wb‧‧‧空間部23之尺寸

Claims (26)

  1. 一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光，其具備：光學構件，具有該曝光用光射出之射出面；以及基板保持裝置，包含將該基板之下面以可釋放之方式加以保持的第1保持部，以及具有可配置該基板之開口、且具有在該基板被保持於該第1保持部之狀態下配置在該基板之上面周圍之上面的第1構件；該第1構件之開口係由該第1構件之上面之邊緣部界定，該邊緣部包含位於距該第1保持部中心第1距離處、可與被保持於該第1保持部之該基板之側面對向的第1區域，以及和該第1區域相鄰配置、位於距該第1保持部中心之較該第1距離長之第2距離處的第2區域，該第1構件係以被保持於該第1保持部之該基板之上面與該第1構件之上面配置於同一面內之方式設置。
  2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該第2區域係於該第1保持部之周方向與該第1區域相鄰配置。
  3. 如申請專利範圍第2項之曝光裝置，其中，於該第1保持部周方向之該第1區域之尺寸，較於相對該第1保持部中心之放射方向之該第1區域與該第2區域間之距離小。
  4. 如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，於該第1保持部周方向之該第2區域之尺寸，較於相對該第1保持部中心之放射方向之該第1區域與該第2區域間之距離小。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之曝光裝置，其中，該第1區域與該第2區域，於該第1保持部之周方向交互配置。
  6. 如申請專利範圍第5項之曝光裝置，其中，於該第1保持部周方向相鄰之該第1區域之距離，較於相對該第1保持部中心之放射方向之該第1區域與該第2區域間之距離小。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之曝光裝置，其中，該基板側面之至少一部分對向之該第1構件內面之至少一部分，係相對該第1保持部中心朝外側向上方傾斜。
  8. 如申請專利範圍第7項之曝光裝置，其中，該第1構件之內面，包含第1內面以及配置在該第1內面上方、該基板側面之至少一部分對向且下端與該第1內面連結而上端與該第1構件上面連結之第2內面；該第1內面與該第2內面非平行，於該第1構件上面之法線方向，該第2內面之尺寸較該第1內面之尺寸大；至少該第2內面係相對該第1保持部中心朝外側向上方傾斜。
  9. 一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光照射基板之上面，其具備：光學構件，具有該曝光用光射出之射出面；以及基板保持裝置，包含將該基板之下面以可釋放之方式加以保持的第1保持部、以及具有上面及用以規定該上面外緣之一部分之邊緣部的第1構件； 該第1構件之該邊緣部，係以被保持於該第1保持部之該基板之邊緣部沿著該第1構件之該邊緣部之方式延伸於既定方向；於該第1構件之該邊緣部，沿該既定方向形成有複數個凸部，該第1構件係以被保持於該第1保持部之該基板之上面與該第1構件之上面配置於同一面內之方式設置。
  10. 如申請專利範圍第9項之曝光裝置，其中，該複數個凸部包含於該既定方向相鄰之第1凸部及第2凸部。
  11. 如申請專利範圍第9項之曝光裝置，其中，該複數個凸部沿該既定方向以一定間隔配置。
  12. 如申請專利範圍第9至11項中任一項之曝光裝置，其中，在該基板之該邊緣部與該第1構件之該邊緣部之間，沿該既定方向形成有間隙。
  13. 如申請專利範圍第9至11項中任一項之曝光裝置，其中，該第1構件之該邊緣部係配置在該第1保持部之周圍。
  14. 如申請專利範圍第13項之曝光裝置，其中，該第1構件具有可配置該基板之開口；該開口以該邊緣部加以規定。
  15. 如申請專利範圍第13項之曝光裝置，其中，該第1構件之該上面係配置在被保持於該第1保持部之該基板之上面周圍。
  16. 如申請專利範圍第9至11項中任一項之曝光裝 置，其中，該第1構件之該上面包含該凸部之上面。
  17. 如申請專利範圍第9至11項中任一項之曝光裝置，其中，該凸部具有從其前端部往相對該第1保持部分離之方向、且向下方傾斜之下面。
  18. 如申請專利範圍第1至4、9至11項中任一項之曝光裝置，其中，該第1構件內面至少一部分對該液體之接觸角較該第1構件上面之接觸角小。
  19. 如申請專利範圍第1至4、9至11項中任一項之曝光裝置，其中，該第1構件具有朝向該第1構件之上面之相反方向的下面；該第1構件下面對該液體之接觸角較該第1構件之上面之接觸角小。
  20. 如申請專利範圍第1至4、9至11項中任一項之曝光裝置，其具備調整該第1構件之溫度之調整裝置。
  21. 如申請專利範圍第1至4、9至11項中任一項之曝光裝置，其具備對該第1構件賦予超音波之超音波產生裝置。
  22. 如申請專利範圍第1至4、9至11項中任一項之曝光裝置，其具備配置在該第1保持部周圍、將該第1構件以可釋放之方式加以保持之第2保持部。
  23. 一種元件製造方法，包含：使用申請專利範圍第1至22項中任一項之曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光後之該基板顯影的動作。
  24. 一種曝光方法，係透過液體以曝光用光使基板曝光，包含：將該基板之下面以可釋放之方式以第1保持部加以保持的動作；以及在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與該第1保持部所保持之該基板的上面之間，在以該液體形成有液浸空間之狀態下，使該基板曝光的動作；於該第1保持部所保持之該基板之周圍，配置有第1構件之上面之至少一部分，該第1構件具有可配置該基板之開口，該第1構件之開口由該第1構件之上面之邊緣部界定，包含位於距該第1保持部中心第1距離處、可與被保持於該第1保持部之該基板之側面對向的第1區域，以及和該第1區域相鄰配置、位於距該第1保持部中心之較該第1距離長之第2距離處的第2區域，該基板以該基板之上面與該第1構件之上面配置於同一面內之方式被該第1保持部保持。
  25. 一種曝光方法，係透過液體以曝光用光照射基板之上面，包含：將該基板之下面以可釋放之方式以第1保持部加以保持的動作；以及在具有該曝光用光射出之射出面的光學構件、與該第1保持部所保持之該基板的上面之間，在以該液體形成有液浸空間之狀態下，使該基板曝光的動作； 於該第1保持部所保持之該基板之周圍，配置有第1構件之上面之至少一部分，該第1構件具有用以界定該第1構件之上面之外緣之一部分之邊緣部，該第1構件之該邊緣部，係以該第1保持部所保持之該基板之邊緣部沿著該第1構件之該邊緣部之方式延伸於既定方向，於該第1構件之該邊緣部，沿該既定方向形成有複數個凸部，該基板以該基板之上面與該第1構件之上面配置於同一面內之方式被該第1保持部保持。
  26. 一種元件製造方法，包含；使用申請專利範圍第24或25項之曝光方法使基板曝光的動作；以及使曝光後之該基板顯影的動作。
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