KR102193803B1 - 노광 장치, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 프로그램, 및 기록 매체 - Google Patents
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Abstract
노광 장치는, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광한다. 노광 장치는, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부와, 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 기판의 상면의 주위에 배치되는 상면을 갖는 제 1 부재를 포함하는 기판 유지 장치와, 적어도 일부가 기판과 제 1 부재 사이의 간극에 배치되고, 액체에 대해 발액성의 상면을 갖는 다공 부재를 구비한다. 노광 장치는, 다공 부재를 통하여, 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수한다.
Description
본 발명은, 노광 장치, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 프로그램, 및 기록 매체에 관한 것이다.
본원은, 2011 년 7 월 21 일에 출원된 일본 특허 출원 제2011－159999호 및 2012 년 5 월 22 일에 출원된 일본 특허 제2012－116713호에 기초하여 우선권을 주장한다. 상기 출원의 내용을 여기에 원용한다.
반도체 디바이스, 전자 디바이스 등의 마이크로 디바이스의 제조 공정에 있어서, 예를 들어 하기 특허문헌에 개시되어 있는 바와 같은, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 액침 노광 장치가 사용된다. 노광 장치는, 기판을 유지하여 이동 가능한 기판 스테이지를 구비하고, 그 기판 스테이지에 유지된 기판을 노광한다.
액침 노광 장치에 있어서, 예를 들어 액체가 기판의 상면 및 기판 스테이지의 상면 중 적어도 일방에 잔류하면, 노광 불량이 발생할 가능성이 있다. 그 결과, 불량 디바이스가 발생할 가능성이 있다.
본 발명의 양태는, 노광 불량의 발생을 억제할 수 있는 노광 장치 및 노광 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또 본 발명의 양태는, 불량 디바이스의 발생을 억제할 수 있는 디바이스 제조 방법, 프로그램, 및 기록 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제 1 양태에 따르면, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부와, 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 기판의 상면의 주위에 배치되는 상면을 갖는 제 1 부재를 포함하는 기판 유지 장치와, 적어도 일부가 기판과 제 1 부재 사이의 간극에 배치되고, 액체에 대해 발액성의 상면을 갖는 다공 부재를 구비하고, 다공 부재를 통하여, 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제 2 양태에 따르면, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부와, 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 기판의 상면의 주위에 배치되는 상면을 갖는 제 1 부재를 포함하는 기판 유지 장치와, 기판 및 제 1 유지부 중 적어도 일방의 주위에 복수 배치되고, 기판과 제 1 부재 사이의 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부가 회수 가능한 회수구를 구비하고, 액체의 액침 공간이 광학 부재의 사출면측에 형성되어 있는 상태에서 기판 및 제 1 부재가 이동되고, 액침 공간에 대한 간극의 위치, 및 액침 공간에 대한 간극의 이동 조건의 일방 또는 양방에 기초하여, 복수의 회수구 중 일부의 회수구로부터 액체의 회수가 실시되는 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제 3 양태에 따르면, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부와, 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 기판의 상면의 주위에 배치되는 상면을 갖는 제 1 부재를 포함하는 기판 유지 장치와, 기판의 측면과 대향하도록 배치되고, 기판과 제 1 부재 사이의 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 회수구를 구비하는 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제 4 양태에 따르면, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부와, 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 기판의 상면의 주위에 배치되는 상면을 갖는 제 1 부재를 포함하는 기판 유지 장치를 구비하고, 제 1 부재의 개구는, 제 1 유지부의 중심으로부터 제 1 거리에 위치하고, 제 1 유지부에 유지된 기판의 측면이 대향 가능한 제 1 영역과, 제 1 영역의 옆에 배치되고, 제 1 유지부의 중심으로부터 제 1 거리보다 긴 제 2 거리에 위치하는 제 2 영역을 포함하는 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제 5 양태에 따르면, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부와, 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 기판의 상면의 주위에 배치되는 상면을 갖는 제 1 부재를 포함하는 기판 유지 장치를 구비하고, 제 1 부재의 내면은, 제 1 내면과, 제 1 내면의 상방에 배치되고, 기판의 측면의 적어도 일부가 대향하고, 하단이 제 1 내면과 연결되고, 상단이 제 1 부재의 상면과 연결되는 제 2 내면을 포함하고, 제 1 내면과 제 2 내면은, 비평행이며, 제 1 부재의 상면의 법선 방향에 관해서, 제 2 내면의 치수는, 제 1 내면의 치수보다 크고, 적어도 제 2 내면이, 제 1 유지부의 중심에 대해 외측으로 향해 상방으로 경사지는 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제 6 양태에 따르면, 액체를 통하여 노광 광을 기판의 상면에 조사하는 노광 장치로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부와, 상면 및 그 상면의 외연의 일부를 규정하는 에지부를 갖는 제 1 부재를 포함하는 기판 유지 장치를 구비하고, 제 1 부재의 에지부는, 제 1 유지부에 유지된 기판의 에지부가 따르도록 소정 방향으로 연장되어 있고, 제 1 부재의 에지부에는, 소정 방향을 따라 복수의 볼록부가 형성되어 있는 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제 7 양태에 따르면, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부와, 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 기판의 상면의 주위에 배치되는 상면을 갖는 제 1 부재를 포함하는 기판 유지 장치를 구비하고, 제 1 부재의 내면은, 기판의 측면이 대향 가능한 제 1 내면과, 제 1 내면의 하방에 배치되고, 제 1 유지부에 대해 제 1 내면보다 떨어진 제 2 내면을 포함하고, 적어도 일부가 제 2 내면과 대향하도록 배치되는 다공 부재를 구비하고, 다공 부재를 통하여, 기판과 제 1 부재 사이의 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제 8 양태에 따르면, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부와, 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 기판의 상면의 주위에 배치되는 상면을 갖는 제 1 부재를 포함하는 기판 유지 장치를 구비하고, 제 1 부재는, 기판의 측면이 대향 가능한 제 1 내면과, 제 1 내면의 하방에 배치되고, 제 1 유지부에 대해 제 1 내면보다 떨어진 제 2 내면과, 제 1 내면의 하단 및 제 2 내면의 상단과 연결되고, 제 1 부재의 상면의 반대 방향을 향하는 하면을 포함하는 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제 9 양태에 따르면, 액침 공간의 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부와, 제 1 유지부의 주위의 적어도 일부에 배치되는 계측 부재와, 계측 부재에 인접하여 형성되고, 액침 공간이 형성 가능한 상면을 갖는 제 1 부재를 포함하는 기판 유지 장치와, 적어도 일부가 계측 부재와 제 1 부재 사이의 간극에 배치되고, 액체에 대해 발액성의 상면을 갖는 다공 부재를 구비하고, 다공 부재를 통하여, 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제 10 양태에 따르면, 액침 공간의 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부와, 제 1 유지부의 주위의 적어도 일부에 배치되는 계측 부재와, 계측 부재에 인접하여 형성되고, 액침 공간이 형성 가능한 상면을 갖는 제 1 부재를 포함하는 기판 유지 장치와, 계측 부재와 제 1 부재 사이의 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부가 회수 가능한 복수의 회수구를 구비하고, 광학 부재의 사출면측에 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서 계측 부재 및 제 1 부재가 이동되고, 액침 공간에 대한 간극의 위치, 및 액침 공간에 대한 간극의 이동 조건의 일방 또는 양방에 기초하여, 복수의 회수구 중 일부의 회수구로부터 액체의 회수가 실시되는 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제 11 양태에 따르면, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부와, 제 1 유지부의 주위의 적어도 일부에 배치되고, 액침 공간이 형성 가능한 상면을 갖는 계측 부재와, 계측 부재에 인접하여 형성되고, 액침 공간이 형성 가능한 상면을 갖는 제 1 부재를 포함하는 기판 유지 장치와, 계측 부재의 측면과 대향하도록 배치되고, 계측 부재와 제 1 부재 사이의 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 회수구를 구비하는 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제 12 양태에 따르면, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부와, 제 1 유지부의 주위의 적어도 일부에 배치되고, 액침 공간이 형성 가능한 상면을 갖는 계측 부재와, 계측 부재에 인접하여 형성되고, 액침 공간이 형성 가능한 상면을 갖는 제 1 부재를 포함하는 기판 유지 장치를 구비하고, 계측 부재와의 사이에 간극을 형성하는 제 1 부재의 측면은, 계측 부재의 중심으로부터 제 1 거리에 위치하고, 계측 부재의 측면이 대향 가능한 제 1 영역과, 제 1 영역의 옆에 배치되고, 계측 부재의 중심으로부터 제 1 거리보다 긴 제 2 거리에 위치하는 제 2 영역을 포함하는 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제 13 양태에 따르면, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 광학 부재의 하방에 있어서 이동 가능하고, 액침 공간이 형성 가능한 제 1 상면을 갖는 제 1 부재와, 광학 부재의 하방에 있어서 제 1 부재와 인접한 상태에서 이동 가능하고, 액침 공간이 형성 가능한 제 2 상면을 갖는 제 2 부재를 구비하고, 제 1 부재의 측면과의 사이에 간극을 형성하는 제 2 부재의 측면은, 제 1 부재의 측면으로부터 제 1 거리에 위치하고, 제 1 부재의 측면이 대향 가능한 제 1 영역과, 제 1 영역의 옆에 배치되고, 제 1 부재의 측면으로부터 제 1 거리보다 긴 제 2 거리에 위치하는 제 2 영역을 포함하는 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제 14 양태에 따르면, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부와, 제 1 유지부의 주위의 적어도 일부에 배치되고, 액침 공간이 형성 가능한 상면을 갖는 계측 부재와, 계측 부재에 인접하여 형성되고, 액침 공간이 형성 가능한 상면을 갖는 제 1 부재를 포함하는 기판 유지 장치를 구비하고, 제 1 부재의 내면은, 제 1 내면과, 제 1 내면의 상방에 배치되고, 계측 부재의 측면의 적어도 일부가 대향하고, 하단이 제 1 내면과 연결되고, 상단이 제 1 부재의 상면과 연결되는 제 2 내면을 포함하고, 제 1 내면과 제 2 내면은, 비평행이며, 제 1 부재의 상면의 법선 방향에 관해서, 제 2 내면의 치수는, 제 1 내면의 치수보다 크고, 적어도 제 2 내면이, 계측 부재의 중심에 대해 외측으로 향해 상방으로 경사지는 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제 15 양태에 따르면, 광학 부재의 사출면측에 형성되는 액침 공간의 액체를 통하여 노광 광을 기판의 상면에 조사하는 노광 장치로서, 제 1 상면과, 그 제 1 상면의 외연의 일부를 규정하는 제 1 에지부를 가지며, 제 1 상면의 적어도 일부가 액침 공간과 접촉하도록 광학 부재의 하방에서 작동되는 제 1 부재와, 제 2 상면과, 그 제 2 상면의 외연의 일부를 규정하는 제 2 에지부를 가지며, 광학 부재의 하방에서 작동되는 제 2 부재를 구비하고, 제 1 에지부 및 제 2 에지부는, 소정 방향으로 연장되어 있고, 제 1 에지부와 제 2 에지부의 사이에는, 간극이 형성되고, 제 1 에지부에는, 소정 방향을 따라 복수의 볼록부가 형성되어 있는 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제 16 양태에 따르면, 제 1 ∼ 제 15 중 어느 하나의 양태의 노광 장치를 사용하여 기판을 노광하는 것과, 노광된 기판을 현상하는 것을 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 제 17 양태에 따르면, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 방법으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 및 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 적어도 일부가 기판의 주위에 배치되는 제 1 부재의 상면 중 적어도 일방의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것과, 적어도 일부가 기판과 제 1 부재 사이의 간극에 배치되고, 액체에 대해 발액성의 상면을 갖는 다공 부재를 통하여, 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 것을 포함하는 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 제 18 양태에 따르면, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 방법으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 광학 부재의 사출면측에 액체의 액침 공간을 형성한 상태에서, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판, 및 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 적어도 일부가 기판의 주위에 배치되는 제 1 부재를 이동하면서 기판을 노광하는 것과, 액침 공간에 대한 기판과 제 1 부재 사이의 간극의 위치, 및 액침 공간에 대한 간극의 이동 조건의 일방 또는 양방에 기초하여, 기판 및 제 1 유지부 중 적어도 일방의 주위에 복수 배치된 회수구 중 일부의 회수구로부터, 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 것을 포함하는 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 제 19 양태에 따르면, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 방법으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 및 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 적어도 일부가 기판의 주위에 배치되는 제 1 부재의 상면 중 적어도 일방의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것과, 기판의 측면과 대향하도록 배치된 회수구로부터, 기판과 제 1 부재 사이의 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 것을 포함하는 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 제 20 양태에 따르면, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 방법으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 및 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 적어도 일부가 기판의 주위에 배치되는 제 1 부재의 상면 중 적어도 일방의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것을 포함하고, 제 1 부재의 개구는, 제 1 유지부의 중심으로부터 제 1 거리에 위치하고, 제 1 유지부에 유지된 기판의 측면이 대향 가능한 제 1 영역과, 제 1 영역의 옆에 배치되고, 제 1 유지부의 중심으로부터 제 1 거리보다 긴 제 2 거리에 위치하는 제 2 영역을 포함하는 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 제 21 양태에 따르면, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 방법으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 및 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 적어도 일부가 기판의 주위에 배치되는 제 1 부재의 상면 중 적어도 일방의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것을 포함하고, 제 1 부재의 내면은, 제 1 내면과, 제 1 내면의 상방에 배치되고, 기판의 측면의 적어도 일부가 대향하고, 하단이 제 1 내면과 연결되고, 상단이 제 1 부재의 상면과 연결되는 제 2 내면을 포함하고, 제 1 내면과 제 2 내면은, 비평행이며, 제 1 부재의 상면의 법선 방향에 관해서, 제 2 내면의 치수는, 제 1 내면의 치수보다 크고, 적어도 제 2 내면이, 제 1 유지부의 중심에 대해 외측으로 향해 상방으로 경사지는 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 제 22 양태에 따르면, 액체를 통하여 노광 광을 기판의 상면에 조사하는 노광 방법으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 및 상면과 그 상면의 외연의 일부를 규정하는 에지부를 갖는 제 1 부재의 상면 중 적어도 일방의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것을 포함하고, 제 1 부재의 에지부는, 제 1 유지부에 유지된 기판의 에지부가 따르도록 소정 방향으로 연장되어 있고, 제 1 부재의 에지부에는, 소정 방향을 따라 복수의 볼록부가 형성되어 있는 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 제 23 양태에 따르면, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 방법으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 및 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 적어도 일부가 기판의 상면의 주위에 배치되는 제 1 부재의 상면 중 적어도 일방의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것을 포함하고, 제 1 부재의 내면은, 기판의 측면이 대향 가능한 제 1 내면과, 제 1 내면의 하방에 배치되고, 제 1 유지부에 대해 제 1 내면보다 떨어진 제 2 내면을 포함하고, 적어도 일부가 제 2 내면과 대향하도록 배치되는 다공 부재를 통하여, 기판과 제 1 부재 사이의 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 제 24 양태에 따르면, 액침 공간의 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 방법으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 제 1 유지부의 주위의 적어도 일부에 배치된 계측 부재의 상면, 및 계측 부재에 인접하여 형성된 제 1 부재의 상면 중 적어도 하나의 사이에, 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것과, 적어도 일부가 계측 부재와 제 1 부재 사이의 간극에 배치되고, 액체에 대해 발액성의 상면을 갖는 다공 부재를 통하여, 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 것을 포함하는 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 제 25 양태에 따르면, 액침 공간의 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 방법으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 광학 부재의 사출면측에 액침 공간을 한 상태에서, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판, 제 1 유지부의 주위의 적어도 일부에 배치된 계측 부재, 및 계측 부재에 인접하여 형성된 제 1 부재를 이동하면서 기판을 노광하는 것과, 액침 공간에 대한 계측 부재와 제 1 부재 사이의 간극의 위치, 및 액침 공간에 대한 간극의 이동 조건의 일방 또는 양방에 기초하여, 간극에 복수 배치된 회수구 중 일부의 회수구로부터, 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 것을 포함하는 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 제 26 양태에 따르면, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 방법으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 제 1 유지부의 주위의 적어도 일부에 배치된 계측 부재의 상면, 및 계측 부재에 인접하여 형성된 제 1 부재의 상면 중 적어도 하나의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것과, 계측 부재의 측면과 대향하도록 배치된 회수구로부터, 계측 부재와 제 1 부재 사이의 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 것을 포함하는 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 제 27 양태에 따르면, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 방법으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 제 1 유지부의 주위의 적어도 일부에 배치된 계측 부재의 상면, 및 계측 부재에 인접하여 형성된 제 1 부재의 상면 중 적어도 하나의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것을 포함하고, 계측 부재와의 사이에 간극을 형성하는 제 1 부재의 측면은, 계측 부재의 중심으로부터 제 1 거리에 위치하고, 계측 부재의 측면이 대향 가능한 제 1 영역과, 제 1 영역의 옆에 배치되고, 계측 부재의 중심으로부터 제 1 거리보다 긴 제 2 거리에 위치하는 제 2 영역을 포함하는 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 제 28 양태에 따르면, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 방법으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 제 1 유지부의 주위의 적어도 일부에 배치된 계측 부재의 상면, 및 계측 부재에 인접하여 형성된 제 1 부재의 상면 중 적어도 하나의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것을 포함하고, 제 1 부재의 내면은, 제 1 내면과, 제 1 내면의 상방에 배치되고, 계측 부재의 측면의 적어도 일부가 대향하고, 하단이 제 1 내면과 연결되고, 상단이 제 1 부재의 상면과 연결되는 제 2 내면을 포함하고, 제 1 내면과 제 2 내면은, 비평행이며, 제 1 부재의 상면의 법선 방향에 관해서, 제 2 내면의 치수는, 제 1 내면의 치수보다 크고, 적어도 제 2 내면이, 계측 부재의 중심에 대해 외측으로 향해 상방으로 경사지는 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 제 29 양태에 따르면, 광학 부재의 사출면측에 형성되는 액침 공간의 액체를 통하여 노광 광을 기판의 상면에 조사하는 노광 방법으로서, 제 1 상면과, 그 제 1 상면의 외연의 일부를 규정하는 제 1 에지부를 갖는 제 1 부재를, 제 1 상면의 적어도 일부가 액침 공간과 접촉하도록 광학 부재의 하방에서 작동시키는 것과, 제 2 상면과, 그 제 2 상면의 외연의 일부를 규정하는 제 2 에지부를 갖는 제 2 부재를, 광학 부재의 하방에서 작동시키는 것을 포함하고, 제 1 에지부 및 제 2 에지부는, 소정 방향으로 연장되어 있고, 제 1 에지부와 제 2 에지부의 사이에는, 간극이 형성되고, 제 1 에지부에는, 소정 방향을 따라 복수의 볼록부가 형성되어 있는 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 제 30 양태에 따르면, 제 17 ∼ 제 29 중 어느 하나의 양태의 노광 방법을 이용하여 기판을 노광하는 것과, 노광된 기판을 현상하는 것을 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 제 31 양태에 따르면, 컴퓨터에, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치의 제어를 실행시키는 프로그램으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 및 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 적어도 일부가 기판의 주위에 배치되는 제 1 부재의 상면 중 적어도 일방의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것과, 적어도 일부가 기판과 제 1 부재 사이의 간극에 배치되고, 액체에 대해 발액성의 상면을 갖는 다공 부재를 통하여, 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 것을 실행시키는 프로그램이 제공된다.
본 발명의 제 32 양태에 따르면, 컴퓨터에, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치의 제어를 실행시키는 프로그램으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 광학 부재의 사출면측에 액체의 액침 공간을 형성한 상태에서, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판, 및 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 적어도 일부가 기판의 주위에 배치되는 제 1 부재를 이동하면서 기판을 노광하는 것과, 액침 공간에 대한 기판과 제 1 부재 사이의 간극의 위치, 및 액침 공간에 대한 간극의 이동 조건의 일방 또는 양방에 기초하여, 기판 및 제 1 유지부 중 적어도 일방의 주위에 복수 배치된 회수구 중 일부의 회수구로부터, 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 것을 실행시키는 프로그램이 제공된다.
본 발명의 제 33 양태에 따르면, 컴퓨터에, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치의 제어를 실행시키는 프로그램으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 및 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 적어도 일부가 기판의 주위에 배치되는 제 1 부재의 상면 중 적어도 일방의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것과, 기판의 측면과 대향하도록 배치된 회수구로부터, 기판과 제 1 부재 사이의 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 것을 실행시키는 프로그램이 제공된다.
본 발명의 제 34 양태에 따르면, 컴퓨터에, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치의 제어를 실행시키는 프로그램으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 및 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 적어도 일부가 기판의 주위에 배치되는 제 1 부재의 상면 중 적어도 일방의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것을 실행시키고, 제 1 부재의 개구는, 제 1 유지부의 중심으로부터 제 1 거리에 위치하고, 제 1 유지부에 유지된 기판의 측면이 대향 가능한 제 1 영역과, 제 1 영역의 옆에 배치되고, 제 1 유지부의 중심으로부터 제 1 거리보다 긴 제 2 거리에 위치하는 제 2 영역을 포함하는 프로그램이 제공된다.
본 발명의 제 35 양태에 따르면, 컴퓨터에, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치의 제어를 실행시키는 프로그램으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 및 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 적어도 일부가 기판의 주위에 배치되는 제 1 부재의 상면 중 적어도 일방의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것을 실행시키고, 제 1 부재의 내면은, 제 1 내면과, 제 1 내면의 상방에 배치되고, 기판의 측면의 적어도 일부가 대향하고, 하단이 제 1 내면과 연결되고, 상단이 제 1 부재의 상면과 연결되는 제 2 내면을 포함하고, 제 1 내면과 제 2 내면은, 비평행이며, 제 1 부재의 상면의 법선 방향에 관해서, 제 2 내면의 치수는, 제 1 내면의 치수보다 크고, 적어도 제 2 내면이, 제 1 유지부의 중심에 대해 외측으로 향해 상방으로 경사지는 프로그램이 제공된다.
본 발명의 제 36 양태에 따르면, 컴퓨터에, 액체를 통하여 노광 광을 기판의 상면에 조사하는 노광 장치의 제어를 실행시키는 프로그램으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 및 상면과 그 상면의 외연의 일부를 규정하는 에지부를 갖는 제 1 부재의 상면 중 적어도 일방의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것을 실행시키고, 제 1 부재의 에지부는, 제 1 유지부에 유지된 기판의 에지부가 따르도록 소정 방향으로 연장되어 있고, 제 1 부재의 에지부에는, 소정 방향을 따라 복수의 볼록부가 형성되어 있는 프로그램이 제공된다.
본 발명의 제 37 양태에 따르면, 컴퓨터에, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치의 제어를 실행시키는 프로그램으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 및 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 적어도 일부가 기판의 상면의 주위에 배치되는 제 1 부재의 상면 중 적어도 일방의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것을 실행시키고, 제 1 부재의 내면은, 기판의 측면이 대향 가능한 제 1 내면과, 제 1 내면의 하방에 배치되고, 제 1 유지부에 대해 제 1 내면보다 떨어진 제 2 내면을 포함하고, 적어도 일부가 제 2 내면과 대향하도록 배치되는 다공 부재를 통하여, 기판과 제 1 부재 사이의 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 것을 실행시키는 프로그램이 제공된다.
본 발명의 제 38 양태에 따르면, 컴퓨터에, 액침 공간의 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치의 제어를 실행시키는 프로그램으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 제 1 유지부의 주위의 적어도 일부에 배치된 계측 부재의 상면, 및 계측 부재에 인접하여 형성된 제 1 부재의 상면 중 적어도 하나의 사이에, 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것과, 적어도 일부가 계측 부재와 제 1 부재 사이의 간극에 배치되고, 액체에 대해 발액성의 상면을 갖는 다공 부재를 통하여, 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 것을 실행시키는 프로그램이 제공된다.
본 발명의 제 39 양태에 따르면, 컴퓨터에, 액침 공간의 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치의 제어를 실행시키는 프로그램으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 광학 부재의 사출면측에 액침 공간을 한 상태에서, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판, 제 1 유지부의 주위의 적어도 일부에 배치된 계측 부재, 및 계측 부재에 인접하여 형성된 제 1 부재를 이동하면서 기판을 노광하는 것과, 액침 공간에 대한 계측 부재와 제 1 부재 사이의 간극의 위치, 및 액침 공간에 대한 간극의 이동 조건의 일방 또는 양방에 기초하여, 간극에 복수 배치된 회수구 중 일부의 회수구로부터, 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 것을 실행시키는 프로그램이 제공된다.
본 발명의 제 40 양태에 따르면, 컴퓨터에, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치의 제어를 실행시키는 프로그램으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 제 1 유지부의 주위의 적어도 일부에 배치된 계측 부재의 상면, 및 계측 부재에 인접하여 형성된 제 1 부재의 상면 중 적어도 하나의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것과, 계측 부재의 측면과 대향하도록 배치된 회수구로부터, 계측 부재와 제 1 부재 사이의 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 것을 실행시키는 프로그램이 제공된다.
본 발명의 제 41 양태에 따르면, 컴퓨터에, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치의 제어를 실행시키는 프로그램으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 제 1 유지부의 주위의 적어도 일부에 배치된 계측 부재의 상면, 및 계측 부재에 인접하여 형성된 제 1 부재의 상면 중 적어도 하나의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것을 실행시키고, 계측 부재와의 사이에 간극을 형성하는 제 1 부재의 측면은, 계측 부재의 중심으로부터 제 1 거리에 위치하고, 계측 부재의 측면이 대향 가능한 제 1 영역과, 제 1 영역의 옆에 배치되고, 계측 부재의 중심으로부터 제 1 거리보다 긴 제 2 거리에 위치하는 제 2 영역을 포함하는 프로그램이 제공된다.
본 발명의 제 42 양태에 따르면, 컴퓨터에, 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치의 제어를 실행시키는 프로그램으로서, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 제 1 유지부의 주위의 적어도 일부에 배치된 계측 부재의 상면, 및 계측 부재에 인접하여 형성된 제 1 부재의 상면 중 적어도 하나의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것을 실행시키고, 제 1 부재의 내면은, 제 1 내면과, 제 1 내면의 상방에 배치되고, 계측 부재의 측면의 적어도 일부가 대향하고, 하단이 제 1 내면과 연결되고, 상단이 제 1 부재의 상면과 연결되는 제 2 내면을 포함하고, 제 1 내면과 제 2 내면은, 비평행이며, 제 1 부재의 상면의 법선 방향에 관해서, 제 2 내면의 치수는, 제 1 내면의 치수보다 크고, 적어도 제 2 내면이, 계측 부재의 중심에 대해 외측으로 향해 상방으로 경사지는 프로그램이 제공된다.
본 발명의 제 43 양태에 따르면, 컴퓨터에, 광학 부재의 사출면측에 형성되는 액침 공간의 액체를 통하여 노광 광을 기판의 상면에 조사하는 노광 장치의 제어를 실행시키는 프로그램으로서, 제 1 상면과, 그 제 1 상면의 외연의 일부를 규정하는 제 1 에지부를 갖는 제 1 부재를, 제 1 상면의 적어도 일부가 액침 공간과 접촉하도록 광학 부재의 하방에서 작동시키는 것과, 제 2 상면과, 그 제 2 상면의 외연의 일부를 규정하는 제 2 에지부를 갖는 제 2 부재를, 광학 부재의 하방에서 작동시키는 것을 실행시키고, 제 1 에지부 및 제 2 에지부는, 소정 방향으로 연장되어 있고, 제 1 에지부와 제 2 에지부의 사이에는, 간극이 형성되고, 제 1 에지부에는, 소정 방향을 따라 복수의 볼록부가 형성되어 있는 프로그램이 제공된다.
본 발명의 제 44 양태에 따르면, 제 31 ∼ 제 43 중 어느 하나의 양태의 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체가 제공된다.
본 발명의 양태에 의하면, 노광 불량의 발생을 억제할 수 있다. 또 본 발명의 양태에 의하면, 불량 디바이스의 발생을 억제할 수 있다.
도 1 은, 제 1 실시 형태에 관련된 노광 장치의 일례를 나타내는 개략 구성 도이다.
도 2 는, 제 1 실시 형태에 관련된 액침 부재 및 기판 스테이지의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3 은, 제 1 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 4 는, 제 1 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 5 는, 제 1 실시 형태에 관련된 노광 방법의 일례를 나타내는 플로우 차트이다.
도 6 은, 제 1 실시 형태에 관련된 노광 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 7 은, 제 1 실시 형태에 관련된 노광 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 8 은, 제 2 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 9 는, 제 3 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 10 은, 제 4 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 11 은, 제 5 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 12 는, 제 6 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 13 은, 제 7 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일례를 나타내는 도면이다.
도 14 는, 제 7 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일례를 나타내는 도면이다.
도 15 는, 제 8 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 16 은, 제 9 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 17 은, 제 9 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 18 은, 제 10 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 19 는, 제 10 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 20 은, 제 11 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 21 은, 제 11 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 22 는, 제 12 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 23 은, 제 12 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 24 는, 제 12 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 25 는, 제 13 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 26 은, 비교예에 관련된 도면이다.
도 27 은, 제 13 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 28 은, 제 13 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 29 는, 제 13 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 30 은, 제 13 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 31 은, 제 13 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 32 는, 제 13 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 33 은, 제 13 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 34 는, 제 14 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 35 는, 제 14 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 36 은, 비교예에 관련된 도면이다.
도 37 은, 제 14 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 38 은, 제 14 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 39 는, 제 15 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 40 은, 제 16 실시 형태에 관련된 노광 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 41 은, 제 16 실시 형태에 관련된 노광 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 42 는, 제 16 실시 형태에 관련된 노광 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 43 은, 제 16 실시 형태에 관련된 노광 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 44 는, 제 16 실시 형태에 관련된 노광 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 45 는, 제 16 실시 형태에 관련된 노광 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 46 은, 제 16 실시 형태에 관련된 노광 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 47 은, 제 16 실시 형태에 관련된 노광 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 48 은, 기판 스테이지의 일례를 나타내는 도면이다.
도 49 는, 디바이스의 제조 공정의 일례를 나타내는 플로우 차트이다.
도 2 는, 제 1 실시 형태에 관련된 액침 부재 및 기판 스테이지의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3 은, 제 1 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 4 는, 제 1 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 5 는, 제 1 실시 형태에 관련된 노광 방법의 일례를 나타내는 플로우 차트이다.
도 6 은, 제 1 실시 형태에 관련된 노광 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 7 은, 제 1 실시 형태에 관련된 노광 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 8 은, 제 2 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 9 는, 제 3 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 10 은, 제 4 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 11 은, 제 5 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 12 는, 제 6 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 13 은, 제 7 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일례를 나타내는 도면이다.
도 14 는, 제 7 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일례를 나타내는 도면이다.
도 15 는, 제 8 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 16 은, 제 9 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 17 은, 제 9 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 18 은, 제 10 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 19 는, 제 10 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 20 은, 제 11 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 21 은, 제 11 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 22 는, 제 12 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 23 은, 제 12 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 24 는, 제 12 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 25 는, 제 13 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 26 은, 비교예에 관련된 도면이다.
도 27 은, 제 13 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 28 은, 제 13 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 29 는, 제 13 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 30 은, 제 13 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 31 은, 제 13 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 32 는, 제 13 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 33 은, 제 13 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 34 는, 제 14 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 35 는, 제 14 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 36 은, 비교예에 관련된 도면이다.
도 37 은, 제 14 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 38 은, 제 14 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 39 는, 제 15 실시 형태에 관련된 기판 스테이지의 일부를 나타내는 도면이다.
도 40 은, 제 16 실시 형태에 관련된 노광 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 41 은, 제 16 실시 형태에 관련된 노광 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 42 는, 제 16 실시 형태에 관련된 노광 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 43 은, 제 16 실시 형태에 관련된 노광 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 44 는, 제 16 실시 형태에 관련된 노광 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 45 는, 제 16 실시 형태에 관련된 노광 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 46 은, 제 16 실시 형태에 관련된 노광 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 47 은, 제 16 실시 형태에 관련된 노광 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 48 은, 기판 스테이지의 일례를 나타내는 도면이다.
도 49 는, 디바이스의 제조 공정의 일례를 나타내는 플로우 차트이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하면서 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 이하의 설명에 있어서는, XYZ 직교 좌표계를 설정하고, 이 XYZ 직교 좌표계를 참조하면서 각 부의 위치 관계에 대해 설명한다. 수평면 내의 소정 방향을 X 축방향, 수평면 내에 있어서 X 축방향과 직교하는 방향을 Y 축방향, X 축방향 및 Y 축방향의 각각과 직교하는 방향 (즉 연직 방향) 을 Z 축방향으로 한다. 또, X 축, Y 축, 및 Z 축 둘레의 회전 (경사) 방향을 각각, θX, θY, 및 θZ 방향으로 한다.
＜제 1 실시 형태＞
제 1 실시 형태에 대해 설명한다. 도 1 은, 제 1 실시 형태에 관련된 노광 장치 (EX) 의 일례를 나타내는 개략 구성도이다. 본 실시 형태의 노광 장치 (EX) 는, 액체 (LQ) 를 통하여 노광 광 (EL) 으로 기판 (P) 을 노광하는 액침 노광 장치이다. 본 실시 형태에 있어서는, 노광 광 (EL) 의 광로의 적어도 일부가 액체 (LQ) 로 채워지도록 액침 공간 (LS) 이 형성된다. 액침 공간이란, 액체로 채워진 부분 (공간, 영역) 을 말한다. 기판 (P) 은, 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 를 통하여 노광 광 (EL) 으로 노광된다. 본 실시 형태에 있어서는, 액체 (LQ) 로서 물 (순수) 을 사용한다.
또, 본 실시 형태의 노광 장치 (EX) 는, 예를 들어 미국 특허 제6897963호 명세서, 및 유럽 특허 출원 공개 제1713113호 명세서 등에 개시되어 있는 바와 같은, 기판 스테이지와 계측 스테이지를 구비한 노광 장치이다.
도 1 에 있어서, 노광 장치 (EX) 는, 마스크 (M) 를 유지하여 이동 가능한 마스크 스테이지 (1) 와, 기판 (P) 을 유지하여 이동 가능한 기판 스테이지 (2) 와, 기판 (P) 을 유지하지 않고, 노광 광 (EL) 을 계측하는 계측 부재 (C) 및 계측기를 탑재하여 이동 가능한 계측 스테이지 (3) 와, 마스크 스테이지 (1) 를 이동하는 구동 시스템 (4) 과, 기판 스테이지 (2) 를 이동하는 구동 시스템 (5) 과, 계측 스테이지 (3) 를 이동하는 구동 시스템 (6) 과, 마스크 (M) 를 노광 광 (EL) 으로 조명하는 조명계 (IL) 와, 노광 광 (EL) 으로 조명된 마스크 (M) 의 패턴의 이미지를 기판 (P) 에 투영하는 투영 광학계 (PL) 와, 노광 광 (EL) 의 광로의 적어도 일부가 액체 (LQ) 로 채워지도록 액침 공간 (LS) 이 형성 가능한 액침 부재 (7) 와, 노광 장치 (EX) 전체의 동작을 제어하는 제어 장치 (8) 와, 제어 장치 (8) 에 접속되고, 노광에 관한 각종 정보를 기억하는 기억 장치 (8R) 를 구비하고 있다. 기억 장치 (8R) 는, 예를 들어 RAM 등의 메모리, 하드 디스크, CD－ROM 등의 기록 매체를 포함한다. 기억 장치 (8R) 에는, 컴퓨터 시스템을 제어하는 오퍼레이팅 시스템 (OS) 이 인스톨되어 노광 장치 (EX) 를 제어하기 위한 프로그램이 기억되어 있다.
또, 노광 장치 (EX) 는, 마스크 스테이지 (1), 기판 스테이지 (2), 및 계측 스테이지 (3) 의 위치를 계측하는 간섭계 시스템 (11) 과, 검출 시스템 (300) 을 구비하고 있다. 검출 시스템 (300) 은, 기판 (P) 의 얼라이먼트 마크를 검출하는 얼라이먼트 시스템 (302) 과, 기판 (P) 의 상면 (표면) (Pa) 의 위치를 검출하는 표면 위치 검출 시스템 (303) 을 포함한다. 또한, 검출 시스템 (300) 이, 예를 들어 미국 특허 출원 공개 제2007/0288121호 명세서에 개시되어 있는 바와 같은, 기판 스테이지 (2) 의 위치를 검출하는 엔코더 시스템을 구비해도 된다.
마스크 (M) 는, 기판 (P) 에 투영되는 디바이스 패턴이 형성된 레티클을 포함한다. 마스크 (M) 는, 예를 들어 유리판 등의 투명판과, 그 투명판 상에 크롬 등의 차광 재료를 사용하여 형성된 패턴을 갖는 투과형 마스크를 포함한다. 또한, 마스크 (M) 로서 반사형 마스크를 사용할 수도 있다.
기판 (P) 은, 디바이스를 제조하기 위한 기판이다. 기판 (P) 은, 예를 들어 반도체 웨이퍼 등의 기재와, 그 기재 상에 형성된 감광막을 포함한다. 감광막은, 감광재 (포토레지스트) 의 막이다. 또, 기판 (P) 이, 감광막에 더하여 다른 막을 포함해도 된다. 예를 들어, 기판 (P) 이, 반사 방지막을 포함해도 되고, 감광막을 보호하는 보호막 (탑코트막) 을 포함해도 된다.
또, 노광 장치 (EX) 는, 노광 광 (EL) 이 진행되는 공간 (102) 의 환경 (온도, 습도, 압력, 및 클린도 중 적어도 하나) 을 조정하는 챔버 장치 (103) 를 구비하고 있다. 챔버 장치 (103) 는, 공간 (102) 을 형성하는 챔버 부재 (104) 와, 그 공간 (102) 의 환경을 조정하는 공조 시스템 (105) 을 갖는다.
공간 (102) 은, 공간 (102A) 및 공간 (102B) 을 포함한다. 공간 (102A) 은, 기판 (P) 이 처리되는 공간이다. 기판 스테이지 (2) 및 계측 스테이지 (3) 는, 공간 (102A) 을 이동한다.
공조 시스템 (105) 은, 공간 (102A, 102B) 에 기체를 공급하는 급기부 (105S) 를 가지며, 그 급기부 (105S) 로부터 공간 (102A, 102B) 에 기체를 공급하여, 그 공간 (102A, 102B) 의 환경을 조정한다. 본 실시 형태에 있어서는, 적어도 기판 스테이지 (2), 계측 스테이지 (3), 및 투영 광학계 (PL) 의 종단 광학 소자 (12) 가 공간 (102A) 에 배치된다.
조명계 (IL) 는, 소정의 조명 영역 (IR) 에 노광 광 (EL) 을 조사한다. 조명 영역 (IR) 은, 조명계 (IL) 로부터 사출되는 노광 광 (EL) 이 조사 가능한 위치를 포함한다. 조명계 (IL) 는, 조명 영역 (IR) 에 배치된 마스크 (M) 의 적어도 일부를, 균일한 조도 분포의 노광 광 (EL) 으로 조명한다. 조명계 (IL) 로부터 사출되는 노광 광 (EL) 으로서, 예를 들어 수은 램프로부터 사출되는 휘선 (g 선, h 선, i 선) 및 KrF 엑시머 레이저 광 (파장 248 nm) 등의 원자외광 (DUV 광), ArF 엑시머 레이저광 (파장 193 nm), 및 F2 레이저광 (파장 157 nm) 등의 진공 자외광 (VUV 광) 등이 사용된다. 본 실시 형태에 있어서는, 노광 광 (EL) 으로서 자외광 (진공 자외광) 인 ArF 엑시머 레이저 광을 사용한다.
마스크 스테이지 (1) 는, 마스크 (M) 를 유지한 상태에서, 조명 영역 (IR) 을 포함하는 베이스 부재 (9) 의 가이드면 (9G) 상이 이동 가능하다. 구동 시스템 (4) 은, 가이드면 (9G) 상에서 마스크 스테이지 (1) 를 이동하기 위한 평면 모터를 포함한다. 평면 모터는, 예를 들어 미국 특허 제6452292호 명세서에 개시되어 있는 바와 같은, 마스크 스테이지 (1) 에 배치된 가동자와, 베이스 부재 (9) 에 배치된 고정자를 갖는다. 본 실시 형태에 있어서는, 마스크 스테이지 (1) 는, 구동 시스템 (4) 의 작동에 의해, 가이드면 (9G) 상에 있어서, X 축, Y 축, Z 축, θX, θY, 및 θZ 방향의 6 개의 방향으로 이동 가능하다.
투영 광학계 (PL) 는, 소정의 투영 영역 (PR) 에 노광 광 (EL) 을 조사한다. 투영 영역 (PR) 은, 투영 광학계 (PL) 로부터 사출되는 노광 광 (EL) 이 조사 가능한 위치를 포함한다. 투영 광학계 (PL) 는, 투영 영역 (PR) 에 배치된 기판 (P) 의 적어도 일부에, 마스크 (M) 의 패턴의 이미지를 소정의 투영 배율로 투영한다. 본 실시 형태의 투영 광학계 (PL) 는, 그 투영 배율이 예를 들어 1/4, 1/5, 또는 1/8 등의 축소계이다. 또한, 투영 광학계 (PL) 는, 등배계 및 확대계 중 어느 것이어도 된다. 본 실시 형태에 있어서는, 투영 광학계 (PL) 의 광축은, Z 축과 평행하다. 또, 투영 광학계 (PL) 는, 반사 광학 소자를 포함하지 않는 굴절계, 굴절 광학 소자를 포함하지 않는 반사계, 반사 광학 소자와 굴절 광학 소자를 포함하는 반사 굴절계 중 어느 것이어도 된다. 또, 투영 광학계 (PL) 는, 도립상과 정립상 중 어느 것을 형성해도 된다.
기판 스테이지 (2) 는, 투영 광학계 (PL) 로부터 사출되는 노광 광 (EL) 이 조사 가능한 위치 (투영 영역 (PR)) 로 이동 가능하다. 기판 스테이지 (2) 는, 기판 (P) 을 유지한 상태에서, 투영 영역 (PR) 을 포함하는 베이스 부재 (10) 의 가이드면 (10G) 상이 이동 가능하다. 계측 스테이지 (3) 는, 투영 광학계 (PL) 로부터 사출되는 노광 광 (EL) 이 조사 가능한 위치 (투영 영역 (PR)) 로 이동 가능하다. 계측 스테이지 (3) 는, 계측 부재 (C) 를 유지한 상태에서, 투영 영역 (PR) 을 포함하는 베이스 부재 (10) 의 가이드면 (10G) 상이 이동 가능하다. 기판 스테이지 (2) 와 계측 스테이지 (3) 는, 가이드면 (10G) 상을 독립하여 이동 가능하다.
기판 스테이지 (2) 를 이동하기 위한 구동 시스템 (5) 은, 가이드면 (10G) 상에서 기판 스테이지 (2) 를 이동하기 위한 평면 모터를 포함한다. 평면 모터는, 예를 들어 미국 특허 제6452292호 명세서에 개시되어 있는 바와 같은, 기판 스테이지 (2) 에 배치된 가동자와, 베이스 부재 (10) 에 배치된 고정자를 갖는다. 마찬가지로, 계측 스테이지 (3) 를 이동하기 위한 구동 시스템 (6) 은, 평면 모터를 포함하여, 계측 스테이지 (3) 에 배치된 가동자와, 베이스 부재 (10) 에 배치된 고정자를 갖는다.
본 실시 형태에 있어서, 기판 스테이지 (2) 는, 기판 (P) 의 하면 (Pb) 을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부 (31) 와, 기판 (P) 이 배치 가능한 개구 (Th) 를 규정하고, 기판 (P) 이 제 1 유지부 (31) 에 유지되어 있는 상태에 있어서 기판 (P) 의 상면 (Pa) 의 주위에 배치되는 상면을 갖는다.
본 실시 형태에 있어서, 기판 스테이지 (2) 는, 예를 들어 미국 특허 출원 공개 제2007/0177125호 명세서, 미국 특허 출원 공개 제2008/0049209호 명세서 등에 개시되어 있는 바와 같은, 제 1 유지부 (31) 의 주위에 배치되고, 커버 부재 (T) 의 하면 (Tb) 을 릴리스 가능하게 유지하는 제 2 유지부 (32) 를 갖는다. 커버 부재 (T) 는, 제 1 유지부 (31) 에 유지된 기판 (P) 의 주위에 배치된다. 본 실시 형태에 있어서는, 커버 부재 (T) 가, 제 1 유지부 (31) 에 유지된 기판 (P) 이 배치되는 개구 (Th) 를 갖는다. 본 실시 형태에 있어서는, 커버 부재 (T) 가 상면 (2U) 을 갖는다.
본 실시 형태에 있어서, 제 1 유지부 (31) 는, 기판 (P) 의 상면 (Pa) 과 XY 평면이 거의 평행이 되도록, 기판 (P) 을 유지한다. 제 2 유지부 (32) 는, 커버 부재 (T) 의 상면 (2U) 과 XY 평면이 거의 평행이 되도록, 커버 부재 (T) 를 유지한다. 본 실시 형태에 있어서, 제 1 유지부 (31) 에 유지된 기판 (P) 의 상면 (Pa) 과 제 2 유지부 (32) 에 유지된 커버 부재 (T) 의 상면 (2U) 은, 거의 동일 평면 내에 배치된다 (거의 면일(面一)이다).
또한, 커버 부재 (T) 는, 기판 스테이지 (2) 에 일체적으로 형성되어 있어도 된다. 예를 들어, 기판 스테이지 (2) 의 적어도 일부의 부재가 상면 (2U) 을 가져도 된다.
본 실시 형태에 있어서, 계측 스테이지 (3) 는, 계측 부재 (C) 를 릴리스 가능하게 유지하는 제 3 유지부 (33) 와, 제 3 유지부 (33) 의 주위에 배치되고, 커버 부재 (Q) 를 릴리스 가능하게 유지하는 제 4 유지부 (34) 를 갖는다. 제 3, 제 4 유지부 (33, 34) 는, 핀척 기구를 갖는다. 커버 부재 (Q) 는, 제 3 유지부 (33) 에 유지된 계측 부재 (C) 의 주위에 배치된다. 또한, 제 3 유지부 (33) 및 제 4 유지부 (34) 중 적어도 일방에서 사용되는 유지 기구는 핀척 기구에 한정되지 않는다. 또, 계측 부재 (C) 및 커버 부재 (Q) 중 적어도 일방은, 계측 스테이지 (3) 에 일체적으로 형성되어 있어도 된다.
본 실시 형태에 있어서, 제 3 유지부 (33) 는, 계측 부재 (C) 의 상면과 XY 평면이 거의 평행이 되도록, 계측 부재 (C) 를 유지한다. 제 4 유지부 (34) 는, 커버 부재 (Q) 의 상면과 XY 평면이 거의 평행이 되도록, 커버 부재 (Q) 를 유지한다. 본 실시 형태에 있어서, 제 3 유지부 (33) 에 유지된 계측 부재 (C) 의 상면과 제 4 유지부 (34) 에 유지된 커버 부재 (Q) 의 상면은, 거의 동일 평면 내에 배치된다 (거의 면일이다).
여기서, 이하의 설명에 있어서, 제 2 유지부 (32) 에 유지된 커버 부재 (T) 의 상면 (2U) 을 적절히, 기판 스테이지 (2) 의 상면 (2U) 으로 칭하고, 제 3 유지부 (33) 에 유지된 계측 부재 (C) 의 상면 및 제 4 유지부 (34) 에 유지된 커버 부재 (Q) 의 상면을 합해서 적절히, 계측 스테이지 (3) 의 상면 (3U) 으로 칭한다.
간섭계 시스템 (11) 은, 마스크 스테이지 (1) 의 위치를 계측하는 레이저 간섭계 유닛 (11A) 과, 기판 스테이지 (2) 및 계측 스테이지 (3) 의 위치를 계측하는 레이저 간섭계 유닛 (11B) 을 포함한다. 레이저 간섭계 유닛 (11A) 은, 마스크 스테이지 (1) 에 배치된 계측 미러 (1R) 를 사용하여, 마스크 스테이지 (1) 의 위치가 계측 가능하다. 레이저 간섭계 유닛 (11B) 은, 기판 스테이지 (2) 에 배치된 계측 미러 (2R), 및 계측 스테이지 (3) 에 배치된 계측 미러 (3R) 를 사용하여, 기판 스테이지 (2) 및 계측 스테이지 (3) 각각의 위치가 계측 가능하다.
얼라이먼트 시스템 (302) 은, 기판 (P) 의 얼라이먼트 마크를 검출하고, 그 기판 (P) 의 쇼트 영역 (S) 의 위치를 검출한다. 얼라이먼트 시스템 (302) 은, 기판 스테이지 (2) (기판 (P)) 가 대향 가능한 하면을 갖는다. 기판 스테이지 (2) 의 상면 (2U), 및 기판 스테이지 (2) 에 유지되어 있는 기판 (P) 의 상면 (표면) (Pa) 은, －Z 방향을 향하는 얼라이먼트 시스템 (302) 의 하면과 대향 가능하다.
표면 위치 검출 시스템 (303) 은, 예를 들어 오토포커스·레벨링 시스템이라고도 불리며, 기판 스테이지 (2) 에 유지된 기판 (P) 의 상면 (표면) (Pa) 에 검출광을 조사하여, 그 기판 (P) 의 상면 (Pa) 의 위치를 검출한다. 표면 위치 검출 시스템 (303) 은, 기판 스테이지 (2) (기판 (P)) 가 대향 가능한 하면을 갖는다. 기판 스테이지 (2) 의 상면 (2U), 및 기판 스테이지 (2) 에 유지되어 있는 기판 (P) 의 상면 (Pa) 은, －Z 방향을 향하는 표면 위치 검출 시스템 (303) 의 하면과 대향 가능하다.
기판 (P) 의 노광 처리를 실행할 때, 혹은 소정의 계측 처리를 실행할 때, 제어 장치 (8) 는, 간섭계 시스템 (11) 의 계측 결과, 및 검출 시스템 (300) 의 검출 결과에 기초하여, 구동 시스템 (4, 5, 6) 을 작동하고, 마스크 스테이지 (1) (마스크 (M)), 기판 스테이지 (2) (기판 (P)), 및 계측 스테이지 (3) (계측 부재 (C)) 의 위치 제어를 실행한다.
액침 부재 (7) 는, 노광 광 (EL) 의 광로의 적어도 일부가 액체 (LQ) 로 채워지도록 액침 공간 (LS) 이 형성 가능하다. 액침 부재 (7) 는, 투영 광학계 (PL) 의 복수의 광학 소자 중, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면에 가장 가까운 종단 광학 소자 (12) 의 근방에 배치된다. 본 실시 형태에 있어서, 액침 부재 (7) 는, 고리형의 부재이며, 노광 광 (EL) 의 광로의 주위에 배치된다. 본 실시 형태에 있어서는, 액침 부재 (7) 의 적어도 일부가, 종단 광학 소자 (12) 의 주위에 배치된다.
종단 광학 소자 (12) 는, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면을 향하여 노광 광 (EL) 을 사출하는 사출면 (13) 을 갖는다. 본 실시 형태에 있어서, 사출면 (13) 측에 액침 공간 (LS) 이 형성된다. 액침 공간 (LS) 은, 사출면 (13) 으로부터 사출되는 노광 광 (EL) 의 광로 (K) 가 액체 (LQ) 로 채워지도록 형성된다. 사출면 (13) 으로부터 사출되는 노광 광 (EL) 은, －Z 방향으로 진행한다. 사출면 (13) 은, 노광 광 (EL) 의 진행 방향 (－Z 방향) 을 향한다. 본 실시 형태에 있어서, 사출면 (13) 은, XY 평면과 거의 평행한 평면이다. 또한, 사출면 (13) 이 XY 평면에 대해 경사져 있어도 되고, 곡면을 포함해도 된다.
액침 부재 (7) 는, 적어도 일부가 -Z 방향을 향하는 하면 (14) 을 갖는다. 본 실시 형태에 있어서, 사출면 (13) 및 하면 (14) 은, 사출면 (13) 으로부터 사출되는 노광 광 (EL) 이 조사 가능한 위치 (투영 영역 (PR)) 에 배치되는 물체와의 사이에서 액체 (LQ) 를 유지할 수 있다. 액침 공간 (LS) 은, 사출면 (13) 및 하면 (14) 의 적어도 일부와 투영 영역 (PR) 에 배치되는 물체와의 사이에 유지된 액체 (LQ) 에 의해 형성된다. 액침 공간 (LS) 은, 사출면 (13) 과, 투영 영역 (PR) 에 배치되는 물체 사이의 노광 광 (EL) 의 광로 (K) 가 액체 (LQ) 로 채워지도록 형성된다. 액침 부재 (7) 는, 종단 광학 소자 (12) 와 물체 사이의 노광 광 (EL) 의 광로 (K) 가 액체 (LQ) 로 채워지도록 물체와의 사이에서 액체 (LQ) 가 유지 가능하다.
본 실시 형태에 있어서, 투영 영역 (PR) 에 배치 가능한 물체는, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면측 (종단 광학 소자 (12) 의 사출면 (13) 측) 에서 투영 영역 (PR) 에 대해 이동 가능한 물체를 포함한다. 그 물체는, 종단 광학 소자 (12) 및 액침 부재 (7) 에 대해 이동 가능하다. 그 물체는, 사출면 (13) 및 하면 (14) 중 적어도 일방과 대향 가능한 상면 (표면) 을 갖는다. 물체의 상면은, 사출면 (13) 과의 사이에 액침 공간 (LS) 이 형성 가능하다. 그 물체는, 종단 광학 소자 (12) 의 광축 (Z 축) 과 수직인 면내 (XY 평면내) 에 있어서 이동 가능하다. 본 실시 형태에 있어서, 물체의 상면은, 사출면 (13) 및 하면 (14) 의 적어도 일부와의 사이에 액침 공간 (LS) 이 형성 가능하다. 일방측의 사출면 (13) 및 하면 (14) 과, 타방측의 물체의 상면 (표면) 의 사이에 액체 (LQ) 가 유지됨으로써, 종단 광학 소자 (12) 와 물체 사이의 노광 광 (EL) 의 광로 (K) 가 액체 (LQ) 로 채워지도록 액침 공간 (LS) 이 형성된다.
본 실시 형태에 있어서, 그 물체는, 기판 스테이지 (2), 기판 스테이지 (2) 에 유지된 기판 (P), 계측 스테이지 (3), 및 계측 스테이지 (3) 에 유지된 계측 부재 (C) 중 적어도 하나를 포함한다. 예를 들어, 기판 스테이지 (2) 의 상면 (2U), 및 기판 스테이지 (2) 에 유지되어 있는 기판 (P) 의 표면 (상면) (Pa) 은, －Z 방향을 향하는 종단 광학 소자 (12) 의 사출면 (13), 및 -Z 방향을 향하는 액침 부재 (7) 의 하면 (14) 과 대향 가능하다. 물론, 투영 영역 (PR) 에 배치 가능한 물체는, 기판 스테이지 (2), 기판 스테이지 (2) 에 유지된 기판 (P), 계측 스테이지 (3), 및 계측 스테이지 (3) 에 유지된 계측 부재 (C) 중 적어도 하나에 한정되지 않는다. 또, 그들 물체는, 검출 시스템 (300) 의 적어도 일부와 대향 가능하다.
본 실시 형태에 있어서는, 기판 (P) 에 노광 광 (EL) 이 조사되고 있을 때, 투영 영역 (PR) 을 포함하는 기판 (P) 의 표면의 일부의 영역이 액체 (LQ) 로 덮이도록 액침 공간 (LS) 이 형성된다. 기판 (P) 의 노광시에 있어서, 액침 부재 (7) 는, 종단 광학 소자 (12) 와 기판 (P) 사이의 노광 광 (EL) 의 광로 (K) 가 액체 (LQ) 로 채워지도록 기판 (P) 과의 사이에서 액체 (LQ) 가 유지 가능하다. 액체 (LQ) 의 계면 (메니스커스, 에지) (LG) 의 적어도 일부는, 액침 부재 (7) 의 하면 (14) 과 기판 (P) 의 표면의 사이에 형성된다. 즉, 본 실시 형태의 노광 장치 (EX) 는, 국소 액침 방식을 채용한다.
도 2 는, 본 실시 형태에 관련된 액침 부재 (7) 및 기판 스테이지 (2) 의 일례를 나타내는 측단면도이다. 도 3 은, 도 2 의 일부를 확대한 도면이다. 또한, 도 2 에 있어서는, 투영 영역 (PR) (종단 광학 소자 (12) 및 액침 부재 (7) 와 대향하는 위치) 에 기판 (P) 이 배치되어 있지만, 상기 서술한 바와 같이, 기판 스테이지 (2) (커버 부재 (T)), 및 계측 스테이지 (3) (커버 부재 (Q), 계측 부재 (C)) 를 배치할 수도 있다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 액침 부재 (7) 는, 적어도 일부가 종단 광학 소자 (12) 의 사출면 (13) 과 대향하는 대향부 (71) 와, 적어도 일부가 종단 광학 소자 (12) 의 주위에 배치되는 본체부 (72) 를 포함한다. 대향부 (71) 는, 사출면 (13) 과 대향하는 위치에 구멍 (개구) (7K) 을 갖는다. 대향부 (71) 는, 적어도 일부가 사출면 (13) 과 갭을 통하여 대향하는 상면 (7U) 과, 기판 (P) (물체) 이 대향 가능한 하면 (7H) 을 갖는다. 구멍 (7K) 은, 상면 (7U) 과 하면 (7H) 을 연결하도록 형성된다. 상면 (7U) 은, 구멍 (7K) 의 상단의 주위에 배치되고, 하면 (7H) 은, 구멍 (7K) 의 하단의 주위에 배치된다. 사출면 (13) 으로부터 사출된 노광 광 (EL) 은, 구멍 (7K) 을 통과하여, 기판 (P) 에 조사 가능하다.
본 실시 형태에 있어서, 상면 (7U) 및 하면 (7H) 의 각각은, 광로 (K) 의 주위에 배치된다. 본 실시 형태에 있어서, 하면 (7H) 은 평탄면이다. 하면 (7H) 은, 기판 (P) (물체) 과의 사이에서 액체 (LQ) 가 유지 가능하다. 이하의 설명에 있어서, 하면 (7H) 을 적절히 유지면 (7H) 으로 칭한다.
또, 액침 부재 (7) 는, 액체 (LQ) 가 공급 가능한 공급구 (15) 와, 액체 (LQ) 가 회수 가능한 회수구 (16) 를 갖는다. 공급구 (15) 는, 예를 들어 기판 (P) 의 노광시에 있어서 액체 (LQ) 를 공급한다.
회수구 (16) 는, 예를 들어 기판 (P) 의 노광시에 있어서 액체 (LQ) 를 회수한다. 또한, 공급구 (15) 는, 기판 (P) 의 노광시 및 비노광시의 일방 또는 양방에 있어서 액체 (LQ) 가 공급 가능하다. 또한, 회수구 (16) 는, 기판 (P) 의 노광시 및 비노광시의 일방 또는 양방에 있어서 액체 (LQ) 가 회수 가능하다.
공급구 (15) 는, 사출면 (13) 으로부터 사출되는 노광 광 (EL) 의 광로 (K) 의 근방에 있어서, 그 광로 (K) 에 면하도록 배치되어 있다. 또한, 공급구 (15) 는, 사출면 (13) 과 개구 (7K) 사이의 공간 및 종단 광학 소자 (12) 의 측면의 일방 또는 양방에 면하고 있으면 된다. 본 실시 형태에 있어서, 공급구 (15) 는, 상면 (7U) 과 사출면 (13) 사이의 공간에 액체 (LQ) 를 공급한다. 공급구 (15) 로부터 공급된 액체 (LQ) 는, 그 상면 (7U) 과 사출면 (13) 사이의 공간을 흐른 후, 개구 (7K) 를 통하여, 기판 (P) (물체) 상에 공급된다.
공급구 (15) 는, 유로 (17) 를 통하여, 액체 공급 장치 (18) 와 접속되어 있다. 액체 공급 장치 (18) 는, 청정하고 온도 조정된 액체 (LQ) 가 송출 가능하다. 유로 (17) 는, 액침 부재 (7) 의 내부에 형성된 공급 유로 (17R), 및 그 공급 유로 (17R) 와 액체 공급 장치 (18) 를 접속하는 공급관으로 형성되는 유로를 포함한다. 액체 공급 장치 (18) 로부터 송출된 액체 (LQ) 는, 유로 (17) 를 통하여 공급구 (15) 에 공급된다. 적어도 기판 (P) 의 노광에 있어서, 공급구 (15) 는, 액체 (LQ) 를 공급한다.
회수구 (16) 는, 액침 부재 (7) 의 하면 (14) 과 대향하는 물체 상의 액체 (LQ) 의 적어도 일부가 회수 가능하다. 회수구 (16) 는, 노광 광 (EL) 이 통과하는 개구 (7K) 의 주위의 적어도 일부에 배치된다. 본 실시 형태에 있어서는, 회수구 (16) 는, 유지면 (7H) 의 주위의 적어도 일부에 배치된다. 회수구 (16) 는, 물체의 표면과 대향하는 액침 부재 (7) 의 소정 위치에 배치되어 있다. 적어도 기판 (P) 의 노광에 있어서, 회수구 (16) 에 기판 (P) 이 대향한다. 기판 (P) 의 노광에 있어서, 회수구 (16) 는, 기판 (P) 상의 액체 (LQ) 를 회수한다.
본 실시 형태에 있어서, 본체부 (72) 는, 기판 (P) (물체) 에 면하는 개구 (7P) 를 갖는다. 개구 (7P) 는, 유지면 (7H) 의 주위의 적어도 일부에 배치된다. 본 실시 형태에 있어서, 액침 부재 (7) 는, 개구 (7P) 에 배치된 다공 부재 (19) 를 갖는다. 본 실시 형태에 있어서, 다공 부재 (19) 는, 복수의 구멍 (openings 혹은 pores) 을 포함하는 플레이트상의 부재이다. 또한, 개구 (7P) 에, 망목상으로 다수의 작은 구멍이 형성된 다공 부재인 메시 필터가 배치되어도 된다.
본 실시 형태에 있어서, 다공 부재 (19) 는, 기판 (P) (물체) 이 대향 가능한 하면 (19H) 과, 하면 (19H) 의 반대 방향을 향하는 상면 (19U) 과, 상면 (19U) 과 하면 (19H) 을 연결하는 복수의 구멍을 갖는다. 하면 (19H) 은, 유지면 (7H) 의 주위의 적어도 일부에 배치된다. 본 실시 형태에 있어서, 액침 부재 (7) 의 하면 (14) 의 적어도 일부는, 유지면 (7H) 및 하면 (19H) 을 포함한다.
본 실시 형태에 있어서, 회수구 (16) 는, 다공 부재 (19) 의 구멍을 포함한다. 본 실시 형태에 있어서, 기판 (P) (물체) 상의 액체 (LQ) 는, 다공 부재 (19) 의 구멍 (회수구 (16)) 을 통하여 회수된다.
또한, 다공 부재 (19) 가 배치되지 않아도 된다.
회수구 (16) 는, 유로 (20) 를 통하여, 액체 회수 장치 (21) 와 접속되어 있다. 액체 회수 장치 (21) 는, 회수구 (16) 가 진공 시스템에 접속 가능하고, 회수구 (16) 를 통하여 액체 (LQ) 가 흡인 가능하다. 유로 (20) 는, 액침 부재 (7) 의 내부에 형성된 회수 유로 (20R), 및 그 회수 유로 (20R) 와 액체 회수 장치 (21) 를 접속하는 회수관으로 형성되는 유로를 포함한다. 회수구 (16) 로부터 회수된 액체 (LQ) 는, 유로 (20) 를 통하여, 액체 회수 장치 (21) 에 회수된다.
본 실시 형태에 있어서는, 제어 장치 (8) 는, 공급구 (15) 로부터의 액체 (LQ) 의 공급 동작과 병행하여, 회수구 (16) 로부터의 액체 (LQ) 의 회수 동작을 실행함으로써, 일방측의 종단 광학 소자 (12) 및 액침 부재 (7) 와, 타방측의 물체의 사이에 액체 (LQ) 로 액침 공간 (LS) 이 형성 가능하다.
또한, 액침 부재 (7) 로서, 예를 들어 미국 특허 출원 공개 제2007/0132976호 명세서, 유럽 특허 출원 공개 제1768170호 명세서에 개시되어 있는 바와 같은 액침 부재 (노즐 부재) 를 사용할 수 있다.
도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 기판 스테이지 (2) 는, 적어도 일부가 기판 (P) 과 커버 부재 (T) (기판 스테이지 (2)) 사이의 간극 (Ga) 에 배치되는 다공 부재 (80) 를 구비하고 있다. 본 실시 형태에 있어서, 간극 (Ga) 에 유입되는 액체 (LQ) 의 적어도 일부는, 다공 부재 (80) 를 통하여 회수된다.
본 실시 형태에 있어서, 다공 부재 (80) 는, 사출면 (13) 및 하면 (14) 중 적어도 일방이 대향 가능한 상면 (80A) 과, 제 1 유지부 (31) 에 유지된 기판 (P) 의 측면 (Pc) 이 대향 가능한 제 1 측면 (80B) 과, 제 2 유지부 (32) 에 유지된 커버 부재 (T) 의 내면 (Tc) 이 대향 가능한 제 2 측면 (80C) 을 갖는다. 기판 (P) 의 측면 (Pc) 은, 기판 (P) 의 상면 (Pa) 과, 상면 (Pa) 의 반대 방향을 향하는 기판 (P) 의 하면 (Pb) 을 연결한다. 커버 부재 (T) 의 내면 (Tc) 은, 커버 부재 (T) 의 상면 (Ta) 과, 상면 (Ta) 의 반대 방향을 향하는 커버 부재 (T) 의 하면 (Tb) 을 연결한다. 커버 부재 (T) 의 상면 (Ta) 은, 기판 스테이지 (2) 의 상면 (2U) 을 포함한다. 다공 부재 (80) 가 배치되지 않은 상태에 있어서, 기판 (P) 의 측면 (Pc) 과 커버 부재 (T) 의 내면 (Tc) 은, 대향 가능하다.
본 실시 형태에 있어서, 다공 부재 (80) 는, 예를 들어 티탄제이다. 다공 부재 (80) 는, 예를 들어 소결법에 의해 형성 가능하다.
본 실시 형태에 있어서, 다공 부재 (80) 의 상면 (80A) 은, 액체 (LQ) 에 대해 발액성이다.
본 실시 형태에 있어서, 액체 (LQ) 에 대한 상면 (80A) 의 접촉각은, 예를 들어 90 도 보다 크다. 액체 (LQ) 에 대한 상면 (80A) 의 접촉각은, 예를 들어 100 도 이상이어도 되고, 110 도 이상이어도 된다.
본 실시 형태에 있어서는, 다공 부재 (80) 의 상면 (80A) 에, 불소를 함유하는 발액성의 재료가 코팅되어 있다. 즉, 상면 (80A) 에, 발액성의 재료를 함유하는 막 (80F) 이 배치되어 있다. 발액성의 재료는, 예를 들어 PFA (Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer) 여도 되고, PTFE (Poly tetra fluoro ethylene) 여도 되고, PEEK (polyetheretherketone) 여도 되고, 테플론 (등록상표) 이어도 된다.
본 실시 형태에 있어서, 액체 (LQ) 에 대한 다공 부재 (80) 의 상면 (80A) 의 접촉각은, 제 1 측면 (80B) 의 접촉각보다 크다. 또, 본 실시 형태에 있어서, 액체 (LQ) 에 대한 다공 부재 (80) 의 상면 (80A) 의 접촉각은, 제 2 측면 (80C) 의 접촉각보다 크다.
또한, 액체 (LQ) 에 대한 다공 부재 (80) 의 상면 (80A) 의 접촉각은, 제 1 측면 (80B) 의 접촉각보다 작아도 되고, 제 1 측면 (80B) 의 접촉각과 거의 동일해도 된다. 또한, 액체 (LQ) 에 대한 다공 부재 (80) 의 상면 (80A) 의 접촉각은, 제 2 측면 (80C) 의 접촉각보다 작아도 되고, 제 2 측면 (80C) 의 접촉각과 거의 동일해도 된다.
본 실시 형태에 있어서, 액체 (LQ) 에 대한 기판 (P) 의 상면 (Pa) 의 접촉각, 및 커버 부재 (T) 의 상면 (Ta) 의 접촉각은, 제 1 측면 (80B) 의 접촉각보다 크다. 또, 본 실시 형태에 있어서, 액체 (LQ) 에 대한 기판 (P) 의 상면 (Pa) 의 접촉각, 및 커버 부재 (T) 의 상면 (Ta) 의 접촉각은, 제 2 측면 (80C) 의 접촉각보다 크다.
또한, 액체 (LQ) 에 대한 기판 (P) 의 상면 (Pa) 의 접촉각, 및 커버 부재 (T) 의 상면 (Ta) 의 접촉각은, 제 1 측면 (80B) 의 접촉각보다 작아도 되고, 제 1 측면 (80B) 의 접촉각과 거의 동일해도 된다. 또한, 액체 (LQ) 에 대한 기판 (P) 의 상면 (Pa) 의 접촉각, 및 커버 부재 (T) 의 상면 (Ta) 의 접촉각은, 제 2 측면 (80C) 의 접촉각보다 작아도 되고, 제 2 측면 (80C) 의 접촉각과 거의 동일해도 된다.
또, 본 실시 형태에 있어서, 다공 부재 (80) 의 상면 (80A) 은, 제 1 유지부 (31) 에 유지된 기판 (P) 의 상면 (Pa), 및 제 2 유지부 (32) 에 유지된 커버 부재 (T) 의 상면 (Ta) 과 거의 면일이다.
또한, 다공 부재 (80) 의 상면 (80A) 은, 기판 (P) 의 상면 (Pa) 및 커버 부재 (T) 의 상면 (Ta) 보다 낮은 위치 (－Z 측의 위치) 에 배치되어도 되고, 높은 위치 (＋Z 측의 위치) 에 배치되어도 된다.
본 실시 형태에 있어서, 제 1 유지부 (31) 에 유지된 기판 (P) 의 측면 (Pc) 과, 다공 부재 (80) 의 제 1 측면 (80B) 의 거리 (L1) 는, 제 2 유지부 (32) 에 유지된 커버 부재 (T) 의 내면 (Tc) 과 다공 부재 (80) 의 제 2 측면 (80C) 의 거리 (L2) 보다 크다.
또한, 측면 (Pc) 과 제 1 측면 (80B) 의 거리 (L1) 는, 내면 (Tc) 과 제 2 측면 (80C) 의 거리 (L2) 보다 작아도 되고, 거리 (L2) 와 거의 동일해도 된다.
본 실시 형태에 있어서, 기판 스테이지 (2) 는, 간극 (Ga) 으로 통하는 공간부 (23) 를 갖는다. 공간부 (23) 는, 간극 (Ga) 의 하방에 위치한다. 본 실시 형태에 있어서, 다공 부재 (80) 의 적어도 일부는, 공간부 (23) 에 배치된다. 본 실시 형태에 있어서, 다공 부재 (80) 는, 간극 (Ga) 에 배치되는 제 1 부분 (801) 과, 공간부 (23) 에 배치되는 제 2 부분 (802) 을 포함한다.
본 실시 형태에 있어서, 제 1 유지부 (31) 의 중심에 대한 방사 방향에 관해서, 간극 (Ga) 의 치수 (Wa) 는, 공간부 (23) 의 치수 (Wb) 보다 작다. 또한, 치수 (Wa) 는, 치수 (Wb) 보다 커도 되고, 치수 (Wb) 와 거의 동일해도 된다.
또, 본 실시 형태에 있어서, 제 1 유지부 (31) 의 중심에 대한 방사 방향에 관해서, 제 2 부분 (802) 의 치수 (W2) 는, 제 1 부분 (801) 의 치수 (W1) 보다 크다. 또한, 치수 (W2) 는, 치수 (W1) 보다 작아도 되고, 치수 (W1) 와 거의 동일해도 된다.
또한, 제 1 유지부 (31) 의 중심에 대한 방사 방향의 치수란, XY 평면 내에 있어서의 방사 방향에 관한 치수를 말한다.
본 실시 형태에 있어서, 다공 부재 (80) 는, 케이스 (81) 에 지지되어 있다. 케이스 (81) 는, 공간부 (23) 에 있어서, 제 2 부분 (802) 의 적어도 일부에 접촉하도록 배치된다. 본 실시 형태에 있어서, 케이스 (81) 는, 제 2 부분 (802) 의 하면 및 측면의 적어도 일부에 접촉하도록 배치된다. 본 실시 형태에 있어서, 케이스 (81) 는, 예를 들어 세라믹제이다. 또한, 케이스 (81) 가 금속제여도 된다.
또, 본 실시 형태에 있어서, 다공 부재 (80) 및 케이스 (81) 와 커버 부재 (T) 의 사이에, 지지 부재 (82) 가 배치된다. 지지 부재 (82) 는, 다공 부재 (80) (제 2 부분 (802)) 및 케이스 (81) 의 적어도 일부에 지지된다. 지지 부재 (82) 는, 커버 부재 (T) 의 하면 (Tb) 의 적어도 일부와 대향 가능하다. 지지 부재 (82) 는, 커버 부재 (T) 의 하면 (Tb) 의 적어도 일부를 지지한다.
본 실시 형태에 있어서, 기판 스테이지 (2) 는, 공간부 (23) 에 배치되는 흡인구 (24) 를 갖는다. 본 실시 형태에 있어서, 흡인구 (24) 는, 공간부 (23) 를 형성하는 기판 스테이지 (2) 의 내면의 적어도 일부에 형성되어 있다. 흡인구 (24) 는, 공간부 (23) 가 부압이 되도록, 공간부 (23) 의 유체의 적어도 일부를 흡인한다. 흡인구 (24) 는, 공간부 (23) 의 액체 및 기체의 일방 또는 양방이 흡인 가능하다.
흡인구 (24) 는, 유로 (25) 를 통하여, 유체 흡인 장치 (26) 와 접속되어 있다. 유체 흡인 장치 (26) 는, 흡인구 (24) 가 진공 시스템에 접속 가능하고, 흡인구 (24) 를 통하여 액체 및 기체의 일방 또는 양방이 흡인 가능하다. 유로 (25) 의 적어도 일부는, 기판 스테이지 (2) 의 내부에 형성된다. 흡인구 (24) 로부터 흡인된 유체 (액체 및 기체 중 적어도 일방) 는, 유로 (25) 를 통하여 유체 흡인 장치 (26) 에 흡인된다.
본 실시 형태에 있어서, 케이스 (81) 는, 케이스 (81) 의 외면과 내면을 연결하는 구멍 (개구) (81H) 을 갖는다. 구멍 (81H) 의 상단의 개구 (83) 는, 다공 부재 (80) 의 하면에 면한다. 구멍 (81H) 의 하단의 개구는, 흡인구 (24) 와 연결된다. 흡인구 (24) 는, 케이스 (81) 의 내측의 공간이 부압이 되도록, 그 케이스 (81) 의 내측의 공간의 유체가, 구멍 (81H) 을 통하여 흡인 가능하다.
본 실시 형태에 있어서, 제 1 유지부 (31) 는, 예를 들어 핀척 기구를 갖는다. 제 1 유지부 (31) 는, 기판 스테이지 (2) 의 지지면 (31S) 에 배치되고, 기판 (P) 의 하면 (Pb) 이 대향 가능한 주벽부 (35) 와, 주벽부 (35) 의 내측의 지지면 (31S) 에 배치되고, 복수의 핀 부재를 포함하는 지지부 (36) 와, 지지면 (31S) 에 배치되고, 유체를 흡인하는 흡인구 (37) 를 갖는다. 흡인구 (37) 는, 유체 흡인 장치와 접속된다. 유체 흡인 장치는, 제어 장치 (8) 에 제어된다. 주벽부 (35) 의 상면은, 기판 (P) 의 하면 (Pb) 과 대향 가능하다. 주벽부 (35) 는, 기판 (P) 의 하면 (Pb) 과의 사이의 적어도 일부에 부압 공간이 형성 가능하다. 또한, 지지면 (31) 에 있어서, 주벽부 (35) 는 실질적으로 원형이며, 전술, 및 후술의 설명에 있어서, 제 1 유지부 (31) 의 중심은, 주벽부 (35) 의 중심이다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, XY 평면 내에 있어서, 주벽부 (35) 는, 실질적으로 원형 (둥근 고리형) 이다. 제어 장치 (8) 는, 기판 (P) 의 하면 (Pb) 과 주벽부 (35) 의 상면이 접촉된 상태에서, 흡인구 (37) 의 흡인 동작을 실행함으로써, 주벽부 (35) 와 기판 (P) 의 하면 (Pb) 과 지지면 (31S) 으로 형성되는 공간 (31H) 을 부압으로 할 수 있다. 이로써, 기판 (P) 이 제 1 유지부 (31) 에 유지된다. 또, 흡인구 (37) 의 흡인 동작이 해제됨으로써, 기판 (P) 은 제 1 유지부 (31) 로부터 해방된다.
본 실시 형태에 있어서는, 공간 (31H) 을 부압으로 함으로써, 기판 (P) 의 하면이 지지부 (36) (복수의 핀 부재) 의 상단에 유지된다. 즉, 지지부 (36) (복수의 핀 부재) 의 상단에 의해 기판 (P) 을 유지하는 유지면 (36S) 의 적어도 일부가 규정되어 있다.
본 실시 형태에 있어서, 제 2 유지부 (32) 는, 예를 들어 핀척 기구를 갖는다. 제 2 유지부 (32) 는, 기판 스테이지 (2) 의 지지면 (32S) 에 있어서 주벽부 (35) 를 둘러싸도록 배치되고, 커버 부재 (T) 의 하면 (Tb) 이 대향 가능한 주벽부 (38) 와, 지지면 (32S) 에 있어서 주벽부 (38) 를 둘러싸도록 배치되고, 커버 부재 (T) 의 하면 (Tb) 이 대향 가능한 주벽부 (39) 와, 주벽부 (38) 와 주벽부 (39) 사이의 지지면 (32S) 에 배치되어, 복수의 핀 부재를 포함하는 지지부 (40) 와, 지지면 (32S) 에 배치되어, 유체를 흡인하는 흡인구 (41) 를 갖는다. 흡인구 (41) 는, 유체 흡인 장치와 접속된다. 유체 흡인 장치는, 제어 장치 (8) 에 제어된다. 주벽부 (38, 39) 의 상면은, 커버 부재 (T) 의 하면 (Tb) 과 대향 가능하다. 주벽부 (38, 39) 는, 커버 부재 (T) 의 하면 (Tb) 과의 사이의 적어도 일부에 부압 공간이 형성 가능하다. 제어 장치 (8) 는, 커버 부재 (T) 의 하면 (Tb) 과 주벽부 (38, 39) 의 상면이 접촉된 상태에서, 흡인구 (41) 의 흡인 동작을 실행함으로써, 주벽부 (38) 와 주벽부 (39) 와 커버 부재 (T) 의 하면 (Tb) 과 지지면 (32S) 으로 형성되는 공간 (32H) 을 부압으로 할 수 있다. 이로써, 커버 부재 (T) 가 제 2 유지부 (32) 에 유지된다. 또, 흡인구 (41) 의 흡인 동작이 해제됨으로써, 커버 부재 (T) 는 제 2 유지부 (32) 로부터 해방된다.
공간부 (23) 는, 주벽부 (35) 의 주위의 공간을 포함한다. 본 실시 형태에 있어서, 공간부 (23) 는, 주벽부 (35) 와 주벽부 (38) 사이의 공간을 포함한다.
도 4 는, 간극 (Ga) 에 유입되는 액체 (LQ) 의 적어도 일부가, 다공 부재 (80) 를 통하여 회수되는 상태의 일례를 나타내는 도면이다. 본 실시 형태에 있어서는, 종단 광학 소자 (12) 및 액침 부재 (7) 와 제 1 유지부 (31) 에 유지된 기판 (P) 및 제 2 유지부 (32) 에 유지된 커버 부재 (T) 중 적어도 일방의 사이에 액침 공간 (LS) 이 형성된다. 또, 액침 공간 (LS) 은, 간극 (Ga) 상에 형성될 가능성이 있다. 그 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 의 적어도 일부가, 간극 (Ga) 에 유입될 가능성이 있다.
본 실시 형태에 있어서, 제어 장치 (8) 는, 간극 (Ga) 에 유입된 액체 (LQ) 의 적어도 일부를, 다공 부재 (80) 를 통하여 회수한다. 간극 (Ga) 에 유입된 액체 (LQ) 를 회수할 때, 제어 장치 (8) 는, 유체 흡인 장치 (26) 를 제어하여, 흡인구 (24) 를 진공 시스템에 접속한다. 이로써, 공간부 (23) 의 유체가, 흡인구 (24) 로부터 흡인되어 공간부 (23) 가 부압이 된다.
상기 서술한 바와 같이, 흡인구 (24) 는, 구멍 (81H) 을 통하여, 케이스 (81) 의 내측의 공간의 유체가 흡인 가능하다. 흡인구 (24) 의 흡인 동작이 실시됨으로써, 케이스 (81) 의 내측의 공간, 및 그 케이스 (81) 의 내측의 공간에 배치되어 있는 다공 부재 (80) 의 구멍이 부압이 된다. 이로써, 다공 부재 (80) 의 주위의 유체가, 다공 부재 (80) 의 구멍으로부터 흡인된다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 흡인구 (24) 의 흡인 동작이 실시됨으로써, 다공 부재 (80) 의 제 1 측면 (80B) 과 기판 (P) 의 측면 (Pc) 사이에 유입된 액체 (LQ) 는, 제 1 측면 (80B) 의 구멍에 흡인된다. 즉, 다공 부재 (80) 는, 제 1 측면 (80B) 과 기판 (P) 의 측면 (Pc) 사이에 유입된 액체 (LQ) 를, 기판 (P) 의 측면 (Pc) 과 대향하는 제 1 측면 (80B) 의 구멍으로부터 회수한다.
또, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 흡인구 (24) 의 흡인 동작이 실시됨으로써, 다공 부재 (80) 의 제 2 측면 (80C) 과 커버 부재 (T) 의 내면 (Tc) 의 사이에 유입된 액체 (LQ) 는, 제 2 측면 (80C) 의 구멍에 흡인된다. 즉, 다공 부재 (80) 는, 제 2 측면 (80C) 과 커버 부재 (T) 의 내면 (Tc) 의 사이에 유입된 액체 (LQ) 를, 커버 부재 (T) 의 내면 (Tc) 과 대향하는 제 2 측면 (80C) 의 구멍으로부터 회수한다.
다공 부재 (80) 를 통하여 회수된 액체 (LQ) 의 적어도 일부는, 흡인구 (24) 로부터 흡인된다. 본 실시 형태에 있어서, 제 1, 제 2 측면 (80B, 80C) 의 구멍으로부터 회수된 액체 (LQ) 의 적어도 일부는, 다공 부재 (80) 의 내부를 흐른 후, 흡인구 (24) 로부터 흡인된다. 이로써, 간극 (Ga) 및 공간부 (23) 로부터 액체 (LQ) 가 제거된다.
본 실시 형태에 있어서, 제 2 부분 (802) 의 하면 및 측면은, 케이스 (81) 로 덮여 있다.
제 1 부분 (801) 의 제 1, 제 2 측면 (80B, 80C) 은, 케이스 (81) 로 덮여 있지 않다. 제 1 부분 (801) 의 제 1, 제 2 측면 (80B, 80C) 은, 간극 (Ga) 에 유입된 액체 (LQ) 와 접촉 가능하다. 따라서, 흡인구 (24) 의 흡인 동작이 실시됨으로써, 간극 (Ga) 에 유입된 액체 (LQ) 는, 제 1, 제 2 측면 (80B, 80C) 으로부터 원활히 회수된다.
상기 서술한 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서, 액체 (LQ) 에 대한 다공 부재 (80) 의 상면 (80A) 의 접촉각은, 제 1, 제 2 측면 (80B, 80C) 의 접촉각보다 크다. 본 실시 형태에 있어서, 액체 (LQ) 의 상면 (80A) 의 구멍으로의 유입은, 제 1, 제 2 측면 (80B, 80C) 의 구멍으로의 유입보다 억제된다. 예를 들어, 다공 부재 (80) 는, 상면 (80A) 의 구멍으로부터 액체 (LQ) 를 회수하지 않아도 된다.
또한, 액체 (LQ) 의 상면 (80A) 의 구멍으로의 유입이, 제 1, 제 2 측면 (80B, 80C) 의 구멍으로의 유입보다 억제되지 않아도 된다. 즉, 다공 부재 (80) 는, 상면 (80A) 의 구멍으로부터 액체 (LQ) 를 회수해도 된다.
다음으로, 노광 장치 (EX) 의 동작의 일례에 대해, 도 5, 도 6, 및 도 7 을 참조하여 설명한다. 도 5 는, 본 실시 형태에 관련된 노광 장치 (EX) 의 동작의 일례를 나타내는 플로우 차트이다. 도 6 은, 제 1 유지부 (31) (기판 스테이지 (2)) 에 유지된 기판 (P) 의 일례를 나타내는 도면이다. 도 7 은, 기판 스테이지 (2) 및 계측 스테이지 (3) 의 동작의 일례를 나타내는 도면이다.
본 실시 형태에 있어서, 기판 스테이지 (2) 는, 적어도 제 1 위치 (EP) 와 제 2 위치 (RP) 의 사이가 이동 가능하다. 제 1 위치 (EP) 는, 종단 광학 소자 (12) 및 액침 부재 (7) 와 제 1 유지부 (31) 에 유지된 기판 (P) 의 상면 (Pa) 및 기판 스테이지 (2) 의 상면 (2U) (Ta) 중 적어도 일방의 사이에 액침 공간 (LS) 이 형성 가능한 위치이다. 바꾸어 말하면, 제 1 위치 (EP) 는, 종단 광학 소자 (12) 및 액침 부재 (7) 와 대향하는 위치이다.
제 2 위치 (RP) 는, 종단 광학 소자 (12) 및 액침 부재 (7) 와 제 1 유지부 (31) 에 유지된 기판 (P) 의 상면 (Pa) 및 기판 스테이지 (2) 의 상면 (2U) 중 적어도 일방의 사이에 액침 공간 (LS) 이 형성 불가능한 위치이다.
제 1 위치 (EP) 는, 제 1 유지부 (31) 에 유지된 기판 (P) 이 노광 가능한 위치이다. 본 실시 형태에 있어서, 제 2 위치 (RP) 는, 예를 들어 노광 후의 기판 (P) 을 제 1 유지부 (31) 로부터 반출하는 동작, 및 노광 전의 기판 (P) 을 제 1 유지부 (31) 에 반입하는 동작 중 적어도 일방이 실행되는 기판 교환 위치이다.
또한, 제 2 위치 (EP) 는, 기판 교환 위치에 한정되지 않는다.
이하의 설명에 있어서, 제 1 위치 (EP) 를 적절히, 노광 위치 (EP) 라고 칭하고, 제 2 위치 (RP) 를 적절히, 기판 교환 위치 (RP) 라고 칭한다.
또, 이하의 설명에 있어서, 기판 교환 위치 (RP) 에 있어서, 노광 전의 기판 (P) 을 제 1 유지부 (31) 에 반입하는 처리, 및 노광 후의 기판 (P) 을 제 1 유지부 (31) 로부터 반출하는 처리를 적절히, 기판 교환 처리라고 칭한다.
제 1 유지부 (31) 에 유지되어 있는 기판 (P) 을 노광하기 위해서, 기판 스테이지 (2) 를 노광 위치 (EP) 로 이동하고, 종단 광학 소자 (12) 및 액침 부재 (7) 와 기판 스테이지 (2) (기판 (P)) 의 사이에 액체 (LQ) 로 액침 공간 (LS) 이 형성된 후, 제어 장치 (8) 는, 기판 (P) 의 노광 처리를 개시한다 (스텝 ST1).
본 실시 형태의 노광 장치 (EX) 는, 마스크 (M) 와 기판 (P) 을 소정의 주사 방향으로 동기 이동하면서, 마스크 (M) 의 패턴의 이미지를 기판 (P) 에 투영하는 주사형 노광 장치 (소위 스캐닝 스텝퍼) 이다. 본 실시 형태에 있어서는, 기판 (P) 의 주사 방향 (동기 이동 방향) 을 Y 축방향으로 하고, 마스크 (M) 의 주사 방향 (동기 이동 방향) 도 Y 축방향으로 한다. 제어 장치 (8) 는, 기판 (P) 을 투영 광학계 (PL) 의 투영 영역 (PR) 에 대해 Y 축방향으로 이동함과 함께, 그 기판 (P) 의 Y 축방향으로의 이동과 동기하여, 조명계 (IL) 의 조명 영역 (IR) 에 대해 마스크 (M) 를 Y 축방향으로 이동하면서, 투영 광학계 (PL) 와 기판 (P) 상의 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 를 통하여 기판 (P) 에 노광 광 (EL) 을 조사한다. 이로써, 기판 (P) 이 액체 (LQ) 를 통하여 노광 광 (EL) 으로 노광되고, 마스크 (M) 의 패턴의 이미지가 투영 광학계 (PL) 및 액체 (LQ) 를 통하여 기판 (P) 에 투영된다.
도 6 에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서는, 기판 (P) 상에 노광 대상 영역인 쇼트 영역 (S) 이 매트릭스상으로 복수 배치되어 있다. 제어 장치 (8) 는, 기판 (P) 상에 정해진 복수의 쇼트 영역 (S) 을 순차 노광한다.
기판 (P) 의 쇼트 영역 (S) 을 노광할 때, 종단 광학 소자 (12) 및 액침 부재 (7) 와 기판 (P) 이 대향되고, 종단 광학 소자 (12) 와 기판 (P) 사이의 노광 광 (EL) 의 광로 (K) 가 액체 (LQ) 로 채워지도록 액침 공간 (LS) 이 형성된다. 기판 (P) 의 복수의 쇼트 영역 (S) 을 순차 노광할 때, 종단 광학 소자 (12) 및 액침 부재 (7) 와 기판 (P) 의 상면 (Pa) 및 기판 스테이지 (2) 의 상면 (2U) 중 적어도 일방의 사이에 액체 (LQ) 로 액침 공간 (LS) 이 형성되어 있는 상태에서, 구동 시스템 (5) 에 의해 기판 스테이지 (2) 가 XY 평면 내에 있어서 이동된다. 제어 장치 (8) 는, 종단 광학 소자 (12) 및 액침 부재 (7) 와 기판 (P) 의 상면 (Pa) 및 기판 스테이지 (2) 의 상면 (2U) 중 적어도 일방의 사이에 액체 (LQ) 로 액침 공간 (LS) 이 형성되어 있는 상태에서, 기판 스테이지 (2) 를 이동하면서, 기판 (P) 의 노광을 실행한다.
예를 들어 기판 (P) 상의 복수의 쇼트 영역 (S) 중 최초의 쇼트 영역 (제 1 쇼트 영역) (S) 을 노광하기 위해서, 제어 장치 (8) 는, 그 제 1 쇼트 영역 (S) 을 노광 개시 위치로 이동한다. 제어 장치 (8) 는, 액침 공간 (LS) 이 형성된 상태에서, 제 1 쇼트 영역 (S) (기판 (P)) 을 투영 광학계 (PL) 의 투영 영역 (PR) 에 대해 Y 축방향으로 이동하면서, 그 제 1 쇼트 영역 (S) 에 대해 노광 광 (EL) 을 조사한다.
제 1 쇼트 영역 (S) 의 노광이 종료된 후, 다음의 제 2 쇼트 영역 (S) 을 노광하기 위해서, 제어 장치 (8) 는, 액침 공간 (LS) 이 형성된 상태에서, 기판 (P) 을 X 축방향 (혹은 XY 평면 내에 있어서 X 축방향에 대해 경사지는 방향) 으로 이동하고, 제 2 쇼트 영역 (S) 을 노광 개시 위치로 이동한다. 제어 장치 (8) 는, 제 1 쇼트 영역 (S) 과 마찬가지로, 제 2 쇼트 영역 (S) 을 노광한다.
제어 장치 (8) 는, 투영 영역 (PR) 에 대해 쇼트 영역 (S) 을 Y 축방향으로 이동하면서 그 쇼트 영역 (S) 에 노광 광 (EL) 을 조사하는 동작 (스캔 노광 동작) 과, 그 쇼트 영역 (S) 의 노광이 종료된 후, 다음의 쇼트 영역 (S) 을 노광 개시 위치로 이동하기 위한 동작 (스텝핑 동작) 을 반복하면서, 기판 (P) 상의 복수의 쇼트 영역 (S) 을, 투영 광학계 (PL) 및 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 를 통하여 순차 노광한다. 기판 (P) 의 복수의 쇼트 영역 (S) 에 대해 노광 광 (EL) 이 순차 조사된다.
본 실시 형태에 있어서, 제어 장치 (8) 는, 투영 광학계 (PL) 의 투영 영역 (PR) 과 기판 (P) 이, 도 6 중, 화살표 R1 로 나타내는 이동 궤적을 따라 상대적으로 이동하도록 기판 스테이지 (2) 를 이동하면서 투영 영역 (PR) 에 노광 광 (EL) 을 조사하고, 액체 (LQ) 를 통하여 기판 (P) 의 복수의 쇼트 영역 (S) 을 노광 광 (EL) 으로 순차 노광한다. 기판 (P) 의 노광에 있어서의 기판 스테이지 (2) 의 이동 중의 적어도 일부에 있어서, 액침 공간 (LS) 은, 간극 (Ga) 상에 형성된다.
기판 (P) 상의 복수의 쇼트 영역 (S) 중 최후의 쇼트 영역 (S) 의 노광이 종료됨으로써, 바꾸어 말하면, 복수의 쇼트 영역 (S) 에 대한 노광 광 (EL) 의 조사가 종료됨으로써, 그 기판 (P) 의 노광이 종료된다 (스텝 ST2).
복수의 쇼트 영역 (S) 에 대한 노광 광 (EL) 의 조사 종료 후 (기판 (P) 의 노광 종료 후), 제어 장치 (8) 는, 기판 교환 처리를 실행하기 위해서, 기판 스테이지 (2) 를 기판 교환 위치 (RP) 로 이동한다 (스텝 ST3).
도 7 에 나타내는 바와 같이, 기판 교환 위치 (RP) 에 기판 스테이지 (2) 가 배치된 후, 제어 장치 (8) 는, 기판 반송 장치 (도시 생략) 를 사용하여, 노광 후의 기판 (P) 을 제 1 유지부 (31) 로부터 반출 (언로드) 한다 (스텝 ST4).
노광 후의 기판 (P) 이 제 1 유지부 (31) 로부터 반출 (언로드) 된 후, 제어 장치 (8) 는, 기판 반송 장치 (도시 생략) 를 사용하여, 노광 전의 기판 (P) 을 제 1 유지부 (31) 에 반입 (로드) 한다 (스텝 ST5).
또한, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 기판 교환 처리가 실행되고 있을 때, 노광 위치 (EP) 에 계측 스테이지 (3) 가 배치된다. 제어 장치 (8) 는, 필요에 따라, 계측 스테이지 (3) (계측 부재 (C), 계측기) 를 사용하여, 소정의 계측 처리를 실행한다. 노광 전의 기판 (P) 이 제 1 유지부 (31) 에 로드되고, 계측 스테이지 (3) 를 사용하는 계측 처리가 종료된 후, 제어 장치 (8) 는, 기판 스테이지 (2) 를 노광 위치 (EP) 로 이동한다 (스텝 ST6).
본 실시 형태에 있어서는, 제어 장치 (8) 는, 기판 스테이지 (2) 를 기판 교환 위치 (RP) 로부터 노광 위치 (EP) 로 이동할 때에, 얼라이먼트 시스템 (302) 을 사용하여, 기판 스테이지 (2) (제 1 유지부 (31)) 에 유지되어 있는 기판 (P) 의 얼라이먼트 마크를 검출한다 (스텝 ST7). 또, 제어 장치 (8) 는, 기판 스테이지 (2) 를 기판 교환 위치 (RP) 로부터 노광 위치 (EP) 로 이동할 때에, 표면 위치 검출 시스템 (303) 을 사용하여, 기판 스테이지 (2) (제 1 유지부 (31)) 에 유지되어 있는 기판 (P) 의 상면 (Pa) 의 위치를 검출한다.
기판 (P) 의 얼라이먼트 마크의 검출 및 기판 (P) 의 상면 (Pa) 의 위치의 검출이 종료된 후, 제어 장치 (8) 는, 그 검출 결과에 기초하여, 기판 (P) 의 위치를 조정하면서, 그 기판 (P) 의 노광을 개시한다. 이하, 동일한 처리가 반복되어 복수의 기판 (P) 이 순차 노광된다.
본 실시 형태에 있어서는, 기판 (P) 의 노광이 실행되는 제 1 기간의 적어도 일부, 및 기판 (P) 의 노광이 실행되지 않는 제 2 기간의 적어도 일부의 각각에 있어서, 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 의 흡인 동작이 실행된다.
본 실시 형태에 있어서, 제 1 기간은, 기판 스테이지 (2P) 가 노광 위치 (EP) 에 배치되는 기간을 포함한다. 또, 제 1 기간은, 기판 (P) 의 노광이 개시되고 나서 (스텝 ST1), 그 기판 (P) 의 노광이 종료될 때까지 (스텝 ST2) 의 기간을 포함한다.
본 실시 형태에 있어서, 제 1 기간은, 복수의 쇼트 영역 (S) 중 최초의 쇼트 영역 (S) 의 노광이 개시되고 나서 최후의 쇼트 영역 (S) 의 노광이 종료될 때까지의 기간을 포함한다. 제어 장치 (8) 는, 복수의 쇼트 영역 (S) 중 최초의 쇼트 영역 (S) 의 노광이 개시되고 나서 최후의 쇼트 영역 (S) 의 노광이 종료될 때까지, 흡인구 (24) 의 유체 흡인 동작을 계속 실행한다.
이로써, 예를 들어 복수의 쇼트 영역 (S) 에 대해 노광 광 (EL) 이 순차 조사되는 제 1 기간의 적어도 일부에 있어서, 간극 (Ga) 상에 액침 공간 (LS) 이 형성되고, 그 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 가 간극 (Ga) 에 유입되어도, 간극 (Ga) 에 유입된 액체 (LQ) 는, 제 1 기간에 있어서 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 로부터 즉시 흡인된다. 또, 간극 (Ga) 을 통하여 공간부 (23) 에 유입된 액체 (LQ) 도, 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 로부터 흡인된다.
본 실시 형태에 있어서, 제 2 기간은, 기판 (P) 에 대한 노광 광 (EL) 의 조사 종료 후의 기간을 포함한다. 본 실시 형태에 있어서, 제 2 기간은, 복수의 쇼트 영역 (S) 에 대한 노광 광 (EL) 의 조사 종료 후의 기간을 포함한다. 바꾸어 말하면, 제 2 기간은, 복수의 쇼트 영역 (S) 중 최후의 쇼트 영역 (S) 의 노광 후의 기간을 포함한다. 제 2 기간에 있어서 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 의 흡인 동작이 실행됨으로써, 제 1 기간에 있어서의 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 의 흡인 동작에 의해 공간부 (23) 의 액체 (LQ) 가 완전히 흡인 (회수) 될 수 없어도, 그 제 2 기간에 있어서의 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 의 흡인 동작에 의해, 간극 (Ga) (공간부 (23)) 으로부터 액체 (LQ) 가 제거된다.
또, 본 실시 형태에 있어서, 제 2 기간은, 기판 (P) 에 대한 노광 광 (EL) 의 조사 개시 전의 기간을 포함한다. 본 실시 형태에 있어서, 제 2 기간은, 복수의 쇼트 영역 (S) 에 대한 노광 광 (EL) 의 조사 개시 전의 기간을 포함한다. 바꾸어 말하면, 제 2 기간은, 복수의 쇼트 영역 (S) 중 최초의 쇼트 영역 (S) 의 노광 전의 기간을 포함한다. 제 2 기간에 있어서 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 의 흡인 동작이 실행됨으로써, 간극 (Ga) (공간부 (23)) 으로부터 액체 (LQ) 를 제거한 후, 기판 (P) 의 노광을 개시할 수 있다.
본 실시 형태에 있어서, 제어 장치 (8) 는, 기판 (P) 의 노광이 실행되는 제 1 기간의 적어도 일부에 있어서의 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 의 흡인력을, 기판 (P) 의 노광이 실행되지 않는 제 2 기간에 있어서의 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 의 흡인력보다 작게 한다. 즉, 제어 장치 (8) 는, 제 1 기간의 적어도 일부에 있어서, 간극 (Ga) (공간부 (23)) 의 유체를 흡인구 (24) 로부터 제 1 흡인력으로 흡인하고, 제 2 기간에 있어서, 간극 (Ga) (공간부 (23)) 의 유체를 흡인구 (24) 로부터 제 1 흡인력보다 큰 제 2 흡인력으로 흡인한다. 바꾸어 말하면, 제어 장치 (8) 는, 제 1 기간의 적어도 일부에 있어서 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 로부터 단위 시간당 제 1 유량으로 유체를 흡인하고, 제 2 기간에 있어서 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 로부터 단위 시간당 제 1 유량보다 많은 제 2 유량으로 유체를 흡인한다.
본 실시 형태에 있어서, 제 2 기간은, 순차 노광되는 복수의 기판 (P) 중, 제 1 기판 (P) 의 노광 종료시 (최후의 쇼트 영역 (S) 의 노광 종료시) 부터 다음의 제 2 기판 (P) 의 노광 개시시 (최초의 쇼트 영역 (S) 의 노광 개시시) 까지의 적어도 일부의 기간을 포함한다.
예를 들어, 제 2 기간은, 제 1 기판 (P) 의 노광 종료 후 (스텝 ST2) 부터, 그 노광 후의 제 1 기판 (P) 이 제 1 유지부 (31) 로부터 반출되고, 노광 전의 제 2 기판 (P) 이 제 1 유지부 (31) 에 반입되고, 그 노광 전의 제 2 기판 (P) 의 얼라이먼트 마크 검출 개시 (스텝 ST7) 까지의 기간이어도 된다. 즉, 본 실시 형태에 있어서, 제 2 기간은, 기판 (P) 의 노광 종료 (스텝 ST2) 로부터 다음의 기판 (P) 의 얼라이먼트 마크 검출까지 (스텝 ST7) 의 기간이어도 된다.
또, 제 2 기간은, 기판 (P) 에 대한 노광 광 (EL) 의 조사 종료 후 (스텝 ST2), 노광 전의 기판 (P) 을 제 1 유지부 (31) 로 유지한 기판 스테이지 (2) 가 노광 위치 (EP) 로 이동을 개시할 때까지 (스텝 ST6) 의 기간이어도 된다.
또, 제 2 기간은, 기판 (P) 에 대한 노광 광 (EL) 의 조사 종료 후 (스텝 ST2), 노광 전의 기판 (P) 을 제 1 유지부 (31) 에 반입할 때까지 (스텝 ST5) 의 기간이어도 된다.
또, 제 2 기간은, 기판 (P) 에 대한 노광 광 (EL) 의 조사 종료 후 (스텝 ST2), 기판 (P) 이 제 1 유지부 (31) 로부터 반출될 때까지 (스텝 ST4) 의 기간이어도 된다.
또, 제 2 기간은, 기판 (P) 에 대한 노광 광 (EL) 의 조사 종료 후 (스텝 ST2), 그 노광 후의 기판 (P) 을 제 1 유지부 (31) 로 유지한 기판 스테이지 (2) 가 기판 교환 위치 (EP) 로 이동을 개시할 때까지 (스텝 ST3) 의 기간이어도 된다.
또한, 제 2 기간은, 기판 스테이지 (2) 가 기판 교환 위치 (RP) 에 배치되는 기간이어도 된다. 또, 제 2 기간은, 제 1 유지부 (31) 에 기판 (P) 이 유지되어 있지 않은 기간이어도 된다. 제 1 유지부 (31) 에 기판 (P) 이 유지되어 있지 않은 기간은, 노광 후의 기판 (P) 이 제 1 유지부 (31) 로부터 반출되고 나서 (스텝 ST4), 노광 전의 기판 (P) 이 제 1 유지부 (31) 에 반입될 때까지 (스텝 ST5) 의 기간 (기판 교환 처리 기간) 을 포함한다. 또한, 제 1 유지부 (31) 에 기판 (P) 이 유지되어 있지 않은 기간은, 기판 교환 처리 기간에 한정되지 않는다.
또한, 제 2 기간은, 스텝 ST3 ∼ ST7 의 기간이어도 되고, 스텝 ST3 ∼ ST6 의 기간이어도 되고, 스텝 ST3 ∼ ST5 의 기간이어도 되고, 스텝 ST3 ∼ ST4 의 기간이어도 되고, 스텝 ST4 ∼ ST7 의 기간이어도 되고, 스텝 ST4 ∼ ST6 의 기간이어도 된다.
본 실시 형태에 있어서, 제어 장치 (8) 는, 기판 (P) (복수의 쇼트 영역 (S)) 의 노광에 있어서 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 로부터 제 1 흡인력으로 유체를 흡인하고, 기판 (P) 의 최후의 쇼트 영역 (S) 에 대한 노광 광 (EL) 의 조사 종료시 (스텝 ST2) 에, 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 의 흡인력을 제 1 흡인력으로부터 제 2 흡인력으로 변경한다. 그 경우, 제 2 기간은, 기판 (P) (복수의 쇼트 영역 (S)) 에 대한 노광 광 (EL) 의 조사 종료 후, 종단 광학 소자 (12) 및 액침 부재 (7) 와 기판 (P) 의 상면 및 기판 스테이지 (2) 의 상면 (2U) 중 적어도 일방의 사이에 액침 공간 (LS) 이 형성되어 있는 기간을 포함한다.
또한, 액침 공간 (LS) 이 기판 스테이지 (2) 상에 형성되어 있는 상태로부터 계측 스테이지 (3) 상에 형성되는 상태로 변화될 때 (예를 들어 스텝 ST3) 에, 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 의 흡인력을 제 1 흡인력으로부터 제 2 흡인력으로 변경해도 된다. 그 경우, 노광 광 (EL) 의 조사 종료 후, 액침 공간 (LS) 이 기판 (P) 의 상면 및 기판 스테이지 (2) 의 상면 (2U) 중 적어도 일방의 위에 형성되어 있는 기간에 있어서 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 로부터 제 1 흡인력으로 유체가 흡인된다.
또한, 노광 후의 기판 (P) 이 제 1 유지부 (31) 로부터 반출될 때 (스텝 ST4) 에, 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 의 흡인력을 제 1 흡인력으로부터 제 2 흡인력으로 변경해도 된다.
또한, 노광 전의 기판 (P) 이 제 1 유지부 (31) 에 반입될 때 (스텝 ST5) 에, 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 의 흡인력을 제 2 흡인력으로부터 제 1 흡인력으로 변경해도 된다.
또한, 액침 공간 (LS) 이 계측 스테이지 (3) 상에 형성되어 있는 상태로부터 기판 스테이지 (2) 상에 형성되는 상태로 변화될 때 (예를 들어 스텝 ST6) 에, 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 의 흡인력을 제 2 흡인력으로부터 제 1 흡인력으로 변경해도 된다.
또한, 기판 (P) 의 얼라이먼트 마크가 검출될 때 (스텝 ST7) 에, 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 의 흡인력을 제 2 흡인력으로부터 제 1 흡인력으로 변경해도 된다.
또한, 기판 (P) 의 최초의 쇼트 영역 (S) 에 대한 노광 광 (EL) 의 조사 개시시 (스텝 ST1) 에, 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 의 흡인력을 제 2 흡인력으로부터 제 1 흡인력으로 변경해도 된다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 예를 들어 기판 (P) (쇼트 영역 (S)) 에 노광 광 (EL) 이 조사되는 스캔 노광 동작에 있어서 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 의 유체 흡인 동작을 실행하고, 기판 (P) 에 노광 광 (EL) 이 조사되지 않는 스텝핑 동작에 있어서 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 의 유체 흡인 동작을 정지해도 된다. 또한, 기판 (P) 에 노광 광 (EL) 이 조사되지 않는 스텝핑 동작에 있어서 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 의 유체 흡인 동작을 실행하고, 기판 (P) (쇼트 영역 (S)) 에 노광 광 (EL) 이 조사되는 스캔 노광 동작에 있어서 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 의 유체 흡인 동작을 정지해도 된다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 스캔 노광 동작 중에 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 로부터 제 1 흡인력으로 유체를 흡인하고, 스텝핑 동작 중에 흡인구 (24) (다공 부재 (80)) 로부터 제 2 흡인력으로 유체를 흡인해도 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 의하면, 간극 (Ga) 에 유입되는 액체 (LQ) 를, 적어도 일부가 간극 (Ga) 에 배치된 다공 부재 (80) 를 통하여 회수하도록 했으므로, 액체 (LQ) 가 잔류하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 노광 불량의 발생, 및 불량 디바이스의 발생을 억제할 수 있다.
또, 본 실시 형태에 있어서는, 다공 부재 (80) 의 상면 (80A) 은, 액체 (LQ) 에 대해 발액성이기 때문에, 상면 (80A) 에 액체 (LQ) 가 잔류하는 것을 억제할 수 있다.
＜제 2 실시 형태＞
다음으로, 제 2 실시 형태에 대해 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상기 서술한 실시 형태와 동일 또는 동등한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 간략 혹은 생략한다.
도 8 은, 제 2 실시 형태에 관련된 기판 스테이지 (200A) 의 일례를 나타내는 도면이다. 도 8 에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서, 다공 부재 (80) 는, 다공 부재 (80) 의 제 2 측면 (80C) 과, 커버 부재 (T) 의 내면 (Tc) 이 접촉하도록 배치된다. 또한, 도 8 에 나타내는 예에서는, 지지 부재 (82) 는 생략되어 있다. 또한, 도 8 에 나타내는 예에 있어서도, 지지 부재 (82) 가 배치되어도 된다.
또, 본 실시 형태에 있어서, 기판 스테이지 (200A) 는, 다공 부재 (80) 의 온도를 조정하는 온도 조정 장치 (305) 를 구비하고 있다. 온도 조정 장치 (305) 는, 예를 들어 펠티에 소자를 포함한다.
본 실시 형태에 있어서, 온도 조정 장치 (305) 는, 케이스 (81) 에 접촉하도록 배치되어 있다. 온도 조정 장치 (305) 는, 케이스 (81) 를 통하여, 다공 부재 (80) 의 온도를 조정한다. 온도 조정 장치 (305) 는, 케이스 (81) 의 온도도 조정 가능하다.
또한, 온도 조정 장치 (305) 가, 다공 부재 (80) 의 적어도 일부에 접촉하도록 배치되어도 된다.
또한, 온도 조정 장치 (305) 가, 예를 들어 케이스 (81) 의 내부에 형성된 유로에 온도 조정된 유체 (기체 및 액체의 일방 또는 양방) 를 공급하는 공급 장치를 포함해도 된다.
또, 본 실시 형태에 있어서, 기판 스테이지 (2) 는, 커버 부재 (T) 의 온도를 조정하는 온도 조정 장치 (306) 를 구비하고 있다. 온도 조정 장치 (306) 는, 예를 들어 펠티에 소자를 포함한다. 본 실시 형태에 있어서, 온도 조정 장치 (306) 는, 커버 부재 (T) 의 하면 (Tb) 에 접촉하도록 배치되어 있다. 본 실시 형태에 있어서, 온도 조정 장치 (306) 는, 주벽부 (38) 와 주벽부 (39) 사이의 공간 (32H) 에 있어서, 커버 부재 (T) 의 하면 (Tb) 에 접촉하도록 배치된다. 또한, 온도 조정 장치 (306) 는, 커버 부재 (T) 에 접촉하지 않아도 된다. 예를 들어, 온도 조정 장치 (306) 가, 커버 부재 (T) 의 하면 (Tb) 에 대향하도록, 지지면 (32S) 에 배치되어도 된다.
또한, 온도 조정 장치 (306) 가, 예를 들어 커버 부재 (T) 의 내부에 형성된 유로에 온도 조정된 유체 (기체 및 액체의 일방 또는 양방) 를 공급하는 공급 장치를 포함해도 된다.
또한, 제 1 실시 형태에서 설명한 다공 부재 (80) 의 온도를 조정하는 온도 조정 장치, 및 커버 부재 (T) 의 온도를 조정하는 온도 조정 장치가 형성되어도 된다.
또, 상기 서술한 실시 형태에 있어서, 케이스 (81) 의 주위에 간극이 없어도 된다. 또 케이스 (81) 의 주위의 간극에 유입되어 액체 (LQ) 를 회수하는 회수구를 형성해도 된다.
＜제 3 실시 형태＞
다음으로, 제 3 실시 형태에 대해 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상기 서술한 실시 형태와 동일 또는 동등한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 간략 혹은 생략한다.
도 9 는, 제 3 실시 형태에 관련된 기판 스테이지 (200B) 의 일례를 나타내는 도면이다. 도 9 에 있어서, 다공 부재 (800B) 는, 플레이트상의 부분 (801B) 과, 플레이트상의 부분 (802B) 과, 로드상의 부분 (803B) 을 포함한다.
부분 (801B) 은, 공간부 (23) 에 있어서, 간극 (Ga) 에 면하도록 배치된다. 부분 (802B) 은, 공간부 (23) 에 있어서, 흡인구 (24) 에 면하도록 배치된다. 부분 (803B) 은, 부분 (801B) 과 부분 (802B) 의 사이에 배치된다.
본 실시 형태에 있어서, 다공 부재 (800B) 는, 간극 (Ga) 에 배치되어 있지 않다. 또한, 다공 부재 (800B) (부분 (801B)) 의 적어도 일부가, 간극 (Ga) 에 배치되어도 된다.
또, 도 9 에 나타내는 예에서는, 커버 부재 (T2) 의 하면 (Tb) 의 일부의 영역 (84B), 및 내면 (Tc) 의 일부의 영역 (84C) 은, 액체 (LQ) 에 대해 친액성이다. 영역 (84B) 은, 개구 (Th) (제 1 유지부 (31)) 의 중심에 대해, 주벽부 (38) 보다 내측의 영역이다. 영역 (84C) 은, 내면 (Tc) 의 하단을 포함하고, 상단을 포함하지 않는 영역이다. 영역 (84C) 의 하단은, 영역 (84B) 과 연결된다. 하면 (Tb) 의 영역 (84B) 은, 다공 부재 (800B) (부분 (801B)) 의 상면과 대향한다.
본 실시 형태에 있어서, 하면 (Tb) (영역 (84B)) 과 다공 부재 (800B) (부분 (801B)) 의 상면은, 간극을 통하여 대향한다. 또한, 하면 (Tb) (영역 (84B)) 과 다공 부재 (800B) (부분 (801B)) 의 상면이 접촉해도 된다.
본 실시 형태에 있어서, 액체 (LQ) 에 대한 영역 (84B, 84C) 의 접촉각은, 예를 들어 90 도보다 작다. 액체 (LQ) 에 대한 영역 (84B, 84C) 의 접촉각은, 예를 들어 80 도 이하여도 되고, 70 도 이하여도 된다.
본 실시 형태에 있어서는, 하면 (Tb) 의 일부 및 내면 (Tc) 의 일부에, 친액성의 재료가 코팅되어 있다. 즉, 하면 (Tb) 의 일부 및 내면 (Tc) 의 일부에, 친액성의 재료를 포함하는 막이 배치되어 있다. 또한, 영역 (84B, 84C) 이, 예를 들어 티탄의 표면이어도 된다.
본 실시 형태에 있어서, 액체 (LQ) 에 대한 커버 부재 (T) 의 내면 (Tc) 의 영역 (84C) 의 접촉각은, 커버 부재 (T) 의 상면 (Ta) 의 접촉각보다 작다. 또, 액체 (LQ) 에 대한 커버 부재 (T) 의 하면 (Tb) 의 영역 (84B) 의 접촉각은, 커버 부재 (T) 의 상면 (Ta) 의 접촉각보다 작다.
또, 본 실시 형태에 있어서, 영역 (84C) 의 상방의 내면 (Tc) 의 영역 (84D) 은, 개구 (Th) (제 1 유지부 (31)) 의 중심에 대해 외측으로 향해 상방으로 경사져 있다.
간극 (Ga) 에 유입된 액체 (LQ) 는, 다공 부재 (80B) 를 통하여 회수된다. 다공 부재 (800B) 를 통하여 회수된 액체 (LQ) 의 적어도 일부는, 흡인구 (24) 로부터 흡인된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서도, 간극 (Ga) 에 유입된 액체 (LQ) 를 회수하여, 액체 (LQ) 의 잔류를 억제할 수 있다.
＜제 4 실시 형태＞
다음으로, 제 4 실시 형태에 대해 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상기 서술한 실시 형태와 동일 또는 동등한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 간략 혹은 생략한다.
도 10 은, 제 4 실시 형태에 관련된 기판 스테이지 (200C) 의 일례를 나타내는 도면이다. 도 10 에 있어서, 기판 스테이지 (2) 는, 커버 부재 (T2) 에 초음파를 부여하는 초음파 발생 장치 (85) 를 구비하고 있다. 초음파 발생 장치 (85) 는, 예를 들어 피에조 소자 등의 초음파 발생 소자를 포함한다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 제 3 실시 형태에서 설명한 커버 부재 (T2) 가 제 2 유지부 (32) 에 유지되는 것으로 하지만, 제 1, 제 2 실시 형태에서 설명한 커버 부재 (T) 가 제 2 유지부 (32) 에 유지되어도 된다.
초음파 발생 장치 (85) 는, 커버 부재 (T2) 의 적어도 일부와 접촉한다. 본 실시 형태에 있어서, 초음파 발생 장치 (85) 는, 커버 부재 (T2) 의 이면 (Tb) 에 접촉하도록 배치된다.
본 실시 형태에 있어서, 초음파 발생 장치 (85) 는, 주벽부 (38) 와 주벽부 (39) 사이의 공간 (32H) 에 있어서, 이면 (Tb) 에 접촉하도록 배치된다. 본 실시 형태에 있어서, 제 2 유지부 (32) 는, 공간 (32H) 에 배치되고, 초음파 발생 장치 (85) 를 지지하는 지지부 (86) 를 갖는다.
공간부 (23) 에는, 다공 부재 (800) 가 배치된다. 본 실시 형태에 있어서, 간극 (Ga) 에 다공 부재 (800) 는 배치되어 있지 않지만, 다공 부재 (800) 의 적어도 일부가 간극 (Ga) 에 배치되어도 된다.
초음파 발생 장치 (85) 가 작동함으로써, 커버 부재 (T2) 가 진동한다. 커버 부재 (T2) 가 진동함으로써, 간극 (Ga) 에 존재하는 액체 (LQ) 는, 공간부 (23) 로 원활하게 이동한다. 예를 들어, 간극 (Ga) 에 액체 (LQ) 로 정체되어 있는 경우, 커버 부재 (T2) 가 진동함으로써, 그 액체 (LQ) 는 공간부 (23) 에 낙하한다. 또, 예를 들어 커버 부재 (T2) 의 내면 (Tc) 에 액체 (LQ) (예를 들어 액체 (LQ) 의 방울) 가 부착되어 있는 경우, 커버 부재 (T2) 가 진동함으로써, 그 내면 (Tc) 에 부착되어 있는 액체 (LQ) 는, 공간부 (23) 에 낙하한다. 또, 내면 (Tc) 과 측면 (Pc) 의 사이에 액체 (LQ) 의 계면이 존재하는 경우, 커버 부재 (T2) 가 진동함으로써, 그 액체 (LQ) 의 계면은, 공간부 (23) 로 이동한다.
간극 (Ga) 으로부터 공간부 (23) 로 이동한 액체 (LQ) 는, 다공 부재 (800) 를 통하여 회수된다.
다공 부재 (800) 를 통하여 회수된 액체 (LQ) 의 적어도 일부는, 흡인구 (24) 로부터 흡인된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서도, 간극 (Ga) 에 유입된 액체 (LQ) 를 회수하여, 액체 (LQ) 의 잔류를 억제할 수 있다.
＜제 5 실시 형태＞
다음으로, 제 5 실시 형태에 대해 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상기 서술한 실시 형태와 동일 또는 동등한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 간략 혹은 생략한다.
도 11 은, 제 5 실시 형태에 관련된 기판 스테이지 (200D) 의 일례를 나타내는 도면이다. 도 11 에 있어서, 기판 스테이지 (200D) 는, 기판 (P) 의 하면 (Pb) 을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부 (31) 와, 기판 (P) 이 배치 가능한 개구 (Uh) 를 규정하고, 기판 (P) 이 제 1 유지부 (31) 에 유지되어 있는 상태에 있어서 기판 (P) 의 상면 (Pa) 의 주위에 배치되는 상면 (Ua) 을 갖는 회수 부재 (U) 를 구비하고 있다.
본 실시 형태에 있어서, 회수 부재 (U) 는, 제 1 유지부 (31) 의 주위의 적어도 일부에 배치된다. 회수 부재 (U) 의 적어도 일부는, 주벽부 (35) 를 둘러싸도록 배치된다. 본 실시 형태에 있어서, 회수 부재 (U) 와 주벽부 (35) 사이에 간극 (Gb) 이 형성된다. 또한, 회수 부재 (U) 와 주벽부 (35) 의 적어도 일부가 접촉해도 된다.
본 실시 형태에 있어서, 회수 부재 (U) 는, 기판 스테이지 (2) 의 유지부 (87) 에 지지된다. 유지부 (87) 는, 회수 부재 (U) 를 릴리스 가능하게 유지한다. 또한, 회수 부재 (U) 와 기판 스테이지 (2) 가 일체여도 된다.
본 실시 형태에 있어서, 상면 (Ua) 은, XY 평면과 거의 평행하다. 상면 (Ua) 과 상면 (Pa) 은, 동일 평면 내에 배치된다 (면일이다). 또한, Z 축방향에 관한 상면 (Ua) 의 위치와 상면 (Pa) 의 위치가 상이해도 된다. 예를 들어, 상면 (Ua) 이 상면 (Pa) 보다 낮은 위치 (－Z 측의 위치) 에 배치되어도 되고, 높은 위치 (＋Z 측의 위치) 에 배치되어도 된다.
또, 회수 부재 (U) 는, 제 1 유지부 (31) 에 유지된 기판 (P) 의 측면 (Pc) 이 대향 가능한 내면 (Uc) 과, 적어도 일부가 기판 (P) 의 하면 (Pb) 과 대향하는 대향면 (Ub) 을 갖는다.
본 실시 형태에 있어서, 회수 부재 (U) 의 내면 (Uc) 과 기판 (P) 의 측면 (Pc) 사이에 간극 (Ga) 이 형성된다. 또, 대향면 (Ub) 과 기판 (P) 의 하면 (Pb) 사이에 간극 (Gc) 이 형성된다. 즉, 회수 부재 (U) 와 기판 (P) 은 떨어져 있다.
본 실시 형태에 있어서, 상면 (Ua) 은, 액체 (LQ) 에 대해 발액성이다. 본 실시 형태에 있어서, 액체 (LQ) 에 대한 상면 (Ua) 의 접촉각은, 내면 (Uc) 의 접촉각보다 크다. 또한, 액체 (LQ) 에 대한 상면 (Ua) 의 접촉각이, 내면 (Uc) 의 접촉각보다 작아도 되고, 내면 (Uc) 의 접촉각과 거의 동일해도 된다.
회수 부재 (U) 는, 제 1 유지부 (31) 에 유지된 기판 (P) 의 측면 (Pc) 과 대향하도록 배치되는 회수구 (88) 를 갖는다. 회수구 (88) 는, 유체 (기체 및 액체 중 적어도 일방) 가 회수 가능하다.
회수구 (88) 는, 기판 (P) 과 회수 부재 (U) 사이의 간극 (Ga) 에 유입되는 액체 (LQ) 의 적어도 일부를 회수한다. 본 실시 형태에 있어서, 회수구 (88) 는, 기판 (P) 의 주위에 복수 배치된다.
회수 부재 (U) 는, 공간부 (89) 를 갖는다. 공간부 (89) 는, 회수 부재 (U) 의 내부에 형성된다.
회수구 (88) 는, 공간부 (89) 의 적어도 일부와 연결된다. 회수구 (88) 로부터 회수된 액체 (LQ) 는, 공간부 (89) 의 적어도 일부를 흐른다.
본 실시 형태에 있어서, 회수 부재 (U) 는, 공간부 (89) 에 면하는 흡인구 (90) 를 갖는다. 본 실시 형태에 있어서, 흡인구 (90) 는, 공간부 (89) 를 형성하는 회수 부재 (U) 의 내면의 적어도 일부에 형성된다. 흡인구 (90) 는, 공간부 (89) 가 부압이 되도록, 공간부 (89) 의 유체의 적어도 일부를 흡인한다. 흡인구 (90) 는, 공간부 (89) 의 액체 및 기체의 일방 또는 양방이 흡인 가능하다.
흡인구 (90) 는, 유로 (91) 를 통하여, 유체 흡인 장치 (92) 와 접속되어 있다. 유체 흡인 장치 (92) 는, 흡인구 (90) 가 진공 시스템에 접속 가능하고, 흡인구 (90) 를 통하여 액체 및 기체의 일방 또는 양방이 흡인 가능하다. 흡인구 (90) 로부터 흡인된 유체 (액체 및 기체 중 적어도 일방) 는, 유로 (91) 를 통하여, 유체 흡인 장치 (92) 에 흡인된다.
간극 (Ga) 에 유입된 액체 (LQ) 의 적어도 일부는, 회수구 (88) 로부터 회수된다. 간극 (Ga) 에 유입된 액체 (LQ) 를 회수할 때, 제어 장치 (8) 는, 유체 흡인 장치 (92) 를 제어하여, 흡인구 (90) 를 진공 시스템에 접속한다. 공간부 (89) 의 유체가 흡인구 (90) 로부터 흡인되고, 공간부 (89) 가 부압이 되면, 회수구 (88) 의 주위의 유체가, 회수구 (88) 로부터 회수된다.
흡인구 (90) 의 흡인 동작이 실시됨으로써, 회수 부재 (U) 의 내면 (Uc) 과 기판 (P) 의 측면 (Pc) 의 사이에 유입된 액체 (LQ) 는, 회수구 (88) 로부터 회수된다. 즉, 회수 부재 (U) 는, 내면 (Uc) 과 측면 (Pc) 의 사이에 유입된 액체 (LQ) 를, 기판 (P) 의 측면 (Pc) 과 대향하는 회수구 (88) 로부터 회수한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서도, 간극 (Ga) 에 유입된 액체 (LQ) 를 회수하여, 액체 (LQ) 의 잔류를 억제할 수 있다.
또한, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 회수 부재 (U) 의 온도를 조정하는 온도 조정 장치 (93) 가 설치되어도 된다. 예를 들어, 회수 부재 (U) 의 온도를 조정하는 펠티에 소자가, 회수 부재 (U) 에 접촉하도록 배치되어도 된다.
＜제 6 실시 형태＞
다음으로, 제 6 실시 형태에 대해 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상기 서술한 실시 형태와 동일 또는 동등한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 간략 혹은 생략한다.
도 12 는, 제 6 실시 형태에 관련된 기판 스테이지 (200E) 의 일례를 나타내는 도면이다. 도 12 에 있어서, 기판 스테이지 (200E) 는, 기판 (P) 의 하면 (Pb) 을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부 (31) 와, 기판 (P) 이 배치 가능한 개구 (Th) 를 규정하고, 기판 (P) 이 제 1 유지부 (31) 에 유지되어 있는 상태에 있어서 기판 (P) 의 상면 (Pa) 의 주위에 배치되는 상면 (Ta) 을 갖는 커버 부재 (T3) 를 구비하고 있다.
본 실시 형태에 있어서, 커버 부재 (T3) 는 다공 부재를 포함한다. 커버 부재 (T3) 는, 기판 (P) 의 측면 (Pc) 과 대향 가능한 내면 (Tc) 을 갖는다. 커버 부재 (T3) 는, 내면 (Tc) 에 배치되고, 기판 (P) 의 측면 (Pc) 이 대향하는 다공 부재의 구멍으로부터, 간극 (Ga) 에 유입된 액체 (LQ) 의 적어도 일부가 회수 가능하다.
본 실시 형태에 있어서, 커버 부재 (T3) 는 유로 (94) 를 통하여, 유체 흡인 장치 (95) 와 접속되어 있다. 유체 흡인 장치 (95) 는, 커버 부재 (T3) 가 진공 시스템에 접속 가능하다. 제어 장치 (8) 는, 유체 흡인 장치 (95) 를 제어하여, 커버 부재 (T3) 를 진공 시스템에 접속함으로써, 기판 (P) 의 측면 (Pc) 이 대향하는 커버 부재 (T3) 의 구멍으로부터, 간극 (Ga) 에 유입된 액체 (LQ) 의 적어도 일부가 회수 가능하다.
＜제 7 실시 형태＞
다음으로, 제 7 실시 형태에 대해 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상기 서술한 실시 형태와 동일 또는 동등한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 간략 혹은 생략한다.
도 13 은, 제 7 실시 형태에 관련된 기판 스테이지 (200F) 의 일례를 나타내는 도면이다. 도 13 에 있어서, 기판 스테이지 (200F) 는, 기판 (P) 의 하면 (Pb) 을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부 (31) 와, 기판 (P) 이 배치 가능한 개구 (Th) 를 규정하고, 기판 (P) 이 제 1 유지부 (31) 에 유지되어 있는 상태에 있어서 기판 (P) 의 상면 (Pa) 의 주위에 배치되는 상면 (Ta) 을 갖는 커버 부재 (T) 를 구비하고 있다. 또, 기판 스테이지 (2) 는, 기판 (P) 과 커버 부재 (T) 사이의 간극 (Ga) 으로 통하는 공간부 (23) 를 갖는다.
본 실시 형태에 있어서, 기판 스테이지 (200F) 는 공간부 (23) 에 배치되고, 간극 (Ga) 에 유입된 액체 (LQ) 의 적어도 일부가 회수 가능한 회수구 (95) 를 갖는 회수 부재 (100) 를 구비하고 있다.
회수 부재 (100) 는, 적어도 일부가 간극 (Ga) 에 면하도록 배치된 다공 부재 (97) 와, 다공 부재 (97) 를 지지하고, 다공 부재 (97) 와의 사이에서 공간 (99) 을 형성하는 지지 부재 (98) 를 포함한다.
다공 부재 (97) 는 플레이트상이다. 다공 부재 (97) 는, 적어도 일부가 간극 (Ga) 에 면하는 상면 (97A) 과, 상면 (97A) 의 반대 방향을 향하고, 공간 (99) 에 면하는 하면 (97B) 과, 상면 (97A) 과 하면 (97B) 을 연결하는 복수의 구멍 (97H) 을 갖는다. 본 실시 형태에 있어서, 회수구 (95) 는, 구멍 (97H) 의 상단을 포함한다.
또, 회수 부재 (100) 는, 공간 (99) 에 면하고, 공간 (99) 에 액체 (LQ) 를 공급하는 공급구 (110) 와, 공간 (99) 의 액체 (LQ) 를 회수하는 회수구 (111) 를 갖는다. 공급구 (110) 는, 유로 (112) 를 통하여, 액체 공급 장치 (113) 와 접속된다. 회수구 (111) 는, 유로 (114) 를 통하여, 액체 회수 장치 (115) 와 접속된다.
본 실시 형태에 있어서는, 회수구 (95) 로부터 실질적으로 액체 (LQ) 만이 회수되고, 기체는 회수되지 않는다.
본 실시 형태에 있어서, 간극 (Ga) 에 유입된 액체 (LQ) 를 회수구 (95) 로부터 회수할 때, 제어 장치 (8) 는, 액체 공급 장치 (113) 및 액체 회수 장치 (115) 중 적어도 일방을 제어하여, 공간 (99) 을 액체 (LQ) 로 채운다. 또, 제어 장치 (8) 는, 회수구 (95) 로부터 액체 (LQ) 만이 회수되고, 기체가 회수되지 않도록, 상면 (97A) 측의 압력 (챔버 장치 (103) 의 공간 (102) 의 압력) 과 하면 (97B) 측의 압력 (공간 (99) 의 압력) 의 차를 조정한다. 제어 장치 (8) 는, 챔버 장치 (103) (공조 시스템 (105)) 를 제어하여, 공간 (102) 의 압력이 조정 가능하다. 또, 제어 장치 (8) 는, 액체 공급 장치 (113) 및 액체 회수 장치 (115) 중 적어도 일방을 제어하여, 공간 (99) 의 압력이 조정 가능하다. 제어 장치 (8) 는, 회수구 (95) 로부터 액체 (LQ) 만이 회수되고, 기체가 회수되지 않도록, 공간 (102) 의 압력 및 공간 (99) 의 압력 중 적어도 일방을 조정한다. 제어 장치 (8) 는, 예를 들어, 액체 (LQ) 에 대한 구멍 (97H) 의 내면의 접촉각, 및 액체 (LQ) 의 표면 장력 등에 기초하여, 공간 (102) 의 압력과 공간 (99) 의 압력의 차를 조정한다. 다공 부재를 통하여 액체만을 회수하는 기술은, 예를 들어 미국 특허 제7292313호 명세서 등에 기재되어 있다.
간극 (Ga) 에 유입된 액체 (LQ) 는, 다공 부재 (95) 를 통하여 회수된다. 다공 부재 (95) 를 통하여 공간 (99) 에 유입된 액체 (LQ) 의 적어도 일부는, 회수구 (111) 를 통하여 액체 회수 장치 (115) 에 회수된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서도, 간극 (Ga) 에 유입된 액체 (LQ) 를 회수하여, 액체 (LQ) 의 잔류를 억제할 수 있다.
또한, 도 13 에 나타내는 다공 부재 (97) 는, 금속 플레이트에 복수의 구멍 (97H) 을 형성함으로써 형성된다. 또한, 예를 들어 도 14 에 나타내는 바와 같은, 소결법에 의해 형성되는 다공 부재 (116) 를 통하여 액체 (LQ) 를 회수해도 된다. 도 14 에 나타내는 예에서도, 공간 (99) 의 압력과 공간 (102) 의 압력의 차를 조정함으로써, 다공 부재 (116) 를 통하여 액체 (LQ) 만을 회수할 수 있다.
＜제 8 실시 형태＞
다음으로, 제 8 실시 형태에 대해 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상기 서술한 실시 형태와 동일 또는 동등한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 간략 혹은 생략한다.
도 15 는, 제 8 실시 형태에 관련된 기판 스테이지 (200H) 의 일례를 나타내는 도면이다. 도 15 에 있어서, 기판 스테이지 (200H) 는, 기판 (P) 의 하면 (Pb) 을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부 (31) 와, 기판 (P) 이 배치 가능한 개구 (Th) 를 규정하고, 기판 (P) 이 제 1 유지부 (31) 에 유지되어 있는 상태에 있어서 기판 (P) 의 상면 (Pa) 의 주위에 배치되는 상면 (Ta) 을 갖는 커버 부재 (T) 를 구비하고 있다. 또, 기판 스테이지 (200H) 는, 기판 (P) 과 커버 부재 (T) 사이의 간극 (Ga) 으로 통하는 공간부 (23) 를 갖는다.
본 실시 형태에 있어서, 기판 스테이지 (200H) 는, 공간부 (23) 에 배치되고, 간극 (Ga) 에 유입된 액체 (LQ) 의 적어도 일부가 회수 가능한 회수구 (118) 를 갖는 회수 부재 (117) 를 구비하고 있다.
회수 부재 (117) 는, 적어도 일부가 간극 (Ga) 에 면하도록 배치된 회수구 (118) 와, 회수구 (118) 에 연결되어 내부에 형성된 공간 (119) 과, 공간 (119) 에 면하여, 공간 (119) 의 유체를 회수하는 회수구 (120) 를 갖는다. 회수구 (120) 는, 유로 (121) 를 통하여, 유체 회수 장치 (122) 와 접속된다.
본 실시 형태에 있어서는, 회수구 (118) 로부터 액체 (LQ) 및 기체가 회수된다. 또한, 회수구 (118) 로부터 액체 (LQ) 만이 회수되어도 되고, 기체만이 회수되어도 된다.
간극 (Ga) 에 유입된 액체 (LQ) 를 회수구 (118) 로부터 회수할 때, 제어 장치 (8) 는, 유체 회수 장치 (122) 를 제어하여, 공간 (119) 을 부압으로 한다. 이로써, 간극 (Ga) 에 유입된 액체 (LQ) 의 적어도 일부는, 회수구 (118) 로부터 회수된다. 회수구 (118) 를 통하여 공간 (119) 에 유입된 액체 (LQ) 의 적어도 일부는, 회수구 (120) 를 통하여 유체 회수 장치 (122) 에 회수된다. 또, 회수구 (118) 로부터 공간 (119) 에 유입된 기체는, 회수구 (120) 를 통하여 유체 회수 장치 (122) 에 회수된다.
본 실시 형태에 있어서, 기판 스테이지 (200H) 는, 회수 부재 (117) 의 온도를 조정하는 온도 조정 장치 (123) 를 갖는다. 온도 조정 장치 (123) 는, 온도 조정용의 유체가 흐르는 유로 (124) 를 갖는 온도 조정 부재 (125) 와, 유로 (124) 에 온도 조정된 유체를 공급하는 공급 장치 (126) 를 갖는다. 온도 조정 부재 (125) 는, 회수 부재 (117) 에 접촉하도록 배치된다. 공급 장치 (126) 는, 예를 들어 온도 조정된 액체를 유로 (124) 에 공급한다. 또한, 공급 장치 (126) 가, 온도 조정된 기체를 유로 (124) 에 공급해도 된다. 또한, 유로 (124) 의 유체는, 공급 장치 (126) 로 복귀되어도 되고, 공급 장치 (126) 와는 다른 장치 (예를 들어 회수 장치) 에 회수되어도 된다.
또한, 온도 조정 장치 (123) 가, 예를 들어 펠티에 소자를 포함해도 된다. 예를 들어, 펠티에 소자가 회수 부재 (117) 에 접촉하도록 배치되어도 된다.
＜제 9 실시 형태＞
다음으로, 제 9 실시 형태에 대해 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상기 서술한 실시 형태와 동일 또는 동등한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 간략 혹은 생략한다.
도 16 은, 제 9 실시 형태에 관련된 기판 스테이지 (200L) 의 일례를 나타내는 도면이다. 도 16 에 있어서, 기판 스테이지 (200L) 는, 기판 (P) 의 하면 (Pb) 을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부 (31) 와, 기판 (P) 이 배치 가능한 개구 (Th) 를 규정하고, 기판 (P) 이 제 1 유지부 (31) 에 유지되어 있는 상태에 있어서 기판 (P) 의 상면 (Pa) 의 주위에 배치되는 상면 (Ta) 을 갖는 커버 부재 (T10) 를 구비하고 있다. 또, 기판 스테이지 (200L) 는, 기판 (P) 과 커버 부재 (T10) 사이의 간극 (Ga) 으로 통하는 공간부 (23) 를 갖는다. 공간부 (23) 에는, 다공 부재 (800L) 가 배치되어 있다. 다공 부재 (800L) 의 적어도 일부는, 간극 (Ga) 의 하방에 배치된다. 간극 (Ga) 에 유입되는 액체 (LQ) 의 적어도 일부는, 다공 부재 (800L) 를 통하여 회수된다.
본 실시 형태에 있어서, 커버 부재 (T10) 는, 기판 (P) 의 측면 (Pc) 이 대향 가능한 제 1 내면 (Tc11) 과, 제 1 내면 (Tc11) 의 하방에 배치되고, 제 1 유지부 (31) 에 대해 제 1 내면 (Tc11) 보다 떨어진 제 2 내면 (Tc12) 을 갖는다.
또, 커버 부재 (T10) 는, 제 1 내면 (Tc11) 의 하단과 연결되고, 상면 (Ta) 의 반대 방향을 향하는 하면 (Tc13) 을 갖는다. 제 2 내면 (Tc12) 은, 하면 (Tc13) 의 외연과 연결된다. 하면 (Tc13) 은, 제 2 내면 (Tc12) 의 상단과 연결된다.
본 실시 형태에 있어서, 제 1 내면 (Tc11) 과 제 2 내면 (Tc12) 은, 실질적으로 평행하다. 제 1 내면 (Tc11) 및 제 2 내면 (Tc12) 은, 종단 광학 소자 (12) 의 광축 (Z 축) 과 실질적으로 평행하다. 본 실시 형태에 있어서, 상면 (Ta) 과 하면 (Tc13) 은 실질적으로 평행하다.
본 실시 형태에 있어서, 제 1 내면 (Tc11) 및 제 2 내면 (Tc12) 은, 상면 (Ta) 의 법선과 실질적으로 평행하다.
상면 (Ta) 의 법선 방향 (Z 축방향) 에 관해서, 제 1 내면 (Tc11) 의 치수 (H11) 는, 제 2 내면 (Tc12) 의 치수 (H12) 보다 작다. 치수 (H11) 는, 상면 (Ta) 과 하면 (Tc13) 의 거리를 포함한다.
다공 부재 (800L) 의 상면 (800La) 의 일부는, 간극을 통하여 하면 (Tc13) 과 대향한다.
본 실시 형태에 있어서, 상면 (800La) 은, 다공 부재 (800) 의 상단이다. 본 실시 형태에 있어서, 상면 (800La) 은, 커버 부재 (T10) 의 상면 (Ta) 보다 하방이고, 제 1 유지부 (31) 의 유지면 (36S) 보다 상방에 배치된다. 또, 상면 (800La) 은, 제 1 내면 (Tc11) 의 하단보다 하방에 배치되고, 제 2 내면 (Tc12) 의 하단보다 상방에 배치된다. 또, 도 16 과 같이, 제 1 유지부 (31) 에 기판 (P) 이 유지된 상태에 있어서, 상면 (800La) 은, 기판 (P) 과 커버 부재 (T10) 사이에 배치된다. 또, 다공 부재 (800L) 의 외측면의 적어도 일부는, 간극을 통하여 제 2 내면 (Tc12) 과 대향한다. 또, 다공 부재 (800L) 의 내측면의 적어도 일부는, 기판 (P) 의 측면 (Pc) 과 대향한다. 본 실시 형태에 있어서, 다공 부재 (800L) 는, 제 1 내면 (Tc11) 과 대향하지 않는다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 다공 부재 (800L) 의 적어도 일부가, 제 1 내면 (Tc11) 과 대향하도록 배치되어도 된다.
본 실시 형태에 의하면, 예를 들어 액침 공간 (LS) 이 커버 부재 (T10) 의 상면 (Ta) 으로부터 기판 (P) 의 상면 (Pa) 으로 이동하도록 기판 스테이지 (200L) 가 이동하는 경우, 간극 (Ga) 근방의 커버 부재 (T10) 의 상면 (Ta) 에 액체 (LQ) 가 잔류하는 현상, 혹은 액체 (LQ) 가 간극 (Ga) 에 정체되는 현상 (소위, 브릿지 현상) 을 방지할 수 있다.
또한, 도 17 에 나타내는 바와 같이, 다공 부재 (800M) 의 상면 (800Ma) 의 일부가, 하면 (Tc13) 과 접촉해도 된다. 또, 도 17 에 나타내는 바와 같이, 다공 부재 (800M) 의 상면 (800Ma) 과 하면 (Tc13) 이 접착제 (800Mc) 를 통하여 접착되어도 된다. 또, 다공 부재 (800M) 의 외측면의 일부가, 제 2 내면 (Tc12) 과 접촉해도 된다.
또, 도 17 에 나타내는 바와 같이, 다공 부재 (800M) 가 모서리부 (800Mk) 를 가져도 된다. 모서리부 (800Mk) 는 간극 (Ga) 에 면한다. 또, 하면 (Tc13) 의 일부가 다공 부재 (800M) 와 대향하지 않아도 된다. 바꾸어 말하면, 하면 (Tc13) 이 다공 부재 (800M) 와 대향하는 대향 영역과, 대향하지 않는 비대향 영역을 가져도 된다. 또, 하면 (Tc13) 의 비대향 영역과 다공 부재 (800M) (모서리부 (800Mk)) 의 사이에 공간 (800Ms) 이 형성되어도 된다.
＜제 10 실시 형태＞
다음으로, 제 10 실시 형태에 대해 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상기 서술한 실시 형태와 동일 또는 동등한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 간략 혹은 생략한다.
도 18 은, 제 10 실시 형태에 관련된 기판 스테이지 (200N) 의 일례를 나타내는 도면이다. 도 18 에 있어서, 기판 스테이지 (200N) 는, 기판 (P) 의 하면 (Pb) 을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부 (31) 와, 기판 (P) 이 배치 가능한 개구 (Th) 를 규정하고, 기판 (P) 이 제 1 유지부 (31) 에 유지되어 있는 상태에 있어서 기판 (P) 의 상면 (Pa) 의 주위에 배치되는 상면 (Ta) 을 갖는 커버 부재 (T11) 를 구비하고 있다. 또, 기판 스테이지 (200N) 는, 기판 (P) 과 커버 부재 (T11) 사이의 간극 (Ga) 으로 통하는 공간부 (23) 를 갖는다. 공간부 (23) 에는, 다공 부재 (800N) 가 배치되어 있다. 간극 (Ga) 에 유입되는 액체 (LQ) 의 적어도 일부는, 다공 부재 (800N) 를 통하여 회수된다.
도 18 에 나타내는 바와 같이, 기판 (P) 의 측면 (Pc) 이 대향하는 커버 부재 (T11) 의 내면 (Tc) 의 적어도 일부는, 제 1 유지부 (31) 의 중심에 대해 외측으로 향해 하방으로 경사진다.
본 실시 형태에 있어서는, 다공 부재 (800N) 에 의해, 공간부 (23) 에 존재하는 액체 (LQ) 와 기체 (Gs) 가 분리되어 회수된다. 본 실시 형태에 있어서, 다공 부재 (800N) 에는, 주로 기체 (Gs) 가 유통되고, 액체 (LQ) 의 유통이 제한되는 유로 (127R) 가 형성된다. 유로 (127R) 의 일단은, 공간부 (23) 의 기체 공간과 접속된다. 유로 (127R) 의 타단은, 진공 시스템을 포함하는 유체 흡인 장치 (127) 와 접속된다. 유로 (127R) 의 치수 (직경) 는, 다공 부재 (800N) 의 구멍의 치수보다 크다.
다공 부재 (800N) 는, 유로 (128R) 를 통하여, 진공 시스템을 포함하는 유체 흡인 장치 (128) 와 접속된다. 유로 (128R) 의 일단 (상단) 과 다공 부재 (800N) 의 하면이 접속된다.
공간부 (23) 의 액체 (LQ) 는, 유로 (127R) 와는 상이한 다공 부재 (800R) 의 내부 유로를 흘러, 유체 흡인 장치 (128) 에 회수된다.
간극 (Ga) 으로부터 공간부 (23) 에 유입된 액체 (LQ) 는, 다공 부재 (800N) 의 표면 (상면 등) 에 접촉한다. 유체 흡인 장치 (128) 가 작동함으로써, 그 다공 부재 (800N) 의 표면에 접촉한 액체 (LQ) 는, 다공 부재 (800N) 를 통하여 유체 흡인 장치 (128) 에 회수된다.
또, 유체 흡인 장치 (127) 가 작동함으로써, 공간부 (23) 의 기체 (Gs) 는, 유로 (127R) 를 통하여 유체 흡인 장치 (127) 에 회수된다. 또, 유체 흡인 장치 (127) 의 작동에 의해, 간극 (Ga) 의 상측의 공간 (상면 (Pa, Ta) 측의 공간) 으로부터 공간부 (23) 를 향하는 기체 (Gs) 의 흐름이 생성된다. 그 기체 (Gs) 의 흐름에 의해, 그 액체 (LQ) 를 공간부 (23) 로 끌어들일 수 있고, 예를 들어 액체 (LQ) 가 간극 (Ga) 에 정체되는 현상 (소위, 브릿지 현상) 을 방지할 수 있다.
또, 유로 (127R) 에는, 실질적으로 기체 (Gs) 만이 흐르고, 액체 (LQ) 는 흐르지 않기 때문에, 기화열의 발생이 억제된다.
또한, 도 19 에 나타내는 바와 같이, 다공 부재 (800N) 의 하면에 접속되는 유로 (128Rb) 가 액체 (LQ) 로 채워진 상태에서, 다공 부재 (800N) 를 통하여 유체 흡인 장치 (128b) 에 액체 (LQ) 가 회수되도록, 다공 부재 (800N) 의 하면측의 압력과 상면측의 압력의 차가 조정되어도 된다. 본 실시 형태에 있어서, 다공 부재 (800N) 의 하면측의 압력은, 유체 흡인 장치 (128b) 에 의해 조정 가능하다. 다공 부재 (800N) 의 상면측의 압력은, 예를 들어 챔버 장치 (103) (공조 시스템 (105)) 에 의해 조정 가능하다. 또한, 다공 부재를 통하여 액체만을 회수하는 기술의 일례가, 예를 들어 미국 특허 제7292313호 명세서 등에 개시되어 있다.
＜제 11 실시 형태＞
다음으로, 제 11 실시 형태에 대해 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상기 서술한 실시 형태와 동일 또는 동등한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 간략 혹은 생략한다.
도 20 은, 본 실시 형태에 관련된 기판 스테이지 (200J) 의 일부를 나타내는 측단면도, 도 21 은, 기판 스테이지 (200J) 의 일부를 상측 (＋Z 측) 에서 본 도면이다. 도 20 및 도 21 에 있어서, 기판 스테이지 (200J) 는, 기판 (P) 을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부 (31J) 와, 커버 부재 (T) 를 릴리스 가능하게 유지하는 제 2 유지부 (32J) 와, 기판 (P) 의 상면 (Pa) 과 커버 부재 (T) 의 상면 (Ta) 의 간극 (Ga) 으로 통하는 공간부 (23) 를 갖는다. 공간부 (23) 는, 주벽부 (35) 의 주위의 공간을 포함한다. 본 실시 형태에 있어서, 공간부 (23) 는, 주벽부 (35) 와 주벽부 (38) 사이의 공간을 포함한다.
또한, 도 21 은, 제 1 유지부 (31J) 상에 기판 (P) 이 없고, 제 2 유지부 (32J) 상에 커버 부재 (T) 가 없는 상태를 나타낸다. 또한, 도 20 및 도 21 에 나타내는 예에서는, 기판 스테이지 (200J) 가, 제 1 실시 형태에서 설명한 다공 부재 (80) 를 가지고 있지만, 제 2 ∼ 제 10 실시 형태 중 어느 하나에서 설명한 다공 부재 (회수 부재) 를 가져도 된다.
제 1 유지부 (31J) 는, 주벽부 (35) 의 내측에 배치되고, 기판 (P) 의 하면 (Pb) 이 대향 가능한 주벽부 (43) 와, 주벽부 (35) 와 주벽부 (43) 사이의 공간부 (44) 에 기체를 공급하는 급기구 (45) 를 갖는다. 또, 제 1 유지부 (31J) 는, 공간부 (44) 의 유체 (액체 및 기체의 일방 또는 양방) 를 배출하는 배출구 (46) 를 갖는다.
제 1 유지부 (31J) 의 지지부 (36) 는, 주벽부 (43) 의 내측에 배치된다. 본 실시 형태에 있어서는, 기판 (P) 의 하면 (Pb) 과 주벽부 (43) 의 상면이 대향하고 있는 상태에 있어서, 기판 (P) 의 하면 (Pb) 과 주벽부 (43) 와 지지면 (31S) 의 사이에 공간 (31H) 이 형성된다.
도 21 에 나타내는 바와 같이, 급기구 (45) 는, 주벽부 (43) (주벽부 (35)) 를 따라 복수 배치된다. 배출구 (46) 는, 주벽부 (43) (주벽부 (35)) 를 따라 복수 배치된다. 본 실시 형태에 있어서는, 급기구 (45) 의 일방측 및 타방측의 각각에 배출구 (46) 가 배치되어 있다. 바꾸어 말하면, 2 개의 배출구 (46) 의 사이에 급기구 (45) 가 배치되어 있다. 또, 본 실시 형태에 있어서는, 배출구 (46) 의 일방측 및 타방측의 각각에 급기구 (45) 가 배치되어 있다. 바꾸어 말하면, 2 개의 급기구 (45) 의 사이에 배출구 (46) 가 배치되어 있다. 즉, 본 실시 형태에 있어서는, 주벽부 (43) 의 주위에 있어서, 복수의 급기구 (45) 와 복수의 배출구 (46) 가 교대로 배치되어 있다. 또한, 복수의 급기구 (45) 와 복수의 배출구 (46) 가 교대로 배치되지 않아도 된다. 예를 들어, 급기구 (45) 의 일방측에 배출구 (46) 가 배치되고, 타방측에 급기구 (45) 가 배치되어도 된다. 예를 들어, 배출구 (46) 의 일방측에 급기구 (45) 가 배치되고, 타방측에 배출구 (46) 가 배치되어도 된다.
본 실시 형태에 있어서, 급기구 (45) 는, 유로를 통하여 급기 장치와 접속되어 있다. 급기 장치는, 예를 들어 기체가 송출 가능한 펌프, 공급하는 기체의 온도가 조정 가능한 온도 조정 장치, 및 공급하는 기체 중의 이물질이 제거 가능한 필터 장치 등을 포함한다.
본 실시 형태에 있어서, 배출구 (46) 는, 유로를 통하여 유체 흡인 장치와 접속되어 있다. 유체 흡인 장치는, 예를 들어 유체 (기체 및 액체의 일방 또는 양방) 가 흡인 가능한 펌프, 및 흡인된 기체와 액체를 분리하는 기액 분리 장치 등을 포함한다.
급기구 (45) 에 접속되는 급기 장치, 및 배출구 (46) 에 접속되는 유체 흡인 장치는, 제어 장치 (8) 에 제어된다. 제어 장치 (8) 는, 급기구 (45) 로부터의 급기 동작 및 배출구 (46) 로부터의 배기 동작 (흡인 동작) 이 제어 가능하다. 급기구 (45) 로부터 기체가 공급됨과 함께, 배출구 (46) 로부터 유체가 배기 (흡인) 됨으로써, 도 21 에 나타내는 바와 같이, 공간부 (44) 에 있어서 기류 (F) 가 생성된다. 예를 들어, 공간부 (44) 에 있어서, 급기구 (45) 로부터 배출구 (46) 를 향해 기체가 흐른다.
도 20 에 나타내는 바와 같이, 제 1 유지부 (31J) 에 유지된 기판 (P) 과 제 2 유지부 (32) 에 유지된 커버 부재 (T) 의 사이에 간극 (Ga) 이 형성된다. 기판 (P) 의 상면 (Pa) 및 커버 부재 (T) 의 상면 (Ta) 중 적어도 일방이 면하는 공간에 존재하는 액체 (LQ) (예를 들어 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ)) 가, 간극 (Ga) 을 통하여, 공간부 (23) 에 유입될 가능성이 있다.
또, 액체 (LQ) 가, 예를 들어 공간부 (44) 에 유입될 가능성이 있다. 예를 들어, 공간부 (23) 의 액체 (LQ) 가, 기판 (P) 의 하면 (Pb) 과 주벽부 (35) 의 상면의 사이를 통과하여 공간부 (44) 에 유입될 가능성이 있다. 본 실시 형태에 있어서, 배출구 (46) 는, 공간부 (44) 의 액체 (LQ) 가 흡인 가능하다. 제어 장치 (8) 는, 배출구 (46) 의 흡인 동작을 실행하여, 공간부 (44) 로부터 액체 (LQ) 를 제거할 수 있다. 이로써, 액체 (LQ) 가 공간 (31H) 에 유입되는 것이 억제된다.
＜제 12 실시 형태＞
다음으로, 제 12 실시 형태에 대해 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상기 서술한 실시 형태와 동일 또는 동등한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 간략 혹은 생략한다.
도 22 는, 제 12 실시 형태에 관련된 기판 스테이지 (200K) 의 일부를 나타내는 도면이다. 도 22 는, 기판 스테이지 (200K) 의 주벽부 (35) 및 주벽부 (38) 를 상방에서 본 도면이다. 기판 스테이지 (200K) 는, 예를 들어 제 1 실시 형태에서 설명한 기판 스테이지 (2) 에서 다공 부재 (80) 를 생략한 형태이다.
도 22 에 나타내는 바와 같이, 제 1 유지부 (31) 의 주벽부 (35) 와 제 2 유지부 (32) 의 주벽부 (38) 의 사이에 흡인구 (24) 가 배치된다. 흡인구 (24) 는, 제 1 유지부 (31) 의 주위에 복수 배치된다.
흡인구 (24) 의 각각은, 기판 (P) 과 커버 부재 (T) 사이의 간극 (Ga) 에 유입되는 액체 (LQ) 의 적어도 일부가 회수 가능하다. 도 22 에 나타내는 예에서는, 공간부 (23) 에 다공 부재는 배치되어 있지 않다.
액체 (LQ) 의 액침 공간 (LS) 이 종단 광학 소자 (12) 의 사출면 (13) 측에 형성되어 있는 상태에서, 종단 광학 소자 (12) 에 대해, 기판 (P) 및 커버 부재 (T) 가 XY 평면 내에 있어서 이동한다. 예를 들어, 상기 서술한 실시 형태와 마찬가지로, 기판 (P) 의 노광에 있어서, 액체 (LQ) 의 액침 공간 (LS) 이 종단 광학 소자 (12) 및 액침 부재 (7) 와 기판 (P) 및 커버 부재 (T) 중 적어도 일방의 사이에 형성되어 있는 상태에서, 종단 광학 소자 (12) 및 액침 부재 (7) 에 대해, 기판 (P) 및 커버 부재 (T) 가 XY 평면 내에 있어서 이동한다.
본 실시 형태에 있어서는, 액침 공간 (LS) 에 대한 간극 (Ga) 의 위치, 및 액침 공간 (LS) 에 대한 간극 (Ga) 의 이동 조건의 일방 또는 양방에 기초하여, 복수의 흡인구 (24) 중, 일부의 회수구 (24) 로부터 액체 (LQ) 의 회수가 이루어진다.
도 23 은, 본 실시 형태에 관련된 노광 장치 (EX) 의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식도이다. 제어 장치 (8) 는, 예를 들어 기판 (P) 의 주위에 형성되는 간극 (Ga) 과 액침 공간 (LS) 의 위치 관계에 기초하여, 복수의 흡인구 (24) 의 흡인 동작을 제어한다.
본 실시 형태에 있어서, 기판 (P) 의 주위의 간극 (Ga) 이, 예를 들어 제 1 부분 (AR1) ∼ 제 6 부분 (AR6) 으로 나누어진다. 제어 장치 (8) 는, 간극 (Ga) 중, 예를 들어 제 2 부분 (AR2) 상에 액침 공간 (LS) 이 존재할 때, 제 1 유지부 (31) 의 주위에 복수 배치된 복수의 흡인구 (24) 중, 제 2 부분 (AR2) 에 유입되는 액체 (LQ) 가 흡인 가능한 위치에 배치된 흡인구 (24) 의 흡인 동작을 실시한다. 본 실시 형태에 있어서는, 제 2 부분 (AR2) 의 바로 아래에 배치되어 있는 흡인구 (24) 의 흡인 동작이 실시된다. 한편, 제어 장치 (8) 는, 제 2 부분 (AR2) 상에 액침 공간 (LS) 이 존재할 때, 제 1 유지부 (31) 의 주위에 복수 배치된 복수의 흡인구 (24) 중, 제 1, 제 3, 제 4, 제 5, 제 6 부분 (AR1, AR3, AR4, AR5, AR6) 에 유입되는 액체 (LQ) 가 회수 가능한 위치에 배치된 흡인구 (24) 의 흡인 동작을 실행하지 않는다. 예를 들어, 제 2 부분 (AR2) 상에 액침 공간 (LS) 이 존재할 때, 제 1, 제 3, 제 4, 제 5, 제 6 부분 (AR1, AR3, AR4, AR5, AR6) 의 바로 아래에 배치되어 있는 흡인구 (24) 의 흡인 동작을 정지한다.
또, 제어 장치 (8) 는, 간극 (Ga) 중, 예를 들어 제 4 부분 (AR4) 상에 액침 공간 (LS) 이 존재할 때, 제 1 유지부 (31) 의 주위에 복수 배치된 복수의 흡인구 (24) 중, 제 4 부분 (AR4) 에 유입되는 액체 (LQ) 가 회수 가능한 위치에 배치된 흡인구 (24) 의 흡인 동작을 실시한다.
한편, 제어 장치 (8) 는, 간극 (Ga) 중, 제 4 부분 (AR4) 상에 액침 공간 (LS) 이 존재할 때, 제 1 유지부 (31) 의 주위에 복수 배치된 복수의 흡인구 (24) 중, 제 1, 제 2, 제 3, 제 5, 제 6 부분 (AR1, AR2, AR3, AR5, AR6) 에 유입되는 액체 (LQ) 가 회수 가능한 위치에 배치된 흡인구 (24) 의 흡인 동작을 실행하지 않는다 (정지한다).
제어 장치 (8) 는, 예를 들어 간섭계 시스템 (11) 의 계측 결과에 기초하여, XY 평면 내에 있어서의 액침 공간 (LS) 과 제 1 부분 ∼ 제 6 부분 (AR1 ∼ AR6) 의 위치 관계를 구할 수 있다.
본 실시 형태에 있어서, 기판 스테이지 (200K) 의 위치는, 간섭계 시스템 (11) 에 의해 계측된다. 간섭계 시스템 (11) 은, 기판 스테이지 (200K) 가 갖는 간섭계용의 계측 미러 (2R) 에 검출광을 조사하여, 그 기판 스테이지 (200K) 의 위치를 구한다. 기판 스테이지 (200K) 가 갖는 계측 미러 (2R) 와, 간극 (Ga) (제 1 부분 (AR1) ∼ 제 6 부분 (AR6)) 의 위치 관계는, 이미 알려져 있다. 따라서, 제어 장치 (8) 는, 간섭계 시스템 (11) 의 계측 결과에 기초하여, 간섭계 시스템 (11) 의 좌표계 내에 있어서의 간극 (Ga) (제 1 부분 (AR1) ∼ 제 6 부분 (AR6)) 의 위치를 구할 수 있다.
또, 본 실시 형태에 있어서, 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 의 계면 (LG) 의 위치는, 이미 알려져 있다. 또, 종단 광학 소자 (12) 및 액침 부재 (7) 와 기판 스테이지 (200K) 등의 물체의 사이에 액침 공간 (LS) 이 형성된 상태에서 물체가 이동했을 때의 계면 (LG) 의 위치도, 이미 알려져 있다. 예를 들어, 계면 (LG) 의 위치는, 액침 부재 (7) 의 공급구 (15) 로부터의 단위 시간당 액체 공급량, 및 회수구 (16) 로부터의 단위 시간당 액체 회수량을 포함하는 액침 조건에 기초하여 정해진다.
또, 계면 (LG) 의 위치는, 액침 공간 (LS) 이 형성된 상태에 있어서의 물체의 이동 조건 (이동 속도, 가속도, 어느 일방향에 관한 이동 거리, 및 이동 궤적 등) 에 기초하여 정해진다.
예를 들어, 액침 조건 및 이동 조건 중 적어도 일방에 기초하여 정해지는 계면 (LG) 의 위치는, 예비 실험 또는 시뮬레이션에 의해 구할 수 있다. 본 실시 형태에 있어서, 제어 장치 (8) 는, 기억 장치 (8R) 를 포함하고, 액침 조건 및 이동 조건 중 적어도 일방에 기초하여 정해지는 계면 (LG) 의 위치에 관한 정보는, 기억 장치 (8R) 에 기억된다.
따라서, 제어 장치 (8) 는, 간섭계 시스템 (11) 의 계측 결과와, 기억 장치 (8R) 의 기억 정보에 기초하여, 간섭계 시스템 (11) 의 좌표계 내에 있어서의, 간극 (Ga) (제 1 부분 (AR1) ∼ 제 6 부분 (AR6)) 과 액침 공간 (LS) (계면 (LG)) 의 위치 관계를 구할 수 있다.
본 실시 형태에 있어서, 제어 장치 (8) 는, 간극 (Ga) (제 1 부분 (AR1) ∼ 제 6 부분 (AR6)) 과 계면 (LG) 의 위치 관계에 기초하여, 복수의 흡인구 (24) 중, 일부의 흡인구 (24) 로부터의 흡인 동작을 실시한다. 예를 들어, 제 1 부분 (AR1) 상에 액침 공간 (LS) 이 배치되기 직전에, 제어 장치 (8) 는, 흡인 동작이 정지되어 있던 제 1 부분 (AR1) 에 대응하는 흡인구 (24) (예를 들어, 제 1 부분 (AR1) 의 바로 아래의 흡인구 (24)) 의 흡인 동작을 개시한다.
이로써, 예를 들어 액침 공간 (LS) 이 제 1 부분 (AR1) 상에 배치되었을 때, 제 1 부분 (AR1) 에 유입된 액체 (LQ) 의 적어도 일부를, 그 제 1 부분 (AR1) 에 대응하는 흡인구 (24) 로부터 흡인할 수 있다. 또, 액침 공간 (LS) 이 제 1 부분 (AR1) 상을 통과한 직후에, 제어 장치 (8) 는, 흡인 동작을 실시하고 있던 제 1 부분 (AR1) 에 대응하는 흡인구 (24) 의 흡인 동작을 정지해도 된다. 또, 제어 장치 (8) 는, 제 2 부분 (AR2) ∼ 제 6 부분 (AR6) 각각의 위를 액침 공간 (LS) 이 통과할 때도, 동일한 제어를 실행할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 예를 들어 도 24 에 나타내는 바와 같이, 공간부 (23) 에 다공 부재 (80J) 가 배치되어도 된다. 다공 부재 (80J) 의 하방에는, 도 22 를 참조하여 설명한 바와 같은, 복수의 흡인구 (24) 가 배치되어 있다. 복수의 흡인구 (24) 중, 일부의 흡인구 (24) 의 흡인 동작이 실시됨으로써, 다공 부재 (80J) 중, 그 흡인 동작이 실시되고 있는 흡인구 (24) 의 상방에 배치되어 있는 다공 부재 (80J) 의 일부에 의한 액체 회수 동작이 실행된다. 도 24 에 나타내는 예에 있어서도, 제어 장치 (8) 는, 액침 공간 (LS) 에 대한 간극 (Ga) 의 위치, 및 액침 공간 (LS) 에 대한 간극 (Ga) 의 이동 조건의 일방 또는 양방에 기초하여, 다공 부재 (80J) 의 일부로부터 액체 (LQ) 의 회수를 실시할 수 있다.
또한, 도 4, 도 8, 도 11, 도 12, 및 도 20 등을 참조하여 설명한 바와 같은, 기판 (P) 의 측면 (Pc) 과 대향하도록 배치되는 회수구를, 기판 (P) 의 주위에 복수 배치하고, 액침 공간 (LS) 에 대한 간극 (Ga) 의 위치, 및 액침 공간 (LS) 에 대한 간극 (Ga) 의 이동 조건의 일방 또는 양방에 기초하여, 그들 복수의 회수구 중, 일부의 회수구로부터 액체 (LQ) 의 회수를 실시해도 된다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 액침 공간 (LS) 에 대한 간극 (Ga) 의 위치, 및 액침 공간 (LS) 에 대한 간극 (Ga) 의 이동 조건의 일방 또는 양방에 기초하여, 복수의 회수구 (24) 중 일부의 회수구 (24) 로부터 액체 (LQ) 의 회수가 실시되는 것으로 했다. 본 실시 형태에 있어서, 예를 들어 종단 광학 소자 (12) 에 대한 간극 (Ga) 의 위치, 및 액침 공간 (LS) 에 대한 간극 (Ga) 의 이동 조건의 일방 또는 양방에 기초하여, 복수의 회수구 (24) 중 일부의 회수구 (24) 로부터 액체 (LQ) 의 회수가 실시되어도 된다. 또, 예를 들어 액침 부재 (7) 에 대한 간극 (Ga) 의 위치, 및 액침 부재 (7) 에 대한 간극 (Ga) 의 이동 조건의 일방 또는 양방에 기초하여, 복수의 회수구 (24) 중 일부의 회수구 (24) 로부터 액체 (LQ) 의 회수가 실시되어도 된다.
즉, 본 실시 형태에 있어서, 종단 광학 소자 (12) 에 대한 간극 (Ga) 의 위치를, 액침 공간 (LS) 에 대한 간극 (Ga) 의 위치로 간주해도 되고, 액침 부재 (7) 에 대한 간극 (Ga) 의 위치를, 액침 공간 (LS) 에 대한 간극 (Ga) 의 위치로 간주해도 된다. 또, 종단 광학 소자 (12) 에 대한 간극 (Ga) 의 이동 조건을, 액침 공간 (LS) 에 대한 간극 (Ga) 의 이동 조건으로 간주해도 되고, 액침 부재 (7) 에 대한 간극 (Ga) 의 이동 조건을, 액침 공간 (LS) 에 대한 간극 (Ga) 의 이동 조건으로 간주해도 된다.
＜제 13 실시 형태＞
다음으로, 제 13 실시 형태에 대해 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상기 서술한 실시 형태와 동일 또는 동등한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 간략 혹은 생략한다.
도 25 는, 기판 (P) 의 주위에 배치되는 커버 부재 (T4) 의 개구 (Tk) 의 일례를 나타내는 모식도이다. 기판 (P) 은, 커버 부재 (T4) 의 개구 (Tk) 에 배치 가능하다. 커버 부재 (T4) 의 개구 (Tk) 는, 제 1 유지부 (31) 의 중심으로부터 제 1 거리 (D1) 에 위치하고, 제 1 유지부 (31) 에 유지된 기판 (P) 의 측면 (Pc) 이 대향 가능한 제 1 영역 (A1) 과, 제 1 영역 (A1) 의 옆에 배치되고, 제 1 유지부 (31) 의 중심으로부터 제 1 거리 (D1) 보다 긴 제 2 거리 (D2) 에 위치하는 제 2 영역 (A2) 을 포함한다.
본 실시 형태에 있어서, 제 2 영역 (A2) 은, 제 1 유지부 (31) 의 둘레 방향에 관해서, 제 1 영역 (A1) 의 옆에 배치된다. 바꾸어 말하면, 제 1 영역 (A1) 과 제 2 영역 (A2) 은, 종단 광학 소자 (12) 의 광축 (Z 축) 과 수직인 면내 (XY 평면내) 에 있어서 인접한다.
본 실시 형태에 있어서, 제 1 유지부 (31) 의 둘레 방향은, 주벽부 (35) 의 둘레 방향을 포함한다. 또, 본 실시 형태에 있어서, 주벽부 (35) 의 둘레 방향은, 주벽부 (38) 의 둘레 방향을 포함한다. 본 실시 형태에 있어서, 주벽부 (35) 는, XY 평면 내에 있어서 실질적으로 원형 (둥근 고리형) 이다. 주벽부 (38) 도, XY 평면 내에 있어서 실질적으로 원형 (둥근 고리형) 이다. 본 실시 형태에 있어서, 주벽부 (35) 의 중심과 주벽부 (38) 의 중심은, 실질적으로 일치한다. 바꾸어 말하면, 주벽부 (35) 와 주벽부 (38) 는, 동심상으로 배치된다.
또, 본 실시 형태에 있어서, 기판 (P) 의 외형 (기판 (P) 의 에지부 (Egp) 의 형상) 은, 실질적으로 원형이다. XY 평면 내에 있어서, 제 1 유지부 (31) 의 중심 (주벽부 (35) 의 중심) 과, 그 제 1 유지부 (31) 에 유지되는 기판 (P) 의 중심은, 실질적으로 일치한다. 본 실시 형태에 있어서, 제 1 유지부 (31) 의 둘레 방향은, 제 1 유지부 (31) 에 유지된 기판 (P) 의 에지부 (Egp) 를 따르는 방향을 포함한다. 또한, 제 1 유지부 (31) 의 중심과, 그 제 1 유지부 (31) 에 유지되는 기판 (P) 의 중심은, 일치하지 않아도 된다.
제 1 유지부 (31) 에 유지되는 기판 (P) 의 에지부 (Egp) 의 주위에, 커버 부재 (T4) 의 에지부 (내측 에지부) (Egt) 가 배치된다. 또, 커버 부재 (T4) 의 상면 (Ta) 은, 제 1 유지부 (31) 에 유지된 기판 (P) 의 상면의 주위에 배치된다. 커버 부재 (T4) 의 개구 (Tk) 는, 커버 부재 (T4) 의 에지부 (Egt) 로 규정된다. 또, 에지부 (Egt) 는, 커버 부재 (T4) 의 상면 (Ta) 의 가장자리 (내연) 의 적어도 일부를 규정한다.
커버 부재 (T4) 의 에지부 (Egt) 는, 제 1 유지부 (31) 의 주위에 배치된다. 기판 (P) 의 에지부 (Egp) 와 커버 부재 (T4) 의 에지부 (Egt) 의 사이에는, 제 1 유지부 (31) 의 둘레 방향을 따라 간극이 형성된다. 기판 (P) 의 에지부 (Egp) 와, 커버 부재 (T4) 의 에지부 (Egt) 는, 간극을 통하여 대향한다.
커버 부재 (T4) 의 에지부 (Egt) 는, 제 1 유지부 (31) 에 유지된 기판 (P) 의 에지부 (Egp) 가 따르도록, 제 1 유지부 (31) 의 둘레 방향으로 연장되어 있다.
또, 개구 (Tk) 는, 제 1 영역 (A1) 과 제 2 영역 (A2) 을 연결하는 제 3 영역 (A3) 을 포함한다.
본 실시 형태에 있어서, 제 1 ∼ 제 3 영역 (A1 ∼ A3) 은, 커버 부재 (T4) 의 상면 (Ta) 과 내면 (Tc) 으로 형성되는 모서리부의 적어도 일부를 포함한다. 또한, 제 1 ∼ 제 3 영역 (A1 ∼ A3) 이, 커버 부재 (T4) 의 상면 (Ta) 의 적어도 일부를 포함해도 되고, 내면 (Tc) 의 적어도 일부를 포함해도 된다.
제 1 영역 (A1) 과 제 2 영역 (A2) 은, 제 1 유지부 (31) 의 둘레 방향에 관해서 교대로 배치된다. 즉, 개구 (Tk) 는, 제 1 유지부 (31) 의 둘레 방향에 관해서 교대로 배치되고, 제 1 유지부 (31) 의 중심에 대해 돌출하는 볼록부 (Tka) 와, 제 1 유지부 (31) 의 중심에 대해 움푹 패인 오목부 (Tkb) 를 복수 갖는다. 본 실시 형태에 있어서, 제 1 영역 (A1) 은, XY 평면 내에 있어서 곡면 (곡선) 이다. 제 2 영역 (A2) 은, XY 평면 내에 있어서 곡면 (곡선) 이다.
즉, 본 실시 형태에 있어서, 커버 부재 (T4) 의 에지부 (Egt) 는, 제 1 유지부 (31) 의 둘레 방향을 따라 형성되는 복수의 볼록부 (Tka) 를 포함한다. 볼록부 (Tka) 는, 제 1 영역 (A1) 을 포함한다. 오목부 (Tkb) 는, 제 2 영역 (A2) 을 포함한다. 복수의 볼록부 (Tka) 는, 제 1 유지부 (31) 의 둘레 방향에 인접하는 제 1 볼록부 (Tka) 및 제 2 볼록부 (Tka) 를 포함한다. 본 실시 형태에 있어서, 커버 부재 (T4) 의 상면 (Ta) 은, 볼록부 (Tka) 의 상면을 포함한다.
또, 본 실시 형태에 있어서는, 제 1 유지부 (31) 의 중심에 대한 방사 방향에 관한 제 1 영역 (A1) 과 제 2 영역 (A2) 의 거리 (Da) 는, 제 1 유지부 (31) 의 둘레 방향에 관해서 인접하는 제 1 영역 (A1) 의 거리 (R1) 와 거의 동일하다. 또, 거리 (Da) 는, 제 1 유지부 (31) 의 둘레 방향에 관해서 인접하는 제 2 영역 (A2) 의 거리 (R2) 와 거의 동일하다. 또한, 거리 (Da) 가 거리 (R1) 보다 길어도 된다. 또한, 거리 (Da) 가 거리 (R2) 보다 길어도 된다.
또, 본 실시 형태에 있어서, 복수의 볼록부 (Tka) 는, 제 1 유지부 (31) 의 둘레 방향을 따라 일정 간격으로 배치된다. 제 1 유지부 (31) 의 둘레 방향에 인접하는 제 1 볼록부 (Tka) 와 제 2 볼록부 (Tka) 의 제 1 유지부 (31) 의 둘레 방향에 관한 거리 (R1) 는, 제 2 볼록부 (Tka) 와 제 3 볼록부 (Tka) 의 제 1 유지부 (31) 의 둘레 방향에 관한 거리 (R1) 와 실질적으로 동일하다.
본 실시 형태에 있어서는, 예를 들어 액침 공간 (LS) 이 커버 부재 (T4) 의 상면 (Ta) 으로부터 기판 (P) 의 상면 (Pa) 으로 이동하도록 기판 스테이지 (2) 가 이동할 때, 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 가 예를 들어 기판 (P) 상에 잔류하는 것이 억제된다.
도 26 은, 비교예를 나타내는 모식도이다. 도 26 에 있어서는, 커버 부재 (Tj) 의 개구는, 기판 (P) 의 외형을 따른 형상이다. 예를 들어, 액침 공간 (LS) 이 커버 부재 (Tj) 상으로부터 기판 (P) 상으로 이동하도록, 기판 스테이지 (2) 가 -Y 방향으로 이동하는 경우, 액침 공간 (LS) 은, 도 26(A) 에 나타내는 상태로부터, 도 26(B) 에 나타내는 상태를 거쳐, 도 26(C) 에 나타내는 상태로 변화한다. 도 26(A) 는, 기판 스테이지 (2) 의 -Y 방향으로의 이동에 의해, 커버 부재 (Tj) 상으로부터 기판 (P) 상으로의 액침 공간 (LS) 의 이동이 완료되기 직전의 상태를 나타낸다. 도 26(B) 는, 도 26(A) 에 나타내는 상태로부터 추가로 기판 스테이지 (2) 가 -Y 방향으로 이동한 상태를 나타낸다. 도 26(C) 는, 도 22(B) 에 나타내는 상태로부터 추가로 기판 스테이지 (2) 가 -Y 방향으로 이동한 상태를 나타낸다.
도 26(C) 에 나타내는 바와 같이, 액침 공간 (LS) 이 커버 부재 (Tj) 상으로부터 기판 (P) 상으로 이동함으로써, 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 의 일부가 끊기어 떨어져, 방울이 되어 기판 (P) 상에 잔류할 가능성이 있다.
본 발명자는, 기판 (P) 상에 액체 (LQ) 가 잔류하는 원인의 하나가, 기판 (P) 의 주위에 배치되는 커버 부재의 형상이라는 지견을 얻었다. 예를 들어, 액침 공간 (LS) 이 간극 (Ga) 상을 통과하도록 커버 부재 상으로부터 기판 (P) 상으로 이동할 때, 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 는, 커버 부재의 형상 (간극 (Ga) 의 형상) 에 따라 유동한다. 본 발명자는, 커버 부재의 형상을 조정함으로써, 기판 (P) 상에 잔류하지 않도록 액체 (LQ) 를 유동시킬 수 있다는 지견을 얻었다. 즉, 본 발명자는, 기판 (P) 과 간극 (Ga) 을 형성하는 커버 부재의 내측 에지의 형상을 연구함으로써, 액침 공간 (LS) 이 커버 부재 상으로부터 기판 (P) 상으로 이동할 때에, 액체 (LQ) 가 커버 부재로부터 떨어지기 쉬워져, 기판 (P) 상에 잔류를 억제할 수 있다는 지견을 얻었다.
이하의 설명에 있어서, 기판 스테이지 (2) 가 XY 평면 내에 있어서 제 1 방향 (예를 들어 -Y 방향) 으로 이동하는 경우에 있어서, 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 의 계면 (LG) 중, 종단 광학 소자 (12) 의 광축에 대해 제 1 방향측 (예를 들어 -Y 측) 의 계면 (LGb) 을 적절히 후측 계면 (LGb) 이라고 칭한다.
예를 들어, 액체 (LQ) 가 접촉하는 물체의 기하학적인 형상의 급격한 변화에 의해, 후측 계면 (LGb) 의 형상이 변화하고, 액체 (LQ) 가 물체에 걸리는 것과 같은 거동을 나타내고, 그 결과, 물체 상에 잔류하는 현상이 생길 가능성이 있다. 도 26 에 나타내는 예에서는, 액침 공간 (LS) 은, 커버 부재 (Tj) 상, 간극 (Ga) 상, 및 기판 (P) 상의 순서로 이동하고, 간극 (Ga) 의 존재에 의해, 커버 부재 (Tj) 와 기판 (P) 에서 급격하게 기하학적인 형상이 변화하게 된다. 그 기하학적인 형상의 변화에 의해, 액체 (LQ) 의 적어도 일부가 기판 (P) 상에 잔류하도록 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 가 유동할 가능성이 있다.
도 27 은, 본 실시 형태에 관련된 후측 계면 (LGb) 근방의 액체 (LQ) 의 유동을 모식적으로 나타내는 도면이다.
예를 들어, 액침 공간 (LS) 이 커버 부재 (T4) 상으로부터 기판 (P) 상으로 이동하도록, 기판 스테이지 (2) 가 ＋Y 방향으로 이동하는 경우, 후측 계면 (LGb) 의 근방에 있어서, 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 의 적어도 일부는, 도 27 중, 화살표 fr 로 나타내는 방향으로 유동할 가능성이 있다. 즉, 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 의 적어도 일부는, 제 3 영역 (A3) 을 따르도록, 제 2 영역 (오목부) (A2) 으로부터 제 1 영역 (볼록부) (A1) 으로 향해 유동한다.
본 실시 형태에 있어서, 제 3 영역 (A3) 을 따르는 방향은, 액침 공간 (LS) 과 기판 스테이지 (2) 의 상대적인 이동 방향 (여기서는 Y 축방향) 과 거의 일치한다. 즉, 액침 공간 (LS) 이 커버 부재 (T4) 상으로부터 기판 (P) 상으로 이동할 때, 액침 공간 (LS) 과 기판 스테이지 (2) 의 상대적인 이동 방향 (Y 축방향) 과, 후측 계면 (LGb) 근방에 있어서의 액체 (LQ) 의 유동 방향 (제 3 영역 (A3) 을 따르는 방향) 은, 거의 일치한다. 따라서, 본 실시 형태에 의하면, 기판 (P) 상에 잔류하지 않도록, 후측 계면 (LGb) 근방의 액체 (LQ) 가 제 1 영역 (A1) (볼록부 (Tka)) 으로 향해 유동하고, 커버 부재 (T4) 로부터 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 가 떨어지기 직전, 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 는, 커버 부재 (T4) 의 제 2 영역 (A2) 및 제 3 영역 (A3) 과 접촉하고 있지 않을 가능성이 높아진다. 즉, 후측 계면 (LGb) 이 커버 부재 (T4) 로부터 기판 (P) 상으로 이동할 때에, 커버 부재 (T4) 에 형성된 미세 형상에 의해 커버 부재 (T4) 와 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 의 접촉 면적을 경감하는 효과를 기대할 수 있다. 이로써, 후측 계면 (LGb) 이 커버 부재로부터 스무드하게 떨어져 기판 (P) 의 상면에 액체 (LQ) 가 잔류하는 것이 억제된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 의하면, 예를 들어 액침 공간 (LS) 이 커버 부재 (T4) 상으로부터 기판 (P) 상으로 이동하도록 기판 스테이지 (2) 가 이동하는 경우, 기판 (P) 상에 액체 (LQ) 가 잔류하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 노광 불량의 발생, 및 불량 디바이스의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 예를 들어 도 28 에 나타내는 커버 부재 (T5) 와 같이, 제 1 유지부 (31) 의 중심에 대한 방사 방향에 관한 제 1 영역 (A1) (볼록부) 과 제 2 영역 (A2) (오목부) 의 거리 (Da) 가, 제 1 유지부 (31) 의 둘레 방향에 관해서 인접하는 제 1 영역 (A1) 의 거리 (R1) 보다 짧아도 되고, 인접하는 제 2 영역 (A2) 의 거리 (R2) 보다 짧아도 된다.
또, 도 29 에 나타내는 커버 부재 (T6) 와 같이, 제 1 영역 (A1) (볼록부) 및 제 2 영역 (A2) (오목부) 이, 모서리부를 가져도 된다.
또, 도 30 에 나타내는 커버 부재 (T7) 와 같이, 제 1 영역 (A1) 과 제 3 영역 (A3) 이 거의 직각으로 교차되고, 제 2 영역 (A2) 과 제 3 영역 (A3) 이 거의 직각으로 교차해도 된다. 도 30 에 나타내는 예는, 제 3 영역 (A3) 의 치수가, 제 1 영역 (A1) (제 2 영역 (A2)) 의 치수보다 작다.
또, 도 31 에 나타내는 커버 부재 (T12) 와 같이, 제 1 영역 (A1) 과 제 3 영역 (A3) 이 거의 직각으로 교차하고, 제 2 영역 (A2) 과 제 3 영역 (A3) 이 거의 직각으로 교차하는 경우에 있어서, 제 3 영역 (A3) 의 치수가, 제 1 영역 (A1) (제 2 영역 (A2)) 의 치수보다 커도 된다. 즉, 제 1 유지부 (31) 의 둘레 방향에 관한 제 1 영역 (A1) 의 치수 (W1) 가, 제 1 유지부 (31) 의 중심에 대한 방사 방향에 관한 제 1 영역 (A1) 과 제 2 영역 (A2) 의 거리 (Da) 보다 작아도 된다. 또, 제 1 유지부 (31) 의 둘레 방향에 관한 제 2 영역 (A2) 의 치수 (W2) 가, 제 1 유지부 (31) 의 중심에 대한 방사 방향에 관한 제 1 영역 (A1) 과 제 2 영역 (A2) 의 거리 (Da) 보다 작아도 된다.
또, 제 1 유지부 (31) 의 둘레 방향에 관해서 인접하는 제 1 영역 (A1) 의 거리 (R1) 는, 거리 (Da) 보다 작아도 된다. 또, 제 1 유지부 (31) 의 둘레 방향에 관해서 인접하는 제 2 영역 (A2) 의 거리 (R2) 는, 거리 (Da) 보다 작아도 된다.
또한, 도 32 에 나타내는 커버 부재 (T13) 와 같이, 제 1 영역 (A1) 의 양측에 배치되는 제 3 영역 (A3a) 과 제 3 영역 (A3b) 의 거리가, 제 1 영역 (A1) 으로 향해 서서히 작아져도 된다.
또한, 도 33 에 나타내는 커버 부재 (T14) 와 같이, 제 1 영역 (A1) 의 양측에 배치되는 제 3 영역 (A3c) 과 제 3 영역 (A3d) 의 적어도 일부가 평행이어도 된다.
＜제 14 실시 형태＞
다음으로, 제 14 실시 형태에 대해 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상기 서술한 실시 형태와 동일 또는 동등한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 간략 혹은 생략한다.
도 34 는, 본 실시 형태에 관련된 커버 부재 (T8) 의 일례를 나타내는 단면도이다. 도 34 에 나타내는 바와 같이, 기판 (P) 의 측면 (Pc) 이 대향하는 커버 부재 (T8) 의 내면 (Tc) 의 적어도 일부는, 제 1 유지부 (31) 의 중심에 대해 외측으로 향해 상방으로 경사진다.
본 실시 형태에 있어서, 커버 부재 (T8) 의 내면 (Tc) 은, 제 1 내면 (Tc1) 과, 제 1 내면 (Tc1) 의 상방에 배치되고, 기판 (P) 의 측면 (Pc) 의 적어도 일부가 대향하고, 하단이 제 1 내면 (Tc1) 과 연결되고, 상단이 커버 부재 (T8) 의 상면 (Ta) 과 연결되는 제 2 내면 (Tc2) 을 포함한다.
제 1 내면 (Tc1) 과 제 2 내면 (Tc2) 은, 비평행이다. 커버 부재 (T8) 의 상면 (Ta) 의 법선 방향 (Z 축방향) 에 관해서, 제 2 내면 (Tc2) 의 치수 (H2) 는, 제 1 내면 (Tc1) 의 치수 (H1) 보다 크다. 본 실시 형태에 있어서는, 제 2 내면 (Tc2) 이, 제 1 유지부 (31) 의 중심에 대해 외측으로 향해 상방으로 경사진다. 본 실시 형태에 있어서, 제 1 내면 (Tc1) 은, Z 축과 거의 평행하다.
또, 제 1 내면 (Tc1) 의 하단은, 커버 부재 (T8) 의 하면 (Tb) 과 연결된다. 본 실시 형태에 있어서, 커버 부재 (T8) 의 상면 (Ta) 과 하면 (Tb) 은, 거의 평행하다. 또, 상면 (Ta) 은, XY 평면과 거의 평행하다.
본 실시 형태에 있어서는, Y 축방향 (제 1 유지부 (31) 의 중심에 대한 방사 방향) 에 관한 제 2 내면 (Tc2) 의 치수 (E2) 는, Z 축방향에 관한 제 2 내면 (Tc2) 의 치수 (H2) 보다 크다. 또, XY 평면에 대한 제 2 내면 (Tc2) 의 각도는, 예를 들어 10 도 ∼ 45 도이다.
도 35 는, 액침 공간 (LS) 이 커버 부재 (T8) 상으로부터 기판 (P) 상으로 이동하는 상태의 일례를 나타내는 도면이다. 액침 공간 (LS) 은, 도 35(A) 에 나타내는 상태로부터, 도 35(B) 에 나타내는 상태를 거쳐, 도 35(C) 에 나타내는 상태로 변화한다. 도 35 는, 액침 공간 (LS) 이 커버 부재 (T8) 상으로부터 기판 (P) 상으로 이동하도록, 기판 스테이지 (2) 가 ＋Y 방향으로 이동하는 상태의 일례를 나타낸다.
도 35(A) 는, 액침 공간 (LS) 의 후측 계면 (LGb) 이 커버 부재 (T8) 상에 위치하는 상태를 나타낸다. 도 35(B) 는, 후측 계면 (LGb) 이 커버 부재 (T8) 상으로부터 기판 (P) 상으로 이동하는 상태를 나타낸다. 도 35(C) 는, 후측 계면 (LGb) 이 기판 (P) 상에 위치하는 상태를 나타낸다.
커버 부재 (T8) 가, 경사진 제 2 내면 (Tc2) 을 포함하는 내면 (Tc) 을 가짐으로써, 액침 공간 (LS) 이 커버 부재 (T8) 상으로부터 기판 (P) 상으로 이동하도록 기판 스테이지 (2) 가 이동할 때, 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 가 기판 (P) 상에 잔류하는 것이 억제된다.
예를 들어, 도 35(A) 에 나타내는 바와 같이, 후측 계면 (LGb) 의 하단이 제 2 내면 (Tc2) 에 위치할 때, 후측 계면 (LGb) 과 제 2 내면 (Tc2) 이 이루는 각도는, 90 도에 가깝다. 즉, 커버 부재 (T8) 상에 액체 (LQ) 의 박막이 형성되는 것이 억제된다. 본 실시 형태에 있어서, 후측 계면 (LGb) 이 제 2 내면 (Tc2) 상을 이동할 때, 후측 계면 (LGb) 과 제 2 내면 (Tc2) 이 이루는 각도가 90 도에 가까운 값을 나타내도록, 바꾸어 말하면, 제 2 내면 (Tc2) 상에 액체 (LQ) 의 박막이 형성되지 않도록, 제 2 내면 (Tc2) 의 치수 (H2), 치수 (E2), 및 XY 평면에 대한 각도 등이 조정되어 있다.
도 35(B) 에 나타내는 바와 같이, 후측 계면 (LGb) 의 하단이 커버 부재 (T8) 의 제 2 내면 (Tc2) 으로부터 기판 (P) 의 상면 (Pa) 으로 이동한 직후에 있어서도, 후측 계면 (LGb) 과 상면 (Pa) 이 이루는 각도는, 90 도에 가깝다. 즉, 기판 (P) 상에 액체 (LQ) 의 박막이 형성되는 것이 억제된다. 본 실시 형태에 있어서, 후측 계면 (LGb) 이 제 2 내면 (Tc2) 상으로부터 기판 (P) 의 상면 (Pa) 상으로 이동할 때, 후측 계면 (LGb) 과 상면 (Pa) 이 이루는 각도가 90 도에 가까운 값을 나타내도록, 바꾸어 말하면, 상면 (Pa) 상에 액체 (LQ) 의 박막이 형성되지 않도록, 제 2 내면 (Tc2) 의 치수 (H2), 치수 (E2), 및 XY 평면에 대한 각도 등이 조정되어 있다.
도 35(C) 에 나타내는 바와 같이, 후측 계면 (LGb) 의 하단이 기판 (P) 의 상면 (Pa) 에 위치할 때도, 후측 계면 (LGb) 과 기판 (P) 의 상면 (Pa) 이 이루는 각도는, 90 도에 가깝다. 즉, 기판 (P) 상에 액체 (LQ) 의 박막이 형성되는 것이 억제된다.
도 36 은, 비교예를 나타낸다. 도 36 에 있어서, 커버 부재 (Tj) 는, 내면 (Tc) 을 갖는다. 내면 (Tc) 은, Z 축과 거의 평행하다.
도 36(A) ∼ 도 36(C) 는, 액침 공간 (LS) 이 커버 부재 (Tj) 상으로부터 기판 (P) 상으로 이동하도록, 기판 스테이지 (2) 가 ＋Y 방향으로 이동하는 상태의 일례를 나타내는 도면이다. 액침 공간 (LS) 은, 도 36(A) 에 나타내는 상태로부터, 도 36(B) 에 나타내는 상태를 거쳐, 도 36(C) 에 나타내는 상태로 변화한다.
도 36(A) 는, 액침 공간 (LS) 의 후측 계면 (LGb) 이 커버 부재 (Tj) 상에 위치하는 상태를 나타낸다. 도 36(B) 는, 후측 계면 (LGb) 이 커버 부재 (Tj) 상으로부터 기판 (P) 상으로 이동하는 상태를 나타낸다. 도 36(C) 는, 후측 계면 (LGb) 이 기판 (P) 상에 위치하는 상태를 나타낸다.
도 36(A) 에 나타내는 바와 같이, 후측 계면 (LGb) 의 하단이 상면 (Ta) 의 에지에 위치할 때, 후측 계면 (LGb) 과 상면 (Ta) 이 이루는 각도는 작다. 도 36(B) 에 나타내는 바와 같이, 후측 계면 (LGb) 의 하단이 커버 부재 (Tj) 의 상면 (Ta) 으로부터 기판 (P) 의 상면 (Pa) 으로 이동한 직후에 있어서도, 후측 계면 (LGb) 과 상면 (Pa) 이 이루는 각도는 작다. 즉, 기판 (P) 상에 액체 (LQ) 의 박막이 형성될 가능성이 높아진다. 그 결과, 도 36(C) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (P) 상에 액체 (LQ) 가 잔류할 가능성이 높아진다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 의하면, 내면 (Tc) 이 경사진 제 2 내면 (Tc2) 을 포함함으로써, 액침 공간 (LS) 이 커버 부재 (T8) 상으로부터 기판 (P) 상으로 이동할 때, 액체 (LQ) 가 박막화되는 것이 억제된다. 따라서, 기판 (P) 상 등에 액체 (LQ) 가 잔류하는 것이 억제된다.
또한, 예를 들어 도 25, 도 28 ∼ 도 33 등을 참조하여 설명한, 커버 부재의 볼록부가, 도 34 등을 참조하여 설명한 제 2 내면 (Tc2) 을 가져도 된다. 즉, 커버 부재 (T) 의 볼록부가, 그 선단부로부터, 제 1 유지부 (31) 에 대해 떨어지는 방향으로, 또한 상방으로 향해 경사지는 상면을 가져도 된다.
또한, 도 37 에 나타내는 바와 같이, 기판 (P) 의 측면 (Pc) 이 대향하는 커버 부재 (T15) 의 내면 (Tc) 의 적어도 일부가, 제 1 유지부 (31) 의 중심에 대해 외측으로 향해 하방으로 경사져도 된다. 도 37 에 있어서, 커버 부재 (T15) 의 내면 (Tc) 은, 제 1 내면 (Tc14) 과, 제 1 내면 (Tc14) 의 하방에 배치되고, 기판 (P) 의 측면 (Pc) 의 적어도 일부가 대향하고, 상단이 제 1 내면 (Tc14) 과 연결되고, 하단이 커버 부재 (T15) 의 하면 (Tb) 과 연결되는 제 2 내면 (Tc15) 을 포함한다.
제 1 내면 (Tc14) 과 제 2 내면 (Tc15) 은, 비평행이다. 커버 부재 (T15) 의 상면 (Ta) 의 법선 방향 (Z 축방향) 에 관해서, 제 2 내면 (Tc15) 의 치수 (H15) 는, 제 1 내면 (Tc14) 의 치수 (H14) 보다 크다. 도 37 에 나타내는 예에서는, 제 2 내면 (Tc15) 이, 제 1 유지부 (31) 의 중심에 대해 외측으로 향해 하방으로 경사진다. 제 1 내면 (Tc14) 은, Z 축과 거의 평행하다.
또, 제 1 내면 (Tc14) 의 상단은, 커버 부재 (T15) 의 상면 (Ta) 과 연결된다. 커버 부재 (T15) 의 상면 (Ta) 과 하면 (Tb) 은, 거의 평행하다. 또, 상면 (Ta) 은, XY 평면과 거의 평행하다.
Y 축방향 (제 1 유지부 (31) 의 중심에 대한 방사 방향) 에 관한 제 2 내면 (Tc15) 의 치수 (E15) 는, Z 축방향에 관한 제 2 내면 (Tc15) 의 치수 (H15) 보다 크다. 또, XY 평면에 대한 제 2 내면 (Tc15) 의 각도는, 예를 들어 10 도 ∼ 45 도이다.
도 37 에 나타내는 커버 부재 (T15) 에 있어서도, 액체 (LQ) 의 잔류 등이 억제된다.
또한, 도 38 에 나타내는 바와 같이, 제 1 내면 (Tc14) 에, 복수의 볼록부 (130) 가 형성되어도 된다. 볼록부 (130) 에 의해, 액체 (LQ) 에 대한 제 1 내면 (Tc14) 의 접촉각이 조정된다.
또한, 예를 들어 도 25, 도 28 ∼ 도 33 등을 참조하여 설명한, 커버 부재의 볼록부가, 도 37 등을 참조하여 설명한 제 2 내면 (Tc15) 을 가져도 된다. 즉, 커버 부재 (T) 의 볼록부가, 그 선단부로부터, 제 1 유지부 (31) 에 대해 떨어지는 방향으로, 또한 하방으로 향해 경사지는 하면을 가져도 된다.
또한, 예를 들어 도 25, 도 28 ∼ 도 33 등을 참조하여 설명한, 커버 부재의 볼록부에, 도 38 등을 참조하여 설명한 볼록부 (130) 가 형성되어도 된다.
＜제 15 실시 형태＞
다음으로, 제 15 실시 형태에 대해 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상기 서술한 실시 형태와 동일 또는 동등한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 간략 혹은 생략한다.
도 39 는, 본 실시 형태에 관련된 커버 부재 (T16) 의 일례를 나타내는 단면도이다. 도 39 에 나타내는 바와 같이, 기판 (P) 의 측면 (Pc) 이 대향하는 커버 부재 (T16) 의 내면 (Tc) 의 일부는, 제 1 유지부 (31) 의 중심에 대해 외측으로 향해 상방으로 경사지고, 일부는 하방으로 경사진다.
본 실시 형태에 있어서, 커버 부재 (T16) 의 내면 (Tc) 은, 적어도 일부가 기판 (P) 의 측면 (Pc) 에 대향하는 제 1 내면 (Tc16) 과, 제 1 내면 (Tc16) 의 하방에 배치되고, 기판 (P) 의 측면 (Pc) 의 적어도 일부가 대향하는 제 2 내면 (Tc17) 을 포함한다.
제 1 내면 (Tc16) 의 상단은, 커버 부재 (T16) 의 상면 (Ta) 과 연결된다. 제 1 내면 (Tc16) 의 하단은, 제 2 내면 (Tc17) 의 상단과 연결된다. 제 2 내면 (Tc17) 의 하단은, 커버 부재 (T16) 의 하면 (Tb) 과 연결된다.
제 1 내면 (Tc16) 과 제 2 내면 (Tc17) 은, 비평행이다. 커버 부재 (T16) 의 상면 (Ta) 의 법선 방향 (Z 축방향) 에 관해서, 제 2 내면 (Tc17) 의 치수 (H17) 는, 제 1 내면 (Tc16) 의 치수 (H16) 보다 크다. 본 실시 형태에 있어서는, 제 1 내면 (Tc16) 이, 제 1 유지부 (31) 의 중심에 대해 외측으로 향해 상방으로 경사진다. 제 2 내면 (Tc17) 이, 제 1 유지부 (31) 의 중심에 대해 외측으로 향해 하방으로 경사진다.
커버 부재 (T16) 의 상면 (Ta) 과 하면 (Tb) 은, 거의 평행하다. 또, 상면 (Ta) 은, XY 평면과 거의 평행하다.
본 실시 형태에 있어서는, Y 축방향 (제 1 유지부 (31) 의 중심에 대한 방사 방향) 에 관한 제 2 내면 (Tc17) 의 치수 (E17) 는, Z 축방향에 관한 제 2 내면 (Tc17) 의 치수 (H17) 보다 크다. 또, XY 평면에 대한 제 2 내면 (Tc17) 의 각도는, 예를 들어 10 도 ∼ 45 도이다. 또, 제 1 내면 (Tc16) 과 제 2 내면 (Tc17) 이 이루는 각도 θc 는, 예각이다. 제 1 내면 (Tc16) 과 제 2 내면 (Tc17) 으로 형성되는 모서리부는 예리하다.
본 실시 형태에 있어서도, 액체 (LQ) 의 잔류 등이 억제된다.
또한, 예를 들어 도 25, 도 28 ∼ 도 33 등을 참조하여 설명한, 커버 부재의 볼록부가, 도 39 등을 참조하여 설명한 제 1 내면 (Tc16) 및 제 2 내면 (Tc17) 을 가져도 된다. 즉, 커버 부재 (T) 의 볼록부가, 그 선단부로부터, 제 1 유지부 (31) 에 대해 떨어지는 방향으로, 또한 하방으로 향해 경사지는 하면과, 상방으로 향해 경사지는 상면을 가져도 된다.
＜제 16 실시 형태＞
다음으로, 제 16 실시 형태에 대해 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상기 서술한 실시 형태와 동일 또는 동등한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 간략 혹은 생략한다.
도 40 및 도 41 은, 본 실시 형태에 관련된 노광 장치 (EX2) 의 일례를 나타내는 도면이다. 본 실시 형태의 노광 장치 (EX2) 는, 예를 들어 미국 특허 출원 공개 제2007/0288121호 명세서에 개시되어 있는 바와 같은, 기판 스테이지 (200G) 가 갖는 스케일 부재 (GT) 를 사용하여 그 기판 스테이지 (200G) 의 위치를 계측하는 엔코더 시스템 (600) 을 구비하고 있다. 도 40 은, 엔코더 시스템 (600) 을 나타내는 도면이며, 도 41 은, 기판 스테이지 (200G) 및 계측 스테이지 (3) 를 나타내는 도면이다.
도 41 에 있어서, 기판 스테이지 (200G) 는, 기판 (P) 의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부 (31) 와, 제 1 유지부 (31) 의 주위의 적어도 일부에 배치되고, 액침 공간 (LS) 이 형성 가능한 스케일 부재 (GT) 와, 스케일 부재 (GT) 에 인접하여 형성되고, 액침 공간 (LS) 이 형성 가능한 상면을 갖는 커버 부재 (T2) 를 갖는다. 본 실시 형태에 있어서, 커버 부재 (T9) 는, 제 1 유지부 (31) 에 유지된 기판 (P) 의 주위에 배치된다. 스케일 부재 (GT) 는, 커버 부재 (T9) 의 주위에 배치된다. 또한, 스케일 부재 (GT) 가, 제 1 유지부 (31) 에 유지된 기판 (P) 의 주위에 배치되고, 커버 부재 (T9) 가, 스케일 부재 (GT) 의 주위에 배치되어도 된다. 스케일 부재 (GT) 는, 엔코더 시스템 (600) 의 엔코더 헤드에 의해 계측되는 격자를 갖는다. 커버 부재 (T9) 는, 격자를 가지지 않는다.
본 실시 형태에 있어서, 스케일 부재 (GT) 와 커버 부재 (T9) 의 사이에, 간극 (Gm) 이 형성된다.
또, 도 41 에 나타내는 바와 같이, 계측 스테이지 (3) 에 있어서, 계측 부재 (C) 와 커버 부재 (Q) 의 사이에, 간극 (Gn) 이 형성된다.
커버 부재 (T9) 는, 종단 광학 소자 (12) 가 대향 가능한 상면과, 그 상면의 가장자리 (외연) 의 적어도 일부를 규정하는 에지부 (Eg9) 를 갖는다. 스케일 부재 (GT) 는, 종단 광학 소자 (12) 가 대향 가능한 상면과, 그 상면의 가장자리 (내연) 의 적어도 일부를 규정하는 에지부 (Egg) 를 갖는다. 커버 부재 (T9) 의 상면과, 스케일 부재 (GT) 의 상면은, 간극 (Gm) 을 통하여 병치된다. 스케일 부재 (GT) 의 상면은, 커버 부재 (T9) 의 상면의 주위에 배치된다.
기판 스테이지 (200G) 가 이동함으로써, 커버 부재 (T9) 및 스케일 부재 (GT) 는, 종단 광학 소자 (12) 의 하방에서 작동된다. 커버 부재 (T9) 는, 그 커버 부재 (T9) 의 상면의 적어도 일부가 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 와 접촉하도록, 종단 광학 소자 (12) 의 하방에서 작동된다. 스케일 부재 (GT) 는, 그 스케일 부재 (GT) 의 상면의 적어도 일부가 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 와 접촉하도록, 종단 광학 소자 (12) 의 하방에서 작동된다.
커버 부재 (Q) 는, 종단 광학 소자 (12) 가 대향 가능한 상면과, 그 상면의 가장자리 (내연) 의 적어도 일부를 규정하는 에지부 (Egq) 를 갖는다. 계측 부재 (C) 는, 종단 광학 소자 (12) 가 대향 가능한 상면과, 그 상면의 가장자리 (외연) 의 적어도 일부를 규정하는 에지부 (Egc) 를 갖는다. 커버 부재 (Q) 의 상면과, 계측 부재 (C) 의 상면은, 간극 (Gn) 을 통하여 병치된다.
커버 부재 (Q) 의 상면은, 계측 부재 (C) 의 상면의 주위에 배치된다.
계측 스테이지 (3) 가 이동함으로써, 커버 부재 (Q) 및 계측 부재 (C) 는, 종단 광학 소자 (12) 의 하방에서 작동된다. 커버 부재 (Q) 는, 그 커버 부재 (Q) 의 상면의 적어도 일부가 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 와 접촉하도록, 종단 광학 소자 (12) 의 하방에서 작동된다. 계측 부재 (C) 는, 그 계측 부재 (C) 의 상면의 적어도 일부가 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 와 접촉하도록, 종단 광학 소자 (12) 의 하방에서 작동된다.
도 42 는, 스케일 부재 (GT) 와 커버 부재 (T9) 사이의 간극 (Gm) 의 근방을 나타내는 측단면도이다. 간극 (Gm) 은, 스케일 부재 (GT) 의 에지부 (Egg) 와, 커버 부재 (T9) 의 에지부 (Eg9) 의 간극을 포함한다. 도 42 에 있어서, 기판 스테이지 (200G) 는, 적어도 일부가 스케일 부재 (GT) 와 커버 부재 (T9) 사이의 간극 (Gm) 에 배치되고, 액체 (LQ) 에 대해 발액성의 상면을 갖는 다공 부재 (80G) 를 갖는다. 다공 부재 (80G) 에 회수되는 액체 (LQ) 는, 흡인구 (24G) 및 유로 (25G) 를 통하여, 유체 흡인 장치 (26G) 에 흡인된다.
또한, 계측 스테이지 (3) 에 있어서, 계측 부재 (C) 와 커버 부재 (Q) 사이의 간극 (Gn) 에, 액체 (LQ) 에 대해 발액성의 상면을 갖는 다공 부재를 배치하고, 그 다공 부재를 통하여, 간극 (Gn) 에 유입되는 액체 (LQ) 의 적어도 일부를 회수해도 된다. 또한, 간극 (Gn) 은, 계측 부재 (C) 의 에지부 (Egc) 와, 커버 부재 (Q) 의 에지부 (Egq) 의 간극을 포함한다.
또한, 도 43 에 나타내는 바와 같이, 스케일 부재 (GT) 의 측면과 대향하도록 배치된 회수구 (700) 로부터, 간극 (Gm) 에 유입되는 액체 (LQ) 의 적어도 일부를 회수해도 된다. 도 43 에 나타내는 예에서는, 커버 부재 (T9) 에 회수구 (700) 가 배치된다. 또한, 커버 부재 (T9) 의 측면과 대향하도록 배치된 회수구로부터, 간극 (Gm) 에 유입되는 액체 (LQ) 의 적어도 일부를 회수해도 된다. 그 회수구는, 스케일 부재 (GT) 에 배치되어도 된다.
또한, 계측 스테이지 (3) 에 있어서, 계측 부재 (C) 의 측면과 대향하도록 배치된 회수구로부터, 간극 (Gn) 에 유입되는 액체 (LQ) 의 적어도 일부를 회수해도 된다. 또한, 그 회수구가, 커버 부재 (Q) 에 배치되어도 된다. 또한, 커버 부재 (Q) 의 측면과 대향하도록 배치된 회수구로부터, 간극 (Gn) 에 유입되는 액체 (LQ) 의 적어도 일부를 회수해도 된다.
또한, 그 회수구가, 계측 부재 (C) 에 배치되어도 된다.
또한, 도 44 에 나타내는 바와 같이, 스케일 부재 (GT) 와의 사이에 간극 (Gm) 을 형성하는 커버 부재 (T9) 의 측면 (에지부 (Eg9)) 이, 스케일 부재 (GT) 의 중심으로부터 제 1 거리에 위치하고, 스케일 부재 (GT) 의 측면이 대향 가능한 제 1 영역 (Ag1) 과, 제 1 영역 (Ag1) 의 옆에 배치되고, 스케일 부재 (GT) 의 중심으로부터 제 1 거리보다 긴 제 2 거리에 위치하는 제 2 영역 (Ag2) 을 포함해도 된다.
도 41 등에 나타낸 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서, XY 평면 내에 있어서의 스케일 부재 (GT) 의 에지부 (Egg) 의 외형은, 실질적으로 사각형이다. 에지부 (Egg) 는, X 축방향으로 연장되는 부분과, Y 축방향으로 연장되는 부분을 포함한다. X 축방향으로 연장되는 부분은, X 축과 평행한 직선이다. Y 축방향으로 연장되는 부분은, Y 축과 평행한 직선이다.
또, 커버 부재 (T9) 의 에지부 (Eg9) 도, X 축방향으로 연장되는 부분과, Y 축방향으로 연장되는 부분을 포함한다.
도 44 에 있어서, 제 1 영역 (Ag1) 과 제 2 영역 (Ag2) 은, X 축방향에 관해서 교대로 배치된다. 즉, 커버 부재 (T9) 는, 스케일 부재 (GT) 의 에지부 (Egg) 를 따르는 X 축방향에 관해서 교대로 배치되고, 스케일 부재 (GT) 에 대해 돌출하는 볼록부 (Tma) 와, 스케일 부재 (GT) 에 대해 움푹 패인 오목부 (Tmb) 를 복수 갖는다. 본 실시 형태에 있어서, 제 1 영역 (Ag1) 은, XY 평면 내에 있어서 곡면 (곡선) 이다. 제 2 영역 (Ag2) 은, XY 평면 내에 있어서 곡면 (곡선) 이다.
즉, 본 실시 형태에 있어서, 커버 부재 (T9) 의 에지부 (Eg9) 는, X 축방향을 따라 형성되는 복수의 볼록부 (Tma) 를 포함한다. 볼록부 (Tma) 는, 제 1 영역 (Ag1) 을 포함한다. 오목부 (Tmb) 는, 제 2 영역 (Ag2) 을 포함한다. 복수의 볼록부 (Tma) 는, X 축방향으로 인접하는 제 1 볼록부 (Tma) 및 제 2 볼록부 (Tma) 를 포함한다. 본 실시 형태에 있어서, 커버 부재 (T9) 의 상면은, 볼록부 (Tma) 의 상면을 포함한다.
본 실시 형태에 있어서, 복수의 볼록부 (Tma) 는, X 축방향을 따라 일정 간격으로 배치된다.
X 축방향으로 인접하는 제 1 볼록부 (Tma) 와 제 2 볼록부 (Tma) 의 X 축방향에 관한 거리는, 제 2 볼록부 (Tma) 와 제 3 볼록부 (Tma) 의 X 축방향에 관한 거리와 실질적으로 동일하다.
또한, 도 44 는, X 축방향으로 볼록부 (Tma) 가 배치되는 예를 나타내지만, Y 축방향에 있어서도 동일하다.
또한, 커버 부재 (T9) 의 사이에 간극 (Gm) 을 형성하는 스케일 부재 (GT) 의 측면이, 커버 부재 (T9) 의 중심으로부터 제 1 거리에 위치하고, 커버 부재 (T9) 의 측면이 대향 가능한 제 1 영역과, 제 1 영역의 옆에 배치되고, 커버 부재 (T9) 의 중심으로부터 제 1 거리보다 긴 제 2 거리에 위치하는 제 2 영역을 포함해도 된다. 즉, 스케일 부재 (GT) 의 에지부 (Egg) 에, X 축방향 (Y 축방향) 에 관해서 복수의 볼록부가 배치되어도 된다.
또한, 계측 스테이지 (3) 에 있어서, 계측 부재 (C) 와의 사이에 간극 (Gn) 을 형성하는 커버 부재 (Q) 의 측면이, 계측 부재 (C) 의 중심으로부터 제 1 거리에 위치하고, 계측 부재 (C) 의 측면이 대향 가능한 제 1 영역과, 제 1 영역의 옆에 배치되고, 계측 부재 (C) 의 중심으로부터 제 1 거리보다 긴 제 2 거리에 위치하는 제 2 영역을 포함해도 된다. 즉, 커버 부재 (Q) 의 에지부 (Egq) 에, 복수의 볼록부가 배치되어도 된다. 커버 부재 (Q) 의 볼록부는, 계측 부재 (C) 가 배치되는 커버 부재 (Q) 의 개구의 중심의 둘레 방향으로 복수 배치되어도 된다.
또한, 커버 부재 (Q) 와의 사이에 간극 (Gn) 을 형성하는 계측 부재 (C) 의 측면이, 계측 부재 (C) 의 중심으로부터 제 1 거리에 위치하고, 계측 부재 (C) 의 측면이 대향 가능한 제 1 영역과, 제 1 영역의 옆에 배치되고, 계측 부재 (C) 의 중심으로부터 제 1 거리보다 긴 제 2 거리에 위치하는 제 2 영역을 포함해도 된다. 즉, 계측 부재 (C) 의 에지부 (Egc) 에, 복수의 볼록부가 배치되어도 된다.
계측 부재 (C) 의 볼록부는, 계측 부재 (C) 의 중심의 둘레 방향으로 복수 배치되어도 된다.
또한, 도 45 에 나타내는 바와 같이, 커버 부재 (T9) 의 내면이, 제 1 내면 (Tcg1) 과, 제 1 내면 (Tcg1) 의 상방에 배치되고, 스케일 부재 (GT) 의 측면의 적어도 일부가 대향하고, 하단이 제 1 내면 (Tcg1) 과 연결되고, 상단이 커버 부재 (T9) 의 상면과 연결되는 제 2 내면 (Tcg2) 을 포함해도 된다. 제 1 내면 (Tcg1) 과 상기 제 2 내면 (Tcg2) 은 비평행이며, 커버 부재 (T9) 의 상면의 법선 방향에 관해서, 제 2 내면 (Tcg2) 의 치수는, 제 1 내면 (Tcg1) 의 치수보다 크고, 적어도 제 2 내면 (Tcg2) 이, 스케일 부재 (GT) 의 중심에 대해 외측으로 향해 상방으로 경사져도 된다.
또한, 스케일 부재 (GT) 의 내면이, 제 1 내면과, 제 1 내면의 상방에 배치되고, 커버 부재 (T9) 의 측면의 적어도 일부가 대향하고, 하단이 제 1 내면과 연결되고, 상단이 스케일 부재 (GT) 의 상면과 연결되는 제 2 내면을 포함해도 된다. 제 1 내면과 상기 제 2 내면은 비평행이며, 스케일 부재 (GT) 의 상면의 법선 방향에 관해서, 제 2 내면의 치수는, 제 1 내면의 치수보다 크고, 적어도 제 2 내면이, 커버 부재 (T9) 의 중심에 대해 외측으로 향해 상방으로 경사져도 된다.
또한, 계측 스테이지 (3) 에 있어서, 커버 부재 (Q) 의 내면이, 제 1 내면과, 제 1 내면의 상방에 배치되고, 계측 부재 (C) 의 측면의 적어도 일부가 대향하고, 하단이 제 1 내면과 연결되고, 상단이 커버 부재 (Q) 의 상면과 연결되는 제 2 내면을 포함해도 된다. 제 1 내면과 상기 제 2 내면은 비평행이며, 커버 부재 (Q) 의 상면의 법선 방향에 관해서, 제 2 내면의 치수는, 제 1 내면의 치수보다 크고, 적어도 제 2 내면이, 계측 부재 (C) 의 중심에 대해 외측으로 향해 상방으로 경사져도 된다.
또한, 계측 부재 (C) 의 내면이, 제 1 내면과, 제 1 내면의 상방에 배치되고, 커버 부재 (Q) 의 측면의 적어도 일부가 대향하고, 하단이 제 1 내면과 연결되고, 상단이 계측 부재 (C) 의 상면과 연결되는 제 2 내면을 포함해도 된다. 제 1 내면과 상기 제 2 내면은 비평행이며, 계측 부재 (C) 의 상면의 법선 방향에 관해서, 제 2 내면의 치수는, 제 1 내면의 치수보다 크고, 적어도 제 2 내면이, 커버 부재 (Q) 의 중심에 대해 외측으로 향해 상방으로 경사져도 된다.
또한, 상기 서술한 커버 부재의 모든 형상 (구조) 을, 스케일 부재 (GT), 계측 부재 (C), 및 커버 부재 (Q) 등에 적용할 수 있다.
또, 예를 들어 도 44 등을 참조하여 설명한, 커버 부재 (T9) 의 볼록부가, 도 45 등을 참조하여 설명한 제 1 내면 (Tcg1) 및 제 2 내면 (Tcg2) 을 가져도 된다. 즉, 커버 부재 (T9) 의 볼록부가, 그 선단부로부터, 제 1 유지부 (31) 에 대해 떨어지는 방향으로, 또한 상방으로 향해 경사지는 상면을 가져도 된다.
또, 커버 부재 (T9) 의 볼록부가, 그 선단부로부터, 제 1 유지부 (31) 에 대해 떨어지는 방향으로, 또한 하방으로 향해 경사지는 하면을 가져도 된다.
또, 스케일 부재 (GT) 의 볼록부가, 그 선단부로부터, 제 1 유지부 (31) 에 대해 떨어지는 방향으로, 또한 상방으로 향해 경사지는 상면을 가져도 된다.
또, 스케일 부재 (GT) 의 볼록부가, 그 선단부로부터, 제 1 유지부 (31) 에 대해 떨어지는 방향으로, 또한 하방으로 향해 경사지는 하면을 가져도 된다.
또한, 스케일 부재 (GT) 와 커버 부재 (T9) 사이의 간극 (Gm) 에 유입되는 액체 (LQ) 의 적어도 일부가 회수 가능한 회수구를 복수 형성해도 된다. 예를 들어, 제 1 유지부 (31) 를 둘러싸도록 복수의 회수구가 형성되어도 된다. 종단 광학 소자 (12) 의 사출면 (13) 측에 액침 공간 (LS) 이 형성되어 있는 상태에서, 스케일 부재 (GT) 및 커버 부재 (T9) 가 이동될 때, 액침 공간 (LS) (종단 광학 소자 (12), 액침 부재 (7)) 에 대한 간극 (Gm) 의 위치, 및 액침 공간 (LS) (종단 광학 소자 (12), 액침 부재 (7)) 에 대한 간극 (Gm) 의 이동 조건의 일방 또는 양방에 기초하여, 복수의 회수구 중 일부의 회수구로부터 액체 (LQ) 의 회수가 실시되어도 된다.
또한, 계측 스테이지 (3) 에 있어서, 계측 부재 (C) 와 커버 부재 (Q) 사이의 간극 (Gn) 에 유입되는 액체 (LQ) 의 적어도 일부가 회수 가능한 회수구를 복수 형성해도 된다. 예를 들어, 계측 부재 (C) 를 유지하는 유지부를 둘러싸도록 복수의 회수구가 형성되어도 된다. 종단 광학 소자 (12) 의 사출면 (13) 측에 액침 공간 (LS) 이 형성되어 있는 상태에서, 계측 부재 (C) 및 커버 부재 (Q) 가 이동될 때, 액침 공간 (LS) (종단 광학 소자 (12), 액침 부재 (7)) 에 대한 간극 (Gn) 의 위치, 및 액침 공간 (LS) (종단 광학 소자 (12), 액침 부재 (7)) 에 대한 간극 (Gn) 의 이동 조건의 일방 또는 양방에 기초하여, 복수의 회수구 중 일부의 회수구로부터 액체 (LQ) 의 회수가 실시되어도 된다.
또한, 기판 스테이지에 있어서, 제 1 유지부 (31) 의 주위의 적어도 일부에, 노광 광 (EL) 이 조사되는 계측 부재 (C) 가 배치되어도 된다. 또, 그 계측 부재 (C) 에 인접하도록, 커버 부재 (T 등) 가 배치되어도 된다. 예를 들어, 기판 스테이지가 갖는 커버 부재 (T 등) 에, 계측 부재 (C) 가 배치되는 개구를 형성해도 된다. 또, 그 기판 스테이지에, 적어도 일부가 계측 부재 (C) 와 커버 부재 사이의 간극에 배치되고, 액체 (LQ) 에 대해 발액성의 상면을 갖는 다공 부재를 형성해도 된다. 그 다공 부재를 통하여, 간극에 유입되는 액체 (LQ) 의 적어도 일부를 회수해도 된다.
또한, 기판 스테이지에 계측 부재 (C) 를 형성한 경우에 있어서, 그 계측 부재 (C) 를 유지하는 유지부를 둘러싸도록, 계측 부재 (C) 와 커버 부재 사이의 간극에 유입되는 액체 (LQ) 의 적어도 일부가 회수 가능한 복수의 회수구를 형성해도 된다. 종단 광학 소자 (12) 사출면 (13) 측에 액침 공간 (LS) 이 형성되어 있는 상태에서 계측 부재 (C) 및 커버 부재를 이동하는 경우, 액침 공간 (LS) 에 대한 계측 부재 (C) 와 커버 부재 사이의 간극의 위치, 및 액침 공간 (LS) 에 대한 계측 부재 (C) 와 커버 부재 사이의 간극의 이동 조건의 일방 또는 양방에 기초하여, 복수의 회수구 중 일부의 회수구로부터 액체 (LQ) 의 회수가 실시되어도 된다.
또한, 기판 스테이지에 계측 부재 (C) 를 형성한 경우에 있어서, 그 계측 부재 (C) 의 측면과 대향하도록 배치된 회수구로부터, 계측 부재 (C) 와 커버 부재 사이의 간극에 유입되는 액체 (LQ) 의 적어도 일부를 회수해도 된다. 그 회수구는, 예를 들어 커버 부재에 형성되어도 된다.
또한, 기판 스테이지에 계측 부재 (C) 를 형성한 경우에 있어서, 그 계측 부재 (C) 와의 사이에 간극을 형성하는 커버 부재의 측면이, 계측 부재 (C) 의 중심으로부터 제 1 거리에 위치하고, 계측 부재 (C) 의 측면이 대향 가능한 제 1 영역과, 제 1 영역의 옆에 배치되고, 계측 부재 (C) 의 중심으로부터 제 1 거리보다 긴 제 2 거리에 위치하는 제 2 영역을 포함해도 된다. 즉, 그 커버 부재의 에지부에, 복수의 볼록부를 형성해도 된다. 또, 계측 부재의 에지부에, 복수의 볼록부를 형성해도 된다.
또한, 기판 스테이지에 계측 부재 (C) 를 형성한 경우에 있어서, 그 계측 부재 (C) 에 인접하여 형성되는 커버 부재의 내면이, 제 1 내면과, 제 1 내면의 상방에 배치되고, 계측 부재 (C) 의 측면의 적어도 일부가 대향하고, 하단이 제 1 내면과 연결되고, 상단이 커버 부재의 상면과 연결되는 제 2 내면을 포함해도 된다. 또, 제 1 내면과 제 2 내면은 비평행이며, 커버 부재의 상면의 법선 방향에 관해서, 제 2 내면의 치수는, 제 1 내면의 치수보다 크고, 적어도 제 2 내면이, 계측 부재의 중심에 대해 외측으로 향해 상방으로 경사져도 된다.
또한, 상기 서술한 커버 부재 등의 모든 형상 (구조) 을, 노광 장치 (EX (EX2)) 내에 있어서 인접하는 부재 (B1) 및 부재 (B2) 중 적어도 일방에 적용해도 된다. 즉, 노광 장치 (EX (EX2)) 가, 종단 광학 소자 (12) 의 하방에 있어서 이동 가능하고, 액침 공간 (LS) 이 형성 가능한 상면을 각각 갖는 2 개의 부재 (B1, B2) 를 구비하는 경우에 있어서, 일방의 부재 (B1) 의 측면과의 사이에 간극을 형성하는 타방의 부재 (B2) 의 측면은, 부재 (B1) 의 측면으로부터 제 1 거리에 위치하고, 부재 (B1) 의 측면이 대향 가능한 제 1 영역과, 제 1 영역의 옆에 배치되고, 부재 (B1) 의 측면으로부터 제 1 거리보다 긴 제 2 거리에 위치하는 제 2 영역을 포함해도 된다.
부재 (B1) 의 상면과 부재 (B2) 의 상면은, 간극을 통하여 병치된다. 즉, 간극을 통하여 배치되는 부재 (B1) 의 에지부 및 부재 (B2) 의 에지부 중 적어도 일방에, 소정 방향을 따라 복수의 볼록부를 형성해도 된다. 또, 그 볼록부가, 경사지는 하면을 가져도 된다.
상기 서술한 바와 같이, 일방의 부재 (B1) 가 스케일 부재 (GT) 인 경우, 타방의 부재 (B2) 는 커버 부재 (T9) 여도 된다. 일방의 부재 (B1) 가 커버 부재 (T9) 인 경우, 타방의 부재 (B2) 는 스케일 부재 (GT) 여도 된다. 일방의 부재 (B1) 가 커버 부재 (Q) 인 경우, 타방의 부재 (B2) 는 계측 부재 (C) 여도 된다. 일방의 부재 (B1) 가 계측 부재 (C) 인 경우, 타방의 부재 (B2) 는 커버 부재 (Q) 여도 된다.
또, 기판 (P) 은 노광 장치 (EX) 의 일부는 아니지만, 일방의 부재를 기판 (P) 으로 한 경우, 타방의 부재 (B2) 는 커버 부재 (T 등) 여도 되고, 스케일 부재 (GT) 여도 된다.
또, 본 실시 형태의 노광 장치 (EX (EX2)) 는, 예를 들어 미국 특허 출원 공개 제2006/0023186호, 및 미국 특허 출원 공개 제2007/0127006호 등에 개시되어 있는 바와 같이, 종단 광학 소자 (12) 및 액침 부재 (7) 와 기판 스테이지 및 계측 스테이지 중 적어도 일방과의 사이에 액체 (LQ) 의 액침 공간 (LS) 이 계속 형성되도록, 기판 스테이지의 상면과 계측 스테이지의 상면을 접근 또는 접촉시킨 상태에서, 종단 광학 소자 (12) 및 액침 부재 (7) 와 기판 스테이지 및 계측 스테이지 중 적어도 일방을 대향시키면서, 종단 광학 소자 (12) 및 액침 부재 (7) 에 대해, 기판 스테이지 및 계측 스테이지를 XY 평면 내에 있어서 이동시킬 수 있다. 즉, 노광 장치 (EX (EX2)) 는, 액침 공간 (LS) 이 종단 광학 소자 (12) 및 액침 부재 (7) 와 기판 스테이지의 사이에 형성되는 상태와 종단 광학 소자 (12) 및 액침 부재 (7) 와 계측 스테이지의 사이에 형성되는 상태의 일방으로부터 타방으로 변화하도록, 기판 스테이지와 계측 스테이지를 접근 또는 접촉시킨 상태에서 그들 기판 스테이지와 계측 스테이지를 XY 평면 내에 있어서 이동시킬 수 있다. 이 경우에 있어서, 일방의 부재 (B1) 가 기판 스테이지인 경우, 타방의 부재 (B2) 는 계측 스테이지여도 된다. 일방의 부재 (B1) 가 계측 스테이지인 경우, 타방의 부재 (B2) 는 기판 스테이지여도 된다. 또한, 기판 스테이지는, 그 기판 스테이지에 유지되는 커버 부재 (T 등) 및 스케일 부재 (GT 등) 중 적어도 일방을 포함한다. 계측 스테이지는, 그 계측 스테이지에 유지되는 커버 부재 (Q 등) 및 계측 부재 (C 등) 중 적어도 일방을 포함한다.
또, 예를 들어 미국 특허 제6341007호, 미국 특허 제6208407호, 및 미국 특허 제6262796호 등에 개시되어 있는 바와 같은, 제 1, 제 2 기판 스테이지를 구비한 트윈 스테이지형의 노광 장치의 경우에 있어서, 일방의 부재 (B1) 가 제 1 기판 스테이지인 경우, 타방의 부재 (B2) 는 제 2 기판 스테이지여도 된다.
즉, 상기 서술한 일방의 부재 (B1) 의 형상은, 도 25, 도 28 ∼ 도 34, 도 37 ∼ 도 39, 도 44, 도 45 등에 나타낸 형상이어도 된다. 타방의 부재 (B2) 의 형상이, 도 25, 도 28 ∼ 도 34, 도 37 ∼ 도 39, 도 44, 도 45 등에 나타낸 형상이어도 된다. 부재 (B1) 및 부재 (B1) 에 대향하는 부재 (B2) 의 양방이, 도 25, 도 28 ∼ 도 34, 도 37 ∼ 도 39, 도 44, 도 45 등에 나타낸 형상이어도 된다.
또, 부재 (B1) 가 도 46 에 나타내는 형상이어도 되고, 도 47 에 나타내는 형상이어도 된다. 부재 (B1) 는, 종단 광학 소자 (12) 의 하방에 있어서 이동 가능하고, 액침 공간 (LS) 이 형성 가능한 상면을 갖는다. 부재 (B1) 의 측면은, 부재 (B2) 의 측면과의 사이에 간극을 형성한다. 부재 (B2) 는, 종단 광학 소자 (12) 의 하방에 있어서 부재 (B1) 와 인접한 상태에서 이동 가능하고, 액침 공간 (LS) 이 형성 가능한 상면을 갖는다. 부재 (B1) 및 부재 (B2) 는, 종단 광학 소자 (12) 의 광축 (Z 축) 과 수직인 면내 (XY 평면내) 에 있어서 이동한다.
부재 (B1) 의 측면은, 부재 (B2) 의 측면으로부터 제 1 거리 (D1) 에 위치하고, 부재 (B2) 의 측면이 대향 가능한 제 1 영역 (A1) 과, 제 1 영역 (A1) 의 옆에 배치되고, 부재 (B2) 의 측면으로부터 제 1 거리 (D1) 보다 긴 제 2 거리 (D2) 에 위치하는 제 2 영역 (A2) 을 포함한다. 제 1 영역 (A1) 과 제 2 영역 (A2) 은, XY 평면 내에 있어서 인접한다. 제 1 영역 (A1) 과 제 2 영역 (A2) 은, XY 평면 내에 있어서 교대로 배치된다.
XY 평면 내에 있어서의 제 1 영역 (A1) 의 치수 (W1) 는, 제 1 영역 (A1) 과 제 2 영역 (A2) 의 거리 (Da) 보다 작다. 또, 제 2 영역 (A2) 의 치수 (W2) 는, 거리 (Da) 보다 작다.
인접하는 제 1 영역 (A1) 의 거리 (피치) (R1) 는, 거리 (Da) 보다 작다. 인접하는 제 2 영역 (A2) 의 거리 (피치) (R2) 는, 거리 (Da) 보다 작다.
또한, 부재 (B2) 가 제 1, 제 2 영역 (A1, A2) 을 가져도 되고, 부재 (B1) 및 부재 (B2) 의 양방이 제 1, 제 2 영역 (A1, A2) 을 가져도 된다.
이로써, 예를 들어 액침 공간 (LS) 이 부재 (B1) 상으로부터 부재 (B2) 상으로 이동하도록, 종단 광학 소자 (12) 및 액침 부재 (7) 에 대해 부재 (B1) 및 부재 (B2) 가 XY 평면 내에 있어서 이동해도, 부재 (B1, B2) 상에 액체 (LQ) 가 잔류하는 것이 억제된다. 또, 액침 공간 (LS) 이 부재 (B2) 상으로부터 부재 (B1) 상으로 이동하도록, 종단 광학 소자 (12) 및 액침 부재 (7) 에 대해 부재 (B1) 및 부재 (B2) 가 XY 평면 내에 있어서 이동해도, 부재 (B1, B2) 상에 액체 (LQ) 가 잔류하는 것이 억제된다.
여기서, 상기 서술한 다공 부재 (80) 를 클리닝하는 클리닝 시퀀스에 대해 설명한다. 또한, 상기 서술한 각 실시 형태에 있어서의 다공 부재 (예를 들어 다공 부재 (800D) 등) 에 대해서도 마찬가지로, 이하의 클리닝 시퀀스가 적용 가능한 것은 말할 필요도 없다. 또, 기판 스테이지에 유지되는 커버 부재 (T 등) 나 스케일 부재 (GT 등), 계측 스테이지에 유지되는 커버 부재 (Q 등) 및 계측 부재 (C 등) 등을 클리닝할 때에, 이 클리닝 시퀀스를 사용해도 된다.
본 실시 형태의 클리닝 시퀀스는, 예를 들어 노광에 의해 기판 (P) 에 형성된 패턴에 결함이 증가한 경우, 혹은 노광 후의 기판 (P) 의 상면의 주연부(周緣部) 에 잔류 액체가 증가한 경우 등, 필요에 따라 실행되어도 된다.
본 실시 형태에 있어서의 클리닝 시퀀스는, 클리닝용의 액체 (LC) 를 공급하는 처리와, 액체 (LC) 를 사용하는 클리닝을 실시한 후에 린스 (플러싱) 용의 액체를 공급하는 처리를 포함한다. 또한, 클리닝용의 액체 (LC) 를 공급하는 처리와, 린스용의 액체를 공급하는 처리 이외의 처리를 적절히 추가해도 된다. 또, 린스용의 액체를 공급하는 처리는 생략해도 된다.
클리닝용의 액체 (LC) 로서, 알칼리성 액체를 사용해도 된다. 예를 들어 액체 (LC) 가, 수산화테트라메틸암모늄 (TMAH ： tetramethyl ammonium hydroxide) 을 함유해도 된다. 예를 들어 액체 (LC) 로서, 수산화테트라메틸암모늄 (TMAH ： tetramethyl ammonium hydroxide) 수용액을 사용해도 된다.
또, 액체 (LC) 로서, 산성 액체를 사용해도 된다. 예를 들어 액체 (LC) 가, 과산화수소를 함유해도 된다. 예를 들어 액체 (LC) 로서, 과산화수소 수용액 (과산화수소수) 을 사용해도 된다.
또, 액체 (LC) 로서, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 무기 알칼리의 용액, 수산화트리메틸(2-하이드록시에틸)암모늄 등의 유기 알칼리의 용액을 사용해도 된다. 또한, 액체 (LC) 로서, 암모니아수를 사용해도 된다. 또, 액체 (LC) 가, 버퍼드 불산 용액을 함유해도 된다. 또, 액체 (LC) 가, 버퍼드 불산 및 과산화수소를 함유하는 용액이어도 된다. 버퍼드 불산 (완충 불산) 은, 불산과 불화암모늄의 혼합물이다. 또한, 액체 (LC) 로서, 오존을 함유하는 오존 액체를 사용해도 된다. 또한, 액체 (LC) 로서, 과산화수소와 오존을 함유하는 용액을 사용해도 된다. 또, 클리닝용 액체로서, 상기 서술한 노광용의 액체 (LQ) 를 사용해도 된다.
린스용의 액체로서, 상기 서술한 노광용으로 사용되는 액체 (LQ) 와 동일한 액체를 사용해도 된다. 린스용의 액체로서, 본 실시 형태에서는, 예를 들어 물 (순수) 을 사용한다.
본 실시 형태의 클리닝 시퀀스가 실행될 때, 제 1 유지부 (31) 에 더미 기판 (DP) 이 유지되어도 된다. 더미 기판 (DP) 은, 디바이스를 제조하기 위한 기판 (P) 보다 이물질을 방출하기 어려운 기판이다. 더미 기판 (DP) 으로서, 예를 들어 반도체 웨이퍼를 사용해도 된다. 예를 들어, 감광막이 형성되지 않고, 액체 (LC (LQ)) 에 대해 발액성의 막이 형성되어 있는 반도체 웨이퍼를 사용해도 된다. 또한, 더미 기판 (DP) 으로서, 예를 들어 금속제의 기판을 사용해도 된다.
상기 클리닝 시퀀스에 있어서는, 액침 부재 (7) 와 다공 부재 (예를 들어 다공 부재 (80)) 의 사이에 클리닝용의 액체 (LC) 의 액침 공간이 형성되도록, 액침 부재 (7) 의 하면 (14) 이 면하는 공간에 액체 (LC) 가 공급된다. 제어 장치 (8) 는, 액체 (LC) 의 공급을 소정 시간 실행한다. 소정 시간은, 예를 들어 세정 대상인 다공 부재 (80) 를 클리닝하는데 충분한 액체 (LC) 의 공급 시간이다. 본 실시 형태에 있어서는, 하면 (14) 이 면하는 공간에 액체 (LC) 가 공급될 때에, 제 1 유지부 (31) 에 더미 기판 (DP) 이 유지되고, 제 2 유지부 (32) 에 커버 부재 (T) 가 유지된다. 더미 기판 (DP) 과 커버 부재 (T) 사이의 간극에 다공 부재 (80) 의 적어도 일부가 배치된 상태에서, 하면 (14) 이 면하는 공간에 액체 (LC) 가 공급된다.
이 때, 액침 부재 (7) 로부터 공급된 액체 (LC) 의 적어도 일부를, 다공 부재 (80) 를 통하여 회수해도 된다. 예를 들어, 제어 장치 (8) 는, 유체 흡인 장치 (26) 를 제어하여, 다공 부재 (80) 의 구멍으로부터 액체 (LC) 를 회수한다. 이로써, 다공 부재 (80) 의 구멍의 내면 (다공 부재 (80) 의 내부) 이 액체 (LC) 로 클리닝된다.
제어 장치 (8) 는, 액체 (LC) 의 공급을 개시하고 나서 소정 시간 경과 후, 액체 (LC) 의 공급을 정지한다. 이로써, 액체 (LC) 를 사용하는 클리닝이 종료된다. 액체 (LC) 의 공급을 정지한 후, 제어 장치 (8) 는, 다공 부재 (80) 를 사용하는 회수를 소정 시간 계속하고, 상기한 간극 등에 존재하는 액체 (LC) 를 회수한다.
액체 (LC) 가 회수된 후, 제어 장치 (8) 는 린스용의 액체를 공급한다. 본 실시 형태에 있어서는, 액침 부재 (7) 로부터 린스용의 액체 (LQ) 가 공급된다. 예를 들어, 액침 부재 (7) 의 공급구 (15) 로부터 액체 (LQ) 가 공급되어도 되고, 회수구 (16) 로부터 액체 (LQ) 가 공급되어도 되고, 공급구 (15) 및 회수구 (16) 와는 별도로 액침 부재 (7) 에 형성된 개구로부터 액체 (LQ) 가 공급되어도 된다. 액침 부재 (7) 로부터 린스용의 액체 (LQ) 가 공급될 때, 제 1 유지부 (31) 에 더미 기판 (DP) 이 유지된다.
또한, 상기한 클리닝 시퀀스에 있어서의 클리닝 대상으로서는, 상기에 한정되지 않는다. 즉, 기판 (P) 과 커버 부재 (T) 사이의 간극으로부터 그 간극의 하방의 공간에 유입된 액체 (LQ) 가 접촉할 가능성이 있는 부재에, 본 실시 형태의 클리닝 시퀀스가 적용 가능하다.
또한, 상기 서술한 바와 같이, 제어 장치 (8) 는, CPU 등을 포함하는 컴퓨터 시스템을 포함한다.
또, 제어 장치 (8) 는, 컴퓨터 시스템과 외부 장치의 통신이 실행 가능한 인터페이스를 포함한다. 기억 장치 (8R) 는, 예를 들어 RAM 등의 메모리, 하드 디스크, CD－ROM 등의 기록 매체를 포함한다. 기억 장치 (8R) 에는, 컴퓨터 시스템을 제어하는 오퍼레이팅 시스템 (OS) 이 인스톨되어 노광 장치 (EX) 를 제어하기 위한 프로그램이 기억되어 있다.
또한, 제어 장치 (8) 에, 입력 신호가 입력 가능한 입력 장치가 접속되어 있어도 된다. 입력 장치는, 키보드, 마우스 등의 입력 기기, 혹은 외부 장치로부터의 데이터가 입력 가능한 통신 장치 등을 포함한다. 또, 액정 표시 디스플레이 등의 표시 장치가 설치되어 있어도 된다.
기억 장치 (8R) 에 기록되어 있는 프로그램을 포함하는 각종 정보는, 제어 장치 (컴퓨터 시스템) (8) 가 판독 가능하다. 기억 장치 (8R) 에는, 제어 장치 (8) 에, 액체 (LQ) 를 통하여 노광 광 (EL) 으로 기판 (P) 을 노광하는 노광 장치 (EX) 의 제어를 실행시키는 프로그램이 기록되어 있다.
기억 장치 (8R) 에 기록되어 있는 프로그램은, 상기 서술한 실시 형태에 따라, 제어 장치 (8) 에, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 및 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 적어도 일부가 기판의 주위에 배치되는 제 1 부재의 상면 중 적어도 일방의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것과, 적어도 일부가 기판과 제 1 부재 사이의 간극에 배치되고, 액체에 대해 발액성의 상면을 갖는 다공 부재를 통하여, 간극에 유입되는 상기 액체의 적어도 일부를 회수하는 것을 실행시켜도 된다.
또, 기억 장치 (8R) 에 기록되어 있는 프로그램은, 상기 서술한 실시 형태에 따라, 제어 장치 (8) 에, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 광학 부재의 사출면측에 액체의 액침 공간을 형성한 상태에서, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판, 및 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 적어도 일부가 기판의 주위에 배치되는 제 1 부재를 이동하면서 기판을 노광하는 것과, 액침 공간에 대한 기판과 제 1 부재 사이의 간극의 위치, 및 액침 공간에 대한 간극의 이동 조건의 일방 또는 양방에 기초하여, 기판 및 제 1 유지부 중 적어도 일방의 주위에 복수 배치된 회수구 중 일부의 회수구로부터, 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 것을 실행시켜도 된다.
또, 기억 장치 (8R) 에 기록되어 있는 프로그램은, 상기 서술한 실시 형태에 따라, 제어 장치 (8) 에, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 및 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 적어도 일부가 기판의 주위에 배치되는 제 1 부재의 상면 중 적어도 일방의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것과, 기판의 측면과 대향하도록 배치된 회수구로부터, 기판과 제 1 부재 사이의 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 것을 실행시켜도 된다.
또, 기억 장치 (8R) 에 기록되어 있는 프로그램은, 상기 서술한 실시 형태에 따라, 제어 장치 (8) 에, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 및 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 적어도 일부가 기판의 주위에 배치되는 제 1 부재의 상면 중 적어도 일방의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것을 실행시켜도 된다. 이 경우, 제 1 부재의 개구는, 제 1 유지부의 중심으로부터 제 1 거리에 위치하고, 제 1 유지부에 유지된 기판의 측면이 대향 가능한 제 1 영역과, 제 1 영역의 옆에 배치되고, 제 1 유지부의 중심으로부터 제 1 거리보다 긴 제 2 거리에 위치하는 제 2 영역을 포함해도 된다.
또, 기억 장치 (8R) 에 기록되어 있는 프로그램은, 상기 서술한 실시 형태에 따라, 제어 장치 (8) 에, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 및 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 적어도 일부가 기판의 주위에 배치되는 제 1 부재의 상면 중 적어도 일방의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것을 실행시켜도 된다. 이 경우, 제 1 부재의 내면은, 제 1 내면과, 제 1 내면의 상방에 배치되고, 기판의 측면의 적어도 일부가 대향하고, 하단이 제 1 내면과 연결되고, 상단이 제 1 부재의 상면과 연결되는 제 2 내면을 포함하고, 제 1 내면과 제 2 내면은 비평행이며, 제 1 부재의 상면의 법선 방향에 관해서, 제 2 내면의 치수는, 제 1 내면의 치수보다 크고, 적어도 제 2 내면이, 제 1 유지부의 중심에 대해 외측으로 향해 상방으로 경사져도 된다.
또, 기억 장치 (8R) 에 기록되어 있는 프로그램은, 상기 서술한 실시 형태에 따라, 제어 장치 (8) 에, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 및 상면과 그 상면의 외연의 일부를 규정하는 에지부를 갖는 제 1 부재의 상면 중 적어도 일방의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것을 실행시켜도 된다. 이 경우, 제 1 부재의 에지부는, 제 1 유지부에 유지된 기판의 에지부가 따르도록 소정 방향으로 연장되어 있고, 제 1 부재의 에지부에는, 소정 방향을 따라 복수의 볼록부가 형성되어도 된다.
또, 기억 장치 (8R) 에 기록되어 있는 프로그램은, 상기 서술한 실시 형태에 따라, 제어 장치 (8) 에, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 및 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 기판이 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 적어도 일부가 기판의 상면의 주위에 배치되는 제 1 부재의 상면 중 적어도 일방의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것을 실행시켜도 된다. 제 1 부재의 내면은, 기판의 측면이 대향 가능한 제 1 내면과, 제 1 내면의 하방에 배치되고, 제 1 유지부에 대해 제 1 내면보다 떨어진 제 2 내면을 포함하는 경우에 있어서, 프로그램은, 제어 장치 (8) 에, 적어도 일부가 제 2 내면과 대향하도록 배치되는 다공 부재를 통하여, 기판과 제 1 부재 사이의 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 것을 실행시켜도 된다.
또, 기억 장치 (8R) 에 기록되어 있는 프로그램은, 상기 서술한 실시 형태에 따라, 제어 장치 (8) 에, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 제 1 유지부의 주위의 적어도 일부에 배치된 계측 부재의 상면, 및 계측 부재에 인접하여 형성된 제 1 부재의 상면 중 적어도 하나의 사이에, 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것과, 적어도 일부가 계측 부재와 제 1 부재 사이의 간극에 배치되고, 액체에 대해 발액성의 상면을 갖는 다공 부재를 통하여, 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 것을 실행시켜도 된다.
또, 기억 장치 (8R) 에 기록되어 있는 프로그램은, 상기 서술한 실시 형태에 따라, 제어 장치 (8) 에, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 광학 부재의 사출면측에 액침 공간을 한 상태에서, 상기 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판, 제 1 유지부의 주위의 적어도 일부에 배치된 계측 부재, 및 계측 부재에 인접하여 형성된 제 1 부재를 이동하면서 기판을 노광하는 것과, 액침 공간에 대한 계측 부재와 제 1 부재 사이의 간극의 위치, 및 액침 공간에 대한 간극의 이동 조건의 일방 또는 양방에 기초하여, 간극에 복수 배치된 회수구 중 일부의 회수구로부터, 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 것을 실행시켜도 된다.
또, 기억 장치 (8R) 에 기록되어 있는 프로그램은, 상기 서술한 실시 형태에 따라, 제어 장치 (8) 에, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 제 1 유지부의 주위의 적어도 일부에 배치된 계측 부재의 상면, 및 계측 부재에 인접하여 형성된 제 1 부재의 상면 중 적어도 하나의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것과, 계측 부재의 측면과 대향하도록 배치된 회수구로부터, 계측 부재와 제 1 부재 사이의 간극에 유입되는 액체의 적어도 일부를 회수하는 것을 실행시켜도 된다.
또, 기억 장치 (8R) 에 기록되어 있는 프로그램은, 상기 서술한 실시 형태에 따라, 제어 장치 (8) 에, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 제 1 유지부의 주위의 적어도 일부에 배치된 계측 부재의 상면, 및 계측 부재에 인접하여 형성된 제 1 부재의 상면 중 적어도 하나의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것을 실행시켜도 된다. 이 경우, 계측 부재와의 사이에 간극을 형성하는 제 1 부재의 측면은, 계측 부재의 중심으로부터 제 1 거리에 위치하고, 계측 부재의 측면이 대향 가능한 제 1 영역과, 제 1 영역의 옆에 배치되고, 계측 부재의 중심으로부터 제 1 거리보다 긴 제 2 거리에 위치하는 제 2 영역을 포함해도 된다.
또, 기억 장치 (8R) 에 기록되어 있는 프로그램은, 상기 서술한 실시 형태에 따라, 제어 장치 (8) 에, 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와, 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부에 유지된 기판의 상면, 제 1 유지부의 주위의 적어도 일부에 배치된 계측 부재의 상면, 및 계측 부재에 인접하여 형성된 제 1 부재의 상면 중 적어도 하나의 사이에, 액체로 액침 공간이 형성되어 있는 상태에서, 기판을 노광하는 것을 실행시켜도 된다. 이 경우, 제 1 부재의 내면은, 제 1 내면과, 제 1 내면의 상방에 배치되고, 계측 부재의 측면의 적어도 일부가 대향하고, 하단이 제 1 내면과 연결되고, 상단이 제 1 부재의 상면과 연결되는 제 2 내면을 포함하고, 제 1 내면과 제 2 내면은 비평행이며, 제 1 부재의 상면의 법선 방향에 관해서, 제 2 내면의 치수는, 제 1 내면의 치수보다 크고, 적어도 제 2 내면이, 계측 부재의 중심에 대해 외측으로 향해 상방으로 경사져도 된다.
또, 기억 장치 (8R) 에 기록되어 있는 프로그램은, 상기 서술한 실시 형태에 따라, 제어 장치 (8) 에, 제 1 상면과, 그 제 1 상면의 외연의 일부를 규정하는 제 1 에지부를 갖는 제 1 부재를, 제 1 상면의 적어도 일부가 액침 공간과 접촉하도록 광학 부재의 하방에서 작동하는 것과, 제 2 상면과, 그 제 2 상면의 외연의 일부를 규정하는 제 2 에지부를 갖는 제 2 부재를, 광학 부재의 하방에서 작동하는 것을 실행시켜도 된다. 이 경우, 제 1 에지부 및 제 2 에지부는, 소정 방향으로 연장되어 있고, 제 1 에지부와 제 2 에지부의 사이에는, 갭이 형성되고, 제 1 에지부에는, 소정 방향을 따라 복수의 볼록부가 형성되어도 된다.
기억 장치 (8R) 에 기억되어 있는 프로그램이 제어 장치 (8) 에 판독 입력됨으로써, 기판 스테이지 (2), 액침 부재 (7), 구동 시스템 (5), 및 유체 흡인 장치 (26) 등, 노광 장치 (EX) 의 각종 장치가 협동하여, 액침 공간 (LS) 이 형성된 상태에서, 기판 (P) 의 액침 노광 등, 각종 처리를 실행한다.
또한, 상기 서술한 각 실시 형태에 있어서는, 투영 광학계 (PL) 의 종단 광학 소자 (12) 의 사출측 (이미지면측) 의 광로 (K) 가 액체 (LQ) 로 채워져 있지만, 투영 광학계 (PL) 가, 예를 들어 국제 공개 제2004/019128호 팜플렛에 개시되어 있는 바와 같은, 종단 광학 소자 (12) 의 입사측 (물체면측) 의 광로도 액체 (LQ) 로 채워지는 투영 광학계여도 된다.
또한, 상기 서술한 각 실시 형태에 있어서는, 노광용의 액체 (LQ) 로서 물을 사용하고 있지만, 물 이외의 액체여도 된다. 액체 (LQ) 로서는, 노광 광 (EL) 에 대해 투과성이며, 노광 광 (EL) 에 대해 높은 굴절률을 가지고, 투영 광학계 (PL) 혹은 기판 (P) 의 표면을 형성하는 감광재 (포토레지스트) 등의 막에 대해 안정적인 것이 바람직하다. 예를 들어, 액체 (LQ) 로서, 하이드로플로로에테르 (HFE), 과불화폴리에테르 (PFPE), 폼블린 오일 등을 사용하는 것도 가능하다. 또, 액체 (LQ) 로서, 여러 가지의 유체, 예를 들어, 초임계 유체를 사용하는 것도 가능하다.
또한, 상기 서술한 각 실시 형태의 기판 (P) 으로서는, 반도체 디바이스 제조용의 반도체 웨이퍼뿐만 아니라, 디스플레이 디바이스용의 유리 기판, 박막 자기 헤드용의 세라믹 웨이퍼, 혹은 노광 장치에서 사용되는 마스크 또는 레티클의 원판 (합성 석영, 실리콘 웨이퍼) 등이 적용된다.
노광 장치 (EX) 로서는, 마스크 (M) 와 기판 (P) 을 동기 이동하여 마스크 (M) 의 패턴을 주사 노광하는 스텝·앤드·스캔 방식의 주사형 노광 장치 (스캐닝 스텝퍼) 외에, 마스크 (M) 와 기판 (P) 을 정지한 상태에서 마스크 (M) 의 패턴을 일괄 노광하고, 기판 (P) 을 순차 스텝 이동시키는 스텝·앤드·리피트 방식의 투영 노광 장치 (스텝퍼) 에도 적용할 수 있다.
또한, 스텝·앤드·리피트 방식의 노광에 있어서, 제 1 패턴과 기판 (P) 을 거의 정지한 상태에서, 투영 광학계를 사용하여 제 1 패턴의 축소 이미지를 기판 (P) 상에 전사한 후, 제 2 패턴과 기판 (P) 을 거의 정지한 상태에서, 투영 광학계를 사용하여 제 2 패턴의 축소 이미지를 제 1 패턴과 부분적으로 겹쳐서 기판 (P) 상에 일괄 노광해도 된다 (스티치 방식의 일괄 노광 장치). 또, 스티치 방식의 노광 장치로서는, 기판 (P) 상에서 적어도 2 개의 패턴을 부분적으로 겹쳐서 전사하고, 기판 (P) 을 순차 이동시키는 스텝·앤드·스티치 방식의 노광 장치에도 적용할 수 있다.
또, 예를 들어 미국 특허 제6611316호 명세서에 개시되어 있는 바와 같이, 2 개의 마스크의 패턴을, 투영 광학계를 통하여 기판 상에서 합성하고, 1 회의 주사 노광에 의해 기판 상의 1 개의 쇼트 영역을 거의 동시에 이중 노광하는 노광 장치 등에도 본 발명을 적용할 수 있다. 또, 프록시미티 방식의 노광 장치, 미러 프로젝션·얼라이너 등에도 본 발명을 적용할 수 있다.
또, 본 발명은, 미국 특허 제6341007호 명세서, 미국 특허 제6208407호 명세서, 미국 특허 제6262796호 명세서 등에 개시되어 있는 바와 같은, 복수의 기판 스테이지를 구비한 트윈 스테이지형의 노광 장치에도 적용할 수 있다. 예를 들어, 도 48 에 나타내는 바와 같이, 노광 장치 (EX) 가 2 개의 기판 스테이지 (2001, 2002) 를 구비해도 된다. 그 경우, 사출면 (13) 과 대향하도록 배치 가능한 물체는, 일방의 기판 스테이지, 그 일방의 기판 스테이지에 유지된 기판, 타방의 기판 스테이지, 및 그 타방의 기판 스테이지에 유지된 기판 중 적어도 하나를 포함한다.
또, 복수의 기판 스테이지와 계측 스테이지를 구비한 노광 장치에도 적용할 수 있다.
노광 장치 (EX) 의 종류로서는, 기판 (P) 에 반도체 소자 패턴을 노광하는 반도체 소자 제조용의 노광 장치에 한정되지 않고, 액정 표시 소자 제조용 또는 디스플레이 제조용의 노광 장치나, 박막 자기 헤드, 촬상 소자 (CCD), 마이크로 머신, MEMS, DNA 칩, 혹은 레티클 또는 마스크 등을 제조하기 위한 노광 장치 등에도 널리 적용할 수 있다.
또한, 상기 서술한 실시 형태에 있어서는, 광 투과성의 기판 상에 소정의 차광 패턴 (또는 위상 패턴·감광 패턴) 을 형성한 광 투과형 마스크를 사용했지만, 이 마스크 대신에, 예를 들어 미국 특허 제6778257호 명세서에 개시되어 있는 바와 같이, 노광할 패턴의 전자 데이터에 기초하여 투과 패턴 또는 반사 패턴, 혹은 발광 패턴을 형성하는 가변 성형 마스크 (전자 마스크, 액티브 마스크, 혹은 이미지 제너레이터라고도 불린다) 를 사용해도 된다. 또, 비발광형 화상 표시 소자를 구비하는 가변 성형 마스크 대신에, 자발광형 화상 표시 소자를 포함하는 패턴 형성 장치를 구비하도록 해도 된다.
상기 서술한 각 실시 형태에 있어서는, 투영 광학계 (PL) 를 구비한 노광 장치를 예로 들어 설명해 왔지만, 투영 광학계 (PL) 를 사용하지 않는 노광 장치 및 노광 방법에 본 발명을 적용할 수 있다. 예를 들어, 렌즈 등의 광학 부재와 기판의 사이에 액침 공간을 형성하고, 그 광학 부재를 통하여, 기판에 노광 광을 조사할 수 있다.
또, 예를 들어 국제 공개 제2001/035168호 팜플렛에 개시되어 있는 바와 같이, 간섭 무늬를 기판 (P) 상에 형성함으로써, 기판 (P) 상에 라인·앤드·스페이스 패턴을 노광하는 노광 장치 (리소그래피 시스템) 에도 본 발명을 적용할 수 있다.
상기 서술한 실시 형태의 노광 장치 (EX) 는, 각 구성 요소를 포함하는 각종 서브 시스템을, 소정의 기계적 정밀도, 전기적 정밀도, 광학적 정밀도를 유지하도록, 조립함으로써 제조된다. 이들 각종 정밀도를 확보하기 위해서, 이 조립의 전후에는, 각종 광학계에 대해서는 광학적 정밀도를 달성하기 위한 조정, 각종 기계계에 대해서는 기계적 정밀도를 달성하기 위한 조정, 각종 전기계에 대해서는 전기적 정밀도를 달성하기 위한 조정이 실시된다. 각종 서브 시스템으로부터 노광 장치에의 조립 공정은, 각종 서브 시스템 상호의 기계적 접속, 전기 회로의 배선 접속, 기압 회로의 배관 접속 등이 포함된다. 이 각종 서브 시스템으로부터 노광 장치에의 조립 공정 전에, 각 서브 시스템 개개의 조립 공정이 있는 것은 말할 필요도 없다. 각종 서브 시스템의 노광 장치에의 조립 공정이 종료되면, 종합 조정이 실시되어, 노광 장치 전체로서의 각종 정밀도가 확보된다. 또한, 노광 장치의 제조는 온도 및 클린도 등이 관리된 클린 룸에서 실시하는 것이 바람직하다.
반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스는, 도 49 에 나타내는 바와 같이, 마이크로 디바이스의 기능·성능 설계를 실시하는 스텝 201, 이 설계 스텝에 기초한 마스크 (레티클) 를 제작하는 스텝 202, 디바이스의 기재인 기판을 제조하는 스텝 203, 상기 서술한 실시 형태에 따라, 마스크의 패턴으로부터의 노광 광으로 기판을 노광하는 것, 및 노광된 기판을 현상하는 것을 포함하는 기판 처리 (노광 처리) 를 포함하는 기판 처리 스텝 204, 디바이스 조립 스텝 (다이싱 공정, 본딩 공정, 패키지 공정 등의 가공 프로세스를 포함한다) 205, 검사 스텝 206 등을 거쳐 제조된다.
또한, 상기 서술한 각 실시 형태의 요건은 적절히 조합할 수 있다. 또, 일부의 구성 요소를 사용하지 않는 경우도 있다. 또, 법령에서 허용되는 한에 있어서, 상기 서술한 각 실시 형태 및 변형예에서 인용한 노광 장치 등에 관한 모든 공개 공보 및 미국 특허의 개시를 원용하여 본문의 기재의 일부로 한다.
2 : 기판 스테이지
2U : 상면
3 : 계측 스테이지
5 : 구동 시스템
6 : 구동 시스템
7 : 액침 부재
8 : 제어 장치
8R : 기억 장치
12 : 종단 광학 소자
13 : 사출면
14 : 하면
15 : 공급구
16 : 회수구
19 : 다공 부재
22 : 흡인구
23 : 공간부
24 : 흡인구
26 : 유체 흡인 장치
31 : 제 1 유지부
32 : 제 2 유지부
35 : 주벽부
38 : 주벽부
80 : 다공 부재
80A : 상면
80B : 제 1 측면
80C : 제 2 측면
85 : 초음파 발생 장치
123 : 온도 조정 장치
305 : 온도 조정 장치
306 : 온도 조정 장치
801 : 제 1 부분
802 : 제 2 부분
A1 : 제 1 영역
A2 : 제 2 영역
A3 : 제 3 영역
EL : 노광 광
EX : 노광 장치
Ga : 간극
P : 기판
T : 커버 부재
Ta : 상면
Tb : 하면
Tc : 내면
Tc1 : 제 1 내면
Tc2 : 제 2 내면
Th : 개구
U : 회수 부재
2U : 상면
3 : 계측 스테이지
5 : 구동 시스템
6 : 구동 시스템
7 : 액침 부재
8 : 제어 장치
8R : 기억 장치
12 : 종단 광학 소자
13 : 사출면
14 : 하면
15 : 공급구
16 : 회수구
19 : 다공 부재
22 : 흡인구
23 : 공간부
24 : 흡인구
26 : 유체 흡인 장치
31 : 제 1 유지부
32 : 제 2 유지부
35 : 주벽부
38 : 주벽부
80 : 다공 부재
80A : 상면
80B : 제 1 측면
80C : 제 2 측면
85 : 초음파 발생 장치
123 : 온도 조정 장치
305 : 온도 조정 장치
306 : 온도 조정 장치
801 : 제 1 부분
802 : 제 2 부분
A1 : 제 1 영역
A2 : 제 2 영역
A3 : 제 3 영역
EL : 노광 광
EX : 노광 장치
Ga : 간극
P : 기판
T : 커버 부재
Ta : 상면
Tb : 하면
Tc : 내면
Tc1 : 제 1 내면
Tc2 : 제 2 내면
Th : 개구
U : 회수 부재
Claims (109)
- 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치로서,
상기 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와,
상기 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부와, 상기 기판이 배치 가능한 개구를 규정하고, 상기 기판이 상기 제 1 유지부에 유지되어 있는 상태에 있어서 상기 기판의 상면의 주위에 배치되는 상면을 갖는 제 1 부재를 포함하는 기판 유지 장치를 구비하고,
상기 제 1 부재의 내면은, 제 1 내면과, 상기 제 1 내면의 상방에 배치되고, 상기 기판의 측면의 적어도 일부가 대향하고, 하단이 상기 제 1 내면과 연결되고, 상단이 상기 제 1 부재의 상면과 연결되는 제 2 내면을 포함하고,
상기 제 1 내면과 상기 제 2 내면은, 비평행이며, 상기 제 1 부재의 상면의 법선 방향에 관해서, 상기 제 2 내면의 치수는, 상기 제 1 내면의 치수보다 크고,
적어도 상기 제 2 내면이, 상기 제 1 유지부의 중심에 대해 외측으로 향해 상방으로 경사지는, 노광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 유지부의 중심에 대한 방사 방향에 관해서, 상기 제 2 내면의 치수는, 상기 기판과 상기 제 1 부재 사이의 간극의 치수보다 큰, 노광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 내면의 하단은, 상기 제 1 부재의 하면과 연결되는, 노광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 액체에 대한 상기 제 1 부재의 내면의 적어도 일부의 접촉각은, 상기 제 1 부재의 상면의 접촉각보다 작은, 노광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 부재는, 상기 제 1 부재의 상면의 반대 방향을 향하는 하면을 가지며,
상기 액체에 대한 상기 제 1 부재의 하면의 접촉각은, 상기 제 1 부재의 상면의 접촉각보다 작은, 노광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 부재의 온도를 조정하는 조정 장치를 구비하는, 노광 장치. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판과 상기 제 1 부재와의 사이의 간극에 유입되는 상기 액체의 적어도 일부를 회수가능한 회수구를 구비하고,
상기 회수구는, 상기 간극으로 통하는 상기 기판 유지 장치의 공간부에 배치되는, 노광 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 공간부에 배치되는 제 2 부재를 구비하고,
상기 회수구는 상기 제 2 부재에 배치되는, 노광 장치. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 2 부재의 온도를 조정하는 온도 조정 장치를 구비하는, 노광 장치. - 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치로서,
상기 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와,
상기 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부와, 상기 제 1 유지부의 주위의 적어도 일부에 배치되고, 액침 공간이 형성 가능한 상면을 갖는 계측 부재와, 상기 계측 부재에 인접하여 형성되고, 상기 액침 공간이 형성 가능한 상면을 갖는 제 1 부재를 포함하는 기판 유지 장치를 구비하고,
상기 계측 부재와의 사이에 간극을 형성하는 상기 제 1 부재의 측면은, 상기 계측 부재의 중심으로부터 제 1 거리에 위치하고, 상기 계측 부재의 측면이 대향 가능한 제 1 영역과, 상기 제 1 영역의 옆에 배치되고, 상기 계측 부재의 중심으로부터 상기 제 1 거리보다 긴 제 2 거리에 위치하는 제 2 영역을 포함하는, 노광 장치. - 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치로서,
상기 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와,
상기 광학 부재의 하방에 있어서 이동 가능하고, 액침 공간이 형성 가능한 제 1 상면을 갖는 제 1 부재와,
상기 광학 부재의 하방에 있어서 상기 제 1 부재와 인접한 상태에서 이동 가능하고, 액침 공간이 형성 가능한 제 2 상면을 갖는 제 2 부재를 구비하고,
상기 제 1 부재의 측면과의 사이에 간극을 형성하는 상기 제 2 부재의 측면은, 상기 제 1 부재의 측면으로부터 제 1 거리에 위치하고, 상기 제 1 부재의 측면이 대향 가능한 제 1 영역과, 상기 제 1 영역의 옆에 배치되고, 상기 제 1 부재의 측면으로부터 상기 제 1 거리보다 긴 제 2 거리에 위치하는 제 2 영역을 포함하는, 노광 장치. - 액체를 통하여 노광 광으로 기판을 노광하는 노광 장치로서,
상기 노광 광이 사출되는 사출면을 갖는 광학 부재와,
상기 기판의 하면을 릴리스 가능하게 유지하는 제 1 유지부와, 상기 제 1 유지부의 주위의 적어도 일부에 배치되고, 액침 공간이 형성 가능한 상면을 갖는 계측 부재와, 상기 계측 부재에 인접하여 형성되고, 상기 액침 공간이 형성 가능한 상면을 갖는 제 1 부재를 포함하는 기판 유지 장치를 구비하고,
상기 제 1 부재의 내면은, 제 1 내면과, 상기 제 1 내면의 상방에 배치되고, 상기 계측 부재의 측면의 적어도 일부가 대향하고, 하단이 상기 제 1 내면과 연결되고, 상단이 상기 제 1 부재의 상면과 연결되는 제 2 내면을 포함하고,
상기 제 1 내면과 상기 제 2 내면은, 비평행이며, 상기 제 1 부재의 상면의 법선 방향에 관해서, 상기 제 2 내면의 치수는, 상기 제 1 내면의 치수보다 크고,
적어도 상기 제 2 내면이, 상기 계측 부재의 중심에 대해 외측으로 향해 상방으로 경사지는, 노광 장치. - 광학 부재의 사출면측에 형성되는 액침 공간의 액체를 통하여 노광 광을 기판의 상면에 조사하는 노광 장치로서,
제 1 상면과, 그 제 1 상면의 외연의 일부를 규정하는 제 1 에지부를 가지며, 상기 제 1 상면의 적어도 일부가 상기 액침 공간과 접촉하도록 상기 광학 부재의 하방에서 작동되는 제 1 부재와,
제 2 상면과, 그 제 2 상면의 외연의 일부를 규정하는 제 2 에지부를 가지며, 상기 광학 부재의 하방에서 작동되는 제 2 부재를 구비하고,
상기 제 1 에지부 및 상기 제 2 에지부는, 소정 방향으로 연장되어 있고,
상기 제 1 에지부와 상기 제 2 에지부의 사이에는, 간극이 형성되고,
상기 제 1 에지부에는, 상기 소정 방향을 따라 복수의 볼록부가 형성되어 있는, 노광 장치. - 삭제
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