CN103765555B - 曝光装置 - Google Patents

Abstract

本发明的曝光装置是通过液体以曝光用光使基板曝光。曝光装置，具备：具有曝光用光射出的射出面的光学构件、包含将基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部以及用以规定可配置基板的开口且具有在基板被保持于第1保持部保持的状态下配置在基板上面周围的上面的第1构件的基板保持装置、以及至少一部分配置在基板与第1构件间的间隙且具有对液体为拨液性的上面的多孔构件。曝光装置通过多孔构件回收流入间隙的液体的至少一部分。

Description

曝光装置

技术领域

本发明是关于曝光装置、曝光方法、元件制造方法、程序及记录媒体。

本申请案主张2011年7月21日提出的日本专利申请第2011－159999号及2012年5月22日提出的日本专利第2012－116713号的优先权。并将上述申请案的内容援用于此。

背景技术

于半导体元件、电子元件等微元件的工艺中，使用例如是下述专利文献所揭露的、通过液体以曝光用光使基板曝光的液浸曝光装置。曝光装置具备可保持基板移动的基板载台，使该基板载台所保持的基板曝光。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利公开第2008/0043211号说明书。

专利文献2：美国专利公开第2008/0100812号说明书。

发明内容

发明欲解决的课题

液浸曝光装置中，例如液体残留在基板上面及基板载台上面的至少一方时，有可能发生曝光不良。其结果，即有可能产生不良元件。

本发明的态样，其目的在提供一种能抑制曝光不良的发生的曝光装置及曝光方法。此外，本发明的态样，其目的在提供一种能抑制不良元件的产生的元件制造方法、程序、及记录媒体。

用以解决课题的手段

本发明第1态样提供一种曝光装置，是通过液体以曝光用光使基板曝光，具备：光学构件，具有该曝光用光射出的射出面；基板保持装置，包含将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部、以及用以规定可配置该基板的开口、具有在该基板被保持于该第1保持部保持的状态下配置在该基板的上面周围的上面的第1构件；以及多孔构件，至少一部分是配置在该基板与该第1构件间的间隙、具有对该液体为拨液性的上面；通过该多孔构件回收流入该间隙的该液体的至少一部分。

本发明第2态样提供一种曝光装置，是通过液体以曝光用光使基板曝光：具备光学构件，具有该曝光用光射出的射出面；基板保持装置，包含将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部、以及用以规定可配置该基板的开口、具有在该基板被保持于该第1保持部保持的状态下配置在该基板的上面周围的上面的第1构件；以及回收口，在该基板及该第1保持部的至少一方的周围配置有多个，可回收流入该基板与该第1构件间的间隙的该液体的至少一部分；在该液体的液浸空间形成在该光学构件的射出面侧的状态下，移动该基板及该第1构件；根据相对该液浸空间的该间隙的位置、及相对该液浸空间的该间隙的移动条件的一方或双方，进行从该多个回收口中的部分回收口回收该液体。

本发明第3态样提供一种曝光装置，是通过液体以曝光用光使基板曝光：具备光学构件，具有该曝光用光射出的射出面；基板保持装置，包含将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部、以及用以规定可配置该基板的开口、具有在该基板被保持于该第1保持部保持的状态下配置在该基板的上面周围的上面的第1构件；以及回收口，配置成与该基板的侧面对向，回收流入该基板与该第1构件间的间隙的该液体的至少一部分。

本发明第4态样提供一种曝光装置，是通过液体以曝光用光使基板曝光：具备光学构件，具有该曝光用光射出的射出面；以及基板保持装置，包含将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部、以及用以规定可配置该基板的开口、具有在该基板被保持于该第1保持部保持的状态下配置在该基板的上面周围的上面的第1构件；该第1构件的开口，包含位于距该第1保持部中心的第1距离、被保持于该第1保持部的该基板的侧面可对向的第1区域，以及和该第1区域相邻配置、位于距该第1保持部中心的较该第1距离长的第2距离的第2区域。

本发明第5态样提供一种曝光装置，是通过液体以曝光用光使基板曝光：具备光学构件，具有该曝光用光射出的射出面；以及基板保持装置，包含将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部、以及用以规定可配置该基板的开口、具有在该基板被保持于该第1保持部保持的状态下配置在该基板的上面周围的上面的第1构件；该第1构件的内面，包含第1内面以及配置在该第1内面上方、该基板侧面的至少一部分对向且下端与该第1内面连结而上端与该第1构件上面连结的第2内面；该第1内面与该第2内面非平行，于该第1构件上面的法线方向，该第2内面的尺寸较该第1内面的尺寸大；至少该第2内面是相对该第1保持部中心朝外侧向上方倾斜。

本发明第6态样提供一种曝光装置，是通过液体以曝光用光照射基板的上面：具备光学构件，具有该曝光用光射出的射出面；以及基板保持装置，包含将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部、以及具有上面及用以规定该上面外缘的一部分的边缘部的第1构件；该第1构件的该边缘部，以被保持于该第1保持部的该基板的边缘部沿此的方式延伸于既定方向；于该第1构件的该边缘部，沿该既定方向形成有多个凸部。

本发明第7态样提供一种曝光装置，是通过液体以曝光用光使基板曝光：具备光学构件，具有该曝光用光射出的射出面；以及基板保持装置，包含将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部、以及用以规定可配置该基板的开口、具有在该基板被保持于该第1保持部保持的状态下配置在该基板的上面周围的上面的第1构件；该第1构件的内面，包含该基板的侧面可对向的第1内面，以及配置在该第1内面下方、相对该第1保持部较该第1内面更分离的第2内面；具备配置成至少一部分与该第2内面对向的多孔构件；通过该多孔构件，回收流入该基板与该第1构件间的间隙的该液体的至少一部分。

本发明第8态样提供一种曝光装置，是通过液体以曝光用光使基板曝光：具备光学构件，具有该曝光用光射出的射出面；以及基板保持装置，包含将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部、以及用以规定可配置该基板的开口、具有在该基板被保持于该第1保持部保持的状态下配置在该基板的上面周围的上面的第1构件；该第1构件包含该基板的侧面可对向的第1内面、配置在该第1内面下方且相对该第1保持部较该第1内面更分离的第2内面、以及与该第1内面的下端及该第2内面的上端连结而朝向与该第1构件的上面相反方向的下面。

本发明第9态样提供一种曝光装置，是通过液浸空间的液体以曝光用光使基板曝光：具备光学构件，具有该曝光用光射出的射出面；基板保持装置，包含将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部、配置在该第1保持部周围至少一部分的测量构件、以及与该测量构件相邻设置且具有该液浸空间可形成的上面的第1构件；以及多孔构件，至少一部分配置在该测量构件与该第1构件间的间隙，具有对该液体为拨液性的上面；通过该多孔构件回收流入该间隙的该液体的至少一部分。

本发明第10态样提供一种曝光装置，是通过液浸空间的液体以曝光用光使基板曝光：具备光学构件，具有该曝光用光射出的射出面；基板保持装置，包含将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部、配置在该第1保持部周围至少一部分的测量构件、以及与该测量构件相邻设置且具有该液浸空间可形成的上面的第1构件；以及多个回收口，可回收流入该测量构件与该第1构件间的间隙的该液体的至少一部分；在该光学构件的该射出面侧形成该液浸空间的状态下，移动该测量构件及该第1构件；根据相对该液浸空间的该间隙的位置、及相对该液浸空间的该间隙的移动条件的一方或双方，进行从该多个回收口中的一部分回收口回收该液体。

本发明第11态样提供一种曝光装置，是通过液体以曝光用光使基板曝光：具备光学构件，具有该曝光用光射出的射出面；基板保持装置，包含将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部、配置在该第1保持部周围的至少一部分且具有该液浸空间可形成的上面的测量构件、以及与该测量构件相邻设置且具有该液浸空间可形成的上面的第1构件；以及回收口，配置成与该测量构件的侧面对向，回收流入该测量构件与该第1构件间的间隙的该液体的至少一部分。

本发明第12态样提供一种曝光装置，是通过液体以曝光用光使基板曝光：具备光学构件，具有该曝光用光射出的射出面；以及基板保持装置，包含将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部、配置在该第1保持部周围的至少一部分且具有该液浸空间可形成的上面的测量构件、以及与该测量构件相邻设置且具有该液浸空间可形成的上面的第1构件；与该测量构件之间形成间隙的该第1构件的侧面，包含位于距该测量构件中心的第1距离且该测量构件的侧面可对向的第1区域、以及与该第1区域相邻配置且位于距该测量构件中心较该第1距离长的第2距离的第2区域。

本发明第13态样提供一种曝光装置，是通过液体以曝光用光使基板曝光：光学构件，具有曝光用光射出的射出面；第1构件，能在光学构件的下方移动、具有液浸空间可形成的第1上面；以及第2构件，能在光学构件的下方以和第1构件相邻接的状态移动、具有液浸空间可形成的第2上面；与第1构件的侧面间形成间隙的第2构件的侧面，包含位于距第1构件侧面的第1距离且能与第1构件的侧面对向的第1区域、以及与第1区域相邻配置且位于距第1构件侧面较第1距离长的第2距离的第2区域。

本发明第14态样提供一种曝光装置，是通过液体以曝光用光使基板曝光：具备光学构件，具有该曝光用光射出的射出面；以及基板保持装置，包含将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部、配置在该第1保持部周围的至少一部分且具有该液浸空间可形成的上面的测量构件、以及与该测量构件相邻设置且具有该液浸空间可形成的上面的第1构件；该第1构件的内面包含第1内面以及配置在该第1内面上方、该测量构件侧面的至少一部分与的对向且下端与该第1内面连结而上端与该第1构件上面连结的第2内面；该第1内面与该第2内面非平行，于该第1构件的上面的法线方向，该第2内面的尺寸较该第1内面的尺寸大；至少该第2内面相对该测量构件中心朝外侧向上方倾斜。

本发明第15态样提供一种曝光装置，是通过形成在光学构件射出面侧的液浸空间的液体以曝光用光照射基板的上面：具备第1构件，具有第1上面与规定该第1上面的外缘的一部分的第1边缘部，以该第1上面的至少一部分与该液浸空间接触的方式在该光学构件下方移动；以及第2构件，具有第2上面与规定该第2上面的外缘的一部分的第2边缘部，于该光学构件下方移动；该第1边缘部及该第2边缘部延伸于既定方向；该第1边缘部与该第2边缘部之间形成有间隙；于该第1边缘部，沿该既定方向形成有多个凸部。

本发明第16态样提供一种元件制造方法，包含：使用第1至第15态样中任一态样的曝光装置使基板曝光的动作；以及使曝光后的基板显影的动作。

本发明第17态样提供一种曝光方法，是通过液体以曝光用光使基板曝光，包含：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、以及用以规定可配置该基板的开口且在该基板被保持于该第1保持部的状态下至少一部分配置在该基板周围的第1构件的上面中至少一方之间，以该液体形成有液浸空间的状态下，使该基板曝光的动作；以及通过至少一部分配置在该基板与该第1构件间的间隙、具有对液体为拨液性的上面的多孔构件，回收流入该间隙的该液体的至少一部分的动作。

本发明第18态样提供一种曝光方法，是通过液体以曝光用光使基板曝光，包含：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件的射出面侧形成有液体的液浸空间的状态下，一边移动将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板、及用以规定可配置该基板的开口且在该基板被保持于该第1保持部的状态下至少一部分配置在该基板周围的第1构件，一边使该基板曝光的动作：以及根据相对于该液浸空间的该基板与该第1构件间的间隙的位置、以及相对于该液浸空间的该间隙的移动条件中的一方或双方，从配置在该基板及该第1保持部中至少一方周围的多个回收口中的部分回收口，回收流入该间隙的该液体的至少一部分的动作。

本发明第19态样提供一种曝光方法，是通过液体以曝光用光使基板曝光，包含：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、以及用以规定可配置该基板的开口、在该基板被保持于该第1保持部的状态下至少一部分配置在该基板周围的第1构件的上面中至少一方之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；以及从配置成与该基板侧面对向的回收口，回收流入该基板与该第1构件间的间隙的该液体的至少一部分的动作。

本发明第20态样提供一种曝光方法，是通过液体以曝光用光使基板曝光，包含：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、以及用以规定可配置该基板的开口、在该基板被保持于该第1保持部的状态下至少一部分配置在该基板周围的第1构件的上面中至少一方之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；以及该第1构件的开口，包含位于距该第1保持部中心的第1距离、被保持于该第1保持部的该基板的侧面可对向的第1区域，以及和该第1区域相邻配置、位于距该第1保持部中心的较该第1距离长的第2距离的第2区域。

本发明第21态样提供一种曝光方法，是通过液体以曝光用光使基板曝光，包含：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、以及用以规定可配置该基板的开口、在该基板被保持于该第1保持部的状态下至少一部分配置在该基板周围的第1构件的上面中至少一方之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；该第1构件的内面，包含第1内面与配置在该第1内面上方、该基板侧面的至少一部分与的对向、下端与该第1内面连结且上端与该第1构件的上面连结的第2内面；该第1内面与该第2内面非平行，于该第1构件上面的法线方向，该第2内面的尺寸较该第1内面的尺寸大；至少该第2内面相对该第1保持部中心朝外侧向上方倾斜。

本发明第22态样提供一种曝光方法，是通过液体以曝光用光照射基板的上面，包含：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、以及具有上面与用以规定该上面外缘的一部分的边缘部的第1构件的上面中至少一方之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；该第1构件的该边缘部，是以该第1保持部所保持的该基板的边缘部沿此的方式延伸于既定方向；于该第1构件的该边缘部，沿该既定方向形成有多个凸部。

本发明第23态样提供一种曝光方法，是通过液体以曝光用光使基板曝光，包含：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、以及用以规定可配置该基板的开口、在该基板被保持于该第1保持部的状态下至少一部分配置在该基板上面周围的第1构件的上面中至少一方之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；该第1构件的内面，包含该基板的侧面可对向的第1内面与配置在该第1内面下方、对该第1保持部较该第1内面远离的第2内面；是通过至少一部分与该第2内面对向的方式配置的多孔构件，回收流入该基板与该第1构件间的间隙的该液体的至少一部分。

本发明第24态样提供一种曝光方法，是通过液浸空间的液体以曝光用光使基板曝光，包含：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、配置在该第1保持部周围至少一部分的测量构件的上面、以及与该测量构件邻设置的第1构件的上面中至少一者之间，形成有该液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；以及通过至少一部分配置在该测量构件与该第1构件间的间隙、具有对该液体为拨液性的上面的多孔构件，回收流入该间隙的该液体的至少一部分的动作。

本发明第25态样提供一种曝光方法，是通过液浸空间的液体以曝光用光使基板曝光，包含：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件的射出面侧形成有该液浸空间的状态下，一边移动将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板、配置在该第1保持部周围至少一部分的测量构件、及与该测量构件邻接设置的第1构件，一边使该基板曝光的动作；以及根据相对于该液浸空间的该测量构件与该第1构件间的间隙的位置、以及相对该液浸空间的该间隙的移动条件的一方或双方，从配置在该间隙的多个回收口中的部分回收口，回收流入该间隙的该液体的至少一部分的动作。

本发明第26态样提供一种曝光方法，是通过液体以曝光用光使基板曝光，包含：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、配置在该第1保持部周围的至少一部分的测量构件的上面、以及与该测量构件相邻设置的第1构件的上面中至少一者之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；以及从与该测量构件的侧面对向配置的回收口，回收流入该测量构件与该第1构件间的间隙的该液体的至少一部分的动作。

本发明第27态样提供一种曝光方法，是通过液体以曝光用光使基板曝光，包含：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、配置在该第1保持部周围的至少一部分的测量构件的上面、以及与该测量构件相邻设置的第1构件的上面中至少一者之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；与该测量构件之间形成间隙的该第1构件的侧面，包含位于距该测量构件中心的第1距离、可与该测量构件的侧面对向的第1区域与和该第1区域相邻配置、位于距该测量构件中心较该第1距离长的第2距离的第2区域。

本发明第28态样提供一种曝光方法，是通过液体以曝光用光使基板曝光，包含：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、配置在该第1保持部周围的至少一部分的测量构件的上面、以及与该测量构件相邻设置的第1构件的上面中至少一者之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；该第1构件的内面，包含第1内面与配置在该第1内面上方、该测量构件侧面的至少一部分与的对向、下端与该第1内面连结且上端与该第1构件的上面连结的第2内面；该第1内面与该第2内面非平行，于该第1构件上面的法线方向，该第2内面的尺寸较该第1内面的尺寸大；至少该第2内面是相对该测量构件中心朝外侧向上方倾斜。

本发明第29态样提供一种曝光方法，是通过形成在光学构件射出面侧的液浸空间的液体将曝光用光照射于基板上面，包含：使具有第1上面与用以规定该第1上面的部分外缘的第1边缘部的第1构件，以该第1上面的至少一部分与该液浸空间接触的方式在该光学构件下方移动的动作；以及使具有第2上面与用以规定该第2上面的部分外缘的第2边缘部的第2构件，在该光学构件下方移动的动作；该第1边缘部及该第2边缘部延伸于既定方向；于该第1边缘部与该第2边缘部之间形成有间隙；于该第1边缘部沿该既定方向形成有多个凸部。

本发明第30态样提供一种元件制造方法，包含；使用第17至29态样中任一态样的曝光方法使基板曝光的动作；以及使曝光后的该基板显影的动作。

本发明第31态样提供一种程序，是使电脑实施通过液体以曝光用光使基板曝光的曝光装置的控制，其使电脑实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、以及用以规定可配置该基板的开口且在该基板被保持于该第1保持部的状态下至少一部分配置在该基板周围的第1构件的上面中至少一方之间，以该液体形成有液浸空间的状态下，使该基板曝光的动作；以及通过至少一部分配置在该基板与该第1构件间的间隙、具有对液体为拨液性的上面的多孔构件，回收流入该间隙的该液体的至少一部分的动作。

本发明第32态样提供一种程序，是使电脑实施通过液体以曝光用光使基板曝光的曝光装置的控制，其使电脑实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件的射出面侧形成有液体的液浸空间的状态下，一边移动将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板、及用以规定可配置该基板的开口且在该基板被保持于该第1保持部的状态下至少一部分配置在该基板周围的第1构件，一边使该基板曝光的动作：以及根据相对于该液浸空间的该基板与该第1构件间的间隙的位置、以及相对于该液浸空间的该间隙的移动条件中的一方或双方，从配置在该基板及该第1保持部中至少一方周围的多个回收口中的部分回收口，回收流入该间隙的该液体的至少一部分的动作。

本发明第33态样提供一种程序，是使电脑实施通过液体以曝光用光使基板曝光的曝光装置的控制，其使电脑实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、以及用以规定可配置该基板的开口、在该基板被保持于该第1保持部的状态下至少一部分配置在该基板周围的第1构件的上面中至少一方之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；以及从配置成与该基板侧面对向的回收口，回收流入该基板与该第1构件间的间隙的该液体的至少一部分的动作。

本发明第34态样提供一种程序，是使电脑实施通过液体以曝光用光使基板曝光的曝光装置的控制，其使电脑实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、以及用以规定可配置该基板的开口、在该基板被保持于该第1保持部的状态下至少一部分配置在该基板周围的第1构件的上面中至少一方之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；该第1构件的开口，包含位于距该第1保持部中心的第1距离、被保持于该第1保持部的该基板的侧面可对向的第1区域，以及和该第1区域相邻配置、位于距该第1保持部中心的较该第1距离长的第2距离的第2区域。

本发明第35态样提供一种程序，是使电脑实施通过液体以曝光用光使基板曝光的曝光装置的控制，其使电脑实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、以及用以规定可配置该基板的开口、在该基板被保持于该第1保持部的状态下至少一部分配置在该基板周围的第1构件的上面中至少一方之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；该第1构件的内面，包含第1内面与配置在该第1内面上方、该基板侧面的至少一部分与的对向、下端与该第1内面连结且上端与该第1构件的上面连结的第2内面；该第1内面与该第2内面非平行，于该第1构件上面的法线方向，该第2内面的尺寸较该第1内面的尺寸大；至少该第2内面是相对该第1保持部中心朝外侧向上方倾斜。

本发明第36态样提供一种程序，是使电脑实施通过液体将曝光用光照射于基板上面的曝光装置的控制，其使电脑实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、以及具有上面与用以规定该上面外缘的一部分的边缘部的第1构件的上面中至少一方之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；该第1构件的该边缘部，是以该第1保持部所保持的该基板的边缘部沿此的方式延伸于既定方向；于该第1构件的该边缘部，沿该既定方向形成有多个凸部。

本发明第37态样提供一种程序，是使电脑实施通过液体以曝光用光使基板曝光的曝光装置的控制，其使电脑实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、以及用以规定可配置该基板的开口、在该基板被保持于该第1保持部的状态下至少一部分配置在该基板上面周围的第1构件的上面中至少一方之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；该第1构件的内面，包含该基板的侧面可对向的第1内面与配置在该第1内面下方、对该第1保持部较该第1内面远离的第2内面；通过至少一部分与该第2内面对向的方式配置的多孔构件，回收流入该基板与该第1构件间的间隙的该液体的至少一部分。

本发明第38态样提供一种程序，是使电脑实施通过液浸空间的液体以曝光用光使基板曝光的曝光装置的控制，其使电脑实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、配置在该第1保持部周围至少一部分的测量构件的上面、以及与该测量构件邻设置的第1构件的上面中至少一者之间，形成有该液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；以及通过至少一部分配置在该测量构件与该第1构件间的间隙、具有对该液体为拨液性的上面的多孔构件，回收流入该间隙的该液体的至少一部分的动作。

本发明第39态样提供一种程序，是使电脑实施通过液浸空间的液体以曝光用光使基板曝光的曝光装置的控制，其使电脑实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件的射出面侧形成有该液浸空间的状态下，一边移动将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板、配置在该第1保持部周围至少一部分的测量构件、及与该测量构件邻接设置的第1构件，一边使该基板曝光的动作；以及根据相对于该液浸空间的该测量构件与该第1构件间的间隙的位置、以及相对该液浸空间的该间隙的移动条件的一方或双方，从配置在该间隙的多个回收口中的部分回收口，回收流入该间隙的该液体的至少一部分的动作。

本发明第40态样提供一种程序，是使电脑实施通过液体以曝光用光使基板曝光的曝光装置的控制，其使电脑实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、配置在该第1保持部周围的至少一部分的测量构件的上面、以及与该测量构件相邻设置的第1构件的上面中至少一者之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；以及从与该测量构件的侧面对向配置的回收口，回收流入该测量构件与该第1构件间的间隙的该液体的至少一部分的动作。

本发明第41态样提供一种程序，是使电脑实施通过液体以曝光用光使基板曝光的曝光装置的控制，其使电脑实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、配置在该第1保持部周围的至少一部分的测量构件的上面、以及与该测量构件相邻设置的第1构件的上面中至少一者之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；与该测量构件之间形成间隙的该第1构件的侧面，包含位于距该测量构件中心的第1距离、可与该测量构件的侧面对向的第1区域与和该第1区域相邻配置、位于距该测量构件中心较该第1距离长的第2距离的第2区域。

本发明第42态样提供一种程序，是使电脑实施通过液体以曝光用光使基板曝光的曝光装置的控制，其使电脑实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、配置在该第1保持部周围的至少一部分的测量构件的上面、以及与该测量构件相邻设置的第1构件的上面中至少一者之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；该第1构件的内面，包含第1内面与配置在该第1内面上方、该测量构件侧面的至少一部分与的对向、下端与该第1内面连结且上端与该第1构件的上面连结的第2内面；该第1内面与该第2内面非平行，于该第1构件上面的法线方向，该第2内面的尺寸较该第1内面的尺寸大；至少该第2内面是相对该测量构件中心朝外侧向上方倾斜。

本发明第43态样提供一种程序，是使电脑实施通过形成在光学构件射出面侧的液浸空间的液体将曝光用光照射于基板上面的曝光装置的控制，其使电脑实施：使具有第1上面与用以规定该第1上面的部分外缘的第1边缘部的第1构件，以该第1上面的至少一部分与该液浸空间接触的方式在该光学构件下方移动的动作；以及使具有第2上面与用以规定该第2上面的部分外缘的第2边缘部的第2构件，在该光学构件下方移动的动作；该第1边缘部及该第2边缘部延伸于既定方向；于该第1边缘部与该第2边缘部之间形成有间隙；于该第1边缘部沿该既定方向形成有多个凸部。

本发明第44态样提供一种电脑可读取的记录媒体，其记录有第31至43态样中任一态样的程序。

发明效果

根据本发明的上述态样，可抑制曝光不良的发生。此外，根据本发明的上述态样，可抑制不良元件的产生。

附图说明

图1显示第1实施形态的曝光装置的一实施例的概略构成图。

图2显示第1实施形态的液浸构件及基板载台的一实施例的图。

图3显示第1实施形态的基板载台的一部分的图。

图4显示第1实施形态的基板载台的一部分的图。

图5显示第1实施形态的曝光方法的一实施例的流程图。

图6是用以说明第1实施形态的曝光方法的一实施例的图。

图7是用以说明第1实施形态的曝光方法的一实施例的图。

图8显示第2实施形态的基板载台的一实施例的图。

图9显示第3实施形态的基板载台的一部分的图。

图10显示第4实施形态的基板载台的一部分的图。

图11显示第5实施形态的基板载台的一部分的图。

图12显示第6实施形态的基板载台的一部分的图。

图13显示第7实施形态的基板载台的一实施例的图。

图14显示第7实施形态的基板载台的一实施例的图。

图15显示第8实施形态的基板载台的一部分的图。

图16显示第9实施形态的基板载台的一部分的图。

图17显示第9实施形态的基板载台的一部分的图。

图18显示第10实施形态的基板载台的一部分的图。

图19显示第10实施形态的基板载台的一部分的图。

图20显示第11实施形态的基板载台的一部分的图。

图21显示第11实施形态的基板载台的一部分的图。

图22显示第12实施形态的基板载台的一部分的图。

图23显示第12实施形态的基板载台的一部分的图。

图24显示第12实施形态的基板载台的一部分的图。

图25显示第13实施形态的基板载台的一部分的图。

图26是比较例的图。

图27显示第13实施形态的基板载台的一部分的图。

图28显示第13实施形态的基板载台的一部分的图。

图29显示第13实施形态的基板载台的一部分的图。

图30显示第13实施形态的基板载台的一部分的图。

图31显示第13实施形态的基板载台的一部分的图。

图32显示第13实施形态的基板载台的一部分的图。

图33显示第13实施形态的基板载台的一部分的图。

图34显示第14实施形态的基板载台的一部分的图。

图35显示第14实施形态的基板载台的一部分的图。

图36为比较例的图。

图37显示第14实施形态的基板载台的一部分的图。

图38显示第14实施形态的基板载台的一部分的图。

图39显示第15实施形态的基板载台的一部分的图。

图40显示第16实施形态的曝光装置的一实施例的图。

图41显示第16实施形态的曝光装置的一实施例的图。

图42显示第16实施形态的曝光装置的一实施例的图。

图43显示第16实施形态的曝光装置的一实施例的图。

图44显示第16实施形态的曝光装置的一实施例的图。

图45显示第16实施形态的曝光装置的一实施例的图。

图46显示第16实施形态的曝光装置的一实施例的图。

图47显示第16实施形态的曝光装置的一实施例的图。

图48为基板载台的一实施例的图。

图49显示元件的一工艺流程图。

附图标号说明：

2 基板载台

2U 上面

3 测量载台

5 驱动系统

6 驱动系统

7 液浸构件

8 控制装置

8R 存储装置

12 终端光学元件

13 射出面

14 下面

15 供应口

16 回收口

19 多孔构件

22 吸引口

23 空间部

24 吸引口

26 流体吸引装置

31 第1保持部

32 第2保持部

35 周壁部

38 周壁部

80 多孔构件

80A 上面

80B 第1侧面

80C 第2侧面

85 超声波产生装置

123 温度调整装置

305 温度调整装置

306 温度调整装置

801 第1部分

802 第2部分

A1 第1区域

A2 第2区域

A3 第3区域

EL 曝光用光

EX 曝光装置

Ga 间隙

P 基板

T 覆盖构件

Ta 上面

Tb 下面

Tc 内面

Tc1 第1内面

Tc2 第2内面

Th 开口

U 回收构件

具体实施方式

以下，一边参照图式一边说明本发明的实施形态，但本发明并不限定于此。以下的说明中，设定一XYZ正交坐标系，一边参照此XYZ正交坐标系一边说明各部的位置关系。并设水平面内的既定方向为X轴方向、于水平面内与X轴方向正交的方向为Y轴方向、分别与X轴方向及Y轴方向正交的方向(亦即铅直方向)为Z轴方向。此外，设绕X轴、Y轴及Z轴旋转(倾斜)方向分别为θX、θY及θZ方向。

＜第1实施形态＞

首先，说明第1实施形态。图1显示第1实施形态的曝光装置EX的一实施例的概略构成图。本实施形态的曝光装置EX是通过液体LQ以曝光用光EL使基板P曝光的液浸曝光装置。本实施形态中，形成有将曝光用光EL的光路的至少一部分以液体LQ加以充满的液浸空间LS。液浸空间是被液体充满的部分(空间、区域)。基板P是通过液浸空间LS的液体LQ以曝光用光EL加以曝光。本实施形态中，液体LQ使用水(纯水)。

又，本实施形态的曝光装置EX，例如美国专利第6897963号说明书、欧洲专利公开第1713113号说明书等所揭示的具备基板载台与测量载台的曝光装置。

图1中，曝光装置EX，具备：可保持掩膜M移动的掩膜载台1、可保持基板P移动的基板载台2、不保持基板P而可搭载测量曝光用光EL的测量构件C及测量器移动的测量载台3、使掩膜载台1移动的驱动系统4、使基板载台2移动的驱动系统5、使测量载台3移动的驱动系统6、以曝光用光EL照明掩膜M的照明系IL、将经曝光用光EL照明的掩膜M的图案的像投影至基板P的投影光学系PL、能以曝光用光EL的光路的至少一部分被液体LQ充满的方式形成液浸空间LS的液浸构件7、控制曝光装置EX全体的动作的控制装置8、以及连接于控制装置8用以储存与曝光相关的各种信息的存储装置8R。存储装置8R，包含例如RAM等的存储器、硬盘、CD－ROM等的记录媒体。于存储装置8安装有用以控制电脑系统的作业系统(OS)，内储存有用以控制曝光装置EX的程序。

曝光装置EX亦具备测量掩膜载台1、基板载台2及测量载台3的位置的干涉仪系统11、与检测系统300。检测系统300包含可检测基板P的对准标记的对准系统302、与可检测基板P的上面(表面)Pa的位置的表面位置检测系统303。又，检测系统300亦可具备例如美国专利申请公开第2007/0288121号所揭示的用以检测基板载台2的位置的编码器系统。

掩膜M包含形成有待投影至基板P的元件图案的标线片(reticle)。掩膜M包含透射型掩膜，此种透射型掩膜具有例如玻璃板等的透明板、与在该透明板上使用铬等遮光材料形成的图案。又，掩膜M亦可使用反射型掩膜。

基板P用以制造元件的基板。基板P包含例如半导体晶片等的基材与该基材上形成的感光膜。感光膜为感光材(photoresist光阻剂)的膜。又，基板P除感光膜外亦可包含其他膜。例如，基板P可包含反射防止膜、或包含保护感光膜的保护膜(topcoat膜)。

又，曝光装置EX亦具备调整曝光用光EL行进的空间102的环境(温度、湿度、压力及洁净度的至少一种)的腔室装置103。腔室装置103，具备形成空间102的腔室构件104与调整该空间102的环境的空调系统105。

空间102包含空间102A及空间102B。空间102A为处理基板P的空间。基板载台2及测量载台3在空间102A中移动。

空调系统105具有对空间102A、102B供应气体的供气部105S，从该供气部105S将气体供应至空间102A、102B以调整该空间102A、102B的环境。本实施形态中，至少基板载台2、测量载台3及投影光学系PL的终端光学元件12配置在空间102A。

照明系IL对既定照明区域IR照射曝光用光EL。照明区域IR包含从照明系IL射出的曝光用光EL可照射的位置。照明系IL以均一照度分布的曝光用光EL照明配置在照明区域IR的掩膜M的至少一部分。从照明系IL射出的曝光用光EL，使用例如从水银灯射出的辉线(g线、h线、i线)及KrF准分子激光(波长248nm)等远紫外光(DUV光)、ArF准分子激光(波长193nm)及F₂激光(波长157nm)等真空紫外光(VUV光)等。本实施形态中，曝光用光EL使用紫外光(真空紫外光)的ArF准分子激光。

掩膜载台1能在保持掩膜M的状态下，在包含照明区域IR的基座构件9的导引面9G上移动。驱动系统4包含用以在导引面9G上移动掩膜载台1的平面马达。平面马达例如美国专利第6452292号所揭示，具有配置在掩膜载台1的可动子与配置在基座构件9的固定子。本实施形态中，掩膜载台1可通过驱动系统4的作动，在导引面9G上移动于X轴、Y轴、Z轴、θX、θY及θZ方向的6个方向。

投影光学系PL将曝光用光EL照射于既定投影区域PR。投影区域PR包含从投影光学系PL射出的曝光用光EL可照射到的位置。投影光学系PL将掩膜M的图案像以既定投影倍率投影至配置在投影区域PR的基板P的至少一部分。本实施形态的投影光学系PL投影倍率例如为1/4、1/5或1/8等的缩小系。当然，投影光学系PL亦可以是等倍系及放大系的任一者。本实施形态中，投影光学系PL的光轴AX与Z轴平行。又，投影光学系PL可以是不包含反射光学元件的折射系、不包含折射光学元件的反射系、或包含反射光学元件与折射光学元件的反射折射系中的任一种。又，投影光学系PL可以形成倒立像与正立像的任一种。

基板载台2可移动至从投影光学系PL射出的曝光用光EL可照射到的位置(投影区域PR)。基板载台2能在保持基板P的状态下，在包含投影区域PR的基座构件10的导引面10G上移动。测量载台3可移动至从投影光学系PL射出的曝光用光EL可照射到的位置(投影区域PR)。测量载台3能在保持测量构件C的状态下，在包含投影区域PR的基座构件10的引导面10G上移动。基板载台2与测量载台3可在导引面10G上独立移动。

用以移动基板载台2的驱动系统5包含用以在导引面10G上移动基板载台2的平面马达。平面马达例如美国专利第6452292号所揭示，具有配置在基板载台2的可动子与配置在基座构件10的固定子。同样的，用以移动测量载台3的驱动系统6包含平面马达，具有配置在测量载台3的可动子与配置在基座构件10的固定子。

本实施形态中，基板载台2具有将基板P的下面Pb以可释放的方式加以保持的第1保持部31、与规定可配置基板P的开口Th且在基板P被保持于第1保持部31的状态下配置在基板P的上面Pa周围的上面。

又，本实施形态中，基板载台2具有例如美国专利申请公开第2007/0177125号、及美国专利申请公开第2008/0049209号等所揭的配置在第1保持部31的周围、将覆盖构件T的下面Tb保持成可释放的第2保持部32。覆盖构件T配置在被保持于第1保持部31的基板P的周围。本实施形态中，覆盖构件T具有配置第1保持部31所保持的基板P的开口Th。本实施形态中，覆盖构件T具有上面2U。

本实施形态中，第1保持部31可将基板P保持成基板P的上面Pa与XY平面大致平行。第2保持部32将覆盖构件T保持成覆盖构件T的上面2U与XY平面大致平行。本实施形态中，被保持在第1保持部31的基板P的上面Pa与被保持在第2保持部32的覆盖构件T的上面2U，配置在大致同一平面内(大致成一面)。

此外，覆盖构件T可一体的形成于基板载台2。例如，基板载台2的至少部分构件可具有上面2U。

本实施形态中，测量载台3具有将测量构件C以可释放的方式加以保持的第3保持部33、与配置在第3保持部33周围将覆盖构件Q以可释放的方式加以保持的第4保持部34。第3、第4保持部33、34具有销夹头(pin chuck)机构。覆盖构件Q配置在被保持于第3保持部33的测量构件C周围。又，于第3保持部33及第4保持部34的至少一方使用的保持机构不限于销夹头机构。此外，测量构件C及覆盖构件Q的至少一方可一体的形成于测量载台3。

本实施形态中，第3保持部33将测量构件C保持成测量构件C的上面与XY平面大致平行。第4保持部34将覆盖构件Q保持成覆盖构件Q的上面与XY平面大致平行。本实施形态中，被保持于第3保持部33的测量构件C的上面与被保持于第4保持部34的覆盖构件Q的上面，大致配置在同一平面内(大致成一面)。

此处，于以下说明中，将被保持于第2保持部32的覆盖构件T的上面2U适当的称为基板载台2的上面2U，将被保持于第3保持部33的测量构件C的上面及被保持于第4保持部34的覆盖构件Q的上面适当的合称为测量载台3的上面3U。

干涉仪系统11，包含测量掩膜载台1的位置的激光干涉仪单元11A与测量基板载台2及测量载台3的位置的激光干涉仪单元11B。激光干涉仪单元11A可使用配置在掩膜载台1的测量镜(mirror)1R，测量掩膜载台1的位置。激光干涉仪单元11B可使用配置在基板载台2的测量镜2R及配置在测量载台3的测量镜3R，测量基板载台2及测量载台3各个的位置。

对准系统302检测基板P的对准标记，以检测该基板P的照射区域S的位置。对准系统302具有基板载台2(基板P)可对向的下面。基板载台2的上面2U及被保持于基板载台2的基板P的上面(表面)Pa，可与朝向－Z方向的对准系统302的下面对向。

表面位置检测系统303，例如亦被称为自动对焦、调平系统，对被保持于基板载台2的基板P的上面(表面)Pa照射检测光，以检测该基板P的上面Pa的位置。表面位置检测系统303具有可与基板载台2(基板P)对向的下面。基板载台2的上面2U及被保持于基板载台2的基板P的上面Pa，能与朝向－Z方向的表面位置检测系统303的下面对向。

实施基板P的曝光处理时、或实施既定测量处理时，控制装置8根据干涉仪系统11的测量结果及检测系统300的检测结果，使驱动系统4、5、6作动以实施掩膜载台1(掩膜M)、基板载台2(基板P)及测量载台3(测量构件C)的位置控制。

液浸构件7可形成一曝光用光EL的光路的至少一部分被液体LQ充满的液浸空间LS。液浸构件7配置在投影光学系PL的多个光学元件中最接近投影光学系PL的像面的终端光学元件12的近旁。本实施形态中，液浸构件7为一环状构件，配置在曝光用光EL的光路周围。本实施形态中，液浸构件7的至少一部分配置在终端光学元件12的周围。

终端光学元件12具有朝向投影光学系PL的像面射出曝光用光EL的射出面13。本实施形态中，于射出面13侧形成液浸空间LS。液浸空间LS形成为从射出面13射出的曝光用光EL的光路K被液体LQ充满。从射出面13射出的曝光用光EL行进于－Z方向。射出面13朝向曝光用光EL的行进方向(－Z方向)。本实施形态中，射出面13是与XY平面大致平行的平面。当然，射出面13亦可相对XY平面倾斜、或者包含曲面。

液浸构件7具有至少一部分朝向－Z方向的下面14。本实施形态中，射出面13及下面14可在与配置于从射出面13射出的曝光用光EL可照射到的位置(投影区域PR)的物体之间保持液体LQ。液浸空间LS是由被保持在射出面13及下面14的至少一部分与配置在投影区域PR的物体之间的液体LQ而形成。液浸空间LS是以射出面13与配置在投影区域PR的物体之间的曝光用光EL的光路K被液体LQ充满的方式形成。液浸构件7可在与物体之间保持液体LQ以将终端光学元件12与物体之间的曝光用光EL的光路K以液体LQ加以充满。

本实施形态中，可配置在投影区域PR的物体，包含可在投影光学系PL的像面侧(终端光学元件12的射出面13侧)相对投影区域PR移动的物体。该物体可相对终端光学元件12及液浸构件7移动。该物体具有能与射出面13及下面14的至少一方对向的上面(表面)。物体的上面可在与射出面13之间形成液浸空间LS。该物体可在与终端光学元件12的光轴(Z轴)垂直的面内(XY平面内)移动。本实施形态中，物体的上面可在与射出面13及下面14的至少一部分之间形成液浸空间LS。通过将液体LQ保持在一侧的射出面13及下面14与另一侧的物体的上面(表面)之间，来以终端光学元件12与物体之间的曝光用光EL的光路K被液体LQ充满的方式形成液浸空间LS。

本实施形态中，该物体包含基板载台2、被保持于基板载台2的基板P、测量载台3及被保持于测量载台3的测量构件C中的至少一者。例如，基板载台2的上面2U及被保持于基板载台2的基板P的表面(上面)Pa，能与朝向－Z方向的终端光学元件12的射出面13及朝向－Z方向的液浸构件7的下面14对向。当然，可配置在投影区域PR的物体并不限于基板载台2、被保持于基板载台2的基板P、测量载台3及被保持于测量载台3的测量构件C的至少一者。此外，该等物体能与检测系统300的至少一部分对向。

本实施形态中，液浸空间LS形成为当基板P被曝光用光EL照射时，包含投影区域PR的基板P表面的部分区域被液体LQ覆盖。于基板P的曝光时，液浸构件7可以终端光学元件12与基板P之间的曝光用光EL的光路K被液体LQ充满的方式，在与基板P之间保持液体LQ。液体LQ的界面(弯月面、边缘)LG的至少一部是形成在液浸构件7的下面14与基板P的表面之间。亦即，本实施形态的曝光装置EX是采用局部液浸方式。

图2显示本实施形态的液浸构件7及基板载台2的一实施例的侧视剖面图。图3为图2的部分放大图。又，图2中，虽于投影区域PR(与终端光学元件12及液浸构件7对向之置)配置有基板P，但如上所述，亦可例如配置基板载台2(覆盖构件T)及测量载台3(覆盖构件Q、测量构件C)。

如图2所示，液浸构件7包含至少一部分与终端光学元件12的射出面13对向的对向部71、与至少一部分配置在终端光学元件12周围的本体部72。对向部71在与射出面13对向的位置具有孔(开口)7K。对向部71具有至少一部分隔着间隙与射出面13对向的上面7U、与基板P(物体)可对向的下面7H。孔7K形成将上面7U与下面7H加以连结。上面7U配置在孔7K的上端周围、下面7H则配置在孔7K的下端周围。从射出面13射出的曝光用光EL，可通过孔7K照射于基板P。

本实施形态中，上面7U及下面7H分别配置在光路K的周围。本实施形态中，下面7H为平坦面。下面7H可在与基板P(物体)之间保持液体LQ。以下的说明中，将下面7H适当的称为保持面7H。

又，液浸构件7具有可供应液体LQ的供应口15、与可回收液体LQ的回收口16。供应口15，例如在基板P的曝光时供应液体LQ。

回收口16例如在基板P的曝光时回收液体LQ。此外，供应口15在基板P的曝光时及非曝光时的任一方或双方时皆能供应液体LQ。又，回收口16则在基板P的曝光时及非曝光时的任一方或双方时皆能回收液体LQ。

供应口15配置成在从射出面13射出的曝光用光EL的光路K近旁，面向该光路K。又，供应口15只要是面向射出面13与开口7K间的空间及终端光学元件12侧面中的一方双方即可。本实施形态中，供应口15将液体LQ供应至上面7U与射出面13间的空间。从供应口15供应的液体LQ，在流过该上面7U与射出面13间的空间后，通过开口7K供应至基板P(物体)上。

供应口15通过流路17与液体供应装置18连接。液体供应装置18可送出洁净且温度经调整的液体LQ。流路17包含形成在液浸构件7内部的供应流路17R及将该供应流路17R与液体供应装置18加以连接的供应管形成的流路。从液体供应装置18送出的液体LQ经由流路17供应至供应口15。至少于基板P的曝光中，供应口15供应液体LQ。

回收口16可回收与液浸构件7的下面14对向的物体上的液体LQ的至少一部分。回收口16配置在曝光用光EL通过的开口7K周围的至少一部分。本实施形态中，回收口16配置在保持面7H周围的至少一部分。回收口16配置在与物体表面对向的液浸构件7的既定位置。至少于基板P的曝光中，基板P对向于回收口16。于基板P的曝光中，回收口16回收基板P上的液体LQ。

本实施形态中，本体部72具有面向基板P(物体)的开口7P。开口7P配置在保持面7H周围的至少一部分。本实施形态中，液浸构件7具有配置在开口7P的多孔构件19。本实施形态中，多孔构件19包含多个孔(openings或pores)的板片状构件。又，亦可于开口7P配置多数小孔形成为网眼状的多孔构件的网眼筛(mesh filter)。

本实施形态中，多孔构件19具有基板P(物体)可对向的下面19H、朝向下面19H的相反方向的上面19U、与将上面19U与下面19H加以连结的多个孔。下面19H配置在保持面7H周围的至少一部分。本实施形态中，液浸构件7的下面14的至少一部分包含保持面7H及下面19H。

本实施形态中，回收口16包含多孔构件19的孔。本实施形态中，基板P(物体)上的液体LQ是通过多孔构件19的孔(回收口16)加以回收。又，亦可不配置多孔构件19。

回收口16通过流路20与液体回收装置21连接。液体回收装置21可将回收口16连接于真空系统，通过回收口16吸引液体LQ。流路20包含形成在液浸构件7内部的回收流路20R、及以将该回收流路20R与液体回收装置21加以连接的回收管形成的流路。从回收口16回收的液体LQ，通过流路20回收至液体回收装置21。

本实施形态中，控制装置8可通过与从供应口15的液体LQ的供应动作并行，实施从回收口16的液体LQ的回收动作，据以在一侧的终端光学元件12及液浸构件7与另一侧的物体之间以液体LQ形成液浸空间LS。

又，作为液浸构件7，可使用例如美国专利申请公开第2007/0132976号说明书、欧洲专利申请公开第1768170号说明书所揭示的液浸构件(嘴(nozzle)构件)。

如图2及图3所示，基板载台2具备至少一部分配置在基板P与覆盖构件T(基板载台2)间的间隙Ga的多孔构件80。本实施形态中，流入间隙Ga的液体LQ的至少一部分是通过多孔构件80加以回收。

本实施形态中，多孔构件80，具有射出面13及下面14的至少一方可对向的上面80A、被第1保持部31保持的基板P的侧面Pc可对向的第1侧面80B、以及被第2保持部32保持的覆盖构件T的内面Tc可对向的第2侧面80C。基板P的侧面Pc，将基板P的上面Pa与朝向上面Pa的相反方向的基板P的下面Pb加以连结。覆盖构件T的内面Tc，将覆盖构件T的上面Ta与朝向上面Ta的相反方向的覆盖构件T的下面Tb加以连结。覆盖构件T的上面Ta包含基板载台2的上面2U。在未配置多孔构件80的状态下，基板P的侧面Pc与覆盖构件T的内面Tc可对向。

本实施形态中，多孔构件80为例如钛制。多孔构件80能以例如烧结法形成。

本实施形态中，多孔构件80的上面80A对液体LQ为拨液性。

本实施形态中，上面80A对液体LQ对的接触角，例如大于90度。上面80A对液体LQ的接触角，可以是例如100度以上、或110度以上。

本实施形态中，于多孔构件80的上面80A涂有含氟的拨液性材料。亦即，于上面80A配置有含拨液性材料的膜80F。拨液性材料可以是例如PFA(过氟烷基化物，Tetra fluoroethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)、PTFE(聚四氟乙烯，Poly tetrafluoro ethylene)、PEEK(聚醚醚酮，polyetheretherketone)、或铁氟龙(登录商标)。

本实施形态中，多孔构件80的上面80A对液体LQ的接触角大于第1侧面80B的接触角。此外，本实施形态中，多孔构件80的上面80A对液体LQ的接触角大于第2侧面80C的接触角。

又，多孔构件80的上面80A对液体LQ的接触角可较第1侧面80B的接触角小、亦可与第1侧面80B的接触角大致相同。此外，多孔构件80的上面80A对液体LQ的接触角，可较第2侧面80C的接触角小、亦可与第2侧面80C的接触角大致相同。

本实施形态中，基板P的上面Pa对液体LQ的接触角、及覆盖构件T的上面Ta的接触角，较第1侧面80B的接触角大。又，本实施形态中，基板P的上面Pa对液体LQ的接触角、及覆盖构件T的上面Ta的接触角，可较第2侧面80C的接触角大。

又，对液体LQ的基板P的上面Pa的接触角、及覆盖构件T的上面Ta的接触角，可较第1侧面80B的接触角小、亦可与第1侧面80B的接触角大致相同。此外，对液体LQ的基板P的上面Pa的接触角、及覆盖构件T的上面Ta的接触角，可较第2侧面80C的接触角小、亦可与第2侧面80C的接触角大致相同。

又，本实施形态中，多孔构件80的上面80A与被第1保持部31保持的基板P的上面Pa、及被第2保持部32保持的覆盖构件T的上面Ta大致成一面。

又，多孔构件80的上面80A可配置在较基板P的上面Pa及覆盖构件T的上面Ta低的位置(－Z侧的位置)、亦可配置在较高的位置(+Z侧的位置)。

本实施形态中，被第1保持部31保持的基板P的侧面Pc、与多孔构件80的第1侧面80B间的距离L1，较被第2保持部32保持的覆盖构件T的内面Tc、与多孔构件80的第2侧面80C间的距离L2大。

又，侧面Pc与第1侧面80B间的距离L1，可较内面Tc与第2侧面80C间的距离L2小、亦可以与距离L2大致相同。

本实施形态中，基板载台2具有通至间隙Ga的空间部23。空间部23位于间隙Ga的下方。本实施形态中，多孔构件80的至少一部分配置在空间部23。本实施形态中，多孔构件80，包含配置在间隙Ga的第1部分801、与配置在空间部23的第2部分802。

本实施形态中，于相对第1保持部31中心的放射方向，间隙Ga的尺寸Wa较空间部23的尺寸Wb小。又，尺寸Wa可大于尺寸Wb、亦可与尺寸Wb大致相同。

又，本实施形态中，于相对第1保持部31中心的放射方向，第2部分802的尺寸W2较第1部分801的尺寸W1大。此外，尺寸W2可较尺寸W1小、亦可与尺寸W1大致相同。

又，相对第1保持部31中心的放射方向的尺寸，是指在XY平面内的放射方向的尺寸。

本实施形态中，多孔构件80被盒81支承。盒81于空间部23，配置成与第2部分802的至少一部分接触。本实施形态中，盒81配置成与第2部分802的下面及侧面的至少一部分接触。本实施形态中，盒81例如陶艺制。又，盒81亦可以是金属制。

又，本实施形态中，于多孔构件80及盒81与覆盖构件T之间，配置支承构件82。支承构件82被支承于多孔构件80(第2部分802)及盒81的至少一部分。支承构件82能与覆盖构件T的下面Tb的至少一部分对向。支承构件82支承覆盖构件T的下面Tb的至少一部分。

本实施形态中，基板载台2具有配置于空间部23的吸引口24。本实施形态中，吸引口24是形成在形成空间部23的基板载台2内面的至少一部分。吸引口24吸引空间部23的流体的至少一部分，以使空间部23成为负压。吸引口24可吸引空间部23的液体及气体的一方或双方。

吸引口24通过流路25与流体吸引装置26连接。流体吸引装置26可将吸引口24连接于真空系统，通过吸引口24吸引液体及气体中的一方或双方。流路25的至少一部分形成在基板载台2的内部。从吸引口24吸引的流体(液体及气体中的至少一方)是通过流路25被吸引至流体吸引装置26。

本实施形态中，盒81具有将盒81的外面与内面加以连结的孔(开口)81H。孔81H上端的开口83，面向多孔构件80的下面。孔81H下端的开口与吸引口24连结。吸引口24通过孔81H吸引该盒81内侧空间的流体，以使盒81的内侧空间成为负压。

本实施形态中，第1保持部31具有例如销夹头机构。第1保持部31具有配置在基板载台2的支承面31S且基板P的下面Pb可对向的周壁部35、配置在周壁部35内侧的支承面31S且包含多个销(pin)构件的支承部36、以及配置在支承面31S用以吸引流体的吸引口37。吸引口37与流体吸引装置连接。流体吸引装置受控制装置8控制。周壁部35的上面能与基板P的下面Pb对向。周壁部35可在与基板P的下面Pb之间的至少一部分形成负压空间。又，于支承面31，周壁部35为实质圆形，于前述及后述说明中，第1保持部31的中心为周壁部35的中心。此外，本实施形态中，于XY平面内，周壁部35为实质圆形(圆环状)。控制装置8可在基板P的下面Pb与周壁部35的上面接触的状态下，实施吸引口37的吸引动作，据以使周壁部35与基板P的下面Pb与支承面31S所形成的空间31H成为负压。据此，将基板P保持于第1保持部31。又，通过解除吸引口37的吸引动作，基板P即从第1保持部31解放。

本实施形态中，通过使空间31H成为负压，将基板P的下面保持于支承部36(多个销构件)的上端。亦即，通过支承部36(多个销构件)的上端规定保持基板P的保持面36S的至少一部分。

本实施形态中，第2保持部32具有例如销夹头机构。第2保持部32具有于基板载台2的支承面32S围绕周壁部35配置且覆盖构件T的下面Tb可对向的周壁部38、于支承面32S围绕周壁部38配置且覆盖构件T的下面Tb可对向的周壁部39、配置在周壁部38与周壁部39间的支承面32S且包含多个销构件的支承部40、以及配置在支承面32S用以吸引流体的吸引口41。吸引口41与流体吸引装置连接。流体吸引装置受控制装置8控制。周壁部38、39的上面可与覆盖构件T的下面Tb对向。周壁部38、39可在与覆盖构件T的下面Tb间的至少一部分形成负压空间。控制装置8可在覆盖构件T的下面Tb与周壁部38、39的上面接触的状态下，通过实施吸引口41的吸引动作，据以使周壁部38与周壁部39与覆盖构件T的下面Tb与支承面32S所形成的空间32H成为负压。据此，将覆盖构件T保持于第2保持部32。此外，通过解除吸引口41的吸引动作，使覆盖构件T从第2保持部32解放。

空间部23包含周壁部35周围的空间。本实施形态中，空间部23包含周壁部35与周壁部38间的空间。

图4显示通过多孔构件80回收流入间隙Ga的液体LQ的至少一部分的一状态例的图。本实施形态，是在终端光学元件12及液浸构件7与被第1保持部31保持的基板P及被第2保持部32保持的覆盖构件T中至少一方之间，形成液浸空间LS。又，液浸空间LS有可能形成在间隙Ga上。此时，该液浸空间LS的液体LQ的至少一部分有可能流入间隙Ga。

本实施形态中，控制装置8将流入间隙Ga的液体LQ的至少一部分，通过多孔构件80加以回收。回收流入间隙Ga的液体LQ时，控制装置8控制流体吸引装置26将吸引口24连接于真空系统。据此，空间部23的流体即被从吸引口24吸出，空间部23成为负压。

如上所述，吸引口24可通过孔81H吸引盒81内侧空间的流体。通过吸引口24的吸引动作的进行，盒81的内侧空间、及配置在该盒81内侧空间的多孔构件80的孔，即成为负压。如此，多孔构件80周围的流体即被从多孔构件80的孔吸出。

如图4所示，通过吸引口24的吸引动作的进行，流入多孔构件80的第1侧面80B与基板P的侧面Pc间的液体LQ，即被第1侧面80B的孔吸引。亦即，多孔构件80将流入第1侧面80B与基板P的侧面Pc间的液体LQ，从与基板P的侧面Pc对向的第1侧面80B的孔加以回收。

又，如图4所示，通过吸引口24的吸引动作的进行，流入多孔构件80的第2侧面80C与覆盖构件T的内面Tc间的液体LQ，被第2侧面80C的孔吸引。亦即，多孔构件80，将流入第2侧面80C与覆盖构件T的内面Tc间的液体LQ，从与覆盖构件T的内面Tc对向的第2侧面80C的孔回收。

经由多孔构件80回收的液体LQ的至少一部分，从吸引口24吸引。本实施形态中，从第1、第2侧面80B、80C的孔回收的液体LQ的至少一部分，在流过多孔构件80内部后，从吸引口24吸引。据此，即从间隙Ga及空间部23除去液体LQ。

本实施形态中，第2部分802的下面及侧面被盒81覆盖。

第1部分801的第1、第2侧面80B、80C未被盒81覆盖。第1部分801的第1、第2侧面80B、80C能与流入间隙Ga的液体LQ接触。因此，通过吸引口24的吸引动作的进行，流入间隙Ga的液体LQ即被从第1、第2侧面80B、80C顺畅的回收。

如以上所述，本实施形态中，对液体LQ的多孔构件80的上面80A的接触角，较第1、第2侧面80B、80C的接触角大。本实施形态中，液体LQ往上面80A的孔的流入，较往第1、第2侧面80B、80C的孔的流入受到抑制。例如，多孔构件80可不从上面80A的孔回收液体LQ。

又，液体LQ往上面80A的孔流入，可以不较往第1、第2侧面80B、80C的孔的流入受到抑制。亦即，多孔构件80可以从上面80A的孔回收液体LQ。

其次，针对曝光装置EX的动作的一实施例，参照图5、图6及图7加以说明。图5显示本实施形态的曝光装置EX的一动作例的流程图。图6显示被保持于第1保持部31(基板载台2)的基板P的一实施例的图。图7显示基板载台2及测量载台3的一动作例的图。

本实施形态中，基板载台2至少可在第1位置EP与第2位置RP之间移动。第1位置EP，可在终端光学元件12及液浸构件7与第1保持部31所保持的基板P的上面Pa及基板载台2的上面2U(Ta)中至少一方之间形成液浸空间LS的位置。换言之，第1位置EP与终端光学元件12及液浸构件7对向的位置。

第2位置RP，是无法在终端光学元件12及液浸构件7与第1保持部31所保持的基板P的上面Pa及基板载台2的上面2U中至少一方之间形成液浸空间LS的位置。

第1位置EP可使第1保持部31所保持的基板P曝光的位置。本实施形态中，第2位置RP，例如实施将曝光后的基板P从第1保持部31搬出的动作及将曝光前的基板P搬入第1保持部31的动作中至少一方的基板更换位置。

又，第2位置EP不限于基板更换位置。

以下的说明中，将第1位置EP适当的称为曝光位置EP，将第2位置RP适当的称为基板更换位置RP。

又，以下的说明中，将在基板更换位置RP进行的将曝光前的基板P搬入第1保持部31的处理、以及将曝光后的基板P从第1保持部31搬出的处理，适当的称为基板更换处理。

为使保持在第1保持部31的基板P曝光，使基板载台2移动至曝光位置EP，在终端光学元件12及液浸构件7与基板载台2(基板P)之间以液体LQ形成液浸空间LS后，控制装置8即开始基板P的曝光处理(步骤ST1)。

本实施形态的曝光装置EX是一边使掩膜M与基板P往既定扫描方向同步移动、一边将掩膜M的图案像投影至基板P的扫描型曝光装置(所谓的扫描步进机)。本实施形态中，设基板P的扫描方向(同步移动方向)为Y轴方向，掩膜M的扫描方向(同步移动方向)亦设为Y轴方向。控制装置8使基板P相对投影光学系PL的投影区域PR移动于Y轴方向，并与该基板P往Y轴方向的移动同步，一边相对照明系IL的照明区域IR使掩膜M移动于Y轴方向、一边通过投影光学系PL与基板P上的液浸空间LS的液体LQ将曝光用光EL照射于基板P。据此，基板P即通过液体LQ而被曝光用光EL曝光，掩膜M的图案像通过投影光学系PL及液体LQ被投影至基板P。

如图6所示，本实施形态中，基板P上曝光对象区域的照射区域S成矩阵状配置多个。控制装置8使基板P上所定的多个照射区域S依序曝光。

使基板P的照射区域S曝光时，使终端光学元件12及液浸构件7与基板P对向，形成一以液体LQ充满终端光学元件12与基板P间的曝光用光EL的光路K的液浸空间LS。使基板P的多个照射区域S依序曝光时，在终端光学元件12及液浸构件7与基板P的上面Pa及基板载台2的上面2U中至少一方之间以液体LQ形成有液浸空间LS的状态下，通过驱动系统5使基板载台2于XY平面内移动。控制装置8，在终端光学元件12及液浸构件7与基板P的上面Pa及基板载台2的上面2U中至少一方之间以液体LQ形成有液浸空间LS的状态下，一边移动基板载台2、一边实施基板P的曝光。

例如为使基板P上的多个照射区域S中最初的照射区域(第1照射区域)S曝光，控制装置8使该第1照射区域S移动至曝光开始位置。控制装置8在形成有液浸空间LS的状态下，一边使第1照射区域S(基板P)相对投影光学系PL的投影区域PR移动于Y轴方向、一边对该第1照射区域S照射曝光用光EL。

第1照射区域S的曝光结束后，为使下一个第2照射区域S曝光，控制装置8在形成有液浸空间LS的状态下，使基板P移动于X轴方向(或于XY平面内相对X轴方向倾斜的方向)，将第2照射区域S移动至曝光开始位置。控制装置8，与第1照射区域S同样的使第2照射区域S曝光。

控制装置8，一边反复进行在使照射区域S相对投影区域PR移动于Y轴方向的同时对该照射区域S照射曝光用光EL的动作(扫描曝光动作)、与该照射区域S的曝光结束后为使下一个照射区域S移动至曝光开始位置的动作(步进动作)，一边通过投影光学系PL及液浸空间LS的液体LQ使基板P上的多个照射区域S依序曝光。对基板P的多个照射区域S依序照射曝光用光EL。

本实施形态中，控制装置8一边使基板载台2移动以使投影光学系PL的投影区域PR与基板P沿图6中箭头R1所示移动轨迹相对移动、一边对投影区域PR照射曝光用光EL通过液体LQ以曝光用光EL使基板P的多个照射区域S依序曝光。在基板载台2于基板P的曝光中的移动中的至少一部分，液浸空间LS形成在间隙Ga上。

基板P上的多个照射区域S中最后一个照射区域S的曝光结束，换言之，对多个照射区域S的曝光用光EL的照射结束后，即结束该基板P的曝光(步骤ST2)。

对多个照射区域S的曝光用光EL的照射结束后(基板P的曝光结束后)，控制装置8为实施基板更换处理而使基板载台2移动至基板更换位置RP(步骤ST3)。

如图7所示，在将基板载台2配置于基板更换位置RP后，控制装置8即使用基板搬送装置(未图示)将曝光后的基板P从第1保持部31搬出(卸载)(步骤ST4)。

在将曝光后的基板P从第1保持部31搬出(卸载)后，控制装置8使用基板搬送装置(未图示)将曝光前的基板P搬入(装载于)第1保持部31(步骤ST5)。

又，如图7所示，在实施基板更换处理时，于曝光位置EP配置测量载台3。控制装置8，视需要使用测量载台3(测量构件C、测量器)实施既定的测量处理。将曝光前的基板P装载于第1保持部31、使用测量载台3的测量处理结束后，控制装置8使基板载台2移动至曝光位置EP(步骤ST6)。

本实施形态中，控制装置8在基板载台2从基板更换位置RP往曝光位置EP的移动时，使用对准系统302进行检测基板载台2(第1保持部31)所保持的基板P的对准标记(步骤ST7)。又，控制装置8在基板载台2从基板更换位置RP往曝光位置EP的移动时，使用表面位置检测系统303检测基板载台2(第1保持部31)所保持的基板P的上面Pa的位置。

基板P的对准标记的检测及基板P的上面Pa的位置的检测结束后，控制装置8根据该检测结果一边调整基板P的位置、一边开始该基板P的曝光。之后，反复进行同样的处理，多个基板P即被依序曝光。

本实施形态中，在实施基板P的曝光的第1期间的至少一部分、及未实施基板P的曝光的第2期间的至少一部分的各个中，实施吸引口24(多孔构件80)的吸引动作。

本实施形态中，第1期间包含基板载台2P被配置于曝光位置EP的期间。又，第1期间包含基板P的曝光开始起(步骤ST1)至该基板P的曝光结束为止(步骤ST2)的期间。

本实施形态中，第1期间包含从多个照射区域S中最初的照射区域S的曝光开始起，至最后一个照射区域S的曝光结束为止的期间。控制装置8从多个照射区域S中最初的照射区域S的曝光开始起至最后一个照射区域S的曝光结束为止，持续实施吸引口24的流体吸引动作。

据此，在例如对多个照射区域S依序照射曝光用光EL的第1期间的至少一部分中，于间隙Ga上形成液浸空间LS，即使该液浸空间LS的液体LQ通过间隙Ga流入间隙Ga，流入间隙Ga的液体LQ亦会在第1期间中立即被吸引口24(多孔构件80)吸引。此外，通过间隙Ga流入空间部23的液体LQ亦从吸引口24(多孔构件80)被吸引。

本实施形态中，第2期间包含对基板P的曝光用光EL的照射结束后的期间。本实施形态中，第2期间包含对多个照射区域S的曝光用光EL的照射结束后的期间。换言之，第2期间包含多个照射区域S中最后一个照射区域S的曝光后的期间。通过于第2期间实施的吸引口24(多孔构件80)的吸引动作，即使在第1期间实施吸引口24(多孔构件80)的吸引动作亦无法将空间部23的液体LQ完全吸引(回收)，亦可通过在该第2期间的吸引口24(多孔构件80)的吸引动作，从间隙Ga(空间部23)除去液体LQ。

又，本实施形态中，第2期间包含对基板P开始照射曝光用光EL前的期间。本实施形态中，第2期间包含对多个照射区域S开始照射曝光用光EL前的期间。换言之，第2期间包含多个照射区域S中最初的照射区域S的曝光前的期间。通过在第2期间实施吸引口24(多孔构件80)的吸引动作，可在从间隙Ga(空间部23)除去液体LQ后开始基板P的曝光。

本实施形态中，控制装置8控制实施基板P的曝光的第1期间的至少一部分中的吸引口24(多孔构件80)的吸引力，较未实施基板P的曝光的第2期间中的吸引口24(多孔构件80)的吸引力小。亦即，控制装置8控制在第1期间的至少一部分以第1吸引力从吸引口24吸引间隙Ga(空间部23)的流体，在第2期间则以较第1吸引力大的第2吸引力从吸引口24吸引间隙Ga(空间部23)的流体。换言之，控制装置8控制在第1期间的至少一部分以每单位时间的第1流量从吸引口24(多孔构件80)吸引流体，而在第2期间则以较每单位时间的第1流量多的第2流量从吸引口24(多孔构件80)吸引流体。

本实施形态中，第2期间包含从待依序曝光的多个基板P中第1基板P的曝光结束时(最后一个照射区域S的曝光结束时)至下一个第2基板P的曝光开始时(最初的照射区域S的曝光开始时)为止的至少一部分期间。

例如，第2期间可以是从第1基板P的曝光结束后(步骤ST2)至将该曝光后的第1基板P从第1保持部31搬出、并将曝光前的第2基板P搬入第1保持部31，该曝光前的第2基板P的对准标记检测开始(步骤ST7)为止的期间。亦即，本实施形态中，第2期间可以是从基板P的曝光结束(步骤ST2)至次一基板P的对准标记检测为止(步骤ST7)的期间。

又，第2期间亦可以是对基板P的曝光用光EL的照射结束后(步骤ST2)，以第1保持部31保持曝光前基板P的基板载台2开始移动至曝光位置EP为止(步骤ST6)的期间。

又，第2期间亦可以是对基板P的曝光用光EL的照射结束后(步骤ST2)，将曝光前基板P搬入第1保持部31为止(步骤ST5)的期间。

又，第2期间亦可以是对基板P的曝光用光EL的照射结束后(步骤ST2)，将基板P从第1保持部31搬出为止(步骤ST4)的期间。

又，第2期间亦可以是对基板P的曝光用光EL的照射结束后(步骤ST2)，以第1保持部31保持该曝光后基板P的基板载台2开始移动至基板更换位置EP为止(步骤ST3)的期间。

又，第2期间亦可以是基板载台2被配置于基板更换位置RP的期间。此外，第2期间亦可以是基板P未被保持在第1保持部31的期间。基板P未被保持在第1保持部31的期间，包含从曝光后的基板P被从第1保持部31搬出(步骤ST4)至曝光前的基板P被搬入第1保持部31为止(步骤ST5)的期间(基板更换处理期间)。又，基板P未被保持在第1保持部31的期间不限于基板更换处理期间。

又，第2期间可以是步骤ST3～ST7的期间、步骤ST3～ST6的期间、步骤ST3～ST5的期间、步骤ST3～ST4的期间、步骤ST4～ST7的期间、或步骤ST4～ST6的期间。

本实施形态中，控制装置8控制在基板P(多个照射区域S)的曝光中从吸引口24(多孔构件80)以第1吸引力吸引流体，在对基板P的最后一个照射区域S的曝光用光EL的照射结束时(步骤ST2)，将吸引口24(多孔构件80)的吸引力从第1吸引力变更为第2吸引力。此场合，第2期间亦包含对基板P(多个照射区域S)的曝光用光EL的照射结束后，于终端光学元件12及液浸构件7与基板P的上面及基板载台2的上面2U中至少一方之间形成有液浸空间LS的期间。

又，亦可在从液浸空间LS形成于基板载台2上的状态变化成形成于测量载台3上的状态时(例如步骤ST3)，将吸引口24(多孔构件80)的吸引力从第1吸引力变更为第2吸引力。此场合，曝光用光EL的照射结束后，在液浸空间LS形成于基板P的上面及基板载台2的上面2U中至少一方之上的期间中，从吸引口24(多孔构件80)以第1吸引力吸引流体。

当然，亦可在将曝光后的基板P从第1保持部31搬出时(步骤ST4)，将吸引口24(多孔构件80)的吸引力从第1吸引力变更为第2吸引力。

又，亦可在将曝光前的基板P搬入第1保持部31时(步骤ST5)，将吸引口24(多孔构件80)的吸引力从第2吸引力变更为第1吸引力。

又，亦可在从液浸空间LS形成于测量载台3上的状态变化成形成于基板载台2上的状态时(例如步骤ST6)，将吸引口24(多孔构件80)的吸引力从第2吸引力变更为第1吸引力。

又，亦可在检测基板P的对准标记时(步骤ST7)，将吸引口24(多孔构件80)的吸引力从第2吸引力变更为第1吸引力。

此外，亦可在对基板P的最初的照射区域S开始照射曝光用光EL时(步骤ST1)，将吸引口24(多孔构件80)的吸引力从第2吸引力变更为第1吸引力。

再者，本实施形态，例如可在对基板P(照射区域S)照射曝光用光EL的扫描曝光动作中实施吸引口24(多孔构件80)的流体吸引动作，而在不对基板P照射曝光用光EL的步进动作中停止吸引口24(多孔构件80)的流体吸引动作。当然，亦可在不对基板P照射曝光用光EL的步进动作中实施吸引口24(多孔构件80)的流体吸引动作，而在对基板P(照射区域S)照射曝光用光EL的扫描曝光动作中停止吸引口24(多孔构件80)的流体吸引动作。

此外，本实施形态，可在扫描曝光动作中从吸引口24(多孔构件80)以第1吸引力吸引流体，而于步进动作中从吸引口24(多孔构件80)以第2吸引力吸引流体。

如以上的说明，根据本实施形态，由于设计成将流入间隙Ga的液体LQ通过至少一部分配置在间隙Ga的多孔构件80加以回收，因此能抑制液体LQ的残留。是以，能抑制曝光不良的发生、以及不良元件的产生。

又，本实施形态中，多孔构件80的上面80A对液体LQ为拨液性，因此能抑制液体LQ残留于上面80A。

＜第2实施形态＞

其次，说明第2实施形态。以下的说明中，与上述实施形态相同或同等的构成部分赋予相同符号，并简化或省略其说明。

图8显示第2实施形态的基板载台200A的一实施例的图。如图8所示，本实施形态中，多孔构件80配置成多孔构件80的第2侧面80C与覆盖构件T的内面Tc接触。又，图8所示例中，省略了支承构件82。当然，亦可于图8所示例中配置支承构件82。

又，本实施形态中，基板载台200A具备调整多孔构件80的温度的温度调整装置305。温度调整装置305，例如包含帕耳帖元件。

本实施形态中，温度调整装置305以和盒81接触的方式配置。温度调整装置305通过盒81调整多孔构件80的温度。温度调整装置305亦能调整盒81的温度。

此外，温度调整装置305亦可配置成与多孔构件80的至少一部分接触。

又，温度调整装置305亦可包含将经温度调整的流体(气体及液体的一方或双方)供应至例如盒81内部形成的流路的供应装置。

又，本实施形态中，基板载台2具备调整覆盖构件T的温度的温度调整装置306。温度调整装置306，例如包含帕耳帖元件。本实施形态中，温度调整装置306以和覆盖构件T的下面Tb接触的方式配置。本实施形态中，温度调整装置306配置成在周壁部38与周壁部39间的空间32H，接触覆盖构件T的下面Tb。又，温度调整装置306亦可不接触覆盖构件T。例如，温度调整装置306可以和覆盖构件T的下面Tb对向的方式配置于支承面32S。

此外，温度调整装置306亦可包含例如将经温度调整的流体(气体及液体的一方或双方)供应至覆盖构件T内部形成的流路的供应装置。

又，亦可设置调整于第1实施形态说明的多孔构件80的温度的温度调整装置、以及调整覆盖构件T的温度的温度调整装置。

又，上述实施形态中，于盒81的周围可以没有间隙。此外，亦可设置用以回收流入盒81周围的间隙的液体LQ的回收口。

＜第3实施形态＞

其次，说明第3实施形态。以下的说明中，与上述实施形态相同或同等的构成部分赋予相同符号，并简化或省略其说明。

图9显示第3实施形态的基板载台200B的一实施例的图。图9中，多孔构件800B包含板片状部分801B、板片状部分802B、与棒状部分803B。

部分801B于空间部23配置成面向间隙Ga。部分802B则于空间部23配置成面向吸引口24。部分803B配置在部分801B与部分802B之间。

本实施形态中，多孔构件800B未配置在间隙Ga。又，可将多孔构件800B(部分801B)的至少一部分配置于间隙Ga。

又，图9所示例中，覆盖构件T2的下面Tb的一部分的区域84B、及内面Tc的一部分的区域84C，对液体LQ为亲液性。区域84B是相对开口Th(第1保持部31)的中心，较周壁部38为内侧的区域。区域84C包含内面Tc的下端、不包含上端的区域。区域84C的下端与区域84B连结。下面Tb的区域84B与多孔构件800B(部分801B)的上面对向。

本实施形态中，下面Tb(区域84B)与多孔构件800B(部分801B)的上面，隔着间隙对向。又，下面Tb(区域84B)与多孔构件800B(部分801B)的上面亦可以是接触的。

本实施形态中，对液体LQ的区域84B、84C的接触角例如小于90度。对液体LQ的区域84B、84C的接触角，可以是例如80度以下、亦可以是70度以下。

本实施形态中，下面Tb的一部分及内面Tc的一部分涂有亲液性的材料。亦即，于下面Tb的一部分及内面Tc的一部分，配置有包含亲液性的材料。又，区域84B、84C可以是例如钛的表面。

本实施形态中，对液体LQ的覆盖构件T的内面Tc的区域84C的接触角，较覆盖构件T的上面Ta的接触角小。又，对液体LQ的覆盖构件T的下面Tb的区域84B的接触角，较覆盖构件T的上面Ta的接触角小。

又，本实施形态中，区域84C上方的内面Tc的区域84D，相对开口Th(第1保持部31)的中心朝外侧向上方倾斜。

流入间隙Ga的液体LQ通过多孔构件80B加以回收。通过多孔构件800B回收的液体LQ的至少一部分从吸引口24吸引。

如以上的说明，本实施形态，亦能回收流入间隙Ga的液体LQ，以抑制液体LQ的残留。

＜第4实施形态＞

其次，说明第4实施形态。以下的说明中，与上述实施形态相同或同等的构成部分赋予相同符号，并简化或省略其说明。

图10显示第4实施形态的基板载台200C的一实施例的图。图10中，基板载台2具备对覆盖构件T2赋予超音波的超音波产生装置85。超音波产生装置85包含例如压电元件等的超音波产生元件。

又，本实施形态中，虽将第3实施形态所说明的覆盖构件T2保持于第2保持部32，但亦可是将第1、第2实施形态所说明的覆盖构件T保持于第2保持部32。

超音波产生装置85与覆盖构件T2的至少一部分接触。本实施形态中，超音波产生装置85配置成与覆盖构件T2的背面Tb接触。

本实施形态中，超音波产生装置85配置在周壁部38与周壁部39间的空间32H，与背面Tb接触。本实施形态中，第2保持部32具有配置在空间32H、用以支承超音波产生装置85的支承部86。

于空间部23配置多孔构件800。本实施形态中，虽未于间隙Ga配置多孔构件800，但亦可将多孔构件800的至少一部分配于间隙Ga。

通过超音波产生装置85的作动，使覆盖构件T2振动。由于覆盖构件T2振动，存在于间隙Ga的液体LQ即顺畅的移动至空间部23。例如于间隙Ga残留有液体LQ的情形时，通过覆盖构件T2的振动，该液体LQ即掉落至空间部23。又，在例如液体LQ(例如液体LQ之滴)附着在覆盖构件T2的内面Tc的情形时，通过覆盖构件T2的振动，附着在该内面Tc的液体LQ即掉落至空间部23。此外，在内面Tc与侧面Pc之间存在液体LQ的界面的情形时，通过覆盖构件T2的振动，该液体LQ的界面即往空间部23移动。

从间隙Ga移动至空间部23的液体LQ，通过多孔构件800加以回收。

通过多孔构件800回收的液体LQ的至少一部分，从吸引口24加以吸引。

如以上的说明，本实施形态，亦能回收流入间隙Ga的液体LQ，以抑制液体LQ的残留。

＜第5实施形态＞

其次，说明第5实施形态。以下的说明中，与上述实施形态相同或同等的构成部分赋予相同符号，并简化或省略其说明。

图11显示第5实施形态的基板载台200D的一实施例的图。图11中，基板载台200D，具备将基板P的下面Pb以可释放的方式加以保持的第1保持部31与用以规定可配置基板P的开口Uh、具备在基板P被保持于第1保持部31的状态下配置在基板P的上面Pa周围的上面Ua的回收构件U。

本实施形态中，回收构件U配置在第1保持部31周围的至少一部分。回收构件U的至少一部分配置成围绕周壁部35。本实施形态中，回收构件U与周壁部35间形成间隙Gb。又，回收构件U与周壁部35的至少一部分可以是接触的。

本实施形态中，回收构件U被支承于基板载台2的保持部87。保持部87将回收构件U以可释放的方式加以保持。又，回收构件U与基板载台2可以是一体的。

本实施形态中，上面Ua与XY平面大致平行。上面Ua与上面Pa配置在同一平面内(成一面)。又，于Z轴方向的上面Ua的位置与上面Pa的位置可以不同。例如，上面Ua可以配置在上面Pa低的位置(－Z侧的位置)、亦可以配置在较其高的位置(+Z侧的位置)。

又，回收构件U具有被保持于第1保持部31的基板P的侧面Pc可对向的内面Uc、与至少一部分与基板P的下面Pb对向的对向面Ub。

本实施形态中，回收构件U的内面Uc与基板P的侧面Pc间形成有间隙Ga。又，对向面Ub与基板P的下面Pb间形成有间隙Gc。亦即，回收构件U与基板P是分离的。

本实施形态中，上面Ua对液体LQ为拨液性。本实施形态中，对液体LQ的上面Ua的接触角较内面Uc的接触角大。又，对液体LQ的上面Ua的接触角可以较内面Uc的接触角小、亦可与内面Uc的接触角大致相同。

回收构件U具有配置成与第1保持部31所保持的基板P的侧面Pc对向的回收口88。回收口88回收流体(气体及液体的至少一方)。

回收口88回收流入基板P与回收构件U间的间隙Ga的液体LQ的至少一部分。本实施形态中，回收口88为多个配置在基板P的周围。

回收构件U具有空间部89。空间部89形成在回收构件U的内部。

回收口88与空间部89的至少一部分连结。从回收口88回收的液体LQ，流过空间部89的至少一部分。

本实施形态中，回收构件U具有面向空间部89的吸引口90。本实施形态中，吸引口90形成在形成空间部89的回收构件U的内面的至少一部分。吸引口90吸引空间部89的流体的至少一部分，以使空间部89成为负压。吸引口90能吸引空间部89的液体及气体的一方或双方。

吸引口90通过流路91与流体吸引装置92连接。流体吸引装置92可将吸引口90连接于真空系统，可通过吸引口90吸引液体及气体的一方或双方。从吸引口90吸引的流体(液体及气体的至少一方)通过流路91被吸引至流体吸引装置92。

流入间隙Ga的液体LQ的至少一部分从回收口88加以回收。回收流入间隙Ga的液体LQ时，控制装置8控制流体吸引装置92，将吸引口90连接于真空系统。当空间部89的流体从吸引口90被吸引而空间部89成为负压时，回收口88周围的流体即从回收口88被回收。

通过进行吸引口90的吸引动作，流入回收构件U的内面Uc与基板P的侧面Pc之间的液体LQ，从回收口88被回收。亦即，回收构件U将流入内面Uc与侧面Pc之间的液体LQ，从与基板P的侧面Pc对向的回收口88加以回收。

如以上的说明，本实施形态，亦能回收流入间隙Ga的液体LQ，以抑制液体LQ的残留。

又，如图11所示，亦可设置用以调整回收构件U的温度的温度调整装置93。例如，用以调整回收构件U的温度的帕耳帖元件，可以配置成与回收构件U接触。

＜第6实施形态＞

其次，说明第6实施形态。以下的说明中，与上述实施形态相同或同等的构成部分赋予相同符号，并简化或省略其说明。

图12显示第6实施形态的基板载台200E的一实施例的图。图12中，基板载台200E，具备将基板P的下面Pb以可释放的方式加以保持的第1保持部31与用以规定可配置基板P的开口Th、具有在基板P被保持于第1保持部31的状态下配置在基板P的上面Pa周围的上面Ta的覆盖构件T3。

本实施形态中，覆盖构件T3包含多孔构件。覆盖构件T3具有能与基板P的侧面Pc对向的内面Tc。覆盖构件T3配置在内面Tc，能从基板P的侧面Pc对向的多孔构件的孔回收流入间隙Ga的液体LQ的至少一部分。

本实施形态中，覆盖构件T3通过流路94与流体吸引装置95连接。流体吸引装置95可将覆盖构件T3连接于真空系统。控制装置8控制流体吸引装置95，可通过将覆盖构件T3连接于真空系统，而从基板P的侧面Pc对向的覆盖构件T3的孔回收流入间隙Ga的液体LQ的至少一部分。

＜第7实施形态＞

其次，说明第7实施形态。以下的说明中，与上述实施形态相同或同等的构成部分赋予相同符号，并简化或省略其说明。

图13显示第7实施形态的基板载台200F的一实施例的图。图13中，基板载台200F，具备将基板P的下面Pb以可释放的方式加以保持的第1保持部31与用以规定可配置基板P的开口Th、具有在基板P被保持于第1保持部31的状态下配置在基板P的上面Pa周围的上面Ta的覆盖构件T。又，基板载台2具有连通至基板P与覆盖构件T间的间隙Ga的空间部23。

本实施形态中，基板载台200F具备配置在空间部23、具有可回收流入间隙Ga的液体LQ的至少一部分的回收口95的回收构件100。

回收构件100，包含配置成至少一部分为面向间隙Ga的多孔构件97与支承多孔构件97、在与多孔构件97之间形成空间99的支承构件98。

多孔构件97为板片状。多孔构件97具有至少一部分为面向间隙Ga的上面97A、朝向上面97A的相反方向而面向空间99的下面97B、以及将上面97A与下面97B加以连结的多个孔97H。本实施形态中，回收口95包含孔97H的上端。

又，回收构件100具有面向空间99、对空间99供应液体LQ的供应口110、与回收空间99的液体LQ的回收口111。供应口110通过流路112与液体供应装置113连接。回收口111通过流路114与液体回收装置115连接。

本实施形态中，从回收口95实质上仅回收液体LQ，不回收气体。

本实施形态中，从回收口95回收流入间隙Ga的液体LQ时，控制装置8控制液体供应装置113及液体回收装置115的至少一方，将空间99以液体LQ充满。又，控制装置8调整上面97A侧的压力(腔室装置103的空间102的压力)与下面97B侧的压力(空间99的压力)间之差，以从回收口95仅回收液体LQ而不回收气体。控制装置8可控制腔室装置103(空调系统105)调整空间102的压力。此外，控制装置8可控制液体供应装置113及液体回收装置115的至少一方，以调整空间99的压力。控制装置8调整空间102的压力及空间99的压力的至少一方，以从回收口95仅回收液体LQ而不回收气体。控制装置8，根据例如对液体LQ的孔97H内面的接触角、以及液体LQ的表面张力等，调整空间102的压力与空间99的压力之差。通过多孔构件仅回收液体的技术，已揭露于例如美国专利第7292313号说明书等。

流入间隙Ga的液体LQ，通过多孔构件95加以回收。通过多孔构件95流入空间99的液体LQ的至少一部分，通过回收口111回收至液体回收装置115。

如以上的说明，本实施形态，亦能回收流入间隙Ga的液体LQ，以抑制液体LQ的残留。

又，图13所示的孔构件97，于金属板片形成多个孔97H据以形成。此外，亦可通过以例如图14所示的藉烧结法形成的多孔构件116来回收液体LQ。图14所示例中，亦可通过调整空间99的压力与空间102的压力之差，据以通过多孔构件116仅回收液体LQ。

＜第8实施形态＞

其次，说明第8实施形态。以下的说明中，与上述实施形态相同或同等的构成部分赋予相同符号，并简化或省略其说明。

图15显示第8实施形态的基板载台200H的一实施例的图。图15中，基板载台200H，具备将基板P的下面Pb以可释放的方式加以保持的第1保持部31与用以规定可配置基板P的开口Th、具有在基板P被保持于第1保持部31的状态下配置在基板P的上面Pa周围的上面Ta的覆盖构件T。又，基板载台200H具有连通至基板P与覆盖构件T间的间隙Ga的空间部23。

本实施形态中，基板载台200H，具备配置于空间部23、具有可回收流入间隙Ga的液体LQ的至少一部分的回收口118的回收构件117。

回收构件117，具有配置成至少一部分面向间隙Ga的回收口118、与回收口118连结而形成在内部的空间119、以及面向空间119用以回收空间119的流体的回收口120。回收口120通过流路121与流体回收装置122连接。

本实施形态中，从回收口118回收液体LQ及气体。当然，亦可从回收口118仅回收液体LQ、或仅回收气体。

从回收口118回收流入间隙Ga的液体LQ时，控制装置8控制流体回收装置122以使空间119成为负压。据此，流入间隙Ga的液体LQ的至少一部分即被从回收口118回收。通过回收口118流入空间119的液体LQ的至少一部分，则通过回收口120回收至流体回收装置122。此外，从回收口118流入空间119的气体，亦通过回收口120回收至流体回收装置122。

本实施形态中，基板载台200H具有调整回收构件117的温度的温度调整装置123。温度调整装置123，具有：具有供温度调整用流体流动的流路124的调温构件125、与将经温度调整的流体供应至流路124的供应装置126。调温构件125配置成与回收构件117接触。供应装置126将例如经温度调整的液体供应至流路124。又，供应装置126亦可以是将经温度调整的气体供应至流路124。此外，流路124的流体可回到供应装置126、亦可回收至与供应装置126不同的其他装置(例如回收装置)。

又，温度调整装置123可包含例如帕耳帖元件。例如，可将帕耳帖元件配置成与回收构件117接触。

＜第9实施形态＞

其次，说明第9实施形态。以下的说明中，与上述实施形态相同或同等的构成部分赋予相同符号，并简化或省略其说明。

图16显示第9实施形态的基板载台200L的一实施例的图。图16中，基板载台200L，具备将基板P的下面Pb以可释放的方式加以保持的第1保持部31与用以规定可配置基板P的开口Th、具有在基板P被保持于第1保持部31的状态下配置在基板P的上面Pa周围的上面Ta的覆盖构件T10。又，基板载台200L具有连通至基板P与覆盖构件T10间的间隙Ga的空间部23。于空间部23配置有多孔构件800L。多孔构件800L的至少一部分配置在间隙Ga的下方。流入间隙Ga的液体LQ的至少一部分是通过多孔构件800L加以回收。

本实施形态中，覆盖构件T10，具有基板P的侧面Pc可对向的第1内面Tc11与配置在第1内面Tc11下方、相对第1保持部31较第1内面Tc11远离的第2内面Tc12。

又，覆盖构件T10具有与第1内面Tc11的下端连结、朝向上面Ta的相反方向的下面Tc13。第2内面Tc12与下面Tc13的外缘连结。下面Tc13与第2内面Tc12的上端连结。

本实施形态中，第1内面Tc11与第2内面Tc12实质上平行。第1内面Tc11及第2内面Tc12与终端光学元件12的光轴(Z轴)实质上平行。本实施形态中，上面Ta与下面Tc13实质上平行。

本实施形态中，第1内面Tc11及第2内面Tc12与上面Ta的法线实质上平行。

于上面Ta的法线方向(Z轴方向)，第1内面Tc11的尺寸H11较第2内面Tc12的尺寸H12小。尺寸H11包含上面Ta与下面Tc13间的距离。

多孔构件800L的上面800La的一部分隔着间隙与下面Tc13对向。

本实施形态中，上面800La为多孔构件800的上端。本实施形态中，上面800La系配置在较覆盖构件T10的上面Ta的下方、较第1保持部31的保持面36S上方处。又，上面800La配置在较第1内面Tc11的下端下方、较第2内面Tc12的下端上方处。此外，如图16所示，在基板P被保持于第1保持部31的状态下，上面800La配置在基板P与覆盖构件T10之间。又，多孔构件800L外侧面的至少一部分，隔着间隙与第2内面Tc12对向。此外，多孔构件800L内侧面的至少一部分与基板P的侧面Pc对向。本实施形态中，多孔构件800L不与第1内面Tc11对向。

又，本实施形态中，亦可配置成多孔构件800L的至少一部分与第1内面Tc11对向。

根据本实施形态，例如基板载台200L以液浸空间LS从覆盖构件T10的上面Ta移动至基板P的上面Pa的方式移动的情形时，可防止液体LQ残留在间隙Ga近旁的覆盖构件T10的上面Ta的现象、或防止液体LQ留在间隙Ga的现象(所谓架桥现象)。

又，如图17所示，多孔构件800M的上面800Ma的一部分可与下面Tc13接触。此外，如图17所示，多孔构件800M的上面800Ma与下面Tc13可通过粘着剂800Mc加以粘着。又，多孔构件800M外侧面的一部分可与第2内面Tc12接触。

又，如图17所示，多孔构件800M可具有角部800Mk。角部800Mk面向间隙Ga。又，下面Tc13的一部分亦可不与多孔构件800M对向。换言之，下面Tc13可具有与多孔构件800M对向的对向区域、与不对向的非对向区域。此外，亦可于下面Tc13的非对向区域与多孔构件800M(角部800Mk)之间形成有空间800Ms。

＜第10实施形态＞

其次，说明第10实施形态。以下的说明中，与上述实施形态相同或同等的构成部分赋予相同符号，并简化或省略其说明。

图18显示第10实施形态的基板载台200N的一实施例的图。图18中，基板载台200N，具备将基板P的下面Pb以可释放的方式加以保持的第1保持部31与用以规定可配置基板P的开口Th、具有在基板P被保持于第1保持部31的状态下配置在基板P的上面Pa周围的上面Ta的覆盖构件T11。又，基板载台200N具有连通至基板P与覆盖构件T11间的间隙Ga的空间部23。于空间部23配置有多孔构件800N。流入间隙Ga的液体LQ的至少一部分通过多孔构件800N加以回收。

如图18所示，基板P的侧面Pc对向的覆盖构件T11的内面Tc的至少一部分，是相对第1保持部31的中心朝外侧向下方倾斜。

本实施形态中，通过多孔构件800N将空间部23中的液体LQ与气体Gs分离回收。本实施形态中，于多孔构件800N形成有主要是气体Gs流通、而液体LQ的流通受到限制的流路127R。流路127R的一端与空间部23的气体空间连接。流路127R的另一端与包含真空系统的流体吸引装置127连接。流路127R的尺寸(直径)较多孔构件800N的孔的尺寸大。

多孔构件800N通过流路128R与包含真空系统的流体吸引装置128连接。流路128R的一端(上端)与多孔构件800N的下面连接。

空间部23的液体LQ流过与流路127R不同的多孔构件800R的内部流路，被回收至流体吸引装置128。

从间隙Ga流入空间部23的液体LQ，接触多孔构件800N的表面(上面等)。通过流体吸引装置128的作动，接触于该多孔构件800N表面的液体LQ，通过多孔构件800N被回收至流体吸引装置128。

又，通过流体吸引装置127的作动，空间部23的气体Gs经由流路127R被回收至流体吸引装置127。又，通过流体吸引装置127的作动，生成从间隙Ga之上侧空间(上面Pa、Ta侧的空间)流向空间部23的气体Gs的流动。通过该气体Gs的流动，可将该液体LQ拉至空间部23，防止例如液体LQ停留于间隙Ga的现象(所谓架桥现象)。

又，于流路127R实质上仅气体Gs流过，液体LQ并不流过，因此可抑制汽化热的发生。

又，如图19所示，亦可调整多孔构件800N下面侧的压力与上面侧的压力之差，以在连接于多孔构件800N下面的流路128Rb被液体LQ充满的状态下，通过多孔构件800N将液体LQ回收至流体吸引装置128b。本实施形态中，多孔构件800N下面侧的压力可藉流体吸引装置128b加以调整。多孔构件800N上面侧的压力可藉例如腔室装置103(空调系统105)加以调整。又，通过多孔构件仅回收液体的技术例已揭露于例如美国专利第7292313号说明书等。

＜第11实施形态＞

其次，说明第11实施形态。以下的说明中，与上述实施形态相同或同等的构成部分赋予相同符号，并简化或省略其说明。

图20显示本实施形态的基板载台200J的一部分的侧视剖面图，图21是从上侧(+Z侧)所视的基板载台200J的一部分的图。图20及图21中，基板载台200J，具备将基板P以可释放的方式加以保持的第1保持部31J、将覆盖构件T以可释放的方式加以保持的第2保持部32J、以及通至基板P的上面Pa与覆盖构件T的上面Ta间的间隙Ga的空间部23。空间部23包含周壁部35周围的空间。本实施形态中，空间部23包含周壁部35与周壁部38间的空间。

又，图21显示了第1保持部31J上没有基板P、第2保持部32J上没有覆盖构件T的状态。又，图20及图21所示例中，基板载台200J虽是具有第1实施形态所说明的多孔构件80，但亦可以是具有第2～第10实施形态中任一形态所说明的多孔构件(回收构件)。

第1保持部31J，具有配置在周壁部35内侧、基板P的下面Pb可对向的周壁部43与将气体供应至周壁部35与周壁部43间的空间部44的供气口45。又，第1保持部31J具有排出空间部44的流体(液体及气体的一方或双方)的排出口46。

第1保持部31J的支承部36配置在周壁部43的内侧。本实施形态，在基板P的下面Pb与周壁部43的上面对向的状态下，于基板P的下面Pb与周壁部43与支承面31S之间形成空间31H。

如图21所示，供气口45沿着周壁部43(周壁部35)配置有多个。排出口46沿周壁部43(周壁部35)配置有多个。本实施形态中，于供气口45的一方及另一侧分别配置有排出口46。换言之，于2个排出口46之间配置有供气口45。又，本实施形态中，于排出口46的一方及另一侧分别配置有供气口45。换言之，于2个供气口45之间配置有排出口46。亦即，本实施形态中，于周壁部43周围，多个供气口45与多个排出口46交互配置。当然，多个供气口45与多个排出口46亦可以不是交互配置。例如，可于供气口45的一侧配置排出口46、于另一侧配置供气口45。例如，于排出口46的一侧配置供气口45、于另一侧配置排出口46。

本实施形态中，供气口45是通过流路与供气装置连接。供气装置，包含例如可送出气体的泵、可调整所供应的气体的温度的温度调整装置、以及可除去所供应的气体中的异物(杂质)的过滤装置等。

本实施形态中，排出口46是通过流路与流体吸引装置连接。流体吸引装置，包含例如可吸引流体(气体及液体的一方或双方)的泵、以及将所吸引的气体与液体加以分离的气液分离装置等。

连接于供气口45的供气装置、及连接于排出口46的流体吸引装置受控制装置8控制。控制装置8可控制从供气口45的供气动作及从排出口46的排气动作(吸引动作)。通过从供气口45供应气体、并从排出口46排出排气(吸引)流体，如图21所示，于空间部44生成气流F。例如，于空间部44，气体从供气口45朝向排出口46流动。

如图20所示，被保持于第1保持部31J的基板P与被保持于第2保持部32的覆盖构件T之间形成间隙Ga。基板P的上面Pa及覆盖构件T的上面Ta的至少一方面向的空间中存在的液体LQ(例如液浸空间LS的液体LQ)，有可能通过间隙Ga流入空间部23。

又，液体LQ有可能流入例如空间部44。例如，空间部23的液体LQ有可能通过基板P的下面Pb与周壁部35上面之间而流入空间部44。本实施形态中，排出口46可吸引空间部44的液体LQ。控制装置8可控制实施排出口46的吸引动作，以从空间部44除去液体LQ。据此，液体LQ流入空间31H的情形即受到抑制。

＜第12实施形态＞

其次，说明第12实施形态。以下的说明中，与上述实施形态相同或同等的构成部分赋予相同符号，并简化或省略其说明。

图22显示第12实施形态的基板载台200K的一部分的图。图22是从上方所视的基板载台200K的周壁部35及周壁部38的图。基板载台200K为例如第1实施形态所说明的基板载台2中省略多孔构件80的形态。

如图22所示，于第1保持部31的周壁部35与第2保持部32的周壁部38之间配置吸引口24。吸引口24于第1保持部31周围配置有多个。

吸引口24的各个，可回收流入基板P与覆盖构件T间的间隙Ga的液体LQ的至少一部分。图22所示例中，并未于空间部23配置多孔构件。

在液体LQ的液浸空间LS形成在终端光学元件12的射出面13侧的状态下，相对终端光学元件12，基板P及覆盖构件T于XY平面内移动。例如，与上述实施形态同样的，于基板P的曝光中，在液体LQ的液浸空间LS形成在终端光学元件12及液浸构件7与基板P及覆盖构件T的至少一方之间的状态下，相对终端光学元件12及液浸构件7，基板P及覆盖构件T于XY平面内移动。

本实施形态，根据相对液浸空间LS的间隙Ga的位置、以及相对液浸空间LS的间隙Ga的移动条件的一方或双方，进行从多个吸引口24中的部分的回收口24回收液体LQ。

图23用以说明本实施形态的曝光装置EX的一动作例的示意图。控制装置8根据例如形成在基板P周围的间隙Ga与液浸空间LS的位置关系，控制多个吸引口24的吸引动作。

本实施形态中，基板P周围的间隙Ga，分为例如第1部分AR1～第6部分AR6。控制装置8，在间隙Ga中、例如第2部分AR2上有液浸空间LS时，即进行从第1保持部31周围配置的多个吸引口24中、配置在可吸引流入第2部分AR2的液体LQ的位置的吸引口24的吸引动作。本实施形态，进行配置在紧临第2部分AR2下方的吸引口24的吸引动作。另一方面，控制装置8在第2部分AR2上有液浸空间LS时，并不进行从配置在第1保持部31周围的多个吸引口24中、配置在可回收在流入第1、第3、第4、第5、第6部分AR1、AR3、AR4、AR5、AR6的液体LQ的位置的吸引口24的吸引动作。例如，在第2部分AR2上存在液浸空间LS时，停止配置在紧临第1、第3、第4、第5、第6部分AR1、AR3、AR4、AR5、AR6下方的吸引口24的吸引动作。

又，控制装置8，在间隙Ga中、例如于第4部分AR4上有液浸空间LS时，即进行配置在第1保持部31周围的多个吸引口24中、配置在可回收流入第4部分AR4的液体LQ的位置的吸引口24的吸引动作。

另一方面，控制装置8在间隙Ga中、于第4部分AR4上有液浸空间LS时，并不进行配置在第1保持部31周围的多个吸引口24中、配置在可回收流入第1、第2、第3、第5、第6部分AR1、AR2、AR3、AR5、AR6的液体LQ的位置的吸引口24的吸引动作(停止)。

控制装置8可根据例如干涉仪系统11的测量结果，求出在XY平面内的液浸空间LS与第1部分～第6部分AR1～AR6间的位置关系。

本实施形态中，基板载台200K的位置是以干涉仪系统11加以测量。干涉仪系统11，对基板载台200K所具有的干涉仪用的测量镜2R照射检测光，以求出该基板载台200K的位置。基板载台200K所具有的测量镜2R与间隙Ga(第1部分AR1～第6部分AR6)间的位置关系为已知。因此，控制装置8可根据干涉仪系统11的测量结果，求出在干涉仪系统11的坐标系内的间隙Ga(第1部分AR1～第6部分AR6)的位置。

又，本实施形态中，液浸空间LS的液体LQ的界面LG的位置为已知。此外，在终端光学元件12及液浸构件7与基板载台200K等物体间形成有液浸空间LS的状态下物体移动时的界面LG的位置，亦为已知。例如，界面LG的位置，是根据包含从液浸构件7的供应口15的每单位时间的液体供应量、及从回收口16的每单位时间的液体回收量的液浸条件来加以决定。

又，界面LG的位置，是根据在形成液浸空间LS的状态下的物体移动条件(移动速度、加速度、于某一方向的移动距离、及移动轨迹等)加以决定。

例如，根据液浸条件及移动条件的至少一方决定的界面LG的位置，可根据预备实验或模拟求出。本实施形态中，控制装置8包含存储装置8R，与根据液浸条件及移动条件的至少一方决定的界面LG的位置相关的信息，储存于存储装置8R。

因此，控制装置8可根据干涉仪系统11的测量结果、与存储装置8R的储存信息，求出在干涉仪系统11的坐标系内的间隙Ga(第1部分AR1～第6部分AR6)与液浸空间LS(界面LG)间的位置关系。

本实施形态中，控制装置8根据间隙Ga(第1部分AR1～第6部分AR6)与界面LG间的位置关系，进行从多个吸引口24中的部分吸引口24的吸引动作。例如，在第1部分AR1上配置液浸空间LS的前一刻，控制装置8及开始与原本停止吸引动作的第1部分AR1对应的吸引口24(例如，紧临第1部分AR1下方的吸引口24)的吸引动作。

据此，例如在液浸空间LS配置在第1部分AR1上时，可将流入第1部分AR1的液体LQ的至少一部分从对应该第1部分AR1的吸引口24吸引。此外，紧接着在液浸空间LS通过第1部分AR1之上后，控制装置8可停止与原本进行吸引动作的第1部分AR1对应的吸引口24的吸引动作。此外，控制装置8亦可在液浸空间LS通过第2部分AR2～第6部分AR6各个之上时，实施同样的控制。

又，本实施形态中，例如图24所示，可于空间部23配置多孔构件80J。于多孔构件80J下方，配置有多个参照图22所说明的吸引口24。通过多个吸引口24中的部分吸引口24的吸引动作的进行，实施使用多孔构件80J中、配置在进行吸引动作的该吸引口24上方的多孔构件80J的一部分的液体回收动作。图24所示例中，控制装置8亦可根据相对液浸空间LS的间隙Ga的位置、以及相对液浸空间LS的间隙Ga的移动条件的一方或双方，从多孔构件80J的一部分进行液体LS的回收。

此外，亦可在基板P周围配置多个参照图4、图8、图11、图12及图20等所说明的配置成与基板P的侧面Pc对向的回收口，根据相对液浸空间LS的间隙Ga的位置、以及相对液浸空间LS的间隙Ga的移动条件的一方或双方，从该等多个回收口中的部分回收口进行液体LQ的回收。

又，本实施形态，是根据相对液浸空间LS的间隙Ga的位置、及相对液浸空间LS的间隙Ga的移动条件的一方或双方，从多个回收口24中的部分回收口24进行液体LQ的回收。但本实施形态，亦可根据例如相对终端光学元件12的间隙Ga的位置、及相对液浸空间LS的间隙Ga的移动条件的一方或双方，从多个回收口24中的部分回收口24进行液体LQ的回收。此外，亦可根据例如相对液浸构件7的间隙Ga的位置、及相对液浸构件7的间隙Ga的移动条件的一方或双方，从多个回收口24中的部分回收口24进行液体LQ的回收。

亦即，本实施形态，可将相对终端光学元件12的间隙Ga的位置，视为相对液浸空间LS的间隙Ga的位置，亦可将相对液浸构件7的间隙Ga的位置，视为相对液浸空间LS的间隙Ga的位置。又，亦可将相对终端光学元件12的间隙Ga的移动条件，视为相对液浸空间LS的间隙Ga的移动条件，将相对液浸构件7的间隙Ga的移动条件，视为相对液浸空间LS的间隙Ga的移动条件。

＜第13实施形态＞

其次，说明第13实施形态。以下的说明中，与上述实施形态相同或同等的构成部分赋予相同符号，并简化或省略其说明。

图25显示配置在基板P周围的覆盖构件T4的开口Tk的一实施例的示意图。基板P可配置在覆盖构件T4的开口Tk。覆盖构件T4的开口Tk，位在距第1保持部31中心的第1距离D1，包含被保持于第1保持部31的基板P的侧面Pc可对向的第1区域A1与和第1区域A1相邻配置、位在距第1保持部31中心较第1距离D1长的第2距离D2的第2区域A2。

本实施形态中，第2区域A2是于第1保持部31的周方向，与第1区域A1相邻配置。换言之，第1区域A1与第2区域A2在与终端光学元件12的光轴(Z轴)垂直的面内(XY平面内)彼此相邻。

本实施形态中，第1保持部31的周方向包含周壁部35的周方向。又，本实施形态中，周壁部35的周方向包含周壁部38的周方向。本实施形态中，周壁部35于XY平面内为实质圆形(圆环状)。周壁部38亦于XY平面内为实质圆形(圆环状)。本实施形态中，周壁部35的中心与周壁部38的中心实质一致。换言之，周壁部35与周壁部38配置成同心状。

又，本实施形态中，基板P的外形(基板P的边缘部Egp的形状)为实质圆形。于XY平面内，第1保持部31的中心(周壁部35的中心)与被保持于该第1保持部31的基板P的中心，实质一致。本实施形态中，第1保持部31的周方向包含沿被保持于第1保持部31的基板P的边缘部Egp的方向。当然，第1保持部31的中心与被保持于该第1保持部31的基板P的中心，可以不是一致的。

于被保持于第1保持部31的基板P的边缘部Egp周围，配置覆盖构件T4的边缘部(内侧边缘部)Egt。又，覆盖构件T4的上面Ta，配置在被保持于第1保持部31的基板P的上面周围。覆盖构件T4的开口Tk以覆盖构件T4的边缘部Egt加以规定。此外，边缘部Egt规定覆盖构件T4的上面Ta的缘(内缘)的至少一部分。

覆盖构件T4的边缘部Egt配置在第1保持部31的周围。于基板P的边缘部Egp与覆盖构件T4的边缘部Egt之间，沿第1保持部31的周方向形成间隙。基板P的边缘部Egp与覆盖构件T4的边缘部Egt，隔着间隙对向。

覆盖构件T4的边缘部Egt，是以保持于第1保持部31的基板P的边缘部Egp沿此的方式延伸于第1保持部31的周方向。

又，开口Tk包含将第1区域A1与第2区域A2加以连结的第3区域A3。

本实施形态中，第1～第3区域A1～A3包含由覆盖构件T4的上面Ta与内面Tc形成的角部的至少一部分。又，第1～第3区域A1～A3可包含覆盖构件T4的上面Ta的至少一部分、亦可包含内面Tc的至少一部分。

第1区域A1与第2区域A2于第1保持部31的周方向交互配置。亦即，开口Tk具有多个于第1保持部31的周方向交互配置、相对第1保持部31中心突出的凸部Tka与相对第1保持部31中心陷入的凹部Tkb。本实施形态中，第1区域A1于XY平面内为曲面(曲线)。第2区域A2于XY平面内为曲面(曲线)。

亦即，本实施形态中，覆盖构件T4的边缘部Egt，包含沿第1保持部31的周方向形成的多个凸部Tka。凸部Tka包含第1区域A1。凹部Tkb包含第2区域A2。多个凸部Tka包含于第1保持部31的周方向彼相邻的第1凸部Tka及第2凸部Tka。本实施形态中，覆盖构件T4的上面Ta包含凸部Tka的上面。

又，本实施形态中，于相对第1保持部31中心的放射方向的第1区域A1与第2区域A2间的距离Da，与于第1保持部31周方向彼此相邻的第1区域A1的距离R1大致相同。又，距离Da与于第1保持部31周方向彼此相邻的第2区域A2的距离R2大致相同。当然，距离Da可以较距离R1长。再者，距离Da亦可较距离R2长。

又，本实施形态中，多个凸部Tka是沿第1保持部31的周方向以一定间隔配置。于第1保持部31的周方向彼此相邻的第1凸部Tka与第2凸部Tka于第1保持部31周方向的距离R1，与第2凸部Tka与第3凸部Tka于第1保持部31周方向的距离R1实质相等。

本实施形态中，例如基板载台2以液浸空间LS从覆盖构件T4的上面Ta往基板P的上面Pa移动的方移动时，液浸空间LS的液体LQ例如残留于基板P上的情形受到抑制。

图26显示比较例的示意图。图26中，覆盖构件Tj的开口是沿基板P外形的形状。例如，当基板载台2以液浸空间LS从覆盖构件Tj上移至基板P上的方式往－Y方向移动时，液浸空间LS，即从图26中(A)所示状态、经图26中(B)所示状态，变化成图26中(C)所示状态。图26中(A)显示由于基板载台2往－Y方向的移动，而液浸空间LS从覆盖构件Tj上往基板P上的移动结束前一刻的状态。图26中(B)显示基板载台2从图26中(A)所示状态进一步往－Y方向移动的状态。图26中(C)则显示基板载台2从图22中(B)所示状态进一步往－Y方向移动的状态。

如图26中(C)所示，由于液浸空间LS从覆盖构件Tj上移至基板P上，因此液浸空间LS的液体LQ的一部分有可能被拉长、断开而成为滴状残留在基板P上。

本案发明人发现，液体LQ残留在基板P上的原因之一，配置在基板P周围的覆盖构件的形状。例如，液浸空间LS以通过间隙Ga上的方式从覆盖构件上往基板P上移动时，液浸空间LS的液体LQ会视覆盖构件的形状(间隙Ga的形状)流动。本案发明人发现，通过调整覆盖构件的形状，可使液体LQ以不会残留在基板P上的方式流动。亦即，本案发明人发现，通过对与基板P形成间隙Ga的覆盖构件的内侧边缘形状进行改善，可使得液浸空间LS从覆盖构件上往基板P上移动时，液体LQ易于从覆盖构件分离，而能抑制残留在基板P上。

以下说明中，将基板载台2于XY平面内往第1方向(例如－Y方向)移动的情形时，液浸空间LS的液体LQ的界面LG中相对终端光学元件12的光轴于第1方向侧(例如－Y侧)的界面LGb，适当的称为后侧界面LGb。

例如，当液体LQ因接触的物体的几何学上形状的急激变化而使得后侧界面LGb的形状变化，液体LQ会显示停留在物体的举动，其结果，即有可能产生完工在物体上的现象。图26所示例中，液浸空间LS依序移动于覆盖构件Tj上、间隙Ga上及基板P上，由于间隙Ga的存在，于覆盖构件Tj与基板P急激产生几何学上的形状变化。由于该几何学上的形状变化，液浸空间LS的液体LQ的流动即有可能产生液体LQ的至少一部分残留在基板P上的情形。

图27是以示意方式显示本实施形态的后侧界面LGb近旁的液体LQ的流动的图。

例如，在基板载台2以液浸空间LS从覆盖构件T4上移动至基板P上的方式往+Y方向移动的情形时，于后侧界面LGb近旁，液浸空间LS的液体LQ的至少一部分，有可能往图27中、以箭头fr所示方向流动。亦即，液浸空间LS的液体LQ的至少一部分会沿第3区域A3，从第2区域(凹部)A2朝向第1区域(凸部)A1流动。

本实施形态中，沿第3区域A3的方向，与液浸空间LS与基板载台2的相对移动方向(此处为Y轴方向)大致一致。亦即，液浸空间LS从覆盖构件T4上移动至基板P上时，液浸空间LS与基板载台2的相对移动方向(Y轴方向)与在后侧界面LGb近旁的液体LQ的流动方向(沿第3区域A3的方向)大致一致。因此，根据本实施形态的话，后侧界面LGb近旁的液体LQ朝第1区域A1(凸部Tka)流动，液浸空间LS的液体LQ在从覆盖构件T4分离的前一刻，液浸空间LS的液体LQ不与覆盖构件T4的第2区域A2及第3区域A3接触的可能性变高，而不会残留在基板P上。亦即，后侧界面LGb在从覆盖构件T4移动至基板P上时，可通过形成在覆盖构件T4的微细形状，得到减轻覆盖构件T4与液浸空间LS的液体LQ的接触面积的效果。据此，后侧界面LGb即能从覆盖构件顺利的离开，液体LQ残留在基板P上面的情形受到抑制。

如以上的说明，根据本实施形态，例如基板载台2以液浸空间LS从覆盖构件T4上移动至基板P上的方式移动的场合，能抑制基板P上液体LQ的残留。因此，能抑制曝光不良的发生、以及不良元件的产生。

又，本实施形态中，例如图28所示的覆盖构件T5般，于相对第1保持部31中心的放射方向的第1区域A1(凸部)与第2区域A2(凹部)间的距离Da，可较相对第1保持部31周方向的彼此相邻的第1区域A1的距离R1短、亦可较彼此相邻的第2区域A2的距离R2短。

又，亦可如图29所示的覆盖构件T6般，第1区域A1(凸部)及第2区域A2(凹部)具有角部。

此外，亦可如图30所示的覆盖构件T7般，第1区域A1与第3区域A3大致直角相交、第2区域A2与第3区域A3大致直角相交。图30所示例中，第3区域A3的尺寸可以较第1区域A1(第2区域A2)的尺寸小。

又，亦可如图31所示的覆盖构件T12般，在第1区域A1与第3区域A3大致直角相交、第2区域A2与第3区域A3大致直角相交的情形时，第3区域A3的尺寸较第1区域A1(第2区域A2)的尺寸大。亦即，于第1保持部31周方向的第1区域A1的尺寸W1，可较相对第1保持部31中心的放射方向的第1区域A1与第2区域A2间的距离Da小。此外，于第1保持部31周方向的第2区域A2的尺寸W2，可以较相对第1保持部31中心的放射方向的第1区域A1与第2区域A2间的距离Da小。

又，于第1保持部31周方向彼此相邻的第1区域A1的距离R1，可以较距离Da小。又，于第1保持部31周方向彼此相邻的第2区域A2的距离R2可以较距离Da小。

又，亦可如图32所示的覆盖构件T13般，配置在第1区域A1两侧的第3区域A3a与第3区域A3b间的距离，朝向第1区域A1慢慢的变小。

又，亦可如图33所示的覆盖构件T14般，配置在第1区域A1两侧的第3区域A3c与第3区域A3d的至少一部分平行。

＜第14实施形态＞

其次，说明第14实施形态。以下的说明中，与上述实施形态相同或同等的构成部分赋予相同符号，并简化或省略其说明。

图34显示本实施形态的覆盖构件T8的一实施例的剖面图。如图34所示，基板P的侧面Pc对向的覆盖构件T8的内面Tc的至少一部分，是相对第1保持部31中心朝外侧向上方倾斜。

本实施形态中，覆盖构件T8的内面Tc，包含第1内面Tc1与配置在第1内面Tc1上方、基板P的侧面Pc的至少一部分与的对向、下端与第1内面Tc1连结而上端与覆盖构件T8的上面Ta连结的第2内面Tc2。

第1内面Tc1与第2内面Tc2非平行。于覆盖构件T8的上面Ta的法线方向(Z轴方向)，第2内面Tc2的尺寸H2较第1内面Tc1的尺寸H1大。本实施形态中，第2内面Tc2是相对第1保持部31中心朝外侧向上方倾斜。本实施形态中，第1内面Tc1与Z轴大致平行。

又，第1内面Tc1的下端与覆盖构件T8的下面Tb连结。本实施形态中，覆盖构件T8的上面Ta与下面Tb大致平行。此外，上面Ta与XY平面大致平行。

本实施形态中，于Y轴方向(相对第1保持部31中心的放射方向)的第2内面Tc2的尺寸E2，较于Z轴方向的第2内面Tc2的尺寸H2大。又，第2内面Tc2相对XY平面的角度，例如为10度～45度。

图35显示液浸空间LS从覆盖构件T8上往基板P上移动的状态的一实施例的图。液浸空间LS，从图35中(A)所示的状态、经图35中(B)所示状态，变化至图35中(C)所示状态。图35显示基板载台2以液浸空间LS从覆盖构件T8上往基板P上移动的方式往+Y方向移动的状态的一实施例。

图35中(A)显示液浸空间LS的后侧界面LGb位于覆盖构件T8上的状态。图35中(B)显示后侧界面LGb从覆盖构件T8上往基板P上移动的状态。图35中(C)显示后侧界面LGb位于基板P上的状态。

由于覆盖构件T8具有包含倾斜的第2内面Tc2的内面Tc，因此在基板载台2以液浸空间LS从覆盖构件T8上往基板P上移动的方式移动时，液浸空间LS的液体LQ残留在基板P上的情形即受到抑制。

例如图35中(A)所示，后侧界面LGb的下端位于第2内面Tc2时，后侧界面LGb与第2内面Tc2所成角度接近90度。亦即，覆盖构件T8上形成液体LQ的薄膜的情形受到抑制。本实施形态中，后侧界面LGb在第2内面Tc2上移动时，如后侧界面LGb与第2内面Tc2所成角度为接近90度的值所示，换言之，为避免在第2内面Tc2上形成液体LQ的薄膜，调整了第2内面Tc2的尺寸H2、尺寸E2、及对XY平面的角度等。

如图35中(B)所示，在后侧界面LGb的下端从覆盖构件T8的第2内面Tc2移动至基板P的上面Pa之后一刻，后侧界面LGb与上面Pa所成角度接近90度。亦即，在基板P上形成液体LQ的薄膜的情形受到抑制。本实施形态中，在后侧界面LGb从第2内面Tc2上移动至基板P的上面Pa上时，如后侧界面LGb与上面Pa所成角度接近90度的值所示，换言之，为避免上面Pa上形成液体LQ的薄膜，调整了第2内面Tc2的尺寸H2、尺寸E2、及对XY平面的角度等。

如图35中(C)所示，在后侧界面LGb的下端位于基板P的上面Pa时，后侧界面LGb与基板P的上面Pa所成角度接近90度。亦即，基板P上形成液体LQ的薄膜的情形受到抑制。

图36中显示了比较例。图36中，覆盖构件Tj具有内面Tc。内面Tc与Z轴大致平行。

图36中(A)～图36中(C)显示基板载台2以液浸空间LS从覆盖构件Tj上往基板P上移动的方式往+Y方向移动的状态的一实施例的图。液浸空间LS从图36中(A)所示状态、经图36中(B)所示状态变化为图36中(C)所示状态。

图36中(A)显示液浸空间LS的后侧界面LGb位于覆盖构件Tj上的状态。图36中(B)显示后侧界面LGb从覆盖构件Tj上往基板P上移动的状态。图36中(C)则显示后侧界面LGb位于基板P上的状态。

如图36中(A)所示，后侧界面LGb的下端位于上面Ta的边缘时，后侧界面LGb与上面Ta所成的角度小。如图36中(B)所示，后侧界面LGb的下端从覆盖构件Tj的上面Ta移至基板P的上面Pa之后一刻，后侧界面LGb与上面Pa所成的角度亦小。亦即，基板P上形成液体LQ的薄膜的可能性变高。其结果，如图36中(C)所示，基板P上残留液体LQ的可能性变高。

如以上的说明，根据本实施形态，由于内面Tc包含倾斜的第2内面Tc2，因此在液浸空间LS从覆盖构件T8上移基板P上时，液体LQ薄膜化的情形受到抑制。因此，液体LQ残留在基板P上等的情况受到抑制。

此外，例如参照图25、图28～图33等所说明的覆盖构件的凸部，亦可具有参照图34等所说明的第2内面Tc2。亦即，覆盖构件T的凸部可具有从其前端部往离开第1保持部31的方向、且向上方倾斜的上面。

又，如图37所示，基板P的侧面Pc对向的覆盖构件T15的内面Tc的至少一部分，可相对第1保持部31的中心朝外侧向下方倾斜。图37中，覆盖构件T15的面Tc，包含第1内面Tc14与配置在第1内面Tc14下方、基板P的侧面Pc的至少一部分与的对向、上端与第1内面Tc14连结而下端与覆盖构件T15的下面Tb连结的第2内面Tc15。

第1内面Tc14与第2内面Tc15非平行。于覆盖构件T15的上面Ta的法线方向(Z轴方向)，第2内面Tc15的尺寸H15较第1内面Tc14的尺寸H14大。图37所示例中，第2内面Tc15相对第1保持部31的中心朝外侧向下方倾斜。第1内面Tc14与Z轴大致平行。

又，第1内面Tc14的上端与覆盖构件T15的上面Ta连结。覆盖构件T15的上面Ta与下面Tb大致平行。此外，上面Ta与XY平面大致平行。

于Y轴方向(相对第1保持部31中心的放射方向)的第2内面Tc15的尺寸E15，较于Z轴方向的第2内面Tc15的尺寸H15大。又，相对XY平面的第2内面Tc15的角度例如为10度～45度。

于图37所示的覆盖构件T15中，液体LQ的残留等亦受到抑制。

此外，如图38所示，亦可于第1内面Tc14设置多个凸部130。通过凸部130，调整对液体LQ的第1内面Tc14的接触角。

又，例如参照图25、图28～图33等所说明的覆盖构件的凸部，可具有参照图37等所说明的第2内面Tc15。亦即，覆盖构件T的凸部可具有从其前端部往离开第1保持部31的方向、且向下方倾斜的下面。

又，亦可于参照例如图25、图28～图33等所说明的于覆盖构件的凸部，设置参照图38等所说明的凸部130。

＜第15实施形态＞

其次，说明第15实施形态。以下的说明中，与上述实施形态相同或同等的构成部分赋予相同符号，并简化或省略其说明。

图39显示本实施形态的覆盖构件T16的一实施例的剖面图。如图39所示，基板P的侧面Pc对向的覆盖构件T16的内面Tc的一部分，是相对第1保持部31的中心往外侧上方倾斜，一部分则往下方倾斜。

本实施形态中，覆盖构件T16的内面Tc，包含至少一部分对向于基板P的侧面Pc的第1内面Tc16与配置在第1内面Tc16的下方、基板P的侧面Pc的至少一部分对向的第2内面Tc17。

第1内面Tc16的上端与覆盖构件T16的上面Ta连结。第1内面Tc16的下端与第2内面Tc17的上端连结。第2内面Tc17的下端与覆盖构件T16的下面Tb连结。

第1内面Tc16与第2内面Tc17非平行。于覆盖构件T16的上面Ta的法线方向(Z轴方向)，第2内面Tc17的尺寸H17较第1内面Tc16的尺寸H16大。本实施形态中，第1内面Tc16相对第1保持部31的中心朝外侧向上方倾斜。第2内面Tc17相对第1保持部31的中心朝外侧向下方倾斜。

覆盖构件T16的上面Ta与下面Tb大致平行。又，上面Ta与XY平面大致平行。

本实施形态中，于Y轴方向(相对第1保持部31中心的放射方向)的第2内面Tc17的尺寸E17，较于Z轴方向的第2内面Tc17的尺寸H17大。又，相对XY平面的第2内面Tc17的角度，例如为10度～45度。此外，第1内面Tc16与第2内面Tc17所成角度θc为鋭角。第1内面Tc16与第2内面Tc17形成的角部是尖的。

本实施形态，亦能抑制液体LQ的残留等。

又，例如参照图25、图28～图33等所说明的覆盖构件的凸部，可具有参照图39等所说明的第1内面Tc16及第2内面Tc17。亦即，覆盖构件T的凸部可具有从其前端部往离开第1保持部31的方向、且向下方倾斜的下面与向上方倾斜的上面。

＜第16实施形态＞

其次，说明第16实施形态。以下的说明中，与上述实施形态相同或同等的构成部分赋予相同符号，并简化或省略其说明。

图40及图41显示本实施形态的曝光装置EX2的一实施例的图。本实施形态的曝光装置EX2，具备例如美国专利申请公开第2007/0288121号所揭示的使用基板载台200G具有的标尺构件GT来测量该基板载台200G的位置的编码器系统600。标尺构件GT具有作为测量基板载台200G的位置的测量构件的功能。图40显示编码器系统600的图，图41则显示基板载台200G及测量载台3的图。

图41中，基板载台200G，具有将基板P的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部31、配置在第1保持部31周围的至少一部分且可形成液浸空间LS的标尺构件GT、以及与标尺构件GT邻接设置且具有可形成液浸空间LS的上面的覆盖构件T9。本实施形态中，覆盖构件T9配置在被保持于第1保持部31的基板P的周围。标尺构件GT配置在覆盖构件T9的周围。又，亦可以是标尺构件GT配置在被保持于第1保持部31的基板P的周围，而覆盖构件T9配置在标尺构件GT的周围。标尺构件GT具有以编码器系统600的编码器读头测量的格子。覆盖构件T9不具有格子。

本实施形态中，标尺构件GT与覆盖构件T9之间形成有间隙Gm。

此外，如图41所示，于测量载台3，测量构件C与覆盖构件Q之间形成有间隙Gn。

覆盖构件T9，具有终端光学元件12可对向的上面、与用以规定该上面的缘(外缘)的至少一部分的边缘部Eg9。标尺构件GT，具有终端光学元件12可对向的上面、与用以规定该上面的缘(内缘)的至少一部分的边缘部Egg。覆盖构件T9的上面与标尺构件GT的上面是隔着间隙Gm并置。标尺构件GT的上面配置在覆盖构件T9的上面周围。

通过基板载台200G的移动，覆盖构件T9及标尺构件GT即在终端光学元件12的下方移动。覆盖构件T9以该覆盖构件T9上面的至少一部分与液浸空间LS的液体LQ接触的方式，在终端光学元件12的下方移动。标尺构件GT以该标尺构件GT上面的至少一部分与液浸空间LS的液体LQ接触的方式，在终端光学元件12的下方移动。

覆盖构件Q，具有终端光学元件12可对向的上面、与用以规定该上面的缘(内缘)的至少一部分的边缘部Egq。测量构件C，具有终端光学元件12可对向的上面、与用以规定该上面的缘(外缘)的至少一部分的边缘部Egc。覆盖构件Q的上面与测量构件C的上面隔着间隙Gn并置。

覆盖构件Q的上面配置在测量构件C的上面周围。

通过测量载台3的移动，覆盖构件Q及测量构件C即在终端光学元件12的下方移动。覆盖构件Q以该覆盖构件Q的上面的至少一部分与液浸空间LS的液体LQ接触的方式，在终端光学元件12的下方移动。测量构件C以该测量构件C的上面的至少一部分与液浸空间LS的液体LQ接触的方式，在终端光学元件12的下方移动。

图42显示标尺构件GT与覆盖构件T9间的间隙Gm近旁的侧视剖面图。间隙Gm，包含标尺构件GT的边缘部Egg与覆盖构件T9的边缘部Eg9间的间隙。图42中，基板载台200G，具有至少一部分配置在标尺构件GT与覆盖构件T9间的间隙Gm、具有对液体LQ为拨液性的上面的多孔构件80G。回收至多孔构件80G的液体LQ，通过吸引口24G及流路25G被吸引至流体吸引装置26G。

此外，亦可于测量载台3，在测量构件C与覆盖构件Q间的间隙Gn，配置具有对液体LQ为拨液性的上面的多孔构件，通过该多孔构件来回收流入间隙Gn的液体LQ的至少一部分。又，间隙Gn，包含测量构件C的边缘部Egc与覆盖构件Q的边缘部Egq间的间隙。

又，亦可如图43所示，从配置成与标尺构件GT的侧面对向的回收口700，回收流入间隙Gm的液体LQ的至少一部分。图43所示例中，是于覆盖构件T9配置回收口700。此外，亦可从配置成与覆盖构件T9的侧面对向的回收口，回收流入间隙Gm的液体LQ的至少一部分。该回收口可配置于标尺构件GT。

又，于测量载台3，亦可从配置成与测量构件C的侧面对向的回收口，回收流入间隙Gn的液体LQ的至少一部分。该回收口可配置于覆盖构件Q。此外，亦可从配置成与覆盖构件Q的侧面对向的回收口，回收流入间隙Gn的液体LQ的至少一部分。

该回收口可配置于测量构件C。

又，如图44所示，与标尺构件GT之间形成间隙Gm的覆盖构件T9的侧面(边缘部Eg9)，可包含位于距标尺构件GT中心的第1距离、标尺构件GT的侧面可对向的第1区域Ag1与和第1区域Ag1相邻配置、位于距标尺构件GT中心较第1距离长的第2距离的第2区域Ag2。

如图41等所示，本实施形态中，在XY平面内的标尺构件GT的边缘部Egg的外形，为实质四方形。边缘部Egg包含延伸于X轴方向的部分与延伸于Y轴方向的部分。延伸于X轴方向的部分是与X轴平行的直线。延伸于Y轴方向的部分是与Y轴平行的直线。

又，覆盖构件T9的边缘部Eg9亦包含延伸于X轴方向的部分与延伸于Y轴方向的部分。

图44中，第1区域Ag1与第2区域Ag2于X轴方向交互配置。亦即，覆盖构件T9，包含多个于沿着标尺构件GT的边缘部Egg的X轴方向交互配置、相对标尺构件GT突出的凸部Tma与相对标尺构件GT陷入的凹部Tmb。本实施形态中，第1区域Ag1于XY平面内为曲面(曲线)。第2区域Ag2于XY平面内为曲面(曲线)。

亦即，本实施形态中，覆盖构件T9的边缘部Eg9包含沿X轴方向形成的多个凸部Tma。凸部Tma包含第1区域Ag1。凹部Tmb包含第2区域Ag2。多个凸部Tma包含于X轴方向彼此相邻的第1凸部Tma及第2凸部Tma。本实施形态中，覆盖构件T9的上面包含凸部Tma的上面。

本实施形态中，多个凸部Tma是沿X轴方向以一定间隔配置。

于X轴方向彼此相邻的第1凸部Tma与第2凸部Tma间于X轴方向的距离，和第2凸部Tma与第3凸部Tma间于X轴方向的距离实质相等。

又，图44虽显示凸部Tma于X轴方向的配置例，但于Y轴方向亦同。

此外，与覆盖构件T9之间形成间隙Gm的标尺构件GT的侧面，可包含位于距覆盖构件T9中心的第1距离且覆盖构件T9的侧面可对向的第1区域与和第1区域相邻配置且位于较距覆盖构件T9中心的第1距离长的第2距离的第2区域。亦即，可于标尺构件GT的边缘部Egg于X轴方向(Y轴方向)配置多个凸部。

又，于测量载台3，与测量构件C之间形成间隙Gn的覆盖构件Q的侧面，可包含位于距测量构件C中心的第1距离且测量构件C的侧面可对向的第1区域与和第1区域相邻配置且位于较距测量构件C中心的第1距离长的第2距离的第2区域。亦即，可于覆盖构件Q的边缘部Egq配置多个凸部。覆盖构件Q的凸部，可在配置测量构件C的覆盖构件Q的开口中心的周方向配置多个配置。

又，在与覆盖构件Q之间形成间隙Gn的测量构件C的侧面，可包含位于距测量构件C中心的第1距离且测量构件C的侧面可对向的第1区域与和第1区域相邻配置且位于较距测量构件C中心的第1距离长的第2距离的第2区域。亦即，可于测量构件C的边缘部Egc配置多个凸部。

测量构件C的凸部可于测量构件C的中心的周方向配置多个。

此外，如图45所示，覆盖构件T9的内面可包含第1内面Tcg1与配置在第1内面Tcg1的上方、标尺构件GT侧面的至少一部分与的对向、下端与第1内面Tcg1连结且上端与覆盖构件T9的上面连结的第2内面Tcg2。第1内面Tcg1与前述第2内面Tcg2非平行，于覆盖构件T9上面的法线方向，第2内面Tcg2的尺寸较第1内面Tcg1的尺寸大，至少第2内面Tcg2可以是相对标尺构件GT的中心朝外侧向上方倾斜。

又，标尺构件GT的内面，可包含第1内面与配置在第1内面上方、覆盖构件T9侧面的至少一部分与的对向、下端与第1内面连结且上端与标尺构件GT的上面连结的第2内面。第1内面与前述第2内面非平行，于标尺构件GT上面的法线方向，第2内面的尺寸较第1内面的尺寸大，至少第2内面可相对覆盖构件T9的中心朝外侧向上方倾斜。

又，于测量载台3，覆盖构件Q的内面，可包含第1内面与配置在第1内面上方、测量构件C侧面的至少一部分与的对向、下端与第1内面连结且上端与覆盖构件Q的上面连结的第2内面。第1内面与前述第2内面非平行，于覆盖构件Q上面的法线方向，第2内面的尺寸较第1内面的尺寸大，至少第2内面可相对测量构件C的中心朝外侧向上方倾斜。

又，测量构件C的内面，可包含第1内面与配置在第1内面上方、覆盖构件Q侧面的至少一部分与的对向、下端与第1内面连结且上端与测量构件C的上面连结的第2内面。第1内面与前述第2内面非平行，于测量构件C上面的法线方向，第2内面的尺寸较第1内面的尺寸大，至少第2内面可相对覆盖构件Q的中心朝外侧向上方倾斜。

又，上述覆盖构件的所有形状(构造)，皆可适用于标尺构件GT、测量构件C及覆盖构件Q等。

又，参照例如图44等所说明的覆盖构件T9的凸部，可具有参照图45等所说明的第1内面Tcg1及第2内面Tcg2。亦即，覆盖构件T9的凸部可具有从其前端部往离开第1保持部31的方向、且向上方倾斜的上面。

又，覆盖构件T9的凸部可具有从其前端部往离开第1保持部31的方向、且向下方倾斜的下面。

又，标尺构件GT的凸部可具有从其前端部往离开第1保持部31的方向、且向上方倾斜的上面。

又，标尺构件GT的凸部可具有从其前端部往离开第1保持部31的方向、且向下方倾斜的下面。

又，亦可设置多个可回收流入标尺构件GT与覆盖构件T9间的间隙Gm的液体LQ的至少一部分的回收口。例如，可以围绕第1保持部31的方式设置多个回收口。可在终端光学元件12的射出面13侧形成有液浸空间LS的状态下，标尺构件GT及覆盖构件T9移动时，根据相对液浸空间LS(终端光学元件12、液浸构件7)的间隙Gm的位置、及相对液浸空间LS(终端光学元件12、液浸构件7)的间隙Gm的移动条件的一方或双方，从多个回收口中的部分回收口进行液体LQ的回收。

又，亦可于测量载台3，设置多个能回收流入测量构件C与覆盖构件Q间的间隙Gn的液体LQ的至少一部分的回收口。例如，可以围绕保持测量构件C的保持部的方式设置多个回收口。可在终端光学元件12的射出面13侧形成有液浸空间LS的状态下，移动测量构件C及覆盖构件Q时，根据相对液浸空间LS(终端光学元件12、液浸构件7)的间隙Gn的位置、及相对液浸空间LS(终端光学元件12、液浸构件7)的间隙Gn的移动条件的一方或双方，从多个回收口中的部分回收口进行液体LQ的回收。

又，亦可于基板载台，在第1保持部31周围的至少一部分配置曝光用光EL照射的测量构件C。此外，亦可和该测量构件C相邻接的方式配置覆盖构件(T等)。例如，可在基板载台具有的覆盖构件(T等)设置用以配置测量构件C的开口。再者，亦可于该基板载台设置至少一部分配置在测量构件C与覆盖构件间的间隙、具有对液体LQ为拨液性的上面的多孔构件。可通过该多孔构件回收流入间隙的液体LQ的至少一部分。

又，在基板载台设置测量构件C的场合，可以围绕保持该测量构件C的保持部的方式设置多个可回收流入测量构件C与覆盖构件间的间隙的液体LQ的至少一部分的回收口。可在终端光学元件12的射出面13侧形成有液浸空间LS的状态下，移动测量构件C及覆盖构件的场合，根据相对液浸空间LS的测量构件C与覆盖构件间的间隙的位置、及相对液浸空间LS的测量构件C与覆盖构件间的间隙的移动条件的一方或双方，从多个回收口中的部分回收口进行液体LQ的回收。

此外，在基板载台设置测量构件C的场合，可从与该测量构件C的侧面对向配置的回收口，回收流入测量构件C覆盖构件间的间隙的液体LQ的至少一部分。该回收口，例如可设置于覆盖构件。

又，在基板载台设置测量构件C的场合，与该测量构件C之间形成间隙的覆盖构件的侧面，可包含位于距测量构件C中心的第1距离、测量构件C的侧面可对向的第1区域与和第1区域相邻配置、位于较距测量构件C中心的第1距离长的第2距离的第2区域。亦即，可于该覆盖构件的边缘部设置多个凸部。此外，亦可于测量构件的边缘部设置多个凸部。

又，在基板载台设置测量构件C的场合，与该测量构件C邻接设置的覆盖构件的内面，可包含第1内面与配置在第1内面上方、测量构件C侧面的至少一部分可与的对向、下端与第1内面连结且上端与覆盖构件的上面连结的第2内面。又，第1内面与第2内面非平行，于覆盖构件上面的法线方向，第2内面的尺寸较第1内面的尺寸大，至少第2内面可相对测量构件的中心朝外侧向上方倾斜。

又，上述覆盖构件等的所有形状(构造)，可适用于在曝光装置EX(EX2)内彼此相邻的构件B1及构件B2中的至少一方。亦即，在曝光装置EX(EX2)具备能在终端光学元件12下方移动、分别具有可形成液浸空间LS的上面的2个构件B1、B2的情形时，在与一构件B1的侧面之间形成间隙的另一构件B2的侧面，可包含位于距构件B1侧面的第1距离、构件B1的侧面可与的对向的第1区域与和第1区域相邻配置、位于较距构件B1侧面的第1距离长的第2距离的第2区域。

构件B1的上面与构件B2的上面是通过间隙并置。亦即，可于隔着间隙配置的构件B1的边缘部及构件B2的边缘部的至少一方，沿既定方向设置多个凸部。又，该凸部可具有倾斜的下面。

如上所述，在一方的构件B1是标尺构件GT时，另一方的构件B2可以是覆盖构件T9。在一方的构件B1是覆盖构件T9时，另一方的构件B2可以是标尺构件GT。在一方的构件B1是覆盖构件Q时，另一方的构件B2可以是测量构件C。而在一方的构件B1是测量构件C时，另一方的构件B2可以是覆盖构件Q。

又，基板P虽非曝光装置EX的一部分，但若一方的构件是基板P时，另一方的构件B2可以是覆盖构件(T等)、亦可以是标尺构件GT。

又，本实施形态的曝光装置EX(EX2)，可如美国专利申请公开第2006/0023186号及美国专利申请公开第2007/0127006号等的揭示，为了在终端光学元件12及液浸构件7与基板载台及测量载台中的至少一方之间持续形成液体LQ的液浸空间LS，而在使基板载台的上面与测量载台的上面接近或接触的状态下，一边使终端光学元件12及液浸构件7与基板载台及测量载台中的至少一方对向、一边相对终端光学元件12及液浸构件7使基板载台及测量载台在XY平面内移动。亦即，曝光装置EX(EX2)，可在使基板载台与测量载台接近或接触的状态下使该等基板载台与测量载台在XY平面内移动，以使液浸空间LS从形成在终端光学元件12及液浸构件7与基板载台之间的状态、与形成在终端光学元件12及液浸构件7与测量载台之间的状态中的一方变化至另一方。此场合，一方的构件B1是基板载台时，另一方的构件B2可以是测量载台。一方的构件B1是测量载台时，另一他的构件B2可以是基板载台。此外，基板载台包含被保持于该基板载台的覆盖构件(T等)及标尺构件(GT等)中的至少一方。测量载台包含被保持于该测量载台的覆盖构件(Q等)及测量构件(C等)中的至少一方。

又，例如美国专利第6341007号、美国专利第6208407号及美国专利第6262796号等所揭示的具备第1、第2基板载台的双载台型曝光装置的场合，一方的构件B1是第1基板载台时，另一方的构件B2可以是第2基板载台。

亦即，上述一方的构件B1的形状可以是图25、图28～图34、图37～图39、图44、图45等所示的形状。另一方的构件B2的形状可以是图25、图28～图34、图37～图39、图44、图45等所示的形状。构件B1及与构件B1对向的构件B2的双方，可以是图25、图28～图34、图37～图39、图44、图45等所示的形状。

又，构件B1可以是图46所示的形状、亦可以是图47所示的形状。构件B1可在终端光学元件12的下方移动，具有可形成液浸空间LS的上面。构件B1的侧面与构件B2的侧面之间形成间隙。构件B2可在终端光学元件12的下方以和构件B1邻接的状态移动，具有可形成液浸空间LS的上面。构件B1及构件B2在与终端光学元件12的光轴(Z轴)垂直的面内(XY平面内)移动。

构件B1的侧面，包含位于距构件B2侧面的第1距离D1、构件B2的侧面可对向的第1区域A1与和第1区域A1相邻配置、位于较距构件B2侧面的第1距离D1长的第2距离D2的第2区域A2。第1区域A1与第2区域A2在XY平面内彼此相邻。第1区域A1与第2区域A2在XY平面内交互配置。

在XY平面内的第1区域A1的尺寸W1，较第1区域A1与第2区域A2间的距离Da小。又，第2区域A2的尺寸W2较距离Da小。

彼此相邻的第1区域A1的距离(间距)R1较距离Da小。彼此相邻的第2区域A2的距离(间距)R2亦较距离Da小。

此外，构件B2可具有第1、第2区域A1、A2，或者构件B1及构件B2的双方可具有第1、第2区域A1、A2。

据此，例如即使是构件B1及构件B2相对终端光学元件12及液浸构件7在XY平面内移动，以使液浸空间LS从构件B1上移动至构件B2上时，构件B1、B2上液体LQ残留情形亦会受到抑制。又，即使构件B1及构件B2相对终端光学元件12及液浸构件7在XY平面内移动，以使液浸空间LS从构件B2上移动至构件B1上时，构件B1、B2上液体LQ残留的情形亦会受到抑制。

接着，说明清洁上述多孔构件80的清洁程序。针对上述各实施形态中的多孔构件(例如多孔构件800D等)皆可适用以下清洁程序事，自无需赘言。此外，在清洁被保持于基板载台的覆盖构件(T等)及标尺构件(GT等)、被保持于测量载台的覆盖构件(Q等)及测量构件(C等)等时，亦可使用此清洁程序。

本实施形态的清洁程序，可在例如因曝光而使得形成于基板P的图案中缺陷增加的情形、或在曝光后的基板P上面的周缘部残留液体增加的情形时等，视需要实施。

本实施形态的清洁程序，包含供应清洁(cleaning)用液体LC的处理、与在使用液体LC进行清洁后供应清洗(rinse)用液体的处理。又，亦可适当追加供应清洁用液体LC的处理与供应清洗用液体的处理以外的处理。此外，亦可省略供应清洗用液体的处理。

作为清洁用液体LC，可使用碱性液体。例如液体LC可包含氢氧化四甲铵(TMAH：tetramethyl ammonium hydroxide)。例如液体LC可使用氢氧化四甲铵(TMAH：tetramethylammonium hydroxide)水溶液。

又，作为液体LC，可使用酸性液体。例如液体LC可包含过氧化氢。例如液体LC可使用过氧化氢水溶液(过氧化氢水)。

此外，作为液体LC，可使用氢氧化钠、氢氧化钾等的无机碱溶液、氢氧化三甲(2-羟乙酯)铵等的有机碱溶液。又，亦可使用氨水作为液体LC。又，液体LC亦可包含缓冲氢氟酸溶液。此外，液体LC可以是包含氢氟酸及过氧化氢的溶液。缓冲氢氟酸溶液为氢氟酸与氟化铵的混合物。又，亦可使用包含臭氧的臭氧液体作为液体LC。再者，亦可使用包含过氧化氢与臭氧的溶液作为液体LC。又，作为清洁用液体，亦可使用上述曝光用液体LQ。

清洗用液体，可使用与上述曝光用液体LQ相同的液体。作为清洗用液体，本实施形态使用例如水(纯水)。

实施本实施形态的清洁程序时，可于第1保持部31保持虚拟基板DP。虚拟基板DP是较用制造元件的基板P更不易释出异物的基板。虚拟基板DP，可使用例如半导体晶片。例如，可使用未形成感光膜而形成有对液体LC(LQ)为拨液性的膜的半导体晶片。此外，作为虚拟基板DP，亦可使用例如金属制的基板。

于上述清洁程序中，为在液浸构件7与多孔构件(例如多孔构件80)之间形成清洁用液体LC的液浸空间，而对液浸构件7的下面14面向的空间供应液体LC。控制装置8控制实施既定时间的液体LC的供应。既定时间，例如可充分清洁洗净对象的多孔构件80的液体LC的供应时间。本实施形态中，在对下面14面向的空间供应液体LC时，于第1保持部31保持虚拟基板DP、于第2保持部32保持覆盖构件T。在虚拟基板DP与覆盖构件T间的间隙配置多孔构件80的至少一部分的状态下，对下面14面向的空间供应液体LC。

此时，可通过多孔构件80回收从液浸构件7供应的液体LC的至少一部分。例如，控制装置8可控制流体吸引装置26从多孔构件80的孔回收液体LC。据此，多孔构件80的孔的内面(多孔构件80的内部)即被液体LC清洁。

控制装置8，在开始液体LC的供应后经既定时间，即停止液体LC的供应。据此，使用液体LC的清洁即结束。停止液体LC的供应后，控制装置8持续进行既定时间的使用多孔构件80的回收，以回收存在于上述间隙等的液体LC。

液体LC被回收后，控制装置8供应清洗用液体。本实施形态，是从液浸构件7供应清洗用液体LQ。例如，可从液浸构件7的供应口15供应液体LQ、亦可从回收口16供应液体LQ，或从与供应口15及回收口16不同的其他设于液浸构件7的开口供应液体LQ。从液浸构件7供应清洗用液体LQ时，于第1保持部31保持虚拟基板DP。

又，上述清洁程序的清洁对象，不限于上述。亦即，对从基板P与覆盖构件T间的间隙流入该间隙下方空间的液体LQ有可能接触的构件，皆可适用本实施形态的清洁程序。

又，如上所述，控制装置8包含含CPU等的电脑系统。

又，控制装置8包含可实施电脑系统与外部装置间的通信的接口。存储装置8R，例如包含RAM等的存储器、硬盘、CD－ROM等的记录媒体。于存储装置8R安装有用以控制电脑系统的作业系统(OS)，内储存有用以控制曝光装置EX的程序。

又，亦可于控制装置8连接可输入输入信号的输入装置。输入装置包含键盘、鼠标等的输入机器、或可输入来自外部装置的数据的通信装置等。此外，亦可装设液晶显示器等的显示装置。

包含记录在存储装置8R的程序的各种信息，可由控制装置8(电脑系统)加以读取。于存储装置8R中，储存有使控制装置8实施通过液体LQ以曝光用光EL使基板P曝光的曝光装置EX的控制的程序。

存储装置8R中记录的程序，可依上述实施形态，使控制装置8实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、以及用以规定可配置该基板的开口且在该基板被保持于该第1保持部的状态下至少一部分配置在该基板周围的第1构件的上面中至少一方之间，以该液体形成有液浸空间的状态下，使该基板曝光的动作；以及通过至少一部分配置在该基板与该第1构件间的间隙、具有对液体为拨液性的上面的多孔构件，回收流入该间隙的该液体的至少一部分的动作。

又，存储装置8R中记录的程序，可依上述实施形态，使控制装置8实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件的射出面侧形成有液体的液浸空间的状态下，一边移动将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板、及用以规定可配置该基板的开口且在该基板被保持于该第1保持部的状态下至少一部分配置在该基板周围的第1构件，一边使该基板曝光的动作：以及根据相对于该液浸空间的该基板与该第1构件间的间隙的位置、以及相对于该液浸空间的该间隙的移动条件中的一方或双方，从配置在该基板及该第1保持部中至少一方周围的多个回收口中的部分回收口，回收流入该间隙的该液体的至少一部分的动作。

又，存储装置8R中记录的程序，可依上述实施形态，使控制装置8实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、以及用以规定可配置该基板的开口、在该基板被保持于该第1保持部的状态下至少一部分配置在该基板周围的第1构件的上面中至少一方之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；以及从配置成与该基板侧面对向的回收口，回收流入该基板与该第1构件间的间隙的该液体的至少一部分的动作。

又，存储装置8R中记录的程序，可依上述实施形态，使控制装置8实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、以及用以规定可配置该基板的开口、在该基板被保持于该第1保持部的状态下至少一部分配置在该基板周围的第1构件的上面中至少一方之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；该第1构件的开口，包含位于距该第1保持部中心的第1距离、被保持于该第1保持部的该基板的侧面可对向的第1区域，以及和该第1区域相邻配置、位于距该第1保持部中心的较该第1距离长的第2距离的第2区域。

又，存储装置8R中记录的程序，可依上述实施形态，使控制装置8实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、以及用以规定可配置该基板的开口、在该基板被保持于该第1保持部的状态下至少一部分配置在该基板周围的第1构件的上面中至少一方之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；该第1构件的内面，包含第1内面与配置在该第1内面上方、该基板侧面的至少一部分与的对向、下端与该第1内面连结且上端与该第1构件的上面连结的第2内面；该第1内面与该第2内面非平行，于该第1构件上面的法线方向，该第2内面的尺寸较该第1内面的尺寸大；至少该第2内面是相对该第1保持部中心朝外侧向上方倾斜。

又，存储装置8R中记录的程序，可依上述实施形态，使控制装置8实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、以及具有上面与用以规定该上面外缘的一部分的边缘部的第1构件的上面中至少一方之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；该第1构件的该边缘部，是以该第1保持部所保持的该基板的边缘部沿此的方式延伸于既定方向；于该第1构件的该边缘部，沿该既定方向形成有多个凸部。

又，存储装置8R中记录的程序，可依上述实施形态，使控制装置8实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、以及用以规定可配置该基板的开口、在该基板被保持于该第1保持部的状态下至少一部分配置在该基板上面周围的第1构件的上面中至少一方之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；该第1构件的内面，包含该基板的侧面可对向的第1内面与配置在该第1内面下方、对该第1保持部较该第1内面远离的第2内面；通过至少一部分与该第2内面对向的方式配置的多孔构件，回收流入该基板与该第1构件间的间隙的该液体的至少一部分。

又，存储装置8R中记录的程序，可依上述实施形态，使控制装置8实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、配置在该第1保持部周围至少一部分的测量构件的上面、以及与该测量构件邻设置的第1构件的上面中至少一者之间，形成有该液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；以及通过至少一部分配置在该测量构件与该第1构件间的间隙、具有对该液体为拨液性的上面的多孔构件，回收流入该间隙的该液体的至少一部分的动作。

又，存储装置8R中记录的程序，可依上述实施形态，使控制装置8实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件的射出面侧形成有该液浸空间的状态下，一边移动将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板、配置在该第1保持部周围至少一部分的测量构件、及与该测量构件邻接设置的第1构件，一边使该基板曝光的动作；以及根据相对于该液浸空间的该测量构件与该第1构件间的间隙的位置、以及相对该液浸空间的该间隙的移动条件的一方或双方，从配置在该间隙的多个回收口中的部分回收口，回收流入该间隙的该液体的至少一部分的动作。

又，存储装置8R中记录的程序，可依上述实施形态，使控制装置8实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、配置在该第1保持部周围的至少一部分的测量构件的上面、以及与该测量构件相邻设置的第1构件的上面中至少一者之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；以及从与该测量构件的侧面对向配置的回收口，回收流入该测量构件与该第1构件间的间隙的该液体的至少一部分的动作。

又，存储装置8R中记录的程序，可依上述实施形态，使控制装置8实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、配置在该第1保持部周围的至少一部分的测量构件的上面、以及与该测量构件相邻设置的第1构件的上面中至少一者之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；与该测量构件之间形成间隙的该第1构件的侧面，包含位于距该测量构件中心的第1距离、可与该测量构件的侧面对向的第1区域与和该第1区域相邻配置、位于距该测量构件中心较该第1距离长的第2距离的第2区域。

又，存储装置8R中记录的程序，可依上述实施形态，使控制装置8实施：在具有该曝光用光射出的射出面的光学构件、与将该基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部所保持的该基板的上面、配置在该第1保持部周围的至少一部分的测量构件的上面、以及与该测量构件相邻设置的第1构件的上面中至少一者之间，以该液体形成有液浸空间的状态，使该基板曝光的动作；该第1构件的内面，包含第1内面与配置在该第1内面上方、该测量构件侧面的至少一部分与的对向、下端与该第1内面连结且上端与该第1构件的上面连结的第2内面；该第1内面与该第2内面非平行，于该第1构件上面的法线方向，该第2内面的尺寸较该第1内面的尺寸大；至少该第2内面是相对该测量构件中心朝外侧向上方倾斜。

又，存储装置8R中记录的程序，可依上述实施形态，使控制装置8实施：使具有第1上面与用以规定该第1上面的部分外缘的第1边缘部的第1构件，以该第1上面的至少一部分与该液浸空间接触的方式在该光学构件下方移动的动作；以及使具有第2上面与用以规定该第2上面的部分外缘的第2边缘部的第2构件，在该光学构件下方移动的动作；该第1边缘部及该第2边缘部延伸于既定方向；于该第1边缘部与该第2边缘部之间形成有间隙；于该第1边缘部沿该既定方向形成有多个凸部。

通过将存储装置8R中储存的程序读取至控制装置8，基板载台2、液浸构件7、驱动系统5及流体吸引装置26等曝光装置EX的各种装置即协同动作，在形成有液浸空间LS的状态下，实施基板P的液浸曝光等的各种处理。

又，上述各实施形态中，虽然投影光学系PL的终端光学元件12的射出侧(像面侧)的光路K是被液体LQ充满，但投影光学系PL亦可以是例如国际公开第2004/019128号所揭示的终端光学元件12的入射侧(物体面侧)光路亦被液体LQ充满的投影光学系。

又，上述各实施形态中，曝光用的液体LQ虽使用水，但亦可以是水以外的液体。液体LQ，以对曝光用光EL具有穿透性、对曝光用光EL具有高折射率、对形成投影光学系PL或基板P的表面的感光材(光阻剂)等膜安定者较佳。例如，液体LQ可以是氢氟醚(HFE)、全氟化聚醚(PFPE)、氟素润滑油(fomblin(登录商标)oil)等。此外，液体LQ亦可是各种流体、例如超临界流体。

又，上述各实施形态的基板P，不仅仅是半导体元件制造用的半导体晶片，亦可适用显示元件用的玻璃基板、薄膜磁头用的陶瓷晶片、或曝光装置所使用的掩膜或标线片的原版(合成石英、硅晶片)等。

又，作为曝光装置EX，除了使掩膜M与基板P同步移动来对掩膜M的图案进行扫描曝光的步进扫描方式的扫描型曝光装置(扫描步进机)之外，亦可以适用例如使掩膜M与基板P在静止的状态下，使掩膜M的图案一次曝光，并使基板P依序步进移动的的步进重复方式的投影曝光装置(步进机)。

再者，于步进重复方式的曝光中，亦可在使第1图案与基板P大致静止的状态，使用投影光学系PL将第1图案的缩小像转印至基板P上后，在第2图案与基板P大致静止的状态，使用投影光学系PL将第2图案的缩小像与第1图案局部重叠而一次曝光至基板P上(接合方式的一次曝光装置)。又，接合方式的曝光装置，亦可以是于基板P上至少将二个图案局部的重叠转印，并使基板P依序移动的步进接合(step&stitch)方式的曝光装置。

又，本发明亦能适用于例如美国专利第6611316号所揭示的将2个掩膜的图案通过投影光学系在基板P上加以合成，以一次扫描曝光使基板P上的1个照射区域大致同时双重曝光的曝光装置。此外，本发明亦能适用于近接方式的曝光装置、反射镜投影对准器(mirror projection aligner)等。

又，本发函亦可适用于例如美国专利第6341007号、美国专利第6208407号、及美国专利第6262796号等所揭的具备多个基板载台的双载台型的曝光装置。例如，如图48所示，曝光装置EX可具备2个基板载台2001、2002。此时，可与射出面13对向配置的物体，包含一方的基板载台、保持于该一方的基板载台的基板、另一方的基板载台、以及被保持于该另一方的基板载台的基板中的至少一者。

此外，亦能适用于具备多个基板载台与测量载台的曝光装置。

曝光装置EX的种类不限于将半导体元件图案曝光至基板P的半导体元件制造用的曝光装置，亦可广泛适用于液晶显示元件制造用或显示器制造用的曝光装置、或用以制造薄膜磁头、摄影元件(CCD)、微机器、MEMS、DNA晶片、标线片或掩膜等的曝光装置。

又，上述实施形态中，虽使用在光透射性基板上形成有既定遮光图案(或相位图案、减光图案)的光透射型掩膜，但亦可取代此掩膜，使用例如美国专利第6778257号公报所揭示，根据待曝光图案的电子数据来形成透射图案或反射图案、或形成发光图案的可变成形掩膜(电子掩膜、主动掩膜或影像产生器)。又，亦可取代具有非发光型影像显示元件的可变成形掩膜，而装备包含自发光型影像显示元件的图案形成装置。

上述各实施形态中，虽是以具备投影光学系PL的曝光装置为例作了说明，但本发明亦可适用于不使用投影光学系PL的曝光装置及曝光方法。例如，可在透镜等光学构件与基板之间形成液浸空间，通过该光学构件对基板照射曝光用光。

又，本发明亦可适用于例如国际公开第2001/035168号小册子所揭示的通过在基板P上形成干涉条纹，据以在基板上曝光线与空间图案(line&space pattern)的曝光装置(光刻系统)。

上述实施形态的曝光装置EX，是通过组装各种次系统(含各构成要素)，以能保持既定的机械精度、电气精度、光学精度的方式所制造。为确保此等各种精度，于组装前后，进行对各种光学系统进行用以达成光学精度的调整、对各种机械系统进行用以达成机械精度的调整、对各种电气系统进行用以达成电气精度的调整。从各种次系统至曝光装置EX的组装工艺，包含机械连接、电路的配线连接、气压回路的配管连接等。当然，从各种次系统至曝光装置EX的组装步骤前，有各次系统个别的组装步骤。在各种次系统组装至曝光装置EX的步骤结束后，即进行综合调整，以确保曝光装置EX整体的各种精度。此外，曝光装置EX的制造最好是在温度及清洁度等皆受到管理的无尘室进行。

半导体元件等的微元件，如图49所示，是经进行微元件的功能、性能设计的步骤201，根据此设计步骤制作掩膜M(标线片)的步骤202，制造元件基材的基板的步骤203，包含依据上述实施形态进行基板处理(曝光处理，包含使用光罩M的图案以曝光用光EL使基板曝光的动作、以及使曝光后基板显影的动作)的基板处理步骤204，元件组装步骤(包含切割步骤、结合步骤、封装步骤等的加工工艺)205，以及检查步骤206等而制造。

又，上述各实施形态的要件可适当加以组合。又，亦有不使用部分构成要素的情形。此外，在法令许可范围内，援用上述各实施形态及变形例所引用的关于曝光装置等的所有公开公报及美国专利的揭示作为本文记载的一部分。

Claims (22)

1.一种曝光装置，其特征在于，通过液体以曝光用光使基板曝光，具备：

基板保持装置，包含将所述基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部、以及用以规定可配置所述基板的开口、具有在所述基板被保持于所述第1保持部保持的状态下配置在所述基板的上面周围的上面的第1构件；

所述第1构件的开口，包含位于距所述第1保持部中心的第1距离、被保持于所述第1保持部的所述基板的侧面可对向的第1区域，以及和所述第1区域相邻配置、位于距所述第1保持部中心的较所述第1距离长的第2距离的第2区域；

所述第1区域与所述第2区域，沿所述第1保持部的周方向交互配置多个。

2.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述第2区域于所述第1保持部的周方向与所述第1区域相邻配置。

3.如权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，于所述第1保持部周方向的所述第1区域的尺寸，较于相对所述第1保持部中心的放射方向的所述第1区域与所述第2区域间的距离小。

4.如权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，于所述第1保持部周方向的所述第2区域的尺寸，较于相对所述第1保持部中心的放射方向的所述第1区域与所述第2区域间的距离小。

5.如权利要求3所述的曝光装置，其特征在于，于所述第1保持部周方向的所述第2区域的尺寸，较于相对所述第1保持部中心的放射方向的所述第1区域与所述第2区域间的距离小。

6.如权利要求1至5中任一项所述的曝光装置，其特征在于，于所述第1保持部周方向相邻的所述第1区域的距离，较于相对所述第1保持部中心的放射方向的所述第1区域与所述第2区域间的距离小。

7.如权利要求1至5中任一项所述的曝光装置，其特征在于，具备调整所述第1构件的温度的调整装置。

8.如权利要求1至5中任一项所述的曝光装置，其特征在于，具备对所述第1构件赋予超音波的超音波产生装置。

9.一种曝光装置，其特征在于，通过液体以曝光用光照射基板的上面，具备：

基板保持装置，包含将所述基板的下面以可释放的方式加以保持的第1保持部、以及具有上面及边缘部的第1构件，所述边缘部是用以规定所述上面外缘的一部分；

所述第1构件的所述边缘部，以沿被保持于所述第1保持部的所述基板的边缘部的方式延伸于周方向；

于所述第1构件的所述边缘部，沿所述周方向以一定间隔形成有多个凸部。

10.如权利要求9所述的曝光装置，其特征在于，所述多个凸部包含于所述周方向相邻的第1凸部及第2凸部。

11.如权利要求9所述的曝光装置，其特征在于，所述凸部具有从其前端部往相对所述第1保持部分离的方向、且向下方倾斜的下面。

12.如权利要求10所述的曝光装置，其特征在于，所述凸部具有从其前端部往相对所述第1保持部分离的方向、且向下方倾斜的下面。

13.如权利要求9至12中任一项所述的曝光装置，其特征在于，在所述基板的所述边缘部与所述第1构件的所述边缘部之间，沿所述周方向形成有间隙。

14.如权利要求9至12中任一项所述的曝光装置，其特征在于，所述第1构件的所述边缘部配置在所述第1保持部的周围。

15.如权利要求14所述的曝光装置，其特征在于，所述第1构件具有可配置所述基板的开口；

所述开口以所述边缘部加以规定。

16.如权利要求14所述的曝光装置，其特征在于，所述第1构件的所述上面配置在被保持于所述第1保持部的所述基板的上面周围。

17.如权利要求9至12中任一项所述的曝光装置，其特征在于，所述第1构件的所述上面包含所述凸部的上面。

18.如权利要求9至12中任一项所述的曝光装置，其特征在于，具备调整所述第1构件的温度的调整装置。

19.如权利要求9至12中任一项所述的曝光装置，其特征在于，具备对所述第1构件赋予超音波的超音波产生装置。

20.一种曝光装置，其特征在于，通过液体以曝光用光使基板曝光，具备：

基板载台，其含有载置所述基板的开口、以及包围所述开口周围的上面；

规定所述开口的所述上面的边缘，含有朝向所述开口的内侧突出的第1部位、以及朝向所述开口的外侧凹陷的第2部位；

沿着所述开口的周方向，交互排列形成多个所述第1部位与第2部位。

21.如权利要求20所述的曝光装置，其特征在于，在所述开口的周方向相邻的所述第1部位间的距离与在所述周方向相邻的所述第2部位间的距离大致相等。

22.如权利要求20所述的曝光装置，其特征在于，由所述开口的放射方向的所述第2部位起，到所述第1部位为止的距离与在所述开口的周方向相邻的所述第1部位间的距离大致相等。