JP2013135027A - 露光装置、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体 - Google Patents

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Abstract


【課題】露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、第１液体を介して露光光で基板を露光する。露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、下面を有する液浸部材と、基板の露光を含む第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するようにカバー部材をリリース可能に保持する保持機構と、第１処理において射出面側に供給された第１液体の少なくとも一部を回収し、第２処理において射出面側に供給された第２液体の少なくとも一部を回収する回収口と、を備える。第２処理における回収口に対する気体の流入が、第１処理における回収口に対する気体の流入よりも抑制される。
【選択図】図１０

Description

本発明は、露光装置、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体に関する。
半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が使用される。
米国特許出願公開第２００７／０２５８０７２号明細書
例えば液浸露光装置の部材が汚染されると、基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生し、その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。
本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置、及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体を提供することを目的とする。
本発明の第１の態様に従えば、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、下面を有する液浸部材と、基板の露光を含む第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するようにカバー部材をリリース可能に保持する保持機構と、第１処理において射出面側に供給された第１液体の少なくとも一部を回収し、第２処理において射出面側に供給された第２液体の少なくとも一部を回収する回収口と、を備え、第２処理における回収口に対する気体の流入が、第１処理における回収口に対する気体の流入よりも抑制される露光装置が提供される。
本発明の第２の態様に従えば、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、下面を有する液浸部材と、基板の露光を含む第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するようにカバー部材をリリース可能に保持する保持機構と、カバー部材の上面において第２液体で形成される液浸空間の面積を変化させる液体制御装置と、を備える露光装置が提供される。
本発明の第３の態様に従えば、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、下面を有する液浸部材と、基板の露光を含む第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するようにカバー部材をリリース可能に保持する保持機構と、第２処理において射出面側に供給された第２液体の少なくとも一部を回収する回収口と、第２処理において下面の少なくとも一部に異物が接近することを抑制する抑制装置と、を備える露光装置が提供される。
本発明の第４の態様に従えば、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、下面を有する液浸部材と、基板の露光を含む第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するようにカバー部材をリリース可能に保持する保持機構と、カバー部材をリリース可能に保持する保持部を有し、保持機構に対して移動可能な可動部材と、カバー部材を保持機構から保持部へ渡す前に、可動部材の少なくとも一部をクリーニングする第１クリーニング装置と、を備える露光装置が提供される。
本発明の第５の態様に従えば、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、下面を有する液浸部材と、基板の露光を含む第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するようにカバー部材をリリース可能に保持する保持機構と、カバー部材をリリース可能に保持する保持部を有し、保持機構に対して移動可能な可動部材と、カバー部材を保持機構から保持部へ渡す前に、カバー部材の少なくとも一部をクリーニングする第２クリーニング装置と、を備える露光装置が提供される。
本発明の第６の態様に従えば、第１〜第５のいずれか一つの露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
本発明の第７の態様に従えば、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように基板が配置された状態で、射出面側に第１液体を供給するとともに、第１液体の少なくとも一部を回収口から回収して、第１液体を介して基板を露光することと、第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するように、カバー部材を保持機構で保持することと、第２処理において、射出面側に第２液体を供給するとともに、回収口に対する気体の流入を第１処理よりも抑制しつつ、第２液体の少なくとも一部を回収口から回収することと、を含む露光方法が提供される。
本発明の第８の態様に従えば、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように基板が配置された状態で、射出面側に第１液体を供給して、第１液体を介して基板を露光することと、第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するように、カバー部材を保持機構で保持することと、第２処理において、射出面側に第２液体を供給することと、カバー部材の上面において第２液体で形成される液浸空間の面積を変化させることと、を含む露光方法が提供される。
本発明の第９の態様に従えば、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように基板が配置された状態で、射出面側に第１液体を供給するとともに、第１液体の少なくとも一部を回収口から回収して、第１液体を介して基板を露光することと、第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するように、カバー部材を保持機構で保持することと、第２処理において、射出面側に第２液体を供給するとともに、第２液体の少なくとも一部を回収口から回収することと、第２処理において、下面の少なくとも一部に異物が接近することを抑制することと、を含む露光方法が提供される。
本発明の第１０の態様に従えば、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように基板が配置された状態で、射出面側に第１液体を供給して、第１液体を介して基板を露光することと、第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するように、カバー部材を保持機構で保持することと、第２処理において、射出面側に第２液体を供給することと、カバー部材を保持機構から保持機構に対して移動可能な可動部材の保持部へ渡す前に、可動部材の少なくとも一部をクリーニングすることと、を含む露光方法が提供される。
本発明の第１１の態様に従えば、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように基板が配置された状態で、射出面側に第１液体を供給して、第１液体を介して基板を露光することと、第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するように、カバー部材を保持機構で保持することと、第２処理において、射出面側に第２液体を供給することと、カバー部材を保持機構から保持機構に対して移動可能な可動部材の保持部へ渡す前に、カバー部材の少なくとも一部をクリーニングすることと、を含む露光方法が提供される。
本発明の第１２の態様に従えば、第７〜第１１のいずれか一つの露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
本発明の第１３の態様に従えば、コンピュータに、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように基板が配置された状態で、射出面側に第１液体を供給するとともに、第１液体の少なくとも一部を回収口から回収して、第１液体を介して基板を露光することと、第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するように、カバー部材を保持機構で保持することと、第２処理において、射出面側に第２液体を供給するとともに、回収口に対する気体の流入を第１処理よりも抑制しつつ、第２液体の少なくとも一部を回収口から回収することと、を実行させるプログラムが提供される。
本発明の第１４の態様に従えば、コンピュータに、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように基板が配置された状態で、射出面側に第１液体を供給して、第１液体を介して基板を露光することと、第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するように、カバー部材を保持機構で保持することと、第２処理において、射出面側に第２液体を供給することと、カバー部材の上面において第２液体で形成される液浸空間の面積を変化させることと、を実行させるプログラムが提供される。
本発明の第１５の態様に従えば、コンピュータに、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように基板が配置された状態で、射出面側に第１液体を供給するとともに、第１液体の少なくとも一部を回収口から回収して、第１液体を介して基板を露光することと、第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するように、カバー部材を保持機構で保持することと、第２処理において、射出面側に第２液体を供給するとともに、第２液体の少なくとも一部を回収口から回収することと、第２処理において、下面の少なくとも一部に異物が接近することを抑制することと、を実行させるプログラムが提供される。
本発明の第１６の態様に従えば、コンピュータに、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように基板が配置された状態で、射出面側に第１液体を供給して、第１液体を介して基板を露光することと、第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するように、カバー部材を保持機構で保持することと、第２処理において、射出面側に第２液体を供給することと、カバー部材を保持機構から保持機構に対して移動可能な可動部材の保持部へ渡す前に、可動部材の少なくとも一部をクリーニングすることと、を実行させるプログラムが提供される。
本発明の第１７の態様に従えば、コンピュータに、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように基板が配置された状態で、射出面側に第１液体を供給して、第１液体を介して基板を露光することと、第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するように、カバー部材を保持機構で保持することと、第２処理において、射出面側に第２液体を供給することと、カバー部材を保持機構から保持機構に対して移動可能な可動部材の保持部へ渡す前に、カバー部材の少なくとも一部をクリーニングすることと、を実行させるプログラムが提供される。
本発明の第１８の態様に従えば、第１３〜第１７のいずれか一つのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
第１実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。 第１実施形態に係る基板の一例を示す図である。 第１実施形態に係るカバー部材の一例を示す図である。 第１実施形態に係る露光装置の一部を示す平面図である。 第１実施形態に係る液浸部材、保持機構、及び基板ステージの一例を説明するための図である。 第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示すフローチャートである。 第１実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を示すフローチャートである。 第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。 第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。 第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。 第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。 第２実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。 第３実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。 第３実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。 第４実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。 第４実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。 第４実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。 第４実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。 第５実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。 第５実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。 第６実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。 第６実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。 第７実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。 第８実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を示すフローチャートである。 第８実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。 第８実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。 第８実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。 第９実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。 第１０実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。 第１１実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。 第１１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。 第１１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。 露光装置の一例を示す図である。 液浸部材の一例を示す図である。 露光装置の一例を示す図である。 デバイス製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、そのＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。
本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間とは、液体で満たされた部分（空間、領域）をいう。基板Ｐは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光される。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、及び欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板ステージ２Ｐと計測ステージ２Ｃとを備えた露光装置である。
図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２Ｐと、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材（計測器）Ｃを搭載して移動可能な計測ステージ２Ｃと、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成する液浸部材３と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置４００と、制御装置４００に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置５００とを備えている。記憶装置５００は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置５００には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。
基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。露光処理を含むフォトリソグラフィ工程により、基板Ｐの少なくとも一部からデバイス（製品デバイス、最終製品）が製造される。例えば図２に示すように、基板Ｐは、半導体ウエハのような基材Ｗと、その基材Ｗ上に形成された感光膜Ｒｇとを含む。感光膜Ｒｇは、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜Ｒｇに加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜Ｒｇを保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、部材をリリース可能に保持する保持機構４を備えている。本実施形態において、保持機構４は、例えば図３に示すようなカバー部材ＣＰをリリース可能に保持する。本実施形態において、カバー部材ＣＰは、プレート状である。本実施形態において、カバー部材ＣＰの外形は、基板Ｐの外形と近似している。本実施形態において、カバー部材ＣＰの外形は、基板Ｐの外形と実質的に同一である。なお、カバー部材ＣＰの外形が、基板Ｐの外形と異なってもよい。例えば、カバー部材ＣＰの外形が、基板Ｐの外形よりも小さくてもよいし、大きくてもよい。
カバー部材ＣＰには、感光膜Ｒｇが存在しない。カバー部材ＣＰからは、デバイス（製品デバイス、最終製品）が製造されない。すなわち、カバー部材ＣＰは、デバイスの製造に寄与しない。カバー部材ＣＰからデバイスを製造することは不可能である。本実施形態においては、カバー部材ＣＰに対して、マスクＭ及び投影光学系ＰＬを介して露光光ＥＬは照射されない。カバー部材ＣＰは、例えば基材Ｗと同一の材料を含んでもよいし、基材Ｗと同一でもよい。例えば、カバー部材ＣＰが半導体ウエハを含んでもよいし、ガラス基板を含んでもよい。また、カバー部材ＣＰが、所謂ベアウエハでもよいし、半導体ウエハと酸化膜とを含んでもよいし、半導体ウエハと金属膜（配線パターン）とを含んでもよい。また、カバー部材ＣＰが、基材Ｗと、その基材Ｗ上に形成された膜とを含んでもよい。カバー部材ＣＰの上面を形成する膜は、例えばフッ素を含んでもよい。例えば、液体ＬＱに対するカバー部材ＣＰの上面が、撥液性でもよい。例えば、液体ＬＱに対するカバー部材ＣＰの上面の接触角が、９０度よりも大きくてもよいし、１００度よりも大きくてもよいし、１１０度よりも大きくてもよい。また、液体ＬＱに対するカバー部材ＣＰの上面が、親液性でもよい。例えば、液体ＬＱに対するカバー部材ＣＰの上面の接触角が、９０度よりも小さくてもよいし、８０度よりも小さくてもよいし、７０度よりも小さくてもよい。例えば、液体ＬＱに対するカバー部材ＣＰの上面の接触角が、基板Ｐの上面の接触角よりも、大きくてもよいし、小さくてもよいし、基板Ｐの上面の接触角と実質的に等しくてもよい。
本実施形態において、カバー部材ＣＰは、基板Ｐよりも異物（汚染物）を放出し難い。例えばカバー部材ＣＰと液体ＬＱとが接触したときのカバー部材ＣＰから液体ＬＱへ溶出する異物の量は、基板Ｐと液体ＬＱとが接触したときの基板Ｐから液体ＬＱへ溶出する異物の量よりも抑制される。
また、図１に示すように、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書に開示されているような、基板ステージ２Ｐが有するスケール部材Ｔを用いてその基板ステージ２Ｐの位置を計測するエンコーダシステム５を備えている。エンコーダシステム５は、スケール部材Ｔが対向可能な位置に配置され、スケール部材Ｔの格子（スケール）を計測可能な複数のエンコーダヘッド６Ａと、それらエンコーダヘッド６Ａを保持する保持部材６Ｂとを有する。以下の説明において、複数のエンコーダヘッド６Ａ及び保持部材６Ｂを合わせて適宜、ヘッドユニット６、と称する。
また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、マスクステージ１、基板ステージ２Ｐ、及び計測ステージ２Ｃの位置を計測する干渉計システム８を備えている。なお、露光装置ＥＸが、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書に開示されているような、基板Ｐの表面の位置を検出する第１検出システム、及び基板Ｐのアライメントマークを検出する第２検出システムの少なくとも一方を備えてもよい。
また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、基板Ｐを搬送する搬送システム９を備えている。搬送システム９は、基板ステージ２Ｐに基板Ｐを搬入する処理、及び基板ステージ２Ｐから基板Ｐを搬出する処理を含む基板交換処理を実行可能である。
また、露光装置ＥＸは、少なくとも投影光学系ＰＬを支持するボディ１０を備えている。また、露光装置ＥＸは、露光光ＥＬが進行する空間ＣＳを形成するチャンバ装置１１を備えている。チャンバ装置１１は、空間ＣＳを形成するチャンバ部材１１Ａと、その空間の環境（温度、湿度、圧力、及びクリーン度）を調整する環境制御装置１１Ｂとを有する。本実施形態において、空間ＣＳは、空間ＣＳ１及び空間ＣＳ２を含む。空間ＣＳ２は、基板Ｐが処理される空間である。環境制御装置１１Ｂは、空間ＣＳに気体を供給する給気部を有する。環境制御装置１１Ｂは、給気部から空間ＣＳに気体を供給して、その空間ＣＳの環境を制御する。
本実施形態においては、マスクステージ１、及び照明系ＩＬの少なくとも一部が、空間ＣＳ１に配置される。また、本実施形態においては、基板ステージ２Ｐ、計測ステージ２Ｃ、及び投影光学系ＰＬの少なくとも一部が、空間ＣＳ２に配置される。マスクステージ１は、空間ＣＳ１を移動する。基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃは、空間ＣＳ２を移動する。
ボディ１０は、空間ＣＳに配置される。ボディ１０は、支持部１０Ａを有する。本実施形態において、支持部１０Ａは、ベース部材１２を支持する。ベース部材１２は、マスクステージ１を支持する。支持部１０Ａは、例えば防振装置を含む。本実施形態において、また、支持部１０Ａは、支持装置１３を介して、投影光学系ＰＬを支持する。支持装置１３は、例えば米国特許出願公開第２００７／００９７３６７号に開示されているような柔構造を含んでもよい。
また、本実施形態において、支持部１０Ａは、支持装置１４を介して、支持部材１５を支持する。支持部材１５は、ヘッドユニット６を支持する。本実施形態において、支持部材１５は、連結部材１６を介して、ヘッドユニット６を支持する。本実施形態において、支持部材１５とヘッドユニット６との間に空間が形成される。なお、支持部材１５とヘッドユニット６との間に空間が形成されなくてもよい。例えば、支持部材１５とヘッドユニット６とが接触してもよい。
本実施形態において、保持機構４の少なくとも一部は、支持部材１５に支持される。すなわち、本実施形態において、支持部材１５は、保持機構４及びヘッドユニット６の両方を支持する。なお、保持機構４を支持する部材とヘッドユニット６を支持する部材とが別の部材でもよい。なお、投影光学系ＰＬを支持する部材と保持機構４を支持する部材とが別の部材でもよいし、同じ部材でもよい。なお、投影光学系ＰＬを支持する部材とヘッドユニット６を支持する部材とが別の部材でもよいし、同じ部材でもよい。
照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。
マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材１２のガイド面１２Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面１２ＧとＸＹ平面とは実質的に平行である。マスクステージ１は、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような平面モータを含む駆動システム７の作動により移動する。駆動システム７の平面モータは、マスクステージ１に配置された可動子と、ベース部材１２に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、マスクステージ１は、駆動システム７の作動により、ガイド面１２Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺの６つの方向に移動可能である。なお、駆動システム７は、平面モータでなくてもよい。例えば、駆動システム７が、リニアモータを含んでもよい。
投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
投影光学系ＰＬは、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬが射出される射出面１８を有する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１９が、射出面１８を有する。投影領域ＰＲは、射出面１８から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。本実施形態において、射出面１８は、−Ｚ方向を向いており、ＸＹ平面と平行である。なお、−Ｚ方向を向いている射出面１８は、凸面であってもよいし、凹面であってもよい。終端光学素子１９の光軸は、Ｚ軸と平行である。本実施形態において、射出面１８から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。
基板ステージ２Ｐは、基板Ｐを保持した状態で、終端光学素子１９、液浸部材３、及び保持機構４に対して移動可能である。本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、射出面１８からの露光光ＥＬが照射可能な位置ＥＰを含むＸＹ平面内を移動可能である。射出面１８からの露光光ＥＬが照射可能な位置ＥＰは、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲを含む。本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、ベース部材２０のガイド面２０Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面２０ＧとＸＹ平面とは実質的に平行である。
計測ステージ２Ｃは、計測部材Ｃ（計測器）を搭載した状態で、終端光学素子１９、液浸部材３、及び保持機構４に対して移動可能である。本実施形態において、計測ステージ２Ｃは、射出面１８からの露光光ＥＬが照射可能な位置ＥＰ（投影領域ＰＲ）を含むＸＹ平面内を移動可能である。本実施形態において、計測ステージ２Ｃは、ベース部材２０のガイド面２０Ｇ上を移動可能である。
本実施形態において、計測部材Ｃは、例えば米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号明細書等に開示されているような投影光学系ＰＬの空間像（結像特性）を計測可能な空間像計測システムの一部を構成する。なお、計測部材Ｃが、例えば米国特許第４４６５３６８号明細書等に開示されているような露光光ＥＬの照度むらを計測可能な照度むら計測システムの一部を構成してもよい。また、計測部材Ｃが、例えば米国特許第５４９３４０３号明細書等に開示されているような基板Ｐのアライメントマークを計測可能なアライメントシステムによって計測される基準マークを構成してもよい。なお、計測部材Ｃが、例えば米国特許出願公開第２００２／００６１４６９号明細書等に開示されているような照射量計測システム（照度計測システム）、例えば欧州特許第１０７９２２３号明細書等に開示されているような波面収差計測システム等、露光光ＥＬの露光光ＥＬを計測する計測システムの一部を構成してもよい。
基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような平面モータを含む駆動システム１７の作動により移動する。駆動システム１７の平面モータは、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃのそれぞれに配置された可動子と、ベース部材２０に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃのそれぞれは、駆動システム１７の作動により、ガイド面２０Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺの６つの方向に移動可能である。なお、駆動システム１７は、平面モータでなくてもよい。例えば、駆動システム１７が、リニアモータを含んでもよい。
基板ステージ２Ｐは、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部２１を有する。また、本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、第１保持部２１の周囲の少なくとも一部に配置され、射出面１８が対向可能なスケール部材Ｔを有する。本実施形態において、スケール部材Ｔは、プレート状の部材である。基板ステージ２Ｐが移動することによって、スケール部材Ｔも移動する。例えば基板ステージ２Ｐがガイド面２０Ｇに沿ってＸＹ平面内を移動することによって、スケール部材Ｔも移動する。
本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、第１保持部２１の周囲の少なくとも一部に配置され、スケール部材Ｔをリリース可能に保持する第２保持部２２を有する。第２保持部２２に保持されるスケール部材Ｔは、第１保持部２１に保持される基板Ｐの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、スケール部材Ｔは、開口を有する。スケール部材Ｔの開口の内側に基板Ｐが配置される。本実施形態において、スケール部材Ｔは、基板Ｐの周囲に配置される。
本実施形態において、基板Ｐの表面（上面）は、実質的に平坦である。スケール部材Ｔの表面（上面）は、実質的に平坦である。本実施形態において、第１保持部２１は、基板Ｐの表面（上面）とＸＹ平面とが実質的に平行となるように、基板Ｐの裏面（下面）を保持する。第２保持部２２は、スケール部材Ｔの表面（上面）とＸＹ平面とが実質的に平行となるように、スケール部材Ｔの裏面（下面）を保持する。
本実施形態において、第１保持部２１に保持された基板Ｐの表面（上面）と、第２保持部２２に保持されたスケール部材Ｔの表面（上面）とは、実質的に同一平面内に配置される（面一である）。
なお、第１保持部２１に保持された基板Ｐの表面（上面）と第２保持部２２に保持されたスケール部材Ｔの表面（上面）とが同一平面内に配置されてなくてもよいし、基板Ｐの表面の少なくとも一部及びスケール部材Ｔの表面の少なくとも一部の一方又は両方がＸＹ平面と非平行でもよい。
なお、例えばスケール部材Ｔの表面（上面）の少なくとも一部が平坦でなくてもよい。例えば、スケール部材Ｔの表面（上面）の少なくとも一部が曲面を含んでもよい。
以下の説明において、基板ステージ２Ｐ（第２保持部２２）に保持されたスケール部材Ｔの表面（上面）を適宜、上面２３、と称する。上面２３は、第１保持部２１に保持された基板Ｐの表面の周囲に配置される。スケール部材Ｔの上面２３は、射出面１８と対向可能である。
なお、本実施形態においては、スケール部材Ｔは、基板ステージ２Ｐからリリース可能であるが、リリース可能でなくてもよい。その場合、第２保持部２２は省略可能である。
次に、図４を参照して、搬送システム９について説明する。図４は、搬送システム９、基板ステージ２Ｐ、及び計測ステージ２Ｃの一例を示す平面図である。
本実施形態において、搬送システム９は、基板ステージ２Ｐに基板Ｐを搬入（ロード）する第１搬送部材９Ａと、基板ステージ２Ｐから基板Ｐを搬出（アンロード）する第２搬送部材９Ｂとを有する。第１搬送部材９Ａは、例えば露光前の基板Ｐを基板ステージ２Ｐの第１保持部２１に搬入する。第２搬送部材９Ｂは、例えば露光後の基板Ｐを基板ステージ２Ｐの第１保持部２１から搬出する。
本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、少なくとも一部が射出面１８と対向する位置ＥＰと、射出面１８と対向しない位置ＣＰ１と、射出面１８と対向しない位置ＣＰ２との間を移動可能である。
本実施形態においては、位置ＥＰに配置された物体に、射出面１８から射出された露光光ＥＬが照射可能である。本実施形態においては、位置ＣＰ１において、露光前の基板Ｐを第１保持部２１に搬入する処理が実行される。位置ＣＰ２において、第１保持部２１から露光後の基板Ｐを搬出する処理が実行される。
以下の説明において、位置ＥＰを適宜、露光位置ＥＰ、と称する。また、以下の説明において、位置ＣＰ１を適宜、第１基板交換位置ＣＰ１、と称し、位置ＣＰ２を適宜、第２基板交換位置ＣＰ２、と称する。
本実施形態において、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２は、露光位置ＥＰに対して＋Ｙ側の位置である。本実施形態において、第１基板交換位置ＣＰ１は、第２基板交換位置ＣＰ２に対して−Ｘ側の位置である。
第１保持部２１に基板Ｐを搬入するとき、制御装置４００は、基板ステージ２Ｐを第１基板交換位置ＣＰ１に移動する。制御装置４００は、第１搬送部材９Ａを用いて、第１基板交換位置ＣＰ１に配置された基板ステージ２Ｐの第１保持部２１に、基板Ｐを搬入する。
第１保持部２１から基板Ｐを搬出するとき、制御装置４００は、基板ステージ２Ｐを第２基板交換位置ＣＰ２に移動する。制御装置４００は、第２搬送部材９Ｂを用いて、第２基板交換位置ＣＰ２に配置された基板ステージ２Ｐの第１保持部２１から、基板Ｐを搬出する。
次に、図５を参照して、液浸部材３、保持機構４、及び基板ステージ２Ｐについて説明する。図５は、液浸部材３、保持機構４、及び基板ステージ２Ｐの一部を示す側断面図である。
液浸部材３は、射出面１８から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの周囲の少なくとも一部に配置される。液浸部材３は、下面２４を有する。下面２４の少なくとも一部は、−Ｚ方向を向く。下面２４は、光路Ｋの周囲の少なくとも一部に配置される。また、本実施形態において、液浸部材３は、終端光学素子１９の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、下面２４は、射出面１８よりも−Ｚ側（下側）に配置される。
本実施形態において、液浸部材３は、環状の部材である。本実施形態において、液浸部材３の一部は、射出面１８から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの周囲に配置される。また、本実施形態において、液浸部材３の一部は、終端光学素子１９の周囲に配置される。
なお、液浸部材３が、射出面１８から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの周囲に配置されなくてもよい。例えば、液浸部材３が、光路Ｋの周囲に配置されず、終端光学素子１９（投影光学系ＰＬ）の周囲にのみ配置されてもよい。また、下面２４が、終端光学素子１９（投影光学系ＰＬ）の周囲に配置されてもよい。換言すれば、下面２４が、射出面１８よりも＋Ｚ側に配置されてもよい。
液浸部材３は、露光光ＥＬの光路Ｋの少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸空間ＬＳは、射出面１８側に形成される。液浸空間ＬＳは、射出面１８から射出される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように形成される。射出面１８から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。射出面１８は、露光光ＥＬの進行方向（−Ｚ方向）を向く。本実施形態において、射出面１８は、ＸＹ平面とほぼ平行な平面である。なお、射出面１８がＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。
本実施形態において、射出面１８及び下面２４は、射出面１８から射出される露光光ＥＬが照射可能な露光位置ＥＰ（投影領域ＰＲ）に配置される物体との間で液体ＬＱを保持することができる。液浸空間ＬＳは、射出面１８及び下面２４の少なくとも一部と投影領域ＰＲに配置される物体との間に保持された液体ＬＱによって形成される。液浸空間ＬＳは、射出面１８と、露光位置ＥＰに配置される物体との間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように形成される。液浸部材３は、終端光学素子１９と物体との間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように物体との間で液体ＬＱを保持可能である。
本実施形態において、露光位置ＥＰに配置可能な物体は、投影光学系ＰＬの像面側（終端光学素子１９の射出面１８側）で露光位置ＥＰに対して移動可能な物体を含む。その物体は、終端光学素子１９及び液浸部材３に対して移動可能である。その物体は、射出面１８及び下面２４の少なくとも一方と対向可能な上面（表面）を有する。物体の上面は、射出面１８との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。本実施形態において、物体の上面は、射出面１８及び下面２４の少なくとも一部との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。一方側の射出面１８及び下面２４と、他方側の物体の上面（表面）との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１９と物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。
本実施形態において、その物体は、基板ステージ２Ｐ（スケール部材Ｔ）、基板ステージ２Ｐに保持された基板Ｐ、及び計測ステージ２Ｃ（計測部材Ｃ）の少なくとも一つを含む。例えば、基板ステージ２Ｐ（スケール部材Ｔ）の上面２３、及び基板ステージ２Ｐに保持されている基板Ｐの表面（上面）は、−Ｚ方向を向く終端光学素子１９の射出面１８、及び−Ｚ方向を向く液浸部材３の下面２４と対向可能である。もちろん、露光位置ＥＰに配置可能な物体は、基板ステージ２Ｐ（スケール部材Ｔ）、基板ステージ２Ｐに保持された基板Ｐ、及び計測ステージ２Ｃ（計測部材Ｃ）の少なくとも一つに限られない。
また、本実施形態において、その物体は、カバー部材ＣＰを含む。保持機構４は、カバー部材ＣＰの上面が射出面１８及び下面２４の少なくとも一部と対向するように、カバー部材ＣＰを保持することができる。
本実施形態においては、基板Ｐの露光処理を実行するとき、制御装置４００は、終端光学素子１９及び液浸部材３と基板Ｐとを対向させ、終端光学素子１９と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。液浸部材３は、終端光学素子１９と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持可能である。本実施形態においては、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧの少なくとも一部は、液浸部材３の下面２４と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、基板Ｐの表面の一部だけを覆うように形成される。ＸＹ平面内における液浸空間ＬＳの大きさは、基板Ｐの表面（外形）の大きさよりも小さい。制御装置４００は、基板Ｐを露光するために、照明系ＩＬから露光光ＥＬを射出し、マスクＭを露光光ＥＬで照明する。マスクＭからの露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して基板Ｐに照射される。これにより、基板Ｐは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して射出面１３からの露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。
なお、図５は、露光位置ＥＰ（終端光学素子１９の射出面１８と対向する位置）に、第１保持部２１に保持されている基板Ｐが配置されている状態を示す。図５において、液浸空間ＬＳは、終端光学素子１９及び液浸部材３と、基板Ｐとの間に形成されている。
図５に示すように、液浸部材３は、少なくとも一部が終端光学素子１９と基板Ｐ（物体）との間に配置され、基板Ｐ（物体）が対向可能な対向部３１と、少なくとも一部が終端光学素子１９の周囲に配置される本体部３２とを含む。本実施形態において、対向部３１の少なくとも一部は、プレート状である。なお、対向部３１の少なくとも一部が対向部でなくてもよい。対向部３１は、射出面１８と対向する位置に孔（開口）３Ｋを有する。射出面１８から射出された露光光ＥＬは、開口３Ｋを通過して、基板Ｐに照射可能である。
また、液浸部材３は、液体ＬＱを供給可能な供給口３３と、液体ＬＱを回収可能な回収口３４とを有する。供給口３３は、射出面１８側（投影光学系ＰＬの像面側）に液体ＬＱを供給する。回収口３４は、射出面１８側に供給された液体ＬＱの少なくとも一部を回収する。供給口３３は、例えば基板Ｐの露光時において液体ＬＱを供給する。回収口３４は、例えば基板Ｐの露光時において液体ＬＱを回収する。
供給口３３は、射出面１８から射出される露光光ＥＬの光路の近傍において、その光路に面するように配置されている。本実施形態において、供給口３３は、対向部３１の上面と射出面１８との間の空間に液体ＬＱを供給する。供給口３３から供給された液体ＬＱは、対向部３１の上面と射出面１８との間の空間を流れた後、開口３Ｋを介して、基板Ｐ（物体）上に供給される。
供給口３３は、流路３３Ｒを介して、液体供給装置と接続されている。液体供給装置は、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。流路３３Ｒは、液浸部材３の内部に形成された供給流路３３Ｐ、及びその供給流路３３Ｐと液体供給装置とを接続する供給管で形成される流路を含む。なお、流路３３Ｒの少なくとも一部が、例えば支持部材１５に形成されてもよい。液体供給装置から送出された液体ＬＱは、流路３３Ｒを介して供給口３３に供給される。少なくとも基板Ｐの露光において、供給口３３は、液体ＬＱを供給する。
回収口３４は、液浸部材３の下面２４と対向する物体上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。回収口３４は、露光光ＥＬが通過する孔３Ｋの下端の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態においては、回収口３４は、対向部３１の下面３１Ｂの周囲の少なくとも一部に配置される。回収口３４は、物体の表面と対向する液浸部材３の所定位置に配置されている。少なくとも基板Ｐの露光において、回収口３４に基板Ｐが対向する。基板Ｐの露光において、回収口３４は、基板Ｐ上の液体ＬＱを回収する。
本実施形態において、本体部３２は、基板Ｐ（物体）に面する開口３Ｐを有する。開口３Ｐは、対向部３１の下面３１Ｂの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材３は、開口３Ｐに配置された多孔部材３６を有する。本実施形態において、多孔部材３６は、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の部材である。なお、開口３Ｐに、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。
本実施形態において、多孔部材３６は、基板Ｐ（物体）の上面が対向可能な下面３６Ｂと、下面３６Ｂの反対方向を向く上面３６Ｕと、上面３６Ｕと下面３６Ｂとを結ぶ複数の孔とを有する。多孔部材３６の下面３６Ｂは、対向部３１の下面３１Ｂの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材３の下面２４の少なくとも一部は、対向部３１の下面３１Ｂ及び多孔部材３６の下面３６Ｂを含む。本実施形態において、回収口３４は、下面２４の少なくとも一部に配置される。
本実施形態において、回収口３４は、多孔部材３６の孔を含む。本実施形態において、基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱは、多孔部材３６の孔（回収口３４）を介して回収される。なお、多孔部材３６が配置されなくてもよい。
回収口３４は、流路３４Ｒを介して、液体回収装置と接続される。液体回収装置は、回収口３４を真空システムに接続可能であり、回収口３４を介して液体ＬＱを吸引可能である。流路３４Ｒは、液浸部材３の内部に形成された回収流路３４Ｐ、及びその回収流路３４Ｐと液体回収装置とを接続する回収管で形成される流路を含む。なお、流路３４Ｒの少なくとも一部が、例えば支持部材１５に形成されてもよい。回収口３４から回収された液体ＬＱは、流路３４Ｒを介して、液体回収装置に回収される。
本実施形態において、制御装置４００は、供給口３３からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口３４からの液体ＬＱの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子１９及び液浸部材３と、他方側の物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。
なお、液浸部材３として、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材（ノズル部材）を用いることができる。
本実施形態において、液浸部材３は、支持部材１５に支持される。本実施形態において、液浸部材３は、支持機構３７を介して、支持部材１５に支持される。本実施形態においては、流路３３Ｒ、３４Ｒの少なくとも一部が、支持機構３７に配置される。なお、支持機構３７が、例えば液浸部材３を移動するアクチュエータを含む駆動システムを有してもよい。例えば、液浸部材３が、駆動システムの作動により、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺの６つの方向の少なくとも一つの方向に移動してもよい。なお、支持機構３７が、例えばバネ部材及びベローズ部材等、液浸部材３を移動可能に支持する弾性部材（可撓性部材）を有してもよい。
なお、本実施形態においては、支持部材１５が、液浸部材３及び保持機構４の両方を支持することとするが、液浸部材３を支持する部材と保持機構４を支持する部材とが別の部材でもよい。なお、投影光学系ＰＬを支持する部材と液浸部材３を支持する部材とが別の部材でもよいし、同じ部材でもよい。なお、液浸部材３を支持する部材とヘッドユニット６を支持する部材とが別の部材でもよいし、同じ部材でもよい。
基板ステージ２Ｐは、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部２１を有する。本実施形態において、第１保持部２１は、所謂ピンチャック機構を含み、基板Ｐの裏面が対向可能な支持面２５と、支持面２５に配置され、基板Ｐの裏面が対向可能な上面を有する壁部材２６と、基板Ｐの裏面を支持する複数の支持部材２７と、支持面２５に配置され、気体を吸引する吸引口２８とを含む。ＸＹ平面内において、壁部材２６は、環状である。支持部材２７は、ピン状の部材である。複数の支持部材２７は、壁部材２６の内側に配置される。また、吸引口２８も、壁部材２６の内側に配置される。吸引口２８は、流路を介して真空システムに接続可能である。支持面２８と基板Ｐの裏面と壁部材２６とで形成される空間の気体が吸引口２８から吸引されることによって、基板Ｐが支持部材２７の上面に吸着される。また、吸引口２８の吸引動作が解除されることによって、基板Ｐが第１保持部２１からリリースされる。
また、基板ステージ２Ｐは、スケール部材Ｔをリリース可能に保持する第２保持部２２を有する。本実施形態において、第２保持部２２は、所謂ピンチャック機構を含む。第２保持部２２についての詳細な説明は省略する。
また、基板ステージ２Ｐは、基板Ｐの裏面を支持可能な上面３８を有する支持部材３９と、その支持部材３９をＺ軸方向に移動可能な駆動システム４０とを含む移動装置４１を有する。支持部材３９は、複数のロッド部を有する。支持部材３９は、複数のロッド部のそれぞれの上面３８で、基板Ｐの裏面の複数の位置（例えば３か所）を支持可能である。基板ステージ２Ｐ（第１保持部２１）は、支持部材３９の少なくとも一部が配置される開口（孔）４２を有する。支持部材３９の少なくとも一部は、開口４２を移動可能である。
本実施形態において、移動装置４１は、上面３８に配置され、流体（気体及び液体の一方又は両方）を吸引可能な吸引口２９を有する。吸引口２９は、真空システムに接続可能である。制御装置４００は、上面３８と基板Ｐの裏面とが接触した状態で、吸引口２９の吸引動作を実行することによって、基板Ｐを上面３８に吸着させることができる。すなわち、本実施形態において、支持部材３９は、基板Ｐの裏面を吸着保持することができる。また、吸引口２９の吸引動作が解除されることによって、基板Ｐが支持部材３９（上面３８）からリリースされる。
移動装置４１は、支持部材３９で基板Ｐの裏面を支持した状態で、その支持部材３９を＋Ｚ方向に移動することにより、基板Ｐと第１保持部２１とを離すことができる。また、移動装置４１は、支持部材３９で基板Ｐの裏面を支持した状態で、その支持部材３９を−Ｚ方向に移動することにより、基板Ｐと第１保持部２１とを近づけることができる。
次に、保持機構４について説明する。保持機構４は、カバー部材ＣＰを保持可能な保持部材４３を備えている。また、保持機構４は、保持部材４３を移動可能な駆動システム４４を備えている。駆動システム４４は、例えばボイスコイルモータ等の電磁アクチュエータを含み、保持部材４３を少なくともＺ軸方向に移動可能である。本実施形態において、駆動システム４４は、保持部材４３を、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺの６つの方向に移動可能である。なお、保持部材４３は、Ｘ軸、Ｙ軸、θＸ、θＹ、及びθＺの方向のうちの少なくとも一つの方向に動かなくてもよい。また、後述する保持部材４３の保持面４５を、液浸部材３の下面２４より低い位置、すなわち液浸部材３の下面２４より−Ｚ側に配置できる場合には、保持部材４３がＺ軸方向に移動可能でなくてもよい。
本実施形態において、保持機構４は、液浸部材３の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、保持部材４３及びその保持部材４３を移動可能な駆動システム４４は、液浸部材３の周囲において複数配置される。例えば、図５に示すように、保持部材４３及び駆動システム４４は、液浸部材３の＋Ｙ側及び−Ｙ側のそれぞれに配置されてもよいし、＋Ｘ側及び−Ｘ側のそれぞれに配置されてもよい。また、保持部材４３及び駆動システム４４が、液浸部材３の周囲の３か所に配置されてもよい。なお、保持部材４及び駆動システム４４が、液浸部材３の周囲の１か所に配置されてもよい。
保持部材４３は、カバー部材ＣＰ等の物体の上面が対向可能な保持面４５を有する。保持面４５の少なくとも一部は、−Ｚ方向を向く。保持面４５とカバー部材ＣＰの上面とは接触可能である。保持機構４は、保持部材４３の保持面４５で、カバー部材ＣＰの上面の少なくとも一部を保持することができる。
本実施形態において、保持機構４は、保持面４５に配置され、流体（気体及び液体の一方又は両方）を吸引可能な吸引口４６を有する。吸引口４６は、真空システムに接続可能である。制御装置４００は、保持面４５とカバー部材ＣＰの上面とが接触した状態で、吸引口４６の吸引動作を実行することによって、カバー部材ＣＰを保持面４５に吸着させることができる。すなわち、本実施形態において、保持部材４３は、カバー部材ＣＰＰの上面を吸着保持することができる。また、吸引口４６の吸引動作が解除されることによって、カバー部材ＣＰが保持部材４３（保持面４５）からリリースされる。
本実施形態において、保持部材４３の保持面４５は、保持部材４３の最も−Ｚ側に配置される。液浸部材３の下面２４は、液浸部材３の最も−Ｚ側に配置される。例えば基板Ｐの露光において、保持面４５は、下面２４よりも＋Ｚ側に配置される。換言すれば、基板Ｐの露光において、保持面４５は、下面２４よりも基板Ｐ等の物体から離れる。制御装置４００は、保持面４５が下面２４よりも＋Ｚ側に配置されるように、例えば駆動システム４４を制御して、液浸部材３に対する保持部材４３の位置を調整することができる。なお、支持機構３７が、液浸部材３の位置を調整可能な駆動システムを備えている場合、制御装置４００は、保持面４５が下面２４よりも＋Ｚ側に配置されるように、支持機構３７の駆動システムを制御して、保持部材４３に対する液浸部材３の位置を調整してもよいし、駆動システム４４及び支持機構３７の駆動システムの両方を制御して、Ｚ軸方向に関する保持部材４３と液浸部材３との相対位置を調整してもよい。
また、本実施形態においては、基板Ｐの露光において、基板Ｐ等の物体が対向可能なヘッドユニット６の下面は、液浸部材３の下面２４よりも＋Ｚ側に配置される。また、本実施形態においては、基板Ｐの露光において、ヘッドユニット６の下面は、保持部材４３の保持面４５よりも＋Ｚ側に配置される。なお、基板Ｐの露光において、ヘッドユニット６の下面が、保持部材４３の保持面４５よりも−Ｚ側に配置されてもよいし、Ｚ軸方向に関して保持面４５とほぼ同じ位置（高さ）に配置されてもよい。
次に、本実施形態に係る露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。本実施形態においては、図６に示すように、基板Ｐの露光を含む露光シーケンス（ステップＳＴ１）と、メンテナンスシーケンス（ステップＳＴ２）とが実行される。
露光シーケンス（ＳＴ１）について説明する。制御装置４００は、基板ステージ２Ｐを第１基板交換位置ＣＰ１に移動し、その第１基板交換位置ＣＰ１に配置された基板ステージ２Ｐに露光前の基板Ｐを搬入（ロード）する。なお、基板ステージ２Ｐに露光後の基板Ｐが保持されている場合、制御装置４００は、第２基板交換位置ＣＰ２に配置された基板ステージ２Ｐから露光後の基板Ｐを搬出（アンロード）した後、その基板ステージ２Ｐを第１基板交換位置ＣＰ１に移動して、その基板ステージ２Ｐに露光前の基板Ｐをロードする。
基板ステージ２Ｐから基板Ｐを搬出する処理及び基板ステージ２Ｐに基板Ｐを搬入する処理を含む基板交換処理が実行されている間、露光位置ＥＰに計測ステージ２Ｃが配置される。制御装置４００は、計測ステージ２Ｃ上に液浸空間ＬＳが形成されている状態で、その計測ステージ２Ｃに配置されている計測部材Ｃ（計測器）を用いる計測処理を実行してもよい。例えば、制御装置４００は、終端光学素子１９及び液浸部材３と計測ステージ２Ｃとの間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成されている状態で、射出面１８から露光光ＥＬを射出してもよい。これにより、露光位置ＥＰに計測ステージ２Ｃが配置されている状態において、射出面１８と計測ステージ２Ｃの計測部材Ｃとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされた状態で、射出面１８からの露光光ＥＬが計測ステージ２Ｃの計測部材Ｃに照射され、計測ステージ２Ｃに配置されている計測部材Ｃ（計測器）は、液体ＬＱを介して露光光ＥＬを受光することができる。
基板Ｐの交換処理が終了した後、制御装置４００は、露光位置ＥＰから計測ステージ２Ｃを退かすとともに、露光位置ＥＰに基板ステージ２Ｐを配置する。制御装置４００は、液浸空間ＬＳが形成されている状態で、露光位置ＥＰに配置されるステージを、計測ステージ２Ｃから基板ステージ２Ｐに交換する。制御装置４００は、例えば米国特許出願公開第２００６／００２３１８６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書等に開示されているように、基板ステージ２Ｐの上面と計測ステージ２Ｃの上面とを接近又は接触させた状態で、終端光学素子１９及び液浸部材３と基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃの少なくとも一方とを対向させつつ、終端光学素子１９及び液浸部材３に対して、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２ＣをＸＹ平面内において移動させる。これにより、液体ＬＱの漏出が抑制されつつ、液浸空間ＬＳが終端光学素子１９及び液浸部材３と計測ステージ２Ｃとの間に形成される状態から、終端光学素子１９及び液浸部材３と基板ステージ２Ｐとの間に形成される状態へ変化する。また、制御装置４００は、液浸空間ＬＳが、終端光学素子１９及び液浸部材３と基板ステージ２Ｐとの間に形成される状態から、終端光学素子１９及び液浸部材３と計測ステージ２Ｃとの間に形成される状態へ変化させることもできる。
以下の説明において、基板ステージ２Ｐの上面と計測ステージ２Ｃの上面とを接近又は接触させた状態で、露光位置ＥＰに基板ステージ２Ｐの少なくとも一部が配置される状態、及び露光位置ＥＰに計測ステージ２Ｃの少なくとも一部が配置される状態の一方から他方へ変化するように、終端光学素子１９及び液浸部材３に対して基板ステージ２Ｐと計測ステージ２ＣとをＸＹ平面内において同期移動させる動作を適宜、スクラム移動動作、と称する。
制御装置４００は、基板Ｐの露光を開始するために、終端光学素子１９の射出面１８、及び射出面１８から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材３の下面２４の少なくとも一部と対向するように基板Ｐが配置された状態で、供給口３３から射出面１８側に液体ＬＱを供給するとともに、その液体ＬＱの少なくとも一部を回収口３４から回収して、基板Ｐ上に液体ＬＱの液浸空間ＬＳを形成する。
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。
本実施形態においては、基板Ｐに露光対象領域であるショット領域がマトリクス状に複数配置される。例えば基板Ｐの最初のショット領域（第１ショット領域）を露光するために、制御装置４００は、基板Ｐ（第１ショット領域）を投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して第１ショット領域に露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐの第１ショット領域に投影され、その第１ショット領域が射出面１８から射出された露光光ＥＬで露光される。
第１ショット領域の露光が終了した後、制御装置４００は、次の第２ショット領域の露光を開始するために、液浸空間ＬＳが形成されている状態で、基板ＰをＸＹ平面内における所定方向（例えばＸ軸方向、あるいはＸＹ平面内においてＸ軸方向に対して傾斜する方向等）に移動し、第２ショット領域を露光開始位置に移動する。その後、制御装置４００は、第２ショット領域の露光を開始する。
制御装置４００は、投影領域ＰＲに対してショット領域をＹ軸方向に移動しながらそのショット領域を露光する動作と、そのショット領域の露光が終了した後、次のショット領域を露光開始位置に移動するための動作とを繰り返しながら、基板Ｐの複数のショット領域を順次露光する。
このように、本実施形態においては、制御装置４００は、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動しながら、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐの複数のショット領域を順次露光する。
基板Ｐの複数のショット領域のうち、最後のショット領域の露光が終了した後、制御装置４００は、基板ステージ２Ｐを露光位置ＥＰから第２基板交換位置ＣＰ２へ移動する。すなわち、制御装置４００は、第１保持部２１から露光後の基板Ｐを搬出するために、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内で移動して、第２基板交換位置ＣＰ２に配置する動作を開始する。
基板ステージ２Ｐが露光位置ＥＰから離れるとき、スクラム移動動作が実行され、露光位置ＥＰには計測ステージ２Ｃが配置され、終端光学素子１９及び液浸部材３と計測ステージ２Ｃとの間に液浸空間ＬＳが形成される。
以下、上述の処理が繰り返され、複数の基板Ｐが順次露光される。
本実施形態においては、スクラム移動動作が実行されることにより、露光シーケンスにおいて液浸空間ＬＳが形成され続ける。
次に、メンテナンスシーケンス（ＳＴ２）について、図７〜図１１を参照して説明する。メンテナンスシーケンスにおいては、基板Ｐの露光処理は実行されない。メンテナンスシーケンスにおいては、カバー部材ＣＰの上面が射出面１８及び下面２４の少なくとも一部と対向するように、カバー部材ＣＰが保持機構４で保持される。
図７に示すように、メンテナンスシーケンスは、保持機構４にカバー部材ＣＰを搬送（搬入）する処理（ステップＳＡ１）と、保持機構４でカバー部材ＣＰを保持する処理（ステップＳＡ２）と、露光装置ＥＸの部材の少なくとも一部をメンテナンスする処理（ステップＳＡ３）と、保持機構４からカバー部材ＣＰを搬送（搬出）する処理（ステップＳＡ４）とを含む。
本実施形態においては、保持機構４に対して基板ステージ２Ｐがカバー部材ＣＰを搬送する。本実施形態において、基板ステージ２Ｐの第１保持部２１は、カバー部材ＣＰを保持可能である。第１保持部２１は、カバー部材ＣＰをリリース可能に保持することができる。
本実施形態においては、メンテナンスシーケンスにおいて、カバー部材ＣＰが、露光装置ＥＸ（チャンバ装置１１）の外部から、露光装置ＥＸ（チャンバ装置１１）の内部に搬入される。本実施形態においては、露光装置ＥＸ（チャンバ装置１１）にＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）と呼ばれる基板収容装置が接続される。基板収容装置には、例えば１ロット分（例えば２５枚）の基板Ｐが収容される。カバー部材ＣＰは、その基板収容装置と露光装置ＥＸとの接続部から、露光装置ＥＸの内部に搬入される。なお、露光装置ＥＸと接続されるコータ・デベロッパ装置等の基板処理装置を介して、露光装置ＥＸの内部にカバー部材ＣＰが搬入されてもよい。
露光装置ＥＸの外部から内部に搬入されたカバー部材ＣＰは、第１搬送部材９Ａに保持される。制御装置４００は、第１搬送部材９Ａを用いて、第１基板交換位置ＣＰ１に配置されている基板ステージ２Ｐの第１保持部２１にカバー部材ＣＰを搬入する。なお、第１保持部２１にカバー部材ＣＰを搬入するとき、第１保持部２１に基板Ｐ等、カバー部材ＣＰ以外の部材が保持されている場合、その部材が第１保持部２１から除かれた後、第１保持部２１にカバー部材ＣＰが搬入される。第１保持部２１は、第１搬送部材９Ａから搬送されたカバー部材ＣＰを保持する。
本実施形態においては、第１基板交換位置ＣＰ１に配置されている基板ステージ２Ｐの第１保持部２１にカバー部材ＣＰを搬送する動作が実行されているとき、露光位置ＥＰに計測ステージ２Ｃが配置され、終端光学素子１９及び液浸部材３と計測ステージ２Ｃとの間に液浸空間ＬＳが形成される。本実施形態においては、露光シーケンスからメンテナンスシーケンスへ移行するときも、液浸空間ＬＳが形成され続ける。
第１保持部２１にカバー部材ＣＰが保持された後、制御装置４００は、基板ステージ２Ｐを露光位置ＥＰに移動する。すなわち、例えば図８に示すように、制御装置４００は、第１保持部２１に保持されたカバー部材ＣＰの上面と、射出面１８及び下面２４の少なくとも一部とが対向するように、基板ステージ２Ｐの位置を制御する。制御装置４００は、スクラム移動動作を実行して、終端光学素子１９及び液浸部材３と計測ステージ２Ｐとの間に液浸空間ＬＳが形成されている状態から、終端光学素子１９及び液浸部材３と基板ステージ２Ｐ（第１保持部２１に保持されているカバー部材ＣＰ）との間に液浸空間ＬＳが形成される状態へ変化させる。すなわち、本実施形態においては、カバー部材ＣＰが射出面１８及び下面２４と対向しない状態から対向する状態へ変化するときにおいても、液浸空間ＬＳが形成され続ける。液浸空間ＬＳは、カバー部材ＣＰ上に局所的に形成される。ＸＹ平面内における液浸空間ＬＳの大きさ（寸法）は、カバー部材ＣＰの上面の大きさ（寸法）よりも小さい。
次に、制御装置４００は、カバー部材ＣＰを基板ステージ２Ｐ（第１保持部２１）から保持機構４へ渡す動作を開始する。図９に示すように、制御装置４００は、第１保持部２１の吸引口２８の吸引動作を解除して、第１保持部２１からカバー部材ＣＰをリリースするとともに、移動装置４１を制御して、支持部材３９を＋Ｚ方向に移動する。支持部材３９の上面３８とカバー部材ＣＰの下面（裏面）とが接触し、吸引口２９の吸引動作が開始されることにより、カバー部材ＣＰの下面が支持部材３９の上面３８に吸着保持される。制御装置４００は、カバー部材ＣＰの下面を吸着保持した支持部材３９を、＋Ｚ方向に移動する。これにより、カバー部材ＣＰが第１保持部２１から離れる。
また、制御装置４００は、駆動システム４４を制御して、保持部材４３を−Ｚ方向に移動する。制御装置４００は、保持部材４３の保持面４５が、液浸部材３の下面２４よりも下側（−Ｚ側）に配置されるように、駆動システム４４を用いて保持部材４３を移動する。すなわち、制御装置４００は、保持部材４３でカバー部材ＣＰを保持するために、保持面４５が下面２４よりも＋Ｚ側に配置されている状態から、−Ｚ側に配置される状態へ変化するように、保持部材４３の位置を制御する。
これにより、図９に示すように、保持部材４３の保持面４５と、支持部材４３に支持されているカバー部材ＣＰの上面とが接触する。制御装置４００は、保持面４５とカバー部材ＣＰの上面とが接触している状態で、吸引口２９の吸引動作を解除し、保持部材４３に設けられている吸引口４６の吸引動作を開始する。これにより、カバー部材ＣＰは、支持部材４３からリリースされるとともに、保持部材４３（保持面４５）に吸着保持される。すなわち、カバー部材ＣＰは、基板ステージ２Ｐから保持機構４へ渡される。保持機構４は、カバー部材ＣＰの上面が射出面１８及び下面２４の少なくとも一部と対向するように、カバー部材ＣＰを保持する。カバー部材ＣＰは、終端光学素子１９の少なくとも一部、及び液浸部材３の少なくとも一部を覆うように配置される。
本実施形態において、保持機構４は、保持面４５が下面２４よりも−Ｚ側に配置された状態で、カバー部材ＣＰを保持する。本実施形態において、保持機構４は、カバー部材ＣＰの上面の少なくとも一部を保持する。本実施形態において、カバー部材ＣＰの上面の外形は、液浸部材３の下面２４の外形よりも大きい。保持機構４は、液浸部材３の外側で、カバー部材ＣＰを保持する。本実施形態においては、保持機構４に保持されているカバー部材ＣＰの上面と、射出面１８及び下面２４とが対向している状態において、カバー部材ＣＰの上面のエッジは、液浸部材３の下面２４のエッジよりも外側に配置される。
例えば図１０に示すように、カバー部材ＣＰが保持機構４に保持された後、基板ステージ２Ｐは、露光位置ＥＰから退避してもよい。本実施形態においては、カバー部材ＣＰが保持機構４に保持されている状態において、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃのそれぞれは、カバー部材ＣＰの下方の空間を移動可能である。
本実施形態においては、カバー部材ＣＰが基板ステージ２Ｐから保持機構４に渡されるときにおいても、液浸空間ＬＳが形成され続ける。すなわち、本実施形態においては、制御装置４００は、終端光学素子１９及び液浸部材３とカバー部材ＣＰとの間に液浸空間ＬＳが形成されている状態で、基板ステージ２Ｐから保持機構４へカバー部材ＣＰを渡す動作を実行する。
また、図１０に示すように、保持機構４にカバー部材ＣＰが保持された状態で、終端光学素子１９及び液浸部材３とカバー部材ＣＰとの間に液浸空間ＬＳが形成される。制御装置４００は、保持機構４にカバー部材ＣＰが保持された状態で、供給口３３から液体ＬＱを供給するとともに、回収口３４から液体ＬＱを回収する。
本実施形態においては、保持機構４にカバー部材ＣＰが保持されている状態で、例えば基板ステージ２Ｐのメンテナンスが実行される。基板ステージ２Ｐのメンテナンスは、基板ステージ２Ｐのクリーニングを含む。基板ステージ２Ｐのメンテナンスは、基板ステージ２Ｐが露光装置ＥＸ（チャンバ装置１１）の内部に配置されている状態で実行されてもよい。例えば、第１保持部２１が、所定のクリーニング装置でクリーニングされてもよいし、研磨されてもよい。また、基板ステージ２Ｐのメンテナンスは、基板ステージ２Ｐが露光装置ＥＸ（チャンバ装置１１）の外部に配置されている状態で実行されてもよい。すなわち、保持機構４にカバー部材ＣＰが保持されている状態で、すなわち、一方側の終端光学素子１９及び液浸部材３と他方側のカバー部材ＣＰとの間に液浸空間ＬＳが形成されている状態で、チャンバ装置１１を開放し、基板ステージ２Ｐが露光装置ＥＸ（チャンバ装置１１）の外部に搬出されてもよい。基板ステージ２Ｐを露光装置ＥＸの外部に搬出するとき、チャンバ装置１１が有するドアが操作され、基板ステージ２Ｐを搬出するための開口が形成されてもよい。同様に、保持機構４にカバー部材ＣＰが保持されている状態で、例えば計測ステージ２Ｃのメンテナンス（例えばクリーニング等）が実行されてもよい。計測ステージ２Ｃのメンテナンスは、露光装置ＥＸの内部で実行されてもよいし、チャンバ装置１１を開放し、外部で実行されてもよい。また、保持機構４にカバー部材ＣＰが保持されている状態で、例えばエンコーダシステム５や干渉計システム８等、露光装置ＥＸが有する各種の計測システムがメンテナンスされてもよい。また、マスクステージ１がメンテナンスされてもよいし、投影光学系ＰＬがメンテナンスされてもよい。
本実施形態においては、露光装置ＥＸのメンテナンスが実行されるとき、カバー部材ＣＰの上面が射出面１８及び下面２４の少なくとも一部と対向するようにカバー部材ＣＰが保持機構４に保持されるため、例えば終端光学素子１９及び液浸部材３を保護しつつ、メンテナンスを実行することができる。また、本実施形態においては、終端光学素子１９及び液浸部材３と保持機構４に保持されたカバー部材ＣＰとの間に、終端光学素子１９及び液浸部材３の少なくとも一部と液浸空間ＬＳの液体ＬＱとが接触するように、液浸空間ＬＳが形成されるため、終端光学素子１９の乾燥、及び液浸部材３の乾燥を抑制することができる。また、液浸空間ＬＳが形成され続けるため、液体ＬＱの気化に伴う気化熱の発生（温度変化の発生）を抑制することができる。
また、本実施形態においては、液浸部材３のメンテナンスも実行される。例えば、液浸空間ＬＳの液体ＬＱで、終端光学素子１９及び液浸部材３の少なくとも一部がクリーニングされる。例えば、供給口３３から供給され、終端光学素子１９及び液浸部材３の少なくとも一部と接触した液体ＬＱが回収口３４から回収されることによって、例えば射出面１８及び下面２４の少なくとも一部が液体ＬＱでクリーニングされる。なお、液浸部材３のメンテナンスを実行しなくてもよい。
本実施形態においては、保持機構４に保持されたカバー部材ＣＰの上面と下面２４との間に間隙Ｇｍが形成される。間隙Ｇｍの寸法は、露光シーケンスにおいて下面２４と第１保持部２１に保持された基板Ｐの上面との間の間隙Ｇｅの寸法よりも小さい。また、本実施形態においては、メンテナンスシーケンスにおいて供給口３３から供給される単位時間当たりの液体ＬＱの量は、露光シーケンスにおいて供給口３３から供給される単位時間当たりの液体ＬＱの量よりも少ない。なお、間隙Ｇｍの寸法と間隙Ｇｅの寸法とは、実質的に等しくてもよいし、間隙Ｇｍの寸法が間隙Ｇｅの寸法よりも大きくてもよい。また、メンテナンスシーケンスにおいて供給口３３から供給される単位時間当たりの液体ＬＱの量は、露光シーケンスにおいて供給口３３から供給される単位時間当たりの液体ＬＱの量と実質的に等しくてもよいし、異なっていてもよい（例えば多くてもよい）。なお、回収口３４から回収される単位時間当たりの液体ＬＱの量は、供給口３３から供給される液体ＬＱの量に基づいて定められてもよい。
上述のように、本実施形態において、回収口３４は、露光シーケンスにおいて射出面１８側に供給された液体ＬＱの少なくとも一部を回収するとともに、メンテナンスシーケンスにおいても射出面１８側に供給された液体ＬＱの少なくとも一部を回収する。本実施形態においては、メンテナンスシーケンスにおける回収口３４に対する気体の流入が、露光シーケンスにおける回収口３４に対する気体の流入よりも抑制される。
本実施形態においては、露光シーケンスにおいて、回収口３４は、流路３４Ｒ（回収流路３４Ｐ）に対して、液体ＬＱとともに気体も回収（吸引）する。すなわち、露光シーケンスにおいて、回収口３４に対して、液浸部材３と物体（基板Ｐ等）との間の液体ＬＱ及び気体が流入する。一方、メンテナンスシーケンスにおいて、回収口３４は、回収流路３４Ｐに対して、実質的に液浸部材３とカバー部材ＣＰとの間の液体ＬＱのみを回収（吸引）する。すなわち、メンテナンスシーケンスにおいて、回収口３４に対して、実質的に気体が流入しない。
図１１は、回収口３４を有する多孔部材３６の一部を拡大した断面図であって、多孔部材３６が液体ＬＱのみを回収している状態の一例を説明するための模式図である。
多孔部材３６は、カバー部材ＣＰの上面が対向可能な下面３６Ｂと、下面３６Ｂの反対方向を向く上面３６Ｕと、上面３６Ｕと下面３６Ｂとを結ぶ複数の孔３６Ｈとを有する。回収口３４は、多孔部材３６の孔３６Ｈを含む。
本実施形態においては、カバー部材ＣＰの上面と下面３６Ｂとの間の液体ＬＱが回収口３４（孔３６Ｈ）から回収され、回収口３４（孔３６Ｈ）に対する気体の流入が抑制されるように、下面３６Ｂが面する空間（下面３６Ｂとカバー部材ＣＰの上面との間の空間）ＳＰの圧力Ｐａ、及び上面３６Ｕが面する空間（回収流路３４Ｐ）の圧力Ｐｂの一方又は両方が調整される。本実施形態においては、メンテナンスシーケンスにおいて、回収口３４に対して、実質的に液体ＬＱのみが流入し、気体は流入しないように、圧力Ｐａ及び圧力Ｐｂの一方又は両方が調整される。なお、圧力Ｐａは、チャンバ装置１１が調整可能である。圧力Ｐｂは、回収流路３４Ｐに接続される液体回収装置が調整可能である。回収口３４から実質的に液体ＬＱのみを回収し、気体を回収しない技術の一例は、例えば米国特出願公開第２００６／０１５２６９７号等に開示されている。
なお、メンテナンスシーケンスにおいて、回収口３４が、流路３４Ｒ（回収流路３４Ｐ）に対して、液体ＬＱとともに気体も回収（吸引）してもよい。すなわち、メンテナンスシーケンスにおいて、回収口３４に対して、液浸部材３とカバー部材ＣＰとの間の液体ＬＱ及び気体が流入してもよい。ただし、メンテナンスシーケンスにおいて、回収口３４から回収流路に流入する気体の量は、露光シーケンスにおいて、回収口３４から回収流路に流入する気体の量よりも少ない方がよいが、同じでもよい。
本実施形態においては、メンテナンスシーケンスにおける回収口３４に対する気体の流入が、露光シーケンスにおける回収口３４に対する気体の流入よりも抑制されるため、例えば液浸部材３の下面２４の少なくとも一部に異物が接近することが抑制される。例えば、回収口３４が気体を回収（吸引）すると、下面２４（３４Ｂ）とカバー部材ＣＰとの間において気体の流れが生成される可能性がある。例えば、液浸部材３の外側の空間（液浸部材３とカバー部材ＣＰとの間の外側の空間）ＧＰから、下面２４が面する空間ＳＰに向かって気体が流れ込むように、気体の流れが生成される可能性がある。なお、空間ＧＰは、空間ＣＳを含む。これにより、例えば空間ＧＰ（ＣＳ）に存在する異物が、下面２４の少なくとも一部に接近したり、下面２４の少なくとも一部に付着したり、回収口３４を介して流路３４Ｒに流入したりする可能性がある。特にチャンバ装置１１が開放されている場合には、空間ＧＰに異物が存在する可能性が高くなるが、本実施形態においては、回収口３４に対する気体の流れが抑制されるため、下面２４に対する異物の接近等が抑制される。
メンテナンスが終了した後、保持機構４からカバー部材ＣＰを搬送する動作が実行される。チャンバ装置１１を開放した場合には、メンテナンス終了時には、チャンバ装置１１が閉じられている。本実施形態において、カバー部材ＣＰは、保持機構４から基板ステージ２Ｐへ渡される。制御装置４００は、カバー部材ＣＰを保持機構４から基板ステージ２Ｐ（第１保持部２１）へ渡すために、基板ステージ２Ｐを露光位置ＥＰに配置する。換言すれば、制御装置４００は、保持機構４に保持されたカバー部材ＣＰの下面（裏面）が対向する位置に基板ステージ２Ｐ（第１保持部２１）を配置する。
制御装置４００は、カバー部材ＣＰの下面と第１保持部２１とが対向している状態で、移動装置４１を制御して、支持部材３９を＋Ｚ方向に移動する。支持部材３９の上面３８とカバー部材ＣＰの下面とが接触し、吸引口２９の吸引動作が開始されることにより、カバー部材ＣＰの下面が支持部材３９の上面３８に吸着保持される。また、制御装置４００は、吸引口４６の吸引動作を解除し、保持面４５からカバー部材ＣＰをリリースする。
制御装置４００は、カバー部材ＣＰの下面を吸着保持した支持部材３９を、−Ｚ方向に移動する。これにより、カバー部材ＣＰが第１保持部２１に近づく。制御装置４００は、カバー部材ＣＰを第１保持部２１で保持する。これにより、カバー部材ＣＰが保持機構４から基板ステージ２Ｐ（第１保持部２１）に渡される。また、制御装置４００は、カバー部材ＣＰが保持機構４から基板ステージ２Ｐに渡された後、保持面４５が下面２４よりも＋Ｚ側（上側）に配置されるように、駆動システム４４を制御して、保持部材４３を移動する。
本実施形態においては、カバー部材ＣＰを保持機構４から第１保持部２１へ渡す動作においても、液浸空間ＬＳが形成され続ける。すなわち、本実施形態においては、終端光学素子１９及び液浸部材３とカバー部材ＣＰとの間に液浸空間ＬＳが形成されている状態で、カバー部材ＣＰが保持機構４から第１保持部２１へ渡される。
メンテナンスが終了した後、第１保持部２１へ渡されたカバー部材ＣＰは、例えば露光装置ＥＸの外部に搬出される。本実施形態においては、制御装置４００は、保持機構４から渡されたカバー部材ＣＰを保持した基板ステージ２Ｐを、第２基板交換位置ＣＰ２へ移動する。なお、基板ステージ２Ｐを第２基板交換位置ＣＰ２へ移動するとき、スクラム移動動作が実行され、露光位置ＥＰに計測ステージ２Ｃが配置される。液浸空間ＬＳは、終端光学素子１９及び液浸部材３と計測ステージ２Ｃとの間に形成される。
制御装置４００は、第２搬送部材９Ｂを用いて、第２基板交換位置ＣＰ２に配置されている基板ステージ２Ｐから、カバー部材ＣＰを搬出する。カバー部材ＣＰは、露光装置ＥＣの外部に搬出される。カバー部材ＣＰが露光装置ＥＸの外部に搬出された後、例えば露光シーケンスが実行されてもよい。
なお、本実施形態において、メンテナンスシーケンスから露光シーケンスへ移行するときも、液浸空間ＬＳが形成され続ける。
以上説明したように、本実施形態によれば、メンテナンスシーケンスにおいて、カバー部材ＣＰの上面が射出面１８及び下面２４の少なくとも一部と対向するようにカバー部材ＣＰを配置するようにしたので、終端光学素子１９及び液浸部材３をカバー部材ＣＰで保護しつつ、露光装置ＥＸの部材（機器）をメンテナンスすることができる。また、終端光学素子１９及び液浸部材３とカバー部材ＣＰとの間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成することができるため、例えば終端光学素子１９及び液浸部材３の乾燥、あるいはその乾燥に伴う終端光学素子１９及び液浸部材３の性能の低下を抑制することができる。また、液体ＬＱの気化に伴う気化熱の発生（温度変化の発生）を抑制することができる。また、終端光学素子１９及び液浸部材３とカバー部材ＣＰとの間に形成される液浸空間ＬＳの液体ＬＱで、終端光学素子１９及び液浸部材３の少なくとも一部をメンテナンスすることができる。したがって、露光装置ＥＸの部材（機器）の汚染が抑制され、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生が抑制される。
また、本実施形態においては、メンテナンスシーケンスにおける回収口３４に対する気体の流入が、露光シーケンスにおける回収口３４に対する気体の流入よりも抑制されるため、メンテナンスシーケンスにおいて、液浸部材３の下面２４の少なくとも一部に、異物が接近することが抑制される。
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
本実施形態においては、メンテナンス（ステップＳＡ３）の一例について説明する。
図１２は、メンテナンスの一例を示す模式図である。制御装置４００は、供給口３３から射出面１８側に液体ＬＱを供給し、回収口３４から射出面１８及び下面２４とカバー部材ＣＰとの間に供給された液体ＬＱの少なくとも一部を回収して、液浸空間ＬＳを形成する。本実施形態において、制御装置４００は、カバー部材ＣＰの上面において液体ＬＱで形成される液浸空間ＬＳの面積を変化させる。液浸空間ＬＳの面積は、ＸＹ平面内における液浸空間ＬＳの大きさ（寸法）を含む。
制御装置４００は、射出面１８側に供給される液体ＬＱの供給量を調整して、液浸空間ＬＳの面積を調整することができる。例えば、供給口３３から供給される単位時間当たりの液体ＬＱの量を多くすることによって、液浸空間ＬＳの面積を大きくすることができる。また、供給口３３から供給される単位時間当たりの液体ＬＱの量を少なくすることによって、液浸空間ＬＳの面積を小さくすることができる。また、制御装置４００は、射出面１８側に供給された液体ＬＱの回収量を調整して、液浸空間ＬＳの面積を調整することができる。例えば、回収口３４から回収される単位時間当たりの液体ＬＱの量を多くすることによって、液浸空間ＬＳの面積を小さくすることができる。また、回収口３４から回収される単位時間当たりの液体ＬＱの量を少なくすることによって、液浸空間ＬＳの面積を大きくすることができる。もちろん、制御装置４００は、液体ＬＱの供給量及び回収量の両方を調整して、液浸空間ＬＳの面積を変化させてもよい。
例えば、液浸空間ＬＳの面積を変化させることによって、下面２４とカバー部材ＣＰの上面との間における液浸空間ＬＳの界面ＬＧが移動する。これにより、下面２４が液体ＬＱでクリーニングされる。
本実施形態においては、例えば図１２に示すように、制御装置４００は、液浸部材３の下面２４のほぼ全域が液体ＬＱと接触するように、液浸空間ＬＳの面積を変化させる。これにより、下面２４のほぼ全域が液体ＬＱでクリーニングされる。
また、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが下面２４に接触することによって、下面２４の乾燥が抑制される。また、液浸空間ＬＳの液体ＬＱによって、多孔部材３６（下面３６Ｂ、上面３６Ｕ、及び孔３６Ｈの内面）の乾燥が抑制される。下面２４が乾燥すると、例えば下面２４に付着している異物（汚染物）が、下面２４から剥がれたり、下面２４から放出されたりする可能性が高くなる。また、多孔部材３６の少なくとも一部が乾燥すると、例えば回収口３４（孔３６Ｈ）から液体ＬＱのみを回収することが困難となる可能性がある。本実施形態においては、下面２４（多孔部材３６）の乾燥が抑制されるので、異物の放出等の不都合を抑制することができる。
また、本実施形態においては、下面２４が液浸空間ＬＳで覆われるため、メンテナンス中に、例えば空間ＧＳ（ＣＳ）の異物が下面２４に接近したり、下面２４に付着したりすることが抑制される。
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
本実施形態においては、メンテナンス（ステップＳＡ３）の一例について説明する。
図１３は、メンテナンスの一例を示す模式図である。制御装置４００は、供給口３３から射出面１８側に液体ＬＱを供給し、回収口３４から射出面１８側に供給された液体ＬＱの少なくとも一部を回収して、液浸空間ＬＳを形成する。
本実施形態において、制御装置４００は、回収口３４に気体が流入することを抑制して、下面２４の少なくとも一部に異物が接近することを抑制する。本実施形態において、制御装置４００は、下面２４が面する空間ＳＰの圧力を、その外側の空間ＧＰの圧力よりも高くして、空間ＧＰの異物が下面２４の少なくとも一部に接近することを抑制する。また、本実施形態において、制御装置４００は、下面２４が面する空間ＳＰから、その外側の空間ＧＰに向かって気体を流すことによって、空間ＧＰの異物が下面２４の少なくとも一部に接近することを抑制する。
本実施形態においては、下面２４が面する空間ＳＰに気体を供給する給気口４７（４７Ａ、４７Ｂ）が配置されている。本実施形態においては、給気口４７Ａが、下面２４の少なくとも一部に配置される。給気口４７Ａは、供給口３３（光路Ｋ）に対して、回収口３４の外側に配置される。また、本実施形態においては、給気口４７Ｂが、カバー部材ＣＰの上面の少なくとも一部に配置される。給気口４７（４７Ａ、４７Ｂ）は、空間ＳＰに面するように配置される。給気口４７（４７Ａ、４７Ｂ）から空間ＳＰに気体が供給されることによって、下面２４が面する空間ＳＰの圧力が、その外側の空間ＧＰの圧力よりも高くなる。また、給気口４７（４７Ａ、４７Ｂ）の給気動作が実行されることによって、下面２４が面する空間ＳＰからその外側の空間ＧＰに向かって気体が流れる。なお、本実施形態においては、給気口４７Ａ、４７Ｂが配置されることとしたが、給気口４７Ａが省略されてもよいし、給気口４７Ｂが省略されてもよい。給気口４７から供給される気体は、環境制御装置１１Ｂが空間ＣＳに供給する気体と同じであってもよいし、異なっていてもよい。給気口４７から供給される気体は、空気であってもよいし、空気と異なる成分の気体であってもよい。
なお、例えば図１４に示すように、給気部材４８に設けられた給気口４９から気体が供給されてもよい。給気部材４８は、終端光学素子１９に対して液浸部材３の外側に配置される。給気口４９は、保持機構４に保持されたカバー部材ＣＰの上面が対向するように配置される。給気口４９からカバー部材ＣＰの上面に向かって供給された気体の少なくとも一部は、下面２４が面する空間ＳＰに流れる。また、給気口４９からカバー部材ＣＰの上面に向かって供給された気体の少なくとも一部は、外側の空間ＧＰに向かって流れる。これにより、下面２４が面する空間ＳＰの圧力が、その外側の空間ＧＰの圧力よりも高くなる。また、下面２４が面する空間ＳＰからその外側の空間ＧＰに向かって気体が流れる。
以上説明したように、本実施形態によれば、気体の力を使って、下面２４の少なくとも一部に異物が接近したり、付着したりすることが抑制される。
なお、給気部材４８の給気口４９は、例えば露光シーケンスにおいて、液体ＬＱを回収してもよい。すなわち、露光シーケンスにおいて、給気口４９が液体ＬＱを回収（吸引）する回収口（吸引口）として機能してもよい。例えば、露光シーケンスにおいて、回収口４９は、下面２４と基板Ｐとの間の空間の外側に流出した液体ＬＱを回収してもよい。
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
本実施形態においては、保持機構４からカバー部材ＣＰを搬送（搬出）する処理（ステップＳＡ４）の一例について説明する。
本実施形態においては、カバー部材ＣＰが保持機構４から第１保持部２１へ渡される前に、カバー部材ＣＰの少なくとも一部がクリーニング装置５０によってクリーニングされる。また、本実施形態においては、カバー部材ＣＰが保持機構４から第１保持部２１へ渡される前に、基板ステージ２Ｐの少なくとも一部がクリーニング装置６０によってクリーニングされる。
図１５は、クリーニング装置５０及びクリーニング装置６０の一例を示す図である。本実施形態において、クリーニング装置５０は、カバー部材ＣＰに気体を供給する給気口５０Ｓを有する給気部材５０Ｍを含む。本実施形態において、クリーニング装置５０は、カバー部材ＣＰの下面（裏面）に、給気口５０Ｓからの気体を吹き付ける。本実施形態においては、制御装置４００は、カバー部材ＣＰが保持機構４に保持された状態で、そのカバー部材ＣＰの下面に気体を吹き付ける。これにより、例えばカバー部材ＣＰの下面の異物が除去される。また、制御装置４００は、カバー部材ＣＰに対して給気部材５０Ｍを移動しながら、カバー部材ＣＰの下面に気体を吹き付けてもよい。
本実施形態において、クリーニング装置６０は、基板ステージ２Ｐに気体を供給する給気口６０Ｓを有する給気部材６０Ｍを含む。本実施形態において、クリーニング装置６０は、例えば第１保持部２１に、給気口６０Ｓからの気体を吹き付ける。また、クリーニング装置６０は、例えば基板ステージ２Ｐの上面２３に、給気口６０Ｓからの気体を吹き付けることができる。これにより、例えば第１保持部２１の異物、あるいは上面２３の異物が除去される。また、制御装置４００は、基板ステージ２Ｐに対して給気部材６０Ｍを移動しながら、基板ステージ２Ｐに気体を吹き付けてもよい。
本実施形態においては、制御装置４００は、カバー部材ＣＰのクリーニング及び基板ステージ２Ｐのクリーニングの少なくとも一方が終了した後、カバー部材ＣＰを保持機構４から第１保持部２１へ渡す。
以上説明したように、本実施形態によれば、カバー部材ＣＰを保持機構４から第１保持部２１へ渡す前に、カバー部材ＣＰの少なくとも一部をクリーニングするため、カバー部材ＣＰを第１保持部２１に渡した後、カバー部材ＣＰに起因する基板ステージ２Ｐ（第１保持部２１）の汚染が抑制される。
また、本実施形態によれば、カバー部材ＣＰを保持機構４から第１保持部２１へ渡す前に、基板ステージ２Ｐの少なくとも一部をクリーニングするため、カバー部材ＣＰを第１保持部２１に渡した後、基板ステージ２Ｐに起因する液浸部材３の汚染が抑制される。すなわち、カバー部材ＣＰを第１保持部２１に渡した後においては、液浸部材３はカバー部材ＣＰで覆われず、空間ＣＳに晒されることとなる。また、液浸部材３は、基板ステージ２Ｐと対向することとなる。基板ステージ２Ｐに異物が存在すると、カバー部材ＣＰを第１保持部２１に渡した後、基板ステージ２Ｐの異物が液浸部材３に付着する可能性がある。本実施形態によれば、基板ステージ２Ｐをクリーニングしておくことにより、液浸部材３の汚染が抑制される。
なお、例えば図１６に示すように、カバー部材ＣＰに気体を供給するための給気口５１が、基板ステージ２Ｐに配置されてもよい。図１６に示す例では、給気口５１は、第１保持部２１（支持面２５）に配置される。なお、給気口５１が、計測ステージ２Ｃに配置されてもよい。なお、移動装置４１の吸引口２９から、カバー部材ＣＰに気体を供給してもよい。すなわち、吸引口２９が、カバー部材ＣＰに気体を供給するための給気口として機能してもよい。
なお、本実施形態においては、カバー部材ＣＰに気体を吹き付けることとしたが、カバー部材ＣＰと対向するように吸引口を配置し、カバー部材ＣＰの異物を吸引口から吸引することによって、そのカバー部材ＣＰをクリーニングしてもよい。同様に、基板ステージ２Ｐと対向するように吸引口を配置し、基板ステージ２Ｐの異物を吸引口から吸引することによって、その基板ステージ２Ｐをクリーニングしてもよい。例えば図１７に示すように、カバー部材ＣＰの異物を吸引するための吸引口５２が、基板ステージ２Ｐに配置されてもよい。なお、吸引口（５２）が、計測ステージ２Ｃに配置されてもよい。
なお、図１８に示すように、カバー部材ＣＰの下面（裏面）の下方の空間で、カバー部材ＣＰに対して基板ステージ２ＰをＸＹ平面内において移動させてもよい。基板ステージ２Ｐの移動により、カバー部材ＣＰの下面が面する空間において、気流が生じる。その気流により、カバー部材ＣＰの下面の異物が除去される。また、基板ステージ２Ｐを移動しつつ、基板ステージ２Ｐに配置されている給気口５１から気体を吹き出してもよいし、基板ステージ２Ｐに配置されている吸引口５２から異物を吸引してもよい。なお、カバー部材ＣＰの下面の下方の空間で、計測ステージ２Ｃを移動させてもよい。また、計測ステージ２Ｃを移動しつつ、計測ステージ２Ｃに配置されている給気口５１から気体を吹き出してもよいし、計測ステージ２Ｃに配置されている吸引口５２から異物を吸引してもよい。
同様に、給気口６０Ｓの替わりに吸引口を設けて、第１保持部２１と基板ステージ２Ｐの上面２３の少なくとも一方に付着している異物を吸引して除去してもよい。また、給気口６０Ｓの近傍に吸引口を設けて、給気口６０Ｓからの給気と吸引口から吸引とを並行して行い、第１保持部２１及び基板ステージ２Ｐの上面２３の少なくとも一方に付着している異物を吸引して除去してもよい。
なお、本実施形態の各例においても、給気口から供給される気体は、環境制御装置１１Ｂが空間ＣＳに供給する気体と同じであってもよいし、異なっていてもよい。給気口から供給される気体は、空気であってもよいし、空気と異なる成分の気体であってもよい。
なお、カバー部材ＣＰのクリーニングと、基板保持部２１のクリーニングと、基板ステージ２Ｐの上面２３のクリーニングとの少なくとも一つを省いてもよい。
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
本実施形態においては、保持機構４からカバー部材ＣＰを搬送（搬出）する処理（ステップＳＡ４）の一例について説明する。
図１９は、カバー部材ＣＰのクリーニング装置５３の一例を示す図である。本実施形態において、クリーニング装置５３は、カバー部材ＣＰの異物を除去可能な除去装置を含む。図１９に示すように、クリーニング装置５３は、カバー部材ＣＰと対向する位置に配置される対向部材５３Ａと、正極性（プラス）及び負極性（マイナス）の電位を対向部材５３Ａに交互に加えることができる電力供給装置５３Ｂとを備えている。クリーニング装置５３は、カバー部材ＣＰと対向部材５３Ａとを対向させた状態で、電力供給装置５３Ｂにより対向部材５３Ａにプラス及びマイナスの電位を交互に印加することによって、カバー部材ＣＰの異物を除去する。
例えば、図１９（Ａ）に示すように、カバー部材ＣＰに付着している異物がプラスに帯電している場合、対向部材５３Ａがマイナスに帯電するように、電力供給装置５３Ｂにより対向部材５３Ａに電位が印加される。対向部材５３Ａがマイナスに帯電すると、カバー部材ＣＰの異物は、カバー部材ＣＰから離れ、対向部材５３Ａに引き寄せられるように移動する。これにより、異物は、カバー部材ＣＰから除去される。カバー部材ＣＰから離れた異物は、例えば対向部材５３Ａに付着する。対向部材５３Ａは、その異物を保持する。
図１９（Ｂ）に示すように、カバー部材ＣＰに付着している異物がマイナスに帯電している場合、対向部材５３Ａがプラスに帯電するように、電力供給装置５３Ｂにより対向部材５３Ａに電位が印加される。対向部材５３Ａがプラスに帯電すると、カバー部材ＣＰの異物は、カバー部材ＣＰから離れ、対向部材５３Ａに引き寄せられるように移動する。これにより、異物は、カバー部材ＣＰから除去される。また、カバー部材ＣＰから離れた異物は、例えば対向部材５３Ａの上面に付着する。対向部材５３Ａは、その異物を保持する。
クリーニング装置５３は、対向部材５３Ａにプラス及びマイナスの電位を交互に加えることによって、マイナスに帯電しているカバー部材ＣＰの異物、及びプラスに帯電しているカバー部材ＣＰの異物の両方を、カバー部材ＣＰから除去することができる。
図２０は、カバー部材ＣＰのクリーニング装置５４の一例を示す図である。クリーニング装置５４は、カバー部材ＣＰの異物を除去可能な除去装置を含む。図２０において、クリーニング装置５４は、カバー部材ＣＰの少なくとも一部に、プラス及びマイナスの電位を交互に加える電力供給装置５４Ｂを備えている。カバー部材ＣＰは、電力供給装置５４Ｂによりカバー部材ＣＰにプラス及びマイナスの電位を交互に印加することによって、カバー部材ＣＰの異物を除去する。
例えば、図２０（Ａ）に示すように、カバー部材ＣＰに付着している異物がプラスに帯電している場合、カバー部材ＣＰがプラスに帯電するように、電力供給装置５４Ｂによりカバー部材ＣＰに電位が印加される。カバー部材ＣＰがプラスに帯電すると、カバー部材ＣＰの異物は、カバー部材ＣＰから離れる。これにより、異物は、カバー部材ＣＰから除去される。
図２０（Ｂ）に示すように、カバー部材ＣＰに付着している異物がマイナスに帯電している場合、カバー部材ＣＰがマイナスに帯電するように、電力供給装置５４Ｂによりカバー部材ＣＰに電位が印加される。カバー部材ＣＰがマイナスに帯電すると、カバー部材ＣＰの異物は、カバー部材ＣＰから離れる。これにより、異物は、カバー部材ＣＰから除去される。
なお、本実施形態のクリーニング装置を、第１保持部２１及び基板ステージ２Ｐの上面２３の少なくとも一方のクリーニングに用いてもよい。
＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
本実施形態においては、保持機構４からカバー部材ＣＰを搬送（搬出）する処理（ステップＳＡ４）の一例について説明する。
図２１は、カバー部材ＣＰのクリーニング装置５５の一例を示す図である。クリーニング装置５５は、カバー部材ＣＰの異物を除去可能な除去装置を含む。本実施形態において、クリーニング装置５５は、カバー部材ＣＰを加熱して、カバー部材ＣＰの異物を除去する。
図２１において、クリーニング装置５５は、カバー部材ＣＰと対向する位置に配置される対向部材５５Ａと、対向部材５５Ａを加熱するヒータ部５５Ｂとを有する。対向部材５５Ａは、カバー部材ＣＰの下面と間隙を介して対向する。
ヒータ部５５Ｂによって対向部材５５Ａが加熱されることによって、カバー部材ＣＰに付着している異物も加熱される。異物は、その熱によって、焼却、あるいは溶解される。これにより、カバー部材ＣＰから異物が除去される。
図２２は、カバー部材ＣＰのクリーニング装置５６の一例を示す。クリーニング装置５６は、カバー部材ＣＰに光を照射して、カバー部材ＣＰを加熱する照射装置５６Ａを含む。照射装置５６Ａは、例えば異物を同じ寸法の光（スポット高）を照射可能である。光の照射によって、異物が加熱される。異物は、その熱によって、焼却、あるいは溶解される。これにより、カバー部材ＣＰから異物が除去される。
なお、本実施形態のクリーニング装置を、第１保持部２１及び基板ステージ２Ｐの上面２３の少なくとも一方のクリーニングに用いてもよい。
＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図２３は、本実施形態に係るカバー部材ＣＰのメンテナンス装置５７の一例を示す図である。本実施形態において、メンテナンス装置５７は、カバー部材ＣＰに対する異物の付着を抑制する抑制装置を含む。例えばメンテナンスシーケンスにおいて、抑制装置を用いるメンテナンスを行うことによって、カバー部材ＣＰに対する異物の付着が抑制される。
本実施形態において、メンテナンス装置５７は、イオン化されたガスをカバー部材ＣＰに供給するガス供給装置を含む。メンテナンス装置５７は、所謂、イオナイザを含む。 メンテナンス装置５７は、イオン化されたガスをカバー部材ＣＰに供給して、カバー部材ＣＰの静電気を除去する。
本実施形態において、メンテナンス装置５７は、放電部材５７Ａと、放電部材５７Ａに電圧を印加する電源装置５７Ｂとを有する。放電部材５７Ａに電圧が印加されることにより、イオン化したガスが生成される。生成されたガスは、開口５７Ｃを介して、カバー部材ＣＰに供給される。これにより、カバー部材ＣＰの静電気が除去される。
本実施形態においては、カバー部材ＣＰが保持機構４から第１保持部５１に渡される前に、カバー部材ＣＰの静電気が除去されるため、その静電気に起因するカバー部材ＣＰに対する異物の付着が抑制される。これにより、カバー部材ＣＰの汚染、及び基板ステージ２Ｐ（第１保持部２１）の汚染が抑制される。
なお、本実施形態のメンテナンス装置を、第１保持部２１及び基板ステージ２Ｐの上面２３の少なくとも一方のメンテナンスに用いてもよい。
＜第８実施形態＞
次に、第８実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
本実施形態においては、メンテナンスシーケンスにおいて、図２４に示すように、保持機構４にカバー部材ＣＰを搬送（搬入）する処理（ステップＳＡ１）と、保持機構４でカバー部材ＣＰを保持する処理（ステップＳＡ２）と、露光装置ＥＸの部材の少なくとも一部をメンテナンスする処理（ステップＳＡ３）と、保持機構４からカバー部材ＣＰを搬送（搬出）する処理（ステップＳＡ４）とが行われた後、第１保持部２１にカバー部材ＣＰが保持された状態で、液浸部材３及び基板ステージ２Ｐの少なくとも一方をクリーニングする処理（ステップＳＡ５）が行われる。
図２５は、液浸部材３を上側（＋Ｚ側）から見た図である。液浸部材３は、液体ＬＱを供給可能な供給口３３を備えている。供給口３３は、流路を介して、液体供給装置３３Ｓと接続されている。また、液浸部材３は、光路Ｋに面するように配置される吸引口７０を有する。なお、吸引口７０は、射出面１８と開口３Ｋとの間の空間及び終端光学素子１９の少なくとも一方に面していればよい。吸引口７０は、流体（気体及び液体の少なくとも一方）を吸引可能である。本実施形態において、吸引口７０は、射出面１８と対向部３１の上面との間の空間に面するように配置される。吸引口７０は、射出面１８と対向部３１の上面との間の空間に存在する流体の少なくとも一部を吸引可能である。本実施形態において、吸引口７０は、光路Ｋに対して＋Ｘ側及び−Ｘ側のそれぞれに配置されている。供給口３３は、光路Ｋに対して＋Ｙ側及び−Ｙ側のそれぞれに配置されている。なお、供給口３３及び吸引口７０の位置及び数は、図２５に示す形態に限られない。
吸引口７０は、流路を介して、吸引装置７１と接続されている。吸引装置７１は、吸引口７０を真空システムに接続可能であり、吸引口７０を介して流体を吸引可能である。吸引口７０から吸引（回収）された流体は、流路を介して、吸引装置７１に吸引（回収）される。
図２６は、本実施形態に係るクリーニングの一例を示す図である。本実施形態においては、終端光学素子１９及び液浸部材３と、第１保持部２１に保持されたカバー部材ＣＰ及び基板ステージ２Ｐとが対向した状態で、液浸部材３の内部に形成された回収流路３４Ｐに、液体供給装置３３Ｓが接続される。回収流路３４Ｐは、基板Ｐの露光において回収口３４から回収された液体ＬＱが流れる液浸部材３の内部空間を含む。
クリーニングにおいて、液体供給装置３３Ｓから回収流路３４Ｐに液体ＬＱが供給される。回収流路３４Ｐに供給された液体ＬＱの少なくとも一部は、回収口３４（多孔部材３６の孔３６Ｈ）を介して、下面２４（下面３６Ｂ）が面する空間ＳＰに供給される。本実施形態においては、制御装置４００は、回収口３４から空間ＳＰへの液体ＬＱの供給と並行して、吸引口７０からの吸引を実行する。本実施形態において、吸引口７０は、露光光ＥＬの光路Ｋに対する放射方向に関して、回収口３４の内側に配置されている。これにより、空間ＳＰにおいて、光路Ｋに対する放射方向に関して外側から内側へ向かう液体ＬＱの流れが生成される。回収口３４（多孔部材３６の孔３６Ｈ）を介して空間ＳＰに流れた液体ＬＱの少なくとも一部は、吸引口７０より吸引（回収）される。
回収口３４から空間ＳＰに液体ＬＱが供給されることにより、例えば回収口３４（多孔部材３６の孔３６Ｈ）、あるいは多孔部材３６の下面３６Ｂに付着している異物は、その液体ＬＱの流れによって回収口３４（多孔部材３６）から離れる。回収口３４から離れた異物は、液体ＬＱとともに、吸引口７０より吸引（回収）される。また、下面３１Ｂに異物が付着している場合、その下面３１Ｂの異物も、液体ＬＱとともに、吸引口７０より吸引（回収）される。これにより、液浸部材３がクリーニングされる。
また、空間ＳＰにおける液体ＬＱの流れによって、液浸部材３の下面２４と対向する基板ステージ２Ｐの上面２３の異物も、液体ＬＱとともに吸引口７０より吸引（回収）される。これにより、基板ステージ２Ｐもクリーニングされる。
なお、クリーニングにおいて、回収口３４から空間ＳＰに液体ＬＱを供給し、吸引口７０から液体ＬＱを吸引しているとき、供給口３３から液体ＬＱを供給してもよいし、供給しなくてもよい。
なお、液浸部材３の下面２４と対向する位置に、第１保持部２１に保持されたカバー部材ＣＰが配置されている状態で、回収口３４から液体ＬＱが供給されてもよいし、計測ステージ２Ｃが配置されている状態で、回収口３４から液体ＬＱが供給されてもよい。
なお、図２７に示すように、露光光ＥＬの光路Ｋに対する放射方向に関して回収口３４の外側に第２の回収口７２が設けられてもよい。図２７において、液浸部材３の周囲の少なくとも一部に、回収口７２を有する回収部材７３が配置される。回収口７２は、基板ステージ２Ｐ等の物体が対向可能な位置に配置されている。
制御装置４００は、回収口３４から空間ＳＰへの液体ＬＱの供給と並行して、回収口７２からの液体ＬＱの回収を実行する。図２７に示す例において、回収口７２は、露光光ＥＬの光路Ｋに対する放射方向に関して、回収口３４の外側に配置されている。これにより、空間ＳＰにおいて、光路Ｋに対する放射方向に関して内側から外側へ向かう液体ＬＱの流れが生成される。回収口３４（多孔部材３６の孔３６Ｈ）を介して空間ＳＰに流れた液体ＬＱの少なくとも一部は、回収口７２から回収される。なお、Ｚ軸方向に関する回収口３４の位置と回収口７２の位置とは、同じでもよいし、異なってもよい。
図２７に示す例においても、回収口３４から空間ＳＰに液体ＬＱが供給されることにより、例えば回収口３４（多孔部材３６の孔３６Ｈ）、あるいは多孔部材３６の下面３６Ｂに付着している異物は、その液体ＬＱの流れによって回収口３４（多孔部材３６）から離れる。回収口３４から離れた異物は、液体ＬＱとともに、回収口７２から回収される。これにより、液浸部材３がクリーニングされる。
また、空間ＳＰにおける液体ＬＱの流れによって、液浸部材３の下面２４と対向する基板ステージ２Ｐ等の物体の上面の異物も、液体ＬＱとともに回収口７２から回収される。これにより、その物体（基板ステージ２Ｐ）もクリーニングされる。
なお、図２７に示す例において、回収口３４から空間ＳＰに液体ＬＱを供給し、回収口７２から液体ＬＱを回収しているとき、供給口３３から液体ＬＱを供給してもよいし、供給しなくてもよい。また、吸引口７０より液体ＬＱを吸引してもよいし、しなくてもよい。
＜第９実施形態＞
次に、第９実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
本実施形態においては、液浸部材３及び基板ステージ２Ｐの少なくとも一方をクリーニングする処理（ステップＳＡ５）の一例について説明する。
図２８は、本実施形態に係るクリーニングの一例を示す図である。図２８においては、ＹＺ平面と平行な断面図とＸＺ平面と平行な断面図とが一緒に示されている。すなわち、図２８において、中心線Ｌの右側が、供給口３３を含むＹＺ平面と平行な断面を示し、中心線Ｌの左側が、吸引口７０を含むＸＺ平面と平行な断面を示す。
本実施形態においては、クリーニングにおいて、終端光学素子１９及び液浸部材３と対向する位置に、第１保持部２１でカバー部材ＣＰを保持している基板ステージ２Ｐが配置される。なお、終端光学素子１９及び液浸部材３と対向する位置に計測ステージ２Ｃが配置されてもよい。
クリーニングにおいて、供給口３３から液体ＬＱが供給され、吸引口７０から液体ＬＱの少なくとも一部が吸引される。これにより、終端光学素子１９と基板ステージ２Ｐとの間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳｂが形成される。
本実施形態においては、供給口３３から液体ＬＱが供給され、吸引口７０から液体ＬＱの少なくとも一部が吸引されている状態において、回収口３４からの回収動作が停止される。
また、本実施形態においては、下面３１Ｂと基板ステージ２Ｐの上面２３との間に液浸空間ＬＳｂの液体ＬＱの界面ＬＧｂが形成されるように、供給口３３からの液体ＬＱの供給と、吸引口７０からの液体ＬＱの吸引とが実行される。すなわち、本実施形態においては、下面３１Ｂの周囲の少なくとも一部に配置される回収口３４（多孔部材３６）に液体ＬＱが接触しない。
供給口３３から液体ＬＱが供給され、吸引口７０から液体ＬＱの少なくとも一部が吸引されて、終端光学素子１９と基板ステージ２Ｐとの間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳｂが形成されることにより、例えば基板ステージ２Ｐの上面２３の異物が、液体ＬＱとともに吸引口７０から吸引される。これにより、基板ステージ２Ｐの上面２３がクリーニングされる。
また、本実施形態においては、液体ＬＱで液浸空間ＬＳｂが形成されている期間の少なくとも一部で、終端光学素子１９及び液浸部材３に対して、基板ステージ２Ｐが移動する。これにより、基板ステージ２Ｐの上面２３の広い範囲がクリーニングされる。
本実施形態においては、液浸空間ＬＳｂの液体ＬＱで基板ステージ２Ｐの上面２３をクリーニングしているとき、回収口３４からの回収動作（吸引動作）が停止され、回収口３４（多孔部材３６）に液体ＬＱが接触しない。これにより、基板ステージ２Ｐの上面２３の異物が、回収口３４（多孔部材３６）に付着することが抑制される。なお、液体ＬＱが吸われないように、回収口３４からの吸引動作を実行してもよい。また、供給口３３と異なる供給口から液体ＬＱを供給してもよい。
＜第１０実施形態＞
次に、第１０実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
本実施形態においては、液浸部材３及び基板ステージ２Ｐの少なくとも一方をクリーニングする処理（ステップＳＡ５）の一例について説明する。
図２９は、第１０実施形態に係るクリーニングの一例を示す図である。図２９においては、ＹＺ平面と平行な断面図とＸＺ平面と平行な断面図とが一緒に示されている。すなわち、図２９において、中心線Ｌの右側が、供給口３３を含むＹＺ平面と平行な断面を示し、中心線Ｌの左側が、吸引口７０を含むＸＺ平面と平行な断面を示す。
また、本実施形態においては、露光光ＥＬの光路Ｋに対する放射方向に関して回収口３４の外側に第２の回収口７２が配置される。図２９において、液浸部材３の周囲の少なくとも一部に、回収口７２を有する回収部材７３が配置される。回収口７２は、基板ステージ２Ｐ等の物体が対向可能な位置に配置されている。
本実施形態においては、液浸部材３の内部に形成された回収流路３４Ｐに、給気装置７４が接続される。給気装置７４は、回収流路３４Ｐに気体を供給可能である。給気装置７４が回収流路３４Ｐに気体を供給することにより、その回収流路３４Ｐに供給された気体の少なくとも一部は、回収口３４（多孔部材３６の孔３６Ｈ）を介して、下面２４（下面３６Ｂ）が面する空間ＳＰに供給される。本実施形態においては、クリーニングにおいて、液浸部材３の下面２４と対向する位置に基板ステージ２Ｐが配置されるが、計測ステージ２Ｃが配置されてもよい。
クリーニングにおいて、制御装置４００は、例えば供給口３３から液体ＬＱを供給する。供給口３３からの液体ＬＱは、回収口３４と基板ステージ２Ｐとの間の空間ＳＰに供給される。
また、本実施形態においては、制御装置４００は、クリーニングにおいて、供給口３３からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口７２からの回収動作を実行する。回収口７２は、空間ＳＰからの液体ＬＱを回収する。
また、本実施形態においては、制御装置４００は、クリーニングにおいて、給気装置７４を作動し、回収流路３４Ｐに気体を供給する。これにより、図２９に示すように、回収口３４から、回収口３４と基板ステージ２Ｐとの間の空間ＳＰに供給された液体ＬＱに気体が供給される。回収口３４から気体が供給されることによって、空間ＳＰの液体ＬＱに気泡が生成される。
本実施形態においては、供給口３３からの液体ＬＱの供給と、回収口３４からの液体ＬＱに対する気体の供給と、回収口７２からの液体ＬＱ及び気体の回収とが並行して実行される。回収口７２は、供給口３３から空間ＳＰに供給された液体ＬＱ、及び回収口３４から空間ＳＰに供給された気体を回収する。すなわち、回収口７２は、空間ＳＰからの液体ＬＱ及び気体を回収する。なお、回収口７２は、気体を回収しなくてもよい。
本実施形態においては、供給口３３は、光路Ｋに対する放射方向に関して回収口３４の内側に配置され、回収口７２は、光路Ｋに対する放射方向に関して回収口３４の外側に配置されている。供給口３３からの供給動作と回収口７２からの回収動作とが実行されることにより、空間ＳＰにおいて、光路Ｋに対する放射方向に関して内側から外側へ向かう液体ＬＱの流れが生成される。
これにより、液浸部材３の下面２４、及び基板ステージ２Ｐの上面２３の異物は、液体ＬＱとともに回収口７２から回収される。また、回収口３４から気体を供給することによって、例えば回収口３４（多孔部材３６）に付着している異物は、その気体の流れ、及び／又は気泡の作用によって、その回収口３４（多孔部材３６）から良好に除去される。また、基板ステージ２Ｐの上面２３に付着している異物も、その気体の流れ、及び／又は気泡の作用によって、その基板ステージ２Ｐの上面２３から良好に除去される。
本実施形態においては、制御装置４００は、供給口３３からの液体ＬＱの供給、回収口３４からの気体の供給、及び回収口７２からの液体ＬＱの回収が実行されている状態で、終端光学素子１９及び液浸部材３に対して、基板ステージ２ＰをＸＹ平面内において移動する。これにより、基板ステージ２Ｐの上面２３の広い範囲がクリーニングされる。なお、基板ステージ２Ｐを移動しなくてもよい。
また、本実施形態においては、制御装置４００は、供給口３３からの液体ＬＱの供給、回収口３４からの気体の供給、及び回収口７２からの液体ＬＱの回収と並行して、吸引口７０からの液体ＬＱの吸引を実行する。吸引口７０は、光路Ｋに対する放射方向に関して回収口３４の内側に配置されている。これにより、例えば終端光学素子１９の側面と液浸部材３の内側面との間における液体ＬＱの表面の高さが調整される。なお、吸引口７０からの液体ＬＱの吸引が実行されなくてもよい。また、供給口３３とは異なる供給口から液体ＬＱが供給されてもよい。
なお、上述の第８、第９、及び第１０実施形態においては、クリーニングに用いる液体として、露光用の液体ＬＱ（水）を使用することとしたが、露光用の液体ＬＱとは異なる液体（クリーニング用の液体）を用いてもよい。クリーニング用の液体として、例えばアルカリ性液体を用いてもよい。例えば、クリーニング用の液体が、水酸化テトラメチルアンモニウム（TMAH：tetramethyl ammonium hydroxide）を含んでもよい。また、クリーニング用の液体として、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリの溶液、水酸化トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム等の有機アルカリの溶液を用いてもよい。また、クリーニング用の液体として、アルカリ性水溶液を用いてもよい。また、クリーニング用の液体として、アンモニア水を用いてもよい。
また、クリーニング用の液体として、酸性液体を用いてもよい。例えば、クリーニング用の液体が、過酸化水素を含んでもよい。また、クリーニング用の液体として、酸性水溶液を用いてもよい。また、クリーニング用の液体が、バッファードフッ酸及び過酸化水素を含む溶液でもよい。バッファードフッ酸（緩衝フッ酸）は、フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合物である。その混合比率は、４０ｗｔ％フッ化アンモニウム溶液／５０ｗｔ％フッ酸の体積比に換算して、５〜２０００でもよい。また、バッファードフッ酸と過酸化水素との混合比率は、過酸化水素／フッ酸の重量比に換算して、０．８〜５５でもよい。クリーニング用の液体として、オゾンを含むオゾン液体を用いてもよい。もちろん、過酸化水素とオゾンを含む溶液でもよい。
また、クリーニング用の液体が、アルコールを含んでもよい。例えば、クリーニング用の液体が、エタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、及びペンタノールの少なくとも一つを含んでもよい。
なお、露光用の液体ＬＱとは異なるクリーニング用の液体を用いてクリーニングした場合、そのクリーニング後、部材に付着するクリーニング用の液体を露光用の液体ＬＱで洗い流す処理（所謂、リンス処理）が実行されてもよい。
なお、上述の実施形態の各動作において、吸引口７０が使用されない場合には、露光装置ＥＸが吸引口７０を備えてなくてもよい。
＜第１１実施形態＞
次に、第１１実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図３０は、第１１実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す図である。本実施形態においては、露光装置ＥＸは、液浸部材３の周囲の少なくとも一部に配置され、液体ＬＱを回収する回収部材８０を有する。本実施形態において、回収部材８０は、多孔部材を含む。多孔部材は、ポーラス部材を含む。多孔部材は、例えば焼結法によって形成される。
回収部材８０は、基板Ｐ等の物体が対向可能な下面を有する。光路Ｋに対して回収部材８０の外側に、ヘッドユニット６が配置される。Ｚ軸方向に関して、回収部材８０の下面の位置（高さ）と、ヘッドユニット６の下面の位置（高さ）とは、ほぼ等しい。換言すれば、回収部材８０の下面と基板Ｐ（物体）の上面との距離と、ヘッドユニット６の下面と基板Ｐ（物体）の上面との距離とは、実質的に等しい。なお、回収部材８０の下面が、ヘッドユニット６の下面よりも低い位置に配置されてもよいし、高い位置に配置されてもよい。
露光シーケンスにおいて、液浸部材３と基板Ｐとの間の空間ＳＰの外側に、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの少なくとも一部が流出する可能性がある。本実施形態においては、その空間ＳＰの外側に流出した液体ＬＱは、回収部材８０で回収される。回収部材８０は、回収部材８０の下面に接触した液体ＬＱを吸収（回収）可能である。また、回収部材８０は、空間ＳＰの外側に流出した液体ＬＱ（滴）と接触することにより、その空間ＳＰの外側に流出した液体ＬＱ（滴）の大きさ（体積、質量等）を小さくすることができる。
回収部材８０が設けられていることにより、空間ＳＰの液体ＬＱが、ヘッドユニット６と基板Ｐとの間の空間ＨＰに浸入することが抑制される。また、空間ＳＰの液体ＬＱが、ヘッドユニット６と基板Ｐとの間の空間ＨＰに浸入したとしても、その空間ＨＰに浸入する液体ＬＱ（滴）の大きさは小さい。したがって、ヘッドユニット６の下面と基板Ｐ（物体）の上面との間に液体ＬＱが捕捉される現象（留まる現象）が発生することを抑制することができる。なお、ヘッドユニット６等の第１の部材の下面と基板Ｐ等の第２の部材の上面との間に液体ＬＱが捕捉される現象は、ブリッジ現象とも呼ばれる。本実施形態においては、回収部材８０が設けられているため、ヘッドユニット６と基板Ｐとの間においてブリッジ現象が生じることが抑制される。したがって、ヘッドユニット６の熱変形を抑制でき、エンコーダシステム５の計測精度の低下を抑制できる。
次に、回収部材８０をクリーニングする方法の一例について説明する。図３１は、回収部材８０をクリーニングするクリーニング装置９０の一例を示す図である。
本実施形態においては、メンテナンスシーケンスにおいて、保持機構４にカバー部材ＣＰが保持された状態で、回収部材８０のクリーニングが行われる。また、本実施形態においては、終端光学素子１９及び液浸部材３とカバー部材ＣＰとの間に液浸空間ＬＳが形成された状態で、回収部材８０のクリーニングが行われる。
本実施形態においては、回収部材８０にクリーニング光が照射されることによって、その回収部材８０のクリーニングが行われる。クリーニング光は、紫外光を含む。本実施形態において、クリーニング光は、射出面１８から射出される露光光ＥＬを含む。
本実施形態において、クリーニング装置９０は、射出面１８から射出される露光光ＥＬを回収部材８０へ導く導光部材９１を含む。
図３１に示すように、本実施形態において、導光部材９１は、ベース部材２０の内部空間に配置される。ベース部材２０の内部空間の上端の開口には、露光光ＥＬを透過可能な部材９２が配置される。導光部材９１は、射出面１８と対向する位置に配置される。
本実施形態において、カバー部材ＣＰは、露光光ＥＬを透過可能である。本実施形態において、カバー部材ＣＰの少なくとも一部は、石英ガラスによって形成される。なお、カバー部材ＣＰの少なくとも一部が蛍石で形成されてもよい。
メンテナンスシーケンスにおいて、射出面１８から射出された露光光ＥＬは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱ及びカバー部材ＣＰを通過し、部材９２を通過した後、導光部材９１に入射する。本実施形態において、導光部材９１は、反射面を有する反射部材を含む。導光部材９１に入射した露光光ＥＬは、導光部材９１の反射面で反射し、部材９２及びカバー部材ＣＰを通過した後、回収部材８０に照射される。これにより、回収部材８０がクリーニング光でクリーニング（光洗浄）される。例えば、回収部材８０に異物が付着した場合、その回収部材８０の液体ＬＱに対する親和性が低下する（撥液化する）可能性がある。回収部材８０を光洗浄することによって、その回収部材８０の液体ＬＱに対する親和性を高める（新液化する）ことができる。したがって、回収部材８０の液体吸収能力の低下を抑制（液体回収能力を回復）することができる。
図３２は、回収部材８０のクリーニング装置９３の一例を示す図である。図３２に示す例において、射出面１８から射出される露光光ＥＬを回収部材８０へ導く導光部材９４、９５は、終端光学素子１９及び回収部材８０に対して移動可能な可動部材に配置される。その可動部材は、射出面１８と対向する位置に移動可能である。本実施形態において、可動部材は、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃの少なくとも一方を含む。本実施形態において、導光部材９４は、基板ステージ２Ｐに配置される。導光部材９５は、計測ステージ２Ｃに配置される。
本実施形態において、基板ステージ２Ｐの内部に、露光光ＥＬが通過可能な通路（経路）９６が形成されている。導光部材９４は、通路９６に配置される。また、本実施形態において、計測ステージ２Ｃの内部に、露光光ＥＬが通過可能な通路（経路）９７が形成されている。導光部材９５は、通路９７に配置される。
本実施形態においては、終端光学素子１９及び液浸部材３と基板ステージ２Ｐとの間に液浸空間ＬＳが形成された状態で、回収部材８０のクリーニングが行われる。図３２に示すように、本実施形態において、経路９６の上端の開口には、露光光ＥＬを透過可能な部材９８が配置される。部材９８は、射出面１８と対向する位置に配置される。液浸空間ＬＳの少なくとも一部は、部材９８上に形成される。
メンテナンスシーケンスにおいて、射出面１８から射出された露光光ＥＬは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱ及び部材９８を通過した後、経路９６に配置されている導光部材９４に入射する。本実施形態において、導光部材９４は、反射面を有する反射部材を含む。導光部材９４に入射した露光光ＥＬは、導光部材９４の反射面で反射し、経路９６を進行した後、経路９７に入射する。経路９７に入射した露光光ＥＬは、経路９７に配置されている導光部材９５に入射する。本実施形態において、導光部材９５は、反射面を有する反射部材を含む。導光部材９５に入射した露光光ＥＬは、導光部材９５の反射面で反射し、経路９７の上端の開口から射出される。経路９７から射出された露光光ＥＬは、回収部材８０に照射される。これにより、回収部材８０がクリーニング光でクリーニング（光洗浄）される。
導光部材９５の反射面は、曲面でもよい。導光部材９５の反射面は、凸面でもよいし、凹面でもよい。導光部材９５が搭載されている計測ステージ２Ｃが移動することによって、導光部材９５に入射し、その導光部材９５の反射面で反射した露光光ＥＬの進行方向（反射角度）を変えることができる。
なお、給気口（５０Ｓ、２９等）と回収部材８０の下面とを対向させた状態で、給気口（５０Ｓ、２９等）から多孔部材８０の下面に気体を吹き付けてもよい。これにより、多孔部材８０の下面の異物は、下面から除去される。また、多孔部材８０の下面に気体を吹き付けることにより、多孔部材８０の下面の異物は、その多孔部材８０の孔の内部に入り込む。これにより、その後に行われる露光シーケンスにおいて、多孔部材８０の異物が基板Ｐ等に付着することが抑制される。
なお、本実施形態において、射出面１８からの露光光ＥＬを、導光部材を介して多孔部材３６に照射してもよい。
なお、上述の各実施形態においては、カバー部材ＣＰが、基板ステージ２Ｐの第１保持部２１に保持された状態で搬送され、第１保持部２１及び保持機構４の一方から他方へ渡されることとしたが、第１保持部２１とは異なる、カバー部材ＣＰをリリース可能に保持する保持部を基板ステージ２Ｐに設けてもよい。また、例えば図３３に示すように、計測ステージ２Ｃに、カバー部材ＣＰをリリース可能に保持する保持部１００及びカバー部材ＣＰを昇降する移動装置１０１を設け、カバー部材ＣＰを保持部１００及び保持機構４の一方から他方へ渡すこととしてもよいし、計測ステージ２Ｃを用いてカバー部材ＣＰを搬送してもよい。また、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃとは異なるステージ装置を用いて、カバー部材ＣＰを搬送してもよい。
なお、図３４に示すような液浸部材３００の下面２４０とカバー部材ＣＰとを対向させてもよい。図３４において、液浸部材３００は、液体ＬＱを供給する供給口３３０と、カバー部材ＣＰ等の物体が対向可能な位置に配置される回収口３４０と、回収口３４０から回収された流体が流れる回収流路３４０Ｐと、回収流路３４０Ｐに配置され、主に回収流路３４０Ｐの液体ＬＱを回収し、気体の流入が抑制された回収口３５１と、回収流路３４０Ｐに配置され、主に回収流路３４０Ｐの気体を回収し、液体ＬＱの流入が抑制された回収口３５２とを有する。図３４に示す液浸部材３００においても、メンテナンスシーケンスにおいて、下面２４０と対向するようにカバー部材ＣＰを配置し、液浸空間ＬＳを形成することによって、気化熱の発生を抑制しつつ、メンテナンスシーケンスを円滑に行うことができる。
なお、上述の各実施形態においては、カバー部材ＣＰは、第１搬送部材９Ａから基板ステージ２Ｐへ渡され、その基板ステージ２Ｐから保持機構４へ渡されることとしたが、第２搬送部材９Ａから基板ステージ２Ｐへ渡され、その基板ステージ２Ｐから保持機構４へ渡されてもよい。また、メンテナンスの終了後、カバー部材ＣＰが、保持機構４から基板ステージ２Ｐへ渡され、その基板ステージ２Ｐから第１搬送部材９Ａへ渡されてもよい。すなわち、カバー部材ＣＰは、基板Ｐが搬送される経路とは異なる経路（逆の経路）で搬送されてもよい。
なお、上述の各実施形態においては、メンテナンスシーケンスにおいてカバー部材ＣＰ上に供給される液体ＬＱが、露光シーケンスにおいて基板Ｐ上に供給される液体ＬＱと同じ液体であることとしたが、異なる液体でもよい。例えば、メンテナンスシーケンスでカバー部材ＣＰ上に供給される液体が、過酸化水素を含む液体（例えば水）でもよいし、アルコールを含む液体でもよい。
なお、上述の各実施形態において、エンコーダシステム５が、例えば米国特許出願公開第２００６／０２２７３０９号に開示されているような、基板ステージに配置されたエンコーダヘッドと、投影光学系ＰＬ（液浸部材３）の周囲に配置されたスケール板（グリッド板）とを備えてもよい。
なお、上述したように、制御装置４００は、ＣＰＵ等を含むコンピュータシステムを含む。また、制御装置４００は、コンピュータシステムと外部装置との通信を実行可能なインターフェースを含む。記憶装置５００は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置５００には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。
なお、制御装置４００に、入力信号を入力可能な入力装置が接続されていてもよい。入力装置は、キーボード、マウス等の入力機器、あるいは外部装置からのデータを入力可能な通信装置等を含む。また、液晶表示ディスプレイ等の表示装置が設けられていてもよい。
記憶装置５００に記録されているプログラムを含む各種情報は、制御装置（コンピュータシステム）４が読み取り可能である。記憶装置５００には、制御装置４００に、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する露光装置ＥＸの制御を実行させるプログラムが記録されている。
記憶装置５００に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置４００に、基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように基板が配置された状態で、射出面側に第１液体を供給するとともに、第１液体の少なくとも一部を回収口から回収して、第１液体を介して基板を露光することと、第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するように、カバー部材を保持機構で保持することと、第２処理において、射出面側に第２液体を供給するとともに、回収口に対する気体の流入を第１処理よりも抑制しつつ、第２液体の少なくとも一部を回収口から回収することと、を実行させてもよい。
また、記憶装置５００に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置４００に、基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように基板が配置された状態で、射出面側に第１液体を供給して、第１液体を介して基板を露光することと、第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するように、カバー部材を保持機構で保持することと、第２処理において、射出面側に第２液体を供給することと、カバー部材の上面において第２液体で形成される液浸空間の面積を変化させることと、を実行させてもよい。
また、記憶装置５００に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置４００に、基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように基板が配置された状態で、射出面側に第１液体を供給するとともに、第１液体の少なくとも一部を回収口から回収して、第１液体を介して基板を露光することと、第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するように、カバー部材を保持機構で保持することと、第２処理において、射出面側に第２液体を供給するとともに、第２液体の少なくとも一部を回収口から回収することと、第２処理において、下面の少なくとも一部に異物が接近することを抑制することと、を実行させてもよい。
また、記憶装置５００に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置４００に、基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように基板が配置された状態で、射出面側に第１液体を供給して、第１液体を介して基板を露光することと、第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するように、カバー部材を保持機構で保持することと、第２処理において、射出面側に第２液体を供給することと、カバー部材を保持機構から保持機構に対して移動可能な可動部材の保持部へ渡す前に、可動部材の少なくとも一部をクリーニングすることと、を実行させてもよい。
また、記憶装置５００に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置４００に、基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように基板が配置された状態で、射出面側に第１液体を供給して、第１液体を介して基板を露光することと、第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が射出面及び下面の少なくとも一部と対向するように、カバー部材を保持機構で保持することと、第２処理において、射出面側に第２液体を供給することと、カバー部材を保持機構から保持機構に対して移動可能な可動部材の保持部へ渡す前に、カバー部材の少なくとも一部をクリーニングすることと、を実行させるプログラムが提供される。
記憶装置５００に記憶されているプログラムが制御装置４００に読み込まれることにより、基板ステージ２Ｐ、計測ステージ２Ｃ、液浸部材３、及び保持機構４等、露光装置ＥＸの各種の装置が協働して、液浸空間ＬＳが形成された状態で、基板Ｐの液浸露光等、各種の処理を実行する。
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１９の射出側（像面側）の光路が液体ＬＱで満たされているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子１９の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系ＰＬを採用することができる。
なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
また、上述の各実施形態において、露光装置ＥＸが、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置でもよい。例えば、図３５に示すように、露光装置ＥＸが２つの基板ステージ２Ｐａ、２Ｐｂを備えている場合、射出面１８と対向するように配置可能な物体は、一方の基板ステージ、その一方の基板ステージの第１保持部に保持された基板、他方の基板ステージ、及びその他方の基板ステージの第１保持部に保持された基板の少なくとも一つを含む。
なお、上述の各実施形態において、露光装置ＥＸが、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置でもよい。
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
なお、上述の各実施形態においては、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いて各ステージの位置を計測することとしたが、エンコーダシステムがなくてもよい。
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
上述の実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図３６に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。露光シーケンス及びメンテナンスシーケンスは、例えば基板処理ステップ２０４において実行される。
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
２Ｐ…基板ステージ、２Ｃ…計測ステージ、３…液浸部材、４…保持機構、５…エンコーダシステム、６…ヘッドユニット、１５…第１保持部、１８…射出面、１９…終端光学素子、３３…供給口、３４…回収口、３６…多孔部材、５０…クリーニング装置、６０…クリーニング装置、４００…制御装置、５００…記憶装置、ＣＰ…カバー部材、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＬＱ…液体、ＬＳ…液浸空間、Ｐ…基板、Ｔ…スケール部材

Claims (47)

  1. 第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
    前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
    前記射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、下面を有する液浸部材と、
    前記基板の露光を含む第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が前記射出面及び前記下面の少なくとも一部と対向するように前記カバー部材をリリース可能に保持する保持機構と、
    前記第１処理において前記射出面側に供給された前記第１液体の少なくとも一部を回収し、前記第２処理において前記射出面側に供給された第２液体の少なくとも一部を回収する回収口と、を備え、
    前記第２処理における前記回収口に対する気体の流入が、前記第１処理における前記回収口に対する気体の流入よりも抑制される露光装置。
  2. 前記第２処理において、前記回収口に対して実質的に気体が流入しない請求項１に記載の露光装置。
  3. 前記カバー部材の上面が対向可能な第１面、前記第１面の反対方向を向く第２面、及び前記第１面と前記第２面とを結ぶ複数の孔を有する多孔部材を備え、
    前記回収口は、前記多孔部材の孔を含む請求項１又は２に記載の露光装置。
  4. 前記カバー部材の上面と前記第１面との間の前記第２液体が前記回収口から回収され、前記回収口に対する気体の流入が抑制されるように、前記第１面が面する第１空間の圧力及び前記第２面が面する第２空間の圧力の一方又は両方が調整される請求項３に記載の露光装置。
  5. 前記カバー部材の上面において前記第２液体で形成される液浸空間の面積を変化させる液体制御装置を備える請求項１〜４のいずれか一項に記載の露光装置。
  6. 前記液体制御装置は、前記第２液体の供給量及び回収量の一方又は両方を調整して、前記液浸空間の面積を変化させる請求項５に記載の露光装置。
  7. 第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
    前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
    前記射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、下面を有する液浸部材と、
    前記基板の露光を含む第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が前記射出面及び前記下面の少なくとも一部と対向するように前記カバー部材をリリース可能に保持する保持機構と、
    前記カバー部材の上面において第２液体で形成される液浸空間の面積を変化させる液体制御装置と、を備える露光装置。
  8. 前記液体制御装置は、前記下面のほぼ全域が前記第２液体と接触するように、前記液浸空間の面積を変化させる請求項５〜７のいずれか一項に記載の露光装置。
  9. 前記射出面及び前記下面と前記カバー部材との間に供給された前記第２液体の少なくとも一部を回収する回収口を備え、
    前記液体制御装置は、前記第２液体の供給量及び回収量の一方又は両方を調整して、前記液浸空間の面積を変化させる請求項７又は８に記載の露光装置。
  10. 前記回収口は、前記下面の少なくとも一部に配置される請求項９に記載の露光装置。
  11. 前記下面の少なくとも一部に異物が接近することを抑制する抑制装置を備える請求項１〜１０のいずれか一項に記載の露光装置。
  12. 第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
    前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
    前記射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、下面を有する液浸部材と、
    前記基板の露光を含む第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が前記射出面及び前記下面の少なくとも一部と対向するように前記カバー部材をリリース可能に保持する保持機構と、
    前記第２処理において前記射出面側に供給された第２液体の少なくとも一部を回収する回収口と、
    前記第２処理において前記下面の少なくとも一部に異物が接近することを抑制する抑制装置と、を備える露光装置。
  13. 前記回収口は、前記下面の少なくとも一部に配置される請求項１２に記載の露光装置。
  14. 前記抑制装置は、前記回収口に気体が流入することを抑制して、前記異物の接近を抑制する請求項１２又は１３に記載の露光装置。
  15. 前記抑制装置は、前記下面が面する空間の圧力を、その外側の空間の圧力よりも高くする請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の露光装置。
  16. 前記抑制装置は、前記下面が面する空間からその外側の空間に向かって気体を流す請求項１２〜１５のいずれか一項に記載の露光装置。
  17. 前記カバー部材をリリース可能に保持する保持部を有し、前記保持機構に対して移動可能な可動部材を備え、
    前記カバー部材は、前記可動部材及び前記保持機構の一方から他方へ渡される請求項１〜１６のいずれか一項に記載の露光装置。
  18. 前記カバー部材を前記保持機構から前記保持部へ渡す前に、前記可動部材の少なくとも一部をクリーニングする第１クリーニング装置を備える請求項１７に記載の露光装置。
  19. 第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
    前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
    前記射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、下面を有する液浸部材と、
    前記基板の露光を含む第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が前記射出面及び前記下面の少なくとも一部と対向するように前記カバー部材をリリース可能に保持する保持機構と、
    前記カバー部材をリリース可能に保持する保持部を有し、前記保持機構に対して移動可能な可動部材と、
    前記カバー部材を前記保持機構から前記保持部へ渡す前に、前記可動部材の少なくとも一部をクリーニングする第１クリーニング装置と、を備える露光装置。
  20. 前記カバー部材を前記保持機構から前記保持部へ渡す前に、前記カバー部材の少なくとも一部をクリーニングする第２クリーニング装置を備える請求項１７〜１９のいずれか一項に記載の露光装置。
  21. 第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
    前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
    前記射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、下面を有する液浸部材と、
    前記基板の露光を含む第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が前記射出面及び前記下面の少なくとも一部と対向するように前記カバー部材をリリース可能に保持する保持機構と、
    前記カバー部材をリリース可能に保持する保持部を有し、前記保持機構に対して移動可能な可動部材と、
    前記カバー部材を前記保持機構から前記保持部へ渡す前に、前記カバー部材の少なくとも一部をクリーニングする第２クリーニング装置と、を備える露光装置。
  22. 前記可動部材は、前記基板を保持して移動可能である請求項１７〜２１のいずれか一項に記載の露光装置。
  23. 前記保持部は、前記基板をリリース可能に保持する請求項２２に記載の露光装置。
  24. 前記カバー部材が前記保持機構に保持されている状態において、前記可動部材は、前記カバー部材の下方の空間を移動可能である請求項１７〜２３のいずれか一項に記載の露光装置。
  25. 前記保持機構は、前記液浸部材の周囲の少なくとも一部に配置される請求項１〜２４のいずれか一項に記載の露光装置。
  26. 前記保持機構は、前記カバー部材の上面の少なくとも一部を保持する請求項１〜２５のいずれか一項に記載の露光装置。
  27. 前記カバー部材の上面の外形は、前記液浸部材の下面の外形よりも大きい請求項１〜２６のいずれか一項に記載の露光装置。
  28. 前記液浸部材の周囲の少なくとも一部に配置され、前記第１液体及び前記第２液体の一方又は両方を回収する回収部材を有する請求項１〜２７のいずれか一項に記載の露光装置。
  29. 前記回収部材は、多孔部材を含む請求項２８に記載の露光装置。
  30. 前記回収部材をクリーニングする第３クリーニング装置を備える請求項２８又は２９に記載の露光装置。
  31. 前記第３クリーニング装置は、前記回収部材にクリーニング光を照射する請求項３０に記載の露光装置。
  32. 前記クリーニング光は、前記射出面から射出される前記露光光を含む請求項３１に記載の露光装置。
  33. 前記第３クリーニング装置は、前記射出面から射出される前記露光光を前記回収部材へ導く導光部材を含む請求項３２に記載の露光装置。
  34. 前記導光部材は、前記射出面と対向する位置に移動可能である請求項３３に記載の露光装置。
  35. 請求項１〜３４のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
  36. 第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
    前記基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び前記射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように前記基板が配置された状態で、前記射出面側に前記第１液体を供給するとともに、前記第１液体の少なくとも一部を回収口から回収して、前記第１液体を介して前記基板を露光することと、
    前記第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が前記射出面及び前記下面の少なくとも一部と対向するように、前記カバー部材を保持機構で保持することと、
    前記第２処理において、前記射出面側に第２液体を供給するとともに、前記回収口に対する気体の流入を前記第１処理よりも抑制しつつ、前記第２液体の少なくとも一部を前記回収口から回収することと、を含む露光方法。
  37. 第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
    前記基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び前記射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように前記基板が配置された状態で、前記射出面側に前記第１液体を供給して、前記第１液体を介して前記基板を露光することと、
    前記第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が前記射出面及び前記下面の少なくとも一部と対向するように、前記カバー部材を保持機構で保持することと、
    前記第２処理において、前記射出面側に第２液体を供給することと、
    前記カバー部材の上面において前記第２液体で形成される液浸空間の面積を変化させることと、を含む露光方法。
  38. 第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
    前記基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び前記射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように前記基板が配置された状態で、前記射出面側に前記第１液体を供給するとともに、前記第１液体の少なくとも一部を回収口から回収して、前記第１液体を介して前記基板を露光することと、
    前記第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が前記射出面及び前記下面の少なくとも一部と対向するように、前記カバー部材を保持機構で保持することと、
    前記第２処理において、前記射出面側に第２液体を供給するとともに、前記第２液体の少なくとも一部を前記回収口から回収することと、
    前記第２処理において、前記下面の少なくとも一部に異物が接近することを抑制することと、を含む露光方法。
  39. 第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
    前記基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び前記射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように前記基板が配置された状態で、前記射出面側に前記第１液体を供給して、前記第１液体を介して前記基板を露光することと、
    前記第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が前記射出面及び前記下面の少なくとも一部と対向するように、前記カバー部材を保持機構で保持することと、
    前記第２処理において、前記射出面側に第２液体を供給することと、
    前記カバー部材を前記保持機構から前記保持機構に対して移動可能な可動部材の保持部へ渡す前に、前記可動部材の少なくとも一部をクリーニングすることと、を含む露光方法。
  40. 第１液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
    前記基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び前記射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように前記基板が配置された状態で、前記射出面側に前記第１液体を供給して、前記第１液体を介して前記基板を露光することと、
    前記第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が前記射出面及び前記下面の少なくとも一部と対向するように、前記カバー部材を保持機構で保持することと、
    前記第２処理において、前記射出面側に第２液体を供給することと、
    前記カバー部材を前記保持機構から前記保持機構に対して移動可能な可動部材の保持部へ渡す前に、前記カバー部材の少なくとも一部をクリーニングすることと、を含む露光方法。
  41. 請求項３６〜４０のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
  42. コンピュータに、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
    前記基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び前記射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように前記基板が配置された状態で、前記射出面側に前記第１液体を供給するとともに、前記第１液体の少なくとも一部を回収口から回収して、前記第１液体を介して前記基板を露光することと、
    前記第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が前記射出面及び前記下面の少なくとも一部と対向するように、前記カバー部材を保持機構で保持することと、
    前記第２処理において、前記射出面側に第２液体を供給するとともに、前記回収口に対する気体の流入を前記第１処理よりも抑制しつつ、前記第２液体の少なくとも一部を前記回収口から回収することと、を実行させるプログラム。
  43. コンピュータに、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
    前記基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び前記射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように前記基板が配置された状態で、前記射出面側に前記第１液体を供給して、前記第１液体を介して前記基板を露光することと、
    前記第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が前記射出面及び前記下面の少なくとも一部と対向するように、前記カバー部材を保持機構で保持することと、
    前記第２処理において、前記射出面側に第２液体を供給することと、
    前記カバー部材の上面において前記第２液体で形成される液浸空間の面積を変化させることと、を実行させるプログラム。
  44. コンピュータに、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
    前記基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び前記射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように前記基板が配置された状態で、前記射出面側に前記第１液体を供給するとともに、前記第１液体の少なくとも一部を回収口から回収して、前記第１液体を介して前記基板を露光することと、
    前記第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が前記射出面及び前記下面の少なくとも一部と対向するように、前記カバー部材を保持機構で保持することと、
    前記第２処理において、前記射出面側に第２液体を供給するとともに、前記第２液体の少なくとも一部を前記回収口から回収することと、
    前記第２処理において、前記下面の少なくとも一部に異物が接近することを抑制することと、を実行させるプログラム。
  45. コンピュータに、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
    前記基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び前記射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように前記基板が配置された状態で、前記射出面側に前記第１液体を供給して、前記第１液体を介して前記基板を露光することと、
    前記第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が前記射出面及び前記下面の少なくとも一部と対向するように、前記カバー部材を保持機構で保持することと、
    前記第２処理において、前記射出面側に第２液体を供給することと、
    前記カバー部材を前記保持機構から前記保持機構に対して移動可能な可動部材の保持部へ渡す前に、前記可動部材の少なくとも一部をクリーニングすることと、を実行させるプログラム。
  46. コンピュータに、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
    前記基板の露光を含む第１処理において、光学部材の射出面、及び前記射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材の下面の少なくとも一部と対向するように前記基板が配置された状態で、前記射出面側に前記第１液体を供給して、前記第１液体を介して前記基板を露光することと、
    前記第１処理とは異なる第２処理において、カバー部材の上面が前記射出面及び前記下面の少なくとも一部と対向するように、前記カバー部材を保持機構で保持することと、
    前記第２処理において、前記射出面側に第２液体を供給することと、
    前記カバー部材を前記保持機構から前記保持機構に対して移動可能な可動部材の保持部へ渡す前に、前記カバー部材の少なくとも一部をクリーニングすることと、を実行させるプログラム。
  47. 請求項４２〜４６のいずれか一項に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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