JP2014011207A - 露光装置、メンテナンス方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する。露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、第１液体の第１液浸空間を形成する第１部材と、光路に対して第１部材の外側に配置され、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成可能な第２部材と、を備える。
【選択図】図３

Description

本発明は、露光装置、メンテナンス方法、及びデバイス製造方法に関する。

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。

米国特許出願公開第２００９／００４６２６１号

露光装置において、例えば、その露光装置の部材が汚染されていると、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。

本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置、及びメンテナンス方法を提供することを目的とする。また、本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、第１液体の第１液浸空間を形成する第１部材と、光路に対して第１部材の外側に配置され、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成可能な第２部材と、を備える露光装置が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置におけるメンテナンス方法であって、露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、第１液体の第１液浸空間を形成する第１部材と、光路に対して第１部材の外側に配置され、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成可能な第２部材と、を備え、第２部材を用いて、メンテナンスが行われるメンテナンス方法が提供される。

本発明の第４の態様に従えば、第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置におけるメンテナンス方法であって、露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、第１液体の第１液浸空間を形成する第１部材と、光学部材、第１部材、及び光学部材の下方で移動可能な間隙を有する物体が配置される空間を形成するチャンバ装置と、を備え、空間において移動可能に配置され、間隙を介して間隙の下方空間に移動可能であるクリーニング部材で、間隙を形成する物体のエッジ、及び下方空間を形成する内面の少なくとも一つをクリーニングすること、を含むメンテナンス方法が提供される。

本発明の第５の態様に従えば、第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置におけるメンテナンス方法であって、露光装置は、基板をリリース可能に保持する基板保持部と、基板保持部に保持される基板の周囲に間隙を介して配置されるカバー部材と、を備え、基板保持部にメンテナンス用基板を保持させることと、メンテナンス用基板に設けられたクリーニング部材を、間隙の下方空間を形成する内面に接触させることと、を含むメンテナンス方法が提供される。

本発明の第６の態様に従えば、第３、第４、及び第５のいずれか一つの態様のメンテナンス方法でメンテナンスすることと、メンテナンスされた露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また、本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。

第１実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。 第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。 第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。 第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。 第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。 第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。 第１実施形態に係る基板ステージ及び計測ステージの一例を示す図である。 第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。 第１実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第２実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第３実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第４実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第５実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第６実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第７実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第８実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第９実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第１０実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第１０実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第１１実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第１１実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第１２実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第１３実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第１４実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第１４実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第１４実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第１４実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第１４実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第１５実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第１５実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第１６実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第１７実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第１８実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第１８実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第１９実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第１９実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第２０実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 第２０実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示す図である。 基板ステージの一例を示す図である。 デバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳ１が形成される。液浸空間とは、液体で満たされた部分（空間、領域）をいう。基板Ｐは、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光される。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６８９７９６３号、及び欧州特許出願公開第１７１３１１３号等に開示されているような、基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置である。

図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材（計測器）Ｃを搭載して移動可能な計測ステージ３と、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置を計測する計測システム４と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２を形成する液浸部材５と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置６と、制御装置６に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置７とを備えている。

露光装置ＥＸは、露光光ＥＬが進行する空間ＣＳの環境（温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも一つ）を調整するチャンバ装置１１を備えている。チャンバ装置１１は、空間ＣＳに、温度及び湿度が調整された気体Ｆｒを供給する気体供給部１１Ｓを有する。空間ＣＳには、少なくとも投影光学系ＰＬ、液浸部材５、基板ステージ２、及び計測ステージ３が配置される。本実施形態においては、マスクステージ１、及び照明系ＩＬの少なくとも一部も、空間ＣＳに配置される。

マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。

基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。なお、基板Ｐが、感光膜と、感光膜とは別の膜とを含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。

照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。

マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材８のガイド面８Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面８ＧとＸＹ平面とは実質的に平行である。マスクステージ１は、例えば米国特許第６４５２２９２号に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により移動する。本実施形態において、マスクステージ１は、その駆動システムの作動により、ガイド面８Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態において、投影光学系ＰＬは、縮小系である。投影光学系ＰＬの投影倍率は、例えば１／４でもよいし、１／５でもよいし、１／８でもよい。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系でもよいし、拡大系でもよい。本実施形態において、投影光学系ＰＬの光軸は、Ｚ軸と平行である。なお、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系でもよいし、屈折光学素子を含まない反射系でもよいし、反射光学素子及び屈折光学素子の両方を含む反射屈折系でもよい。投影光学系ＰＬは、倒立像を形成してもよいし、正立像を形成してもよい。

投影光学系ＰＬは、露光光ＥＬが射出される射出面１２を有する終端光学素子１３を含む。射出面１２は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する。終端光学素子１３は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い光学素子である。投影領域ＰＲは、射出面１２から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。本実施形態において、射出面１２は、−Ｚ方向を向いている。射出面１２は、ＸＹ平面と平行である。なお、−Ｚ方向を向いている射出面１２は、凸面でもよいし、凹面でもよい。なお、射出面１２は、ＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。本実施形態において、終端光学素子１３の光軸は、Ｚ軸と平行である。本実施形態において、射出面１２から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。

基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、射出面１２からの露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）を含むＸＹ平面内を移動可能である。計測ステージ３は、計測部材（計測器）Ｃを搭載した状態で、射出面１２からの露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）を含むＸＹ平面内を移動可能である。基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、ベース部材９のガイド面９Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面９ＧとＸＹ平面とは実質的に平行である。

基板ステージ２及び計測ステージ３は、例えば米国特許第６４５２２９２号に開示されているような平面モータを含む駆動システム１０の作動により移動する。駆動システム１０は、基板ステージ２に配置された可動子２Ｃと、計測ステージ３に配置された可動子３Ｃと、ベース部材９に配置された固定子９Ｍとを含む。基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、駆動システム１０の作動により、ガイド面９Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

基板ステージ２は、例えば米国特許出願公開第２００７／０１７７１２５号、米国特許出願公開第２００８／００４９２０９号、及び米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号等に開示されているような、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部１４と、第１保持部１４の周囲に配置され、カバー部材Ｔ１及びスケール部材（計測部材）Ｔ２をリリース可能に保持する第２保持部１５とを有する。本実施形態において、基板Ｐの周囲に配置される基板ステージ２の上面は、カバー部材Ｔ１の上面を含む。また、基板ステージ２の上面は、スケール部材Ｔ２の上面を含む。

計測システム４は、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号に開示されているような、基板ステージ２のスケール部材Ｔ２を用いて、その基板ステージ２の位置を計測するエンコーダシステムを含む。また、計測システム４は、干渉計システムを含む。

基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置６は、計測システム４の計測結果に基づいて、マスクステージ１（マスクＭ）、基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３(計測部材Ｃ）の位置制御を実行する。

次に、本実施形態に係る液浸部材５について説明する。図２は、本実施形態に係る液浸部材５の一例を示す側面図、図３は、液浸部材５を下側（−Ｚ側）から見た図である。

液浸部材５は、終端光学素子１３の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材２１と、射出面１２から射出される露光光ＥＬの光路Ｋ（終端光学素子１３の光軸）に対して第１部材２１の外側に配置される第２部材２２とを備える。第１部材２１は、液体ＬＱの液浸空間ＬＳ１を形成する。第２部材２２は、液浸空間ＬＳ１から離れて、液体ＬＱの液浸空間ＬＳ２を形成可能である。液浸空間ＬＳ１は、第１部材２１の下方の第１空間ＳＰ１の少なくとも一部に形成される。液浸空間ＬＳ２は、第２部材２２の下方の第２空間ＳＰ２の少なくとも一部に形成される。

第１部材２１は、下面２３を有する。第２部材２２は、下面２４を有する。下面２３及び下面２４は、終端光学素子１３の下方で移動可能な物体が対向可能である。終端光学素子１３の下方で移動可能な物体は、射出面１２と対向可能である。その物体は、投影領域ＰＲに配置可能である。その物体は、投影領域ＰＲを含むＸＹ平面内を移動可能である。その物体は、第１部材２１の下方で移動可能である。その物体は、第２部材２２の下方で移動可能である。

本実施形態において、その物体は、基板ステージ２（カバー部材Ｔ１、スケール部材Ｔ２）、基板ステージ２（第１保持部１４）に保持された基板Ｐ、及び計測ステージ３(計測部材Ｃ)の少なくとも一つを含む。

以下の説明においては、終端光学素子１３の下方で移動可能な物体が、基板Ｐであることとする。なお、上述のように、終端光学素子１３の下方で移動可能な物体は、基板ステージ２及び計測ステージ３の少なくとも一方でもよいし、基板Ｐ、基板ステージ２、及び計測ステージ３とは別の物体でもよい。

第１部材２１は、射出面１２側の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液体ＬＱの液浸空間ＬＳ１を形成する。液浸空間ＬＳ１は、射出面１２と基板Ｐ（物体）の上面との間の光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように形成される。

第１部材２１は、射出面１２側の光路Ｋを含む光路空間ＳＰＫ、及び下面２３側の第１空間ＳＰ１の少なくとも一部に、液体ＬＱの液浸空間ＬＳ１を形成する。終端光学素子１３及び第１部材２１は、基板Ｐ（物体）との間で液体ＬＱを保持可能である。液浸空間ＬＳ１は、終端光学素子１３及び第１部材２１と基板Ｐとの間に保持される液体ＬＱによって形成される。一方側の射出面１２及び下面２３と、他方側の基板Ｐ（物体）の上面との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１３と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳ１が形成される。

基板Ｐの露光においては、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳ１が形成される。基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域だけが液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳ１が形成される。

本実施形態において、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧ１の少なくとも一部は、下面２３と基板Ｐの上面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。液浸空間ＬＳ１の外側（界面ＬＧ１の外側）は、気体空間である。

本実施形態において、第１部材２１は、環状の部材である。本実施形態において、第１部材２１の一部は、終端光学素子１３の周囲に配置される。また、第１部材２１の一部は、終端光学素子１３と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋの周囲に配置される。

なお、第１部材２１は、環状の部材でなくてもよい。例えば、第１部材２１が、終端光学素子１３及び光路Ｋの周囲の一部に配置されていてもよい。なお、第１部材２１が、終端光学素子１３の周囲の少なくとも一部に配置されていなくてもよい。例えば、第１部材２１が、射出面１２と基板Ｐとの間の光路Ｋの周囲の少なくとも一部に配置され、終端光学素子１３の周囲に配置されていなくてもよい。なお、第１部材２１が、射出面１２と基板Ｐとの間の光路Ｋの周囲の少なくとも一部に配置されていなくてもよい。例えば、第１部材２１が、終端光学素子１３の周囲の少なくとも一部に配置され、射出面１２と物体との間の光路Ｋの周囲に配置されていなくてもよい。

第１部材２１は、液浸空間ＬＳ１を形成するための液体ＬＱを供給する供給口３１と、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱの少なくとも一部を回収する回収口３２とを備えている。

図４は、供給口３１の近傍を示す第１部材２１の断面図である。供給口３１は、光路空間ＳＰＫ（光路Ｋ）に面するように配置される。供給口３１は、第１部材２１の内部に形成された供給流路３３を介して、液体ＬＱを供給可能な液体供給装置３４と接続される。供給口３１は、液体供給装置３４からの液体ＬＱを射出面１２側の光路空間ＳＰＫ（光路Ｋ）に供給する。

第１部材２１は、射出面１２が面する孔（開口）２０を有する。射出面１２から射出された露光光ＥＬは、開口２０を通過して基板Ｐに照射可能である。供給口３１から光路空間ＳＰＫに供給された液体ＬＱの少なくとも一部は、開口２０を介して、基板Ｐ上（物体上）に供給される。また、供給口３１から光路空間ＳＰＫに供給された液体ＬＱの少なくとも一部は、開口２０を介して、第１空間ＳＰ１に供給される。本実施形態においては、開口２０から、第１部材２１の下方の第１空間ＳＰ１に液体ＬＱが供給される。

液体供給装置３４は、液体調整システムを含む。液体供給装置３４は、例えば、供給口３１から供給される液体ＬＱの供給量（単位時間当たりの液体供給量）を調整可能な供給量調整部３４Ａと、供給する液体ＬＱの温度を調整する温度調整部３４Ｂと、供給する液体ＬＱの温度を検出する温度センサ３４Ｃとを有する。供給量調整部３４Ａは、マスフローコントローラを有する。温度調整部３４Ｂは、液体ＬＱを加熱可能な加熱装置と、液体ＬＱを冷却可能な冷却装置とを有する。

供給口３１は、光路Ｋの周囲に複数配置されてもよい。図２に示すように、本実施形態おいて、供給口３１は、光路Ｋに対して一側（＋Ｘ側）及び他側（−Ｘ側）に配置される。図２に示すように、本実施形態においては、一側の供給口３１及び他側の供給口３１のそれぞれに液体供給装置３４が接続される。一側の供給口３１から供給される液体ＬＱの温度と、他側の供給口３１から供給される液体ＬＱの温度とは、実質的に等しくてもよいし、異なってもよい。一側の供給口３１から供給される液体ＬＱの供給量と、他側の供給口３１から供給される液体ＬＱの供給量とは、実質的に等しくてもよいし、異なってもよい。

図５は、回収口３２の近傍を示す第１部材２１の断面図である。回収口３２は、第１空間ＳＰ１に面するように配置される。基板Ｐ（物体）は、回収口３２と対向可能である。回収口３２は、第１部材２１の内部に形成された回収流路３５を介して、液体ＬＱを回収（吸引）可能な液体回収装置３６と接続される。回収口３２は、第１部材２１と基板Ｐとの間の第１空間ＳＰ１の液体ＬＱの少なくとも一部を回収（吸引）可能である。回収口３２から回収流路３５に流入した液体ＬＱは、液体回収装置３６に回収される。

液体回収装置３６は、回収口３２を真空システムＢＳに接続可能である。液体回収装置３６は、回収口３２から回収された液体ＬＱが収容される収容部３６Ａと、回収口３２の吸引力を調整可能な圧力調整部３６Ｂとを有する。収容部３６Ａは、タンクを含む。圧力調整部３６Ｂは、圧力調整弁などを含む。

本実施形態において、第１部材２１は、多孔部材３７を備える。多孔部材３７は、液体ＬＱが流通可能な複数の孔(openingsあるいはpores)を有する。多孔部材３７は、例えばメッシュフィルタを含む。メッシュフィルタは、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材である。

本実施形態において、多孔部材３７は、プレート状の部材である。多孔部材３７は、基板Ｐが対向可能な下面３７Ｂと、第１部材２１に形成された回収流路３５に面する上面３７Ａと、上面３７Ａと下面３７Ｂとを結ぶように形成された複数の孔とを有する。本実施形態において、回収口３２は、多孔部材３７の孔を含む。多孔部材３７の孔（回収口３２）を介して回収された液体ＬＱは、回収流路３５を流れる。

本実施形態においては、多孔部材３７（回収口３２）から、第１空間ＳＰ１の液体ＬＱ及び気体の両方が回収（吸引）される。なお、多孔部材３７を介して実質的に液体ＬＱのみが回収され、気体の回収が制限されてもよい。例えば、基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱが多孔部材３７の孔を通過して回収流路３５に流入し、気体は通過しないように、多孔部材３７の下面３７Ｂ側の圧力（第１空間ＳＰ１の圧力）と上面３７Ａ側の圧力（回収流路３５の圧力）との差が調整されてもよい。なお、多孔部材を介して液体のみを回収する技術の一例が、例えば米国特許第７２９２３１３号等に開示されている。

なお、多孔部材３７を設けなくてもよい。

本実施形態においては、供給口３１からの液体ＬＱの供給と並行して、回収口３２からの液体ＬＱの回収が行われることによって、一方側の終端光学素子１３及び第１部材２１と、他方側の基板Ｐとの間に液体ＬＱの液浸空間ＬＳ１が形成される。液浸空間ＬＳ１は、供給口３１から供給された液体ＬＱによって形成される。

下面２３は、開口２０の周囲に配置される。本実施形態において、下面２３の少なくとも一部は、ＸＹ平面とほぼ平行である。なお、下面２３の少なくとも一部が、ＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。

下面２３は、開口２０の周囲に配置され、液体ＬＱを回収不可能な下面２３Ｂと、下面２３Ｂの周囲に配置され、液体ＬＱを回収可能な多孔部材３７の下面３７Ｂとを含む。液体ＬＱは、下面２３Ｂを通過できない。下面２３Ｂは、基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持可能である。

本実施形態において、液体ＬＱを回収可能な下面３７Ｂは、下面２３の周縁部に配置される。下面２３（基板Ｐの上面）と平行なＸＹ平面内において、下面３７Ｂは、環状である。液体ＬＱを回収不可能な下面２３Ｂは、下面３７Ｂの内側に配置される。本実施形態において、界面ＬＧ１は、下面３７Ｂと基板Ｐの上面との間に配置される。

なお、液体ＬＱを回収可能な下面３７Ｂ（回収口３２）は、光路Ｋ（開口２０）の周囲に複数配置されてもよい。

第２部材２２は、第１部材２１とは異なる部材である。第２部材２２は、第１部材２１から離れている。第２部材２２は、第１部材２１の周囲の一部に配置される。

第２部材２２は、第２部材２２の下方の第２空間ＳＰ２の少なくとも一部に液体ＬＱの液浸空間ＬＳ２を形成可能である。第２空間ＳＰ２は、下面２４側の空間である。液浸空間ＬＳ２は、液浸空間ＬＳ１と離れて形成される。液浸空間ＬＳ２は、下面２４と基板Ｐ（物体）の上面との間に形成される。第２部材２２は、基板Ｐ（物体）との間で液体ＬＱを保持可能である。液浸空間ＬＳ２は、第２部材２２と基板Ｐとの間に保持される液体ＬＱによって形成される。一方側の下面２４と、他方側の基板Ｐ（物体）の上面との間に液体ＬＱが保持されることによって、液浸空間ＬＳ２が形成される。

本実施形態において、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧ２の少なくとも一部は、下面２４と基板Ｐの上面との間に形成される。液浸空間ＬＳ２の外側（界面ＬＧ２の外側）は、気体空間である。

液浸空間ＬＳ２は、液浸空間ＬＳ１よりも小さい。液浸空間の大きさとは、液浸空間を形成する液体の体積を含む。また、液浸空間の大きさとは、液浸空間を形成する液体の重量を含む。また、液浸空間の大きさとは、例えば基板Ｐの表面（上面）と平行な面内（ＸＹ平面内）における液浸空間の面積を含む。また、液浸空間の大きさとは、例えば基板Ｐの表面（上面）と平行な面内（ＸＹ平面内）における所定方向（例えばＸ軸方向、又はＹ軸方向）に関する液浸空間の寸法を含む。

すなわち、基板Ｐの表面（上面）と平行な面内（ＸＹ平面内）において、液浸空間ＬＳ２は、液浸空間ＬＳ１よりも小さい。液浸空間ＬＳ２を形成する液体ＬＱの体積（重量）は、液浸空間ＬＳ１を形成する液体ＬＱの体積（重量）よりも小さい。ＸＹ平面内における液浸空間ＬＳ２の寸法は、液浸空間ＬＳ１の寸法よりも小さい。

本実施形態において、第２部材２２は、第１部材２１の周囲の空間において２つ配置される。本実施形態において、第２部材２２は、Ｘ軸方向に関して、第１部材２１の一側（＋Ｘ側）及び他側（−Ｘ側）に配置される。液浸空間ＬＳ２は、Ｘ軸方向に関して、液浸空間ＬＳ１の一側（＋Ｘ側）及び他側（−Ｘ側）に形成される。

以下の説明においては、第１部材２１の＋Ｘ側に配置される第２部材２２を適宜、第２部材２２１、と称し、第１部材２１の−Ｘ側に配置される第２部材２２を適宜、第２部材２２２、と称する。

なお、第２部材２２は、第１部材２１の一側（＋Ｘ側）のみに配置されてもよいし、他側（−Ｘ側）のみに配置されてもよい。液浸空間ＬＳ２は、液浸空間ＬＳ１の一側（＋Ｘ側）のみに配置されてもよいし、他側（−Ｘ側）のみに配置されてもよい。

本実施形態において、下面２４の少なくとも一部は、ＸＹ平面とほぼ平行である。なお、下面２４の少なくとも一部が、ＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。

本実施形態において、Ｚ軸方向に関する下面２３の位置（高さ）と下面２４の位置（高さ）とは、実質的に等しい。すなわち、下面２３と基板Ｐ（物体）の上面との距離と、下面２４と基板Ｐ（物体）の上面との距離とは、実質的に等しい。

なお、下面２４が下面２３よりも低い位置に配置されてもよい。すなわち、下面２４と基板Ｐ（物体）の上面との距離が、下面２３と基板Ｐ（物体）の上面との距離よりも小さくてもよい。なお、下面２４が下面２３よりも高い位置に配置されてもよい。すなわち、下面２５と基板Ｐ（物体）の上面との距離が、下面２４と基板Ｐ（物体）の上面との距離よりも大きくてもよい。

図６は、第２部材２２の一例を示す部分断面図である。第２部材２２は、液浸空間ＬＳ２を形成するための液体ＬＱを供給する供給口４１と、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの少なくとも一部を回収する回収口４２とを備えている。

本実施形態において、供給口４１は、第２部材２２の下方の第２空間ＳＰ２に面するように配置される。基板Ｐ（物体）は、供給口４１と対向可能である。供給口４１は、第２部材２２の下面２４の少なくとも一部に配置される。供給口４１は、第２空間ＳＰ２に液体ＬＱを供給可能である。

本実施形態において、回収口４２は、第２部材２２の下方の第２空間ＳＰ２に面するように配置される。基板Ｐ（物体）は、回収口４２と対向可能である。回収口４２は、第２部材２２の下面２４の少なくとも一部に配置される。回収口４２は、第２空間ＳＰ２の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。回収口４２は、第２空間ＳＰ２の気体を回収可能である。本実施形態において、回収口４２は、液体ＬＱを、気体とともに回収する。第２空間ＳＰ２の流体（液体ＬＱ及び気体の一方又は両方）の少なくとも一部は、回収口４２から回収される。

本実施形態において、回収口４２の少なくとも一部は、第１部材２１と供給口４１との間に配置される。また、回収口４２の少なくとも一部は、光路Ｋ（第１部材２１）に対して供給口４１の外側に配置される。本実施形態においては、回収口４２は、供給口４１を囲むように配置される。下面２４と平行な面内（ＸＹ平面内）において、回収口４２は、環状である。

なお、回収口４２は、供給口４１の周囲に複数配置されてもよい。すなわち、複数の回収口４２が、供給口４１の周囲において離散的に配置されてもよい。

供給口４１は、第２部材２２の内部に形成された供給流路４３を介して、液体ＬＱを供給可能な液体供給装置４４と接続される。供給口４１は、液体供給装置４４からの液体ＬＱを、第２空間ＳＰ２に供給する。

液体供給装置４４は、液体調整システムを含む。液体供給装置４４は、例えば、供給口４１から供給される液体ＬＱの供給量（単位時間当たりの液体供給量）を調整可能な供給量調整部４４Ａと、供給する液体ＬＱの温度を調整する温度調整部４４Ｂと、供給する液体ＬＱの温度を検出する温度センサ４４Ｃとを有する。供給量調整部４４Ａは、マスフローコントローラを有する。温度調整部４４Ｂは、液体ＬＱを加熱可能な加熱装置と、液体ＬＱを冷却可能な冷却装置とを有する。

図２に示すように、本実施形態においては、一側の第２部材２２１及び他側の第２部材２２２のそれぞれに液体供給装置４４が接続される。本実施形態において、一側の第２部材２２１の供給口４１から供給される液体ＬＱの温度と、他側の第２部材２２２の供給口４１から供給される液体ＬＱの温度とは、実質的に等しくてもよいし、異なってもよい。一側の第２部材２２１の供給口４１から供給される液体ＬＱの供給量と、他側の第２部材２２の供給口４１から供給される液体ＬＱの供給量とは、実質的に等しくてもよいし、異なってもよい。

回収口４２は、第２部材２２の内部に形成された回収流路４５を介して、液体ＬＱ（気体）を回収（吸引）可能な液体回収装置４６と接続される。回収口４２は、第２部材２２と基板Ｐとの間の第２空間ＳＰ２の液体ＬＱの少なくとも一部を回収（吸引）可能である。第２部材２２の下方の第２空間ＳＰ２から回収された液体ＬＱは、回収流路４５を流れる。回収口４２から回収流路４５に流入した液体ＬＱは、液体回収装置４６に回収される。

液体回収装置４６は、回収口４２を真空システムＢＳに接続可能である。液体回収装置４６は、回収口４２から回収された液体ＬＱが収容される収容部４６Ａと、回収口４２の吸引力を調整可能な圧力調整部４６Ｂとを有する。収容部４６Ａは、タンクを含む。圧力調整部４６Ｂは、圧力調整弁などを含む。

回収口４２の吸引力は、回収流路４５の圧力と第２空間ＳＰ２の圧力との差に依存する。回収流路４５と第２空間ＳＰ２との圧力差によって、回収口４２の吸引力が定められる。本実施形態において、圧力調整部４６Ｂが、回収流路４５の圧力を調整可能である。チャンバ装置１１が、第２空間ＳＰ２の圧力を調整可能である。

図２に示すように、本実施形態においては、一側の第２部材２２１及び他側の第２部材２２２のそれぞれに液体回収装置４６が接続される。本実施形態において、一側の第２部材２２１の回収口４１の回収力（吸引力）と、他側の第２部材２２２の回収口４２の回収力（吸引力）とは、実質的に等しくてもよいし、異なってもよい。

本実施形態においては、供給口４１からの液体ＬＱの供給と並行して、回収口４２からの液体ＬＱの回収が行われることによって、一方側の第２部材２２と、他方側の基板Ｐとの間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳ２が形成される。液浸空間ＬＳ２は、供給口４１から供給された液体ＬＱによって形成される。

図７は、基板ステージ２及び計測ステージ３の一例を示す平面図である。基板Ｐの表面（上面）とＸＹ平面とが実質的に平行となるように、基板Ｐは、第１保持部１４に保持される。カバー部材Ｔ１の上面及びスケール部材Ｔ２の上面とＸＹ平面とが実質的に平行となるように、カバー部材Ｔ１及びスケール部材Ｔ２は、第２保持部１５に保持される。本実施形態において、第１保持部１４に保持された基板Ｐの上面と、第２保持部１５に保持されたカバー部材Ｔ１の上面及びスケール部材Ｔ２の上面とは、実質的に同一平面内に配置される。なお、第１保持部１４に保持された基板Ｐの上面と、第２保持部１５に保持されたカバー部材Ｔ１の上面及びスケール部材Ｔ２の一方又は両方とは、同一平面内に配置されなくてもよい。なお、基板Ｐの上面に対してカバー部材Ｔ１の上面及びスケール部材Ｔ２の上面の一方又は両方が傾斜してもよいし、カバー部材Ｔ１の上面及びスケール部材Ｔ２の上面の一方又は両方が曲面を含んでもよい。

カバー部材Ｔ１は、基板Ｐの周囲に配置される。カバー部材Ｔ１は、間隙Ｇａを介して基板Ｐに隣接する。基板Ｐとカバー部材Ｔ１との間に間隙Ｇａが設けられる。

スケール部材Ｔ２は、カバー部材Ｔ１の周囲に配置される。スケール部材Ｔ２は、間隙Ｇｂを介してカバー部材Ｔ１に隣接する。カバー部材Ｔ１とスケール部材Ｔ２との間に間隙Ｇｂが形成される。

本実施形態においては、例えば米国特許出願公開第２００６／００２３１８６号、及び米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号などに開示されているように、終端光学素子１３及び第１部材２１の下方に形成される液浸空間ＬＳ１が基板ステージ２上及び計測ステージ３上の一方から他方へ移動するように、基板ステージ２の上面（スケール部材Ｔ２の上面）と計測ステージ３の上面とが接近又は接触された状態で、基板ステージ２及び計測ステージ３が、終端光学素子１３及び第１部材２１に対して、ＸＹ平面内において移動可能である。

以下の説明においては、基板ステージ２の上面と計測ステージ３の上面とを接近又は接触させた状態で、終端光学素子１３及び第１部材２１に対して、基板ステージ２及び計測ステージ３をＸＹ平面内において同期移動させる動作を適宜、スクラム移動動作、と称する。

本実施形態においては、図７に示すように、スクラム移動動作において、基板ステージ２の上面の＋Ｙ側の辺と、計測ステージ３の上面の＋Ｙ側の辺とが接近又は接触する。

スクラム移動動作により、終端光学素子１３及び第１部材２１の下方に形成される液浸空間ＬＳ１が、基板ステージ２上及び計測ステージ３上の一方から他方へ移動する。第２部材２２の下方に形成される液浸空間ＬＳ２が、基板ステージ２上及び計測ステージ３上の一方から他方へ移動する。

スクラム移動動作において、基板ステージ２は、間隙Ｇｃを介して計測ステージ３に隣接する。スクラム移動動作において、基板ステージ２と計測ステージ３との間に間隙Ｇｃが設けられる。

計測ステージ３の上面は、計測部材Ｃの周囲に配置される。計測ステージ３の上面は、間隙Ｇｄを介して計測部材Ｃに隣接する。計測ステージ３と計測部材Ｃとの間に間隙Ｇｄが形成される。

次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法について説明する。

液浸部材５から離れた基板交換位置において、露光前の基板Ｐを基板ステージ２（第１保持部）に搬入（ロード）する処理が行われる。また、基板ステージ２が液浸部材５から離れている期間の少なくとも一部において、計測ステージ３が終端光学素子１３及び液浸部材５と対向するように配置される。

第１部材２１の供給口３１（開口２０）は、第１部材２１の下方の第１空間ＳＰ１に液体ＬＱを供給可能である。第１部材２１の回収口３２は、第１空間ＳＰ１の流体（液体ＬＱ及び気体の一方又は両方）を吸引可能である。供給口３１からの液体ＬＱの供給の少なくとも一部と並行して、回収口３２からの液体ＬＱの回収が行われることによって、第１空間ＳＰ１に液体ＬＱの液浸空間ＬＳ１が形成される。

第２部材２２の供給口４１は、第２部材２２の下方の第２空間ＳＰ２に液体ＬＱを供給可能である。第２部材２２の回収口４２は、第２空間ＳＰ２の流体（液体ＬＱ及び気体の一方又は両方）を吸引可能である。供給口４１からの液体ＬＱの供給の少なくとも一部と並行して、回収口４２からの液体ＬＱの回収が行われることによって、第２空間ＳＰ２に液体ＬＱの液浸空間ＬＳ２が形成される。

計測ステージ３が終端光学素子１３及び液浸部材５と対向するように配置される状態において、第１、第２液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２は、計測ステージ３上に形成される。

露光前の基板Ｐが基板ステージ２にロードされ、計測ステージ３を用いる計測処理が終了した後、制御装置６は、終端光学素子１３及び液浸部材５と基板ステージ２（基板Ｐ）とが対向するように、基板ステージ２を移動する。終端光学素子１３及び液浸部材５と計測ステージ３とが対向する状態から、終端光学素子１３及び液浸部材５と基板ステージ２とが対向する状態へ変化するように、スクラム移動動作が実行される。終端光学素子１３及び液浸部材５と基板ステージ２（基板Ｐ）とが対向する状態で、供給口３１からの液体ＬＱの供給と並行して回収口３２からの液体ＬＱの回収が行われることによって、射出面１２側の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように、終端光学素子１３及び第１部材２１と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液浸空間ＬＳ１が形成される。また、供給口４１からの液体ＬＱの供給と並行して回収口４２からの液体ＬＱの回収が行われることによって、第２部材２２と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液浸空間ＬＳ２が形成される。

制御装置６は、基板Ｐの露光処理を開始する。制御装置６は、基板Ｐ上に液浸空間ＬＳ１が形成され、基板Ｐ上及び基板ステージ２上の少なくとも一方に液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、照明系ＩＬから露光光ＥＬを射出する。照明系ＩＬはマスクＭを露光光ＥＬで照明する。マスクＭからの露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬ及び射出面１２と基板Ｐとの間の液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱを介して基板Ｐに照射される。これにより、基板Ｐは、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱを介して射出面１２から射出された露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置６は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。

液浸空間ＬＳ１が形成されている状態で、基板Ｐ(物体)がＸＹ平面内において移動することによって、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱの一部が、液浸空間ＬＳ１から離れて、第１空間ＳＰ１の外側に移動（流出）する可能性がある。本実施形態においては、第１空間ＳＰ１の周囲の一部に、液浸空間ＬＳ２が形成される。そのため、第１空間ＳＰ１の外側に移動した液体ＬＱは、液浸空間ＬＳ２に捕捉される。液浸空間ＬＳ２に捕捉された液体ＬＱは、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱとともに、回収口４２から回収される。

本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２は、液浸空間ＬＳ１よりも小さい。そのため、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が形成されている状態で基板Ｐ（物体）が移動した場合において、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの一部が液浸空間ＬＳ２から離れて第２空間ＳＰ２の外側に移動（流出）することが抑制される。換言すれば、液浸空間ＬＳ２は液浸空間ＬＳ１よりも小さいため、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの一部が第２空間ＳＰ２から流出することが、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱの一部が第１空間ＳＰ１から流出することよりも抑制される。

図８は、基板ステージ２に保持された基板Ｐの一例を示す図である。本実施形態においては、基板Ｐに露光対象領域であるショット領域Ｓがマトリクス状に複数配置されている。制御装置６は、基板ステージ２（第１保持部１４）に保持されている基板Ｐの複数のショット領域Ｓを液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱを介して露光光ＥＬで順次露光する。複数のショット領域Ｓのそれぞれは、露光光ＥＬ（投影領域ＰＲ）に対して基板ＰをＹ軸方向に移動しながら露光される。

例えば基板Ｐの第１のショット領域Ｓを露光するために、制御装置６は、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が形成された状態で、基板Ｐ（第１のショット領域Ｓ）を投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱとを介して第１のショット領域Ｓに露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐの第１のショット領域Ｓに投影され、その第１のショット領域Ｓが射出面１２から射出された露光光ＥＬで露光される。第１のショット領域Ｓの露光が終了した後、制御装置６は、次の第２のショット領域Ｓの露光を開始するために、液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が形成されている状態で、基板ＰをＸＹ平面内においてＸ軸と交差する方向（例えばＸ軸方向、あるいはＸＹ平面内においてＸ軸及びＹ軸方向に対して傾斜する方向等）に移動し、第２のショット領域Ｓを露光開始位置に移動する。その後、制御装置６は、第２のショット領域Ｓの露光を開始する。

制御装置６は、基板Ｐ（基板ステージ２）上に液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が形成されている状態で、射出面１２からの露光光ＥＬが照射される位置（投影領域ＰＲ）に対してショット領域をＹ軸方向に移動しながらそのショット領域を露光する動作と、そのショット領域の露光後、基板Ｐ（基板ステージ２）上に液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が形成された状態で、次のショット領域が露光開始位置に配置されるように、ＸＹ平面内においてＹ軸方向と交差する方向（Ｘ軸方向、ＸＹ平面内においてＸ軸及びＹ軸方向に対して傾斜する方向など）に基板Ｐを移動する動作と、を繰り返して、基板Ｐの複数のショット領域を順次露光する。

以下の説明において、ショット領域を露光するために、基板Ｐ（基板ステージ２）上に液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が形成されている状態で、射出面１２からの露光光ＥＬが照射される位置（投影領域ＰＲ）に対して基板Ｐ（ショット領域）をＹ軸方向に移動させる動作を適宜、スキャン移動動作、と称する。また、あるショット領域の露光後、次のショット領域を露光するために、基板Ｐ（基板ステージ２）上に液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２が形成されている状態で、次のショット領域が露光開始位置に配置されるように、ＸＹ平面内においてＹ軸方向と交差する方向に基板Ｐを移動させる動作を適宜、ステップ移動動作、と称する。

スキャン移動動作とステップ移動動作とを繰り返して、基板Ｐの複数のショット領域Ｓが順次露光される。

なお、スキャン移動動作は、専らＹ軸方向の等速移動である。ステップ移動動作は、非等速移動（加減速度移動）を含む。例えば、Ｘ軸方向に隣接する２つのショット領域間のステップ移動動作は、Ｙ軸方向の非等速移動（加減速移動）、及びＸ軸方向の非等速移動（加減速移動）を含む。

本実施形態において、制御装置６は、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲと基板Ｐとが、図８中、例えば矢印Ｓｒに示す移動軌跡に沿って相対的に移動するように、基板ステージ２を移動しつつ投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射して、液体ＬＱを介して基板Ｐの複数のショット領域Ｓを露光光ＥＬで順次露光する。

基板Ｐの複数のショット領域Ｓの露光が終了した後、その露光後の基板Ｐを保持した基板ステージ２は、基板交換位置に移動する。計測ステージ３は、終端光学素子１３及び液浸部材５と対向するように配置される。終端光学素子１３及び液浸部材５と基板ステージ２とが対向する状態から、終端光学素子１３及び液浸部材５と計測ステージ３とが対向する状態へ変化するように、スクラム移動動作が実行される。

以下、同様の処理が繰り返されることによって、複数の基板Ｐが順次露光される。

次に、本実施形態に係るメンテナンス方法の一例について説明する。本実施形態においては、第２部材２２を用いて、メンテナンスが行われる。

本実施形態において、メンテナンスとは、メンテナンス対象部材のメンテナンスを含む概念である。本実施形態において、メンテナンスとは、メンテナンス対象部材のクリーニング、メンテナンス対象部材からの静電気除去、及びメンテナンス対象部材の温度調整の少なくとも一つを含む概念である。

メンテナンス対象部材は、露光装置ＥＸの部材を含む。なお、メンテナンス対象部材は、露光装置ＥＸの部材でなくてもよい。例えば、チャンバ装置１１の外部から内部に搬入された部材が、メンテナンス対象部材でもよい。

メンテナンス対象部材は、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱ及び液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの一方又は両方が接触可能な部材でもよい。メンテナンス対象部材は、基板Ｐの露光及び露光光ＥＬの計測の少なくとも一部の期間において、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱ及び液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの少なくとも一方が接触する部材でもよい。なお、メンテナンス対象部材は、液体ＬＱと接触しない部材でもよい。メンテナンス対象部材は、基板Ｐの露光及び露光光ＥＬの計測の少なくとも一部の期間において、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱ及び液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの少なくとも一方が接触する可能性がある部材でもよい。

メンテナンス対象部材は、第２部材２２の下方に配置可能な部材でもよい。メンテナンス対象部材は、終端光学素子１３の下方で移動可能な物体Ｂでもよい。メンテナンス対象部材は、第１部材２１の下方で移動可能な物体Ｂでもよい。メンテナンス対象部材は、第２部材２２の下方で移動可能な物体Ｂでもよい。メンテナンス対象部材は、物体Ｂが対向可能な部材でもよい。メンテナンス対象部材は、第２部材２２に隣接する部材でもよい。例えば、メンテナンス対象部材は、第１部材２１でもよいし、終端光学素子１３でもよいし、計測システム４の少なくとも一部でもよい。例えば、メンテナンス対象部材が、基板Ｐが対向可能な位置に配置され、基板Ｐのアライメントマークを検出するマーク検出装置でもよいし、基板ステージ２（スケール部材Ｔ２）が対向可能な位置に配置され、スケール部材Ｔ２のスケールを検出するエンコーダシステムのエンコーダヘッドでもよい。メンテナンス対象部材が、第２部材２２でもよい。

また、本実施形態において、メンテナンスとは、メンテナンス対象部材のメンテナンスに限られない。本実施形態において、メンテナンスとは、露光装置ＥＸの周囲の環境、あるいはメンテナンス対象部材の周囲の環境のメンテナンスも含む概念である。

すなわち、本実施形態において、メンテナンスとは、露光装置ＥＸの性能を維持又は向上させるための様々な動作を含む概念である。

メンテナンスは、第２部材２２の下方の第２空間ＳＰ２に供給される液体ＬＱを用いて行われてもよい。メンテナンスは、気体を用いて行われてもよい。メンテナンスは、光（紫外光など）を用いて行われてもよい。メンテナンスは、Ｘ線を用いて行われてもよい。

図９は、第２部材２２を用いるメンテナンスの一例を示す。図９は、メンテナンス対象部材が物体Ｂである例を示す。物体Ｂは、基板ステージ２でもよいし、計測ステージ３でもよい。

図９に示すように、第２部材２２と物体Ｂとの間に液浸空間ＬＳ２が形成される。供給口４１からの液体ＬＱの供給と並行して、回収口４２からの液体ＬＱの回収が行われることによって、液浸空間ＬＳ２が形成される。例えば、物体Ｂ上の異物は、供給口４１から物体Ｂ上に供給された液体ＬＱとともに、回収口４２から回収される。これにより、物体Ｂから異物が除去される。

また、物体Ｂ上に残留液体が存在する場合、物体Ｂ上の残留液体は、供給口４１から物体Ｂ上に供給された液体ＬＱとともに、回収口４２から回収される。これにより、物体Ｂから残留液体が除去される。

以上説明したように、第２部材２２を用いてメンテナンスを行うことができる。これにより、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生が抑制される。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１０は、第２部材２２を用いるメンテナンスの一例を示す。図１０に示すように、第２部材２２と物体Ｂとの間に液浸空間ＬＳ２が形成される。本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱに超音波振動を与える振動装置５０が設けられる。振動装置５０は、例えば圧電素子を含む。液体ＬＱに超音波振動が与えられることによって、液体ＬＱと接触する物体Ｂの上面が良好にクリーニングされる。例えば、物体Ｂの上面に付着している異物は、液体ＬＱに超音波振動が与えられることによって、物体Ｂの上面から離れ易くなる可能性がある。物体Ｂ上の異物は、供給口４１から物体Ｂ上に供給された液体ＬＱとともに、回収口４２から回収される。また、液体ＬＱと接触する第２部材２２の下面２４も良好にクリーニングされる。

本実施形態において、振動装置５０は、第２部材２２に超音波振動を与える。振動装置５０の少なくとも一部は、第２部材２２に接触する。第２部材２２に超音波振動が与えられることによって、その第２部材２２に接触する液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱに超音波振動が与えられる。

なお、物体Ｂに超音波振動が与えられてもよい。振動装置５０の少なくとも一部が、物体Ｂに接触するように配置されてもよい。物体Ｂに超音波振動が与えられることによって、その物体Ｎに接触する液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱに超音波振動が与えられる。

なお、第２部材２２及び物体Ｂの両方に超音波振動が与えられてもよい。第２部材２２に与えられる超音波振動の振動数と、物体Ｂに与えられる超音波振動の振動数とは、同じでもよいし、異なってもよい。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１１は、第２部材２２Ｃを用いるメンテナンスの一例を示す。図１１に示すように、第２部材２２と物体Ｂとの間に液浸空間ＬＳ２ｍが形成される。本実施形態においては、液体ＬＱとは異なる、メンテナンス用の液体ＬＱｍを用いてメンテナンスが行われる。液体ＬＱｍは、液浸空間ＬＳ１を形成するための液体ＬＱとも異なる。基板Ｐの露光などにおいて液浸空間ＬＳ２を形成する液体ＬＱは、例えば純水である。メンテナンス用の液体ＬＱｍは、例えばアルカリを含む。液体ＬＱｍのクリーニング効果（異物除去効果）は、液体ＬＱのクリーニング効果（異物除去効果）よりも高い。

液体ＬＱｍがアルカリを含むことにより、物体Ｂの上面に付着している異物は、物体Ｂの上面から離れ易くなる可能性がある。また、異物が有機物を主成分とする場合、液体ＬＱｍがアルカリを含むことによって、その異物の少なくとも一部は溶解される。

メンテナンス用の液体ＬＱｍは、液浸空間ＬＳ２を形成するための液体ＬＱよりも電気伝導度が大きい液体でもよい。メンテナンス用の液体ＬＱｍは、液浸空間ＬＳ１を形成するための液体ＬＱよりも電気伝導度が大きい液体でもよい。メンテナンス用の液体ＬＱｍは、液浸空間ＬＳ１を形成するための液体ＬＱ及び液浸空間ＬＳ２を形成するための液体ＬＱの両方よりも電気伝導度が高くてもよいし、どちらか一方よりも電気伝導度が高くてもよい。液体ＬＱｍの静電気除去効果は、液体ＬＱの静電除去効果よりも高い。これにより、物体Ｂから静電気が除去される。

メンテナンス用の液体ＬＱｍは、液浸空間ＬＳ２を形成するための液体ＬＱよりも二酸化炭素を多く含む液体でもよい。メンテナンス用の液体ＬＱｍは、液浸空間ＬＳ１を形成するための液体ＬＱよりも二酸化炭素を多く含む液体でもよい。メンテナンス用の液体ＬＱｍは、液浸空間ＬＳ１を形成するための液体ＬＱ及び液浸空間ＬＳ２を形成するための液体ＬＱの両方よりも二酸化炭素を多く含んでもよいし、どちらか一方よりも二酸化炭素を多く含んでもよい。

本実施形態においては、第２部材２２Ｃは、メンテナンス用の液体ＬＱｍを供給する供給口４１ｍを有する。供給口４１ｍは、液体ＬＱを供給するための供給口４１とは異なる。液体ＬＱは、供給流路４３を流れて供給口４１に供給される。液体ＬＱｍは、供給流路４３ｍを流れて供給口４１ｍに供給される。

本実施形態においては、供給口４１ｍからの液体ＬＱｍの供給と並行して、回収口４２からの液体ＬＱｍの回収が行われることによって、液浸空間ＬＳ２ｍが形成される。なお、供給口４１ｍｍからの液体ＬＱｍの供給が行われている期間において、供給口４１から液体ＬＱは、供給されない。なお、供給口４１ｍｍからの液体ＬＱｍの供給が行われている期間において、供給口４１から液体ＬＱが供給されてもよい。

物体Ｂ上の異物は、供給口４１ｍから物体Ｂ上に供給された液体ＬＱｍで除去される。物体Ｂ上の異物は、供給口４１ｍから物体Ｂ上に供給された液体ＬＱｍとともに、回収口４２から回収される。これにより、物体Ｂから異物が除去される。

また、物体Ｂ上に残留液体が存在する場合、物体Ｂ上の残留液体は、供給口４１ｍから物体Ｂ上に供給された液体ＬＱｍとともに、回収口４２から回収される。これにより、物体Ｂから残留液体が除去される。

なお、本実施形態において、液浸空間ＬＳ２ｍの液体ＬＱｍが、回収口４２とは異なる、第２部材２２に設けられた回収口から回収されてもよい。

なお、液浸空間ＬＳ２ｍの液体ＬＱｍに、超音波振動が与えられてもよい。例えば、図１０を参照して説明したように、第２部材２２Ｃに超音波振動を与える振動装置５０を設けることにより、液浸空間ＬＳ２ｍの液体ＬＱｍに超音波振動が与えられる。なお、物体Ｂに超音波振動を与えることによって、液浸空間ＬＳ２ｍの液体ＬＱｍに超音波振動が与えられる。なお、第２部材２２Ｃ及び物体Ｂの両方に超音波振動が与えられてもよい。

なお、液体ＬＱを供給する供給口４１からメンテナンス用の液体ＬＱｍが供給されてもよい。例えば、図９を参照して説明したように、供給口４１からの液体ＬＱｍの供給と並行して、回収口４２からの液体ＬＱの回収が行われることによって、液浸空間ＬＱｍが形成されてもよい。また、図１０を参照して説明したように、その液浸空間ＬＳ２ｍの液体ＬＱに超音波振動が与えられてもよい。

液体ＬＱを供給する供給口４１から液体ＬＱｍを供給し、回収口４２から液体ＬＱｍを回収してもよいし、供給口４１とは異なる供給口４１ｍから液体ＬＱｍを供給し、回収口４２から液体ＬＱｍを回収してもよいし、液体ＬＱを供給する供給口４１から液体ＬＱｍを供給し、回収口４２とは異なる回収口から液体ＬＱｍを回収してもよいし、供給口４１とは異なる供給口４１ｍから液体ＬＱｍを供給し、回収口４２とは異なる回収口から液体ＬＱｍを回収してもよい。

上述の第１〜第３実施形態において、第２部材２２（２２Ｃ）と物体Ｂとの間に液浸空間ＬＳ２（ＬＳ２ｍ）が形成されている状態で、第２部材２２（２２Ｃ）と物体ＢとがＸＹ平面内において相対移動してもよい。例えば、液浸空間ＬＳ２（ＬＳ２ｍ）が形成されている状態で、物体ＢがＸＹ平面内において移動してもよい。これにより、物体Ｂの上面を広範囲においてメンテナンス（クリーニング）することができる。

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１２は、第２部材２２を用いるメンテナンスの一例を示す。図１２に示すように、本実施形態においては、メンテナンスは、液浸空間ＬＳ２が形成されない状態で行われる。

本実施形態においては、メンテナンスの実行期間の少なくとも一部において、第２部材２２の回収口４２から流体が吸引される。回収口４２は、第２空間ＳＰ２の流体を吸引可能である。第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面とが対向され、液浸空間ＬＳ２が形成されていない状態で、回収口４２からの吸引が行われることにより、物体Ｂ上の異物は、回収口４２に吸引される。これにより、物体Ｂ上から異物が除去される。また、物体Ｂ上の残留液体も、回収口４２から吸引される。これにより、物体Ｂ上から残留液体が除去される。

なお、本実施形態において、メンテナンスの実行期間の少なくとも一部において、第２部材２２の供給口４１から流体が吸引されてもよい。すなわち、供給口４１が、基板Ｐの露光の実行期間において、液体ＬＱを供給し、メンテナンス期間において、流体を吸引してもよい。

メンテナンスの実行期間の少なくとも一部において、供給口４１及び回収口４２の両方から流体が吸引されてもよい。吸引口４１の吸引と回収口４２の吸引とが、異なるタイミングで行われてもよい。

＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１３は、第２部材２２Ｅを用いるメンテナンスの一例を示す。図１３に示すように、本実施形態においては、メンテナンスは、液浸空間ＬＳ２が形成されない状態で行われる。

本実施形態においては、メンテナンスの実行期間の少なくとも一部において、第２部材２２の吸引口４２ｅから流体が吸引される。吸引口４２ｅは、回収口４２とは異なる。吸引口４２ｅは、第２空間ＳＰ２の流体を吸引可能である。第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面とが対向され、液浸空間ＬＳ２が形成されていない状態で、吸引口４２ｅからの吸引が行われることにより、物体Ｂ上の異物は、吸引口４２ｅに吸引される。これにより、物体Ｂ上から異物が除去される。また、物体Ｂ上の残留液体も、吸引口４２ｅから吸引される。これにより、物体Ｂ上から残留液体が除去される。

なお、本実施形態において、メンテナンスの実行期間の少なくとも一部において、第２部材２２の供給口４１から流体が吸引されてもよいし、回収口４２から流体が吸引されてもよい。

メンテナンスの実行期間の少なくとも一部において、供給口４１、回収口４２、及び吸引口４２ｅから流体が吸引されてもよい。吸引口４１の吸引と回収口４２の吸引と吸引口４２ｅの吸引とが、異なるタイミングで行われてもよい。

本実施形態においては、供給口４１に対して、吸引口４２ｅの外側に回収口４２が配置される。供給口４１からの液体ＬＱと並行して、吸引口４２ｅからの液体ＬＱの回収が行われることによって、第１大きさの液浸空間ＬＳ２が形成される。その第１大きさの液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、回収口４２からの流体の吸引が行われてもよい。これにより、液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、回収口４２から物体Ｂ上の異物（又は残留液体）が除去される。また、供給口４１からの液体ＬＱと並行して、回収口４２からの液体ＬＱの回収が行われることによって、第１大きさよりも大きい第２大きさの液浸空間ＬＳ２が形成される。

上述の第４、第５実施形態において、第２部材２２（２２Ｅ）からの吸引が行われている状態で、第２部材２２（２２Ｅ）と物体ＢとがＸＹ平面内において相対移動してもよい。例えば、第２部材２２（２２Ｅ）からの吸引が行われている状態で、物体ＢがＸＹ平面内において移動してもよい。これにより、物体Ｂの上面を広範囲においてメンテナンス（クリーニング）することができる。

なお、第２部材２２（２２Ｅ）の側面に、流体を吸引可能な吸引口を設けてもよい。その吸引口からの吸引によって、例えば、第２部材２２に隣接する第１部材２１の側面の異物（又は残留液体）などが除去される。また、第２部材２２（２２Ｅ）を移動可能な駆動装置を設けることによって、エンコーダシステム等の部材の異物を除去することができる。

＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１４は、第２部材２２を用いるメンテナンスの一例を示す。図１４に示すように、液浸空間ＬＳ２が形成されない状態で、回収口４２から第２空間ＳＰ２の流体の吸引が行われる。なお、第２部材２２は、供給口４１から流体を吸引してもよい。なお、図１３を参照して説明した第２部材２２Ｅが用いられてもよい。

本実施形態においては、物体Ｂは、メンテナンス用の流体を供給可能な開口５１を有する。開口５１は、第２部材２２の下面２４と対向可能である。開口５１は、例えばメンテナンス用の気体Ｇｍを供給可能である。開口５１からの気体Ｇｍの供給と並行して、第２部材２２の回収口４２からの吸引が実行される。

気体Ｇｍは、メンテナンス用の気体である。気体Ｇｍは、チャンバ装置１１の気体供給部１１Ｓから供給される気体Ｆｒよりもクリーニング効果が高い気体である。なお、気体Ｇｍが、気体Ｆｒよりも静電気除去効果が高い気体でもよい。本実施形態において、気体Ｆｒは、空気である。気体Ｇｍは、オゾンガスである。なお、気体Ｇｍが、プラズマガスでもよいし、イオンを含むガスでもよいし、空気よりも二酸化炭素を多く含むガスでもよい。

これにより、気体Ｇｍに接触する物体Ｂの上面及び第２部材２２の下面２４の少なくとも一方がメンテナンスされる。

なお、開口５１から、気体Ｆｒが供給されてもよい。

なお、開口５１から、メンテナンス用の液体ＬＱｍが供給されてもよい。開口５１からの液体ＬＱｍの供給と並行して、第２部材２２の回収口４２からの吸引が実行されることによって、液体ＬＱｍに接触する物体Ｂの上面及び第２部材２２の下面２４の少なくとも一方がメンテナンスされる。

なお、開口５１から、液体ＬＱが供給されてもよい。

なお、開口５１を有する物体Ｂは、基板ステージ２でもよいし、計測ステージ３でもよいし、第１保持部１４に保持されるメンテナンス用基板でもよい。

＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１５は、第２部材２２を用いるメンテナンスの一例を示す。図１５に示すように、本実施形態においては、メンテナンスは、液浸空間ＬＳ２が形成されない状態で行われる。

本実施形態においては、メンテナンスの実行期間の少なくとも一部において、第２部材２２の供給口４１及び回収口４２の一方又は両方から、メンテナンス用の気体Ｇｍが供給される。本実施形態において、気体Ｇｍは、物体Ｂに供給される。

物体Ｂ上の異物及び残留液体の一方又は両方が、供給口４１及び回収口４２の一方又は両方から物体Ｂ上に供給された気体Ｇｍで除去される。物体Ｂ上の異物及び残留液体の少なくとも一方は、供給された気体Ｇｍによって吹き飛ばされたり、物体Ｂの上面の所定領域から退かされたりする。また、物体Ｂ上の残留液体は、供給された気体Ｇｍによって気化される。これにより、物体Ｂ上から異物及び残留液体が除去される。

また、気体Ｇｍが、気体Ｆｒよりもクリーニング効果が高い気体である場合、その気体Ｇｍに接触する第２部材２２の下面及び物体Ｂの上面の一方又は両方は、良好にクリーニングされる。また、気体Ｇｍが、気体Ｆｒよりも静電気除去効果が高い気体である場合、その気体Ｇｍに接触する第２部材２２の下面及び物体Ｂの上面の一方又は両方に存在する静電気は良好に除去される。

なお、供給口４１及び回収口４２の一方又は両方から、気体Ｆｒが供給されてもよい。

なお、供給口４１及び回収口４２のうち、供給口４１のみから気体Ｇｍ（Ｆｒ）が供給されてもよい。なお、供給口４１及び回収口４２のうち、回収口４２のみから気体Ｇｍ（Ｆｒ）が供給されてもよい。なお、供給口４１及び回収口４２とは異なる給気口を第２部材２２に設け、その給気口から気体Ｇｍ（Ｆｒ）を供給してもよい。

なお、第２部材２２からの気体Ｇｍ（Ｆｒ）の供給が行われている状態で、第２部材２２と物体ＢとがＸＹ平面内において相対移動してもよい。例えば、第２部材２２からの気体Ｇｍ（Ｆｒ）の供給が行われている状態で、物体ＢがＸＹ平面内において移動してもよい。これにより、物体Ｂの上面を広範囲においてメンテナンス（クリーニング）することができる。

なお、第２部材２２の側面に、気体を供給可能な給気口を設けてもよい。その給気口からの気体の供給によって、例えば、第２部材２２に隣接する第１部材２１の側面の異物（又は残留液体）などが除去される。また、第２部材２２を移動可能な駆動装置を設けることによって、エンコーダシステム等の部材の異物を除去することができる。

なお、上述の第１〜第７実施形態は、適宜組み合わせることができる。例えば、液体ＬＱ（ＬＱｍ）の液浸空間ＬＳ２（ＬＳ２ｍ）が形成されている状態で行うメンテナンスと、液浸空間ＬＳ２（ＬＳ２ｍ）が形成されていない状態で行うメンテナンスとを組み合わせてもよい。また、第２部材２２からの流体の吸引と、第２部材２２からの気体の供給との両方が行われてもよい。

＜第８実施形態＞
次に、第８実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１６は、本実施形態に係る第２部材２２の一例を示す。本実施形態においては、第２部材２２を移動可能な駆動装置５２が設けられる。駆動装置５２は、第２部材２２を、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺの６つの方向に移動可能である。また、駆動装置５２は、第２部材２２の下面２４の法線とＸ軸とが実質的に平行となるように、第２部材２２の姿勢を調整可能である。また、駆動装置５２は、第２部材２２の下面２４の法線とＹ軸とが実質的に平行となるように、第２部材２２の姿勢を調整可能である。また、駆動装置５２は、第２部材２２の下面２４が＋Ｚ方向を向くように、第２部材２２の姿勢を調整可能である。

駆動装置５２が設けられていることにより、上述の各実施形態におけるメンテナンスにおいて第２部材２２と物体ＢとをＸＹ平面内において相対的に移動する場合、第２部材２２をＸＹ方向に移動させながらメンテナンスすることができる。また、第２部材２２の下面２４に設けられた給気口から、第２部材２２に隣接する第１部材２１に気体Ｇｍ（Ｆｒ）を供給する場合、下面２４と第１部材２１の側面とが対向するように第２部材２２の姿勢を調整して、第１部材２１に気体Ｇｍ（Ｇｒ）を供給することができる。また、下面２４と第１部材２１の側面とが対向するように第２部材２２の姿勢を調整して、下面２４に配置された吸引口から流体の吸引を行うことができる。

＜第９実施形態＞
次に、第９実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１７は、本実施形態に係る第２部材２２及び物体Ｂの一例を示す。図１７に示すように、物体Ｂは、第２部材２２の下方に配置可能な吸引口５３を有する。吸引口５３は、第２部材２２の下面２４と物体Ｂの上面との第２空間ＳＰ２の流体（液体及び気体の一方又は両方）を吸引可能である。本実施形態においては、メンテナンスが行われる期間の少なくとも一部において、吸引口５３の吸引動作が行われる。

例えば、第２部材２２と、吸引口５３を含む物体Ｂの上面との間に液浸空間ＬＳ２（ＬＳ２ｍ）が形成されている状態で、吸引口５３の吸引動作が行われる。これにより、液浸空間ＬＳ２（ＬＳ２ｍ）の液体ＬＱ（ＬＱｍ）の少なくとも一部は、吸引口５３から吸引される。例えば、第２部材２２の回収口４２の回収動作が停止された状態で、供給口４１からの液体ＬＱ（ＬＱｍ）の供給と並行して、吸引口５３からの液体ＬＱ（ＬＱｍ）の吸引が行われてもよい。また、供給口４１からの液体ＬＱ（ＬＱｍ）の供給と並行して、回収口４２からの液体ＬＱ（ＬＱｍ）の回収、及び吸引口５３からの液体ＬＱ（ＬＱｍ）の吸引が行われてもよい。

また、第２空間ＳＰ２に液体ＬＱ（ＬＱｍ）が無い状態で、吸引口５３の吸引動作が行われてもよい。例えば、第２部材２２の下面２４に配置された供給口４１などから気体Ｇｍ（Ｆｒ）を供給する場合、第２部材２２からの気体Ｇｍ（Ｆｒ）の供給と並行して、物体Ｂに設けられた吸引口５３からの吸引が実行されてもよい。

＜第１０実施形態＞
次に、第１０実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１８は、本実施形態に係る第２部材２２及び基板ステージ２の一例を示す。基板ステージ２は、第１保持部１４と、第１保持部１４の周囲に配置されるカバー部材Ｔ１と、カバー部材Ｔ１をリリース可能に保持する第２保持部１５とを有する。

メンテナンスにおいて、第１保持部１４に、メンテナンス用の基板Ｐｍが保持される。第１保持部１４は、基板Ｐｍをリリース可能に保持する。

メンテナンス用の基板Ｐｍの外形は、デバイス製造用の基板Ｐの外形と実質的に等しい。基板Ｐｍには、感光膜が存在しない。基板Ｐｍからデバイスは製造されない。基板Ｐｍは、基板Ｐよりも異物の放出が抑制された基板である。

第２保持部１５に保持されているカバー部材Ｔ１は、間隙Ｇａを介して、第１保持部１４に保持されている基板Ｐｍに隣接する。

本実施形態においては、間隙Ｇａの下方空間ＵＳに、流体（液体ＬＱ及び気体の一方又は両方）を吸引する吸引口６０が配置される。吸引口６０は、下方空間ＵＳに面する。図１８に示す例において、下方空間ＵＳは、基板ステージ２に配置される。基板ステージ２が、下方空間ＵＳの内面を有する。

第１保持部１４は、基板Ｐの下面が対向可能な上面を有する周壁部１４Ｗと、周壁部１４Ｗの内側に配置される複数のピン状の支持部１４Ｓと、周壁部１４Ｗの内側に配置される吸引口１４Ｂとを有する。第１保持部１４は、所謂、ピンチャック機構（真空チャック機構）を含む。

第２保持部１５は、カバー部材Ｔ１の下面が対向可能な上面を有する周壁部１５Ｗと、周壁部１５Ｗの内側に配置される複数のピン状の支持部１５Ｓと、周壁部１５Ｗの内側に配置される吸引口１５Ｂとを有する。第２保持部１５は、所謂、ピンチャック機構（真空チャック機構）を含む。

本実施形態において、下方空間ＵＳは、周壁部１４Ｗと周壁部１５Ｗとの間の空間を含む。

吸引口６０は、吸引流路６１を介して、吸引装置６２と接続される。吸引装置６２は、吸引口６０を真空システムＢＳに接続可能である。吸引装置６２は、吸引口６０から吸引（回収）された液体ＬＱが収容される収容部６２Ａと、吸引口６０の吸引力を調整可能な圧力調整部６２Ｂとを有する。収容部６２Ａは、タンクを含む。圧力調整部６２Ｂは、圧力調整弁などを含む。

吸引口６０の吸引力は、吸引流路６１の圧力と下方空間ＵＳの圧力との差に依存する。吸引流路６１と下方空間ＵＳとの圧力差によって、吸引口６０の吸引力が定められる。下方空間ＵＳは、間隙Ｇａを介して、間隙Ｇａの上方の空間ＣＳと通じる。本実施形態において、圧力調整部６２Ｂが、吸引流路６１の圧力を調整可能である。チャンバ装置１１が、下方空間ＵＳの圧力を調整可能である。

吸引口６０は、下方空間ＵＳの流体（ＬＱ及び気体の一方又は両方）を吸引可能である。間隙Ｇａの上方の空間ＣＳの気体は、間隙Ｇａを介して、下方空間ＣＳに流入可能である。間隙Ｇａの上方の空間ＣＳの液体ＬＱも、間隙Ｇａを介して、下方空間ＵＳに流入する可能性がある。吸引口６０は、間隙Ｇａを介して下方空間ＵＳに流入した流体（液体ＬＱ及び気体の一方又は両方）を吸引可能である。

また、吸引口６０は、間隙Ｇａを介して、間隙Ｇａの上方の空間ＣＳの流体を吸引可能である。また、間隙Ｇａ上に第２部材２２が配置されている状態において、吸引口６０は、間隙Ｇａを介して、第２部材２２の下方の第２空間ＳＰ２の流体を吸引可能である。

間隙Ｇａの上方の空間ＣＳに配置されている回収口４２は、第２空間ＳＰ２（空間ＣＳ）の流体を吸引可能である。間隙Ｇａの下方空間ＵＳに配置されている吸引口６０は、第２空間ＳＰ２（空間ＣＳ）の流体を吸引可能である。本実施形態において、回収口４２の吸引力と、吸引口６０の吸引力とは、異なる。

図１８に示す例において、メンテナンス対象部材は、第２部材２２の下方で間隙Ｇａを形成するカバー部材Ｔ１、メンテナンス用の基板Ｐｍ、及び間隙Ｇａの下方空間ＵＳに面する部材の少なくとも一つを含む。

図１９は、メンテナンスにおいて、基板Ｐｍ（第１物体Ｂ１）とカバー部材Ｔ１（第２物体Ｂ２）との間隙Ｇａ（間隙Ｇ）上に、液浸空間ＬＳ２（ＬＳ２ｍ）が形成されている状態を示す。第２部材２２の下方に吸引口６０が配置される。液浸空間ＬＳ２（ＬＳ２ｍ）が第１物体Ｂ１上に形成されることによって、第１物体Ｂ１がメンテナンスされる。液浸空間ＬＳ２（ＬＳ２ｍ）が第２物体Ｂ２上に形成されることによって、第２物体Ｂ２がメンテナンスされる。本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２（ＬＳ２ｍ）の液体ＬＱ（ＬＱｍ）の少なくとも一部が、間隙Ｇに供給される。これにより、第１物体Ｂ１の側面と対向する第２物体Ｂ２の側面、第２物体Ｂ２の側面と対向する第１物体Ｂ１の側面、及び下方空間ＵＳに面する部材（周壁部１４Ｗ、１５Ｗなど）の内面の少なくとも一部が、液体ＬＱ（ＬＱｍ）でメンテナンスされる。

本実施形態においては、間隙Ｇａ（間隙Ｇ）上に液浸空間ＬＳ２（ＬＳ２ｍ）が形成されている状態で、下方空間ＵＳの流体が吸引口６０から吸引される。これにより、間隙Ｇ上の液浸空間ＬＳ２（ＬＳ２ｍ）の液体ＬＱ（ＬＱｍ）は、間隙Ｇを介して、下方空間ＵＳに流入する。下方空間ＵＳに流入した液体ＬＱ（ＬＱｍ）の少なくとも一部は、吸引口６０から吸引される。

なお、本実施形態においては、基板Ｐｍとカバー部材Ｔ１との間隙Ｇａ上に液浸空間ＬＳ２（ＬＳ２ｍ）を形成する例について説明した。メンテナンスが行われる期間の少なくとも一部において、カバー部材Ｔ１とスケール部材Ｔ２との間隙Ｇｂ、基板ステージ２と計測ステージ３との間隙Ｇｃ、及び計測ステージ３と計測部材Ｃとの間隙Ｇｃの少なくとも一つの上に、液浸空間ＬＳ２（ＬＳ２ｍ）が形成されてもよい。その間隙Ｇｂ、Ｇｃ、Ｇｄの下方空間から流体を吸引する吸引口が設けられてもよい。

＜第１１実施形態＞
次に、第１１実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図２０は、第２部材２２を用いるメンテナンスの一例を示す。図２０に示すように、制御装置６は、第１部材２１の下面２３の少なくとも一部と、第１保持部１４に保持されたメンテナンス用の基板Ｐｍとが対向された状態で、第２部材２２が、基板ステージ２の上方で、メンテナンス用の基板Ｐｍとカバー部材Ｔ１との間隙Ｇａに沿って移動するように、第２部材２２と基板ステージ２とを相対移動して、メンテナンスを行うことができる。本実施形態において、第１部材２１の下方には液浸空間ＬＳ１が形成される。第２部材２２の下方には液浸空間ＬＳ２（ＬＳ２ｍ）が形成される。本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇａに沿って移動するように、第２部材２２と基板ステージ２とがＸＹ平面内において相対的に移動する。本実施形態において、第１部材２１とメンテナンス用の基板Ｐｍとの間に液浸空間ＬＳ１の少なくとも一部が形成される状態で、第２部材２２と基板ステージ２とがＸＹ平面内において相対的に移動する。これにより、ＸＹ平面内において環状の間隙Ｇａ及び下方空間ＵＳを広範囲においてメンテナンスできる。

図２１は、第２部材２２を用いるメンテナンスの一例を示す。図２１に示すように、制御装置６は、第１部材２１の下面２３の少なくとも一部と、第１保持部１４に保持されたメンテナンス用の基板Ｐｍとが対向された状態で、第２部材２２が、基板ステージ２の上方で、メンテナンス用の基板Ｐｍとカバー部材Ｔ１との間隙Ｇａに沿って移動するように、第２部材２２と基板ステージ２とを相対移動して、メンテナンスを行うことができる。本実施形態において、第１部材２１の下方には液浸空間ＬＳ１が形成される。第２部材２２の下方には液浸空間ＬＳ２（ＬＳ２ｍ）が形成される。本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２が間隙Ｇａに沿って移動するように、第２部材２２と基板ステージ２とがＸＹ平面内において相対的に移動する。本実施形態において、間隙Ｇａ上に液浸空間ＬＳ１が形成されないように、第２部材２２と基板ステージ２とがＸＹ平面内において相対的に移動する。これにより、第１部材２１と、下方空間ＵＳの液体ＬＱ（ＬＱｍ）が、間隙Ｇａを介して、間隙Ｇａの上方に移動しても、第１部材２１に接触することが抑制される。

なお、図２１は、第１部材２１は、常に基板Ｐｍと対向する例を示す。第１部材２１が、常にカバー部材Ｔ１と対向するように、基板ステージ２が移動されてもよい。

図２０及び図２１に示す例において、下方空間ＵＳの吸引口６０の吸引動作が行われてもよいし、行われなくてもよい。

なお、本実施形態と、上述の各実施形態とは、適宜組み合わせるができる。例えば、図２０及び図２１に示す動作を行いながら、液浸空間ＬＳ２に超音波振動を与えてもよい。

＜第１２実施形態＞
次に、第１２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図２２は、第２部材２２を用いるメンテナンスの一例を示す。図２２に示すように、第１物体Ｂ１と第２物体Ｂ２との間隙Ｇ上に液浸空間ＬＳ２（ＬＳ２ｍ）が形成される。

メンテナンスが行われる期間において液体ＬＱ（ＬＱｍ）を供給する供給口６５が、間隙Ｇの下方空間ＵＳに設けられてもよい。メンテナンスにおいて、供給口６５から液体ＬＱ（ＬＱｍ）が供給される。供給口６５から供給された液体ＬＱ（ＬＱｍ）の少なくとも一部は、間隙Ｇの下方空間ＵＳに面する部材に接触することができる。また、供給口６５から供給された液体ＬＱ（ＬＱｍ）の少なくとも一部は、第２部材２２の下方で間隙Ｇを形成する第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２に接触することができる。これにより、間隙Ｇを形成する第１、第２物体Ｂ１、Ｂ２、及び間隙Ｇの下方空間ＵＳに面する部材の一方又は両方が液体ＬＱ（ＬＱｍ）でメンテナンスされる。

本実施形態においては、供給口６５から供給された液体ＬＱ（ＬＱｍ）は、第２部材２２の回収口４２から回収される。なお、下方空間ＵＳに、図１８及び図１９等を参照して説明した吸引口６０が配置されてもよい。本実施形態において、第２部材２２の供給口４１から液体ＬＱ（ＬＱｍ）は供給されない。なお、供給口４１から液体ＬＱ（ＬＱｍ）が供給されてもよい。

＜第１３実施形態＞
次に、第１３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図２３は、第２部材２２を用いるメンテナンスの一例を示す。図２３に示すように、第２部材２２から、液体ＬＱ（ＬＱｍ）を噴射してもよい。第２部材２２は、間隙Ｇに向かって液体ＬＱ（ＬＱｍ）を噴射してもよい。

＜第１４実施形態＞
次に、第１４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図２４は、第２部材２２を用いるメンテナンスの一例を示す。図２４に示すように、第２部材２２に、メンテナンス対象部材（物体Ｂなど）の静電気を除去可能な除電装置７０の少なくとも一部が配置される。Ｘ線を射出する射出部７１が第２部材２２に配置されている。除電装置７０は、メンテナンス対象部材にＸ線を照射する。これにより、メンテナンス対象部材の静電気が除去される。また、メンテナンス対象部材の帯電が抑制される。

図２４に示す例では、液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、Ｘ線が照射される。Ｘ線は、液浸空間ＬＳ２の外側を通過する。なお、液浸空間ＬＳ２は形成されなくてもよい。

図２５は、第２部材２２を用いるメンテナンスの一例を示す。図２５に示すように、第２部材２２に、メンテナンス対象部材（物体Ｂなど）に紫外光を照射可能な照射装置７２の少なくとも一部が配置される。紫外光を射出する射出部７３が第２部材２２に配置されている。照射装置７２は、メンテナンス対象部材に紫外光を照射する。これにより、メンテナンス対象部材が光洗浄される。

図２５に示す例では、液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、紫外光が照射される。複数の射出部７３のうち、少なくとも一つの射出部７３は、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱを介して、メンテナンス対象部材に紫外光を照射する。メンテナンス対象部材から発生した異物は、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱとともに、第２部材２２の回収口４２から回収される。

なお、図２５に示すように、液浸空間ＬＳ２の外側を通るように、紫外光が照射されてもよい。なお、紫外光の照射において、液浸空間ＬＳ２は形成されなくてもよい。

図２６は、第２部材２２を用いるメンテナンスの一例を示す。図２６に示すように、第２部材２２に、メンテナンス対象部材（物体Ｂなど）の異物を吸着可能な静電気発生装置７４の少なくとも一部が配置される。静電気の力によって、メンテナンス対象部材上の異物は、静電気発生装置に向かって移動する。

図２７は、第２部材２２に電位をかける電力装置７７が設けられる例を示す。電力装置７７は、第２部材２２に電位をかける。第２部材２２がアースされていてもよい。第２部材２２と物体Ｂとの間に液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、電力装置７７は第２部材２２に電位をかける。これにより、例えば物体Ｂの異物を第２部材２２に引き寄せることができる。第２部材２２に引き寄せられた異物は、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱとともに、第２部材２２の回収口４２から回収される。

図２８は、第２部材２２を用いるメンテナンスの一例を示す。図２８に示すように、第２部材２２に、メンテナンス対象部材（物体Ｂなど）の画像を取得可能な撮像装置（カメラ）７５の少なくとも一部が配置される。撮像装置７５の対物光学素子７６が第２部材２２に配置されている。

制御装置６は、撮像装置７５を用いて、メンテナンス対象部材の汚染状態、異物の有無、及び残留液体の有無を確認することができる。制御装置６は、撮像装置７５を用いて、メンテナンス対象部材の画像を取得する。制御装置６は、その画像情報に基づいて、メンテナンスを実行するかどうかを判断することができる。画像情報に基づいて、メンテナンス対象部材が汚染されていると判断した場合（異物が存在すると判断した場合、残留液体が存在すると判断した場合）、制御装置６は、上述の実施形態に従って、第２部材２２を用いるメンテナンスを実行することができる。

また、第２部材２２を用いてメンテナンス対象部材のメンテナンスが行われた後、制御装置６は、撮像装置７５によって、メンテナンス対象部材の画像を取得してもよい。制御装置６は、その画像情報に基づいて、メンテナンスが良好に行われたかどうかを判断することができる。画像情報に基づいて、メンテナンス対象部材の汚染が除去されていない判断した場合（異物が存在すると判断した場合、残留液体が存在すると判断した場合）、制御装置６は、上述の実施形態に従って、第２部材２２を用いるメンテナンスを再度実行することができる。

ＸＹ平面内において第２部材２２が移動可能な場合、撮像装置７５が設けられた第２部材２２が移動することによって、メンテナンス対象部材の画像を広範囲において取得することができる。

なお、図２４〜図２８に示す例において、上述の駆動装置５２を用いて、第２部材２２の下面２４の法線とＸ軸（又はＹ軸）とがほぼ平行となるように、第２部材２２の姿勢を制御してもよい。これにより、例えば、第２部材２２に隣接する第１部材２２にＸ線を照射したり、紫外光を照射したり、第１部材２１の画像を取得したりすることができる。

＜第１５実施形態＞
次に、第１５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図２９及び図３０は、第２部材２２を用いて、メンテナンス対象部材の温度調整が行われている状態の一例を示す。メンテナンスは、メンテナンス対象部材の温度調整を含む。

図２９は、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱを用いて、メンテナンス対象部材（物体Ｂなど）の温度調整が行われている例を示す。液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱとメンテナンス対象部材とを接触させることによって、メンテナンス対象部材の温度が調整される。制御装置６は、温度調整部４４Ｂを制御して、第２空間ＳＰ２に供給される液体ＬＱの温度を調整する。制御装置６は、メンテナンス対象部材の目標温度と、第２空間ＳＰ２に供給される液体ＬＱの温度との差が小さくなるように、温度調整部４４Ｂを制御する。これにより、メンテナンス対象部材の温度が調整される。

なお、図２９に示すように、液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、第２部材２２に対して、物体Ｂを移動してもよい。

図３０は、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱを用いずに、メンテナンス対象部材（物体Ｂなど）の温度調整が行われている例を示す。図３０に示す例では、第２部材２２に設けられた給気口７７からメンテナンス用（温度調整用）の気体が、メンテナンス対象部材に供給される。これにより、これにより、メンテナンス対象部材の温度が調整される。

なお、図３０に示すように、第２部材２２から気体を供給している状態で、第２部材２２に対して、物体Ｂを移動してもよい。

＜第１６実施形態＞
次に、第１６実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図３１は、第２部材２２を用いるメンテナンスの一例を示す。本実施形態においては、メンテナンスが行われる期間において、供給口４１からの液体ＬＱの供給量及び回収口４２からの液体ＬＱの回収量の一方又は両方が調整される。制御装置６は、液浸空間ＬＳ２の大きさ及び形状の一方または両方が変化するように、供給口４１からの液体ＬＱの供給量及び回収口４２からの液体ＬＱの回収量の一方又は両方を調整する。これにより、例えば図３１に示すように、ＸＹ平面内における液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱの界面ＬＧ２の位置が変化する。換言すれば、界面ＬＧ２が移動する。これにより、第２部材２２の下面２４及び物体Ｂの上面の一方又は両方がクリーニングされる。

＜第１７実施形態＞
次に、第１７実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図３２は、第２部材２２を用いるメンテナンスの一例を示す。図３２（Ａ）に示すように、本実施形態においては、第２部材２２の少なくとも一部に、温度Ｔｕの気体が気体供給装置８１から供給される。図３２（Ａ）に示す例では、温度Ｔｕの気体が、第２部材２２の下面２４に供給される。

温度Ｔｕは、チャンバ装置１１によって調整される空間ＣＳの温度Ｔｈよりも低い。温度Ｔｕの気体の供給によって、第２部材２２の下面２４は冷却される。

本実施形態において、気体供給装置８１から供給される温度Ｔｕの気体は、二酸化炭素を含む。本実施形態において、温度Ｔｕの気体は、チャンバ装置１１の気体供給部１１Ｓから供給される気体Ｆｒよりも二酸化炭素を多く含む。なお、温度Ｔｕの気体は、温度Ｔｈの気体Ｆｒと同じ種類の気体でもよい。

なお、気体供給装置８１から供給される気体が、気体供給部１１Ｓから供給される気体Ｆｒよりも二酸化炭素を多く含む場合、気体供給装置８１から供給される気体の温度は、気体供給部１１Ｓから供給される気体Ｆｒの温度と実質的に等しくてもよいし、高くてもよい。

次に、図３２（Ｂ）に示すように、第２部材２２の下面２４側に液浸空間ＬＳ２が形成される。これにより、第２部材２２の異物は、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱとともに、第２部材２２の回収口４２から回収される。

本実施形態において、気体供給装置８１は、メンテナンス対象部材に付着した異物をメンテナンス対象部材から離すことができる機能を有する気体を供給する。したがって、メンテナンス対象部材に気体を供給した後、メンテナンス対象部材と液体ＬＱとを接触させることによって、メンテナンス対象部材から異物を除去することができる。

＜第１８実施形態＞
次に、第１８実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

本実施形態においては、第２部材２２を用いるメンテナンスが実行されるタイミングの一例について説明する。

図３３に示すように、基板Ｐの露光が開始される前に、メンテナンスが行われてもよい。また、第１空間ＳＰ１に液浸空間ＬＳ１が形成される前に、メンテナンスが行われてもよい。

図３３に示す例は、第１部材２１の下方には液浸空間ＬＳ１が形成されず、第２部材２２の下方に液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、メンテナンスが行われる状態の一例を示す。

液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱは、液浸空間ＬＳ１を形成するための液体ＬＱよりも電気伝導度が高くてもよい。また、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱは、液浸空間ＬＳ１を形成するための液体ＬＱよりも二酸化炭素を多く含んでもよい。

また、図３３に示すように、液浸空間ＬＳ２が形成されている状態で、第２部材２２がＸＹ平面内において移動してもよい。

なお、上述の実施形態にしたがって、液浸空間ＬＳ２を形成することなく、第２部材２２を用いるメンテナンスが行われてもよい。

第２部材２２を用いるメンテナンスが終了した後、液浸空間ＬＳ１が形成される。これにより、メンテナンスされた物体Ｂなどを用いて、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱを介して基板Ｐの露光及び露光光ＥＬの計測などを行うことができる。

図３４は、液浸空間ＬＳ１が形成されている状態で、第２部材２２を用いるメンテナンスが行われる状態の一例を示す。第２部材２２を用いるメンテナンスは、基板Ｐが露光される期間の少なくとも一部に行うことができる。本実施形態において、基板Ｐが露光される期間とは、基板Ｐの複数のショット領域Ｓのうち、最初のショット領域の露光が開始される時点から、最後のショット領域の露光が終了する時点までの期間をいう。

図３４に示すように、液浸空間ＬＳ１の液体ＬＱを介して基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、第２部材２２がカバー部材Ｔ１と対向する場合がある。第２部材２２は、液浸空間ＬＳ２の液体ＬＱを用いて、カバー部材Ｔ１をメンテナンスすることができる。

また、図３４に示すように、第２部材２２に、上述の実施形態で説明した照射装置７２が設けられている場合、基板Ｐが露光される期間の少なくとも一部において、カバー部材Ｔ１に紫外光を照射することができる。

もちろん、第２部材２２に、上述の実施形態で説明した除電装置７０が設けられている場合、基板Ｐが露光される期間の少なくとも一部において、カバー部材Ｔ１にＸ線を照射することができる。第２部材２２に、上述の実施形態で説明した撮像装置７５が配置されている場合、基板Ｐが露光される期間の少なくとも一部において、カバー部材Ｔ１の画像を取得することができる。

＜第１９実施形態＞
次に、第１９実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図３５は、第２部材２２を用いるメンテナンスの一例を示す。図３５に示すように、メンテナンス対象部材に接触可能な接触部材９０Ａの少なくとも一部が、第２部材２２に配置される。

図３５において、接触部材９０Ａは、ブラシ９０１Ａを含む。接触部材９０Ａは、ブラシ９０１Ａで、メンテナンス対象部材を擦ることができる。図３５は、間隙Ｇを形成する第１物体Ｂ１、第２物体Ｂ２、間隙Ｇの下方空間ＵＳに面する部材の少なくとも一つとブラシ９０１Ａとを接触させている例を示す。

図３６は、第２部材２２を用いるメンテナンスの一例を示す。図３６に示すように、メンテナンス対象部材に接触可能な接触部材９０Ｂの少なくとも一部が、第２部材２２に配置される。

図３６において、接触部材９０Ｂは、スポンジ９０１Ｂを含む。接触部材９０Ｂは、ブラシ９０１Ｂで、メンテナンス対象部材を拭くことができる。図３６は、間隙Ｇを形成する第１物体Ｂ１、第２物体Ｂ２、間隙Ｇの下方空間ＵＳに面する部材の少なくとも一つとスポンジ９０１Ｂとを接触させている例を示す。

本実施形態において、第２部材２２は、接触部材９０Ａ、９０Ｂをリリース可能に保持する。そのため、第２部材２２に保持された接触部材９０Ａでメンテナンスすることと、第２部材２２に保持された接触部材９０Ｂでメンテナンスすることとの両方を行うことができる。また、接液部材９０Ａ，９０Ｂを交換することができる。

＜第２０実施形態＞
次に、第２０実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図３７は、本実施形態に係るメンテナンスの一例を示す。本実施形態において、液浸部材５は、第２部材２２を有しなくてもよい。第２部材２２は、無くてもよい。

図３７に示すように、本実施形態において、露光装置ＥＸは、チャンバ装置１１によって形成される空間ＣＳにおいて移動可能に配置されるクリーニング部材９２と、クリーニング部材９２を移動可能な駆動装置９３とを有する。

クリーニング部材９２の少なくとも一部は、メンテナンス対象部材と接触可能である。本実施形態において、クリーニング部材９２は、ブラシ９２Ａと、ブラシ９２Ａを支持する支持部材９２Ｂとを有する。

空間ＣＳには、少なくとも終端光学素子１３、第１部材２１、及び終端光学素子１３の下方で移動可能な間隙Ｇを有する物体Ｂが配置される。本実施形態において、物体Ｂは、第１物体Ｂ１と、間隙Ｇを介して第１物体Ｂ１に隣接する第２物体Ｂ２とを含む。

クリーニング部材９２の少なくとも一部は、間隙Ｇを介して、間隙Ｇの下方空間ＵＳに移動可能である。本実施形態においては、制御装置６は、駆動装置９３を制御して、クリーニング部材９２を下方空間ＵＳに移動して、第１物体Ｂ１のエッジ、第２物体Ｂ２のエッジ、及び下方空間ＵＳを形成する部材の内面の少なくとも一つとブラシ９２Ａとを接触させる。ブラシ９２Ａは、第１物体Ｂ１のエッジ、第２物体Ｂ２のエッジ、及び下方空間ＵＳを形成する部材の内面の少なくとも一つを擦ることができる。これにより、第１物体Ｂ１のエッジ、第２物体Ｂ２のエッジ、及び下方空間ＵＳを形成する部材の内面の少なくとも一つがクリーニングされる。

なお、本実施形態において、クリーニング部材９２は、第１物体Ｂ１のエッジ、第２物体Ｂ２のエッジ、及び下方空間ＵＳを形成する部材の内面の少なくとも一つを拭くことができるスポンジを有してもよい。

＜第２１実施形態＞
次に、第２１実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図３８は、本実施形態に係るメンテナンスの一例を示す。本実施形態において、液浸部材５は、第２部材２２を有しなくてもよい。第２部材２２は、無くてもよい。

図３８に示すように、露光装置ＥＸは、第１保持部１４と、カバー部材Ｔ１とを有する。第１保持部１４に基板Ｐが保持される場合において、カバー部材Ｔ１は、その基板Ｐの周囲に間隙Ｇａを介して配置される。

本実施形態においては、メンテナンスにおいて、第１保持部１４にメンテナンス用の基板Ｐｎが保持される。基板Ｐｎには、クリーニング部材９３が設けられている。クリーニング部材９３は、ブラシ９３Ａと、ブラシ９３Ａを支持する支持部材９３Ｂとを有する。支持部材９３Ｂと、基板Ｐｎの下面の周縁領域の少なくとも一部とが接続される。

図３８に示すように、基板Ｐｎが第１保持部１４に保持される状態において、基板Ｐｎとカバー部材Ｔ１との間に間隙Ｇａが形成される。基板Ｐｎが第１保持部１４に保持される状態において、クリーニング部材９３は、間隙Ｇａの下方空間ＵＳに配置される。本実施形態において、クリーニング部材９３は、周壁部１４Ｗと周壁部１５Ｗとの間に配置される。クリーニング部材９３の少なくとも一部は、下方空間ＵＳを形成する内面に接触可能である。本実施形態においては、下方空間ＵＳを形成する部材の内面とブラシ９３Ａとが接触する。ブラシ９３Ａは、下方空間ＵＳを形成する部材の内面を擦ることができる。これにより、下方空間ＵＳを形成する部材の内面がクリーニングされる。

なお、本実施形態において、第１保持部１４が基板Ｐｎを吸着保持せず、かつ、ブラシ９３Ａと下方空間ＵＳを形成する部材の内面とが接触した状態で、基板Ｐｎを回転可能な駆動装置９４が設けられてもよい。こうすることによっても、ブラシ９３Ａで下方空間ＵＳを形成する部材の内面を擦ることができる。

なお、本実施形態において、クリーニング部材９３は、方空間ＵＳを形成する部材の内面を拭くことができるスポンジを有してもよい。

なお、上述の各実施形態において、液浸空間ＬＳ１を形成するための液体ＬＱと、液浸空間ＬＳ２を形成するための液体ＬＱとは、同じ種類（物性）でもよいし、異なる種類（物性）でもよい。

なお、本実施形態において、液浸空間ＬＳ１を形成するための液体ＬＱと、液浸空間ＬＳ２を形成するための液体ＬＱとは、同じクリーン度でもよいし、異なるクリーン度でもよい。

なお、上述したように、制御装置６は、ＣＰＵ等を含むコンピュータシステムを含む。また、制御装置６は、コンピュータシステムと外部装置との通信を実行可能なインターフェースを含む。記憶装置７は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置７には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。

なお、制御装置６に、入力信号を入力可能な入力装置が接続されていてもよい。入力装置は、キーボード、マウス等の入力機器、あるいは外部装置からのデータを入力可能な通信装置等を含む。また、液晶表示ディスプレイ等の表示装置が設けられていてもよい。

記憶装置７に記録されているプログラムを含む各種情報は、制御装置（コンピュータシステム）６が読み取り可能である。記憶装置７には、制御装置６に、露光光が射出される光学部材の射出面と基板との間の露光光の光路に満たされた第１液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置の制御を実行させるプログラムが記録されている。

記憶装置７に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置６に、光学部材の射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で第１液体の第１液浸空間を形成することと、光路に対して第１部材の外側に配置される第２部材で、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、第１液浸空間の第１液体の温度を検出することと、第２液浸空間の第２液体の温度を検出することと、第１、第２液体の温度の検出結果に基づいて、第１液体の温度及び第２液体の温度の一方又は両方を調整することと、を実行させてもよい。

また、記憶装置７に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置６に、光学部材の射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置される第１部材で第１液体の第１液浸空間を形成することと、光路に対して第１部材の外側に配置される第２部材で、第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成することと、第２液浸空間の第２液体の温度を調整して、光学部材の下方で移動可能な物体の温度を調整することと、を実行させてもよい。

記憶装置７に記憶されているプログラムが制御装置６に読み込まれることにより、基板ステージ２、計測ステージ３、及び液浸部材５等、露光装置ＥＸの各種の装置が協働して、液浸空間が形成された状態で、基板Ｐの液浸露光等、各種の処理を実行する。

なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１３の射出面１２側（像面側）の光路Ｋが液体ＬＱで満たされているが、投影光学系ＰＬが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号に開示されているような、終端光学素子１３の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系でもよい。

なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱが水であることとしたが、水以外の液体でもよい。液体ＬＱは、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）等の膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱが、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等のフッ素系液体でもよい。また、液体ＬＱが、種々の流体、例えば、超臨界流体でもよい。

なお、上述の各実施形態においては、基板Ｐが、半導体デバイス製造用の半導体ウエハを含むこととしたが、例えばディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等を含んでもよい。

なお、上述の各実施形態においては、露光装置ＥＸが、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）であることとしたが、例えばマスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）でもよい。

また、露光装置ＥＸが、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光する露光装置（スティッチ方式の一括露光装置）でもよい。また、スティッチ方式の露光装置が、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置でもよい。

また、露光装置ＥＸが、例えば米国特許第６６１１３１６号に開示されているような、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置でもよい。また、露光装置ＥＸが、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナー等でもよい。

また、上述の各実施形態において、露光装置ＥＸが、米国特許第６３４１００７号、米国特許第６２０８４０７号、米国特許第６２６２７９６号等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置でもよい。例えば、図３９に示すように、露光装置ＥＸが２つの基板ステージ２００１、２００２を備えている場合、射出面１２と対向するように配置可能な物体は、一方の基板ステージ、その一方の基板ステージの第１保持部に保持された基板、他方の基板ステージ、及びその他方の基板ステージの第１保持部に保持された基板の少なくとも一つを含む。

また、露光装置ＥＸが、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置でもよい。

なお、露光装置ＥＸが、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置でもよいし、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置でもよいし、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置でもよい。

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号に開示されているような、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしてもよい。

上述の各実施形態においては、露光装置ＥＸが投影光学系ＰＬを備えることとしたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に、上述の各実施形態で説明した構成要素を適用してもよい。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射する露光装置及び露光方法に、上述の各実施形態で説明した構成要素を適用してもよい。

また、露光装置ＥＸが、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号に開示されているような、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）でもよい。

上述の実施形態の露光装置ＥＸは、上述の各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了した後、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図４０に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

２…基板ステージ、３…計測ステージ、５…液浸部材、６…制御装置、７…記憶装置、１２…射出面、１３…終端光学素子、２１…第１部材、２２…第２部材、５０…検出装置、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＩＬ…照明系、Ｋ…光路、ＬＱ…液体、ＬＳ１…液浸空間、ＬＳ２…液浸空間、Ｐ…基板、Ｓ…ショット領域、ＳＰ１…第１空間、ＳＰ２…第２空間。

Claims (73)

1. 第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
   前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
   前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、前記第１液体の前記第１液浸空間を形成する第１部材と、
   前記光路に対して前記第１部材の外側に配置され、前記第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成可能な第２部材と、を備える露光装置。
2. 前記第２部材は、前記第２液体を供給可能な第２液体供給口と、前記第２液体を回収可能な第２液体回収口と、を有し、
   前記第２液体供給口からの前記第２液体の供給と並行して、前記第２液体回収口からの前記第２液体の回収が行われることによって、前記第２液浸空間が形成される請求項１に記載の露光装置。
3. 前記第２部材を用いて、メンテナンスが行われる請求項１又は２に記載の露光装置。
4. 前記メンテナンスは、メンテナンス対象部材のメンテナンスを含む請求項３に記載の露光装置。
5. 前記メンテナンス対象部材は、前記第１液体及び前記第２液体の一方又は両方が接触可能である請求項４に記載の露光装置。
6. 前記メンテナンスは、前記メンテナンス対象部材のクリーニングを含む請求項４又は５に記載の露光装置。
7. 前記メンテナンスは、前記メンテナンス対象部材からの静電気除去を含む請求項４〜６のいずれか一項に記載の露光装置。
8. 前記メンテナンスは、前記メンテナンス対象部材の温度調整を含む請求項４〜７のいずれか一項に記載の露光装置。
9. 前記メンテナンス対象部材は、前記基板の露光及び前記露光光の計測の少なくとも一部の期間において前記第１液体及び前記第２液体の少なくとも一方が接触する部材、及び前記期間の少なくとも一部において前記第１液体及び前記第２液体の少なくとも一方が接触する可能性がある部材の一方又は両方を含む請求項４〜８のいずれか一項に記載の露光装置。
10. 前記メンテナンス対象部材は、前記第２部材の下方に配置可能である請求項４〜９のいずれか一項に記載の露光装置。
11. 前記メンテナンスは、前記第２液体を用いて行われる請求項４〜１０のいずれか一項に記載の露光装置。
12. 前記メンテナンス対象部材上の異物及び残留液体の一方又は両方が、前記メンテナンス対象部材上に供給された前記第２液体とともに、前記第２液体回収口から回収される請求項１１に記載の露光装置。
13. 前記第２液体に超音波振動を与える振動装置を備える請求項１１又は１２に記載の露光装置。
14. 前記振動装置は、前記第２部材に超音波振動を与える請求項１３に記載の露光装置。
15. 前記第２液体は、前記第１液体よりも電気伝導度が大きい請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の露光装置。
16. 前記第２液体は、前記第１液体よりも二酸化炭素を多く含む請求項１１〜１５のいずれか一項に記載の露光装置。
17. 前記メンテナンスは、前記第２液浸空間が形成されない状態で行われる請求項４〜１６のいずれか一項に記載の露光装置。
18. 前記第２部材は、メンテナンス用の気体を供給する給気口を有する請求項４〜１７のいずれか一項に記載の露光装置。
19. 前記メンテナンス対象部材上の異物及び残留液体の一方又は両方が、前記給気口から前記メンテナンス対象部材上に供給された気体で除去される請求項１８に記載の露光装置。
20. 前記気体によって、前記残留液体が気化される請求項１８又は１９に記載の露光装置。
21. 前記気体によって、前記残留液体が前記メンテナンス対象部材の所定領域から退かされる請求項１８又は１９に記載の露光装置。
22. 前記第２部材は、前記第２液体とは異なる、メンテナンス用の液体を供給する供給口を有し、
    前記メンテナンス用の液体で、前記メンテナンスが行われる請求項４〜２１のいずれか一項に記載の露光装置。
23. 前記メンテナンス対象部材上の異物及び残留液体の一方又は両方が、前記メンテナンス対象部材上に供給された前記メンテナンス用の液体で除去される請求項２２に記載の露光装置。
24. 前記メンテナンス用の液体は、アルカリを含む請求項２２又は２３に記載の露光装置。
25. 前記メンテナス用の液体は、前記第１液体および前記第２液体の一方又は両方よりも電気伝導度が大きい請求項２２〜２４のいずれか一項記載の露光装置。
26. 前記メンテナンス用の液体は、前記第１液体及び前記第２液体の一方又は両方よりも二酸化炭素を多く含む請求項２２〜２５のいずれか一項に記載の露光装置。
27. 前記メンテナンス用の液体に、超音波振動を与える振動装置を備える請求項２２〜２６のいずれか一項記載の露光装置。
28. 前記振動装置は、前記第２部材に超音波振動を与える請求項２７に記載の露光装置。
29. 前記第２部材を移動可能な駆動装置を備え、
    前記第２部材が移動されながら前記メンテナンスが行われる請求項４〜２８のいずれか一項に記載の露光装置。
30. 前記第２部材の下方に配置可能な吸引口を備え、
    前記メンテナンスが行われる期間の少なくとも一部において、前記吸引口の吸引動作を行う請求項４〜２９のいずれか一項に記載の露光装置。
31. 前記メンテナンス対象部材は、前記第２部材の下方で移動可能なステージを含む請求項４〜３０のいずれか一項に記載の露光装置。
32. 前記メンテナンス対象部材は、前記第２部材の下方で間隙を形成する部材、及び前記間隙の下方空間に面する部材の一方又は両方を含む請求項４〜３１のいずれか一項に記載の露光装置。
33. 前記下方空間から流体を吸引可能な吸引口を備え、
    前記メンテナンスが行われる期間の少なくとも一部において、前記吸引口の吸引動作を行う請求項３２に記載の露光装置。
34. 前記基板をリリース可能に保持する基板保持部と、前記基板保持部の周囲に配置されるカバー部材とを有し、前記第２部材の下方で移動可能なステージをさらに備え、
    前記間隙は、前記基板保持部に保持されたメンテナンス用基板と、前記基板ステージの前記基板保持部の周囲に配置されるカバー部材との間に形成される請求項３２又は３３に記載の露光装置。
35. 前記第１部材の下面の少なくとも一部と前記メンテナンス用基板とが対向された状態で、前記第２部材が、前記基板ステージの上方で、前記メンテナンス用基板と前記カバー部材との間の前記間隙に沿って移動するように前記第２部材と基板ステージとを相対移動して、前記メンテナンスを行う請求項３４に記載の露光装置。
36. 前記第１部材と前記メンテナンス用基板との間に前記第１液浸空間が形成されている状態で、前記相対移動が行われる請求項３５に記載の露光装置。
37. 前記間隙上に前記第１液浸空間が形成されないように、前記相対移動が行われる請求項３６に記載の露光装置。
38. 前記第２部材は、流体を吸引可能な吸引口を有し、
    前記メンテナンスの実行期間の少なくとも一部において前記吸引口からの吸引を行う請求項４〜３０のいずれか一項に記載の露光装置。
39. 前記吸引口は、前記第２液体回収口を含む請求項３８に記載の露光装置。
40. 前記第２部材の下方で移動可能なステージに設けられ、メンテナンス用流体を供給する供給口をさらに備え、
    前記メンテナンス用流体が、前記吸引口から回収される請求項３８又は３９に記載の露光装置。
41. 前記メンテナンス対象部材は、前記第２部材の下方で間隙を形成する部材、及び前記間隙の下方空間に面する部材の一方又は両方を含み、
    前記供給口は、前記間隙の下方空間に設けられている請求項４０に記載の露光装置。
42. 前記可動ステージは、前記基板をリリース可能に保持する基板保持部を有し、
    前記間隙は、前記メンテナンス用基板と前記基板保持部の周囲に配置されるカバー部材との間に形成される請求項４１に記載の露光装置。
43. 前記第１液浸空間が形成される前に、前記メンテナンスが行われる請求項４〜４２のいずれか一項記載の露光装置。
44. 前記第１液浸空間が形成されている状態で、前記メンテナンスが行われる請求項４〜４３のいずれか一項記載の露光装置。
45. 前記メンテナンスは、前記基板が露光される期間の少なくとも一部に行われる請求項４４記載の露光装置。
46. 前記第２部材に少なくとも一部に配置され、前記メンテナンス対象部材の静電気を除去可能な除電装置を備える請求項４〜４５のいずれか一項に記載の露光装置。
47. 前記除電装置は、前記メンテナンス対象部材にＸ線を照射する請求項４６に記載の露光装置。
48. 前記第２液浸空間が形成されている状態で、前記Ｘ線が照射される請求項４７に記載の露光装置。
49. 前記Ｘ線を射出する射出部が前記第２部材に配置されている請求項４７又は４８に記載の露光装置。
50. 前記第２部材に少なくとも一部が配置され、前記メンテナンス対象部材に紫外光を照射可能な照射装置を備える請求項４〜４９のいずれか一項に記載の露光装置。
51. 前記第２液浸空間が形成されている状態で、前記紫外光が照射される請求項５０に記載の露光装置。
52. 前記紫外光を射出する射出部が前記第２部材に配置されている請求項５０又は５１に記載の露光装置。
53. 前記第２部材に少なくとも一部が配置される撮像装置を備え、
    前記撮像装置を用いて、前記メンテナンス対象部材の画像を取得可能である請求項４〜５２のいずれか一項に記載の露光装置。
54. 前記第２部材を用いて前記メンテナンス対象部材のメンテナンスが行われた後、前記撮像装置によって前記メンテナンス対象部材の画像が取得される請求項５３に記載の露光装置。
55. 前記撮像装置の対物光学素子が前記第２部材に配置されている請求項５３又は５４に記載の露光装置。
56. 少なくとも一部が前記第２部材に配置され、前記メンテナス対象部材に接触可能な接触部材を有する請求項４〜５５のいずれか一項に記載の露光装置。
57. 前記接触部材は、ブラシを含む請求項５６に記載の露光装置。
58. 前記接触部材は、スポンジを含む請求項５６又は５７記載の露光装置。
59. 前記第２部材は、前記接触部材をリリース可能に保持する請求項５６〜５８のいずれか一項に記載の露光装置。
60. 前記メンテナンス対象部材は、前記第２部材を含む請求項４〜５９のいずれか一項に記載の露光装置。
61. 前記第２液体供給口からの前記第２液体の供給量及び前記第２液体回収口からの前記第２液体の回収量の一方又は両方が調整されることによって、前記第２液浸空間の大きさ、及び形状の一方または両方を変化させることによって、前記第２部材をクリーニングする請求項６０に記載の露光装置。
62. 前記光学部材、前記第１部材、及び前記第２部材が配置される空間を第１温度に調整するチャンバ装置と、
    前記第２部材の少なくとも一部に前記第１温度よりも低い第２温度の気体を供給し、 前記第２温度の気体の供給後、前記第２液体空間が形成され、
    前記第２液体回収口から前記第２液浸空間の前記第２液体が回収される請求項６０又は６１に記載の露光装置。
63. 前記第２温度の気体は、二酸化炭素を含む請求項６２に記載の露光装置。
64. 前記第１部材は、流体を供給する供給口を有し、
    前記第１部材の供給口から供給された前記流体を前記第２液体回収口から回収して、前記第２部材をクリーニングする請求項６０〜６３のいずれか一項に記載の露光装置。
65. 前記第２部材に電位をかける電力装置を備える請求項１〜６４のいずれか一項に記載の露光装置。
66. 前記第２部材と前記メンテナンス対象部材との間に前記第２液浸空間が形成されている状態で、前記電力装置は前記第２部材に電位をかける請求項６５に記載の露光装置。
67. 前記第２液体は、前記第１液体よりも電気伝導度が大きい請求項１又は２に記載の露光装置。
68. 前記第２液体は、前記第１液体よりも二酸化炭素を多く含む請求項１又は２に記載の露光装置。
69. 請求項１〜６８のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
70. 第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置におけるメンテナンス方法であって、
    前記露光装置は、
    前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
    前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、前記第１液体の前記第１液浸空間を形成する第１部材と、
    前記光路に対して前記第１部材の外側に配置され、前記第１液浸空間から離れて、第２液体の第２液浸空間を形成可能な第２部材と、を備え、
    前記第２部材を用いて、メンテナンスが行われるメンテナンス方法。
71. 第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置におけるメンテナンス方法であって、
    前記露光装置は、
    前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
    前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、前記第１液体の前記第１液浸空間を形成する第１部材と、
    前記光学部材、前記第１部材、及び前記光学部材の下方で移動可能な間隙を有する物体が配置される空間を形成するチャンバ装置と、を備え、
    前記空間において移動可能に配置され、前記間隙を介して前記間隙の下方空間に移動可能であるクリーニング部材で、前記間隙を形成する前記物体のエッジ、及び前記下方空間を形成する内面の少なくとも一つをクリーニングすること、を含むメンテナンス方法。
72. 第１液浸空間の第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置におけるメンテナンス方法であって、
    前記露光装置は、
    前記基板をリリース可能に保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に保持される前記基板の周囲に間隙を介して配置されるカバー部材と、を備え、
    前記基板保持部にメンテナンス用基板を保持させることと、
    前記メンテナンス用基板に設けられたクリーニング部材を、前記間隙の下方空間を形成する内面に接触させることと、を含むメンテナンス方法。
73. 請求項７０〜７２のいずれか一項に記載のメンテナンス方法でメンテナンスすることと、
    メンテナンスされた露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。

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