JP2012104584A - メンテナンス方法、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】露光不良の発生を抑制できるメンテナンス方法を提供する。
【解決手段】光学部材の射出面から射出される露光光で露光液体を介して露光基板を露光する露光装置のメンテナンス方法は、射出面が対向する位置に移動可能な基板ステージに配置され、露光基板をリリース可能に保持する第１保持部の周囲の少なくとも一部に形成される空間に第１液体を供給することと、空間に供給された第１液体の少なくとも一部を、空間に面する吸引口から吸引することと、第１保持部に物体が保持された状態で、光学部材と、物体及び物体の周囲の少なくとも一部に配置される所定部材の少なくとも一方との間に、第２液体で液浸空間を形成して、露光装置の少なくとも一部の温度調整を実行することと、を含む。
【選択図】図２

Description

本発明は、メンテナンス方法、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体に関する。

半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が使用される。露光装置は、基板を保持して移動可能な基板ステージを備え、その基板ステージに保持された基板を露光する。

米国特許出願公開第２００６／０１３２７３７号明細書

液浸露光装置において、例えば汚染されている基板ステージを使用し続けると、基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。

本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できるメンテナンス方法、及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、光学部材の射出面から射出される露光光で露光液体を介して露光基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、射出面が対向する位置に移動可能な基板ステージに配置され、露光基板をリリース可能に保持する第１保持部の周囲の少なくとも一部に形成される空間に第１液体を供給することと、空間に供給された第１液体の少なくとも一部を、空間に面する吸引口から吸引することと、第１保持部に物体が保持された状態で、光学部材と、物体及び物体の周囲の少なくとも一部に配置される所定部材の少なくとも一方との間に、第２液体で液浸空間を形成して、露光装置の少なくとも一部の温度調整を実行することと、を含むメンテナンス方法が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、第１の態様のメンテナンス方法で露光装置をメンテナンスすることと、メンテナンスされた露光装置で、露光液体を介して露光基板を露光することと、を含む露光方法が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、第２の態様の露光方法で露光基板を露光することと、露光された露光基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第４の態様に従えば、コンピュータに、光学部材の射出面から射出される露光光で露光液体を介して露光基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、射出面が対向する位置に移動可能な基板ステージに配置され、露光基板をリリース可能に保持する第１保持部の周囲の少なくとも一部に形成される空間に第１液体を供給することと、空間に供給された第１液体の少なくとも一部を、空間に面する吸引口から吸引することと、第１保持部に物体が保持された状態で、光学部材と、物体及び物体の周囲の少なくとも一部に配置される所定部材の少なくとも一方との間に、第２液体で液浸空間を形成して、露光装置の少なくとも一部の温度調整を実行することと、を実行させるプログラムが提供される。

本発明の第５の態様に従えば、第４の態様のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。

本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。

第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。 第１実施形態に係る基板ステージの一例を示す側断面図である。 第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す側断面図である。 第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示すフローチャートである。 第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す図である。 第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。 第１実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。 第１実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を示すフローチャートである。 第１実施形態に係る第１基板の一例を示す図である。 第１実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を説明するための図である。 第１実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を説明するための図である。 第１実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を説明するための図である。 第１実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を説明するための図である。 第１実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を説明するための図である。 第１実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を説明するための図である。 第１実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を説明するための図である。 第１実施形態に係る第２基板の一例を示す図である。 第１実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を説明するための図である。 第２実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を説明するための図である。 第２実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を説明するための図である。 第２実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を説明するための図である。 第３実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を説明するための図である。 第４実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を説明するための図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間とは、液体で満たされた部分（空間、領域）をいう。基板Ｐは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光される。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、及び欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置である。

図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材Ｃ（計測器）を搭載して移動可能な計測ステージ３と、マスクステージ１を移動する駆動システム４と、基板ステージ２を移動する駆動システム５と、計測ステージ３を移動する駆動システム６と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材７と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置８と、制御装置８に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置８Ｒとを備えている。記憶装置８Ｒは、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置８Ｒには、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。

マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光性の材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。

基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、露光光ＥＬの照射によってデバイスパターンが形成される露光基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。また、基板Ｐが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。

照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。

マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材９のガイド面９Ｇ上を移動可能である。駆動システム４は、ガイド面９Ｇ上でマスクステージ１を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、マスクステージ１に配置された可動子と、ベース部材９に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、マスクステージ１は、駆動システム４の作動により、ガイド面９Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸は、Ｚ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１０のガイド面１０Ｇ上を移動可能である。計測ステージ３は、計測部材Ｃを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１０のガイド面１０Ｇ上を移動可能である。

基板ステージ２を移動するための駆動システム５は、ガイド面１０Ｇ上で基板ステージ２を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、基板ステージ２に配置された可動子と、ベース部材１０に配置された固定子とを有する。同様に、計測ステージ３を移動するための駆動システム６は、平面モータを含み、計測ステージ３に配置された可動子と、ベース部材１０に配置された固定子とを有する。

本実施形態において、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置情報は、レーザ干渉計ユニット１１Ａ、１１Ｂを含む干渉計システム１１によって計測される。レーザ干渉計ユニット１１Ａは、マスクステージ１に配置された計測ミラー１Ｒを用いて、マスクステージ１の位置情報を計測可能である。レーザ干渉計ユニット１１Ｂは、基板ステージ２に配置された計測ミラー２Ｒ、及び計測ステージ３に配置された計測ミラー３Ｒを用いて、基板ステージ２及び計測ステージ３それぞれの位置情報を計測可能である。基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置８は、干渉計システム１１の計測結果に基づいて、駆動システム４，５，６を作動し、マスクステージ１（マスクＭ）、基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３(計測部材Ｃ）の位置制御を実行する。

液浸部材７は、投影光学系ＰＬの射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸部材７は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１２の近傍に配置されている。本実施形態においては、終端光学素子１２が、射出面１３を有する。終端光学素子１２の射出面１３から射出される露光光ＥＬで液体ＬＱを介して基板Ｐが露光される。

液浸部材７は、終端光学素子１２の近傍に配置される。本実施形態において、液浸部材７は、環状の部材であり、液浸部材７の少なくとも一部が、終端光学素子１２の周囲に配置される。また、本実施形態においては、液浸部材７は、射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路の周囲に配置される。

射出面１３は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する。本実施形態において、液浸空間ＬＳは、終端光学素子１２と、終端光学素子１２の射出面１３から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）に配置される物体との間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように形成される。本実施形態において、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、投影光学系ＰＬの像面側（終端光学素子１２の射出面１３側）において投影領域ＰＲに対して移動可能な物体を含む。また、本実施形態において、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、射出面１３が対向する位置に移動可能な物体を含む。本実施形態において、その物体は、基板ステージ２、基板ステージ２に保持された基板Ｐ、計測ステージ３、及び計測ステージ３に搭載された計測部材Ｃの少なくとも一つを含む。

本実施形態において、液浸部材７は、投影領域ＰＲに配置される物体と対向可能な下面１４を有する。物体は、下面１４が対向可能な位置に移動可能である。液浸部材７は、その物体との間で液体ＬＱを保持することができる。一方側の射出面１３及び下面１４と、他方側の物体の表面（上面）との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１２及び物体との間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。

本実施形態においては、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧの少なくとも一部は、液浸部材７の下面１４と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。

図２は、本実施形態に係る基板ステージ２の一例を示す側断面図である。本実施形態において、基板ステージ２は、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部３１と、第１保持部３１の周囲の少なくとも一部に形成される空間４０に面する吸引口４１とを備えている。

本実施形態において、基板ステージ２は、ベース部２Ｂを有する。第１保持部３１は、基板ステージ２のベース部２Ｂ上に配置される。

本実施形態において、第１保持部３１は、真空吸着機構を含み、基板Ｐをリリース可能に保持する。第１保持部３１は、基板Ｐの裏面（下面）を支持する支持面３１Ｓを有し、基板Ｐを支持面３１Ｓに吸着するように保持する。また、第１保持部３１は、基板Ｐとは異なる物体をリリース可能に保持することができる。

本実施形態において、第１保持部３１の真空吸着機構は、所謂、ピンチャック機構を含む。第１保持部３１は、第１周壁部（第１リム部）３１１と、第１周壁部３１１の内側に配置された複数のピン部３１２と、第１周壁部３１１の内側に配置され、気体を吸引可能な吸引口３１３とを有する。本実施形態において、第１周壁部３１１は、ベース部２Ｂの上面２ＢＴに設けられている。ピン部３１２は、第１周壁部３１１の内側において、ベース部２Ｂの上面２ＢＴに複数配置される。吸引口３１３は、第１周壁部３１１の内側において、ベース部２Ｂの上面２ＢＴに複数配置される。吸引口３１３は、複数のピン部３１２の間に配置される。吸引口３１３は、流路３１４を介して、気体を吸引可能な真空源等を含む吸引装置３１５に接続されている。吸引装置３１５が作動することによって、吸引口３１３は、その吸引口３１３の周囲の気体の少なくとも一部を吸引することができる。

本実施形態において、第１保持部３１の支持面３１Ｓは、第１周壁部３１１の上面３１１Ｓ、及びピン部３１２の上面３１２Ｓを含む。第１保持部３１で基板Ｐを保持する場合、制御装置８は、基板Ｐの裏面（下面）と第１保持部３１の支持面３１Ｓとが対向された状態で、吸引装置３１５を作動する。これにより、基板Ｐと第１周壁部３１１とベース部２Ｂの上面２ＢＴとによって形成される空間４２の気体が、吸引口３１３から吸引される。空間４２の気体が吸引口３１３から吸引されることによって、空間４２が負圧になり、基板Ｐが支持面３１Ｓの少なくとも一部に吸着されるように保持される。第１保持部３１から基板Ｐをリリースする場合、制御装置８は、吸引装置３１５の作動を停止する。これにより、基板Ｐを第１保持部３１からリリースすることができる。

本実施形態において、基板ステージ２は、例えば米国特許出願公開第２００７／０１７７１２５号明細書、米国特許出願公開第２００８／００４９２０９号明細書等に開示されているような、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部３１の周囲の少なくとも一部に配置され、カバー部材Ｔをリリース可能に保持する第２保持部３２を有する。本実施形態において、第２保持部３２は、第１保持部３１の周囲において、基板ステージ２のベース部２Ｂ上に配置される。

本実施形態において、カバー部材Ｔは、プレート状である。カバー部材Ｔは、基板Ｐを配置可能な開口ＴＫを有する。本実施形態において、開口ＴＫは、カバー部材Ｔのほぼ中央に配置される。

本実施形態において、第２保持部３２は、真空吸着機構を含み、カバー部材Ｔをリリース可能に保持する。第２保持部３２は、カバー部材Ｔの裏面（下面）を支持する支持面３２Ｓを有し、カバー部材Ｔを支持面３２Ｓに吸着するように保持する。

本実施形態において、第２保持部３２の真空吸着機構は、所謂、ピンチャック機構を含む。第２保持部３２は、第１周壁部３１１の周囲に配置された第２周壁部（第２リム部）３２２と、第２周壁部３２２の周囲に配置された第３周壁部（第３リム部）３２３と、第２周壁部３２２と第３周壁部３２３との間に配置された複数のピン部３２４と、第２周壁部３２２と第３周壁部３２３との間に配置され、気体を吸引可能な吸引口３２５とを有する。本実施形態において、第２周壁部３２２及び第３周壁部３２３は、ベース部２Ｂの上面２ＢＴに設けられている。ピン部３２４は、第２周壁部３２２と第３周壁部３２３との間において、ベース部２Ｂの上面２ＢＴに複数配置される。吸引口３２５は、第２周壁部３２２と第３周壁部３２３との間において、ベース部２Ｂの上面２ＢＴに複数配置される。吸引口３２５は、複数のピン部３２４の間に配置される。吸引口３２５は、流路３２６を介して、気体を吸引可能な真空源等を含む吸引装置３２７に接続されている。吸引装置３２７が作動することによって、吸引口３２５は、その吸引口３２５の周囲の気体の少なくとも一部を吸引することができる。

本実施形態において、第２保持部３２の支持面３２Ｓは、第２周壁部３２２の上面３２２Ｓ、第３周壁部３２３の上面３２３Ｓ、及びピン部３２４の上面３２４Ｓを含む。第２保持部３２でカバー部材Ｔを保持する場合、制御装置８は、カバー部材Ｔの裏面（下面）と第２保持部３２の支持面３２Ｓとが対向された状態で、吸引装置３２７を作動する。これにより、カバー部材Ｔと第２周壁部３２２と第３周壁部３２３とベース部２Ｂの上面２ＢＴとによって形成された空間４３の気体が、吸引口３２５から吸引される。空間４３の気体が吸引口３２５から吸引されることによって、空間４３が負圧になり、カバー部材Ｔが支持面３２Ｓの少なくとも一部に吸着されるように保持される。第２保持部３２からカバー部材Ｔをリリースする場合、制御装置８は、吸引装置３２７の作動を停止する。これにより、カバー部材Ｔを第２保持部３２からリリースすることができる。

本実施形態において、第１周壁部３１１、第２周壁部３２２、及び第３周壁部３２３のそれぞれは、ＸＹ平面内において、環状である。本実施形態において、基板Ｐは、円形である。第１周壁部３１１は、基板Ｐの外形（外縁の形状）に沿うように形成される。本実施形態において、ＸＹ平面内における第１周壁部３１１の形状は、円形の環状である。本実施形態において、カバー部材Ｔの開口ＴＫは、円形である。第２周壁部３２２は、カバー部材Ｔの開口ＴＫの形状（内縁の形状）に沿うように形成される。本実施形態において、ＸＹ平面内における第２周壁部３２２の形状は、円形の環状である。本実施形態において、カバー部材Ｔの外形（外縁の形状）は、四角形である。第３周壁部３２３は、カバー部材Ｔの外形（外縁の形状）に沿うように形成される。本実施形態において、ＸＹ平面内における第３周壁部３２３２の形状は、四角形の環状である。

なお、基板Ｐの外形が、例えば四角形でもよい。また、ＸＹ平面内における第１周壁部３１１の形状が、基板Ｐの外形に沿った四角形の環状でもよい。また、カバー部材Ｔの開口ＴＫが四角形でもよいし、ＸＹ平面内における第２周壁部３２２の形状が、開口ＴＫの形状に沿った四角形の環状でもよい。また、ＸＹ平面内における第３周壁部３２３の形状が、例えば円形の環状でもよい。

本実施形態において、基板Ｐが第１保持部３１に保持されている状態において、その基板Ｐの外縁部は、第１周壁部３１１の外側に張り出す。

本実施形態において、カバー部材Ｔが第２保持部３２に保持されている状態において、そのカバー部材Ｔの内縁部は、第２周壁部３２２の内側に張り出す。カバー部材Ｔの内縁部は、開口ＴＫを含み、その開口ＴＫに沿った環状の部分である。

なお、図２に示すように、本実施形態においては、カバー部材Ｔが第２保持部に保持されている状態において、そのカバー部材Ｔの外縁部は、第３周壁部３２３の外側に張り出していないが、張り出してもよい。

本実施形態において、第１保持部３１に保持された基板Ｐの側面と、第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの内側面とは、対向する。カバー部材Ｔの内側面は、開口ＴＫの内面である。本実施形態においては、第１保持部３１に保持された基板Ｐと、第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔとの間に、第１寸法を有するギャップＧ１が形成される。

吸引口４１は、第１保持部３１の周囲の少なくとも一部に形成される空間４０の流体を吸引可能である。流体は、気体及び液体の少なくとも一方を含む。本実施形態において、吸引口４１は、空間４０に面するように配置され、その空間４０の流体（気体及び液体の少なくとも一方）を吸引可能である。

本実施形態において、空間４０は、基板ステージ２の少なくとも一部に形成される。本実施形態において、空間４０は、第１保持部３１の第１周壁部３１１の周囲の空間を含む。

本実施形態において、空間４０は、第１保持部３１と、その第１保持部３１の周囲に配置された第２保持部３２との間に形成される空間を含む。本実施形態において、空間４０は、第１保持部３１の第１周壁部３１１と、第２保持部３２の第２周壁部３２２との間に形成される空間を含む。

本実施形態において、空間４０は、第１周壁部３１１の外面と、第２周壁部３２２の内面と、第１周壁部３１１と第２周壁部３２２との間のベース部２Ｂの上面２ＢＴと、第１保持部３１に保持された基板Ｐの外縁領域の下面と、第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの内縁領域の下面との間に形成される空間を含む。

本実施形態において、吸引口４０は、上方を向くように配置される。本実施形態において、吸引口４０は、第１周壁部３１１と第２周壁部３２２との間のベース部材２Ｂの上面２ＢＴに配置される。

本実施形態において、ＸＹ平面内において、空間４０は、環状である。また、本実施形態において、吸引口４１は、空間４０に複数配置される。本実施形態において、吸引口４１は、第１保持部３１（第１周壁部３１１）の周囲において、所定の間隔で配置される。本実施形態において、吸引口４１は、第１保持部３１（第１周壁部３１１）の周囲において、ほぼ等間隔で８箇所に配置される。なお、吸引口４１は、８つに限られず、９つ以上の複数でもよいし、７つ以下の複数でもよいし、１つでもよい。また、吸引口４１が複数配置される場合、それら複数の吸引口４１は、第１保持部３１（第１周壁部３１１）の周囲において、等間隔で配置されなくてもよい。すなわち、複数の吸引口４１が、不等間隔で配置されてもよい。

本実施形態において、吸引口４１は、ギャップＧ１の下方において、ギャップＧ１と対向するように、空間４０に面するように配置される。

なお、吸引口４１は、ギャップＧ１と対向しなくてもよい。なお、吸引口４１は、上方を向いていなくてもよい。また、吸引口４１が、ベース部２Ｂの上面２ＢＴとは異なる位置に配置されてもよい。例えば、吸引口４１が、第１周壁部３１１の外面の少なくとも一部に配置されてもよいし、第２周壁部３２２の内面の少なくとも一部に配置されてもよい。また、吸引口４１が、第１周壁部３１１の外面において、外側を向くように空間４０に面してもよいし、第２周壁部３２２の内面において、内側を向くように空間４０に面してもよい。

吸引口４１は、流路４２を介して、流体を吸引可能な真空源等を含む吸引装置４３に接続されている。吸引装置４３が作動することによって、吸引口４１は、空間４０の流体の少なくとも一部を吸引することができる。本実施形態において、吸引装置４３の動作は、制御装置８に制御される。吸引口４１から空間４０の流体を吸引する場合、制御装置８は、吸引装置４３を作動する。これにより、空間４０の流体が、吸引口４１から吸引される。また、吸引装置４３の作動が停止されることによって、吸引口４１からの吸引が停止される。

本実施形態において、第１保持部３１は、基板Ｐの表面（上面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。第２保持部３２は、カバー部材Ｔの上面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、カバー部材Ｔを保持する。本実施形態において、第１保持部３１に保持された基板Ｐの表面と第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの上面とは、ほぼ同一平面内に配置される（ほぼ面一である）。

なお、カバー部材Ｔの上面の少なくとも一部が、ＸＹ平面に対して非平行でもよい。例えば、カバー部材Ｔの上面の少なくとも一部が、ＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、第１保持部３１に保持された基板Ｐの表面に対して傾斜していてもよい。また、カバー部材Ｔの上面の少なくとも一部が曲面を含んでもよい。また、第１保持部３１に保持された基板Ｐの表面と第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの上面とは、同一平面内に配置されなくてもよい。例えば、第１保持部３１に保持された基板Ｐの上面が、第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの上面よりも＋Ｚ側に配置されてもよいし、−Ｚ側に配置されもよい。

以下の説明において、第２保持部３２に保持されたプレート部材Ｔの上面を適宜、基板ステージ２の上面、と称する。

なお、第２保持部３２が、カバー部材Ｔをリリース可能に保持しなくてもよい。すなわち、カバー部材Ｔが、第２保持部３２に固定されてもよい。また、カバー部材Ｔと基板ステージ２とが一体でもよい。

図３は、本実施形態に係る終端光学素子１２及び液浸部材７の近傍を示す側断面図である。なお、図３を用いる説明においては、射出面１３及び下面１４に対向する位置に基板Ｐが配置される場合を例にして説明するが、上述のように、基板ステージ２（カバー部材Ｔ）及び計測ステージ３（計測部材Ｃ）等、基板Ｐ以外の物体を配置することができる。

図３に示すように、液浸部材７は、射出面１３と対向する位置に開口７Ｋを有する。また、液浸部材７は、開口７Ｋの下端の周囲に配置され、基板Ｐが対向可能な下面２２と、開口７Ｋの上端の周囲に配置され、少なくとも一部が射出面１３と対向する上面２３とを有する。開口７Ｋは、上面２３と下面２２とを結ぶように形成される。射出面１３から射出された露光光ＥＬは、開口７Ｋを通過して、基板Ｐに照射可能である。

また、液浸部材７は、液体ＬＱを供給可能な供給口１５と、液体ＬＱを回収可能な回収口１６とを備えている。

供給口１３は、射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路Ｋに液体ＬＱを供給可能である。供給口１３は、終端光学素子１２の周囲の少なくとも一部に配置される。すなわち、供給口１３は、基板Ｐ（物体）の上方に配置される。供給口１３は、基板Ｐ（物体）の上方から、その基板Ｐ（物体）に液体ＬＱを供給可能である。

本実施形態において、供給口１５は、終端光学素子１２の近傍において、終端光学素子１２（又は光路Ｋ）に面するように配置される。本実施形態において、供給口１５は、終端光学素子１２の周囲に複数配置される。

なお、供給口１３の少なくとも一部が、終端光学素子１２の射出面１３と基板Ｐの表面との間の露光光ＥＬの光路Ｋの周囲の少なくとも一部に配置されてもよい。すなわち、供給口１３の少なくとも一部が、射出面１３よりも下方に配置されてもよい。

供給口１３から供給された液体ＬＱは、射出面１３と上面２３との間の空間を流れた後、開口７Ｋを介して、基板Ｐ上に供給される。

回収口１６は、液浸部材７の下面１４と対向する基板Ｐ上（物体上）の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。回収口１６は、終端光学素子１２の周囲の少なくとも一部に配置される。すなわち、回収口１６は、基板Ｐ（物体）の上方に配置される。回収口１６は、基板Ｐ（物体）の上方から、その基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。

本実施形態において、回収口１６は、露光光ＥＬが通過する開口７Ｋ（下面２２）の周囲の少なくとも一部に配置されている。回収口１６は、基板Ｐ（物体）の表面と対向する液浸部材７の所定位置に配置されている。

本実施形態において、液浸部材７は、下面２２の周囲の少なくとも一部に配置され、基板Ｐ（物体）が対向可能な開口部２４と、その開口部２４に配置された多孔部材１９とを有する。多孔部材１９は、複数の孔(openingsあるいはpores)を含む。なお、開口部２４に、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。

本実施形態において、多孔部材１９は、プレート状の部材である。本実施形態において、多孔部材１９は、基板Ｐ（物体）が対向可能な下面１９Ｂと、下面１９Ｂの反対方向を向く上面１９Ａと、下面１９Ｂと上面１９Ａとの結ぶ複数の孔１９Ｈとを有する。

本実施形態において、回収口１６は、多孔部材１９の孔１９Ｈを含む。本実施形態において、回収口１６は、孔１９Ｈの下端の開口を含む。液浸部材７は、回収口１６（多孔部材１９の孔１９Ｈ）を介して、基板Ｐ上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。

本実施形態において、液浸部材７の下面１４は、開口７Ｋの周囲に配置され、液体ＬＱを回収しない下面２２と、下面２２の周囲に配置された多孔部材１９の下面１９Ｂとを含む。

なお、回収口１６の少なくとも一部が、終端光学素子１２の射出面１３と基板Ｐの表面との間の露光光ＥＬの光路Ｋの周囲の少なくとも一部に配置されてもよい。すなわち、回収口１６の少なくとも一部が、射出面１３よりも下方に配置されてもよい。

なお、開口部２４に多孔部材が配置されなくてもよい。なお、開口部２４が液体ＬＱを回収可能な回収口として機能してもよい。

供給口１５は、流路１７を介して、液体供給装置１８と接続されている。液体供給装置１８は、供給する液体ＬＱの異物を除去するためのフィルタユニット、及び供給する液体ＬＱの温度を調整可能な温度調整装置１８Ｔを有し、クリーンで温度調整された液体ＬＱを送出可能である。流路１７は、液浸部材７の内部に形成された供給流路１７Ａ、及びその供給流路１７Ａと液体供給装置１８とを接続する供給管３３で形成される流路１７Ｂを含む。液体供給装置１８から送出された液体ＬＱは、流路１７を介して供給口１５に供給される。

回収口１６は、流路２０を介して、液体回収装置２１と接続されている。液体回収装置２１は、回収口１６を真空システムに接続可能であり、回収口１６を介して液体ＬＱを回収可能である。流路２０は、液浸部材７の内部に形成された回収流路２０Ａ、及びその回収流路２０Ａと液体回収装置２１とを接続する回収管３４で形成される流路２０Ｂを含む。本実施形態において、多孔部材１９は、多孔部材１９の上面１９Ａが回収流路２０Ａに面するように、開口部２４に配置される。回収口１６から回収された液体ＬＱは、流路２０を介して、液体回収装置２１に回収される。

本実施形態においては、制御装置８は、供給口１５からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口１６からの液体ＬＱの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子１２及び液浸部材７と、他方側の物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。

なお、液浸部材７として、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材（ノズル部材）を用いることができる。

次に、上述した露光装置ＥＸを用いるシーケンスの一例について説明する。本実施形態においては、図４に示すフローチャートのように、基板Ｐの露光処理、計測処理、及び基板Ｐの交換処理等を含む露光シーケンス（ステップＳＰ１）と、露光装置ＥＸの少なくとも一部をメンテナンスするメンテナンスシーケンス（ステップＳＰ２）とが実行される。

まず、露光シーケンス（ステップＳＰ１）の一例について説明する。

図５に示すように、制御装置８は、露光前の基板Ｐを第１保持部３１に搬入（ロード）するために、基板ステージ２を基板交換位置ＲＰに移動する。基板交換位置ＲＰは、終端光学素子１２及び液浸部材７と対向する位置（露光位置ＥＰ）とは離れた位置である。制御装置８は、基板交換位置ＲＰに基板ステージ２を移動した後、基板搬送装置（不図示）を用いて、露光前の基板Ｐを第１保持部３１に搬入（ロード）する。なお、第１保持部３１に露光後の基板Ｐが保持されている場合、その基板Ｐが第１保持部３１から搬出（アンロード）された後、露光前の基板Ｐが第１保持部３１に搬入（ロード）される。

以下の説明において、基板交換位置ＲＰにおいて、露光前の基板Ｐを第１保持部３１に搬入する処理、及び露光後の基板Ｐを第１保持部３１から搬出する処理を適宜、基板交換処理、と称する。

基板交換処理が実行されているとき、露光位置ＥＰに計測ステージ３が配置される。制御装置８は、必要に応じて、計測ステージ３（計測部材Ｃ、計測器）を用いて、所定の計測処理を実行する。露光前の基板Ｐが第１保持部３１にロードされ、計測ステージ３を用いる計測処理が終了した後、制御装置８は、基板ステージ２を露光位置ＥＰに移動して、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成する。終端光学素子１２及び液浸部材７と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成された後、制御装置８は、基板Ｐの露光処理を開始する。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置８は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、基板Ｐが液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して基板Ｐに投影される。

図６は、第１保持部３１（基板ステージ２）に保持された基板Ｐの一例を示す図である。図６に示すように、本実施形態においては、基板Ｐ上に露光対象領域であるショット領域Ｓがマトリクス状に複数配置されている。制御装置８は、基板Ｐ上に定められた複数のショット領域Ｓを順次露光する。

基板Ｐのショット領域Ｓを露光するとき、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板Ｐとが対向され、終端光学素子１２と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。例えば基板Ｐ上の第１のショット領域Ｓを露光するために、制御装置８は、その第１のショット領域Ｓを露光開始位置に移動する。制御装置８は、液浸空間ＬＳが形成された状態で、第１のショット領域Ｓ（基板Ｐ）を投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動しながら、その第１のショット領域Ｓに対して露光光ＥＬを照射する。

第１のショット領域Ｓの露光が終了した後、次の第２のショット領域Ｓを露光するために、制御装置８は、液浸空間ＬＳが形成された状態で、基板ＰをＸ軸方向（あるいはＸＹ平面内においてＸ軸方向に対して傾斜する方向）に移動し、第２のショット領域Ｓを露光開始位置に移動する。制御装置８は、第１のショット領域Ｓと同様に、第２のショット領域Ｓを露光する。

制御装置８は、投影領域ＰＲに対してショット領域ＳをＹ軸方向に移動しながらそのショット領域Ｓに露光光ＥＬを照射する動作（スキャン露光動作）と、そのショット領域Ｓの露光が終了した後、次のショット領域Ｓを露光開始位置に移動するための動作（ステッピング動作）とを繰り返しながら、基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓを、投影光学系ＰＬ及び液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して順次露光する。

本実施形態において、制御装置８は、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲと基板Ｐとが、図６中、矢印Ｒ１に示す移動軌跡に沿って相対的に移動するように基板ステージ２を移動しつつ投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射して、液体ＬＱを介して基板Ｐの複数のショット領域Ｓを露光光ＥＬで順次露光する。基板Ｐの露光における基板ステージ２の移動中の少なくとも一部において、液浸空間ＬＳは、ギャップＧ１上に形成される。

図７は、露光時におけるギャップＧ１の近傍を拡大した断面図である。図７に示すように、本実施形態において、基板Ｐは、基材Ｗと、基材Ｗ上に形成された膜Ｆｐとを有する。本実施形態において、基材Ｗは、シリコンウエハを含む。膜Ｆｐは、複数の膜Ｆｐ１、Ｆｐ２、Ｆｐ３を含む多層膜である。膜Ｆｐ１は、基材Ｗ上に形成される。膜Ｆｐ２は、膜Ｆｐ１上に形成される。膜Ｆｐ３は、膜Ｆｐ２上に形成される。本実施形態において、膜Ｆｐ１は、例えば反射防止膜である。なお、膜Ｆｐ１が、例えばＨＳＤＳ膜でもよい。膜Ｆｐ２は、感光膜である。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。膜Ｆｐ３は、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）である。

図７に示すように、本実施形態において、射出面１３及び下面１４と対向可能な基板Ｐの上面は、膜Ｆｐ３の表面によって形成される。また、本実施形態において、カバー部材Ｔの内側面と対向可能な基板Ｐの側面は、膜Ｆｐ３の表面によって形成される。本実施形態において、膜Ｆｐ３は、例えばフッ素を含む材料で形成される。

本実施形態において、膜Ｆｐ３は、液体ＬＱに対して撥液性である。液体ＬＱに対する膜Ｆｐ３の表面の接触角は、９０度以上である。なお、液体ＬＱに対する膜Ｆｐ３の表面の接触角が、１００度以上でもよいし、１１０度以上でもよいし、１２０度以上でもよい。

図７に示すように、本実施形態において、カバー部材Ｔは、基材Ｗｔと、基材Ｗｔ上に形成された膜Ｆｔとを有する。本実施形態において、射出面１３及び下面１４と対向可能なカバー部材Ｔの上面（基板ステージ２の上面）は、膜Ｆｔの表面によって形成される。また、本実施形態において、基板Ｐの側面と対向可能なカバー部材Ｔの内側面は、膜Ｆｔの表面によって形成される。本実施形態において、膜Ｆｔは、例えばフッ素を含む材料で形成される。

本実施形態において、膜Ｆｔは、液体ＬＱに対して撥液性である。液体ＬＱに対する膜Ｆｔの表面の接触角は、９０度以上である。なお、液体ＬＱに対する膜Ｆｔの表面の接触角が、１００度以上でもよいし、１１０度以上でもよいし、１２０度以上でもよい。

すなわち、本実施形態において、ギャップＧ１は、液体ＬＱに対して撥液性の膜Ｆｐ３と膜Ｆｔとの間に形成される。これにより、基板Ｐの露光において、ギャップＧ１上に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成された状態において、その液浸空間ＬＳの液体ＬＱが、ギャップＧ１を介して空間４０に流入することが抑制される。また、本実施形態おいては、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが、ギャップＧ１を介して空間４０に流入することが抑制されるように、ギャップＧ１の第１寸法が定められている。

基板Ｐの露光が終了した後、制御装置８は、基板交換処理を実行するために、基板ステージ２を基板交換位置ＲＰに移動する。制御装置８は、露光後の基板Ｐを第１保持部３１から搬出し、露光前の基板Ｐを第１保持部３１に搬入する基板交換処理を実行した後、基板ステージ２を露光位置ＥＰに移動する。制御装置８は、露光位置に移動された基板ステージ２（第１保持部３１）に保持されている基板Ｐの露光を開始する。以下、同様の処理が繰り返され、複数の基板Ｐが順次露光される。

本実施形態においては、基板Ｐの露光処理を含む露光シーケンスにおいて、吸引口４１の吸引動作は停止される。なお、露光シーケンスの少なくとも一部において、吸引口４１の吸引動作が実行されてもよい。例えば、ステッピング動作中に、吸引口４１の吸引動作が実行されてもよい。あるいは、基板Ｐの露光後、基板ステージ２が露光位置ＥＰから基板交換位置ＲＰまで移動する間に、吸引口４１の吸引動作が実行されてもよい。なお、基板交換位置ＲＰにおける基板交換処理中に、吸引口４１の吸引動作が実行されてもよい。なお、基板交換処理後、基板ステージ２が基板交換位置ＲＰから露光位置ＥＰまで移動する間に、吸引口４１の吸引動作が実行されてもよい。

ところで、基板ステージ２の空間４０が汚染される可能性がある。例えば、基板Ｐの露光の少なくとも一部において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの少なくとも一部が、ギャップＧ１を介して、空間４０に流入する可能性がある。その液体ＬＱによって、空間４０の少なくとも一部が汚染される可能性がある。

例えば、基板Ｐの露光中、例えば基板Ｐから発生（溶出）した物質（例えば感光材等の有機物）が、異物（汚染物、パーティクル）として液浸空間ＬＳの液体ＬＱ中に混入する可能性がある。また、基板Ｐから発生する物質のみならず、例えば空中を浮遊する異物が、液浸空間ＬＳの液体ＬＱに混入する可能性もある。基板Ｐの露光の少なくとも一部において、基板Ｐの表面と接触した液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、ギャップＧ１上に形成される。ギャップＧ１上に形成された液浸空間ＬＳの液体ＬＱの少なくとも一部が、空間４０に流入する可能性がある。汚染された液体ＬＱが空間４０に流入し、その空間４０の少なくとも一部を規定する空間４０の内面と接触すると、その空間４０の内面が汚染される可能性がある。

なお、本実施形態において、空間４０の少なくとも一部を規定する空間４０の内面は、第１保持部３１の表面、第２保持部３２の表面、及び第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの表面の少なくとも一部を含む。具体的には、空間４０の内面は、第１保持部３１の第１周壁部３１１の外面、第２保持部３２の第２周壁部３２２の内面、及び第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの内縁の下面の少なくとも一部を含む。また、空間４０の内面は、第１保持部３１と第２保持部３２との間のベース部２Ｂの上面２ＢＴを含む。

空間４０が汚染されている状態を放置しておくと、例えば基板Ｐの露光中に、空間４０に存在する汚染物が、ギャップＧ１上に放出され、基板Ｐに付着したり、液浸空間ＬＳの液体ＬＱに混入したりする可能性がある。その結果、基板Ｐに形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。

また、例えば基板Ｐの露光の少なくとも一部において、ギャップＧ１を介して汚染されていない（クリーンな）液体ＬＱが空間４０に流入した場合でも、その液体ＬＱが空間４０に留まり、空間４０において淀むことによって、その空間４０の液体ＬＱの汚染度が高くなる可能性がある。例えば、空間４０にクリーンな液体ＬＱが流入した場合でも、その液体ＬＱが空間４０に留まり、空間４０において淀むことによって、バクテリアが発生する等、汚染度が高くなる可能性がある。その空間４０の液体ＬＱが、例えば基板Ｐの露光中にギャップＧ１上に放出され、基板Ｐに付着したり、液浸空間ＬＳの液体ＬＱに混入したりすると、露光不良が発生する可能性がある。

そこで、本実施形態においては、所定のタイミングで、基板ステージ２を含む露光装置ＥＸのメンテナンスシーケンスが実行される。

本実施形態において、メンテナンスシーケンスは、空間４０の内面の少なくとも一部をクリーニングする処理を含む。また、本実施形態において、基板ステージ２のメンテナンスシーケンスは、空間４０に存在する（留まっている）液体ＬＱを排出する処理を含む。

以下、本実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例について説明する。図８に示すフローチャートのように、本実施形態のメンテナンスシーケンスは、空間４０に第１液体ＬＱ１を供給する処理（ステップＳＡ１）と、その空間４０に供給された第１液体ＬＱ１の少なくとも一部を、空間４０に面する吸引口４１から吸引する処理（ステップＳＡ２）と、第１保持部３１に物体が保持された状態で、終端光学素子１２と、第１保持部３１に保持された物体及びその物体の周囲の少なくとも一部に配置されるカバー部材Ｔ（基板ステージ２）の少なくとも一方との間に、第２液体ＬＱ２で液浸空間ＬＳ２を形成して、露光装置ＥＸの少なくとも一部の温度調整を実行する処理（ステップＳＡ３）と、を含む。

本実施形態においては、第１液体ＬＱ１及び第２液体ＬＱ２として、基板Ｐの露光に使用される液体ＬＱを用いる。

メンテナンスシーケンスにおいて、まず、空間４０に第１液体ＬＱ１を供給する処理が実行される（ステップＳＡ１）。本実施形態においては、第１保持部３１に物体が保持された状態で、空間４０に第１液体ＬＱ１が供給される。本実施形態においては、第１液体ＬＱ１は、供給口１５から供給される。供給口１５からの第１液体ＬＱ１の少なくとも一部が、空間４０に供給される。

本実施形態においては、第１保持部３１に第１基板ＤＰ１が保持された状態で、空間４０に第１液体ＬＱ１が供給される。すなわち、本実施形態においては、空間４０に対する第１液体ＬＱ１の供給において、第１保持部３１に第１基板ＤＰ１が保持される。

図９（Ａ）は、第１基板ＤＰ１を示す側断面図、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）の一部を拡大した図である。

第１基板ＤＰ１は、異物を放出し難く、高いクリーン度を有する（クリーンな）部材である。第１基板ＤＰ１は、少なくとも基板Ｐより異物を放出し難い。第１保持部３１は、第１基板ＤＰ１を保持可能である。

図９に示すように、第１基板ＤＰ１は、基材Ｗｄ１と、基材Ｗｄ１上に形成された膜Ｆｄ１とを含む。第１基板ＤＰ１は、感光膜を含まない。すなわち、第１基板ＤＰ１の基材Ｗｄ１上には、感光膜がない。

本実施形態において、膜Ｆｄ１は、第１液体ＬＱ１に対して撥液性である。第１液体ＬＱ１に対する膜Ｆｄ１の表面の接触角は、９０度以上である。なお、第１液体ＬＱ１に対する膜Ｆｄ１の表面の接触角が、１００度以上でもよいし、１１０度以上でもよいし、１２０度以上でもよい。

本実施形態において、基材Ｗｄ１は、第１液体ＬＱ１に対して親液性である。第１液体ＬＱ１に対する基材Ｗｄ１の表面の接触角は、９０度よりも小さい。なお、第１液体ＬＱ１に対する基材Ｗｄ１の表面の接触角が、８０度以下でもよいし、７０度以下でもよい。

すなわち、本実施形態において、第１液体ＬＱ１に対する基材Ｗｄ１の表面の接触角は、第１液体ＬＱ１に対する膜Ｆｄ１の表面の接触角よりも小さい。

本実施形態において、基材Ｗｄ１は、シリコンウエハを含む。本実施形態において、基材Ｗｄ１は、所謂、ベアウエハである。

本実施形態において、膜Ｆｄ１は、例えばフッ素を含む材料で形成される。膜Ｆｄ１は、例えばＰＦＡ（Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer）、ＰＴＦＥ（Poly tetra fluoro ethylene）、ＰＥＥＫ（polyetheretherketone）、及びテフロン（登録商標）の少なくとも一つで形成可能である。

なお、膜Ｆｄ１が、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、及びシリコン樹脂の少なくとも一つを含んでもよい。また、膜Ｆｄ１が、カーボン、ダイヤモンド・ライク・カーボン等の有機材料を含んでもよい。

なお、基材Ｗｄ１と膜Ｆｄ１との間に、膜Ｆｄ１とは異なる膜が配置されてもよい。例えば、基材Ｗｄ１と膜Ｆｄ１との間に、珪素化合物を含む膜が配置されてもよい。例えば、基材Ｗｄ１と膜Ｆｄ１との間に、二酸化珪素（ＳｉＯ_２）を含む膜が配置されてもよい。また、基材Ｗｄ１と膜Ｆｄ１との間に、窒化珪素を含む膜が配置されてもよいし、フッ化珪素を含む膜が配置されてもよいし、ポリシリコンを含む膜が配置されてもよい。

本実施形態において、射出面１３及び下面１４と対向可能な第１基板ＤＰ１の上面の中央領域は、膜Ｆｄ１の表面によって形成される。本実施形態において、第１基板ＤＰ１の上面の周縁領域、及び第１基板ＤＰ１の側面は、基材Ｗｄ１の表面によって形成される。なお、本実施形態において、第１基板ＰＤ１の上面の周縁領域は、輪帯状である。また、上面の中央領域とは、上面の周縁領域の内側の領域をいう。また、第１基板ＤＰ１の下面は、基材Ｗｄ１の表面によって形成される。

すなわち、本実施形態においては、射出面１３及び下面１４が対向可能な第１基板ＤＰ１の上面の周縁領域の第１液体ＬＱ１に対する接触角、及び第１基板ＤＰ１の側面の第１液体ＬＱ１に対する接触角は、第１基板ＤＰ１の上面の中央領域の第１液体ＬＱ１に対する接触角よりも小さい。換言すれば、第１基板ＤＰ１の上面の中央領域の第１液体ＬＱ１に対する接触角は、第１基板ＤＰ１の上面の周縁領域の第１液体ＬＱ１に対する接触角、及び第１基板ＤＰ１の側面の第１液体ＬＱ１に対する接触角よりも大きい。

また、本実施形態においては、図７等を参照して説明したように、基板Ｐの側面は、液体ＬＱ（第１液体ＬＱ１）に対して撥液性の膜Ｆｐ３の表面によって形成される。本実施形態おいて、第１基板ＤＰ１の上面の周縁領域の第１液体ＬＱ１に対する接触角、及び第１基板ＤＰ１の側面の第１液体ＬＱ１に対する接触角は、基板Ｐの側面の第１液体ＬＱ１に対する接触角よりも小さい。

本実施形態において、第１基板ＤＰ１と基板Ｐとは、相似形である。本実施形態においては、第１基板ＤＰ１は、円形である。なお、基板Ｐが例えば四角形である場合、第１基板ＤＰ１は、四角形でもよい。

本実施形態において、第１基板ＤＰ１の寸法は、基板Ｐの寸法よりも小さい。本実施形態において、第１基板ＤＰ１の直径は、基板Ｐの直径よりも小さい。

図１０は、第１保持部３１に第１基板ＤＰ１が保持された状態で、空間４０に第１液体ＬＱ１が供給される状態の一例を示す図である。

図１０に示すように、本実施形態において、第１保持部３１に保持された第１基板ＤＰ１の側面と、第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの内側面とは、対向する。本実施形態においては、第１保持部３１に保持された第１基板Ｐ１と、第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔとの間に、第２寸法を有するギャップＧ２が形成される。

本実施形態においては、第１保持部３１に保持された第１基板ＤＰ１と、第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔとの間のギャップＧ２を介して、空間４０に第１液体ＬＱ１が供給される。

本実施形態においては、第１保持部３１に第１基板ＤＰ１が保持された状態で、供給口１５から供給された第１液体ＬＱ１で液浸空間ＬＳ１が形成される。第１液体ＬＱ１で液浸空間ＬＳ１を形成する場合、制御装置８は、終端光学素子１２及び液浸部材７と、第１基板ＤＰ１及びカバー部材Ｔ（基板ステージ２）の少なくとも一方とを対向させた状態で、供給口１５から第１液体ＬＱ１を供給するとともに、回収口１６から第１液体ＬＱ１を回収する。これにより、終端光学素子１２及び液浸部材７と、第１基板ＤＰ１及びカバー部材Ｔの少なくとも一方との間に、第１液体ＬＱ１で液浸空間ＬＳ１が形成される。

本実施形態においては、液浸空間ＬＳ１の第１液体ＬＱ１の少なくとも一部が、ギャップＧ２を介して空間４０に供給される。図１０に示すように、制御装置８は、ギャップＧ２上に液浸空間ＬＳ１が形成されるように、終端光学素子１２及び液浸部材７に対する基板ステージ２（第１基板ＤＰ１、カバー部材Ｔ）の位置を調整する。

これにより、液浸空間ＬＳ１の第１液体ＬＱ１の少なくとも一部が、ギャップＧ２を介して空間４０に供給される。

本実施形態においては、ギャップＧ２を形成する第１基板ＤＰ１の側面が、第１液体ＬＱ１に対して親液性である。また、第１基板ＤＰ１の上面の周縁領域も、第１液体ＬＱ１に対して親液性である。したがって、ギャップＧ２上に形成された液浸空間ＬＳ１の第１液体ＬＱ１は、ギャップＧ２を介して、空間４０に円滑に流入することができる。

また、本実施形態においては、第１基板ＤＰ１の大きさ（寸法）は、基板Ｐの大きさ（寸法）よりも小さい。ギャップＧ２の第２寸法は、ギャップＧ１の第１寸法よりも大きい。したがって、ギャップＧ２上に形成された液浸空間ＬＳ１の第１液体ＬＱ１は、ギャップＧ２を介して、空間４０に円滑に流入することができる。

なお、ギャップＧ２の第２寸法は、ギャップＧ１の第１寸法とほぼ同じでもよいし、小さくてもよい。例えば、第１基板ＤＰ１の側面の第１液体ＬＱ１に対する接触角を十分に小さくすることによって、ギャップＧ２上の第１液体ＬＱ１がギャップＧ２を介して空間４０に流入可能であれば、ギャップＧ２の第２寸法は、任意に定めることができる。

なお、例えば第１基板ＤＰ１の側面の第１液体ＬＱ１に対する接触角が、基板Ｐの側面の第１液体ＬＱ１に対する接触角とほぼ同じでもよいし、大きくてもよい。例えば、ギャップＧ２の第２寸法を十分に大きくすることによって、ギャップＧ２上の第１液体ＬＱ１がギャップＧ２を介して空間４０に流入可能であれば、第１基板ＤＰ１の側面の第１液体ＬＱ１に対する接触角は、任意に定めることができる。

制御装置８は、空間４０に供給された第１液体ＬＱ１の少なくとも一部を、吸引口４１から吸引する（ステッＳＡ２）。

本実施形態においては、制御装置８は、ギャップＧ２上に第１液体ＬＱ１で液浸空間ＬＳ１が形成された状態で、吸引口４１の吸引動作を実行する。

これにより、ギャップＧ２上からギャップＧ２を介して空間４０に供給された第１液体ＬＱ１は、吸引口４０から吸引される。

また、ギャップＧ２上に第１液体ＬＱ１で液浸空間ＬＳ１が形成された状態で、吸引口４０の吸引動作が実行されることによって、その吸引動作中、空間４０に対して、第１液体ＬＱ１が供給され続ける。また、空間４０において第１液体ＬＱ１の流れが生成される。例えば、第１液体ＬＱ１の少なくとも一部は、空間４０を規定する内面に沿って流れる。本実施形態においては、液浸空間ＬＳ１を形成するために供給口１５から第１液体ＬＱ１供給され続けるため、空間４０には、供給口１５から供給されたクリーンな第１液体ＬＱ１が供給される。

空間４０に供給された第１液体ＬＱ１によって、空間４０を規定する内面がクリーニングされる。例えば、空間４０の内面に存在する汚染物は、第１液体ＬＱ１とともに、吸引口４１から吸引される。これにより、空間４０の汚染物は、その空間４０から排出される。

また、上述したように、基板Ｐの露光の少なくとも一部においてギャップＧ１を介して空間４０に流入した液体ＬＱが、空間４０において淀んでいる可能性がある。本実施形態においては、ギャップＧ２を介して空間４０に供給された第１液体ＬＱ１を吸引口４１が吸引することによって、その空間４０に存在する液体ＬＱの少なくとも一部は、第１液体ＬＱ１とともに、吸引口４１から吸引される。これにより、空間４０に存在する液体ＬＱは、その空間４０から排出される。

本実施形態においては、制御装置８は、第１液体ＬＱ１で液浸空間ＬＳ１が形成された状態で、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して、基板ステージ２をＸＹ平面内において移動する。

上述のように、本実施形態において、空間４０は、ＸＹ平面内において環状である。制御装置８は、空間４０の複数の部分のそれぞれに、ギャップＧ２を介して第１液体ＬＱ１が供給されるように、所定の移動条件で基板ステージ２を移動する。

図１１〜図１６は、液浸空間ＬＳ１が形成された状態で基板ステージ２が移動されるときの移動条件の一例を示す模式図である。図１１〜図１６に示すように、制御装置８は、ギャップＧ２の複数の部分の上に液浸空間ＬＳ１が形成されるように、基板ステージ２を移動する。例えば、制御装置８は、第１基板ＤＰ１上に形成されている液浸空間ＬＳ１が、ギャップＧ２上を通過して、カバー部材Ｔ上に形成されるように、基板ステージ２を移動する。また、制御装置８は、カバー部材Ｔ上に形成されている液浸空間ＬＳ１が、ギャップＧ２上を通過して、第１基板ＤＰ１上に形成されるように、基板ステージ２を移動する。また、制御装置８は、ギャップＧ２の全部の上を液浸空間ＬＳ１が通過するように、基板ステージ２を移動する。これにより、第１液体ＬＱ１が空間４０の全体に行き渡るように、ギャップＧ２を介して空間４０に第１液体ＬＱ１が供給される。

例えば図１１に示すように、制御装置８は、液浸空間ＬＳ１が、第１基板ＤＰ１及びカバー部材Ｔ（基板ステージ２）の上面において、図１１中、矢印Ｒ２で示す移動軌跡によって移動するように、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して、第１基板ＤＰ１を保持した基板ステージ２を移動してもよい。

図１１に示す例では、制御装置８は、液浸空間ＬＳ１が形成された状態で、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して、基板ステージ２を、Ｙ軸方向に関して第１速度で往復移動させつつ、Ｘ軸方向に関して第１速度よりも低い第２速度で移動する。図１１に示す例では、Ｙ軸方向に関する基板ステージ２の１回の往復移動のうち、第１基板ＤＰ１の中心に対して＋Ｙ側（又は−Ｙ側）から−Ｙ側（又は＋Ｙ側）へ移動するときの移動距離は、第１基板ＤＰ１の寸法よりも長い。

図１１に示すように、液浸空間ＬＳ１は、環状のギャップＧ２のほぼ全部の上を通過する。これにより、第１液体ＬＱ１は、空間４０の全体に円滑に行き渡ることができる。

また、制御装置８は、例えば図１２に示すように、液浸空間ＬＳ１が、第１基板ＤＰ１及びカバー部材Ｔ（基板ステージ２）の上面において、図１２中、矢印Ｒ３で示す移動軌跡によって移動するように、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して、第１基板ＤＰ１を保持した基板ステージ２を移動してもよい。

図１２に示す例では、制御装置８は、液浸空間ＬＳ１が形成された状態で、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して、基板ステージ２を、Ｘ軸方向に関して第３速度で往復移動させつつ、Ｙ軸方向に関して第３速度よりも低い第４速度で移動する。図１２に示す例では、Ｘ軸方向に関する基板ステージ２の１回の往復移動のうち、第１基板ＤＰ１の中心に対して＋Ｘ側（又は−Ｘ側）から−Ｘ側（又は＋Ｘ側）へ移動するときの移動距離は、第１基板ＤＰ１の寸法よりも長い。

図１２に示す例においても、液浸空間ＬＳ１は、環状のギャップＧ２のほぼ全部の上を通過する。これにより、第１液体ＬＱ１は、空間４０の全体に円滑に行き渡ることができる。

また、制御装置８は、例えば図１３に示すように、液浸空間ＬＳ１が、第１基板ＤＰ１及びカバー部材Ｔ（基板ステージ２）の上面において、図１３中、矢印Ｒ４で示す移動軌跡によって移動するように、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して、第１基板ＤＰ１を保持した基板ステージ２を移動してもよい。

図１３に示す例では、制御装置８は、液浸空間ＬＳ１が形成された状態で、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して、基板ステージ２を、Ｙ軸方向に関して第５速度で往復移動させつつ、Ｘ軸方向に関して第５速度よりも低い第６速度で移動した後、Ｘ軸方向に関して第７速度で往復移動させつつ、Ｙ軸方向に関して第７速度よりも低い第８速度で移動する。図１３に示す例では、Ｙ軸方向に関する基板ステージ２の１回の往復移動のうち、第１基板ＤＰ１の中心に対して＋Ｙ側（又は−Ｙ側）から−Ｙ側（又は＋Ｙ側）へ移動するときの移動距離は、第１基板ＤＰ１の寸法よりも長い。また、Ｘ軸方向に関する基板ステージ２の１回の往復移動のうち、第１基板ＤＰ１の中心に対して＋Ｘ側（又は−Ｘ側）から−Ｘ側（又は＋Ｘ側）へ移動するときの移動距離は、第１基板ＤＰ１の寸法よりも長い。

図１３に示す例においても、液浸空間ＬＳ１は、環状のギャップＧ２のほぼ全部の上を通過する。これにより、第１液体ＬＱ１は、空間４０の全体に円滑に行き渡ることができる。

また、制御装置８は、例えば図１４に示すように、液浸空間ＬＳ１が、第１基板ＤＰ１及びカバー部材Ｔ（基板ステージ２）の上面において、図１４中、矢印Ｒ５で示す移動軌跡によって移動するように、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して、第１基板ＤＰ１を保持した基板ステージ２を移動してもよい。

図１４に示す例では、制御装置８は、液浸空間ＬＳ１がギャップＧ２上においてギャップＧ２に沿って移動するように、液浸空間ＬＳ１が形成された状態で、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して、基板ステージ２を移動する。

図１４に示す例においても、液浸空間ＬＳ１は、環状のギャップＧ２のほぼ全部の上を通過する。これにより、第１液体ＬＱ１は、空間４０の全体に円滑に行き渡ることができる。

なお、制御装置８は、例えば図１５に示すように、液浸空間ＬＳ１が、第１基板ＤＰ１及びカバー部材Ｔ（基板ステージ２）の上面において、図１５中、矢印Ｒ６で示す移動軌跡によって移動するように、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して、第１基板ＤＰ１を保持した基板ステージ２を移動してもよい。図１５に示す例においても、第１液体ＬＱ１は、空間４０の全体に円滑に行き渡ることができる。

また、制御装置８は、例えば図１６に示すように、液浸空間ＬＳ１が、第１基板ＤＰ１及びカバー部材Ｔ（基板ステージ２）の上面において、図１６中、矢印Ｒ７で示す移動軌跡によって移動するように、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して、第１基板ＤＰ１を保持した基板ステージ２を移動してもよい。図１６に示す例においても、第１液体ＬＱ１は、空間４０の全体に円滑に行き渡ることができる。

第１液体ＬＱ１が空間４０に供給され、その空間４０の第１液体ＬＱ１を吸引口４１から吸引する動作が所定時間実行された後、空間４０に対する第１液体ＬＱ１の供給を停止するために、制御装置８は、ギャップＧ２上から液浸空間ＬＳ１を退かす処理を実行する。制御装置８は、例えば、液浸空間ＬＳ１がギャップＧ２上に配置されず、カバー部材Ｔ上に配置されるように、基板ステージ２の位置を調整する。なお、制御装置８は、液浸空間ＬＳ１がギャップＧ２上に配置されず、例えば計測ステージ３上に配置されるように、基板ステージ２及び計測ステージ３の位置を調整してもよい。液浸空間ＬＳ１がギャップＧ２上から退いた後、制御装置８は、空間４０の第１液体ＬＱ１が無くなるまで、吸引口４１の吸引動作を実行する。

空間４０の第１液体ＬＱ１が吸引口４１から吸引され、空間４０の第１液体ＬＱ１が無くなった後、制御装置８は、第１保持部３１に物体が保持された状態で、終端光学素子１２と、第１保持部３１に保持された物体及びその物体の周囲の少なくとも一部に配置されるカバー部材Ｔ（基板ステージ２）の少なくとも一方との間に、第２液体ＬＱ２で液浸空間ＬＳ２を形成して、露光装置ＥＸの少なくとも一部の温度調整を実行する処理（ステップＳＡ３）を開始する。

本実施形態においては、第１基板ＤＰ１とは異なる第２基板ＤＰ２が第１保持部３１に保持された状態で、終端光学素子１２と、第１保持部３１に保持された第２基板ＤＰ２及びその第２基板ＤＰ２の周囲の少なくとも一部に配置されるカバー部材Ｔ（基板ステージ２）の少なくとも一方との間に、第２液体ＬＱ２で液浸空間ＬＳ２を形成して、露光装置ＥＸの少なくとも一部の温度調整を実行する。

図１７（Ａ）は、第２基板ＤＰ２を示す側断面図、図１７（Ｂ）は、図１７（Ａ）の一部を拡大した図である。

第２基板ＤＰ２は、異物を放出し難く、高いクリーン度を有する（クリーンな）部材である。第２基板ＤＰ２は、少なくとも基板Ｐより異物を放出し難い。第１保持部３１は、第２基板ＤＰ２を保持可能である。

図１７に示すように、第２基板ＤＰ２は、基材Ｗｄ２と、基材Ｗｄ２上に形成された膜Ｆｄ２とを含む。第２基板ＤＰ２は、感光膜を含まない。すなわち、第２基板ＤＰ２の基材Ｗｄ２上には、感光膜がない。

本実施形態において、膜Ｆｄ２は、第２液体ＬＱ２に対して撥液性である。第２液体ＬＱ２に対する膜Ｆｄ２の表面の接触角は、９０度以上である。なお、第２液体ＬＱ２に対する膜Ｆｄ２の表面の接触角が、１００度以上でもよいし、１１０度以上でもよいし、１２０度以上でもよい。

本実施形態において、基材Ｗｄ２は、第２液体ＬＱ２に対して親液性である。第２液体ＬＱ２に対する基材Ｗｄ２の表面の接触角は、９０度よりも小さい。なお、第２液体ＬＱ２に対する基材Ｗｄ２の表面の接触角が、８０度以下でもよいし、７０度以下でもよい。

すなわち、本実施形態において、第２液体ＬＱ２に対する基材Ｗｄ２の表面の接触角は、第２液体ＬＱ２に対する膜Ｆｄ２の表面の接触角よりも小さい。

本実施形態において、基材Ｗｄ２は、シリコンウエハを含む。本実施形態において、基材Ｗｄ２は、所謂、ベアウエハである。

本実施形態において、膜Ｆｄ２は、例えばフッ素を含む材料で形成される。膜Ｆｄ２は、例えばＰＦＡ、ＰＴＦＥ、ＰＥＥＫ、及びテフロン（登録商標）の少なくとも一つで形成可能である。

なお、膜Ｆｄ２が、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、及びシリコン樹脂の少なくとも一つを含んでもよい。また、膜Ｆｄ２が、カーボン、ダイヤモンド・ライク・カーボン等の有機材料を含んでもよい。

また、膜Ｆｄ２は、膜Ｆｄ１と同じ材料で形成されてもよいし、異なる材料で形成されてもよい。

なお、基材Ｗｄ２と膜Ｆｄ２との間に、膜Ｆｄ２とは異なる膜が配置されてもよい。例えば、基材Ｗｄ２と膜Ｆｄ２との間に、珪素化合物を含む膜が配置されてもよい。例えば、基材Ｗｄ２と膜Ｆｄ２との間に、二酸化珪素（ＳｉＯ_２）を含む膜が配置されてもよい。また、基材Ｗｄ２と膜Ｆｄ２との間に、窒化珪素を含む膜が配置されてもよいし、フッ化珪素を含む膜が配置されてもよいし、ポリシリコンを含む膜が配置されてもよい。

本実施形態において、射出面１３及び下面１４と対向可能な第２基板ＤＰ２の上面は、膜Ｆｄ２の表面によって形成される。また、本実施形態において、第２基板ＤＰ２の側面は、膜Ｆｄ２の表面によって形成される。なお、第２基板ＤＰ２の下面は、基材Ｗｄ２の表面によって形成される。

すなわち、本実施形態においては、射出面１３及び下面１４が対向可能な第２基板ＤＰ２の上面（中央領域及び周縁領域の両方を含む）の第２液体ＬＱ２に対する接触角、及び第２基板ＤＰ２の側面の第２液体ＬＱ２に対する接触角は、第１基板ＤＰ１の上面の周縁領域の第２液体ＬＱ２に対する接触角、及び第１基板ＤＰ１の側面の第２液体ＬＱ２に対する接触角よりも大きい。

本実施形態において、第２基板ＤＰ２の膜Ｆｄ２の第２液体ＬＱ２に対する接触角は、基板Ｐの膜Ｆｐ３の第２液体ＬＱ２に対する接触角よりも大きい。なお、第２基板ＤＰ２の膜Ｆｄ２の第２液体ＬＱ２に対する接触角が、基板Ｐの膜Ｆｐ３の第２液体ＬＱ２に対する接触角とほぼ同じでもよいし、小さくてもよい。

本実施形態において、第２基板ＤＰ２と基板Ｐとは、相似形である。本実施形態においては、第２基板ＤＰ２は、円形である。なお、基板Ｐが例えば四角形である場合、第２基板ＤＰ２は、四角形でもよい。

本実施形態において、第２基板ＤＰ２の寸法は、第１基板ＤＰ１の寸法よりも大きい。本実施形態において、第２基板ＤＰ２の直径は、第１基板ＤＰ１の直径よりも大きい。

また、本実施形態において、第２基板ＤＰ２の寸法（直径）は、基板Ｐの寸法（直径）よりも大きい。なお、第２基板ＤＰ２の寸法（直径）が、基板Ｐの寸法（直径）とほぼ同じでもよいし、小さくてもよい。

制御装置８は、第１基板ＤＰ１を第１保持部３１から搬出し、第２基板ＤＰ２を第１保持部３１に搬入するために、基板ステージ２を基板交換位置ＲＰに移動する。制御装置８は、基板交換位置ＲＰに配置された基板ステージ２の第１保持部３１から第１基板ＤＰ１を搬出し、第２基板ＤＰ２を第１保持部３１に搬入する。制御装置８は、第２基板ＤＰ２を保持した基板ステージ２を、終端光学素子１２及び液浸部材７と対向する位置に移動する。

図１８は、終端光学素子１２及び液浸部材７と、第１保持部３１に保持された第２基板ＤＰ２及び第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの少なくとも一方との間に第２液体ＬＱ２で液浸空間ＬＳ２が形成されている状態の一例を示す図である。

図１８に示すように、本実施形態において、第１保持部３１に保持された第２基板ＤＰ２の側面と、第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの内側面とは、対向する。本実施形態においては、第１保持部３１に保持された第２基板Ｐ２と、第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔとの間に、第３寸法を有するギャップＧ３が形成される。

制御装置８は、第２基板ＤＰ２上及びカバー部材Ｔ上の少なくとも一方に第２液体ＬＱ２で液浸空間ＬＳ２を形成するために、終端光学素子１２及び液浸部材７と、第２基板ＤＰ２及びカバー部材Ｔ（基板ステージ２）の少なくとも一方とを対向させた状態で、供給口１５から第２液体ＬＱ２を供給する。本実施形態においては、液体供給装置１８は、温度調整装置１８Ｔを有し、供給口１５は、温度調整された第２液体ＬＱ２を供給可能である。また、制御装置８は、供給口１５から第２液体ＬＱ２を供給するとともに、その供給口１５からの第２液体ＬＱ２の供給と並行して、回収口１６から第２液体ＬＱ２を回収する。これにより、終端光学素子１２及び液浸部材７と、第２基板ＤＰ２及びカバー部材Ｔの少なくとも一方との間に、第２液体ＬＱ２で液浸空間ＬＳ２が形成される。

本実施形態において、第２液体ＬＱ２で液浸空間ＬＳ２が形成されるとき（供給口１５から第２液体ＬＱ２が供給されるとき）、吸引口４１の吸引動作は停止される。

本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＱ２によって、露光装置ＥＸの少なくとも一部の温度調整が実行される。ステップＳＡ２において、吸引口４１から第１液体ＬＱ１が吸引されることによって、例えば基板ステージ２の少なくとも一部の温度が変化する可能性がある。例えば、空間４０の第１液体ＬＱ１の少なくとも一部が気化する際の気化熱によって、基板ステージ２の少なくとも一部の温度が変化する可能性がある。例えば、吸引口４１が、第１液体ＬＱ１とともに空間４０の気体を吸引する可能性がある。吸引口４１が、第１液体ＬＱ１とともに気体を吸引した場合、第１液体ＬＱ１の気化熱が発生する可能性が高くなる。

すなわち、吸引口４１の吸引動作に伴って、例えば第１保持部３１、第２保持部３２、及び第２保持部３２に保持されるカバー部材Ｔ等、基板ステージ２の少なくとも一部の温度が変化する可能性がある。また、基板ステージ２の温度のみならず、基板ステージ２の近傍に配置される部材の温度が変化する可能性がある。例えば、基板ステージ２の近傍に配置される終端光学素子１２、液浸部材７、及び計測ステージ３の少なくとも一部の温度が変化する可能性がある。また、基板ステージ２の周囲の空間（雰囲気）の温度が変化する可能性がある。例えば、射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路Ｋを含む空間（光路空間）の温度が変化する可能性がある。

温度変化している状態で、基板Ｐの露光処理を開始してしまうと、例えば基板Ｐが熱変形したり、露光光ＥＬの光路Ｋを満たす液体ＬＱの温度が変化したり、基板Ｐに対する露光光ＥＬの照射条件が変化したりする可能性がある。その結果、露光不良が発生する可能性がある。

そこで、本実施形態においては、制御装置８は、吸引口４１からの第１液体ＬＱ１の吸引動作を実行した後、第２液体ＬＱ２で液浸空間ＬＳ２を形成し、その液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＱ２を用いて、露光装置ＥＸの少なくとも一部の温度調整を実行する。第２液体ＬＱ２で液浸空間ＬＳ２が形成されることによって、例えば、その第２液体ＬＱ２に接触する部材の温度が調整される。本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２は、終端光学素子１２及び液浸部材７と、第１保持部３１に保持された第２基板ＤＰ２及び第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの少なくとも一方との間に形成されるため、その液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＱ２に接触する終端光学素子１２、液浸部材７、第２基板ＤＰ２、及びカバー部材Ｔの少なくとも一部の温度が調整される。また、第２基板ＤＰ２の温度が調整されることによって、その第２基板ＤＰ２を保持する第１保持部３１の温度が調整される。また、カバー部材Ｔの温度が調整されることによって、そのカバー部材Ｔを保持する第２保持部３２の温度が調整される。

また、第２液体ＬＱ２で液浸空間ＬＳ２が形成されることによって、その液浸空間ＬＳ２の周囲の空間（雰囲気）の温度も調整される。

本実施形態においては、制御装置８は、第１保持部３１に保持された第２基板ＤＰ２上、及び第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔ上のそれぞれに、第２液体ＬＱ２で液浸空間ＬＳ２が形成されるように、第２液体ＬＱ２で液浸空間ＬＳ２が形成された状態で、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して、基板ステージ２（第２基板ＤＰ２及びカバー部材Ｔ）を移動する。

制御装置８は、例えば図１１〜図１６を参照して説明したように、第２液体ＬＱ２で液浸空間ＬＳ２が形成された状態で、矢印Ｒ２〜Ｒ７で示す移動軌跡で基板ステージ２を移動してもよい。これにより、第２基板ＤＰ２の上面の大部分と、液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＱ２とを接触させることができる。また、カバー部材Ｔの上面の大部分と、液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＱ２とを接触させることができる。したがって、第１保持部３１、第２保持部３２、及びカバー部材Ｔを含む基板ステージ２の温度調整を良好に実行することができる。

本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２を形成するために、供給口１５から温度調整された第２液体ＬＱ２が調整される。液体供給装置１８は、温度調整装置１８Ｔを用いて、所定の温度に調整された第２液体ＬＱ２を供給可能である。

本実施形態においては、液浸空間ＬＳ２を形成するために供給口１５から供給される第２液体ＬＱ２の温度は、基板Ｐの露光において供給口１５から供給される液体ＬＱの温度と等しい。これにより、基板ステージ２等を、基板Ｐの露光に適した温度に調整することができる。

なお、液浸空間ＬＳ２を形成するために供給口１５から供給される第２液体ＬＱ２の温度が、基板Ｐの露光において供給口１５から供給される温度と異なってもよい。例えば、液浸空間ＬＳ２を形成するために供給口１５から供給される第２液体ＬＱ２の温度が、基板Ｐの露光において供給口１５から供給される温度より高くてもよい。例えば吸引口４１の吸引動作によって、基板ステージ２等の温度が目標温度に対して低くなった場合、液体ＬＱよりも高温度の第２液体ＬＱ２を供給することによって、その基板ステージ２等の温度が短期で目標温度に調整される。なお、液浸空間ＬＳ２を形成するために供給口１５から供給される第２液体ＬＱ２の温度が、基板Ｐの露光において供給口１５から供給される温度より低くてもよい。例えば、空間４０のクリーニング処理等を実行した結果、基板ステージ２等の温度が目標温度に対して高くなった場合、液体ＬＱよりも低温度の第２液体ＬＱ２を供給することによって、その基板ステージ２等の温度は短期で目標温度される。

なお、ステップＳＡ１、ＳＡ２において供給口１５から供給される第１液体ＬＱ１の温度が、ステップＳＡ３において供給口１５から供給される第２液体ＬＱ２の温度よりも高くてもよい。例えば、吸引口４１が第１液体ＬＱ１（及び気体）を吸引することによって、基板ステージ２等の温度が目標温度に対して低くなった場合、空間４０に供給する第１液体ＬＱ１の温度を、第２液体ＬＱ２の温度よりも高くすることによって、吸引口４１が第１液体ＬＱ１（及び気体）を吸引した場合でも、基板ステージ２等の温度低下を抑制することができる。

また、ステップＳＡ１、ＳＡ２において供給口１５から供給される第１液体ＬＱ１の温度が、基板Ｐの露光において供給口１５から供給される液体ＬＱの温度よりも高くてもよい。こうすることによっても、ステップＳＡ１、ＳＡ２の処理において、基板ステージ２等の温度低下を抑制することができる。

なお、ステップＳＡ１、ＳＡ２において供給口１５から供給される第１液体ＬＱ１の温度が、ステップＳＡ３において供給口１５から供給される第２液体ＬＱ２の温度と等しくてもよいし、低くてもよい。

なお、ステップＳＡ１、ＳＡ２において供給口１５から供給される第１液体ＬＱ１の温度が、基板Ｐの露光において供給口１５から供給される液体ＬＱの温度と等しくてもよいし、低くてもよい。

本実施形態においては、ギャップＧ３を形成する第２基板ＤＰ２の側面が、第２液体ＬＱ２に対して撥液性である。したがって、例えば図１８に示すように、ギャップＧ３上に液浸空間ＬＳ２が形成される状態において、その液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＱ２が、ギャップＧ３を介して空間４０に流入することが抑制される。

また、本実施形態においては、第２基板ＤＰ２の大きさ（寸法）は、第１基板Ｐ１の大きさ（寸法）よりも大きい。ギャップＧ３の第３寸法は、ギャップＧ２の第２寸法よりも小さい。また、本実施形態においては、ギャップＧ３の第３寸法は、ギャップＧ１の第１寸法よりも小さい。したがって、ギャップＧ３上に形成された液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＱ２が、ギャップＧ３を介して空間４０に流入することが抑制される。

なお、ギャップＧ３の第３寸法は、ギャップＧ２の第２寸法とほぼ同じでもよいし、大きくてもよい。例えば、第２基板ＤＰ２の側面の第２液体ＬＱ２に対する接触角を十分に大きくすることによって、ギャップＧ３上の第２液体ＬＱ２がギャップＧ３に浸入することを抑制可能である場合、ギャップＧ３の第３寸法は、任意に定めることができる。

なお、例えば第２基板ＤＰ２の側面の第２液体ＬＱ２に対する接触角が、例えば第１基板ＤＰ１の側面の第２液体ＬＱ２に対する接触角とほぼ同じでもよいし、小さくてもよい。例えば、ギャップＧ３の第３寸法を十分に小さくすることによって、ギャップＧ３上の第２液体ＬＱ２がギャップＧ３に浸入することを抑制可能である場合、第２基板ＤＰ２の側面の第２液体ＬＱ２に対する接触角は、任意に定めることができる。

液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＱ２と第２基板ＤＰ２及びカバー部材Ｔとを所定時間接触させ、基板ステージ２等の温度調整が終了した後、制御装置８は、基板ステージ２を基板交換位置ＲＰに移動し、基板ステージ２（第１保持部３１）から第２基板ＤＰ２を搬出する。以上により、露光装置ＥＸのメンテナンスシーケンスが終了する。

メンテナンスシーケンスが終了した後、制御装置８は、液体ＬＱを介して基板Ｐを露光する露光処理を含む露光シーケンスを開始してもよい。

以上説明したように、本実施形態によれば、空間４０に第１液体ＬＱ１を供給し、その空間４０に供給された第１液体ＬＱ１を吸引口４１から吸引することによって、空間４０の汚染物等を排出することができる。したがって、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制することができる。

また、本実施形態においては、吸引口４１の吸引動作を行った後、第２液体ＬＱ２で液浸空間ＬＳを形成し、その液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＱ２を用いて露光装置ＥＸの少なくとも一部の温度調整を実行するようにしたので、例えば吸引口４１の吸引動作によって、露光装置ＥＸの少なくとも一部の温度が目標温度に対して変化しても、その露光装置ＥＸの少なくとも一部の温度を目標温度に調整することができる。したがって、例えばメンテナンスシーケンス後に実行される露光シーケンスを良好に実行することができ、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制することができる。

なお、本実施形態においては、第１液体ＬＱ１と第２液体ＬＱ２とは、同種類の液体であることとしたが、異なる種類の液体でもよい。また、本実施形態においては、第１液体ＬＱ１及び第２液体ＬＱ２として、基板Ｐの露光に使用される液体ＬＱを用いることとしたが、第１液体ＬＱ１及び第２液体ＬＱ２の少なくとも一方が、液体ＬＱとは異なる種類の液体でもよい。例えば、第１液体ＬＱ１として、空間４０の内面のクリーニングに適したクリーニング液体を使用してもよい。例えば、第１液体ＬＱ１として、アルカリ性液体を用いてもよい。例えば、第１液体ＬＱ１として、水酸化テトラメチルアンモニウム（TMAH：tetramethyl ammonium hydroxide）水溶液を用いてもよい。また、第２液体ＬＱ２として、酸性液体を用いてもよい。例えば、第２液体ＬＱ２として、過酸化水素水溶液を用いてもよい。

なお、本実施形態においては、供給口１５が、液体ＬＱ、第１液体ＬＱ１、及び第２液体ＬＱ２のそれぞれを供給することとしたが、例えば、液体ＬＱを供給する供給口と、第１液体ＬＱ１を供給口とが異なっていてもよいし、液体ＬＱを供給する供給口と、第２液体ＬＱ２を供給する供給口とが異なっていてもよいし、第１液体ＬＱ１を供給する供給口と、第２液体ＬＱ２を供給する供給口とが異なっていてもよい。また、液体ＬＱを供給する供給口、第１液体ＬＱ１を供給する供給口、及び第２液体ＬＱ２を供給口のそれぞれが、液浸部材７に配置されていてもよいし、液体ＬＱを供給する供給口、第１液体ＬＱ１を供給する供給口、及び第２液体ＬＱ２を供給口の少なくとも一つが、終端光学素子１２の周囲の少なくとも一部において、液浸部材７とは異なる部材に配置されてもよい。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

上述の第１実施形態においては、ステップＳＡ１、ＳＡ２においては、第１保持部３１に第１基板ＤＰ１が保持され、ステップＳＡ３においては、第１保持部３１に第２基板ＤＰ２が保持されることとした。本実施形態においては、ステップＳＡ３において第１保持部３１に保持される物体が、第１基板ＤＰ１である場合を例にして説明する。すなわち、本実施形態においては、第１保持部３１に第１基板ＤＰ１が保持された状態で、図８のフローチャートに示したステップＳＡ１、ステップＳＡ２、及びステップＳＡ３のそれぞれの処理が実行される。

上述の第１実施形態と同様、第１保持部３１に第１基板ＤＰ１が保持された状態で、空間４０に第１液体ＬＱ１を供給する処理（ステップＳＡ１）、及び空間４０に供給された第１液体ＬＱ１の少なくとも一部を吸引口４１から吸引する処理（ステップＳＡ２）が実行される。

ステップＳＡ１及びステップＳＡ２の処理が終了した後、制御装置８は、第１保持部３１から第１基板ＤＰ１をリリースせずに、すなわち、第１保持部３１から第１基板ＤＰ１を搬出せずに、第１保持部３１に保持された第１基板ＤＰ１上に、第２液体ＬＱ２で液浸空間ＬＳ２を形成して、露光装置ＥＸの少なくとも一部の温度調整を実行する（ステップＳＡ３）。

なお、第１保持部３１に第１基板ＤＰ１が保持された状態で、第２液体ＬＱ２で液浸空間ＬＳ２を形成して、露光装置ＥＸの少なくとも一部の温度調整を実行する場合、制御装置８は、例えば、第１保持部３１に保持された第１基板ＤＰ１上に第２液体ＬＱ２で液浸空間ＬＳ２が形成され、第１基板ＤＰ１とカバー部材Ｔとの間のギャップＧ２上、及びカバー部材Ｔ上に第２液体ＬＱ２で液浸空間ＬＳ２が形成されないように、終端光学素子１２及び液浸部材７に対する基板ステージ２（第１基板ＤＰ１、カバー部材Ｔ）の位置を調整してもよい。

例えば、図１９〜図２１に示すように、制御装置８は、第１基板ＤＰ１上に第２液体ＬＱ２で液浸空間ＬＳ２が形成され、ギャップＧ２上及びカバー部材Ｔ上に第２液体ＬＱ２で液浸空間ＬＳ２が形成されないように、液浸空間ＬＳ２が形成された状態で、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して基板ステージ２をＸＹ平面内において移動してもよい。

例えば図１９に示すように、制御装置８は、液浸空間ＬＳ２が、第１基板ＤＰ１の上面において、図１９中、矢印Ｒ８で示す移動軌跡によって移動するように、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して、第１基板ＤＰ１を保持した基板ステージ２を移動してもよい。

また、例えば図２０に示すように、制御装置８は、液浸空間ＬＳ２が、第１基板ＤＰ１の上面において、図２０中、矢印Ｒ９で示す移動軌跡によって移動するように、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して、第１基板ＤＰ１を保持した基板ステージ２を移動してもよい。

例えば図２１に示すように、制御装置８は、液浸空間ＬＳ２が、第１基板ＤＰ１の上面において、図２１中、矢印Ｒ１０で示す移動軌跡によって移動するように、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して、第１基板ＤＰ１を保持した基板ステージ２を移動してもよい。

第１基板ＤＰ１上に液浸空間ＬＳ２が形成され、ギャップＧ２上及びカバー部材Ｔ上に液浸空間ＬＳ２が形成されないようにすることで、例えばギャップＧ２の寸法が大きい場合でも、ステップＳＡ３の処理において、液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＱ２が空間４０に流入することが抑制される。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図２２は、第３実施形態に係る基板ステージ２００の一例を示す図である。図２２において、露光装置ＥＸは、基板ステージ２００に配置され、その基板ステージ２００の少なくとも一部の温度調整を実行可能な温度調整装置７０を備えている。

本実施形態において、温度調整装置７０の少なくとも一部は、空間４０の近傍に配置される。本実施形態において、温度調整装置７０は、例えばペルチェ素子を含み、基板ステージ２００の温度を調整可能である。なお、温度調整装置７０が、例えば基板ステージ２００の内部に形成された流路に温度調整用の流体を供給可能な流体供給装置を含んでもよい。

例えばステップＳＡ２の処理において、制御装置８は、温度調整装置７０で基板ステージ２００の温度を調整しつつ、吸引口４１から空間４０の第１液体ＬＱ１を吸引する動作を実行してもよい。これにより、例えば、吸引口４１の吸引動作によって、第１液体ＬＱ１の気化熱が発生し、その気化熱によって温度変化が発生しても、制御装置８は、温度調整装置７０を作動することによって、基板ステージ２等を目標温度に調整することができる。

なお、制御装置８は、例えばステップＳＡ３の処理において、温度調整装置７０を用いる温度調整と、第２液体ＬＱ２の液浸空間ＬＳ２を用いる温度調整とを併用してもよい。

また、図２２に示す例において、露光装置ＥＸは、基板ステージ２００の少なくとも一部に対して加湿された気体を供給可能な加湿気体供給装置８０を備えている。加湿気体供給装置８０は、基板ステージ２００の少なくとも一部に加湿された気体を供給可能な供給口８１と、供給口８１と流路を介して接続され、加湿された気体を送出可能な供給部８２とを備えている。

加湿気体供給装置８０は、例えば液体ＬＱ（水）を用いて、気体（例えば空気、窒素ガス等）を加湿し、その加湿された気体を供給する。

加湿気体供給装置８０は、例えばステップＳＡ２の処理において、吸引口４１から空間４０の第１液体ＬＱ１が吸引されているときに、基板ステージ２の少なくとも一部に対して加湿された気体を供給する。

図２２に示す例では、供給口８１は、ギャップＧ２上に液浸空間ＬＳ１が配置されていない状態で、ギャップＧ２に対して加湿された気体を供給する。

これにより、第１液体ＬＱ１の気化熱に起因する温度変化が抑制される。なお、加湿気体供給装置８０は、供給口８１から、例えば第１液体ＬＱ１の温度より高い温度の気体を供給してもよい。

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

第４実施形態においては、第１保持部３１に第１基板ＤＰ１が保持された状態で、液浸空間ＬＳ１の第１液体ＬＱ１を用いて、液浸部材７の下面１４の少なくとも一部をクリーニングする場合を例にして説明する。

液浸空間ＬＳ１の第１液体ＬＱ１を用いて液浸部材７の下面１４の少なくとも一部をクリーニングする場合、図２３に示すように、終端光学素子１２及び液浸部材７と、第１保持部３１に保持された第１基板ＤＰ１との間に第１液体ＬＱ１で液浸空間ＬＳ１が形成される。

制御装置８は、液浸空間ＬＳ１が形成された状態で、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して、第１基板ＤＰ１を保持した基板ステージ２をＸＹ平面内において移動する。これによし、図２３に示すように、液浸空間ＬＳ１の第１液体ＬＱ１の界面ＬＧ１が移動する。これにより、例えば液浸部材７の下面１４の少なくとも一部が第１液体ＬＱ１でクリーニングされる。また、ギャップＧ２上に液浸空間ＬＳ１が配置されるように基板ステージ２が移動されることによって、空間４０に対して第１液体ＬＱ１が供給される。

なお、メンテナンスシーケンスにおいて、液浸空間ＬＳ１が形成されている状態で第１基板ＤＰ１を保持した基板ステージ２を移動して液浸部材７の下面１４をクリーニングする場合、そのメンテナンスシーケンスにおいて使用される第１基板ＤＰ１の上面の液体ＬＱ（第１液体ＬＱ１）に対する接触角が、そのメンテナンスシーケンスの前に実行される露光シーケンスにおいて露光される基板Ｐが有する膜（保護膜）Ｆｐ３の表面の液体ＬＱに対する接触角に応じて定められてもよい。

例えば、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板Ｐとの間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成されている状態で基板Ｐを所定の移動条件で移動した場合の界面ＬＧの移動距離が既知である場合、メンテナンスシーケンスにおいて第１液体ＬＱ１の界面ＬＧ１の移動距離が所望の値になるように、界面ＬＧの移動距離と、液体ＬＱに対する基板Ｐの上面（膜Ｆｐ３の表面）の接触角とに基づいて、第１液体ＬＱ１に対する第１基板Ｐ１の上面の接触角を定めることができる。

例えば、液体ＬＱに対する第１基板ＤＰ１の上面の接触角が基板Ｐの上面（膜Ｆｐ３の表面）の接触角よりも所定値だけ小さくなるように、第１基板ＤＰ１の上面を調整することによって、第１基板ＤＰ１上に液浸空間ＬＳ１が形成されている状態で第１基板ＤＰ１を移動した場合における界面ＬＧ１の移動距離を大きくすることができる。なお、液体ＬＱに対する第１基板ＤＰ１の上面の接触角が基板Ｐの上面（膜Ｆｐ３の表面）の接触角よりも所定値だけ大きくなるように、第１基板ＤＰ１の上面を調整してもよい。

なお、液体ＬＱに対する第１基板ＤＰ１の上面の接触角は、静的接触角、及び動的接触角の少なくとも一方を含む。動的接触角は、前進接触角、及び後退接触角の少なくとも一方を含む。

例えば、メンテナンスシーケンスにおいて使用される液体ＬＱ（第１液体ＬＱ１）に対する第１基板ＤＰ１の上面の後退接触角が、メンテナンスシーケンスの前に実行される露光シーケンスにおいて使用される液体ＬＱに対する基板Ｐの上面（膜Ｆｐ３の表面）の後退接触角に対して、−５度〜＋１０度に設定されてもよい。例えば、膜Ｆｐ３の表面の後退接触角が６０度である場合、第１基板ＤＰ１の上面の後退接触角が、５５度〜７０度に設定されてもよい。また、膜Ｆｐ３の表面の後退接触角が６５度である場合、第１基板ＤＰ１の上面の後退接触角は、６０度〜７５度に設定されてもよい。一例として、第１基板ＤＰ１の上面の後退接触角が、５５度〜７５度に設定されてもよい。

なお、液体ＬＱ（第１液体ＬＱ１）に対する第１基板ＤＰ１の上面の接触角は、例えばその上面を形成する膜Ｆｄ１の材料を調整（変更、選択）することによって、調整可能である。

なお、第１基板ＤＰ１の上面を形成する膜Ｆｄ１をパターニングすることによって、液体ＬＱ（第１液体ＬＱ１）に対する第１基板ＤＰ１の接触角を調整することができる。例えば、液体ＬＱに対する接触角を小さくしたい場合、第１基板ＤＰ１の上面において、基材Ｗｄ１の表面の一部が露出するように、膜Ｆｄ１をパターニングしてもよい。例えば、膜Ｆｄ１が、基材Ｗｄ１の上面の複数の位置に間隔をあけて配置されてもよい。例えば、基材Ｗｄ１の上面において、膜Ｆｄ１がドット状に配置されてもよい。

なお、例えば基材Ｗｄ１上の膜Ｆｄ１に紫外光（例えばＡｒＦエキシマレーザ光）を照射して、液体ＬＱに対する第１基板ＤＰ１の上面の接触角を調整してもよい。液体ＬＱに対する接触角を調整するために第１基板ＤＰ１に照射する紫外光として、例えば射出面１３から射出される露光光ＥＬを用いてもよいし、紫外光を射出可能な照射装置を露光装置ＥＸに配置して、その照射装置からの紫外光を第１基板ＤＰ１（膜Ｆｄ１）に照射してもよい。

また、基材Ｗｄ１上の膜Ｆｄ１の表面の平滑度を調整することによって、液体ＬＱに対する第１基板ＤＰ１の上面の接触角を調整してもよい。例えば、膜Ｆｄ１の表面を荒らすことによって、液体ＬＱに対する接触角を小さくしてもよい。例えば、膜Ｆｄ１に対してプラズマエッチング処理を実行することによって、膜Ｆｄ１の表面を荒らすことができる。

あるいは、第１基板ＤＰ１を現像処理して、基材Ｗｄ１上の膜Ｆｄ１と現像液（アルカリ性液体）とを接触させることによって、液体ＬＱに対する第１基板ＤＰ１の上面の接触角を調整することができる。

なお、本実施形態において、第１基板ＤＰ１は、空間４０に第１液体ＬＱ１を供給するときに第１保持部３１に保持されてもよいし、空間４０に第１液体ＬＱ１を供給しないときに第１保持部３１に保持されてもよい。例えば、上述したように、液浸部材７の下面１４をクリーニングするときに第１基板ＤＰ１が第１保持部３１に保持されてもよい。

なお、本実施形態においては、メンテナンスシーケンスにおいて使用される第１基板ＤＰ１の上面の液体ＬＱ（第１液体ＬＱ１）に対する接触角が、そのメンテナンスシーケンスの前に実行される露光シーケンスにおいて露光される基板Ｐが有する膜（保護膜）Ｆｐ３の表面の液体ＬＱに対する接触角に応じて定められる場合を例にして説明したが、メンテナンスシーケンスにおいて使用される第２基板ＤＰ２の上面の液体ＬＱ（第２液体ＬＱ２）に対する接触角が、そのメンテナンスシーケンスの前に実行される露光シーケンスにおいて露光される基板Ｐが有する膜（保護膜）Ｆｐ３の表面の液体ＬＱに対する接触角に応じて定められてもよい。その第２基板ＤＰ２と終端光学素子１２及び液浸部材７との間に第２液体ＬＱ２の液浸空間ＬＳ２を形成した状態で第２基板ＤＰ２を移動することによって、液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＱ２の界面が移動する。これにより、基板ステージ２の温度調整と、液浸部材７の下面１４のクリーニングとの両方を実行することができる。

なお、上述の第１〜第４実施形態においては、ステップＳＡ１、ＳＡ２において第１保持部３１に物体が保持された状態で空間４０に第１液体ＬＱ１を供給することとしたが、第１保持部３１に物体が保持されない状態で、供給口１５からの第１液体ＬＱ１を空間４０に供給してもよい。

なお、上述したように、制御装置８は、ＣＰＵ等を含むコンピュータシステムを含む。また、制御装置８は、コンピュータシステムと外部装置との通信を実行可能なインターフェースを含む。記憶装置８Ｒは、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置８Ｒには、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。

なお、制御装置８に、入力信号を入力可能な入力装置が接続されていてもよい。入力装置は、キーボード、マウス等の入力機器、あるいは外部装置からのデータを入力可能な通信装置等を含む。また、液晶表示ディスプレイ等の表示装置が設けられていてもよい。

記憶装置８Ｒに記録されているプログラムを含む各種情報は、制御装置（コンピュータシステム）８が読み取り可能である。記憶装置８Ｒには、制御装置８に、終端光学素子１２の射出面１３から射出される露光光ＥＬで液体ＬＱを介して基板Ｐを露光する露光装置ＥＸの制御を実行させるプログラムが記録されている。

記憶装置８Ｒに記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置８に、射出面１３が対向する位置に移動可能な基板ステージ２に配置され、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部３１の周囲の少なくとも一部に形成される空間４０に第１液体ＬＱ１を供給する処理と、空間４０に供給された第１液体ＬＱ１の少なくとも一部を、空間４０に面する吸引口４１から吸引する処理と、第１保持部３１に物体が保持された状態で、終端光学素子１２と、第１保持部３１に保持された物体及びその物体の周囲の少なくとも一部に配置されるカバー部材Ｔの少なくとも一方との間に、第２液体ＬＱ２で液浸空間ＬＳ２を形成して、露光装置ＥＸの少なくとも一部の温度調整を実行する処理と、を実行させてもよい。

記憶装置８Ｒに記憶されているプログラムが制御装置８に読み込まれることにより、基板ステージ２、計測ステージ３、液浸部材７、液体供給装置１８、液体回収装置２１、及び吸引装置４３等、露光装置ＥＸの各種の装置が協働して、露光シーケンス、及びメンテナンスシーケンス等、各種の処理を実行する。

なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１２の射出側（像面側）の光路Ｋが液体ＬＱで満たされているが、投影光学系ＰＬが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているような、終端光学素子１２の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系でもよい。

なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱが水であることとしたが、水以外の液体でもよい。液体ＬＱは、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）等の膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱが、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等のフッ素系液体でもよい。また、液体ＬＱが、種々の流体、例えば、超臨界流体でもよい。

なお、上述の各実施形態においては、基板Ｐが、半導体デバイス製造用の半導体ウエハを含むこととしたが、例えばディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等を含んでもよい。

なお、上述の各実施形態においては、露光装置ＥＸが、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）であることとしたが、例えばマスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）でもよい。

また、露光装置ＥＸが、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光する露光装置（スティッチ方式の一括露光装置）でもよい。また、スティッチ方式の露光装置が、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置でもよい。

また、露光装置ＥＸが、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているような、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置でもよい。また、露光装置ＥＸが、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナー等でもよい。

なお、露光装置ＥＸは、計測ステージ３を備えていなくてもよい。

また、露光装置ＥＸが、例えば米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、及び米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置でもよい。例えば、露光装置ＥＸが２つの基板ステージを備えている場合、射出面７と対向するように配置可能な物体は、一方の基板ステージ、その一方の基板ステージの基板保持部に保持された基板、他方の基板ステージ、及びその他方の基板ステージの基板保持部に保持された基板の少なくとも一つを含む。

また、露光装置ＥＸが、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置でもよい。

露光装置ＥＸが、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置でもよいし、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置でもよいし、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置でもよい。

なお、上述の各実施形態においては、干渉計システム１１を用いて各ステージの位置情報を計測することとしたが、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよいし、干渉計システムとエンコーダシステムを併用してもよい。

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているような、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしてもよい。

上述の各実施形態においては、露光装置ＥＸが投影光学系ＰＬを備えることとしたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に、上述の各実施形態で説明した構成要素を適用してもよい。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射する露光装置及び露光方法に、上述の各実施形態で説明した構成要素を適用してもよい。

また、露光装置ＥＸが、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているような、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）でもよい。

上述の実施形態の露光装置ＥＸは、上述の各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了した後、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図２４に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

２…基板ステージ、３…計測ステージ、７…液浸部材、８…制御装置、８Ｒ…記憶装置、１２…終端光学素子、１３…射出面、１５…供給口、１６…回収口、３１…第１保持部、３２…第２保持部、４０…空間、４１…吸引口、ＤＰ１…第１基板、ＤＰ２…第２基板、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＩＬ…照明系、Ｋ…光路、ＬＱ…液体、ＬＱ１…第１液体、ＬＱ２…第２液体、ＬＳ…液浸空間、ＬＳ１…液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２…液浸空間、Ｐ…基板、Ｔ…カバー部材

Claims (30)

1. 光学部材の射出面から射出される露光光で露光液体を介して露光基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、
   前記射出面が対向する位置に移動可能な基板ステージに配置され、前記露光基板をリリース可能に保持する第１保持部の周囲の少なくとも一部に形成される空間に第１液体を供給することと、
   前記空間に供給された前記第１液体の少なくとも一部を、前記空間に面する吸引口から吸引することと、
   前記第１保持部に物体が保持された状態で、前記光学部材と、前記物体及び前記物体の周囲の少なくとも一部に配置される所定部材の少なくとも一方との間に、第２液体で液浸空間を形成して、前記露光装置の少なくとも一部の温度調整を実行することと、を含むメンテナンス方法。
2. 前記光学部材の周囲の少なくとも一部に配置された第１供給口から前記空間に前記第１液体を供給することと、
   前記液浸空間を形成するために前記光学部材の周囲の少なくとも一部に配置された第２供給口から前記第２液体を供給することと、を含み、
   前記第１供給口から供給される前記第１液体の温度は、前記第２供給口から供給される前記第２液体の温度よりも高い請求項１記載のメンテナンス方法。
3. 前記第１供給口から供給される前記第１液体の温度は、前記露光基板の露光において供給される前記露光液体の温度よりも高い請求項２記載のメンテナンス方法。
4. 前記第２供給口から供給される前記第２液体の温度は、前記露光基板の露光において供給される前記露光液体の温度と等しい請求項２又は３記載のメンテナンス方法。
5. 前記第２供給口から前記第２液体を供給するとともに、前記光学部材の周囲の少なくとも一部に配置された液体回収口から前記第２液体を回収して、前記第２液体で液浸空間を形成する請求項２〜４のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
6. 前記第１液体及び前記第２液体の少なくとも一方は、前記露光液体を含む請求項１〜５のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
7. 前記第１液体と前記第２液体とは同種類の液体である請求項１〜６のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
8. 前記吸引口から前記空間の前記第１液体が吸引されているときに、前記基板ステージの少なくとも一部に対して加湿された気体を供給することを含む請求項１〜７のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
9. 前記温度調整は、前記基板ステージの少なくとも一部の温度調整を含む請求項１〜８のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
10. 前記所定部材は、前記基板ステージに配置された第２保持部にリリース可能に保持される請求項９記載のメンテナンス方法。
11. 前記温度調整は、前記所定部材の少なくとも一部の温度調整を含む請求項１０記載のメンテナンス方法。
12. 前記空間に供給された前記第１液体で、前記空間の少なくとも一部を規定する内面をクリーニングする請求項１〜１１のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
13. 前記内面は、前記第１保持部の表面、及び前記所定部材の表面の少なくとも一部を含む請求項１２記載のメンテナンス方法。
14. 前記露光基板の露光の少なくとも一部において前記空間に流入した前記露光液体の少なくとも一部を、前記空間に供給された前記第１液体とともに前記吸引口から吸引する請求項１〜１３のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
15. 前記第１液体の供給において前記第１保持部に第１基板を保持することを含み、
    前記第１保持部に保持された前記第１基板と前記所定部材との間のギャップを介して、前記空間に前記第１液体が供給される請求項１〜１４のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
16. 前記第１基板の寸法は、前記露光基板の寸法よりも小さい請求項１５記載のメンテナンス方法。
17. 前記射出面が対向可能な前記第１基板の上面の周縁領域及び側面の少なくとも一方の前記第１液体に対する接触角は、前記露光基板の側面の前記第１液体に対する接触角よりも小さい請求項１５又は１６記載のメンテナンス方法。
18. 前記周縁領域の内側の前記第１基板の上面の中央領域の前記第１液体に対する接触角は、前記第１基板の前記周縁領域及び前記側面の前記第１液体に対する接触角よりも大きい請求項１７記載のメンテナンス方法。
19. 前記射出面が対向可能な前記第１基板の上面の周縁領域及び側面の少なくとも一方の前記第１液体に対する接触角は、前記周縁領域の内側の前記第１基板の上面の中央領域の前記第１液体に対する接触角よりも小さい請求項１５又は１６記載のメンテナンス方法。
20. 前記物体は、前記第１基板を含む請求項１５〜１９のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
21. 前記第１保持部に前記第１基板が保持された状態で、前記空間に前記第１液体を供給した後、前記第１保持部から前記第１基板をリリースせずに、前記第１保持部に保持された前記第１基板上に前記第２液体で液浸空間を形成する請求項２０記載のメンテナンス方法。
22. 前記第１保持部に保持された前記第１基板上に前記第２液体で液浸空間が形成され、前記第１基板と前記所定部材との間のギャップ上及び前記所定部材上に前記第２液体で液浸空間が形成されないように、前記光学部材に対する前記第１基板及び前記所定部材の位置を調整することを含む請求項２０又は２１記載のメンテナンス方法。
23. 前記物体は、前記第１基板とは異なる第２基板を含む請求項１５〜２２のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
24. 前記第１保持部に保持された前記第２基板上、及び前記所定部材上のそれぞれに前記第２液体で液浸空間が形成されるように、前記第２液体で液浸空間が形成された状態で、前記光学部材に対して前記第２基板及び前記所定部材を移動することを含む請求項２３記載のメンテナンス方法。
25. 前記第２基板の寸法は、前記第１基板の寸法よりも大きい請求項２３又は２４記載のメンテナンス方法。
26. 前記射出面が対向可能な前記第２基板の上面の周縁領域及び側面の前記第２液体に対する接触角は、前記第１基板の上面の周縁領域及び側面の前記第２液体に対する接触角よりも大きい請求項２３〜２５のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
27. 請求項１〜２６のいずれか一項記載のメンテナンス方法で前記露光装置をメンテナンスすることと、
    メンテナンスされた前記露光装置で、前記露光液体を介して前記露光基板を露光することと、を含む露光方法。
28. 請求項２７記載の露光方法で露光基板を露光することと、
    露光された前記露光基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
29. コンピュータに、光学部材の射出面から射出される露光光で露光液体を介して露光基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
    前記射出面が対向する位置に移動可能な基板ステージに配置され、前記露光基板をリリース可能に保持する第１保持部の周囲の少なくとも一部に形成される空間に第１液体を供給することと、
    前記空間に供給された前記第１液体の少なくとも一部を、前記空間に面する吸引口から吸引することと、
    前記第１保持部に物体が保持された状態で、前記光学部材と、前記物体及び前記物体の周囲の少なくとも一部に配置される所定部材の少なくとも一方との間に、第２液体で液浸空間を形成して、前記露光装置の少なくとも一部の温度調整を実行することと、を実行させるプログラム。
30. 請求項２９記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

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