JP2009212234A - 液体回収システム、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】液体を高い感度で検出できる液体回収システムを提供する。
【解決手段】液体回収システムは、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光に用いられる。液体回収システムは、液体を回収するための回収口と、回収口に接続され、回収口より回収された液体が流れる回収流路を形成する流路形成部材と、回収流路に配置され、液体を検出する検出面を有する検出装置とを備える。回収口と検出面との間の回収流路の内面の少なくとも一部は、液体に対して、検出面よりも高い撥液性を有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、液体回収システム、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関する。

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、特許文献１に開示されているような、露光光の光路が液体で満たされるように液浸空間を形成し、その液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。
米国特許出願公開第２００６／０１５２６９７号明細書

液浸露光装置において、例えば液体の存在が望まれない部位に液体が流出したり残留したりすると、例えば基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生し、その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。そのような不具合の発生を防ぐために、その部位に存在する液体を回収するとともに、その液体を高い感度で検出して、適切な対策を講ずることが有効である。

本発明の態様は、液体を高い感度で検出できる液体回収システムを提供することを目的とする。また本発明の態様は、液体を高い感度で検出して、露光不良の発生を抑制できる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光に用いられる液体回収システムであって、液体を回収するための回収口と、回収口に接続され、回収口より回収された液体が流れる回収流路を形成する流路形成部材と、回収流路に配置され、液体を検出する検出面を有する検出装置と、を備え、回収口と検出面との間の回収流路の内面の少なくとも一部は、液体に対して、検出面よりも高い撥液性を有する液体回収システムが提供される。

本発明の第２の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、第１の態様の液体回収システムを備える露光装置が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、第２の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第４の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、露光光を射出する光学部材の射出面と、射出面と対向する基板との間の光路に液体を供給することと、光学部材と液体とを介して基板に露光光を照射することと、第１の態様の液体回収システムを用いて、基板上の液体を回収することと、を含む露光方法が提供される。

本発明の第５の態様に従えば、第４の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明によれば、液体を高い感度で検出できる。また本発明によれば、露光不良の発生、不良デバイスの発生を抑制できる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、マスクステージ１及び基板ステージ２それぞれの位置情報を計測可能な干渉計システム３と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置４とを備えている。

マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成された透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材に感光膜が形成されたものを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜と別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。

本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。露光装置ＥＸは、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材５を備えている。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた空間である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

本実施形態において、液浸空間ＬＳは、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子６から射出される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。終端光学素子６は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面７を有する。液浸空間ＬＳは、終端光学素子６と、その終端光学素子６の射出面７と対向する物体との間の光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。射出面７と対向する位置は、射出面７から射出される露光光ＥＬの照射位置を含む。

液浸部材５は、終端光学素子６の近傍に配置されている。液浸部材５は、下面８を有する。本実施形態において、射出面７と対向可能な物体は、下面８と対向可能である。物体の表面が射出面７と対向する位置に配置されたとき、下面８の少なくとも一部と物体の表面とが対向する。射出面７と物体の表面とが対向しているとき、終端光学素子６は、射出面７と物体の表面との間に液体ＬＱを保持できる。また、下面８と物体の表面とが対向しているとき、液浸部材５は、下面８と物体の表面との間に液体ＬＱを保持できる。射出面７及び下面８と物体の表面との間に保持された液体ＬＱによって、液浸空間ＬＳが形成される。

本実施形態において、射出面７及び下面８と対向可能な物体は、終端光学素子６の射出側（像面側）で移動可能な物体を含み、射出面７及び下面８と対向する位置に移動可能な物体を含む。本実施形態においては、射出面７及び下面８と対向可能な物体は、基板ステージ２、及びその基板ステージ２に保持された基板Ｐの少なくとも一方を含む。なお、以下においては、説明を簡単にするために、主に、射出面７及び下面８と基板Ｐとが対向している状態を例にして説明する。

本実施形態においては、射出面７及び下面８と対向する位置に配置された基板Ｐの表面の一部の領域（局所的な領域）が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成され、その基板Ｐの表面と下面８との間に液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧが形成される。すなわち、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、基板Ｐの露光時に、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲを含む基板Ｐ上の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳを形成する局所液浸方式を採用する。

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、露光光ＥＬの光路に対して液浸部材５の外側に配置された捕集部材９を備えている。捕集部材９は、下面１０を有する。下面１０は、下方（−Ｚ方向）を向いている。本実施形態において、射出面７及び下面８と対向可能な物体は、下面１０と対向する位置に移動可能である。すなわち、基板ステージ２、及びその基板ステージ２に保持された基板Ｐの少なくとも一方は、下面１０と対向する位置に移動可能である。

照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。

マスクステージ１は、マスクＭをリリース可能に保持するマスク保持部１Ｈを有する。本実施形態において、マスク保持部１Ｈは、マスクＭのパターン形成面（下面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。マスクステージ１は、リニアモータ等のアクチュエータを含む第１駆動システム１Ｄの作動により、マスクＭを保持してＸＹ平面内を移動可能である。本実施形態においては、マスクステージ１は、マスク保持部１ＨでマスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。

投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、鏡筒ＰＫで保持される。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸とほぼ平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

基板ステージ２は、ベース部材１１のガイド面１２上を移動可能である。本実施形態においては、ガイド面１２は、ＸＹ平面とほぼ平行である。基板ステージ２は、基板Ｐを保持して、ガイド面１２に沿って、ＸＹ平面内を移動可能である。

基板ステージ２は、基板Ｐをリリース可能に保持する基板保持部２Ｈを有する。本実施形態において、基板保持部２Ｈは、基板Ｐの露光面（表面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。基板ステージ２は、リニアモータ等のアクチュエータを含む第２駆動システム２Ｄの作動により、基板Ｐを保持してＸＹ平面内を移動可能である。本実施形態においては、基板ステージ２は、基板保持部２Ｈで基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

基板ステージ２は、基板保持部２Ｈの周囲に配置された上面２Ｔを有する。本実施形態において、上面２Ｔは、平坦であり、ＸＹ平面とほぼ平行である。また、基板ステージ２は、凹部２Ｃを有する。基板保持部２Ｈは、凹部２Ｃの内側に配置される。本実施形態において、上面２Ｔと、基板保持部２Ｈに保持された基板Ｐの表面とは、ほぼ同一平面内に配置される（面一となる）。

干渉計システム３は、ＸＹ平面内におけるマスクステージ１及び基板ステージ２のそれぞれの位置情報を計測する。干渉計システム３は、マスクステージ１の位置情報を計測するレーザ干渉計３Ａと、基板ステージ２の位置情報を計測するレーザ干渉計３Ｂとを備えている。レーザ干渉計３Ａは、マスクステージ１に配置された反射面１Ｒに計測光を照射し、その反射面１Ｒを介した計測光を用いて、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関するマスクステージ１（マスクＭ）の位置情報を計測する。レーザ干渉計３Ｂは、基板ステージ２に配置された反射面２Ｒに計測光を照射し、その反射面２Ｒを介した計測光を用いて、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する基板ステージ２（基板Ｐ）の位置情報を計測する。

また、本実施形態においては、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面の位置情報を検出するフォーカス・レベリング検出システム１３が配置されている。フォーカス・レベリング検出システム１３は、Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する基板Ｐの表面の位置情報を検出する。

基板Ｐの露光時、マスクステージ１の位置情報がレーザ干渉計３Ａで計測され、基板ステージ２の位置情報がレーザ干渉計３Ｂで計測される。制御装置４は、レーザ干渉計３Ａの計測結果に基づいて、第１駆動システム１Ｄを作動し、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置制御を実行する。また、制御装置４は、レーザ干渉計３Ｂの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システム１３の検出結果に基づいて、第２駆動システム２Ｄを作動し、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置制御を実行する。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｐの露光時、制御装置４は、マスクステージ１及び基板ステージ２を制御して、マスクＭ及び基板Ｐを、露光光ＥＬの光路（光軸ＡＸ）と交差するＸＹ平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置４は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、基板Ｐは露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。

次に、液浸部材５及び捕集部材９について、図２、図３、及び図４を参照して説明する。図２は、液浸部材５及び捕集部材９を示すＹＺ平面と平行な側断面図、図３は、液浸部材５及び捕集部材９を下側（−Ｚ側）から見た図、図４は、図２の一部を拡大した図である。

なお、以下の説明においては、終端光学素子６の射出面７、液浸部材５の下面８、及び捕集部材９の下面１０と対向する位置に基板Ｐが配置されている場合を例にして説明するが、上述のように、射出面７、下面８、及び下面１０と対向する位置には、基板ステージ２等、基板Ｐ以外の物体も配置可能である。

液浸部材５は、環状の部材であって、露光光ＥＬの光路の周囲に配置されている。本実施形態において、液浸部材５の一部は、終端光学素子６の周囲に配置されている。本実施形態においては、液浸部材５は、終端光学素子６の周囲に配置される側板部１４と、Ｚ軸方向に関して少なくとも一部が射出面７と基板Ｐの表面との間に配置される下板部１５とを有する。下板部１５は、射出面７と対向する位置に開口１６を有する。射出面７から射出された露光光ＥＬは、開口１６を通過可能である。例えば、基板Ｐの露光中、射出面７から射出された露光光ＥＬは、開口１６を通過し、液体ＬＱを介して基板Ｐの表面に照射される。下板部１５は、射出面７の一部と対向する上面１７と、基板Ｐの表面と対向可能な下面１８とを有する。上面１７及び下面１８のそれぞれは、開口１６（露光光ＥＬの光路）の周囲に配置されている。本実施形態において、下面１８は、平坦であり、基板Ｐの表面（ＸＹ平面）とほぼ平行である。

また、液浸部材５は、液体ＬＱを供給するための供給口１９と、供給口１９に接続され、供給口１９に供給する液体ＬＱが流れる供給流路２１と、液体ＬＱを回収するための第１回収口２０と、第１回収口２０に接続され、第１回収口２０より回収された液体ＬＱが流れる第１回収流路２４とを備えている。

供給口１９は、露光光ＥＬの光路の近傍において、その光路に面する液浸部材５の所定位置に配置されている。供給流路２１は、液浸部材５の内部に形成されている。供給口１９は、供給流路２１、及び供給管２２Ｐの流路２２を介して、液体供給装置２３と接続されている。液体供給装置２３は、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。液体供給装置２３から送出された液体ＬＱは、流路２２、及び供給流路２１を介して、供給口１９に供給される。供給口１９は、液浸空間ＬＳを形成するために、液体供給装置２３からの液体ＬＱを、露光光ＥＬの光路に供給する。本実施形態においては、供給口１９は、射出面７と上面１７との間の空間に液体ＬＱを供給する。

第１回収口２０は、基板Ｐの表面と対向する液浸部材５の所定位置に配置されている。本実施形態においては、第１回収口２０は、下面１８（露光光ＥＬの光路）の周囲に配置されている。第１回収流路２４は、液浸部材５の内部に形成されている。第１回収口２０は、第１回収流路２４、及び第１回収管２５Ｐの流路２５を介して、第１液体回収装置２６と接続されている。

本実施形態において、第１回収口２０には、第１多孔部材２７が配置されている。第１多孔部材２７は、複数の小さい孔が形成された薄いプレート部材である。第１多孔部材２７は、薄いプレート部材を加工して、複数の孔を形成した部材であり、メッシュプレートとも呼ばれる。本実施形態において、第１多孔部材２７は、チタンで形成されている。なお、第１多孔部材２７が、ステンレスで形成されてもよい。

第１多孔部材２７は、第１回収流路２４に面する上面２７Ａと、上面２７Ａと反対側の下面２７Ｂと、上面２７Ａと下面２７Ｂとを連通する複数の孔２７Ｈとを有する。本実施形態において、上面２７Ａと下面２７Ｂとは、ほぼ平行である。本実施形態において、上面２７Ａと下面２７Ｂとは、基板Ｐの表面（ＸＹ平面）とほぼ平行である。

本実施形態において、液浸部材５の下面８は、下板部１５の下面１８及び第１多孔部材２７の下面２７Ｂを含む。下面８は、基板Ｐの表面との間で液体ＬＱを保持可能である。

孔２７Ｈは、上面２７Ａと下面２７Ｂとの間をＺ軸方向とほぼ平行に貫通する。液体ＬＱは孔２７Ｈを流通可能である。上面２７Ａ及び下面２７Ｂの一方に配置された孔２７Ｈの開口に流入した液体ＬＱは、他方に配置された孔２７Ｈの開口より流出可能である。

第１液体回収装置２６は、真空システムを含む圧力調整装置を有し、流路２５及び第１回収流路２４にかかる負圧を調整可能である。第１液体回収装置２６は、流路２５及び第１回収流路２４を負圧にして、上面２７Ａと下面２７Ｂとの間に圧力差を発生させることによって、基板Ｐ上の液体ＬＱの少なくとも一部を、第１多孔部材２７の孔２７Ｈを介して回収する。下面２７Ｂと接触した基板Ｐ上の液体ＬＱは、第１多孔部材２７の孔２７Ｈを介して、第１回収流路２４に流入する。第１回収流路２４に流入した液体ＬＱは、流路２５を介して、第１液体回収装置２６に回収される。このように、第１回収口２０は、液浸部材５の下面８と対向する基板Ｐ上の液体ＬＱを回収する。

本実施形態においては、制御装置４は、供給口１９による液体供給動作と並行して、第１回収口２０による液体回収動作を実行することによって、液浸空間ＬＳを形成する。

本実施形態において、制御装置４は、第１多孔部材２７を介して第１回収流路２４に気体が流入しないように、すなわち、第１回収口２０から液体ＬＱのみが回収されるように、第１回収流路２４の圧力を調整して、上面２７Ａと下面２７Ｂとの圧力差を調整する。

制御装置４は、液体ＬＱ、及び第１多孔部材２７に応じて、第１回収流路２４の圧力を調整する。例えば、第１多孔部材２７の孔径、第１多孔部材２７（孔２７Ｈの内側面）の液体ＬＱとの接触角θ、及び液体ＬＱの表面張力γ等に応じて、第１回収流路２４の圧力を調整することによって、第１回収口２０から、液体ＬＱのみを回収することができる。なお、多孔部材を介して液体ＬＱのみを回収する液体回収動作の原理の例が、例えば国際公開第２００６／１０６９０７号パンフレット等に開示されている。

捕集部材９は、環状の部材であって、露光光ＥＬの光路の周囲に配置されている。本実施形態において、捕集部材９は、液浸部材５の周囲に配置されている。本実施形態においては、液浸部材５と捕集部材９とは離れており、液浸部材５の外側面と捕集部材９の内側面との間に所定のギャップが形成されている。

捕集部材９は、液体ＬＱを回収するための第２回収口３０と、第２回収口３０に接続され、第２回収口３０より回収された液体ＬＱが流れる第２回収流路３４とを備えている。

第２回収口３０は、基板Ｐの表面と対向する捕集部材９の所定位置に配置されている。本実施形態においては、第２回収口３０は、下面８（露光光ＥＬの光路）の周囲の少なくとも一部に配置されている。第２回収口３０は、露光光ＥＬの光路に対して、第１回収口２０の外側に配置されている。すなわち、第１回収口２０は、第２回収口３０と露光光ＥＬの光路との間に配置されている。

第２回収流路３４は、捕集部材９の内部に形成されている。第２回収口３０は、第２回収流路３４、及び第２回収管３５Ｐの流路３５を介して、第２液体回収装置３６と接続されている。

本実施形態において、第２回収口３０には、第２多孔部材３７が配置されている。第２多孔部材３７は、複数の小さい孔が形成された薄いプレート部材である。すなわち、第２多孔部材３７は、第１多孔部材２７と同様、メッシュプレートである。本実施形態において、第２多孔部材３７は、チタンで形成されている。なお、第２多孔部材３７が、ステンレスで形成されてもよい。

第２多孔部材３７は、第２回収流路３４に面する上面３７Ａと、上面３７Ａと反対側の下面３７Ｂと、上面３７Ａと下面３７Ｂとを連通する複数の孔３７Ｈとを有する。本実施形態において、上面３７Ａと下面３７Ｂとは、ほぼ平行である。本実施形態において、上面３７Ａと下面３７Ｂとは、基板Ｐの表面（ＸＹ平面）とほぼ平行である。

本実施形態において、捕集部材９の下面１０は、第２多孔部材３７の下面３７Ｂを含む。また、本実施形態においては、液浸部材５の下面８と捕集部材９の下面１０とはほぼ同一平面内に配置されている（ほぼ面一である）。

孔３７Ｈは、上面３７Ａと下面３７Ｂとの間をＺ軸方向とほぼ平行に貫通する。液体ＬＱは孔３７Ｈを流通可能である。上面３７Ａ及び下面３７Ｂの一方に配置された孔３７Ｈの開口に流入した液体ＬＱは、他方に配置された孔３７Ｈの開口より流出可能である。

第２液体回収装置３６は、真空システムを含む圧力調整装置を有し、流路３５及び第２回収流路３４にかかる負圧を調整可能である。第２液体回収装置３６は、流路３５及び第２回収流路３４を負圧にして、上面３７Ａと下面３７Ｂとの間に圧力差を発生させることによって、基板Ｐ上の液体ＬＱの少なくとも一部を、第２多孔部材３７の孔３７Ｈを介して回収する。下面３７Ｂと接触した基板Ｐ上の液体ＬＱは、第３多孔部材３７の孔３７Ｈを介して、第２回収流路３４に流入する。第２回収流路３７に流入した液体ＬＱは、流路３５を介して、第２液体回収装置３６に回収される。このように、第２回収口３０は、捕集部材９の下面１０と対向する基板Ｐ上の液体ＬＱを回収する。

なお、第１、第２多孔部材２７、３７として、多数の孔（pore）が形成された焼結部材（例えば、焼結金属）、発泡部材（例えば、発泡金属）などを用いてもよい。また、下面８と下面１０とは同一平面内に配置されていなくてもよく、例えば下面１０が下面８よりも−Ｚ方向側に配置されていてもよい。

第２回収口３０は、液体ＬＱを回収可能である。第２回収口３０は、例えば基板Ｐの露光時に、第１回収口２０で回収しきれなかった液体ＬＱを回収する。本実施形態においては、第２回収口３０は、少なくとも基板Ｐの液浸露光中、第２回収口３０の周囲の流体（液体ＬＱ、気体を含む）を吸引し続ける。下面１０と対向する位置に液体ＬＱが存在しない場合、第２回収口３０は、気体のみを回収（吸引）する。一方、例えば液浸空間ＬＳから液体ＬＱが流出し、下面１０と対向する位置に配置された場合、第２回収口３０は、その液体ＬＱと気体とともに回収する。これにより、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが、例えば、基板Ｐ上に液体ＬＱが残留したりすることが抑制される。

本実施形態において、第２回収流路３４に、液体ＬＱを検出する検出装置４０の検出面４１が配置されている。検出装置４０は、第２回収口３０から液体ＬＱが回収されたか否かを検出する。検出面４１は、第２回収口３０から回収された液体ＬＱと接触可能な、第２回収流路３４の所定位置に配置されている。検出面４１は、第２回収口３０の近傍の第２回収流路３４の所定位置に配置されている。

本実施形態において、検出装置４０は、捕集部材９の温度を検出可能な温度センサを含む。検出装置４０は、捕集部材４０により形成される第２回収流路３４の温度を検出可能である。検出装置４０は、第２回収口３０の近傍の第２回収流路３４及びその第２回収流路３４を形成する捕集部材９の少なくとも一部の温度を検出可能である。

第２回収口３０が液体ＬＱを回収した場合、その回収された液体ＬＱによって、第２回収流路３４を形成する捕集部材９の温度が変化する。例えば、第２回収口３０が液体ＬＱを回収することによって、その液体ＬＱの気化熱によって、捕集部材９の温度が低下する。検出装置４０は、検出面４１の検出結果に基づいて、捕集部材９の温度が変化したと判断したとき、第２回収口３０から液体ＬＱが回収されたと判断することができる。

検出装置４０は、検出面４１での液体ＬＱの気化に起因する捕集部材９の温度変化を検出する。第２回収口３０より回収され、検出面４１と接触した液体ＬＱ、あるいは検出面４１の近傍に存在する液体ＬＱが気化することによって、検出面４１及び検出面４１近傍の捕集部材９の温度が変化する。このように、検出装置４０は、検出面４１での液体ＬＱの気化に起因する捕集部材９の温度変化を検出することができる。

本実施形態において、第２回収口３０と検出面４１との間の第２回収流路３４の内面５０Ａは、液体ＬＱに対して、検出面４１よりも高い撥液性を有する。すなわち、内面５０Ａと液体ＬＱとの接触角は、検出面４１と液体ＬＱとの接触角よりも大きい。

本実施形態において、捕集部材９は、例えばチタンで形成されている。また、第２回収流路３４の内面５０Ａは、撥液性材料で形成されている。本実施形態において、内面５０Ａは、撥液性の膜Ｆで形成されている。本実施形態においては、チタンで形成された捕集部材９の内面５０Ａに、撥液性材料をコーティングする処理を含む撥液化処理が施され、撥液性の膜Ｆが形成されている。撥液性材料としては、例えばＰＦＡ（Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer）、ＰＴＦＥ（Poly tetra fluoro ethylene）、ＰＥＥＫ（polyetheretherketone）、テフロン（登録商標）等のフッ素を含む材料を用いることができる。本実施形態において、液体ＬＱに対する内面５０Ａの接触角は、例えば９０度以上である。

本実施形態において、検出面４１は、液体ＬＱに対して親液性を有し、捕集部材９より高い熱伝導率を有する材料で形成されている。本実施形態においては、検出面４１は、例えばＳＵＳ３１６等のステンレスで形成されている。なお、検出面４１がチタンで形成されてもよい。本実施形態において、液体ＬＱに対する検出面４１の接触角は、例えば９０度未満であり、望ましくは４０度未満である。

また、本実施形態においては、第２回収口３０に対して検出面４１より下流側の第２回収流路３４の内面５０Ｂも、液体ＬＱに対して撥液性である。

また、本実施形態においては、第２多孔部材３７の上面３７Ａは、液体ＬＱに対して撥液性である。本実施形態においては、チタン（又はステンレス）で形成されている第２多孔部材３７の上面３７Ａは、フッ素を含む撥液性材料で形成されている。上面３７Ａには、撥液性材料をコーティングする処理を含む撥液化処理が施されている。一方、下面３７Ｂには、撥液化処理は施されていない。下面３７Ｂは、液体ＬＱに対して親液性である。すなわち、上面３７Ａは、液体ＬＱに対して、下面３７Ｂよりも高い撥液性を有する。

なお、第２回収口３０に第２多孔部材３７を配置しなくてもよい。

また、第１回収口２０から液体ＬＱを気体とともに回収してもよい。この場合、第１回収口２０に第１多孔部材２７を配置しなくてもよい。

次に、上述した構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法について説明する。液浸空間ＬＳを形成するために、制御装置４は、供給口１９を用いて、露光光ＥＬの光路に液体ＬＱを供給する。液体ＬＱを供給するときには、制御装置４は、射出面７及び下面８と対向する位置に、基板Ｐ（基板ステージ２）等の物体を配置する。液体供給装置２３から送出された液体ＬＱは、流路２２及び供給流路２１を介して供給口１９に供給される。供給口１９は、射出面７と上面１７との間の空間に液体ＬＱを供給する。液体ＬＱは、射出面７と上面１７との間の空間を流れ、開口１６を介して、液浸部材５の下面８と基板Ｐの表面との間の空間に流入し、その下面８と基板Ｐの表面との間に保持される。これにより、終端光学素子６の射出面７と基板Ｐの表面との間の光路が液体ＬＱで満たされる。

また、本実施形態においては、制御装置４は、供給口１９による液体供給動作と並行して、第１回収口２０による液体回収動作を実行することによって、液浸空間ＬＳを形成する。第１回収口２０に配置されている第１多孔部材２７の下面２７Ｂと接触した液体ＬＱの少なくとも一部は、第１多孔部材２７の孔２７Ｈを介して回収される。

また、制御装置４は、液浸空間ＬＳを形成した状態において、第２回収口３０による流体吸引動作を開始する。図４に示すように、基板Ｐがほぼ静止している状態においては、第２回収口３０から液体ＬＱが回収されない。第２回収口３０は、その第２回収口３０の周囲の気体を吸引する。

液浸空間ＬＳが形成された後、制御装置４は、基板Ｐの露光を開始する。制御装置４は、射出面７及び下面８と基板Ｐの表面との間に液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成した状態で、終端光学素子６及び液浸部材５に対して、基板ＰをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液体ＬＱとを介して露光光ＥＬを基板Ｐに照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影され、基板Ｐは露光光ＥＬで露光される。

少なくとも基板Ｐが移動しているとき、制御装置４は、第２回収口３０を用いる流体吸引動作を継続する。第２回収口３０は、第２回収口３０の周囲の流体を吸引し続ける。

基板Ｐの液浸露光中、制御装置４は、検出装置４０を用いて、第２回収口３０からの液体ＬＱの回収状態を検出する。上述のように、検出装置４０は、第２回収口３０から液体ＬＱが回収されたか否かを検出可能である。

図５は、第２回収口３０から液体ＬＱが回収されたときの状態を示す模式図である。例えば、基板Ｐの移動条件等に応じて、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持することが困難となる可能性がある。液体ＬＱが所定状態とは、一方側の終端光学素子６及び液浸部材５と他方側の基板Ｐとの間から液体ＬＱが流出することが抑制される状態を含む。すなわち、液体ＬＱが所定状態とは、第２回収口３０から液体ＬＱが回収されない状態を含む。

第１回収口２０と基板Ｐとの間の液体ＬＱが第１回収口２０を回収しきれずに、一方側の終端光学素子６及び液浸部材５と他方側の基板Ｐとの間の所定空間の外側に液体ＬＱが流出した場合、その流出した液体ＬＱは、露光光ＥＬの光路に対して第１回収口２０の外側に配置されている第２回収口３０に回収される。

第２回収口３０より回収された液体ＬＱは、第２回収流路３４を流れる。検出装置４０は、第２回収流路３４流入した液体ＬＱを検出できる。制御装置４は、検出装置４０の検出結果に基づいて、第２回収口３０が液体ＬＱを回収したか否かを判断し、結果に基づいて、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持しているか否かを判断することができる。

本実施形態においては、第２回収口３０と検出面４１との間の第２回収流路３４の内面５０Ａが、液体ＬＱに対して撥液性なので、第２回収口３０から回収された液体ＬＱが内面５０Ａに付着することが抑制される。例えば、図５に示すように、第２回収口３０から回収された液体ＬＱは、滴となって、第２回収流路３４を高い移動速度で移動する。換言すれば、第２回収口３０から第２回収流路３４に流入した液体ＬＱは、撥液性の内面５０Ａに留まったり、内面５０Ａで膜になったりせずに、検出面４１に向かって素早く移動する。これにより、第２回収口３０と検出面４１との間の第２回収流路３４における液体ＬＱの気化が抑制される。したがって、第２回収口３０と検出面４１との間の第２回収流路３４における液体ＬＱの気化に起因する温度変化が抑制される。

また、本実施形態においては、第２多孔部材３７の上面３７Ａが、液体ＬＱに対して撥液性なので、その上面３７Ａに液体ＬＱが留まることも抑制される。

第２回収口３０と検出面４１との間の第２回収流路３４を高い移動速度で移動した液体ＬＱは、検出面４１に到達する。検出面４１は、液体ＬＱに対して親液性なので、検出面４１に到達し、その検出面４１に接触した液体ＬＱの移動速度は低下する。すなわち、液体ＬＱは、親液性の検出面４１に付着し易く、その検出面４１に留まる。また、検出面４１と接触した液体ＬＱは、その検出面４１で膜になりやすい。これにより、検出面４１において、液体ＬＱは十分に気化する。したがって、その液体ＬＱの気化に起因して、検出面４１を有する部材の温度が大きく変化する。これにより、検出装置４０は、検出面４１での液体ＬＱの気化に起因する検出面４１を有する部材の温度変化を高い感度で検出することができる。したがって、検出装置４０は、第２回収口３０から液体ＬＱが回収されたか否かを高い感度で検出することができる。

以上説明したように、本実施形態によれば、第１回収口２０で回収されずに、一方側の終端光学素子６及び液浸部材５と他方側の基板Ｐとの間の所定空間の外側に液体ＬＱが流出した場合でも、その流出した液体ＬＱを、第２回収口３０で回収することができる。したがって、液体ＬＱの存在が望まれない部位に液体ＬＱが流出したり、基板Ｐ上に液体ＬＱが残留することが抑制される。それゆえ、露光不良の発生を抑制することができる。

また、本実施形態によれば、第２回収口３０と検出面４１との間の第２回収流路３４の内面５０Ａを、液体ＬＱに対して、検出面４１よりも高い撥液性にしたので、その検出面４１を有する検出装置４０を用いて、第２回収口３０から液体ＬＱが回収されたか否かを高い感度で検出することができる。すなわち、本実施形態によれば、液体ＬＱが流出したか否かを高い感度で検出することができる。したがって、その検出結果に基づいて、基板Ｐの移動条件を変更したり、基板Ｐの表面を形成する材料を変更したり、液浸部材５の下面８を洗浄したりする等、液体ＬＱの流出、及び／又は液体ＬＱの残留を抑制するような適切な対策を講ずることができる。

また、本実施形態によれば、第２回収口３０に対して検出面４１より下流側の第２回収流路３４の内面５０Ｂが、液体ＬＱに対して撥液性なので、検出面４１からの液体ＬＱが、内面５０Ｂに付着することが抑制されつつ、第２液体回収装置３６に向かって高い移動速度で液体ＬＱを流すことができる。したがって、第２回収口３０に対して検出面４１より下流における液体ＬＱの気化に起因する、流路を形成する捕集部材９の温度変化を抑制することができる。

なお、図６に示すように、捕集部材９の温度を調整する温度調整装置６０を設けることができる。温度調整装置６０は、例えば温度調整用流体が流れる内部流路が形成されたジャケット部材を含む。なお、温度調整装置６０が、ペルチェ素子を備えてもよい。図６に示す例では、温度調整装置６０は、第２回収口３０に対して検出面４１より下流側の捕集部材９の一部に配置されている。温度調整装置６０は、第２回収口３０に対して検出面４１より下流側の捕集部材９の温度を調整することができる。これにより、液体ＬＱの気化熱に起因して、捕集部材９及びその捕集部材９の周囲の温度が変化することを抑制することができる。温度調整装置６０を設けた場合でも、検出面４１に付着した液体ＬＱは十分に気化するので、検出装置４０は、検出面４１での液体ＬＱの気化に起因する温度変化を高い感度で検出でき、第２回収口３０から液体ＬＱが回収されたか否かを高い感度で検出することができる。なお、温度調整装置６０を設けた場合、第２回収口３０に対して検出面４１より下流側の第２回収流路３４の内面５０Ｂは、液体ＬＱに対して親液性でもよい。

なお、上述の実施形態において、投影光学系ＰＬは、終端光学素子６の射出側（像面側）の光路を液体ＬＱで満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子６の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たす投影光学系を採用することもできる。

なお、上述の実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系、あるいは基板の表面を形成する感光材（フォトレジスト）の膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル、セダー油等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば対応米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。

また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６４００４４１号明細書、米国特許第６５４９２６９号明細書、米国特許第６５９０６３４号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。

更に、例えば対応米国特許第６８９７９６３号明細書等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。計測ステージが終端光学素子の射出面及び液浸部材の下面と対向する位置に配置されることによって、終端光学素子及び液浸部材は、計測ステージとの間で液浸空間を形成することができる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計３Ａ、３Ｂを含む干渉計システム３を用いてマスクステージ１及び基板ステージ２の各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージ１、２に設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとしてもよい。

また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第７０２３６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。

なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。

上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。

また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図７に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

本実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。 本実施形態に係る液浸部材及び捕集部材の近傍を示す側断面図である。 本実施形態に係る液浸部材及び捕集部材を下面側から見た図である。 本実施形態に係る液浸部材及び捕集部材の一部を拡大した側断面図である。 本実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す図である。 本実施形態に係る温度調整装置の一例を説明するための図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。

符号の説明

２…基板ステージ、５…液浸部材、６…終端光学素子、７…射出面、９…捕集部材、２０…第１回収口、３０…第２回収口、３４…第２回収流路、３６…第２液体回収装置、３７…第２多孔部材、３７Ａ…上面、３７Ｂ…下面、３７Ｈ…孔、４０…検出装置、４１…検出面、５０…内面、６０…温度調整装置、ＥＸ…露光装置、ＥＬ…露光光、ＬＱ…液体、Ｐ…基板

Claims (19)

1. 液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光に用いられる液体回収システムであって、
   前記液体を回収するための回収口と、
   前記回収口に接続され、前記回収口より回収された液体が流れる回収流路を形成する流路形成部材と、
   前記回収流路に配置され、前記液体を検出する検出面を有する検出装置と、を備え、
   前記回収口と前記検出面との間の前記回収流路の内面の少なくとも一部は、前記液体に対して、前記検出面よりも高い撥液性を有する液体回収システム。
2. 前記内面は、撥液性材料で形成されている請求項１記載の液体回収システム。
3. 前記内面は、撥液性の膜の表面を含む請求項２記載の液体回収システム。
4. 前記検出装置は、温度センサを含む請求項１〜３のいずれか一項記載の液体回収システム。
5. 前記温度センサは、前記検出面での前記液体の気化に起因する前記流路形成部材の温度変化を検出する請求項４記載の液体回収システム。
6. 前記検出装置は、前記回収口から液体が回収されたか否かを検出する請求項１〜５のいずれか一項記載の液体回収システム。
7. 前記回収口は、前記液体を気体とともに回収する請求項１〜６のいずれか一項記載の液体回収システム。
8. 前記回収流路と面する第１面、前記第１面と反対側の第２面、及び前記第１面と前記第２面とを連通する複数の孔を有する多孔部材を備え、
   前記第１面は、前記液体に対して撥液性である請求項１〜７のいずれか一項記載の液体回収システム。
9. 前記第２面は、前記液体に対して親液性である請求項８記載の液体回収システム。
10. 前記流路形成部材の少なくとも一部の温度を調整する温度調整装置を備える請求項１〜９のいずれか一項記載の液体回収システム。
11. 前記回収流路にかかる負圧を調整する圧力調整装置を備える請求項１〜１０のいずれか一項記載の液体回収システム。
12. 液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
    請求項１〜１１のいずれか一項記載の液体回収システムを備える露光装置。
13. 前記露光光を射出する射出面を有する光学部材を備え、
    前記液体回収システムは、前記射出面と対向する物体上の液体を回収する請求項１２記載の露光装置。
14. 前記回収口は、前記光路の周囲の少なくとも一部に配置される請求項１３記載の露光装置。
15. 前記液体回収システムの回収口と前記光路との間に配置され、前記物体上の液体の少なくとも一部を回収可能なさらなる回収口を備える請求項１３又は１４記載の露光装置。
16. 前記物体は、前記基板を含む請求項１３〜１５のいずれか一項記載の露光装置。
17. 請求項１２〜１６のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
18. 液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
    前記露光光を射出する光学部材の射出面と、前記射出面と対向する前記基板との間の光路に液体を供給することと、
    前記光学部材と前記液体とを介して前記基板に露光光を照射することと、
    請求項１〜１１のいずれか一項記載の液体回収システムを用いて、前記基板上の液体を回収することと、を含む露光方法。
19. 請求項１８記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
    露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。

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