JP6418281B2 - 露光装置 - Google Patents

Description

本発明は、露光装置に関するものである。

半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が使用される。露光装置は、基板を保持して移動可能な基板ステージを備え、その基板ステージに保持された基板を露光する。

米国特許出願公開第２００８／００４３２１１号明細書 米国特許出願公開第２００８／０１００８１２号明細書

液浸露光装置において、例えば液体が基板の上面及び基板ステージの上面の少なくとも一方に残留すると、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。

本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、液体を介して露光光を基板の上面に照射する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板をリリース可能に保持する第１保持部と、上面及び該上面の外縁の一部であって前記保持される基板の端部と周方向に沿って対向するエッジ部を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、を備え、第１部材のエッジ部には、前記保持された基板に向けて突出する突出部が周方向に沿って複数並んで形成され、エッジ部は、第１形状を有する突出部が配置された第１領域と、第１形状と異なる第２形状の突出部が配置された第２領域とを有する露光装置が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、液体を介して露光光を基板の上面に照射する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板をリリース可能に保持する第１保持部と、上面及び該上面の外縁の一部を規定するエッジ部を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、光学部材の下方において第１部材と間隙を介して隣接した状態で移動可能であり、液浸空間が形成可能な第２上面を有する第２部材と、を備え、第１部材のエッジ部は、第１保持部に保持された基板の端部が沿うように所定方向に延びる第１エッジ部と、第２部材との間隙の延在方向に延びる第２エッジ部と備え、第２部材は、第２上面の外縁の一部を規定し、第２エッジ部と対向する第３エッジ部を備え、第１部材の第２エッジ部と、第２部材の第３エッジ部との少なくとも一方には、他方側に向けて突出する突出部が延在方向に沿って形成される露光装置が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、液体を介して露光光を基板の上面に照射する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板をリリース可能に保持する第１保持部と、上面及び該上面の外縁の一部であって 保持される基板の端部と周方向に沿って対向するエッジ部を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、を備え、第１部材には、計測部材が配置される開口が形成され、開口には、前記配置された計測部材に向けて突出する突出部が開口に沿って複数並んで形成されている第２領域を有する露光装置が提供される。

本発明の第４の態様に従えば、本発明の第１から第３の態様のいずれかの露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第５の態様に従えば、液体を介して露光光を基板の上面に照射する露光方法であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板をリリース可能に保持する第１保持部に保持された基板の上面、及び上面と該上面の外縁の一部であって前記保持される基板の端部と周方向に沿って対向するエッジ部とを有する第１部材の上面の少なくとも一方との間に、液体で液浸空間が形成されている状態で、基板を露光すること、を含み、第１部材のエッジ部には、前記保持された基板に向けて突出する突出部が周方向に沿って複数並んで形成され、エッジ部は、第１形状を有する突出部が配置された第１領域と、第１形状と異なる第２形状の突出部が配置された第２領域とを有する露光方法が提供される。

本発明の第６の態様に従えば、液体を介して露光光を基板の上面に照射する露光方法であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板をリリース可能に保持する第１保持部に保持された基板の上面、及び上面と該上面の外縁の一部を規定するエッジ部とを有する第１部材を、第１上面の少なくとも一部が液浸空間と接触するように光学部材の下方で動かすことと、光学部材の下方において第１部材と間隙を介して隣接した状態で第２部材を、光学部材の下方で動かすことと、を含み、第１部材のエッジ部は、第１保持部に保持された基板の端部が沿うように所定方向に延びる第１エッジ部と、第２部材との間隙の延在方向に延びる第２エッジ部と備え、第２部材は、第２上面の外縁の一部を規定し、第２エッジ部と対向する第３エッジ部を備え、第１部材の第２エッジ部と、第２部材の第３エッジ部との少なくとも一方には、他方側に向けて突出する突出部が延在方向に沿って形成される露光方法が提供される。

本発明の第７の態様に従えば、液体を介して露光光を基板の上面に照射する露光方法であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板をリリース可能に保持する第１保持部に保持された基板の上面、及び上面と該上面の外縁の一部であって前記保持される基板の端部と周方向に沿って対向するエッジ部とを有する第１部材の上面の少なくとも一方との間に、液体で液浸空間が形成されている状態で、基板を露光すること、を含み、第１部材には、計測部材が配置される開口が形成され、開口には、配置された計測部材に向けて突出する突出部が前記開口に沿って複数並んで形成されている第２領域を有する露光方法が提供される。

本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。

第１実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図。 第１実施形態に係る液浸部材及び基板ステージの一例を示す図。 図２の一部を拡大した図。 基板ステージ２に基板Ｐ及びカバー部材Ｔが保持される平面図。 基板Ｐにおけるノッチ部ＰＮ周辺の拡大平面図。 凸部ＧＺの詳細図。 第２実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図。 同露光装置ＥＸにおける基板ステージの平面図。 凸部の他の形態を示す図。 第１の凸部の別形態を示す図。 基板ステージの一例を示す図。 デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート。

以下、本発明の露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法の実施の形態を、図１ないし図１１を参照して説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間とは、液体で満たされた部分（空間、領域）をいう。基板Ｐは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光される。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、及び欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置である。

図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材Ｃ及び計測器を搭載して移動可能な計測ステージ３と、マスクステージ１を移動する駆動システム４と、基板ステージ２を移動する駆動システム５と、計測ステージ３を移動する駆動システム６と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材７と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置８と、制御装置８に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置８Ｒとを備えている。記憶装置８Ｒは、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置８Ｒには、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。

また、露光装置ＥＸは、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置を計測する干渉計システム１１と、検出システム３００とを備えている。検出システム３００は、基板Ｐのアライメントマークを検出するアライメントシステム３０２と、基板Ｐの上面（表面）Ｐａの位置を検出する表面位置検出システム３０３とを含む。なお、検出システム３００が、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書に開示されているような、基板ステージ２の位置を検出するエンコーダシステムを備えてもよい。

マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。

基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。

また、露光装置ＥＸは、露光光ＥＬが進行する空間１０２の環境（温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも一つ）を調整するチャンバ装置１０３を備えている。チャンバ装置１０３は、空間１０２を形成するチャンバ部材１０４と、その空間１０２の環境を調整する空調システム１０５とを有する。

空間１０２は、空間１０２Ａ及び空間１０２Ｂを含む。空間１０２Ａは、基板Ｐが処理される空間である。基板ステージ２及び計測ステージ３は、空間１０２Ａを移動する。

空調システム１０５は、空間１０２Ａ、１０２Ｂに気体を供給する給気部１０５Ｓを有し、その給気部１０５Ｓから空間１０２Ａ、１０２Ｂに気体を供給して、その空間１０２Ａ、１０２Ｂの環境を調整する。本実施形態においては、少なくとも基板ステージ２、計測ステージ３、及び投影光学系ＰＬの終端光学素子１２が空間１０２Ａに配置される。

照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。

マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材９のガイド面９Ｇ上を移動可能である。駆動システム４は、ガイド面９Ｇ上でマスクステージ１を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、マスクステージ１に配置された可動子と、ベース部材９に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、マスクステージ１は、駆動システム４の作動により、ガイド面９Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸は、Ｚ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

基板ステージ２は、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）に移動可能である。基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１０のガイド面１０Ｇ上を移動可能である。計測ステージ３は、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）に移動可能である。計測ステージ３は、計測部材Ｃを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１０のガイド面１０Ｇ上を移動可能である。基板ステージ２と計測ステージ３とは、ガイド面１０Ｇ上を独立して移動可能である。

基板ステージ２を移動するための駆動システム５は、ガイド面１０Ｇ上で基板ステージ２を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、基板ステージ２に配置された可動子と、ベース部材１０に配置された固定子とを有する。同様に、計測ステージ３を移動するための駆動システム６は、平面モータを含み、計測ステージ３に配置された可動子と、ベース部材１０に配置された固定子とを有する。

本実施形態において、基板ステージ２は、基板Ｐの下面Ｐｂをリリース可能に保持する第１保持部（基板保持部）３１と、基板Ｐが配置可能な開口Ｔｈを規定し、基板Ｐが第１保持部３１に保持されている状態において基板Ｐの上面Ｐａの周囲に配置される上面とを有する。

本実施形態において、基板ステージ２は、例えば米国特許出願公開第２００７／０１７７１２５号明細書、米国特許出願公開第２００８／００４９２０９号明細書等に開示されているような、第１保持部３１の周囲に配置され、カバー部材Ｔの下面Ｔｂをリリース可能に保持する第２保持部３２を有する。カバー部材Ｔは、第１保持部３１に保持された基板Ｐの周囲に配置される。本実施形態においては、カバー部材Ｔが、第１保持部３１に保持された基板Ｐが配置される開口Ｔｈを有する。本実施形態においては、カバー部材Ｔが上面２Ｕを有する。

本実施形態において、第１保持部３１は、基板Ｐの上面ＰａとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。第２保持部３２は、カバー部材Ｔの上面２ＵとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、カバー部材Ｔを保持する。本実施形態において、第１保持部３１に保持された基板Ｐの上面Ｐａと第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの上面２Ｕとは、ほぼ同一平面内に配置される（ほぼ面一である）。

なお、カバー部材Ｔは、基板ステージ２に一体的に形成されていてもよい。例えば、基板ステージ２の少なくとも一部の部材が上面２Ｕを有してもよい。本実施形態では、カバー部材Ｔにおける開口Ｔｈに、基板Ｐの側面Ｐｃに向けて突出する凸部（「突出部」とも称する。以下、同様である。）が設けられているが、これについては後述する。

本実施形態において、計測ステージ３は、計測部材Ｃをリリース可能に保持する第３保持部３３と、第３保持部３３の周囲に配置され、カバー部材Ｑをリリース可能に保持する第４保持部３４とを有する。第３，第４保持部３３，３４は、ピンチャック機構を有する。カバー部材Ｑは、第３保持部３３に保持された計測部材Ｃの周囲に配置される。なお、第３保持部３３及び第４保持部３４の少なくとも一方で使用される保持機構はピンチャック機構に限られない。また、計測部材Ｃ及びカバー部材Ｑの少なくとも一方は、計測ステージ３に一体的に形成されていてもよい。

本実施形態において、第３保持部３３は、計測部材Ｃの上面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、計測部材Ｃを保持する。第４保持部３４は、カバー部材Ｑの上面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、カバー部材Ｑを保持する。本実施形態において、第３保持部３３に保持された計測部材Ｃの上面と第４保持部３４に保持されたカバー部材Ｑの上面とは、ほぼ同一平面内に配置される（ほぼ面一である）。

ここで、以下の説明において、第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの上面２Ｕを適宜、基板ステージ２の上面２Ｕ、と称し、第３保持部３３に保持された計測部材Ｃの上面及び第４保持部３４に保持されたカバー部材Ｑの上面を合わせて適宜、計測ステージ３の上面３Ｕ、と称する。

干渉計システム１１は、マスクステージ１の位置を計測するレーザ干渉計ユニット１１Ａと、基板ステージ２及び計測ステージ３の位置を計測するレーザ干渉計ユニット１１Ｂとを含む。レーザ干渉計ユニット１１Ａは、マスクステージ１に配置された計測ミラー１Ｒを用いて、マスクステージ１の位置を計測可能である。レーザ干渉計ユニット１１Ｂは、基板ステージ２に配置された計測ミラー２Ｒ、及び計測ステージ３に配置された計測ミラー３Ｒを用いて、基板ステージ２及び計測ステージ３それぞれの位置を計測可能である。

アライメントシステム３０２は、基板Ｐのアライメントマークを検出して、その基板Ｐのショット領域（露光領域）Ｓの位置を検出する。アライメントシステム３０２は、基板ステージ２（基板Ｐ）が対向可能な下面を有する。基板ステージ２の上面２Ｕ、及び基板ステージ２に保持されている基板Ｐの上面（表面）Ｐａは、−Ｚ方向を向くアライメントシステム３０２の下面と対向可能である。

表面位置検出システム３０３は、例えばオートフォーカス・レベリングシステムとも呼ばれ、基板ステージ２に保持された基板Ｐの上面（表面）Ｐａに検出光を照射して、その基板Ｐの上面Ｐａの位置を検出する。表面位置検出システム３０３は、基板ステージ２（基板Ｐ）が対向可能な下面を有する。基板ステージ２の上面２Ｕ、及び基板ステージ２に保持されている基板Ｐの上面Ｐａは、−Ｚ方向を向く表面位置検出システム３０３の下面と対向可能である。

基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置８は、干渉計システム１１の計測結果、及び検出システム３００の検出結果に基づいて、駆動システム４，５，６を作動し、マスクステージ１（マスクＭ）、基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３(計測部材Ｃ）の位置制御を実行する。

液浸部材７は、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸部材７は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１２の近傍に配置される。本実施形態において、液浸部材７は、環状の部材であり、露光光ＥＬの光路の周囲に配置される。本実施形態においては、液浸部材７の少なくとも一部が、終端光学素子１２の周囲に配置される。

終端光学素子１２は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面１３を有する。本実施形態において、射出面１３側に液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間ＬＳは、射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように形成される。射出面１３から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。射出面１３は、露光光ＥＬの進行方向（−Ｚ方向）を向く。本実施形態において、射出面１３は、ＸＹ平面とほぼ平行な平面である。なお、射出面１３がＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。

液浸部材７は、少なくとも一部が−Ｚ方向を向く下面１４を有する。本実施形態において、射出面１３及び下面１４は、射出面１３から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）に配置される物体との間で液体ＬＱを保持することができる。液浸空間ＬＳは、射出面１３及び下面１４の少なくとも一部と投影領域ＰＲに配置される物体との間に保持された液体ＬＱによって形成される。液浸空間ＬＳは、射出面１３と、投影領域ＰＲに配置される物体との間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように形成される。液浸部材７は、終端光学素子１２と物体との間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように物体との間で液体ＬＱを保持可能である。

本実施形態において、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、投影光学系ＰＬの像面側（終端光学素子１２の射出面１３側）で投影領域ＰＲに対して移動可能な物体を含む。その物体は、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して移動可能である。その物体は、射出面１３及び下面１４の少なくとも一方と対向可能な上面（表面）を有する。物体の上面は、射出面１３との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。その物体は、終端光学素子１２の光軸（Ｚ軸）と垂直な面内（ＸＹ平面内）において移動可能である。本実施形態において、物体の上面は、射出面１３及び下面１４の少なくとも一部との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。一方側の射出面１３及び下面１４と、他方側の物体の上面（表面）との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１２と物体との間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。

本実施形態において、その物体は、基板ステージ２、基板ステージ２に保持された基板Ｐ、計測ステージ３、及び計測ステージ３に保持された計測部材Ｃの少なくとも一つを含む。例えば、基板ステージ２の上面２Ｕ、及び基板ステージ２に保持されている基板Ｐの表面（上面）Ｐａは、−Ｚ方向を向く終端光学素子１２の射出面１３、及び−Ｚ方向を向く液浸部材７の下面１４と対向可能である。もちろん、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、基板ステージ２、基板ステージ２に保持された基板Ｐ、計測ステージ３、及び計測ステージ３に保持された計測部材Ｃの少なくとも一つに限られない。また、それら物体は、検出システム３００の少なくとも一部と対向可能である。

本実施形態においては、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。基板Ｐの露光時において、液浸部材７は、終端光学素子１２と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持可能である。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧの少なくとも一部は、液浸部材７の下面１４と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。

図２は、本実施形態に係る液浸部材７及び基板ステージ２の一例を示す側断面図である。図３は、図２の一部を拡大した図である。なお、図２においては、投影領域ＰＲ（終端光学素子１２及び液浸部材７と対向する位置）に基板Ｐが配置されているが、上述のように、基板ステージ２（カバー部材Ｔ）、及び計測ステージ３（カバー部材Ｑ、計測部材Ｃ）を配置することもできる。

図２に示すように、液浸部材７は、少なくとも一部が終端光学素子１２の射出面１３と対向する対向部７１と、少なくとも一部が終端光学素子１２の周囲に配置される本体部７２とを含む。対向部７１は、射出面１３と対向する位置に孔（開口）７Ｋを有する。対向部７１は、少なくとも一部が射出面１３とギャップを介して対向する上面７Ｕと、基板Ｐ（物体）が対向可能な下面７Ｈとを有する。孔７Ｋは、上面７Ｕと下面７Ｈとを結ぶように形成される。上面７Ｕは、孔７Ｋの上端の周囲に配置され、下面７Ｈは、孔７Ｋの下端の周囲に配置される。射出面１３から射出された露光光ＥＬは、孔７Ｋを通過して、基板Ｐに照射可能である。

本実施形態において、上面７Ｕ及び下面７Ｈのそれぞれは、光路Ｋの周囲に配置される。本実施形態において、下面７Ｈは、平坦面である。下面７Ｈは、基板Ｐ（物体）との間で液体ＬＱを保持可能である。以下の説明において、下面７Ｈを適宜、保持面７Ｈ、と称する。

また、液浸部材７は、液体ＬＱを供給可能な供給口１５と、液体ＬＱを回収可能な回収口１６とを有する。供給口１５は、例えば基板Ｐの露光時において液体ＬＱを供給する。
回収口１６は、例えば基板Ｐの露光時において液体ＬＱを回収する。なお、供給口１５は、基板Ｐの露光時及び非露光時の一方又は両方において液体ＬＱを供給可能である。なお、回収口１６は、基板Ｐの露光時及び非露光時の一方又は両方において液体ＬＱを回収可能である。

供給口１５は、射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの近傍において、その光路Ｋに面するように配置されている。なお、供給口１５は、射出面１３と開口７Ｋとの間の空間及び終端光学素子１２の側面の一方又は両方に面していればよい。本実施形態において、供給口１５は、上面７Ｕと射出面１３との間の空間に液体ＬＱを供給する。供給口１５から供給された液体ＬＱは、その上面７Ｕと射出面１３との間の空間を流れた後、開口７Ｋを介して、基板Ｐ（物体）上に供給される。

供給口１５は、流路１７を介して、液体供給装置（第１液体供給装置）１８と接続されている。液体供給装置１８は、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。流路１７は、液浸部材７の内部に形成された供給流路１７Ｒ、及びその供給流路１７Ｒと液体供給装置１８とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置１８から送出された液体ＬＱは、流路１７を介して供給口１５に供給される。少なくとも基板Ｐの露光において、供給口１５は、液体ＬＱを供給する。

回収口１６は、液浸部材７の下面１４と対向する物体上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。回収口１６は、露光光ＥＬが通過する開口７Ｋの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態においては、回収口１６は、保持面７Ｈの周囲の少なくとも一部に配置される。回収口１６は、物体の表面と対向する液浸部材７の所定位置に配置されている。少なくとも基板Ｐの露光において、回収口１６に基板Ｐが対向する。基板Ｐの露光において、回収口１６は、基板Ｐ上の液体ＬＱを回収する。

本実施形態において、本体部７２は、基板Ｐ（物体）に面する開口７Ｐを有する。開口７Ｐは、保持面７Ｈの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材７は、開口７Ｐに配置された多孔部材１９を有する。本実施形態において、多孔部材１９は、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の部材である。なお、開口７Ｐに、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。

本実施形態において、多孔部材１９は、基板Ｐ（物体）が対向可能な下面１９Ｈと、下面１９Ｈの反対方向を向く上面１９Ｕと、上面１９Ｕと下面１９Ｈとを結ぶ複数の孔とを有する。下面１９Ｈは、保持面７Ｈの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材７の下面１４の少なくとも一部は、保持面７Ｈ及び下面１９Ｈを含む。

本実施形態において、回収口１６は、多孔部材１９の孔を含む。本実施形態において、基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱは、多孔部材１９の孔（回収口１６）を介して回収される。
なお、多孔部材１９が配置されなくてもよい。

回収口１６は、流路２０を介して、液体回収装置２１と接続されている。液体回収装置２１は、回収口１６を真空システムに接続可能であり、回収口１６を介して液体ＬＱを吸引可能である。流路２０は、液浸部材７の内部に形成された回収流路２０Ｒ、及びその回収流路２０Ｒと液体回収装置２１とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口１６から回収された液体ＬＱは、流路２０を介して、液体回収装置２１に回収される。

本実施形態においては、制御装置８は、供給口１５からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口１６からの液体ＬＱの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子１２及び液浸部材７と、他方側の物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。

なお、液浸部材７として、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材（ノズル部材）を用いることができる。

図２及び図３に示すように、本実施形態において、基板ステージ２は、基板（物体）Ｐとカバー部材Ｔ（基板ステージ２）との間の間隙（ギャップ）Ｇａに通じる空間部２３を有する。空間部２３は、間隙Ｇａの下方に位置する。間隙Ｇａは、互いに対向する、第１保持部３１に保持された基板Ｐの側面Ｐｃと、第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの内面Ｔｃとの間に形成される。内面Ｔｃは、基板Ｐの側面Ｐｃと平行で上端が上面Ｔａと結ばれる第１内面Ｔｄと、第１内面Ｔｄの下方に第１内面Ｔｄとは非平行に配置され、第１保持部３１の中心に対して外側に向かうに従って下方に傾斜する傾斜面Ｔｓとを有している。

空間部２３には、多孔部材８０が配置されている。本実施形態において、多孔部材８０は、射出面１３及び下面１４の少なくとも一方が対向可能な上面８０Ａを有する。上面８０Ａは、基板Ｐ及びカバー部材Ｔよりも下方（−Ｚ側）に位置して配置される。本実施形態において、多孔部材８０は、例えばチタン製である。多孔部材８０は、例えば焼結法により形成可能である。本実施形態において、間隙Ｇａに流入する液体ＬＱの少なくとも一部は、多孔部材８０を介して回収される。

本実施形態において、多孔部材８０は、ケース８１に支持されている。ケース８１は、空間部２３に配置される。本実施形態において、ケース８１は、例えばセラミック製である。なお、ケース８１が金属製でもよい。なお、ケース８１は必ずしも必須ではなく、省略してもよい。その場合には、多孔部材８０が空間部２３にケース８１を介さずに収容される。

また、本実施形態において、多孔部材８０及びケース８１とカバー部材Ｔとの間に、支持部材８２が配置される。支持部材８２は、多孔部材８０及びケース８１の少なくとも一部に支持される。支持部材８２は、カバー部材Ｔの下面Ｔｂの少なくとも一部と対向可能である。支持部材８２は、カバー部材Ｔの下面Ｔｂの少なくとも一部を支持する。

本実施形態において、基板ステージ２は、空間部２３に配置される吸引口２４を有する。本実施形態において、吸引口２４は、空間部２３を形成する基板ステージ２の内面の少なくとも一部に形成されている。吸引口２４は、空間部２３が負圧になるように、空間部２３の流体の少なくとも一部を吸引する。吸引口２４は、空間部２３の液体及び気体の一方又は両方を吸引可能である。

吸引口２４は、流路２５を介して、流体吸引装置２６と接続されている。流体吸引装置２６は、吸引口２４を真空システムに接続可能であり、吸引口２４を介して液体及び気体の一方又は両方を吸引可能である。流路２５の少なくとも一部は、基板ステージ２の内部に形成される。吸引口２４から吸引された流体（液体及び気体の少なくとも一方）は、流路２５を介して、流体吸引装置２６に吸引される。

本実施形態において、ケース８１は、ケース８１の外面と内面とを結ぶ孔（開口）８１Ｈを有する。孔８１Ｈの上端の開口８３は、多孔部材８０の下面に臨んでいる。孔８１Ｈの下端の開口は、吸引口２４と結ばれる。吸引口２４は、ケース８１の内側の空間が負圧になるように、そのケース８１の内側の空間の流体を、孔８１Ｈを介して吸引可能である。

本実施形態において、第１保持部３１は、例えばピンチャック機構を有する。第１保持部３１は、基板ステージ２の支持面３１Ｓに配置され、基板Ｐの下面Ｐｂが対向可能な周壁部３５と、周壁部３５の内側の支持面３１Ｓに配置され、複数のピン部材を含む支持部３６と、支持面３１Ｓに配置され、流体を吸引する吸引口３７とを有する。吸引口３７は、流体吸引装置と接続される。流体吸引装置は、制御装置８に制御される。周壁部３５の上面は、基板Ｐの下面Ｐｂと対向可能である。周壁部３５は、基板Ｐの下面Ｐｂとの間の少なくとも一部に負圧空間を形成可能である。なお、支持面３１において、周壁部３５は実質的に円形であり、前述、及び後述の説明において、第１保持部３１の中心は、周壁部３５の中心である。なお、本実施形態においては、ＸＹ平面内において、周壁部３５は、実質的に円形（円環状）である。制御装置８は、基板Ｐの下面Ｐｂと周壁部３５の上面とが接触された状態で、吸引口３７の吸引動作を実行することによって、周壁部３５と基板Ｐの下面Ｐｂと支持面３１Ｓとで形成される空間３１Ｈを負圧にすることができる。これにより、基板Ｐが第１保持部３１に保持される。また、吸引口３７の吸引動作が解除されることによって、基板Ｐは第１保持部３１から解放される。

本実施形態においては、空間３１Ｈを負圧にすることにより、基板Ｐの下面が支持部３６（複数のピン部材）の上端に保持される。すなわち、支持部３６（複数のピン部材）の上端によって基板Ｐを保持する保持面３６Ｓの少なくとも一部が規定されている。

本実施形態において、第２保持部３２は、例えばピンチャック機構を有する。第２保持部３２は、基板ステージ２の支持面３２Ｓにおいて周壁部３５を囲むように配置され、カバー部材Ｔの下面Ｔｂが対向可能な周壁部３８と、支持面３２Ｓにおいて周壁部３８を囲むように配置され、カバー部材Ｔの下面Ｔｂが対向可能な周壁部３９と、周壁部３８と周壁部３９との間の支持面３２Ｓに配置され、複数のピン部材を含む支持部４０と、支持面３２Ｓに配置され、流体を吸引する吸引口４１とを有する。吸引口４１は、流体吸引装置と接続される。流体吸引装置は、制御装置８に制御される。周壁部３８、３９の上面は、カバー部材Ｔの下面Ｔｂと対向可能である。周壁部３８、３９は、カバー部材Ｔの下面Ｔｂとの間の少なくとも一部に負圧空間を形成可能である。制御装置８は、カバー部材Ｔの下面Ｔｂと周壁部３８、３９の上面とが接触された状態で、吸引口４１の吸引動作を実行することによって、周壁部３８と周壁部３９とカバー部材Ｔの下面Ｔｂと支持面３２Ｓとで形成される空間３２Ｈを負圧にすることができる。これにより、カバー部材Ｔが第２保持部３２に保持される。また、吸引口４１の吸引動作が解除されることによって、カバー部材Ｔは第２保持部３２から解放される。

空間部２３は、周壁部３５の周囲の空間を含む。本実施形態において、空間部２３は、周壁部３５と周壁部３８との間の空間を含む。

図４は、基板ステージ２に基板Ｐ及びカバー部材Ｔが保持される平面図である。
図４に示すように、カバー部材ＴにおけるＺ軸周り方向の開口Ｔｈを規定するエッジ部ＥＧには、第１保持部３１に保持される基板Ｐの側面Ｐｃ（図３参照）に向けて突出する凸部（突出部）ＧＺが設けられている。換言すれば、図４に示されるように、カバー部材Ｔにおける開口Ｔｈは、Ｚ方向から見た場合にその周方向に沿って凸部ＧＺが所定のピッチで複数並んでいる形状（いわゆる「のこぎり状」）となっている。さらに換言すれば、カバー部材Ｔにおける開口Ｔｈは、先端部（後述）から見た場合に凹部がその周方向に沿って所定のピッチで複数並んた形状となっている。

図５は、基板Ｐにおけるノッチ部ＰＮ周辺の拡大平面図である。
凸部ＧＺは、基板Ｐにおける−Ｘ側の端縁に形成され当該基板Ｐの位置に関する指標となるノッチ部ＰＮと対向する領域Ａ１に配される第１の凸部ＧＺ１と、その他の領域Ａ２に配される第２の凸部ＧＺ２とを備えている。図５に示されるように、領域Ａ１（第１領域とも称する）では、凹部と凸部とが繰り返される形状となっておらず、一方で領域Ａ２（第２領域とも称する）では、複数の凸部が周方向に所定のピッチＰＺ（後述）で並んだ形状となっている。換言すれば、領域Ａ１における第１の凸部ＧＺ１の先端部Ｔｆの幅Ｗ（後述）は、領域Ａ２における第２の凸部ＧＺ２の先端部の幅Ｗよりも大きくなっている。なお、領域Ａ１における第１の凸部ＧＺ１は必ずしもこの形態に限定されず、例えば第２の凸部ＧＺ２よりも細かなピッチＺＰ（後述）で複数の凸部が並んだ形状となっていてもよいし、第２の凸部ＧＺ２よりも小さな突出量ＺＬ（後述）となっていてもよい。このように本実施形態では、カバー部材Ｔにおける開口Ｔｈを規定するエッジ部ＥＧは、その周方向に沿って領域Ａ１と領域Ａ２とを有しており、それぞれの領域で形状の異なる凸部が形成されている。

図６は、凸部ＧＺの詳細図である。
凸部ＧＺは、基部Ｔｅ（凸部ＧＺにおいて、載置された基板Ｐから最も離れた部位）に形成される円弧部Ｒの大きさ、円弧部Ｒの中心から先端部までの長さｈ、円弧部Ｒの大きさと長さｈとの和で示される突出量ＺＬ、先端部の幅Ｗ、配列ピッチＺＰを含む諸元（形状）で示されるものである。なお、第１の凸部ＧＺ１については、基板Ｐのノッチ部ＰＮの開口幅を含む範囲で、先端部の幅Ｗ１（図５参照）が形成されるが、この場合には、図６に示した凸部ＧＺにおいて、ＺＰ≦Ｗとし、下式（１）で示される諸元で凸部ＧＺを設定すればよい。
Ｗ１＝ｎ×Ｗ−（ｎ−１）×（Ｗ−ＺＰ） …（１）
ｎ：凸部ＧＺの数（正の整数）

また、基板Ｐとカバー部材Ｔの間隙Ｇａが例えば２００μｍの場合、第２凸部ＧＺ２の好適な諸元としては、長さｈが０．３〜０．８ｍｍ、円弧部Ｒが０．０５〜０．１５ｍｍ、ピッチＺＰが０．３〜１．０ｍｍ、幅Ｗが０．１〜０．５ｍｍ、突出量ＺＬが０．３５〜０．９５ｍｍが挙げられる。この場合の長さｈとピッチＺＰとの好適な比は、０．３〜１．５程度となる。このように、第１の凸部ＧＺ１と第２の凸部ＧＺ２とは、少なくともピッチＺＰが異なる諸元を有することになる。また、第１、第２の凸部ＧＺ１、ＧＺ２の内面Ｔｃは、図３等を参照して上述した第１内面Ｔｄ及び傾斜面Ｔｓを有するものとなっている。
なお、図６に示すように、カバー部材Ｔの表面に撥液膜ＨＭが、例えば２０μｍの膜厚で成膜される場合には、上記の凸部ＧＺ１、ＧＺ２が当該膜厚でオフセット（加算）された形状となる。

次に、露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。
制御装置８は、基板ステージ２を露光位置に移動させて、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成された後、基板Ｐの露光処理を開始する。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置８は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、基板Ｐが液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して基板Ｐに投影される。

図４に示すように、本実施形態においては、基板Ｐ上に露光対象領域であるショット領域Ｓがマトリクス状に複数配置されている。制御装置８は、基板Ｐ上に定められた複数のショット領域Ｓを順次露光する。

基板Ｐのショット領域Ｓを露光するとき、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板Ｐとが対向され、終端光学素子１２と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。基板Ｐの複数のショット領域Ｓを順次露光するとき、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板Ｐの上面Ｐａ及び基板ステージ２の上面２Ｕの少なくとも一方との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成されている状態で、駆動システム５によって基板ステージ２がＸＹ平面内において移動される。制御装置８は、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板Ｐの上面Ｐａ及び基板ステージ２の上面２Ｕの少なくとも一方との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成されている状態で、基板ステージ２を移動しながら、基板Ｐの露光を実行する。

例えば基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓのうち最初のショット領域Ｓを露光するために、制御装置８は、その第１のショット領域Ｓを露光開始位置に移動する。制御装置８は、液浸空間ＬＳが形成された状態で、第１のショット領域Ｓ（基板Ｐ）を投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動しながら、その第１のショット領域Ｓに対して露光光ＥＬを照射する。

第１のショット領域Ｓの露光が終了した後、次の第２のショット領域Ｓを露光するために、制御装置８は、液浸空間ＬＳが形成された状態で、基板ＰをＸ軸方向（あるいはＸＹ平面内においてＸ軸方向に対して傾斜する方向）に移動し、第２のショット領域Ｓを露光開始位置に移動する。制御装置８は、第１のショット領域Ｓと同様に、第２のショット領域Ｓを露光する。

制御装置８は、投影領域ＰＲに対してショット領域ＳをＹ軸方向に移動しながらそのショット領域Ｓに露光光ＥＬを照射する動作（スキャン露光動作）と、そのショット領域Ｓの露光が終了した後、次のショット領域Ｓを露光開始位置に移動するための動作（ステッピング動作）とを繰り返しながら、基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓを、投影光学系ＰＬ及び液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して順次露光する。基板Ｐの複数のショット領域Ｓに対して露光光ＥＬが順次照射される。

本実施形態において、制御装置８は、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲと基板Ｐとが、図４中、矢印Ｒ１に示す移動軌跡に沿って相対的に移動するように基板ステージ２を移動しつつ投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射して、液体ＬＱを介して基板Ｐの複数のショット領域Ｓを露光光ＥＬで順次露光する。基板Ｐの露光における基板ステージ２の移動中の少なくとも一部において、液浸空間ＬＳは、間隙Ｇａ上に形成される。

ここで、例えば、液浸空間ＬＳがカバー部材Ｔ上から基板Ｐ上に移動することにより、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの一部が千切れ、滴となって基板Ｐ上に残留する可能性がある。
例えば、液浸空間ＬＳが、カバー部材Ｔ上、間隙Ｇａ上、及び基板Ｐ上の順に移動すると、間隙Ｇａの存在により、カバー部材Ｔと基板Ｐとで急激に幾何学的な形状（液浸空間ＬＳのカバー部材Ｔや基板Ｐなどとの接触面の形状）が変化することとなる。その幾何学的な形状の変化によって、液体ＬＱの少なくとも一部が基板Ｐ上に残留するように液浸空間ＬＳの液体ＬＱが流動する可能性がある。

領域Ａ２において、液浸空間ＬＳがカバー部材Ｔ上から基板Ｐ上に移動した場合には、第２の凸部ＧＺ２において、液体ＬＱとカバー部材Ｔとの接触面積が漸次小さくなるため、上述した急激な幾何学的形状の変化が緩和される。そのため、液体ＬＱがカバー部材Ｔからスムースに離れ、基板Ｐの上面に液体ＬＱが残留することが抑制される。なお、領域Ａ２に形成される第２の凸部ＧＺ２の諸元については、開口Ｔｈ内に載置される基板Ｐの特性に応じて適宜選択してもよい。具体的には、基板Ｐとカバー部材Ｔとの間に液体ＬＱが浸入しやすい基板Ｐの場合には、例えばピッチＰＺの値を大きく設定してもよい。また、基板Ｐとカバー部材Ｔとの間に液体ＬＱが浸入しにくい基板Ｐの場合には、例えばピッチＰＺの値を小さく設定してもよい。あるいは、基板Ｐとカバー部材Ｔとの間に液体ＬＱが浸入しやすい基板Ｐの場合には、例えば突出量ＺＬの値を大きく設定してもよい。また、基板Ｐとカバー部材Ｔとの間に液体ＬＱが浸入しにくい基板Ｐの場合には、例えば突出量ＺＬの値を小さく設定してもよい。

一方、領域Ａ１においては、液浸空間ＬＳがカバー部材Ｔ上から基板Ｐ上に移動した場合に、開口部の幅が漸次小さくなるノッチ部ＰＮの存在により、上述した急激な幾何学的形状の変化が緩和されるが、間隙量が大きくなり、間隙を介した液体ＬＱの漏れ量が多くなることが懸念される。そこで、本実施形態では、第１の凸部ＧＺ１の諸元を第２の凸部ＧＺ２の諸元と異ならせて、間隙量を減らすように第１の凸部ＧＺ１を設定することにより、ノッチ部ＰＮにおける部分的な液体漏れ特異性を軽減することができる。

以上説明したように、本実施形態では、基板Ｐにおけるノッチ部ＰＮの位置に応じて、諸元の異なる第１の凸部ＧＺ１と第２の凸部ＧＺ２とを配置することにより、液体ＬＱの残留を抑制しつつ、部分的な液体漏れ特異性を軽減することができ、結果として、露光不良の発生を抑制できる。

なお、上記実施形態では、第１の凸部ＧＺ１を−Ｘ側の一箇所（６時位置）に設ける構成としたが、これに限定されるものではなく、開口Ｔｈの周方向の異なる位置、例えば９０°ずれた−Ｙ側（３時）の位置との双方に設ける構成としてもよい。この構成を採ることにより、基板Ｐを第１保持部３１に保持させる方向がいずれの場合でも対応可能となる。

＜第２実施形態＞
次に、露光装置ＥＸの第２実施形態について、図７乃至図８を参照して説明する。
これらの図において、図１乃至図６に示す第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。なお、図７及び図８においては、便宜上、基板Ｐにおけるノッチ部及び第１の凸部の図示を省略している。

本実施形態における露光装置ＥＸには、基板ステージ２におけるカバー部材Ｔの周囲に間隙Ｇｍをあけて部材としてのスケール部材（計測部材）ＧＴが設けられている。そして、カバー部材Ｔにおける間隙Ｇｍを臨むスケール部材ＧＴと対向する位置（外縁部、第２エッジ部）に、上述した第２の凸部ＧＺ２と同様の諸元を有する第３の凸部ＧＺ３が間隙Ｇｍの延在方向に沿って形成されている。間隙Ｇｍに臨むカバー部材Ｔの第２エッジ部の内面及びスケール部材ＧＴの第３エッジ部における内面には、第１実施形態で説明したカバー部材Ｔと同様に、上端が上面と結ばれる第１内面と、第１内面の下方に配置され、間隙Ｇｍから離間するのに従って下方に傾斜する傾斜面が形成されている（図３のＴｓを適宜参照）。

上記構成の露光装置ＥＸでは、スケール部材ＧＴを用いてその基板ステージ２の位置を計測するエンコーダシステムが用いられる場合、液体ＬＱが間隙Ｇｍを介してカバー部材Ｔとスケール部材ＧＴとの間を移動する際に、上記の凸部ＧＺを用いて液体ＬＱの残留を抑制することが可能である。なお、このようなエンコーダシステムは、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書に開示されている。

なお、第３の凸部ＧＺ３は、必ずしも第２の凸部ＧＺ２と同様の諸元を有する必要はなく、互いに異なる諸元を有しても良い。すなわち、基板Ｐとカバー部材Ｔとの間の間隙Ｇａの下方には、多孔部材８０（図３参照）が設けられ、間隙Ｇａを介して漏れた液体ＬＱを吸引して回収可能であり、また、スケール部材ＧＴ及びカバー部材Ｔの外形寸法精度と比較して基板Ｐの外形寸法精度が低いことから、カバー部材Ｔにおける第２の凸部ＧＺ２における諸元を第３の凸部ＧＺ３の諸元と異ならせ、間隙Ｇａにおける間隙量を間隙Ｇｍにおける間隙量よりも、例えば、１ｍｍ程度に大きくすることも可能である。より具体的には、第３の凸部ＧＺ３における突出量ＺＬを、第２の凸部ＧＺ２における突出量ＺＬよりも小さくしてもよい。あるいは、第３の凸部ＧＺ３におけるピッチＺＬＰ、第２の凸部ＧＺ２におけるピッチＺＰよりも小さな値としてもよい。これにより、基板Ｐの上面に液体ＬＱが残留することが抑制されるとともに、スケール部材ＧＴ上に液体ＬＧが残留してしまうことが抑制される。結果として、露光不良の発生を抑制できる。

また、本実施形態の露光動作においては、基板ステージ２と計測ステージ３とを当接させた状態で共に移動させ（以下、「スクラムスイープ動作」と適宜称する）、これにより終端光学素子１２の下方で液浸空間ＬＳを維持しつつ液浸空間ＬＳを基板ステージ２と計測ステージ３との間で移動させる動作を行うことがある。なお、スクラムスイープ動作の詳細に関しては、例えば米国特許出願公開第２０１０／０２９６０６８号などに開示されている。そして本実施形態では、基板ステージ２と計測ステージ３とがスクラムスイープ動作をする際の緩衝材となる緩衝部材ＢＦが基板ステージ２に設けられている。そして、緩衝部材ＢＦにおける計測ステージ３及びスケール部材ＧＴと対向する位置に、上記第２の凸部ＧＺ２と同様の諸元を有する第４の凸部ＧＺ４が設けられている。この構成を採ることにより、液体ＬＱが計測ステージ３から基板ステージ２に移動する際に、基板ステージ２に液体ＬＱが残留することを抑制できる。なお、緩衝部材ＢＦは、基板ステージ２側ではなく、計測ステージ３側に設けられていてもよい。あるいは、基板ステージ２と計測ステージ３の双方の側に緩衝部材ＢＦが設けられていてもよい。また、緩衝部材ＢＦに設けられる第４の凸部ＧＺ４は、必ずしも第２の凸部ＧＺ２と同様の諸元を有する必要はなく、第２の凸部ＧＺ２と異なる諸元としてもよい。具体的には、例えば第４の凸部ＧＺ４における突出量ＺＬを、第２の凸部ＧＺ２における突出量ＺＬよりも小さくしてもよい。
または、第４の凸部ＧＺ４におけるピッチＰＺを、第２の凸部ＧＺ２におけるピッチＰＺよりも小さくしてもよい。また、第４の凸部ＧＺ４は、緩衝部材ＢＦのＹ方向両側に設ける必要は必ずしもなく、少なくとも一方の側に設けてもよい。

なお、本実施形態では、間隙Ｇｍを形成するカバー部材Ｔ、スケール部材ＧＴのうち、カバー部材Ｔに第３の凸部ＧＺ３を設ける構成を例示したが、これに限定されず、スケール部材ＧＴに設ける構成や、カバー部材Ｔ及びスケール部材ＧＴの双方に設ける構成であってもよい。カバー部材Ｔ及びスケール部材ＧＴの双方に凸部を設ける場合には、例えば凸部間の隙間が一定となるように、一方の凸部が他方の凸部間の凹部に突出するように、同一ピッチで位相を半ピッチずらして配置すればよい。

また、図７に示されるように、計測ステージ３において、露光光ＥＬを計測するための計測部材（計測器）Ｃの周囲におけるカバー部材Ｑに上記と同様の凸部を設けてもよい。
これにより、計測部材Ｃとカバー部材Ｑとの間に形成される間隙Ｇｎを介して液体ＬＱが移動する際に液体ＬＱが計測部材Ｃ上などに残留することも抑制できる。計測部材Ｃとしては、例えば米国特許第４,４６５,３６８号明細書などに開示される照度むらセンサ、米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号明細書などに開示される空間像計測器、米国特許出願公開第２００２／００６１４６９号明細書などに開示される照度モニタ、及び欧州特許第１，０７９，２２３号明細書などに開示される波面収差計測器などが挙げられる。また、計測部材Ｃとしては、アライメント用の基準マークや、液浸部材７等を下方から撮像するために計測ステージ３に設けた撮像装置Ｉなども含まれる。これら計測部材Ｃの周囲におけるカバー部材Ｑに上述した凸部を設ける構成を採用してもよい。
また、基板ステージ２に搭載される計測部材Ｃの周囲におけるカバー部材Ｔに上述した凸部を設けてもよい。このような基板ステージ２に搭載される計測部材Ｃとしては、例えば、投影光学系ＰＬを介した計測マークの空間像を計測するセンサ（ＡＩＳセンサ）Ｓが挙げられる。このセンサＳの周囲におけるカバー部材Ｔに上述した凸部を設ける構成とすることにより、同様の作用・効果を奏することができる。
センサＳの周囲におけるカバー部材Ｔに形成される凸部は、例えば第３の凸部ＧＺ３と同様の諸元としてもよいし、第２の凸部ＧＺ２や第３の凸部ＧＺ３と異なる諸元の凸部としてもよい。例えば、センサＳの周囲におけるカバー部材Ｔに形成される凸部の突出量ＺＬを、第２の凸部ＧＺ２における突出量ＺＬよりも小さくしてもよい。または、センサＳの周囲におけるカバー部材Ｔに形成される凸部のピッチＰＺを、第２の凸部ＧＺ２におけるピッチＰＺよりも小さくしてもよい。
このように、本実施形態では、カバー部材Ｔにおいて、基板Ｐと対向する部位における凸部（第１の凸部ＧＺ１や第２の凸部ＧＺ２）の形状（ピッチＰＺや突出量ＺＬなど）は、他の凸部（第３の凸部ＧＺ３およびセンサＳと対向する部分に形成される凸部など）の形状とは異なっている。
なお、上述したカバー部材Ｔに形成される各凸部（第１の凸部ＧＺ１〜第３の凸部ＧＺ３、センサＳの周囲における凸部）、カバー部材Ｑに形成される凸部、及び緩衝部材ＢＦに形成される凸部はすべて形成される必要は必ずしもなく、これらのうち少なくとも１つが形成されていてもよい。
また、本実施形態で説明した凸部ＧＺは、露光装置内の他の部材にも適用が可能である。具体的には、液浸部材７の下面１４（例えば下面１４の周縁など）や上述したエンコーダシステムの読み取りヘッドなど、液体ＬＱと接触する接液部材であって当該液体ＬＱが残留することを好まない部位にも適用が可能である。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。

例えば、上記実施形態で示した凸部の形状は一例であり、この他に、図９（ａ）に示すように、基部Ｔｅに円弧部を設けずに先端部Ｔｆと平行なエッジ部を設ける構成、図９（ｂ）に示すように、基部Ｔｅにおいて各凸部の側面同士が交差する構成、さらに、図９（ｃ）に示すように、先端部Ｔｆにおいても各凸部の側面同士が交差して鋭端となる構成、また、図９（ｄ）に示すように、基部Ｔｅ及び先端部Ｔｆの双方に円弧部が設けられる構成等を適宜採用することができる。

また、上記第１実施形態では、図５に示したように、領域Ａ１では、上述した凹凸が繰り返される形状となっていない第１の凸部ＧＺ１を例示したが、これに限定されるものではなく、例えば、基板Ｐの外形寸法によっては、カバー部材Ｔとの間隙Ｇａが大きくなる場合がある。このような場合には、多孔部材８０によって液体ＬＱを吸引させるために、図１０に示すように、第２の凸部ＧＺ２と同様に、上述した凹凸が繰り返される形状としてもよい。この構成における第１の凸部ＧＺ１の諸元としては、第２の凸部ＧＺ２の諸元と比較して細かなピッチＺＰ及び小さな突出量ＺＬとなっている（図６参照）。さらに、上記第１実施形態では、基板Ｐにおけるノッチ部ＰＮの位置に応じて凸部の諸元を異ならせる構成について説明したが、この他に、例えば、露光処理時の走査移動方向と非走査方向とに応じた位置で、凸部の諸元を異ならせる構成としてもよい。この場合、予め、走査移動方向と非走査方向とで液体ＬＱの残留状態を確認しておき、確認した残留状態に応じて、各方向毎に凸部の諸元を設定することが好ましい。

なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１２の射出側（像面側）の光路Ｋが液体ＬＱで満たされているが、投影光学系ＰＬが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているような、終端光学素子１２の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系でもよい。

なお、上述の各実施形態においては、露光用の液体ＬＱとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。

また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。例えば、図１１に示すように、露光装置ＥＸが２つの基板ステージ２００１、２００２を備えてもよい。その場合、射出面１３と対向するように配置可能な物体は、一方の基板ステージ、その一方の基板ステージに保持された基板、他方の基板ステージ、及びその他方の基板ステージに保持された基板の少なくとも一つを含む。なお、図１１では上述した計測部材（センサＳなど）は省略されているが、カバー部材のうちこの計測部材と対向する部位にも上述した凸部を設けてもよいことは言うまでもない。

また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。

上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。

また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

上述の実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１２に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

２…基板ステージ（ステージ）、 ８…制御装置、 １２…終端光学素子（光学部材）
、 １３…射出面、 ３１…第１保持部、 ３２…第２保持部、 ８０…多孔部材、 Ａ
１…第１領域、 Ａ２…第２領域、 ＥＬ…露光光、 ＥＸ…露光装置、 Ｇａ、Ｇｍ、
Ｇｎ…間隙（ギャップ）、 ＧＴ…スケール部材（部材、計測部材）、 ＧＺ…凸部、
ＧＺ１…第１の凸部（突出部）、 ＧＺ２…第２の凸部（突出部）、 ＬＱ…液体、 Ｌ
Ｓ…液浸空間、 Ｐ…基板（物体）、 Ｓ…ショット領域（露光領域）、 Ｔ…カバー部
材（第１部材、規定部材）

Claims (1)

1. 液体を介して露光光を基板の上面に照射する露光装置であって、
   前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
   前記基板をリリース可能に保持する第１保持部と、上面及び該上面の外縁の一部であって前記保持される基板の端部と周方向に沿って対向するエッジ部を有する第１部材と、を含む基板保持装置と、を備え、
   前記第１部材の前記エッジ部には、前記保持された基板に向けて突出する突出部が前記周方向に沿って複数並んで形成され、
   前記エッジ部は、
   第１形状を有する突出部が配置され、かつ、前記保持された基板の所定位置に設けられた前記基板の位置に関する指標となるノッチ部に対向する位置に配置された第１領域と、
   前記第１形状と異なる第２形状の突出部が前記周方向に沿って所定ピッチで複数配置された第２領域と、を有する露光装置。

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