KR101296501B1 - 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

노광 장치 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101296501B1
KR101296501B1 KR1020067000412A KR20067000412A KR101296501B1 KR 101296501 B1 KR101296501 B1 KR 101296501B1 KR 1020067000412 A KR1020067000412 A KR 1020067000412A KR 20067000412 A KR20067000412 A KR 20067000412A KR 101296501 B1 KR101296501 B1 KR 101296501B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
substrate
supply
image
exposure
Prior art date
Application number
KR1020067000412A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060030106A (ko
Inventor
히로유키 나가사카
Original Assignee
가부시키가이샤 니콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 니콘 filed Critical 가부시키가이샤 니콘
Publication of KR20060030106A publication Critical patent/KR20060030106A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101296501B1 publication Critical patent/KR101296501B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means

Abstract

노광 장치는, 기판(P) 위에 형성된 액침 영역의 액체(1)와 투영 광학계(PL)를 통해 패턴의 상을 기판(P) 위에 투영 노광하는 것으로, 패턴의 상이 투영되는 투영 영역(AR1)의 양측에, 액체(1)를 공급하기 위한 공급구(13A, 14A)를 지니며, 양측의 공급구(13A, 14A)로부터 동시에 공급할 수 있는 액체 공급 기구를 갖추고 있다. 액체 공급 기구에 의한 액체(1)의 공급은 양측의 공급구(13A, 14A) 중의 한 쪽의 공급구(13A)에서만 시작된다. 투영 광학계와 대향하여 배치되어 있는 물체, 예컨대 기판을 이동시키면서, 액체를 공급하더라도 좋다. 기포 등의 발생을 억제하면서 투영 광학계의 상면(像面) 측의 광로 공간을 신속하게 액체로 채울 수 있다.
Figure R1020067000412
노광 장치, 투영 광학계

Description

노광 장치 및 디바이스 제조 방법{EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE}
본 발명은, 투영 광학계와 기판과의 사이에 액침 영역을 형성한 상태로 기판에 패턴을 노광하는 노광 장치 및 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스나 액정 표시 디바이스는, 마스크 위에 형성된 패턴을 감광성의 기판 위에 전사하는, 소위 포토리소그래피의 수법에 의해 제조된다. 이 포토리소그래피 공정에서 사용되는 노광 장치는 마스크를 지지하는 마스크 스테이지와 기판을 지지하는 기판 스테이지를 지니고, 마스크 스테이지 및 기판 스테이지를 축차 이동하면서 마스크의 패턴을 투영 광학계를 통해 기판에 전사하는 것이다. 최근, 디바이스 패턴의 한층 더한 고집적화에 대응하기 위해서 투영 광학계의 보다 더한 고해상도화가 요구되고 있다. 투영 광학계의 해상도는 사용하는 노광 파장이 짧을수록, 또 투영 광학계의 개구수가 클수록 높아진다. 그 때문에, 노광 장치에서 사용되는 노광 파장은 해마다 단파장화하고 있으며, 투영 광학계의 개구수도 늘어나고 있다. 그리고, 현재 주류의 노광 파장은 KrF 엑시머 레이저의 248 nm이지만, 더욱 단파장인 ArF 엑시머 레이저의 193 nm도 실용화되고 있다. 또한, 노광을 할 때에는, 해상도와 마찬가지로 초점 심도(DOF)도 중요하게 된다. 해상도(R) 및 초점 심도(δ)는 각각 이하의 식으로 나타내어진다.
R=k1ㆍλ/NA (1)
δ=± k2ㆍλ/NA2 (2)
여기서, λ 는 노광 파장, NA는 투영 광학계의 개구수, k1, k2는 프로세스 계수이다. (1)식, (2)식으로부터, 해상도(R)를 높이기 위해서, 노광 파장(λ)을 짧게 하고, 개구수(NA)를 크게 하면, 초점 심도(δ)가 좁게 되는 것을 알 수 있다.
초점 심도(δ)가 지나치게 좁아지면, 투영 광학계의 상면(像面)에 대하여 기판 표면을 합치시키기가 곤란하게 되어, 노광 동작시의 포커스 마진이 부족하게 될 우려가 있다. 그래서, 실질적으로 노광 파장을 짧게 하고, 또 초점 심도를 넓히는 방법으로서, 예컨대, 국제 공개 제99/49504호 공보에 개시되어 있는 액침법이 제안되어 있다. 이 액침법은 투영 광학계의 하면과 기판 표면 사이를 물이나 유기 용매 등의 액체로 채워 액침 영역을 형성하고, 액체 속에서의 노광광의 파장이 공기 중의 1/n(n은 액체의 굴절율로 통상 1.2 ~ 1.6 정도)이 되는 것을 이용하여 해상도를 향상시키고, 초점 심도를 약 n배로 확대한다고 하는 것이다.
그런데, 예컨대 기판을 기판 스테이지에 로드한 후, 기판 스테이지에 올려진 기판 위에 액침 영역을 형성할 때, 작업 처리량 향상의 관점에서 기판과 투영 광학계 사이에 액체를 단시간에 채울 것이 요구된다. 또한, 액 속에 기포 등이 존재하면 기판 위에 형성되는 패턴의 상 열화를 초래하기 때문에, 기포를 존재하지 않게 한 상태에서 액침 영역을 형성할 것이 요구된다.
본 발명은 이러한 사정에 감안하여 이루어진 것으로, 기포 등의 발생을 억제하면서 투영 광학계와 기판 사이를 신속하게 액체로 채울 수 있어, 패턴의 상 열화를 초래하는 일없이 높은 작업 처리량으로 노광 처리할 수 있는 노광 장치 및 디바이스 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 실시형태에 나타내는 도 1 ~ 도 8에 대응시킨 이하의 구성을 채용하고 있다. 단, 각 요소에 붙인 괄호가 달린 부호는 그 요소의 예시에 지나지 않으며, 각 요소를 한정하는 것은 아니다.
본 발명의 제1의 형태에 따르면, 액체(1)를 통해 기판(P) 위에 패턴의 상을 투영하여, 상기 기판을 노광하는 노광 장치로서,
상기 패턴의 상을 기판(P) 위에 투영하는 투영 광학계(PL)와;
투영 광학계(PL)에 의해 패턴의 상이 투영되는 투영 영역(AR1)의 양측에 액체(1)를 공급하기 위한 공급구(13A, 14A)를 각각 지니며, 이들 공급구(13A, 14A)로부터 액체를 공급하는 액체 공급 기구(10)를 구비하고;
액체 공급 기구(10)가 액체(1)의 공급을 시작할 때는, 액체 공급 기구(10)는 상기 양측의 공급구(13A, 14A) 중의 한 쪽으로부터만 액체를 공급하는 노광 장치(EX)가 제공된다.
본 발명의 제2의 형태에 따르면, 액체(1)를 통해 기판(P) 위에 패턴의 상을 투영하여, 상기 기판을 노광하는 노광 방법으로서,
노광 동작을 하기 전에, 패턴의 상이 투영되는 투영 영역(AR1)에, 투영 영역의 한 쪽의 측으로부터 액체(1)를 공급하기 시작하는 것과;
노광 동작을 하는 중에, 그 투영 영역(AR1)의 양쪽의 측으로부터 액체를 공급하는 것과;
공급한 액체를 통해 기판(P) 위에 패턴의 상을 투영하여 기판을 노광하는 것을 포함하는 노광 방법이 제공되다.
본 발명의 제1및 제2의 형태에 따르면, 예컨대 기판을 기판 스테이지에 로드한 후, 투영 영역의 양측에 배치된 공급구 중, 한 쪽의 공급구로부터만 액체의 공급을 시작하여 액침 영역을 형성함으로써, 기포 등의 발생을 억제하면서 액침 영역을 신속하게 형성할 수 있다. 투영 영역의 양측의 공급구로부터 동시에 액체의 공급을 시작하는 경우에 비해서, 반대 방향으로 진행하는 액체끼리의 충돌 또는 간섭이 생기기 어렵게 되기 때문에 액침 영역에 있어서의 기포의 잔류가 억제되고, 또한, 액침 영역을 보다 신속하고 또 확실하게 액체로 채울 수 있다. 이 결과, 기포 등을 제거하는 처리가 불필요하게 되고, 또한, 투영 광학계와 기판 사이의 액침 영역에 액체가 충분히 채워지는 시간을 단축하여 작업 처리량을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 제3의 형태에 따르면, 액체(1)를 통해 기판(P) 위에 패턴의 상을 투영하여, 상기 기판을 노광하는 노광 장치로서,
상기 패턴의 상을 기판(P) 위에 투영하는 투영 광학계(PL)와;
액체(1)를 공급하기 위한 공급구(13A, 14A)를 갖는 액체 공급 기구(10)와;
상기 기판(P)을 이동하는 기판 이동 장치(PST)를 구비하고;
액체 공급 기구(10)에 의한 액체(1)의 공급은, 기판 이동 장치(PST)에 의해 기판(P)을 이동하면서 시작되는 노광 장치(EX)가 제공된다.
본 발명의 제4의 형태에 따르면, 액체(1)를 통해 기판(P) 위에 패턴의 상을 투영하여, 상기 기판을 노광하는 노광 방법으로서,
노광 동작을 하기 전에, 상기 기판(P)을 이동하면서 패턴의 상이 투영되는 투영 영역(AR1)에 액체의 공급을 시작하는 것과;
공급된 액체를 통해 기판(P) 위에 패턴의 상을 투영하여 기판을 노광하는 것을 포함하는 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 제3및 제4의 형태에 따르면, 예컨대 기판을 기판 스테이지와 같은 기판 이동 장치에 로드한 후, 기판을 이동하면서 액체 공급 기구의 공급구로부터 액체의 공급을 시작하여 액침 영역을 형성함으로써, 기포 등의 발생을 억제하면서 액침 영역을 신속하게 형성할 수 있다. 특히, 액침 영역을 형성할 때에 기판을 멈춘 상태로 액체를 공급하는 경우에 비해서, 투영 광학계와 기판 사이에 액체가 충분히 채워질 때까지 시간을 단축하여, 작업 처리량을 향상시킬 수 있고, 또한, 투영 광학계와 기판 사이를 액체로 보다 확실하게 채우는 것이 가능해진다.
본 발명의 제5의 형태에 따르면, 액체(1)를 통해 기판(P) 위에 패턴의 상을 투영하여, 상기 기판을 노광하는 노광 장치로서,
상기 패턴의 상을 기판(P) 위에 투영하는 투영 광학계(PL)와;
투영 광학계(PL)에 의해 패턴의 상이 투영되는 투영 영역(AR1)의 양측에 액체(1)를 공급하기 위한 공급구(13A, 14A)를 각각 지니며, 이들 공급구(13A, 14A)로부터 액체를 공급하는 액체 공급 기구(10)를 구비하고;
액체 공급 기구(10)가 액체(1)의 공급을 시작할 때는, 액체 공급 기구(10)는 상기 양측의 공급구(13A, 14A)로부터 다른 양의 액체를 공급하는 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제6의 형태에 따르면, 액체(1)를 통해 기판(P) 위에 패턴의 상을 투영하여, 상기 기판을 노광하는 노광 방법으로서,
노광 동작을 하기 전에, 패턴의 상이 투영되는 투영 영역의 양측으로부터 다른 양의 액체를 공급하기 시작하는 것과;
공급한 액체를 통해 기판 위에 패턴의 상을 투영하여 기판을 노광하는 것을 포함하는 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 제5 및 제6의 형태에 따르면, 투영 광학계와 기판 사이에 액체가 충분히 채워질 때까지 시간을 단축하여, 작업 처리량을 향상시킬 수 있고, 또한, 기포의 잔류를 억제하면서, 투영 광학계와 기판 사이를 액체로 보다 확실하게 채우는 것이 가능해진다.
본 발명의 제7의 형태에 따르면, 액체(1)를 통해 기판(P) 위에 패턴의 상을 투영하여, 상기 기판을 노광하는 노광 장치로서,
상기 패턴의 상을 기판(P) 위에 투영하는 투영 광학계(PL)와;
투영 광학계(PL)에 의해 패턴의 상이 투영되는 투영 영역(AR1)의 제1측과 제2측에 액체(1)를 공급하기 위한 공급구(13A, 14A)를 각각 지니며, 이들 공급구(13A, 14A)로부터 액체를 공급하는 액체 공급 기구(10)를 구비하고;
액체 공급 기구(10)가 액체(1)의 공급을 시작할 때는, 액체 공급 기구(10)는 상기 제1측의 공급구(13A)로부터 액체를 공급하는 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제7의 형태에 따르면, 투영 광학계와 기판 사이에 액체가 충분히 채워질 때까지 시간을 단축하여, 작업 처리량을 향상시킬 수 있고, 또한, 기포의 잔류를 억제하면서, 투영 광학계와 기판 사이를 액체로 보다 확실하게 채우는 것이 가능해진다.
본 발명의 제8의 형태에 따르면, 액체(1)를 통해 기판(P) 위에 패턴의 상을 투영하여, 상기 기판을 노광하는 노광 장치로서,
상기 패턴의 상을 기판(P) 위에 투영하는 투영 광학계(PL)와;
투영 광학계(PL)에 의해 패턴의 상이 투영되는 투영 영역(AR1)의 제1측과 제2측에 액체(1)를 공급하기 위한 공급구(13A, 14A)를 각각 지니며, 이들 공급구(13A, 14A)로부터 액체를 공급하는 액체 공급 기구(10)를 구비하고;
액체 공급 기구(10)가 액체(1)의 공급을 시작할 때는, 액체 공급 기구(10)는 상기 제1측의 공급구(13A)와 상기 제2측의 공급구(14A)로부터 다른 양의 액체를 공급하는 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제8의 형태에 따르면, 투영 광학계와 기판 사이에 액체가 충분히 채워질 때까지 시간을 단축하여, 작업 처리량을 향상시킬 수 있고, 또한, 기포의 잔류를 억제하면서, 투영 광학계와 기판 사이를 액체로 보다 확실하게 채우는 것이 가능해진다.
본 발명의 제9의 형태에 따르면, 액체(1)를 통해 기판(P) 위에 패턴의 상을 투영 광학계(PL)에 의해 투영하여, 상기 기판을 노광하는 노광 방법으로서,
노광 동작을 하기 전에, 상기 투영 광학계의 상면 측에 배치된 물체(P, PST)를 이동하면서 패턴의 상이 투영되는 투영 영역(AR1)에 액체의 공급을 시작하는 것과;
투영 광학계(PL)와 기판(P) 사이의 액체(1)를 통해 기판(P) 위에 패턴의 상을 투영하여 기판을 노광하는 것을 포함하는 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 제9의 형태에 따르면, 투영 광학계의 상면 측의 광로 공간에 액체가 충분히 채워질 때까지 시간을 단축하여, 작업 처리량을 향상시킬 수 있고, 또한, 기포의 잔류를 억제하면서, 투영 광학계와 기판 사이를 액체로 보다 확실하게 채우는 것이 가능해진다.
본 발명의 제10의 형태에 따르면, 상기 형태의 노광 장치(EX)를 이용하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법이 제공된다. 본 발명에 따르면, 작업 처리량을 향상시킬 수 있으며, 양호한 패턴 정밀도로 형성된 패턴을 갖는 디바이스를 제공할 수 있다.
본 발명의 제11의 형태에 따르면, 액체를 통해 기판 위에 패턴의 상(像)을 투영 광학계에 의해 투영하여, 기판을 노광하는 노광 방법으로서, 액체를 공급하여 형성하는 액침 영역에 기포가 존재하지 않도록, 투영 광학계의 상면(像面) 측에 배치된 물체를 요동시키면서 패턴의 상이 투영되는 투영 영역에 액체의 공급을 개시하는 단계; 및 투영 광학계와 기판 사이의 액침 영역을 사이에 두고, 기판 위에 패턴의 상을 투영하여 기판을 노광하는 단계;를 포함하는 노광 방법이 제공된다.
도 1은 본 발명의 노광 장치의 일 실시형태를 도시하는 개략 구성도이다.
도 2는 액체 공급 기구 및 액체 회수 기구의 개략 구성을 도시하는 평면도이다.
도 3은 공급구 및 회수구 근방의 주요부 확대 단면도이다.
도 4는 액체의 거동을 도시하는 모식도이다.
도 5는 액체의 거동을 도시하는 모식도이다.
도 6은 액체의 거동을 도시하는 모식도이다.
도 7은 기판 위에 설정된 쇼트(shot) 영역을 도시한 도면이다.
도 8는 반도체 디바이스의 제조 공정의 일례를 도시하는 흐름도이다.
이하, 본 발명의 노광 장치의 실시형태에 관해서 도면을 참조하면서 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 노광 장치의 일 실시형태를 도시하는 개략 구성도이다. 도 1에서, 노광 장치(EX)는 마스크(M)를 지지하는 마스크 스테이지(MST)와, 기판(P)을 지지하는 기판 스테이지(PST)와, 마스크 스테이지(MST)에 지지되어 있는 마스크(M)를 노광광(EL)으로 조명하는 조명 광학계(IL)와, 노광광(EL)으로 조명된 마스크(M)의 패턴 상을 기판 스테이지(PST)에 지지되어 있는 기판(P)에 투영 노광하는 투영 광학계(PL)와, 노광 장치(EX) 전체의 동작을 통괄 제어하는 제어 장치(CONT)를 구비하고 있다.
또한, 본 실시형태의 노광 장치(EX)는, 노광 파장을 실질적으로 짧게 하여 해상도를 향상시키고, 초점 심도를 실질적으로 넓히기 위해서 액침법을 적용한 액침 노광 장치로서, 기판(P) 위에 액체(1)를 공급하는 액체 공급 기구(10)와, 기판(P) 위의 액체(1)를 회수하는 액체 회수 기구(20)를 구비하고 있다. 노광 장치(EX)는 적어도 마스크(M)의 패턴 상을 기판(P) 위에 전사하고 있는 동안, 액체 공급 기구(10)로부터 공급한 액체(1)에 의해 투영 광학계(PL)의 투영 영역(AR1)을 포함하는 기판(P) 위의 일부에 액침 영역(AR2)을 형성한다. 구체적으로는 노광 장치(EX)는, 투영 광학계(PL)의 선단부의 광학 소자(2)와 기판(P)의 표면과의 사이에 액체(1)를 채워, 이 투영 광학계(PL)와 기판(P) 사이의 액체(1) 및 투영 광학계(PL)를 통해 마스크(M)의 패턴 상을 기판(P) 위에 투영하여, 기판(P)을 노광한다.
여기서, 본 실시형태에서는, 노광 장치(EX)로서 마스크(M)와 기판(P)을 주사 방향에 있어서의 서로 다른 방향(역방향)으로 동기 이동하면서 마스크(M)에 형성된 패턴을 기판(P)에 노광하는 주사형 노광 장치(소위 스캐닝 스테퍼)를 사용하는 경우를 예로 들어 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 투영 광학계(PL)의 광축(AX)과 일치하는 방향을 Z축 방향, Z축 방향에 수직인 평면 내에서 마스크(M)와 기판(P)과의 동기 이동 방향(주사 방향)을 X축 방향, Z축 방향 및 X축 방향에 수직인 방향(비주사 방향)을 Y축 방향으로 한다. 또한, X축, Y축 및 Z축 둘레의 회전(경사) 방향을 각각, θX, θY 및 θZ 방향으로 한다. 한편, 여기서 말하는 「기판」은 반도체 웨이퍼 위에 감광성 재료인 포토레지스트를 도포한 것을 포함하며, 「마스크」는 기판 위에 축소 투영되는 디바이스 패턴이 형성된 레티클을 포함한다.
조명 광학계(IL)는 마스크 스테이지(MST)에 지지되어 있는 마스크(M)를 노광광(EL)으로 조명하는 것으로, 노광용 광원, 노광용 광원으로부터 사출된 광속의 조도를 균일화하는 옵티컬 인테그레이터, 옵티컬 인테그레이터로부터의 노광광(EL)을 집광하는 콘덴서 렌즈, 릴레이 렌즈계, 노광광(EL)에 의한 마스크(M) 위의 조명 영역을 슬릿형으로 설정하는 가변 시야 조리개 등을 갖고 있다. 마스크(M) 위의 소정의 조명 영역은 조명 광학계(IL)에 의해 균일한 조도 분포의 노광광(EL)으로 조명된다. 조명 광학계(IL)로부터 사출되는 노광광(EL)으로서는, 예컨대 수은 램프 로부터 사출되는 자외역의 휘선(g선, h선, I선) 및 KrF 엑시머 레이저광(파장 248 nm) 등의 원자외광(DUV광)이나, ArF 엑시머 레이저광(파장 193 nm) 및 F2 레이저광(파장 157 nm) 등의 진공 자외광(VUV광) 등이 이용된다. 본 실시형태에서는 ArF 엑시머 레이저광이 이용된다.
마스크 스테이지(MST)는 마스크(M)를 지지하는 것으로, 투영 광학계(PL)의 광축(AX)에 수직인 평면 내, 즉 XY 평면 내에서 2차원 이동 가능하고 또 θZ 방향으로 미소 회전이 가능하다. 마스크 스테이지(MST)는 리니어 모터 등의 마스크 스테이지 구동 장치(MSTD)에 의해 구동된다. 마스크 스테이지 구동 장치(MSTD)는 제어 장치(CONT)에 의해 제어된다. 마스크 스테이지(MST) 위에는 이동 거울(50)이 설치되어 있다. 또한, 이동 거울(50)에 대향하는 위치에는 레이저 간섭계(51)가 설치되어 있다. 마스크 스테이지(MST) 위의 마스크(M)의 2차원 방향의 위치 및 회전각은 레이저 간섭계(51)에 의해 리얼타임으로 계측되어, 계측 결과는 제어 장치(CONT)에 출력된다. 제어 장치(CONT)는 레이저 간섭계(51)의 계측 결과에 기초하여 마스크 스테이지 구동 장치(MSTD)를 구동함으로써 마스크 스테이지(MST)에 지지되어 있는 마스크(M)의 위치 결정을 한다.
투영 광학계(PL)는 마스크(M)의 패턴을 소정의 투영 배율(β)로 기판(P)에 투영 노광하는 것으로, 기판(P) 측의 선단부에 설치된 광학 소자(렌즈)(2)를 포함하는 복수의 광학 소자로 구성되어 있으며, 이들 광학 소자는 경통(PK)으로 지지되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 투영 광학계(PL)는 투영 배율(β)이 예컨대 1/4 혹은 1/5인 축소계이다. 또, 투영 광학계(PL)는 등배계 및 확대계의 어느 것이라도 좋다. 또한, 본 실시형태의 투영 광학계(PL)의 선단부의 광학 소자(2)는 경통(PK)에 대하여 착탈(교환) 가능하게 설치되어 있고, 광학 소자(2)에는 액침 영역(AR2)의 액체(1)가 접촉한다.
광학 소자(2)는 형석으로 형성되어 있다. 형석은 물과의 친화성이 높기 때문에, 광학 소자(2)의 액체 접촉면(2a)의 거의 전면에 액체(1)를 밀착시킬 수 있다. 즉, 본 실시형태에 있어서는 광학 소자(2)의 액체 접촉면(2a)과의 친화성이 높은 액체(물)(1)를 공급하도록 하고 있기 때문에, 광학 소자(2)의 액체 접촉면(2a)과 액체(1)와의 밀착성이 높아, 광학 소자(2)와 기판(P) 사이의 광로를 액체(1)로 확실하게 채울 수 있다. 한편, 광학 소자(2)는 물과의 친화성이 높은 석영이라도 좋다. 또한 광학 소자(2)의 액체 접촉면(2a)에 친수화(친액화) 처리를 실시하여, 액체(1)와의 친화성을 보다 높이도록 하더라도 좋다.
기판 스테이지(PST)는 기판(P)을 지지하는 것으로, 기판(P)을 기판 홀더를 통해 유지하는 Z 스테이지(52)와, Z 스테이지(52)를 지지하는 XY 스테이지(53)와, XY 스테이지(53)를 지지하는 베이스(54)를 구비하고 있다. 기판 스테이지(PST)는 리니어 모터 등의 기판 스테이지 구동 장치(PSTD)에 의해 구동된다. 기판 스테이지 구동 장치(PSTD)는 제어 장치(CONT)에 의해 제어된다. Z 스테이지(52)를 구동함으로써, Z 스테이지(52)에 유지되어 있는 기판(P)의 Z축 방향에 있어서의 위치(포커스 위치) 및 θX, θY에 있어서의 위치가 제어된다. 또한, XY 스테이지(53)를 구동함으로써, 기판(P)의 XY 방향에 있어서의 위치(투영 광학계(PL)의 상면과 실질 적으로 평행한 방향의 위치)가 제어된다. 즉, Z 스테이지(52)는 기판(P)의 포커스 위치 및 경사각을 제어하여 기판(P)의 표면을 오토 포커스 방식 및 오토 레벨링 방식으로 투영 광학계(PL)의 상면에 맞추고, XY 스테이지(53)는 기판(P)의 X축 방향 및 Y축 방향에 있어서의 위치 결정을 한다. 한편, Z 스테이지와 XY 스테이지를 일체적으로 설치하여도 되는 것은 물론이다.
기판 스테이지(PST)(Z 스테이지(52)) 위에는 기판 스테이지(PST)와 함께 투영 광학계(PL)에 대하여 이동하는 이동 거울(55)이 설치되어 있다. 또한, 이동 거울(55)에 대향하는 위치에는 레이저 간섭계(56)가 설치되어 있다. 기판 스테이지(PST) 위의 기판(P)의 2차원 방향의 위치 및 회전각은 레이저 간섭계(56)에 의해 리얼타임으로 계측되어, 계측 결과는 제어 장치(CONT)에 출력된다. 제어 장치(CONT)는 레이저 간섭계(56)의 계측 결과에 기초하여 기판 스테이지 구동 장치(PSTD)를 구동함으로써 기판 스테이지(PST)에 지지되어 있는 기판(P)의 위치 결정을 한다.
또한, 기판 스테이지(PST)(Z 스테이지(52)) 위에는 기판(P)을 둘러싸는 식으로 보조 플레이트(57)가 설치되어 있다. 보조 플레이트(57)는 기판 홀더에 유지된 기판(P)의 표면과 거의 동일한 높이의 평면을 갖고 있다. 여기서, 기판(P)의 엣지와 보조 플레이트(57) 사이에는 0.1 ~ 2 mm 정도의 간극이 있지만, 액체(1)의 표면 장력에 의해 그 간극에 액체(1)가 유입되는 일은 거의 없으며, 기판(P)의 주연부 근방을 노광하는 경우에도, 보조 플레이트(57)에 의해 투영 광학계(PL) 하에 액체(1)를 유지할 수 있다.
액체 공급 기구(10)는 소정의 액체(1)를 기판(P) 위에 공급하는 것으로, 액체(1)를 공급할 수 있는 제1 액체 공급부(11) 및 제2 액체 공급부(12)와, 제1 액체 공급부(11)에 유로를 갖는 공급관(11A)을 통해 접속되어, 이 제1 액체 공급부(11)로부터 송출된 액체(1)를 기판(P) 위에 공급하는 공급구(13A)를 갖는 제1 공급 부재(13)와, 제2 액체 공급부(12)에 유로를 갖는 공급관(12A)을 통해 접속되어, 이 제2 액체 공급부(12)로부터 송출된 액체(1)를 기판(P) 위에 공급하는 공급구(14A)를 갖는 제2 공급 부재(14)를 구비하고 있다. 제1, 제2 공급 부재(13, 14)는 기판(P)의 표면에 근접하여 배치되어 있고, 기판(P)의 면 방향에 있어서 서로 다른 위치에 설치되어 있다. 구체적으로는, 액체 공급 기구(10)의 제1 공급 부재(13)는 투영 영역(AR1)에 대하여 주사 방향 한쪽 측(-X 측)에 설치되고, 제2 공급 부재(14)는 다른 쪽 측(+X 측)에 설치되어 있다.
제1, 제2 액체 공급부(11, 12)의 각각은 액체(1)를 수용하는 탱크 및 가압 펌프 등을 갖추고 있어, 공급관(11A, 12A) 및 공급 부재(13, 14)의 각각을 통해 기판(P)의 상측으로부터 액체(1)를 공급한다. 또한, 제1, 제2 액체 공급부(11, 12)의 액체 공급 동작은 제어 장치(CONT)에 의해 제어되며, 제어 장치(CONT)는 제1, 제2 액체 공급부(11, 12)에 의한 기판(P) 위에 공급하는 단위시간당 액체 공급량을 각각 독립적으로 제어할 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 액체(1)에는 순수가 이용된다. 순수는 ArF 엑시머 레이저광뿐만 아니라, 예컨대 수은 램프로부터 사출되는 자외역의 휘선(g선, h선, i선) 및 KrF 엑시머 레이저광(파장 248 nm) 등의 원자외광(DUV광)도 투과 가능하 다.
액체 회수 기구(20)는 기판(P) 위의 액체(1)를 회수하는 것으로, 기판(P)의 표면에 근접하여 배치된 회수구(22A)를 갖는 회수 부재(22)와, 이 회수 부재(22)에 유로를 갖는 회수관(21A)을 통해 접속된 액체 회수부(21)를 구비하고 있다. 액체 회수부(21)는 예컨대 진공 펌프 등의 흡인 장치 및 회수한 액체(1)를 수용하는 탱크 등을 갖추고 있으며, 기판(P) 위의 액체(1)를 회수 부재(22) 및 회수관(21A)을 통해 회수한다. 액체 회수부(21)의 액체 회수 동작은 제어 장치(CONT)에 의해 제어되고, 제어 장치(CONT)는 액체 회수부(21)에 의한 단위시간당 액체 회수량을 제어할 수 있다.
또한, 액체 회수 기구(20)의 회수 부재(22)의 외측에는 액체(1)를 포착하는 소정 길이의 액체 트랩면(31)이 형성된 트랩 부재(30)가 배치되어 있다.
도 2는 액체 공급 기구(10) 및 액체 회수 기구(20)의 개략 구성을 도시하는 평면도이다. 도 2에 도시한 바와 같이, 투영 광학계(PL)의 투영 영역(AR1)은 Y축 방향(비주사 방향)을 길이 방향으로 하는 직사각형 형상으로 설정되어 있고, 액체(1)가 채워진 액침 영역(AR2)은 투영 영역(AR1)을 포함하도록 기판(P) 위의 일부에 형성되어 있다. 그리고, 투영 영역(AR1)의 액침 영역(AR2)을 형성하기 위한 액체 공급 기구(10)의 제1 공급 부재(13)는 투영 영역(AR1)에 대하여 주사 방향 한 쪽 측(-X 측)에 설치되고, 제2 공급 부재(14)는 다른 쪽 측(+X 측)에 설치되어 있다.
제1, 제2 공급 부재(13, 14)는 제1, 제2 액체 공급부(11, 12)로부터 송출된 액체(1)를 유통하는 내부 공간(13H, 14H)과, 내부 공간(13H, 14H)을 유통한 액체 (1)를 기판(P) 위에 공급하는 공급구(13A, 14A)를 각각 갖고 있다. 제1, 제2 공급 부재(13, 14)의 공급구(13A, 14A)는 각각 평면에서 보아 대략 원호 슬릿형으로 형성되어 있고, 이 공급구(13A, 14A)의 Y축 방향에 있어서의 사이즈는, 적어도 투영 영역(AR1)의 Y축 방향에 있어서의 사이즈보다 커지도록 설정되어 있다. 평면에서 보아 대략 원호형으로 형성되어 있는 공급구(13A, 14A)는 주사 방향(X 방향)에 대해서 투영 영역(AR1)을 사이에 두도록 배치되어 있다. 즉, 투영 영역(AR1)의 중심과 공급구(13A 및 14A)의 Y축 방향의 각 중앙부를 잇는 직선은 X축 방향과 거의 평행하게 되어 있다. 액체 공급 기구(10)는 공급구(13A, 14A)로부터, 투영 영역(AR1)의 양측에서 액체(1)를 동시에 공급할 수 있다.
액체 회수 기구(20)의 회수 부재(22)는 이중 환상 부재로서, 기판(P)의 표면으로 향하도록 환상으로 연속적으로 형성된 회수구(22A)와, 회수구(22A)로부터 회수된 액체(1)를 유통하는 환상의 내부 공간(내부 유로)(22H)을 갖고 있다. 액체 회수 기구(20)의 회수 부재(22)는 액체 회수 기구(10)의 공급 부재(13, 14) 및 투영 영역(AR1)을 둘러싸도록 배치되어 있다. 회수 부재(22)의 내부에는 이 내부 공간(22H)을 둘레 방향에 있어서 복수의 공간(분할 공간)(24)으로 분할하는 칸막이 부재(23)가 소정 간격으로 설치되어 있다. 칸막이 부재(23)에 의해 분할된 분할 공간(24)의 각각은 상부에서 관통하고 있다. 회수 부재(22) 중, 회수구(22A)를 갖는 하단부는 기판(P)의 표면에 근접되고, 한편, 상단부는 복수의 분할 공간(24)을 공간적으로 집합하는 집합 공간부(매니폴드부)로 되어 있다. 이 매니폴드부에 회수관(21A)의 일단부가 접속되고, 타단부가 액체 회수부(21)에 접속되어 있다. 액 체 회수 기구(20)는 액체 회수부(21)를 구동함으로써, 회수구(22A)(회수 부재(22)) 및 회수관(21A)을 통해 기판(P) 위의 액체(1)를 회수한다. 여기서, 액체 회수 기구(20)의 회수구(22A)는 평면에서 보아 대략 원환형으로 공급구(13A, 14A) 및 투영 영역(AR1)을 둘러싸고 있다. 한편, 회수 부재(22)는 원환형 부재에 한정되지 않고, 예컨대 +X 측과 -X 측의 각각으로 분할된 원호형 부재를 조합시킨 것이라도 좋다.
도 3은 기판(P)에 근접하여 배치된 제1, 제2 공급 부재(13, 14) 및 회수 부재(22)를 도시하는 주요부 확대 측단면도이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 제1, 제2 공급 부재(13, 14) 각각의 내부 유로(13H, 14H)는 기판(P)의 표면에 대하여 거의 수직으로 설치되어 있다. 마찬가지로, 액체 회수 기구(20)의 회수 부재(22)의 내부 유로(22H)도 기판(P)의 표면에 대하여 거의 수직으로 설치되어 있다. 제1, 제2 공급 부재(13, 14)에 의한 기판(P)에 대한 액체(1)의 공급 위치(공급구(13A, 14A)의 설치 위치)는 액체 회수 기구(20)의 액체 회수 위치(회수구(22A)의 설치 위치)와 투영 영역(AR1)과의 사이에 설정되어 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 공급구(13A, 14A), 회수구(22A) 및 투영 광학계(PL)의 하단면 각각의 Z축 방향에 있어서의 위치(높이)는 동일하게 설정되고 있다.
여기서, 액체 공급 기구(10) 및 액체 회수 기구(20)를 구성하는 각 부재 중 적어도 액체(1)가 유통하는 부재는 예컨대 폴리사불화에틸렌 등의 합성 수지에 의해 형성되어 있다. 이에 따라, 액체(1)에 불순물이 포함되는 것을 억제할 수 있다. 혹은, 스테인리스강 등의 금속으로 형성되어 있더라도 좋다. 또한, 그 유로 표면에 은을 포함하는 재료를 코팅하더라도 좋다. 은은 액체(1)에 대한 친화성을 지닐 뿐만 아니라, 항균성도 우수하여, 액체(1) 및 그 주변 부재의 오염(미생물의 번식 등)을 억제할 수 있다. 액체(1)가 유통하는 부재 자체를 은을 포함하는 재료에 의해 형성하더라도 좋다. 또한, 액체(1)가 유통하는 부재가 합성 수지 등인 경우에는, 그 유로 표면에 은(혹은 은 미립자)을 매립하여 배치하는 구성으로 할 수 있다.
액체 회수 기구(20)의 회수 부재(22) 중 투영 영역(AR1)에 대하여 외측에는, 액체 회수 기구(20)의 회수 부재(22)로 다 회수하지 못한 액체(1)를 포착하는 소정 길이의 액체 트랩면(31)이 형성된 트랩 부재(30)가 설치되어 있다. 트랩 부재(30)는 회수 부재(22)의 외측면에 부착되어 있다. 트랩면(31)은 트랩 부재(30) 중 기판(P) 측을 향하는 면(즉 하면)으로서, 도 3에 도시한 바와 같이, 수평면에 대하여 경사져 있다. 구체적으로는, 트랩면(31)은 투영 영역(AR1)(액침 영역(AR2))에 대하여 외측으로 향함에 따라서 기판(P)의 표면에 대하여 멀어지도록(위로 향하도록) 경사져 있다. 트랩 부재(30)는 예컨대 스테인리스 등의 금속에 의해 형성되어 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 트랩 부재(30)는 평면에서 보아 환상 부재로서, 회수 부재(22)에 끼워 맞추는 식으로 회수 부재(22)의 외측면에 접속되어 있다. 본 실시형태에 있어서의 트랩 부재(30) 및 이 하면의 트랩면(31)은 평면에서 보아 대략 타원 형상으로 되어 있고, 주사 방향(X축 방향)에 있어서의 트랩면(31)의 길이가, 비주사 방향(Y축 방향)에 대하여 길게 되어 있다.
트랩면(31)에는 액체(1)와의 친화성을 높이는 친액화 처리(친수화 처리)가 실시되고 있다. 본 실시형태에 있어서, 액체(1)는 물이기 때문에, 트랩면(31)에는 물과의 친화성에 따른 표면 처리가 실시되고 있다. 한편, 기판(P)의 표면에는 발수성(접촉각 70°~ 80°정도)의 ArF 엑시머 레이저용의 감광재(예컨대, 도쿄오카고교 주식회사 제조 TARF-P6100)가 도포되어 있어, 트랩면(31)의 액체(1)에 대한 액체 친화성이 기판(P)의 표면에 도포된 감광재의 액체(1)에 대한 액체 친화성보다도 높게 되어 있다. 트랩면(31)에 대한 표면 처리는 액체(1)의 극성에 따라서 이루어진다. 본 실시형태에 있어서의 액체(1)는 극성이 큰 물이기 때문에, 트랩면(31)에 대한 친수화 처리로서, 예컨대 알콜 등 극성이 큰 분자 구조의 물질로 박막을 형성함으로써, 이 트랩면(31)에 대하여 친수성을 부여한다. 이와 같이, 액체(1)로서 물을 이용하는 경우에는 트랩면(31)에 OH기 등 극성이 큰 분자 구조를 갖는 것을 표면에 배치시키는 처리가 바람직하다. 여기서, 표면 처리를 위한 박막은 액체(1)에 대하여 비용해성인 재료에 의해 형성된다. 또한, 친액화 처리는 사용하는 액체(1)의 재료 특성에 따라서 그 처리 조건을 적절하게 변경한다.
다음에, 상술한 노광 장치(EX)를 이용하여 마스크(M)의 패턴 상을 기판(P)에 노광하는 방법에 관해서 설명한다.
도 1에 되돌아가면, 본 실시형태에 있어서의 노광 장치(EX)는, 마스크(M)와 기판(P)을 X축 방향(주사 방향)으로 이동하면서 마스크(M)의 패턴 상을 기판(P)에 투영 노광하는 것으로, 주사 노광시에는, 투영 광학계(PL)의 선단부 바로 아래의 직사각형 형상의 투영 영역(AR1)에 마스크(M)의 일부의 패턴 상이 투영되고, 투영 광학계(PL)에 대하여 마스크(M)가 -X 방향(또는 +X 방향)으로 속도 V로 이동하는 데에 동기하여, XY 스테이지(53)를 통해 기판(P)이 +X 방향(또는 -X 방향)으로 속도 β·V(β는 투영 배율)로 이동한다. 그리고, 도 7의 평면도에 도시한 바와 같이, 기판(P) 위에는 복수의 쇼트 영역(S1 ~ S12)이 설정되어 있고, 하나의 쇼트 영역의 노광이 종료된 후에, 기판(P)의 스테핑 이동에 의해서 다음 쇼트 영역이 주사 시작 위치로 이동하며, 이하, 스텝·앤드·스캔 방식으로 기판(P)을 이동하면서 각 쇼트 영역에 대한 주사 노광 처리가 순차 이루어진다. 한편, 본 실시형태에서는, 제어 장치(CONT)는 투영 광학계(PL)의 광축(AX)이 기판의 쇼트 영역(S1 ~ S12)에 상대하여 도 7의 파선 화살표(58)를 따라서 진행하도록 레이저 간섭계(56)의 출력을 모니터하면서 XY 스테이지(53)를 이동하는 것으로 한다.
도 3은 기판 스테이지(PST)에 기판(P)이 로드(반입)된 직후의 상태를 나타내고 있다. 기판(P)이 기판 스테이지(PST)에 로드된 후, 액침 영역(AR2)을 형성하기 위해서, 제어 장치(CONT)는 기판(P)을 이동하면서, 액체 공급 기구(10)에 의한 액체(1)의 공급을 시작한다. 이 때, 제어 장치(CONT)는 액체 회수 기구(20)의 구동도 시작한다. 제어 장치(CONT)는 기판 스테이지(PST)를 통해 기판(P)의 이동을 시작한 후, 투영 광학계(PL)의 투영 영역(AR1)의 양측에 설치된 공급구(13A, 14A) 중, 한 쪽의 공급구만으로 액체(1)의 공급을 시작한다. 이 때, 제어 장치(CONT)는 액체 공급 기구(10)의 제1, 제2 액체 공급부(11, 12)의 액체 공급 동작을 제어하여, 주사 방향에 대해서 투영 영역(AR1)의 바로 앞에서 액체(1)를 공급한다.
도 4는 액체(1)의 공급을 시작한 직후의 상태를 도시하는 모식도이다. 도 4 에 도시한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 기판(P)은 +X 방향으로 이동되어, 공급구(13A)만으로부터, 액체(1)의 공급이 시작된다. 여기서, 공급구(13A)로부터 액체(1)의 공급을 시작하는 타이밍은 기판(P)의 이동이 시작된 후, 이 기판(P)이 가속 이동하는 중이라도 좋고 등속 이동하는 중이라도 좋다. 그리고, 제어 장치(CONT)는 기판(P)을 소정 속도로 거의 등속 이동하면서, 공급구(13A)로부터의 단위시간당 액체 공급량을 거의 일정하게 한 상태로 기판(P) 위에 공급한다. 투영 영역(AR1)에 대하여 -X 측에 배치되어 있는 공급구(13A), 바꿔 말하면, 기판 이동 방향의 후방에 배치되어 있는 공급구(13A)로부터 공급된 액체(1)는 +X 방향으로 이동하는 기판(P)으로 끌어당겨지는 식으로 하여, 투영 광학계(PL)와 기판(P) 사이에 신속하게 배치된다.
도 5는 투영 광학계(PL)와 기판(P) 사이의 공간에 액체(1)가 채워진 상태를 도시하는 모식도이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 공급구(13A)로부터 공급된 액체(1)는 투영 광학계(PL)와 기판(P) 사이에 원활하게 배치된다. 이 때, 액체 회수 기구(20)의 회수구(22A)의 -X 측의 영역은 기체(공기)만을 회수하고 있고, +X 측의 영역은 액체(혹은 기체 및 액체)를 회수하고 있다.
기판(P)이 +X 방향으로 이동함으로써, 투영 영역(AR1)에 대하여 +X 측으로 이동하는 액체량이 늘어나, 회수구(22A)의 +X 측의 영역에서 액체(1)를 전부 회수할 수 없는 경우가 있지만, +X 측의 회수구(22A)에서 다 회수하지 못한 액체(1)는 이 액체 회수 위치보다 +X 측(투영 영역(AR1)에 대하여 외측)에 설치되어 있는 트랩 부재(30)의 트랩면(31)에서 포착되기 때문에, 기판(P)의 주위 등으로 유출되거 나 비산되거나 하는 일이 없다. 또한, +X 측의 공급구(14A)는 액체(1)를 공급하고 있지 않기 때문에, +X 측의 회수구(22A)에 흐르는 액체량이 저감되고 있다. 따라서, 회수구(22A)에서 액체(1)를 다 회수하지 못하고 액체(1)가 유출된다고 하는 문제점의 발생을 억제할 수 있다.
그리고, 한 쪽의 공급구(13A)로부터의 액체 공급에 의해 액침 영역(AR2)이 형성된 후, 제어 장치(CONT)는 양측의 공급구(13A, 14A)로부터 액체(1)의 공급을 시작하고, 그 후, 기판(P)의 각 쇼트 영역(S1 ~ S12)의 노광 처리를 시작한다.
노광 처리에서는, 제어 장치(CONT)는 액체 공급 기구(10)의 제1, 제2 액체 공급부(11, 12)의 각각을 구동하여, 공급구(13A, 14A)로부터 액체(1)를 기판(P) 위에 동시에 공급한다. 공급구(13A, 14A)로부터 기판(P) 위에 공급된 액체(1)는 투영 영역(AR1)보다 넓은 범위의 액침 영역(AR2)을 형성한다.
노광 처리하는 중, 제어 장치(CONT)는 액체 공급 기구(10)의 제1, 제2 액체 공급부(11, 12)의 액체 공급 동작을 제어하여, 주사 방향에 대해서, 투영 영역(AR1)의 바로 앞에서 공급하는 단위시간당 액체 공급량을, 그 반대측에서 공급하는 액체 공급량보다도 많게 설정한다. 예컨대, 기판(P)을 +X 방향으로 이동하면서 노광 처리하는 경우, 제어 장치(CONT)는 투영 영역(AR1)에 대하여 -X 측(즉 공급구(13A))으로부터의 액체량을, +X 측(즉 공급구(14A))로부터의 액체량보다 많게 하고, 한편, 기판(P)을 -X 방향으로 이동하면서 노광 처리하는 경우, 투영 영역(AR1)에 대하여 +X 측으로부터의 액체량을, -X 측으로부터의 액체량보다 많게 한다. 한편, 공급구(13A)로부터 기판(P) 위에 공급하는 액체량과, 공급구(14A)로부터 기판 (P) 위에 공급하는 액체량은 거의 동량으로 설정되더라도 좋다.
또한, 제어 장치(CONT)는, 액체 회수 기구(20)의 액체 회수부(21)를 구동하여, 액체 공급 기구(10)에 의한 액체(1)의 공급 동작과 병행하여, 기판(P) 위의 액체 회수 동작을 한다. 이에 따라, 공급구(13A, 14A)로부터 투영 영역(AR1)에 대하여 외측으로 흐르는 기판(P) 위의 액체(1)는 회수구(22A)로부터 회수된다. 회수구(22A)로부터 회수된 액체(1)는 회수관(21A)을 지나 액체 회수부(21)로 회수된다. 그리고, 제어 장치(CONT)는 기판(P)을 지지하는 기판 스테이지(PST)를 X축 방향(주사 방향)으로 이동하면서, 마스크(M)의 패턴 상을 투영 광학계(PL)와 기판(P) 사이의 액체(1) 및 투영 광학계(PL)를 통해 기판(P) 위에 투영 노광한다. 이 때, 액체 공급 기구(10)는 주사 방향에 대해서 투영 영역(AR1)의 양측으로부터 공급구(13A, 14A)를 통해 액체(1)의 공급을 동시에 행하고 있기 때문에, 액침 영역(AR2)은 균일하고 또 양호하게 형성되어, 기판(P)의 주사 방향이 +X 방향과 -X 방향으로 교대로 전환되는 경우에도, 공급구(13A, 14A)로부터의 공급을 계속하는 것이 가능해진다.
기판(P) 위의 제1 쇼트 영역(S1)을 노광할 때에 기판(P)은 +X 방향으로 이동한다. 기판(P)이 +X 방향으로 이동함으로써, 투영 영역(AR1)에 대하여 +X 측으로 이동하는 액체량이 늘어나, +X 측에 액체 회수 위치를 두고 있는 회수구(22A)가 액체(1)를 전부 회수할 수 없는 경우가 있다. 그런데, +X 측의 회수구(22A)로 전부 회수하지 못한 액체(1)는 이 액체 회수 위치보다 +X 측에 마련되어 있는 트랩 부재(30)의 트랩면(31)에서 포착되기 때문에, 기판(P)의 주위 등으로 유출되거나 비산되거나 하는 일이 없다. 여기서, 트랩면(31)은 액체(1)에 대하여 친액화 처리되어 있고, 더구나 기판(P)의 표면보다 높은 액체 친화성을 갖고 있기 때문에, 회수구(22A)의 액체 회수 위치에서 외측으로 유출하고자 하는 액체(1)는 기판(P) 측으로 끌어당겨지지 않고 트랩면(31) 측으로 끌어당겨진다. 이에 따라, 기판(P) 위에 액체(1)가 잔존하는 등의 문제점의 발생이 억제되고 있다.
제1의 쇼트 영역의 노광 처리가 종료되면, 제어 장치(CONT)는 투영 광학계(PL)의 투영 영역(AR1)을 상기 제1의 쇼트 영역과는 별도의 제2의 쇼트 영역에 배치하기 위해서, 기판(P)을 스테핑 이동한다. 구체적으로는, 예컨대 쇼트 영역(S1)에 대한 주사 노광 처리가 종료된 후, 쇼트 영역(S2)에 대하여 주사 노광 처리하기 위해서, 제어 장치(CONT)는 기판(P) 위의 2개의 쇼트 영역(S1, S2) 사이에서 Y축 방향으로 스테핑 이동한다. 스테핑 이동하는 중에도, 제어 장치(CONT)는 액체 공급 기구(10)에 의한 기판(P) 위에 대한 액체 공급 동작을 지속한다. 그리고, 기판(P)을 -X 방향으로 이동하면서 쇼트 영역(S2)에 대한 노광이 이루어진다. 이하, 복수의 쇼트 영역(S3 ~ S12)의 각각에 대한 노광 처리가 순차 이루어진다.
이상 설명한 바와 같이, 기판(P)을 기판 스테이지(PST)에 로드한 후, 투영 영역(AR1)의 양측에 배치된 공급구(13A, 14A) 중, 한 쪽의 공급구(13A)만으로부터 액체(1)의 공급을 시작하여 액침 영역(AR2)을 형성함으로써, 기포 등의 발생을 억제하면서 액침 영역(AR2)을 신속하게 형성할 수 있다. 도 6의 모식도에 도시한 바와 같이, 기판(P)을 정지한 상태에서, 양측의 공급구(13A, 14A)로부터 동시에 액체(1)의 공급을 시작하는 것도 생각할 수 있지만, 그 경우, 양측의 공급구(13A, 14A)로부터 공급된 액체(1)끼리 충돌하거나 또는 서로 간섭하여, 액침 영역의 형성 예 정 영역의 예컨대 중앙부(AR3)가 액체(1)로 채워지지 않거나, 기포 등이 생길 가능성이 있다. 그러나, 한 쪽의 공급구(13A)만으로부터 액체(1)의 공급을 시작함으로써, 액침 영역(AR2)을 신속하고 원활하게 형성할 수 있다.
한편, 상기 실시형태에서는, 공급구(13A)로부터 기판(P) 위에 대한 액체(1)의 공급을 시작하기 전에 기판(P)의 이동을 시작하고 있지만, 액체(1)의 공급을 시작하고 소정 시간 경과한 후, 혹은 액체(1)의 공급 시작과 거의 동시에, 기판(P)의 이동을 시작하도록 하더라도 좋다. 이렇게 하여도, 액침 영역(AR2)을 신속하고 원활하게 형성할 수 있다.
또한, 양측의 공급구(13A, 14A) 중 어느 한 쪽의 공급구만으로부터 액체(1)를 공급할 때, 기판(P)을 정지한 상태로 공급하도록 하더라도 좋다. 기판(P)을 이동하면서 액체(1)를 공급하는 경우에 비해서 액침 영역(AR2)의 형성이 완료될 때까지의 시간이 걸릴 가능성이 있지만, 기판(P)을 정지한 상태로 양측의 공급구(13A, 14A)에서 동시에 액체(1)를 공급하는 경우에 비해서 기포 등의 발생을 억제하여, 투영 광학계(PL)와 기판(P) 사이의 영역의 중앙부(AR3)에 액체(1)가 원활하게 채워지지 않는 문제점의 발생을 억제할 수 있다.
한편, 기판(P)을 이동하면서 액체(1)를 공급하는 경우, 양측의 공급구(13A, 14A)로부터 거의 동시에 액체(1)의 공급을 시작할 수 있다. 이 경우, 기판(P)이 이동하고 있기 때문에, 투영 광학계(PL)와 기판(P) 사이의 영역의 중앙부(AR3)에 액체(1)가 원활하게 채워지지 않는다는 문제점의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 양측의 공급구(13A, 14A)의 각각으로부터 기판(P) 위에 액체(1)를 공 급할 때, 양측의 공급구(13A, 14A)로부터 다른 양으로 공급을 시작할 수 있다, 예컨대, 상기 실시형태와 같이 기판(P)을 +X 방향으로 이동하면서 액체(1)의 공급을 시작하는 경우, 투영 영역(AR1)에 대하여 -X 측의 공급구(13A)로부터의 단위시간당 액체 공급량을, +X 측의 공급구(14A)로부터의 단위시간당 액체 공급량보다 많게 한다. 이렇게 함으로써, 투영 광학계(PL)와 기판(P) 사이의 영역의 중앙부(AR3) 근방에 액체(1)가 채워지지 않는 문제점의 발생을 억제하면서, 액침 영역(AR2)에 있어서의 기포의 발생을 억제할 수 있다. 즉, 도 5에 도시한 바와 같이, +X 측의 공급구(14A)가 액체(1)를 공급하지 않는 경우, 이 공급구(14A)의 공급 부재(14)의 내부 공간(14H)은 기체(공기)로 채워져 있는 상태이기 때문에, 이 기체의 일부가 공급구(14A)를 통해 액침 영역(AR2)에 침입하는 문제점이 생길 가능성이 있다. 그러나, 공급구(14A)로부터도 미량의 액체(1)를 기판(P) 위에 공급하도록 하여, 이 공급 부재(14)의 내부 공간(14H)을 액체(1)로 채워 둠으로써, 노광 처리하기 전의 액침 영역 형성 동작시나, 혹은 노광 처리 시작시에 있어서 공급구(14A)로부터 액체(1)의 공급을 시작했을 때에 액침 영역(AR2)에 내부 공간(14H)의 기체가 침입한다고 하는 문제점의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 기판(P)을 이동하면서 양측의 공급구(13A, 14A)로부터 액체(1)를 거의 동시에 공급하는 경우, 기판(P)을 X축 방향으로 이동하면서 액체(1)의 공급을 시작하는 것이 바람직하지만, 예컨대 기판(P)을 Y축 방향이나 경사 방향으로 이동하면서 공급하도록 하더라도 액침 영역(AR2)을 형성할 수 있다.
또한, 기판(P)을 X축 방향으로 이동하면서 액체(1)를 공급할 때, 주사 방향에 대해서 투영 영역(AR1)의 양측에 배치된 공급구(13A, 14A)로부터 액체(1)의 공급을 하지 않고, 주사 방향에 대해서 틀어진 위치, 예컨대 투영 영역(AR1)에 대하여 ±Y 방향 혹은 경사 방향으로부터, 공급구(13A, 14A)와는 별도로 마련된 공급구로부터 액체(1)의 공급을 시작하더라도 좋다. 혹은, 그 별도의 공급구와 공급구(13A, 14A)를 조합하여 공급을 시작하더라도 좋다. 그리고, 액침 영역(AR2)이 형성된 후, 그 별도의 공급구로부터의 공급을 정지하고, 공급구(13A, 14A)로부터 액체(1)를 공급하면서 노광 처리를 하면 된다.
한편, 상기 실시형태와 같이, 기판(P) 위에 설정된 복수의 쇼트 영역(S1 ~ S12)을 주사 노광할 때의 주사 방향(X축 방향)에 대해서 투영 영역(AR1)의 양측에 배치된 공급구(13A, 14A)를 사용하여, 기판(P)을 X축 방향과 평행하게 이동하면서 액체(1)의 공급을 시작함으로써, 액침 영역(AR2)이 형성된 후에, 즉시 기판(P)의 제1 쇼트 영역(S1)의 노광 동작으로 들어 갈 수 있다.
또한, 비주사 방향(Y축 방향)에 대해서 투영 영역(AR1)의 양측에 별도의 공급구를 설치하여, 기판(P)을 Y축 방향으로 이동하면서 그 공급구로부터 액체(1)의 공급을 시작하여 액침 영역을 형성하고, 그 별도의 공급구로부터의 액체(1)의 공급을 정지한 후(혹은 그 전), 공급구(13A, 14A)로부터의 액체(1)의 공급을 시작하여 노광 처리를 하도록 하더라도 좋다.
한편, 본 실시형태에서는, 노광 처리하기 전의 액침 영역을 형성하는 동작을 함에 있어서, 액체(1)를 한 쪽의 공급구(13A)만으로부터 공급하고, 액침 영역을 형성한 후, 양방의 공급구(13A, 14A)로부터 액체(1)의 공급을 시작하여, 그 후 노광 처리를 시작하는 구성이지만, 노광 처리하기 전의 액침 영역을 형성하는 동작을 함에 있어서, 일측의 공급구(13A)만으로부터 액체(1)의 공급을 시작하고, 소정 시간 경과한 후, 양측의 공급구(13A, 14A)로부터 액체(1)의 공급을 시작하는 구성이라도 좋다. 즉, 노광 처리하기 전의 액침 영역 형성 동작을 하는 도중에, 양측의 공급구(13A, 14A)를 사용한 액체 공급 동작을 시작한다. 이렇게 하여도 액침 영역(AR2)을 신속하고 원활하게 공급할 수 있다.
또한, 액체(1)의 공급을 시작할 때의 기판(P)의 이동 방향은 기판(P) 위의 제1 쇼트 영역(S1)을 주사 노광할 때의 기판(P)의 이동 방향을 따라서 결정하더라도 좋다. 예컨대, 제1 쇼트 영역(S1)을 기판(P)을 +X 방향으로 이동하면서 노광할 때에는, 그 직전의 기판(P)의 -X 방향으로의 이동시에 액체(1)의 공급을 시작함으로써, 기판 스테이지(PST)의 쓸데없는 움직임 없이 제1 쇼트 영역(S1)의 노광을 시작할 수 있다.
한편, 노광 처리하기 전의 액침 영역을 형성하는 동작을 함에 있어서의 공급구(13A)(혹은 14A)로부터의 단위시간당 액체 공급량과, 노광 처리를 함에 있어서의 액체 공급량은 거의 같은 것이 바람직하다. 노광 처리하기 전의 액침 영역을 형성하는 동작을 함에 있어서의 액체 공급량과 노광 처리를 함에 있어서의 액체 공급량이 다르면, 예컨대 액침 영역을 형성하는 동작을 할 때의 공급량에서 노광 처리를 할 때의 액체 공급량으로 전환했을 때에, 액체의 공급량이 안정될 때까지의 기다리는 시간이 필요하게 된다. 그러나, 노광 처리하기 전의 액체 공급량을 노광 처리할 때와 동일하게 해 둠으로써, 기다리는 시간을 둘 필요가 없어져, 작업 처리량을 향상시킬 수 있다.
노광 처리하기 전에 있어서 액침 영역(AR2)을 형성하기 위해서 액체(1)를 공급할 때, 기판(P)의 이동 속도는 등속이라도 좋고 부등속이라도 좋다. 또한, 노광 처리하기 전에 있어서의 기판 스테이지(PST)의 이동 속도는, 노광 처리할 때에 있어서의 이동 속도와 동일하더라도 좋고, 다르더라도 좋다. 또한, 노광 처리하기 전의 액침 영역을 형성하는 동작을 함에 있어서, 기판(P)의 이동 및 정지를 반복하면서 기판(P)을 소정 방향(+X 방향)으로 이동하더라도 좋고, 기판(P)(기판 스테이지(PST))을 XY 평면 내에서 요동시키면서 액체(1)를 공급하도록 하더라도 좋다.
또한, 노광 처리하기 전의 액침 영역을 형성하는 동작을 함에 있어서, 예컨대, 기판(P)을 +X 방향으로 이동하면서 공급구(13A)(혹은 공급구(13A, 14A)의 쌍방)로부터 액체(1)를 공급하고, 이어서, 기판(P)을 -X 방향으로 이동하면서 공급구(14A)(혹은 공급구(13A, 14A)의 쌍방)로부터 액체(1)를 공급하여, 이것을 소정 횟수 반복한다고 하는 구성도 가능하다.
또한, 액체 공급 기구(10)로부터의 액체(1)의 공급은, 투영 광학계(PL)의 바로 아래에 기판(P)이 위치하고 있는 상태에서 시작하더라도 좋고, 기판(P) 주위의 평탄면(기판 스테이지(PST)의 윗면)이 위치하고 있는 상태에서 시작하여도 좋다.
더욱이, 투영 광학계(PL)의 상면 측의 액체(1)는, 1장의 기판의 노광 종료마다 회수하도록 하더라도 좋고, 기판(P)을 교환하는 중에도 투영 광학계(PL)의 상면 측에 액체(1)를 계속해서 유지하는 것이 가능하다면, 복수 장의 기판의 노광 종료마다, 혹은 메인터넌스 등이 필요할 때에만 회수하도록 하더라도 좋다. 어느 경우 에도, 그 후에, 액체 공급 기구(10)로부터 액체 공급을 시작할 때에, 전술한 실시형태에서 설명한 것과 같은 방책을 실시함으로써, 기포 혹은 공기 덩어리가 없는 액침 영역을 신속하게 형성할 수 있다.
한편, 액침 영역(AR2)이 형성되었는지 여부의 판단을 하는 센서 등을 설치해 두면, 그 센서 출력을 확인하고 나서 제1 쇼트 영역(S1)의 노광을 시작할 수 있다. 또한, 액체 공급 기구(10)로부터의 액체의 공급을 시작하고 나서 소정의 대기 시간이 경과한 후에, 제1 쇼트 영역(S1)의 노광을 시작하도록 하더라도 좋다.
상기 실시형태에 있어서, 액체(1)는 순수를 이용했다. 순수는 반도체 제조 공장 등에서 용이하게 대량으로 입수할 수 있고, 기판(P) 위의 포토레지스트나 광학 소자(렌즈) 등에 대한 악영향이 없다는 이점이 있다. 또한, 순수는 환경에 대한 악영향이 없고, 불순물의 함유량이 매우 낮기 때문에, 기판(P)의 표면 및 투영 광학계(PL)의 선단면에 설치되어 있는 광학 소자의 표면을 세정하는 작용도 기대할 수 있다.
그리고, 파장이 193 nm 정도인 노광광(EL)에 대한 순수(물)의 굴절율(n)은 거의 1.44 정도라고 여겨지며, 노광광(EL)의 광원으로서 ArF 엑시머 레이저광(파장 193 nm)을 이용한 경우, 기판(P) 위에서는 1/n, 즉 약 134 nm 정도로 단파장화되어 높은 해상도를 얻을 수 있다. 더욱이, 초점 심도는 공기 중에 비해서 약 n배, 즉 약 1.44배 정도로 확대되기 때문에, 공기 속에서 사용하는 경우와 같은 정도의 초점 심도를 확보할 수 있으면 되는 경우에는, 투영 광학계(PL)의 개구수를 보다 증가시킬 수 있어, 이 점에서도 해상도가 향상된다.
본 실시형태에서는, 투영 광학계(PL)의 선단에 광학 소자(2)가 부착되어 있고, 이 렌즈에 의해 투영 광학계(PL)의 광학 특성, 예컨대 수차(구면 수차, 코마 수차 등)의 조정을 할 수 있다. 한편, 투영 광학계(PL)의 선단에 부착하는 광학 소자로서는, 투영 광학계(PL)의 광학 특성의 조정에 이용하는 광학 플레이트라도 좋다. 혹은 노광광(EL)을 투과할 수 있는 평행 평면판이라도 좋다.
한편, 액체(1)의 흐름에 의해서 생기는 투영 광학계(PL) 선단의 광학 소자와 기판(P) 사이의 압력이 큰 경우에는, 그 광학 소자를 교환할 수 있게 하는 것이 아니고, 그 압력에 의해서 광학 소자가 움직이지 않도록 견고히 고정하더라도 좋다.
한편, 본 실시형태에서는, 투영 광학계(PL)와 기판(P) 표면 사이는 액체(1)로 채워져 있는 구성이지만, 예컨대 기판(P)의 표면에 평행 평면판으로 이루어지는 커버 유리를 부착한 상태로 액체(1)를 채우는 구성이라도 좋다.
한편, 본 실시형태의 액체(1)는 물이지만 물 이외의 액체라도 좋다. 예컨대 노광광(EL)의 광원이 F2 레이저인 경우, 이 F2 레이저광은 물을 투과하지 않기 때문에, 액체(1)로서는 F2 레이저광을 투과할 수 있는 예컨대 불소계 오일이나 과불화폴리에테르(PFPE)의 불소계 유체라도 좋다. 또한, 액체(1)로서는 그 외에도, 노광광(EL)에 대한 투과성이 있어 가능한 한 굴절율이 높고, 투영 광학계(PL)나 기판(P) 표면에 도포되어 있는 포토레지스트에 대하여 안정적인 것(예컨대 세더유)을 이용하는 것도 가능하다. 이 경우도 표면 처리는 이용하는 액체(1)의 극성에 따라서 이루어진다.
한편, 상기 각 실시형태의 기판(P)으로서는, 반도체 디바이스 제조용의 반도체 웨이퍼뿐만 아니라, 디스플레이 디바이스용의 유리 기판이나, 박막 자기 헤드용의 세라믹 웨이퍼 혹은 노광 장치에서 이용되는 마스크 또는 레티클의 원판(합성 석영, 실리콘 웨이퍼) 등이 적용된다.
노광 장치(EX)로서는, 마스크(M)와 기판(P)을 동기 이동하여 마스크(M)의 패턴을 주사 노광하는 스텝·앤드·스캔 방식의 주사형 노광 장치(스캐닝 스테퍼) 외에, 마스크(M)와 기판(P)을 정지한 상태로 마스크(M)의 패턴을 일괄 노광하여, 기판(P)을 순차 스텝 이동시키는 스텝·앤드·리피트 방식의 투영 노광 장치(스테퍼)에도 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은 기판(P) 위에서 적어도 2개의 패턴을 부분적으로 겹쳐 전사하는 스텝·앤드·스티치 방식의 노광 장치에도 적용할 수 있다.
또한, 본 발명은, 웨이퍼 등의 피처리 기판을 따로따로 얹어 놓고 XY 방향으로 독립적으로 이동 가능한 2개의 스테이지를 갖춘 트윈 스테이지형의 노광 장치에도 적용할 수 있다. 트윈 스테이지형의 노광 장치의 구조 및 노광 동작은 예컨대 일본 특허 공개 평10-163099호 및 일본 특허 공개 평10-214783호(대응 미국 특허6,341,007, 6,400,441, 6,549,269 및 6,590,634), 일본 특허 공표 2000-505958호(대응 미국 특허 5,969,441) 혹은 미국 특허 6,208,407에 개시되어 있고, 본 국제출원에서 지정 또는 선택된 나라의 법령에서 허용되는 한에 있어서, 이들 개시를 원용하여 본문의 기재의 일부로 한다.
노광 장치(EX)의 종류로서는, 기판(P)에 반도체 소자 패턴을 노광하는 반도체 소자 제조용의 노광 장치에 한정되지 않고, 액정 표시 소자 제조용 또는 디스플 레이 제조용의 노광 장치나, 박막 자기 헤드, 촬상 소자(CCD) 혹은 레티클 또는 마스크 등을 제조하기 위한 노광 장치 등에도 널리 적용할 수 있다.
기판 스테이지(PST)나 마스크 스테이지(MST)에 리니어 모터를 이용하는 경우는, 에어 베어링을 이용한 에어 부상형 및 로렌츠력 또는 리액턴스력을 이용한 자기 부상형의 어느 쪽을 이용하더라도 좋다. 또한, 각 스테이지(PST, MST)는 가이드를 따라서 이동하는 타입이라도 좋고, 가이드를 설치하지 않는 가이드리스 타입이라도 좋다. 스테이지에 리니어 모터를 이용한 예는 미국 특허 5,623,853 및 5,528,118에 개시되어 있고, 각각 본 국제출원에서 지정 또는 선택된 나라의 법령에서 허용되는 한에 있어서, 이들 문헌의 기재 내용을 원용하여 본문의 기재의 일부로 한다.
각 스테이지(PST, MST)의 구동 장치로서는, 2차원으로 자석을 배치한 자석 유닛과, 2차원으로 코일을 배치한 전기자 유닛을 대향시켜 전자력에 의해 각 스테이지(PST, MST)를 구동하는 평면 모터를 이용하더라도 좋다. 이 경우, 자석 유닛과 전기자 유닛의 어느 한 쪽을 스테이지(PST, MST)에 접속하고, 자석 유닛과 전기자 유닛의 다른 쪽을 스테이지(PST, MST)의 이동면 측에 설치하면 된다.
기판 스테이지(PST)의 이동에 의해 발생하는 반력은, 투영 광학계(PL)에 전해지지 않도록, 프레임 부재를 이용하여 기계적으로 바닥(대지)으로 밀어내더라도 좋다. 이 반력의 처리 방법은 예컨대, 미국 특허 5,528,118(일본 특허 공개 평8-166475호 공보)에 상세히 개시되어 있으며, 본 국제출원에서 지정 또는 선택된 나라의 법령에서 허용되는 한에 있어서, 이 문헌의 기재 내용을 원용하여 본문의 기 재의 일부로 한다.
마스크 스테이지(MST)의 이동에 의해 발생하는 반력은, 투영 광학계(PL)에 전해지지 않도록, 프레임 부재를 이용하여 기계적으로 바닥(대지)으로 밀어내더라도 좋다. 이 반력의 처리 방법은 예컨대, 미국 특허 제5,874,820(일본 특허 공개 평8-330224호 공보)에 상세히 개시되어 있고, 본 국제출원에서 지정 또는 선택된 나라의 법령에서 허용되는 한에 있어서, 이 문헌의 개시를 원용하여 본문의 기재의 일부로 한다.
본 실시형태의 노광 장치(EX)는, 본원의 청구의 범위에 거론한 각 구성 요소를 포함하는 각종 서브 시스템을, 소정의 기계적 정밀도, 전기적 정밀도, 광학적 정밀도를 유지하도록 조립함으로써 제조된다. 이들 각종 정밀도를 확보하기 위해서, 이 조립의 전후에는 각종 광학계에 대해서는 광학적 정밀도를 달성하기 위한 조정, 각종 기계계에 대해서는 기계적 정밀도를 달성하기 위한 조정, 각종 전기계에 대해서는 전기적 정밀도를 달성하기 위한 조정이 이루어진다. 각종 서브 시스템으로부터 노광 장치에의 조립 공정은 각종 서브 시스템 상호의, 기계적 접속, 전기 회로의 배선 접속, 기압 회로의 배관 접속 등이 포함된다. 이 각종 서브 시스템으로부터 노광 장치에의 조립 공정을 하기 전에, 각 서브 시스템 개개의 조립 공정이 있는 것은 물론이다. 각종 서브 시스템의 노광 장치에의 조립 공정이 종료되면, 종합 조정이 이루어져, 노광 장치의 전체적인 각종 정밀도가 확보된다. 한편, 노광 장치의 제조는 온도 및 클린도 등이 관리된 클린룸에서 실시하는 것이 바람직하다.
반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스는, 도 8에 도시한 바와 같이, 마이크로 디바이스의 기능·성능 설계를 하는 단계(201), 이 설계 단계에 기초한 마스크(레티클)를 제작하는 단계(202), 디바이스의 기재인 기판을 제조하는 단계(203), 전술한 실시형태의 노광 장치(EX)에 의해 마스크의 패턴을 기판에 노광하는 기판 처리 단계(204), 디바이스 조립 단계(다이싱 공정, 본딩 공정, 패키지 공정을 포함함)(205), 검사 단계(206) 등을 거쳐 제조된다.
본 발명에 따르면, 기포 등의 발생을 억제하면서 투영 광학계의 상면 측의 광로 공간을 신속히 액체로 채울 수 있기 때문에, 패턴 상의 열화를 초래하는 일없이 높은 작업 처리량으로 노광 처리할 수 있다.

Claims (81)

  1. 액체를 통해 기판 위에 패턴의 상(像)을 투영하여, 상기 기판을 노광하는 노광 장치로서,
    상기 패턴의 상을 기판 위에 투영하는 투영 광학계;
    상기 투영 광학계에 의해 패턴의 상이 투영되는 투영 영역의 양측에 액체를 공급하기 위한 공급구를 각각 지니며, 이들 공급구로부터 액체를 공급하는 액체 공급 기구; 및
    상기 기판을 유지하여 이동하는 기판 스테이지를 구비하고,
    액체 공급 기구가 액체의 공급을 시작할 때는, 액체 공급 기구는 상기 양측의 공급구 중의 한쪽으로부터만 상기 기판 스테이지 위 또는 상기 기판 스테이지에 유지되는 상기 기판 위에 액체를 공급하고, 일측의 공급구로부터 액체의 공급을 개시한 후, 양측의 공급구로부터 액체의 공급을 개시하는 것인 노광 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판 위의 복수의 쇼트(shot) 영역의 각각은, 상기 기판을 미리 결정된 주사 방향으로 이동하면서 노광되고, 상기 공급구는, 상기 주사 방향에 대하여 상기 투영 영역의 양측에 배치되어 있는 것인 노광 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 액체 공급 기구에 의한 액체의 공급은, 상기 기판을 상기 주사 방향과 평행하게 이동하면서 시작되는 것인 노광 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 액체 공급 기구에 의한 액체의 공급은, 상기 기판을 이동시키면서 시작되는 것인 노광 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 상기 양측의 공급구로부터 액체의 공급을 시작한 후, 상기 기판의 노광을 시작하는 것인 노광 장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 액체 공급 기구의 상기 한 쪽의 공급구는, 다른 쪽의 공급구보다도, 기판의 이동 방향에 있어서 후방에 위치하는 것인 노광 장치.
  8. 제1항에 있어서, 액체 공급 기구의 양측의 공급구 중의 한 쪽으로부터만 액체를 공급하도록 액체 공급 기구를 제어하는 제어 장치를 더 구비하는 노광 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제어 장치는 기판 스테이지의 이동을 제어하는 것인 노광 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 액체 공급 기구는 상기 양측의 공급구로부터 동시에 액체를 공급할 수 있는 것인 노광 장치.
  11. 액체를 통해 기판 위에 패턴의 상(像)을 투영하여, 상기 기판을 노광하는 노광 방법으로서,
    노광 동작을 하기 전에, 패턴의 상이 투영되는 투영 영역의 한쪽 측으로부터 액체를 공급하기 시작하는 단계;
    노광 동작을 하는 중에, 그 투영 영역의 양쪽 측으로부터 액체를 공급하는 단계; 및
    공급한 액체를 통해 기판 위에 패턴의 상을 투영하여 기판을 노광하는 단계를 포함하는 노광 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 노광시에, 상기 기판을 미리 결정된 주사 방향으로 이동시키는 단계를 포함하는 노광 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 투영 영역의 한쪽 측으로부터 액체를 공급하기 시작할 때에, 기판을 상기 주사 방향과 평행한 방향으로 이동시키는 단계를 포함하는 노광 방법.
  14. 제11항에 있어서, 노광 동작을 하는 중에, 투영 영역의 양쪽 측으로부터 다른 양의 액체를 공급하는 단계를 포함하는 노광 방법.
  15. 액체를 통해 기판 위에 패턴의 상(像)을 투영하여, 상기 기판을 노광하는 노광 장치로서,
    상기 패턴의 상을 기판 위에 투영하는 투영 광학계;
    상기 패턴의 상이 투영되는 투영 영역의 양측에 배치되어 상기 투영 영역에 액체를 공급하기 위한 공급구를 갖는 액체 공급 기구; 및
    상기 기판을 이동시키는 기판 이동 장치를 구비하고,
    액체 공급 기구에 의한 액체의 공급은, 기판 이동 장치에 의해 기판을 이동시키면서 상기 양측의 공급구로부터 시작되는 것인 노광 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 패턴의 상이 투영되는 투영 영역과 상기 공급구를 잇는 직선과 평행하게 상기 기판을 이동시키면서 상기 액체의 공급이 시작되는 것인 노광 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 기판 위의 복수의 쇼트 영역의 각각은 상기 기판을 미리 결정된 주사 방향으로 이동하면서 노광되고, 상기 투영 영역과 상기 공급구를 잇는 직선은 상기 주사 방향과 평행한 것인 노광 장치.
  18. 제15항에 있어서, 상기 공급구는, 상기 패턴의 상이 투영되는 투영 영역의 양측에 배치되며, 그 양측의 공급구로부터 동시에 공급을 시작하는 것인 노광 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 양측의 공급구로부터 다른 양으로 공급을 시작하는 노광 장치.
  20. 제15항에 있어서, 상기 기판 위의 복수의 쇼트 영역의 각각은, 상기 기판을 미리 결정된 주사 방향으로 이동하면서 노광되고, 상기 액체의 공급을 시작할 때의 상기 기판의 이동 방향은, 상기 복수의 쇼트 영역 중의 제 1 번째의 피노광 쇼트 영역을 노광할 때의 상기 기판의 이동 방향에 따라서 결정되는 것인 노광 장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 액체의 공급을 시작할 때의 상기 기판의 이동 방향은, 액체가 공급되는 쇼트 영역의 노광에 있어서의 주사 방향과 반대인 것인 노광 장치.
  22. 제21항에 있어서, 액체 공급 기구가 액체의 공급을 시작할 때는, 기판의 이동 방향에 있어서 후방에 위치하는 공급구로부터 액체를 공급하는 것인 노광 장치.
  23. 삭제
  24. 제15항에 있어서, 액체 공급 기구에 의한 액체의 공급이, 기판 이동 장치에 의해 기판을 이동시키면서 시작되도록 액체 공급 기구를 제어하는 제어 장치를 더 구비하는 노광 장치.
  25. 제24항에 있어서, 상기 기판 이동 장치는 기판을 유지하여 이동할 수 있는 기판 스테이지이며, 상기 제어 장치는 기판 스테이지의 이동을 제어하는 것인 노광 장치.
  26. 액체를 통해 기판 위에 패턴의 상(像)을 투영하여, 상기 기판을 노광하는 노광 방법으로서,
    노광 동작을 하기 전에, 상기 기판을 이동시키면서 패턴의 상이 투영되는 투영 영역을 사이에 두는 양측으로부터 액체의 공급을 시작하는 단계; 및
    공급된 액체를 통해 기판 위에 패턴의 상을 투영하여 기판을 노광하는 단계를 포함하는 노광 방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 기판의 노광시에, 상기 기판을 미리 결정된 주사 방향으로 이동하며, 상기 투영 영역과 상기 액체가 공급되는 위치를 잇는 직선은 상기 주사 방향과 평행한 것인 노광 방법.
  28. 삭제
  29. 삭제
  30. 제26항 또는 제27항에 있어서, 상기 기판 위의 복수의 쇼트 영역의 각각은, 상기 기판을 미리 결정된 주사 방향으로 이동하면서 노광되고, 상기 액체의 공급을 시작할 때의 상기 기판의 이동 방향은, 상기 복수의 쇼트 영역 중의 제 1 번째의 피노광 쇼트 영역을 노광할 때의 상기 기판의 이동 방향에 따라서 결정되는 것인 노광 방법.
  31. 액체를 통해 기판 위에 패턴의 상(像)을 투영하여, 상기 기판을 노광하는 노광 장치로서,
    상기 패턴의 상을 기판 위에 투영하는 투영 광학계; 및
    상기 투영 광학계에 의해 패턴의 상이 투영되는 투영 영역의 양측에 액체를 공급하기 위한 공급구를 각각 지니며, 이들 공급구로부터 액체를 공급하는 액체 공급 기구를 구비하고,
    액체 공급 기구가 액체의 공급을 시작할 때는, 액체 공급 기구는 상기 양측의 공급구로부터 다른 양의 액체를 공급하는 것인 노광 장치.
  32. 제31항에 있어서, 상기 기판 위의 복수의 쇼트 영역의 각각은, 상기 기판을 미리 결정된 주사 방향으로 이동하면서 노광되고, 상기 공급구는, 상기 주사 방향에 대하여 상기 투영 영역의 양측에 배치되어 있는 것인 노광 장치.
  33. 제31항에 있어서, 상기 액체 공급 기구에 의한 액체의 공급은, 상기 기판을 이동시키면서 시작되는 것인 노광 장치.
  34. 제31항에 있어서, 액체 공급 기구의 양측의 공급구로부터 다른 양의 액체를 공급하도록 액체 공급 기구를 제어하는 제어 장치를 더 구비하는 노광 장치.
  35. 제31항에 있어서, 기판을 유지하여 이동하는 기판 스테이지와 상기 기판 스테이지의 이동을 제어하는 제어 장치를 더 구비하는 노광 장치.
  36. 액체를 통해 기판 위에 패턴의 상(像)을 투영하여, 상기 기판을 노광하는 노광 방법으로서,
    노광 동작을 하기 전에, 패턴의 상이 투영되는 투영 영역의 양측으로부터 다른 양의 액체를 공급하기 시작하는 단계; 및
    공급한 액체를 통해 기판 위에 패턴의 상을 투영하여 기판을 노광하는 단계를 포함하는 노광 방법.
  37. 제36항에 있어서, 상기 노광시에, 상기 기판은 미리 결정된 주사 방향으로 이동되고,
    상기 주사 방향에 대하여 상기 투영 영역의 양측으로부터 다른 양의 액체를 공급하기 시작하는 단계를 포함하는 노광 방법.
  38. 제36항에 있어서, 액체를 공급하기 시작할 때에, 기판을 미리 결정된 방향으로 이동시키는 단계를 포함하는 노광 방법.
  39. 액체를 통해 기판 위에 패턴의 상(像)을 투영하여, 상기 기판을 노광하는 노광 장치로서,
    상기 패턴의 상을 기판 위에 투영하는 투영 광학계; 및
    투영 광학계에 의해 패턴의 상이 투영되는 투영 영역의 제1측과 제2측에 액체를 공급하기 위한 공급구를 각각 지니며, 이들 공급구로부터 액체를 공급하는 액체 공급 기구를 구비하고,
    액체 공급 기구가 액체의 공급을 시작할 때는, 상기 제1측의 공급구로부터만 액체를 공급하고, 상기 제1측의 공급구로부터 액체의 공급을 시작한 후, 상기 제1측 및 상기 제2측의 공급구로부터 액체의 공급을 시작하는 것인 노광 장치.
  40. 삭제
  41. 제39항에 있어서, 상기 제1측과 제2측은 투영 영역의 양측을 포함하는 것인 노광 장치.
  42. 액체를 통해 기판 위에 패턴의 상(像)을 투영하여, 상기 기판을 노광하는 노광 장치로서,
    상기 패턴의 상을 기판 위에 투영하는 투영 광학계; 및
    투영 광학계에 의해 패턴의 상이 투영되는 투영 영역의 제1측과 제2측에 액체를 공급하기 위한 공급구를 각각 지니며, 이들 공급구로부터 액체를 공급하는 액체 공급 기구를 구비하고,
    액체 공급 기구가 액체의 공급을 시작할 때는, 액체 공급 기구는 제1측의 공급구와 제2측의 공급구로부터 다른 양의 액체를 공급하는 것인 노광 장치.
  43. 제42항에 있어서, 상기 제1측과 제2측은 투영 영역의 양측을 포함하는 것인 노광 장치.
  44. 제1항 내지 제4항, 제6항 내지 제10항, 제15항 내지 제22항, 제24항 내지 제25항, 제31항 내지 제35항, 제39항 또는 제41항 내지 제43항 중 어느 한 항에 기재한 노광 장치를 이용하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  45. 액체를 통해 기판 위에 패턴의 상(像)을 투영 광학계에 의해 투영하여, 상기 기판을 노광하는 노광 방법으로서,
    노광 동작을 하기 전에, 상기 투영 광학계의 상면(像面) 측에 배치된 물체를 이동하면서 패턴의 상이 투영되는 투영 영역의 양측으로부터 액체의 공급을 시작하는 단계; 및
    상기 투영 광학계와 상기 기판과의 사이의 액체를 통해 기판 위에 패턴의 상을 투영하여 기판을 노광하는 단계를 포함하는 노광 방법.
  46. 제45항에 있어서, 상기 물체는 상기 기판을 포함하는 것인 노광 방법.
  47. 삭제
  48. 삭제
  49. 제45항에 있어서, 상기 액체의 공급을 시작할 때는, 상기 투영 영역의 제1측과 제2측의 양쪽으로부터 다른 양의 액체가 공급되는 것인 노광 방법.
  50. 제49항에 있어서, 상기 투영 영역의 제1측과 제2측은 상기 투영 영역의 양측인 것인 노광 방법.
  51. 액체를 통해 기판 위에 패턴의 상(像)을 투영 광학계에 의해 투영하여, 상기 기판을 노광하는 노광 방법으로서,
    상기 투영 광학계의 상면(像面) 측에 배치된 물체를 요동시키면서 상기 패턴의 상이 투영되는 투영 영역의 양측으로부터 액체의 공급을 개시하는 단계; 및
    상기 투영 광학계와 상기 기판 사이에 형성시킨 상기 액체의 액침 영역을 사이에 두고, 기판 위에 패턴의 상을 투영하여 기판을 노광하는 단계;
    를 포함하는 노광 방법.
  52. 제51항에 있어서, 상기 물체는 상기 기판을 포함하는 것인 노광 방법.
  53. 삭제
  54. 제51항 또는 제52항에 있어서, 상기 액체의 공급은,
    상기 투영 영역의 제1 측과 제2 측 양측으로부터 개시되는 것인 노광 방법.
  55. 제54항에 있어서, 상기 투영 영역의 제1 측과 제2 측 양측으로부터 다른 양의 액체가 공급되는 것인 노광 방법.
  56. 삭제
  57. 삭제
  58. 삭제
  59. 삭제
  60. 삭제
  61. 제15항에 있어서, 상기 기판 이동 장치는, 상기 기판을 제1 방향 및 상기 제1 방향과 반대 측의 제2 방향으로 교대로 이동시키는 것인 노광 장치.
  62. 삭제
  63. 삭제
  64. 제51항에 있어서, 상기 요동은 상기 투영 광학계의 광축과 교차하는 제1 방향으로 상기 물체를 이동시킨 후, 상기 제 1 방향과 역방향의 제2 방향으로 상기 물체를 이동시키는 것을 포함하는 것인 노광 방법.
  65. 제64항에 있어서, 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향에의 상기 물체의 이동을 여러 차례 반복하는 것에 의해, 상기 액침 영역이 상기 투영 광학계 아래에 형성되는 것인 노광 방법.
  66. 제51항에 있어서, 상기 물체는, 상기 기판을 유지하는 기판 스테이지를 포함하는 것인 노광 방법.
  67. 액체를 통해 기판 위에 패턴의 상을 투영하여, 상기 기판을 노광하는 노광 장치로서,
    상기 패턴의 상을 기판 위에 투영하는 투영 광학계와,
    상기 기판을 유지하여 상기 투영 광학계 아래를 이동하는 기판 스테이지와,
    상기 투영 광학계에 의해 패턴의 상이 투영되는 투영 영역의 양측에 배치되는 공급구를 통해 액체를 상기 투영 영역에 공급하는 액체 공급 기구를 구비하고,
    상기 투영 광학계의 상면 측에 배치된 물체를 요동시키는 것과 함께 상기 양측의 공급구로부터 상기 물체 위에 액체를 공급하는 것에 의해, 상기 투영 광학계 아래에 상기 액체의 액침 영역이 형성되는 노광 장치.
  68. 제67항에 있어서, 상기 물체는 기판 스테이지에 지지되는 상기 기판을 포함하는 것인 노광 장치.
  69. 제67항에 있어서, 상기 물체는, 상기 기판을 지지하는 기판 스테이지의 상면을 포함하는 것인 노광 장치.
  70. 제67항에 있어서, 상기 요동은, 상기 투영 광학계의 광축과 교차하는 제1 방향으로 상기 물체를 이동시킨 후, 상기 제 1 방향과 역방향의 제2 방향으로 상기 물체를 이동시키는 것을 포함하는 것인 노광 장치.
  71. 제70항에 있어서, 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향에의 상기 물체의 이동을 여러 차례 반복하는 것에 의해, 상기 액침 영역이 상기 투영 광학계 아래에 형성되는 것인 노광 장치.
  72. 액체를 통해 기판 위에 패턴의 상을 투영하여, 상기 기판을 노광하는 노광 장치로서,
    상기 패턴의 상을 기판 위에 투영하는 투영 광학계와,
    상기 기판을 유지하여 상기 투영 광학계 아래를 이동하는 기판 스테이지와,
    상기 투영 광학계에 의해 패턴의 상이 투영되는 투영 영역의 주위에 배치되어 상기 투영 영역에 액체를 공급하는 제1측의 공급구와, 상기 제1측의 공급구와는 다른 공급구이고 상기 투영 영역에 액체를 공급하는 제2측의 공급구를 구비하는 액체 공급 기구를 구비하고,
    상기 액체 공급 기구가 액체의 공급을 개시할 때는, 상기 제1측의 공급구로부터만 액체를 공급하고, 상기 제1측의 공급구로부터 액체가 공급된 후에 상기 제1측의 공급구 및 상기 제2측의 공급구로부터 액체를 공급하는 것인 노광 장치.
  73. 제72항에 있어서, 상기 제2측의 공급구는, 상기 투영 광학계의 아래에 상기 기판 스테이지가 자리매김 되었을 때 상기 기판 스테이지와 대향하도록 배치되고 있는 것인 노광 장치.
  74. 제1항, 제15항, 제31항 및 제67항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투영 영역에 공급된 액체를 회수하는 회수구를 구비하는 액체 회수 기구를 더 가지고,
    상기 회수구는, 상기 투영 영역에 대하여 상기 양측의 공급구보다도 외측에 배치되는 것인 노광 장치.
  75. 제74항에 있어서, 기체와 함께 상기 액체가 상기 회수구를 통해 회수되는 것인 노광 장치.
  76. 제67항 또는 제72항에 있어서, 상기 기판 스테이지를 이동시키면서, 상기 액체 공급 기구에 의해 액체의 공급을 개시하는 것인 노광 장치.
  77. 제1항, 제15항, 제31항, 제39항, 제42항, 제67항 및 제72항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투영 광학계 아래에 상기 액체의 액침 영역이 형성되었는지를 검출하는 검출 장치를 더 구비하는 노광 장치.
  78. 제11항, 제26항, 제36항, 제45항 및 제51항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투영 영역에 공급된 액체를 회수구를 통해 회수하는 단계를 더 가지고,
    상기 회수구는, 상기 액체를 공급하기 위한 공급구보다도 상기 투영 영역에 대하여 외측에 배치되는 것인 노광 방법.
  79. 제78항에 있어서, 기체와 함께 상기 액체가 상기 회수구를 통해 회수되는 것인 노광 방법.
  80. 제11항, 제26항, 제36항, 제45항 및 제51항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 패턴의 상을 투영하는 투영 광학계 아래에 상기 액체의 액침 영역이 형성되었는지를 검출하는 단계를 더 가지는 것인 노광 방법.
  81. 제39항, 제42항 및 제72항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투영 영역에 공급된 액체를 회수하는 회수구를 구비하는 액체 회수 기구를 더 가지고,
    상기 회수구는, 상기 투영 영역에 대하여 상기 제1측의 공급구 및 상기 제2측의 공급구보다도 외측에 배치되는 것인 노광 장치.
KR1020067000412A 2003-07-09 2004-07-07 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 KR101296501B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003272616 2003-07-09
JPJP-P-2003-00272616 2003-07-09
PCT/JP2004/009999 WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2004-07-07 露光装置及びデバイス製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060030106A KR20060030106A (ko) 2006-04-07
KR101296501B1 true KR101296501B1 (ko) 2013-08-13

Family

ID=34055982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067000412A KR101296501B1 (ko) 2003-07-09 2004-07-07 노광 장치 및 디바이스 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (4) US7379157B2 (ko)
JP (2) JP5273135B2 (ko)
KR (1) KR101296501B1 (ko)
TW (1) TWI433209B (ko)
WO (1) WO2005006418A1 (ko)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3226073A3 (en) 2003-04-09 2017-10-11 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device
WO2005006418A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR20170070264A (ko) 2003-09-03 2017-06-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
TWI609409B (zh) 2003-10-28 2017-12-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TWI512335B (zh) 2003-11-20 2015-12-11 尼康股份有限公司 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法
TWI614795B (zh) 2004-02-06 2018-02-11 Nikon Corporation 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
WO2005111722A2 (en) 2004-05-04 2005-11-24 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7133114B2 (en) 2004-09-20 2006-11-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN102360170B (zh) 2005-02-10 2014-03-12 Asml荷兰有限公司 浸没液体、曝光装置及曝光方法
JP4262252B2 (ja) * 2005-03-02 2009-05-13 キヤノン株式会社 露光装置
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070132976A1 (en) * 2005-03-31 2007-06-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3232270A3 (en) 2005-05-12 2017-12-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
JP5040653B2 (ja) * 2005-08-23 2012-10-03 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JPWO2007055373A1 (ja) * 2005-11-14 2009-04-30 株式会社ニコン 液体回収部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US7633073B2 (en) 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007194484A (ja) 2006-01-20 2007-08-02 Toshiba Corp 液浸露光方法
JP4889331B2 (ja) * 2006-03-22 2012-03-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
CN101681123B (zh) 2007-10-16 2013-06-12 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
KR101546987B1 (ko) 2007-10-16 2015-08-24 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
NL1036631A1 (nl) * 2008-03-24 2009-09-25 Asml Netherlands Bv Immersion Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method.
NL1036709A1 (nl) 2008-04-24 2009-10-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus.
JP5360057B2 (ja) 2008-05-28 2013-12-04 株式会社ニコン 空間光変調器の検査装置および検査方法、照明光学系、照明光学系の調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法
EP2196857A3 (en) * 2008-12-09 2010-07-21 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL2005951A (en) * 2010-02-02 2011-08-03 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a device manufacturing method.
CN101862966B (zh) * 2010-07-02 2012-02-15 上海交通大学 二自由度平动并联解耦微动平台
US9254506B2 (en) 2010-07-02 2016-02-09 3M Innovative Properties Company Moisture resistant coating for barrier films
JP6371865B2 (ja) * 2014-06-10 2018-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置を製造する方法
US11495749B2 (en) 2015-04-06 2022-11-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN112684674A (zh) * 2020-12-29 2021-04-20 浙江启尔机电技术有限公司 浸液供给回收系统以及浸没流场初始建立方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6194342U (ko) * 1984-11-27 1986-06-18
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection

Family Cites Families (198)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1242527A (en) * 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) * 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
ATE1462T1 (de) 1979-07-27 1982-08-15 Werner W. Dr. Tabarelli Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe.
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4390273A (en) * 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
US5040020A (en) 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
JPH069195B2 (ja) * 1989-05-06 1994-02-02 大日本スクリーン製造株式会社 基板の表面処理方法
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
US5121256A (en) * 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
US5874820A (en) * 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US7365513B1 (en) 1994-04-01 2008-04-29 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
US6989647B1 (en) * 1994-04-01 2006-01-24 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
US5528118A (en) * 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US5623853A (en) * 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
US6008500A (en) 1995-04-04 1999-12-28 Nikon Corporation Exposure apparatus having dynamically isolated reaction frame
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5661092A (en) 1995-09-01 1997-08-26 The University Of Connecticut Ultra thin silicon oxide and metal oxide films and a method for the preparation thereof
WO1998009278A1 (en) * 1996-08-26 1998-03-05 Digital Papyrus Technologies Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
AU5067898A (en) * 1996-11-28 1998-06-22 Nikon Corporation Aligner and method for exposure
JP3728613B2 (ja) 1996-12-06 2005-12-21 株式会社ニコン 走査型露光装置の調整方法及び該方法を使用する走査型露光装置
EP0890136B9 (en) 1996-12-24 2003-12-10 ASML Netherlands B.V. Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device
US5815246A (en) 1996-12-24 1998-09-29 U.S. Philips Corporation Two-dimensionally balanced positioning device, and lithographic device provided with such a positioning device
EP0900412B1 (en) * 1997-03-10 2005-04-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus comprising a positioning device having two object holders
US5900354A (en) * 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
EP1039511A4 (en) 1997-12-12 2005-03-02 Nikon Corp PROJECTION EXPOSURE PROCESSING METHOD AND PROJECTION APPARATUS
US6208407B1 (en) * 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
JP2000173884A (ja) * 1998-12-02 2000-06-23 Canon Inc デバイス製造装置および方法ならびにデバイス製造装置の配線・配管実装方法
KR20010112265A (ko) * 1999-02-12 2001-12-20 시마무라 테루오 노광방법 및 장치
TWI242111B (en) 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP2001021875A (ja) 1999-07-12 2001-01-26 Seiko Epson Corp 液晶装置及びこれを用いた投写型表示装置
WO2001027978A1 (fr) 1999-10-07 2001-04-19 Nikon Corporation Substrat, dispositif a etage, procede d'attaque d'etage, systeme d'exposition et procede d'exposition
JP3679668B2 (ja) 1999-12-20 2005-08-03 キヤノン株式会社 インクジェット記録ヘッドの製造方法
US6995930B2 (en) 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
JP2001272604A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
US20020014403A1 (en) * 2000-04-07 2002-02-07 Eiichi Hoshino Method of fabricating reflective mask, and methods and apparatus of detecting wet etching end point and inspecting side etching amount
US20020041377A1 (en) * 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4503906B2 (ja) 2000-05-03 2010-07-14 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． パージガスを用いた非接触型シール
US6488040B1 (en) 2000-06-30 2002-12-03 Lam Research Corporation Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying
TW591653B (en) 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
CN1491427A (zh) 2001-02-06 2004-04-21 ������������ʽ���� 曝光装置、曝光法和器件制造法
US20020163629A1 (en) 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
JP2002343565A (ja) * 2001-05-18 2002-11-29 Sharp Corp 有機ｌｅｄ表示パネルの製造方法、その方法により製造された有機ｌｅｄ表示パネル、並びに、その方法に用いられるベースフィルム及び基板
US6600547B2 (en) * 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
US20030091767A1 (en) * 2001-11-02 2003-05-15 Podhajny Richard M. Anti-microbial packaging materials and methods for making the same
US6897941B2 (en) * 2001-11-07 2005-05-24 Applied Materials, Inc. Optical spot grid array printer
US7092069B2 (en) 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
WO2004019128A2 (en) 2002-08-23 2004-03-04 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US7093375B2 (en) 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US6988327B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus
US7383843B2 (en) 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
CN101382738B (zh) 2002-11-12 2011-01-12 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100588124B1 (ko) 2002-11-12 2006-06-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3977324B2 (ja) 2002-11-12 2007-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
KR20050085236A (ko) 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101157002B1 (ko) 2002-12-10 2012-06-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101085372B1 (ko) 2002-12-10 2011-11-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
AU2003289271A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
WO2004053953A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1571697A4 (en) 2002-12-10 2007-07-04 Nikon Corp EXPOSURE SYSTEM AND DEVICE PRODUCTION METHOD
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
EP1429190B1 (en) 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
AU2003302831A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device
CN1717776A (zh) 2002-12-10 2006-01-04 株式会社尼康 光学元件及使用该光学元件的投影曝光装置
WO2004055803A1 (en) 2002-12-13 2004-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
EP1732075A3 (en) 2002-12-19 2007-02-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US7010958B2 (en) 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
JP4364805B2 (ja) 2002-12-19 2009-11-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上にスポットを照射する方法及び装置
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
US7090964B2 (en) 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
TW200500813A (en) * 2003-02-26 2005-01-01 Nikon Corp Exposure apparatus and method, and method of producing device
US6943941B2 (en) 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
KR101177331B1 (ko) 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
JP4656057B2 (ja) 2003-04-10 2011-03-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
SG2012050829A (en) 2003-04-10 2015-07-30 Nippon Kogaku Kk Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
JP4650413B2 (ja) 2003-04-10 2011-03-16 株式会社ニコン 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
KR101225884B1 (ko) 2003-04-11 2013-01-28 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
SG185136A1 (en) 2003-04-11 2012-11-29 Nikon Corp Cleanup method for optics in immersion lithography
WO2004095135A2 (en) 2003-04-17 2004-11-04 Nikon Corporation Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
JP4025683B2 (ja) 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
JP4146755B2 (ja) 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI282487B (en) 2003-05-23 2007-06-11 Canon Kk Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
TWI347741B (en) 2003-05-30 2011-08-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261741A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP2005019616A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
JP4343597B2 (ja) 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1491956B1 (en) 2003-06-27 2006-09-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1498778A1 (en) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1494074A1 (en) 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7236232B2 (en) 2003-07-01 2007-06-26 Nikon Corporation Using isotopically specified fluids as optical elements
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7579135B2 (en) 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7700267B2 (en) 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7085075B2 (en) 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
KR20170070264A (ko) 2003-09-03 2017-06-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
US6961186B2 (en) 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
US7369217B2 (en) 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
US7678527B2 (en) 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
WO2005050324A2 (en) 2003-11-05 2005-06-02 Dsm Ip Assets B.V. A method and apparatus for producing microchips
US7924397B2 (en) 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び装置製造方法
EP1695148B1 (en) 2003-11-24 2015-10-28 Carl Zeiss SMT GmbH Immersion objective
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
WO2005059654A1 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
KR101200654B1 (ko) 2003-12-15 2012-11-12 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 고 개구율 및 평평한 단부면을 가진 투사 대물렌즈
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
US20050185269A1 (en) 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7460206B2 (en) 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
DE602005008707D1 (de) 2004-01-14 2008-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Catadioptrisches projektionsobjektiv
KR101295439B1 (ko) 2004-01-16 2013-08-09 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 편광변조 광학소자
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
JP4843503B2 (ja) 2004-01-20 2011-12-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置
US7026259B2 (en) 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
WO2005074606A2 (en) 2004-02-03 2005-08-18 Rochester Institute Of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
WO2005076084A1 (en) 2004-02-09 2005-08-18 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070165198A1 (en) 2004-02-13 2007-07-19 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
WO2005081030A1 (en) 2004-02-18 2005-09-01 Corning Incorporated Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light
US20050205108A1 (en) 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
US7027125B2 (en) 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7712905B2 (en) 2004-04-08 2010-05-11 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7271878B2 (en) 2004-04-22 2007-09-18 International Business Machines Corporation Wafer cell for immersion lithography
US7244665B2 (en) 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005111722A2 (en) 2004-05-04 2005-11-24 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US20060244938A1 (en) 2004-05-04 2006-11-02 Karl-Heinz Schuster Microlitographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
JP2005327673A (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Univ Nagoya 強誘電体電子線源、及び電子線生成方法
KR20170129271A (ko) 2004-05-17 2017-11-24 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005119368A2 (en) 2004-06-04 2005-12-15 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system
KR101199076B1 (ko) 2004-06-04 2012-11-07 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 강도 변동이 보상된 투사 시스템 및 이를 위한 보상 요소
US7701550B2 (en) * 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6194342U (ko) * 1984-11-27 1986-06-18
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection

Also Published As

Publication number Publication date
US7580114B2 (en) 2009-08-25
US7855777B2 (en) 2010-12-21
TW200507064A (en) 2005-02-16
KR20060030106A (ko) 2006-04-07
US7379157B2 (en) 2008-05-27
TWI433209B (zh) 2014-04-01
JP2011049607A (ja) 2011-03-10
US20080018873A1 (en) 2008-01-24
WO2005006418A1 (ja) 2005-01-20
US20110063589A1 (en) 2011-03-17
US20060119818A1 (en) 2006-06-08
US8879043B2 (en) 2014-11-04
JP2012109617A (ja) 2012-06-07
US20070263193A1 (en) 2007-11-15
JP5273135B2 (ja) 2013-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101296501B1 (ko) 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101921572B1 (ko) 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP5949878B2 (ja) 露光装置、デバイス製造方法、及び露光方法
KR101464098B1 (ko) 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
KR101941351B1 (ko) 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
JP4729876B2 (ja) 露光装置、露光方法、並びにデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160721

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170720

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180717

Year of fee payment: 6