JP6371865B2 - リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置を製造する方法 - Google Patents

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本出願は、２０１４年６月１０日に出願された欧州出願第１４１７１８００．７号及び２０１５年３月１８日に出願された欧州出願第１５１５９５５１．９号の利益を主張し、その全体が本明細書に援用される。

本発明は、リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置を製造する方法に関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板の目標部分に与える機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。この場合、マスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、ＩＣの個別の層に形成されるべき回路パターンを生成するために使用され得る。このパターンが基板（例えばシリコンウェーハ）の（例えばダイの一部、あるいは１つまたは複数のダイを含む）目標部分に転写される。パターン転写は典型的には基板に形成された放射感応性材料（レジスト）層への結像による。一般に一枚の基板には網目状に隣接する一群の目標部分が含まれ、これらは連続的にパターン形成される。公知のリソグラフィ装置にはいわゆるステッパとスキャナとがある。ステッパにおいては、目標部分にパターン全体が一度に露光されるようにして各目標部分は照射を受ける。スキャナにおいては、所与の方向（スキャン方向）に放射ビームによりパターンを走査するとともに基板をこの方向と平行または逆平行に同期して走査するようにして各目標部分は照射を受ける。パターニングデバイスから基板へのパターン転写は、基板にパターンをインプリントすることによっても可能である。

液浸装置では液浸流体は流体ハンドリングシステム、デバイス構造または装置によって取り扱われる。ある実施の形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体を供給してもよく、したがって流体供給システムであってもよい。ある実施の形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体を少なくとも部分的に閉じ込めてもよく、流体閉じ込めシステムであってもよい。ある実施の形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体に障壁（バリア）をもたらしてもよく、流体閉じ込め構造などのバリア部材であってもよい。ある実施の形態では、流体ハンドリングシステムは、ガスの流れを生成または使用してもよい。この流れは例えば液浸流体の流れ及び／または位置の制御に役立つ。気体流れが液浸流体を閉じ込めるシールを形成してもよく、流体ハンドリング構造がシール部材と呼ばれてもよい。シール部材は流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施の形態では、液浸液が液浸流体として使用されてもよい。その場合、流体ハンドリングシステムは液体ハンドリングシステムであってもよい。上記説明に関して、本段落で流体について定義した特徴への言及は、液体について定義される特徴を含むものと理解されたい。

液浸液をリソグラフィ装置において取り扱う場合、液体を扱うことについての１つ又は複数の問題がもたらされる。基板及び／またはセンサのような物体とテーブル（例えば基板テーブルまたは計測テーブル）との間で物体（例えば基板及び／またはセンサ）の端部まわりに隙間が通例存在する。米国特許出願公開第２００５−０２６４７７８号は、隙間が液体供給システムの下を通過する際の気泡含有を避け、及び／または隙間に入り込むいかなる液体をも除去すべく、当該隙間を材料で埋め、または隙間を意図的に液体で満たす液体源または低圧源を設けることを開示する。

物体の端部とその物体が配置されたテーブルとの隙間から液体は流路を通じて除去されてもよい。液体が除去されるとき、流路を通じて気体も除去されうる。液体と気体の二相流が流路を通過しうる。二相流のためのこうした流路は、リソグラフィ装置の他の部分、例えば液体閉じ込めシステムにも存在しうる。こうした二相流は、流路が形成されている構成要素または近傍の他の構成要素における望まれない温度変化をもたらしうる。

望まれるのは、例えば、リソグラフィ装置における流路を通じた二相流に起因する望まれない温度変化の低減を提供することである。

ある態様によると、二相流の通過のための流路であって、第１材料のブロックの内部に形成された流路と、前記第１材料と前記流路の間にある第２材料であって、前記第１材料よりも高い比熱容量を有する第２材料と、前記第２材料と前記流路の間にある第３材料であって、前記第２材料よりも高い熱伝導率を有する第３材料と、を備えるリソグラフィ装置が提供される。

ある態様によると、二相流の通過のための流路であって、第１材料のブロックの内部に形成された流路と、前記第１材料と前記流路の間にある第２材料であって、前記第１材料よりも低い熱伝導率を有する第２材料と、前記第２材料と前記流路の間にある第３材料であって、前記第２材料よりも高い熱伝導率を有する第３材料と、を備えるリソグラフィ装置が提供される。

ある態様によると、二相流の通過のための流路であって、第１材料のブロックの内部に形成された流路と、前記第１材料と前記流路の間にある第２材料と、を備え、前記第２材料は、λ／（ρＣ_specific）≦１×１０^−７ｍ^２ｓ^−１を満たし、ここで、λは前記第２材料の熱伝導率をＷｍ^−１Ｋ^−１で表し、ρは前記第２材料の密度をｋｇｍ^−３で表し、Ｃ_specificは前記第２材料の比熱容量をＪｋｇ^−１Ｋ^−１で表すリソグラフィ装置が提供される。

ある態様によると、リソグラフィ装置を製造する方法であって、内部に流路が形成された第１材料のブロックを設けることと、前記流路を通じた二相流の通過を提供することと、前記第１材料と前記流路の間に、前記第１材料よりも高い比熱容量を有する第２材料を設けることと、前記第２材料と前記流路の間に、前記第２材料よりも高い熱伝導率を有する第３材料を設けることと、を備える方法が提供される。

ある態様によると、リソグラフィ装置を製造する方法であって、内部に流路が形成された第１材料のブロックを設けることと、前記流路を通じた二相流の通過を提供することと、前記第１材料と前記流路の間に、前記第１材料よりも低い熱伝導率を有する第２材料を設けることと、前記第２材料と前記流路の間に、前記第２材料よりも高い熱伝導率を有する第３材料を設けることと、を備える方法が提供される。

ある態様によると、リソグラフィ装置を製造する方法であって、内部に流路が形成された第１材料のブロックを設けることと、前記流路を通じた二相流の通過を提供することと、前記第１材料と前記流路の間に第２材料を設けることと、を備え、前記第２材料は、λ／（ρＣ_specific）≦１×１０^−７ｍ^２ｓ^−１を満たし、ここで、λは前記第２材料の熱伝導率をＷｍ^−１Ｋ^−１で表し、ρは前記第２材料の密度をｋｇｍ^−３で表し、Ｃ_specificは前記第２材料の比熱容量をＪｋｇ^−１Ｋ^−１で表す方法が提供される。

本発明のいくつかの実施の形態が付属の概略的な図面を参照して以下に説明されるがこれらは例示に過ぎない。各図面において対応する参照符号は対応する部分を指し示す。

本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す。

リソグラフィ投影装置において使用される液体供給システムを示す。

ある実施の形態に係る更なる液体供給システムを示す部分側断面図である。

ある実施の形態に係る基板テーブルの一部を断面で示す。 ある実施の形態に係る基板テーブルの一部を断面で示す。

ある実施の形態に係る第２材料の一部を斜視図で示す。

ある実施の形態に係る基板テーブルの一部を断面で示す。 ある実施の形態に係る基板テーブルの一部を断面で示す。 ある実施の形態に係る基板テーブルの一部を断面で示す。

ある実施の形態に係る第３材料の一部を側面図及び断面で示す。

ある実施の形態に係る基板テーブルの一部を断面で示す。 ある実施の形態の基板テーブルの一部を断面で示す。 ある実施の形態の基板テーブルの一部を断面で示す。

図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射、または、他の適する放射）を調整するよう構成されている照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するよう構成され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成されている第１位置決め装置ＰＭに接続されているマスク支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、を含む。また、この装置は、基板（例えば、レジストで被覆されたウェーハ）Ｗを保持するよう構成され、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするよう構成されている第２位置決め装置ＰＷに接続されている基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴまたは「基板支持部」を含む。さらに、この装置は、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つ以上のダイを含む）目標部分Ｃに投影するよう構成されている投影システム（例えば、屈折投影レンズ系）ＰＳを含む。

照明システムは、放射の方向や形状の調整、または放射の制御のために、各種の光学素子、例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、またはその他の形式の光学素子、若しくはそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。

マスク支持構造は、パターニングデバイスを支持する（すなわち、パターニングデバイスの重量を支える）。マスク支持構造は、パターニングデバイスの向きやリソグラフィ装置の設計、あるいはパターニングデバイスが真空環境下で保持されるか否か等その他の条件に応じた方式でパターニングデバイスを保持する。マスク支持構造は、機械的固定、真空固定、静電固定、またはパターニングデバイスを保持するその他の固定技術を用いることができる。マスク支持構造は例えばフレームまたはテーブルであってよく、固定されていてもよいし必要に応じて移動可能であってもよい。マスク支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して所望の位置にあることを保証してもよい。本書では「レチクル」または「マスク」という用語を用いた場合には、より一般的な用語である「パターニングデバイス」に同義であるとみなされうる。

本書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板の目標部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用可能ないかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。例えばパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合のように、放射ビームに付与されるパターンが基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に一致していなくてもよいことに留意すべきである。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成される集積回路などのデバイスにおける特定の機能層に対応する。

パターニングデバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィの分野で周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜可能であるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。

本書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射に関して又は液浸液や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影システムをも包含するよう広く解釈されるべきであり、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはそれらの任意の組み合わせを含む。本書における「投影レンズ」との用語の使用はいかなる場合も、より一般的な用語である「投影システム」と同義とみなされうる。

図示されるように、本装置は、（例えば透過型マスクを用いる）透過型である。これに代えて、本装置は、（例えば、上述の形式のプログラマブルミラーアレイ、または反射型マスクを用いる）反射型であってもよい。

リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれより多くの基板テーブルまたは「基板支持部」（及び／または２つ以上のマスクテーブルまたは「マスク支持部」）を有する形式のものであってもよい。このような多重ステージ型の装置においては、追加されたテーブルまたは支持部は並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルまたは支持部が露光のために使用されている間に１以上の他のテーブルまたは支持部で準備工程が実行されてもよい。

また、リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が例えば水などの比較的高い屈折率を有する液体で投影システムと基板との間の空間を満たすよう覆われうる形式のものであってもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムとの間などのリソグラフィ装置の他の空間に適用されてもよい。液浸技術は投影システムの開口数を増大させるために使用することができる。本書で使用される「液浸」との用語は、基板等の構造体が液体に浸されなければならないことを意味するのではなく、液体が投影システムと基板との間に露光中に配置されることを意味するにすぎない。

図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば放射源がエキシマレーザである場合には、放射源とリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは、適当な方向変更用のミラー及び／またはビームエキスパンダを例えば含むビーム搬送系ＢＤを介して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと受け渡される。あるいは放射源が例えば水銀ランプである場合には、放射源はリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。放射源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと総称されてもよい。

イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するアジャスタＡＤを含んでもよい。一般には、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ-outer）」、「シグマ−インナ（σ-inner）」と呼ばれる）を調整することができる。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯ等その他の各種構成要素を含んでもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために使用されてもよい。放射源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬはリソグラフィ装置の一部を構成するとみなされてもよいし、そうでなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置に一体の部分であってもよいし、リソグラフィ装置とは別体であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置はイルミネータＩＬを搭載可能に構成されていてもよい。イルミネータＩＬは取り外し可能とされ、（例えば、リソグラフィ装置の製造業者によって、またはその他の供給業者によって）別々に提供されてもよい。

放射ビームＢは、マスク支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）に保持されるパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射して、パターニングデバイスによりパターン形成される。マスクＭＡを横切った放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦する。第２位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により、例えば放射ビームＢの経路に異なる目標部分Ｃを位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭと他の位置センサ（図１には明示せず）は、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを、例えばマスクライブラリからの機械的な取り出し後または走査中に、正確に位置決めするために使用することができる。一般にマスクテーブルＭＴの移動は、第１位置決め装置ＰＭの一部を構成するロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現されうる。同様に、基板テーブルＷＴまたは「基板支持部」の移動は、第２位置決め装置ＰＷの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現されうる。ステッパでは（スキャナとは異なり）、マスクテーブルＭＴはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。マスクＭＡと基板Ｗとは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用の目標部分を占拠しているが、アライメントマークは目標部分間のスペースに配置されてもよい（これはスクライブライン・アライメントマークとして公知である）。同様に、マスクＭＡに複数のダイがある場合にはマスクアライメントマークがダイ間に配置されてもよい。

投影システムＰＳの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は３種類に大きく分類することができる。浴槽型の構成、いわゆる局所液浸システム、及びオールウェット液浸システムである。浴槽型の構成においては基板Ｗの実質的に全体と任意的に基板テーブルＷＴの一部とが液槽に浸される。

提案されているある構成は、液体閉じ込め構造をもつ液体供給システムを設けることである。液体閉じ込め構造は投影システムの最終要素と基板、基板テーブルまたはこれら両者との間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。こうした構成を図２に示す。図２に示され後述される構成は、図１に示す上述のリソグラフィ装置に適用されうる。

図２は、液体閉じ込め構造ＩＨを有する局所液体供給システムまたは流体ハンドリングシステムを模式的に示す。液体閉じ込め構造ＩＨは、投影システムの最終要素と基板テーブルＷＴまたは基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する（以下の説明においては、そうではないと明示していない限り、基板Ｗの表面との言及は、それに加えてまたはそれに代えて基板テーブルの表面にも言及するものと留意されたい）。ある実施の形態においては、液体閉じ込め構造ＩＨと基板Ｗの表面との間にシールが形成され、このシールはガスシール（ガスシールを持つこうしたシステムは欧州特許出願公開第１，４２０，２９８号に開示されている）のような非接触シールまたは液体シールであってもよい。

液体閉じ込め構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１において少なくとも部分的に液体を収容する。空間１１は少なくとも一部が、投影システムＰＳの最終要素の下方に配置され当該最終要素を囲む液体閉じ込め構造ＩＨにより形成される。液体が、投影システムＰＳ下方かつ液体閉じ込め構造ＩＨ内部の空間に、液体入口１３によって供給される。液体出口１３によって液体が除去されてもよい。

液体は、液体閉じ込め構造ＩＨの底部と基板Ｗの表面との間に使用時に形成されるガスシール１６によって空間１１に収容されてもよい。ガスシールにおける気体は、圧力の作用で入口１５を介して液体閉じ込め構造ＩＨと基板Ｗとの隙間に提供される。気体は出口１４に付属した流路を介して抜き取られる。気体入口１５での過剰圧力、出口１４での真空レベル、及び当該隙間の幾何形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流れ１６が存在するように構成される。液体閉じ込め構造ＩＨと基板Ｗとの間の液体に作用する気体の力が空間１１に液体を収容する。こうしたシステムは、米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示され、その全体が本明細書に援用される。ある実施の形態においては、液体閉じ込め構造ＩＨは、ガスシールを有しない。

局所領域液体供給システムにおいては、基板Ｗが投影システムＰＳと液体供給システムの下を移動する。例えば、基板Ｗの端部に結像がなされようとするとき、または、基板テーブル上（または計測テーブル上）のセンサに結像がなされ、または、例えば基板交換を行うことを可能とするようダミー基板またはいわゆるクロージングプレートを液体供給システムの下に位置決めするように基板テーブルが移動されようとするとき、基板Ｗ（または他の物体）の端部が、空間１１の下を通過することになる。液体が基板Ｗと基板テーブルＷＴとの隙間へと漏出しうる。この液体は、静的または動的な流体圧、または、ガスナイフまたはその他の気体流れ生成装置の力の作用で、強制的に入り込みうる。

図３は、ある実施の形態に係る更なる液体供給システムまたは流体ハンドリングシステムを示す部分側断面図である。図３に示され後述される構成は、図１に示される上述のリソグラフィ装置に適用されうる。液体供給システムには、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴまたは基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め構造ＩＨが設けられている（以下の説明においては、そうではないと明示していない限り、基板Ｗの表面との言及は、それに加えてまたはそれに代えて基板テーブルの表面にも言及するものと留意されたい）。

液体閉じ込め構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１において少なくとも部分的に液体を収容する。空間１１は少なくとも一部が、投影システムＰＳの最終要素の下方に配置され当該最終要素を囲む液体閉じ込め構造ＩＨにより形成される。ある実施の形態においては、液体閉じ込め構造ＩＨは、本体部材５３と多孔質部材８３とを備える。多孔質部材８３は、プレート形状であり、複数の穴（すなわち開口または細孔）を有する。ある実施の形態においては、多孔質部材８３は、多数の小穴８４がメッシュ状に形成されたメッシュプレートである。こうしたシステムは、米国特許出願公開第２０１０／００４５９４９号に開示され、その全体が本明細書に援用される。

本体部材５３は、空間１１への液体の供給を可能とする複数の供給ポート７２と、空間１１からの液体の回収を可能とする回収ポート７３と、を備える。供給ポート７２は、通路７４を介して液体供給装置７５に接続されている。液体供給装置７５は、供給ポート７２への液体の供給を可能とする。液体供給装置７５から送出される液体は、供給ポート７２の各々へと、対応する通路７４を通じて供給される。供給ポート７２は、光路の近傍において光路に面する本体部材５３の所定位置に配置されている。回収ポート７３は、空間１１から液体を回収することを可能とする。回収ポート７３は、通路７９を介して液体回収装置８０に接続されている。液体回収装置８０は、真空システムを備え、回収ポート７３を介して吸引することによって液体を回収することを可能とする。液体回収装置８０は、回収ポート７３を介し通路７９を通じて回収された液体ＬＱを回収する。多孔質部材８３は、回収ポート７３に配置されている。

ある実施の形態においては、液体をもつ空間１１を、投影システムＰＳと片側の液体閉じ込め構造ＩＨと他方側の基板Ｗとの間に形成するために、液体が供給ポート７２から空間１１に供給され、液体閉じ込め構造ＩＨ内の回収チャンバ８１における圧力が、多孔質部材８３の穴８４（すなわち回収ポート７３）を介して液体を回収するよう負圧に調整されている。供給ポート７２を用いた液体供給動作と多孔質部材８３を用いた液体回収動作を実行することによって、投影システムＰＳと片側の液体閉じ込め構造ＩＨと他方側の基板Ｗとの間に空間１１が形成される。

本発明の１つ又は複数の実施の形態が基板テーブルＷＴ内に形成された流路４６及び基板Ｗの端部に関連して後述されるが、それら１つ又は複数の実施の形態は、他の構成要素（支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び液体閉じ込め構造ＩＨを含むがそれに限定されるものではない）の内部に形成された二相流の通過のための流路にも等しく適用可能である。例えば、それら１つ又は複数の実施の形態は、図２に示された出口１４に付属した流路にも等しく適用可能である。よって、以下での基板テーブルＷＴへの言及はいずれも、二相流の通過のための流路が内部に形成された他の任意の構成要素と同義であるとみなされうる。

図４は、本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の一部を示す。図４に示され後述される構成は、図１に示された上述のリソグラフィ装置に適用されうる。図４は、基板テーブルＷＴ及び基板Ｗの断面である。隙間５が基板Ｗの端部と基板テーブルＷＴの端部の間に存在する。基板Ｗの端部に結像がなされようとするときに、または基板Ｗが（上述の）投影システムＰＳの下方ではじめて移動するとき等の他の時点にて、（例えば）液体閉じ込め構造ＩＨによって液体で満たされた空間１１は、基板Ｗの端部と基板テーブルＷＴの端部の間の隙間５の上方を少なくとも部分的に通過する。その結果、空間１１から隙間５に液体が入る。

基板Ｗは、１つ又は複数の突起３２（すなわちバール）を備える基板ホルダ３０（例えばピンプルまたはバールテーブル）によって保持されている。基板ホルダ３０は、物体ホルダの一例である。物体ホルダの他の例はマスクホルダである。基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間に適用された負圧は、基板Ｗをしっかりと定位置に保持することを保証するのに役立つ。しかし、液体が基板Ｗと基板ホルダ３０の間に入った場合、これは、とりわけ基板Ｗの搬出時に、問題をもたらしうる。

隙間５に入る液体を処理するために、少なくとも１つのドレイン１０、２０が基板Ｗの端部に設けられ、隙間５に入る液体を除去する。図４の実施の形態では、２つのドレイン１０、２０が示されているが、１つのドレインがあるだけでもよいし、３以上のドレインがあってもよい。ある実施の形態においては、ドレイン１０、２０の各々が基板Ｗの外周全体を囲むように環状である。

第１ドレイン１０（基板Ｗ／基板ホルダ３０の端部より径方向外側にある）の主要な機能は、液体閉じ込め構造ＩＨの液体が存在する空間１１に気泡が入るのを防ぐことを支援することである。こうした気泡は基板Ｗの結像に有害に影響しうる。第１ドレイン１０は、隙間５における気体が液体閉じ込め構造ＩＨ内の空間１１へと漏れ出るのを避けることを支援するために存在する。気体が空間１１へと漏れ出た場合、これは空間１１内で浮かぶ気泡をもたらしうる。こうした気泡が投影ビームの経路内にあった場合、結像誤差につながりうる。第１ドレイン１０は、基板Ｗの端部と基板Ｗが置かれた基板テーブルＷＴの凹部の端部との間の隙間５から気体を除去するよう構成されている。基板テーブルＷＴの凹部の端部は、カバーリング１３０によって画定されてもよく、これは任意的に基板テーブルＷＴの支持本体から分離されている。基板テーブルＷＴの支持本体は、第１材料１００で形成されている。カバーリング１３０は、平面図でリング形状であってもよく、基板Ｗの外端を囲む。第１ドレイン１０に抽出されるのは、大部分が気体であり（例えば毎分２０から１００ノルマルリットル（Ｎｌ／ｍｉｎ））、液浸液はごく少量にすぎない（例えばおよそ１０〜２０ｍｌ／ｍｉｎ）。こうした二相流があったとすると、液浸液が蒸発して、基板Ｗの端部を囲む基板テーブルＷＴが冷却される。これは基板Ｗの変形をもたらしうるので、最終的にはオーバレイ性能の低下につながる。

第２ドレイン２０（基板Ｗ／基板ホルダ３０の端部より径方向内側にある）は、結像後における基板テーブルＷＴからの基板Ｗの効果的な解放を、基板Ｗの下側に隙間５から到達する液体が妨害するのを防ぐことを支援するために設けられている。第２ドレイン２０を設けることによって、基板Ｗの下側に液体が到達することによって起こりうる問題が軽減されまたは解消される。

第１ドレイン１０及び第２ドレイン２０の両方が負圧を用いて液体を除去する。すなわち、両方のドレインが１つ又は複数の出口（図示せず）を介して負圧源に接続されている。負圧源はそれぞれのドレイン１０、２０に入る液体を有効に除去する。しかし、負圧源は、基板テーブルＷＴ上方の気体を隙間５の外側から（第２ドレイン２０の場合、基板ホルダ３０からも）、それぞれのドレイン１０、２０及び出口を通じて有効に引き込む。この液体及び気体の流れは、液浸装置の使用時にドレイン１０、２０の周縁まわりに一定または均一ではない。隙間５に液体が入る可能性があるときにしか出口を負圧源に接続しないよう１つ又は複数の対策がとられうるが、ドレイン１０、２０を通過する気体及び／または液体の量が変わるので、基板テーブルＷＴに与えられる熱負荷が不均一となるおそれがある。この時間的及び／または位置的な気体及び液体の不均一流れは、ドレイン１０、２０における液体の蒸発速度を異ならせる。これは、ドレイン１０、２０によって生成される熱損失が基板の１つのバッチを露光する間に変動することにつながる。なぜなら、基板テーブルＷＴは、露光経路に依存して基板Ｗの端部が何度か空間１１の下方にくるように位置決めされるにすぎないからである。故に、基板の１つのバッチの１枚目の基板は、後続する基板と比べて、蒸発負荷が基板の周縁の異なる場所にある（不均一な蒸発負荷が構築される間に投影システムＰＳの下方を移動する先行の基板が１枚目の基板にはなかったからである）。また、新たなバッチの開始時におけるトラックからの基板搬送のタイミング遅れは、ドレイン１０、２０の乾燥による蒸発負荷の変化をもたらす（それにより蒸発が低下する）。たとえ熱負荷が実質的に一定であったとしても、その結果基板テーブルＷＴの均一な温度を保証することを支援するのは困難でありうる。

ドレイン１０の詳細構成は以下に詳しく説明される。しかし、本書の原理は、液浸装置において、本装置の使用により液体及び／または気体の変動する流れが与えられ熱負荷がもたらされ、とりわけ、変動する蒸発量及びそれにより変動する熱負荷がもたらされる、いかなる形式の流路にも適用可能であると理解されるべきである。

基板テーブルＷＴは、第１材料１００を備える。ある実施の形態においては、少なくとも１つの熱調整流路１２０が熱調整液体の通過のために設けられ、第１材料１００の温度をある（例えば、予め定められた）温度及び／または均一性に維持することを支援する。しかし、これは必ずしも必須ではない。ある実施の形態においては、ヒータが設けられ、第１材料１００の温度をある（例えば、予め定められた）温度及び／または均一性に維持することを支援する。ある実施の形態においては、ヒータは、例えば電気ヒータまたはペルチエヒータである。ある実施の形態においては、熱調整流路１２０及びヒータが設けられている。第１ドレイン１０には開口部４２及び流路４６が設けられ、第２ドレイン２０には開口部２２及び流路２６が設けられている。流路４６、２６は、対応する開口部４２、２２と通路４４、２４を通じて流体連絡している。開口部４２、２２は、基板Ｗの端部の周縁まわりに１つ又は複数の別個の場所に設けられ、平面図でスリットまたは円形開口部またはその他の形状であってもよい。ある実施の形態においては、例えば、３つの別個の円形開口部が基板Ｗの端部の周縁まわりに設けられている。開口部４２、２２は、基板Ｗの周縁における例えば直径２ｍｍの小開口部のみであってもよい。

本発明のある実施の形態は、後述の実施の形態において第１ドレイン１０に適用されたものとして示される。しかし、本発明のある実施の形態は、第２ドレイン２０に、または第１ドレイン１０と第２ドレイン２０の両方に等しく適用されることができる。

一例として、第１ドレイン１０における液体の蒸発の９０％より多くが、通路４４ではなく流路４６において起こりうる。しかし、９０％という数値は概算である。リソグラフィ装置の構成及び使用法に依存して、数値は例えば５０％に近づきうる。流路４６における大きな熱負荷は材料の収縮につながり、基板テーブルＷＴの一部に変形を生じさせ、基板Ｗに変形をもたらしうる。加えて、流路４６に与えられる冷却する熱負荷は、基板ホルダ３０の中心部の冷却をもたらし、基板Ｗの変形につながりうる。

図４に示されるように、ある実施の形態においては、リソグラフィ装置は、二相流の通過のための流路４６を備える。流路４６は、ブロックの内部に形成されている。図４に示す構成においては、ブロックは基板テーブルＷＴの基板ホルダ３０である。ブロックが基板ホルダ３０である必要はない。例えば、ある実施の形態においては、ブロックは、例えば液体閉じ込め構造ＩＨであってもよい。以下の説明においては、本発明が、基板ホルダ３０上の基板Ｗより径方向外側に位置する流路４６に言及して主に説明される。しかし、流路４６が基板Ｗより径方向外側にある必要はない。例えば、本発明は、基板Ｗの下方に位置するものとして図４に示される流路２６にも等しく適用可能である。

図４に示されるブロック例えば基板ホルダ３０は、第１材料１００で作られている。ブロック例えば基板ホルダ３０が第１材料１００のみから形成されている必要はない。例えば、基板ホルダ３０を形成するために第１材料１００に加えて他の材料も使用されてもよい。しかし、流路４６は、流路４６の近傍の基板ホルダ３０の部分が第１材料１００で形成されるように、第１材料１００内部に形成されている。流路４６からの熱負荷は第１材料１００に入る。

リソグラフィ装置の使用において、二相流が流路４６を通過する。例えば、気体とともに液体が隙間５から開口部４２及び通路４４を介し流路４６を通じて除去されうる。二相流の不利益は、基板Ｗ及び基板ホルダ３０のような基板テーブルＷＴの部分に望まれない温度変化をもたらすことである。例えば、基板Ｗ及び基板ホルダ３０は冷却されうる。こうした望まれない温度変化は、基板Ｗ及び基板ホルダ３０に変形を生じさせうる。そうした変形はオーバレイ誤差を生じさせうる。

図５は、本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の一部を断面で示す。図５に示され後述される構成は、図１に示す上述のリソグラフィ装置に適用されうる。図５に示され後述される構成は、図２及び図３に示す上述の液体供給システムに適用されうる。図５に示され後述される構成は、図４に示す上述の構成に適用されうる。図５に示されるように、ある実施の形態においては、リソグラフィ装置は、第２材料１６０を備える。第２材料１６０は、第１材料１００と流路４６の間にある。第２材料１６０の目的は、流路４６を局所的に熱的に絶縁することにある。ある実施の形態においては、第２材料１６０は、固体材料である。

ある実施の形態においては、第２材料１６０の熱伝導率は、１０Ｗ／ｍＫ以下、または５Ｗ／ｍＫ以下である。ある実施の形態においては、第２材料１６０の熱伝導率は、２Ｗ／ｍＫ以下である。ある実施の形態においては、第２材料１６０の熱伝導率は、１Ｗ／ｍＫ以下である。ある実施の形態においては、第２材料１６０は、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）である。ある実施の形態においては、第２材料１６０は、ポリプロピレン（ＰＰ）である。ある実施の形態においては、第２材料１６０は、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）である。ある実施の形態においては、第２材料１６０は、ゴムである。ある実施の形態においては、第２材料１６０は、コルクである。ガラスは２５℃で１．０５Ｗ／ｍＫの熱伝導率をもつ。ＰＴＦＥは２５℃で０．２５Ｗ／ｍＫの熱伝導率をもつ。ＨＤＰＥは２５℃で０．４５Ｗ／ｍＫの熱伝導率をもつ。ＰＰは２５℃で０．１５Ｗ／ｍＫの熱伝導率をもつ。ＰＶＣは２５℃で０．１９Ｗ／ｍＫの熱伝導率をもつ。ゴムは２５℃で０．１３Ｗ／ｍＫの熱伝導率をもつ。コルクは２５℃で０．０７Ｗ／ｍＫの熱伝導率をもつ。これと比べて第１材料の熱伝導率は１００Ｗ／ｍＫである。よって、流路４６は、低熱伝導率材料によって第１材料１００から局所的に絶縁されている。第２材料１６０が厚さ０．５ｍｍのＰＴＦＥ要素を備える場合、本発明のある実施の形態は、熱負荷について約５０％の総合的改善を実現すると予測される。他の材料が第２材料１６０に用いられてもよい。ある実施の形態においては、第２材料１６０は、複合材料である。ある実施の形態においては、第２材料１６０は、マトリックスに封入された気体のキャビティを備える。例えば、コルクは、マトリックスに封入された気体のキャビティを備える材料の例である。

図５の実施の形態においては、第２材料１６０は、自立せず、第１材料１００により支持される（例えば第１材料１００に形成された流路の表面上に支持される）インサート例えばパイプの形をとりうる。ある実施の形態においては、第２材料１６０は、コーティング例えばガラスコーティングの形であってもよい。ある実施の形態においては、第２材料１６０は、第１材料１００に形成された流路に挿入されたパイプの形であってもよい。

低い熱伝導率をもつ第２材料１６０を設けることによって、第２材料１６０は、熱変動についてのより大きい時定数のために、ローパスフィルタとして働く。加えて、とくに第１材料１００がＰＴＦＥで作られている場合、液体がこれと高接触角をもち（例えば疎水性であり）、このことが流路４６における液体の滞留時間を短くする。

ある実施の形態においては、第２材料は、λ／ρＣ_specific≦１×１０^−６ｍ^２ｓ^−１を満たす。λは第２材料１６０の２５℃での熱伝導率をＷｍ^−１Ｋ^−１で表す。ρは第２材料１６０の密度をｋｇｍ^−３で表す。Ｃ_specificは第２材料１６０の比熱容量をＪｋｇ^−１Ｋ^−１で表す。

λ／ρＣ_specific≦１×１０^−６ｍ^２ｓ^−１を満たす第２材料１６０を設けることによって、第２材料１６０は、基板ホルダ３０及び基板Ｗなどの構成要素に流路４６から到達可能な動的な熱負荷変動を低減する。λ／ρＣ_specific≦１×１０^−６ｍ^２ｓ^−１を満たす第２材料１６０を設けることによって、第２材料１６０は、熱負荷変動がリソグラフィ装置の性能に有害でありうる場所例えば基板ホルダ３０に熱負荷変動が入る前に、流路４６での動的な熱負荷変動にフィルタ処理を施す熱バッファとして働く。

第２材料１６０がλ／ρＣ_specific≦１×１０^−６ｍ^２ｓ^−１を満たすことを必要とすることによって、第２材料１６０は、熱伝導率と熱容量を組み合わせた特性を持つことが必要とされる。これは第２材料１６０に低い熱伝導率をもつことを求めるという改良であるが、その低い熱伝導率と組み合わせて高い熱容量をもつことを求めるものではない。第２材料１６０に低い熱伝導率をもつことを求めることによって、流路４６に起因する基板ホルダ３０及び基板Ｗへの静的な熱負荷は低減されうる。静的な熱負荷とは、時間とともに実質的に変化しない熱負荷である。静的な熱負荷の低減は、低い熱伝導率によって暗示される第２材料１６０の熱抵抗によって実現されうる。しかし、第２材料１６０が比較的高い熱容量という特性を熱抵抗と組み合わせて持つことを求めないとすれば、第２材料１６０は、流路４６からの基板ホルダ３０または基板Ｗへの（静的なものとは対照的に）動的な熱負荷変動を必ずしも低減しないかもしれない。動的な熱負荷とは、時間とともに実質的に変化する熱負荷である。例えば、第２材料１６０が低い熱容量を持つ場合、第２材料１６０は、動的な熱負荷変動を低減するのに有効でないかもしれない。ある実施の形態においては、第２材料１６０は、比較的低い熱伝導率と比較的高い比熱容量の両方をもつ。

本発明によると、流路４６における二相流に起因する熱負荷変動が、λ／ρＣ_specific≦１×１０^−６ｍ^２ｓ^−１を満たす第２材料１６０によってフィルタ処理される。さもなければ基板ホルダ３０の温度を低下させるであろう熱負荷変動を二相流が生じさせるとき、その熱負荷変動が、バッファとして働く第２材料１６０によって低減されまたはフィルタ処理されうる。第２材料１６０の熱容量と熱抵抗の組み合わせが、第２材料１６０に熱バッファとして働くことを許容する。

動的な熱負荷変動を低減することが、静的な熱負荷オフセットを低減することよりも重要である。静的な熱負荷オフセットはリソグラフィ装置の較正によってより容易に補償されるからである。静的な熱負荷オフセットは、リソグラフィ装置の熱制御ループによって補償されてもよい。静的な熱負荷オフセットとは、時間とともに実質的に変化しない熱負荷オフセットである。一方、動的な熱負荷変動は、較正または熱制御ループによって補償することがより困難である。動的な熱負荷変動とは、時間に伴う熱負荷の変動である。動的な熱負荷変動は典型的に、リソグラフィ装置の性能低下につながりうる。動的な熱負荷変動を低減することによって、本発明は、リソグラフィ装置の性能を向上する。

動的な熱負荷変動を低減することに加えて、本発明は、静的な熱負荷オフセットを低減する。ある実施の形態においては、本発明は、動的な熱負荷変動の減衰をもたらす。動的な熱負荷変動を減衰させることには、静的な熱負荷オフセットを単独で低減することに比べて、リソグラフィ装置の性能に関してより顕著に肯定的な効果がある。熱負荷は流路４６のようなリソグラフィ装置の部分に存在しうる。こうした熱負荷が基板テーブルＷＴ（または基板ホルダ３０）のようなリソグラフィ装置の他の構成要素及び基板Ｗに温度変化を生じさせうる。流路４６での熱負荷とこれに関連付けられる基板テーブルＷＴまたは基板Ｗでの温度変化との間には遅延がある。遅延の長さは時定数とも呼ばれる。本発明のある実施の形態は、基板ホルダ３０のようなリソグラフィ装置の構成要素及び基板Ｗの温度変化に関連付けられる、より大きな時定数を実現すると予測される。第２材料１６０は、熱的ローパスフィルタとして働く。

ある実施の形態においては、第２材料１６０は、ポリｐ−キシリレンポリマー、ＰＴＦＥ、ガラス、セラミック例えば磁器、及びベークライトからなるグループから選択される。テーブル１は、第２材料１６０についての可能性を２５℃での熱伝導率、密度、及び比熱容量の値とともに示す。またテーブル１は、密度と比熱容量の積に対する熱伝導率の比αの値を示し、ここで、α＝λ／ρＣ_specificである。比αの値は、第２材料１６０が熱バッファとしてどの程度良好に働くかについての指標となる。比αの値が小さいほど第２材料１６０は熱バッファとして良好に働き、それにより基板ホルダ３０及び基板Ｗでの動的な熱負荷変動を低減する。

テーブル１

テーブル１の最終欄に示されるように、ポリｐ−キシリレンポリマー、ＰＴＦＥ、ガラス、磁器セラミック、及びベークライトのそれぞれについて、λ／ρＣ_specific≦１×１０^−６ｍ^２ｓ^−１が満たされる。

ある実施の形態においては、第２材料１６０は、λ／ρＣ_specific≦１×１０^−７ｍ^２ｓ^−１を満たす。テーブル１は、ポリｐ−キシリレンポリマーがλ／ρＣ_specific≦１×１０^−７ｍ^２ｓ^−１を満たすことを示す。しかし、ＰＴＦＥ、ガラス、磁器セラミック、及びベークライトのいずれもλ／ρＣ_specific≦１×１０^−７ｍ^２ｓ^−１を満たさない。

λ／ρＣ_specific≦１×１０^−７ｍ^２ｓ^−１を満たす第２材料１６０を設けることによって、第２材料１６０は、高熱容量と低熱伝導率をもつ特に良好な特性を有する。したがって、λ／ρＣ_specific≦１×１０^−７ｍ^２ｓ^−１を満たす第２材料１６０は、熱容量と熱抵抗の組み合わせを有する。これは、第２材料１６０が例えば流路４６から基板ホルダ３０または基板Ｗへの動的な熱変動を低減するための熱バッファを提供するのに特に良好であることを意味する。

図６は、第２材料１６０への及び第２材料１６０からの熱伝達を模式的に示す。図６では、流路４６から第２材料１６０に伝達される熱負荷（正または負でありうる）がＱ_ｉｎで表されている。図６では、第２材料１６０から第１材料１００に伝達される熱負荷（正または負でありうる）がＱ_ｏｕｔで表されている。流路４６と第１材料１００の間の第２材料１６０の厚さがｔで表されている。流路４６に面する第２材料１６０の表面積がＡで表されている。第２材料１６０は、２５℃でλの熱伝導率を有する。

第２材料１６０の熱抵抗Ｒ_ｔｈは、厚さｔ、熱伝導率λ、及び表面積Ａと、等式Ｒ_ｔｈ＝ｔ／λＡによって関係づけられる。第２材料１６０の熱容量Ｃ_ｐは、比熱容量Ｃ_specific、密度ρ、表面積Ａ、及び厚さｔと、等式Ｃ_ｐ＝ρＡｔＣ_specificによって関係づけられる。熱容量Ｃ_ｐは、ＪＫ^−１を単位とする。比熱容量Ｃ_specificは、Ｊｋｇ^−１Ｋ^−１を単位とする。

熱抵抗Ｒ_ｔｈと熱容量Ｃ_ｐがともにあることの物理的作用が、第２材料１６０による熱バッファ作用をもたらす。例えば流路４６と基板ホルダ３０との熱移動系は、時定数τを有する一次系として近似されうる。時定数τは例えば、流路４６での熱負荷とこれに関連づけられる基板テーブルＷＴでの温度変化との間の遅延に関係づけられる。時定数τは、熱抵抗Ｒ_ｔｈ及び熱容量Ｃ_ｐと、次の等式τ＝Ｒ_ｔｈＣ_ｐによって関係づけられる。この等式に代入することによって、時定数τは、第２材料１６０の厚さｔ、第２材料１６０の密度ρ、第２材料１６０の比熱容量Ｃ_specific、及び第２材料１６０の熱伝導率λと、次の等式τ＝ｔ^２ρＣ_specificλ^−１によって関係づけられるものとして、表現される。

流路４６の内部で生じ基板ホルダ３０の第１材料１００へと伝達される熱負荷変動は、熱伝達関数Ｈ（ｆ）により記述されうる。ここで、ｆは、流路４６内での熱変動の周波数である。Ｈ（ｆ）の大きさは、第２材料１６０によって熱負荷変動がどの程度低減されるかについての指標となる。例えば、熱負荷変動が、第２材料１６０によって熱負荷変動低減倍数Ｘで低減される場合、Ｈ（ｆ）の大きさは、Ｘ^−１に等しい。熱負荷変動低減倍数をＸとするとき、｜Ｈ（ｆ）｜＝１／Ｘである。熱負荷変動低減倍数Ｘは、第２材料１６０が設けられなかった場合に対して本発明が熱負荷変動を低減する倍数である。熱負荷変動低減倍数Ｘの基準点は、第２材料１６０が設けられていない流路４６である。熱負荷変動低減倍数Ｘは高いことが望ましい。よってＸ^−１は低いことが望ましい。

一次の熱移動系については、熱伝達関数Ｈ（ｆ）は、時定数τと次の等式｜Ｈ（ｆ）｜＝｜（ｉｆτ＋１）^−１｜＝（ｆ^２τ^２＋１^２）^−１／２によって関係づけられる。ここで、ｆは熱負荷変動の周波数であり、ｉは虚数単位√（−１）である。時定数τにつきこの等式に代入することによって、熱負荷変動低減倍数Ｘは、系のパラメータと次の等式Ｘ^−１＝（ｆ^２ｔ^４ρ^２Ｃ_specific ^２λ^−２＋１）^−１／２によって関係づけられる。一次モデルとしての系の近似では熱負荷変動低減倍数が第２材料１６０の厚さｔに対しどのように変化するかに関して１００％の精度はないとの事実に照らして、また計算実験による較正を許容するために、補正係数Ｋが等式に追加され、次の等式Ｘ^−１＝（Ｋｆ^２ｔ^４ρ^２Ｃ_specific ^２λ^−２＋１）^−１／２が与えられてもよい。

熱負荷変動の周波数ｆは、リソグラフィ装置がどのように使用されるかについての特性である。基板Ｗの端部での流路４６における熱負荷変動は、開口部４２及び通路４４を通る気体流れの変動に起因しうる。こうした気体流れの変動は、液体閉じ込め構造ＩＨが基板Ｗの端部で隙間５を横断することに起因しうる。こうした横断に関連付けられる時定数が、熱負荷変動の周波数ｆを定める。

計算実験が実行された。実験によると、テーブル１に示す性質をもつポリｐ−キシリレンポリマーが使用された。第２材料１６０の厚さは０．５ｍｍであった。実験では、液体閉じ込め構造ＩＨが約０．６ｓの時定数で隙間５を横断する。よって、熱負荷変動の周波数ｆは、０．６ｓの逆数すなわち１．６７ｓ^−１であった。実験結果では、熱負荷変動が１０倍のＸで低減された。この実験から、補正係数Ｋが算出される。補正係数Ｋは、次の等式Ｋ＝（Ｘ^２−１）λ^２ｆ^−２ｔ^−４ρ^−２Ｃ_specific ^−２を用いて算出することができる。実験から、補正係数Ｋは、（有効数字３桁で）４．５２であると決定されうる。

一般に、第２材料１６０が厚いほど、熱負荷変動の低減は大きい。しかし、第２材料１６０の必要量を減らし、流路４６をできるだけ広く保ち、かつ第２材料１６０を流路４６と第１材料１００の間に適用するのをより容易にするために、第２材料１６０は比較的薄いことが望まれる。ある実施の形態においては、第２材料１６０の厚さｔは、多くとも約１ｍｍである。

ある熱負荷変動低減倍数Ｘを達成するのに必要な第２材料１６０の厚さは、次の等式ｔ＝［（Ｘ^２−１）λ^２Ｋ^−１ｆ^−２ρ^−２Ｃ_specific ^−２］^１／４を用いて算出されてもよい。

λ／ρＣ_specific≦１×１０^−７ｍ^２ｓ^−１とすることによって、ある設定された熱負荷変動低減倍数Ｘを達成するのに必要な第２材料１６０の厚さｔを小さくすることができる。例えば、第２材料１６０をポリｐ−キシリレンポリマーとすることによって、第２材料１６０の厚さｔは、第２材料１６０がＰＴＦＥ、ガラスまたはセラミックであった場合に比べて、同じ熱負荷変動低減を達しつつ小さくなる。

ある実施の形態においては、第２材料１６０は、少なくとも２００μｍの厚さｔを有する。第２材料１６０を少なくとも２００μｍの厚さとすることによって、最小レベルの熱負荷変動低減が達成される。とくに、第２材料１６０がポリｐ−キシリレンポリマーである場合にその厚さｔを少なくとも２００μｍの厚さとすることによって、少なくとも２の熱負荷変動低減倍数Ｘが達成される。熱負荷変動低減倍数Ｘは、本発明により達成される熱負荷変動の低減についての尺度である。この低減は、第２材料１６０が設けられていない構成に対して評価される。

ある実施の形態においては、第２材料１６０は、少なくとも３５０μｍの厚さｔを有する。第２材料１６０を少なくとも３５０μｍの厚さｔとすることによって、より高い最小レベルの熱負荷変動低減が達成される。とくに、第２材料１６０がポリｐ−キシリレンポリマーである場合、少なくとも５の熱負荷変動低減倍数Ｘが達成される。熱負荷変動低減倍数Ｘは、本発明により達成される熱負荷変動の低減についての尺度である。この低減は、第２材料１６０が設けられていない構成に対して評価される。

ある実施の形態においては、第２材料１６０は、流路４６の実質的に全てと第１材料１００との間にある。これは、第２材料１６０が流路４６の全体に沿っていることを意味する。しかし、これは必須ではない。ある実施の形態においては、第２材料１６０は、流路４６の一部のみと第１材料１００との間にある。例えば、ある実施の形態においては、気体流れに最も影響され熱負荷が与えられる領域にのみ第２材料１６０が設けられる。例えば、ある実施の形態においては、第２材料１６０は、流路４６の底部と第１材料との間にあるが、流路４６の側部または上部と第１材料との間には無い。流路４６の側部及び上部では、第２材料１６０が間に設けられず、流路４６が第１材料１００と直接隣接していてもよい。第２材料１６０が流路４６の底部にあることは、そうでなければ第１材料１００に例えば開口部４２から直接到達するであろう熱負荷を阻止するために、より重要である。ある実施の形態においては、第２材料１６０は、開口部４２及び通路４４に設けられている。

図４に示されるように、ある実施の形態においては、リソグラフィ装置は、第１材料１００のブロックから形成された物体テーブル例えば基板テーブルＷＴを備える。ある実施の形態においては、物体テーブルは、物体例えば基板Ｗを保持する物体ホルダ例えば基板ホルダ３０を備える。ある実施の形態においては、物体テーブルは、物体ホルダの端部に隣接する開口部４２を備える。ある実施の形態においては、流路４６は、物体テーブルを介して開口部４２と流体連絡している。

ある実施の形態においては、リソグラフィ装置は、液体閉じ込め構造ＩＨを備える。液体閉じ込め構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗの表面との間の局所域に液浸流体を閉じ込めるよう構成されている。ある実施の形態においては、流体閉じ込め構造は、第１材料１００のブロックから形成されている。ある実施の形態においては、液体閉じ込め構造ＩＨは、図２に示される出口１４に付属した流路と流体連絡している開口部を備える。

図７は、本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の一部を断面で示す。図７に示されるように、ある実施の形態においては、リソグラフィ装置は、第３材料９０を備える。第３材料９０は、第２材料１６０と流路４６の間にある。ある実施の形態においては、第３材料９０は、第２材料１６０よりも高い熱伝導率を有する。

第３材料９０を第２材料１６０より高い熱伝導率とすることによって、流路４６における二相流によって基板ホルダ３０に生じる熱負荷変動を低減することができる。ある実施の形態においては、第３材料９０は、固体材料である。第３材料９０は、流路４６からの熱負荷を第３材料９０にわたり広げる作用を持つ。第３材料９０は、二相流の内部での例えば蒸発に起因する熱負荷を、自身の内部に空間的に広げる。その結果、熱負荷は、第２材料１６０に伝達されるとき、空間的により広げられている。これは、熱シールド及び／または熱バッファとして働く第２材料１６０の作用をより有効に使えることを意味する。このことを図８及び図９を参照してさらに説明する。

図８は、本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の一部を示す。図８に示される構成においては、第２材料１６０と流路４６の間に第３材料９０は設けられていない。図８の上部にある大きな矢印は、流路４６と第２材料１６０との界面でのある特定の熱負荷点９２に向けられた、流路４６における気体流れを表す。熱負荷は、例えば流路４６内の二相流における液体の蒸発に起因しうる。熱負荷は、熱負荷点９２に集中している。

より小さい矢印で図８に示されるように、熱負荷は、第２材料１６０の厚さを通じて伝達される。第２材料１６０の内部では熱負荷が空間的に広がるが、その程度は限定的なものにすぎない。図８に示される一点鎖線は、第２材料１６０内部の熱負荷変動の空間的範囲を表す。このように、熱負荷変動は大部分が第２材料１６０内部で空間的に集中したままとなっている。第２材料１６０内部での熱負荷変動の限定的な空間的広がりは、第１材料１００での熱負荷変動を低減する際の第２材料１６０の有効性を制限する。

図９は、本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の一部を断面で示す。図９に示される構成においては、第３材料９０が流路４６と第２材料１６０の間に設けられている。流路４６からの熱負荷が流路４６と第３材料９０との界面での熱負荷点９２に集中している。図９において矢印で示されるように、熱負荷が第３材料９０の内部で大半が空間的に広げられている。その結果、第２材料１６０内部での熱負荷伝達が、例えば図８に示される構成と比べて、より均一である。高熱伝導率の第３材料９０は、第１材料１００に到達する熱負荷変動を低減する際の第２材料１６０の有効性を向上させる。

熱負荷点９２で熱負荷を与える気体流れは、開口部４２から通路４４を介して方向付けられた気体流れであってもよい。ある実施の形態においては、第３材料９０が無い場合、気体流れによる熱負荷点９２での熱負荷の例えば約９０％が、図８に示されるように第２材料１６０を通じて伝達されるものと予測されうる。しかし、９０％という数値は概算である。リソグラフィ装置の構成及び使用法によっては、数値は例えば５０％に近くなりうる。

熱負荷の残り１０％は、流路４６を通じて伝達されるものと予測されうる。そこから例えば抽出穴を通じて伝達しうる。一方、第３材料９０が第２材料１６０と流路４６の間に設けられている場合には、熱負荷点９２から第２材料１６０を直接通じて伝達される熱負荷の比率が約６０％に低下されうる。この場合、残りの４０％が流路４６に沿って伝達されうる。こうして熱負荷が第３材料９０によって空間的に広げられている。

第３材料９０は、望ましくは、高熱伝導率を有する。ある実施の形態においては、第３材料９０は、金属である。例えば、ある実施の形態においては、第３材料９０は、ステンレス鋼、銅、銀、金、及び白金からなるグループから選択される。

ステンレス鋼、銀、金、及び白金の銅に対する有利な点は、これら金属によるリソグラフィ装置環境の汚染が低減されることにある。しかし、第３材料９０は、第２材料１６０より高い熱伝導率をもつよう特に限定されるわけではない。例えば、いかなる金属が第３材料９０として用いられてもよい。ある実施の形態においては、第３材料９０の熱伝導率は、第２材料１６０よりも少なくとも１桁大きい。他の材料が第３材料９０として用いられてもよい。ある実施の形態においては、第３材料９０は、シリコン浸潤シリコンカーバイド（ＳｉＳｉＣ）である。

ある実施の形態においては、第３材料９０の厚さは、多くとも１００μｍである。第３材料９０の厚さを多くとも１００μｍとすることによって、第３材料９０の必要量が比較的少なくなり、第３材料９０がシステム内で占める空間が比較的小さくなる。

ある実施の形態においては、第３材料９０の厚さは、少なくとも１０μｍである。第３材料９０の厚さを少なくとも１０μｍとすることによって、第３材料９０を第２材料１６０と流路４６の間に適用することがより容易となる。

ある実施の形態においては、第３材料９０は、連続している。例えば、第３材料９０は、第２材料１６０と流路４６の間で連続した層であってもよい。第３材料９０を連続したものとすることによって、第３材料９０の連続層へと固化する液体またはジェルとして第３材料９０が塗布されうる。こうした液体またはジェルは、１つ又は複数の開口部を通じて流路４６へと液体を挿入することによって塗布されてもよい。例えば、流路４６の基部からの抽出穴及び／または流路４６の上端の開口部４２は、第３材料９０を形成するよう液体またはジェルを塗布するために使用されうる。

第３材料９０が連続していることは必須ではない。図１０は、本発明のある実施の形態に係る第３材料９０の側面図及び正面図を示す。図１０に示されるように、ある実施の形態においては、第３材料９０は、メッシュまたは第３材料９０の片９１を接続した網状物として形成されている。ある実施の形態においては、第３材料９０は、第２材料１６０の内側の一部のみを覆う。ある実施の形態においては、第３材料９０は、メッシュ構造を有する。ある実施の形態においては、第３材料９０は、図１０に示されるように、例えば円筒形状を有する。望ましくは、第３材料９０は、第２材料１６０全体の内側を覆うことを可能とする形状を有する。

たとえ第３材料９０が不連続であり、例えばメッシュ構造を有するとしても、第３材料９０は、熱負荷を有効に広げる。第３材料のメッシュは、（第３材料９０の所与の全容積について）第３材料９０の連続層と同様に有効である。

第３材料９０をメッシュまたは第３材料９０の片９１を接続した網状物として形成することによって、医療手術で血管に挿入されるステントと同様の方式で第３材料９０を流路４６に挿入することができる。ある実施の形態においては、接続された第３材料９０の片９１は、インフレータブルバルーン上に装着されてもよい。インフレータブルバルーンに装着された第３材料９０は、流路４６に挿入されてもよい。そうして、第３材料９０は、第２材料１６０と流路４６の間に配置されてもよい。第３材料９０は、インフレータブルバルーンを膨らませることによって配置されてもよい。

図１１は、本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の一部を断面で示す。図１１に示される構成においては、第３材料９０は、メッシュまたは第３材料９０の片９１を接続した網状物として設けられている。熱負荷を生じさせる気体流れは、流路４６と第３材料９０の界面での熱負荷点９２に入射しうる。熱負荷は、高熱伝導率の第３材料９０によって広げられる。この拡散に続いて、熱負荷は、第２材料１６０を通じて伝達される。第２材料１６０は、熱抵抗の性質及び／または熱容量の性質を有し、それにより第１材料１００に到達する熱負荷変動が低減される。

ある実施の形態においては、流路４６は、２以上の部品からなる１つのブロックの内部に形成されている。例えば、流路４６の側部と底部が、流路４６の上部を形成するブロックの部品とは別のブロック部品によって形成されていてもよい。２以上の部品は、ブロック内部に流路４６を形成するよう接着されてもよい。ブロックが２以上の部品からなる場合、第２材料１６０及び／または第３材料９０は、ブロックのそれら２以上の部品が結合される前に、設けられてもよい。

流路４６と流体連絡している開口部を通じて第２材料１６０及び／または第３材料９０を挿入する利点は、流路４６がブロック内部に形成された後に第２材料１６０及び／または第３材料９０を設けることができる点にある。これは、ブロックが２以上の部品で作られなければならないことを意味しない。流路を形成するようブロックの２以上の部品を結合することは、第２材料１６０が耐えることが可能ではないかもしれない温度にまでブロック及び流路４６の温度を高めることを必要としうる。例えば、ＰＴＦＥ及びポリｐ−キシリレンポリマーは非常に高い温度に耐えることができない。よって、ガラスまたは磁器セラミックは、流路４６を形成するようブロックの２以上の部品を結合する前に設けられてもよい。

第３材料９０を設けることは必須ではない。第３材料９０が設けられていない場合であっても、第２材料１６０がλ／ρＣ_specific≦１×１０^−７ｍ^２ｓ^−１を満たすことによって、第２材料１６０は、熱バッファとして働き、第２材料１６０がλ／ρＣ_specific≦１×１０^−７ｍ^２ｓ^−１を満たさないシステムに比べて熱負荷変動を低減する。

第２材料１６０がλ／ρＣ_specific≦１×１０^−６ｍ^２ｓ^−１を満たすことは必須ではない。第３材料９０を設けることによって、第３材料９０が熱負荷を空間的に第２材料１６０にわたり広げるので、熱負荷変動は低減される。この場合、ある実施の形態においては、第２材料１６０は、第１材料１００より高い比熱容量を有する。第２材料１６０が第１材料１００より高い比熱容量を有することによって、第２材料１６０は、熱バッファとして働く。熱バッファは、第１材料１００に何らかの熱負荷が伝達される前に、流路４６からの熱変動を一部蓄えることができる。したがって、動的な熱負荷変動が低減される。

しかし、第２材料１６０が第１材料１００より高い比熱容量を有することは必須ではない。ある実施の形態においては、第２材料１６０は、第１材料１００より低い熱伝導率を有する。第２材料１６０が第１材料１００より低い熱伝導率を有することによって、第２材料１６０は、流路４６と第１材料１００の間に熱抵抗を提供する。

図１２及び図１３に示されるように、ある実施の形態においては、第３材料９０は、ヒータとして形成されている。ヒータは、第３材料９０を備える。第３材料９０は、ヒータの加熱素子として機能するよう構成されている。ヒータは電気ヒータである。

ある実施の形態においては、第３材料９０は、ヒータ電源９３に電気的に接続されている。ヒータ電源９３は、第３材料９０に電流を供給するよう構成されている。電流は第３材料９０を流れる。電流からの電気エネルギーが第３材料９０において熱エネルギーに変換される。

ある実施の形態においては、第３材料９０は、導線９４によってヒータ電源９３に接続されている。導線に使用される材料は、特に限定されない。導線９４は、電気伝導体である。ある実施の形態においては、導線９４は、銅などの金属から形成されている。

図１３に示されるように、ある実施の形態においては、第３材料９０は、メッシュまたは第３材料９０の片９１を接続した網状物として形成されている。図１３に示されるように、ある実施の形態においては、二次元メッシュがヒータである。

しかし、第３材料９０をヒータとして形成するために第３材料９０をメッシュまたは第３材料９０の片９１を接続した網状物として形成することは必須ではない。図１２に示されるように、ある実施の形態においては、第３材料９０は、連続し、かつヒータとして形成されている。

ある実施の形態においては、第３材料９０は、円直径を有する。したがって、第３材料９０がヒータとして形成される場合、ヒータは円直径へと折りたたまれる。第３材料９０は第２材料１６０によって囲まれている。第２材料１６０は、断熱材料である。したがって、第３材料９０がヒータとして形成される場合、ヒータは断熱材料によって囲まれている。

図１２及び図１３に示されるように、ある実施の形態においては、リソグラフィ装置は、熱制御部９５を備える。熱制御部９５は、二相流の熱負荷を局所的に補償するようにヒータを制御するよう構成されている。二相流は流路４６を通過する。流路４６内部に生成される熱負荷をヒータの制御により局所的に補償することができる。例えば、流路４６内部での蒸発による冷熱負荷をヒータの制御により局所的に補償することができる。第２材料１６０は、第１材料１００に直接侵入する（ヒータの制御により補償されない）何らかの残存熱負荷を低減するよう構成されている。

第３材料９０は、高熱伝導率を有し、ヒータとして機能する。第３材料９０の高熱伝導率は、流路４６における熱負荷を第３材料９０を通じて広げることを可能にする。熱拡散器としての第３材料９０の機能は受動的な機能である。第３材料９０は、流路４６における熱負荷を局所的に補償するヒータとして機能する。ヒータとしての第３材料９０の機能は能動的な機能である。流路４６内の蒸発熱負荷は、第３材料９０で広がり、また能動的な加熱によって補償される。ある実施の形態においては、能動的加熱は銅の配線を介してなされてもよい。

上記に説明したように、ある実施の形態においては、第２材料１６０は、断熱器及び熱バッファとして機能する。第２材料１６０は、流路４６における熱負荷が基板テーブルＷＴの第１材料１００に与える影響を低減する。

ある実施の形態においては、第３材料９０は、セグメント化されたヒータとして形成されている。ある実施の形態においては、第３材料９０は、複数のヒータ電源９３に電気的に接続されている。各ヒータ電源９３が、第３材料９０の対応するセグメントに電流を供給するよう構成されている。電流が第３材料９０の対応するセグメントを流れる。電流からの電気エネルギーが第３材料９０の対応するセグメントにおいて熱エネルギーに変換される。

第３材料９０の各セグメントが第３材料９０の他のセグメントから実質的に独立したヒータとして機能する。セグメントの数は特に限定されない。第３材料９０をより多くのセグメントに分割することによって、空間的に分布する熱負荷をより効果的に補償することができる。

更なる改良が図５に示されている。この更なる改良は、他の任意の実施の形態にも適用されうる。更なる改良は、第１ドレイン１０のみに、第２ドレイン２０のみに、または第１ドレイン１０及び第２ドレイン２０の両方に適用されうる。この改良は、米国特許出願公開第２００８／０２９７７４４号に記述されたものと同様であり、その内容の全体が本明細書に援用される。液体をドレイン１０、２０に基板テーブルＷＴの位置から独立して能動的に供給するよう構成された液体供給装置が設けられている。液体の（流路２００を通じた）供給は、ドレイン１０、２０における蒸発量の減少をもたらすことができる。これを達する方法は２つの別々の方法にあると見ることができる。第１には、さもなければ蒸発を生じさせるであろう気体が液体閉じ込め構造ＩＨに用いられるのと同じ（種類の）液体で飽和しまたは少なくともほぼ飽和することで、ドレイン１０、２０においてこの気体が液体上を通過しても顕著には蒸発が起こりえないということを保証するのに役立つものと理解される。第２に、ドレイン１０、２０を通じた（液浸）液体の連続的な流れを与えることで、熱負荷が時間的に均一化されるものと理解される。

本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、本書に説明されたリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造など他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。当業者であればこれらの他の適用に際して、本書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本書に言及される基板は、露光前または露光後において例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本書における基板という用語は処理済みの多数の層を既に含む基板をも意味する。

本書において「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば約３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）及び極紫外（ＥＵＶ）放射（例えば５から２０ｎｍの範囲の波長を有する）含むあらゆる種類の電磁放射、さらにはイオンビームまたは電子ビーム等の粒子ビームを包含する。

「レンズ」という用語は、文脈が許す場合、屈折光学部品、反射光学部品、磁気的光学部品、電磁気的光学部品、静電的光学部品を含む各種の光学部品のうちいずれか１つ、又はこれらの組み合わせを指し示してもよい。

本発明の特定の実施形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、後述の特許請求の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。

Claims (15)

1. 二相流の抽出及び通過のための流路であって、第１材料のブロックの内部に形成された流路と、
   前記第１材料と前記流路の間にある第２材料であって、前記第１材料よりも高い比熱容量及び／または前記第１材料よりも低い熱伝導率を有する第２材料と、
   前記第２材料と前記流路の間にある第３材料であって、前記第２材料よりも高い熱伝導率を有する第３材料と、を備える液浸リソグラフィ装置。
2. 前記第２材料は、λ／（ρＣ_specific）≦１×１０^−６ｍ^２ｓ^−１を満たし、ここで、λは前記第２材料の熱伝導率をＷｍ^−１Ｋ^−１で表し、ρは前記第２材料の密度をｋｇｍ^−３で表し、Ｃ_specificは前記第２材料の比熱容量をＪｋｇ^−１Ｋ^−１で表す請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
3. 前記第２材料は、ポリ（ｐ−キシリレン）ポリマー、ＰＴＦＥ、ガラス、およびセラミックからなるグループから選択され、及び／または、ポリ（ｐ−キシリレン）ポリマーを含む請求項１または２に記載の液浸リソグラフィ装置。
4. 前記第３材料は、ステンレス鋼、銅、銀、金、白金、およびシリコン浸潤シリコンカーバイドからなるグループから選択される請求項１から３のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。
5. 前記第３材料は、連続し、または、メッシュまたは前記第３材料の片を接続した網状物として形成され、または、ヒータとして形成されている請求項１から４のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。
6. 前記二相流の熱負荷を局所的に補償するように前記ヒータを制御するよう構成された熱制御部をさらに備える請求項５に記載の液浸リソグラフィ装置。
7. 前記第２材料は、少なくとも２００μｍまたは３５０μｍの厚さを有する請求項１から６のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。
8. 前記第１材料の前記ブロックから形成された物体テーブルを備え、前記物体テーブルは、
   物体を保持する物体ホルダと、
   前記物体ホルダの端部に隣接する開口部と、を備え、前記流路が前記物体テーブルを介して前記開口部と流体連絡している請求項１から７のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。
9. 投影システムの最終要素と基板の表面との間の局所域に液浸流体を閉じ込めるよう構成された流体閉じ込め構造を備え、前記流体閉じ込め構造は、前記第１材料の前記ブロックから形成され、前記流路と流体連絡している開口部を備える請求項１から８のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。
10. 二相流の抽出及び通過のための流路であって、第１材料のブロックの内部に形成された流路と、
    前記第１材料と前記流路の間にある第２材料と、を備え、前記第２材料は、λ／（ρＣ _specific ）≦１×１０ ^−７ ｍ ^２ ｓ ^−１ を満たし、ここで、λは前記第２材料の熱伝導率をＷｍ ^−１ Ｋ ^−１ で表し、ρは前記第２材料の密度をｋｇｍ ^−３ で表し、Ｃ _specific は前記第２材料の比熱容量をＪｋｇ ^−１ Ｋ ^−１ で表す液浸リソグラフィ装置。
11. 前記第２材料と前記流路の間にある第３材料であって、前記第２材料よりも高い熱伝導率を有する第３材料を備える請求項１０に記載の液浸リソグラフィ装置。
12. 液浸リソグラフィ装置を製造する方法であって、
    内部に流路が形成された第１材料のブロックを設けることと、
    前記流路を通じた二相流の抽出及び通過を提供することと、
    前記第１材料と前記流路の間に、前記第１材料よりも高い比熱容量及び／または前記第１材料よりも低い熱伝導率を有する第２材料を設けることと、
    前記第２材料と前記流路の間に、前記第２材料よりも高い熱伝導率を有する第３材料を設けることと、を備える方法。
13. 前記第３材料を設けることは、
    接続された前記第３材料の片をインフレータブルバルーン上に装着することと、
    前記インフレータブルバルーンに装着された前記第３材料を前記流路に挿入することと、
    前記第３材料を前記第２材料と前記流路の間に配置することと、を備える請求項１２に記載の方法。
14. 液浸リソグラフィ装置を製造する方法であって、
    内部に流路が形成された第１材料のブロックを設けることと、
    前記流路を通じた二相流の抽出及び通過を提供することと、
    前記第１材料と前記流路の間に第２材料を設けることと、を備え、前記第２材料は、λ／（ρＣ _specific ）≦１×１０ ^−７ ｍ ^２ ｓ ^−１ を満たし、ここで、λは前記第２材料の熱伝導率をＷｍ ^−１ Ｋ ^−１ で表し、ρは前記第２材料の密度をｋｇｍ ^−３ で表し、Ｃ _specific は前記第２材料の比熱容量をＪｋｇ ^−１ Ｋ ^−１ で表す方法。
15. 前記第２材料を設けることは、前記流路と流体連絡している前記ブロックにおける開口部を通じて前記第２材料を挿入することを備える請求項１２から１４のいずれかに記載の方法。

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