JP6387421B2 - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
[0001] 本願は、2014年4月30日出願の欧州出願第14166492.0号の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
− 放射ビームB(例えばUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
− 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ以上のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSと、を備える。
1.ステップモードでは、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに付与されたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードでは、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTはプログ ラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
Claims (12)
- リソグラフィ装置と共に使用するシステムであって、
前記システムは、基板を処理するとともにガス源に結合され、
前記システムは、前記基板が通過する空間と、前記空間外部で生じる熱負荷から前記空間を熱的に絶縁するための熱シールドと、を備え、
前記熱シールドは、
それらの間にギャップを伴う第1の壁及び第2の壁であって、前記第1の壁は前記空間と前記第2の壁との間に位置決めされる、第1の壁及び第2の壁と、
前記第1の壁及び前記第2の壁によって画定され、前記ガス源からのガスの流れを前記空間外部から前記ギャップ内に流入させる少なくとも1つの入口開口部と、
前記第1の壁及び前記第2の壁によって画定され、前記ガスの流れを前記ギャップから前記空間外部へと流出させる少なくとも1つの出口開口部と、
前記第1の壁及び前記第2の壁を通る基板開口部であって、前記ギャップに対して開かれている基板開口部と、を有し、
前記システムは、前記ガス源からのガスの流れを、前記少なくとも1つの入口開口部を通過させて前記ギャップに流入させ、前記基板開口部を通過させ、前記少なくとも1つの出口開口部を通過させて前記ギャップから前記空間外部へと流出させるように誘導し、それにより、前記空間外部で生じる前記熱負荷による前記空間内の熱変動を減少させる、システム。 - 前記システムは、前記ガス源からの前記ガスの流れが開口部のアレイを通過するように構成され、
前記開口部のアレイのうちの少なくとも1つの開口部は、ガスの流れを前記少なくとも1つの入口開口部に提供するように位置決めされ、
前記開口部のアレイのうちの少なくとも1つの開口部は、ガスの流れを前記空間の少なくとも一部に提供するように位置決めされ、
前記ギャップ及び前記空間に流入するガスは、ほぼ同じ温度である、請求項1に記載のシステム。 - 前記第1の壁は、前記ギャップに向き合う第1の表面を有し、
前記第1の壁は、前記空間に向き合う第2の表面を有し、
前記第1の表面及び/又は前記第2の表面のうちの少なくとも1つは、0.7から10μmの間の波長域内で0.5未満の放射率係数を有する、請求項1又は2に記載のシステム。 - 前記第1及び/又は第2の壁の材料よりも熱伝導性が低い断熱材料の層を更に備え、前記熱シールドは、前記断熱材料の層と前記空間との間に位置決めされ、
及び/又は、
前記システムに接触し取り囲むガスの周囲圧力に比べて低い圧力を前記ギャップに印加するために前記少なくとも1つの出口開口部に取り付けられた低圧源を更に備える、請求項1から3のいずれか一項に記載のシステム。 - 前記空間を少なくとも部分的に取り囲むために少なくとも1つのハウジング壁によって画定されるハウジングを更に備え、
前記熱シールドは、前記少なくとも1つのハウジング壁のうちの1つを形成する、請求項1から4のいずれか一項に記載のシステム。 - 前記熱シールドは、前記第1の壁及び前記第2の壁を通る基板開口部を更に備え、
前記基板開口部は、基板が前記空間の内又は外へ通過するように構成され、
前記基板開口部は、前記少なくとも1つの出口開口部のうちの1つが前記基板開口部の縁部周辺で画定されるように、前記ギャップに対して開かれている、請求項1から5のいずれか一項に記載のシステム。 - 基板を処理する基板ローダであって、
前記処理は、前記基板をリソグラフィ投影装置内に取り付けること、及び/又は、前記基板をリソグラフィ投影装置から取り外すこと、のうちの少なくとも1つを含み、
前記基板ローダは、請求項1から6のいずれか一項に記載のシステムを備える、基板ローダ。 - 前記システムは、第1の区画及び第2の区画を備え、
前記第1の区画は、使用中、取り付けられる前記基板が通過する空間の一部を少なくとも部分的に取り囲み、
前記第2の区画は、使用中、取り外される前記基板が通過する前記空間の一部を少なくとも部分的に取り囲む、請求項7に記載の基板ローダ。 - 基板が通過する空間を熱的に絶縁する方法であって、
前記空間外部で生じる熱負荷と前記空間との間に、それらの間にギャップを伴う第1の壁及び第2の壁を備える熱シールドを提供することと、
前記第1の壁及び前記第2の壁を通る基板開口部であって、前記ギャップに対して開かれている基板開口部を提供することと、
ガスを、前記第1の壁及び前記第2の壁によって画定された少なくとも1つの入口開口部を通過させて前記空間外部から前記熱シールドのギャップ内に流入させ、前記基板開口部を通過させ、前記第1の壁及び前記第2の壁によって画定された少なくとも1つの出口開口部を通過させて前記ギャップから前記空間外部へと流出させるように誘導し、それにより、前記空間外部で生じる前記熱負荷による前記空間内の熱変動を減少させることと、
を含む、方法。 - リソグラフィ装置を使用して基板上に放射のパターン化されたビームを投影することを含むデバイス製造方法であって、
前記基板が通過する空間は、請求項9に記載の方法を使用して熱的に絶縁される、デバイス製造方法。 - リソグラフィ装置と共に使用するシステムであって、
前記システムは、基板を処理するとともにガス源に結合され、
前記システムは、前記基板が通過する空間と、前記空間外部で生じる熱負荷から前記空間を熱的に絶縁するための熱シールドと、を備え、
前記熱シールドは、
それらの間にギャップを伴う第1の壁及び第2の壁であって、前記第1の壁は前記空間と前記第2の壁との間に位置決めされる、第1の壁及び第2の壁と、
前記第1の壁及び前記第2の壁によって画定され、前記ガス源からのガスの流れを前記空間外部から前記ギャップ内に流入させる少なくとも1つの入口開口部と、
前記第1の壁及び前記第2の壁によって画定され、前記ガスの流れを前記ギャップから前記空間外部へと流出させる少なくとも1つの出口開口部と、を有し、
前記システムは、前記ガス源からのガスの流れを、前記少なくとも1つの入口開口部を通過させて前記ギャップに流入させ、前記ギャップを通過させ、前記少なくとも1つの出口開口部を通過させて前記ギャップから前記空間外部へと流出させるように誘導し、それにより、前記空間外部で生じる前記熱負荷による前記空間内の熱変動を減少させ、
前記システムは、前記ガス源からの前記ガスの流れが開口部のアレイを通過するように構成され、
前記開口部のアレイのうちの少なくとも1つの開口部は、ガスの流れを前記少なくとも1つの入口開口部に提供するように位置決めされ、
前記開口部のアレイのうちの少なくとも1つの開口部は、ガスの流れを前記空間の少なくとも一部に提供するように位置決めされ、
前記ギャップ及び前記空間に流入するガスは、ほぼ同じ温度である、システム。 - リソグラフィ装置と共に使用するシステムであって、
前記システムは、基板を処理するとともにガス源に結合され、
前記システムは、前記基板が通過する空間と、前記空間外部で生じる熱負荷から前記空間を熱的に絶縁するための熱シールドと、を備え、
前記熱シールドは、
それらの間にギャップを伴う第1の壁及び第2の壁であって、前記第1の壁は前記空間と前記第2の壁との間に位置決めされる、第1の壁及び第2の壁と、
前記第1の壁及び前記第2の壁によって画定され、前記ガス源からのガスの流れを前記空間外部から前記ギャップ内に流入させる少なくとも1つの入口開口部と、
前記第1の壁及び前記第2の壁によって画定され、前記ガスの流れを前記ギャップから前記空間外部へと流出させる少なくとも1つの出口開口部と、を有し、
前記システムは、前記ガス源からのガスの流れを、前記少なくとも1つの入口開口部を通過させて前記ギャップに流入させ、前記ギャップを通過させ、前記少なくとも1つの出口開口部を通過させて前記ギャップから前記空間外部へと流出させるように誘導し、それにより、前記空間外部で生じる前記熱負荷による前記空間内の熱変動を減少させ、
前記熱シールドは、前記第1の壁及び前記第2の壁を通る基板開口部を更に備え、
前記基板開口部は、基板が前記空間の内又は外へ通過するように構成され、
前記基板開口部は、前記少なくとも1つの出口開口部のうちの1つが前記基板開口部の縁部周辺で画定されるように、前記ギャップに対して開かれている、システム。
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