JP4861016B2 - 処理装置 - Google Patents

処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4861016B2
JP4861016B2 JP2006013652A JP2006013652A JP4861016B2 JP 4861016 B2 JP4861016 B2 JP 4861016B2 JP 2006013652 A JP2006013652 A JP 2006013652A JP 2006013652 A JP2006013652 A JP 2006013652A JP 4861016 B2 JP4861016 B2 JP 4861016B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fluid
wall portion
fluid passage
processing chamber
processed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2006013652A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007194546A (ja
Inventor
尊彦 和歌月
直哉 速水
博 藤田
晶子 齋藤
俊秀 林
幸伸 西部
勉 牧野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2006013652A priority Critical patent/JP4861016B2/ja
Priority to KR1020070006070A priority patent/KR100809516B1/ko
Priority to US11/625,592 priority patent/US8517035B2/en
Priority to TW96102494A priority patent/TWI331363B/zh
Publication of JP2007194546A publication Critical patent/JP2007194546A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4861016B2 publication Critical patent/JP4861016B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022Cleaning travelling work
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/0318Processes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Description

本発明は、処理装置に関し、特にリソグラフィ工程に用いたフォトレジストの除去に適した処理装置に関する。
例えば、半導体や液晶パネルの製造プロセスにおけるリソグラフィ工程において、パターニングマスクには一般に有機レジスト膜が使用されている。このレジスト膜は、パターニングが終了した後、除去する必要がある。レジスト膜の除去方法としては、有機溶剤などでレジスト膜を加熱溶解させる方法などがあるが、有機溶剤を用いた場合には、排液を処理するための設備にコストがかかり、特に、最近では、半導体ウェーハや液晶パネルなどの大型化が進み、それに伴ってレジスト剥離工程における排液の発生量は増大し、これに関わる処理コストおよび環境負荷の増大が問題になっている。
そこで、例えば特許文献1には、コストダウン、環境負荷低減の目的から、加熱水蒸気を基板に噴射してレジスト膜を剥離除去することが開示されている。
この場合、生成された水蒸気は大気圧下で100℃を越える高温であるため、処理室内および処理室の壁部が高温になり、作業者などが壁部に触れないよう取り扱いに注意を要する。また、壁部と装置周辺との温度差が大きくなり、装置周辺において結露が発生することもある。
特開2001−250773号公報
本発明は、蒸気等によって被処理体を処理する処理室の壁部の温度上昇を抑制できる処理装置を提供する。
本発明の一態様によれば、被処理体を収容可能な処理室と、前記処理室内で前記被処理体を直線的に移動させる移動機構と、前記処理室内に設けられ、前記移動機構により移動させられる前記被処理体に対して蒸気を吐出するノズルと、前記処理室を覆う壁部であって、前記被処理体の移動方向に沿って設けられ互いに対向する一対の側壁部と、前記処理室を上側から覆う上壁部と、を有する壁部と、前記一対の側壁部の内部に設けられた流体通路と、前記流体通路及び大気圧雰囲気に連通して前記上壁部に設けられた流体入口と、前記流体通路に連通して前記一対の側壁部にそれぞれ設けられ、前記流体入口から流入して前記流体通路を通った空気が流出する流体出口と、前記流体出口にそれぞれ設けられ、前記流体入口から空気を取り込み前記流体通路を介して前記流体出口から排出させるファンと、を備えたことを特徴とする処理装置が提供される。
本発明によれば、被処理体を処理する処理室の壁部の温度上昇を抑制できる処理装置が提供される。
以下に、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る処理装置要部の断面図である。
図2は、図1におけるA−A線方向断面図である。
本実施形態に係る処理装置は、主として、被処理体10を収容可能な処理室1と、処理室1内に設けられ、被処理体10に蒸気を吐出するための第1のノズル5と、処理室1を覆う壁部2と、壁部2の内部に設けられた流体通路65a〜65cと、流体通路65a〜65cに連通して設けられた流体入口60と、流体通路65a〜65cに連通して設けられ、流体入口60から流入して流体通路65a〜65cを通った流体が流出する流体出口61と、を備えている。
被処理体10は、例えば液晶パネル用のガラス基板であるが、これに限らず、その他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウェーハ、リードフレーム、プリント配線板などであってもよい。
図3は、本実施形態に係る処理装置における処理室1内部の構成を例示する模式図である。
図4は、処理室1への処理液供給系統の概略図である。
処理室1内には、被処理体10を支持した状態で回転可能な複数本の搬送ローラ6が、被処理体10の移動方向Aに沿って設けられている。被処理体10は、搬送ローラ6上を移動方向Aに向けて直線的に移動される。被処理体10の移動路を、図3において仮想的に2点鎖線で表す。これら搬送ローラ6により、例えば、1.1メートル幅までの被処理体10を搬送することができる。搬送速度は、例えば、1〜10メートル/分の間で変えることができる。搬送ローラ6の他にも、図示しないシャフト、モータ、駆動力伝達機構などを備えて、被処理体の移動機構が構成される。
第1のノズル5は、その吐出口を、被処理体10の移動路に対向させて設けられている。第1のノズル5は、図3において紙面を貫く方向に延在し、その下端部には、第1のノズル5の延在方向に沿うスリット状の吐出口が形成されている。第1のノズル5は、その吐出口から、被処理体10を処理するための処理液として、水蒸気、薬液蒸気などを吐出することができる。
本具体例では、第1のノズル5の吐出口からは例えば水蒸気が吐出される。図4に表されるように、処理室1の外には、蒸気発生装置26と、蒸気再加熱装置27が設けられている。蒸気発生装置26は、超純水または脱イオン水の蒸気を生成し、蒸気再加熱装置27は、蒸気発生装置26で生成された蒸気を所定の温度まで加熱し、この加熱された蒸気が、配管28を介して、第1のノズル5の吐出口から吐出される。
蒸気生成のために蒸気発生装置26に導入される超純水または脱イオン水の流量は、例えば4〜10リットル/分で、第1のノズル5の吐出口から吐出される蒸気温度は、例えば100〜140℃まで制御することが可能である。
このとき、水蒸気が大気圧中に吐出された際に起こる断熱膨張による温度低下を考慮して、水蒸気温度が、基板等の被処理体10の表面で100〜140℃となるように、蒸気発生装置26、及び蒸気再加熱装置27によって、180〜300℃まで水蒸気を加熱する。
再び図3を参照すると、第1のノズル5配設位置のすぐ下流側には、吐出口を移動路に対向させて第2のノズル7が設けられている。
また、搬送ローラ6の下方には、吐出口を搬送ローラ6に対向させて、複数の第3のノズル9が設けられている。第3のノズル9は、搬送ローラ6を挟んで、被処理体の移動路の反対側に設けられている。
さらに、処理室1の壁部2の側壁内面に吐出口を対向させて、複数の第4のノズル8が設けられている。第4のノズル8は、被処理体の移動路よりも上方に設けられている。
第2のノズル7、第3のノズル9及び第4のノズル8の各ノズルからは温水が吐出される。図4に表されるように、処理室1の外には温水生成装置29が設置されている。この温水生成装置29にて生成された例えば95℃の温水が、配管30およびこの配管30から分岐した配管31、33、32を介して、第2のノズル7、第3のノズル9、第4のノズル8に供給される。
図1に表されるように、処理室1を覆う壁部2は、被処理体10の移動方向(図1においては紙面を貫く方向)に沿って設けられ互いに対向する一対の側壁部2b、2cと、処理室1を上側から覆う上壁部2aと、を有する。処理室1は、それら側壁部2b、2c、上壁部2a、および土台17に覆われている。
壁部2は2重構造になっており、壁部2の内部には流体通路65a〜65cが設けられている。具体的には、上壁部2aの内部には流体通路65aが設けられ、この流体通路65aに連通して、側壁部2b、2cの内部にはそれぞれ流体通路65b、65cが設けられている。流体通路65a〜65cは、壁部2によって隔てられて処理室1内とは連通していない。
流体通路65aは、上壁部2aの平面方向に広がり、上壁部2aの平面寸法と同程度の平面寸法を有する空間として形成されている。図1に表されるように、上壁部2aのほぼ中央には、大気圧雰囲気及び流体通路65aに連通する流体入口60が形成されている。
図1におけるA−A線方向の断面図である図2に表されるように、流体通路65cは、側壁部2cの平面方向に広がり、側壁部2cの平面寸法と同程度の平面寸法を有する空間として形成されている。流体通路65cの上部は流体通路65aに連通している。流体通路65cの下部には、この流体通路65cに連通して、流体出口61が形成されている。流体出口61近傍には、排気ファン71が設けられている。
他方の側壁部2bに設けられた流体通路65bについても同様に、流体通路65bは、側壁部2bの平面方向に広がり、側壁部2bの平面寸法と同程度の平面寸法を有する空間として形成されている。流体通路65bの上部は流体通路65aに連通している。流体通路65bの下部には、この流体通路65bに連通して、流体出口61が形成され、この流体出口61近傍には、排気ファン71が設けられている。
次に、図5は、本発明の実施形態に係る処理装置を含むインライン式処理システムの構成を例示する模式図である。
上述した処理室1の前段には搬入室21が配設され、処理室1の後段には、水リンス室22、乾燥室23、搬出室24が、順に配設されている。
次に、本発明の実施形態に係る処理装置を用いた被処理体の処理について説明する。
搬入室21を経て処理室1に送られた被処理体10は、搬送ローラ6の回転により、処理室1内を移動方向Aに向かって移動される。
このとき、第1のノズル5から被処理体10に向かって水蒸気が吐出され、この水蒸気の温度と衝撃力によって、被処理体10に形成されたフォトレジストなどの除去対象物が膨潤して剥離し、被処理体10上から吹き飛ばされる。
また、第1のノズル5の下流側では、第2のノズル7から、例えば、0.3メガパスカルの高圧で温水を被処理体10に対して噴射しており、これにより、被処理体10上に残留しているフォトレジストを除去できる。
被処理体10上から剥離したフォトレジストの一部は、第1のノズル5から吐出された水蒸気や、この水蒸気が冷えて水になったものに混ざって、図示しない排水口より排水されるが、一部は、搬送ローラ6に付着し、この搬送ローラ6上に支持される被処理体10の裏面に付着することがある。しかし、本実施形態では、第3のノズル9から吐出されるシャワー状の温水によって、搬送ローラ6や被処理体10裏面への付着物を洗い流すことができる。
また、第3のノズル9は、搬送ローラ6や被処理体10裏面への付着物を洗浄するだけではなく、被処理体10を裏面側から温めて被処理体10の温度を上昇させることで、水蒸気による剥離効果を向上させる役割も担う。
また、被処理体10上から剥離して吹き飛ばされたフォトレジストの一部は、処理室1の上方に飛散して壁部2の内面(処理室1に面する内面)に付着することがあるが、本実施形態では、第4のノズル8から吐出される温水によって、壁部2の内面の付着物が洗い落とされ、これは排水と共に処理室1外に排出される。これにより、壁部2内面に付着したものが、被処理体10上に落下して再付着することを防ぐことができる。
上述したように、各ノズルから高温蒸気や温水が吐出されるので、処理室1内は高温になる。しかし、本実施形態によれば、処理室1の壁部2の内部に流体通路65a〜65cを設け、さらに流体出口61近傍に設けた排気ファン71を作動させることで、大気圧雰囲気に連通する流体入口60から空気が流体通路65aに流入し、さらに流体通路65b、65cを通って、流体出口61から流出する空気の流れが壁部2の内部に形成されるため、処理室1内の温度が壁部2の外壁面に伝わりにくくなる。この結果、作業者などが触れる可能性がある壁部外壁面の温度上昇を抑えることができ、安全に扱うことができる。
また、壁部外壁面が高温にならないため、装置周辺との温度差に起因する装置周辺における結露も抑制することができる。
また、壁部外壁面に例えば液冷ジャケットを装着して壁部外壁面を冷却する場合に比べて、壁部内面の冷やしすぎを抑えることができ、壁部内面への汚染物の付着凝縮を抑制することができる。
なお、ファンを、流体入口側に設けて空気を流体通路に押し込む圧送方式を採用してもよい。ただし、この場合には、流体通路における風速分布は不均一になりやすく、吹きだまりやよどみができやすい。
これに対して、上述した具体例のように、ファンを流体出口側に設けると、ファン近くの圧力が下がることによる圧力差で空気を引っ張ることになり、空気を均一に引くことができ、処理室1から熱を奪った空気を効率的に流体通路から排気することができる。
処理室1にて、上述のようにフォトレジスト等の除去対象物が除去された被処理体10は、次に水リンス室22に搬送され、ここで水によるすすぎ洗いを受け、次に乾燥室23にて、例えば、エアーナイフによる乾燥処理を受けた後、搬出室24を介して、次工程に送られる。
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、それらに限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
流体通路を通す流体としては空気を用いることに限らず、その他の気体、さらには例えば水などの液体を用いてもよい。液体を用いる場合には、流体入口から流体通路に流入し、流体通路を通って流体出口から流出した液体を、再び流体入口から流体通路に流入させる液体循環機構を設ける構成が採用できる。
流体入口、流体出口、ファンの数や位置は、上述の具体例に限定されるものではない。また、壁部は2重構造に限らず、3重以上の構造にしてもよい。
本発明は、フォトレジスト等の除去対象物の除去に限らず、単なる洗浄においても有効である。また、被処理体、処理液、具体的な処理条件等も上述に挙げたものに限定されるものではない。
本発明の実施形態に係る処理装置要部の断面図である。 図1におけるA−A線方向断面図である。 本発明の実施形態に係る処理装置における処理室内部の構成を例示する模式図である。 図3に表される処理室への処理液供給系統の概略図である。 本発明の実施形態に係る処理装置を含むインライン式処理システムの構成を例示する模式図である。
符号の説明
1…処理装置、2…壁部、2a…上壁部、2b,2c…側壁部、5…第1のノズル、6…搬送ローラ、7…第2のノズル、8…第4のノズル、9…第3のノズル、10…被処理体、17…土台、60…流体入口、61…流体出口、65a〜65c…流体通路、71…排気ファン

Claims (2)

  1. 被処理体を収容可能な処理室と、
    前記処理室内で前記被処理体を直線的に移動させる移動機構と、
    前記処理室内に設けられ、前記移動機構により移動させられる前記被処理体に対して蒸気を吐出するノズルと、
    前記処理室を覆う壁部であって、前記被処理体の移動方向に沿って設けられ互いに対向する一対の側壁部と、前記処理室を上側から覆う上壁部と、を有する壁部と、
    前記一対の側壁部の内部に設けられた流体通路と、
    前記流体通路及び大気圧雰囲気に連通して前記上壁部に設けられた流体入口と、
    前記流体通路に連通して前記一対の側壁部にそれぞれ設けられ、前記流体入口から流入して前記流体通路を通った空気が流出する流体出口と、
    前記流体出口にそれぞれ設けられ、前記流体入口から空気を取り込み前記流体通路を介して前記流体出口から排出させるファンと、
    を備えたことを特徴とする処理装置。
  2. 前記上壁部の内部にも、前記側壁部の内部に設けた流体通路と連通する流体通路を設けたことを特徴とする請求項記載の処理装置。
JP2006013652A 2006-01-23 2006-01-23 処理装置 Active JP4861016B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006013652A JP4861016B2 (ja) 2006-01-23 2006-01-23 処理装置
KR1020070006070A KR100809516B1 (ko) 2006-01-23 2007-01-19 처리 장치 및 처리 방법
US11/625,592 US8517035B2 (en) 2006-01-23 2007-01-22 Processing apparatus and method
TW96102494A TWI331363B (en) 2006-01-23 2007-01-23 Processing apparatus and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006013652A JP4861016B2 (ja) 2006-01-23 2006-01-23 処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007194546A JP2007194546A (ja) 2007-08-02
JP4861016B2 true JP4861016B2 (ja) 2012-01-25

Family

ID=38449975

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006013652A Active JP4861016B2 (ja) 2006-01-23 2006-01-23 処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8517035B2 (ja)
JP (1) JP4861016B2 (ja)
KR (1) KR100809516B1 (ja)
TW (1) TWI331363B (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101229694B1 (ko) * 2008-06-02 2013-02-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 유체 가열기 및 그 제조 방법과, 유체 가열기를 구비한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN106415395B (zh) * 2014-04-30 2018-06-22 Asml荷兰有限公司 光刻设备及器件制造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1928099A (en) * 1929-06-28 1933-09-26 Gen Chemical Corp Sulphur burner
JPS61101410A (ja) * 1984-10-24 1986-05-20 Hiroshi Ishizuka 多結晶珪素の製造法及びそのための装置
US4724160A (en) * 1986-07-28 1988-02-09 Dow Corning Corporation Process for the production of semiconductor materials
JPH04363022A (ja) * 1991-06-06 1992-12-15 Enya Syst:Kk 貼付板洗浄装置
JP3042963B2 (ja) * 1994-06-29 2000-05-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JPH11329951A (ja) * 1998-05-15 1999-11-30 Canon Inc 光源装置及び露光装置
JP2001250773A (ja) 1999-08-12 2001-09-14 Uct Kk レジスト膜除去装置及びレジスト膜除去方法
US6610168B1 (en) * 1999-08-12 2003-08-26 Sipec Corporation Resist film removal apparatus and resist film removal method
KR100754342B1 (ko) * 1999-10-18 2007-09-03 인터그레이티드 디자인즈 엘.피. 유체 분배 방법 및 장치
JP2002169304A (ja) * 2000-12-01 2002-06-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 剥離装置及びレジスト膜の剥離方法
ATE535935T1 (de) * 2003-03-31 2011-12-15 Lam Res Corp Eine kammer und ein verfahren zur waferherstellung

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007194546A (ja) 2007-08-02
KR100809516B1 (ko) 2008-03-04
KR20070077451A (ko) 2007-07-26
US20070246097A1 (en) 2007-10-25
US8517035B2 (en) 2013-08-27
TWI331363B (en) 2010-10-01
TW200741835A (en) 2007-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4776380B2 (ja) 処理装置及び処理方法
US6348088B2 (en) System and method for recovering cooling capacity from a factory exhaust gas
KR101299763B1 (ko) 기판 냉각 장치 및 기판 냉각 방법
JP2013045877A (ja) 基板処理装置
JP2008159663A (ja) 基板処理装置
JP4813583B2 (ja) 基板処理装置
JP2008160011A (ja) 基板処理装置
JP4537323B2 (ja) 基板冷却装置
JP4861016B2 (ja) 処理装置
JP2005313169A (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
JP4450825B2 (ja) 基板処理方法及びレジスト表面処理装置及び基板処理装置
JP2009213958A (ja) 基板処理装置
JP4620536B2 (ja) 基板処理装置
JP2009141182A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2009033040A (ja) スプレー処理装置
JP3866856B2 (ja) 基板処理装置
JP2007317802A (ja) 基板の乾燥処理装置及び乾燥処理方法
JP3676957B2 (ja) レジスト剥離装置
JP2006222340A (ja) 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
JP2001358114A (ja) 乾燥装置
JP2012243950A (ja) 基板処理装置
KR20120064623A (ko) 가열 처리 장치, 및 이를 구비하는 도포 현상 장치
TW200426891A (en) Apparatus and method for preventing contamination of substrate from condensate liquid
JP2004296563A (ja) 基板処理装置
JP2010103551A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090116

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101014

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101020

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101215

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110603

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110905

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20110913

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111011

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111104

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4861016

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141111

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350