KR100809516B1 - 처리 장치 및 처리 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 피처리체를 수용하도록 된 처리 챔버와,상기 처리 챔버 내에 마련되어, 상기 피처리체 상에 증기를 토출하는 제1 노즐과,상기 처리 챔버를 둘러싸는 벽과,상기 벽의 내부에 마련되는 유체 채널과,상기 유체 채널과 연통하게 마련되는 유체 입구와,상기 유체 채널과 연통하게 마련되는 유체 출구를 포함하며, 유체가 상기 유체 입구로 유입되어, 상기 유체 채널을 거쳐 상기 유체 출구에서 유출되는 것인 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 유체 입구로부터 공기를 도입하고, 그 공기를 상기 유체 채널을 거쳐 상기 유체 출구를 통해 배출하는 팬을 더 포함하는 것인 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 유체 입구는 대기압과 연통하며, 상기 유체 출구에는 배기 팬이 마련되는 것인 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 유체는 액체이며, 상기 처리 장치는,상기 유체 입구를 통해 유체 채널 안으로 유입되어, 그 유체 채널을 거쳐 상기 유체 출구에서 유출되는 액체가 다시 상기 유체 입구를 통해 상기 유체 채널 안으로 유입될 수 있게 하는 액체 순환 기구를 더 포함하는 것인 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 유체 입구는 상기 유체 출구보다 상부 위치에 마련되는 것인 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 벽은 상기 처리 챔버의 측면들을 둘러싸는 한쌍의 측벽부와, 상기 처리 챔버의 위에 덮이는 상벽부를 구비하며, 상기 유체 채널은 상기 한쌍의 측벽부 중 적어도 하나의 내부에 마련되는 것인 처리 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 상벽부의 내부에도 상기 측벽부의 내부에 마련된 유체 채널과 연통하는 유체 채널이 마련되는 것인 처리 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 유체 입구는 상기 상벽부에 마련되는 것인 처리 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 유체 출구는 상기 측벽부의 하부에 마련되는 것인 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 처리 챔버 내에서 상기 피처리체를 직선 이동시키도록 된 이동 기구를 더 포함하며, 상기 벽은 상기 피처리체의 이동 방향을 따라 서로 대향하게 마련된 한쌍의 측벽부와, 상기 처리 챔버 위에 덮이는 상벽부를 구비하며, 상기 유체 채널은 상기 한쌍의 측벽부 중 적어도 하나의 내부에 마련되는 것인 처리 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 상벽부의 내부에도 상기 측벽부의 내부에 마련된 유체 채널과 연통하는 유체 채널이 마련되는 것인 처리 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 제1 노즐의 위치의 하류측에 마련되어 토출 포트가 상기 피처리체의 이동 경로에 대향하고 있는 제2 노즐을 더 포함하는 것인 처리 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 이동 기구는 복수 개의 반송 롤러를 포함하며, 상기 처리 장치는, 상기 반송 롤러 아래에 마련되어 토출 포트가 각각 상기 반송 롤러에 대향하고 있는 복수 개의 제3 노즐을 더 포함하는 것인 처리 장치.
- 처리 챔버 내에서 이동하는 피처리체를 처리하는 처리 방법으로서,상기 처리 챔버를 둘러싸는 벽의 내부에 마련된 유체 채널을 통해 유체를 유동시키면서, 상기 피처리체를 향해 제1 노즐로부터 증기를 토출하는 것인 처리 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 유체는 공기인 것인 처리 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 유체 채널의 상부에 마련된 유체 입구로부터 공기를 도입하고, 그 공기를 상기 유체 채널의 하부에 마련된 유체 출구로부터 배출하는 것인 처리 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 유체 채널을 통해 액체를 순환시키는 것인 처리 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 피처리체의 표면에서의 증기의 온도는 100℃ 이상인 것인 처리 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 증기를 사용하여 피처리체로부터 잔류물을 제거하는 것인 처리 방법.
- 제19항에 있어서, 상기 피처리체로부터 제거되는 잔류물은 포토레지스트인 것인 처리 방법.
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---|---|---|---|---|
KR20010051105A (ko) * | 1999-10-18 | 2001-06-25 | 인터그레이티드 디자인즈 엘.피. | 유체 분배 방법 및 장치 |
KR20050118226A (ko) * | 2003-03-31 | 2005-12-15 | 램 리써치 코포레이션 | 웨이퍼 처리를 위한 챔버 및 관련 방법 |
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---|---|---|---|---|
US1928099A (en) * | 1929-06-28 | 1933-09-26 | Gen Chemical Corp | Sulphur burner |
JPS61101410A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-20 | Hiroshi Ishizuka | 多結晶珪素の製造法及びそのための装置 |
US4724160A (en) * | 1986-07-28 | 1988-02-09 | Dow Corning Corporation | Process for the production of semiconductor materials |
JPH04363022A (ja) * | 1991-06-06 | 1992-12-15 | Enya Syst:Kk | 貼付板洗浄装置 |
JP3042963B2 (ja) * | 1994-06-29 | 2000-05-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JPH11329951A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-30 | Canon Inc | 光源装置及び露光装置 |
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JP2002169304A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 剥離装置及びレジスト膜の剥離方法 |
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---|---|---|---|---|
KR20010051105A (ko) * | 1999-10-18 | 2001-06-25 | 인터그레이티드 디자인즈 엘.피. | 유체 분배 방법 및 장치 |
KR20050118226A (ko) * | 2003-03-31 | 2005-12-15 | 램 리써치 코포레이션 | 웨이퍼 처리를 위한 챔버 및 관련 방법 |
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