KR20080060165A - 기판 처리 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명의 과제는 어드히전 처리에 있어서 스루풋을 향상시키는 동시에 풋 프린트의 증대를 억제하고, 장치 구성의 간이화, 저비용화를 실현할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.

피처리 기판(G)에 대해 소수화 처리를 행하는 기판 처리 장치(10)에 있어서, 상기 피처리 기판(G)을 위를 향한 자세로 수평인 소정 방향으로 반송하는 반송 수단(80)과, 세정 처리되고, 상기 반송 수단(80)에 의해 반송되는 상기 피처리 기판(G)에 대해, 발열체(84)로부터 소정 파장의 적외선을 방사하여 상기 기판(G)을 가열하고, 기판 표면의 탈수 처리를 행하는 탈수 베이크부(38)와, 상기 탈수 베이크부(38)에 의해 탈수 처리되고, 상기 반송 수단(80)에 의해 반송되는 상기 피처리 기판(G)의 피처리면을 소정의 가스에 노출시킴으로써 소수화하는 어드히전 처리부(98)를 구비한다.

피처리 기판, 기판 처리 장치, 탈수 베이크부, 어드히전 처리부, 냉각 유닛

Description

기판 처리 장치 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 포토리소그래피 공정에 있어서 레지스트의 밀착성을 강화하기 위해 피처리 기판에 어드히전 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.

FPD(플랫·패널·디스플레이)나 반도체 디바이스의 제조에 있어서는, 피처리 기판(글래스 기판, 반도체 웨이퍼 등)에 소정의 막을 성막한 후, 처리액인 포토레지스트(이하, 레지스트라 함)를 도포하여 레지스트막을 형성하고, 회로 패턴에 대응하여 레지스트막을 노광하고, 이것을 현상 처리라 하는, 이른바 포토리소그래피 공정에 의해 회로 패턴을 형성한다.

이 포토리소그래피 공정에서는, 피처리 기판에 대한 레지스트막의 밀착성을 좋게 하기 위해, 헥사메틸디실란(이하 HMDS라 함)에 의해 기판의 피처리면을 소수화하는 어드히전 처리 기술이 이용되고 있다. 통상, 어드히전 처리는 기판을 세정한 후에 레지스트 도포에 앞서 행해진다.

그런데, 종래의 어드히전 처리 장치의 대부분은, 예를 들어 특허 문헌 1에 개시되는 바와 같이, 이른바 핫 플레이트 오븐의 구성을 채용하고 있고, 열판 상에 기판을 적재하여, 위로부터 덮개를 덮어 챔버를 형성하고, 챔버 내에 증기상의 HMDS를 인입하여 기판의 표면에 HMDS를 도포하도록 하고 있다. 이러한 종류의 처리 장치는, 외부의 반송 로봇으로 기판의 전달을 행하기 위해 열판의 관통 구멍으로부터 복수개의 리프트 핀을 출몰시켜 기판을 상승 하강하는 리프트 핀 기구나, 덮개를 열판 상에 덮거나 상방으로 개방하는 덮개 개폐 기구를 구비하고 있다. 혹은, 상부 덮개를 고정하여 일측벽에 기판의 반입출구를 설치하는 타입의 것은, 상기 기판 반입출구를 개폐하기 위한 게이트 기구를 구비하고 있다.

그러나, 특허 문헌 1에 개시되는 핫 플레이트 오븐의 구성에 있어서는, 1매의 기판 처리마다 덮개의 개폐 동작이나 리프트 핀의 승강 동작 등이 필요해지는 데 더하여, 오븐 내 분위기의 회복에 상당한 시간을 필요로 하여, 스루풋이 크게 저하된다고 하는 과제가 있었다.

이러한 과제에 대해, 구름 반송으로 기판을 반송하면서 어드히전 처리를 행함으로써, 스루풋 저하를 억제하는 방법이 주목받고 있다. 그러한 어드히전 처리의 방법을 채용한 종래의 열처리 장치의 예를 도6에 도시한다.

이 열처리 장치(200)에는, 프로세스 라인 A와 평행한 수평 방향(X방향)에 대략 등간격으로 구름 장치(220)를 설치한 수평 진행 반송로(201)가 설치되고, 이 반송로(201)를 따라 상류측으로부터 차례로 탈수 베이크 유닛(DHP)(202), 어드히전 유닛(AD)(203) 및 냉각 유닛(COL)(204)이 설치되어 있다.

즉, 도시하는 바와 같이 스크러버 세정 유닛(SCR)(210)에 있어서 세정 처리가 실시된 기판(G)은, 탈수 베이크 유닛(DHP)(202)에 있어서 반송로(201)의 상하에 설치된 열판 히터(205)에 의해 가열되어 탈수 처리가 실시되고, 이어서 HMDS 가스 의 분사 수단(206)을 갖는 어드히전 유닛(AD)(203)에 있어서 어드히전 처리가 행해진다.

이러한 장치에 따르면, 종래의 핫 플레이트 오븐 구조(챔버 구조)와 같이, 어드히전 처리를 실시하는 기판마다 덮개의 개폐나 리프트 핀의 승강 동작, 또한 유닛 내 분위기의 회복 처리를 행할 필요가 없으므로, 스루풋 저하를 억제할 수 있다.

[특허 문헌 1] 일본 특허 출원 공개 평10-135307호 공보

그러나, 도6에 도시한 열처리 장치의 구조에 있어서는, 기판 세정 후의 탈수 처리를 행하는 탈수 베이크 유닛(DHP)(202)에 있어서, 구름 반송에 의해 반송되는(이동하고 있는) 기판(G)에 대해 열판 히터(205)에 의한 가열 처리가 행해진다. 이로 인해, 기판 온도를 원하는 온도로 승온하기까지의 유닛 내 반송로가 길어져, 유닛의 풋 프린트가 증대된다고 하는 과제가 있었다. 또한, 그와 같이 반송로가 길어지면, 큰 스루풋의 향상은 기대할 수 없었다.

또한, 어드히전 유닛(AD)(203)에 있어서의 HMDS 가스 분사 후에는, 냉각 유닛에 있어서 기판(G)에 대해 냉각 처리가 실시되지만, 구름 반송에 의한 반송 동안에 기판 온도를 소정 온도까지 냉각할 필요가 있어, 탈수 베이크 유닛(DHP)(202)과 마찬가지로 유닛의 풋 프린트가 증대되는 동시에 소정 온도까지 냉각하는 데 시간을 필요로 한다고 하는 과제가 있었다.

또한, 도6에 도시하는 탈수 베이크 유닛(DHP)(202)에 있어서는, 기판(G)의 상방 및 하방에 있어서 각각 복수의 열판 히터(205)가 병설되지만, 그로 인해 기판 상방에 고온의 분위기가 체류하기 쉽고, 상방에 배치되어 있는 열판 히터(205)에는 기판 표면으로부터 발생한 승화물이 부착되어, 히터가 오염되어 가열 효율이 저하된다고 하는 과제가 있었다.

본 발명은, 상기한 바와 같은 사정하에 이루어진 것으로, 어드히전 처리에 있어서 스루풋을 향상시키는 동시에 풋 프린트의 증대를 억제하고, 장치 구성의 간 이화, 저비용화를 실현할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기한 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관한 기판 처리 장치는, 피처리 기판에 대해 소수화 처리를 행하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 피처리 기판을 위를 향한 자세로 수평인 소정 방향으로 반송하는 반송 수단과, 세정 처리되고 상기 반송 수단에 의해 반송되는 상기 피처리 기판에 대해, 발열체로부터 소정 파장의 적외선을 방사하여 상기 기판을 가열하고, 기판 표면의 탈수 처리를 행하는 탈수 베이크부와, 상기 탈수 베이크부에 의해 탈수 처리되고, 상기 반송 수단에 의해 반송되는 상기 피처리 기판의 피처리면을 소정의 가스에 노출시킴으로써 소수화하는 어드히전 처리부를 구비하는 것에 특징을 갖는다.

또한, 상기 소정의 가스는, 헥사메틸디실라잔(HMDS) 가스인 것이 바람직하다. 또한, 상기 발열체는, 카본 히터와 쿼츠 히터와 할로겐 히터와 시스 히터 중 어느 하나인 것이 바람직하다.

이와 같이, 적외선 방사를 행하는 탈수 베이크부를 이용함으로써, 적외선의 전자파가 피처리 기판에 직접 투입되고, 기판 중에 흡수된 전자파가 가열을 위한 에너지로 변환됨으로써 효율적으로 가열이 행해져, 단시간에 기판을 소정 온도까지 승온할 수 있다.

따라서, 종래의 열판 히터를 이용한 탈수 베이크 유닛보다도 짧은 반송로의 구간에서 탈수 베이크 처리를 실현할 수 있어, 스루풋이 향상되는 동시에 탈수 베이크 처리 구간의 풋 프린트를 축소할 수 있다.

또한, 상기 발열체는 상기 반송 수단에 의해 반송되는 상기 피처리 기판의 하방에 배치되는 것이 바람직하다.

즉, 상기 발열체는 적외선을 방사하여 가열하는 방식이므로, 기판 하방으로부터의 가열만으로도 충분히 단시간에 기판 가열이 가능하고, 기판 상방에 히터를 배치하지 않는 구성에 의해, 기판 상방에서의 승화물에 의한 히터 오염의 문제가 없어, 가열 효율의 저하를 방지할 수 있다.

또한, 상기 탈수 베이크부에 있어서 상기 발열체의 발열 동작을 작동 혹은 정지시키는 히터 작동 수단과, 각 처리부의 동작을 제어하는 제어 수단을 구비하고, 상기 제어 수단은 상기 탈수 베이크부에 있어서의 피처리 기판의 반송시에만, 상기 발열체의 방사열 온도가 소정 온도로 되도록 상기 히터 작동 수단을 제어하는 것이 바람직하다.

즉, 이러한 제어를 행함으로써, 헛된 소비 전력을 저감시킬 수 있다.

또한, 상기 피처리 기판은 글래스 기판이며, 상기 발열체로부터 방사되는 적외선의 파장은 2 내지 4 ㎛인 것이 바람직하다.

이와 같이 피처리 기판이 글래스 기판인 경우, 방사하는 적외선의 파장을 2 내지 4 ㎛로 함으로써, 기판에 대해 효과적으로 적외선을 흡수시킬 수 있어, 효율적으로 글래스 기판을 가열할 수 있다.

또한, 상기 반송 수단에 의해 반송되는 상기 피처리 기판에 대해, 상기 어드히전 처리부에서의 처리 후, 기판 온도를 냉각 가스를 이용하여 소정 온도까지 끌어내리는 냉각 처리부를 구비하고, 상기 냉각 처리부에 있어서, 상기 반송 수단은 상기 피처리 기판을 수냉 롤러에 의해 반송하는 것이 바람직하다.

이와 같이, HMDS 가스의 분사에 의한 어드히전 처리 후, 냉각 처리부에서의 기판 냉각 처리에 있어서, 냉각 가스에 의한 냉각 처리가 실시되는 동안, 기판(G)은 수냉 롤러에 의한 냉각 작용을 받으므로, 보다 효율적으로 단시간의 냉각 처리를 행할 수 있다.

따라서, 냉각 처리부에 있어서도 종래보다도 반송 구간을 짧게 할 수 있어, 스루풋 향상과 풋 프린트 축소를 실현할 수 있다.

본 발명에 따르면, 어드히전 처리에 있어서 스루풋을 향상시키는 동시에 풋 프린트의 증대를 억제하고, 장치 구성의 간이화, 저비용화를 실현할 수 있는 기판 처리 장치를 얻을 수 있다.

이하, 본 발명에 관한 실시 형태에 대해, 도면을 기초로 하여 설명한다. 도1은 본 발명에 관한 기판 처리 장치를 적용할 수 있는 도포 현상 처리 시스템의 평면도이다.

이 도포 현상 처리 시스템(10)은, 클린룸 내에 설치되고, 예를 들어 LCD용의 글래스 기판을 피처리 기판으로 하고, LCD 제조 프로세스에 있어서 포토리소그래피 공정 중의 세정, 레지스트 도포, 프리 베이크, 현상 및 포스트 베이크 등의 일련의 처리를 행하는 것이다. 노광 처리는, 이 시스템에 인접하여 설치되는 외부의 노광 장치(12)에서 행해진다.

도포 현상 처리 시스템(10)은, 중심부에 가로로 긴 프로세스 스테이션(P/S)(16)을 배치하고, 그 길이 방향(X방향) 양단부에 카세트 스테이션(C/S)(14)과 인터페이스 스테이션(I/F)(18)을 배치하고 있다.

카세트 스테이션(C/S)(14)은, 기판(G)을 다단으로 적층하도록 하여 복수매 수용한 카세트(C)를 반입출하는 포트이며, 수평인 일방향(Y방향)으로 4개까지 배열하여 적재 가능한 카세트 스테이지(20)와, 이 스테이지(20) 상의 카세트(C)에 대해 기판(G)의 출입을 행하는 반송 기구(22)를 구비하고 있다. 반송 기구(22)는 기판(G)을 보유 지지할 수 있는 수단, 예를 들어 반송 아암(22a)을 갖고, X, Y, Z, θ의 4축에서 동작 가능해, 인접하는 프로세스 스테이션(P/S)(16)측으로 기판(G)의 전달을 행할 수 있도록 되어 있다.

프로세스 스테이션(P/S)(16)은, 수평인 시스템 길이 방향(X방향)으로 연장되는 평행 또한 역방향의 한 쌍의 라인 A, B에 각 처리부를 프로세스 흐름 또는 공정의 순으로 배치하고 있다.

보다 상세하게는, 카세트 스테이션(C/S)(14)측으로부터 인터페이스 스테이션(I/F)(18)측으로 향하는 상류부의 프로세스 라인 A에는, 세정 프로세스부(24), 제1 열적 처리부(26), 도포 프로세스부(28) 및 제2 열적 처리부(30)를 일렬로 배치하고 있다. 여기서, 세정 프로세스부(24)는 제1 수평 진행 반송로(32)를 따라 상류측으로부터 차례로 엑시머 UV 조사 유닛(e-UV)(34) 및 스크러버 세정 유닛(SCR)(36)을 설치하고 있다. 제1 열적 처리부(26)는 제1 수평 진행 반송로(32)를 따라 상류측으로부터 차례로 어드히전 유닛(AD)(40) 및 냉각 유닛(COL)(42)이 설치되어 있다.

도포 프로세스부(28)는 레지스트 도포 유닛(CT)(44) 및 감압 건조 유닛(VD)(46)을 포함하고, 제1 수평 진행 반송로(32)와 레지스트 도포 유닛(CT)(44)과의 사이, 양 유닛(44, 46)의 사이, 및 감압 건조 유닛(VD)(46)과 후술하는 제2 수평 진행 반송로(48)와의 사이에서 기판(G)을 프로세스 라인 A의 방향으로 전송하기 위한 반송 기구(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 제2 열적 처리부(30)는 제2 수평 진행 반송로(48)를 따라 상류측으로부터 차례로 프리 베이크 유닛(PREBAKE)(50) 및 냉각 유닛(COL)(52)을 설치하고 있다.

한편, 인터페이스 스테이션(I/F)(18)측으로부터 카세트 스테이션(C/S)(14)측으로 향하는 하류부의 프로세스 라인 B에는, 현상 유닛(DEV)(54), i선 UV 조사 유닛(i-UV)(56), 포스트 베이크 유닛(POBAKE)(58), 냉각 유닛(COL)(60) 및 검사 유닛(AP)(62)을 일렬로 배치하고 있다. 이들 유닛(54, 56, 58, 60, 62)은 제3 수평 진행 반송로(64)를 따라 상류측으로부터 이 순서로 설치되어 있다. 또한, 포스트 베이크 유닛(POBAKE)(58) 및 냉각 유닛(COL)(60)은 제3 열적 처리부(59)를 구성한다.

양 프로세스 라인 A, B의 사이에는 보조 반송 공간(66)이 마련되어 있고, 기판(G)을 1매 단위로 수평으로 적재 가능한 셔틀(68)이 도시하지 않은 구동 기구에 의해 프로세스 라인 방향(X방향)에서 쌍방향으로 이동할 수 있도록 되어 있다.

인터페이스 스테이션(I/F)(18)은, 상기 제2 및 제3 수평 진행 반송로(48, 64)로 기판(G)의 전달을 행하기 위한 반송 장치(70)와, 인접하는 노광 장치(12)로 기판(G)의 전달을 행하기 위한 반송 장치(72)를 갖고, 그것들의 주위에 버퍼·스테이지(BUF)(74), 익스텐션·쿨링 스테이지(EXT·COL)(76) 및 주변 장치(78)를 배치하고 있다.

버퍼·스테이지(BUF)(74)에는 정치형(定置型)의 버퍼 카세트(도시하지 않음)가 배치된다. 익스텐션·쿨링 스테이지(EXT·COL)(76)는 냉각 기능을 구비한 기판 전달용의 스테이지로, 양 반송 장치(70, 72)의 사이에서 기판(G)을 전달할 때에 이용된다. 주변 장치(78)는, 예를 들어 타이틀러(TITLER)와 주변 노광 장치(EE)를 상하로 적층한 구성이면 좋다. 각 반송 장치(70, 72)는, 기판(G)을 보유 지지할 수 있는 반송 아암(70a, 72a)을 가져, 기판(G)의 전달을 위해 인접하는 각 부분으로 액세스할 수 있도록 되어 있다.

도2에, 이 도포 현상 처리 시스템(10)에 있어서의 1매의 기판(G)에 대한 처리의 순서를 도시한다. 우선, 카세트 스테이션(C/S)(14)에 있어서, 반송 기구(22)가, 스테이지(20) 상의 어느 하나의 카세트(C)로부터 기판(G)을 1매 취출하고, 그 취출한 기판(G)을 프로세스 스테이션(P/S)(16)의 프로세스 라인 A측의 반입부, 즉 제1 수평 진행 반송로(32)의 시점에 위를 향한 자세로(기판의 피처리면을 위로 하여) 반입한다(도2의 단계 S1).

이와 같이 하여, 기판(G)은 제1 수평 진행 반송로(32) 상을 위를 향한 자세로 프로세스 라인 A의 하류측을 향해 반송된다. 처음 단계의 세정 프로세스부(24)에 있어서, 기판(G)은 엑시머 UV 조사 유닛(e-UV)(34) 및 스크러버 세정 유닛(SCR)(36)에 의해 자외선 세정 처리 및 스크러빙 세정 처리가 차례로 실시된다 (단계 S2, S3).

스크러버 세정 유닛(SCR)(36)에서는, 수평 진행 반송로(32) 상을 이동하는 기판(G)에 대해, 브러싱 세정이나 블로우 세정을 실시함으로써 기판 표면으로부터 입자 형상의 오염을 제거하고, 그 후에 린스 처리를 실시하고, 마지막으로 에어 나이프 등을 이용하여 기판(G)을 건조시킨다. 스크러버 세정 유닛(SCR)(36)에 있어서의 일련의 세정 처리를 종료하면, 기판(G)은 그 상태로 제1 수평 진행 반송로(32)를 내려 제1 열적 처리부(26)를 통과한다.

제1 열적 처리부(26)에 있어서, 기판(G)은 어드히전 유닛(AD)(40)으로 반입되면, 우선 가열 탈수 베이크 처리를 받아, 수분을 제거한다. 다음에 기판(G)은, 증기상의 HMDS를 이용하는 어드히전 처리가 실시되고, 피처리면을 소수화한다(단계 S4). 이 어드히전 처리의 종료 후에, 기판(G)은 냉각 유닛(COL)(42)에서 소정의 기판 온도까지 냉각된다(단계 S5). 이후, 기판(G)은 제1 수평 진행 반송로(32)의 종점(반출부)으로부터 도포 프로세스부(28) 내의 반송 기구로 전달된다.

도포 프로세스부(28)에 있어서, 기판(G)은 처음에 레지스트 도포 유닛(CT)(44)에서 예를 들어 스핀리스법에 의해 슬릿 노즐을 이용하여 기판 상면(피처리면)에 레지스트액이 도포되고, 직후에 하류측 부근의 감압 건조 유닛(VD)(46)에서 감압에 의한 건조 처리를 받는다(단계 S6).

이후, 기판(G)은, 도포 프로세스부(28) 내의 반송 기구에 의해 제2 수평 진행 반송로(48)의 시점(반입부)으로 전송된다. 기판(G)은, 제2 수평 진행 반송로(48) 상에서도 위를 향한 자세로 프로세스 라인 A의 하류측으로 반송되어, 제2 열적 처리부(30)를 통과한다.

제2 열적 처리부(30)에 있어서, 기판(G)은 처음에 프리 베이크 유닛(PREBAKE)(50)에서 레지스트 도포 후의 열처리 또는 노광 전의 열처리로서 프리 베이킹을 받는다(단계 S7). 이 프리 베이킹에 의해, 기판(G) 상의 레지스트막 중에 잔류하고 있었던 용제가 증발 제거되고, 기판에 대한 레지스트막의 밀착성도 강화된다. 다음에 기판(G)은, 냉각 유닛(COL)(52)에서 소정의 기판 온도까지 냉각된다(단계 S8). 그리고 나서, 기판(G)은 제2 수평 진행 반송로(48)의 종점(반출부)으로부터 인터페이스 스테이션(I/F)(18)의 반송 장치(70)로 전달된다.

인터페이스 스테이션(I/F)(18)에 있어서, 기판(G)은 익스텐션·쿨링 스테이지(EXT·COL)(76)로부터 주변 장치(78)의 주변 노광 장치(EE)로 반입되고, 거기서 기판(G)의 주변부에 부착되는 레지스트를 현상시에 제거하기 위한 노광을 받은 후에, 인접한 노광 장치(12)로 보내진다(단계 S9).

노광 장치(12)에서는 기판(G) 상의 레지스트에 소정의 회로 패턴이 노광된다. 그리고, 패턴 노광을 종료한 기판(G)은, 노광 장치(12)로부터 인터페이스 스테이션(I/F)(18)으로 복귀되면, 우선 주변 장치(78)의 타이틀러(TITLER)로 반입되고, 거기서 기판 상의 소정의 부위에 소정의 정보가 기록된다(단계 S10).

그리고 나서, 기판(G)은 익스텐션·쿨링 스테이지(EXT·COL)(76)로 복귀된다. 인터페이스 스테이션(I/F)(18)에 있어서의 기판(G)의 반송 및 노광 장치(12)로의 기판(G)의 전달은 반송 장치(70, 72)에 의해 행해진다. 마지막으로, 기판(G)은 반송 장치(70)에 의해 프로세스 스테이션(P/S)(16)의 프로세스 라인 B측에 부 설(敷設)되어 있는 제3 수평 진행 반송로(64)의 시점(반입부)으로 반입된다.

이와 같이 하여, 기판(G)은 다음에는 제3 수평 진행 반송로(64) 상을 위를 향한 자세로 프로세스 라인 B의 하류측을 향해 반송된다. 처음의 현상 유닛(DEV)(54)에 있어서, 기판(G)은 수평 진행으로 반송되는 동안에 현상, 린스, 건조의 일련의 현상 처리가 실시된다(단계 S11).

현상 유닛(DEV)(54)에서 일련의 현상 처리를 종료한 기판(G)은, 그대로 제3 수평 진행 반송로(64)에 얹어진 상태로 하류측 부근의 i선 조사 유닛(i-UV)(56)을 통해, 거기서 i선 조사에 의한 탈색 처리를 받는다(단계 S12). 그 후도, 기판(G)은 제3 수평 진행 반송로(64)에 얹어진 상태로 제3 열적 처리부(59) 및 검사 유닛(AP)(62)을 차례로 통과한다. 제3 열적 처리부(59)에 있어서, 기판(G)은 최초에 포스트 베이크 유닛(POBAKE)(58)에서 현상 처리 후의 열처리로서 포스트 베이킹을 받는다(단계 S13). 이 포스트 베이킹에 의해, 기판(G) 상의 레지스트막에 잔류하고 있었던 현상액이나 세정액이 증발 제거되고, 기판에 대한 레지스트 패턴의 밀착성도 강화된다.

다음에 기판(G)은, 냉각 유닛(COL)(60)에서 소정의 기판 온도로 냉각된다(단계 S14). 검사 유닛(AP)(62)에서는, 기판(G) 상의 레지스트 패턴에 대해 비접촉의 선폭 검사나 막질·막 두께 검사 등이 행해진다(단계 S15).

그리고, 카세트 스테이션(C/S)(14)측에서는, 반송 기구(22)가, 제3 수평 진행 반송로(64)의 종점(반출부)으로부터 도포 현상 처리의 전 공정을 종료한 기판(G)을 수취하고, 수취한 기판(G)을 어느 하나(통상은 본래)의 카세트(C)에 수용 한다(단계 S1로 복귀됨).

이 도포 현상 처리 시스템(10)에 있어서는, 제1 수평 진행 반송로(32)에 설치된 어드히전 유닛(AD)(40)을 포함하는 제1 열적 처리부(26)에 본 발명을 적용할 수 있다.

이하, 도3 및 도4를 기초로 하여, 본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 열적 처리부(26)의 구성 및 작용을 상세하게 설명한다. 도3은 본 실시 형태에 있어서의 열적 처리부(26)의 주요부의 구성을 도시하는 개략 단면도이다. 도4는 이 열적 처리부(26)의 장소에서 위에서 본 반송로(32)의 구성을 도시하는 평면도이다.

도3에 도시하는 바와 같이 열적 처리부(26)에는, 프로세스 라인 A와 평행한 수평 방향(X방향)으로 수평 진행 반송로(32)가 설치되고, 이 반송로(32)를 따라 상류측으로부터 차례로 어드히전 유닛(AD)(40) 및 냉각 유닛(COL)(42)(냉각 처리부)이 설치되어 있다.

반송로(32)는 기판(G)을 위를 향한 자세로 반송하기 위한 구름 장치(80, 81)(반송 수단)를 반송 방향(X방향)으로 일정 간격으로 부설하여 이루어지고, 상류측의 세정 프로세스부(24)로부터의 연장으로서 이 열적 처리부(24) 내에 인입되어 있다. 각 구름 장치(80, 81)의 양단은, 도4에 도시하는 바와 같이 프레임(160)에 고정된 좌우 한 쌍의 베어링(162)에 수평 자세로 회전 가능하게 지지되어 있다.

또한, 각 구름 장치(80, 81)는 도4에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 전기 모터(166)를 갖는 반송 구동부(164)에 기어 기구 또는 벨트 기구 등의 전동(傳動) 기구를 통해 접속되어 있다. 구체적으로는, 그 전동 기구는 전기 모터(166)의 회 전축에 무단 벨트(168)를 통해 접속된 반송 방향(X방향)으로 연장되는 회전 구동 샤프트(170)와, 이 회전 구동 샤프트(170)와 각 구름 장치(80, 81)를 작동 결합하는 교차 축형의 기어(172)로 구성되어 있다.

어드히전 유닛(AD)(40)의 입구측에는, 스크러버 세정 유닛(36)에서의 세정 처리에 의해 표면이 젖은 상태의 기판(G)에 대해 탈수 처리를 실시하는 탈수 베이크부(38)가 설치된다. 이 탈수 베이크부(38)는, 종래 스크러버 세정 유닛(SCR)(36)과 어드히전 유닛(AD)(40)과의 사이에 설치되어 있었던 탈수 베이크 유닛(도6 참조) 대신에 설치되는 것이다.

탈수 베이크부(38)에 있어서, 그것의 최상류측에는 스크러버 세정 유닛(SCR)(36)측으로부터 반입된 반송로(32) 상의 기판(G)을 향해 상방 및 하방으로부터 소정 온도(예를 들어, 약 100 내지 130 ℃)의 온풍을 분사하는 장척(長尺)형의 상부 및 하부 온풍 노즐(94, 96)이 설치되어 있다. 즉, 이 노즐(94, 96)로부터의 온풍 분사에 의해, 기판(G) 표면에 남는 액적이 증발 또는 비산하는 동시에, 기판 온도가 승온하도록 이루어져 있다.

탈수 베이크부(38)에 있어서의 하류측에는, 기판(G)의 하측에 IR 히터(84)(발열체)가 설치된다. 이 IR 히터(84)는, 예를 들어 카본 히터, 쿼츠 히터, 할로겐 히터, 혹은 시스 히터 등의 소정 파장의 적외선 열방사를 행하는 히터로 이루어지고, 예를 들어 글래스 기판이 열흡수하기 쉬운 파장(2 내지 4 ㎛)으로 예를 들어 700 내지 1000 ℃의 고온에서 열방사를 행하는 것이다. 또한, 이 소정 파장을 방사하도록, IR 히터(84) 중에 봉입된 발열 엘리먼트(도시하지 않음)의 발열 온 도 등이 설정되어 있다.

즉, 이 적외선 방사에 의한 가열 방법에 따르면, 적외선의 전자파가 기판(G)에 직접 투입되고, 기판 중에 흡수된 전자파가 가열로 인해 에너지로 변환됨으로써 효율적으로 가열이 행해져, 단시간에 기판(G)을 소정 온도까지 승온할 수 있다.

따라서, 종래의 열판 히터를 이용한 탈수 베이크 유닛보다도 짧은 반송로의 구간에서 탈수 베이크 처리를 실현할 수 있어, 탈수 베이크 처리 구간의 풋 프린트를 축소할 수 있다.

또한, IR 히터(84)는 인접하는 구름 장치(80, 80) 사이에 설치되지만, 고온의 열방사를 행하므로, 구름 장치(80)에 대해서는 열차폐하고, 기판(G)에 대해서는 열방사 효율을 향상시키기 위해 예를 들어 알루미늄에 의해 형성된 복사 부재(85)가, IR 히터(84)의 하방 및 측방에 위치하도록 설치되어 있다.

IR 히터(84)의 작동은, 히터 작동 장치(86)(히터 작동 수단)에 의해 이루어지고, 이 히터 작동 장치(86)는 열적 처리부(26) 내의 각 부분 및 전체의 동작을 제어하는 제어 수단으로서의 컨트롤러(도시하지 않음)로부터의 명령에 따라 동작하도록 구성되어 있다.

또한, 어드히전 유닛(AD)(40)에 있어서, 상기 탈수 베이크부(38)의 하류에는, 장척형의 HMDS 노즐(98)(어드히전 처리부)이 설치되어 있다. 그리고, 이 노즐(98)의 하단부 부근의 위치로부터 유닛 출구 부근의 위치까지는, 반송로(32) 상의 기판(G)과 소정의 갭(예를 들어 5 내지 10 ㎜)을 사이에 두고 연장되는 상부 커버(100)가 형성되고, 상부 커버(100) 및 HMDS 노즐(98)에 대향하는 반송로(32)의 아래에는 하부 커버(102)가 형성되어 있다.

HMDS 노즐(98)은 HMDS 가스 생성부(104)로부터 가스 공급관(106)을 통해 증기상의 소정의 가스, 바람직하게는 헥사메틸디실란 가스(HMDS 가스) M을 도입하고, 도입한 HMDS 가스 M을 노즐 내의 샤워판(108)에 통과시켜 균일한 층류로 분출하도록 되어 있다. HMDS 노즐(98)의 토출구의 사이즈는, 반송로(32)의 폭 방향(Y방향)에서는 기판(G)을 커버하는 치수(예를 들어 100 ㎝ 이상)로 선택되고, 반송로(32)의 길이 방향, 즉 반송 방향(X방향)에서는 기판(G)보다도 현격히 짧은 치수(예를 들어 5 내지 15 ㎝)로 선택되어도 좋다.

또한, HMDS 가스 생성부(104)는, 도시 생략하지만, HMDS 용액을 저류하는 탱크와, 이 HMDS 탱크의 바닥부에 설치한 버블러에 캐리어 가스로서 질소 가스를 공급하는 질소 가스 공급부를 구비하고 있고, 버블러로부터 발생되는 질소 가스의 기포에 HMDS가 기화하여 용입되어, 기상화한 HMDS 가스가 발생하도록 되어 있다.

상부 커버(100)의 하류측 단부에는, 반송로(32)의 폭 방향(Y방향)으로 연장되는 슬릿 형상의 상부 배기구(110)가 설치되어 있다. 이 상부 배기구(110)는 배기 펌프 또는 배기 팬을 갖는 배기 장치(112)에 배기관(114)을 통해 연결되어 있다.

또한, HMDS 노즐(98)의 토출구로부터 상부 배기구(110)까지의 반송로(32)에 있어서는 기판(G) 상면과 상부 커버(100)와의 사이의 갭이 좁게 형성되어, 기판(G) 상을 흐르는 HMDS 가스 M의 유량이 15 내지 20 L/분, 유속이 0.3 내지 0.5 m/초로 되고, 기판(G) 반송 속도가 35 내지 60 ㎜/초로 이루어져 있다. 이 구성에 의해, 기판(G)의 피처리면에는 증기상의 HMDS 가스 M이, 저소비량으로 효율적으로 균일하게 도포된다.

또한, 하부 커버(102)는 상면이 개방된 용기의 형상을 갖고 있고, 그 중심부에는 반송로(32)의 폭 방향(Y방향)으로 연장되는 원 형상 또는 슬릿 형상의 하부 배기구(120)가 설치되어 있다. 이 하부 배기구(120)는 배기 펌프 또는 배기 팬을 갖는 배기 장치(122)에 배기관(124)을 통해 연결되어 있다.

또한, 도시는 생략하지만, 상부 커버(100)와 하부 커버(102)의 상단은 반송로(32)의 좌우 양측에서 연직 방향으로 연장되는 측벽을 통해 접속되어 있다.

냉각 유닛(COL)(42)은 유닛 입구 부근으로부터 반송로(32)를 따라 일정 간격으로 각각 복수개 배치되는 상부 및 하부 1차 냉각 가스 노즐(126, 128)과, 그 후방단에 배치되는 2차 냉각 가스 노즐(130)을 갖고 있다. 1차 냉각 가스 노즐(126, 128)은, 반송로(32)의 폭 방향(Y방향)으로 연장되는 슬릿 형상의 토출구를 갖는 장척형 노즐이며, 반송로(32) 상의 기판(G)을 향해 실온의 고압 에어를 분출하도록 구성되어 있다.

2차 냉각 가스 노즐(130)은, 고압 에어 공급원(132)으로부터 가스 공급관(134) 및 온조기(136)를 통해 냉각용 설정 온도 또는 기준 온도로 온조(溫調)된 고압 에어를 도입하고, 도입한 냉각 기준 온도의 고압 에어를 노즐 내부의 샤워판(138)에 통과시켜 균일한 층류로 분출하도록 되어 있다. 2차 냉각 가스 노즐(130)의 토출구의 사이즈는, 반송로(32)의 폭 방향(Y방향)에서는 기판(G)을 커버하는 치수(예를 들어, 100 ㎝ 이상)로 선택되고, 수평 진행 반송로(32)의 길이 방 향, 즉 반송 방향(X방향)에서는 기판(G)보다도 짧은 치수(예를 들어, 20 내지 40 ㎝)로 선택되어도 좋다.

또한, 냉각 유닛(COL)(42)에 있어서의 반송로(32)에서는, 도4에도 도시하는 바와 같이 통상의 구름 장치(80) 대신에, 반송 수단으로서 수냉 방식에 의해 냉각된 구름 장치(81)(수냉 롤러)가 복수 부설되어 있다. 각 구름 장치(81)에 있어서는, 예를 들어 도5의 (a)의 블록도, 도5의 (b)의 단면도에 도시하는 바와 같이 베어링(162)에 의해 지지되고, 기어(172)를 통해 전달되는 회전 구동력에 의해 축 주위로 회전하는 구름 장치축(81a)이 설치된다. 구름 장치축(81a)의 주위면 상에는, 기판(G)의 횡폭보다도 축 방향으로 길게 형성된 롤러(81b)가 설치되고, 이 롤러(81b) 상을 기판(G)이 반송된다.

구름 장치축(81b)은 금속관에 의해 형성되고, 이 관 내에 형성된 유로(81c)를 소정 온도의 냉각수가 흐르는 것에 의해, 구름 장치축(81b) 전체가 냉각된다. 즉, 그 냉기에 의해 롤러(81b) 상을 반송되는 기판(G)이 단시간 내에 냉각되도록 이루어져 있다. 또한, 도5의 (a)에 도시하는 바와 같이 구름 장치축(81a) 중의 유로(81c)를 일방향으로 흐른 냉각수는, 냉각 장치(180)로 회수되고, 거기서 소정 온도까지 냉각되고, 순환 펌프(181)에 의해 다시 구름 장치축(81a)의 유로(81c)에 공급되도록 이루어져 있다.

또한, 이 구성에 의해 종래보다도 냉각 유닛(COL)(42)에 있어서의 반송로(32)를 짧게 할 수 있어, 풋 프린트를 축소할 수 있다.

또한, 이 열적 처리부(26)는 일체적인 하우징(140) 내에서, 어드히전 유 닛(AD)(40)측의 공간과 냉각 유닛(COL)(42)측의 공간을 갈라 놓기 위한 연직 방향으로 연장되는 격벽(142)을 설치하고 있다. 이 격벽(142)에는 반송로(32)를 통과시키는 개구(144)가 형성되어 있고, 이 개구(144)를 통해 양측의 공간은 서로 연통하고 있다.

또한, 어드히전 유닛(AD)(40)측의 실내에서는, 실외의 공기를 인입하기 위한 팬(146)과, 이 팬(146)으로부터의 공기류를 제진(除塵)하는 에어 필터(148)에 의해, 천장으로부터 청정한 공기가 다운 플로우로 공급된다.

또한, 바닥에 배기구(150)가 설치되어 있고, 이 배기구(150)는 배기관(152)을 통해 배기 펌프 또는 배기 팬 내장의 배기 장치(154)에 연결되어 있다. 이에 의해, 어드히전 유닛(AD)(40)으로부터 누설된 가스는, 천장으로부터의 다운 플로우의 청정 공기에 말려 들어가도록 하여 바닥부의 배기구(150)로부터 실외로 배출되도록 되어 있다.

또한, 냉각 유닛(COL)(42)측에서도, 천장부에 설치된 팬(156) 및 에어 필터(158)로부터 다운 플로우의 청정 공기가 실내로 공급된다. 그리고, 이 실내의 압력이 인접실의 압력, 즉 어드히전 유닛(AD)(40)측의 실내의 압력보다도 높은 상태로 유지되고, 이에 의해 격벽(142)의 개구(144)를 우측으로부터 좌측으로 공기가 흐르도록 되어 있다. 즉, 어드히전 유닛(AD)(40)으로부터 HMDS 가스가 누설되어도 냉각 유닛(COL)(42)으로는 들어가지 않도록 되어 있다.

또한, 스크러버 세정 유닛(SCR)(36) 내에는, 그 출구 부근에서 반송로(32)의 상하 양측에 액 제거용의 에어 나이프(174, 176)가 배치되어 있다. 또한, 스크러 버 세정 유닛(SCR)(36)과 열적 처리부(26)와의 경계 부근에는 기판(G)이 열적 처리부(26) 내로 들어가는 타이밍을 검출하기 위한 근접 스위치 또는 위치 센서(178)가 설치되어 있다. 이 위치 센서(178)의 출력 신호는, 열적 처리부(26) 내의 각 부분 및 전체의 동작을 제어하는 컨트롤러(도시하지 않음)로 보내진다.

다음에, 이 열적 처리부(26)에 있어서의 전체 및 각 부분의 작용을 설명한다.

스크러버 세정 유닛(SCR)(36)에 있어서, 기판(G)은 반송로(32) 상에서 일정한 속도의 구름 반송으로 하류측으로 이동하는 동안에 스크러빙 세정, 블로우 세정, 린스 세정이 순차적으로 실시되고, 마지막으로 에어 나이프(174, 176)에 의해 건조용의 에어 블로우에 닿게 되어 기판 표면으로부터 액이 제거된다. 이어서, 기판(G)은, 수평 진행 반송로(32) 상의 구름 반송으로 그대로 스크러버 세정 유닛(SCR)(36)으로부터 대략 실온의 기판 온도로 열적 처리부(26)의 초단 유닛, 즉 어드히전 유닛(AD)(40)의 탈수 베이크부(38)로 들어간다.

탈수 베이크부(38)로 들어가면, 그 입구에서 기판(G)은 온풍 노즐(94, 96)에 의해 온풍을 쏘인다. 이 온풍 블로우에 의해, 기판(G) 표면에 남아 있은 큰 액적이 증발 내지 비산한다. 또한, 이 온풍 블로우는 이른바 에어 커튼의 기능도 갖고 있어, 유닛 하우징의 외기, 특히 스크러버 세정 유닛(SCR)(36)측으로부터의 실온의 공기를 차단하도록 되어 있다.

탈수 베이크부(38)에 있어서, 기판(G)은 온풍 노즐(94, 96)을 지나면, 즉시 IR 히터(84)로부터 적외선 방사열을 쪼인다. 상술한 바와 같이, IR 히터(84)는 글 래스 기판(G)이 열을 흡수하기 쉬운 2 내지 4 ㎛의 파장에서 방사열을 발생하므로, 기판(G)의 온도는 신속하게 상승하고, 기판(G)이 탈수 베이크부(38)를 빠져나갈 때에는 어드히전 처리에 적합한 설정 온도로 이루어진다. 그리고, 이 탈수 베이크부(38)에 있어서의 가열 처리(탈수 베이킹)에 의해, 기판(G) 표면의 수분이 거의 완전히 제거된다.

또한, IR 히터(84)는 기판(G)의 하방에 배치되어, 기판(G)의 상방에 기판(G)으로부터의 승화물이나 열이 체류하지 않도록 구성되어 있으므로, 가열 효율이 저하하는 일 없이 항상 안정된 단시간의 탈수 베이크 처리가 행해진다.

또한, 컨트롤러는 위치 센서(178)로부터의 기판 검출 신호를 기초로 하여 각 기판(G)이 어드히전 유닛(AD)(40) 내를 통과하는 타이밍을 파악할 수 있으므로, 기판(G)의 통과시에 있어서만, IR 히터(84)가 소정 온도로 적외선 방사를 행하도록 히터 작동 장치(86)를 제어하는 것이 바람직하다. 그와 같이 하면, 헛된 소비 전력을 감소시켜, 운전 비용을 저감할 수 있다.

기판(G)이 탈수 베이크부(38)를 빠져나가면, 곧 상방의 HMDS 노즐(98)로부터 일정 농도의 HMDS 가스 M을 내뿜을 수 있다. 기판(G)이 HMDS 노즐(98)을 지나면, HMDS 노즐(98)로부터 토출된 HMDS 가스 M이 상부 커버(100)와 기판(G)의 사이의 갭 공간을 상부 배기구(110)를 향해 하류측으로 흐르므로, 기판(G)의 상면(피처리면)의 각 부분은 HMDS 노즐(98)로부터 상부 배기구(110)까지의 이동 구간(어드히전 처리 구간)에 있어서 시종 균일한 농도의 HMDS 가스 M의 분위기하에 배치된다.

이 어드히전 유닛(AD)(40)에 있어서는, 상기한 바와 같이 HMDS 노즐(98)로부 터 분출된 HMDS 가스 M이 바로 아래를 통과하는 기판(G)의 상면(피처리면)에 닿은 후에도 상부 커버(100)와 기판(G)과의 사이의 가급적 좁게 생긴 갭 공간을 통과해 기판과 나란히 또는 뒤쫓아 가면서 그 피처리면에 부착된다. 게다가, 그러한 HMDS 가스 M의 흐름이나 분위기는 HMDS 노즐(98)의 길이 방향 즉 기판(G)의 폭 방향(Y방향)에서 거의 균일하고, 기판(G)의 길이 방향(X방향)에 있어서도 거의 균일하게 기판의 각 부분에 작용한다. 이에 의해, HMDS 가스 생성부(104)로부터 공급되는 증기상의 HMDS 가스 M을 저소비량으로 효율적으로 기판(G)의 피처리면에 균일하게 도포할 수 있다.

또한, 어드히전 유닛(AD)(40) 내에서 기판(G)의 좌우 외측으로 흐른 HMDS 가스 M, 혹은 서로 전후하는 2매의 기판(G, G)의 사이에서 HMDS 노즐(98)로부터 분출된 HMDS 가스 M은, 하부 커버(102) 내에 받아 모아져 하부 배기구(120)로부터 배출된다. 또한, 기판(G) 상에서 피처리면에 부착되지 않고 남은 HMDS 가스 M의 대부분은 상부 배기구(110)로부터 배출된다. 그 의미에서는, 상부 배기 장치(112)를 각 기판(G)에 대한 매엽의 어드히전 처리 중에 한하여 온(ON) 상태로 해도 좋다.

또한, 상부 배기 장치(112)에서 회수한 HMDS 가스 M을 HMDS 가스 생성부(104)측으로 피드백하는 것도 가능하고, 혹은 리사이클로 돌려도 좋다. 또한, 각 기판(G)이 어드히전 유닛(AD)(40) 내를 통과하는 타이밍은 컨트롤러가 위치 센서(178)로부터의 기판 검출 신호를 기초로 하여 파악하고 있으므로, 서로 전후하는 2개의 기판(G, G)의 사이에 HMDS 노즐(98)의 토출 동작을 멈추어 둘 수도 있다.

어드히전 유닛(AD)(40)에서 상기한 바와 같은 어드히전 처리를 받으면, 기 판(G)은 처리가 완료된 부분(기판 선단측)으로부터 하류측 부근의 냉각 유닛(COL)(42)으로 들어간다. 냉각 유닛(COL)(42)에서는, 반송로(32) 상을 구름 반송으로 반송되는 기판(G)에 대해, 처음에 1차 냉각 가스 노즐(126, 128)이 실온의 냉각 가스(고압 에어)를 내뿜고, 그 후에 2차 냉각 가스 노즐(130)이 기준 온도의 냉각 가스(고압 에어)를 내뿜는다. 이와 같이 하여, 기판(G)은 소정의 기판 온도로 반송로(32)의 종점(반송부)으로부터 나중 단계인 도포 프로세스부(28)로 보내진다.

또한, 상기한 바와 같이 냉각 유닛(COL)(42) 내에 있어서는, 반송로(32)에 수냉 구름 장치(81)(수냉 롤러)가 부설되어 있으므로, 냉각 가스에 의한 냉각 처리가 실시되는 동안, 기판(G)은 수냉 구름 장치(81)에 의한 냉각 작용을 받아, 보다 효율적으로 단시간의 냉각 처리가 행해진다.

이상과 같이 본 발명의 기판 처리 장치에 관한 실시 형태에 따르면, 기판을 반송하면서 어드히전 처리를 행하는 장치에 있어서, 종래 탈수 베이크 처리에서의 가열원으로서 이용하고 있었던 열판 히터 대신에, 적외선 방사를 행하는 IR 히터(84)가 이용된다. 즉, 적외선의 전자파가 기판(G)에 직접 투입되어, 가열을 위한 에너지로 변환됨으로써 효율적으로 가열이 행해져, 단시간에 기판(G)을 소정 온도까지 승온할 수 있다.

특히, 기판(G)이 글래스 기판인 경우, 방사하는 적외선의 파장을 2 내지 4 ㎛로 함으로써, 기판에 대해 효과적으로 적외선을 흡수시킬 수 있어, 효율적으로 글래스 기판을 가열할 수 있다.

따라서, 종래의 열판 히터를 이용한 탈수 베이크 유닛보다도 짧은 반송로의 구간에서 탈수 베이킹 처리를 실현할 수 있어, 스루풋이 향상되는 동시에 탈수 베이킹 처리 구간의 풋 프린트를 축소할 수 있다.

또한, 탈수 베이크부(38)에 있어서의 가열 방식은, 적외선 방사를 이용하므로, 기판 하방으로부터의 가열만으로도 충분히 단시간에 기판 가열이 가능하고, 기판 상방에 히터를 배치하지 않는 구성에 의해, 기판 상방에서의 승화물에 의한 히터 오염의 문제가 없어, 가열 효율의 저하를 방지할 수 있다.

또한, 탈수 베이크부(38)에 있어서 기판 반송되고 있는 동안에만 IR 히터(84)를 소정 온도로 적외선 방사하도록 히터 작동 장치(86)를 제어함으로써, 헛된 소비 전량을 저감할 수 있다.

또한, HMDS 가스의 분사에 의한 어드히전 처리 후, 냉각 유닛(COL)(42)에서의 기판 냉각 처리에 있어서, 냉각 가스에 의한 냉각 처리가 실시되는 동안, 기판(G)은 수냉 구름 장치(81)에 의한 냉각 작용을 받으므로, 보다 효율적으로 단시간의 냉각 처리를 행할 수 있다.

따라서, 냉각 유닛(COL)(42)에 있어서도 종래보다도 반송 구간을 짧게 할 수 있어, 스루풋 향상과 풋 프린트 축소를 실현할 수 있다.

또한, 본 발명에 있어서의 피처리 기판은 LCD 기판에 한정되는 것은 아니며, 플랫 패널 디스플레이용의 각종 기판이나, 반도체 웨이퍼, CD 기판, 글래스 기판, 포토마스크, 프린트 기판 등도 가능하다.

본 발명은, LCD 기판 등에 대해 어드히전 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 적용할 수 있고, 반도체 제조 업계, 전자 디바이스 제조 업계 등에 있어서 적합하게 이용할 수 있다.

도1은 본 발명에 관한 기판 처리 장치를 적용할 수 있는 도포 현상 처리 시스템의 평면도.

도2는 도1의 도포 현상 처리 시스템의 기판 처리의 흐름을 도시하는 흐름도.

도3은 도1의 도포 현상 처리 시스템이 구비하는 열적 처리부의 주요부의 구성을 도시하는 개략 단면도.

도4는 도3의 열적 처리부의 장소에서 위에서 본 반송로의 구성을 도시하는 평면도.

도5는 도3의 열적 처리부에 있어서의 수냉 구름 장치의 냉각 구조를 설명하기 위한 도면.

도6은 종래의 열적 처리부의 주요부의 구성을 도시하는 개략 단면도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10 : 도포 현상 처리 시스템(기판 처리 장치)

38 : 탈수 베이크부

42 : 냉각 유닛(냉각 처리부)

80 : 구름 장치(반송 수단)

81 : 구름 장치(반송 수단, 수냉 롤러)

84 : IR 히터(발열체)

98 : HMDS 노즐(어드히전 처리부)

G : 기판

Claims (6)

1. 피처리 기판에 대해 소수화 처리를 행하는 기판 처리 장치에 있어서,

   상기 피처리 기판을 위를 향한 자세로 수평인 소정 방향으로 반송하는 반송 수단과,

   세정 처리되고, 상기 반송 수단에 의해 반송되는 상기 피처리 기판에 대해, 발열체로부터 소정 파장의 적외선을 방사하여 상기 기판을 가열하고, 기판 표면의 탈수 처리를 행하는 탈수 베이크부와,

   상기 탈수 베이크부에 의해 탈수 처리되고, 상기 반송 수단에 의해 반송되는 상기 피처리 기판의 피처리면을 소정의 가스에 노출시킴으로써 소수화하는 어드히전 처리부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 발열체는 상기 반송 수단에 의해 반송되는 상기 피처리 기판의 하방에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 탈수 베이크부에 있어서 상기 발열체의 발열 동작을 작동 혹은 정지시키는 히터 작동 수단과, 각 처리부의 동작을 제어하는 제어 수단을 구비하고,

   상기 제어 수단은, 상기 탈수 베이크부에 있어서의 피처리 기판의 반송시에만, 상기 발열체의 방사열 온도가 소정 온도로 되도록 상기 히터 작동 수단을 제어 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발열체는 카본 히터와 쿼츠 히터와 할로겐 히터와 시스 히터 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피처리 기판은 글래스 기판이며, 상기 발열체로부터 방사되는 적외선의 파장은 2 내지 4 ㎛인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반송 수단에 의해 반송되는 상기 피처리 기판에 대해, 상기 어드히전 처리부에서의 처리 후, 기판 온도를 냉각 가스를 이용하여 소정 온도까지 끌어내리는 냉각 처리부를 구비하고,

   상기 냉각 처리부에 있어서, 상기 반송 수단은 상기 피처리 기판을 수냉 롤러에 의해 반송하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.

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