JP2016207882A - ウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法、およびこれらを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】装置の大型化を生ずることなく、高い処理効率を維持したまま、エッチング反応により生ずる気泡を起因とするエッチング残の発生を抑制することが可能なエッチング処理装置を得ることができる。【解決手段】ウエットエッチング装置１００において、ウエットエッチングする処理部内に、基板１上にエッチング液４を供給しウエットエッチングを行う第一エッチング処理部４１と、この基板１上のエッチング液４の除去処理を行う液切りエアナイフ５と、このエッチング液の除去処理が行われた基板１上にエッチング液４を供給しウエットエッチングを行う第二エッチング処理部４２とを備えた。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置の製造において、特にウエットエッチングを用いパターニングを行う装置および方法に関するものである。

エッチング液によりエッチング処理を行うウエットエッチングを用いたパターニングは、液晶表示装置などの半導体装置の製造工程において、金属薄膜などのパターニング加工の際に、比較的、短い処理タクトで生産性が良いとともに、安価な装置構成を用いて行うことができることから、広く適用されている。近年、特に、液晶表示装置を製造する際に、表示の高精細化や、駆動回路の一体化作りこみの要求から、配線の微細化、高密度化が進み、更に、配線の低抵抗化のためにＡｌ配線やＭｏ配線が用いられる場合が多い。また、配線の低抵抗化のために比較的厚膜化して用いられる場合も多い。この様な微細で高密度であったり、厚膜化されたりしたＡｌ配線やＭｏ配線を、上記のウエットエッチンを用いパターニングを行った場合、以下のような問題がある。

上記説明のＡｌ配線やＭｏ配線を形成するために、ＡｌやＭｏの薄膜に対してレジストパターンのマスクを介して、ウエットエッチングを行った場合、ＡｌやＭｏとエッチング液との反応時に、反応生成物として水素などのガスが発生し、エッチング液中で気泡として、基板表面のＡｌやＭｏの薄膜上、特にレジストパターン間に留まり、エッチングの進行が、止まったり、遅くなったりしてしまうことがある。この様な部分では、所定のエッチング時間内にエッチングが完了せず、局所的なエッチング残を発生してしまう。特に、上記説明の微細で高密度の配線をパターニングする際には、レジストパターン間も狭くなることから、この発生した気泡が、レジストパターン間のＡｌやＭｏの薄膜上より脱離しにくく、上記の局所的なエッチング残の発生が、より顕著となる。また、厚膜化されたＡｌやＭｏをエッチングする場合には、エッチング時間が長くなることから、上記のガスの発生量が多くなり、気泡として基板表面に残ることも多くなり、やはり、局所的なエッチング残の発生が、より顕著となることになる。

以上のような問題に対して、特許文献１においては、エッチング残を防止するために、Ａｌ合金薄膜やＭｏ薄膜などをウエットエッチングする際において、処理基板に対し当該薄膜をエッチング除去するエッチング液によりウエットエッチングする工程と、処理基板に対し処理液により洗浄する工程と、処理基板に対し、再び、当該薄膜をエッチング除去するエッチング液によりウエットエッチングする工程を順に行うパターニング方法が開示されている。また、特許文献２においては、金属層のウエットエッチングの際における反応して生成した水素ガスよりなる気泡に対して、エッチング途中において、槽から基板を取り出して、気体を吹き付けることで、当該気泡を除去することで、エッチング残を防止する方法が開示されている。

特開２０００−１８８２７７号公報 特開昭６３−８４１２０号公報

然しながら、特許文献１の方法では、１回目のエッチング工程、洗浄工程、２回目のエッチング工程において、其々のウエット処理に対応して、併せて３つの処理槽を用いてエッチング処理を行っており、装置のフットプリント（占有面積）も大きく、エッチングの処理自体に、途中の洗浄工程を含めると、併せて３回のウエット処理を行っていることから、生産性についても良くない。また、特許文献２の方法では、基板キャリアを用いたバッチ式の処理であることから、気体を吹き付けるに際し、一旦、基板キャリアおよび基板を処理槽から外へ出して、吹き付けることとなるため、処理タクトへの影響が大きい。

本発明は、以上説明のような問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、生産性の低下や、装置の大型化や占有面積の増大を生ずることなく、エッチング反応により生ずる気泡を起因とするエッチング残の発生を抑制することのできるウエットエッチング方法、ウエットエッチング装置、および半導体装置の製造方法を得ることである。

本発明ウエットエッチング装置においては、エッチング対象膜をウエットエッチングする処理部内に、基板上にエッチング液を供給しウエットエッチングを行う第一エッチング処理部と、この基板上のエッチング液の除去処理を行う液切りエアナイフと、この液切りエアナイフによりエッチング液の除去処理が行われた基板上にエッチング液を供給しウエットエッチングを行う第二エッチング処理部とを備えたものである。

本発明のウエットエッチング装置を使用することによって、装置の大型化を生ずることなく、高い処理効率を維持したまま、エッチング反応により生ずる気泡を起因とするエッチング残の発生を抑制することができる。

本発明の実施の形態１におけるウエットエッチング装置の説明図である。 本発明の実施の形態１におけるウエットエッチング装置の動作説明図である。 本発明の実施の形態１におけるウエットエッチング装置の動作説明図である。 本発明の実施の形態１におけるウエットエッチング装置の動作説明図である。 本発明の実施の形態１変形例のウエットエッチング装置の動作説明図である。 本発明の実施の形態２におけるウエットエッチング装置の動作説明図である。 本発明の実施の形態３におけるウエットエッチング装置の動作説明図である。 本発明の実施の形態３におけるウエットエッチング装置の動作説明図である。 発明の実施の形態３変形例のウエットエッチング装置の動作説明図である。 発明の実施の形態３変形例のウエットエッチング装置の動作説明図である。 本発明の実施の形態４におけるＴＦＴアレイ基板の製造工程の説明図である。

実施の形態１．
本発明を適用した実施の形態１のウエットエッチング装置の構成およびこれ用いたウエットエッチング方法について図面を用い説明を行う。ここで、図１は本実施の形態１のウエットエッチング装置１００を示した説明図である。なお、図は模式的なものであり、示された構成要素の正確な大きさなどを反映するものではない。また、図中、既出の図において説明したものと同一の構成には同一の符号を付し、その説明を省略する。以下の図においても同様とする。

図１に示される様に、このウエットエッチング装置１００は、処理対象のワークである基板１の導入側（図中左側方向）から、ローダ部２０、薬液処理室４１、薬液処理室４２、水洗処理室（水洗処理ユニット）６０、乾燥処理室（乾燥処理ユニット）７０、およびアンローダ部８０が連続して配設された構成を備えている。装置全体に基板１を搬送する搬送ローラ３（搬送手段）が配設されている。図中の矢印Ｄは、基板１の搬送方向を示している。なお、搬送ローラ３（搬送手段）については、少なくとも、薬液処理室４１、薬液処理室４２、水洗処理室６０に跨って配設すると良い。

また、ウエットエッチング装置１００において基板１に対してウエットエッチングする処理部となる薬液処理室４１内および薬液処理室４２内の上部には、搬送ローラ３によって搬送される基板１上に向けてエッチング液４を散布するエッチング液ノズル４３が、それぞれ配設されている。エッチング液ノズル４３は、基板１上の全体にわたり、ほぼ均一に散布されるように複数の吐出ノズルが配置されている。また、エッチング液ノズル４３にはエッチング液循環タンク（図示省略）が接続されており、エッチング液循環ポンプ（図示省略）によってエッチング液循環タンク内のエッチング液４が、薬液処理室４１内および薬液処理室４２内、それぞれのエッチング液ノズル４３に供給される。また、薬液処理室４１内および薬液処理室４２内で使用されたエッチング液４はエッチング液循環タンクに戻り、再使用される。

本実施の形態１では、薬液処理室４１と薬液処理室４２との間に、或いは、薬液処理室４１の出口付近に、基板１に付着したエッチング液４を液切りする液切りエアナイフ５が配設されている。この液切りエアナイフ５については、基板１に対して上面側のみに配置される。また、薬液処理室４２の出口付近にも、基板１に付着したエッチング液を液切りする液切りエアナイフ５１が配設されている。この液切りエアナイフ５１については、基板１に対して（或いは搬送ローラ３に対して）、上方および下方に１対で配設される。

また、水洗処理室６０内の基板１に対して（或いは搬送ローラ３に対して）、上方および下方には、搬送ローラ３によって搬送される基板１に向けて水洗液６を散布する水洗液ノズル６１が配設されている。水洗液６としては、水、又は、水を主成分として界面活性剤などの任意成分を含むものが使用できる。

また、乾燥処理室７０には、搬送ローラ３によって搬送される基板１に向けて、乾燥空気又は不活性ガス等の乾燥ガスを噴出する乾燥用のエアナイフ７１が、基板１に対して（或いは搬送ローラ３に対して）、上方および下方に１対で配設される。なお、乾燥用のエアナイフを用いる代わりに、スピン回転方式や、その他のエアブロー、加熱方式、更にこれらの組み合わせなど、他の公知の乾燥手段を用いても構わない。

本実施の形態１では、ローダ部２０に導入された所望のエッチング対象膜（金属薄膜など）が上面に形成された基板１は、薬液処理室４１および薬液処理室４２でウエットエッチング処理を受け（エッチング処理工程）、液切りエアナイフ５１によりエッチング液が適度に基板１表面より除去された後、水洗処理室６０で水洗され（水洗工程）、乾燥処理室７０で乾燥され（乾燥工程）、アンローダ部８０から装置外に導出される。なお、基板１のローダ部２０への導入や、アンローダ部８０から装置外への導出は、ロボットアームによる搬送を行っても良く、当然、ローダ部２０やアンローダ部８０にロボットアームを備えて、装置内への搬入や装置外への導出を行う装置構成としても良い。

続いて、本実施の形態１のウエットエッチング装置１００の詳細な動作、つまり、本実施の形態１のウエットエッチング方法について、図２〜図４を用いて説明を行う。本実施の形態１のウエットエッチング装置１００のうち、一般的なウエットエッチング装置と共通する構成となるローダ部２０、乾燥処理室７０、およびアンローダ部８０においては、上記、簡単に説明したとおりの一般的な動作のみであることから、図２〜図４においては、これら構成を除いた薬液処理室４１、薬液処理室４２、および水洗処理室６０までの構成について図示し、動作などの詳細説明を行うこととする。

本実施の形態１のウエットエッチング装置１００の動作においては、先ず、ローダ部２０に導入された基板１は、図２に示すとおり、薬液処理室４１において、搬送ローラ３によって水平搬送される基板１の上面に向けてエッチング液ノズル４３よりエッチング液４が散布されて、基板１上に滞留したエッチング液４ａにより、基板１の上面に形成された所望のエッチング対象膜（金属薄膜など）に対して、エッチング処理が行われる。エッチング処理中においては、一般的なウエットエッチング装置における薬液処理室でのエッチング処理と同様に、基板１上にエッチング液４を、満遍無く行き渡らせるために、適宜、搬送ローラ３の回転方向の反転を繰り返して薬液処理室４１内で基板１が小刻みに往復運動を繰り返すよう揺動動作させる。

また、一般的なウエットエッチング装置における薬液処理室でのエッチング処理とは異なり、本実施の形態１のウエットエッチング装置１００では、薬液処理室４１および薬液処理室４２で協働してエッチングを行うことから、この薬液処理室４１でのエッチング処理時間は、所望のエッチング対象膜（金属薄膜など）のエッチング完了に必要なエッチング時間よりは短く設定する。例えば、エッチング速度のバラツキを考慮して設定されるオーバーエッチング時間も含めた所定のエッチング時間に対して、５０〜７０％程度のエッチング時間に設定すると良い。

上記設定した薬液処理室４１におけるエッチング時間が終了すると、搬送ローラ３が動作して、図３において、図中の矢印Ｄで搬送方向が示されるとおり、薬液処理室４１より薬液処理室４２に基板１は搬送される。また、その際に、薬液処理室４１と薬液処理室４２との間に、或いは、薬液処理室４１の出口付近に配設された液切りエアナイフ５からのパージエアの噴射が開始され、基板１の特に上面側に付着したエッチング液４ａを液切りしながら薬液処理室４２に基板１は搬送される。また、図示されるとおり、この液切りエアナイフ５による液切りの際に、基板１の上面に付着したエッチング液４ａと、エッチング液４ａ内に発生していた反応生成物であるガスにより発生する気泡４ｂについても、併せて基板１の上側表面より除去される。なお、液切りエアナイフ５については、乾燥処理室７０に設けられる乾燥用のエアナイフ７１のように、基板１表面に付着した液体を完全に除去して乾燥させてしまうものではなく、基板１の上面に付着したエッチング液４ａが、ごく薄く残存する程度に除去することができることから、基板１上のエッチング液４ａ内に発生する気泡４ｂは除去されるものの、基板１の表面が一時的に乾くことによるエッチング対象となる金属薄膜の表面に被膜などを形成することは無い。

また、薬液処理室４２内に基板１が搬入されるのに併せて、薬液処理室４２内において配置されるエッチング液ノズル４３からもエッチング液４の散布が開始される。そして、図４に示されように、薬液処理室４２内に完全に搬入された基板１に対して、エッチング液４の散布によって、更なるウエットエッチング処理が行われる。ここでも、薬液処理室４１内におけるエッチング時と同様に、薬液処理室４２内で基板１が小刻みに往復運動を繰り返すよう揺動動作させると良い。また、ここでのエッチングは、基板１の表面よりエッチングを阻害する気泡４ｂが除去されていることから、所望のエッチング速度でエッチングが進行することになる。

また、薬液処理室４２におけるエッチング時間としては、先に説明した所定のエッチング時間に対して、薬液処理室４１で行ったエッチング時間を除いた残りのエッチング時間に設定すると良い。或いは、薬液処理室４２においては、基板１の光透過率をセンシングし、エッチング完了時間を検知する公知のエンドポイントモニタ（エンドポイントセンサとも呼ばれる）を配置して、エッチング処理時間を制御しても良い。

上記設定した薬液処理室４２におけるエッチング時間が終了すると、搬送ローラ３が動作して、図４において、図中の矢印Ｄで搬送方向が示されるとおり、薬液処理室４２より水洗処理室６０に基板１は搬送される。また、その際に、薬液処理室４２の出口付近に配設された液切りエアナイフ５１を動作させ、基板１に付着したエッチング液４ａを液切りしながら水洗処理室６０に基板１は搬送される。また、水洗処理室６０内に基板１が搬入されるのに併せて、水洗処理室６０において配置される水洗液ノズル６１から水洗液６の散布が開始される。そして、一般的なウエットエッチング装置における水洗処理室（水洗処理ユニット）での水洗処理と同様に、所定時間の基板１の水洗処理が行われる。

以後行われる乾燥処理室７０における乾燥工程、アンローダ部８０から装置外に導出される工程は、一般的なウエットエッチング装置における動作と特に変わりは無いことから説明を省略する。以上説明のとおり、本実施の形態１のウエットエッチング装置は動作し、本実施の形態１のウエットエッチング方法を行うことができる。

以上説明のとおり、本実施の形態１のウエットエッチング装置１００をウエットエッチング処理に適用し、本実施の形態１のウエットエッチング方法を行うことにより、薬液処理室４１内におけるエッチング時に発生した気泡４ｂは、一旦、液切りエアナイフ５を介しての薬液処理室４２への搬入時に基板１上から除去され、再び気泡４ｂの無い基板１に対して、薬液処理室４２内において残りのエッチングが行われることから、エッチング反応により生ずる気泡を起因とするエッチング残の発生を抑制することができる。また、本実施の形態１のウエットエッチング装置１００は、エッチング処理自体を２つの薬液処理室４１および薬液処理室４２により行うことができることから、装置の占有面積もそれ程大きくなく、装置の大型化を生ずることなく、ウエットエッチングを用いることにより得られる高い処理効率を維持したまま、上記説明の気泡を起因とするエッチング残の発生を抑制することができることになる。

なお、本実施の形態１のウエットエッチング装置１００およびウエットエッチング方法では、薬液処理室４１と薬液処理室４２にエッチング液４を供給するエッチング液循環タンクとエッチング液循環ポンプを共通化している。つまり、薬液処理室４１と薬液処理室４２で用いるエッチング液４についても同じ種類に共通化されていることになる。基本的には、本実施の形態１のウエットエッチング装置１００では、薬液処理室４１および薬液処理室４２で協働して、共通のエッチング対象膜（金属薄膜など）に対してエッチングを行うことから、薬液処理室４１と薬液処理室４２において、同じエッチング液４を用いる例で説明を行った。但し、当該エッチング対象膜（金属薄膜など）に対してエッチング可能なエッチング液の範囲内であれば、薬液処理室４１と薬液処理室４２とで用いるエッチング液を異ならせても構わない。

例えば、異なるエッチング液としては、全く異なる種類のエッチング液を用いても良い。或いは、エッチング液の濃度のみを変更したり、或いは、ベースとなるエッチング液の種類は共通として、添加材の有無などを変更したりするなど、若干の変更に留めても良い。何れにしても、薬液処理室４１と薬液処理室４２間で異なるエッチング液を用いることで、薬液処理室４１と薬液処理室４２で、エッチング速度やエッチング時に発生する気泡４ｂの程度などに関して、それぞれ求められる最適値に独立して調整することができる。

また、以上説明を行った実施の形態１のウエットエッチング装置およびウエットエッチング方法においては、薬液処理室４１と薬液処理室４２における基板１にエッチング液４を供給する手段として、エッチング液ノズル４３よりエッチング液４を基板１表面に散布する方法を用いた例を説明した。その他の基板１へのエッチング液４を供給する手段としては、薬液処理室４１或いは薬液処理室４２において、エッチング槽を備えて、エッチング槽に基板１を入れた状態で、基板１表面にエッチング液４を供給し、ウエットエッチングの途中において、一部、エッチング槽内に溜まったエッチング液中に基板１が浸漬された状態でウエットエッチングが行われても良い。

また、本実施の形態１のウエットエッチング装置１００およびウエットエッチング方法では、ウエットエッチング装置１００において、基板１が、薬液処理室４１と薬液処理室４２において順次エッチング処理され、薬液処理室４１と薬液処理室４２間に配置される液切りエアナイフ５を通り、基板１の上面の気泡４ｂの発生したエッチング液４ａを１回除去するものであった。特に気泡４ｂの発生が顕著な場合や、エッチング対象となる金属薄膜などが厚い場合には、薬液処理室４２でのエッチングの前に、一旦、除去された気泡４ｂが、薬液処理室４２でのエッチングの際に、再び発生することによりエッチングが阻害される場合もありえる。そこで、実施の形態１のウエットエッチング方法を少し変形した変形例として、薬液処理室４１と薬液処理室４２間において、基板１を複数回往復させ、基板１に対して複数回の液切りエアナイフ５によるエッチング液４ａの除去動作を行うウエットエッチング方法について、以下、図５を用いて説明を行う。なお、ここでは、実施の形態１からの変更点に重点をおいて説明を行う。

ここで説明を行う実施の形態１の変形例のウエットエッチング方法においては、図５に示されるとおり、図中矢印Ｍ１にて基板１の移動方向を示しているが、基板１を薬液処理室４１と薬液処理室４２間において複数回往復動作させることとする。なお、例えば、２回往復動作させる場合にも、基板１の上面の気泡４ｂの発生したエッチング液４ａを液切りエアナイフ５により除去することが往復動作させる目的であることから、特に薬液処理室４１内ではエッチングを行う必要は無く、基板１について、単に液切りエアナイフ５を通すためだけの往復動作を行うので良い。つまり、実施の形態１と同様の薬液処理室４１でのエッチング、液切りエアナイフ５を介した薬液処理室４２への移動、更に、薬液処理室４２でのエッチングを行ったのち、一度、搬送ローラ３を通常の搬送方向とは逆向きに動作させて基板１を薬液処理室４１内に戻し、そのまま、直ぐに搬送ローラ３の動作方向を切り替えて、液切りエアナイフ５を動作させた状態で液切りエアナイフ５を介した薬液処理室４２への移動を行うと良い。

また、予め液切りエアナイフ５により基板１の上面の気泡４ｂの発生したエッチング液４ａを除去する回数を装置プログラムなどで決めておくのであれば、薬液処理室４１或いは薬液処理室４２で行われるエッチング回数に応じて、それぞれのエッチングの処理時間を設定すると良い。また、例えば、基板１上の気泡４ｂの発生程度を検知するモニタ手段を設けることで、気泡４ｂの発生量が所定量（例えば、エッチングを阻害する程度の発生量）発生したことを当該モニタ手段が検知した時点で、エッチングを中断し、搬送ローラ３により、基板１が液切りエアナイフ５を通るように往復動作して、液切りエアナイフ５により基板１上の気泡４ｂの発生したエッチング液４ａを除去する動作を行っても良い。

また、この方法の場合には、それぞれの処理室（薬液処理室４１および薬液処理室４２）でのエッチング処理時間の積算値をもって、実施の形態１において説明した所望のエッチング時間を超えた時点をエッチングの完了時点として管理すると良い。或いは、エンドポイントセンサを、薬液処理室４１と薬液処理室４２の双方に、或いは、２回目以降のエッチングが全て薬液処理室４２において行われるのであれば薬液処理室４２のみに設けてエッチング完了時点を管理しても良い。

以上説明を行った実施の形態１の変形例のウエットエッチング方法においては、エッチング対象となる金属薄膜の材質において、特に気泡４ｂの発生が顕著な場合や、エッチング対象となる金属薄膜などが厚い場合においても、実施の形態１のウエットエッチング方法と同様の効果が得られる。

実施の形態２．
以上説明を行った実施の形態１の変形例のウエットエッチング方法においては、基板１に対して複数回の液切りエアナイフ５によるエッチング液４ａの除去動作を行うために、薬液処理室４１と薬液処理室４２間において搬送ローラ３を用いて基板１を複数回往復させる方法について説明を行った。基板１に対して液切りエアナイフ５を相対的に移動させれば良いことを考えれば、液切りエアナイフ５のほうを移動動作させても良いことになる。そこで、液切りエアナイフ５について、移動機構を設けた液切りエアナイフ５ｍとして、薬液処理室４１内において、基板１上を移動して液切り動作可能とした実施の形態２のウエットエッチング装置およびウエットエッチング方法について、以下、図６を用いて説明を行う。なお、ここでは、実施の形態１或いは実施の形態１変形例からの変更点に重点をおいて説明を行う。

ここで説明を行う実施の形態２のウエットエッチング装置およびウエットエッチング方法においては、図６に示されるとおり、図中矢印Ｍ２にて移動方向を示しているが、薬液処理室４１内において、液切りエアナイフ５ｍが、基板１上を移動して、液切り動作可能としている。ウエットエッチング装置としては、具体的には、液切りエアナイフ５ｍに、基板１の全面に渡って液切り動作可能となる概ね図６に示される動作範囲において移動させる移動機構を備える。移動機構としては、例えば、一般的な水平移動に用いられるステッピングモータとボールネジなどと、動作制御機構などを適宜組み合わせて設ければ良い。また、これら液切りエアナイフ５ｍの移動機構のうち、特にステッピングモータとボールネジなどの直接の移動機構については、エッチング液ノズル４３からのエッチング液４の散布に干渉しないように、上面視での基板１の外側、例えば、液切りエアナイフ５ｍの長手方向での両端近傍に配置すると良い。

また、液切りエアナイフ５ｍの基本的な動作としては、動作制御機構からの制御によって、図６における右側より左側に向って、基板１上を液切りエアナイフ５ｍが移動する液切り動作と、図６における左側より右側に向って、基板１上を液切りエアナイフ５ｍが待機位置（図中の図６に点線で示される液切りエアナイフ５ｍの位置）に移動する退避動作を行うことができ、液切り動作時においては、液切りエアナイフ５ｍからパージエアが噴射された状態、退避動作中はパージエアの噴射が停止された状態で、それぞれの動作が行われる。また、液切り動作の際の液切りエアナイフ５ｍの移動速度としては、装置としては任意に設定できる仕様で構わない。設定値の一例としては、例えば、一般的な固定式の液切りエアナイフの処理時における基板搬送速度と同等の速度に液切りエアナイフ５ｍの移動速度を設定すれば良い。

また、実施の形態２のウエットエッチング装置全体の動作時においては、液切りエアナイフ５ｍの動作として、これら液切り動作、退避動作、或いは、待機位置で静止する待機動作の何れの動作を行うかの選択は、動作制御機構からの制御によって行われるが、これらの具体的な動作タイミングなどについては、実施の形態２のウエットエッチング装置の全体的な動作説明に係るので、以下で別途説明を行う。

先ず、薬液処理室４１内での基板１のエッチング時における、この液切りエアナイフ５ｍの動作としては、基本的には、実施の形態２のウエットエッチング装置およびウエットエッチング方法においても、実施の形態１と同様に、薬液処理室４１および薬液処理室４２で協働してエッチングを行うことから、この薬液処理室４１でのエッチング処理時間は、所望のエッチング対象膜（金属薄膜など）のエッチング完了に必要なエッチング時間よりは短く設定して行われる。そして、この薬液処理室４１内に基板１が搬入されて、薬液処理室４１内でのエッチングが開始される時点では、液切りエアナイフ５ｍは、実施の形態１の液切りエアナイフ５の設置位置と同様に、薬液処理室４１の出口付近に、具体的には、先に説明を行った図６に点線で示される液切りエアナイフ５ｍの待機位置に静止状態（待機動作の状態）とされる。

また、本実施の形態２のウエットエッチング装置およびウエットエッチング方法における特徴的な動作となる液切りエアナイフ５ｍが移動することによる液切り動作が行われるタイミングとしては、幾つかの運用形態をとることができる。例えば、一つの運用形態としては、上記説明の薬液処理室４１での所定のエッチング処理時間における半分程度が完了した時点で、液切りエアナイフ５ｍの基板１上を移動し液切りを行う液切り動作を開始すると良い。なお、この液切り動作中においては、基本的には、エッチング液ノズル４３からのエッチング液４の散布を停止して行うので良いが、処理時間の短縮化のためには、エッチング液４の散布を継続したままで、液切り動作を行っても良い。

また、別の運用形態としては、上記の薬液処理室４１での所定のエッチング処理時間を複数に分割して、それら分割されるエッチング処理の間の其々において、液切りエアナイフ５ｍによる液切り動作を行うこと、つまり、複数回の液切りエアナイフ５ｍによる液切り動作を行っても良い。

更なる別の運用形態としては、例えば、実施の形態１の変形例で例示したのと同様に、基板１上の気泡４ｂの発生程度を検知するモニタ手段を薬液処理室４１に設けることで、気泡４ｂの発生量が所定量（例えば、エッチングを阻害する程度の発生量）発生したことを当該モニタ手段が検知した時点で、液切りエアナイフ５ｍを動作させ、液切り動作を行わせ、液切りエアナイフ５ｍにより基板１上の気泡４ｂの発生したエッチング液４ａを除去する動作を行うことができる。

また、この方法の場合には、液切りエアナイフ５ｍを移動させることによる液切り動作を挟んだ薬液処理室４１で行われるエッチング処理時間の積算値と、続いて行われる薬液処理室４２でのエッチング処理時間の積算値をもって、基板１に対して行われるべき所望のエッチング時間を超えた時点をエッチングの完了時点として管理すると良い。或いは、エンドポイントセンサを、薬液処理室４１と薬液処理室４２の双方に設けてエッチング完了時点を管理しても良い。また、薬液処理室４１でのエッチングの途中でエンドポイントセンサによりエッチング完了時を迎えた場合には、当然のこととして、薬液処理室４２でのエッチングは不要となる。従って、薬液処理室４２でのエッチング液ノズル４３からのエッチング液４の散布を停止した状態で搬送ローラ３により薬液処理室４２通過させるか、或いは、エッチング液４の散布を停止しない状態とする場合には、搬送ローラ３により可能な限り速やかに薬液処理室４２を通過させると良い。

以上説明を行った実施の形態２のウエットエッチング装置および方法においては、エッチング対象となる金属薄膜の材質において、特に気泡４ｂの発生が顕著な場合や、エッチング対象となる金属薄膜などが厚い場合においても、実施の形態１或いは実施の形態１変形例のウエットエッチング方法と同様の効果が得られる。

実施の形態３．
以上説明を行った実施の形態２のウエットエッチング装置およびウエットエッチング方法においては、移動機構を設けた液切りエアナイフ５ｍとして、薬液処理室４１内において、基板１上を移動して液切り動作可能としたウエットエッチング装置およびウエットエッチング方法について説明を行った。薬液処理室４２でのウエットエッチングについては、適宜、省略することも可能であることを考えれば、薬液処理室４２を設けること自体を省略できるということになる。そこで、薬液処理のために単独の薬液処理室４０を備え、薬液処理室４０内において基板１上を移動して液切り動作可能な液切りエアナイフ５ｍを備えるとともに、薬液処理室４０に水洗処理室６０を連結した構成とした実施の形態３のウエットエッチング装置およびウエットエッチング方法について、以下、図７および図８を用いて説明を行う。なお、ここでは、実施の形態１或いは実施の形態２からの変更点に重点をおいて説明を行う。

ここで説明を行う実施の形態３のウエットエッチング装置およびウエットエッチング方法においては、図７に示されるとおり、実施の形態２における薬液処理室４１と同様に、薬液処理室４０において、基板１上を移動して液切り動作可能な液切りエアナイフ５ｍを備える点において共通しているが、薬液処理のために単独の薬液処理室４０が設けられ、この薬液処理室４０に水洗処理室６０を連結した構成である点が実施の形態２と異なっている。また、薬液処理室４０から水洗処理室６０に直接連結されていることから薬液処理室４０の出口付近の特に基板１に対して（或いは搬送ローラ３に対して）、下方に、基板１に付着したエッチング液を液切りする液切りエアナイフ５１が配設されている点が異なっている。

実施の形態３のウエットエッチング装置およびウエットエッチング方法においては、薬液処理室４０の構成自体は、実施の形態２における薬液処理室４１の構成と基本的には共通しており、薬液処理室４０内において、基板１上を移動して液切り動作可能な液切りエアナイフ５ｍが設けられ、基板１の全面に渡って液切り動作可能となる動作範囲において移動させる移動機構を備える。また、液切りエアナイフ５ｍの基本的な動作についても、実施の形態２と同様の液切り動作、退避動作、或いは、待機位置で静止する待機動作を行うことができる。

続いて、実施の形態２と若干違いを生ずることになる本実施の形態３の液切りエアナイフ５ｍの動作のタイミングなどについて、図７および図８を順に用いて説明を行う。先ず、薬液処理室４０内での基板１のエッチング時において、この薬液処理室４０でのエッチング処理時間は、実施の形態２のウエットエッチング装置およびウエットエッチング方法と異なって、全てのエッチング処理が、この薬液処理室４０内のみで行われることから、所望のエッチング対象膜（金属薄膜など）のエッチング完了に必要なエッチング時間に設定して行われる必要がある。この点が異なることを除くと、薬液処理室４０内での動作、たとえば、液切りエアナイフ５ｍの動作としては、実施の形態２と、それ程、大きく変わらない。

先ず、図７のとおり、この薬液処理室４０内に基板１が搬入されて、薬液処理室４０内でのエッチングが開始される時点では、液切りエアナイフ５ｍは、実施の形態２の液切りエアナイフ５ｍの動作と同様に、薬液処理室４０の出口付近に、具体的には、図７に点線で示される液切りエアナイフ５ｍの待機位置に静止状態（待機動作の状態）とされる。

また、液切りエアナイフ５ｍが移動することによる液切り動作が行われるタイミングとしては、実施の形態２と同様に、幾つかの運用形態をとることができるが、例えば、上記説明の薬液処理室４０での所定のエッチング処理時間（ここでは、所望のエッチング対象膜のエッチング完了に必要なエッチング時間そのものに相当）における半分程度が完了した時点で、液切りエアナイフ５ｍの基板１上を移動し液切りを行う液切り動作を開始すると良い。或いは、実施の形態２と同様に、薬液処理室４０での所定のエッチング処理時間を複数に分割して、それら分割されるエッチング処理の間に対応して、複数回の液切りエアナイフ５ｍによる液切り動作を行っても良い。

また、別の運用形態として、基板１上の気泡４ｂの発生程度を検知するモニタ手段を薬液処理室４０に設けることで、気泡４ｂの発生量が所定量（例えば、エッチングを阻害する程度の発生量）発生したことを当該モニタ手段が検知した時点で、液切りエアナイフ５ｍを動作させ、液切り動作を行わせ、液切りエアナイフ５ｍにより基板１上の気泡４ｂの発生したエッチング液４ａを除去する動作を行うことができる。

この場合においても、液切りエアナイフ５ｍを移動させることによる液切り動作を挟んだ薬液処理室４０で行われるエッチング処理時間の積算値をもって、基板１に対して行われるべき所望のエッチング時間を超えた時点をエッチングの完了時点として管理すると良い。或いは、エンドポイントセンサを、薬液処理室４０に設けてエッチング完了時点を管理しても良い。

また、何れの運用形態であっても、薬液処理室４０において行う所定のエッチング処理時間が完了した時点か、エンドポイントセンサにより管理されるエッチング完了時点の何れかにより決定される薬液処理室４０におけるエッチング時間が終了すると、搬送ローラ３が動作して、図８において、図中の矢印Ｄで搬送方向が示されるとおり、薬液処理室４０より水洗処理室６０に基板１は搬送される。また、その基板１の搬出動作の開始前には、液切りエアナイフ５ｍは、薬液処理室４０の出口付近の待機位置への退避動作を行い、図８に示されるとおり、液切りエアナイフ５ｍが待機位置に配置された状態で、この薬液処理室４０から水洗処理室６０への搬送が行われる。

そして、この水洗処理室６０への搬送の際には、待機位置に配置される液切りエアナイフ５ｍと、薬液処理室４２の出口付近に配設された液切りエアナイフ５１との両者から、基板１に対して上下方向よりパージエアが噴射され、基板１に付着したエッチング液４ａを液切りしながら水洗処理室６０に基板１は搬送される。また、水洗処理室６０内に基板１が搬入されるのに併せて、水洗処理室６０において配置される水洗液ノズル６１から水洗液６の散布が開始され、以降の処理は、実施の形態１のウエットエッチング装置と同様であるので、説明を省略する。

以上説明を行った実施の形態３のウエットエッチング装置および方法においては、実施の形態１の変形例や実施の形態２と同様に、エッチング対象となる金属薄膜の材質において、特に気泡４ｂの発生が顕著な場合や、エッチング対象となる金属薄膜などが厚い場合においても、実施の形態１、実施の形態１変形例、或いは実施の形態２のウエットエッチング方法と同様の効果が得られる。更に、エッチング処理を単独の薬液処理室４０のみで行うことができることから、装置のコンパクト化も可能である。

続いて、実施の形態３のウエットエッチング装置１００より、移動機構を設けた液切りエアナイフ５ｍに対して、一部構成を追加した変形例について、以下、図９を用いて説明を行う。なお、ここでは、実施の形態３からの変更点に重点をおいて説明を行う。

ここで説明を行う実施の形態３の変形例のウエットエッチング装置およびウエットエッチング方法においては、図９に示されるとおり、移動機構を設けた液切りエアナイフ５ｍに対して、後段側（図中向って左側）に、液切りエアナイフ５ｍと並行して、エッチング液４を散布するエッチング液シャワーナイフ４４を備え、このエッチング液シャワーナイフ４４が液切りエアナイフ５ｍと連動して基板１上を移動可能となっている。このエッチング液シャワーナイフ４４は、液切りエアナイフ５ｍと同様に、極薄のシート状に吐出物を噴射するスリット状の開口部を有したノズルであって、エッチング液シャワーナイフ４４からは、吐出物としてエッチング液４が極薄のシート状に噴射される。

このエッチング液シャワーナイフ４４の動作としては、図９に示すとおり、基本的には、液切りエアナイフ５ｍの移動動作と連動させるので、実施の形態３のエッチング装置との動作の違いは無いが、エッチング液シャワーナイフ４４からのエッチング液４の散布については、液切りエアナイフ５ｍからのパージエアの噴射と同期させると良い。

このエッチング液シャワーナイフ４４の作用に関して、本発明においては、液切りエアナイフ５ｍにより基板１上のエッチング液４ａが除去される際に、乾燥用のエアナイフではなく、ごく薄くエッチング液４ａが残存する程度に除去する液切りエアナイフを用いていることから、一時的にでも基板１表面が乾き、エッチング対象となる金属薄膜の表面に被膜などを形成することが無い方法をとっている。然しながら、より高度なレベルでの処理ムラを防止する意味では、この液切りエアナイフ５ｍにより、基板１上のエッチング液４ａが除去された後、液切りエアナイフ５ｍの後段に配置されたエッチング液シャワーナイフ４４からのエッチング液４の散布によって、基板１の表面が瞬時にエッチング液４により覆われることとなり、基板１表面が乾く可能性が完全に排除され、そのような処理ムラが生ずることが無い。

また、以上説明を行った実施の形態３の変形例のウエットエッチング装置およびウエットエッチング方法において追加したエッチング液シャワーナイフ４４については、同様の構成である移動機構を設けた液切りエアナイフ５ｍを備えた実施の形態２のウエットエッチング装置に追加適用しても構わず、上記説明の実施の形態３の変形例と同様の効果が得られる。

更に、実施の形態１のように、移動機構を有さない固定式の液切りエアナイフ５を備えたウエットエッチング装置に適用しても構わない。その場合には、固定式の液切りエアナイフ５と供に、エッチング液シャワーナイフ４４も固定式となる。この実施の形態１のウエットエッチング装置における固定式の液切りエアナイフ５の後段に同様のエッチング液シャワーナイフ４４を追加した変形例について、図１０を用いて説明を行う。なお、ここでは、実施の形態１或いは実施の形態３変形例からの変更点に重点をおいて説明を行う。

図１０は、実施の形態１のウエットエッチング装置の動作時と同様に、薬液処理室４１におけるエッチング時間が終了し、図中の矢印Ｄで搬送方向が示されるとおり、搬送ローラ３が動作して薬液処理室４１より薬液処理室４２に基板１が搬送される際の状態を示したものである。図示されるとおり、薬液処理室４１の出口付近に配設された液切りエアナイフ５からのパージエアの噴射による液切り動作を開始し、基板１の特に上面側に付着したエッチング液４ａを液切りしながら薬液処理室４２に基板１は搬送され、この液切りエアナイフ５による液切りの際に、基板１の上面に付着したエッチング液４ａと、エッチング液４ａ内に発生していた反応生成物であるガスにより発生する気泡４ｂについても、併せて基板１の上側表面より除去される。この動作については、実施の形態１のウエットエッチング装置と変わらないが、この変形例においては、液切りエアナイフ５の後段にエッチング液４を噴射するエッチング液シャワーナイフ４４が配置されており、更に、実施の形態３の変形例と同様に、エッチング液シャワーナイフ４４からのエッチング液４の散布については、液切りエアナイフ５ｍからのパージエアの噴射と同期させる。

従って、基板１が液切りエアナイフ５の下を移動することにより基板１上のエッチング液４ａが除去される際に、基板１の表面は、液切りエアナイフ５の後段に配置されたエッチング液シャワーナイフ４４からのエッチング液４の散布によって、瞬時に当該エッチング液シャワーナイフ４４からのエッチング液４により覆われることとなる。その結果、基板１表面が乾く可能性が完全に排除され、先に説明を行った実施の形態３変形例と同様の効果が得られる。また、この液切りエアナイフ５の後段に配置するエッチング液シャワーナイフ４４については、実施の形態１変形例のウエットエッチング装置に取り付けても構わず、同様の効果を得ることができる。

実施の形態４．
次に、本発明を適用した実施の形態４の半導体装置の製造方法の一例として、本発明を液晶表示装置の製造方法におけるエッチング工程に適用した例について説明する。液晶表示装置の製造方法において、金属薄膜のウエットエッチング工程が用いられる特にＴＦＴアレイ基板の製造工程について、ここでは図１１を参照しながら説明を行うことにする。図１１（ａ）〜図１１（ｅ）は、本発明の液晶表示装置の特にＴＦＴアレイ基板１１１の製造工程を示す要部断面図である。

まず、透明絶縁性基板として例えばガラス基板１０１上にスパッタ法を用いて第１メタル膜ＭＥ１を成膜する。第１メタル膜ＭＥ１としては、アルミニウム（Ａｌ）膜（より、具体的にはＡｌ合金膜）、モリブデン（Ｍｏ）膜（より具体的にはＭｏ合金膜）、或いは、これらの積層膜などを用いることができる。そして、第１メタル膜ＭＥ１上に、感光性樹脂であるフォトレジストをスピンコート等によって塗布し、塗布したレジストを露光、現像するフォトリソ工程（写真製版工程）を行う。これにより所望の形状にフォトレジストＰＲ１がパターニング形成される。以上の工程により、図１１（ａ）に示す構成となる。

その後、フォトレジストＰＲ１をエッチングマスクとして、第１メタル膜ＭＥ１をウエットエッチングし、ゲート電極１０２および走査線の所望の形状にパターニングする。このウエットエッチング工程について、例えば、実施の形態１において説明を行ったウエットエッチング装置およびこれ用いたウエットエッチング方法によりウエットエッチングを行う。また、このウエットエッチング工程では、Ａｌ膜、Ｍｏ膜などをエッチング可能な薬液として、例えば、リン酸、硝酸、酢酸、水の混合液を、４０℃に加温されたものをエッチング液４として用いた。以上の工程により、図１１（ｂ）に示す構成となる。

その後、フォトレジストＰＲ１を剥離する。これにより、表示領域の薄膜トランジスタ１１０のゲート電極および走査線１０２が形成される。次に、これら配線とガラス基板１０１上にプラズマＣＶＤ法を用いてゲート絶縁膜１０３、半導体膜１０４Ｆを順次連続成膜する。例えば、ゲート絶縁膜１０３にはＳｉＮ膜を用いる。以上の工程により、図１１（ｃ）に示す構成となる。

続いて、半導体膜１０４Ｆは次のフォトリソ工程によって、薄膜トランジスタ１１０の半導体層を形成するようにパターニングして島化した半導体膜パターン１０４Ｉを形成する。そしてスパッタ法で第２メタル膜ＭＥ２を成膜する。第２メタル膜ＭＥ２としては、Ａｌ膜、Ｍｏ膜、或いは、これらの積層膜などを用いることができる。続いて、次のフォトリソ工程によって、所望の形状にフォトレジストＰＲ２がパターニング形成される。以上の工程により、図１１（ｄ）に示す構成となる。

続いて、フォトレジストＰＲ２をエッチングマスクとして、第２メタル膜ＭＥ２をウエットエッチングし、薄膜トランジスタ１１０のソース電極１０５、ドレイン電極１０６、および信号線の所望の形状にパターニングする。このウエットエッチング工程についても、例えば、実施の形態１において説明を行ったウエットエッチング装置およびこれ用いたウエットエッチング方法によりウエットエッチングを行う。また、エッチング液４についても、例えば、リン酸、硝酸、酢酸、水の混合液を４０℃に加温されたものを用いた。更に、島化した半導体膜パターン１０４Ｉにおけるソース電極１０５とドレイン電極１０６間の領域に形成される導電性の半導体層について、ドライエッチングなどを用いて除去し、薄膜トランジスタ１１０のソース領域、ドレイン領域を分離することで、最終的な薄膜トランジスタ１１０の半導体層１０４が形成される。以上の工程により、図１１（ｅ）に示す構成となる。

その後、フォトレジストＰＲ２を剥離する。次に、これらソース電極１０５、ドレイン電極１０６、信号線、および半導体層１０４の全体を覆うように保護絶縁膜１０７としてプラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮ膜を成膜する。続いて、次のフォトリソ工程を使って、保護絶縁膜１０７にコンタクトホール１０８を形成し、更に、コンタクトホール１０８を介して薄膜トランジスタ１１０に接続させるよう透明導電膜により画素電極１０９をパターニング形成する。以上の工程により、図１１（ｆ）に示す構成となり、本実施の形態４の液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板１１１の基本的な構成が完成する。

以上のようにして得られたＴＦＴアレイ基板１１１に対し、カラーフィルタの形成された一般的なカラーフィルタ基板を用いて、液晶表示装置の一般的なセル組み立て工程を行うことにより、以上のＴＦＴアレイ基板１１１とカラーフィルタ基板間に液晶が挟持された液晶セルを製造することができる。更に、この液晶セルに対して、偏光板などの光学フィルムや制御基板などを取り付けることで液晶パネルを構成し、更に、この液晶パネルに対して、光学シートを介してバックライトユニットを背面側に配置し、表示面側が開放された筐体中に収納することで、本実施の形態４の液晶表示装置が完成する。

以上説明した実施の形態４における液晶表示装置においては、この実施の形態１で説明したウエットエッチング装置およびウエットエッチング方法を用いて、Ａｌ膜、Ｍｏ膜、或いは、これらの積層膜などを用いたゲート電極、走査線、ソース電極、ドレイン電極、および信号線を形成したことから、これら配線が高密度であった場合にも、或いは、比較的厚膜の金属膜により形成した場合にも、ウエットエッチング時に水素ガスよりなる気泡を発生し易いＡｌ膜、Ｍｏ膜のウエットエッチングによりパターニング加工しているにも関わらず、エッチング残を発生することなく、高い歩留まりで、液晶表示装置を製造することができる。更に、エッチング残が発生し難くなることから、必要以上にオーバーエッチング時間を設定する必要も無くなる。従って、加工されるパターンにおいてオーバーエッチングにより生ずるサイドエッチング量も少なくできることで、より高精度なパターニング加工を行うことができる。また、比較的省面積のウエットエッチング装置により、これらパターニング加工が行えることで、高い生産性で、低コストにて液晶表示装置を製造することができる。

なお、本実施の形態４においては、実施の形態１のウエットエッチング装置およびウエットエッチング方法を用いて、液晶表示装置の製造工程におけるゲート電極、走査線、ソース電極、ドレイン電極、および信号線を形成する工程に適用した例を説明した。然しながら実施の形態１のウエットエッチング装置およびウエットエッチング方法に代えて実施の形態１の変形例、実施の形態２、実施の形態３、および実施の形態３の変形例において説明した幾つかのウエットエッチング装置およびウエットエッチング方法を用いた場合においても、各実施の形態の特有効果に加えて、本実施の形態４と同様の効果を得ることができる。

また、本実施の形態４においては、本発明を液晶表示装置の製造に用いた場合を一例として説明を行ったが、本発明のウエットエッチング装置およびウエットエッチング方法においては、ウエットエッチングを用い金属薄膜などのパターニングを行う、半導体装置の製造など、その他、様々な用途に用いることができ、実施の形態４およびそれらの変形例で説明したものと同様の効果を得ることができる。

１ 基板、１００ ウエットエッチング装置、
２０ ローダ部、３ 搬送ローラ、
４，４ａ エッチング液、４ｂ 気泡、４０，４１，４２ 薬液処理室、
４３ エッチング液ノズル、４４ エッチング液シャワーナイフ、
５，５ｍ 液切りエアナイフ、５１ 液切りエアナイフ、
６ 水洗液、６０ 水洗処理室、６１ 水洗液ノズル、
７０ 乾燥処理室、７１ エアナイフ、８０ アンローダ部、
１０１ ガラス基板、１０２ ゲート電極、１０３ ゲート絶縁膜、
１０４ 半導体層、１０４Ｆ 半導体膜、１０４Ｉ 半導体膜パターン、
１０５ ソース電極、１０６ ドレイン電極、１０７ 保護絶縁膜、
１０８ コンタクトホール、１０９ 画素電極、１１０ 薄膜トランジスタ、
１１１ ＴＦＴアレイ基板、ＭＥ１ 第１メタル膜，ＭＥ２ 第２メタル膜、
ＰＲ１，ＰＲ２ フォトレジスト。

Claims (13)

1. 基板上に形成されたエッチング対象膜をウエットエッチングする処理部と、前記処理部による処理を終えた前記基板を水洗する水洗部と、前記水洗部による水洗を終えた前記基板を乾燥する乾燥部とを備えたウエットエッチング装置であって、
   前記処理部内に、前記基板上に前記エッチング対象膜をエッチング可能なエッチング液を供給しウエットエッチングを行う第一エッチング処理部と、前記基板上のエッチング液の除去処理を行う液切りエアナイフと、前記液切りエアナイフによりエッチング液の除去処理が行われた基板上に前記エッチング液を供給しウエットエッチングを行う第二エッチング処理部とを備えたウエットエッチング装置。
2. 前記処理部から前記水洗部に跨って配設される搬送手段を備え、前記処理部において、前記基板が当該搬送手段上に配置された状態で、当該基板上に前記エッチング液を供給しウエットエッチングが行われることを特徴とする請求項１に記載のウエットエッチング装置。
3. 前記基板上のエッチング液の除去処理が複数回行われることを特徴とする請求項１或いは請求項２に記載のウエットエッチング装置。
4. 前記液切りエアナイフに移動機構を備え、前記処理部内の前記基板上を移動し、前記除去処理が行われることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載のウエットエッチング装置。
5. 前記第二エッチング処理部においてウエットエッチングが行われた前記基板を前記第一エッチング処理部に搬送し、再度、前記基板上のエッチング液の除去処理が行われることを特徴とする請求項３に記載のウエットエッチング装置。
6. 前記第一エッチング処理部或いは前記第二エッチング処理部に、前記基板上の気泡の発生程度を検知するモニタ手段を備えることを特徴とする請求項３から請求項５の何れかに記載のウエットエッチング装置。
7. 前記第一エッチング処理部と前記第二エッチング処理部が共通であることを特徴とする請求項１から請求項４および請求項６の何れかに記載のウエットエッチング装置。
8. 少なくとも前記第二エッチング処理部内に、エッチング完了を検知するエンドポイントセンサを備えることを特徴とする請求項１から請求項７の何れかに記載のウエットエッチング装置。
9. 前記液切りエアナイフに対して後段側に、当該液切りエアナイフと並行して配置され、前記エッチング液を散布するスリット状の開口部を有したノズルを備えることを特徴とする請求項１から請求項８の何れかに記載のウエットエッチング装置。
10. 基板上に形成されたエッチング対象膜をウエットエッチングするウエットエッチング方法であって、
    前記基板上に前記エッチング対象膜をエッチング可能なエッチング液を供給しウエットエッチングを行う第一エッチング工程と、
    液切りエアナイフにより前記基板上のエッチング液の除去処理を行う工程と、
    前記エッチング液の除去処理が行われた基板上に前記エッチング液を供給しウエットエッチングを行う第二エッチング工程とを備えたウエットエッチング方法。
11. 前記第一エッチング工程および前記第二エッチング工程を行うエッチング処理部において、前記基板を搬送する搬送手段を備え、前記基板が当該搬送手段上に配置された状態で、当該基板上に前記エッチング液を供給しウエットエッチングが行われることを特徴とする請求項１０に記載のウエットエッチング方法。
12. 前記第一エッチング工程或いは前記第二エッチング工程において、前記基板上の気泡の発生程度を検知するモニタ手段を用いて気泡の発生程度を検知する工程を備え、
    前記気泡の発生量が所定量を超えたことを検知した時点で、
    前記液切りエアナイフにより前記基板上のエッチング液の除去処理を行う工程を行うことを特徴とする請求項１０或いは請求項１１に記載のウエットエッチング方法。
13. 請求項１〜請求項９の何れかに記載のウエットエッチング装置、或いは請求項１０〜請求項１２の何れかに記載のウエットエッチング方法を用いて、前記エッチング対象膜として、前記基板上に形成されたアルミニウム膜、モリブデン膜、或いは、これらの積層膜をパターニングし、薄膜トランジスタを構成する電極、或いは配線を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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