JP2008300454A

JP2008300454A - 基板処理装置及び基板処理方法

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Publication number: JP2008300454A
Application number: JP2007142595A
Authority: JP
Inventors: Yoshifumi Amano; 嘉文天野
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2007-05-29
Filing date: 2007-05-29
Publication date: 2008-12-11
Anticipated expiration: 2027-05-29
Also published as: JP5009053B2

Abstract

【課題】基板の周縁部の所定範囲を精度良く良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板（ウエハＷ）の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置(1)において、基板(W)の周縁部を処理するための周縁処理装置(4)と、周縁処理装置(4)に対して相対的に回転する基板(W)を保持するための基板保持装置(2)とを有し、周縁処理装置(4)は、基板(W)の周縁部に処理液を供給する処理液供給部(9)と、基板(W)の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部(10)と、基板(W)の周縁部に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部(12)と、基板(W)に向けてガスを噴出するガス噴出部(11)とを有し、回転方向に沿って上流側から順に処理液供給部(9)、リンス液供給部(10)、乾燥ガス供給部(11)を配置するとともに、これら処理液供給部(9)・リンス液供給部(10)・乾燥ガス供給部(11)よりも基板(W)の周縁部に対して内側にガス噴出部(12)を隣設した。
【選択図】図３

Description

本発明は、基板の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行うための基板処理装置及び基板処理方法に関するものである。

半導体ウエハや液晶基板などの製造工程においては、基板に積層形成した各種膜の周縁部の剥離を防止するとともに基板と膜との密着性を向上させるために、基板の周縁部の膜をエッチング液で除去するエッチング処理を行っている。また、基板の周縁部に付着したパーティクルによって基板が汚染されてしまうのを防止するために、基板の周縁部のパーティクルを洗浄液で除去する洗浄処理を行っている。

これら基板の周縁部に対してエッチングや洗浄などの各種の処理を行うために、従来より、基板処理装置が用いられている。この従来の基板処理装置は、基板の周縁部上方にエッチング液や洗浄液などの処理液を供給するノズルを配設し、回転機構で基板を回転させながらノズルから処理液を基板の周縁部に向けて供給して、処理液で基板の周縁部を処理するように構成している（たとえば、特許文献１参照。）。

特開２００３−２０３９００号公報

ところが、上記従来の基板処理装置では、基板の周縁部上方に配置したノズルから処理液を基板の周縁部に向けて供給していたために、ノズルから供給された処理液が基板の周縁部よりも内側にまで流れ出てしまうことがあり、エッチングや洗浄などの処理を行う必要のない範囲まで処理されて、基板の処理不良が発生するおそれがあった。

そこで、請求項１に係る本発明では、基板の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置において、基板の周縁部を処理するための周縁処理装置と、周縁処理装置に対して相対的に回転する基板を保持するための基板保持装置とを有し、周縁処理装置は、基板の周縁部に処理液を供給する処理液供給部と、基板の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部と、基板の周縁部に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部と、基板に向けてガスを噴出するガス噴出部とを有し、回転方向に沿って上流側から順に処理液供給部、リンス液供給部、乾燥ガス供給部を配置するとともに、これら処理液供給部・リンス液供給部・乾燥ガス供給部よりも基板の周縁部に対して内側にガス噴出部を隣設することにした。

また、請求項２に係る本発明では、前記請求項１に係る本発明において、前記周縁処理装置は、貯留した処理液に前記基板を浸漬させるための処理液貯留室を前記処理液供給部に形成することにした。

また、請求項３に係る本発明では、前記請求項１又は請求項２に係る本発明において、前記周縁処理装置は、前記処理液供給部に処理液を供給する処理液供給口と前記処理液供給部から処理液を排出する処理液排出口とを前記基板を挟んで反対側にそれぞれ形成することにした。

また、請求項４に係る本発明では、前記請求項１〜請求項３のいずれかに係る本発明において、前記周縁処理装置は、前記ガス噴出部で噴出したガスを吸引可能に構成することにした。

また、請求項５に係る本発明では、前記請求項１〜請求項４のいずれかに係る本発明において、前記周縁処理装置は、前記ガス噴出部を前記基板を挟んで反対側にそれぞれ形成することにした。

また、請求項６に係る本発明では、前記請求項１〜請求項５のいずれかに係る本発明において、前記周縁処理装置は、前記基板の周縁部に対して内側に向けて相対的に移動可能に構成することにした。

また、請求項７に係る本発明では、基板の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理方法において、基板の周縁部に配設した周縁処理装置を基板に対して相対的に回転させ、周縁処理装置に回転方向に沿って上流側から順に形成した処理液供給部とリンス液供給部と乾燥ガス供給部から処理液とリンス液と乾燥ガスとをそれぞれ供給するとともに、これら処理液供給部・リンス液供給部・乾燥ガス供給部よりも基板の内側に隣設したガス噴出部から基板に向けてガスを噴出して、基板の周縁部の処理を行うことにした。

そして、本発明では、以下に記載する効果を奏する。

すなわち、本発明では、基板の周縁部に周縁処理装置を配設し、周縁処理装置は、基板の周縁部に処理液を供給する処理液供給部と、基板の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部と、基板の周縁部に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部と、基板に向けてガスを噴出するガス噴出部とを有し、回転方向に沿って上流側から順に処理液供給部、リンス液供給部、乾燥ガス供給部を配置するとともに、これら処理液供給部・リンス液供給部・乾燥ガス供給部よりも基板の内側にガス噴出部を隣設しているために、ガス噴出部から噴出するガスによって、基板の反りを矯正して基板の周縁部近傍を平坦に位置精度良く保持することができ、これによって、基板の周縁部の所定範囲を精度良く処理することができる。

しかも、本発明では、処理液供給部とリンス液供給部と乾燥ガス供給部での各処理を周縁処理装置の内部で完結させることができ、外部に処理液やリンス液や乾燥ガスを排出することがなく、処理液やリンス液や乾燥ガスの回収装置などを別個設ける必要がない。

以下に、本発明に係る基板処理装置の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。

図１及び図２に示すように、基板処理装置１は、ケーシング２の内部に基板（ここでは、半導体ウエハ（以下、「ウエハＷ」という。））をターンテーブルＴで吸引保持しながらモーターＭで回転させる基板保持装置３を収容するとともに、この基板保持装置３で保持したウエハＷの周縁部に周縁処理装置４を配設している。なお、以下の基板処理装置１では、周縁処理装置４を固定する一方、基板保持装置３でウエハＷを回転するように構成しているが、本発明では周縁処理装置４がウエハＷに対して相対的に回転できる構造となっていればよく、ウエハＷを固定し、周縁処理装置４を回転可能に構成してもよい。

周縁処理装置４は、進退機構５の先端部に処理ヘッド６を取付けており、進退機構５によって処理ヘッド６を全体的にウエハＷの半径方向へ前進又は後退させることができるようになっている。なお、以下の基板処理装置１では、進退機構５によって処理ヘッド６を進退移動可能に構成しているが、本発明では、周縁処理装置４がウエハＷに対して相対的に進退移動できる構造となっていればよく、ウエハＷを処理ヘッド６に向けて進退移動可能に構成してもよい。

この処理ヘッド６は、図３に示すように、矩形箱型状のケーシング７の先端部（前端部）にウエハＷの厚みよりも広い上下幅のスリット８をウエハＷと平行に水平状に形成しており、ウエハＷとの間にわずかな間隙（ここでは、約50μm。）を形成した状態でスリット８にウエハＷを挿通させることができ、しかも、その状態で基板保持装置３によってウエハＷを回転させることができ、また、進退機構５によって処理ヘッド６を進退させることができるようになっている。

また、処理ヘッド６には、ウエハＷとの相対的な回転方向（ここでは、ウエハＷの回転方向）に沿って上流側から順に処理液供給部９、リンス液供給部10、乾燥ガス供給部11を形成するとともに、これらの処理液供給部９とリンス液供給部10と乾燥ガス供給部11よりもウエハＷの周縁部に対して内側にガス噴出部12を隣接して設けている。

ここで、処理液供給部９は、ウエハＷの周縁部に洗浄液やエッチング液などの処理液を供給するものであり、リンス液供給部10は、ウエハＷの周縁部に薬液や純水などのリンス液を供給するものであり、乾燥ガス供給部11は、ウエハＷの周縁部に窒素ガスなどの乾燥ガスを供給するものであり、ガス噴出部12は、ウエハＷに向けて空気や不活性ガスなどのガスを噴出するものである。

そして、処理ヘッド６は、ガス噴出部12を処理液供給部９とリンス液供給部10と乾燥ガス供給部11とにそれぞれ隣り合わせた状態で設けており、処理液供給部９・リンス液供給部10・乾燥ガス供給部11及びガス噴出部12は、それぞれ所定の上下幅を有してウエハＷを挿通可能な形状に形成しており、ガス噴出部12のウエハＷと対向する上下幅を処理液供給部９・リンス液供給部10・乾燥ガス供給部11のウエハＷと対向する上下幅よりも狭くして、処理液供給部９・リンス液供給部10からガス噴出部12に処理液やリンス液が流れ込むのを防止し、また、処理液供給部９・リンス液供給部10の表面を親水性素材でコーティングする一方、ガス噴出部12の表面を撥水性素材でコーティングし、これによっても、処理液供給部９・リンス液供給部10から処理液やリンス液がガス噴出部12に流れ出るのを阻害している。

処理液供給部９は、図４に示すように、処理ヘッド６の上流部に処理ヘッド６の進退方向（ウエハＷの半径方向）へ向けて伸延させるとともにスリット８（ガス噴出部12）に連通させた処理液貯留室13を形成し、この処理液貯留室13の上下幅をスリット８よりも広い上下幅に形成している。処理液貯留室13の上部には、処理液を供給するための処理液供給口14を形成し、処理液貯留室13の後部には、処理液を排出するための処理液排出口15を形成している。ここで、処理液供給口14は、ウエハＷの端部よりも外側に形成して、ウエハＷの表面に処理液が直接供給されないようにし、また、処理液排出口15は、ウエハＷの表面よりも上方に形成して、供給された処理液が処理液貯留室13の内部で貯留するようにしている。なお、処理液供給口14は、処理液貯留室13に連通して形成していればよく、処理液貯留室13の上部に形成した場合に限られず、処理液貯留室13の下部に形成してもよい。また、処理液排出口15も、処理液貯留室13に連通していればよく、処理液貯留室13の上部に形成した場合に限られず、処理液貯留室13の下部に形成してもよい。さらに、処理液供給口14と処理液排出口15は、図８に図示するように、ウエハＷを挟んで反対側に対向させた位置にそれぞれ形成してもよく、また、処理液排出口15は、ウエハＷの端部よりも内側に形成してもよい。

また、処理液供給部９は、処理液供給口14に処理液供給源16を連通連結する一方、処理液排出口15に吸引機17を連通連結している。

そして、処理液供給部９は、処理液供給源16から供給される処理液を処理液貯留室13に一時的に貯留し、処理液貯留室13において貯留した処理液にウエハＷの周縁部を浸漬させることでウエハＷの周縁部を処理液で処理することができ、吸引機17によって処理液を処理液貯留室13から排出することができるようになっている。

リンス液供給部10は、図５に示すように、処理ヘッド６の中央部に処理ヘッド６の進退方向（ウエハＷの半径方向）へ向けて伸延させるとともにスリット８（ガス噴出部12）に連通させたリンス液貯留室18を形成し、このリンス液貯留室18の上下幅をスリット８よりも広い上下幅に形成している。リンス液貯留室18の上部には、リンス液を供給するためのリンス液供給口19を形成し、リンス液貯留室18の下部には、リンス液を排出するためのリンス液排出口20を形成している。ここで、リンス液供給口19は、ウエハＷの端部よりも内側に形成して、ウエハＷの表面にリンス液を直接供給して良好にリンス処理できるようにし、また、リンス液排出口20は、ウエハＷの端部よりも内側に形成して、ウエハＷの周縁部にリンス液が円滑に流動するようにしている。なお、リンス液供給口19は、リンス液貯留室18に連通して形成していればよく、リンス液貯留室18の上部に形成した場合に限られず、リンス液貯留室18の下部に形成してもよい。また、リンス液排出口20も、リンス液貯留室18に連通していればよく、リンス液貯留室18の下部に形成した場合に限られず、リンス液貯留室18の後部に形成してもよい。

また、リンス液供給部10は、リンス液供給口19にリンス液供給源21を連通連結する一方、リンス液排出口20に吸引機22を連通連結している。

そして、リンス液供給部10は、リンス液供給源21から供給されるリンス液をリンス液貯留室18に一時的に貯留し、リンス液貯留室18において貯留したリンス液にウエハＷの周縁部を浸漬させることでウエハＷの周縁部をリンス液で処理することができ、吸引機22によってリンス液をリンス液貯留室18から排出することができるようになっている。

乾燥ガス供給部11は、図６に示すように、処理ヘッド６の下流部に処理ヘッド６の進退方向（ウエハＷの半径方向）へ向けて伸延させるとともにスリット８（ガス噴出部12）に連通させた乾燥ガス貯留室23を形成し、この乾燥ガス貯留室23の上下幅をスリット８よりも広い上下幅に形成している。乾燥ガス貯留室23の上部には、乾燥ガスを供給するための乾燥ガス供給口24を形成し、乾燥ガス貯留室23の下部には、乾燥ガスを排出するための乾燥ガス排出口25を形成している。ここで、乾燥ガス供給口24は、ウエハＷの端部よりも内側に形成して、ウエハＷの表面に乾燥ガスを直接供給して良好に乾燥処理できるようにし、また、乾燥ガス排出口25は、ウエハＷの端部よりも内側に形成して、ウエハＷの周縁部に乾燥ガスが円滑に流動するようにしている。なお、乾燥ガス供給口24は、乾燥ガス貯留室23に連通して形成していればよく、乾燥ガス貯留室23の上部に形成した場合に限られず、乾燥ガス貯留室23の上部下部両方に形成してもよい。

また、乾燥ガス供給部11は、乾燥ガス供給口24に乾燥ガス供給源26を連通連結する一方、乾燥ガス排出口25に吸引機27を連通連結している。

また、ガス噴出部12は、処理液貯留室13やリンス液貯留室18や乾燥ガス貯留室23よりも狭い上下幅のスリット８にガスを噴出するガス噴出口28と噴出したガスを吸引するガス吸引口29とを交互に格子点上に上下にそれぞれ形成し、ガス噴出口28にガス供給源30を圧力制御弁33を介して連通連結するとともに、ガス吸引口29に吸引機31を圧力制御弁34を介して連通連結している。

そして、ガス噴出部12は、ガス供給源30から供給されるガスをガス噴出口28からウエハＷの表面（上面及び下面）に向けて噴出することができ、噴出したガスを吸引機31によってガス吸引口29から外部に排出することができるようになっている。

なお、基板処理装置１は、周縁処理装置４の処理ヘッド６を上下に自由に可動可能に構成するとともに、ガス噴出部12のガス噴出口28からウエハＷの上面及び下面に向けてガスを噴出して、噴出したガスの圧力によってウエハＷとスリット８との間隔を一定に保持するようにしてもよい。

基板処理装置１は、以上に説明したように構成しており、以下に説明するようにしてウエハＷの周縁部を処理するようにしている。

まず、基板処理装置１は、基板保持装置３の上部の所定位置にウエハＷを載置し、基板保持装置３でウエハＷを吸引保持する。

次に、基板処理装置１は、周縁処理装置４の進退機構５によって処理ヘッド６をウエハＷに向けて所定位置まで前進させ、ウエハＷとの間にわずかな間隙を形成した状態でスリット８にウエハＷを挿通させる。

次に、基板処理装置１は、基板保持装置３でウエハＷを回転させ、処理液供給部９の処理液貯留室13に処理液供給源16から処理液を供給し、リンス液供給部10のリンス液貯留室18にリンス液供給源21からリンス液を供給し、乾燥ガス供給部11の乾燥ガス貯留室23に乾燥ガス供給源26から乾燥ガスを供給し、さらに、ガス噴出部12のガス噴出口28からガスを噴出するとともにガス吸引口29からガスを吸引する。そして、基板処理装置１では、処理液供給部９よりもウエハＷの周縁部に対して内側に隣設したガス噴出部12によってウエハＷの表面に向けてガスを噴出することで、噴出するガスの圧力でウエハＷの周縁部近傍を押圧して、ウエハＷとスリット８との間隙を確保しながらウエハＷの周縁部近傍の反りを矯正し、ウエハＷの周縁部を平坦な状態にして処理液貯留室13に浸漬してウエハＷの周縁部の所定範囲を精度良く処理できるようにしている。

このときに、図７に示すように、処理液は、処理液供給部９において、処理液供給口14から供給され、処理液貯留室13に一時的に貯留し、処理液排出口15からオーバーフローして排出される。ここで、処理液貯留室13に供給された処理液は、周縁処理装置４とウエハＷとの相対的な回転により作用する遠心力や処理液供給部９よりもガス噴出部12の上下幅が狭いことにより作用する表面張力によって、ガス噴出部12への浸入が阻害され、処理液貯留室13に一時的に貯留することになる。これにより、基板処理装置１では、処理液貯留室13に貯留した処理液にウエハＷの周縁部が浸漬し、ウエハＷの周縁部の所定範囲だけを処理液で処理することができる。一方、ガスは、ガス噴出部12において、ガス噴出口28からウエハＷの表面に吹き付けられ、ウエハＷとスリット８との間隙に沿って流れ、ガス吸引口29から外部に吸引される。

また、基板処理装置１では、処理液供給部９よりもウエハＷの周縁部に対して内側にガス噴出部12を隣設しているために、ガス噴出口28から噴出されるガスの圧力によって処理液貯留室13に貯留した処理液がウエハＷの内側に向けて流れ出るのを防止する効果もある。また、上下幅の異なる処理液貯留室13とスリット８との境界部分に形成されたエッジ部32に処理液とガスとの境界が形成されるために、基板処理装置１では、進退機構５で処理ヘッド６を進出又は後退させることで、処理液で処理するウエハＷの周縁部の範囲を調節することができるようにしている。なお、基板処理装置１では、処理液供給部９のウエハＷの回転方向の上流側及び下流側にもガス噴出部12を形成しているために、ガス噴出口28から噴出されるガスの圧力によって処理液貯留室13に貯留した処理液がウエハＷの回転方向の上流側及び下流側に向けて流れ出るのも防止できるようにしている。さらに、基板処理装置１では、処理液供給部９の表面を親水性素材で形成して処理液供給部９に処理液を満たしやすくする一方、ガス噴出部12を撥水性素材で形成することによっても、処理液供給部９から処理液がガス噴出部12に流れ出るのを阻害している。

また、リンス液は、リンス液供給部10において、リンス液供給口19から供給され、リンス液貯留室18に一時的に貯留し、リンス液排出口20から排出される。ここで、リンス液貯留室18に供給されたリンス液は、周縁処理装置４とウエハＷとの相対的な回転により作用する遠心力やリンス液供給部10よりもガス噴出部12の上下幅が狭いことにより作用する表面張力によって、ガス噴出部12への浸入が阻害され、リンス液貯留室18に一時的に貯留することになる。これにより、基板処理装置１では、リンス液貯留室18に貯留したリンス液にウエハＷの周縁部が浸漬し、ウエハＷの周縁部の所定範囲だけをリンス液で処理することができる。また、乾燥ガスは、乾燥ガス供給部11において、乾燥ガス供給口24から供給され、乾燥ガス貯留室23に一時的に貯留し、乾燥ガス排出口25から排出される。

そして、基板処理装置１では、リンス液供給部10や乾燥ガス供給部11よりもウエハＷの周縁部に対して内側に隣設したガス噴出部12によってウエハＷの表面に向けてガスを噴出しているために、噴出するガスの圧力でウエハＷの周縁部近傍を押圧して、ウエハＷとスリット８との間隙を確保しながらウエハＷの周縁部近傍の反りを矯正し、ウエハＷの周縁部を平坦な状態にしてリンス液貯留室18や乾燥ガス貯留室23でウエハＷの周縁部の所定範囲を精度良く処理できるようにしている。

また、基板処理装置１では、リンス液供給部10や乾燥ガス供給部11よりもウエハＷの周縁部に対して内側にガス噴出部12を隣設しているために、ガス噴出口28から噴出されるガスの圧力によってリンス液貯留室18や乾燥ガス貯留室23に貯留したリンス液や乾燥ガスがウエハＷの内側に向けて流れ出るのを防止する効果もある。また、基板処理装置１では、進退機構５で処理ヘッド６を進出又は後退させることで、リンス液や乾燥ガスで処理するウエハＷの周縁部の範囲を処理液で処理するウエハＷの周縁部の範囲と同時に調節することができるようにしている。

このようにして、基板処理装置１では、ウエハＷの回転方向に沿って上流側から順に処理液供給部９とリンス液供給部10と乾燥ガス供給部11を設けて、ウエハＷの周縁部を処理液供給部９において処理した後に、リンス液供給部10においてリンス処理し、乾燥ガス供給部11において乾燥処理するようにしている。なお、基板処理装置１では、基板保持装置３でウエハＷを連続して回転させることによって、周縁処理装置４の処理液供給部９・リンス液供給部10・乾燥ガス供給部11で薬液処理やリンス処理や乾燥処理を複数回繰り返して行うようにしている。

最後に、基板処理装置１は、処理液供給源16やリンス液供給源21や乾燥ガス供給源26からの処理液やリンス液や乾燥ガスの供給を停止するとともに、ガス噴出部12でのガスの噴出や吸引を停止し、基板保持装置３によるウエハＷの回転を停止し、進退機構５によって処理ヘッド６を所定位置まで後退させる。

以上に説明したように、ウエハＷの周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う上記基板処理装置１では、ウエハＷの周縁部を処理するための周縁処理装置４と、周縁処理装置４に対して相対的に回転するウエハＷを保持するための基板保持装置３とを設けるとともに、周縁処理装置４に、ウエハＷの周縁部に処理液を供給する処理液供給部９と、ウエハＷの周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部10と、ウエハＷの周縁部に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部11と、ウエハＷに向けてガスを噴出するガス噴出部12とをそれぞれ形成し、ウエハＷと周縁処理装置４との相対的な回転方向（ここでは、ウエハＷの回転方向）に沿って上流側から順に処理液供給部９とリンス液供給部10と乾燥ガス供給部11とを配置するとともに、これら処理液供給部９・リンス液供給部10・乾燥ガス供給部11よりもウエハＷの周縁部に対して内側にガス噴出部12を隣設した構成としている。

そして、上記構成の基板処理装置１では、周縁処理装置４をウエハＷに対して相対的に回転させ、処理液供給部９やリンス液供給部10や乾燥ガス供給部11からウエハＷの周縁部に処理液やリンス液や乾燥ガスを供給するとともに、これら処理液供給部９やリンス液供給部10や乾燥ガス供給部11よりもウエハＷの内側に隣設したガス噴出部12からウエハＷに向けてガスを噴出して、ウエハＷの周縁部の処理を行うようにしている。

そのため、上記構成の基板処理装置１では、処理液供給部９やリンス液供給部10や乾燥ガス供給部11よりもウエハＷの内側に隣設したガス噴出部12から噴出するガスによって、ウエハＷの反りを矯正してウエハＷの周縁部近傍を平坦に位置精度良く保持することができ、これによって、ウエハＷの周縁部の所定範囲を精度良く処理することができる。

しかも、上記構成の基板処理装置１では、処理液供給部９とリンス液供給部10と乾燥ガス供給部11での各処理を上流側から同時に行うことができるので、ウエハＷの周縁部の処理を短時間で行うことができ、これにより、基板処理装置１のスループットを向上させることができる。また、処理液供給部９とリンス液供給部10と乾燥ガス供給部11での各処理を周縁処理装置４の処理ヘッド６の内部で完結させることができ、外部に処理液やリンス液や乾燥ガスを排出することがなく、処理液やリンス液や乾燥ガスの回収装置などを別個設ける必要がない。

また、図８に示したように、処理液供給部９に処理液を供給する処理液供給口14と処理液供給部９から処理液を排出する処理液排出口15とをウエハＷを挟んで反対側にそれぞれ形成した場合には、新規な処理液をウエハＷの一方側（図８では、ウエハＷの上面側）から供給するとともに処理済の処理液をウエハＷの他方側（図８では、ウエハＷの下面側）から排出することができ、処理液を円滑に流動させることができ、処理するウエハＷの周縁部に常に新規な処理液を供給することができて、ウエハＷの周縁部の処理を良好に行うことができる。

また、上記構成の基板処理装置１では、ガス噴出部12で噴出したガスを吸引可能に構成しているために、噴出したガスをウエハＷの中央部まで拡散させることなく回収することができるとともに、ガスを噴出する圧力を吸引力で微調整して、ウエハＷの周縁を位置精度良く、また、平坦に保持することができる。

また、上記構成の基板処理装置１では、ガス噴出部12をウエハＷを挟んで反対側にそれぞれ形成しているために、それぞれのガス噴出部12でのガスを噴出する圧力を調整することができ、ウエハＷとスリット８との間隙を確保することができるとともに、ウエハＷの周縁を平坦に保持することができる。

さらに、上記構成の基板処理装置１では、周縁処理装置４をウエハＷの周縁部に対して内側に向けて相対的に移動可能に構成しているために、周縁処理装置４を進退移動させることで、周縁処理装置４で処理するウエハＷの周縁部の範囲を容易に調整することができる。

基板処理装置を示す平面図。同側面図。周縁処理装置を示す平面図。同断面側面図（処理液供給部）。同断面側面図（リンス液供給部）。同断面側面図（乾燥ガス供給部）。周縁処理装置での処理方法を示す説明図。周縁処理装置を示す断面側面図（処理液供給部）。

符号の説明

１基板処理装置２ケーシング
３基板保持装置４周縁処理装置
５進退機構６処理ヘッド
７ケーシング８スリット
９処理液供給部 10 リンス液供給部
11 乾燥ガス供給部 12 ガス噴出部
13 処理液貯留室 14 処理液供給口
15 処理液排出口 16 処理液供給源
17 吸引機 18 リンス液貯留室
19 リンス液供給口 20 リンス液排出口
21 リンス液供給源 22 吸引機
23 乾燥ガス貯留室 24 乾燥ガス供給口
25 乾燥ガス排出口 26 乾燥ガス供給源
27 吸引機 28 ガス噴出口
29 ガス吸引口 30 ガス供給源
31 吸引機 32 エッジ部
33,34 圧力制御弁
ＭモーターＴターンテーブル
Ｗウエハ

Claims

基板の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置において、
基板の周縁部を処理するための周縁処理装置と、周縁処理装置に対して相対的に回転する基板を保持するための基板保持装置とを有し、
周縁処理装置は、基板の周縁部に処理液を供給する処理液供給部と、基板の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部と、基板の周縁部に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部と、基板に向けてガスを噴出するガス噴出部とを有し、回転方向に沿って上流側から順に処理液供給部、リンス液供給部、乾燥ガス供給部を配置するとともに、これら処理液供給部・リンス液供給部・乾燥ガス供給部よりも基板の周縁部に対して内側にガス噴出部を隣設したことを特徴とする基板処理装置。
前記周縁処理装置は、貯留した処理液に前記基板を浸漬させるための処理液貯留室を前記処理液供給部に形成したことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記周縁処理装置は、前記処理液供給部に処理液を供給する処理液供給口と前記処理液供給部から処理液を排出する処理液排出口とを前記基板を挟んで反対側にそれぞれ形成したことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
前記周縁処理装置は、前記ガス噴出部で噴出したガスを吸引可能に構成したことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。
前記周縁処理装置は、前記ガス噴出部を前記基板を挟んで反対側にそれぞれ形成したことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の基板処理装置。
前記周縁処理装置は、前記基板の周縁部に対して内側に向けて相対的に移動可能に構成したことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の基板処理装置。
基板の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理方法において、
基板の周縁部に配設した周縁処理装置を基板に対して相対的に回転させ、周縁処理装置に回転方向に沿って上流側から順に形成した処理液供給部とリンス液供給部と乾燥ガス供給部から処理液とリンス液と乾燥ガスとをそれぞれ供給するとともに、これら処理液供給部・リンス液供給部・乾燥ガス供給部よりも基板の内側に隣設したガス噴出部から基板に向けてガスを噴出して、基板の周縁部の処理を行うことを特徴とする基板処理方法。