JPS61101410A - 多結晶珪素の製造法及びそのための装置 - Google Patents

多結晶珪素の製造法及びそのための装置

Info

Publication number
JPS61101410A
JPS61101410A JP59223177A JP22317784A JPS61101410A JP S61101410 A JPS61101410 A JP S61101410A JP 59223177 A JP59223177 A JP 59223177A JP 22317784 A JP22317784 A JP 22317784A JP S61101410 A JPS61101410 A JP S61101410A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
core
temperature
silicon
container
polycrystalline silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59223177A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0475161B2 (ja
Inventor
Hiroshi Ishizuka
博 石塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to JP59223177A priority Critical patent/JPS61101410A/ja
Priority to US06/787,079 priority patent/US4715317A/en
Priority to EP85307618A priority patent/EP0180397B1/en
Priority to DE8585307618T priority patent/DE3586412T2/de
Priority to BR8505301A priority patent/BR8505301A/pt
Publication of JPS61101410A publication Critical patent/JPS61101410A/ja
Publication of JPH0475161B2 publication Critical patent/JPH0475161B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は水素化珪素、特にシランの熱分解による多結晶
珪素の製造法及びこの方法の実施に適した装置に関する
。
多結晶珪素は一般に、珪素又は高融点金属のフィラメン
トからなる芯体を通電によって約８００℃。
以上の赤熱状態とし、この表面上に水素化珪素（ＳｉＨ
，，８ｉ、Ｈ，等）のガスを導き、芯体上に分解析出さ
せることにより棒状珪素　を得る方法が広（工業的に用
いられているが、この工程は通常ステンレス鋼製の容器
内で行われ、器壁は水冷によって室温近くまで冷却され
る。つまり気相の水素化珪素は容易に熱分解して微粉状
の珪素となるので。
棒状に析出する珪素の歩留り低下を防ぐため、また芯体
上の析出珪素が器壁材で汚染されるのを防ぐため、器壁
及び内部の気相の温度は、できる限り冷却されている。
従って芯体の加熱に投入したエネルギーは、ごく一部分
のみが反応の進行に利用され、残りの大部分は冷却材の
水によって掃去られることになり。
これが珪素の析出量に対し多量の電力を消費する原因と
なっている。
またこのような芯体の材質としては高純度の珪素線を用
いることが多いが、珪素は常温付近では電気抵抗が大き
いので、珪素の芯体を用いろ場合は高電圧を印加するか
、或は珪素の抵抗が小さくなる４００″Ｃ，付近にまで
、特別な加熱装置を用いて芯体を予熱することが必要で
ある。
従って本発明はこのような水素化珪素の熱分解法におけ
る従来技術の問題点を解決した。エネルギー効率のよい
方法及びその実施に適したコンパクトな装置を提供する
ことを主な目的とする。
本発明者の知見によれば１例えばＳｉＨ，の熱分解は約
３８０℃２位から徐々に生じるが、約４５０℃、以下の
温度ではその速度は充分に小さく、７００Ｃ，の場合に
比べると寡ｏ　ｏ　ｏ以下であり、８００℃０以上の芯
体温度に対して器壁を４００′Ｃ，に保っても、芯体外
の容器内で析出する珪素の食は実際上無視できる。また
他の水素化珪素についても同様のことが言える。
本発明はこのような知見に基いて達成されたものであっ
て９本発明方法の要旨とするところは。
ガス状の水素化珪素を８：Ａ製容器内へ導入し、該水素
化珪素を通電により赤熱させた芯体の表面で熱分解して
該芯体上に単体珪素として析出させる・方法忙おいて、
該容器外壁面の温度を１００〜４５０℃。
の範囲とし、かつ該芯体との間に１００〜７００’Ｃ，
の温度差を保って珪素の析出を行うことを特徴とする。
多結晶珪素の製造法に存する。
この方法に適用可能な水素化珪素としてはモノシラン、
ジシラン、その他塩素等の鋼材腐食性生成物を発生しな
いシラン系の化合物か挙げられろ。
鋼製の反応容器は、内部で珪素の析出を行う期間を通じ
て、器壁の温度を上記範囲、特に５００〜４５０”Ｃの
間に保ち、かつ赤熱状態の芯体に対しては３００〜５０
０″Ｃ，の範囲の温度差を保つのが好ましい。このよう
な温度条件は次のように構成された装置を用いることに
より２％に好適に実施することができる。即ち本発明の
第二の要旨は、一端に着脱可能な蓋を持つ本質的に密閉
した縦長ｎｉ＆製反応容器及び該反応容器を包囲して設
けた保温空間並びに該保温空間内又は該保温空間と径路
な介して接続され、かつガスの加熱及び冷却が可能な温
度制御装置を有し、該反応容器には該蓋から軸℃、の温
度範囲に保温しつ瓦、芯体上に水素化珪素の熱分解によ
り生成する珪素を析出させるべく構成したことを特徴と
する。多結晶珪素の製造装置に存する。
本発明装置においては反応容器の周囲にジャケットを設
け、あるいは反応容器をより大きな容器に挿入して中間
の空間を保温空間として用い、これらの保温空間に調温
したガスを保持又は通過させることによって器壁面及び
内刃の温度調節を行う。利用するガスとしては万一反応
容器内へ漏入、した場合の製品の汚染を考慮して、凡や
Ａｒとするのが好ましい。また大気混入による汚染防止
及び熱交換効率の観点から、保温ガスの圧力は大気圧に
対して正圧とするのがよい。
保温ガスの加熱には内蔵の、又は保温空間から分離して
ガスの循環路上に設けた電熱ヒーターを。
里た冷却には水冷式の熱交換器を用いることができる。
本発明装置においては吊下げ、又は据付方式にて１個又
は複数個の芯体が設置される。複数の芯体を併設する場
合、＠接芯体に挾まれた容器内空間は１反応時に双方の
赤熱状態の芯体から強い熱放射を受けるため極度の高温
となり、無効な珪素て延びた中空の隔壁を設け、この空
洞な器壁周囲の保温空間と連結する。調温した保温ガス
をこのような隔壁内へ送りこみ、この芯体中間領域な器
壁と同程度の温度に保つことによって、珪素のこの部分
での無効な熱分解反応を大巾に抑制することかできるの
である。
本発明に従って構成された保温空間は、芯体への通電に
先立ち調温された高温ガスを満たすことによって、芯体
を電気抵抗が減少する４００’Ｃ０程度まで加熱するこ
とができる。これによって従来必要とされていたような
特別な芯体予熱装置を用いな（とも、低電圧にて芯体の
起動が可能となる。
本発明装置に用いられる反応系は金属材に対して腐食性
を示さないので２反応容器の構成材としては５００℃、
付近の温度で成分の蒸気圧が低いものであれば特に制限
はないが、入手及び保守の面からＳＵＳ系鋼材を用いる
のが好ましい。
次に本発明を添付の図面によって説明する。
第１図は本発明方法の実施に適した装置の一例を略示す
る縦断面図、第２図は別の例を示す縦断面図、第３図は
第２図の装置のＡ−Ａにおける平面断面図である。これ
らは同時に本発明装置の例でもある。１図において全体
を１として示す反応容器１は本質的に円筒状の密閉構造
で、この大部分を包囲するジャケット２を有する。ジャ
ケット２の頂部及び低部は温度調節器３に連結されてい
る。反応容器１の上部はジャケット４を備えた蓋５で密
閉され。
この蓋を貫通して２組の電極系ｅ（Ｘデ取付けられる。
電極集合体は冷却のため人口６１０．及び出ロア３．歯
を経て水を流通可能とし、絶縁材８３．奪で保護されて
いる。銅電極の端部はＴａの接続具９１．菅を介して。
一対の垂直部分及びこれらを接続する水平部分を有する
高純反珪素製の芯体１０　　が張られている。
供給管１１を経て導入される水素化珪素のガスは加熱分
解により珪素を生じ、これは芯体上に析出する。析出を
行う間を通じてジャケット２及び４には保温媒として１
００〜４５０　′ｃ、の温度に調温されたガスが送りこ
まれ、ガスの調温は温度調節器３のヒーター１２又は熱
交換器１３を作動させて行う。反応副生成物Ｈ５の除去
、並びに容器内の減圧のために、蓋５にはさらに排気口
１４が設けられている。
反応の監視は覗き窓１５から行う。
＠２図及び第３図は同一反応容器内に二組の芯体１６．
１７を設けた場合の構成例である。第１図の場合との相
違点を中心に説明すると、これらの芯体は反応容器１８
の底部を閉鎖する蓋１９上に据付けられている。両芯体
１６．１７の中間には中空板状の隔壁部分２０．、、が
、また各芯体の２本の垂直部分の間にはこの隔壁部分に
直角に第二の中空隔壁部分２１８３、が配置される。こ
れらの各隔壁部分内の空洞には。
例えば細管２２．　％ｓの挿入によってガスの径路を設
け、径路の廁端を蓋１９及び賽器誌肉慝渡上のジャケッ
ト２３　　と連結し、これらはさらに送風機２５及び温
度調節器２６と連結する。隔壁の高さ及び幅は。
芯体相互間の輻射熱の大半を遮断するに充分な寸法とす
ればよい。電極集合体２７．２８は、第１図の場内の減
圧は排気口３０かも行い２反応は覗き窓３１ｉ、ｔかも
監視する。
以上１本発明方法の実施に適した装置の例を示したが、
このほかにも芯体を除く反応容器内空間を１００〜４５
０’Ｑに保温するという１本発明の思想に沼って構成さ
れた装置も本発明の実施に適することは言うまでもない
。
実施例を 本質的に第１図に示す装置を用いた。反応容器は内径１
．２７ＦＬ、長さ２．０ＴＬの５ＵＳ３１６種ｆｉ裂テ
、周囲及び底部を幅１０ｃＩＩＬのジャケットで覆った
。このジャケットを適轟な加熱・冷却能力をもつ電熱・
水冷タイプの温Ｉ！！調節器と接続した。−万、直径５
藺、長さ１２０ｃＷＬの高純度珪素２本を、同径で長さ
６０ｃｍの同様の珪素棒で接続し、芯体として全体を蓋
から吊下げた。ジャケット内のＡｒガスを加熱し器壁面
でｓ　ｏ　ｏ　ｃ、とじ、内方の芯体を予熱した。
芯体の温度が約４５０Ｈに達した段階で通電を開始し、
約９００’Ｃ，まく加熱し、−芳容器外壁面を４００′
Ｃ，に保ちながら芯体上方から、ＳｉＨ，＾＝１１０の
混合ガスを供給した。芯体表面での珪素の析出速度は８
〜１０　ａ−４で、直径がＩＱＯｆｆｉ１１釦達するま
での所要時間は約９０時間であった。これは器壁を室温
近くまで冷却して反応を行う従来法の約半分であり。
また使用電力量も約７０俤節減され、しかも従来同様良
質の棒状高純度珪素が得られた。
実施例２゜ 上記実施例において、ジャケットのガス温度を同一に保
ちながら、−万芯体の温度を約１０００″Ｃ，に保りて
ＳｉＬの分解反応な行なった。この場合。
析出速度を上記の２倍にしても同様の良質の高純度珪素
が得られた。
実施例３゜ 実施例１の条件でＳｉＨ，の分解反応を、直径が１５０
韻に達するまで続行した。所要時間は約１３０時間で従
来法の約４５チに短縮され、使用電力も約７５チ節約で
き、しかも品質は実施例１の場合とはソ同一であった。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明忙従って構成された多結晶珪素の製造装
置の一例な略示する縦断面図、第２図及び第３図は別の
例の概略縦断面図及び第２図のＡ＝Ａにおける平面断面
図である。 １・・・・・・反応容器：　３・・・・・・温度調節器
；　５・・・・・・蓋；１０・・・・・・芯体；１１・
・・・・・供給管；　　１ａ１７・・・・・・芯体；１
８・・・・・・反応容器；１９・・・・・・蓋；　　２
０．２１・・・・・・隔壁部分；２５・・・・・・送風
機；２６・・・・・・温度調節器：２７．２８−・・・
・・電極集合体；２９・・・・・・供給管。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、ガス状の水素化珪素を金属製容器内へ導入し、該水
    素化珪素を通電により赤熱させた芯体の表面で熱分解し
    て該芯体上に単体珪素として析出させる方法において、
    該容器外壁面の温度を１００〜４５０℃．の範囲とし、
    かつ該芯体との間に１００〜７００℃．の温度差を保っ
    て珪素の析出を行うことを特徴とする、多結晶珪素の製
    造法。 ２、上記容器外壁面の温度が３００〜４５０℃．である
    、特許請求の範囲第１項記載の多結晶珪素の製造法。 ３、上記温度差が３００〜５００℃．である、特許請求
    の範囲第１項記載の多結晶珪素の製造法。 ４、上記水素化珪素がモノ又はジシランである、特許請
    求の範囲第１項記載の多結晶珪素の析出法。 ５、一端に着脱可能な蓋を持つ本質的に密閉した縦長の
    金属製容器及び該容器を包囲して設けた保温空間並びに
    該保温空間内又は該保温空間と径路を介して接続され、
    かつガスの加熱及び冷却が可能な温度制御装置を有し、
    該容器には該蓋から軸に沿って延びた導電発熱性の芯体
    を備え、こうして調温された保温ガスを該保温空間に保
    持せしめることによって器壁を１００〜４５０℃．の温
    度範囲に保温しつゝ、芯体上に水素化珪素の熱分解によ
    り生成する珪素を析出させるべく構成したことを特徴と
    する、多結晶珪素の製造装置。 ６、同一容器内に配設された上記芯体が全体として、軸
    方向に延びた複数の芯体部分を有し、隣接芯体部分は軸
    方向に延びた隔壁によって互に隔てられ、該隔壁は内部
    に上記の保温空間と連結した空洞を有し、こうして隔壁
    付近の温度を所定のレベルに制御できるようにした、特
    許請求の範囲第５項記載の多結晶珪素の製造装置。
JP59223177A 1984-10-24 1984-10-24 多結晶珪素の製造法及びそのための装置 Granted JPS61101410A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59223177A JPS61101410A (ja) 1984-10-24 1984-10-24 多結晶珪素の製造法及びそのための装置
US06/787,079 US4715317A (en) 1984-10-24 1985-10-15 Method for producing of polycrystalline silicon and apparatus thereof
EP85307618A EP0180397B1 (en) 1984-10-24 1985-10-22 Method and apparatus for the production of polycrystalline silicon
DE8585307618T DE3586412T2 (de) 1984-10-24 1985-10-22 Verfahren und vorrichtung zur herstellung von polykristallinem silicium.
BR8505301A BR8505301A (pt) 1984-10-24 1985-10-23 Processo e aparelho para producao de silicone policristalino

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59223177A JPS61101410A (ja) 1984-10-24 1984-10-24 多結晶珪素の製造法及びそのための装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61101410A true JPS61101410A (ja) 1986-05-20
JPH0475161B2 JPH0475161B2 (ja) 1992-11-30

Family

ID=16794008

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59223177A Granted JPS61101410A (ja) 1984-10-24 1984-10-24 多結晶珪素の製造法及びそのための装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4715317A (ja)
EP (1) EP0180397B1 (ja)
JP (1) JPS61101410A (ja)
BR (1) BR8505301A (ja)
DE (1) DE3586412T2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1992000245A1 (en) * 1990-06-27 1992-01-09 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Method of producing polycrystalline silicon rods for semiconductors and thermal decomposition furnace therefor
JP2009173492A (ja) * 2008-01-25 2009-08-06 Mitsubishi Materials Corp 多結晶シリコン製造装置
JP2009221058A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Mitsubishi Materials Corp 多結晶シリコン製造装置
JP2009536914A (ja) * 2006-05-11 2009-10-22 コリア リサーチ インスティチュート オブ ケミカル テクノロジー 混合されたコア手段を使用した高純度シリコン棒の製造装置及び製造方法
JP2010030878A (ja) * 2008-06-24 2010-02-12 Mitsubishi Materials Corp 多結晶シリコン製造装置
JP2010138065A (ja) * 2008-12-11 2010-06-24 Wacker Chemie Ag ゲルマニウムで合金化された多結晶シリコン及びその製造方法
JP2010254539A (ja) * 2009-04-28 2010-11-11 Mitsubishi Materials Corp 多結晶シリコン製造装置
JP2016033112A (ja) * 2008-03-21 2016-03-10 三菱マテリアル株式会社 多結晶シリコン製造方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4805556A (en) * 1988-01-15 1989-02-21 Union Carbide Corporation Reactor system and method for forming uniformly large-diameter polycrystalline rods by the pyrolysis of silane
DE59003200D1 (de) * 1989-06-30 1993-12-02 Siemens Ag Herstellverfahren für eine polykristalline Siliziumschicht mit definierter Korngrösse und Textur.
US5478396A (en) * 1992-09-28 1995-12-26 Advanced Silicon Materials, Inc. Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications
US5382419A (en) * 1992-09-28 1995-01-17 Advanced Silicon Materials, Inc. Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications
EP0636704B1 (en) * 1993-07-30 1999-11-03 Applied Materials, Inc. Silicon nitride deposition
JP4861016B2 (ja) * 2006-01-23 2012-01-25 株式会社東芝 処理装置
DE102006037020A1 (de) * 2006-08-08 2008-02-14 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von hochreinem polykristallinem Silicium mit reduziertem Dotierstoffgehalt
CN102027156A (zh) * 2008-03-26 2011-04-20 Gt太阳能公司 在化学气相沉积反应器中用于配气的系统和方法
US8540818B2 (en) * 2009-04-28 2013-09-24 Mitsubishi Materials Corporation Polycrystalline silicon reactor
US8911659B2 (en) * 2012-04-20 2014-12-16 Creative Innovations, Inc. Method and apparatus for manufacturing silicon seed rods
IT201900000235A1 (it) * 2019-01-09 2020-07-09 Lpe Spa Camera di reazione per un reattore di deposizione con intercapedine ed elemento di chiusura inferiore e reattore

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3335697A (en) * 1954-05-18 1967-08-15 Siemens Ag Apparatus for vapor deposition of silicon
NL122356C (ja) * 1954-05-18 1900-01-01
NL113990C (ja) * 1955-11-02
DE1150366B (de) * 1958-12-09 1963-06-20 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium
NL251143A (ja) * 1959-05-04
DE1155759B (de) * 1959-06-11 1963-10-17 Siemens Ag Vorrichtung zur Gewinnung reinsten kristallinen Halbleitermaterials fuer elektrotechnische Zwecke
DE1185150B (de) * 1960-02-23 1965-01-14 Siemens Ag Verfahren zur Gewinnung von reinstem Halbleitermaterial, insbesondere Silicium
CA957828A (en) * 1970-10-21 1974-11-19 Howard B. Bradley Method for making silicon metal
GB2028289B (en) * 1978-08-18 1982-09-02 Schumacher Co J C Producing silicon
DE2854707C2 (de) * 1978-12-18 1985-08-14 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Vorrichtung zur thermischen Zersetzung gasförmiger Verbindungen und ihre Verwendung
US4550684A (en) * 1983-08-11 1985-11-05 Genus, Inc. Cooled optical window for semiconductor wafer heating

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1992000245A1 (en) * 1990-06-27 1992-01-09 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Method of producing polycrystalline silicon rods for semiconductors and thermal decomposition furnace therefor
JP2009536914A (ja) * 2006-05-11 2009-10-22 コリア リサーチ インスティチュート オブ ケミカル テクノロジー 混合されたコア手段を使用した高純度シリコン棒の製造装置及び製造方法
JP2009173492A (ja) * 2008-01-25 2009-08-06 Mitsubishi Materials Corp 多結晶シリコン製造装置
JP2009221058A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Mitsubishi Materials Corp 多結晶シリコン製造装置
JP2016033112A (ja) * 2008-03-21 2016-03-10 三菱マテリアル株式会社 多結晶シリコン製造方法
JP2010030878A (ja) * 2008-06-24 2010-02-12 Mitsubishi Materials Corp 多結晶シリコン製造装置
JP2010138065A (ja) * 2008-12-11 2010-06-24 Wacker Chemie Ag ゲルマニウムで合金化された多結晶シリコン及びその製造方法
JP2010254539A (ja) * 2009-04-28 2010-11-11 Mitsubishi Materials Corp 多結晶シリコン製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0475161B2 (ja) 1992-11-30
EP0180397A3 (en) 1988-04-06
DE3586412T2 (de) 1993-02-18
EP0180397A2 (en) 1986-05-07
US4715317A (en) 1987-12-29
BR8505301A (pt) 1986-08-05
EP0180397B1 (en) 1992-07-29
DE3586412D1 (de) 1992-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS61101410A (ja) 多結晶珪素の製造法及びそのための装置
EP1257684B1 (en) Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon
CA1083728A (en) Method and apparatus for manufacturing high-purity silicon rods
US3147141A (en) Apparatus for the manufacture of high purity elemental silicon by thermal decomposition of silane
US8399072B2 (en) Process for improved chemcial vapor deposition of polysilicon
US6365225B1 (en) Cold wall reactor and method for chemical vapor deposition of bulk polysilicon
TWI464292B (zh) 塗覆金之多晶矽反應器系統和方法
US6221155B1 (en) Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production
US4123989A (en) Manufacture of silicon on the inside of a tube
WO2000049199A1 (en) Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon
JP4741599B2 (ja) 電解製錬槽の内部冷却
TWI470718B (zh) 用於沉積一物質之製造設備及使用於其中之一電極
US4158038A (en) Method and apparatus for reducing residual stresses in crystals
JP5444839B2 (ja) トリクロロシラン製造装置及び製造方法
US4724160A (en) Process for the production of semiconductor materials
US3330251A (en) Apparatus for producing highest-purity silicon for electric semiconductor devices
TW201037107A (en) Apparatus and method of manufacturing polysilicon
JP5653830B2 (ja) 多結晶シリコン製造装置および多結晶シリコン製造方法
TWI593627B (zh) Polycrystalline silicon crystal stick and its manufacturing method
CN114381800A (zh) 单晶氧化镓的制备方法及用于制备单晶氧化镓的工艺设备
JP2001278611A (ja) 多結晶シリコンの製造方法および装置
TWI505743B (zh) 用於沉積一物質之製造設備及使用於其中之一電極
JPH07226384A (ja) 半導体グレード・シリコンの化学蒸着用反応器
JPS6077115A (ja) 高純度シリコンの製造方法およびその装置
WO2010113298A1 (ja) 気相反応装置