DE1150366B - Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium

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DE1150366B
DE1150366B DES60881A DES0060881A DE1150366B DE 1150366 B DE1150366 B DE 1150366B DE S60881 A DES60881 A DE S60881A DE S0060881 A DES0060881 A DE S0060881A DE 1150366 B DE1150366 B DE 1150366B
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DE
Germany
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reaction vessel
silicon
reaction
production
gas
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Pending
Application number
DES60881A
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English (en)
Inventor
Arno Kersting
Dr Phil Nat Konrad Reuschel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/021Preparation
    • C01B33/027Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

DEUTSCHES
PATENTAMT
S 60881 IVa/12 i
ÄNMELDETAG: 9. DEZEMBER 1958
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UNDAUSGABEDER
AUSLEGESCHRIFT: 20. JUNI 1963
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium, das als Grundmaterial für elektrische Halbleitergeräte geeignet ist, bei dem das Silicium durch chemische Umsetzung aus einer gasförmigen Verbindung mit Hilfe eines als Reduktionsmittel wirkenden Trägergases innerhalb eines mindestens teilweise durchsichtigen Reaktionsgefäßes aus Glas oder Quarz auf aus Silicium bestehenden Trägerstäben abgeschieden und die Temperatur des Reaktionsgefäßes während der Abscheidung zwischen etwa 300 und 8000C gehalten wird, nach Patent 1105 396. Es hat sich erwiesen, daß besonders bei größerem Gasdurchsatz unter Umständen die Zylinderwand bis unter die Mindesttemperatur abgekühlt werden kann. Dieser Nachteil wird erfindungsgemäß dadurch vermieden, daß das Reaktionsgasgemisch vor dem Eintritt in das Reaktionsgefäß vorgeheizt wird.
Natürlich darf die Vorheizung nicht so stark sein, daß etwa die obere Grenze des erwähnten Temperaturbereiches überschritten wird.
Die aus dem Reaktionsgefäß austretenden heißen Restgase können mittels eines Wärmeaustauschers zur Vorheizung des zugeführten Reaktionsgasgemisches verwendet werden. Die Vorheizung kann in einfacher Weise dadurch ausgeführt werden, daß das Zuleitungsrohr für das Reaktionsgemisch über eine ausreichende Länge durch das Austrittsrohr der heißen Restgase dem Reaktionsgefäß zugeführt wird. Zu diesem Zweck wird das Gaszuleitungsrohr zur besseren Wärmeübertragung vorteilhaft aus einem gut wärmeleitenden Material, beispielsweise Silber oder Kupfer, hergestellt. Das Gasaustrittsrohr wird gegen Wärmeabstrahlung nach außen isoliert.
Das Gasgemisch kann ferner dadurch vorgeheizt werden, daß das Gaszuleitungsrohr vor dem Reaktionsgefäß über eine ausreichende Länge elektrisch geheizt oder durch einen Ofen geführt wird.
Eine Anordnung, mit der das erfindungsgemäße Verfahren in einfacher Weise durchgeführt werden kann, ist in der Figur veranschaulicht. Der erforderliche Wasserstoff wird einer Gasflasche 1 über ein Absperrventil 2 und ein mehrstufiges Reduzierventil 3 sowie einem Gasdurchflußmesser 4 entnommen und der Gasverdampferanlage 5 zugeführt. Dort mischt er sich mit dem verdampften Reaktionsgas und wird dann durch das Gaszuleitungsrohr 6 über eine Düse 7, die eine trubulente Strömung erzeugt, zu den mit Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium
Zusatz zum Patent 1105 396
Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Arno Kersting, Erlangen,
und Dr. phil. nat. Konrad Reuschel, Pretzfeld (OFr.), sind als Erfinder genannt worden
ao Hilfe einer Wechselspannungsquelle 8 beheizten Trägerstäben 9 geführt. Die Trägerstäbe sind in einem luftdicht abgeschlossenen Quarzzylinder 10 auf einer Graphithalterung 11 frei stehend angeordnet und an ihren oberen Enden durch eine Siliziumbrücke 12 stromleitend miteinander verbunden. Die verbrauchten Restgase treten durch das wärmeisolierte Austrittsrohr 13 aus und strömen in entgegengesetzter Richtung zum zugeführten Reaktionsgasgemisch am Gaszuleitungsrohr 6 entlang.

Claims (2)

  1. Patentansprüche:
    1. Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium, bei dem das Silicium durch chemische Umsetzung aus einer gasförmigen Verbindung mit Hilfe eines als Reduktionsmittel wirkenden Trägergases innerhalb eines mindestens teilweise durchsichtigen Reaktionsgefäßes aus Glas oder Quarz auf aus Silicium bestehenden Trägerstäben abgeschieden und die Temperatur des Reaktionsgefäßes während der Abscheidung zwischen etwa 300 und 8000C gehalten wird, nach Patent 1105 396, dadurch gekennzeichnet, daß das Reaktionsgemisch vor dem Eintritt in das Reaktionsgefäß vorgeheizt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Reaktionsgemisch mit den aus dem Reaktionsgefäß austretenden verbrauchten Restgasen vorgewärmt wird.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DES60881A 1958-12-09 1958-12-09 Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium Pending DE1150366B (de)

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US853886A US3057690A (en) 1958-12-09 1959-11-18 Method for producing hyperpure silicon
BE585390A BE585390A (fr) 1958-12-09 1959-12-07 Procédé de fabrication de silicium de très grande pureté.
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