JP2009221058A - 多結晶シリコン製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】反応炉の底板部2に、シリコン芯棒4を上下方向に沿って立設する複数の電極5が配設されており、その電極5は、底板部2に形成した貫通孔21内に挿入状態に設けられ内部に冷却媒体が流通する電極ホルダ22と、電極ホルダ22の上端部に設けられシリコン芯棒4を保持する芯棒保持部23とを有し、貫通孔21の内周面と電極ホルダ22との間に貫通孔21内で電極ホルダ22の周りを囲む環状絶縁材34が設けられ、反応炉の底板部2上に、環状絶縁材34の上端部よりも大径の遮熱リング41が電極ホルダ22を囲むように設けられている。
【選択図】図2
Description
反応炉の底板部に座ぐり部を設けたことにより、この座ぐり部の深さの範囲においては、遮熱リングの外周面が座ぐり部の内周面に対向することになる。したがって、その部分では、反応炉からの輻射熱が座ぐり部の内壁によって遮られることになり、遮熱リングに到達する輻射熱が低減される結果、環状絶縁材を輻射熱からより有効に保護することができる。
貫通孔の内周面と電極ホルダとの間で反応炉の内部に向けられた環状絶縁材の上端部の上面が電極ホルダの拡径部により少なくとも一部分覆われた状態となるので、この上面に向かう輻射熱を電極ホルダが負担することになり、環状絶縁材に直接作用する輻射熱を少なくすることができる。しかも、この電極ホルダには冷却媒体が流通していることから、環状絶縁材の冷却効果も高めることができる。
図1は本発明が適用される多結晶シリコン製造装置の全体図であって、該多結晶シリコン製造装置の反応炉1は、炉底を構成する底板部2と、この底板部2上に脱着自在に取り付けられた釣鐘形状のベルジャ3とを具備している。この場合、底板部2の上面はほぼ平坦な水平面に形成されるが、ペルジャ3は、全体として釣鐘形状をしていて、天井がドーム型であるので、その内部空間は中央部が最も高く外周部が最も低く形成されている。また、底板部2及びペルジャ3の壁はジャケット構造(図示略)とされ、冷却水によって冷却されるようになっている。
2 底板部
3 ベルジャ
4 シリコン芯棒
5 電極
6 噴出ノズル
7 排気口
8 原料ガス供給源
9 排ガス処理系
10 冷却流路
12 連結部材
13 シード組み立て体
21 貫通孔
22 電極ホルダ
23 芯棒保持部
24 ロッド部
25 拡径部
26 ねじ軸部
27 冷却流路
28 おねじ部
31 ストレート部
32 テーパ部
33 座ぐり部
34 環状絶縁材
35 つば付きスリーブ
36 コーン部材
37 つば部
38 ナット
41 遮熱リング
42 円弧板
43 めねじ部
44 孔
Claims (4)
- 反応炉の底板部に配設された複数の電極に、上下方向に延びるシリコン芯棒をそれぞれ立設しておき、反応炉内に原料ガスを供給するとともに、前記シリコン芯棒に前記電極から通電することによりシリコン芯棒を発熱させて、該シリコン芯棒の表面に前記原料ガスによって多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造装置において、
前記電極は、前記底板部に形成した貫通孔内に挿入状態に設けられ内部に冷却媒体が流通する電極ホルダと、該電極ホルダの上端部に設けられ前記シリコン芯棒を保持する芯棒保持部とを有し、前記貫通孔の内周面と前記電極ホルダとの間に前記貫通孔内で電極ホルダの周りを囲む環状絶縁材が設けられ、前記反応炉の底板部上に、前記環状絶縁材の上端部よりも大径の遮熱リングが前記電極ホルダを囲むように設けられていることを特徴とする多結晶シリコン製造装置。 - 前記底板部の上面には前記貫通孔の開口部を拡径した座ぐり部が形成され、該座ぐり部内に前記遮熱リングが設けられていることを特徴とする請求項1記載の多結晶シリコン製造装置。
- 前記電極ホルダには、前記環状絶縁材の上端部の上面に接触する拡径部が形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の多結晶シリコン製造装置。
- 前記遮熱リングは石英からなることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の多結晶シリコン製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008068324A JP5266817B2 (ja) | 2008-03-17 | 2008-03-17 | 多結晶シリコン製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008068324A JP5266817B2 (ja) | 2008-03-17 | 2008-03-17 | 多結晶シリコン製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009221058A true JP2009221058A (ja) | 2009-10-01 |
JP5266817B2 JP5266817B2 (ja) | 2013-08-21 |
Family
ID=41238253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008068324A Active JP5266817B2 (ja) | 2008-03-17 | 2008-03-17 | 多結晶シリコン製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5266817B2 (ja) |
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JP5266817B2 (ja) | 2013-08-21 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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