JP5157807B2 - 多結晶シリコン製造装置 - Google Patents
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Description
図1は本発明が適用される多結晶シリコン製造装置の全体図である。この多結晶シリコン製造装置の反応炉1は、炉底を構成する底板部2と、この底板部2上に脱着自在に取り付けられた釣鐘形状のベルジャ3とを具備している。底板部2の上面はほぼ平坦な水平面に形成される。ベルジャ3は、全体として釣鐘形状をしていて、天井がドーム型に形成されている。底板部2及びベルジャ3の壁はジャケット構造(図示せず)とされ、冷却水によって冷却される。
図2に示すように、電極ユニット5Aは1本のシリコン芯棒4を保持する1本用電極ユニット5A、電極ユニット5Bは2本のシリコン芯棒4を保持する2本用電極ユニット5Bである。これら電極ユニット5A,5Bは、底板部2に形成された貫通孔21に取り付けられている。シリコン芯棒4は、下端部がこれら電極ユニット5A,5Bに差し込まれた状態に固定されることにより、上方に延びて立設されている。
これらシリコン芯棒4のうちの二本ずつを対として連結するように、上端部に1本の短尺の連結部材12が取り付けられている。この連結部材12もシリコン芯棒4と同じシリコンによって形成される。これら二本のシリコン芯棒4とこれらを連結する連結部材12とによって、全体としてΠ字状となるようにシード組み立て体13が組み立てられている。
電極ユニット5A,5Bは、反応炉1の底板部2に形成した貫通孔21内に挿入された電極ホルダと、この電極ホルダの上部に取り付けられた電極とを備えている。これら電極ホルダはステンレス鋼等の導電材から形成され、電極はカーボン等により形成されている。
1本用電極ユニット5Aの電極ホルダは全体として棒状に形成され、その上部に電極が同軸状に固定されるのに対して、2本用電極ユニット5Bの電極ホルダ46は上端部で二股状に分岐したT字状に形成され、分岐した両端部それぞれに電極47が備えられている。
副生成物Bは、電極ホルダ46が冷却されているためにこの表面で凝縮するクロロシランポリマー等であるが、輻射熱や伝熱により加熱されることにより、高温雰囲気内においては導電性を有する多結晶シリコンに転化する。このため、この副生成物Bが環状絶縁材34の周辺に付着した場合、加熱されてシリコンに転化すると、電極ホルダ46と反応炉1の底板部2とを短絡させ、シリコン芯棒4への電流供給を妨げる恐れがある。
2 底板部
4 シリコン芯棒
5A,5B 電極ユニット
21 貫通孔
34 環状絶縁材
40 冷却流路
40A 外周側流路
40B 内周側流路
45 拡径部
46 電極ホルダ
47 電極
50,51,52 受け皿部
Claims (2)
- 反応炉内で加熱された上下方向に沿うシリコン芯棒に原料ガスを供給することにより前記シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造装置において、
前記シリコン芯棒を保持する電極と、
冷却媒体を流通させる冷却流路が内部に形成され、前記反応炉の底板部に形成された貫通孔内に挿入されて、前記電極を保持する電極ホルダと、
前記貫通孔の内周面と前記電極ホルダの外周面との間に配置され、前記底板部と前記電極ホルダとの間を電気的に絶縁させる環状絶縁材とを有し、
前記電極ホルダの外周面に、前記環状絶縁材と前記電極との間で、上方へ向けて開放する受け皿部が設けられている
ことを特徴とする多結晶シリコン製造装置。 - 前記電極ホルダの外周面に、前記環状絶縁材の上端部の上面の少なくとも一部に接触し、その内部に前記冷却流路の一部が形成された拡径部が設けられ、前記受け皿部は前記拡径部の上部に設けられていることを特徴とする請求項1記載の多結晶シリコン製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008262217A JP5157807B2 (ja) | 2008-10-08 | 2008-10-08 | 多結晶シリコン製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008262217A JP5157807B2 (ja) | 2008-10-08 | 2008-10-08 | 多結晶シリコン製造装置 |
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JP2010090000A JP2010090000A (ja) | 2010-04-22 |
JP5157807B2 true JP5157807B2 (ja) | 2013-03-06 |
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ID=42253111
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2008262217A Active JP5157807B2 (ja) | 2008-10-08 | 2008-10-08 | 多結晶シリコン製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5157807B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101210759B1 (ko) | 2012-06-11 | 2012-12-11 | 서경수 | 폴리실리콘 제조용 전극봉 |
CN106629737B (zh) * | 2016-08-23 | 2019-07-30 | 内蒙古盾安光伏科技有限公司 | 多晶硅还原炉的电极组件 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6623801B2 (en) * | 2001-07-30 | 2003-09-23 | Komatsu Ltd. | Method of producing high-purity polycrystalline silicon |
JP4905638B2 (ja) * | 2005-10-11 | 2012-03-28 | 三菱マテリアル株式会社 | 電極の短絡防止方法および短絡防止板 |
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2008
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010090000A (ja) | 2010-04-22 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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