JP2009094529A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 閉塞面を用いて液体を液体供給システムに閉じ込める際に、リソグラフィ装置内の浸漬液の汚染を低減させる装置および方法を提供すること。
【解決手段】 本発明によれば、閉塞面が液体供給システムと衝突することによって生じる粒子による汚染を避けるため、または低減させるために、閉塞面を液体供給システムから離れた所定の距離の所に維持して、閉塞面と液体供給システムの間の衝突がなくなるようにされ、それでもなお液体は閉じ込められている。
【選択図】図7
【解決手段】 本発明によれば、閉塞面が液体供給システムと衝突することによって生じる粒子による汚染を避けるため、または低減させるために、閉塞面を液体供給システムから離れた所定の距離の所に維持して、閉塞面と液体供給システムの間の衝突がなくなるようにされ、それでもなお液体は閉じ込められている。
【選択図】図7
Description
本発明は、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関するものであり、特に投影システムと露光される基板との間に液体を含む浸漬リソグラフィ装置、ならびに関連する浸漬式のデバイス製造方法に関するものである。
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路(IC)の製造に用いることができる。そのような場合、マスクあるいはレチクルとも呼ばれるパターン形成装置を用いて、ICの個々の層に形成するための回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板(例えばシリコン・ウェハ)上の(例えば1つまたは複数のダイの一部を含む)ターゲット部分に転写することができる。パターンの転写は、一般に基板上に設けられた放射線感応材料(レジスト)の層への結像によるものである。一般に単一の基板には、連続的にパターンが形成される隣接ターゲット部分のネットワークが含まれる。周知のリソグラフィ装置には、パターン全体をターゲット部分に一度に露光することによって各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパと、パターンを放射線ビームによって所与の方向(「走査」方向)に走査し、それと同時にこの方向に対して平行または逆平行に基板を同期して走査することによって各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナとが含まれる。パターンを基板にインプリントすることにより、パターンをパターン形成装置から基板に転写することも可能である。
投影システムの最終要素と基板の間の空間を満たすように、リソグラフィ投影装置内の基板を、例えば水など比較的高い屈折率を有する液体に浸すことが提唱されている。この要点は、液体中では露光放射線の波長がより短くなるため、より小さいフィーチャの結像が可能になることにある。(液体の効果を、システムの有効NAを高めること、および焦点深度を高めることと考えることができる。)固体粒子(例えば石英)を懸濁させた水を含めた他の浸漬液も提唱されている。
しかし、基板、または基板と基板テーブルを液体槽に浸すこと(例えば米国特許第4,509,852号明細書参照。その全体を参照によって本明細書に組み込む)は、走査露光中に加速させなければならない大量の液体が存在することを意味する。このため、追加のモータもしくはより強力なモータが必要になり、また液体の乱れによって望ましくない、予測できない影響をまねく恐れがある。
提唱されている解決策の1つは、液体供給システムが、投影システムの最終要素と基板の間の、基板の局所領域のみに液体を供給することである(基板は一般に、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する)。このように構成することを提唱している1つの方法が国際公開第99/49504号パンフレットに開示されており、その全体を参照によって本明細書に組み込む。図2および図3に示すように、液体は少なくとも1つの入口INによって、好ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って基板上に供給され、投影システムの下を通過した後、少なくとも1つの出口OUTによって除去される。すなわち、基板が要素の下を−X方向に走査されるとき、液体は要素の+X側で供給され、−X側で取り出される。図2は、液体が入口INを介して供給され、低圧源に接続された出口OUTによって要素の反対側で取り出される配置を概略的に示している。図2の例では液体が最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給されているが、このようにする必要はない。最終要素の周りに配置される入口および出口は、様々な向きおよび数とすることが可能であり、両側に出口を備えた4組の入口を最終要素の周りに規則正しいパターンで設けた一例を図3に示す。
基板の露光の合間に、露光を終えた基板が、これから露光される基板と交換される。これを浸漬リソグラフィ装置で実施するために、液体供給システムおよび浸漬液の下に配置された基板が、閉塞面で置き換えられる。この閉塞面により、例えば基板付近の液体を除去する必要なしに基板を他の基板と交換することが可能になる。また閉塞面により、液体供給システム内の液体の流れを途切れないように維持し、投影システムの最終光学要素の表面を絶えず濡れた状態に保つことが可能になる。閉塞面は1つの基板を他の基板と交換するために用いることができるが、基板テーブル上でのメンテナンスや、液体なしでの基板の測定など、液体を基板および/または基板テーブルから分離することが望ましい他の用途に用いることもできる。
一実施例では、液体供給システムの液体閉じ込め構造体の底面に真空を用いて、閉塞面を液体供給システムと結合することができる。この方法、および機械的方法など閉塞面を結合するために用いることができる他の方法に伴って起こり得る問題は、閉塞面が液体供給システムに衝突すると、閉塞面または液体供給システムから粒子が取り出され、液体に入る可能性があることである。この粒子は、液体供給システムおよび液体を汚染する恐れがあり、また投影システムの最終光学要素および/または基板を汚染する恐れ、および/または部分的に光線を遮ってプリントの欠陥を生じさせる恐れがある。露光用の投影ビームの経路に入る可能性がある最終光学要素上、基板上、および/または液体中の汚染物は、基板の露光の精度を低下させる恐れがある。さらに、汚染物が基板に堆積することにより、エッチングや蒸着など露光処理に続く他の処理ステップで問題が生じる恐れがある。
したがって、例えば、浸漬液、および液体付近または液体に接している任意の表面、あるいはすべての表面についての汚染のリスクを低減させることができる、閉塞面の位置決めシステムを有していることが有利であろう。
本発明の1つの観点によれば、
パターンが形成されたビームを、基板テーブルによって支持された基板に投影するように構成された投影システムと、
投影システムと基板の間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
液体供給システムによって供給された液体を閉じ込めるための面を、基板に代わって形成するように構成された閉塞面と、
液体供給システムから供給された液体を、閉塞面を用いて閉じ込めるとき、液体供給システムと閉塞面の間に隙間を生成および維持するように構成された閉塞面位置決め装置と
を有するリソグラフィ装置が提供される。
パターンが形成されたビームを、基板テーブルによって支持された基板に投影するように構成された投影システムと、
投影システムと基板の間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
液体供給システムによって供給された液体を閉じ込めるための面を、基板に代わって形成するように構成された閉塞面と、
液体供給システムから供給された液体を、閉塞面を用いて閉じ込めるとき、液体供給システムと閉塞面の間に隙間を生成および維持するように構成された閉塞面位置決め装置と
を有するリソグラフィ装置が提供される。
本発明の1つの観点によれば、
液体供給システムを用いて、リソグラフィ投影装置の投影システムと基板の間の空間に液体を供給するステップと、
閉塞面が液体供給システムによって供給された液体を、基板に代わって閉じ込める際に、液体供給システムと閉塞面との間に隙間を生成および維持するステップと、
液体供給システムによって供給された液体を閉じ込めるための面として基板を用いるとき、パターンが形成された放射線ビームを、液体を通して基板に投影するステップと
を含むデバイス製造方法が提供される。
液体供給システムを用いて、リソグラフィ投影装置の投影システムと基板の間の空間に液体を供給するステップと、
閉塞面が液体供給システムによって供給された液体を、基板に代わって閉じ込める際に、液体供給システムと閉塞面との間に隙間を生成および維持するステップと、
液体供給システムによって供給された液体を閉じ込めるための面として基板を用いるとき、パターンが形成された放射線ビームを、液体を通して基板に投影するステップと
を含むデバイス製造方法が提供される。
次に本発明の実施例を、添付の概略図を参照して例示のみの目的で説明するが、図中において同じ参照記号は同じ部品を指すものであることに留意されたい。
図1は、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を概略的に示している。この装置は、
(1)放射線ビームB(例えば、UV放射線またはDUV放射線)を調節するように構成された照明系(照明器)ILと、
(2)パターン形成装置(例えばマスク)MAを支持するように構成された支持構造体(例えばマスク・テーブル)MTであって、あるパラメータに従ってパターン形成装置を正確に位置決めするように構成された第1の位置決め装置PMに接続された支持構造体MTと、
(3)基板(例えばレジスト塗布ウェハ)Wを保持するように構成された基板テーブル(例えばウェハ・テーブル)WTであって、あるパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2の位置決め装置PWに接続された基板テーブルWTと、
(4)パターン形成装置MAによって放射線ビームBに与えられたパターンを、基板Wの(例えば1つまたは複数のダイを含む)ターゲット部分Cに投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズ系)PSと
を有している。
(1)放射線ビームB(例えば、UV放射線またはDUV放射線)を調節するように構成された照明系(照明器)ILと、
(2)パターン形成装置(例えばマスク)MAを支持するように構成された支持構造体(例えばマスク・テーブル)MTであって、あるパラメータに従ってパターン形成装置を正確に位置決めするように構成された第1の位置決め装置PMに接続された支持構造体MTと、
(3)基板(例えばレジスト塗布ウェハ)Wを保持するように構成された基板テーブル(例えばウェハ・テーブル)WTであって、あるパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2の位置決め装置PWに接続された基板テーブルWTと、
(4)パターン形成装置MAによって放射線ビームBに与えられたパターンを、基板Wの(例えば1つまたは複数のダイを含む)ターゲット部分Cに投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズ系)PSと
を有している。
照明系は、放射線の方向付け、成形または制御のための屈折式、反射式、磁気式、電磁式、静電式または他のタイプの光学要素、あるいはそれらの任意の組み合わせなど、様々なタイプの光学要素を含むことができる。
支持構造体は、パターン形成装置の向き、リソグラフィ装置の設計、ならびに例えばパターン形成装置が真空環境に保持されているかどうかなど他の条件に合わせた方法でパターン形成装置を保持している。支持構造体は、機械式、真空式、静電式または他のクランプ技術を用いてパターン形成装置を保持することができる。支持構造体を、例えばフレームまたはテーブルとすることが可能であり、これらは必要に応じて固定することも移動させることもできる。支持構造体は、パターン形成装置が、例えば投影システムに対してなど、所望の位置にあることを保証することができる。本明細書中の「レチクル」または「マスク」という用語の使用はいずれも、「パターン形成装置」というより一般的な用語と同義であると考えられる。
本明細書で使用する「パターン形成装置(あるいはパターニング・デバイス)」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するためなど、放射線ビームの断面にパターンを与えるために用いることができる任意の装置を指すものとして広く解釈すべきである。例えばパターンが位相シフト・フィーチャ、またはいわゆるアシスト・フィーチャを含む場合には、放射線ビームに与えられるパターンが、基板のターゲット部分における所望のパターンと厳密に一致しない可能性があることに留意すべきである。一般に、放射線ビームに与えられるパターンは、集積回路などターゲット部分に作製されるデバイスの特定の機能層に対応している。
パターン形成装置は、透過式であってもよく、反射式であってもよい。パターン形成装置の例には、マスク、プログラマブル・ミラー・アレイおよびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、それにはバイナリ・マスク、交互位相シフト・マスク(alternating PSM)および減衰位相シフト・マスク(attenuated PSM)などのマスク・タイプ、ならびに様々なハイブリッド型のマスク・タイプが含まれる。プログラマブル・ミラー・アレイの例は、小さいミラーのマトリクス状の配列を使用するものであり、入射する放射線ビームを異なる方向に反射するように、それぞれのミラーを別々に傾斜させることができる。傾斜したミラーは、ミラーのマトリクスによって反射された放射線ビームにパターンを与える。
本明細書で使用する「投影システム」という用語は、使用する露光放射線に対して、あるいは浸漬液の使用や真空の使用など他の要因に対して適切な、屈折式、反射式、反射屈折式、磁気式、電磁式および静電式の光学系、またはそれらの任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈すべきである。本明細書中の「投影レンズ」という用語の使用はいずれも、「投影システム」というより一般的な用語と同義であると考えられる。
本明細書で図示する装置は、(例えば透過性マスクを使用する)透過式のものである。代替的に、装置は(例えば先に言及したタイプのプログラマブル・ミラー・アレイを使用する、あるいは反射性マスクを使用する)反射式のものであってもよい。
リソグラフィ装置は、2(デュアル・ステージ)または3以上の基板テーブル(および/または2以上の支持構造体)を有するタイプのものでもよい。こうした「マルチ・ステージ」装置では、追加のテーブルを並行して用いてもよく、あるいは1つまたは複数のテーブル上で予備ステップを実施し、それと同時に1つまたは複数の他のテーブルを露光に用いてもよい。
図1を参照すると、照明器ILは放射線源SOから放射線ビームを受け取る。例えば放射線源がエキシマ・レーザーである場合、放射線源とリソグラフィ装置を別々の構成要素にすることができる。そうした場合には、放射線源がリソグラフィ装置の一部を形成するものとは考えられず、放射線ビームは、例えば適切な指向性ミラーおよび/またはビーム・エキスパンダを有するビーム・デリバリ・システムBDを用いて、放射線源SOから照明器ILへ送られる。他の場合、例えば放射線源が水銀ランプである場合には、放射線源をリソグラフィ装置の一部とすることができる。放射線源SOおよび照明器ILを、必要であればビーム・デリバリ・システムBDと共に、放射線システムと呼ぶことがある。
照明器ILは、放射線ビームの角強度分布を調整するための調整装置AMを含むことができる。一般に、照明器のひとみ面内における強度分布の少なくとも外側および/または内側の半径方向範囲(それぞれ一般にσアウタ(σ−outer)、σインナ(σ−inner)と呼ばれる)を調整することができる。さらに照明器ILは、積算器INやコンデンサCOなど他の様々な構成要素を含むことができる。照明器を用いて、所望の均一性および強度分布をその断面に有するように放射線ビームを調節することができる。
放射線ビームBは、支持構造体(例えばマスク・テーブルMT)上に保持されたパターン形成装置(例えばマスクMA)に入射し、このパターン形成装置によって放射線ビームBにパターンが形成される。パターン形成装置MAを通過した放射線ビームBは、ビームを基板Wのターゲット部分Cに集束させる投影システムPSを通過する。第2の位置決め装置PWおよび位置センサIF(例えば干渉測定装置、リニア・エンコーダまたは容量センサ)を用いて、基板テーブルWTを、例えば異なるターゲット部分Cを放射線ビームBの経路内に位置決めするように、正確に移動させることができる。同様に、第1の位置決め装置PMおよび(図1には明示されていない)他の位置センサによって、パターン形成装置MAを、例えばマスク・ライブラリから機械的に取り出した後で、または走査中に、放射線ビームBの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、マスク・テーブルMTの移動は、第1の位置決め装置PMの一部を形成する長ストローク・モジュール(粗い位置決め)および短ストローク・モジュール(細かい位置決め)を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2の位置決め装置PWの一部を形成する長ストローク・モジュールおよび短ストローク・モジュールを用いて実現することができる。(スキャナではなく)ステッパの場合には、支持構造体MTを短ストローク・アクチュエータに接続するだけでもよいし、または固定してもよい。マスクMAおよび基板Wは、パターン形成装置アライメント・マークM1、M2、および基板アライメント・マークP1、P2を用いて位置を調整することができる。図示した基板アライメント・マークは専用のターゲット部分を占有しているが、それらをターゲット部分同士の間の空間に配置することもできる(これらはスクライブ・レーン・アライメント・マークとして知られている)。同様に、パターン形成装置MA上に2つ以上のダイを設ける場合には、パターン形成装置アライメント・マークをダイ同士の間に配置してもよい。
図示した装置は、以下のモードの少なくとも1つで使用することができる。
(1)ステップ・モードでは、放射線ビームに与えられたパターン全体を1回でターゲット部分Cに投影する間、支持構造体MTおよび基板テーブルWTが本質的に静止した状態に保たれる(すなわち、ただ1回の静止露光)。次いで、異なるターゲット部分Cを露光することができるように、基板テーブルWTをXおよび/またはY方向に移動させる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の静止露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
(2)走査モードでは、放射線ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する間、支持構造体MTおよび基板テーブルWTが同期して走査される(すなわち、ただ1回の動的露光)。支持構造体MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの拡大(縮小)率、および像(イメージ)の反転特性によって決定することができる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の動的露光におけるターゲット部分の(非走査方向の)幅が制限され、走査移動の長さによってターゲット部分の(走査方向の)高さが決定される。
(3)他のモードでは、放射線ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する間、プログラム可能なパターン形成装置を保持しながら支持構造体MTを本質的に静止した状態に保ち、基板テーブルWTを移動または走査させる。このモードでは、一般にパルス式の放射線源が使用され、基板テーブルWTが移動するたびに、または走査中の連続する放射線パルスの合間に、プログラム可能なパターン形成装置が必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及したタイプのプログラマブル・ミラー・アレイなど、プログラム可能なパターン形成装置を利用するマスクレス・リソグラフィに簡単に適用することができる。
(1)ステップ・モードでは、放射線ビームに与えられたパターン全体を1回でターゲット部分Cに投影する間、支持構造体MTおよび基板テーブルWTが本質的に静止した状態に保たれる(すなわち、ただ1回の静止露光)。次いで、異なるターゲット部分Cを露光することができるように、基板テーブルWTをXおよび/またはY方向に移動させる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の静止露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
(2)走査モードでは、放射線ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する間、支持構造体MTおよび基板テーブルWTが同期して走査される(すなわち、ただ1回の動的露光)。支持構造体MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの拡大(縮小)率、および像(イメージ)の反転特性によって決定することができる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の動的露光におけるターゲット部分の(非走査方向の)幅が制限され、走査移動の長さによってターゲット部分の(走査方向の)高さが決定される。
(3)他のモードでは、放射線ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する間、プログラム可能なパターン形成装置を保持しながら支持構造体MTを本質的に静止した状態に保ち、基板テーブルWTを移動または走査させる。このモードでは、一般にパルス式の放射線源が使用され、基板テーブルWTが移動するたびに、または走査中の連続する放射線パルスの合間に、プログラム可能なパターン形成装置が必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及したタイプのプログラマブル・ミラー・アレイなど、プログラム可能なパターン形成装置を利用するマスクレス・リソグラフィに簡単に適用することができる。
前述の使用モードの組み合わせおよび/または変形形態、あるいは全く異なる使用モードを採用することもできる。
局所的な液体供給システムを用いた他の浸漬リソグラフィ装置の解決策を図4に示す。液体は、投影システムPLの両側で2つの溝状の入口INによって供給され、入口INの半径方向外側に配置された複数の別々の出口OUTによって除去される。入口INおよび出口OUTは、投影ビームを通過させて投影するための孔を中央に有する板に配置することができる。液体は、投影システムPLの一方の側で1つの溝入口INによって供給され、投影システムPLのもう一方の側で複数の別々の出口OUTによって除去され、それによって投影システムPLと基板Wの間に液体の薄い膜の流れが生じる。入口INと出口OUTのどの組み合わせ使用するかの選択は、基板Wの移動方向によって決めることができる(このとき入口INと出口OUTの他の組み合わせは非アクティブ状態である)。
提唱されてきた局所的液体供給システム・ソリューションを備えた他の浸漬リソグラフィ・ソリューションは、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の少なくとも一部の境界に沿って延びる液体閉じ込め構造体を備えた液体供給システムを提供することである。そのようなシステムを図5に示す。液体閉じ込め構造体は、XY平面内では投影システムに対して実質的に静止しているが、Z方向(光軸の方向)にはある程度の相対移動が可能である。液体閉じ込め構造体と基板表面の間には、シールが形成される。一実施例では、シールはガス・シールなどの非接触シールである。このようなガス・シールを備えたシステムが、米国特許出願第10/705783号に開示されており、その全体を参照によって本明細書に組み込む。
図5は、液体を閉じ込めて基板表面と投影システムの最終要素との間の空間を満たすように、投影システムのイメージ・フィールドの周りに基板に対する非接触シールを形成しているリザーバ10の配置を示したものである。投影システムPLの最終要素の下に配置され、それを囲む液体閉じ込め構造体12が、リザーバを形成している。液体は、投影システムの下の液体閉じ込め構造体12の内側の空間に導入される。液体閉じ込め構造体12は投影システムの最終要素の少し上まで延びているので、液体の高さが最終要素より上に上昇し、その結果、液体の緩衝体が形成される。液体閉じ込め構造体12は、その上端に、好ましくは投影システムまたはその最終要素の形に厳密に一致した内側周縁を有し、例えばそれを円形とすることができる。底部では、内側周縁はイメージ・フィールドの形に厳密に一致し、例えば長方形とすることができるが、必ずしもそうである必要はない。
液体は、液体閉じ込め構造体12の底部と基板Wの表面の間で、ガス・シール16によってリザーバに閉じ込められる。ガス・シールは、加圧下で入口15を介して液体閉じ込め構造体12と基板の間の隙間に供給され、出口14を介して取り出されるガス(例えば空気、合成空気、N2、不活性ガス)によって形成される。ガス入口15に対する超過圧力、出口14に対する真空吸引レベル、および隙間の形状は、液体を閉じ込める内側への高速ガス流れが存在するように構成される。液体を収容するために、単に液体および/またはガスを除去する出口など他のタイプのシールを用いることも可能であることが当業者には理解されよう。
ガス・シールを用いて、液体供給システムと閉塞面または基板テーブルとの間に隙間を生成することもできる。
図5は、浸漬液11の下に配置された基板Wを有する液体供給システムの液体閉じ込め構造体12を示している。例えば、この基板を次に露光される他の基板と交換するときには、図6に示すように、基板Wは閉塞板20に交換される。閉塞板20は板状の形を有している必要はなく、液体を閉じ込めることが可能な表面を形成する必要があるだけである。したがって閉塞板20を閉塞構造体または閉塞面と呼ぶこともできる。
図6は、液体閉じ込め構造体12および閉塞板20の向きを示している。図5および図6に示した出口14によってもたらされる低圧を用いて、閉塞板20を液体閉じ込め構造体12に押し付ける。閉塞板20が出口14によって液体閉じ込め構造体12に押し付けられると、閉塞板20および/または液体閉じ込め構造体12の表面から放出される、主にそれらの物理的接触によって生じる粒子のために、浸漬液11の粒子による汚染が生じる可能性がある。ある量の液体流れ13が存在しているが、それは閉塞板20の表面近くの液体11を循環させるものではなく、閉塞板が適所にある限り、粒子が洗い流される可能性は低い。
図7は、液体閉じ込め構造体12からある距離の所に維持されている閉塞板20を示している。このようにすると、少なくとも2つの利点がある。第1には、粒子が閉塞板20および/または液体閉じ込め構造体12の表面から放出される可能性が低くなることであり、第2には、浸漬液11に放出され、浸漬液11中に存在するどんな粒子も、液体の循環によって、特に出口14を介して除去することができることである。
閉塞板を液体供給システム(例えば、液体閉じ込め構造体)から離れたある距離に保持することができる、閉塞板の位置決め装置が存在する。そうした第1の装置は、液体閉じ込め構造体の出口14および入口15であり、図5に示すように、それらを用いて出口14の低圧と入口15によって供給されるガス流れとの間の平衡状態を維持することができる。この平衡を用いて、浸漬液11を収容するだけではなく、閉塞板を液体閉じ込め構造体の直下に「浮かせる」ことができる。
図8は、把持部22を用いることにより、液体閉じ込め構造体12から離れたある距離に維持された閉塞板20を示している。この把持部は、(例えば基板交換の)所望の時間にわたって閉塞板20の位置を維持する任意の機械装置とすることができる。図8では、把持部22は一端で閉塞板20に接続され、他端で液体閉じ込め構造体12に接続されている。この把持部22の他端を、基板テーブルWTやリソグラフィ装置のフレームなど、液体閉じ込め構造体12以外の他の構造体に接続することもできる。別法としては、例えば、閉塞板20を基板テーブルWT上のその静止位置から押しやる1つまたは複数のピンを有するピン・システムや、他の任意の機械装置とすることができる。
図9は、本発明の別の実施例を示している。具体的には、磁石24を用いることにより、閉塞板20を液体閉じ込め構造体12から離れたある距離に維持している。磁石は、前述の低圧/ガス流れの平衡と一緒に用いること、あるいは1つまたは複数の他の磁石に対して釣り合わせることができる。例えば、反対の極を有する磁石を、向かい合う同じ極を有する磁石に対して釣り合わせて、閉塞板20を「浮かせる」ことができる。一実施例では、閉塞板20を液体閉じ込め構造体12から離れたある距離に維持しやすくするために、液体供給システムと基板テーブルのそれぞれに磁石を設けることができる。静電気学によるものなど、閉塞板20を液体供給システムから離れたある距離に保持する他の類似の方法も理解されよう。
欧州特許出願第03257072.3号明細書には、ツインまたはデュアル・ステージの浸漬リソグラフィ装置の概念が開示されている。そうした装置は、基板を支持するための2つのテーブルを備えている。レベリングの測定は第1の位置にあるテーブルを用いて浸漬液なしで行われ、露光は浸漬液が存在している第2の位置にあるテーブルを用いて行われる。あるいは、装置はただ1つのテーブルを有している。
本明細書では、リソグラフィ装置をICの製造に用いることについて特に言及しているかもしれないが、本明細書で記載するリソグラフィ装置は、一体型光学システム、磁気ドメイン・メモリ用の誘導および検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドその他の製造など、他の用途にも使用可能であることを理解すべきである。こうした別の用途についての文脈では、本明細書中の「ウェハ」または「ダイ」という用語の使用はいずれも、それぞれ「基板」または「ターゲット部分」というより一般的な用語と同義であると考えられることが、当業者には理解されよう。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック(一般に基板にレジスト層を施し、露光されたレジストを現像するツール)や計測ツールおよび/または検査ツールで処理することができる。適用可能であれば、本明細書の開示をこうしたツールや他の基板処理ツールに適用してもよい。さらに、例えば多層ICを作製するために、基板を2回以上処理することも可能であり、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に処理が施された複数の層を既に含む基板を指すこともある。
本明細書で使用する「放射線」および「ビーム」という用語は、(例えば365、248、193、157または126nmの波長を有する)紫外(UV)放射線を含むあらゆるタイプの電磁放射線を包含している。
「レンズ」という用語は、状況が許す場合には、屈折式および反射式の光学要素を含めた様々なタイプの光学要素の任意の1つ、または任意の組み合わせを指すことがある。
ここまで本発明の特定の実施例について説明してきたが、本発明は記載したものとは別の方法で実施可能であることが理解されよう。例えば、本発明は、先に開示した方法を記述した、機械で読み取り可能な命令の1つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータ・プログラム、あるいはそうしたコンピュータ・プログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体(例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク)の形とすることができる。
本発明の1つまたは複数の実施例は、前述のタイプのものなど任意の浸漬リソグラフィ装置に対して、また浸漬液が槽(bath;あるいは液浴)の形で提供されても、基板の局所的な表面領域のみに提供されても適用することができる。液体供給システムは、投影システムと基板および/または基板テーブルとの間の空間に液体を提供する任意の機構である。それは、1つまたは複数の構造体、1つまたは複数の液体入口、1つまたは複数のガス入口、1つまたは複数のガス出口、および/または1つまたは複数の液体出口の任意の組み合わせを有し、その組み合わせによって液体を空間に提供し、閉じ込めることができる。一実施例では、空間の表面を基板および/または基板テーブルの一部に限定すること、空間の表面が基板および/または基板テーブルの表面を完全に覆うこと、あるいは空間が基板および/または基板テーブルを囲むことが可能である。
前述の説明は例示的なものであり、限定的なものではない。したがって、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、前述の本発明に変更を加えることが可能であることが当業者には明らかであろう。
AM 調整装置
B 放射線ビーム
BD ビーム・デリバリ・システム
C ターゲット部分
CO コンデンサ
IF 位置センサ
IL 照明器
IN 積算器
MA パターン形成装置、マスク
MT 支持構造体、マスク・テーブル
M1、M2 パターン形成装置アライメント・マーク
PM、PW 位置決め装置
P1、P2 基板アライメント・マーク
PS 投影システム
SO 放射線源
W 基板
WT 基板テーブル
IN 入口
OUT 出口
PL 投影システム
10 リザーバ
11 浸漬液
12 液体閉じ込め構造体
13 液体流れ
14 出口
15 入口
16 ガス・シール
20 閉塞板
22 把持部
24 磁石
B 放射線ビーム
BD ビーム・デリバリ・システム
C ターゲット部分
CO コンデンサ
IF 位置センサ
IL 照明器
IN 積算器
MA パターン形成装置、マスク
MT 支持構造体、マスク・テーブル
M1、M2 パターン形成装置アライメント・マーク
PM、PW 位置決め装置
P1、P2 基板アライメント・マーク
PS 投影システム
SO 放射線源
W 基板
WT 基板テーブル
IN 入口
OUT 出口
PL 投影システム
10 リザーバ
11 浸漬液
12 液体閉じ込め構造体
13 液体流れ
14 出口
15 入口
16 ガス・シール
20 閉塞板
22 把持部
24 磁石
Claims (14)
- パターンが形成された放射線ビームを、基板テーブルによって支持された基板に投影するように構成された投影システムと、
前記投影システムと前記基板の間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
前記基板に代わって、前記液体供給システムから供給された液体を閉じ込めるための面を形成するように構成された閉塞面と、
前記閉塞面を用いて前記液体供給システムから供給された液体を閉じ込めるときに、前記液体供給システムと前記閉塞面の間に隙間を生成および維持するように構成された閉塞面位置決め装置と
を有するリソグラフィ装置。 - 前記閉塞面位置決め装置が入口および出口を有し、該入口および該出口は、該入口によって供給された液体によって加えられる力と、該出口によって提供される低圧との間の平衡状態を生成するように構成されている請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記閉塞面が閉塞板上に形成されており、前記閉塞面位置決め装置が、前記液体供給システム内の液体に面している面以外の面で前記閉塞板を把持するように構成された把持部を有している請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記閉塞面位置決め装置が、前記閉塞面を前記基板テーブルから移動させるように構成されたピン・システムを有している請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記閉塞面位置決め装置が、前記液体供給システムおよび前記閉塞面のそれぞれに磁石を有している請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 反対の極を有している前記液体供給システムおよび前記閉塞面の磁石のそれぞれが、同じ極を有している前記液体供給システムおよび前記閉塞面の磁石のそれぞれに対してバランスされている請求項5に記載のリソグラフィ装置。
- 前記閉塞面位置決め装置が、前記液体供給システムおよび前記基板テーブルのそれぞれに磁石を有している請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 液体供給システムを用いてリソグラフィ投影装置の投影システムと基板の間の空間に液体を供給するステップと、
前記液体供給システムによって供給された液体を基板に代わって閉塞面が閉じ込めるときに、前記液体供給システムと前記閉塞面との間に隙間を生成および維持するステップと、
前記基板が、前記液体供給システムから供給された液体を閉じ込めるための面として用いられるとき、パターンが形成された放射線ビームを、前記液体を通して前記基板に投影するステップと、
を含むデバイス製造方法。 - 前記隙間を生成および維持するステップが、ガス流れと低圧とによって加えられる力の間の平衡状態を生成するステップを含む請求項8に記載のデバイス製造方法。
- 前記閉塞面が閉塞板上に形成されており、前記隙間を生成および維持するステップが、前記液体供給システム内の液体に面している面以外の面で前記閉塞板を把持するステップを含む請求項8に記載のデバイス製造方法。
- 前記隙間を生成および維持するステップが、ピンを用いて前記閉塞面を前記基板テーブルから移動させるステップを含む請求項8に記載のデバイス製造方法。
- 前記隙間を生成および維持するステップが、前記液体供給システムおよび前記閉塞面のそれぞれに設けられた磁石を用いて、前記隙間を磁気的に維持するステップを含む請求項8に記載のデバイス製造方法。
- 前記液体供給システムおよび閉塞面のそれぞれに設けられた磁石を用いて隙間を維持するステップが、同じ極を有する前記液体供給システムおよび前記閉塞面の磁石のそれぞれに対してバランスされた、反対の極を有する前記液体供給システムおよび前記閉塞面の磁石のそれぞれを用いて前記隙間を維持するステップを含む請求項12に記載のデバイス製造方法。
- 前記隙間を生成および維持するステップが、前記液体供給システムおよび前記基板テーブルのそれぞれに設けられた磁石を用いて、前記隙間を磁気的に維持するステップを含む請求項8に記載のデバイス製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016075935A (ja) * | 2009-12-09 | 2016-05-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BR0307589A (pt) | 2002-02-11 | 2005-02-01 | Antares Pharma Inc | Dispositivo de injeção intradérmica |
KR101533206B1 (ko) * | 2003-04-11 | 2015-07-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
KR101419663B1 (ko) | 2003-06-19 | 2014-07-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7403261B2 (en) * | 2004-12-15 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE602006012746D1 (de) * | 2005-01-14 | 2010-04-22 | Asml Netherlands Bv | Lithografische Vorrichtung und Herstellungsverfahren |
ES2716135T5 (es) | 2005-01-24 | 2023-06-15 | Antares Pharma Inc | Inyector de chorro asistido por aguja con jeringa precargada |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9477158B2 (en) | 2006-04-14 | 2016-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9144648B2 (en) | 2006-05-03 | 2015-09-29 | Antares Pharma, Inc. | Injector with adjustable dosing |
WO2007131013A1 (en) | 2006-05-03 | 2007-11-15 | Antares Pharma, Inc. | Two-stage reconstituting injector |
US8040490B2 (en) * | 2006-12-01 | 2011-10-18 | Nikon Corporation | Liquid immersion exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US20080222074A1 (en) * | 2007-02-22 | 2008-09-11 | Peter Lieberwirth | Method or corresponding system employing templates for creating an organizational structure of knowledge |
US8237911B2 (en) * | 2007-03-15 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine |
US7561250B2 (en) * | 2007-06-19 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having parts with a coated film adhered thereto |
WO2009114542A1 (en) | 2008-03-10 | 2009-09-17 | Antares Pharma, Inc. | Injector safety device |
US9176393B2 (en) * | 2008-05-28 | 2015-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus |
CA2732812C (en) | 2008-08-05 | 2017-10-31 | Antares Pharma, Inc. | Multiple dosage injector |
US8579865B2 (en) | 2009-03-20 | 2013-11-12 | Antares Pharma, Inc. | Hazardous agent injection system |
NL2005610A (en) * | 2009-12-02 | 2011-06-06 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and surface cleaning method. |
EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
US9220660B2 (en) | 2011-07-15 | 2015-12-29 | Antares Pharma, Inc. | Liquid-transfer adapter beveled spike |
US8496619B2 (en) | 2011-07-15 | 2013-07-30 | Antares Pharma, Inc. | Injection device with cammed ram assembly |
PT2822618T (pt) | 2012-03-06 | 2024-03-04 | Antares Pharma Inc | Seringa pré-cheia com característica de força de rutura |
EP2833944A4 (en) | 2012-04-06 | 2016-05-25 | Antares Pharma Inc | ADMINISTRATION OF TESTOSTERONE COMPOSITIONS BY NEEDLE-SUPPORTED NOZZLE INJECTION |
US9364610B2 (en) | 2012-05-07 | 2016-06-14 | Antares Pharma, Inc. | Injection device with cammed ram assembly |
CA2900672C (en) | 2013-02-11 | 2018-03-27 | Antares Pharma, Inc. | Needle assisted jet injection device having reduced trigger force |
ES2742046T3 (es) | 2013-03-11 | 2020-02-12 | Antares Pharma Inc | Inyector de dosis con sistema de piñón |
WO2014165136A1 (en) | 2013-03-12 | 2014-10-09 | Antares Pharma, Inc. | Constant volume prefilled syringes and kits thereof |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004207710A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2004289127A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2004289128A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2004343114A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Family Cites Families (122)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE221563C (ja) | ||||
DE242880C (ja) | ||||
DE224448C (ja) | ||||
DE206607C (ja) | ||||
GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US3573975A (en) | 1968-07-10 | 1971-04-06 | Ibm | Photochemical fabrication process |
DE2963537D1 (en) | 1979-07-27 | 1982-10-07 | Tabarelli Werner W | Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
JPS5754317A (en) | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Method and device for forming pattern |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4390273A (en) | 1981-02-17 | 1983-06-28 | Censor Patent-Und Versuchsanstalt | Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
DD206607A1 (de) | 1982-06-16 | 1984-02-01 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten |
DD242880A1 (de) | 1983-01-31 | 1987-02-11 | Kuch Karl Heinz | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
US5040020A (en) | 1988-03-31 | 1991-08-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography |
JPH03209479A (ja) | 1989-09-06 | 1991-09-12 | Sanee Giken Kk | 露光方法 |
US5121256A (en) | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP2520833B2 (ja) | 1992-12-21 | 1996-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 浸漬式の液処理装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US6225012B1 (en) * | 1994-02-22 | 2001-05-01 | Nikon Corporation | Method for positioning substrate |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
WO1998009278A1 (en) | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Digital Papyrus Technologies | Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
US5900354A (en) | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
AU1505699A (en) | 1997-12-12 | 1999-07-05 | Nikon Corporation | Projection exposure method and projection aligner |
WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
TWI242111B (en) | 1999-04-19 | 2005-10-21 | Asml Netherlands Bv | Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus |
JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
JP2001272604A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Olympus Optical Co Ltd | 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置 |
TW591653B (en) | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
KR100866818B1 (ko) * | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
US20020163629A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
US6600547B2 (en) | 2001-09-24 | 2003-07-29 | Nikon Corporation | Sliding seal |
CN1791839A (zh) | 2001-11-07 | 2006-06-21 | 应用材料有限公司 | 光点格栅阵列光刻机 |
US6888620B2 (en) * | 2001-11-29 | 2005-05-03 | Nikon Corporation | System and method for holding a device with minimal deformation |
DE10210899A1 (de) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
US6806346B2 (en) | 2002-07-12 | 2004-10-19 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Copolymerization of cyclic ester oligomers |
FR2842538B1 (fr) * | 2002-07-16 | 2004-10-29 | Staubli Sa Ets | Ratiere rotative pour metier a tisser, et metier a tisser equipe d'une telle ratiere |
WO2004019128A2 (en) | 2002-08-23 | 2004-03-04 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
US6788477B2 (en) | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
EP1420300B1 (en) | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101424881B (zh) | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
JP3977324B2 (ja) | 2002-11-12 | 2007-09-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121829A1 (en) * | 2002-11-29 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10258718A1 (de) * | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
CN101872135B (zh) * | 2002-12-10 | 2013-07-31 | 株式会社尼康 | 曝光设备和器件制造法 |
AU2003289272A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
TW200421444A (en) | 2002-12-10 | 2004-10-16 | Nippon Kogaku Kk | Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device |
US6992750B2 (en) | 2002-12-10 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
KR20050085236A (ko) | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR101037057B1 (ko) | 2002-12-10 | 2011-05-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
CN101852993A (zh) | 2002-12-10 | 2010-10-06 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件制造方法 |
CN100429748C (zh) | 2002-12-10 | 2008-10-29 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件制造方法 |
US7242455B2 (en) | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
WO2004053951A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
AU2003289271A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
WO2004055803A1 (en) | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer |
DE60314668T2 (de) | 2002-12-19 | 2008-03-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts |
AU2003283717A1 (en) | 2002-12-19 | 2004-07-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
KR20110104084A (ko) | 2003-04-09 | 2011-09-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
CN103383527B (zh) | 2003-04-10 | 2015-10-28 | 株式会社尼康 | 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统 |
EP3062152B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-12-20 | Nikon Corporation | Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus |
WO2004090633A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
EP2921905B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-12-27 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
JP4582089B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
WO2004093130A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Cleanup method for optics in immersion lithography |
KR101533206B1 (ko) | 2003-04-11 | 2015-07-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
SG152078A1 (en) | 2003-04-17 | 2009-05-29 | Nikon Corp | Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography |
EP1477856A1 (en) * | 2003-05-13 | 2004-11-17 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7274472B2 (en) | 2003-05-28 | 2007-09-25 | Timbre Technologies, Inc. | Resolution enhanced optical metrology |
EP2261742A3 (en) | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP4343597B2 (ja) | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005019616A (ja) | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
EP1498778A1 (en) | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3862678B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP2466382B1 (en) | 2003-07-08 | 2014-11-26 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
SG109000A1 (en) | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7326522B2 (en) * | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
US6954256B2 (en) | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
JP4378136B2 (ja) | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3870182B2 (ja) | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005159322A (ja) | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
US7545481B2 (en) * | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005175016A (ja) | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP2005175034A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
US7394521B2 (en) * | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7589818B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
JP2005191393A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP2005191381A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP4429023B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4018647B2 (ja) | 2004-02-09 | 2007-12-05 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置およびデバイス製造方法 |
US7050146B2 (en) * | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4510494B2 (ja) | 2004-03-29 | 2010-07-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP2005286068A (ja) | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
JP4747545B2 (ja) | 2004-09-30 | 2011-08-17 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
US7583357B2 (en) * | 2004-11-12 | 2009-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7403261B2 (en) * | 2004-12-15 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2004
- 2004-12-15 US US11/012,061 patent/US7403261B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
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2008
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2009
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-
2012
- 2012-01-16 JP JP2012006051A patent/JP2012074745A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004289127A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2004289128A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2004207710A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2004343114A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016075935A (ja) * | 2009-12-09 | 2016-05-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1821881B (zh) | 2012-07-18 |
DE602005020893D1 (de) | 2010-06-10 |
JP2006173620A (ja) | 2006-06-29 |
CN1821881A (zh) | 2006-08-23 |
EP1672432B1 (en) | 2010-04-28 |
US20090115984A1 (en) | 2009-05-07 |
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KR20060067866A (ko) | 2006-06-20 |
JP2012074745A (ja) | 2012-04-12 |
US7751032B2 (en) | 2010-07-06 |
US20060126037A1 (en) | 2006-06-15 |
US7403261B2 (en) | 2008-07-22 |
US20080252866A1 (en) | 2008-10-16 |
TWI321269B (en) | 2010-03-01 |
EP1672432A1 (en) | 2006-06-21 |
SG144150A1 (en) | 2008-07-29 |
KR100674224B1 (ko) | 2007-01-25 |
US8233135B2 (en) | 2012-07-31 |
JP4372095B2 (ja) | 2009-11-25 |
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