JP4364806B2 - 層上にスポットを照射する方法及び装置 - Google Patents

層上にスポットを照射する方法及び装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4364806B2
JP4364806B2 JP2004561792A JP2004561792A JP4364806B2 JP 4364806 B2 JP4364806 B2 JP 4364806B2 JP 2004561792 A JP2004561792 A JP 2004561792A JP 2004561792 A JP2004561792 A JP 2004561792A JP 4364806 B2 JP4364806 B2 JP 4364806B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
space
spot
radiation
irradiated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004561792A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006511021A (ja
Inventor
ハー エム ネイゼン,ヤーコブス
サンテン,ヘルマール ファン
Original Assignee
コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to EP02080376 priority Critical
Application filed by コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ filed Critical コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
Priority to PCT/IB2003/005708 priority patent/WO2004057590A1/en
Publication of JP2006511021A publication Critical patent/JP2006511021A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4364806B2 publication Critical patent/JP4364806B2/ja
Application status is Expired - Fee Related legal-status Critical
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Exposure apparatus for microlithography
    • G03F7/70216Systems for imaging mask onto workpiece
    • G03F7/70341Immersion
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/122Flying-type heads, e.g. analogous to Winchester type in magnetic recording
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/135Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
    • G11B7/1372Lenses
    • G11B7/1374Objective lenses
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/261Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming

Description

本発明は、請求項1の序文にあるような層に照射する方法及び請求項7の序文にあるような層に照射する装置に関する。

このような技術は、国際公開公報WO−A−02/13194において知られている。この刊行物によれば、所望の方法及び装置が、光学的に走査可能な情報キャリアの製造のために用いられる。このようなプロセスでは、先ず主モールドが製造され、主モールド又は主モールドで製造された娘モールドにより、模写プロセスによって情報キャリアが製造される。主モールドを製造するために、光学レンズシステム及び基板によって運ばれた光電性層上の走査スポットに導かれ焦点をあわされた変調された放射ビーム及びレンズシステムは互いに相対的に動く。光電性層と光電性層に対向するレンズシステムの最も近い面との間の空間は、液体で満たされている。

レンズシステムに呼応する基板を動かすために、基板を運ぶテーブルは回転軸を中心に回転することができる。変位装置により、レンズシステムは、テーブルの回転軸を中心に回転する放射方向構成部品に取って代えられ得る。液体供給手段は、光電性層とレンズシステムの最も近い光学表面との間の空間に液体を供給する。

この知られている方法及び装置の問題は、液体が層及びレンズが互いにかなり迅速に動くときに放射スポットに導かれる放射が通過する空間領域から乗るため、照射されるべき層の連続的部分の液浸は、極めて簡単に不通にされることである。液浸は、レンズ及び層の動きの方向の重要な変化によっても不通にされ得る。照射されるべき層と光学素子の最も近い光学表面との間にある液体フィルムの安定性は、照射されるべき層と光学素子の最も近い光学表面との間の距離を非常に小さくすることによって向上し得る。しかしながら、この場合、装置と特に照射されるべき層に最も近いレンズが、相互に動くレンズと層との接触によって簡単に損傷し得る。

光電性層におけるスポットに放射ビームを導くための方法及び装置は、日本特許出願公開・特開平10−255319号公報に開示されている。この方法では、光電性層がガラスから成るディスク形状の基板に適用されている。テーブルと基板は、基板と垂直に延出している回転軸を中心に回転し、レンズシステムは、回転軸に対し放射方向に比較的低速で変位され、光電性層上に形成された放射ビームの走査スポットは光電性層の螺旋形状トラックに続く。放射ビーム、この知られた装置ではレーザビームは変調され、照射された及び照射されていない素子のシリーズが螺旋形状トラック上に形成される。当該シリーズは、製造されるべき情報キャリア上の所望の情報素子シリーズに対応する。光電性層はその後向上し、照射された素子が分解され、沈下シリーズは光電性層中に形成される。次に、比較的薄いアルミニウム層が光電性層上にスパッタリングされ、当該アルミニウム層がその後、電気成膜プロセスにより、比較的薄いニッケル層と共に設けられる。このように形成されたニッケル層は基板から取り除かれ、製造されるべき主モールドを形成し、上述したように、主モールドは、製造されるべき情報キャリア上の所望の情報素子のシリーズに対応する上昇した部分のシリーズを有するディスク形状面と共に設けられる。このように製造された主モールドは所望の情報キャリアの製造に使用されることに適しているが、一般的には、多くの複製、所謂娘モールドが模写プロセスにより主モールドにより作られる。これらの娘モールドは、更なる模写プロセス、一般的には射出成形プロセスにより所望の情報キャリアを製造するために用いられる。この方法で、比較的高価な主モールドの必要な数が制限される。主モールド又は主モールドによって製造された娘モールドによる、ピット形状の情報素子を備えたCD又はDVDのような光学的に走査可能な情報キャリアのこのような製造方法は広く知られており、通例的である。

光電性層と光電性層に対向するレンズシステムのレンズとの間の空間は水で満たされている。このため、知られている装置は、テーブルの回転軸の近くに位置する流出口と共に設けられる。流出口を介して供給された水は、遠心力の影響により、実質的に光電性層の表面の至る所に拡散し、空間は水で満たされる。水は空気よりも相当に大きな光屈折率を有するため、空間での水の供給は、放射ビームからの光及びレンズシステムの光軸からの起きた光が走査スポットにおける位置を含む角度の実質的な増加をもたらす。その結果、光電性層上の放射ビームによって形成されたスポットのサイズは相当に減少され、かなりの数の照射された及び照射されていない素子が光電性層上に形成され、製造されるべき情報キャリアはより高い情報密度を有する。

レンズと照射される表面とのギャップが液体で満たされ続けている他の例は、光投影リソグラフィのような光画像方法及び装置であり、表面に投影された放射によって形成されたスポットは、画像又は部分的画像を形成する。そのような方法及び装置は、国際公開公報WO−99/49504に記載されている。
国際公開公報WO−A−02/13194パンフレット 特開平10−255319号公報 国際公開公報WO−99/49504パンフレット

これらの方法及び装置の欠点は、空間に形成された液体フィルムは必ずしも、レンズと表面に平行な面との相対的な変位の間又は後において等質ではなく、合理的に十分ではないことである。その結果、欠陥は光電性層で発達する。加えて、レンズ及び表面の相対的な動きによって引き起こされる液体フィルムの状態における変化は、レンズシステムに及ぼされる力の変化をもたらす。レンズシステムは、制限された剛性により掛けられるので、液体フィルムによって及ぼされる力の変化は、レンズシステムの望ましくない振動を引き起こし、表面に投影される画像の精度の阻害となる。更には、放射が通過する空間部分における液体容積を維持するように、比較的大量の液体が供給されなければならない。その結果、知られている装置は、液体と装置の他の部分との間の望ましくない接触を防止するために、広範な手段と共に設けられていなければならない。

本発明は、照射される層に最も近い光学的表面と放射が通過するその層との空間部分を、大きな範囲の光学素子及び層の変位の速度及び方向において、液体で合理的に満たし続けることを目的とする。

本発明の別の目的は、光学素子と照射されるべき層との意図しない接触による損傷の危険性を減少することにある。

本発明によれば、これらの目的は、請求項1の方法を提供することによって達成される。また、本発明によれば、請求項の装置は、請求項1の方法を実行するために提供される。

供給された液体を流路に沿って長手方向に分配し、分配された液体を層に向かって分配する液路は、層として液体を送る。したがって、光学機能を果たす空間部分は、レンズと層の互いの動きの方向及び速度における変化に対する小さな感受性で、液体で満たすことができる。

本発明の方法及び装置は光学素子と層の互いの相対的な動きの方向及び速度における変化に対する感受性は小さいことは、層の光学素子に対する動きの方向ではごく僅かな変化がある光学情報キャリア又はモールドの製造に有利なだけでなく、ウエハ上の新しいスポットへのレティクルを投影又はウエハの次の領域におけるレティクル(マスク)の投影された画像を展開(走査)すべくウエハと反対の新しい位置に光学素子を運ぶためにウエハを光学素子に対してステップさせるときに、光学素子の層に対する動きの方向における例えば半導体製造装置の製造のための光投影リソグラフィのためのウエハステッパ及びウエハスキャナのような光画像のような他のアプリケーションにおいて実質的に変化する。スポットは、ウエハに対するレティクルの投影領域、又は、光学素子に対するウエハの動きに従ってレティクルに沿ってスキャンすることによって又はそうするようにして得られたレティクルの、通常はスリット形状の走行窓部分の投影の移動領域によって形成される。

特に、本発明の実施形態は従属項で示されている。

本発明の詳細と同様に、他の目的、特徴及び効果は本発明の望ましい形態における詳細な説明において現される。

CD又はDVDのような光学的に走査可能な情報キャリアの製造においては、2面のうちの1つで薄い光電性層5を運ぶグラス(図1参照)のディスク状の基板3は、変調された放射ビーム7、例えば、波長が約260nmのDUVレーザビームによって照射される。光電性層5を照射するために、本発明による装置の例25が用いられ、当該装置は図1乃至3を参照して説明される。放射ビーム7は、レンズ形式の複数の光学素子を含み、本発明ではレンズシステム9で表される光学システムによる光電性層5上の走査スポット11に焦点をあてられる。レンズシステム9は、レンズホルダ57中に固定された対物レンズ55を含む。レンズシステム9は更に、最も末端なレンズ59を含み、当該レンズ59は、動作中に層5の最も近くにあるレンズシステム9の光学素子の1つである。空間53が照射される層5と、層5の最も近くにあるレンズシステム9の光学素子の1つとの間に維持されている。光学素子はまた、レンズ以外の他のアイテム、例えば、フィルタ、シールド、回析格子、又は鏡等を含んでもよい。

層5及びレンズ9は互いに変位され、光電性層5における変調された放射ビーム7は連続して層5の照射された部分から離れたシリーズを照射し、照射された部分間の層5の部分を照射しない。照射された光電性層5は、照射された素子13を溶解し、基板3における照射されていない素子15を残す現像液によって現像される。照射された部分を残し、照射されていない部分を溶解することも可能である。両方の場合で、情報キャリアにおけるピット形状の情報素子の所望のシリーズに対応するピット又はバンプのシリーズが光電性層5中に形成される。光電性層5は引き続き、スパッタリングプロセスにより、例えばニッケル等の比較的薄い層によって被覆される。引き続き、この薄い層は、電気成膜プロセスにより比較的厚いニッケル層で被覆される。最終的には基板3から取り除かれるニッケル層では、光電性層5に形成されるピットのパターンは、製造される情報キャリア中に形成されるパターンのネガティブである対応パターンを残し、即ち、主モールドは上昇された部分のシリーズを有し、光電性層5中に形成されたピット状の素子のシリーズ及び情報キャリア上の所望のピット状の情報素子のシリーズに対応する。このように主モールドは、所望の情報キャリアを射出成形するための射出成形機におけるモールドとしての使用に適している。しかしながら、一般的には、主モールドの複製は主モールドの代わりに射出成形用のモールドとして使用され、主モールドの複製は妹モールドとして参照され、それ自体知られている通例の模写プロセスを用いて主モールドによって製造される。

光電性層5を有する基板3が、テーブル27及び基板3に対して垂直に延びている回転軸29を中心に回転可能なテーブル27において設けられている。テーブルは、第1の電気モータ31によって運転される。装置25は更に、放射線源33を有し、放射線源33は本例ではレーザ線源であり、装置25のフレーム35の固定位置に固定されている。あるいは、放射は装置の外から得られてもよい。層5に導かれる放射の制御は、多くの仕方で得ることができ、例えば、放射線源33を制御することにより、及び/又は放射線源33と層5の間の(図示しない)シャッター又は放射ダイバータを制御することにより得ることができる。

光学レンズシステム9は第1のトラベラ37に固定され、第1のトラベラ37は第1の変位構造39により回転軸29を中心に放射状に(図中では、X方向に平行に)変位できる。この目的のため、第1の変位構造39は、X方向に平行に延びている第1のトラベラ37を、フレーム35に対し固定されるストレートガイド43に対し変位可能な第2の電気モータ41を含む。

レンズシステム9の光軸49を有する線における鏡45も第1のトラベラ37に固定している。動作においては、放射線源33によって発生させられた放射ビーム7はX方向に平行に延びている放射ビーム路47をたどり、放射ビーム7はレンズシステム9の光軸49と平行な方向に偏向させられる。レンズシステム9は、焦点アクチュエータ51により、光軸49の方向に第1のトラベラ3につき比較的短い距離変位され、放射ビーム7は光電性層5に焦点をあてられる。基板5を有するテーブル27は回転軸29を中心に、第1のモータ31により比較的高スピードで回転され、レンズシステム9は、第2のモータ41により比較的低スピードでX方向と平行に変位され、放射ビーム7が層にヒットする走査スポット11が光電性層5を越えた螺旋状トラックをたどり、この螺旋状トラックに従って延びている照射された及び照射されていない素子の痕跡を残している。

装置25は比較的高い情報密度を有する主モールドの製造に適しており、装置25により、比較的大きな数の照射された素子を光電性層5のユニットエリアごとに提供し得る。走査スポット11が小さくなるにつれて、到達可能な情報密度が増加する。走査スポット11の大きさは、放射ビーム7の波長及びレンズシステム9の開口数によって定められ、当該開口数はレンズシステム9と光電性層5の間の媒体の光屈折率に依拠する。レンズシステム9と光電性層5の間の媒体の光屈折率が大きいほど、走査スポット11は小さい。液体は典型的には、空気よりも大きな光屈折率を有するため、レンズシステム9とビーム7が延びている光電性層5との間の空間部分53は液体で、本実施例では水で満たされた状態が維持される。本例では、水は使用されるDUV放射ビーム7に透過し、光電性層5を攻めないため、特に適している。

図1に示されるように、本例の装置25は更に、ピックアップ口79と共に設けられる液体取除き構造77を含む。ピックアップ口79は、装置25の第2のトラベラ81に固定し、第2のトラベラ81は装置25の第2の変位構造83によって回転軸29を中心に放射方向に、本例ではX方向と平行に変位するが、変位の別の放射方向が設けられてもよい。第2のトラベラ81の変位を駆動するために、第2の変位装置83は、第2のトラベラ81を、フレーム35に取り付けられ第2のトラベラの変位方向に延びているストレートガイド87に変位するために第2のトラベラ81に接続している第3の電気モータ85を有する。

動作において、ピックアップ口79は第3のモータ85によって変位される。第3のモータ85は制御され、レンズシステム9及びピックアップ口79は継続的に基板3の回転軸29から実質的に等しい距離Rのところに位置している。これにより、ピックアップ口79は、層5の照射された部分が通過するレンズシステム9から下に向かった位置に維持され、レンズシステム9の位置において供給される液体が、回転層5によって、液体が引き続き、ピックアップ口79によって光電性層5からピックアップされ乗せられる。このように水は光電性層5から、レンズシステム9から下に向かって取り除かれるので、既に使用された水が空間53への戻り路を見つけることは実施的に不可能となり、空間53への正確な1回の液体流れが阻害される。動作において、ピックアップ口79は常にレンズシステム9が回転軸29から離れた距離Rに対応して回転軸29から距離Rのところにあり、ピックアップ口79の大きさ及び体積は、既に使用された液体を取り除くために比較的小さいことだけ必要とされる。

図2及び図3は、より詳細に、レンズシステム9、光電性層5を有する基板3、光電性層5とレンズシステム9との間の空間53を示す。層5に最も近いレンズ59は、基板3に対向し基板3に最も近い光学表面63を有する。レンズ55及び59はハウジング61中に掛けれ、前記ハウジング61は、層5に対向し、層5に最も近いレンズ59の光軸に垂直な想像上の面に実質的に延びている平坦壁65を含む。層5に最も近いレンズシステムの面において、放射7が導かれるスポット11に対向するリセス92が設けられている。層5に最も近いレンズ59の面63は、リセス92の内面を形成する。この面63はまた、放射7がスポット11を照射するために通過する空間53の部分の境を限っている。本例によれば、層5に最も近いレンズ59の面63は凹面であり、リセス92の最深点は真ん中にある。但し、この面は平坦でも、凸面であってもよい。

動作において、放射7が層5のスポット11を照射する際に通過する空間53の部分は液体91で満たされている。リセス92では、液体91は空間53からひきずられることから保護される。液体91は放射がスポット11に向かって通過する空間53の部分から離れて乗ることに感受性は殆どないので、放射が通過し水で完全に満たされていない空間53の部分によって引き起こされる関連付けられた光のゆがみの発生は妨害される。

更には、レンズ55及び59の光軸に平行に寸法を取られた空間53の小さなサイズを比較的大きくすることを許容するものである。同様に、これは、層5に最も近いレンズ59への損害の危険性を減少し、レンズの傾きにおける許容耐久力を層5に接触するレンズ59の危険性の増加無しに大きくすることができる。

リセス92は例えば放射部分だけがリセスを通過するように位置付けられてよい。しかしながら、放射ビーム全体を横切る液体91の特に効果的な保護のために、リセス92が、スポット11を放射する放射7の周りに延びている、層5に最も近いリム部を有することが望ましい。従って、液体91がひきずられることから保護されているリセス92における空間53の部分が、放射の全断面に延びている。

層5と壁65、即ち、層5に最も近いレンズ組立品の部分、の最適な実用的距離は、2つの要素によって決定される。一つは、当該距離が、基板3とレンズ55及び59及びハウジング61の配置との間の距離における十分な耐久性を保持するに十分に大きくあるべきことである。もう一つは、この距離が大きすぎないことである。放射がスポット11を通過する際に通る空間53の部分の液浸条件を維持するためにかなり大きな液体流れを要求することになるからである。空間53の最も小さな厚さの望ましい範囲は、液体が水の場合、3−1500μmであり、より望ましくは3−500μmである。液体が水よりも大きな粘性を有する場合は、空間の最も小さな厚さの大きな値が実際上効果的である。流出口の全幅もまた、空間の最も小さな厚さの望ましい範囲の上端に影響を与え、空間の最も小さな厚さは望ましくは(100+1/20W)μmよりも小さく、この場合Wは層5と平行な面において計測された流出口の全幅である。

空間の最も小さな厚さは、耐久性への感受性を増加すべく、約10μmよりも大きくてもよく、例えば、15μm、30μm、100μmよりも大きくてもよい。

液体に気泡が含まれることを避け、放射7がスポット11を通過する際に通る空間53の部分の充填状況を合理的に維持すべく、液体流出は望ましくは壁65と層5との間の液容積が、放射がスポット11に照射される際に通る空間53の部分よりも上流の(スポット11の領域における層5の動きの方向とは反対の方向の)空間53の部分を含むように維持される。このように、液体上流の安全なマージンが形成され、液体が上流方向に追い立てられる距離の変化は、放射7がスポット11を通過する際に通る空間53の部分の充填状況の分裂を引き起こさない。

液体91が通過するレンズシステム9における最も下流の流出口90は、層5と平行な面における全部の投影された断面領域を有し、レンズシステム109の光軸と平行な方向に見たときに、放射7がスポット11に照射される際に通る空間53の部分の内部に中心を有する。従って、液体が流出する際に沿う平均的な路は、少なくとも、放射7がスポット11に照射される際に通る空間53の部分と関連して中心付けられる。従って、スポット11の領域における層5とレンズ配置9が互いに動く方向は、スポット11が照射される際に通る空間53の部分の完全な液浸が阻害されずに、実質的に変化し得る。たとえ、層5の動きの方向が実質的に変化したとしても、液体95の痕跡は、スポット11が照射される際に通る空間53の全部分をカバーする。ビーム7の周りの流出口90の領域はビームの近くに設けられ、層5が余分に濡れてしまうことが制限される。

本例によれば、スポット11が照射される際に通る空間53の部分は流出口90との関係で中心に位置しており、流出口90から空間53への液体91の痕跡95は完全にスポット11が照射される際に通る空間53の部分を液浸する。スポット11の部分において層5及び少なくとも1つのレンズシステム9は矢印52(矢印52は、レンズシステム9に関連して層5の動きの方向を示す)によって示された方向に互いに関連して動き、スポット11の部分において層5及びレンズシステム9は互いに関連して反対方向に動く。

放射が通過する際に通る空間153の部分194の液浸が阻害されずに、層5及びスポット11の領域における層5と平行なレンズシステム9の動きの方向が大きく変化すればするほど、装置は、スポットが層5に二次元画像投影される画像プロセスの如き、幅広く変化する方向に層の表面をスポット11が動く必要があるアプリケーションにより適している。そのようなアプリケーションでは、レンズシステムと照射面との間の媒体とレンズシステムとの間の比較的大きな屈折率の有利なことは、画像が高解像度により投影され、更なる最小化及び/又は改良された信頼性をもたらす。

このようなアプリケーションの例は、半導体装置の製造にけるウエハの処理のための光投影リソグラフィである。この目的のための装置及び方法は図6に図示されている。ウエハステッパ及びウエハスキャナは商業的に可能である。従って、このような方法及び装置は詳細には記されないが、そのような光画像装置の状況において本出願で提案された液浸の理解が主として提供される。

図6による投影リソグラフィ装置は、ウエハサポート12及びウエハサポート12の上にレンズ組立品14を有する投影機13を含む。図6において、ウエハサポート12は、ウエハ15を箱に、ウエハ15の上において複数の領域16がビームによって照射される。ビームは、投影機13に動作的に接続されたスキャナ18においてマスク又はレティクルの画像又は部分画像を投影する。サポートテーブルは、スピンドルドライブ21及び22によって駆動されるスピンドル19及び20に沿ってX及びY方向に移動可能である。スピンドルドライブ21及び22及びスキャナ18は制御ユニット23に接続されている。

通常は、動作の2つの原理のうちの1つが光リソグラフィに適用される。所謂ウエハステッパモードでは、投影機は、ウエハ15における領域16の1つにレティクルの完全な画像を投影する。必要な露出時間に達したときに、光ビームはスィッチオフ又はぼんやりとされ、ウエハ15はスピンドルドライブ21及び22により、ウエハの次の領域16がレンズ組立品14の前の必要とされた位置に居るまで動かされる。露出された領域及び露出される次の領域の相対的な位置に依拠して、幅広く変化する方向にウエハの表面に沿ったレンズ組立品14の相対的な迅速な動きを伴ってもよい。レティクルの画像が投影されるウエハの表面における照射スポットのサイズは、典型的には約20×20mmであり、より大きい又は小さいスポットが考えられる。

より大きな半導体ユニットを製造することが望まれている場合、有利にも他のモードにより、通常はウエハスキャナモードとして言及されるモードにより、画像を投影する。このモードでは、レティクルのスリット状の部分が、ウエハ15の表面における領域16における幅よりも幾倍(例えば、4倍以上)大きい長さを有するスリット状のスポットとして投影される。スポットの典型的サイズは例えば30×5(nm)である。走査されるレティクル17は、走査窓にそって移動し、ウエハサポート12はレンズ組立品14と関連して、適合された速度による制御ユニット23の制御の下、同期的に動き、ウエハに投影されるレティクル17の走査された部分的画像部ではない投影スポットがウエハ15と関連して動く。このように、レティクル17の画像はスポットがウエハにおいて進行するように、連続的な部分が「開く」ように、ウエハの領域16に伝達される。レティクルの走行窓部がウエハ15上を投影する間に、ウエハ15のレンズ組立品14に関連した動きは、通常は比較的ゆっくりと、各回同じ方向へと実行される。レティクル17の完全な画像がウエハ15に投影された後に、レンズ組立品14の前でレティクル17の次の画像が投影されるウエハ15の次の領域をもたらすべく、ウエハ15はレンズ組立品14との関係で一般的にはかなり迅速に移動される。この動きは、ウエハ15の露出領域16の相対的位置及び露出されるウエハ15の次の領域16に依拠する方向を幅広く変化して実行される。
レンズ14に関連するウエハ15の変位後ウエハ15の表面への照射を再開できるようにすべく(即ち、レンズ又はレンズとウエハが動かされる)、動きの完了後に放射が通過するレンズ14とウエハ15の表面との間の空間中の液容積が直ぐに液体で満たされると、当該空間は放射が再開される前に合理的に液浸される。

光リソグラフィでは、例えば、放射が波長193nmの光の場合に、水を用いてもよい。しかしながら、状況によっては他の液体の方がより適している場合もある。

図2及び図3を再度参照するに、リセス92は、放射7のビームが向かれる層5上のスポット11に最も近いレンズ59の表面63の凹部によって境を限られているので、リセス92を有することの有利な点は、放射7がスポット11を通過する際に通る空間53の部分94の全体の比較的均一のフローパターンと結合されることである。特に、空間53における流動度勾配の均一のパターンが得られる。比較的均一のフローパターンは、変化を含みことを避き、新鮮な液体の継続的な均一の供給及び均一で安定した液体温度を得られ、有利である。これらの効果は放射ビーム7の光学的妨害を避けるために有利である。

図3では、符号94で示される点線の円は、レンズ59と放射ビーム7が通過する層5の間の空間53の部分の周辺を示している。

液体91をレンズ59と層5との間の空間53に供給するために、液体供給管67はハウジング61を通じて延びており、流出口90に導かれている。本例によれば、流出口90は面54中に流路構造を有し、流路構造は層5に向かって開口しており、流路に沿って長手方向に供給された液体を分配し、分配された液体を層5に向けて分配する。動作においては、液体91は流路構造に沿って長手に流路構造によって分配され、液体91は、流路構造90から層5に向けて分配される。これは、たとえ層5の面と平行なレンズシステム9及び層5の相互の動きの方向が実質的に変化しても、比較的広い液体痕跡95及び放射ビーム7が通過する空間53の部分94の完全な液浸という結果をもたらす

流路90は、様々な形状を有し得る。図2及び図3に示した実施形態では、流路90は流出口90が放射ビーム7の外部に位置し、放射7がスポット11を照射する際に通る空間53の部分94の周りで延びているように形成されている。十字96は、レンズシステム9の光軸と平行な方向に見たときの、流出口90の全部の断面通過領域の中心を示している。

液体91は望ましくは、流路構造90と、放射が通過する空間53の部分が合理的に液浸されることを維持するに十分な環境との間で、液体が落ちる圧力で供給される。このように面に与えられる水の量は最小限に維持されている。

更には、液体91が流路形状の流出口90を介して分配される場合に、空間153の最も小さい厚さ(この例では、層5と壁部65の面54との間の距離)は、放射が通過する空間の部分94の液浸を阻害する不当な危険をひきおこさずに、長くしてもよい。従って、液体が流路形状流出口90から分配される場合に、変位構造27及び31及びレンズシステム9は望ましくは空間53の最も小さな厚さを3乃至500μmの範囲に維持するために位置づけられ、寸法付けられる。

液体91が供給される流動度は、望ましくは、本質的な直線速度プロファイル及び均質なクエットの流れを有する薄板流れが空間53内でおきることを合理的に保証できるように供給される。このようなフローは、流路90が設けられた壁65上および層5に最も近いレンズ59の側63上の実質的な一定力を働かせる。その結果、空間53における液体は、レンズシステム9における実質的に変化しない液体力を働かせる。このような変化する液体力は、レンズシステム9の望ましくない変化を引き起こし、光電性層5上の放射ビーム7の焦点エラー及び位置エラーを導く。フローは望ましくは、空気を含まず、それによって放射ビーム7は阻害されない。

図4及び5には、図1及び6に示されたような装置のレンズシステム109の第2の例が示されている。この例によれば、液体供給流路167の下流の流出口190が層5に向けて開口している流路構造と共に設けられているが、レンズシステム109の軸方向に見たときに異なる矩形形状を有する。本質的に矩形の形状は、特に、レンズシステム109及び層5の相対的な動きが、矩形の流路構造190の側の1つと垂直な方向にある場合は、空間153の横切られた部分194全体の均一な液体フローパターンを維持する一方で、放射ビームによって横切られた空間の矩形部分194を合理的に液浸するにとって特に有利である。

リセス192は、レンズシステム9の軸と垂直な壁部165内の通路195及びスポット11に最も近いレンズ159の表面によって境を限っており、スポット11に最も近いレンズ159の表面もまた、放射107がスポット11を通過する際に通る空間153の部分194の境を限っている。従って、レンズ159は、レンズシステム109と基板3上の層5との間の意図しない接触による損害から効果的に保護される。

層上のスポットへの照射を導く装置の例の概略側面図である。 照射が導かれ、動作中に維持される液体フローの層の、図1に示された装置の光学システムの第1の例の末端部の概略断面図である。 図2における線III−IIIに沿った概略底面図である。 照射が導かれ、動作中に維持される液体フローの層の、図1に示された装置の光学システムの第3の例の末端部の概略断面図である。 図4における線V−Vに沿った概略底面図である。 光学リソグラフィのためのウエハステッパ/スキャナの概略頂面図である。

Claims (12)

  1. 少なくとも1つの光学素子によって放射ビームを層上のスポットに向けて焦点を合わせ、
    前記少なくとも1つの光学素子と関連する層の相対的動きを引き起こし、連続的に前記層の異なる部分が照射され、前記層に最も近い前記少なくとも1つの光学素子の表面の間の空間が維持され、
    前記層上の前記スポットに前記放射が照射される際に通過する前記空間の少なくとも一部を液体で満たして維持し、前記液体は、供給管を介して供給され流出口から流出する工程を含み、
    前記液体が流出する際に通る少なくとも一つの流出口が、少なくとも一つの流路が前記層に向けて開口している状態で設けられ、前記流路は、前記層に面している面中の前記空間の回りを線状に延びるように形成されており、前記流路は、前記流路に沿って長手方向に前記液体を供給し、前記供給された液体を前記層に向けて供給し、
    前記液体の少なくとも一部が、前記放射が前記スポットに照射される際に通るリセスを満たし、
    前記リセスは、前記層に最も近い前記少なくとも一つの光学素子の前記表面の凹部を含む、ことを特徴とする、層の照射方法。
  2. 前記流路は、前記放射が前記スポットに照射される際に通る前記空間の回りに設けられ、
    前記流路は、前記放射が前記スポットに照射される際に通る前記空間内に中心を有する環状の平面形状を有することを特徴とする請求項1記載の方法。
  3. 前記流路は、前記放射が前記スポットに照射される際に通る前記空間の回りに設けられ、
    前記流路は、前記放射が前記スポットに照射される際に通る前記空間内に中心を有する矩形形状の平面形状を有することを特徴とする請求項1記載の方法。
  4. 前記空間の最も小さな厚さは、3−1500μmに維持されることを特徴とする請求項1乃至3いずれか一項記載の方法。
  5. 前記リセスは、前記層に最も近い前記通路の端部を形成するリム部であって、前記スポットを照射する前記放射の周りに延びているリム部を有することを特徴とする請求項記載の方法。
  6. 前記リセスは、前記層に最も近い前記少なくとも1つの光学素子の表面との間の壁の中に形成され、前記液体が流れる通路と、前記層に最も近い前記少なくとも1つの光学素子と、によって境が限られていることを特徴とする請求項1乃至5いずれか一項記載の方法。
  7. 放射線源から発せられた放射ビームを、層上のスポットに焦点を合わせる少なくとも1つの光学素子と、
    連続的に前記層の異なる部分が照射され、前記層と前記スポットに最も近い前記少なくとも1つの光学素子の表面との間の空間が維持されるよう、前記少なくとも1つの光学素子に関連する前記層の相対的動きを引き起こす変位構造と、
    前記層上の前記スポットに前記放射が照射される際に通過する前記空間の少なくとも一部に液体を供給する流出口で、前記流出口は前記放射ビームの軸と垂直な面に断面を有し、
    前記少なくとも一つの流出口が、少なくとも一つの流路が前記層に向けて開口している状態で設けられ、前記流路は、前記層に面している面中の前記空間の回りを線状に延びるように形成されており、前記流路は、前記流路に沿って長手方向に前記液体を供給し、前記供給された液体を前記層に向けて供給し、
    リセスが、前記スポットに対向する表面中に設けられ、
    前記リセスの内面は、前記放射が前記スポットを照射する際に通る前記空間の少なくとも前記部分の境を限り、
    前記リセスは、前記スポットに最も近い前記少なくとも1つの光学素子の前記表面の凹部を含む、ことを特徴とする、層へ放射を向けさせる装置。
  8. 前記流路は、前記放射が前記スポットに照射される際に通る前記空間の回りに設けられ、
    前記流路は、前記放射が前記スポットに照射される際に通る前記空間内に中心を有する環状の平面形状を有することを特徴とする請求項7記載の装置。
  9. 前記流路は、前記放射が前記スポットに照射される際に通る前記空間の回りに設けられ、
    前記流路は、前記放射が前記スポットに照射される際に通る前記空間内に中心を有する矩形形状の平面形状を有することを特徴とする請求項7記載の装置。
  10. 前記空間の最も小さな厚さは、3−1500μmに維持されるように、前記変位構造及び前記リセスは位置づけられていることを特徴とする請求項7乃至9いずれか一項記載の装置。
  11. 前記リセスは、前記層に最も近い前記通路の端部を形成するリム部であって、記放射が前記スポットを照射する際に通過する前記空間の周りに延びているリム部を有することを特徴とする請求項記載の装置。
  12. 前記リセスは、前記層に最も近い前記少なくとも1つの光学素子の表面との間の壁の中に形成され、前記液体が流れる通路と、前記層に最も近い前記少なくとも1つの光学素子と、によって境が限られていることを特徴とする請求項7乃至11いずれか一項記載の装置。
JP2004561792A 2002-12-19 2003-11-20 層上にスポットを照射する方法及び装置 Expired - Fee Related JP4364806B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP02080376 2002-12-19
PCT/IB2003/005708 WO2004057590A1 (en) 2002-12-19 2003-11-20 Method and device for irradiating spots on a layer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006511021A JP2006511021A (ja) 2006-03-30
JP4364806B2 true JP4364806B2 (ja) 2009-11-18

Family

ID=32668762

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004561792A Expired - Fee Related JP4364806B2 (ja) 2002-12-19 2003-11-20 層上にスポットを照射する方法及び装置

Country Status (11)

Country Link
US (1) US7399978B2 (ja)
EP (2) EP1732075A3 (ja)
JP (1) JP4364806B2 (ja)
KR (1) KR100971441B1 (ja)
CN (1) CN100385535C (ja)
AT (1) AT335272T (ja)
AU (1) AU2003283717A1 (ja)
DE (1) DE60307322T2 (ja)
ES (1) ES2268450T3 (ja)
TW (1) TWI288403B (ja)
WO (1) WO2004057590A1 (ja)

Families Citing this family (243)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101382738B (zh) 2002-11-12 2011-01-12 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121819A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100470367C (zh) 2002-11-12 2009-03-18 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI255971B (en) 2002-11-29 2006-06-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7948604B2 (en) 2002-12-10 2011-05-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
SG150388A1 (en) 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
KR20050085235A (ko) * 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101036114B1 (ko) 2002-12-10 2011-05-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
SG171468A1 (en) 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
US7242455B2 (en) 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
EP2466625B1 (en) 2003-02-26 2015-04-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
KR101181688B1 (ko) 2003-03-25 2012-09-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
AT426914T (de) 2003-04-07 2009-04-15 Nikon Corp Belichtungsgerat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
KR101177331B1 (ko) 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
CN104597717B (zh) 2003-04-10 2017-09-05 株式会社尼康 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统
KR101497289B1 (ko) 2003-04-10 2015-02-27 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
JP4488005B2 (ja) 2003-04-10 2010-06-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用の液体を捕集するための流出通路
JP4837556B2 (ja) 2003-04-11 2011-12-14 株式会社ニコン 液浸リソグラフィにおける光学素子の洗浄方法
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
SG139733A1 (en) 2003-04-11 2008-02-29 Nikon Corp Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
SG152078A1 (en) 2003-04-17 2009-05-29 Nikon Corp Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI518742B (zh) 2003-05-23 2016-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
TW201415536A (zh) 2003-05-23 2014-04-16 尼康股份有限公司 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
EP1628330A4 (en) 2003-05-28 2009-09-16 Nikon Corp Exposure method, exposure device, and device manufacturing method
TWI442694B (zh) 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
US7684008B2 (en) 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI607292B (zh) 2003-06-13 2017-12-01 Nikon Corp Exposure device, exposure method, and device manufacturing method
EP2216685B1 (en) 2003-06-19 2012-06-27 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
EP1498778A1 (en) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1491956B1 (en) 2003-06-27 2006-09-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1494074A1 (en) 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60321779D1 (de) 2003-06-30 2008-08-07 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
WO2005010611A2 (en) 2003-07-08 2005-02-03 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
KR101296501B1 (ko) 2003-07-09 2013-08-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
DE602004030247D1 (de) 2003-07-09 2011-01-05 Nippon Kogaku Kk Belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementherstellung
EP2264531B1 (en) 2003-07-09 2013-01-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US7738074B2 (en) 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1500982A1 (en) 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005010960A1 (ja) 2003-07-25 2005-02-03 Nikon Corporation 投影光学系の検査方法および検査装置、ならびに投影光学系の製造方法
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
CN104122760B (zh) 2003-07-28 2017-04-19 株式会社尼康 曝光装置、器件制造方法
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG133590A1 (en) 2003-08-26 2007-07-30 Nikon Corp Optical element and exposure device
US8149381B2 (en) 2003-08-26 2012-04-03 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261740B1 (en) 2003-08-29 2014-07-09 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus
SG145780A1 (en) 2003-08-29 2008-09-29 Nikon Corp Exposure apparatus and device fabricating method
KR101371917B1 (ko) 2003-09-03 2014-03-07 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
EP1747499A2 (en) * 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
WO2005029559A1 (ja) 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
DE60302897T2 (de) 2003-09-29 2006-08-03 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1519230A1 (en) 2003-09-29 2005-03-30 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7158211B2 (en) 2003-09-29 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101664642B1 (ko) 2003-09-29 2016-10-11 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
EP1672682A4 (en) 2003-10-08 2008-10-15 Zao Nikon Co Ltd Substrate transporting apparatus and method, exposure apparatus and method, and device producing method
WO2005036621A1 (ja) 2003-10-08 2005-04-21 Zao Nikon Co., Ltd. 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
TWI553701B (zh) 2003-10-09 2016-10-11 尼康股份有限公司 Exposure apparatus and exposure method, component manufacturing method
EP1524558A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1524557A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352433B2 (en) 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
KR101121260B1 (ko) 2003-10-28 2012-03-23 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스의 제조 방법
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置製造方法
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1699072B1 (en) 2003-12-03 2016-08-31 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method
KR101345443B1 (ko) 2003-12-15 2013-12-27 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101204157B1 (ko) 2004-01-20 2012-11-22 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 마이크로 리소그래픽 투영 노광 장치 및 그 투영 렌즈를 위한 측정 장치
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
EP1713114B1 (en) 2004-02-03 2018-09-19 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
KR101741343B1 (ko) 2004-02-04 2017-05-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102004013886A1 (de) 2004-03-16 2005-10-06 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Mehrfachbelichtung, Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage und Projektionssystem
KR101607035B1 (ko) 2004-03-25 2016-04-11 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101330370B1 (ko) 2004-04-19 2013-11-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1774405B1 (en) 2004-06-04 2014-08-06 Carl Zeiss SMT GmbH System for measuring the image quality of an optical imaging system
CN101819386B (zh) 2004-06-09 2013-10-09 尼康股份有限公司 曝光装置及元件制造方法
US8717533B2 (en) 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP3067750B1 (en) 2004-06-10 2019-01-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8508713B2 (en) 2004-06-10 2013-08-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8373843B2 (en) 2004-06-10 2013-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
KR101556454B1 (ko) 2004-06-10 2015-10-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US7481867B2 (en) 2004-06-16 2009-01-27 Edwards Limited Vacuum system for immersion photolithography
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101342330B1 (ko) 2004-07-12 2013-12-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7161663B2 (en) 2004-07-22 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006019124A1 (ja) 2004-08-18 2006-02-23 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1796146B1 (en) 2004-09-17 2013-01-16 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing device
US7133114B2 (en) 2004-09-20 2006-11-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7522261B2 (en) 2004-09-24 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7355674B2 (en) 2004-09-28 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product
US7894040B2 (en) 2004-10-05 2011-02-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7209213B2 (en) 2004-10-07 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006041083A1 (ja) 2004-10-13 2006-04-20 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7379155B2 (en) 2004-10-18 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119876B2 (en) 2004-10-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4665712B2 (ja) 2004-10-26 2011-04-06 株式会社ニコン 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法
US7583357B2 (en) 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7423720B2 (en) 2004-11-12 2008-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7251013B2 (en) 2004-11-12 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7414699B2 (en) 2004-11-12 2008-08-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411657B2 (en) 2004-11-17 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7145630B2 (en) 2004-11-23 2006-12-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161654B2 (en) 2004-12-02 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7446850B2 (en) 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7196770B2 (en) 2004-12-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Prewetting of substrate before immersion exposure
US7248334B2 (en) 2004-12-07 2007-07-24 Asml Netherlands B.V. Sensor shield
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4752473B2 (ja) 2004-12-09 2011-08-17 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7352440B2 (en) 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US7403261B2 (en) 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528931B2 (en) 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7405805B2 (en) 2004-12-28 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7491661B2 (en) 2004-12-28 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, top coat material and substrate
US20060147821A1 (en) 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124359A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124351A1 (en) * 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101942138B1 (ko) 2005-01-31 2019-01-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
KR101211570B1 (ko) 2005-02-10 2012-12-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 침지 액체, 노광 장치, 및 노광 프로세스
US8018573B2 (en) 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7224431B2 (en) 2005-02-22 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7378025B2 (en) 2005-02-22 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7428038B2 (en) 2005-02-28 2008-09-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid
US7282701B2 (en) 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684010B2 (en) 2005-03-09 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing
EP1879217A4 (en) 2005-03-18 2010-06-09 Nikon Corp Exposure method, exposure apparatus, device manufacturing method and exposure apparatus evaluating method
TWI424260B (zh) 2005-03-18 2014-01-21 尼康股份有限公司 A board member, a substrate holding device, an exposure apparatus and an exposure method, and a device manufacturing method
US7330238B2 (en) 2005-03-28 2008-02-12 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method
KR101197071B1 (ko) 2005-03-30 2012-11-06 가부시키가이샤 니콘 노광 조건의 결정 방법, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고디바이스 제조 방법
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7291850B2 (en) 2005-04-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US8089608B2 (en) 2005-04-18 2012-01-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
WO2006118258A1 (ja) 2005-04-28 2006-11-09 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317507B2 (en) 2005-05-03 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7652746B2 (en) 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7751027B2 (en) 2005-06-21 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7474379B2 (en) 2005-06-28 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7468779B2 (en) 2005-06-28 2008-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7834974B2 (en) 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2007004552A1 (ja) 2005-06-30 2007-01-11 Nikon Corporation 露光装置及び方法、露光装置のメンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
US7535644B2 (en) 2005-08-12 2009-05-19 Asml Netherlands B.V. Lens element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US8054445B2 (en) 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101449055B1 (ko) 2005-08-23 2014-10-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
KR20080053497A (ko) * 2005-09-21 2008-06-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US7411658B2 (en) 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JPWO2007055199A1 (ja) 2005-11-09 2009-04-30 株式会社ニコン 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
US7804577B2 (en) 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7656501B2 (en) 2005-11-16 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7864292B2 (en) 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007165869A (ja) 2005-11-21 2007-06-28 Nikon Corp 露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法、露光装置、並びに基板処理方法及び装置
US7803516B2 (en) 2005-11-21 2010-09-28 Nikon Corporation Exposure method, device manufacturing method using the same, exposure apparatus, and substrate processing method and apparatus
US7633073B2 (en) 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW200725195A (en) 2005-12-06 2007-07-01 Nikon Corp Exposure method, exposure apparatus, and unit manufacturing method
TW200722935A (en) 2005-12-06 2007-06-16 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, projection optical system and device manufacturing method
US7782442B2 (en) 2005-12-06 2010-08-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, projection optical system and device producing method
US7420194B2 (en) 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
WO2007077875A1 (ja) 2005-12-28 2007-07-12 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US8411271B2 (en) 2005-12-28 2013-04-02 Nikon Corporation Pattern forming method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method
EP1975982A1 (en) 2005-12-28 2008-10-01 Nikon Corporation Pattern formation method and pattern formation apparatus, exposure metho and exposure apparatus, and device manufacturing method
US8953148B2 (en) 2005-12-28 2015-02-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and making method thereof
WO2007077925A1 (ja) 2005-12-28 2007-07-12 Nikon Corporation パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法
US7839483B2 (en) 2005-12-28 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2007083758A1 (ja) 2006-01-19 2007-07-26 Nikon Corporation 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
KR20080101865A (ko) 2006-02-16 2008-11-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
WO2007094431A1 (ja) 2006-02-16 2007-08-23 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7714982B2 (en) 2006-02-16 2010-05-11 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
KR20080102192A (ko) 2006-02-16 2008-11-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
WO2007097379A1 (ja) 2006-02-21 2007-08-30 Nikon Corporation パターン形成装置、マーク検出装置、露光装置、パターン形成方法、露光方法及びデバイス製造方法
EP3267258A1 (en) 2006-02-21 2018-01-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
EP2813893A1 (en) 2006-02-21 2014-12-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
WO2007102484A1 (ja) 2006-03-07 2007-09-13 Nikon Corporation デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置
US8045134B2 (en) 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
WO2007105645A1 (ja) 2006-03-13 2007-09-20 Nikon Corporation 露光装置、メンテナンス方法、露光方法及びデバイス製造方法
US9477158B2 (en) 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
JP5217239B2 (ja) 2006-05-18 2013-06-19 株式会社ニコン 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
JP2008004928A (ja) 2006-05-22 2008-01-10 Nikon Corp 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
US7969548B2 (en) 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
CN101385124B (zh) 2006-05-23 2011-02-09 株式会社尼康 维修方法、曝光方法及装置、以及组件制造方法
EP2023379A4 (en) 2006-05-31 2009-07-08 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method
JP5245825B2 (ja) 2006-06-30 2013-07-24 株式会社ニコン メンテナンス方法、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US8045135B2 (en) 2006-11-22 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9632425B2 (en) 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US7791709B2 (en) 2006-12-08 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Substrate support and lithographic process
US8237911B2 (en) 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
KR20100014357A (ko) 2007-04-12 2010-02-10 가부시키가이샤 니콘 계측 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US7866330B2 (en) 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US9013672B2 (en) 2007-05-04 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
KR20100031694A (ko) 2007-05-28 2010-03-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 세정 장치, 및 클리닝 방법 그리고 노광 방법
US8164736B2 (en) 2007-05-29 2012-04-24 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device
US8098362B2 (en) 2007-05-30 2012-01-17 Nikon Corporation Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
EP2017833A1 (en) 2007-07-16 2009-01-21 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Scanned writing of an exposure pattern on a substrate
US8194232B2 (en) 2007-07-24 2012-06-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method
JP5177449B2 (ja) 2007-07-24 2013-04-03 株式会社ニコン 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US8547527B2 (en) 2007-07-24 2013-10-01 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method
US8867022B2 (en) 2007-08-24 2014-10-21 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method
US8237919B2 (en) 2007-08-24 2012-08-07 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads
US8218129B2 (en) 2007-08-24 2012-07-10 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, measuring method, and position measurement system
US8023106B2 (en) 2007-08-24 2011-09-20 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US9304412B2 (en) 2007-08-24 2016-04-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and measuring method
NL1036186A1 (nl) * 2007-12-03 2009-06-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
KR101497862B1 (ko) 2007-12-28 2015-03-04 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US9176393B2 (en) 2008-05-28 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus
US8384875B2 (en) 2008-09-29 2013-02-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8619231B2 (en) 2009-05-21 2013-12-31 Nikon Corporation Cleaning method, exposure method, and device manufacturing method
NL2005207A (en) 2009-09-28 2011-03-29 Asml Netherlands Bv Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2005951A (en) * 2010-02-02 2011-08-03 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a device manufacturing method.
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
CN109863457A (zh) 2016-08-24 2019-06-07 株式会社尼康 测量系统及基板处理系统、以及元件制造方法
CN109791379A (zh) 2016-09-30 2019-05-21 株式会社尼康 测量系统及基板处理系统、及元件制造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6349893B2 (ja) * 1981-03-18 1988-10-06 Hitachi Ltd
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
US6104687A (en) * 1996-08-26 2000-08-15 Digital Papyrus Corporation Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
TW591653B (en) * 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier

Also Published As

Publication number Publication date
EP1584089B1 (en) 2006-08-02
WO2004057590A1 (en) 2004-07-08
AU2003283717A1 (en) 2004-07-14
CN1729522A (zh) 2006-02-01
KR100971441B1 (ko) 2010-07-21
EP1732075A2 (en) 2006-12-13
ES2268450T3 (es) 2007-03-16
AT335272T (de) 2006-08-15
KR20050095588A (ko) 2005-09-29
DE60307322T2 (de) 2007-10-18
CN100385535C (zh) 2008-04-30
DE60307322D1 (de) 2006-09-14
US7399978B2 (en) 2008-07-15
US20060209414A1 (en) 2006-09-21
TWI288403B (en) 2007-10-11
JP2006511021A (ja) 2006-03-30
EP1732075A3 (en) 2007-02-21
EP1584089A1 (en) 2005-10-12
TW200423076A (en) 2004-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI427427B (zh) 微影裝置及元件製造方法
TWI616932B (zh) Exposure device and component manufacturing method
JP3612920B2 (ja) 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
TWI443478B (zh) 微影裝置及元件製造方法
USRE42556E1 (en) Apparatus for method for immersion lithography
JP4232449B2 (ja) 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
KR101152832B1 (ko) 유체 핸들링 구조체, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
EP2267538B1 (en) Lithographic Apparatus
TWI651597B (zh) 曝光方法及曝光裝置、以及元件製造方法
KR100649176B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
JP4298596B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP4347398B2 (ja) リソグラフィ装置
US20130135595A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20110019168A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4295712B2 (ja) リソグラフィ装置及び装置製造方法
KR100632891B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
US8259287B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100562805C (zh) 光刻投影装置和器件制作方法
US6731376B1 (en) System and method for reducing colinearity effects in manufacturing microdevices
TWI413867B (zh) 微影裝置
KR100674224B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
US4132479A (en) Pattern transfer optical system
CN101487980B (zh) 光刻装置和器件制造方法
JP3141471B2 (ja) ディスク媒体の製造方法、及び製造装置、並びに露光方法及び露光装置
KR101613062B1 (ko) 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061117

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090213

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090217

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090518

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090525

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090616

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090623

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090624

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090804

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090819

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120828

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120828

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130828

Year of fee payment: 4

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees