CN1771463A - 用于沉浸光刻装置收集液体的溢出通道 - Google Patents

用于沉浸光刻装置收集液体的溢出通道 Download PDF

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CN1771463A
CN1771463A CN 200480009674 CN200480009674A CN1771463A CN 1771463 A CN1771463 A CN 1771463A CN 200480009674 CN200480009674 CN 200480009674 CN 200480009674 A CN200480009674 A CN 200480009674A CN 1771463 A CN1771463 A CN 1771463A
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株式会社尼康
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Abstract

一种用于将图像传送到器件(30)的曝光装置(10)包括光学组件(16),浸液系统(252),以及器件载物台装配(20)。光学组件(16)位于器件(30)上间隙(246)。浸液系统(252)用浸液(248)充满间隙(246)。器件载物台装配(20)包括便于离开间隙(246)的浸液(248)远离器件(30)移动的倾斜区(282)。器件载物台装配(20)可以包括收集区(284)以及从收集区(284)中回收浸液(248)的回收系统(286)。

Description

用于沉浸先刻装置收集液体的溢出通道

相关申请本申请要求2003年4月10日提交、名称为“RUN-OFF PATH ATTHE EDGE OF WAFER TO COLLECT LIQUID FOR IMMERSIONLITHOGRAPHY(位于晶片边缘、用于沉浸光刻技术收集液体的溢出通道)”的未决临时申请序列号60/462,114的优先权益。只要允许,临时申请序列号60/462,114的内容在此引用作为参考。

背景技术

在半导体处理过程中,曝光装置通常用于将图像从标线片传送到半导体晶片上。典型的曝光装置包括照明源,定位标线片的标线片载物台装配,光学组件,定位半导体晶片的晶片载物台装配,以及精确监控标线片和晶片位置的测量系统。

沉浸光刻系统利用充满光学组件与晶片之间间隙的一层浸液。晶片在典型的光刻系统中快速移动并且它将期望将浸液从间隙中带走。从间隙中漏出的该浸液可能干扰光刻系统其他组件的操作。例如,浸液可能干扰监控晶片位置的测量系统。

发明内容

本发明涉及一种将图像传送到器件的曝光装置。在一种实施方案中,曝光装置包括支架,光学组件,浸液源和器件载物台装配。间隙将光学组件与器件分隔。浸液源将浸液输送到间隙。支架支撑器件。在一种实施方案中,器件载物台装配包括位于器件附近的倾斜区。倾斜区便于离开间隙的浸液远离器件而流动。

在一种实施方案中,倾斜区包括便于浸液沿着倾斜区向下移动的一个或多个涂层和/或一个或多个特征。例如,憎水型涂层和/或亲水型涂层可以利用。

在一种实施方案中,器件载物台装配包括接收来自倾斜区的浸液的收集区,以及将浸液从收集区移除的回收设备。

在一种实施方案中,倾斜区包括具有第一特性的第一子区域和具有不同于第一特性的第二特性的第二子区域。作为实例,第一特性可以包括第一涂层而第二特性可以包括不同于第一涂层的第二涂层。

在另一种实施方案中,第一子区域相对于器件顶部成第一角度而第二子区域相对于器件顶部成第二角度,并且第一角度不同于第二角度。在该实施方案中,器件载物台装配可以包括与第一子区域流体联通的第一收集区,与第二子区域流体联通的第二收集区,以及将浸液从收集区移除的回收设备。

本发明也涉及一种曝光装置,一种晶片,一种器件,一种控制间隙内环境的方法,一种制造曝光装置的方法,一种制造器件的方法,以及一种制造晶片的方法。

附图说明

图1是具有本发明特征的曝光装置的侧面说明;图2A是在图1的线2A-2A上获得的剖视图;图2B是在图2A的线2B-2B上获得的剖视图;图2C是来自图2A的器件载物台和器件的俯视图;图3A是具有本发明特征的器件以及器件载物台另一种实施方案的俯视图;图3B是在图3A的线3B-3B上获得的剖视图;图4是具有本发明特征的器件以及器件载物台的再一种实施方案的俯视图;图5A是器件以及器件载物台又一种实施方案的一部分的放大侧面剖视图;图5B是图5A的器件载物台的一部分的俯视图;图6A是概述制造根据本发明的器件的过程的流程图;以及图6B是更详细地概述器件处理的流程图。

具体实施方式

图1是具有本发明特征的精密装配,也就是曝光装置10的示意说明。曝光装置10包括装置框架12,照明系统14(照射装置),光学组件16,标线片载物台装配18,器件载物台装配20,测量系统22,控制系统24,和液体环境系统26。曝光装置10的组件的设计可以改变以适合曝光装置10的设计需求。

许多图包括说明X轴、与X轴正交的Y轴,以及与X和Y轴正交的Z轴的坐标系统。应当注意,这些轴也可以称为第一、第二和第三轴。

曝光装置10作为将集成电路的图案(没有显示)从标线片28传送到半导体晶片30(剖视图中说明)上的光刻设备特别有用。晶片30通常也称作器件,或工件。曝光装置10安装到安装基座32例如地面、基座、或地板或者一些其他支撑结构。

存在许多不同类型的光刻设备。例如,曝光装置10可以用作随着标线片28和晶片30同步移动而将图案从标线片28曝光到晶片30上的扫描型光刻系统。在扫描型光刻装置中,标线片28由标线片载物台装配18垂直于光学组件16的光轴而移动,并且晶片30由晶片载物台装配20垂直于光学组件16的光轴而移动。当标线片28和晶片30同步地移动时,标线片28和晶片30的扫描发生。

作为选择,曝光装置10可以是当标线片28和晶片30静止不动时曝光标线片28的分步重复型光刻系统。在分步重复工序中,晶片30在各个区域的曝光期间处于相对于标线片28和光学组件16的恒定位置中。随后,在连续的曝光步骤之间,晶片30随着器件载物台装配20垂直于光学组件16的光轴连续移动,使得晶片30的下一个区域被带入相对于光学组件16和标线片28的适当位置中以便曝光。在该过程之后,标线片28上的图像顺序地曝光到晶片30的区域上,然后晶片30的下一个区域进入相对于光学组件16和标线片28的适当位置中。

但是,这里提供的曝光装置10的使用并不局限于半导体制造的光刻系统。例如,曝光装置10可以用作将液晶显示设备图案曝光到矩形玻璃板上的LCD光刻系统,或者用于制造薄膜磁头的光刻系统。

装置框架12支撑曝光装置10的组件。图1中说明的装置框架12将标线片载物台装配18,晶片载物台装配20,光学组件16和照明系统14支撑在安装基座32上。

照明系统14包括照明源34和照明光学组件36。照明源34发射一束(照射)光能。照明光学组件36将该束光能从照明源34导向光学组件16。光束选择性地照射标线片28的不同部分并且曝光晶片30。在图1中,照明源34说明为支撑在标线片载物台装配18上面。但是,典型地,照明源34固定到装置框架12的侧面之一,并且来自照明源34的能量束用照明光学组件36引导到标线片载物台装配18上。

光学组件16将通过标线片28的光投影和/或聚焦到晶片30。依赖于曝光装置10的设计,光学组件16可以放大或缩小照射在标线片28上的图像。光学组件16不需要局限于缩小系统。它也可以是1x或放大系统。

在一种实施方案中,光学组件16用一个或多个光学安装隔离器37固定到装置框架12。光学安装隔离器37抑制装置框架12的振动引起光学组件16的振动。每个光学安装隔离器37可以包括隔离振动的气压缸(没有显示)以及隔离振动并且以至少两个自由度控制位置的传动装置(没有显示)。适当的光学安装隔离器37由位于MA,Woburn的Integrated Dynamics Engineering(集成动力学工程技术)出售。为了容易说明,两个分隔的光学安装隔离器37显示用来将光学组件16固定到装置框架12。但是,例如,三个分隔的光学安装隔离器37可以用来将光学组件16运动地固定到装置框架12。

标线片载物台装配18相对于光学组件16和晶片30固定和定位标线片28。在一种实施方案中,标线片载物台装配18包括保持标线片28的标线片载物台38以及移动和定位标线片载物台38和标线片28的标线片载物台移动器装配40。

有点类似地,器件载物台装配20相对于标线片28的照射部分的投影图像固定和定位晶片30。在一种实施方案中,器件载物台装配20包括保持晶片30的器件载物台42,支撑并引导器件载物台42的器件载物台基座43,以及相对于光学组件16和器件载物台基座43移动和定位器件载物台42和晶片308的器件载物台移动器装配44。器件载物台42在下面更详细描述。

每个载物台移动器装配40,44可以三个自由度,少于三个自由度,或多于三个自由度移动各自的载物台38,42。例如,在备选实施方案中,每个载物台移动器装配40,44可以一个、两个、三个、四个、五个或六个自由度移动各自的载物台38,42。标线片载物台移动器装配40和器件载物台移动器装配44每个可以包括一个或多个移动器,例如回转马达,音圈马达,利用洛伦兹力产生驱动力的线性马达,电磁移动器,平面马达,或一些其他力移动器。

在光刻系统中,当线性马达(参看美国专利号5,623,853或5,528,118)在器件载物台装配或标线片载物台装配中使用时,线性马达可以是使用空气轴承的空气悬浮型或者使用洛伦兹力或电抗力的磁悬浮型。另外,载物台可以沿着导轨移动,或者它可以是不使用导轨的无导向型载物台。只要允许,美国专利号5,623,853和5,528,118中的公开内容在此引用作为参考。

作为选择,载物台中一个可以由平面马达驱动,其用由具有二维排列磁体的磁体单元以及具有位于面向位置中的二维排列线圈的电枢线圈单元产生的电磁力驱动载物台。使用该类型驱动系统,磁体单元或电枢线圈单元连接到载物台基座而另一单元安装在载物台的移动平面侧上。

如上所述载物台的移动产生可以影响光刻系统性能的反作用力。由晶片(衬底)载物台移动而产生的反作用力可以由框架元件的使用机械地传送到地板(地面),如在美国专利5,528,100号和发表的日本专利申请公开8-136475号中描述的。另外,由标线片(掩模)载物台移动而产生的反作用力可以由框架元件的使用机械地传送到地板(地面),如在美国专利5,874,820号和发表的日本专利申请公开8-330224号中描述的。只要允许,美国专利5,528,100和5,874,820号以及日本专利申请公开8-330224号中的公开内容在此引用作为参考。

测量系统22监控标线片28和晶片30相对于光学组件16或一些其他参考的移动。使用该信息,控制系统24可以控制标线片载物台装配18以精确地定位标线片28并且控制器件载物台装配20以精确地定位晶片30。测量系统22的设计可以改变。例如,测量系统22可以利用多个激光干涉仪,编码器,反射镜,和/或其他测量设备。

控制系统24电连接到测量系统22和载物台移动器装配18,20,从测量系统22接收信息,并且控制载物台移动器装配18,20以精确地定位标线片28和晶片30。另外,控制系统24可以控制环境系统26的组件的操作。控制系统24可以包括一个或多个处理器和电路。

环境系统26控制光学组件16与晶片30之间的间隙246(图2A中说明)中的环境。间隙246包括成像区。成像区包括与晶片30正在曝光的区域相邻的区域以及光学组件16与晶片30之间该束光能在其中行进的区域。使用该设计,环境系统26可以控制成像区中的环境。

由环境系统26在间隙246中创造和/或控制的期望环境可以根据晶片30以及曝光装置10的组件剩余部分的设计而改变,包括照明系统14。例如,期望的可控环境可以是液体例如水。作为选择,期望的可控环境可以是另一种类型的液体。

图2A是图1的曝光转置10的部分的剖视图,包括光学组件16,器件载物台42,以及环境系统26。图2A说明光学组件16包括光学外壳250A,最后光学元件250B,以及将最后光学元件250B固定到光学外壳250A的元件保持器250C。另外,图2A说明最后光学元件250B与晶片30之间的间隙246。在一种实施方案中,间隙246大约为1mm。

在图2A中,器件载物台42保持支架243(说明为盒子),其保持并支撑器件30。例如,支架243可以是真空型夹盘或者保持器件的另一种类型的夹子。

在一种实施方案中,环境系统26用浸液248填充成像区和间隙246的剩余部分(说明为圆圈)。环境系统26以及环境系统26的组件的设计可以改变。在图2A中说明的实施方案中,环境系统26包括浸液系统252,第一回收系统254,和第二回收系统256。在该实施方案中,(i)浸液系统252将浸液248输送和/或注入到间隙246中,(ii)第一回收系统254回收离开间隙246的浸液248的一部分,以及(iii)第二回收系统256回收离开间隙246、没有由第一回收系统254捕获的浸液248。每个系统252,254和256的设计可以改变。

在一种实施方案中,第一回收系统254比第二回收系统256回收更多的从间隙246中离开的浸液248。例如,在备选实施方案中,第一回收系统254可以比第二回收系统256多回收大约百分之10,20,30,40,50,60,70,80,90,95或99。在一种实施方案中,第一回收系统254捕获大多数浸液248并且抑制浸液248溢出或滴落到围绕晶片30的曝光装置10的各个部分上,并且第一回收系统254限定围绕间隙246的室257。

在另一种实施方案中,第二回收系统256比第一回收系统254回收更多的从间隙246中离开的浸液248。例如,在备选实施方案中,第二回收系统256可以比第一回收系统254多回收大约百分之10,20,30,40,50,60,70,80,90,95或99。作为选择,例如,环境系统26可以设计不具有第一回收系统254。在该实施方案中,第二回收系统256将回收从间隙246中离开的全部浸液248。

浸液系统252的设计可以改变。例如,浸液系统252可以在间隙246和室257处或附近的一个或多个位置,光学组件16的边缘、和/或直接在光学组件16与晶片30之间注入浸液248。此外,浸液系统252可以在器件30、间隙246和/或光学组件16的边缘处或附近的一个或多个位置帮助移除和/或清除浸液248。

在图2A中说明的实施方案中,浸液系统252包括位于光学组件16和浸液源260周围的一个或多个喷射嘴258(仅一个被说明)。在该实施方案中,喷射嘴258的每个包括与浸液源260流体联通的喷嘴出口262。在适当的时间,浸液源260提供浸液248到一个或多个喷嘴出口262,其被释放到室257中。

浸液源260可以包括(i)保持浸液248的储液器(没有显示),(ii)与储液器流体联通、过滤浸液248的过滤器(没有显示),(iii)与过滤器流体联通、从浸液248中去除任何空气、污染物、或气体的通风装置(没有显示),(iv)与通风装置流体联通、控制浸液248温度的温度控制器(没有显示),例如热交换器或冷却器,(v)与温度控制器流体联通的压力源(没有显示),例如泵,以及(vi)具有与压力源流体联通的入口和与喷嘴出口262(图2C中说明)流体联通的出口的流量控制器(没有显示),流量控制器控制到喷嘴出口262的压力和流量。另外,浸液源260可以包括(i)测量输送到喷嘴出口262的浸液248的压力的压力传感器(没有显示),(ii)测量到喷嘴出口262的浸液248的流速的流量传感器(没有显示),以及(iii)测量到喷嘴出口262的浸液248的温度的温度传感器(没有显示)。这些组件的操作可以由控制系统24(图1中说明)来控制以控制到喷嘴出口262的浸液248的流速、温度和/或压力。来自这些传感器的信息可以传送到控制系统24,使得控制系统24可以适当地调节浸液源260的其他组件以获得浸液248的期望温度、流量和/或压力。

应当注意,浸液源260的组件的方向可以改变。此外,一个或多个组件可能不是必需的和/或一些组件可以加倍。例如,浸液源260可以包括多个泵、多个储液器、温度控制器或其他组件。而且,环境系统26可以包括多个浸液源260。

浸液248泵入间隙246(图2B中说明)中的速率可以改变。例如,浸液248可以经由喷嘴出口262以大约0.5升/分钟~1.5升/分钟的速率提供到间隙246。

浸液248的类型可以改变以适合装置10的设计需求。在一种实施方案中,浸液248是液体例如脱气、去离子水。作为选择,例如,浸液248可以是另一种类型的液体。

图2A也说明室257中的浸液248位于晶片30之上。因为晶片30在光学组件16下面移动,它将与晶片30一起将晶片30顶面附近的浸液248拖入间隙246中。

第一回收系统254包括(i)围绕间隙246并且在间隙246附近形成室257的容器框架264,(ii)支撑容器框架264的框架支架266,以及(iii)第一回收设备268。在一种实施方案中,容器框架264限制浸液248流出间隙246,帮助维持间隙246充满浸液248,以及便于从间隙246中漏出的浸液248的回收。在一种实施方案中,容器框架264环绕并且完全包围间隙246和光学组件16的底部。此外,在一种实施方案中,容器框架264限制浸液248到光学组件16下面的晶片30和器件载物台42上的区域。作为选择,例如,容器框架264可以仅包围间隙246的一部分或者容器框架264可以偏离光学组件16的中心。

在一种实施方案中,容器框架264通常是环形并且环绕间隙246。另外,在该实施方案中,容器框架264限定具有面向晶片30和间隙246的敞开底部的通道270。同样应当注意,容器框架264可以具有另一种形状。例如,容器框架264可以是矩形框架形状,八边形框架形状,椭圆框架形状,或者另一种适当的形状。

框架支架266将容器框架264连接到装置框架12,另一种结构,和/或光学组件16并将其支撑在晶片30和器件载物台42上面。在一种实施方案中,框架支架266支撑容器框架264的全部重量。作为选择,例如,框架支架268可以支撑容器框架264的仅一部分重量。在该实施方案中,液体轴承(没有显示)或另一种设备可以用来相对于晶片30支撑容器框架。

在一种实施方案中,框架支架268可以包括一个或多个支撑装配272。例如,框架支架268可以包括三个彼此分隔的支撑装配272(仅两个在图2B中说明)。在该实施方案中,每个支撑装配272在光学组件16与容器框架264的内侧之间延伸。

在一种实施方案中,每个支撑装配272是将容器框架264刚性地固定到光学组件16的安装。作为选择,例如,每个支撑装配可以是以韧性方式支撑容器框架264的挠曲。如这里使用的,术语“挠曲”意思是在一些方向上具有相对高的刚度而在其他方向上具有相对低的刚度的部件。在一种实施方案中,挠曲合作(i)沿着X轴和沿着Y轴相对刚性,而(ii)沿着Z轴相对韧性。在该实施方案中,挠曲可以允许容器框架264沿着Z轴移动而禁止容器框架264沿着X轴和Y轴移动。

作为选择,例如,每个支撑装配272可以是可以用来相对于晶片30和器件载物台42调节容器框架264位置的传动装置。在该实施方案中,框架支架268也可以包括监控容器框架264位置的框架测量系统(没有显示)。例如,框架测量系统可以监控容器框架264沿着Z轴、关于X轴,和/或关于Y轴的位置。使用该信息,支撑装配274可以用来调节容器框架264的位置。在该实施方案中,支撑装配274可以积极地调节容器框架264的位置。

图2A也说明第一回收系统254可以包括输送区274。在一种实施方案中,输送区274是基本上环形盘形状、环绕间隙246,并且基本上与光学组件16同心的衬底275。作为选择,例如,输送区274可以是另一种形状,包括椭圆框架形状、矩形框架形状或八边形框架形状。仍然作为选择,例如,输送区274可以包括合作以环绕间隙246一部分的多个衬底段,和/或多个基本上同心衬底。

在该实施方案中,输送区274在底部或其附近固定到容器框架264,并且与容器框架264合作以形成紧靠输送区274并在其上面的清除室276。在该实施方案中,输送区274捕获、保持、和/或吸收在容器框架264与晶片30和/或器件载物台42之间流动的浸液248的至少一部分。在输送区256中使用的材料类型可以改变。作为实例,输送区274可以是具有由毛细作用输送浸液248的多个毛孔的材料。适当材料的实例包括由金属、玻璃,或陶瓷制成的纱芯型结构。

第一回收设备268与输送区274和清除室276流体联通。使用该设计,浸液248可以用输送区274捕获并且由第一回收设备268移除。在一种实施方案中,第一回收设备268从输送区274的顶部移除浸液248,允许另外的浸液248流入输送区274的底部。

在一种实施方案中,第一回收设备268包括在清除室276中产生低压的低压源。在该实施方案中,低压源可以包括泵或真空源,以及精确控制清除室276中压力的室压调节器。应当注意,液体回收设备268的组件的方向可以改变。此外,一个或多个组件可能不是必需的和/或一些组件可以加倍。例如,第一回收设备268可以包括多个泵、多个储液器、阀门、或其他组件。而且,环境系统26可以包括多个第一回收设备268。

在备选实施方案中,控制系统24(图1中说明)可以电连接到输送区274并且可以施加电压到输送区274。使用该设计,输送区274用作捕获正在离开间隙246的浸液248的电动海绵。在又一种实施方案中,容器框架264的底部可以敞开。

图2A说明框架间隙278存在于(i)容器框架264和输送区274的底部,与(ii)晶片30和/或器件载物台42之间,以使得器件载物台42和晶片30相对于容器框架264的移动容易。框架间隙278的大小可以改变。在一种实施方案中,框架间隙278在大于0.1~2mm之间。在备选实施方案中,框架间隙278可以小于0.1mm或大于2mm。

使用该实施方案,大部分浸液248限制在容器框架264内并且外围附近的大部分泄漏由输送区274在窄的框架间隙278中清除。在这种情况下,当浸液248接触到输送区274时,它被吸入输送区274中并被吸收。这样,输送区274防止任何浸液248流到容器框架264外部。

应当注意,在每种实施方案中,另外的输送区可以根据需要添加。

图2A也说明第二回收系统256可以包括边界区280,倾斜区282,收集区284,和第二回收设备286。在一种实施方案中,倾斜区282和收集区284被设计以利用器件载物台42的重复加速和减速以沿着倾斜区282朝向收集区284向下移动浸液248。

在图2A中,边界区280,倾斜区282,和收集区284位于器件载物台移动器装配44的器件载物台42中。换句话说,器件载物台42中的通道287限定倾斜区282,和收集区284。作为选择,例如,区域280,282,284中一个或多个可以并入固定到器件载物台42的另外组件中。

图2B说明图2A的器件30和器件载物台42的一部分。图2C说明器件载物台42和器件30的俯视图。图2B和2C也说明边界区280,倾斜区282和收集区284。

参考图2A-2C,边界区280提供晶片30和倾斜区282之间的过渡区。在一种实施方案中,边界区280是与晶片30的底部处于同一平面上的环形区域。换句话说,边界区280具有与晶片30的底部处于沿着Z轴的近似相同高度的顶面。使用该设计,顶面可以与容器框架264合作以包含光学组件16下面的浸液248,当晶片30的边缘在光学组件16下面移动时。作为选择,例如,顶面可以与晶片30的顶部处于沿着Z轴的近似相同高度或者顶面可以在晶片30下面。在图2A-2C中说明的实施方案中,边界区280沿着Z轴位于倾斜区282和收集区284上面。

倾斜区282在边界区280和收集区284之间延伸并且便于从间隙246中溢出的浸液248远离晶片30的移动。在一种实施方案中,倾斜区282通常是环形并且相对于边界区280以及X和Y轴成锐角。换句话说,倾斜区282可以从边界区280向下逐渐变细。例如,倾斜区282可以相对于边界区280成至少大约2度或更多的角度291A。在备选、非排他实施方案中,倾斜区282可以相对于边界区280或者晶片30的底部或顶部成至少大约1,2,3,5,10或20度的角度291A。

在一种实施方案中,倾斜区282位于晶片30附近。在备选、非排他实施方案中,倾斜区282在晶片30的大约5,10,20,30,40或50mm内。作为选择,倾斜区282可以距离晶片30近于5mm或大于50mm。

此外,在一种实施方案中,下降区288位于边界区280和倾斜区282之间。下降区288抑制倾斜区282顶部附近的浸液248被推回到边界区280上,当器件载物台42加速时。在图2A中,下降区288相对于Z轴(垂直于边界区280和晶片30)成锐角。在备选、非排他实施方案中,下降区288可以相对于Z轴成至少大约2,5,10或15度的角度291B。作为选择,例如,下降区288可以沿着基本上垂直于边界区280的Z轴延伸。

收集区284收集沿着倾斜区282向下流动的浸液248。在一种实施方案中,收集区284位于倾斜区282下面。在一种实施方案中,收集区284包括与第二回收设备286(图2A中说明)流体联通的一个或多个通道出口290。

第二回收设备286从收集区284中移除浸液248。在一种实施方案中,第二回收设备286包括在收集区284中产生低压的低压源。在该实施方案中,低压源可以包括泵或真空源,以及精确控制收集区284中压力的压力调节器。一个或多个组件可能不是必需的和/或一些组件可以加倍。例如,第二回收设备286可以包括多个泵、多个储液器、阀门或其他组件。

图3A说明器件30以及器件载物台342的另一种实施方案的俯视图。在该实施方案中,器件载物台342有点类似于上述相应组件。但是,在该实施方案中,倾斜区382稍微不同。更具体地说,在该实施方案中,倾斜区382包括具有第一特性393(说明为阴影)的第一子区域392和具有不同于第一特性393的第二特性395(说明为阴影)的第二子区域394。

第一和第二子区域392,394的设计可以改变以便于浸液248(说明为滴)沿着倾斜区382向下朝向收集区384(剖视图中说明)的单向移动。在图3A中说明的实施方案中,第一子区域392位于第二子区域394上面。此外,在该实施方案中,第一子区域392和第二子区域394之间的过渡396由限定多个彼此分隔的尖点397的多个互连弧形段来限定。换句话说,在过渡396处,第二子区域394包括多个互连、相邻、凹进区,而第一子区域392包括多个互连、相邻、凸出区。

第一特性393和第二特性395的设计可以改变。在一种实施方案中,(i)第一特性393是覆盖第一子区域392并且改变浸液248跨越第一子区域392的移动的第一表面张力修改涂层,以及(ii)第二特性395是覆盖第二子区域394并且改变浸液248跨越第二子区域394的移动的第二表面张力修改涂层。

在一种实施方案中,(i)第一特性393是撤销浸液248,并且使得浸液248在第一子区域392上形成小珠而不弄湿第一子区域392的憎水型涂层,以及(ii)第二特性395是可以使得浸液248弄湿第二子区域394但不在第二子区域394上变成小珠的亲水型涂层。使用该设计,在某些实施方案中,浸液248实际上可以用作第二子区域394上可控地朝向收集区284移动的片。

作为选择,例如,第一和第二子区域392,394上的涂层可以交换,相同的涂层可以应用于第一和第二子区域392,394,或者第一和第二子区域392,394可以不覆盖。仍然作为选择,第一和第二子区域392,394可以处于不同的斜率或水平面。

图3B说明来自图3A的器件载物台342的一部分。更具体地说,图3B说明当器件载物台342加速到该特定点397时,尖点397(仅一个显示)与第一特性395一起将用来朝向第二子区域394和收集区284注入浸液248。这是因为当浸液248稠度足够时,点397集中浸液248的压力并且浸液248将脱离第一子区域392。

返回参考图3A,因为在第一子区域392与器件30之间不存在尖点,浸液248从第一子区域392移动回到器件30的趋势较小。净效应是浸液248从第一子区域392的内径到第一子区域392的外径的恒定移动,以及当浸液248在点397处脱离时,浸液248从第一子区域392到第二子区域394的移动。

图4说明器件30以及具有本发明特征的器件载物台442的另一种实施方案的俯视图。在该实施方案中,器件载物台442有点类似于图3A和3B说明以及如上所述的器件载物台342。但是,在该实施方案中,倾斜区482包括在关键位置放置的一个或多个收集孔498以增强浸液248的收集。收集孔498可以与第二回收设备486流体联通,其在收集孔498中产生低压以吸入收集孔498处的浸液248。

在一种实施方案中,一个收集孔498位于每个点497附近。作为选择,例如,收集孔498可以位于倾斜区482的其他位置。

在该实施方案中,收集孔498可以被设计以收集倾斜区482中的全部浸液248。使用该设计,最小量的浸液248在收集区484中收集。作为选择,例如,收集孔498可以被设计以收集倾斜区482中浸液248的一部分。使用该设计,收集区484收集没有被收集孔498收集的任何浸液248。

图5A是器件30以及器件载物台542的又一种实施方案的一部分的放大侧面剖视图,并且图5B是图5A的器件30和器件载物台542的俯视图。

在该实施方案中,倾斜区582包括第一子区域592和第二子区域594。此外,在该实施方案中,第一子区域592相对于X和Y轴以及器件30的顶部或底部成第一角度598A,并且第二子区域594相对于X和Y轴以及器件30的顶部或底部成第二角度598B,并且第一角度598A可以与第二角度598B相同或不同。在备选、非排他实例中,第一角度598A可以是大约10,20,30,40或45度,且第二角度598B可以是大约10,20,30,40或45度。在该实施方案中,倾斜区582的机械几何形状收集和控制浸液的流动。

在一种实施方案中,器件载物台装配520也包括与第一子区域592流体联通的第一收集区584A,与第二子区域594流体联通的第二收集区584B,以及从收集区584A,584B中移除浸液的第二回收设备586。在一种实施方案中,第二回收设备586包括在收集区584A,584B中形成低压的低压源。

在该实施方案中,系统可以被设计使得第一收集区584A收集全部浸液248。使用该设计,没有浸液248在第二收集区584B中收集。换句话说,第二收集区584B可以是可选的,因为它可能不需要,取决于待收集的浸液248的量,以及器件载物台542加速和减速。作为选择,例如,第一收集区584A可以仅收集倾斜区582中浸液248的一部分。使用该设计,第二收集区584B收集没有被第一收集区584A收集的任何浸液248。

同样,在该实施方案中,第一和第二子区域592,594的涂层的特性可能不重要。例如,第一和第二子区域592,594的一个或二者的涂层可以认为是可选的。

半导体器件可以使用上述系统、由图6A中通常显示的过程来制造。在步骤601中,器件的功能和性能特性被设计。接下来,在步骤602中,具有图案的掩模(标线片)根据先前的设计步骤来设计,并且在并行步骤603中,晶片由硅材料制成。步骤602中设计的掩模图案在步骤604中由根据本发明在上文描述的光刻系统曝光到来自步骤603的晶片上。在步骤605中,半导体器件被组装(包括切割过程、固结过程以及封装过程),最终,器件然后在步骤606中检查。

图6B说明在制造半导体器件的情况下,上述步骤604的详细流程图实例。在图6B中,在步骤611(氧化步骤)中,晶片表面被氧化。在步骤612(CVD步骤)中,绝缘薄膜在晶片表面上形成。在步骤613(电极形成步骤)中,电极通过汽相沉积在晶片上形成。在步骤614(离子注入步骤)中,离子注入晶片中。上述步骤611-614在晶片处理过程中形成晶片预处理步骤,并且在每个步骤根据处理需求做选择。

在晶片处理的每个阶段,当上述预处理步骤已经完成时,下面的后处理步骤被实现。在后处理期间,首先,在步骤615(光刻胶形成步骤)中,光刻胶涂敷到晶片。接下来,在步骤616(曝光步骤)中,上述曝光设备用来将掩模(标线片)的电路图案传送到晶片。然后在步骤617(显影步骤)中,曝光后的晶片被显影,并且在步骤618(刻蚀步骤)中,除残留光刻胶之外的部分(曝光材料表面)通过刻蚀而去除。在步骤619(光刻胶去除步骤)中,刻蚀之后剩余的多余光刻胶被去除。

多个电路图案通过这些预处理和后处理步骤的重复来形成。

虽然这里显示和公开的特定曝光装置10完全能够获得目的并且提供之前在这里陈述的优点,应当理解,它仅是本发明当前优选实施方案的说明,并且不打算对于除附加权利要求中描述的之外、在这里显示的结构或设计的细节做任何限制。

Claims (28)

1.一种装置,包括:支架,配置以支撑器件;光学组件,配置以将图像投影到器件上;间隙,提供在器件与光学组件之间;浸液系统,其将浸液提供到间隙中;以及器件载物台装配,配置以保持支架,器件载物台装配包括提供在支架附近并且配置以便于离开间隙的浸液远离间隙而流动的倾斜区。
2.根据权利要求1的装置,其中倾斜区包括便于浸液沿着倾斜区移动的涂层。
3.根据权利要求2的装置,其中涂层是憎水型涂层。
4.根据权利要求2的装置,其中涂层是亲水型涂层。
5.根据权利要求1的装置,其中器件载物台装配包括接收来自倾斜区的浸液的收集区以及从收集区中移除浸液的回收设备。
6.根据权利要求1的装置,其中倾斜区包括具有第一特性的第一子区域以及具有不同于第一特性的第二特性的第二子区域。
7.根据权利要求6的装置,其中第一特性包括第一涂层,而第二特性包括不同于第一涂层的第二涂层。
8.根据权利要求7的装置,其中涂层中一个是憎水型涂层,而另一个是亲水型涂层。
9.根据权利要求1的装置,其中倾斜区包括便于浸液在沿着倾斜区移动期间形成珠状的点。
10.根据权利要求1的装置,其中倾斜区相对于器件成至少3度的角度。
11.根据权利要求1的装置,其中倾斜区包括第一子区域和第二子区域,并且其中第一子区域相对于器件顶部成第一角度,而第二子区域相对于器件顶部成第二角度,并且其中第一角度不同于第二角度。
12.根据权利要求11的装置,其中器件载物台装配包括与第一子区域流体联通的第一收集区,与第二子区域流体联通的第二收集区,以及从收集区中移除浸液的回收设备。
13.根据权利要求1的装置,其中器件载物台装配包括器件载物台,并且器件载物台包括倾斜区。
14.一种装置,包括:支架,配置以保持器件;光学组件,配置以将图像投影到器件上;间隙,提供在器件与光学组件之间;浸液系统,其将浸液提供到间隙中;以及器件载物台装配,包括保持支架的器件载物台和移动器件载物台的载物台移动器装配,器件载物台包括提供在支架附近并且配置以便于离开间隙的浸液远离间隙流动的倾斜区,倾斜区相对于器件成至少大约三度的角度。
15.根据权利要求14的装置,其中倾斜区包括便于浸液沿着倾斜区移动的涂层。
16.根据权利要求14的装置,其中器件载物台装配包括接收来自倾斜区的浸液的收集区以及从收集区中移除浸液的回收设备。
17.根据权利要求14的装置,其中倾斜区包括具有第一特性的第一子区域以及具有不同于第一特性的第二特性的第二子区域。
18.根据权利要求17的装置,其中第一特性包括第一涂层,而第二特性包括不同于第一涂层的第二涂层。
19.根据权利要求18的装置,其中涂层中一个是憎水型涂层,而另一个是亲水型涂层。
20.根据权利要求14的装置,其中倾斜区包括便于浸液在沿着倾斜区移动期间形成珠状的点。
21.根据权利要求14的装置,其中倾斜区包括第一子区域和第二子区域,并且其中第一子区域相对于器件顶部成第一角度,而第二子区域相对于器件顶部成第二角度,并且其中第一角度不同于第二角度。
22.根据权利要求21的装置,其中器件载物台装配包括与第一子区域流体联通的第一收集区,与第二子区域流体联通的第二收集区,以及从收集区中移除浸液的回收设备。
23.一种将图像传送到器件的方法,该方法包括步骤:使用支架支撑器件;提供配置以将图像投影到器件上的光学组件;在光学组件与器件之间提供间隙;使用浸液系统将浸液输送到间隙;以及使用器件载物台装配移动支架,器件载物台装配包括位于器件附近的倾斜区,倾斜区便于离开间隙的浸液远离器件流动。
24.根据权利要求23的方法,还包括涂敷倾斜区以便于浸液沿着倾斜区移动的步骤。
25.根据权利要求23的方法,其中倾斜区包括具有第一特性的第一子区域和具有不同于第一特性的第二特性的第二子区域。
26.根据权利要求25的方法,其中第一特性包括第一涂层,而第二特性包括不同于第一涂层的第二涂层。
27.根据权利要求23的方法,其中倾斜区包括便于浸液在沿着倾斜区移动期间形成珠状的点。
28.根据权利要求23的方法,其中倾斜区包括第一子区域和第二子区域,并且其中第一子区域相对于器件顶部成第一角度,而第二子区域相对于器件顶部成第二角度,并且其中第一角度不同于第二角度。
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