KR20050120796A - 액침 리소그래피 장치용 액체를 수집하는 런-오프 경로 - Google Patents

액침 리소그래피 장치용 액체를 수집하는 런-오프 경로 Download PDF

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Abstract

이미지를 디바이스 (30) 로 전사하는 노광장치 (10) 는 광학 어셈블리 (16), 액침액 시스템 (252), 및 디바이스 스테이지 어셈블리 (20) 를 포함한다. 광학 어셈블리 (16) 는 디바이스 (30) 위쪽의 갭 (246) 에 위치결정되어 있다. 액침액 시스템 (252) 은 액침액 (248) 로 갭 (246) 을 충전한다. 디바이스 스테이지 어셈블리 (20) 는 디바이스 (30) 로부터 갭 (246) 을 빠져나가는 액침액 (248) 의 이동을 용이하게 하는 경사 영역 (282) 을 포함한다. 디바이스 스테이지 어셈블리 (20) 는 수집 영역 (284) 및 상기 수집 영역 (284) 으로부터의 액침액 (248) 를 회수시키는 회수 시스템 (286) 을 포함할 수 있다.

Description

액침 리소그래피 장치용 액체를 수집하는 런-오프 경로{RUN-OFF PATH TO COLLECT LIQUID FOR AN IMMERSION LITHOGRAPHY APPARATUS}
관련 출원들
본 출원은 2003년 4월 10일자 출원된 "액침 리소그래피용 액체를 수집하기 위한 웨이퍼의 에지에서의 런-오프 경로 (RUN-OFF PATH AT THE EDGE OF WAFER TO COLLECT LIQUID FOR IMMERSION LITHOGRAPHY" 명칭의 심사중인 가출원번호 제60/462,114호에 대한 우선권을 주장한다. 허용된다면, 가출원번호 제60/462,114호의 내용이 참고로 여기에 포함된다.
배경기술
반도체 프로세싱 동안 레티클로부터의 이미지를 반도체 웨이퍼에 전사하기 위해 노광장치들이 일반적으로 사용된다. 통상적인 노광장치는 조명 소스, 레티클을 위치결정하는 레티클 스테이지 어셈블리, 광학 어셈블리, 반도체 웨이퍼를 위치결정하는 웨이퍼 스테이지 어셈블리, 및 레티클의 위치와 웨이퍼의 위치를 정밀하게 모니터하는 측정 시스템을 포함한다.
액침 리소그래피 시스템은 광학 어셈블리와 웨이퍼 사이의 갭을 충전하는 액침액층을 활용한다. 웨이퍼는 통상적인 리소그래피 시스템에서 신속하게 이동되고 갭으로부터 떨어져 액침액을 운반할 것으로 기대된다. 갭으로부터 빠져나오는 액침액이 리소그래피 시스템의 다른 구성요소의 동작을 방해할 수 있다. 예를 들어, 액침액이 웨이퍼의 위치를 모니터하는 측정 시스템을 방해할 수 있다.
개요
본 발명은 이미지를 디바이스로 전사하는 노광장치에 관한 것이다. 일 실시형태에 있어서, 노광장치는 지지부, 광학 어셈블리, 액침액 소스 및 디바이스 스테이지 어셈블리를 포함한다. 갭은 디바이스로부터 광학 어셈블리를 분리한다. 액침액 소스는 액침액을 갭으로 전달한다. 지지부는 디바이스를 지지한다. 일 실시형태에 있어서, 디바이스 스테이지 어셈블리는 디바이스의 근방에 위치된 경사 영역을 포함한다. 경사 영역은 디바이스로부터 떨어져 갭을 빠져나가는 액침액의 흐름을 용이하게 한다.
일 실시형태에 있어서, 경사 영역은 상기 경사 영역 아래로의 액침액의 이동을 용이하게 하는 하나 이상의 코팅 및/또는 하나 이상의 특징 (feature) 을 포함한다. 예를 들어, 소수성 타입 코팅 및/또는 친수성 타입 코팅이 활용될 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 디바이스 스테이지 어셈블리는 경사 영역으로부터의 액침액을 수용하는 수집 영역 및 상기 수집 영역으로부터의 액침액을 제거하는 회수 디바이스를 포함한다.
일 실시형태에 있어서, 경사 영역은 제 1 특성을 갖는 제 1 서브영역 및 상기 제 1 특성과 상이한 제 2 특성을 갖는 제 2 서브영역을 포함한다. 예로서, 제 1 특성은 제 1 코팅을 포함할 수 있고 제 2 특성은 제 1 코팅과 상이한 제 2 코팅을 포함할 수 있다.
또 다른 실시형태에 있어서, 제 1 서브영역은 디바이스의 상부에 대해 제 1 각도에 있고 제 2 서브영역은 디바이스의 상부에 대해 제 2 각도에 있으며 제 1 각도는 제 2 각도와 상이하다. 이 실시형태에서, 디바이스 테이블 어셈블리는 제 1 서브영역과 유체 소통하는 제 1 수집영역, 제 2 서브영역과 유체 소통하는 제 2 수집영역, 및 수집영역들로부터의 액침액을 제거하는 회수 디바이스를 포함할 수 있다.
본 발명은 또한 노광장치, 웨이퍼, 디바이스, 갭에서의 환경을 제어하는 방법, 노광장치를 제작하는 방법, 디바이스를 제작하는 방법, 및 웨이퍼를 제조하는 방법에 관한 것이다.
도면의 간단한 설명
도 1 은 본 발명의 특징을 갖는 노광장치의 측면 예시도이다.
도 2a 는 도 1 의 라인 2A-2A 을 따라 절취한 절단도이다.
도 2b 는 도 2a 의 라인 2B-2B 를 따라 절취한 절단도이다.
도 2c 는 도 2a 로부터의 디바이스 스테이지와 디바이스의 평면도이다.
도 3a 는 디바이스 및 본 발명의 특징을 갖는 디바이스 스테이지의 다른 실시형태의 평면도이다.
도 3b 는 도 3a 의 라인 3B-3B 를 따라 절취한 절단도이다.
도 4 는 디바이스 및 본 발명의 특징을 갖는 디바이스 스테이지의 또 다른 실시형태의 평면도이다.
도 5a 는 디바이스의 일부 및 디바이스 스테이지의 또 다른 실시형태의 확대 측면 절단도이다.
도 5b 는 도 5a 의 디바이스 스테이지의 일부의 평면도이다.
도 6a 는 본 발명에 따른 디바이스를 제조하는 프로세스를 약술하는 흐름도이다.
도 6b 는 디바이스 프로세싱을 보다 상세하게 약술하는 흐름도이다.
설명
도 1 은 본 발명의 특징을 갖는 정밀 어셈블리, 즉 노광장치 (10) 의 개략적인 예시이다. 노광장치 (10) 는 장치 프레임 (12), 조명시스템 (14)(방사 장치), 광학 어셈블리 (16), 레티클 스테이지 어셈블리 (18), 디바이스 스테이지 어셈블리 (20), 측정 시스템 (22), 제어 시스템 (24), 및 유체 환경 시스템 (26) 을 포함한다. 노광장치 (10) 의 구성요소들의 설계는 노광장치 (10) 의 설계 요구사항에 적합하도록 변화될 수 있다.
도면에서의 숫자는 X 축, 상기 X 축에 수직한 Y 축, 및 상기 X 축과 Y 축에 수직한 Z 축을 예시하는 방위 시스템을 포함한다. 이들 축은 제 1 축, 제 2 축 및 제 3 축으로 지칭될 수도 있음에 유의해야 한다.
노광장치 (10) 는 레티클 (28) 로부터의 집적회로의 패턴 (도시되지 않음) 을 반도체 웨이퍼 (30)(환영(phantom)으로 도시됨) 상으로 전사하는 리소그래피 디바이스로서 특히 유용하다. 웨이퍼 (30) 는 또한 일반적으로 디바이스 또는 피가공물로서 지칭된다. 노광장치 (10) 는 설치 (mounting) 베이스 (32), 예를 들어 그라운드, 베이스, 혹은 플로어 혹은 다른 지지 구조물에 설치된다.
많은 상이한 타입의 리소그래피 디바이스들이 있다. 예를 들어, 노광장치 (10) 는, 레티클 (28) 과 웨이퍼 (30) 가 동기로 이동하면서 레티클 (28) 로부터의 패턴을 웨이퍼 (30) 상에 노광하는 주사형 포토리소그래피 시스템으로서 사용될 수 있다. 주사형 리소그래피 장치에서, 레티클 (28) 은 레티클 스테이지 어셈블리 (18) 에 의해 광학 어셈블리 (16) 의 광축에 수직으로 이동되고 웨이퍼 (30) 는 웨이퍼 스테이지 어셈블리 (20) 에 의해 광학 어셈블리 (16) 의 광축에 수직으로 이동된다. 레티클 (28) 과 웨이퍼 (30) 가 동기로 이동하고 있는 동안 레티클 (28) 과 웨이퍼 (30) 의 주사가 발생한다.
다른 방법으로, 노광장치 (10) 는 레티클 (28) 과 웨이퍼 (30) 가 정지되어 있는 동안 레티클 (28) 을 노광하는 스텝-앤드-리피트형 포토리소그래피 시스템일 수 있다. 스텝 앤드 리피트 프로세스에서, 웨이퍼 (30) 는 개별적인 필드의 노광 동안 레티클 (28) 과 광학 어셈블리 (16) 에 대해 일정한 위치에 있다. 후속으로, 연속적인 노광 단계들 사이에서, 웨이퍼 (30) 가 광학 어셈블리 (16) 의 광축에 수직으로 디바이스 스테이지 어셈블리 (20) 와 함께 연속적으로 이동되어 웨이퍼 (30) 의 다음 필드가 광학 어셈블리 (16) 와 노광용 레티클 (28) 에 대해 위치결정된다. 이러한 프로세스 이후에, 레티클 (28) 상의 이미지들이 순차적으로 웨이퍼 (30) 의 필드들에 노광되고, 웨이퍼 (30) 의 다음 필드가 광학 어셈블리 (16) 와 레티클 (28) 에 대해 위치결정된다.
그러나, 여기에 제공된 노광장치 (10) 의 용도는 반도체 제조용 포토리소그래피 시스템으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 노광장치 (10) 는 액정표시 디바이스 패턴을 장방형 유리판에 노광하는 LCD 포토리소그래피 시스템 또는 박막 자기헤드를 제조하기 위한 포토리소그래피 시스템으로서 사용될 수 있다.
장치 프레임 (12) 은 노광장치 (10) 의 구성요소들을 지지한다. 도 1 에 도시된 장치 프레임 (12) 은 설치 베이스 (32) 상방에서 레티클 스테이지 어셈블리 (18), 웨이퍼 스테이지 어셈블리 (20), 광학 어셈블리 (16) 및 조명시스템 (14) 을 지지한다.
조명 시스템 (14) 은 조명 소스 (34) 및 조명 광학 어셈블리 (36) 를 포함한다. 조명 소스 (34) 는 광에너지의 빔 (광선) 을 방출한다. 조명 광학 어셈블리 (36) 는 조명 소스 (34) 으로부터의 광에너지의 빔을 광학 어셈블리 (16) 로 유도한다. 빔은 레티클 (28) 의 상이한 부분들을 선택적으로 조명하고 웨이퍼 (30) 를 노광한다. 도 1 에서, 조명 소스 (34) 은 레티클 스테이지 어셈블리 (18) 상방에 지지되어 있는 것으로 예시되어 있다. 그러나, 통상적으로, 조명 소스 (34) 는 장치 프레임 (12) 의 측면들 중 하나에 고정되어 있고 조명 소스 (34) 으로부터의 에너지빔은 조명 광학 어셈블리 (36) 에 의해 레티클 스테이지 어셈블리 (18) 상방으로 향한다.
광학 어셈블리 (16) 는 레티클 (28) 을 통과하는 광을 웨이퍼 (30) 에 투영 및/또는 초점맞춘다. 노광장치 (10) 의 설계에 의존하여, 광학 어셈블리 (16) 는 레티클 (28) 상에 조명된 이미지를 확대하거나 또는 축소할 수 있다. 광학 어셈블리 (16) 는 축소 시스템으로 한정될 필요는 없다. 1x 또는 확대 시스템일 수도 있다.
일 실시형태에서, 광학 어셈블리 (16) 는 하나 이상의 광학 마운트 격리체 (37) 에 의해 장치 프레임 (12) 에 고정되어 있다. 광학 마운트 격리체 (37) 는 장치 프레임 (12) 의 진동에 의해 광학 어셈블리 (16) 가 진동하는 것을 방지한다. 각 광학 마운트 격리체 (37) 는 진동을 격리하는 압축공기 실린더 (도시되지 않음) 및 진동을 격리하고 적어도 2개의 운동 자유도를 갖는 위치를 제어하는 액추에이터 (도시되지 않음) 를 포함할 수 있다. 적합한 광학 마운트 격리체 (37) 는 메사츄세츠주 우번 (Woburn) 에 위치한 인테그레이티드 다이나믹 엔지니어링 (Integrated Dynamics Engineering) 에 의해 판매되고 있다. 예시의 편의상, 광학 어셈블리 (16) 를 장치 프레임 (12) 에 고정하는데 사용되고 있는 2개의 공간적으로 분리된 광학 마운트 격리체 (37) 가 도시되어 있다. 그러나, 예를 들어, 3개의 공간적으로 분리된 광학 마운트 격리체 (37) 가 광학 어셈블리 (16) 를 장치 프레임 (12) 에 운동학적으로 고정하는데 사용될 수 있다.
레티클 스테이지 어셈블리 (18) 는 광학 어셈블리 (16) 및 웨이퍼 (30) 에 대해 레티클 (28) 을 유지하고 위치결정한다. 일 실시형태에서, 레티클 스테이지 어셈블리 (18) 는 레티클 (28) 을 유지하는 레티클 스테이지 (38) 및 레티클 스테이지 (38) 와 레티클 (28) 을 이동시키고 위치결정하는 레티클 스테이지 이동기 어셈블리 (40) 를 포함한다.
다소 유사하게, 디바이스 스테이지 어셈블리 (20) 는 레티클 (28) 의 조명된 부분들의 투영된 이미지에 대해 웨이퍼 (30) 를 유지하고 위치결정한다. 일 실시형태에서, 디바이스 스테이지 어셈블리 (20) 는 웨이퍼 (30) 를 유지하는 디바이스 스테이지 (42), 상기 디바이스 스테이지 (42) 를 지지하고 유도하는 디바이스 스테이지 베이스 (43), 및 광학 어셈블리 (16) 와 상기 디바이스 스테이지 베이스 (43) 에 대해 디바이스 스테이지 (42) 와 웨이퍼 (308) 를 이동시키고 위치결정하는 디바이스 스테이지 이동기 어셈블리 (44) 를 포함한다. 디바이스 스테이지 (42) 는 아래에 보다 상세하게 설명된다.
각각의 스테이지 이동기 어셈블리 (40,44) 는 3개의 자유도, 3개의 자유도 미만, 혹은 3개의 자유도 이상을 갖는 개별 스테이지 (38,42) 를 이동시킬 수 있다. 예를 들어, 대안 실시형태들에서, 각 스테이지 이동기 어셈블리 (40,44) 는 한 개, 두 개, 세 개, 네 개, 다섯 개 또는 여섯 개의 자유도를 갖는 개별 스테이지 (38,42) 를 이동시킬 수 있다. 레티클 스테이지 이동기 어셈블리 (40) 와 디바이스 스테이지 이동기 어셈블리 (44) 각각은 로터리 모터, 보이스 코일 모터, 구동력을 발생시키는데 로렌쯔힘을 사용하는 선형 모터, 전자기 이동기, 평면 모터, 또는 다른 힘 이동기와 같은 하나 이상의 이동기를 포함할 수 있다.
포토리소그래피 시스템에 있어서, 선형 모터 (미국특허 5,623,853호 또는 5,528,118호 참조) 가 디바이스 스테이지 어셈블리 또는 레티클 스테이지 어셈블리에 사용되고 있을 때, 선형 모터는 공기 베어링을 채용하는 공기부상형이거나 또는 로렌쯔힘 또는 리액턴스 힘을 사용하는 자기부상형일 수 있다. 부가적으로, 스테이지는 가이드를 따라 이동할 수 있고, 또는 가이드를 사용하지 않는 가이드리스 타입 스테이지일 수 있다. 허용된다면, 미국특허 5,623,853호 또는 5,528,118호에 개시된 내용은 참고로 여기에 포함된다.
다른 방법으로, 스테이지들 중 하나가 평면 모터에 의해 구동될 수 있고, 평면 모터는 자석들이 2차원적으로 배열된 자석 유닛 및 마주하는 위치에 코일들이 2차원적으로 배열된 아마추어 코일 유닛에 의해 발생되는 전자기력에 의해 스테이지를 구동한다. 이러한 종류의 구동 시스템에 있어서, 자석 유닛 또는 아마추어 코일 유닛 중 하나가 스테이지 베이스에 접속되고 다른 유닛이 스테이지의 이동 평면측에 마운트된다.
상술된 바와 같이 스테이지들의 이동은 포토리소그래피 시스템의 성능에 영향을 줄 수 있는 반작용력을 발생시킨다. 웨이퍼 (기판) 스테이지 운동에 의해 발생되는 반작용력들은 미국특허 제 5,528,100호 및 일본 특개평 8-136475호에 개시된 프레임 부재의 사용에 의해 마루 (바닥) 으로 기계적으로 전달될 수 있다. 부가적으로, 레티클 (마스크) 스테이지 운동에 의해 발생되는 반작용력들은 미국특허 제5,874,820호 및 일본 특개평 8-330224호에 개시된 프레임 부재의 사용에 의해 마루 (바닥) 으로 기계적으로 전달될 수 있다. 허용된다면, 미국특허 제5,528,100호와 제5,874,820호 및 일본 특개평 8-330224호에 개시된 내용은 참고로 여기에 포함된다.
측정 시스템 (22) 은 광학 어셈블리 (16) 또는 다른 기준에 대한 레티클 (28) 과 웨이퍼 (30) 의 이동을 모니터한다. 이러한 정보에 의해, 제어 시스템 (24) 은 레티클 스테이지 어셈블리 (18) 를 제어하여 레티클 (28) 을 정밀하게 위치결정할 수 있고 디바이스 스테이지 어셈블리 (20) 를 제어하여 웨이퍼 (30) 를 정밀하게 위치결정할 수 있다. 측정 시스템 (22) 의 설계는 변할 수 있다. 예를 들어, 측정 시스템 (22) 은 다중 레이저 간섭계, 인코더, 미러, 및/또는 다른 측정 디바이스를 사용할 수 있다.
제어 시스템 (24) 은 전기적으로 측정 시스템 (22) 과 스테이지 이동기 어셈블리들 (18,20) 에 접속되어 있고, 측정 시스템 (22) 으로부터 정보를 수신하여, 스테이지 이동기 어셈블리들 (18,20) 을 제어하여 레티클 (28) 과 웨이퍼 (30) 를 정밀하게 위치결정한다. 부가적으로, 제어 시스템 (24) 은 환경 시스템 (26) 의 구성요소들의 동작을 제어할 수 있다. 제어 시스템 (24) 은 또한 하나 이상의 프로세서와 회로들을 포함할 수 있다.
환경 시스템 (26) 은 광학 어셈블리 (16) 와 웨이퍼 (30) 사이의 갭 (246)(도 2a 에 예시됨) 에서의 환경을 제어한다. 갭 (246) 은 이미징 필드를 포함한다. 이미징 필드는 노광되고 있는 웨이퍼 (30) 의 영역에 인접한 영역 및 광에너지의 빔이 광학 어셈블리 (16) 와 웨이퍼 (30) 사이에서 이동하는 영역을 포함한다. 이러한 설계에 의해, 환경 시스템 (26) 은 이미지 필드에서의 환경을 제어할 수 있다.
환경 시스템 (26) 에 의해 갭 (246) 에서 발생 및/또는 제어되는 소망의 환경은, 조명 시스템 (14) 을 포함하는, 노광장치 (10) 의 구성요소들의 나머지의 설계 및 웨이퍼 (30) 에 따라 변할 수 있다. 예를 들어, 소망의 제어된 환경은 물과 같은 유체일 수 있다. 다른 방법으로, 원하는 제어된 환경은 다른 종류의 유체일 수 있다.
도 2a 는 광학 어셈블리 (16), 디바이스 스테이지 (42) 및 환경 시스템 (26) 을 포함하는, 도 1 의 노광장치 (10) 의 부분 절단도이다. 도 2a 에서는 광학 하우징 (250A), 최종 광학소자 (250B) 및 상기 최종 광학소자 (250B) 를 상기 광학 하우징 (250A) 에 고정하는 소자 리테이너 (250C) 를 포함하는 광학 어셈블리 (16) 를 예시하고 있다. 부가적으로, 도 2a 에서는 최종 광학소자 (250B) 와 웨이퍼 (30) 사이의 갭 (246) 을 예시하고 있다. 일 실시형태에서, 갭 (246) 은 대략 1mm 이다.
도 2a 에서, 디바이스 스테이지 (42) 는 지지부 (243)(상자로서 예시됨) 를 유지하고 상기 지지부는 디바이스 (30) 를 유지 및 지지한다. 예를 들어, 지지부 (243) 는 디바이스를 유지하는 진공형 척 또는 다른 종류의 클램프일 수 있다.
일 실시형태에서, 환경 시스템 (26) 은 액침액 (248)(원으로서 예시됨) 로 이미징 필드 및 갭 (246) 의 나머지를 충전한다. 환경 시스템 (26) 의 설계 및 환경 시스템 (26) 의 구성요소들은 변화될 수 있다. 도 2a 에 예시된 실시형태에서, 환경 시스템 (26) 은 액침액 시스템 (252), 제 1 회수 시스템 (254) 및 제 2 회수 시스템 (256) 을 포함한다. 이 실시형태에서, (i) 액침액 시스템 (252) 은 액침액 (248) 를 갭 (246) 내부로 전달 및/또는 주입하고, (ii) 제 1 회수 시스템 (254) 은 갭 (246) 을 빠져나오는 액침액 (248) 의 일부를 회수시키고, 또한 (iii) 제 2 회수 시스템 (256) 은 상기 제 1 회수 시스템 (254) 에 의해 포획되지 않은 갭 (246) 으로부터 빠져나오는 액침액 (248) 를 회수시킨다. 각 시스템 (252,254,256) 의 설계는 변화될 수 있다.
일 실시형태에서, 제 1 회수 시스템 (254) 은 제 2 회수 시스템 (256) 보다 갭 (246) 으로부터 빠져나오고 있는 액침액 (248) 를 더 회수시킨다. 예를 들어, 대안 실시형태들에서, 제 1 회수 시스템 (254) 은 제 2 회수 시스템 (256) 보다 대략 10, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 95 또는 99 퍼센트를 회수시킬 수 있다. 일 실시형태에서, 제 1 회수 시스템 (254) 은 액침액 (248) 의 대부분을 포획하여 웨이퍼 (30) 를 포위하는 노광장치 (10) 의 다양한 부품들 상으로 액침액 (248) 가 엎질러지거나 또는 방울져 떨어지는 것을 방지하고, 또한 제 1 회수 시스템 (254) 은 갭 (246) 주위의 챔버 (257) 를 규정한다.
다른 실시형태에서, 제 2 회수 시스템 (256) 은 제 1 회수 시스템 (254) 보다 갭 (246) 으로부터 빠져나오고 있는 액침액 (248) 를 더 회수시킨다. 예를 들어, 대안 실시형태들에서, 제 2 회수 시스템 (256) 은 제 1 회수 시스템 (254) 보다 대략 10, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 95 또는 99 퍼센트를 회수시킬 수 있다. 대안으로, 예를 들어, 환경 시스템 (26) 은 제 1 회수 시스템 (254) 없이 설계될 수 있다. 이 실시형태에서, 제 2 회수 시스템 (256) 은 갭 (246) 을 빠져나오는 모든 액침액 (248) 를 회수시킬 것이다.
액침액 시스템 (252) 의 설계는 변할 수 있다. 예를 들어, 액침액 시스템 (252) 은 갭 (246) 과 챔버 (257) 에서 또는 그 근방에서의 하나 이상의 위치에서, 광학 어셈블리 (16) 의 에지에, 및/또는 광학 어셈블리 (16) 와 웨이퍼 (30) 사이에서 직접 액침액 (248) 를 주입할 수 있다. 또한, 액침액 시스템 (252) 은 디바이스 (30), 갭 (246) 및/또는 광학 어셈블리 (16) 의 에지에서 또는 근방에서의 하나 이상의 위치에서 액침액 (248) 를 제거 및/또는 청소하는 것을 도울 수 있다.
도 2a 에 예시된 실시형태에서, 액침액 시스템 (252) 은 광학 어셈블리 (16) 의 주변부 근방에 위치된 하나 이상의 주입기 노즐 (258)(하나만 나타냄) 및 액침액 소스 (260) 을 포함한다. 이 실시형태에서, 주입기 노즐 (258) 각각은 액침액 소스 (260) 과 유체 소통하고 있는 노즐 아웃렛 (262) 을 포함한다. 적절한 시간에, 액침액 소스 (260) 이 액침액 (248) 을 하나 이상의 노즐 아웃렛 (262) 으로 공급하여 챔버 (257) 내부로 방출된다.
액침액 소스 (260) 는 (i) 액침액 (248) 를 유지하는 유체 저유소 (도시되지 않음), (ii) 유체 저유소와 유체 소통하고 액침액 (248) 를 필터링하는 필터 (도시되지 않음), (iii) 필터와 유체 소통하고 액침액 (248) 로부터 공기, 오염물 또는 가스를 제거하는 에어레이터 (aerator)(도시되지 않음), (iv) 에어레이터와 유체 소통하고 액침액 (248) 의 온도를 제어하는 온도 제어기 (도시되지 않음), 예를 들어, 열교환기 또는 냉각기(chiller), (v) 온도 제어기와 유체 소통하는 압력원 (도시되지 않음), 예를 들어, 펌프, 및 (vi) 압력원과 유체 소통하는 인렛 및 노즐 아웃렛 (262) (도 2c 에 예시됨) 과 유체 소통하는 아웃렛을 갖고, 노즐 아웃렛 (262) 으로의 압력 및 흐름을 제어하는 흐름 제어기 (도시되지 않음) 를 포함할 수 있다. 부가적으로, 액침액 소스 (260) 은 (i) 노즐 아웃렛 (262) 으로 전달되고 있는 액침액 (248) 의 압력을 측정하는 압력센서 (도시되지 않음), (ii) 노즐 아웃렛 (262) 에 대한 액침액 (248) 의 흐름 레이트를 측정하는 흐름 센서 (도시되지 않음), 및 (iii) 노즐 아웃렛 (262) 에 대한 액침액 (248) 의 온도를 측정하는 온도 센서 (도시되지 않음) 를 포함할 수 있다. 이들 구성요소의 동작이 제어 시스템 (24)(도 1 에 예시됨) 에 의해 제어되어 노즐 아웃렛 (262) 에 대한 액침액 (248) 의 흐름 레이트, 온도 및/또는 압력이 제어될 수 있다. 이들 센서로부터의 정보가 제어 시스템 (24) 으로 전달될 수 있고 따라서 제어 시스템 (24) 이 액침액 소스 (260) 의 다른 구성요소들을 적절하게 조정하여 액침액 (248) 의 소망의 온도, 흐름 및/또는 압력이 달성될 수 있다.
액침액 소스 (260) 의 구성요소들의 방위는 변화될 수 있음에 유의해야 한다. 또한, 하나 이상의 구성요소들이 필요하지 않을 수도 있고 및/또는 일부 구성요소들이 중복될 수 있다. 예를 들어, 액침액 소스 (260) 은 다수의 펌프, 다수의 저유소, 온도 제어기 또는 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. 또한, 환경 시스템 (26) 은 다수의 액침액 원 (260) 을 포함할 수 있다.
액침액 (248) 가 갭 (246) (도 2b 에 예시됨) 내부로 펌핑되는 레이트는 변할 수 있다. 예를 들어, 액침액 (248) 은 노즐 아웃렛 (262) 을 통하여 대략 0.5 리터/분 내지 1.5 리터/분의 레이트로 갭 (246) 으로 공급될 수 있다.
액침액 (248) 의 타입은 장치 (10) 의 설계 요구사항에 적합하도록 변화될 수 있다. 일 실시형태에서, 액침액 (248) 은 탈기체화되고, 탈이온화된 물과 같은 유체이다. 대안으로, 예를 들어, 액침액 (248) 은 다른 종류의 유체일 수 있다.
도 2a 에서는 또한 챔버 (257) 내의 액침액 (248) 이 웨이퍼 (30) 의 상부에 놓여 있는 것을 예시하고 있다. 웨이퍼 (30) 가 광학 어셈블리 (16) 아래로 이동함에 따라, 웨이퍼 (30) 가 갭 (246) 내부에 있는 상태에서 웨이퍼 (30) 의 상면의 근방에서 액침액 (248) 를 끌어당길 것이다.
제 1 회수 시스템 (254) 은 (i) 갭 (246) 을 포위하고 갭 (246) 근방의 챔버 (257) 를 형성하는 격납 (containment) 프레임 (264), (ii) 격납 프레임 (264) 을 지지하는 프레임 지지부 (266) 및 (iii) 제 1 회수 디바이스 (268) 를 포함한다. 일 실시형태에서, 격납 프레임 (264) 은 갭 (246) 으로부터의 액침액 (248) 의 흐름을 제한하고, 액침액 (248) 로 충전된 갭 (246) 을 유지하는 것을 돕고, 또한 갭 (246) 으로부터 빠져나가는 액침액 (248) 의 회수를 용이하게 한다. 일 실시형태에서, 격납 프레임 (264) 은 갭 (246) 과 광학 어셈블리 (16) 의 저부를 둘러싸고 갭 (246) 과 광학 어셈블리 (16) 의 저부의 둘레에 전체적으로 위치되어 있다. 또한, 일 실시형태에서, 격납 프레임 (264) 은 웨이퍼 (30) 와 광학 어셈블리 (16) 아래의 디바이스 스테이지 (42) 상의 영역으로 액침액 (248) 를 한정한다. 대안으로, 예를 들어, 격납 프레임 (264) 은 갭 (246) 의 일부분 둘레에만 위치될 수 있고 또는 격납 프레임 (264) 은 광학 어셈블리 (16) 의 중심에서 벗어날 수 있다.
일 실시형태에서, 격납 프레임 (264) 은 일반적으로 환상의 링 형상이고 갭 (246) 을 둘러싼다. 부가적으로, 이 실시형태에서, 격납 프레임 (264) 은 웨이퍼 (30) 와 갭 (246) 에 마주하는 개방 저부(open bottom)를 갖는 채널 (270) 을 규정한다. 격납 프레임 (264) 은 다른 형상을 가질 수 있음에도 유의해야 한다. 예를 들어, 격납 프레임 (264) 은 장방형 프레임 형상, 8각형 프레임 형상, 달걀형 프레임 형상, 또는 다른 적합한 형상일 수 있다.
프레임 지지부 (266) 는 웨이퍼 (30) 와 디바이스 스테이지 (42) 상방에 있는 장치 프레임 (12), 다른 구조물, 및/또는 광학 어셈블리 (16) 에 격납 프레임 (264) 을 접속하고 지지한다. 일 실시형태에서, 프레임 지지부 (266) 는 격납 프레임 (264) 의 모든 중량을 지지한다. 대안으로, 예를 들어, 프레임 지지부 (268) 는 격납 프레임 (264) 의 중량의 일부만을 지지할 수 있다. 이 실시형태에서, 유체 베어링 (도시되지 않음) 또는 다른 디바이스가 웨이퍼 (30) 에 대해 격납 프레임을 지지하는데 사용될 수 있다.
일 실시형태에서, 프레임 지지부 (268) 는 하나 이상의 지지부 어셈블리 (272) 를 포함할 수 있다. 예를 들어, 프레임 지지부 (268) 는 3개의 공간적으로 떨어진 지지부 어셈블리 (272) (2개만이 도 2b 에 예시됨) 를 포함할 수 있다. 이 실시형태에서, 각 지지부 어셈블리 (272) 는 광학 어셈블리 (16) 와 격납 프레임 (264) 의 내측과 사이에서 연장한다.
일 실시형태에서, 각 지지부 어셈블리 (272) 는 격납 프레임 (264) 을 광학 어셈블리 (16) 에 단단하게 고정하는 마운트이다. 대안으로, 예를 들어, 각 지지부 어셈블리는 탄력적으로 격납 프레임 (264) 을 지지하는 굴곡일 수 있다. 여기에 사용된 바와 같이, 용어 "굴곡" 은 어떤 방향으로 상대적으로 높은 강성(stiffness)을 갖고 다른 방향으로는 상대적으로 낮은 강성을 갖는 부분을 의미한다. 일 실시형태에서, 굴곡들은 (i) X 축 및 Y 축을 따라 상대적으로 단단하고, (ii) Z 축을 따라 상대적으로 탄력적이도록 협력한다. 이 실시형태에서, 굴곡들에 의해 격납 프레임 (264) 이 Z 축을 따라 이동할 수 있고 X 축과 Y 축을 따라서는 이동할 수 없다.
다른 방법으로, 예를 들어, 각 지지부 어셈블리 (272) 는 웨이퍼 (30) 와 디바이스 스테이지 (42) 에 대한 격납 프레임 (264) 의 위치를 조정하는데 사용될 수 있는 액추에이터일 수 있다. 이 실시형태에서, 프레임 지지부 (268) 는 또한 격납 프레임 (264) 의 위치를 모니터하는 프레임 측정 시스템 (도시되지 않음) 을 포함할 수 있다. 예를 들어, 프레임 측정 시스템은 X 축 및/또는 Y 축에 관하여 Z 축을 따라 격납 프레임 (264) 의 위치를 모니터할 수 있다. 이러한 정보에 의해, 지지부 어셈블리 (274) 는 격납 프레임 (264) 의 위치를 조정하는데 사용될 수 있다. 이 실시형태에서, 지지부 어셈블리 (274) 들은 격납 프레임 (264) 의 위치를 능동적으로 조정할 수 있다.
도 2a 에서는 또한 제 1 회수 시스템 (254) 은 운반 영역 (274) 을 포함할 수 있음을 예시하고 있다. 일 실시형태에서, 운반 영역 (274) 은 실질적으로 환형 디스크 형상인 기판으로, 갭 (246) 을 둘러싸고, 또한 광학 어셈블리 (16) 와 실질적으로 동심이다. 다른 방법으로, 예를 들어, 운반 영역 (274) 은, 달걀형 프레임 형상, 장방형 프레임 형상 또는 8각형 프레임 형상을 포함하는, 다른 형상일 수 있다. 또 다른 방법으로, 예를 들어, 운반 영역 (274) 은 갭 (246) 의 일부를 둘러싸도록 협동하는 복수의 기판 세그먼트, 및/또는 실질적으로 동심인 복수의 기판을 포함할 수 있다.
이 실시형태에서, 운반 영역 (274) 은 바닥측에서 또는 바닥측 근방에서 격납 프레임 (264) 에 고정되어 있고 격납 프레임 (264) 과 협동하여 운반 영역 (274) 의 상방으로 이웃하는 제거 챔버 (276) 를 형성한다. 이 실시형태에서, 운반 영역 (274) 은 격납 프레임 (264) 과 웨이퍼 (30) 및/또는 디바이스 스테이지 (42) 사이에서 흐르는 액침액 (248) 의 적어도 일부를 포획, 유지, 및/또는 흡수한다. 운반 영역 (256) 에 사용되는 재료의 종류는 변할 수 있다. 예로서, 운반 영역 (274) 은 모세관 작용에 의해 액침액 (248) 을 전달하는 복수의 기공을 갖는 재료일 수 있다. 적절한 재료들의 예는 금속, 유리 또는 세라믹으로 만들어진 윅(wick) 타입 구조물을 포함한다.
제 1 회수 디바이스 (268) 는 운반 영역 (274) 및 제거 챔버 (276) 와 유체 소통상태에 있다. 이러한 설계에 의해, 액침액 (248) 이 운반 영역 (274) 에 의해 포획되고 제 1 회수 디바이스 (268) 에 의해 제거될 수 있다. 일 실시형태에서, 제 1 회수 디바이스 (268) 는 운반 영역 (274) 의 상부로부터 액침액 (248) 을 제거하여 부가적인 액침액 (248) 이 운반 영역 (274) 의 바닥 내부로 흐를 수 있게 한다.
일 실시형태에서, 제 1 회수 디바이스 (268) 는 제거 챔버 (276) 내의 저압을 생성하는 저압 소스를 포함한다. 이 실시형태에서, 저압 소스는 펌프 혹은 진공원, 및 제거 챔버 (276) 내의 압력을 정밀하게 제어하는 챔버 압력 조정기를 포함할 수 있다. 제 1 회수 디바이스 (268) 의 구성요소들의 방위가 변화될 수 있음에 유의해야 한다. 또한, 하나 이상의 구성요소는 필요하지 않을 수 있고 및/또는 일부 구성요소들은 중복될 수 있다. 예를 들어, 제 1 회수 디바이스 (268) 는 다수의 펌프, 다수의 저유소, 밸브 또는 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. 또한, 환경 시스템 (26) 은 다수의 제 1 회수 디바이스 (268) 를 포함할 수 있다.
다른 실시형태에서, 제어 시스템 (24)(도 1 에 예시됨) 은 운반 영역 (274) 에 전기적으로 접속될 수 있고 운반 영역 (274) 에 전압을 인가할 수 있다. 이러한 설계에 의해, 운반 영역 (274) 은 갭 (246) 을 빠져나오는 액침액 (248) 을 포획하는 동전기적 스폰지로서 기능한다. 또 다른 실시형태에서, 격납 프레임 (264) 의 바닥은 개방될 수 있다.
도 2a 에서는 (i) 격납 프레임 (264) 의 바닥과 운반 영역 (274), 및 (ii) 웨이퍼 (30) 및/또는 디바이스 스테이지 (42) 사이에 존재하여 격납 프레임 (264) 에 대한 디바이스 스테이지 (42) 와 웨이퍼 (30) 의 이동을 용이하게 하는 프레임 갭 (278) 을 예시하고 있다. 프레임 갭 (278) 의 사이즈는 변할 수 있다. 일 실시형태에서, 프레임 갭 (278) 은 대략 0.1 mm 내지 2 mm 사이이다. 다른 예에서, 프레임 갭 (278) 은 0.1 mm 미만 또는 2mm 초과일 수 있다.
이 실시형태에 있어서, 액침액 (248) 대부분은 격납 프레임 (264) 내에 한정되고 주변부 둘레의 누출물 대부분은 운반 영역 (274) 에 의해 좁은 프레임 갭 (278) 내에서 청소된다. 이 경우에, 액침액 (248) 이 운반 영역 (274) 에 닿으면, 유체는 운반 영역 (274) 내부에 빠져 흡수된다. 따라서, 운반 영역 (274) 에 의해 액침액 (248) 이 격납 프레임 (264) 외부로 흐르는 것이 방지된다.
각 실시형태에서, 부가적인 운반 영역들이 필요하다면 부가될 수 있음에 유의해야 한다.
도 2a 에서는 또한 제 2 회수 시스템 (256) 이 경계 영역 (280), 경사 영역 (282), 수집 영역 (284) 및 제 2 회수 디바이스 (286) 를 포함할 수 있음을 예시하고 있다. 일 실시형태에서, 경사 영역 (282) 과 수집 영역 (284) 은 디바이스 스테이지 (42) 의 반복적인 가속과 감속을 사용하여 액침액 (248) 을 수집 영역 (284) 을 향해 경사 영역 (282) 으로 이동시키도록 설계되어 있다.
도 2a 에서, 경계 영역 (280), 경사 영역 (282), 및 수집 영역 (284) 은 디바이스 스테이지 이동기 어셈블리 (44) 의 디바이스 스테이지 (42) 에 배치되어 있다. 다르게 표현하면, 디바이스 스테이지 (42) 내의 채널 (287) 이 경사 영역 (282) 및 수집 영역 (284) 을 규정한다. 다른 방법으로, 예를 들어, 하나 이상의 영역 (280,282,284) 이 디바이스 스테이지 (42) 에 고정되어 있는 부가적인 구성요소 내부에 포함될 수 있다.
도 2b 에서는 디바이스 (30) 의 일부와 도 2a 의 디바이스 스테이지 (42) 를 예시하고 있다. 도 2c 에서는 디바이스 스테이지 (42) 와 디바이스 (30) 의 평면도를 예시하고 있다. 도 2b 와 도 2c 에서는 또한 경계 영역 (280), 경사 영역 (282), 및 수집 영역 (284) 을 예시하고 있다.
도 2a 내지 도 2c 를 참조하면, 경계 영역 (280) 은 웨이퍼 (30) 와 경사 영역 (282) 사이의 천이 (transition) 구역을 제공한다. 일 실시형태에서, 경계 영역 (280) 은 환형 형상 영역이고 웨이퍼 (30) 의 바닥과 동일 평면에 있다. 달리 표현하면, 경계 영역 (280) 은 웨이퍼 (30) 의 바닥과 Z 축을 따라 대략 동일한 높이인 상면을 갖는다. 이러한 설계에 의해, 웨이퍼 (30) 의 에지가 광학 어셈블리 (16) 아래로 이동될 때 상면이 격납 프레임 (264) 과 협력하여 액침액 (248) 을 광학 어셈블리 (16) 아래에 수용할 수 있다. 다른 방법으로, 예를 들어, 상면은 웨이퍼 (30) 의 상부와 Z 축을 따라 대략 동일한 높이일 수 있고 또는 상면이 웨이퍼 (30) 아래일 수 있다. 도 2a 내지 도 2c 에 예시된 실시형태에서, 경계 영역 (280) 은 Z 축을 따라 경사 영역 (282) 및 수집 영역 (284) 상방에 위치되어 있다.
경사 영역 (282) 은 경계 영역 (280) 과 수집 영역 (284) 사이에서 연장하고 웨이퍼 (30) 로부터 갭 (246) 을 빠져나가는 액침액 (248) 의 이동을 용이하게 한다. 일 실시형태에서, 경사 영역 (282) 은 대개 환형 형상이고 경계 영역 (280) 과 X 및 Y 축에 대해 예각을 이룬다. 달리 표현하면, 경사 영역 (282) 은 경계 영역 (280) 으로부터 하방으로 좁아질 수 있다(taper). 예를 들어, 경사 영역 (282) 은 경계 영역 (280) 에 대해 적어도 대략 2 도 이상의 각도 (291A) 를 이룰 수 있다. 대안적이고, 비배타적인 실시형태에서, 경사 영역 (282) 은 경계 영역 (280) 또는 웨이퍼 (30) 의 바닥면 또는 상부면에 대해 적어도 대략 1, 2, 3, 5, 10 또는 20 도 이상의 각도 (291A) 를 이룰 수 있다.
일 실시형태에서, 경사 영역 (282) 은 웨이퍼 (30) 근방에 위치되어 있다. 대안적이고, 비배타적인 실시형태에서, 경사 영역 (282) 은 웨이퍼 (30) 의 대략 5, 10, 20, 30, 40 또는 50 mm 내이다. 다른 방법으로, 경사 영역 (282) 은 웨이퍼 (30) 로부터 5 mm 보다 가까울 수 있고 또는 50 mm 이상일 수 있다.
또한, 일 실시형태에서는, 적하 (drop down) 영역 (288) 이 경계 영역 (280) 과 경사 영역 (282) 사이에 위치되어 있다. 디바이스 스테이지 (42) 가 가속될 때 경사 영역 (282) 의 상부 근방의 액침액 (248) 이 경계 영역 (280) 으로 되돌아가는 것이 적하 영역 (288) 에 의해 방지된다. 도 2a 에서, 적하 영역 (288) 은 Z 축 (경계 영역 (280) 과 웨이퍼 (30) 에 수직) 에 대해 예각을 이룬다. 대안적이고, 비배타적인 실시형태에서, 적하 영역 (288) 은 Z 축에 대해 적어도 대략 2, 5, 10 또는 15 의 각도 (291B) 를 이룰 수 있다. 다른 방법으로, 예를 들어, 적하 영역 (288) 은 경계 영역 (280) 에 실질적으로 수직한 Z 축을 따라 연장할 수 있다.
수집 영역 (284) 은 경사 영역 (282) 을 흐르는 액침액 (248) 을 수집한다. 일 실시형태에서, 수집 영역 (284) 은 경사 영역 (282) 아래에 위치되어 있다. 일 실시형태에서, 수집 영역 (284) 은 제 2 회수 디바이스 (286) (도 2a 에 예시됨) 와 유체 소통되어 있는 하나 이상의 채널 아웃렛 (290) 을 포함한다.
제 2 회수 디바이스 (286) 는 수집 영역 (284) 으로부터 액침액 (248) 을 회수한다. 일 실시형태에서, 제 2 회수 디바이스 (286) 는 수집 영역 (284) 에 저압을 생성하는 저압 소스를 포함한다. 이 실시형태에서, 저압 소스는 펌프 혹은 진공원 및 수집 영역 (284) 내의 압력을 정밀하게 제어하는 압력 조정기를 포함할 수 있다. 하나 이상의 구성요소가 필요하지 않을 수 있고 및/또는 일부 구성요소는 중복될 수 있다. 예를 들어, 제 2 회수 디바이스 (286) 는 다수의 펌프, 다수의 저유소, 밸브들, 또는 다른 구성요소들을 포함할 수 있다.
도 3a 에서는 디바이스 (30) 의 평면도 및 디바이스 스테이지 (342) 의 또 다른 실시형태를 예시하고 있다. 이 실시형태에서, 디바이스 스테이지 (342) 는 상술된 대응하는 구성요소와 다소 유사하다. 그러나, 이 실시형태에서, 경사 영역 (382) 은 약간 상이하다. 보다 구체적으로, 이 실시형태에서, 경사 영역 (382) 은 제 1 특성 (393)(음영으로 예시)을 갖는 제 1 서브영역 (392) 및 제 1 특성 (393) 과 상이한 제 2 특성 (395)(음영으로 예시)을 갖는 제 2 서브영역 (394) 을 포함한다.
제 1 및 제 2 서브영역 (392,394) 의 설계는 수집 영역 (384)(점선으로 예시)을 향한 경사 영역 (382) 하방으로의 액침액 (248)(방울로서 예시)의 일방향 이동을 용이하게 하도록 변화될 수 있다. 도 3a 에 예시된 실시형태에서, 제 1 서브영역 (392) 은 제 2 서브영역 (394) 상방에 위치되어 있다. 또한, 이 실시형태에서, 제 1 서브영역 (392) 과 제 2 서브영역 (394) 사이의 천이는 복수의 공간적으로 떨어진 첨점 (sharp point) 을 규정하는 복수의 상호접속된 호 형상 세그먼트들에 의해 규정되어 있다. 달리 표현하면, 천이 (396) 에서, 제 2 서브영역 (394) 은 복수의 상호접속된, 인접한, 오목 영역을 포함하고, 제 1 서브영역 (392) 은 복수의 상호접속된, 인접한, 볼록 영역을 포함한다.
제 1 특성 (393) 및 제 2 특성 (395) 의 설계는 변할 수 있다. 일 실시형태에서, (i) 제 1 특성 (393) 은 제 1 서브영역 (392) 을 코팅하는 제 1 표면 장력 변형 코팅이고 제 1 서브영역 (392) 을 가로지르는 액침액 (248) 의 이동을 변형시키고, (ii) 제 2 특성 (395) 은 제 2 서브영역 (394) 을 코팅하는 제 2 표면 장력 변형 코팅이고 제 2 서브영역 (394) 을 가로지르는 액침액 (248) 의 운동을 변형시킨다.
일 실시형태에서, (i) 제 1 특성 (393) 은 액침액 (248) 에 반발하는 소수성 타입 코팅이고, 액침액 (248) 이 제 1 서브영역 (392) 상에 비드를 형성하게 하고 제 1 서브영역 (392) 을 적시지 않으며 (ii) 제 2 특성 (395) 은 액침액 (248) 이 제 2 서브영역 (394) 을 적시게 할 수 있는 친수성 타입 코팅으로 제 2 서브영역 (394) 상에 비드를 형성하지 않는다. 이러한 설계에 의해, 어떤 실시형태들에서, 액침액 (248) 은 수집 영역 (284) 을 향하여 제어가능하게 이동될 수 있는 제 2 서브영역 (394) 상의 시트 (sheet) 로서 실제로 작용할 수 있다.
다른 방법으로, 예를 들어, 제 1 및 제 2 서브영역 (392,394) 에서의 코팅은 전환될 수 있고, 동일한 코팅이 제 1 및 제 2 서브영역 (392,394) 에 도포될 수 있고, 또는 제 1 및 제 2 서브영역 (392,394) 이 코팅되지 않을 수도 있다. 다른 다른 방법으로, 제 1 및 제 2 서브영역 (392,394) 은 상이한 경사 또는 레벨을 이룰 수 있다.
도 3b 는 도 3a 로부터의 디바이스 스테이지 (342) 의 일부를 예시한다. 보다 구체적으로, 도 3b 에서는 디바이스 스테이지 (342) 가 특정한 첨점 (397) 내부로 가속될 때 제 1 특성 (395) 과 관련하여 첨점들 (397) (하나만이 도시됨)이 액침액 (248) 을 제 2 서브영역 (394) 및 수집 영역 (284) 을 향하여 주입하도록 작용할 것이다라는 것을 예시한다. 이것은 액침액 (248) 두께가 충분하면 첨점 (397) 이 액침액 (248) 의 압력을 집중시키고 액침액 (248) 이 제 1 서브영역 (392) 을 붕괴시킬 것이기 때문이다.
도 3a 를 다시 참조하면, 제 1 서브영역 (392) 과 디바이스 (30) 사이에 첨점들이 없기 때문에, 액침액 (248) 이 제 1 서브영역 (392) 으로부터 디바이스 (30) 을 향하여 꺼꾸로 이동하려는 경향이 없다. 액침액 (248) 이 점 (397) 들에서 붕괴될 때 알짜 효과는 제 1 서브영역 (392) 의 내측 직경우로부터 제 1 서브영역 (392) 의 외측 직경으로의 액침액 (248) 의 일정한 운동 및 제 1 서브영역 (392) 으로부터 제 2 서브영역 (394) 으로의 액침액 (248) 의 운동이다.
도 4 에서는 디바이스 (30) 의 상면도 및 본 발명의 특징을 갖는 디바이스 스테이지 (442) 의 또 다른 실시형태를 예시한다. 이 실시형태에서, 디바이스 스테이지 (442) 는 상술된 도 3a 및 도 3b 에 예시된 디바이스 스테이지 (342) 와 다소 유사하다. 그러나, 이 실시형태에서, 경사 영역 (482) 은 액침액 (248) 의 수집을 향상시키도록 전략적으로 위치된 하나 이상의 수집 개구부 (498) 를 포함한다. 수집 개구부 (498) 는 수집 개구부 (498) 에서 액침액 (248) 을 끌어당기도록 수집 개구부 (498) 내에 저압을 생성하는 제 2 회수 디바이스 (486) 와 유체 소통될 수 있다.
일 실시형태에서, 하나의 수집 개구부 (498) 는 각 점 (497) 근방에 위치되어 있다. 다른 방법으로, 예를 들어, 수집 개구부 (498) 는 경사 영역 (482) 에서 다른 위치들에 위치될 수 있다.
이 실시형태에서, 수집 개구부 (498) 는 경사 영역 (482) 에서 모든 액침액 (248) 를 수집하도록 설계될 수 있다. 이러한 설계에 의해, 최소량의 액침액 (248) 이 수집 영역 (484) 에서 수집된다. 다른 방법으로, 예를 들어, 수집 개구부 (498) 는 경사 영역 (482) 에서 액침액 (248) 의 일부만을 수집하도록 설계될 수 있다. 이러한 설계에 의해, 수집 영역 (484) 은 수집 개구부 (498) 에 의해 수집되지 않은 임의의 액침액 (248) 를 수집한다.
도 5a 에서는 디바이스 (30) 의 일부 확대 절단도 및 디바이스 스테이지 (542) 의 또 다른 실시형태를 예시하고, 도 5b 에서는 디바이스 (30) 의 상면도 및 도 5a 의 디바이스 스테이지 (542) 를 예시한다.
이 실시형태에서, 경사 영역 (582) 은 제 1 서브영역 (592) 및 제 2 서브영역 (594) 을 포함한다. 또한, 이 실시형태에서, 제 1 서브영역 (592) 은 X 축과 Y 축 및 디바이스 (30) 의 상부 또는 바닥에 대해 제 1 각도 (598A) 를 이루고 제 2 서브영역 (594) 은 X 축과 Y 축 및 디바이스 (30) 의 상부 또는 바닥에 대해 제 2 각도 (598B) 를 이루며 제 1 각도 (598A) 는 제 2 각도 (598B) 와 동일하거나 또는 상이할 수 있다. 대안적이고, 비배타적인 실시형태들에서, 제 1 각도 (598A) 는 대략 10, 20, 30, 40 또는 45 도일 수 있고 제 2 각도 (598B) 는 대략 10, 20, 30, 40 또는 45 도일 수 있다. 이 실시형태에서, 경사 영역 (582) 의 기계적인 기하는 액침액의 흐름을 수집하고 제어한다.
일 실시형태에서, 디바이스 스테이지 어셈블리 (520) 는 또한 제 1 서브영역 (592) 과 유체 소통되어 있는 제 1 수집 영역 (584A), 제 2 서브영역 (594) 과 유체 소통되어 있는 제 2 수집 영역 (584B), 및 수집 영역들 (584A,584B) 로부터 액침액을 제거하는 제 2 회수 디바이스 (586) 를 포함한다. 일 실시형태에서, 제 2 회수 디바이스 (586) 는 수집 영역들 (584A,584B) 에 저압을 생성하는 저압 소스를 포함한다.
이 실시형태에서, 시스템은 제 1 수집 영역 (584A) 이 모든 액침액 (248) 을 수집하도록 설계될 수 있다. 이러한 설계에 의해, 액침액 (248) 은 제 2 수집 영역 (584B) 에서 수집된다. 달리 표현하면, 제 2 수집 영역 (584B) 은, 수집될 액침액 (248) 의 체적 및 디바이스 스테이지 (542) 가속과 감속에 의존하여, 제 2 수집 영역이 필요하지 않을 수도 있기 때문에 선택적일 수 있다. 다른 방법으로, 예를 들어, 제 1 수집 영역 (584A) 은 경사 영역 (582) 에서 액침액 (248) 의 일부만을 수집할 수 있다. 이러한 설계에 의해, 제 2 수집 영역 (584B) 은 제 1 수집 영역 (584A) 에 의해 수집되지 않은 임의의 액침액 (248) 을 수집한다.
또한, 이 실시형태에서, 제 1 및 제 2 서브영역 (592,594) 의 코팅의 성질은 덜 중요할 수 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 서브영역 (592,594) 의 일방 또는 양방의 코팅은 선택적으로 간주될 수 있다.
반도체 디바이스들은 도 6a 에 일반적으로 도시된 프로세스에 의해 상술된 시스템을 사용하여 제조될 수 있다. 단계 601 에서, 디바이스의 기능 및 성능 특성들이 설계된다. 다음으로, 단계 602 에서, 패턴을 갖는 마스크 (레티클) 이 사전 설계 단계에 따라 설계되고 병렬 단계 603 에서 웨이퍼가 실리콘 재료로부터 제작된다. 단계 602 에서 설계된 마스크 패턴은 본 발명에 따라 상술된 포토리소그래피 시스템에 의해 단계 604 에서 단계 603 으로부터의 웨이퍼 상에 노광된다. 단계 605 에서 반도체 디바이스가 조립 (다이싱 공정, 본딩 공정 및 패키징 공정을 포함)되고, 최종적으로 디바이스가 단계 606 에서 검사된다.
도 6b 에서는 반도체 디바이스들을 제조하는 경우에 상술된 단계 604 의 상세한 흐름도를 예시한다. 도 6b 에 있어서, 단계 611 (산화 단계) 에서, 웨이퍼 표면이 산화된다. 단계 612 (CVD 단계) 에서, 웨이퍼 표면에 절연막이 형성된다. 단계 613 (전극 형성 단계) 에서, 기상 증착에 의해 웨이퍼에 전극들이 형성된다. 단계 614 (이온 주입 단계) 에서, 웨이퍼에 이온들이 주입된다. 상술된 단계들 611 - 614 는 웨이퍼 프로세싱 동안 웨이퍼들에 대한 전처리 단계들을 형성하고, 프로세싱 요구사항에 따라 각 단계에서 선택이 행해진다.
웨이퍼 프로세싱의 각 단계에서, 상술된 전처리 단계들이 완료되면, 다음의 후처리 단계들이 실행된다. 후처리 동안, 먼저, 단계 615 (포토레지스트 형성 단계) 에서, 웨이퍼에 포토레지스트가 도포된다. 다음으로, 단계 616 (노광 단계) 에서, 상술된 노광장치가 사용되어 마스크 (레티클) 의 회로 패턴이 웨이퍼로 전사된다. 단계 617 (현상 단계) 에서, 노광된 웨이퍼가 현상되고, 단계 618 (에칭 단계) 에서, 잔류 포토레지스트 (노출된 재료 표면) 을 제외한 부분들이 에칭에 의해 제거된다. 단계 619 (포토레지스트 제거 단계) 에서, 에칭 후에 남아있는 불필요한 포토레지스트가 제거된다.
다수의 회로 패턴이 이들 프로세싱 및 후처리 단계의 반복에 의해 형성된다.
여기에 개시되고 도시된 특정한 노광장치 (10) 는 목적을 완전히 획득할 수 있고 이전에 언급된 장점들을 제공할 수 있지만, 본 발명의 바람직한 실시형태의 단순한 예시일 뿐이고 첨부된 청구범위에 설명된 것을 제외하고 여기에 도시된 구성 또는 설계의 상세에 대한 어떠한 제한도 의도되어 있지 않다는 것을 이해할 것이다.

Claims (28)

  1. 디바이스를 지지하도록 구성된 지지부;
    상기 디바이스 상에 이미지를 투영하도록 구성된 광학 어셈블리;
    상기 디바이스와 상기 광학 어셈블리 사이에 제공된 갭;
    상기 갭 내부에 액침액을 공급하는 액침액 시스템; 및
    상기 지지부를 유지하도록 구성된 디바이스 스테이지 어셈블리를 구비하며,
    상기 디바이스 스테이지 어셈블리는, 상기 지지부 근방에 제공되며 상기 갭으로부터 떨어져 상기 갭을 빠져나가는 액침액의 흐름을 용이하게 하도록 구성된 경사 영역을 포함하는, 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 경사 영역은 상기 경사 영역을 따른 상기 액침액의 이동을 용이하게 하는 코팅을 포함하는, 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 코팅은 소수성 타입 코팅인, 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 코팅은 친수성 타입 코팅인, 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 디바이스 스테이지 어셈블리는, 상기 경사 영역으로부터의 액침액을 수집하는 수집 영역 및 상기 수집 영역으로부터의 액침액을 제거하는 회수 디바이스를 포함하는, 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 경사 영역은, 제 1 특성을 갖는 제 1 서브영역 및 상기 제 1 특징과 상이한 제 2 특성을 갖는 제 2 서브영역을 포함하는, 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 특성은 제 1 코팅을 포함하고,
    상기 제 2 특성은 상기 제 1 코팅과 상이한 제 2 코팅을 포함하는, 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 코팅들 중 하나는 소수성 타입 코팅이고,
    다른 코팅은 친수성 타입 코팅인, 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 경사 영역은, 상기 경사 영역을 따른 이동 동안 상기 액침액의 비딩 (beading) 의 형성을 용이하게 하는 지점을 포함하는, 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 경사 영역은 상기 디바이스에 대해 3 도 이상의 각도를 이루는, 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 경사 영역은 제 1 서브영역 및 제 2 서브영역을 포함하고,
    상기 제 1 서브영역은 상기 디바이스의 상부에 대해 제 1 각도를 이루고
    상기 제 2 서브영역은 상기 디바이스의 상부에 대해 제 2 각도를 이루며,
    상기 제 1 각도는 상기 제 2 각도와 상이한, 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 디바이스 스테이지 어셈블리는, 상기 제 1 서브영역과 유체 소통하는 제 1 수집 영역, 상기 제 2 서브영역과 유체 소통하는 제 2 수집 영역, 및 상기 수집 영역들로부터의 액침액을 제거하는 회수 디바이스를 포함하는, 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 디바이스 스테이지 어셈블리는 디바이스 스테이지를 포함하고
    상기 디바이스 스테이지는 상기 경사 영역을 포함하는, 장치.
  14. 디바이스를 유지하도록 구성된 지지부;
    상기 디바이스 상에 이미지를 투영하도록 구성된 광학 어셈블리;
    상기 디바이스와 상기 광학 어셈블리와의 사이에 제공된 갭;
    상기 갭 내부에 액침액을 공급하는 액침액 시스템; 및
    상기 지지부를 유지하는 디바이스 스테이지 및 상기 디바이스 스테이지를 이동시키는 스테이지 이동기 어셈블리를 포함하는 디바이스 스테이지 어셈블리를 구비하며,
    상기 디바이스 스테이지는, 상기 지지부 근방에 제공되고 상기 갭으로부터 상기 갭을 빠져나가는 액침액의 흐름을 용이하게 하도록 구성된 경사 영역을 포함하고,
    상기 경사 영역은 상기 디바이스에 대해 대략 3 도 이상의 각도를 이루는, 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 경사 영역은 상기 경사 영역을 따른 상기 액침액의 이동을 용이하게 하는 코팅을 포함하는, 장치.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 디바이스 스테이지 어셈블리는, 상기 경사 영역으로부터의 액침액을 수집하는 수집 영역 및 상기 수집 영역으로부터의 액침액을 제거하는 회수 디바이스를 포함하는, 장치.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 경사 영역은, 제 1 특성을 갖는 제 1 서브영역 및 상기 제 1 특성과 상이한 제 2 특성을 갖는 제 2 서브영역을 포함하는, 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 1 특성은 제 1 코팅을 포함하고,
    상기 제 2 특성은 상기 제 1 코팅과 상이한 제 2 코팅을 포함하는, 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 코팅들 중 하나는 소수성 타입 코팅이고 다른 코팅은 친수성 타입 코팅인, 장치.
  20. 제 14 항에 있어서,
    상기 경사 영역은, 상기 경사 영역을 따른 이동 동안 상기 액침액의 비딩의 형성을 용이하게 하는 지점을 포함하는, 장치.
  21. 제 14 항에 있어서,
    상기 경사 영역은 제 1 서브영역 및 제 2 서브영역을 포함하고,
    상기 제 1 서브영역은 상기 디바이스의 상부에 대해 제 1 각도를 이루고
    상기 제 2 서브영역은 상기 디바이스의 상부에 대해 제 2 각도를 이루며,
    상기 제 1 각도는 상기 제 2 각도와 상이한, 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 디바이스 스테이지 어셈블리는, 상기 제 1 서브영역과 유체 소통하는 제 1 수집 영역, 상기 제 2 서브영역과 유체 소통하는 제 2 수집 영역, 및 상기 수집 영역들로부터의 액침액을 제거하는 회수 디바이스를 포함하는, 장치.
  23. 디바이스에 이미지를 전사하는 방법으로서,
    상기 디바이스를 지지부로 지지하는 단계;
    상기 이미지를 상기 디바이스 상에 투영하도록 구성된 광학 어셈블리를 제공하는 단계;
    상기 광학 어셈블리와 상기 디바이스와의 사이에 갭을 제공하는 단계;
    상기 갭으로 액침액을 액침액 시스템에 의해 전달하는 단계; 및
    상기 지지부를 디바이스 스테이지 어셈블리에 의해 이동시키는 단계를 구비하며,
    상기 디바이스 스테이지 어셈블리는 상기 디바이스 근방에 위치된 경사 영역을 포함하고,
    상기 경사 영역은 상기 디바이스로부터 상기 갭을 빠져나가는 상기 액침액의 흐름을 용이하게 하는, 이미지 전사 방법.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 경사 영역을 따른 상기 액침액의 이동을 용이하게 하기 위해 상기 경사 영역을 코팅하는 단계를 더 포함하는, 이미지 전사 방법.
  25. 제 23 항에 있어서,
    상기 경사 영역은, 제 1 특성을 갖는 제 1 서브영역, 및 상기 제 1 특성과 상이한 제 2 특성을 갖는 제 2 서브영역을 포함하는, 이미지 전사 방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 제 1 특성은 제 1 코팅을 포함하고,
    상기 제 2 특성은 상기 제 1 코팅과 상이한 제 2 코팅을 포함하는, 이미지 전사 방법.
  27. 제 23 항에 있어서,
    상기 경사 영역은, 상기 경사 영역을 따른 이동 동안 상기 액침액의 비딩의 형성을 용이하게 하는 지점을 포함하는, 이미지 전사 방법.
  28. 제 23 항에 있어서,
    상기 경사 영역은 제 1 서브영역 및 제 2 서브영역을 포함하고,
    상기 제 1 서브영역은 상기 디바이스의 상부에 대해 제 1 각도를 이루고
    상기 제 2 서브영역은 상기 디바이스의 상부에 대해 제 2 각도를 이루며,
    상기 제 1 각도는 상기 제 2 각도와 상이한, 이미지 전사 방법.
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Families Citing this family (150)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100588124B1 (ko) 2002-11-12 2006-06-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG135052A1 (en) 2002-11-12 2007-09-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2004053952A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7948604B2 (en) 2002-12-10 2011-05-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
KR20130010039A (ko) 2002-12-10 2013-01-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR20120127755A (ko) 2002-12-10 2012-11-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
US7242455B2 (en) 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
SG2012087615A (en) 2003-02-26 2015-08-28 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP4353179B2 (ja) 2003-03-25 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
ATE426914T1 (de) 2003-04-07 2009-04-15 Nikon Corp Belichtungsgerat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
WO2004093159A2 (en) 2003-04-09 2004-10-28 Nikon Corporation Immersion lithography fluid control system
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
KR101323993B1 (ko) 2003-04-10 2013-10-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
KR20180089562A (ko) 2003-04-10 2018-08-08 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템
ATE449982T1 (de) 2003-04-11 2009-12-15 Nikon Corp Reinigungsverfahren für optik in immersionslithographie
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
SG194264A1 (en) 2003-04-11 2013-11-29 Nikon Corp Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
WO2004095135A2 (en) 2003-04-17 2004-11-04 Nikon Corporation Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW201515064A (zh) 2003-05-23 2015-04-16 尼康股份有限公司 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
TWI518742B (zh) 2003-05-23 2016-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
KR101548832B1 (ko) 2003-05-28 2015-09-01 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
TWI442694B (zh) * 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1486827B1 (en) 2003-06-11 2011-11-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101729866B1 (ko) 2003-06-13 2017-04-24 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
TWI515769B (zh) 2003-06-19 2016-01-01 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1652003B1 (en) 2003-07-08 2015-01-07 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
EP1643543B1 (en) 2003-07-09 2010-11-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1646075B1 (en) 2003-07-09 2011-06-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
EP3346485A1 (en) 2003-07-25 2018-07-11 Nikon Corporation Projection optical system inspecting method and inspection apparatus, and a projection optical system manufacturing method
WO2005010962A1 (ja) 2003-07-28 2005-02-03 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1670039B1 (en) 2003-08-29 2014-06-04 Nikon Corporation Exposure apparatus and device producing method
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101238114B1 (ko) 2003-09-03 2013-02-27 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4444920B2 (ja) 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR101335736B1 (ko) 2003-09-29 2013-12-02 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
EP1672681B8 (en) 2003-10-08 2011-09-21 Miyagi Nikon Precision Co., Ltd. Exposure apparatus, substrate carrying method, exposure method, and method for producing device
WO2005036623A1 (ja) 2003-10-08 2005-04-21 Zao Nikon Co., Ltd. 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
TW201738932A (zh) 2003-10-09 2017-11-01 Nippon Kogaku Kk 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法
US7352433B2 (en) 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP2005159322A (ja) * 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
US7528929B2 (en) 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101442448B1 (ko) 2003-12-03 2014-09-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품
JP4720506B2 (ja) 2003-12-15 2011-07-13 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、及び露光方法
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101440743B1 (ko) 2004-01-05 2014-09-17 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP2005195878A (ja) * 2004-01-07 2005-07-21 Olympus Corp 対物レンズ、光分析装置、光分析装置の運転方法および顕微鏡
KR101204157B1 (ko) 2004-01-20 2012-11-22 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 마이크로 리소그래픽 투영 노광 장치 및 그 투영 렌즈를 위한 측정 장치
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101276392B1 (ko) 2004-02-03 2013-06-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101707294B1 (ko) 2004-03-25 2017-02-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7898642B2 (en) * 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005111722A2 (en) 2004-05-04 2005-11-24 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101368523B1 (ko) 2004-06-04 2014-02-27 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 광학적 결상 시스템의 결상 품질을 측정하기 위한 시스템
US8520184B2 (en) 2004-06-09 2013-08-27 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with measuring device
WO2005124835A1 (ja) 2004-06-21 2005-12-29 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101202230B1 (ko) 2004-07-12 2012-11-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
EP2226682A3 (en) 2004-08-03 2014-12-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
KR20070048164A (ko) 2004-08-18 2007-05-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101106496B1 (ko) 2004-09-17 2012-01-20 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7522261B2 (en) * 2004-09-24 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100533662C (zh) * 2004-11-01 2009-08-26 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
US7251013B2 (en) * 2004-11-12 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7423720B2 (en) * 2004-11-12 2008-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411657B2 (en) 2004-11-17 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7446850B2 (en) 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7196770B2 (en) 2004-12-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Prewetting of substrate before immersion exposure
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352440B2 (en) 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
WO2006064851A1 (ja) 2004-12-15 2006-06-22 Nikon Corporation 基板保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法
US7403261B2 (en) 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528931B2 (en) 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7405805B2 (en) 2004-12-28 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7450217B2 (en) 2005-01-12 2008-11-11 Asml Netherlands B.V. Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
EP1681597B1 (en) 2005-01-14 2010-03-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124351A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
KR101513840B1 (ko) 2005-01-31 2015-04-20 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP5162254B2 (ja) 2005-02-10 2013-03-13 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 液浸リソグラフィシステム及びデバイス製造方法
US7224431B2 (en) 2005-02-22 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8018573B2 (en) 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7378025B2 (en) 2005-02-22 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7428038B2 (en) 2005-02-28 2008-09-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid
US7282701B2 (en) 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7291850B2 (en) 2005-04-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060232753A1 (en) 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7652746B2 (en) 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006136314A1 (de) 2005-06-23 2006-12-28 Siemens Medical Solutions Diagnostics Gmbh Magnetpartikel mit einer geschlossenen, ultradünnen silikaschicht, verfahren zu deren herstellung und verwendung
US7474379B2 (en) 2005-06-28 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7834974B2 (en) 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8054445B2 (en) 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4923480B2 (ja) * 2005-08-23 2012-04-25 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、計測部材
US7411658B2 (en) 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7804577B2 (en) 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7864292B2 (en) 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7773195B2 (en) 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
TWI538014B (zh) 2005-12-08 2016-06-11 尼康股份有限公司 A substrate holding device, an exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8045134B2 (en) 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
JP4889331B2 (ja) * 2006-03-22 2012-03-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US9477158B2 (en) 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
US8144305B2 (en) * 2006-05-18 2012-03-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070273856A1 (en) * 2006-05-25 2007-11-29 Nikon Corporation Apparatus and methods for inhibiting immersion liquid from flowing below a substrate
JPWO2007139017A1 (ja) * 2006-05-29 2009-10-08 株式会社ニコン 液体回収部材、基板保持部材、露光装置、及びデバイス製造方法
US7532309B2 (en) * 2006-06-06 2009-05-12 Nikon Corporation Immersion lithography system and method having an immersion fluid containment plate for submerging the substrate to be imaged in immersion fluid
US20070291361A1 (en) * 2006-06-19 2007-12-20 Credence Systems Corporation Lens housing with integrated thermal management
US8045135B2 (en) 2006-11-22 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method
US9632425B2 (en) 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20080212050A1 (en) * 2007-02-06 2008-09-04 Nikon Corporation Apparatus and methods for removing immersion liquid from substrates using temperature gradient
US20080198348A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Nikon Corporation Apparatus and methods for minimizing force variation from immersion liquid in lithography systems
US8237911B2 (en) 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
US20080231823A1 (en) * 2007-03-23 2008-09-25 Nikon Corporation Apparatus and methods for reducing the escape of immersion liquid from immersion lithography apparatus
US9013672B2 (en) 2007-05-04 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US7561250B2 (en) 2007-06-19 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having parts with a coated film adhered thereto
NL1036186A1 (nl) * 2007-12-03 2009-06-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP5369443B2 (ja) 2008-02-05 2013-12-18 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
EP2128703A1 (en) 2008-05-28 2009-12-02 ASML Netherlands BV Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus
NL1036924A1 (nl) * 2008-06-02 2009-12-03 Asml Netherlands Bv Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method.
EP2131242A1 (en) * 2008-06-02 2009-12-09 ASML Netherlands B.V. Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method
NL2003363A (en) 2008-09-10 2010-03-15 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, method of manufacturing an article for a lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2004523A (en) 2009-05-08 2010-11-09 Asml Netherlands Bv Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2005207A (en) 2009-09-28 2011-03-29 Asml Netherlands Bv Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method.
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
NL2017699A (en) 2015-12-08 2017-06-14 Asml Netherlands Bv A Substrate Table, A Lithographic Apparatus And A Method Of Operating A Lithographic Apparatus
US10895808B2 (en) 2015-12-15 2021-01-19 Asml Netherlands B.V. Substrate holder, a lithographic apparatus and method of manufacturing devices
US10948830B1 (en) 2019-12-23 2021-03-16 Waymo Llc Systems and methods for lithography

Family Cites Families (140)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1242527A (en) * 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3212199B2 (ja) 1993-10-04 2001-09-25 旭硝子株式会社 平板型陰極線管
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5623853A (en) 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
JPH08136475A (ja) 1994-11-14 1996-05-31 Kawasaki Steel Corp 板状材の表面観察装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JPH10258249A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) * 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2878271B1 (ja) * 1998-03-27 1999-04-05 新潟日本電気株式会社 インクジェットプリンタ記録ヘッド
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
US7187503B2 (en) * 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
US6995930B2 (en) * 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
KR100866818B1 (ko) * 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
JP3762307B2 (ja) * 2001-02-15 2006-04-05 キヤノン株式会社 レーザ干渉干渉計システムを含む露光装置
GB2374818B (en) * 2001-04-23 2005-01-12 Secr Defence Surface for promoting droplet formation
US20020163629A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
US6801301B2 (en) * 2001-10-12 2004-10-05 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
DE10229818A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
US7092069B2 (en) * 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
JP2005536775A (ja) 2002-08-23 2005-12-02 株式会社ニコン 投影光学系、フォトリソグラフィ方法および露光装置、並びに露光装置を用いた方法
US6988327B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus
US7093375B2 (en) * 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US6988326B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US6954993B1 (en) * 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
SG135052A1 (en) * 2002-11-12 2007-09-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100588124B1 (ko) * 2002-11-12 2006-06-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
CN101382738B (zh) * 2002-11-12 2011-01-12 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) * 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) * 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
US6992750B2 (en) * 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
KR20120127755A (ko) * 2002-12-10 2012-11-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
CN100370533C (zh) 2002-12-13 2008-02-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于照射层的方法和用于将辐射导向层的装置
EP1732075A3 (en) 2002-12-19 2007-02-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US7010958B2 (en) * 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
EP1579435B1 (en) 2002-12-19 2007-06-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US6781670B2 (en) * 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
US7090964B2 (en) * 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
US7206059B2 (en) * 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6943941B2 (en) * 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) * 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
WO2004093159A2 (en) 2003-04-09 2004-10-28 Nikon Corporation Immersion lithography fluid control system
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
KR20180089562A (ko) 2003-04-10 2018-08-08 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
KR101323993B1 (ko) 2003-04-10 2013-10-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
ATE449982T1 (de) 2003-04-11 2009-12-15 Nikon Corp Reinigungsverfahren für optik in immersionslithographie
SG194264A1 (en) 2003-04-11 2013-11-29 Nikon Corp Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
WO2004095135A2 (en) 2003-04-17 2004-11-04 Nikon Corporation Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
JP4025683B2 (ja) * 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
JP4146755B2 (ja) * 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
TWI518742B (zh) * 2003-05-23 2016-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
JP4084710B2 (ja) * 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4054285B2 (ja) * 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
KR101729866B1 (ko) * 2003-06-13 2017-04-24 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US6867844B2 (en) * 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4084712B2 (ja) * 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4029064B2 (ja) * 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6809794B1 (en) * 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1639391A4 (en) 2003-07-01 2009-04-29 Nikon Corp USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7326522B2 (en) * 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7175968B2 (en) * 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7700267B2 (en) * 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7579135B2 (en) * 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7085075B2 (en) * 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7070915B2 (en) * 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US7014966B2 (en) * 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
KR101238114B1 (ko) 2003-09-03 2013-02-27 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
US6961186B2 (en) * 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
US7369217B2 (en) * 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
US7678527B2 (en) * 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
WO2005050324A2 (en) 2003-11-05 2005-06-02 Dsm Ip Assets B.V. A method and apparatus for producing microchips
US7924397B2 (en) * 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
US7545481B2 (en) * 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8854602B2 (en) 2003-11-24 2014-10-07 Asml Netherlands B.V. Holding device for an optical element in an objective
US7125652B2 (en) * 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
JP4720506B2 (ja) * 2003-12-15 2011-07-13 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、及び露光方法
US7385764B2 (en) 2003-12-15 2008-06-10 Carl Zeiss Smt Ag Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
WO2005059617A2 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective having a high aperture and a planar end surface
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
US7460206B2 (en) * 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US20050185269A1 (en) * 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) * 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
KR101440743B1 (ko) * 2004-01-05 2014-09-17 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP4371822B2 (ja) * 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
CN102169226B (zh) * 2004-01-14 2014-04-23 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射折射投影物镜
KR101233879B1 (ko) 2004-01-16 2013-02-15 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 편광변조 광학소자
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
KR101204157B1 (ko) 2004-01-20 2012-11-22 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 마이크로 리소그래픽 투영 노광 장치 및 그 투영 렌즈를 위한 측정 장치
US7026259B2 (en) * 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) * 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
EP1723467A2 (en) 2004-02-03 2006-11-22 Rochester Institute of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
US7050146B2 (en) * 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005076084A1 (en) 2004-02-09 2005-08-18 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
EP1714192A1 (en) 2004-02-13 2006-10-25 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
JP2007523383A (ja) 2004-02-18 2007-08-16 コーニング インコーポレイテッド 深紫外光による大開口数結像のための反射屈折結像光学系
US20050205108A1 (en) * 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
US7027125B2 (en) * 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) * 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7227619B2 (en) * 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby

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