JP6751759B2 - 基板テーブル、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置を操作する方法 - Google Patents

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０１５年１２月８日出願の欧州特許出願第１５１９８４４１．６号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

[0002] 本発明は、基板テーブル、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置を操作する方法に関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0004] 液浸装置において、液浸流体は流体ハンドリングシステム、デバイス構造又は装置によって取り扱われる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体を供給することができ、したがって流体供給システムとすることができる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めることができ、したがって流体閉じ込めシステムとすることができる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体にバリアを提供することができ、したがって流体閉じ込め構造などのバリア部材とすることができる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、例えば液浸流体の流れ及び／又は位置の制御に役立てるために、気体の流れを生成又は使用することができる。気体の流れは、液浸流体を閉じ込めるシールを形成することができ、したがって流体ハンドリング構造はシール部材と呼ぶことができ、このようなシール部材は流体閉じ込め構造とすることができる。ある実施形態では、液浸液は液浸流体として使用される。その場合、流体ハンドリングシステムは液体ハンドリングシステムとすることができる。前述した説明に関して、本パラグラフで流体に関して定義された特徴への言及は、液体に関して定義された特徴を含むと理解することができる。

[0005] 液浸液をリソグラフィ装置内で取り扱うことは、液体の取扱いに関する１つ以上の問題をもたらす。通常、基板及び／又はセンサなどのオブジェクトと、オブジェクト（例えば、基板及び／又はセンサ）の縁部の周りのテーブル（例えば、基板テーブル又は測定テーブル）の間にギャップが存在する。米国特許出願公開第ＵＳ２００５−０２６４７７８号は、ギャップが液体供給システムの下を通るときに気泡が含まれることを回避する、及び／又はギャップに入るあらゆる液体を除去するために、そのギャップを材料で埋めるか又はギャップを液体で意図的に満たすために液体源又は低圧源を提供することを開示している。

[0006] 液浸液を閉じ込める液体閉じ込め構造は、液体閉じ込め構造がオブジェクト（例えば基板）とテーブルの間のギャップを横切るようにテーブルに対して移動する。液体閉じ込め構造がオブジェクトの方向にギャップを横切り、続いてオブジェクトを横断するとき、液浸液の液滴がオブジェクトの表面に残される可能性がある、このような液滴は、例えば液滴が蒸発するときにオブジェクトの表面を変形させる可能性がある温度変化や、結像する放射ビームに液滴が及ぼす影響に起因する結像欠陥などの種々の問題を引き起こす。

[0007] 例えば、液体閉じ込め構造がオブジェクトの表面を移動するときに液浸液の液滴がオブジェクトの表面に付着する可能性を低下させることが望ましい。

[0008] ある態様によれば、液浸リソグラフィ装置において露光用基板を支持するように構成された基板テーブルであって、基板テーブルは、基板を支持するように構成された支持面を有する支持体と、支持体に対して固定され、支持面に支持された基板を平面視で取り囲むように構成された、上面を有するカバーリングとを備え、上面の少なくとも一部分は、基板に向かって上面に沿って移動するとき、液浸液のメニスカスの安定性を変化させるように構成された基板テーブルが提供される。

[0009] ある態様によれば、液浸リソグラフィ装置において露光用基板を支持するように構成された基板テーブルであって、基板テーブルは、基板を支持するように構成された支持面を有する支持体と、支持面に支持された基板を平面視で取り囲むように構成され、上面を有するカバーリングとを備え、上面の少なくとも一部分は、基板に向かって上面に沿って移動するときに、液浸液のメニスカスと上面の間の接触線の固定を容易にするように構成された基板テーブルが提供される。

[0010] ある態様によれば、液浸リソグラフィ装置を操作する方法であって、基板テーブルの支持体に対して固定されたカバーリングの上面上に液浸液を提供すること、液浸液が上面から支持体の支持面によって支持された基板上へ移動するように制御することを含み、上面の少なくとも一部分は、基板に向かって上面に沿って移動するときに、液浸液のメニスカスの安定性を変化させるように構成された方法が提供される。

[0011] ある態様によれば、液浸リソグラフィ装置を操作する方法であって、基板テーブルの支持体に対して固定されたカバーリングの上面上に液浸液を提供すること、液浸液が上面から支持体の支持面によって支持された基板上へ移動するように制御することを含み、上面の少なくとも一部分は、基板に向かって上面に沿って移動するときに、液浸液のメニスカスと上面の間の接触線の固定を容易にするように構成された方法が提供される。

[0012] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものにすぎない。

[0013] 本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 [0014] リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す。 [0015] 本発明のある実施形態によるさらなる液体供給システムを示す側断面図である。 [0016] 本発明のある実施形態の基板テーブルの一部を断面図で示す。 [0017] 本発明のある実施形態の基板テーブルの一部を平面図で示す。 [0017] 本発明のある実施形態の基板テーブルの一部を平面図で示す。 [0018] 液滴が基板に付着する様子を断面図で示す。 [0018] 液滴が基板に付着する様子を断面図で示す。 [0018] 液滴が基板に付着する様子を断面図で示す。 [0018] 液滴が基板に付着する様子を断面図で示す。 [0018] 液滴が基板に付着する様子を断面図で示す。 [0018] 液滴が基板に付着する様子を断面図で示す。 [0019] 液滴が付着している基板を平面図で示す。 [0020] 様々な時点における基板に対する液体閉じ込め構造の位置を平面図で示す。 [0021] 本発明のある実施形態の基板テーブルの一部を平面図で示す。 [0022] 本発明のある実施形態の基板テーブルの一部を断面図で示す。 [0022] 本発明のある実施形態の基板テーブルの一部を断面図で示す。 [0023] 本発明のある実施形態の基板テーブルを平面図で示す。 [0024] 本発明のある実施形態の基板テーブルを平面図で示す。 [0025] 異なる時点における、本発明のある実施形態の基板テーブルの一部を断面図で示す。 [0025] 異なる時点における、本発明のある実施形態の基板テーブルの一部を断面図で示す。 [0025] 異なる時点における、本発明のある実施形態の基板テーブルの一部を断面図で示す。 [0025] 異なる時点における、本発明のある実施形態の基板テーブルの一部を断面図で示す。 [0026] 本発明のある実施形態の基板テーブルの一部を断面図で示す。 [0026] 本発明のある実施形態の基板テーブルの一部を断面図で示す。 [0026] 本発明のある実施形態の基板テーブルの一部を断面図で示す。 [0027] 本発明のある実施形態の基板テーブルの一部を断面図で示す。 [0027] 本発明のある実施形態の基板テーブルの一部を断面図で示す。 [0027] 本発明のある実施形態の基板テーブルの一部を断面図で示す。

[0028] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又はその他の任意の好適な放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１の位置決めデバイスＰＭに接続されたマスク支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴとを含む。装置は、また、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴ又は「基板サポート」を含む。装置は、パターニングデバイスＭＡによって基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に放射ビームＢに付与されたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳを更に備える。

[0029] 照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。

[0030] マスク支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを支持、すなわち、その重量を支えている。マスク支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。マスク支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械式、真空式、静電式等のクランプ技術を使用することができる。マスク支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。マスク支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置に来るようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。

[0031] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するように、放射ビームＢの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームＢに付与されるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板Ｗのターゲット部分Ｃにおける所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームＢに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃに生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。

[0032] パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフトマスク、ハーフトーン型（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、更には様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームＢにパターンを付与する。

[0033] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これは更に一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。

[0034] 本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。

[0035] リソグラフィ装置は、投影システムＰＳの特性を測定するためのセンサなどの、測定機器を保持するように配置構成された測定テーブル（図１には示されていない）を備えてよい。実施形態において、測定テーブルは基板Ｗを保持することができない。リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」（及び／又は２つ以上のマスク支持構造ＭＴ又は「マスクサポート」）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブル又はサポートを並行して使用するか、１つ以上の他のテーブル又はサポートを露光に使用している間に１つ以上のテーブル又はサポートで予備工程を実行することができる。

[0036] リソグラフィ装置は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間１１を充填するように、基板Ｗの少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばパターニングデバイスＭＡと投影システムＰＳの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板Ｗなどの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体が存在するというほどの意味である。

[0037] 図１を参照すると、照明システムＩＬは放射源ＳＯから放射ビームＢを受ける。放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置は、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームＢは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯから照明システムＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及び照明システムＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。

[0038] 照明システムＩＬは、放射ビームＢの角度強度分布を調整するように設定されたアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、照明システムＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、照明システムＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。照明システムＩＬを用いて放射ビームＢを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、照明システムＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、照明システムＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、照明システムＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、照明システムＩＬは着脱式であり、別に提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）。

[0039] 放射ビームＢは、マスク支持構造ＭＴ上に保持されたパターニングデバイスＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２の位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、マスク支持構造ＭＴの移動は、第１の位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスク支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ_１、Ｍ_２及び基板アライメントマークＰ_１、Ｐ_２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークＰ_１、Ｐ_２は、専用のターゲット部分Ｃを占有するが、ターゲット部分Ｃの間の空間に位置してもよい（スクライブラインアライメントマークとして周知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークＭ_１、Ｍ_２をダイ間に配置してもよい。

[0040] 投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗの間に液体を提供するための構成は、３つの一般的なカテゴリに分類することができる。これらは浴式構成、いわゆる局所液浸システム及びオールウェット液浸システムである。浴式構成では、基板Ｗの実質的に全体及び任意選択的に基板テーブルＷＴの一部が液体浴に沈められる。

[0041] 提案されている構成は、投影システムの最終要素と基板、基板テーブル又は両方との間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延びる液体閉じ込め構造を提供することである。そのような構成を図２に示している。以下に説明する図２に示す構成は、図１に示す上記のリソグラフィ装置に適用することができる。

[0042] 図２は、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗの間の液浸空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延びる液体閉じ込め構造ＩＨを有する局所液体供給システム又は流体ハンドリングシステムを概略的に示している。（特に明記しない限り、基板Ｗの表面に関する以下の記載は、追加的又は代替的に基板テーブルＷＴの表面も意味することに留意されたい。）ある実施形態では、シールが液体閉じ込め構造ＩＨと基板Ｗの表面の間に形成され、そのシールはガスシール（そのようなガスシールを用いるシステムは欧州特許出願公開公報第ＥＰ−Ａ−１，４２０，２９８号に開示されている）又は液体シールなどの非接触シールとすることができる。

[0043] 液体閉じ込め構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗの間の液浸空間１１に液体を少なくとも部分的に封じ込める。液浸空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下及びその周りに位置決めされた液体閉じ込め構造ＩＨによって少なくとも部分的に形成される。液浸液は、液体開口１３によって投影システムＰＳの下及び液体閉じ込め構造ＩＨ内の液浸空間１１へと運ばれる。液体開口１３によって液浸液を除去することができる。液体開口１３によって液浸液が液浸空間１１にもたらされるか又は液浸空間１１から除去されるかは、基板Ｗ及び基板テーブルＷＴの移動方向に依存し得る。

[0044] 液浸液は、使用中、液体閉じ込め構造ＩＨの底面と基板Ｗの表面の間に形成されるガスシール１６によって液浸空間１１に封じ込めることができる。ガスシール１６内の気体は、加圧下でガスインレット１５を介して液体閉じ込め構造ＩＨと基板Ｗの間のギャップに提供される。気体はアウトレット１４に連結されたチャネルを介して抽出される。ガスインレット１５への過剰圧力、アウトレット１４の真空レベル、及びギャップの幾何学的形状は、液浸液を閉じ込める内側への（ガスシール１６を形成する）高速のガス流が生じるように構成される。液体閉じ込め構造ＩＨと基板Ｗの間の液浸液にかかる気体の力は、液浸液を液浸空間１１に封じ込める。このようなシステムは、本明細書中に参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。ある実施形態では、液体閉じ込め構造ＩＨはガスシールを有しない。

[0045] 局所液体供給システムでは、基板Ｗは、投影システムＰＳ及び液体閉じ込め構造ＩＨの下で移動される。例えば、基板Ｗの縁部が結像される場合、基板テーブルＷＴ（又は測定テーブル）上のセンサが結像される場合、又は基板テーブルＷＴを移動させることによってダミー基板又はいわゆるクロージングプレートを液体閉じ込め構造ＩＨの下に位置決めして、例えば、基板スワップを可能にする場合に、基板Ｗ（又は他のオブジェクト）の縁部が、液浸空間１１の下を通る。液浸液が基板Ｗと基板テーブルＷＴの間のギャップ５に漏出することがある。この液浸液は、静水圧若しくは動水圧又はガスナイフ若しくは他のガス流生成デバイスの力の下で押し込まれ得る。

[0046] 図３は、ある実施形態によるさらなる液体閉じ込め構造ＩＨを示す側断面図である。以下に説明する図３に示す液体閉じ込め構造ＩＨは、図１に示す上記のリソグラフィ装置に適用することができる。液体閉じ込め構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延びる。（特に明記しない限り、基板Ｗの表面に関する以下の記載は、追加的又は代替的に基板テーブルＷＴの表面も意味することに留意されたい。）

[0047] 液体閉じ込め構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗの間の液浸空間１１に液体を少なくとも部分的に封じ込める。液浸空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下及びその周りに位置決めされた液体閉じ込め構造ＩＨによって少なくとも部分的に形成される。ある実施形態では、液体閉じ込め構造ＩＨは、本体部材５３及び多孔質部材８３を含む。多孔質部材８３は、プレート形状であって複数の孔（すなわち、開口又は細孔）を有する。ある実施形態では、多孔質部材８３は、多数の小さい孔８４がメッシュ状に形成されたメッシュプレートである。そのようなシステムは、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開第ＵＳ２０１０／００４５９４９Ａ１号に開示されている。

[0048] 本体部材５３は、液体を液浸空間１１に供給することができる供給ポート７２、及び液体を液浸空間１１から回収することができる回収ポート７３を含む。供給ポート７２は、通路７４を介して液体供給装置７５に接続される。液体供給装置７５は、液体を供給ポート７２に供給することができる。液体供給装置７５から供給された液体は、対応する通路７４を通じて各供給ポート７２に供給される。供給ポート７２は、光路に面した本体部材５３の所定の位置で光路の近くに配置される。回収ポート７３は、液体を液浸空間１１から回収することができる。回収ポート７３は、通路７９を介して液体回収装置８０に接続される。液体回収装置８０は、真空システムを含み、かつ回収ポート７３を介して液体を吸引することによって液体を回収することができる。液体回収装置８０は、回収ポート７３を介し通路７９を通じて回収された液体を回収する。多孔質部材８３は、回収ポート７３に配置される。

[0049] ある実施形態では、一方側では投影システムＰＳと液体閉じ込め構造ＩＨとの間に、かつ他方側では基板Ｗとの間に液浸液を有する液浸空間１１を形成するために、液浸液は供給ポート７２から液浸空間１１に供給され、かつ液体閉じ込め構造ＩＨ内の回収チャンバ８１内の圧力が負圧に調整されることによって多孔質部材８３の孔８４（すなわち、回収ポート７３）を介して液浸液を回収する。供給ポート７２を用いて液体供給動作を行い、かつ多孔質部材８３を用いて液体回収動作を行うことは、投影システムＰＳと一方側の液体閉じ込め構造ＩＨと他方側の基板Ｗとの間に液浸空間１１を形成する。

[0050] 図４は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置の一部を示している。以下に説明する図４に示す構成は、図１に示す上記のリソグラフィ装置に適用することができる。図４は、基板ＷＴ及び基板Ｗの断面である。基板Ｗの縁部と基板テーブルＷＴの縁部の間にギャップ５が存在する。基板Ｗの縁部が結像される場合又は基板Ｗが投影システムＰＳの下に最初に移動した場合などの別のとき（上記したように）、（例えば）液体閉じ込め構造ＩＨによって液体で満たされた液浸空間１１は、基板Ｗの縁部と基板テーブルＷＴの縁部の間のギャップ５の上を少なくとも部分的に通過する。これによって液浸空間１１からの液体がギャップ５に浸入する可能性がある。

[0051] 基板Ｗは、１つ以上の突出部３２（すなわち、バール）を含む支持体３０（例えば、ピンプル又はバールテーブル）によって保持される。支持体３０は、オブジェクトホルダの一例である。オブジェクトホルダの別の例はマスクホルダである。基板Ｗと基板テーブルＷＴの間に加えられる負圧は、基板Ｗが適切な位置にしっかりと保持されることを確実にする。しかしながら、液浸液が基板Ｗと支持体３０の間に入る場合、特に基板Ｗをアンロードするときに問題を引き起こす可能性がある。

[0052] 液浸液がギャップ５に浸入することに対処するために、少なくとも１つのドレイン１０，２０を基板Ｗの縁部に設けて、ギャップ５に浸入する液浸液を取り除く。図４の実施形態では、２つのドレイン１０，２０が示されているが、ドレインは１つだけであっても３つ以上のドレインがあってもよい。ある実施形態では、ドレイン１０，２０のそれぞれは、基板Ｗの全周囲を取り囲むように環状である。

[0053] （基板Ｗ／支持体３０の縁部より半径方向外側の）第１のドレイン１０の主な機能は、液体閉じ込め構造ＩＨの液体が存在する液浸空間１１にガス気泡が入ることを防止するのに役立つことである。このような気泡は、基板Ｗの結像に有害な影響をもたらす可能性がある。第１のドレイン１０は、ギャップ５内の気体が液体閉じ込め構造ＩＨ内の液浸空間１１に逃げ込むことを回避するのに役立つために存在する。気体が液浸空間１１に逃げ込む場合、これによって液浸空間１１内に泡が浮く可能性がある。投影ビームの経路内にこのような泡がある場合、結像エラーを引き起こす可能性がある。第１のドレイン１０は、基板Ｗの縁部と基板Ｗが配置された基板テーブルＷＴ内の凹部の縁部との間のギャップ５から気体を取り除くように構成される。基板テーブルＷＴ内の凹部の縁部は、基板テーブルＷＴの支持体３０から任意選択的に離れたカバーリング１３０によって画定することができる。カバーリング１３０は、平面視でリング形状とすることができ、基板Ｗの外縁部を取り囲む。第１のドレイン１０に抽出されるのは、大部分が気体であり、液浸液はごく少量にすぎない。

[0054] （基板Ｗ／支持体３０の縁部より半径方向内側の）第２のドレイン２０は、ギャップ５から基板Ｗの下へと進む液体が、結像後の基板Ｗの基板テーブルＷＴからの効率的な解放を妨げることを防止するのに役立つように設けられる。第２のドレイン２０を設けることは、基板Ｗの下に進む液体に起因して生じ得るあらゆる問題を軽減又は除去する。

[0055] 図４に示すように、ある実施形態では、リソグラフィ装置は二相流が通過するためのチャネル４６を備える。チャネル４６はブロック内に形成される。第１及び第２のドレイン１０，２０は、それぞれ開口４２，２２及びチャネル４６，２６を備える。チャネル４６，２６は、それぞれ通路４４，２４を通じて開口４２，２２と流体連通する。

[0056] 図４に示すように、カバーリング１３０は上面６０を有する。上面６０は、支持体３０上の基板Ｗの周りに円周方向に延びる。リソグラフィ装置の使用時、液体閉じ込め構造ＩＨは基板テーブルＷＴに対して移動する。この相対移動中、液体閉じ込め構造ＩＨは、カバーリング１３０と基板Ｗの間のギャップ５を横切る。ある実施形態では、相対移動は、基板テーブルＷＴが液体閉じ込め構造ＩＨ下を移動することによってもたらされる。代替的な実施形態では、相対移動は、液体閉じ込め構造ＩＨが基板テーブルＷＴ上を移動することによってもたらされる。さらなる代替的な実施形態では、相対移動は、基板テーブルＷＴが液体閉じ込め構造ＩＨ下を移動すること、及び液体閉じ込め構造ＩＨが基板ＷＴ上を移動することの両方によってもたらされる。以下の説明では、液体閉じ込め構造ＩＨの移動は、基板テーブルＷＴに対する液体閉じ込め構造ＩＨの相対移動を意味するのに使用される。

[0057] リソグラフィ装置の使用時、液体閉じ込め構造ＩＨは、カバーリング１３０上のある位置からギャップ５を横切り、そして基板Ｗを横断する。液体閉じ込め構造ＩＨが移動するとき、液浸液が閉じ込められている液浸空間１１は、液体閉じ込め構造ＩＨとともに移動する。液浸空間１１の後縁部がギャップ５を横切り、続いて基板Ｗを横断するとき、液浸液の液滴１２が基板Ｗの表面上に不必要に付着する可能性がある。これは基板Ｗ以外の他のオブジェクト（例えばセンサ）に起こる可能性もあるが、便宜上説明は基板Ｗに関する問題に焦点を合わせる。

[0058] 図５は、本発明のある実施形態による基板テーブルＷＴの一部を平面図で示す。基板テーブルＷＴは、基板Ｗを支持するように構成される。基板Ｗは、液浸リソグラフィ装置での露光のために支持される。

[0059] 図４により明確に示すように、ある実施形態では、基板テーブルＷＴは支持体３０を備える。支持体３０は、基板Ｗを支持するように構成された支持面３１を有する。図４に示す実施形態では、支持面３１は、突出部３２の各々の上面を含む平面に対応する。

[0060] 図４及び図５に示すように、ある実施形態では、基板テーブルＷＴはカバーリング１３０を備える。ある実施形態では、カバーリング１３０は、リソグラフィ装置の使用時に支持体３０に対して固定される。図４に示すように、ある実施形態では、カバーリング１３０は支持体３０と一体形成される。ただし、これは必ずしも当てはまるわけではない。代替的な実施形態では、カバーリング１３０は、支持体３０から実質的に分離したコンポーネントの一部として形成することができる。しかし、カバーリング１３０が、例えば支持体３０から熱的に分離されている場合でも、カバーリング１３０は、リソグラフィ装置の使用時に支持体３０に対して固定される。これに対して、リソグラフィ装置の使用中に支持体３０に対して移動する機械的シールは、支持体３０に対して固定されない。ある実施形態では、カバーリング１３０は、基板テーブルＷＴの残りの部分から分離したコンポーネントとして製造され、その後基板テーブルＷＴの上部に接着される。本発明との関連で使用可能な分離したカバーリング１３０を備える基板テーブルＷＴの一例は、参照により本明細書に組み込まれる国際特許出願公開第ＷＯ２０１３１７８４８４Ａ１号に開示されている。

[0061] カバーリング１３０は、支持面３１に支持される基板Ｗを平面視で取り囲むように構成される。カバーリング１３０の上面６０を図４及び図５に示す。カバーリング１３０が支持体３０から実質的に分離したコンポーネントである場合、カバーリング１３０は、基板テーブルＷＴの残りの部分とは別に製造及び販売することができる。以下の説明では、本発明は全体として基板テーブルＷＴとの関連で説明される。しかし、本発明は、基板テーブルＷＴ（例えば支持体３０）の残りの部分がない場合のカバーリング１３０に適用可能である。

[0062] 上記のように、リソグラフィ装置の使用時に、液浸空間１１に閉じ込められた液浸液は、カバーリング１３０の上面６０に沿って基板Ｗに向かって移動する。動作のそれ以外のとき、液浸空間１１は基板Ｗから遠ざかる。しかし、液浸液の液滴１２が基板Ｗに付着する問題は、液浸空間１１が基板Ｗに向かってギャップ５（続いて基板Ｗ）を横切るときにより関連性がある。

[0063] 液浸空間１１は、液浸液の体積である。液浸空間１１の上部は、液体閉じ込め構造ＩＨの底部によって画定される。液浸空間１１の底部は、例えば基板Ｗ又はカバーリング１３０の上面６０など、液浸空間１１が接触するいずれの面（すなわち対向面）によっても画定される。液浸空間１１の側面は、メニスカス１７によって画定される。メニスカス１７は、液体閉じ込め構造ＩＨと対向面の間に延在する液浸空間１１の表面である。メニスカス１７の形状及び曲率は、表面張力の影響を受ける。メニスカス１７の形状は、基板テーブルＷＴ及び／又は基板Ｗと液体閉じ込め構造ＩＨの間の相対移動の方向及び速度に応じて変化する。液浸液のメニスカス１７は、（例えば図７から図１１に示す）接触線１８において対向面（例えばカバーリング１３０の上面６０）と接触する。

[0064] ある実施形態では、カバーリング１３０の上面６０の少なくとも一部分６１は、上面６０に沿って基板Ｗに向かって移動するときに、液浸液のメニスカス１７の安定性を変化させるように構成される。ある実施形態では、カバーリング１３０の上面６０の一部分６１は、以下でより詳細に説明するように、メニスカス１７を不安定にするように構成される。しかし、代替的な実施形態では、カバーリング１３０の上面６０の一部分６１は、メニスカス１７を安定化するように構成される。以下でより詳細に説明するように、メニスカス１７の安定化は、（例えば図１５に示すように）上面６０に沿って円滑な交互トポグラフィを与えることによって、又は（例えば図２４から図２６に示すように）メニスカス１７とカバーリング１３０の上面６０の間の接触線１８の固定を容易にすることによって達成することができる。

[0065] メニスカス１７を不安定にすることによって、メニスカス１７と上面６０の間の接触線１８が不安定になる。スケールをより小さくするためにメニスカス１７を不安定にする。これは、流体膜であるメニスカス１７がより小さいスケールの流体膜に分裂することを意味する。この分裂は、液浸液のメニスカス１７が基板Ｗに向かって上面６０に沿って移動するときに生じる。メニスカス１７の該当部分は、基板テーブルＷＴの液体閉じ込め構造ＩＨに対する移動の際の液浸空間１１の後縁部にある。本発明のある実施形態は、液浸液の液滴１２が基板Ｗに付着する可能性の低下を達成することが期待される。液浸液の総損失量を減らすことができる。しかし、上面６０全体がメニスカス１７を不安定にするように構成される必要はない。以下でより詳細に説明するように、代替的な実施形態では、上面６０の一部分はメニスカス１７を安定化するように構成される。一般に、上面６０の少なくとも一部分は、メニスカス１７の安定性を特に制御された方法で変化させるように構成される。

[0066] 図５では、メニスカス１７を不安定にするように構成された上面６０の一部分６１は、プラス（「＋」）記号及びマイナス（「−」）記号を含む一部分６１に対応する。プラス記号及びマイナス記号は、液浸液に対して異なる接触角を有する上面６０上の領域を示す。マイナス記号に隣接するプラス記号は、プラス記号に対応する上面６０の領域が、マイナス記号に対応する領域と比べて（液浸液に対して）より大きい接触角を有することを意味する。これに対応して、マイナス記号に対応する領域は、プラス記号が付された隣接領域の接触角と比べて（液浸液に対して）より小さい接触角を有する。

[0067] 図５に示すように、ある実施形態では、上面６０は、その液浸液に対する接触角が上面６０に沿って変化してメニスカス１７を不安定にするように構成される。接触角の変化は、スケールをより小さくするためにメニスカス１７を不安定にする手段である。メニスカス１７の分裂は、高接触角領域６２と低接触角領域６３の間の境界によってもたらされる。これは図６に概略的に示されている。

[0068] 図６に示すように、メニスカス１７とカバーリング１３０の上面６０の間の接触線１８は不安定である。接触線１８は平面視で湾曲した又は起伏のある形を有する。接触線１８に沿った起伏の長さスケールは、高接触角領域６２と低接触角領域６３の間の境界間の長さスケールに依存する。

[0069] ある実施形態では、上面６０は、その接触角が高い値と低い値を交互に繰り返すように構成される。ただし、これは必ずしも当てはまるわけではない。ある実施形態では、上面６０の接触角は、接触角の値の不連続なステップ変化に伴って、連続的に増加（又は代替的に減少）する。メニスカス１７の分裂は、境界で不連続なステップ変化が起こる場合に、接触角を連続的に増加（又は代替的に減少）させることによって分裂がもたらされ得るように、異なる（必ずしも交互ではない）接触角を有する領域間の境界によってもたらされる。

[0070] 図５及び図６に示すように、ある実施形態では、高接触角領域６２は、カバーリング１３０の半径方向に低接触角領域６３と隣接する。カバーリング１３０の半径方向は、基板Ｗの半径方向に対応する。カバーリング１３０の円周方向は、カバーリング１３０の半径方向に垂直である。

[0071] 図６は、１つの高接触角領域６２がカバーリング１３０の半径方向に１つの低接触角領域６３と隣接する実施形態を示す。ただし、カバーリング１３０の半径方向の高接触角領域６２及び低接触角領域６３の数は特に限定されない。図６に示す実施形態では、図示された上面６０の一部分６１は、カバーリング１３０の円周方向に７つの高／低接触角領域６２，６３を有する。ただし、カバーリング１３０の円周方向の高／低接触角領域６２，６３の総数は特に限定されない。

[0072] ある実施形態では、上面上の高接触角領域６２同士の間隔は、少なくとも５０μｍ、任意選択で少なくとも１００μｍである。ある実施形態では、上面６０上の高接触角領域６２同士の間隔は、多くとも５０００μｍ、任意選択で多くとも２０００μｍ、任意選択で多くとも１０００μｍ、任意選択で多くとも５００μｍ、任意選択で多くとも２００μｍである。ある実施形態では、上面６０上の低接触角領域同士の間隔は、少なくとも５０μｍ、任意選択で少なくとも１００μｍである。ある実施形態では、上面６０上の低接触角領域同士の間隔は、多くとも５００μｍ、任意選択で多くとも２００μｍである。

[0073] ある実施形態では、接触角は、上面６０のラフネスを変化させることによって変化する。ある実施形態では、カバーリング１３０は、スケールをより小さくするために流体膜の分裂を促進する交互マイクロスケールラフネスを有する。表面ラフネスを変化させることによって、高低動的接触角を有するパッチが生じる。液浸液の上面６０への接触角は、上面６０の理想的な平滑度からの乖離の影響を強く受ける。例えば、トポグラフィが約２μｍ変化することによって、動的接触角が約２０°変化する可能性がある。

[0074] ある実施形態では、リソグラフィ装置の使用時に、カバーリング１３０の上面６０からの液体閉じ込め構造ＩＨの高さは、約１００μｍ近辺とすることができる。上面６０のマイクロスケールトポグラフィは、上面６０の液浸液に対する動的接触角を制御するように制御することができる。一般に、上面６０のラフネスの増大は、上面６０の液浸液に対する接触角の増大につながる。

[0075] ある実施形態では、高接触角領域６２は、カバーリング１３０の上面６０上の微細構造を機械加工することによって形成される。カバーリング１３０の上面６０上の微細構造を機械加工する方法は特に限定されない。一例として、上面６０は、フェムト秒パルスレーザアブレーションによって機械加工することができる。上面６０に機械加工される微細構造のタイプは、特に限定されない。一例として、ある実施形態では、微細構造は、任意選択でリップルパターンによって覆われることもある間隔をあけたピラーを備える。リップルパターンは、周期的リップル構造を含む。リップルは、表面のトポグラフィの凹凸である。ある実施形態では、ピラー同士の間隔は、約１０μｍから約２０μｍの近辺である。

[0076] ある実施形態では、低接触角領域６３は、微細構造が機械加工されていない上面６０の領域に対応する。代替的な実施形態では、低接触角領域６３は、液浸液に対する接触角を小さくするために、何らかの方法で処理された領域に対応し得る。

[0077] メニスカス１７の接触線１８が低接触角領域６３から高接触角領域６２に移動するときの接触線１８の挙動は、接触線が親水性表面から疎水性表面に移動するときと同様である。高接触角領域６２と低接触角領域６３の境界は、局所固定特徴部として作用し、不安定な接触線１８を生じさせる。

[0078] 接触線１８が高接触角領域６２から低接触角領域６３に反対方向に移動するときの挙動は、接触線が疎水性表面から親水性表面に移動するときと同様である。高接触角領域６２と低接触角領域６３の境界は、局所固定特徴部として作用せず、不安定な接触線を生じさせない。

[0079] 図７から図１２は、液体閉じ込め構造ＩＨがカバーリング１３０の上面６０、ギャップ５を横切り、基板Ｗ上に移動する様子を示す。図７から図１２は時間的順序を表す。図７に示すように、メニスカス１７の接触線１８は、カバーリング１３０の上面６０に接触している。液体閉じ込め構造ＩＨは、図７の右から左に、すなわちカバーリング１３０の上面６０から基板Ｗ方向に移動している。

[0080] 図７に示すように、（液浸空間１１の後縁部にある）メニスカス１７は、液体閉じ込めストレッチャＩＨから概ね下方かつ基板Ｗから離れるような角度である。これは基板テーブルＷＴが液体閉じ込め構造ＩＨに対して移動することが一因である。

[0081] 図８では、液体閉じ込め構造ＩＨは、図７に示す状況と比較して左側に移動している。図８に示す瞬間では、接触線１８はカバーリング１３０の上面６０を横断して、ギャップ５に隣接しかつ基板Ｗに最も近い、上面６０の縁部に達している。この上面６０の縁部は、メニスカス１７の接触線１８を固定する。図９に示すように、液体閉じ込め構造ＩＨがカバーリング１３０から離れて移動し続けるとき、接触線１８は上面６０の縁部にとどまる。

[0082] 図１０に示すように、液体閉じ込め構造ＩＨがカバーリング１３０から離れて前進し続けるとき、メニスカス１７は伸張する。図１１は、メニスカス１７が破壊点１９において壊れるまで伸張した状況を示す。この時点で、メニスカス１７の接触線１８は、基板Ｗに面した上面６０の縁部に固定されたままである。図１２は、メニスカス１７が破壊点１９において壊れた影響を示す。特に、メニスカス１７が壊れると、液浸液の液滴１２が基板Ｗに付着する。液浸空間１１から液浸液が失われる。これに対し、本発明のある実施形態では、壊れるほど伸張しないようにメニスカス１７を不安定にする。本発明のある実施形態は、液浸液の損失の低減を達成することが期待される。

[0083] 図１３は、液浸液の液滴１２が付着している基板Ｗを平面図で示す。図１３は、液体閉じ込め構造ＩＨがギャップ５を数回交差しながら基板Ｗ上を蛇行する露光動作の後の液滴１２の典型的な分布を示す。図１３に示すように、液滴１２の濃度は、基板Ｗの対角線で最も高い。この理由は図１４を参照して以下で説明する。

[0084] 図１４は、液体閉じ込め構造ＩＨの基板Ｗ及びギャップ５に対する異なる時点における様々な位置を平面図で示す。特に、図１４は、液体閉じ込め構造ＩＨが、基板Ｗの縁部周りのギャップ５と交差する瞬間の概略的表現である。図１４は、液体閉じ込め構造ＩＨが交差することによって、液浸空間１１の後縁部にあるメニスカス１７が、交差中のある時点でギャップ５と実質的に平行になる様子を示す。メニスカス１７は、特にギャップ５それ自体が基板Ｗに沿って実質的に環状であるため、ギャップ５と完全には平行でない可能性がある。しかし、図１４に示すように、メニスカス１７はギャップ５と実質的に平行である。したがって、このような交差は、液体閉じ込め構造ＩＨとギャップ５の平行交差と呼ばれることもある。

[0085] ある実施形態では、液体閉じ込め構造ＩＨとギャップ５の平行交差は、基板Ｗの対角線で起こり、図１３に示す液浸液の液滴１２の分布がもたらされる。液浸液の液滴１２が基板Ｗに付着するメカニズムは、図７から図１２に示されている。

[0086] 本発明のある実施形態では、カバーリング１３０の上面６０の接触角は、上面６０のラフネスを変化させることによって変化させる必要はない。付加的又は代替的に、上面６０の接触角は、少なくとも疎液性コーティング（及び／又は疎水性コーティング）及び親液性コーティング（及び／又は親水性コーティング）の少なくとも１つを上面６０の所定領域に塗布することによって変化させる。

[0087] 例えば、ある実施形態では、高接触角領域６３は、上面６０の対応する領域に疎液性コーティングを塗布することによって形成する。低接触角領域６３は、疎液性コーティングが塗布されていない上面６０の領域に対応し得る。代替的に、低接触角領域６３は、上面６０の対応する領域に親液性コーティングを塗布することによって形成することができる。低接触角領域６３を上面６０の対応する領域に親液性コーティングを塗布することによって形成する場合、高接触角領域６２は、疎液性コーティングを塗布することによって、又は単に親液性コーティングを塗布しないことによって形成することができる。

[0088] ある実施形態では、疎液性コーティング及び親液性コーティングの少なくとも一方を使用することと、上面６０を構成するために上面６０のラフネスを変化させることを組み合わせて、メニスカス１７を不安定にする。

[0089] 接触線１８が親液性コーティングから疎液性コーティング（又はコーティングの無いところ）に移動する場合、又は接触線１８がコーティングの無い領域から疎液性コーティングに移動する場合、境界は局所固定特徴部として作用する。接触線１８が疎液性コーティングから親液性コーティング（又はコーティングの無いところ）に移動する場合、又は接触線１８がコーティングの無い領域から親液性コーティングに移動する場合、境界は不連続ジャンプとして作用し、不安定な接触線を生じさせる。

[0090] 疎液性パッチと親液性パッチを交互に配することによって、スケールをより小さくするためにメニスカス１７の流体膜を不安定にする手段を与える。最終的により小さいスケールの流体膜が破壊されることによって、液浸空間１１から基板Ｗ上への液浸液の全体の損失が減少する。

[0091] 図５及び図６に示すように、ある実施形態では、上面６０は、その接触角がカバーリング１３０の円周方向に沿って交互に増減するように構成される。接触角を交互に設定することによって、メニスカス１７と上面６０の接触線１８は波形となり、これによって不安定になる。ある実施形態では、上面６０は、その接触角がカバーリング１３０の半径方向に沿って交互に増減するように構成される。カバーリング１３０の半径方向に沿って接触角を変化させることによって、接触線１８は、上面５０に沿って移動するときに、異なる接触角の領域間の境界に突き当たる。これによってメニスカス１７が不安定になる。

[0092] 図５は、上面６０の一部分６１が、複数の高接触角領域６２及び複数の低接触角領域６３を含む実施形態を示す。高接触角領域６２は、液浸液に対する第１の接触角を有する。低接触角領域は、液浸液に対する第２の接触角を有する。第１の接触角は第２の接触角より大きい。ある実施形態では、第１の接触角及び第２の接触角の少なくとも１つは、上面６０がその接触角を制御するために特別に処理されていないとき（すなわちコーティングや機械加工が行われていないとき）の上面６０の接触角である。

[0093] ある実施形態では、高接触角領域６２は、上面６０に沿って低接触角領域６３と交互に存在する。ある実施形態では、高接触角領域６２は、カバーリング１３０の円周方向に沿って低接触角領域６３と交互に存在する。ある実施形態では、各高接触角領域６２は、図５に示すように、カバーリング１３０の半径方向に沿って低接触角領域６３の１つと隣接する。

[0094] 図１５は、本発明のある実施形態による基板テーブルＷＴの一部を平面図で示す。下記の図１５に示す特徴は、例えば図５及び図６に示す特徴と組み合わせることができる。代替的に、図１５に示す特徴は、図５及び図６に示す特徴から切り離された実施形態に与えられてよい。

[0095] 図１５に示す実施形態では、メニスカス１７を不安定にするように構成された上面６０の一部分６１は、そのトポグラフィがメニスカス１７を不安定にするために上面６０に沿って変化するように構成される。図１５では、プラス記号に対応する領域は、マイナス記号に対応する領域と比べてトポグラフィが高い領域を表す。マイナス記号に対応する領域は、プラス記号を有する領域と比べてトポグラフィが低い領域を表す。等高線６６は、支持体３０の支持面３１からの高さの等高線である。図１５に示すように、ある実施形態では、上面６０の一部分６１は、そのトポグラフィがカバーリング１３０の円周方向に沿って繰り返しうねるように構成される。

[0096] 図１６及び図１７は、カバーリング１３０のトポグラフィを断面図で示す。図１６は、図１５の線Ｂ−Ｂに沿った断面に対応する。図１７は、図１５の線Ａ−Ａに沿った断面図である。したがって、図１６は突出部の断面図であり、図１７は窪み部の断面図である。

[0097] 図１５に示すように、ある実施形態では、上面６０の一部分６１は、複数の高レリーフ領域６４及び複数の低レリーフ領域６５を含む。高レリーフ領域６４は、支持体３０の支持面３１からの第１の高さを有する。低レリーフ領域６５は、支持面３１からの第２の高さを有する。第１の高さは第２の高さより大きい。

[0098] 図１５に示すように、ある実施形態では、高レリーフ領域６４は、カバーリング１３０の上面６０に沿って低レリーフ領域６５と交互に存在する。ある実施形態では、高レリーフ領域６４は、図１５に示すように、カバーリング１３０の円周方向に沿って低レリーフ領域６５と交互に存在する。付加的又は代替的に、各高レリーフ領域６４は、カバーリング１３０の半径方向に沿って低レリーフ領域６５の１つと隣接する。

[0099] カバーリング１３０のトポグラフィを変化させることによって、メニスカス１７が不安定になる。メニスカス１７はより小さい流体膜に分裂する。より小さい流体膜のスケールは、高レリーフ領域６４と低レリーフ領域６５の間のピッチに依存する。

[00100] ある実施形態では、上面６０上の高レリーフ領域６４同士の間隔は、少なくとも５０μｍ、任意選択で少なくとも１００μｍである。ある実施形態では、上面６０上の高レリーフ領域６４同士の間隔は、多くとも５０００μｍ、任意選択で多くとも２０００μｍ、任意選択で多くとも１０００μｍ、任意選択で多くとも５００μｍ、任意選択で多くとも２００μｍである。ある実施形態では、上面６０上の低レリーフ領域６５同士の間隔は、少なくとも５０μｍ、任意選択で少なくとも１００μｍである。ある実施形態では、上面６０上の低レリーフ領域６５同士の間隔は、多くとも５００μｍ、任意選択で多くとも２００μｍである。

[00101] 図１８は、代替的な実施形態による基板テーブルＷＴの一部を平面図で示す。図１８に示すように、等高線６６の形状は図１５に示すものと比較して異なる。図１５に示す実施形態ではカバーリング１３０のトポグラフィ変化は滑らかであるが、図１８に示す実施形態ではカバーリング１３０のトポグラフィ変化は急激である。

[00102] 急激なトポグラフィ変化をもたらすことによって、鋭いエッジは、メニスカス１７の接触線１８を固定するように構成された固定特徴部の役割を果たすことができる。トポグラフィが急激に変化する設計を使用して、メニスカス１７を固定する位置、メニスカス１７が解放される位置、流体膜を生成し、液浸液の最終的な損失をもたらす方法を制御することができる。代替的に、図１５に示す滑らかなトポグラフィ変化によってメニスカス１７の固定を抑制することができる。これによってメニスカス１７の安定性が増し、液浸液の損失が減少する可能性がある。

[00103] 本発明は、上記においてある特定の方法でメニスカス１７を不安定にするように構成された、カバーリング１３０の上面６０の１つの部分６１との関連で説明してきた。ある実施形態では、上面６０のカバーリング１３０に均等に分布させた４つの部分６１がメニスカス１７を不安定にするように構成される。例えば、部分６１は、（例えば図１３に示すように）液浸液の損失が最も生じやすい対角線に一致するように均等に分布させることができる。ある実施形態では、カバーリング１３０の円周方向がメニスカス１７の縁部と実質的に平行な上面６０の部分６１は、メニスカス１７を不安定にするように構成される。

[00104] ある実施形態では、上面６０のメニスカス１７を不安定にするように構成された４つの部分６１の間の部分は、液浸液に対して実質的に一定のトポグラフィ及び接触角を有する。換言すれば、ある実施形態では、上面６０の４つの部分６１だけがメニスカス１７を不安定にするように構成されるのに対し、カバーリング１３０の中間部分はこのように構成されない。部分６１はカバーリング１３０に不連続に設けることができる。ある代替的な実施形態では、メニスカス１７を不安定にする手段は、カバーリング１３０の上面６０に途切れなく設けることができる。

[00105] 図１９は、本発明のある実施形態による基板テーブルＷＴの一部を平面図で示す。図１９に示す実施形態では、カバーリング１３０の上面６０のトポグラフィは、基板テーブルＷＴの対角線に対応する４つの部分６１でのみ変化する。このことは、対角線でうねり、それ以外では比較的滑らかな等高線６６によって示される。

[00106] 必ずしもメニスカス１７を不安定にするように構成された部分６１が４つ必要なわけではない。ある実施形態では、メニスカス１７を不安定にするように構成された上面の部分６１の数は、１つ、２つ、３つ、又は５つ以上である。

[00107] 図２０から図２３は、本発明のある実施形態による基板テーブルＷＴの一部を断面図で示す。図２０から図２３は時間的順序を表す。下記の図２０から図２３に示す特徴は、上記のいずれの実施形態にも適用可能である。

[00108] 図２０に示すように、ある実施形態では、上面６０の部分６１の平均高さは基板Ｗに向かって低くなる。上面６０の高さは、支持体３０の支持面３１からの高さである。上面６０の高さが基板Ｗに向かって低くなると規定することによって、上面の部分６１は基板Ｗに向かって全体的に下方に傾斜する。これは図２０に示されている。

[00109] 図２０に示す瞬間において、メニスカス１７の接触線１８はカバーリング１３０の上面６０上にある。図２１では、液体閉じ込め構造ＩＨは基板Ｗに向かって前進する。メニスカス１７の接触線１８は、まだカバーリング１３０の上面６０上にある。

[00110] 図２２では、メニスカス１７は破壊点１９で壊れる。破壊点１９は、メニスカス１７が基板Ｗのコーナーと接触する位置に対応する。メニスカス１７は、上面６０の高さが基板Ｗの上部より低いために基板Ｗと接触する。メニスカス１７は、接触線１８が基板Ｗに隣接する上面６０の縁部によって固定可能になる前、又は固定可能になった直後に基板Ｗの縁部と衝突する。したがって、延長流体膜は生成されず、メニスカス１７は、引っ張られた場合は液滴１２が基板Ｗ上に形成される結果となる可能性がある流体膜を引っ張ることなく基板Ｗに沿って前進することができる。これは図２３に示されている。

[00111] 図２４は、本発明の代替的な実施形態による基板テーブルＷＴの一部を断面図で示す。図２４に示すように、ある実施形態では、上面６０の少なくとも一部分は、上面６０に沿って基板Ｗに向かって移動するときに接触線１８の固定を容易にするように構成される。接触線１８は、液浸液のメニスカス１７と上面６０の間にある。

[00112] 接触線１８の固定を容易にすることによって、メニスカス１７はより安定的になる。結果として、メニスカス１７の直下に封じ込められる液浸液の体積が減少する。したがって、不必要に基板Ｗに付着し得る液浸液の量が減少する。したがって、液浸液の損失を減らすことができる。このことは、図２４から図２６に時間的順序で示されている。

[00113] 図２５は、接触線１８がバリア６７（又はレッジ）によって固定される時点を示す。バリア６７は、接触線１８をメニスカス１７と上面６０の間に固定するように構成される。

[00114] 図２６は、その後のメニスカス１７が伸ばされた瞬間を示す。この時点において、メニスカス１７は、バリア６７が接触線１８を固定しているために安定を保っている。図２６に概略的に示すように、メニスカス１７の曲率は固定及び伸張の影響を受け、その結果、メニスカス１７直下の液浸液の体積が減少する。

[00115] バリア６７は、メニスカス１７の接触線１８を固定するように構成された機械的特徴部の一例である。他の機械的特徴部，例えばレッジも使用し得る。

[00116] ある実施形態では、バリア６７は、カバーリング１３０の円周方向に沿って延在する。図２４から図２６に示すように、ある実施形態では、バリア６７は基板Ｗに最も近い上面６０の縁部に設けられる。バリア６７は、基板Ｗを支持する支持面３１に最も近い上面６０の外縁に配置される。

[00117] ある実施形態では、バリア６７は不連続である。ある実施形態では、バリア６７は、カバーリング１３０に均等に分布させた上面６０の４つの部分に設けられる。上で説明したように、液浸液の液滴１２が基板に付着する可能性は、メニスカス１７がカバーリング１３０と基板Ｗの間のギャップ５に平行になる可能性がある基板Ｗの対角線で最も大きい。バリア６７を上面６０の４つの不連続部分に設けることによって、バリア６７は、液滴１２の基板Ｗへの付着を抑えるのに最も有益な場所に設けることができる。

[00118] しかし、接触線１８を固定するために必ずしもバリア６７又はレッジを設ける必要はない。ある実施形態では、上面６０は、メニスカス１７と上面６０の間の接触線１８を固定するために液浸液に対して超親液性である。超親液性とは、液浸液が上面６０に対して実質的に接触角を成さない（ほぼ０°）ことを意味する。超親液性によって、メニスカス１７と上面６０の間の接触線１８を固定することが可能になる。

[00119] ある実施形態では、超親液性コーティングを塗布することによって上面６０を超親液性にする。代替的な実施形態では、例えばコラムを備えるように上面６０を機械加工することによって上面６０を超親液性にする。コラム同士の間隔は、液浸液に対する上面６０の接触角に影響を及ぼす。コラム同士の間隔を注意深く制御することによって、上面６０を超親液性にすることができる。

[00120] ある実施形態では、上面６０は、カバーリング１３０に均等に分布させた上面６０の４つの部分で超親液性であり、この４つの部分の間で親液性が低い。代替的な実施形態では、上面６０は、カバーリング１３０の円周方向に連続して超親液性である。

[00121] リソグラフィ装置の使用時に、リソグラフィ装置の表面は経時的に徐々に親液性になる可能性がある。これは表面にＤＵＶ放射が適用されるためである。また、表面を液浸液に曝露することによって表面がより親液性になる。しかし、経時的な親液性の変化を制御することは困難である。上面６０が超親液性であると規定することによって、上面６０は、リソグラフィ装置の使用中に親液性が低下することはない。したがって、超親液性は、リソグラフィ装置の耐用期間を通じてメニスカス１７の固定を容易にし続けることができる。

[00122] ある実施形態では、カバーリング１３０の上面６０は、複数の固定特徴部を備える。バリア６７は、固定特徴部の一例である。ある実施形態では、複数の固定特徴部は、円周方向又は半径方向に交互に存在する。

[00123] 図２７から図２９は、上面６０が基板Ｗの上部より低い代替的な実施形態を示す。結果的に、図２７から図２９へと時間的順序で示すように、メニスカス１７は初期段階で壊れ、これによってメニスカス１７直下の液浸液の量が減少する可能性がある。結果的に、上面６０と基板Ｗの上部の間にステップ変化をもたらすことによって、基板Ｗ上での液浸液の損失を減らすことができる。上面６０は、より厚い基板Ｗを設けることによって基板Ｗの上面より低くすることができる。代替的に、カバーリング１３０の上面６０は、上面６０をＺ方向に作動させるように構成されたアクチュエータ（図示せず）によって下降させることができる。

[00124] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド、ＬＥＤ、太陽電池などの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[00125] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍから２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。

[00126] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組み合わせを指すことができる。

[00127] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、下記に示す特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (15)

1. 液浸リソグラフィ装置において露光用基板を支持する基板テーブルであって、前記基板テーブルは、
   前記基板を支持する支持面を有する支持体と、
   前記支持体に対して固定され、前記支持面に支持された前記基板を平面視で取り囲むように構成され、上面を有するカバーリングと、を備え、
   前記上面の少なくとも一部分は、前記基板に向かって前記上面に沿って移動するときに液浸液のメニスカスを不安定にし、かつ、前記メニスカスが壊れるまで伸張しないように、前記メニスカスの安定性を変化させるように前記液浸液に対するその接触角が前記カバーリングの円周方向に沿って交互に増減するように構成されている、基板テーブル。
2. 前記上面の少なくとも一部分は、前記メニスカスを不安定にするようにそのトポグラフィが前記上面に沿って変化するように構成されている、請求項１に記載の基板テーブル。
3. 前記接触角は、前記上面のラフネスを変化させることによって変化させる、及び／又は、前記接触角は、疎液性コーティング及び親液性コーティングの少なくとも１つを前記上面の所定領域に塗布することによって変化させる、請求項２に記載の基板テーブル。
4. 前記上面の少なくとも一部分は、前記液浸液に対する第１の接触角を有する複数の高接触角領域、及び前記液浸液に対する第２の接触角を有する複数の低接触角領域を含み、前記第１の接触角は前記第２の接触角より大きい、請求項２又は３に記載の基板テーブル。
5. 前記高接触角領域は、前記上面に沿って前記低接触角領域と交互に存在する、請求項４に記載の基板テーブル。
6. 前記高接触角領域は、前記カバーリングの円周方向に沿って前記低接触角領域と交互に存在する、及び／又は、各高接触角領域は、前記カバーリングの半径方向に沿って前記低接触角領域の１つと隣接する、請求項５に記載の基板テーブル。
7. 前記上面の少なくとも一部分は、そのトポグラフィが前記カバーリングの円周方向に沿って繰り返しうねるように構成されている、請求項２から６のいずれかに記載の基板テーブル。
8. 前記上面の少なくとも一部分は、前記支持面から第１の高さを有する複数の高レリーフ領域、及び前記支持面から第２の高さを有する複数の低レリーフ領域を含み、前記第１の高さは前記第２の高さより高い、請求項２から７のいずれかに記載の基板テーブル。
9. 前記高レリーフ領域は、前記上面に沿って前記低レリーフ領域と交互に存在する、請求項８に記載の基板テーブル。
10. 前記高レリーフ領域は、前記カバーリングの円周方向に沿って前記低レリーフ領域と交互に存在する、及び／又は、各高レリーフ領域は、前記カバーリングの半径方向に沿って前記低レリーフ領域の１つと隣接する、請求項９に記載の基板テーブル。
11. 前記支持面からの前記上面の少なくとも一部分の平均高さは、前記上面の少なくとも一部分が前記基板に向かって全体的に下方に傾斜するように、前記基板に向かって低くなる、及び／又は、前記上面の前記カバーリングに均等に分布させた４つの部分は、前記メニスカスを不安定にするように構成されている、請求項１から１０のいずれかに記載の基板テーブル。
12. 前記メニスカスを不安定にするように構成された前記上面の前記４つの部分の間の部分は、前記液浸液に対して実質的に一定のトポグラフィ及び接触角を有する、請求項１１に記載の基板テーブル。
13. 請求項１から１２のいずれかに記載の基板テーブルを備える、リソグラフィ装置。
14. 前記支持面で支持された基板上方の液浸空間に前記液浸液を閉じ込める流体ハンドリング構造を備え、前記カバーリングの円周方向が前記メニスカスの縁部と実質的に平行な前記上面の部分は、前記メニスカスを不安定にするように構成されている、請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
15. 液浸リソグラフィ装置を操作する方法であって、
    基板テーブルの支持体に対して固定されたカバーリングの上面上に液浸液を提供すること、
    前記液浸液が前記上面から前記支持体の支持面によって支持された基板上へ移動するように制御すること、を含み、
    前記上面の少なくとも一部分は、前記基板に向かって前記上面に沿って移動するときに前記液浸液のメニスカスを不安定にし、かつ、前記メニスカスが壊れるまで伸張しないように、前記メニスカスの安定性を変化させるように構成されている、方法。

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