KR101508810B1 - 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법 - Google Patents

액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101508810B1
KR101508810B1 KR1020117024887A KR20117024887A KR101508810B1 KR 101508810 B1 KR101508810 B1 KR 101508810B1 KR 1020117024887 A KR1020117024887 A KR 1020117024887A KR 20117024887 A KR20117024887 A KR 20117024887A KR 101508810 B1 KR101508810 B1 KR 101508810B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
delete delete
gap
wafer
immersion
Prior art date
Application number
KR1020117024887A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110134487A (ko
Inventor
앤드류 제이 헤이즐턴
히데미 가와이
더글라스 씨 왓슨
더블유 토마스 노박
Original Assignee
가부시키가이샤 니콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 니콘 filed Critical 가부시키가이샤 니콘
Publication of KR20110134487A publication Critical patent/KR20110134487A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101508810B1 publication Critical patent/KR101508810B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891—Temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

액침 리소그래피 장치는, 레티클을 유지하도록 배열되는 레티클 스테이지, 피가공물을 유지하도록 배열되는 워킹 스테이지, 및 조명 소스와 그 조명 소스로부터의 방사광에 의해 투영된 레티클의 이미지 패턴을 가지는 피가공물에 대향하는 광학 소자를 포함하는 광학 시스템을 가진다. 갭은 광학 소자와 피가공물 사이에 규정되며, 액침액을 이 갭에 공급하여 그 공급된 액침액이 액침 리소그래피 공정 동안에 광학 소자와 피가공물 양자에 접촉하도록 액침액을 이 갭에 공급하도록 기능한다. 세정 공정 동안에 광학 소자로부터 흡수된 액체를 제거하기 위한 세정 디바이스가 포함된다. 세정 디바이스는 흡수된 액체, 열, 진공 상태, 초음파 진동 또는 그 흡수된 액체를 제거하기 위한 진공 기포 (cavitating bubble) 에 대한 친화력을 가지는 세정액을 이용한다. 세정액은 밸브와 같은 스위칭 디바이스가 제공되는 동일한 유체 인가 디바이스를 통하여 공급될 수도 있다.

Description

액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법{CLEANUP METHOD FOR OPTICS IN IMMERSION LITHOGRAPHY}
본 명세서는 2003년 4월 11일에 출원된 미국 가출원 제 60/462,556 호 및 2003년 6월 27일 출원된 미국 가출원 제 60/482,913 호에 대한 우선권을 주장하며, 이들은 그 전체가 여기에 참조로 포함된다.
본 발명은 액침 리소그래피 시스템에 관련된 것으로, 좀더 구체적으로 말하면, 액침 리소그래피 공정에서 물에 접촉하여 물을 흡수하는 광학소자를 세정하기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다.
액침 리소그래피 시스템은, 웨이퍼와 같은 피가공물 (workpiece) 과 이 피가공물에 레티클 (reticle) 이미지를 투영하는 광학 시스템의 최종단인 광학소자 사이의 공간에 액체를 공급하는데 사용되며, 이에 대한 일반적인 배경기술 및 그에 연관된 연구사항들은 WO99/49504에 잘 설명되어 있고 여기서는 참조문으로 포함시킨다. 이렇게 공급되는 액체에 의해 광학 시스템의 성능 및 노출의 품질이 향상된다.
위에서 공급되는 액체는 다른 파장의 광에 대해서는 다른 종류의 액체가 필요할 수 있으나 193nm 파장의 빛에 대해서는 물을 이용할 수도 있다. 광학 시스템의 최종단인 광학소자가 액체에 노출되기 때문에 액체의 일부가 흡수될 가능성이 있다. 이런 가능성은 광학 시스템의 최종단인 광학소자가 렌즈일 경우 이 렌즈의 재료로서 리소그래피 시스템에서는 불화칼슘 (calcium fluoride) 이 흔히 사용되는데 이 물질은 주변환경으로부터 물을 흡수하기 쉬운 흡습성 재료이기 때문에 특히 가능성이 높다.
흡수된 물은 몇 가지 문제를 일으킬 수 있다. 첫째, 렌즈를 팽창시켜 렌즈의 기하학적 형상을 변화시키거나 렌즈의 굴절특성을 변화시켜 렌즈에 의해 투영되는 이미지의 질을 저하시킬 수도 있다. 둘째, 화학작용에 의해 렌즈의 질을 장기간 저하시킬 수도 있다.
기존의 대기 액침 노출 리소그래피 시스템에서는, 광학소자들을 세정하는 경우와 같이 유지보수작업을 위해 광학 소자들이 분리가능하도록 제작되어야 한다. 그러나, 광학소자를 제거하고 세정한 후 재세정하거나 새것으로 교체하는 것은 번거롭고 시간이 소요되는 작업이다.
따라서, 본 발명의 목적은 흡수되는 물의 양을 임계 레벨에 도달하지 못하게 하고 이미지의 저하 및 장기간의 렌즈 손상을 방지할 수 있도록 렌즈로부터 물을 주기적으로 제거하기 위한 시스템 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 액침 리소그래피 장치의 광학소자를 유지보수하는 시스템 및 방법을 제공함으로써 광학소자의 유효 수명을 개선시키는 것이다.
본 발명의 액침 리소그래피 장치는, 레티클을 유지하도록 배열되는 레티클 스테이지, 피가공물을 유지하도록 배열되는 워킹 스테이지, 광학 소자와 피가공물 사이에 갭 (gap) 을 규정하면서 조명 소스로부터의 방사광에 의해 레티클 이미지 패턴을 피가공물 상부에 투영하는, 피가공물 맞은 편에 조명 소스 및 광학소자를 포함하는 광학 시스템, 및 액침 리소그래피 공정 동안에 광학소자와 피가공물을 접촉하고 이 광학소자와 피가공물 사이에 액침액을 제공하는 액체공급장치를 구비한다. 또한, 이 장치는 광학소자를 세정하는 세정 디바이스를 구비한다. 본 명세서 전반에 걸쳐서, "세정" 이란 용어는 광학소자에 흡수된 액침액을 제거한다는 의미와 함께 먼지, 파편 (debris), 염분 등을 제거한다는 의미로 병용하기로 한다.
많은 다른 종류의 전술한 세정 디바이스가 본 발명의 범위 내에 사용될 수도 있다. 예를 들면, 세정 디바이스는 광학소자에 접촉되는 액침액에 대해 친화력을 가지는 세정액을 구비할 수 있다. 액침액이 물인 경우, 세정액으로서 에탄올을 사용할 수 있다. 또 다른 예로, 세정 디바이스는 광학소자를 가열하는 열 발생 디바이스 및/또는 광학소자를 진공상태로 만드는 진공 디바이스를 구비할 수 있다.
흡수된 물을 제거하기 위해 초음파 진동기를 사용할 수도 있다. 압전 변환기와 같은 초음파 진동기를 광학소자의 하우징에 부착하거나 광학소자의 맞은 편에 배치하여 갭에 유지되는 액체를 통하여 진동을 광학소자에 전달할 수도 있다.
또 다른 방법으로는, 진공 기포 (cavitating bubble) 를 이용하여 흡수된 액체를 제거할 수 있다. 핀 (fin) 이 달린 패드를 사용하여 이 패드와 광학소자 사이의 갭에 유지되는 액체에 진공 기포를 생성할 수도 있다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 피가공물과 광학 디바이스 사이의 갭에 액침액을 공급하는 노즐은, 스위치 밸브와 같은 흐름 경로 스위칭 장치를 제공함으로써 세정액을 교대로 공급하는데 사용될 수도 있다.
본 발명의 시스템 및 방법에 있어서, 광학소자를 분리 세정할 필요가 없기 때문에 세정과정이 매우 용이하고 신속하게 이루어지며 이러한 세정공정에 의해 광학소자의 유효수명을 개선시킬 수 있다.
본 발명과 그 목적 및 이점은 첨부된 도면과 함께 설명된 부분을 참고하면 가장 잘 이해할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 시스템 및 방법이 적용되는 액침 리소그래피 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2 는 본 발명에 따른 도 1 에 도시된 장치를 사용하여 반도체 디바이스를 제조하는 예시적인 공정을 설명하는 공정 흐름도이다.
도 3 은 본 발명에 따른 반도체 디바이스의 제조시에, 도 2 에 도시된 웨이퍼 처리 단계의 흐름도이다.
도 4 는 도 1 의 액침 리소그래피 장치의 일부에 대한 측면을 보여주는 개략도이다.
도 5 는 세정 디바이스로서 기능하도록 초음파 변환기가 장착되는 또 다른 액침 리소그래피 장치의 일부에 대한 개략적인 측면도이다.
도 6 은 광학 시스템 아래쪽에 압전 세정 디바이스를 가지는 또 다른 액침 리소그래피 장치의 일부에 대한 개략적인 측면도이다.
도 7 은 압전 디바이스의 일례에 대한 개략적인 사선도이다.
도 8 은 세정 디바이스로서 두 개가 서로 부착된 압전 평면 부재를 가지는 또 다른 액침 리소그래피 장치의 일부에 대한 개략적인 측면도이다.
도 9 는 세정 디바이스로서 기포생성 패드를 가지는 또 다른 액침 리소그래피 장치의 일부에 대한 개략적인 측면도이다.
도 10 은 액체공급 디바이스 내에 포함된 스위칭 디바이스를 갖는 또 다른 액침 리소그래피 장치의 일부에 대한 개략적인 측면도이다.
명세서 전반에 걸쳐서, 유사하거나 동등한 구성요소들은 다른 도면들에서 동일한 심볼 및 도면부호로 표시되며, 설명을 간략하게 하기 위하여 반복적으로 설명되지 않을 수도 있다.
도 1 은 본 발명의 세정방법 및 시스템이 적용되는 액침 리소그래피 장치 (100) 를 나타내고 있다.
도 1 에 나타난 바와 같이, 액침 리소그래피 장치 (100) 는, 엑시머 레이저 장치와 같은 광 소스, 광학 인테그레이터 (또는 호모지나이저) 및 렌즈를 포함하고 248nm을 파장을 갖는 펄스형 자외선광 (IL) 을 방출하여 레티클 (R) 의 패턴에 입사시키는 조명 광학 유닛 (1) 을 구비한다. 레티클 (R) 의 패턴은 텔레센트릭 광 투영 유닛 (PL) 를 통하여 (1/4 또는 1/5와 같은) 소정의 배율로 포토레지스트에 의해 코팅된 웨이퍼 (W) 상에 투영된다. 상기 펄스형태의 광 (IL) 은 193nm 파장의 ArF 엑시머 레이저광, 157nm 파장의 F2 레이저광 또는 365nm 파장의 i-라인 수은램프일 수도 있다. 이하, 리소그래피 장치 (100) 의 구조 및 기능을 설명하는데 있어 도 1 에 나타난 바와 같은 X-축, Y-축 및 Z-축을 갖는 좌표 시스템을 참조하여 방향을 설명한다. 개시 및 설명의 편의를 위하여, 도 1 에서 광 투영 유닛 (PL) 은 웨이퍼 (W) 의 맞은편에 배치되는 최종단인 (렌즈와 같은) 광학소자 (4) 와 이 광학소자를 제외한 나머지 구성요소를 포함하는 실린더형 하우징 (3) 으로만 나타냈다.
레티클 (R) 은 레티클 (R) 을 X축 방향, Y축 방향, 및 Z축 주위의 회전 방향으로 이동시키는 메커니즘을 포함하는 레티클 스테이지 (RST) 에 의해 지지된다. 레티클 스테이지 (RST) 상의 레티클 (R) 의 2차원 위치 및 방위는 레이저 간섭계 (미도시함) 에 의해 실시간으로 검출되며, 이와 같이 행해진 검출에 기초하여 주 제어 유닛 (14) 은 레티클 (R) 을 위치결정한다.
웨이퍼 (W) 는 웨이퍼 (W) 의 경사각 및 결상 위치 (Z-축을 따름) 를 제어하기 위하여 Z-스테이지 (9) 상의 웨이퍼 홀더 (미도시함) 에 의해 유지된다. Z-스테이지 (9) 는 XY-스테이지 (10) 에 부착되며, XY-스테이지 (10) 는 광 투영 유닛 (PL) 의 이미지 형성면에 실질적으로 평행한 XY-평면에서 이동하도록 구성되어 있다. XY-스테이지 (10) 는 베이스 (11) 상에 놓여진다. 이런 식으로, Z-스테이지 (9) 는 자동 결상 (autofocusing) 및 자동평형유지법 (auto-leveling method) 에 의해 웨이퍼 (W) 의 경사각과 결상 위치 (Z-축을 따름) 를 조절함으로써 광 투영 유닛 (PL) 의 이미지 표면과 웨이퍼 표면을 일치시키고, XY-스테이지 (10) 는 X 축 및 Y 축 방향으로 웨이퍼 (W) 의 위치를 조절하도록 기능한다.
Z-스테이지 (9) (이하 웨이퍼 (W) 로도 칭함) 의 2차원 위치 및 방위는 Z-스테이지 (9) 에 부착되는 이동형 미러 (12) 에 관하여 또 다른 레이저 간섭계 (13) 에 의해 실시간 모니터링된다. 이러한 모니터링 결과에 기초한 제어 데이터가 주 제어 유닛 (14) 로부터 스테이지 구동 유닛 (15) 으로 전송되며, 스테이지 구동 유닛 (15) 은 수신된 제어 데이터에 따라 Z-스테이지 (9) 및 XY-스테이지 (10) 의 움직임을 제어하도록 되어 있다. 노출 시점이 되면, 스텝 앤 리피트 루틴이나 스텝 앤 스캔 루틴을 통해 레티클 (R) 상의 패턴을 따라 웨이퍼 (W) 의 서로 다른 노출위치에 투영광을 순차적으로 이동시킨다.
도 1 에서 설명하고 있는 리소그래피 장치 (100) 는 액침 리소그래피 장치이므로, 적어도 레티클 (R) 상의 패턴 이미지가 웨이퍼 (W) 상에 투영되는 동안에는 웨이퍼 (W) 의 표면과 광 투영 유닛 (PL) 의 최종단인 광학소자 (4) 의 하부표면 사이의 공간 ("갭") 에 물과 같은 소정의 액체 (7) (또는 "액침액") 을 채우는데 적합하게 되어 있다.
광 투영 유닛 (PL) 의 최종단인 광학소자 (4) 는 실린더형 하우징 (3) 에 분리가능한 방식으로 부착될 수도 있으며 하우징 (3) 이 보통 금속재를 포함하므로 부식될 우려가 있어 최종단인 광학소자 (4) 에만 액체 (7) 가 접촉되고 실린더형 하우징 (3) 에는 액체 (7) 가 접촉되지 않도록 설계된다.
액체 (7) 는 탱크, 압력펌프 및 온도조절기 (개별적으로 도시하지 않음) 를 포함하는 액체공급유닛 (5) 으로부터 온도조절된 상태로 웨이퍼 (W) 상부의 공간으로 공급되고 액체회수유닛 (6) 에 의해 수집된다. 액체 (7) 의 온도는 리소그래피 장치 (100) 자체가 위치하고 있는 챔버 내의 온도와 거의 동일한 수준으로 조절된다. 도면 부호 21 은 액체공급유닛 (5) 으로부터 액체 (7) 가 공급되는 공급용 노즐을 가리킨다. 도면 부호 23 은 액체 (7) 가 액체회수유닛 (6) 내로 수집되는 회수용 노즐을 가리킨다. 그러나, 본 발명의 세정방법 및 장치가 적용될 수 있는 액침 리소그래피 장치의 범위는 위에서 설명한 도 1 의 구조로 제한되지 않는다. 즉, 본 발명의 세정방법 및 장치는 많은 다양한 종류의 액침 리소그래피 장치에 적용될 수 있다. 특히, 광 투영 유닛 (PL) 주위의 공급용 노즐 (21) 및 회수용 노즐 (23) 의 개수와 배열은 액침액 (7) 의 원활한 흐름과 신속한 회수를 위해 다양한 방식으로 설계될 수도 있다.
오염물, 파편 등과 함께, 흡습성 재료로 이루어지는 최종단인 광학소자 (4) 에 의해 일부 흡수되는 물과 같은 액체 (7) 를 제거하는 본 발명의 구현방법을 이하 도 1 과 도 4 를 참조하여 설명한다. 도 1 에 나타낸 바와 같이, 액체 (7) 가 존재하는 상태에서 조명 광학 유닛 (1) 로부터 광 투영 유닛 (PL) 를 통해 광이 웨이퍼 (W) 에 노광되고 나면, 도 4 에 나타낸 바와 같이 광 투영 유닛 (PL) 바로 밑의 액체 (7) 는 제거되고 최종단인 광학소자 (4) 에 세정 디바이스 (30) 가 접촉된다. 이동가능한 세정장치의 경우, 도 4 에 나타낸 바와 같이, Z-스테이지 (9) 위에 세정 디바이스 (30) 를 올려놓거나 전술한 웨이퍼 홀더에 웨이퍼 (W) 대신 세정 디바이스 (30) 를 올려놓을 수 있다.
본 발명을 위해 다양한 형태와 다양한 종류의 세정 디바이스 (30) 가 사용될 수 있다. 첫 번째 예로서, 세정 디바이스 (30) 는 광학소자 (4) 에 의해 흡수된 액침액 (7) 과 친화력이 매우 강한 액체 ("세정액") 를 담고 있는 용기일 수도 있다. 액침액 (7) 이 물인 경우, 에탄올이 물에 대하여 강한 친화력을 가지므로 에탄올을 함유할 수도 있다. 제거될 액체와 친화력이 충분히 강하고 광학소자 (4) 또는 광학소자의 코팅에 손상을 주지 않는다면 어떠한 세정액도 사용될 수 있다. 광학소자 (4) 의 하부표면은 흡수된 액체의 레벨을 저감시키기 위해 충분히 오랜 시간동안 세정액 속에 담궈진다. 그런 후 세정 디바이스 (30) 가 제거되며 광학소자 (4) 는 다시 액체 (7) 에 노광될 준비가 된다.
또 다른 예로서, 세정 디바이스 (30) 는 열 발생 디바이스 및/또는 진공 디바이스 (개별적으로 도시하지 않음) 를 포함할 수 있다. 광학소자 (4) 의 표면에 열과 진공상태를 조합해서 가하면 흡수된 액체는 증기상태로 상변환이 되거나 표면으로부터 증발된다. 광학소자 (4) 표면의 액체 농도가 저감되면 광학소자 (4) 내에 깊숙이 흡수된 액체 (7) 는 광학소자 (4) 의 표면 쪽으로 끌려 나오게 된다.
도 5 는 세 번째 예를 나타내며 광 투영 유닛 (PL) 의 하우징 (3) 에 부착되는 초음파 변성기 (32) (또는 초음파 진동기) 가 사용된다. (압전변형 변성기와 같은) 초음파 변성기 (32) 가 작동되면서 압력파가 발생 및 전파되어 광학소자 (4)의 표면이 세정된다.
도 5 의 세정작용이 이루어지는 동안, 광학소자 (4) 에 인접한 갭에는 액침액 (7) 으로 채워진다. 이 경우, 공급노즐과 회수노즐이 계속해서 액침액 (7) 을 공급 및 수집할 수도 있고, 액침액 (7) 의 공급과 수집을 중단할 수도 있다. 또한 세정작용이 이루어지는 동안 광학소자 (4) 는 웨이퍼 (W) 표면, Z-스테이지(9) 표면 또는 다른 부품의 표면 쪽을 향할 수 있다.
도 6 은 네 번째 예로서 세정될 광학소자 (4) 의 하부에 진동 툴 (34) 이 사용된다. 진동 툴 (34) 은 웨이퍼 (W) 와 거의 동일한 두께이거나 약 0.5mm-1mm 두께의 웨이퍼 (W) 형태일 수 있으며, 작동시 그 두께부위가 파동치도록 전체를 압전 재료로 만들 수 있다. 진동 툴 (34) 은 도 1 에 나타낸 웨이퍼 (W) 처럼 광학소자 (4) 의 하부에 배치하고 광학소자 (4) 와 진동 툴 (34) 사이의 갭에는 액체 (7) 가 채워지므로, 액침액 (7) 내에서 압력파가 발생되어 광학소자를 세정한다.
도 6 의 세정작용이 이루어지는 동안, 광학소자 (4) 에 인접한 갭에는 액침액 (7) 으로 채워진다. 이 경우, 공급노즐과 회수노즐이 계속해서 액침액 (7) 을 공급 및 수집할 수도 있고, 또는 액침액 (7) 의 공급과 수집을 중단할 수도 있다. 또 다른 예로서, 진동 툴 (34) 은 Z-스테이지 (9) 상의 웨이퍼 홀더나 다른 부품에 부착되는 초음파 변성기가 될 수 있다.
도 7 은 또 다른 툴 (36) 를 나타내고, 복수 개의 압전 변환기 (38) 가 평면형 지지 부재 (39) 에 의해 지지되며 선택적 구조로 되어 있다.
도 8 은 세정 디바이스의 또 다른 예를 나타내며 압전 재료로 이루어진 2 개의 평면형 부재 (40) 가 서로 맞대어 부착되고 서로에 대해 180°만큼 위상을 달리하여 서로 평행하게 진동하도록 되어 있다. 그 결과, 서로 부착된 이 부재 (40) 는 상당히 과장되지만 도 8 에 나타낸 바와 같이 횡방향으로 진동하게 된다. 진동에서는 부재 (40) 가 변위를 일으키지 않는 노드 포인트 (node point) 가 일정한 간격으로 존재한다. 지지 부재 (41) 상의 이런 노드 포인트에서 부재 (40) 가 지지된다. 위에서 설명한 모드에서 진동을 발생시키기 위해 이들 부재 (40) 에 전압을 인가하면, 이에 의해 초음파 압력파가 발생되고 액체 (7) 를 통해 전파되어 바라는 바와 같이 광학소자 (4) 가 세정된다.
도 9 는 액체 제거 시스템의 또 다른 예를 나타내며 진공 기포 생성을 통해 광학소자 (4) 를 세정하는 것을 특징으로 한다. 가두어진 상태에서 초음파에 의해 에너지가 가해지는 진공 기포는 고온, 고압의 마이크로 반응기이며 이 기포들의 내파적 압축에 의해 방출되는 강렬한 에너지는 분자들도 떼어낼 수 있다. 도 9 에 나타낸 예는 위쪽으로 돌출한 핀 (fin) 을 가지는 패드 (43) 와 광학소자 사이의 갭에 기포 발생액 (17) 이 채워진 상태에서 광학소자 (4) 아래쪽에서 화살표로 나타낸 바와 같이 횡방향으로 빠르게 움직이는 패드 (43) 를 포함하는 것을 특징으로 한다(패드 (43) 를 움직이기 위한 수단은 미도시). 패드 (43) 가 이런 식으로 움직이면, 핀이 액체 (7) 를 휘저어 진공 기포를 발생시킴으로써 광학소자를 세정하는 효과를 갖는다.
도 10 은 최종단인 광학소자 (4) 를 세정하는 문제에 대한 다른 접근법을 나타내며 액침액 (7) 을 공급하는데 사용되는 것과 동일한 소스 노즐 (21) 을 사용하여 광학소자의 하부표면에 세정액을 공급한다. 이를 위해 공급노즐 (21) 과 액체공급 유닛 (5) 사이에 스위치 밸브 (25) 를 삽입함으로써 공급노즐 (21) 을 통해 액침액 (7) 과 세정액이 선택적으로 공급될 수 있게 된다.
또한, 본 발명에 따른 세정방법 및 시스템은 다양한 종류와 형태, 가령, 상이한 개수의 소스 노즐을 가지는 액침 리소그래피 장치에 적용할 수 있다. 위에서 설명한 바와 같은 스위치 밸브는 반드시 소스 노즐 각각에 대해 제공될 필요는 없으며, 소스노즐 일 그룹에 대해 제공될 수도 있다.
위와 같은 방식으로 공급노즐 (21) 을 통해 세정액을 공급하는 경우 광학소자 (4) 의 아래쪽에 웨이퍼 (W) 자체를 놓거나 적합한 종류의 패드 (18) 를 놓아 그 사이 공간에 적절한 갭이 제공될 수 있다. 이와 같은 본 발명의 실시형태는 액침액 공급용으로 이미 존재하는 동일한 노즐을 세정과정에 이용할 수 있으므로 이점이 있다.
이상에서 다양한 방법을 개별적으로 설명하였으나, 도면에 개별적으로 나타내지 않았을 지라도 그와 같은 방법들을 조합해서 사용할 수도 있다. 예를 들어, 도 10 의 패드 (18) 대신 도 9 에 나타낸 핀을 갖는 패드 (43) 가 사용될 수 있다. 즉, 위에서 설명한 예들에 의해 본 발명의 범위가 한정되지는 않으며, 본 발명의 범위 내에서 수많은 변경과 변형이 가능하다. 예를 들면, 화학 기계적 연마법에서 사용되는 것과 유사한 연마 패드가 이와 같은 목적으로 사용될 수 있다. 도 4 내지 10 에 나타낸 세정과정이 자외선광으로 수행될 수 있다. 이 광은 광학소자 (4) 를 조사할 수도 있다. 이 광은 조명 광학 유닛 (1) 로부터 나오는 통상의 노광 광일 수도 있고, 세정목적에 적절한 파장을 갖는 몇 가지 다른 광이 될 수도 있다. 또 다른 예에서는, 도 4 내지 10 에 나타낸 세정과정 없이 세정목적으로 자외선광이 사용될 수 있으며, 광학소자 (4) 에 인접한 갭에 액체공급 유닛 (5) 으로부터의 액침액 (7) 이 채워지는 조건하에 사용될 수 있다. 본 분야에 기술이 있는 사람에게 명확한 이와 같은 모든 변경 예와 변형 예는 본 발명의 범위에 속한다.
또한, 축척될 수 있는 염분, 침전물, 오염물 및 파편 (debris) 뿐만 아니라 최종 스테이지 광학 소자에 의해 흡수되는 액침액을 제거하는 상술한 세정 방법이 있다. 따라서, 세정이라는 용어는 여기에서 이 현상들 모두를 지칭한다.
도 2 는 본 발명을 구현하는 액체 분사기 (jet) 와 회수 시스템을 포함하는 액침액 장치를 이용함으로써 반도체 디바이스를 제조하는 방법을 설명하기 위하여 다음으로 참조된다. 단계 (301) 에서, 디바이스의 기능 및 성능 특징을 설계한다. 다음으로, 단계 (302) 에서, 이전 설계 단계에 따라 패턴을 갖는 마스크 (레티클) 를 설계하고, 동시에 단계 (303) 에서, 웨이퍼를 실리콘 재료로 형성한다. 단계 (304) 에서, 단계 (302) 에서 설계된 마스크 패턴을, 상술한 시스템들과 같은 상술한 포토리소그래피 시스템에 의해 단계 (303) 로부터의 웨이퍼 상에 노광한다. 단계 (305) 에서, 반도체 디바이스를 조립 (다이싱 공정, 본딩 공정, 및 패키징 공정을 포함함) 하고, 최종적으로, 단계 (306) 에서 디바이스를 검사한다.
도 3 은 반도체 디바이스를 제조하는 경우에 상술한 단계 (304) 의 상세한 흐름도의 일례를 나타낸다. 단계 (311; 산화 단계) 에서, 웨이퍼 표면이 산화된다. 단계 (312; CVD 단계) 에서, 웨이퍼 표면 상에 절연막을 형성한다. 단계 (313; 전극 형성 단계) 에서, 증기 증착에 의해 웨이퍼 상에 전극을 형성한다. 단계 (314; 이온 주입 단계) 에서, 이온을 웨이퍼 내에 주입한다. 상술한 단계들 (311 내지 314) 은 웨이퍼 처리 동안 웨이퍼를 위한 전처리 단계들을 형성하고, 처리 조건에 따라 각 단계에서 선택을 행한다.
웨이퍼 처리의 각 스테이지에서, 상술한 전처리 단계들을 완료하였을 때, 다음의 후처리 단계들을 실행한다. 후처리 동안, 먼저, 단계 (315; 포토레지스트 형성 단계) 에서, 포토레지스트를 웨이퍼에 도포한다. 다음으로, 단계 (316; 노광 단계) 에서, 상술한 노광 디바이스를 이용하여 마스크 (레티클) 의 회로 패턴을 웨이퍼에 전사한다. 그 후, 단계 (317; 현상 단계) 에서, 노광된 웨이퍼를 현상하고, 단계 (318; 에칭 단계) 에서, 잔여 포토레지스트 이외의 부분들 (즉, 노광된 재료 표면) 을 에칭에 의해 제거한다. 단계 (319; 포토레지스트 제거 단계) 에서, 에칭후 남아있는 불필요한 포토레지스트를 제거한다. 이들 전처리 및 후처리 단계들을 반복함으로써 복수의 회로 패턴을 형성한다.
본 발명의 리소그래피 시스템을 일부 바람직한 실시형태들에 의해 설명하였지만, 본 발명의 범위 내에 있는 변경물, 치환물, 및 여러 가지 대체 등가물들이 존재한다. 또한, 본 발명의 방법 및 장치를 구현하는 많은 다른 방법들이 있다. 따라서, 다음의 첨부된 청구항들은 본 발명의 진정한 사상 및 범위 내에 있는 모든 이러한 변경물, 치환물, 및 여러 가지 대체 등가물을 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (80)

  1. 액침 리소그래피 장치를 위한 방법에 있어서,
    액침 리소그래피 공정 동안, 리소그래피를 위한 웨이퍼가 스테이지의 홀더 상에 위치되고, 광학 소자를 갖는 투영 광학기기가 상기 웨이퍼의 위에 그리고 상기 웨이퍼에 대향하여 위치되며, 상기 투영 광학기기의 상기 광학 소자와 상기 웨이퍼 사이의 액침액을 통하여 이미지가 상기 웨이퍼 상으로 투영되고,
    상기 방법은, 상기 액침 리소그래피 공정과 상이한 시간에 수행되는 세정 공정 동안에, 상기 광학 소자의 아래의 갭으로 공급된 액체 내에서 초음파 압력파를 전파시키는 단계를 포함하며,
    상기 액침 리소그래피 장치는, 상기 액침 리소그래피 공정 동안 상기 액침액이 공급되는 공급 입구, 및 상기 액침 리소그래피 공정 동안 상기 액침액이 수집되는 회수 출구를 포함하고,
    상기 압력파는, 상기 세정 공정 동안 상기 공급 입구로부터 상기 갭으로 공급되는 상기 액체 내에서 전파되며,
    상기 웨이퍼를 유지하는 상기 홀더는 상기 액침 리소그래피 공정 동안에 상기 공급 입구와 상기 회수 출구의 아래에서 이동되는, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 갭은 상기 스테이지의 표면과 상기 광학 소자와의 사이에 형성되는, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 갭은 세정 부재와 상기 광학 소자와의 사이에 형성되는, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 세정 부재는 상기 웨이퍼 대신에 상기 홀더 상에 위치되는, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 액침액이 상기 투영 광학기기의 아래로부터 제거되고나서, 상기 세정 부재가 상기 홀더 상에 위치되는, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 액침액이 상기 투영 광학기기의 아래로부터 제거되고나서, 상기 세정 부재가 상기 홀더 상에 위치되는, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 세정 부재는 상기 웨이퍼와 같은 형상인, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 세정 부재는 상기 웨이퍼와 같은 형상인, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 세정 부재는 상기 웨이퍼와 같은 형상인, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 세정 부재의 두께는 상기 웨이퍼의 두께와 동일한, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 세정 부재의 두께는 상기 웨이퍼의 두께와 동일한, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 세정 부재의 두께는 상기 웨이퍼의 두께와 동일한, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  13. 제 7 항에 있어서,
    상기 세정 부재의 두께는 0.5 - 1mm 인, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 세정 부재의 두께는 0.5 - 1mm 인, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 세정 부재의 두께는 0.5 - 1mm 인, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  16. 제 3 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정 부재가 초음파 변성기를 포함하고, 상기 초음파 변성기에 의해 상기 압력파가 상기 갭 내의 상기 액체 내에 발생되는, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  17. 제 3 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정 부재가 압전 재료를 포함하고, 상기 압전 재료에 의해 상기 압력파가 상기 갭 내의 상기 액체 내에 발생되는, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  18. 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정 부재는 상기 액체가 담겨지는 용기를 포함하는, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  19. 삭제
  20. 제 1 항에 있어서,
    상기 공급 입구로부터 상기 갭으로의 상기 액체의 공급, 및 상기 갭으로부터 상기 회수 출구를 통한 상기 액체의 수집은, 상기 세정 공정 동안 상기 갭을 상기 액체로 채운 후에 중단되는, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  21. 제 1 항에 있어서,
    상기 공급 입구로부터 상기 갭으로의 상기 액체의 공급, 및 상기 갭으로부터 상기 회수 출구를 통한 상기 액체의 수집은, 상기 세정 공정 동안에 계속되는, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  22. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액침액은 물을 포함하는, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  23. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 갭 내의 상기 액체는 상기 액침액을 포함하는, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  24. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 갭 내의 상기 액체는 세정액을 포함하는, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 세정액은 에탄올을 포함하는, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  26. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정 공정은 상기 액침 리소그래피 공정 이후에 수행되는, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  27. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정 공정은 상기 웨이퍼가 노광된 후에 수행되는, 액침 리소그래피 장치를 위한 방법.
  28. 액침 리소그래피 장치에 있어서,
    액침 리소그래피 공정 동안, 웨이퍼가 스테이지의 홀더 상에 위치되고, 광학 소자를 갖는 투영 광학기기가 상기 웨이퍼의 위에 위치되고, 상기 투영 광학기기의 상기 광학 소자와 상기 웨이퍼 사이의 액침액을 통하여 이미지가 상기 웨이퍼 상으로 투영되며,
    상기 장치는,
    공급 입구로서, 상기 액침 리소그래피 공정 동안 상기 액침액이 상기 공급 입구로부터 공급되는, 상기 공급 입구;
    회수 출구로서, 상기 액침 리소그래피 공정 동안 상기 액침액이 상기 회수 출구로부터 수집되는, 상기 회수 출구; 및
    초음파 압력파 발생기로서, 상기 액침 리소그래피 공정과 상이한 시간에 수행되는 세정 공정 동안에 상기 광학 소자 아래의 갭 내에서 상기 공급 입구로부터 공급된 액체 내에 상기 초음파 압력파 발생기에 의해 초음파 압력파가 전파되는, 상기 초음파 압력파 발생기를 포함하고,
    상기 웨이퍼를 유지하는 상기 홀더는 상기 액침 리소그래피 공정 동안에 상기 공급 입구와 상기 회수 출구의 아래에서 이동되는, 액침 리소그래피 장치.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 갭은 상기 스테이지의 표면과 상기 광학 소자와의 사이에 형성되는, 액침 리소그래피 장치.
  30. 제 28 항에 있어서,
    상기 갭은 세정 부재와 상기 광학 소자와의 사이에 형성되는, 액침 리소그래피 장치.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 스테이지는 홀더를 갖고, 상기 액침 리소그래피 공정 동안 상기 웨이퍼가 상기 홀더 상에서 유지되고, 상기 세정 공정 동안 상기 세정 부재가 상기 홀더 상에서 유지되는, 액침 리소그래피 장치.
  32. 제 31 항에 있어서,
    상기 액침액이 상기 투영 광학기기의 아래로부터 제거되고나서, 상기 세정 부재가 상기 홀더 상에 위치되는, 액침 리소그래피 장치.
  33. 제 30 항에 있어서,
    상기 세정 부재는 상기 액체가 담겨지는 용기를 포함하는, 액침 리소그래피 장치.
  34. 제 32 항에 있어서,
    상기 세정 부재는 상기 액체가 담겨지는 용기를 포함하는, 액침 리소그래피 장치.
  35. 제 28 항에 있어서,
    상기 초음파 압력파 발생기는 상기 투영 광학기기의 하우징에 부착되는, 액침 리소그래피 장치.
  36. 제 28 항에 있어서,
    상기 갭은 상기 광학 소자와 상기 초음파 압력파 발생기 사이에 형성되는, 액침 리소그래피 장치.
  37. 제 36 항에 있어서,
    상기 초음파 압력파 발생기는 압전 재료의 평면형 부재를 갖고, 상기 평면형 부재가 진동하여 상기 액체 내의 상기 압력파를 발생시키는, 액침 리소그래피 장치.
  38. 삭제
  39. 제 28 항에 있어서,
    상기 공급 입구로부터 상기 갭으로의 상기 액체의 공급, 및 상기 갭으로부터 상기 회수 출구를 통한 상기 액체의 수집은 상기 세정 공정 동안 상기 갭을 상기 액체로 채운 후에 중단되는, 액침 리소그래피 장치.
  40. 제 28 항에 있어서,
    상기 공급 입구로부터 상기 갭으로의 상기 액체의 공급, 및 상기 갭으로부터 상기 회수 출구를 통한 상기 액체의 수집은 상기 세정 공정 동안에 계속되는, 액침 리소그래피 장치.
  41. 제 28 항 내지 제 37 항, 제 39 항, 및 제 40 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액침액은 물을 포함하는, 액침 리소그래피 장치.
  42. 제 28 항 내지 제 37 항, 제 39 항, 및 제 40 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 갭 내의 상기 액체는 상기 액침액을 포함하는, 액침 리소그래피 장치.
  43. 제 28 항 내지 제 37 항, 제 39 항, 및 제 40 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 갭 내의 상기 액체는 세정액을 포함하는, 액침 리소그래피 장치.
  44. 제 43 항에 있어서,
    상기 세정액은 에탄올을 포함하는, 액침 리소그래피 장치.
  45. 삭제
  46. 삭제
  47. 삭제
  48. 삭제
  49. 삭제
  50. 삭제
  51. 삭제
  52. 삭제
  53. 삭제
  54. 삭제
  55. 삭제
  56. 삭제
  57. 삭제
  58. 삭제
  59. 삭제
  60. 삭제
  61. 삭제
  62. 삭제
  63. 삭제
  64. 삭제
  65. 삭제
  66. 삭제
  67. 삭제
  68. 삭제
  69. 삭제
  70. 삭제
  71. 삭제
  72. 삭제
  73. 삭제
  74. 삭제
  75. 삭제
  76. 삭제
  77. 삭제
  78. 삭제
  79. 삭제
  80. 삭제
KR1020117024887A 2003-04-11 2004-04-02 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법 KR101508810B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US46255603P 2003-04-11 2003-04-11
US60/462,556 2003-04-11
US48291303P 2003-06-27 2003-06-27
US60/482,913 2003-06-27
PCT/US2004/010309 WO2004093130A2 (en) 2003-04-11 2004-04-02 Cleanup method for optics in immersion lithography

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117018576A Division KR101324818B1 (ko) 2003-04-11 2004-04-02 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110134487A KR20110134487A (ko) 2011-12-14
KR101508810B1 true KR101508810B1 (ko) 2015-04-14

Family

ID=33303091

Family Applications (11)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117024887A KR101508810B1 (ko) 2003-04-11 2004-04-02 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR1020117022193A KR101508809B1 (ko) 2003-04-11 2004-04-02 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR1020137013978A KR101525335B1 (ko) 2003-04-11 2004-04-02 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR1020177002557A KR20170016014A (ko) 2003-04-11 2004-04-02 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR1020117018576A KR101324818B1 (ko) 2003-04-11 2004-04-02 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR1020157002109A KR101753496B1 (ko) 2003-04-11 2004-04-02 액침 리소그래피 장치 및 액침 리소그래피 장치에 사용되는 세정 방법
KR1020127025016A KR101318542B1 (ko) 2003-04-11 2004-04-02 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR1020127014420A KR101289959B1 (ko) 2003-04-11 2004-04-02 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR1020197001257A KR20190007532A (ko) 2003-04-11 2004-04-02 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR1020147005470A KR101597475B1 (ko) 2003-04-11 2004-04-02 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR1020057019365A KR101342824B1 (ko) 2003-04-11 2005-10-11 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법

Family Applications After (10)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117022193A KR101508809B1 (ko) 2003-04-11 2004-04-02 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR1020137013978A KR101525335B1 (ko) 2003-04-11 2004-04-02 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR1020177002557A KR20170016014A (ko) 2003-04-11 2004-04-02 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR1020117018576A KR101324818B1 (ko) 2003-04-11 2004-04-02 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR1020157002109A KR101753496B1 (ko) 2003-04-11 2004-04-02 액침 리소그래피 장치 및 액침 리소그래피 장치에 사용되는 세정 방법
KR1020127025016A KR101318542B1 (ko) 2003-04-11 2004-04-02 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR1020127014420A KR101289959B1 (ko) 2003-04-11 2004-04-02 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR1020197001257A KR20190007532A (ko) 2003-04-11 2004-04-02 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR1020147005470A KR101597475B1 (ko) 2003-04-11 2004-04-02 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR1020057019365A KR101342824B1 (ko) 2003-04-11 2005-10-11 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법

Country Status (10)

Country Link
US (10) US7522259B2 (ko)
EP (6) EP1614001B1 (ko)
JP (10) JP4837556B2 (ko)
KR (11) KR101508810B1 (ko)
CN (4) CN106444292A (ko)
AT (1) ATE449982T1 (ko)
DE (1) DE602004024295D1 (ko)
HK (3) HK1087531A1 (ko)
SG (5) SG185136A1 (ko)
WO (1) WO2004093130A2 (ko)

Families Citing this family (214)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI232357B (en) 2002-11-12 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1420299B1 (en) * 2002-11-12 2011-01-05 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101713932B (zh) 2002-11-12 2012-09-26 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
CN100446179C (zh) 2002-12-10 2008-12-24 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
KR20120127755A (ko) 2002-12-10 2012-11-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
US7948604B2 (en) 2002-12-10 2011-05-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US7242455B2 (en) 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
SG171468A1 (en) * 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
TWI591445B (zh) 2003-02-26 2017-07-11 尼康股份有限公司 Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
WO2004086470A1 (ja) 2003-03-25 2004-10-07 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
ATE426914T1 (de) 2003-04-07 2009-04-15 Nikon Corp Belichtungsgerat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
KR20110104084A (ko) 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
EP3352010A1 (en) 2003-04-10 2018-07-25 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
EP2950148B1 (en) 2003-04-10 2016-09-21 Nikon Corporation Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus
KR101431938B1 (ko) 2003-04-10 2014-08-19 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
KR101861493B1 (ko) 2003-04-11 2018-05-28 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
CN106444292A (zh) 2003-04-11 2017-02-22 株式会社尼康 沉浸式光刻装置、清洗方法、器件制造方法及液体沉浸式光刻装置
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI612556B (zh) 2003-05-23 2018-01-21 Nikon Corp 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
TWI612557B (zh) 2003-05-23 2018-01-21 Nikon Corp 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
CN100541717C (zh) 2003-05-28 2009-09-16 株式会社尼康 曝光方法、曝光装置以及器件制造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1486827B1 (en) 2003-06-11 2011-11-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW200511388A (en) 2003-06-13 2005-03-16 Nikon Corp Exposure method, substrate stage, exposure apparatus and method for manufacturing device
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
TW201721717A (zh) 2003-06-19 2017-06-16 尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法
EP1491956B1 (en) 2003-06-27 2006-09-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP2853943B1 (en) 2003-07-08 2016-11-16 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR20060026883A (ko) 2003-07-09 2006-03-24 가부시키가이샤 니콘 결합장치, 노광장치 및 디바이스 제조방법
ATE513309T1 (de) 2003-07-09 2011-07-15 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementeherstellung
EP3346485A1 (en) 2003-07-25 2018-07-11 Nikon Corporation Projection optical system inspecting method and inspection apparatus, and a projection optical system manufacturing method
KR101599649B1 (ko) 2003-07-28 2016-03-14 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7370659B2 (en) * 2003-08-06 2008-05-13 Micron Technology, Inc. Photolithographic stepper and/or scanner machines including cleaning devices and methods of cleaning photolithographic stepper and/or scanner machines
KR101242886B1 (ko) 2003-08-29 2013-03-12 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3223053A1 (en) 2003-09-03 2017-09-27 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
JP4444920B2 (ja) 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR101301804B1 (ko) 2003-09-26 2013-08-29 가부시키가이샤 니콘 투영노광장치 및 투영노광장치의 세정방법, 메인터넌스 방법 그리고 디바이스의 제조방법
EP3093711A3 (en) 2003-09-29 2017-05-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
KR101111364B1 (ko) 2003-10-08 2012-02-27 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광방법, 디바이스 제조 방법
WO2005036623A1 (ja) 2003-10-08 2005-04-21 Zao Nikon Co., Ltd. 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
TW201738932A (zh) 2003-10-09 2017-11-01 Nippon Kogaku Kk 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法
US7352433B2 (en) 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
EP1531362A3 (en) * 2003-11-13 2007-07-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び装置製造方法
SG2014014955A (en) 2003-12-03 2014-07-30 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, method for producing device, and optical part
KR101499405B1 (ko) 2003-12-15 2015-03-05 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
JP4308638B2 (ja) 2003-12-17 2009-08-05 パナソニック株式会社 パターン形成方法
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4371822B2 (ja) * 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
KR101204157B1 (ko) 2004-01-20 2012-11-22 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 마이크로 리소그래픽 투영 노광 장치 및 그 투영 렌즈를 위한 측정 장치
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2005076321A1 (ja) 2004-02-03 2005-08-18 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4548341B2 (ja) * 2004-02-10 2010-09-22 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、メンテナンス方法及び露光方法
US20050205108A1 (en) * 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
TWI402893B (zh) 2004-03-25 2013-07-21 尼康股份有限公司 曝光方法
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8054448B2 (en) 2004-05-04 2011-11-08 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100594430C (zh) 2004-06-04 2010-03-17 卡尔蔡司Smt股份公司 用于测量光学成像系统的图像质量的系统
KR101433496B1 (ko) * 2004-06-09 2014-08-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8698998B2 (en) 2004-06-21 2014-04-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device
JP4677833B2 (ja) * 2004-06-21 2011-04-27 株式会社ニコン 露光装置、及びその部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法
KR101245070B1 (ko) * 2004-06-21 2013-03-18 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 그 부재의 세정 방법, 노광 장치의 메인터넌스 방법, 메인터넌스 기기, 그리고 디바이스 제조 방법
US20060001851A1 (en) 2004-07-01 2006-01-05 Grant Robert B Immersion photolithography system
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE602005016429D1 (de) 2004-07-12 2009-10-15 Nippon Kogaku Kk Hren
JP2006032750A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 Canon Inc 液浸型投影露光装置、及びデバイス製造方法
US7224427B2 (en) 2004-08-03 2007-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Megasonic immersion lithography exposure apparatus and method
JP4983257B2 (ja) 2004-08-18 2012-07-25 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法、計測部材、及び計測方法
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4772306B2 (ja) * 2004-09-06 2011-09-14 株式会社東芝 液浸光学装置及び洗浄方法
US7385670B2 (en) * 2004-10-05 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus
WO2006046562A1 (ja) 2004-10-26 2006-05-04 Nikon Corporation 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法
US7414699B2 (en) * 2004-11-12 2008-08-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411657B2 (en) 2004-11-17 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070285634A1 (en) 2004-11-19 2007-12-13 Nikon Corporation Maintenance Method, Exposure Method, Exposure Apparatus, And Method For Producing Device
US7732123B2 (en) * 2004-11-23 2010-06-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion photolithography with megasonic rinse
US7446850B2 (en) 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006062065A1 (ja) 2004-12-06 2006-06-15 Nikon Corporation メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法
US7196770B2 (en) 2004-12-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Prewetting of substrate before immersion exposure
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352440B2 (en) 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US7403261B2 (en) 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528931B2 (en) 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) * 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7405805B2 (en) 2004-12-28 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7491661B2 (en) 2004-12-28 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, top coat material and substrate
US7450217B2 (en) 2005-01-12 2008-11-11 Asml Netherlands B.V. Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
DE602006012746D1 (de) 2005-01-14 2010-04-22 Asml Netherlands Bv Lithografische Vorrichtung und Herstellungsverfahren
EP1863070B1 (en) 2005-01-31 2016-04-27 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
CN102360170B (zh) 2005-02-10 2014-03-12 Asml荷兰有限公司 浸没液体、曝光装置及曝光方法
US8018573B2 (en) 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7378025B2 (en) 2005-02-22 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7224431B2 (en) 2005-02-22 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7282701B2 (en) 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
US7428038B2 (en) 2005-02-28 2008-09-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4072543B2 (ja) 2005-03-18 2008-04-09 キヤノン株式会社 液浸露光装置及びデバイス製造方法
US7330238B2 (en) 2005-03-28 2008-02-12 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7291850B2 (en) 2005-04-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060232753A1 (en) 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
US20060250588A1 (en) * 2005-05-03 2006-11-09 Stefan Brandl Immersion exposure tool cleaning system and method
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7652746B2 (en) 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5045437B2 (ja) * 2005-06-21 2012-10-10 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7834974B2 (en) 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7474379B2 (en) 2005-06-28 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2007004552A1 (ja) 2005-06-30 2007-01-11 Nikon Corporation 露光装置及び方法、露光装置のメンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
US7262422B2 (en) * 2005-07-01 2007-08-28 Spansion Llc Use of supercritical fluid to dry wafer and clean lens in immersion lithography
US7583358B2 (en) * 2005-07-25 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Systems and methods for retrieving residual liquid during immersion lens photolithography
US8054445B2 (en) 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7456928B2 (en) * 2005-08-29 2008-11-25 Micron Technology, Inc. Systems and methods for controlling ambient pressure during processing of microfeature workpieces, including during immersion lithography
US7411658B2 (en) 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7986395B2 (en) * 2005-10-24 2011-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography apparatus and methods
JP2007123775A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 洗浄液および洗浄方法
JP5036996B2 (ja) * 2005-10-31 2012-09-26 東京応化工業株式会社 洗浄液および洗浄方法
US7864292B2 (en) 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7804577B2 (en) 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP2007142217A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd イマージョン式リソグラフィ露光装置およびその方法
FR2893725B1 (fr) * 2005-11-21 2009-05-29 Taiwan Semiconductor Mfg Dispositif et procede d'exposition de lithographie par immersion megasonique
TWI413155B (zh) * 2005-11-22 2013-10-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 光微影蝕刻用洗淨液及使用其之曝光裝置之洗淨方法
US7633073B2 (en) 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7773195B2 (en) 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
JP2007150102A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Fujitsu Ltd 露光装置及び光学素子の洗浄方法
US8125610B2 (en) 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
US7420194B2 (en) 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8472004B2 (en) * 2006-01-18 2013-06-25 Micron Technology, Inc. Immersion photolithography scanner
KR20080114691A (ko) * 2006-03-13 2008-12-31 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 메인터넌스 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US8045134B2 (en) 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
EP2535744A3 (en) 2006-04-03 2013-10-09 Nikon Corporation Incidence surfaces and optical windows that are solvophobic to immersion liquids used in an immersion microlithography system
US9477158B2 (en) 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
WO2007135990A1 (ja) 2006-05-18 2007-11-29 Nikon Corporation 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
US7969548B2 (en) * 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
JP5019170B2 (ja) * 2006-05-23 2012-09-05 株式会社ニコン メンテナンス方法、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US20070280526A1 (en) * 2006-05-30 2007-12-06 Irfan Malik Determining Information about Defects or Binning Defects Detected on a Wafer after an Immersion Lithography Process is Performed on the Wafer
US8564759B2 (en) 2006-06-29 2013-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
JP5151981B2 (ja) * 2006-08-30 2013-02-27 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR20090060270A (ko) * 2006-09-08 2009-06-11 가부시키가이샤 니콘 클리닝용 부재, 클리닝 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
DE102006050835A1 (de) 2006-10-27 2008-05-08 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren und Vorrichtung zum Austausch von Objetkivteilen
US8045135B2 (en) 2006-11-22 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method
US9632425B2 (en) 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5099476B2 (ja) * 2006-12-28 2012-12-19 株式会社ニコン 清掃装置及び清掃システム、パターン形成装置、清掃方法及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US8654305B2 (en) * 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8817226B2 (en) * 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8237911B2 (en) 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
US7900641B2 (en) * 2007-05-04 2011-03-08 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8011377B2 (en) 2007-05-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US7866330B2 (en) 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
WO2008146819A1 (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Nikon Corporation 露光装置、デバイス製造方法、洗浄装置、及びクリーニング方法並びに露光方法
JP5018249B2 (ja) * 2007-06-04 2012-09-05 株式会社ニコン クリーニング装置、クリーニング方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US20090014030A1 (en) * 2007-07-09 2009-01-15 Asml Netherlands B.V. Substrates and methods of using those substrates
US20090025753A1 (en) * 2007-07-24 2009-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic Apparatus And Contamination Removal Or Prevention Method
US7916269B2 (en) * 2007-07-24 2011-03-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method
NL1035942A1 (nl) * 2007-09-27 2009-03-30 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method of Cleaning a Lithographic Apparatus.
SG151198A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-30 Asml Netherlands Bv Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus
JP5017232B2 (ja) * 2007-10-31 2012-09-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． クリーニング装置および液浸リソグラフィ装置
NL1036273A1 (nl) * 2007-12-18 2009-06-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of cleaning a surface of an immersion lithographic apparatus.
NL1036306A1 (nl) 2007-12-20 2009-06-23 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus.
US8451425B2 (en) * 2007-12-28 2013-05-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, cleaning apparatus, and device manufacturing method
US8339572B2 (en) 2008-01-25 2012-12-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20100039628A1 (en) * 2008-03-19 2010-02-18 Nikon Corporation Cleaning tool, cleaning method, and device fabricating method
US8654306B2 (en) * 2008-04-14 2014-02-18 Nikon Corporation Exposure apparatus, cleaning method, and device fabricating method
NL1036709A1 (nl) 2008-04-24 2009-10-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus.
JP5097166B2 (ja) 2008-05-28 2012-12-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び装置の動作方法
US20100045949A1 (en) * 2008-08-11 2010-02-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, maintaining method and device fabricating method
NL2003363A (en) 2008-09-10 2010-03-15 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, method of manufacturing an article for a lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2003421A (en) * 2008-10-21 2010-04-22 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method of removing contamination.
US8477284B2 (en) * 2008-10-22 2013-07-02 Nikon Corporation Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials
US9074169B2 (en) 2009-01-28 2015-07-07 Advanced Technology Materials, Inc. Lithographic tool in situ clean formulations
TW201102765A (en) * 2009-07-01 2011-01-16 Nikon Corp Grinding device, grinding method, exposure device and production method of a device
NL2005207A (en) 2009-09-28 2011-03-29 Asml Netherlands Bv Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2005610A (en) 2009-12-02 2011-06-06 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and surface cleaning method.
US20110134400A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid immersion member, and device manufacturing method
WO2011090690A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-28 Pioneer Hi-Bred International, Inc. Sorghum fertility restorer genotypes and methods of marker-assisted selection
US20110201888A1 (en) * 2010-02-18 2011-08-18 Verner Sarah N Medical Devices and Methods
US20120062858A1 (en) * 2010-04-02 2012-03-15 Nikon Corporation Cleaning method, device manufacturing method, exposure apparatus, and device manufacturing system
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
US20120188521A1 (en) 2010-12-27 2012-07-26 Nikon Corporation Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program and storage medium
CA2856196C (en) 2011-12-06 2020-09-01 Masco Corporation Of Indiana Ozone distribution in a faucet
DE102013100473A1 (de) * 2013-01-17 2014-07-17 Seho Systemtechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen einer Lötdüse
JP2015185813A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄方法および基板洗浄装置
US9776218B2 (en) * 2015-08-06 2017-10-03 Asml Netherlands B.V. Controlled fluid flow for cleaning an optical element
US10018113B2 (en) * 2015-11-11 2018-07-10 General Electric Company Ultrasonic cleaning system and method
CN115093008B (zh) 2015-12-21 2024-05-14 德尔塔阀门公司 包括消毒装置的流体输送系统
CN107442518B (zh) * 2016-05-31 2019-12-24 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种光刻机工件台自动清洁装置及方法
US10962471B1 (en) * 2018-07-09 2021-03-30 Fazal Fazlin Point of care system for quantifying components of blood
JP6650539B1 (ja) * 2019-01-18 2020-02-19 エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 光コネクタ用清掃具
CN111167803A (zh) * 2019-12-14 2020-05-19 上海航翼高新技术发展研究院有限公司 一种激光湿清洗方法及装置
CN113070273A (zh) * 2020-01-03 2021-07-06 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种提高氟化钙晶体光学元件激光损伤阈值的表面处理方法
CN114518696A (zh) 2020-11-20 2022-05-20 长鑫存储技术有限公司 清洁系统、曝光机台及清洁方法
CN112563166B (zh) * 2020-12-01 2024-07-16 中国计量大学 一种真空脱泡装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06168866A (ja) * 1992-11-27 1994-06-14 Canon Inc 液浸式投影露光装置
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
US6496257B1 (en) * 1997-11-21 2002-12-17 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method

Family Cites Families (292)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3139101A (en) * 1962-07-23 1964-06-30 Gen Motors Corp Sonic surface cleaner
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
DE2963537D1 (en) * 1979-07-27 1982-10-07 Tabarelli Werner W Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6197918A (ja) 1984-10-19 1986-05-16 Hitachi Ltd Ｘ線露光装置
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPH0782981B2 (ja) 1986-02-07 1995-09-06 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JPH0695511B2 (ja) 1986-09-17 1994-11-24 大日本スクリ−ン製造株式会社 洗浄乾燥処理方法
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPH0345522U (ko) * 1989-09-08 1991-04-26
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法，露光装置，並びに位置検出方法及び装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
JPH05100182A (ja) 1991-10-11 1993-04-23 Nikon Corp レーザトラツプ集塵装置及び集塵方法
JPH05304072A (ja) 1992-04-08 1993-11-16 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH06459A (ja) * 1992-06-19 1994-01-11 T H I Syst Kk 洗浄乾燥方法とその装置
JP3246615B2 (ja) 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
JPH06188169A (ja) 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH06181157A (ja) 1992-12-15 1994-06-28 Nikon Corp 低発塵性の装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US6989647B1 (en) 1994-04-01 2006-01-24 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US7365513B1 (en) 1994-04-01 2008-04-29 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
JP3613288B2 (ja) 1994-10-18 2005-01-26 株式会社ニコン 露光装置用のクリーニング装置
US5623853A (en) 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
JP3647100B2 (ja) 1995-01-12 2005-05-11 キヤノン株式会社 検査装置およびこれを用いた露光装置やデバイス生産方法
JPH08195375A (ja) 1995-01-17 1996-07-30 Sony Corp 回転乾燥方法および回転乾燥装置
US6008500A (en) 1995-04-04 1999-12-28 Nikon Corporation Exposure apparatus having dynamically isolated reaction frame
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US6297871B1 (en) 1995-09-12 2001-10-02 Nikon Corporation Exposure apparatus
US5798838A (en) 1996-02-28 1998-08-25 Nikon Corporation Projection exposure apparatus having function of detecting intensity distribution of spatial image, and method of detecting the same
JP3349636B2 (ja) 1996-10-04 2002-11-25 株式会社プレテック 高周波洗浄装置
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JPH10116760A (ja) 1996-10-08 1998-05-06 Nikon Corp 露光装置及び基板保持装置
US6033478A (en) 1996-11-05 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Wafer support with improved temperature control
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
SG93267A1 (en) 1996-11-28 2002-12-17 Nikon Corp An exposure apparatus and an exposure method
US5815246A (en) 1996-12-24 1998-09-29 U.S. Philips Corporation Two-dimensionally balanced positioning device, and lithographic device provided with such a positioning device
DE69717975T2 (de) 1996-12-24 2003-05-28 Asml Netherlands B.V., Veldhoven In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät
DE69829614T2 (de) 1997-03-10 2006-03-09 Asml Netherlands B.V. Lithographiegerät mit einer positioniervorrichtung mit zwei objekthaltern
JPH10255319A (ja) * 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) * 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
DE69817663T2 (de) * 1997-04-23 2004-06-24 Nikon Corp. Optischer Belichtungsapparat und optisches Reinigungsverfahren
US6268904B1 (en) * 1997-04-23 2001-07-31 Nikon Corporation Optical exposure apparatus and photo-cleaning method
JP3817836B2 (ja) * 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
EP0991777A1 (en) * 1997-06-18 2000-04-12 Ulrich J. Krull Nucleic acid biosensor diagnostics
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
US5980647A (en) * 1997-07-15 1999-11-09 International Business Machines Corporation Metal removal cleaning process and apparatus
US6085764A (en) * 1997-07-22 2000-07-11 Tdk Corporation Cleaning apparatus and method
JP3445120B2 (ja) 1997-09-30 2003-09-08 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
JPH11283903A (ja) * 1998-03-30 1999-10-15 Nikon Corp 投影光学系検査装置及び同装置を備えた投影露光装置
JPH11162831A (ja) * 1997-11-21 1999-06-18 Nikon Corp 投影露光装置及び投影露光方法
JPH11166990A (ja) 1997-12-04 1999-06-22 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置並びに走査型露光装置
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
JPH11191525A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Nikon Corp 投影露光装置
DE19806284C2 (de) * 1998-02-16 2000-02-24 Inventa Ag Wärmehärtbare Beschichtungsmassen, Verfahren zur Herstellung und deren Verwendung
JP4207240B2 (ja) 1998-02-20 2009-01-14 株式会社ニコン 露光装置用照度計、リソグラフィ・システム、照度計の較正方法およびマイクロデバイスの製造方法
US5913981A (en) 1998-03-05 1999-06-22 Micron Technology, Inc. Method of rinsing and drying semiconductor wafers in a chamber with a moveable side wall
US5958143A (en) 1998-04-28 1999-09-28 The Regents Of The University Of California Cleaning process for EUV optical substrates
US6459472B1 (en) 1998-05-15 2002-10-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic device
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
JP2000091207A (ja) * 1998-09-14 2000-03-31 Nikon Corp 投影露光装置及び投影光学系の洗浄方法
JP2000097616A (ja) 1998-09-22 2000-04-07 Nikon Corp 干渉計
JP2000311933A (ja) 1999-04-27 2000-11-07 Canon Inc 基板保持装置、基板搬送システム、露光装置、塗布装置およびデバイス製造方法ならびに基板保持部クリーニング方法
JP2000354835A (ja) 1999-06-15 2000-12-26 Toshiba Corp 超音波洗浄処理方法及びその装置
JP2001013677A (ja) * 1999-06-28 2001-01-19 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル収納容器の洗浄方法
US6459672B1 (en) 1999-09-28 2002-10-01 Sony Corporation Optical head and optical disc device
AU6005499A (en) * 1999-10-07 2001-04-23 Nikon Corporation Substrate, stage device, method of driving stage, exposure system and exposure method
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
US6995930B2 (en) 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
US6421932B2 (en) 2000-02-14 2002-07-23 Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. Method and apparatus for drying substrate plates
HU225403B1 (en) * 2000-03-13 2006-11-28 Andras Dr Boerzsoenyi Method and apparatus for calibration of flowmeter of liquid flowing in canal
JP3996730B2 (ja) 2000-03-31 2007-10-24 株式会社日立製作所 半導体部品の製造方法
US6466365B1 (en) 2000-04-07 2002-10-15 Corning Incorporated Film coated optical lithography elements and method of making
JP2001291855A (ja) 2000-04-08 2001-10-19 Takashi Miura 固体撮像素子
JP3531914B2 (ja) 2000-04-14 2004-05-31 キヤノン株式会社 光学装置、露光装置及びデバイス製造方法
US20020041377A1 (en) 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
DE10130999A1 (de) * 2000-06-29 2002-04-18 D M S Co Multifunktions-Reinigungsmodul einer Herstellungseinrichtung für Flachbildschirme und Reinigungsgerät mit Verwendung desselben
US6446365B1 (en) 2000-09-15 2002-09-10 Vermeer Manufacturing Company Nozzle mount for soft excavation
KR100798769B1 (ko) 2000-09-25 2008-01-29 동경 엘렉트론 주식회사 기판 처리장치
JP3840388B2 (ja) 2000-09-25 2006-11-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
JP2002289514A (ja) 2000-12-22 2002-10-04 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP4345098B2 (ja) 2001-02-06 2009-10-14 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US20020163629A1 (en) 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
DE10123027B4 (de) 2001-05-11 2005-07-21 Evotec Oai Ag Vorrichtung zur Untersuchung chemischer und/oder biologischer Proben
JP2002336804A (ja) * 2001-05-15 2002-11-26 Nikon Corp 光学部品の洗浄方法及び露光装置
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
US7145671B2 (en) 2001-08-16 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Image forming devices, methods of operating an image forming device, a method of providing consumable information, and a method of operating a printer
JP2003124089A (ja) 2001-10-09 2003-04-25 Nikon Corp 荷電粒子線露光装置及び露光方法
US6801301B2 (en) 2001-10-12 2004-10-05 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
EP1313337A1 (de) 2001-11-15 2003-05-21 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Übertragung von Informationen in einem zellularen Funkkommunikationssystem mit Funksektoren
EP1329773A3 (en) 2002-01-18 2006-08-30 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, apparatus cleaning method, and device manufacturing method
US7154676B2 (en) 2002-03-01 2006-12-26 Carl Zeiss Smt A.G. Very-high aperture projection objective
DE10229249A1 (de) 2002-03-01 2003-09-04 Zeiss Carl Semiconductor Mfg Refraktives Projektionsobjektiv mit einer Taille
US7190527B2 (en) 2002-03-01 2007-03-13 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
US7092069B2 (en) 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
US20030200996A1 (en) 2002-04-30 2003-10-30 Hiatt William Mark Method and system for cleaning a wafer chuck
KR20040104691A (ko) 2002-05-03 2004-12-10 칼 짜이스 에스엠테 아게 높은 개구를 갖는 투영 대물렌즈
US6853794B2 (en) * 2002-07-02 2005-02-08 Lightel Technologies Inc. Apparatus for cleaning optical fiber connectors and fiber optic parts
US20040021061A1 (en) 2002-07-30 2004-02-05 Frederik Bijkerk Photodiode, charged-coupled device and method for the production
JP2004071855A (ja) 2002-08-07 2004-03-04 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
AU2003256081A1 (en) 2002-08-23 2004-03-11 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
JP3922637B2 (ja) 2002-08-30 2007-05-30 本田技研工業株式会社 サイドエアバッグシステム
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US7093375B2 (en) 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
CN101424881B (zh) 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
EP1429188B1 (en) 2002-11-12 2013-06-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus
EP1420299B1 (en) 2002-11-12 2011-01-05 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101713932B (zh) 2002-11-12 2012-09-26 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
EP1420298B1 (en) 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI232357B (en) 2002-11-12 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3884371B2 (ja) 2002-11-26 2007-02-21 株式会社東芝 レチクル、露光モニタ方法、露光方法、及び半導体装置の製造方法
TW200412617A (en) 2002-12-03 2004-07-16 Nikon Corp Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
JP4525062B2 (ja) 2002-12-10 2010-08-18 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム
CN100446179C (zh) 2002-12-10 2008-12-24 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
KR20120127755A (ko) 2002-12-10 2012-11-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
SG171468A1 (en) 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
EP1429190B1 (en) 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
JP4184346B2 (ja) 2002-12-13 2008-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去
US7514699B2 (en) 2002-12-19 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
EP1732075A3 (en) 2002-12-19 2007-02-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US7010958B2 (en) 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
JP2004007417A (ja) 2003-02-10 2004-01-08 Fujitsu Ltd 情報提供システム
TWI247339B (en) 2003-02-21 2006-01-11 Asml Holding Nv Lithographic printing with polarized light
US6943941B2 (en) 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
WO2004081999A1 (ja) * 2003-03-12 2004-09-23 Nikon Corporation 光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
GB0306176D0 (en) * 2003-03-18 2003-04-23 Imp College Innovations Ltd Tubing
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
KR20110104084A (ko) 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
EP3352010A1 (en) 2003-04-10 2018-07-25 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
KR101431938B1 (ko) 2003-04-10 2014-08-19 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
JP4656057B2 (ja) 2003-04-10 2011-03-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子
EP2950148B1 (en) 2003-04-10 2016-09-21 Nikon Corporation Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus
CN106444292A (zh) * 2003-04-11 2017-02-22 株式会社尼康 沉浸式光刻装置、清洗方法、器件制造方法及液体沉浸式光刻装置
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
KR101861493B1 (ko) 2003-04-11 2018-05-28 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
JP4025683B2 (ja) 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
JP4146755B2 (ja) 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20060009356A (ko) 2003-05-15 2006-01-31 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI612556B (zh) * 2003-05-23 2018-01-21 Nikon Corp 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
TWI612557B (zh) * 2003-05-23 2018-01-21 Nikon Corp 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
US6995833B2 (en) 2003-05-23 2006-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2005277363A (ja) 2003-05-23 2005-10-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
CN100541717C (zh) 2003-05-28 2009-09-16 株式会社尼康 曝光方法、曝光装置以及器件制造方法
JP2004356356A (ja) 2003-05-29 2004-12-16 Oki Electric Ind Co Ltd 洗浄終了判定方法および洗浄装置
EP1486827B1 (en) * 2003-06-11 2011-11-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317504B2 (en) 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
JP2007527615A (ja) 2003-07-01 2007-09-27 株式会社ニコン 同位体特定流体の光学素子としての使用方法
KR101209539B1 (ko) 2003-07-09 2012-12-07 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
FR2857292B1 (fr) * 2003-07-11 2007-04-20 Oreal Recipient comportant une piece de revetement et son procede de fabrication
US7153406B2 (en) * 2003-07-15 2006-12-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Cathodic electrodeposition coating compositions and process for using same
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
KR101599649B1 (ko) 2003-07-28 2016-03-14 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
US7370659B2 (en) 2003-08-06 2008-05-13 Micron Technology, Inc. Photolithographic stepper and/or scanner machines including cleaning devices and methods of cleaning photolithographic stepper and/or scanner machines
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7700267B2 (en) 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7579135B2 (en) 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7085075B2 (en) 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
JP2005072404A (ja) 2003-08-27 2005-03-17 Sony Corp 露光装置および半導体装置の製造方法
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI622083B (zh) 2003-08-29 2018-04-21 Nikon Corp Exposure apparatus, liquid removal method, and component manufacturing method
KR101242886B1 (ko) 2003-08-29 2013-03-12 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
JP4305095B2 (ja) 2003-08-29 2009-07-29 株式会社ニコン 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
EP3223053A1 (en) 2003-09-03 2017-09-27 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
KR101301804B1 (ko) 2003-09-26 2013-08-29 가부시키가이샤 니콘 투영노광장치 및 투영노광장치의 세정방법, 메인터넌스 방법 그리고 디바이스의 제조방법
US6961186B2 (en) 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
US7369217B2 (en) 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
JP2005136374A (ja) 2003-10-06 2005-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法
EP1524588A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 Sony Ericsson Mobile Communications AB User input device for a portable electronic device
EP1524558A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7678527B2 (en) 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
JP2007525824A (ja) 2003-11-05 2007-09-06 ディーエスエム アイピー アセッツ ビー．ブイ． マイクロチップを製造するための方法および装置
US7924397B2 (en) 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
EP1695148B1 (en) 2003-11-24 2015-10-28 Carl Zeiss SMT GmbH Immersion objective
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
US7385764B2 (en) 2003-12-15 2008-06-10 Carl Zeiss Smt Ag Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
WO2005059617A2 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective having a high aperture and a planar end surface
KR101499405B1 (ko) 2003-12-15 2015-03-05 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
WO2005106589A1 (en) 2004-05-04 2005-11-10 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
US7460206B2 (en) 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
JP4323946B2 (ja) 2003-12-19 2009-09-02 キヤノン株式会社 露光装置
WO2005059645A2 (en) 2003-12-19 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection objective with crystal elements
US20050185269A1 (en) 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
US7145641B2 (en) 2003-12-31 2006-12-05 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
WO2005067013A1 (ja) 2004-01-05 2005-07-21 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP4371822B2 (ja) 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
KR101204114B1 (ko) 2004-01-14 2012-11-23 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 반사굴절식 투영 대물렌즈
CN1910522B (zh) 2004-01-16 2010-05-26 卡尔蔡司Smt股份公司 偏振调制光学元件
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
KR101204157B1 (ko) 2004-01-20 2012-11-22 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 마이크로 리소그래픽 투영 노광 장치 및 그 투영 렌즈를 위한 측정 장치
US7026259B2 (en) 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
EP1723467A2 (en) 2004-02-03 2006-11-22 Rochester Institute of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
WO2005076084A1 (en) 2004-02-09 2005-08-18 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4548341B2 (ja) 2004-02-10 2010-09-22 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、メンテナンス方法及び露光方法
EP1714192A1 (en) 2004-02-13 2006-10-25 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
WO2005081030A1 (en) 2004-02-18 2005-09-01 Corning Incorporated Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light
EP1727188A4 (en) 2004-02-20 2008-11-26 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, FEEDING METHOD AND RECOVERY METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
US20050205108A1 (en) 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
US7027125B2 (en) 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7712905B2 (en) 2004-04-08 2010-05-11 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7271878B2 (en) 2004-04-22 2007-09-18 International Business Machines Corporation Wafer cell for immersion lithography
US7244665B2 (en) 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8054448B2 (en) 2004-05-04 2011-11-08 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
KR20160085375A (ko) 2004-05-17 2016-07-15 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100594430C (zh) 2004-06-04 2010-03-17 卡尔蔡司Smt股份公司 用于测量光学成像系统的图像质量的系统
KR101433496B1 (ko) * 2004-06-09 2014-08-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7224427B2 (en) 2004-08-03 2007-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Megasonic immersion lithography exposure apparatus and method
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7446850B2 (en) 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006062065A1 (ja) 2004-12-06 2006-06-15 Nikon Corporation メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法
US7248334B2 (en) 2004-12-07 2007-07-24 Asml Netherlands B.V. Sensor shield
JP4752473B2 (ja) 2004-12-09 2011-08-17 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7880860B2 (en) * 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7450217B2 (en) 2005-01-12 2008-11-11 Asml Netherlands B.V. Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7262422B2 (en) * 2005-07-01 2007-08-28 Spansion Llc Use of supercritical fluid to dry wafer and clean lens in immersion lithography
US7921303B2 (en) * 2005-11-18 2011-04-05 Qualcomm Incorporated Mobile security system and method
US8125610B2 (en) 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
US7446859B2 (en) 2006-01-27 2008-11-04 International Business Machines Corporation Apparatus and method for reducing contamination in immersion lithography
JP5304072B2 (ja) 2007-07-18 2013-10-02 ヤマハ株式会社 力覚制御装置、鍵盤楽器、力覚制御方法およびプログラム
US8033602B2 (en) * 2007-07-20 2011-10-11 Honda Motor Co., Ltd. Vehicle seat
US20090025753A1 (en) 2007-07-24 2009-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic Apparatus And Contamination Removal Or Prevention Method
NL2004305A (en) * 2009-03-13 2010-09-14 Asml Netherlands Bv Substrate table, immersion lithographic apparatus and device manufacturing method.

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06168866A (ja) * 1992-11-27 1994-06-14 Canon Inc 液浸式投影露光装置
US6496257B1 (en) * 1997-11-21 2002-12-17 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140048312A (ko) 2014-04-23
JP5648650B2 (ja) 2015-01-07
US8670103B2 (en) 2014-03-11
US20070132975A1 (en) 2007-06-14
EP2172809A1 (en) 2010-04-07
US8085381B2 (en) 2011-12-27
JP5799991B2 (ja) 2015-10-28
US8269946B2 (en) 2012-09-18
EP2166413A1 (en) 2010-03-24
JP2018025818A (ja) 2018-02-15
EP1614001A2 (en) 2006-01-11
JP6319393B2 (ja) 2018-05-09
JP2014225703A (ja) 2014-12-04
KR101525335B1 (ko) 2015-06-03
KR20130079622A (ko) 2013-07-10
US7522259B2 (en) 2009-04-21
EP2161621A1 (en) 2010-03-10
EP2172809B1 (en) 2018-11-07
EP2161621B1 (en) 2018-10-24
ATE449982T1 (de) 2009-12-15
KR101318542B1 (ko) 2013-10-16
KR20110122747A (ko) 2011-11-10
HK1145547A1 (en) 2011-04-21
EP2161619A1 (en) 2010-03-10
EP2161620A1 (en) 2010-03-10
CN101825847A (zh) 2010-09-08
KR20170016014A (ko) 2017-02-10
KR101753496B1 (ko) 2017-07-03
CN1867865A (zh) 2006-11-22
SG10201803122UA (en) 2018-06-28
US20080100813A1 (en) 2008-05-01
JP2019045873A (ja) 2019-03-22
US9958786B2 (en) 2018-05-01
EP2161619B1 (en) 2013-05-22
JP2006523031A (ja) 2006-10-05
JP4837556B2 (ja) 2011-12-14
JP2011171758A (ja) 2011-09-01
US8670104B2 (en) 2014-03-11
KR101289959B1 (ko) 2013-07-26
WO2004093130A2 (en) 2004-10-28
SG185136A1 (en) 2012-11-29
CN1867865B (zh) 2010-04-07
JP2010093298A (ja) 2010-04-22
SG2013077797A (en) 2017-02-27
US8493545B2 (en) 2013-07-23
JP6135737B2 (ja) 2017-05-31
EP1614001B1 (en) 2009-11-25
KR20110105856A (ko) 2011-09-27
JP2013251573A (ja) 2013-12-12
KR20190007532A (ko) 2019-01-22
SG189557A1 (en) 2013-05-31
KR101597475B1 (ko) 2016-02-24
US20070171390A1 (en) 2007-07-26
US20180203366A1 (en) 2018-07-19
KR101508809B1 (ko) 2015-04-06
KR20150024929A (ko) 2015-03-09
DE602004024295D1 (de) 2010-01-07
US20090195762A1 (en) 2009-08-06
KR20120115589A (ko) 2012-10-18
JP4983933B2 (ja) 2012-07-25
KR20050121722A (ko) 2005-12-27
US20060023185A1 (en) 2006-02-02
KR20120066083A (ko) 2012-06-21
US20090161084A1 (en) 2009-06-25
CN101825847B (zh) 2013-10-16
CN103558736B (zh) 2016-10-05
JP2017037333A (ja) 2017-02-16
US20070247601A1 (en) 2007-10-25
JP5582087B2 (ja) 2014-09-03
EP2161619B8 (en) 2013-07-17
KR101342824B1 (ko) 2013-12-17
JP2016053721A (ja) 2016-04-14
CN106444292A (zh) 2017-02-22
KR20110134487A (ko) 2011-12-14
HK1142964A1 (en) 2010-12-17
JP2012138624A (ja) 2012-07-19
SG2014015135A (en) 2015-06-29
US20090174872A1 (en) 2009-07-09
EP1614001A4 (en) 2007-05-16
CN103558736A (zh) 2014-02-05
HK1087531A1 (en) 2006-10-13
US20140132939A1 (en) 2014-05-15
KR101324818B1 (ko) 2013-11-01
WO2004093130A3 (en) 2005-11-03
JP6020528B2 (ja) 2016-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101508810B1 (ko) 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180316

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190318

Year of fee payment: 5