WO2005067013A1

WO2005067013A1 - 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法

Info

Publication number: WO2005067013A1
Application number: PCT/JP2004/019813
Authority: WO
Inventors: Hiroyuki Nagasaka
Original assignee: Nikon Corporation
Priority date: 2004-01-05
Filing date: 2004-12-27
Publication date: 2005-07-21
Also published as: EP1703548B1; KR20120115597A; US20070146663A1; EP1703548A4; ATE467902T1; KR20110134491A; EP3376523A1; US9588436B2; KR101324810B1; JP2014197714A; EP2199859A2; JP2015194788A; KR20180117228A; TWI617896B; EP1703548A1; JP5895979B2; KR20170070260A; TW201319764A; TW201631408A; KR20140081905A

Abstract

　露光装置ＥＸは、液体供給機構１０から供給された液体ＬＱと投影光学系ＰＬとを介して基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射して、基板Ｐを露光する。液体供給機構１０から供給された液体ＬＱの圧力を調整する圧力調整機構９０を備えている。液浸領域を良好に形成して高い露光精度及び計測精度を得ることができる。

Description

露光装置、露光方法及びデバイス製造方法技術分野

本発明は、投影光学系と液体とを介して基板上に露光光を照射して基板を露光する露光装置、露光方法及びデバイス製造方法に関するものである。背景技術

半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写する、いわゆるフ才卜リソグラフィの手法により製造される。このフ才トリソグラフイエ程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステ一ジを逐次移動しながらマスクのパ夕一ンを投影光学系を介して基板に転写するものである。近年、デバイスパターンのより一層の高集積化に対応するために投影光学系の更なる高解像度化が望まれている。投影光学系の解像度は、使用する露光波長が短いほど、また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。そのため、露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、投影光学系の開口数も増大している。そして、現在主流の露光波長は K r Fエキシマレーザの 248 n 'mであるが、更に短波長の A r Fエキシマレ一ザの 1 93 nmも実用化されつつある。また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度（DOF) も重要となる。解像度 R、及び焦点深度 6はそれぞれ以下の式で.表される。

R = k, ■ λ/Ν A - ( 1 )

(5 = ±k₂■ λ/Ν A² … (2)

ここで、久は露光波長、 N Aは投影光学系の開口数、 k，、 k₂はプロセス係数である。（ 1 ),式、（2) 式より、解像度 Rを高めるために、露光波長 λを短くして、開口数 Ν Αを大きくすると、焦点深度 (5が狭くなることが分かる。焦点深度 <5が狭くなり過ぎると、投影光学系の像面に対して基板表面を合致させることが困難となり、露光動作時のフ才一カスマ一ジンが不足するおそれがある。そこで、実質的に露光波長を短くして、且つ焦点深度を広くする方法として、例えば、国際公開第 9 9 / 4 9 5 0 4号公報に開示されて.いる液浸法が提案されている。この液浸法は、投影光学系の下面と基板表面との間を水や有機溶媒等の液体で満たして液浸領域を形成し、液体中での露光光の波長が空気中の 1 / n ( nは液体の屈折率で通常 1 . 2〜1 . 6程度）になることを利用して解像度を向上するとともに、焦点深度を約 n倍に拡大するというものである。ところで、液浸露光処理や液体を介した各種光学的計測処理を良好に行うためには液体の液浸領域を所望状態に形成することが重要である。例えば液浸領域の液体の圧力変霄力によって、基板や基板ステージが僅かながら変形し、その変形により露光精度や計測精度が劣化する可能性がある。あるいは液体の圧力変動が生じると、その液体に接している投影光学系の一部（最も像面側の光学素子など）が変位あるいは振動して基板上に投影されるバタ一ン像が劣化したり、投影光学系及び液体を介した計測精度が劣化する。また、液浸領域を形成するために液体を供給した際、液浸領域の液体中に気泡などの気体部分が生成される可能性が高くなる。液浸領域の液体中に気体部分が ' 生成されると、その気体部分によって、基板上にパターン像を形成するための露光光が基板上に到達しない、あるいは基板上にパターン像を形成するための露光光が基板上の所望の位置に到達しない、あるいは計測光が計測器に到達しない、あるいは計測光が所望の位置に到達しないなどの現象が生じ、露光精度及び計測精度の劣化を招く。 . ' + また、液体供給機構及び液体回収機構を使って液体の供給及び回収を行うことで基板上に液体の液浸領域を形成する場合、液体供給機構や液体回収機構が誤作動するなど露光装置に異常が生じて液浸領域が所望状態に形成されない不都合が生じる可能性もある。例えば液浸領域が所定の大きさより大きくなると、基板の外側に液体が流出する可能性が高くなる。また、基板ステージの移動条件によつては投影光学系の像面側に液体を良好に保持できない状況が発生する可能性があり、これによつても液浸領域に気体部分が生成されたり、基板の外側に液体が流出する不都合が生じる。液体が流出すると、その流出した液体により、基板を支持する基板ステージ周辺の機械部品等に鲭びを生じさせたり、あるいはステージ駆動系等の漏電を引き起こすといった不都合も生じる。また、液体が流出すると、その流出した液体の気化によって、例えば基板の置かれている環境（温度、湿度）が変動し、基板や基板ステージが熱変形したり、あるいは液体の気化によつて基板の位置情報などを計測する各種計測光の光路上の気体（空気）に揺らぎが生じ、露光精度や計測精度が劣化する。さらに、雷や地震などの天災や不測の事故が起こると、露光装置の電源が停電して液体回収装置が作動しないことにより前述の液体の流出が生じることがある。発明の開示本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液浸領域を良好に形成して、高い露光精度及び計測精度を得ることができる露 ^装置、露光方法及びそれらを用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す図 1〜図 1 7に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。本発明の第 1の態様に従えば、基板（P ) に液体（L Q ) を介して露光光（E. L ) を照射して前記基板を露光する露光装置であって：基板上に液体を供給する液体供給機構（ 1 0 ) と；投影光学系（P L ) と；前記液体供給機構から供給された液体の圧力を調整する圧力調整機構（9 0 ) を備える露光装置（E X ) が提供される。本発明によれば、液体供給機構（1 0) から供給された液体（LQ) の圧力を圧力調整機構（90) を使って調整することで、例えば液体（LQ) の圧力変動に伴う基板（P) や基板ステージ（P S T) の変形、あるいは投影光学系（P L、 2) の変位や振動の発生を防止することができる。したがって、高い露光精度及び計測精度を得ることができる。本発明の第 2の態様に従えば、液体（LQ) を介して基板（P) に露光光（E L) を照射して前記基板を露光する露光装置であって：投影光学系（P L) と；前記液体を供給するための液体供給機構（1 0) と；前記投影光学系の像面側の気体を排出する排気機構（90、 92) とを備え；前記排気機構の排気口（ 98 A、 98 B ) は、前記液体供給機構（1 0) の液体供給口（ 1 3 A、 1 3 B ) よりも前記投影光学系（P L) による投影領域の近くに配置され、前記液体供給機構による液体供給は、前記排気機構（90、 92) による気体の排出を行いながら開始される露光装置（'ΕΧ) が提供される。本発明によれば、投影光学系（P L) の投影領域（ A R 1 ) の近くに配置された排気口（ 98 A、 98 B) を介して投影光学系（P L) の像面側の気体の排出を行いながら、液体供給機構（ 1 0) による液体（LQ) の供給を開始することにより、その排気口（98A、 98 B) 近傍が負圧化されるので、供給された液. 体（LQ) は前記負圧化された負圧化領域に円滑に配置される。したがって、投影光学系（P L) の像面側に形成される液浸領域（ A R 2 ) に気体部分が生成される不都合を防止することができ、高い露光精度及び計測精度を得ることができる ο 本発明の第 3の態様に従えば、液体（LQ) を介して基板（P) に露光光（E L ) を照射して前記基板を露光する露光装置であって：投影光学系（P L) と；液体（ L Q ) を供給するための液体供給機構（ 1 0 ) と；投影光学系（ P L ) の投影領域（ A R 1 ) に対して液体供給機構（1 0) の液体供給口（ 1 3 A、 1 3 B ) の外側に液体回収口（ 23 A、 23 B) を有する第 1液体回収機構（ 20 ) と；第 1液体回収機構（20) とは別の駆動源（ 1 00 B ) を有し、投影光学系 (P L) の投影領域（ A R 1 ) に対して第 1液体回収機構（20) の液体回収口 ( 23 A、 23 B) の外側に液体回収口（ 43 A、 43 B) を有する第 2液体回収機構（40) とを備える露光装置（EX) が提供される。本発明によれば、第 1液体回収機構（20) の液体回収口（ 23 A、 23 B) で回収しきれなかった液体（LQ) は、第 2液体回収機構（40) の液体回収口 (43A、 43 B) を介して回収されるので、液体（LQ) の流出を防止することができる。また、第 1液体回収機構（20) を駆動する駆動源（ 1 00A) に異常が生じても、第 2液体回収機構（40) は別の駆動源（ 1 00 B) で駆動されるので、第 2液体回収機構（40) で液体（LQ) を良好に回収することができ、液体（し Q) の流出を防止することができる。したがって、液体（LQ) の流出に起因する露光精度及び計測精度の劣化を防止することができる。本発明の第 4の態様に従えば、液体（LQ) を介して基板（P) に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置であって：投影光学系（P L) と；前記液体を供給するための液体供給機構（ 1 0) と；前記液体を回収するための液体回収機構（ 20 ) と；前記基板を保持する基板ステージ（ P S T ) とを備え；前記液体供給機構（1 0) と前記液体回収機構（20) とによって前記基板ステージ (P S T) 上に局所的に液浸領域（ A R 2 ) が形成されている状態で、前記基板ステージ（P S T) が第 1位置から第 2位置へほぼ直線的に移動するときに、前記第 1位置と前記第 2位置との間隔に応じて前記基板ステージの移動速度が異なる露光装置（EX) が提供される。本発明によれば、例えば第 1位置と第 2位置との間隔が長く、基板ステージ (P ST) が長距離を移動するような場合、液体（ L Q ) が流出したり、液体 (LQ) の枯渴ゃ剥離などによって気体部分が生成されるなど、投影光学系（P L) の像面側に液体（LQ) を良好に保持しておく：とが困難になる可能性があるが、そのような場合には基板ステージ（P S T) の移動速度を遅くすることで、投影光学系（P L) の像面側に液体（LQ) を良好に保持することができる。したがって、液体（LQ) の流出や液浸領域における気体部分の生成を防止し、液体（LQ) の流出や気体部分の生成などに起因する露光精度及び計測精度の劣化を防止することができる。一方、第 ·1位置と第 2位置との間隔が短く、基板ステージ（P S T) が長距離を移動しない場合、基板ステージ（P S T) の移動速度を速くすることで、スループッ卜を向上することができる。本願において、用語「基板ステージ（P S T) 上の液浸領域（A R 2) 」とは、「基板ステージ（ P S Τ ) に保持された基板（ Ρ ) 上の液浸領域（ A R 2 ) 」も含む。本発明の第 5の態様に従えば、液体を介して基板（P) に露光光（E L) を照射して、前記基板を露光する露光装置であって：投影光学系（P L) と；'前記液体を供給するための液体'供給機構（ 1 0) と；前記液体を回収するための液体回収機構（20) と；前記基板を保持する基ネ反ステージ（ P S T ) とを備え；前記液体供給機構（ 1 0) と前記液体回収機構（20) とによって前記基板ステージ (P S T) 上に局所的に液浸領域（A R 2) が形成されている状態で、前記基板ステージ（P S T) が第 1位置から第 2位置へほぼ直線的に移動するときに、前記第 1位置から前記第 2位置への前記基板ステージの移動方向に応じて前記基板ステージの移動速度が異なる露光装置（EX) が提供される。本発明によれば、例えば液体（LQ) の供給口（ 1 3) 及び回収口（23) の配置や大きさによっては、基板ステージ（P S T) の移動方向によって投影光学系（P L) の像面側に液体（LQ)，を良好に保持できずにその液体（LQ) が流出したり、あるいは液浸領域（AR 2) の液体（LQ) が枯渴したり剥離して気体部分が生成されるなどの不都合が生じる可能性があるが、基板ステージ（P S T) の移動方向に応じて基板ステージ（P S T) の移動速度を異ならせることで、液体（L Q) の流出や気体部分の生成などの不都合.の発生を防止することができ、露光精度及び計測精度の劣化を防止することができる。例えば基板ステージ（P ST) を液体回収力が弱い方向に移動させる場合などには、基板ステージ（P S T) の移動速度を遅くすることで、投影光学系（P L) の像面側に液体（LQ) を良好に保持することができる。一方、例えば液体回収力や液体供給力が強い方向に基板ステージ（P ST) を移動する場合には、基板ステージ（P S T) の移動速度を速くすることで、スループッ卜を向上することができる。本発明の第 6の態様に従えば、基板（P) 上にもたらされた液体（し Q) を介して基板（P) に露光光（E L) を照射して前記基板を露光する露光装置であつて：光透過部（ 70 T ) を有し且つ内部に液体の流路（ 1 4, 24, 44, 94, 96 ) が形成された流路形成部材（70) と；前記流路形成部材（70) の流路を通じて基板（P) と流路形成部材（70) の間に液体を供給する液体供給装置 (1 0) とを備え、基板（P) と流路形成部材（70) の間に供給された液体の圧力が前記流路（94， 96) を通じて供給される液体の流量により調節される露光装置が提供される。この露光装置では、流路形成部材と基板との間に液体が供給されるので、流路形成部材の流路を通じて供給される液体の流量を制御する . ことにより、基板上の液体が基板に及ぼす圧力を調節することができる。本発明の第 7の態様に従えば、基板（P) に液体（LQ) を介して露光光（E L) を照射して前記基板を露光する露光方法であって：基板（P) 上に液体（L Q) を供給することと；基板上に供給した液体（LQ) の圧力を調整することと；液体（LQ) を介して基板に露光光を照射して基板を露光することを含む露光方法が提供される。本発明によれば、供給された液体の圧力を調整することで、例えば液体の圧力変動に伴う基板や基板ステージの変形、変位、振動などの発生を防止することができる。本発明の第 8の態様に従えば、投影光学系（P L) と液体（LQ) とを介して基板（P) に露光光（E L) を照射して前記基板を露光する露光方法であって：前記液体を基板に液体（ L Q ) を供給することと；投影光学系（P L) の近傍に配置され、鉛直方向（Z方向）に関して、投影光学系（P L) の終端面（2A) よりも高い位置で気体を排気することと；液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光することを含む露光方法が提供される。この露光方法によれば、液浸領域を形成する液体内にバブルのような気体部分が生成される不都合が防止される本発明の第 9の態様に従えば、液体（LQ) を介して基板（P) 上に露光光 (E L) を照射して前記基板を露光する露光方法であって：前記液体（ L Q) を基板（P) に液体を供給することと；投影光学系（P L) に対して、液体が供給される位置よりも遠い位置で、第 1及び第 2液体回収機構（ 20, 40) により基板上の液体を回収することと；液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する,ことを含み；第 1及び第 2液体回収機構の駆動電源（ 1 00A，1 00 B) が異なる露光方法が提供される。本発明によれば、第 1液体回収機構を駆動する駆動源に異常が生じても、第 2液体回収機構は別の駆動源で駆動されるので、第 2液体回収機構で液体を'良好に回収することができ、液体の流出を防止することができる。本発明の第 1 0の態様に従えば、液体（LQ) を介して基板（P) 上に露光光を照射して前記基板（P) を露光する露光方法であって：液体（LQ) を介して基板（P) に露光光を照射して基板（P) を露光することと；基板を露光していないときに、基板上に液体を保持したまま基板（P) を第 1位置から第 2位置へ移動することと；その第 1位置と第 2位置との位置関係に応じて前記第 1位置から前記第 2位置への前記基板の移動速度を調整することを含む露光方法が提供される。本発明によれば、基板を、例えば、基板ステージで第 1位置から第 2位置へ移動する場合、移動距離や移動方向に応じて移動速度を調節することで、液体を基板上に良好に保持することができる。本発明の第 1 1の態様に従えば、第 1から第 6態様の露光装置を用いるデバイス製造方法が提供される。また、本発明の第 1 2の態様に従えば、第 7から第 1 0態様の露光方法を用いるデバイス製造方法が提供される。本発明によれば、液浸領域（A R 2 ) を良好に形成して高い露光精度及び計測精度を得ることができるので、所望の性能を有するデバイスを製造することがでさる。図面の簡単な説明図 1は、本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。

図 2は、基板ステージを示す平面図である。

図 3は、流路形成部材を示す斜視図である。

図 4は、流路形成部材を下面側から見た斜視図である。

図 5は、図 3の A— A断面矢視図である。

図 6は、図 3の B— B断面矢視図である。

図 7は、液浸領域及び予備液浸領域を示す模式図である。

図 8は、液浸領域及び予備液浸領域を示す模式図である。

図 9は、流路形成部材のうち第 4部材を除いた状態を示す斜視図である。

図 1 0は、流路形成部材のうち第 1、第 2部材を除いた状態を下面側から見た斜視図である。

図 1 1 ( a ) 〜（d ) は、本発明の露光装置の動作の一例を示す模式図である。図 1 2は、本発明の露光装置の別の実施形態を示す断面図である。

図 1 3は、本発明の露光装置の別の実施形態を示す模式図である。 - 図 1 4 ( a ) 〜（d ) は、図 1 3に示す露光装置の動作の一例を示す模式図であ。

図 1 5は、本発明の露光装置の動作の一例を示す平面図である。

図 1 6は、液体供給口及び液体回収口の別の実施形態を示す平面図である。

図 1 7は、半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチヤ一卜図である。発明を実施するための最良の形態以下、本発明の露光方法及び露光装置について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれらに限定されない。図 1は本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。図 1において、露光装置 E Xは、マスク Mを支持するマスクステージ M S丁と、基板 Pを支持する基板ステージ P S Tと、マスクステージ M S Tに支持されているマスク Mを露光光 E Lで照明する照明光学系 I Lと、露光光 E Lで照明されたマスク Mのバタ一ン像を基板ステージ P S Tに支持されている基板 Pに投影露光する投影光学系 P Lと、露光装置 E X全体の動作を統括制御する制御装置 C 0 N Tとを備えている。露光装置 E X全体は、電力会社から供 o給される商用電源（第 1駆動源） 1 0 0 Aからの寧力によって駆動されるようになっている。本実施形態の露光装置 E Xは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であつて、基板 P上に液体 L Qを供給する液体供給機構 1 0と、基板 P上の液体 L Q を回収する第 1液体回収機構 2 0及び第 2液体回収機構 4 0とを備えている。露光装置 E Xは、少なくともマスク Mのパターン像を基板 P上に転写している間、液体供給機構 1 0から供給した液体 L Qにより投影光学系 P Lの投影領域 A R 1 を含む基板 P上の一部に、投影領域 A R 1よりも大きく且つ基板 Pよりも小さい液浸.領域 A R 2を局所的に形成する。具体的には、露光装置 E Xは、投影光学系 P Lの像'面側終端部の光学素子 2と、その像面側に配置された基板 P表面との間に液体 L Qを満たす局所液浸方式を採用し、この投影光学系 P Lと基板 Pとの間の液体 L Q及び投影光学系 P Lを介してマスク Mを通過した露光光 E Lを基板 P に照射することによってマスク Mのパターンを基板 Pに投影露光する。また、後に詳述するように、露光装置 E Xは、液体供給機構 1 0から供給された液体 L Qの圧力を調整する圧力調整機構 9 0を備えている。圧力調整機構 9 0 は、液体供給機構 1 0から供給された液体 L Qに更に液体 L Qを追加可能な圧力調整用液体供給部 9 1 と、液体 L Qの一部を回収可能な圧力.調整用液体回収部 9 2とを備えている。圧力調整機構 9 0の動作は制御装置 C O N Tにより制御される o 本実施形態では、露光装置 E Xとしてマスク Mと基板 Pとを走査方向における互いに異なる向き（逆方向）に同期移動しつつマスク Mに形成されたパターンを基板 Pに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステツパ）を使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、投影光学系 P Lの光軸 A Xと一致する方向を Z軸方向、 Z軸方向に垂直な平面内でマスク Mと基板 Pとの同期移動方向（走査方向）を X軸方向、 Z軸方向及び X軸方向に垂直な方向（非走査方向）を Y軸方向とする。また、 X軸、 Y軸、及び Z軸まわりの回云（傾斜）方向をそれそれ、 0 Χ、 Θ Ί 及び方向とする。照明光学系 Iしは、マスクステージ M S Tに支持されているマスク Mを露光光 E Lで照明するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルィンテグレー夕、オプティカルィンテグレー夕からの露光光 E Lを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光 E Lによるマスク M上の照明領域をスリツト状に設定する可変視野絞り等を有している。マスク M上の所定の照明領域は照明光学系 I Uこより均一な照度分布の露光光 E Lで照明される。照明光学系 I Lから射出される露光光 E Lとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（g線、 h線、 i線）及び K r Fエキシマレ一ザ光（波長 2 4 8 n m ) 等の遠紫外光（D U V光）や、 A r Fエキシマレ—ザ光（波長 1 9 3 n m ) 及び F ₂レーザ光（波長 1 5 7 n m ) 等の真空紫外光（V U V光）などが用いられる。本実施形態においては A r Fエキシマレ一ザ光が用いられる。本実施形態において、液体 L Qには純水が用いられる。純水は A r Fエキシマレーザ光のみならず、例えば水銀ランプから射出される輝線（g線、 h線、 i 線）及び K「 Fエキシマレーザ光（波長 2 4 8 n m ) 等の遠紫外光（D U V光）も透過可能である。マスクステージ MS Tは、マスク Μを保持して移動可能であって、例えばマスク Μを真空吸着（又は静電吸着）により固定している。マスクステージ MS Τは、リニアモータ等を含むマスクステージ駆動装置 MS T Dにより、投影光学系 P L の光軸 A Xに垂直な平面内、すなわち XY平面内で 2次元移動可能及び θ Z方向に微少回転可能である。そして、マスクステージ MS Tは、 X軸方向に指定された走査速度で移動可能となっており、マスク Mの全面が少なくとも投影光学系 P Lの光軸 A Xを横切ることができるだけの X軸方向の移動ストロ一クを有している o マスクステージ MS T上にはマスクステージと共に移動する移動鏡 31が設けられている。また、移動鏡 31に対向する位置にはレーザ干渉計 32が設けられている。マスクステージ M S T上のマスク Mの 2次元方向の位置、及び方向の回転角（場合によっては 0Χ、 ΘΥ方向の回転角も含む）はレーザ干渉計 32 によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置 CO NTに出力される。制御装置 C 0 N Tは、レ一ザ干渉計 32の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置 MS T Dを駆動することでマスクステージ MS Tに支持されているマスク M の位置を制御する。投影光学系 P Lは、マスク Mのパターンを所定の投影倍率 3で基板 Pに投影露光する。投影光学系 P Lは基板 P側の先端部に設けられた光学素子（レンズ） 2 を含む複数の光学素子で構成されており、これら光学素子 2は鏡筒 P Kで支持されている。本実施形態において、投影光学系 P Lは、投影倍率 ;3が例えば 1 /4 あるいは 1/5の縮小系である。なお、投影光学系 P Lは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態の投影光学系 P Lの先端部の光学素子 2は鏡筒 P Kより露出しており、液浸領域 AR 2の液体 LQが接触する。光学素子 2は蛍石で形成されている。あるいは、蛍石表面に Mg F₂、 A 1₂0 S i 0₂等を付着させてもよい。蛍石、または Mg F₂、 A 1 0₃、 S i 0₂等は水との親和性が高いので、光学素子 2の液体接触面 2 Aのぼぼ全面に液体 LQを密着させることができる。すなわち、本実施形態においては光学素子 2の液体接触面 2 Aとの親和性が高い液体（水） L Qを供給するようにしているので、光学素子 2の液体接触面 2 Aと液体 L Qとの密着性が高く、光学素子 2と基板 Pとの間の光路を液体 L Qで確実に満たすことができる。なお、光学素子 2は、水との親和性が高い石英であってもよい。また、光学素子 2の液体接触面 2 Aに親水化（親液化）処理を施して、液体 L Qとの親和性をより高めるようにしてもよい。基板ステージ P S Tは、基板 Pを保持して移動可能であって、 XYステージ 5 1 と、 XYステージ 5 1上に搭載された Zチル卜ステージ 52とを含んで構成されている。 XYステージ 51は、ステージべ一ス S Bの上面の上方に不図示の非接触ベアリングである気体軸受（エアベアリング）を介して非接触支持されている。 XYステージ 5 1 (基板ステージ P S T) はステージべ一ス S Bの上面に対して非接触支持された状態で、リニアモー夕等を含む基板ステージ駆動装置 P S T Dにより、投影光学系 P Lの光軸 A Xに垂直な平面内、すなわち XY平面内で 2次元移動可能及び 0 Z方向に微小回転可能である。この XYステージ 5 1上に Zチル卜ステージ 52が搭載され、 Zチル卜ステージ 52上に不図示の基板ホルダを介して基板 Pが例えば真空吸着等により保持されている。 Zチル卜ステージ 52は、 Z軸方向、方向、及び方向にも移動可能に設けられている。基板ステージ駆動装置 P S T Dは制御装置 C 0 N Tにより制御される。基板ステージ P S T (Zチル卜ステージ 52) 上には、基板ステージ P S Tとともに投影光学系 P Lに対して移動する移動鏡 33が設けられている。また、移動鏡 33に対向する位置にはレーザ干渉計 34が設けられている。基板ステージ ' P S T上の基板 Pの 2次元方向の位置'、及び回転角はレ一ザ干渉計 34によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置 CO N Tに出力される。制御装置 C 〇 N Tはレ一ザ干渉計 34の計測結果に基づいてリニァモータ等を含む基板ステ —ジ駆動装置 P S T Dを駆動することで基板ステー P S Tに支持されている基板 Pの位置決めを行う。また、露光装置 EXは、基板ステージ P S Tに支持されている基板 Pの表面の位置を検出する後述するフォーカス ■ レべリング検出系（80) を備えている。フォーカス · レべリング検出系の受光結果は制御装置 CON Tに出力される。制御装置 CON Tはフォーカス ■ レべリング検出系の検出結果に基づいて、基板 P 表面の Z軸方向の位置情報、及び基板 Pの 0 X及び 0 Y方向の傾斜情報を検出することができる。 Zチル卜ステージ 52は、基板 Pのフォーカス位置及び傾斜角を制御して基板 Pの表面を才ー卜フォーカス方式、及び才ートレベリング方式で投影光学系 P Lの像面に合わせ込み、 XYステージ 51は基板 Pの X軸方向及び Y軸方向における位置決めを行う。なお、 Zチル卜ステージと XYステージとを一体的に設けてよいことは言うまでもない。基板ステージ P S Tの近傍には、基板 P上のァライメン卜マークあるいは基板ステージ P S T (Zチルトステージ 52) 上に設けられた基準マーク（後述）を検出する基板ァライメン卜系（不図示）が設けられている。また、マスクステージ MS Tの近傍には、マスク Mと投影光学系 P Lとを介して基板ステージ P S T (Zチル卜ステージ 52) 上の基準マークを検出するマスクァライメント系 36 0が設けられている。マスクァライメン卜系 360は、所謂 TTM (スルー - ザ .マスク）方式（あるいは T T R (スルー ·ザ■ レチクル）方式ともいう）のァライメン卜系を構成している。なお、基板ァライメン卜系の構成としては、例えば特開平 4— 65603号公報に開示されているものを用いることができ、マスクァライメン卜系 360の構成としては、例えば特開平 7— 1 76468号公報に開示されているものを用いることができる。また、基板ステージ P S T (Zチル'卜ステージ 52) 上には、基板ステージ P S Tに保持された基板 Pを囲むようにプレート部材 56が設けられている。プレ一卜部材 56は環状部材であって、基板 Pの外側に配置されている。プレー卜部材 56は、基板ステージ P S Tに保持された基板 Pの表面とぼぼ同じ高さ（面一）の平坦面（平坦部） 5 7を有している。平坦面 5 7は、基板ステージ P S T に保持された基板 Pの外側の周囲に配置されている。プレート部材 5 6は、例えばポリ四フッ化工チレン（テフロン（登録商標））などの撥液性を有する材料によって形成されている。そのため、平坦面 5 7は撥液性を有する。なお、例えば所定の金属などでプレー卜部材 5 6を形成し、その金属製のプレー卜部材 5 6の少なくとも平坦面 5 7に対して撥液処理を施すことで、平坦面 5 7を撥液性にしてもよい。プレート部材 5 6 (平坦面 5 7 ) の撥液処理としては、例えば、ポリ四フッ化工チレン等のフッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、シリコン系樹脂材料等の撥液性材料を塗布、あるいは前記撥液性材料からなる薄膜を貼付する。また、表面処理のための膜は、単層膜であってもよいし複数の層からなる膜であってもよい。撥液性にするための撥液性材料としては液体 L Qに対して非溶解性の材料が用いられる。また、撥液性材料の塗布領域としては、プレー卜部材 5 6の表面全域に対して塗布してもよいし、例えば平坦面 5 7など撥液性を必要とする一部の領域のみに対して塗布するようにしてもよい。基板 Pの周囲に、基板 P表面とほぼ面一の平坦面 5 7を有するプレー卜部材 5 6を設けたので、基板 Pのエッジ領域 Eを液浸露光するときにおいても、基板 P のエッジ部の外側には段差部がほぼ無いので、投影光学系 P Lの下に液体 L Qを保持し、投影光学系 P Lの像面側に液浸領域 A R 2を良好に形成することができる。また、平坦面 5 7を撥液性にすることにより、液浸露光中における基板 P外側（平坦面 5 7外側）への液体 L Qの流出を抑え、また液浸露光後においても液体 L Qを円滑に回収できて、平坦面 5 7上に液体 L Qが残留することを防止することができる。なお本実施形態においては、プレート部材 5 6は、基板 Pの周囲だけに形成されているが、基板ステージ P S T ( Zチル卜ステージ 5 2 ) 上のぼぼ全面に配置するようにしてもよい。この場合、移動鏡 3 3の上面も、基板ステージ P S丁の上面とほぼ面一にしてもよい。また、投影光学系 P Lの像面側の光路空間に液体 L Qを良好に保持できるならば、基板ステージ P S T上面と基板ステージ P S T に保持された基板 Pの表面とにわずかな段差があつてもよい。液体供給機構 1 0は、所定の液体 L Qを投影光学系 P Lの像面側に供給するためのものであって、液体 L Qを送出可能な液体供給部 1 1 と、液体供給部 1 1にその一端部を接続する供給管 1 2 ( 1 2 A s 1 2 B ) とを備えている。液体供給部 1 1は、液体 L Qを収容するタンク、及び加圧ポンプ等を備えている。基板 P 上に液浸領域 A R 2を形成する際、液体供給機構 1 0は液体 L Qを基板 P上に供給する。なお、液体供給部 1 1のタンク、加圧ポンプは、必ずしも露光装置 E X が備えている必要はなく、露光装置 E Xが設置される工場などの設備を代用することもでき。第 1液体回収機構 2 0は、投影光学系 P Lの像面側の液体 L Qを回収するためのものであって、液体 L Qを回収可能な第 1液体回収部 2 1 と、第卜液体回収部 2 1にその一端部を接続する回収管 2 2 ( 2 2 A、 2 2 B ) とを備えている。.第 1液体回収部 2 1は例えば真空ポンプ等の真空系（吸引装置）、回収された液体 L Qと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体 L Qを収容するタンク等を備えている。なお真空系として、露光装置 E Xに真空ポンプを設けずに、露光装置 E Xが配置される工場の真空系を用いるようにしてもよい。基板 P上に液浸領域 A R 2を形成するために、第 1液体回収機構 2 0は液体供給機構 1 0より供給された基板 P上の液体 L Qを所定量回収する。第 2液体回収機構 4 0は、投影光学系 P Lの像面側の液体 L Qを回収するためのものであって、液体 L Qを回収可能な第 2液体回収部 4 1 と、第 2液体回収部 4 1にその一端部を接続する回収管 4 2 ( 4 2 A、 4 2 B ) とを備えている。第 2液体回収部 4 1は例えば真空ポンプ等の真空系（吸引装置）、回収された液体 L Qと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体 L Qを収容する夕ンク等を備えている。なお真空系として、露光装置 E Xに真空ポンプを設けずに、露光装置 E Xが配置される工場の真空系を用いるようにしてもよい。なお、基板 P (基板ステージ P S T ) 上に局所的に液浸領域 A R 2を形成するための機構は、上述に限られず、例えば米国特許公開第 2 0 0 4 / 0 2 0 7 8 2号公報や国際公開第 2 0 0 4 / 0 5 5 8 0 3号公報に開示されている機構を採用することもでき、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、これらの文献の記載内容を援用して本文の記載の一部とする。また、第 2液体回収機構 4 0は、第 1液体回収機構 2 0を含む露光装置 E X全体の駆動源である商用電源 1 0 0 Aとは別の無停電電源（第 2駆動源） 1 0 0 B を有している。無停電電源 1 0 0 Bは、例えば商用電源 1 0 0 Aの停電時に、第 2液体回収機構 4 0の駆動部に対して電力（駆動力）を供給する。なお、第 2液体回収機構 4 0に電力を供給する電源 1 0 0 Bは、無停電電源であることが望ましいが、 '商用電源 1 0 O Aと同一のものであってもよい。この場合、電力会社からの電力供給が停止されない限り、電源 1 0 0 A、 1 0 0 Bのいずれか一方に異常,が生じても、他方の電源から供給される電力で駆動する液体回収機構を使つて液浸領域 A R 2を形成する液体 L Qを回収することができる。

Zチルトステージ 5 2のうちプレー卜部材 5 6の外側には、基板 Pの外側に流出した液体 L Qを回収する第 3液体回収機構 6 0を構成する液体回収口 6 1が設けられている。液体回収口 6 1はプレー卜部材 5 6を囲むように形成された環状の溝部であって、その内部にはスポンジ状部材ゃ多孔質体等からなる液体吸収部材 6 2が配置されている。液体吸収部材 6 2は交換可能である。また、液体回収口 6 1には基板ステージ P S T内部に形成された回収流路の一端部が接続され、その回収管の他端部は基板ステージ P S Tの外側に設けられた第 3液体回収部 (いずれも不図示）が接続されている。第 3液体回収部は、第 1、第 2液体回収部同様、真空ポンプ等の真空系（吸引装置）、回収された液体 L Qと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体 L Qを収容するタンク等を備えている。なお、第 3液体回収部の真空系、気液分離器、タンクなどは、必ずしも露光装置 E Xが備えている必要はなく、露光装置 E Xが設置される工場などの設備を代用することもできる。第 3液体回収機構 6 0を設けたことにより、仮に液体 L Q'が基板 P及びプレー卜部材 5 6の外側に流出したとしても、その流出した液体 L Qを回収することができ、流出した液体 L Qの気化による基板 Pの置かれてし、る環境変動等の不都合の発生を防止することができる。なお、第 3液体回収機構 6 0 (第 3液体回収部）に真空系を設けずに、液体吸収部材 6 2で回収した液体 L Qを自重により基板ステージ P S Tの外側に垂れ流す構成であってもよい。更に、真空系を含む第 3液体回収部を設けずに、基板ステージ P S T上に液体吸収部材 6 2のみを配置しておき、液体 L Qを吸収した液体吸収部材 6 2を定期的に（例えば 1 ロッ卜毎に）交換する構成としてもよい。この場合、基板ステージ P S Tは液体 L Qにより重量変動するが、液体吸収部材 6 2で回収した液体 L Qの重量に応じてステ一ジ制御パラメータを変更ることで、ステージ位置決め精度を維持できる。投影光^系 P Lの終端部の光学素子 2の近傍には流路形成部材 7 0が配置されている。流路形成部材 7 0は、中央に開口部 7 0 B (光透過部）力形成された環状部材であり、開口部 7 0 Bには光学素子 2が収容される。すなわち、流路形成部材 7 0は、基板 P (基板ステージ P S T ) の上方において光学素子 2の周りを囲むように設けらている。流路形成部材 7 0は、例えばアルミニウム、チタン、ステンレス鋼、ジュラルミン、及びこれらを含む合金によって形成可能である。あるいは、流路形成部材 7 0は、ガラス（石英）等の光透過性を有する透明部材 (光学部材）によって構成されてもよい。流路形成部材 7 0は、基板 P (基板ステージ P S T ) の上方に設けられ、その基板 P表面に対向するように配置された液体供給口 1 3 ( 1 3 A、 1 3 B ) を備えている。本実施形態において、流路形成部材 7 0は 2つの液体供給口 1 3 A、 1 3 Bを有している。液体供給口 1 3 A、 1 3 Bは流路形成部材 7 0の下面 7 0 Aに設けられている。また、流路形成部材 70は、その内部に液体供給口；！ 3 ( 1 3 A、 1 3 B) に対応した供給流路 1 4 ( 1 4A、 1 4 B) を有している。供給流路 1 4A、 1 4 Bの一端部は供給管 1 2 A、 1 2 Bを介して供給部 1 1にそれぞれ接続され、他端部は液体供給口 1 3 A、 1 3 Bにそれぞれ接続されている。供給管 1 2 A、 1 2 Bの途中には、液体供給部 1 1から送出され、液体供給口 1 3 A、 1 3 Bのそれぞれに対する単位時間あたりの液体供給量を制御するマスフローコントローラと呼ばれる流量制御器 1 6A、 1 6 Bがそれぞれ設けられている。流量制御器 1 6 ( 1 6 A、 1 6 B) による液体供給量の制御は制御装置 C 0 N Tの指令信号の下で行われる。更に、流路形成部材 70は、基板 P (基板ステージ P S T) の上方に設けられ、その基板 P表面に対向するように配置された液体回収口 23を備えている。本実施形態において、流路形成部材 70は 2つの液体回収口 23 A、 23 Bを有している。液体回収口 23 A、 23 Bは流路形成部材 70の下面 7 OAに設けられている。また、流路形成部材 70は、その内部に液体回収口 23 ( 23 A、 23 B) に対応した回収流路 24 ( 24 A、 24 B) を有している。回収流路 24 A、 24 Bの一端部は回収管 22 A、 22 Bを介して第 1液体回収部 2 1にそれぞれ接続され、他端部は液体回収口 23 A、 23 Bにそれぞれ接続されている。更に、流路形成部材 70は、基板 P (基板ステージ P S T) の上方に設けられ、その基板 P表面に対向するように配置された補助液体回収口 43を備えている。本実施形態において、流路形成部材 70は 2つの補助液体回収口 43 A、 43 B を有している。補助液体回収口 43 A、 43 Bは流路形成部材 70の下面 7 OA . に設けられている。また、流路形成部材 70は、その内部に補助液体回収口 43 (43 A、 43 B) に対応した回収流路 44 (44 A、 44 B) を有している。回収流路 44 A、 44 Bの一端部は回収管 42 A、 42 Bを介して第 2液体回収部 41にそれぞれ接続され、他端部は補助液体回収口 43 As 43 Bにそれぞれ接続されている。本実施形態において、流路形成部材 70は、液体供給機構 1 0、第 1液体回収機構 20、及び第 2液体回収機構 40それぞれの一部を構成している。そして、液体供給機構 1 0を構成する液体供給口 1 3 A、 1 3 Bは、投影光学系 P Lの投影領域 A R 1を挟んだ X軸方向両側のそれぞれの位置に設けられており、第 1液体回収機構 20を構成する液体回収口 23 A、 23 Bは、投影光学系 P Lの投影領域 A R 1に対して液体供給機構 1 0の液体供給口 1 3 A、 1 3 Bの外側に設けられており、第 2液体回収機構 40を構成する補助液体回収口 43 A、 43 Bは、投影光学系 P Lの投影領域 A R 1に対して第 1液体回収機構 20の液体回収口 2 3 As 23 Bの外側に設.'けられている。液体供給部 1 1及び流量制御器 1 6の動作は制御装置 CON Tにより制御される。基板 P上に液体 LQを供給する際、制御装置 CO N Tは、液体供給部 1 1より液体 LQを送出し、供給管 1 2 A、 1 2 B、及び供給流路 1 4A、 1 4 Bを介して、基板 Pの上方に設けられている液体供給口 1 3 A、 1 3 Bより基板 P上に液体 LQを供給する。このとき、液体供給口 1 3 A、 1 3 Bは投影光学系 P Lの投影領域 A R 1の両側に配置されており、その液体供給口 1 3 A、 1 3 Bを介して、投影領域 A R 1の両側から液体 LQを供給可能である。また、液体供給口 1 3 A、 1 3 Bのそれぞれから基板 P上に供給される液体 LQの単位時間あたりの量は、供給管 1 2A、 1 2 Bのそれぞれに設けられた流量制御器 1 6 A、 1 6 B により個別に制御可能である。第 1液体回収部 21の液体回収動作は制御装置 CON Tにより制御される。制御装置 C 0 N Tは、第 1液体回収部 21による単位時間あたりの液体回収量を制御可能である。基板 Pの上方に設けられた液体回収口 23 A_N 23 Bから回収された基板 P上の液体 L Qは、流路形成部材 7 0の回収流路 2 4 A、 2 4 B、及び回収管 2 2 A、 2 2 Bを介して第 1液体回収部 2 1 (こ回収される。第 2液体回収部 4 1の液体回収動作は制御装置 C 0 N Tにより制御される。制御装置 C O N Tは、第 2液体回収部 4 1による単位時間あたりの液体回収量を制御可能である。基板 Pの上方に設けられた補助液体回収口 4 3 A、 4 3 Bから回収された基板 P上の液体 L Qは、流路形成部材 7 0の回収流路 4 4 A、 4 4 B、及び回収管 4 2 A、 4 2 Bを介して第 2液体回収部 4 1に回収される。また、第 2液体回収機構 4 0は無停電-電源 1 0 0 Bにより常時駆動している。例えば、商用電源 1 0 0 Aが停電した場合、第 1液体回収機構 2 0の液体回収動作は停止するが、第 2液体回収機構 4 0の第 2液体回収部 4 1は、無停電電源 1 0 0 Bより供給される電力で駆動される。この場合、第 2液体回収部 4 1を含む第 2液体回収機構 4 0の液体回収動作は、制御装置 C O N Tに制御されず、例えば第 2液体回収機構 4 0に内蔵された別の制御装置からの指令信号に基づいて制御される。あるいは、商用電源 1 0 O Aの停電時においては、無停電電源 1 0ひ Bは、第 2 液体回収機構 4 0に加えて制御装置 C 0 N Tにも電力を供給するようにしてもよい。この場合、その無停電電源 1 0 0 Bからの電力によって駆動される制御装置 C 0 N Tが、第 2液体回収機構 4 0の液体回収動作を制御するようにしてもよし、。なお、本実施形態において、供給管 1 2 A、 1 2 Bは 1つの液体供給部 1 1に接続されているが、供給管の数に対応した液体供給部 1 1を複数（例えば、 2 つ）設け、供給管 1 2 A、 1 2 Bのそれぞれを前記複数の液体供給部 1 1のそれそれに接続するようにしてもよい。また、回収管 2 2 A、 2 2 Bは、 1つの液体回収部 2 1に接続されているが、回収管の数に対応した第 1液体回収部 2 1を複数（例えば、 2つ）設け、回収管 2 2 A s 2 2 Bのそれぞれを前記複数の第 1液体回収部 2 1のそれぞれに接続するようにしてもよい。同様に、回収管 4 2 A、 4 2 Bは、 1つの液体回収部 4 1に接続されているが、回収管の数に対応した第 2液体回収部 4 1を複数（例えば、 2つ）設け、回収管 4 2 A、 4 2 Bのそれぞれを前記複数の第 2液体回収部 4 1のそれぞれに接続するようにしてもよい。投影光学系 P Lの光学素子 2の液体接触面 2 A、及び流路形成部材 7 0の下面 (液体接触面） 7 O Aは親液性（親水性）を有している。本実施形態においては、光学素子 2及び流路形成部材 7 0の液体接触面に対して親液処理が施されており、その親液処理によつて光学素子 2及び流路形成部材 7 0の液体接触面が親液性となっている。換言すれば、基板ステージ P S Tに保持された基板 Pの被露光面 (表面）と対向する部材の表面のうち少なくとも液体接触面は親液性となっている。本実施形態における液体 L Qは極性の大きい水であるため、親液処理（親水処理.）としては、例えばアルコールなど極性の大きい分子構造の物質で薄膜を形 . 成することで、この光学素子 2ゃ流路形成部材 7 0の液体接触面に親水性を付与する。すなわち、液体 L Qとして水を用いる場合には O H基など極性の大きい基を分子中に持った物質を前記液体接触面に設ける処理を行うのが望ましい。あるいは、 M g F ₂、 A 1 ₂ 0₃、 S i 0₂などを前記液体接触面に設けてもよい。なお、本実施形態においては、流路形成部材 7 0の下面（基板 P側を向く面） 7 0 Aはほぼ平坦面であるが、流路形成部材 7 0の下面 7 0 Aのうち投影光学系 P Lに対して補助液体回収口 4 3 ( 4 3 A _s 4 3 B ) より外側の領域に、 X Y平面に対して傾斜した面、具体的には投影領域 A R 1 (液浸領域 A R 2 ) に対して外側に向かうにつれて基板 Pの表面に対して離れるように（上に向かうように）傾斜する所定長さを有する傾斜面（トラップ面）を設けてもよい。こうすることにより、基板 Pの移動に伴って投影光学系 Pしと基板 Pとの間の液体 L Qが流路形成部材 7 0の下面 7 O Aの外側に流出しょうとしても、トラップ面で捕捉されるため、液体 L Qの流出を防止することができる。ここで、卜ラップ面に親液処理を施して親液性 (こすることで、補助液体回収口 4 3の外側に流出した液体 L Q は卜ラップ面で捕捉される。なお、基板 Pの表面に塗布されている膜（フ才トレジス卜等の感光材膜や、反射防止膜あるいは液体から感光材を保護する膜等）が撥液性（撥水性）の場合には、補助液体回収口.4 3の外側に流出した液体 L Qをより確実に卜ラップ面で捕捉できる。図 2は基板ステージ P S T ( Zチル卜ステージ 5 2 ) を上方から見た平面図である。図 2において、平面視矩形状の Zチル卜ステージ 5 2の互いに垂直な 2つの縁部に移動鏡 3 3が設けられている。また、 Zチル卜ステージ 5 2のほぼ中央部に、基板 Pを保持する Zチルトステージ 5 2の一部を構成する基板ホルダ Ρ Ή が配置されている。基板 Pの周囲には、基板 Pの表面とほぼ同じ高さ（面一）の平坦面 5 7を有するプレー卜部材 5 6が設けられている。プレート部材 5 6は環状部材であって、基板ホルダ P Hに保持された基板 Pを囲むように配置されている o また、 Zチル卜ステージ 5 2 (基板ステージ P S T ) 上のうち、プレー卜部材 5 6の外側の所定位置には、基準部材 3 0 0が配置されている。基準部材 3 0 0 には、前記基板ァライメント系により検出される基準マーク P F Mと、マスクァライメント系 3 6 0により検出される基準マーク M F Mとが所定の位置関係で設けられている。また、基準部材 3 0 0の上面 3 0 1はほぼ平坦面となっており、フォーカス · レべリング検出系の基準面として使ってもよい。更に、基準部材 3 0 0の上面 3 0 1は基板 P表面、プレート部材 5 6の表面（平坦面） 5 7とほぼ同じ高さ（面一）に設けられている。また、 Zチル卜ステージ 5 2 (基板ステージ P S T ) 上のうち、プレート部材 5 6の外側の所定位置には、光学センサとして例えば特開昭 5 7 - 1 1 7 2 3 8 号公報に開示されているような照度ムラセンサ 4 0 0が配置されている。照度ムラセンサ 4 0 0は平面視矩形状の上板 4 0 2を備えている。上板 4 0 2の上面 4 0 1はほぼ平坦面となっており、基板 P表面、プレー卜部材 5 6の表面（平坦面） 5 7とぼぼ同じ高さ（面一）に設けられている。上板 4 0 2の上面 4 0 1には、光を通過可能なピンホール部 4 0 3が設けられている。上面 4 0 1のうち、ピンホール部 4 0 3以外はクロムなどの遮光性材料で覆われている。また、 Zチル卜ステージ 5 2 (基板ステ一ジ P S T ) 上のうち、プレート部材 5 6の外側の所定位置には、光学センサとして例えば特開 2 0 0 2— 1 4 0 0 5 号公報に開示されているような空間像計測センサ 5 0 0が設けられている。空間像計測センサ 5 0 0は平面視矩形状の上板 5 0 2を備えている。上板 5 0 2の上面 5 0 1はほぼ平坦面となっており、フォーカス ■ レべリング検出系の基準面として使ってもよい。そして、上板 5 0 2の上面 5 0 1は基板 P表面、プレート部材 5 6の表面（平坦面） 5 7とほぼ同じ高さ（面一）に設けられている。上板 5 0 2の上面 5 0 1には、光を通過可能なスリッ卜部 5 0 3が設けられている。上面 5 0 1のうち、スリヅ卜部 5 0 3以外はクロムなどの遮光性材料で覆われてい o また、不図示ではあるが、 Zチル卜ステージ 5 2 (基板ステージ P S T ) 上には、例えば特開平 1 1 一 1 6 8 1 6号公報に開示されているような照射量センサ (照度センサ）も設けられており、その照射量センサの上板の上面は基板 P表面やプレー卜部材 5 6の表面（平坦面） 5 7とほぼ同じ高さ（面一）に設けられている _Q 本実施形態における露光装置 E Xは、マスク Mと基板 Pとを X軸方向（走査方向）に移動しながらマスク Mのパターン像を基板 Pに投影露光するものであって、走査露光時には、液浸領域 A R 2の液体 L Q及び投影光学系 P Lを介してマスク Mの一部のパターン像が投影領域 A R 1内に投影され、マスク Mがー X方向（又は + X方向）に速度 Vで移動するのに同期して、基板 Pが投影領域 A R 1に対して + X方向（又は— X方向）に速度 3 · V ( 3は投影倍率）で移動する。そして、図 2に示すように、基板 P上には複数のショヅト領域 S 1〜S 1 2が設定されており、 1つのショウ卜領域への露光終了後に、基板 Pのステッピング移動によつて次のショッ卜領域が走査開始位置に移動し、以下、ステップ .アンド■スキヤン方式で基板 Pを移動しながら各ショット領域に対する走査露光処理が順次行われる。なお本実施形態では、制御装置 C O N Tは、投影光学系 P Lの光軸 A Xが図 2の破線矢印 5 8に沿って進むようにレーザ干渉計 3 4の出力をモニタしつつ X Yステージ 5 1を移動するものとする。図 2に示すように、投影光学系 P Lの投影領域 A R 1は、 Y軸方向を長手方向とし、 X軸方向を短手方向とした平面視矩形状に設定されている。なお、プレー卜部材 5 6のうち円環状に形成されている平坦面 5 7の幅は少なくとも投影領域 A R 1より大きく形成されていることが好ましい。これにより、基板 Pのエッジ領域 Eを露光するときにおいて、露光光 E Lはプレー卜部材 5 6の外側に照射されない。更には、平坦面 5 7の幅は、.投影光学系 P Lの像面側に形成される液浸領域 A R 2よりも大き〈形成されていることが好ましい。これにより、基板 Pの ' エッジ領域 Eを液浸露光するときに、液浸領域 A R 2はプレート部材 5 6の平坦面 5 7上に形成され、プレート部材 5 6の外側には形成されないので、液浸領域 A R 2の液体 L Qがプレー卜部材 5 6の外側に流出する等の不都合の発生を防止することができる。図 3は流路形成部材 7 0を示す概略斜視図である。図 3に示すように、流路形成部材 7 0は投影光学系 P Lの終端部の光学素子 2の周りを囲むように設けられた環状部材であって、第 1部材ァ 1 と、第 1部材 7 1の上部に配置される第 2部材 7 2と、第 2部材 7 2の上部に配置される第 3部材 7 3と、第 3部材 7 3の上部に配置される第 4部材 7 4とを備えている。流路形成部材 7 0を構成する第 1 〜第 4部材 7 1〜7 4のそれぞれは板状部材であって、その中央部に投影光学系 P L (光学素子 2 ) を配置可能な穴部 7 1 A〜7 4 Aを有している。第 1〜第 4部材 7 1〜7 4のそれぞれには、溝部や貫通穴が適宜形成されており、これら溝部や貫通穴を接続することで、第 1〜第 4部材 7 1〜7 4からなる流路形成部材 7 0の内部に、供給流路 1 4及び回収流路 2 4、 4 4が形成される。露光装置 E Xは、基板ステージ P S Tに保持されている基板 Ρ表面の面位置情報を検出するフ才一カス ' レべリング検出系 8 0を備えている。フォーカス - レベリング検出系 8 0は、所謂斜入射方式のフォーカス · 'レペリング検出系であつて、液浸領域 A R 2の液体し Qを介して基板 Ρに斜め方向（斜め上方）から検出光 L aを照射する投光部 8 1 と、基板 Pで反射した検出光 L aの反射光を受光する受光部 8 2とを備えている。なお、フォーカス ' レべリング検出系 8 0の構成としては、例えば特開平 8— 3 7 1 4 9号公報に開示されているものを用いることができる。流路形成部材 7 0のうち、 —Y側及び + Y側の側面のそれぞれには、中央部側 (投影光学系 P L側）に向かって凹む凹部 7 5、· 7 6がそれぞれ形成されている。 —方の凹部 7 5にはフォーカス■ レペリング検出系 8 0の投光部 8 1から射出された検出光 L aを透過可能な第 1光学部材 8 3が設けられ、他方の凹部 7 6には基板 P上で反射した検出光 L aを透過可能な第 2光学部材 8 4が設けられている。第 1光学部材 8 3及び第 2光学部材 8 4はフォーカス ■ レペリング検出系 8 0の光学系の一部を構成しているとともに、流路形成部材 7 0の一部を構成している。換言すれば、本実施形態においては、流路形成部材 7 0の一部がフォーカス ■ レベリング検出系 8 0の一部を兼ねている。そして、第 1光学部材 8 3及び第 2光学部材 8 4を含む流路形成部材 7 0は、投影光学系 P L先端の光学素子 2とは分離した状態で支持されている。なお、液体供給機構 1 0、第 1液体回収機構 2 0、及び第 2液体回収機構 4 0 の流路の一部を形成する流路形成部材 7 0から、第 1光学部材 8 3及び第 2光学部材 8 4を分離して、流路形成部材 7 0と第 1、第 2光学部材 8 3 , 8 4とを分離して支持してもよい。投光部 8 1及び受光部 8 2は投影光学系 P Lの投影領域 A R 1を挟んでその両側にそれぞれ設けられている。図 3に示す例では、投光部 8 1及び受光部 8 2は投影領域 A R 1を挟んで土 Y側のそれぞれにおいて投影領域 A R 1に対して離れた位置に設けられている。フォーカス ' レべリング検出系 8 0の投光部 8 1は、基板 P表面に投影光学系 P Lの光軸 A Xに対して所定の入射角 Θで検出光 L aを照射する。投光部 8 1 から射出された検出光 L aは、第 1光学部材 8 3を通過し、基板 P上の液体 L Qを介して基板 P上に斜め方向（斜め上方）から入射角 0で照射される。基板 P上で反射した検出光 L aの反射光は、第 2光学部材 8 4を通過した後、受光部 8 2に受光される。ここで、フ才一カス ■ レペリング検出系 8 0 の投光部 8 1は、基板 P上に複数の検出光 L aを照射する。これにより、フォーカス · レべリング検出系 8 0は、基板 P上における例えばマトリクス状の複数の各点（各位潭）での各フォーカス位置を求めることができ、求めた複数の各点でのフォーカス位置に基づいて、基板 P表面の Z軸方向の位置情報、及び基板 Pの 0 X及び 0 Y方向の傾斜情報を検出することができる。制御装置 C O N Tは、ゥオーカス ' レべリング検出系 8 0の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置 P S T Dを介して基板ステージ P S Tの Zチルトステ —ジ 5 2を駆動することにより、 Zチルトステージ 5 2に保持されている基板 P の Z軸方向における位置（フォーカス位置）、及び Θ Χ、方向における位置を制御する（図 1参照）。すなわち、 Ζチル卜ステージ 5 2は、フォーカス . レベリング検出系 8 0の検出結果に基づく制御装置 C O N Τからの指令に基づいて動作し、基板 Pのフォーカス位置（Z位置）及び傾斜角を制御して基板 Pの表面 (被露光面）を才一卜フォーカス方式、及び才ー卜レペリング方式で投影光学系 P L及び液体 L Qを介して形成される像面に対して最適な状態に合わせ込む。また、図 3に示すように、露光装置 E Xは、液体供給機構 1 0から供給された液体 L Qの圧力を調整する圧力調整^構 9 0を備えている。圧力調整機構 9 0は、液体供給機構 1 0から供給された液体 L Qに更に液体 L Qを追加可能な圧力調整用液体供給部 9 1 と、液体 L Qの一部を回収可能な圧力調整用液体回収部 9 2とを備えている。圧力調整用液体供給部 9 1には供給管 9 3 ( 9 3 A、 9 3 B ) の一端部が接続されており、供給管 9 3 ( 9 3 A、 9 3 B ) の他端部は流路形成部材 7 0の内部に形成されている供給流路 9 4 ( 9 4 A、 9 4 B ) に接続されている。圧力調整用液体供給部 9 1は液体 L Qを収容するタンク、及び加圧ポンプ等を備えている。供給管 9 3 Aの他端部は流路形成部材 7 0の凹部 7 5に配置されている。流路形成部材 7 0の凹部 7 5における側面に供給流路 9 4 Aの一端部が形成されており、この供給流路 9 4 Aの一端部に供給管 9 3 Aの他端部が接続されている。また、供給管 9 3 Bの他端部は流路形成部材 7 0の凹部 7 6に配置されている。流路形成部材 7 0の凹部 7 6における側面に供給流路 9 4 Bの一端部が形成されており、この供給流路 9 4 Bの一端部に供給管 9 3 Bの他端部が接続されている。圧力調整用液体回収部 9 2には、回収管 9 5 ( 9 5 A、 9 5 B ) の一端部が接続されており、回収管 9 :5 ( 9 5 A、 9 5 B ) の他端部は流路形成部材 7 0の内部に形成されている回収流路 9 6 ( 9 6 A、 9 6 B ) の一端部に接続されている。圧力調整用液体回収部 9 2は、例えば真空ポンプ等の真空系（吸引装置）、回収された液体 L Qと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体 L Qを収容するタンク等を備えている。なお真空系として、露光装置 E Xに真空ポンプを設けずに、露光装置 E Xが配置される工場の真空系を用いるようにしてもよい。回収管' 9 5 Aの他端部は流路形成部材 7 0の凹部 7 5に配置されている。流路形成部材 7 0の凹部 7 5における側面に回収流路 9 6 Aの一端部が形成されており、この回収流路 9 6 Aの一端部に回収管 9 5 Aの他端部が接続されている。また、回収管 9 5 Bの他端部は流路形成部材 7 0の凹部 7 6に配置されている。流路形成部材 7 0の凹部 7 6における側面に回収流路 9 6 Bの一端部が形成されており、この回収流路 9 6 Bの一端部に回収管 9 5 Bの他端部が接続されている。図 4は流路形成部材 7 0を下面 7 O A側から見た斜視図である。図 4において、投影光学系 P Lの投影領域 A R 1は Y軸方向（非走査方向）を長手方向とする矩形状に設定されている。液体 L Qが満たされた液浸領域 A R 2 (図 1参照）は、投影領域 A R 1を含むように実質的に 2つの液体回収口 2 3 A、 2 3 Bで囲まれた領域内であって且つ基板 P上の一部に局所的に形成される。なお、液浸領域 A R 2は少なくとも投影領域 A R 1を覆っていればよく、必ずしも 2つの液体回収口 2 3 A、 2 3 Bで囲まれた領域全体が液浸領域にならなくてもよい。液体供給口 1 3 A、 1 3 Bは、基板 Pに対向する流路形成部材 7 0の下面 7 0 Aにおいて、投影領域 A R 1に対して走査方向（X軸方向）両側のそれぞれに設けられている。具体的には、液体供給口 1 3 Aは、流路形成部材 7 0の下面 7 0 Aのうち、投影領域 A R 1に対して走査方向一方側（一 X側）に設けられ、液体供給口 1 3 Bは他方側（+ X側）に設けられている。つまり液体供給口 1 3 A、 1 3 Bは投影領域 A R 1の近くに設けられ、走査方向（X軸方向）に関して投影領域 A R 1 を挟むようにその両側に設けられている。液体供給口 1 3 A、 1 3 B のそれぞれは、 Y軸方向.'に延びる平面視略コ字状（円弧状）のスリツ卜状に形成されている。流路形成部材 7 0の下面 7 O Aのうち Y軸方向両側端部には第 1、第 2光学部材 8 3、 8 4がそれぞれ配置されており、液体供給口 1 3 A、 1 3 B は、流路形成部材 7 0の下面 7 O Aのうち、第 1、第 2光学部材 8 3、 8 4が配置されている以外の領域に亘つて形成されている。そして、液体供給口 1 3 A、 1 3 Bの Y軸方向における長さは少なくとも投影領域 A R 1の Y軸方向における長さより長くなつている。液体供給口 1 3 A、 1 3 Bは、少なくとも投影領域 A R 1を囲むように設けられている。液体供給機構 1 0は、液体供給口 1 3 A、 1 3 Bを介して投影領域 A R 1の両側で液体 L Qを同時に供給可能である（図 1参照）。液体回収口 2 3 A、 2 3 Bは、基板 Pに対向する流路形成部材 7 0の下面 7 0 Aにおいて、投影領域 A R 1に対して液体供給機構 1 0の液体供給口 1 3 A、 1 3 Bの外側に設けられており、投影領域 A R 1に対して走査方向（X軸方向）両側のそれぞれに設けられている。具体的には、液体回収口 2 3 Aは、流路形成部材 7 0の下面 7 O Aのうち、投影領域 A R 1に対して走査方向一方側（― X側）に設けられ、液体回収口 2 3 Bは他方側（+ X側）に設けられている。液体回収口 2 3 A、 2 3 Bのそれぞれは、 Y軸方向に延びる平面視略コ字状（円弧状）のスリヅト状に形成されている。液体回収口 2 3 A、 2 3 Bは、流路形成部材 7 0 の下面 7 0 Aのうち、第 1、第 2光学部材 8 3、 8 4が配置されている以外の領域に亘つて形成されている。そして、液体回収口 2 3 A、 2 3 Bは、液体供給口 1 3 A 1 3 Bを囲むように設けられている。補助液体回収口 4 3 A、 4 3 Bは、基板 Pに対向する流路形成部材 7 0の下面 7 0 Aにおいて、投影領域 A R 1に対して第 1液体回収機構 2 0 (図 1参照）の液体回収口 2 3 A、 2 3 Bの外側に設けられており、投影領域 A R 1に対して走査方向（X軸方向）両側のそれぞれに設けられている。具体的には、ネ甫助液体回収ロ 4 3 Aは、流路形成部材 7 0の下面 7 0 Aのうち、投影領域 A R 1に対して走査方向一方側（一 X側）に設けられ、補助液体回収口 4 3 Bは他方側（+ X 側）に設けられている。補助液体回収口 4 3 A、 4 3 Bのそれぞれは、 Y軸方向に延びる平面視略コ字状（円弧状）のスリツ卜状に形成されている。補助液体回收ロ 4 3 A、 4 3 Bは、流路形成部材 7 0の下面 7 O Aのうち、第 1、第 2光学部材 8 3、 8 4が配置されている以外の領域に亘つて形成されている。そして、補助液体回収口 4 3 A、 4 3 Bは、液体供給口 1 3 A、 1 3 B及び液体回収口 2 3 A、 2 3 Bを囲むように設けられている。なお、液体供給口 1 3は投影領域 A R 1の X軸方向両側のそれぞれに 1つずつ設けられている構成であるが、複数に分割されていてもよく、その数は任意である。同様に、液体回収口' 2 3及び補助液体回!]又口 4 3のそれぞれも複数に分割されていてもよい。また、投影領域 A R 1 .の X軸方向両側に設けられた液体供給口 1 3のそれぞれは互いにほぼ同じ大きさ（長さ）に形成されているが、互いに異なる大きさであつてもよい。同様に、投影領域 A R 1の X軸方向両側に設けられた液体回収口 2 3のそれぞれが互いに異なる大きさであってもよいし、投影領域 A R 1の X軸方向両側に設けられた補助液体回収口 4 3のそれぞれが互いに異なる大きさであつてもよい。また、供給口 1 3のスリッ卜幅と回収口 2 3、 4 3のスリツ卜幅とは同じであつてもよいし、回収口 2 3、 4 3のスリツ卜幅を、供給口 1 3のスリツ卜幅より大きくしてもよいし、逆に回収口 2 3、 4 3のスリット幅を、供給口 1 3のスリッ卜幅より小さくしてもよい。また、流路形成部材 7 0 . (第 1部材 7 1 ) の下面 7 O Aには Y軸方向を長手方向とする凹部 7 8が形成されている。凹部 7 8によって形成された Y Z平面にほぼ平行な内壁面 7 8 Aには、液体 L Qの圧力を検出する圧力センサ 1 2 0が設けられている。圧力センサ 1 2 0は、投影光学系 P Lの光学素子 2の下面 2 A及び流路形成部材 7 0の下面 7 O Aと基板 Pとの間に形成された液浸領域 A R 2の液体 L Qの圧力を検出可能であって、その検出結果を制御装置 C O N Tに出力する。なお、圧力センサ 1 2 0の設置位置としては、液浸領域 A R 2の液体 L Qの流れに影響を及ぼさず、液浸領域 A R 2の液体 L Qに接触可能な位置（液体 L Qの圧力検出可能な位置）であればよい。そして、流路形成部材 7 0の下面 7 0 Aのうち、凹部 7 8の長手方向ぼぼ中央部に、投影光学系 P Lの先端部の光学素子 2が露出している。流路形成部材 7 0の下面 7 O Aにおいて、'凹部 7 8内に形成された X Y平面と平行な平坦部 7 8 Bには、投影光学系 P Lの投影領域 A R 1に対して非走査方向 ( Y軸方向）両側のそれぞれに、圧力調整用液体回収口（圧力調整用回収口） 9

8 A s 9 8 Bが設けられている。圧力調整用回収口 9 8 A、 9 8 Bは、流路形成部材 7 0の内部に形成されている回収流路 9 6 A s 9 6 Bの他端部のそれぞれに接続されている。そして、圧力調整用回収口 9 8 A、 9 8 Bのそれぞれは、回収流路 9 6 A、 9 6 B、及び回収管 9 5 A、 9 5 Bを介して圧力調整用液体回収部

9 2に接続されている。圧力調整用液体回収部 9 2が,駆動されることにより、圧力調整用回収口 9 8 A、 9 8 Bを介して液体し Qを回収することができる。圧力調整用回収口 9 8 Aは、流路形成部材 7 0の下面 7 0 Aに形成された凹部 7 8のうち、投影領域 A R 1に対して非走査方向一方側（一 Y側）に設けられ、圧力調整用回収口 9 8 Bは、他方側（+ Y側）に設けられている。そして、圧力調整用回収口 9 8 A、 9 8 Bは投影光学系 P Lによる投影領域 A R 1の近くに設けられ、投影光学系 P Lの投影領域 A R 1に対して液体供給機構 1 0の液体供給口 1 3 A、 1 3 Bよりも近くに配置されている。また、圧力調整用液体回収部 9 2は真空系を有しており、投影光学系 P Lの像面側の光学素子 2の近傍に配置されている圧力調整用回収口 9 8 A、 9 8 Bを介して、投影光学系 P Lの像面側の気体を排出する（負圧化する）ことができる。すなわち、圧力調整用液体回収部 9 2及び圧力調整用回収口 9 8 A、 9 8 Bを含む圧力調整機構 9 0は、投影光学系 P Lの像面側の気体を排気する排気機構としての機能を有している。なお、圧力調整機構 9 0とは別に、排気機構を設けてもよい。流路形成部材 7 0の下面 7 O Aにおいて、凹部 7 8内に形成された平坦部 7 8 Bには、投影光学系 P Lの投影領域 A R 1に対して非走査方向（Y軸方向）両側のそれぞれに、圧力調整用液体供給口（圧力調整用供給口） 9 7 A、 9 7 Bが設けられている。圧力調整用供給口 9 7 A、 9 7 Bは、流路形成部材 7 0の内部に形成されている供給流路 9 4 A、 9 4 Bの他端部のそれぞれに接続されている。そして、圧力調整用供給口 9 7 A、 9 7 Bのそれぞれは、供給流路 9 4 A、 9 4 B、及び供給管 9 3 A、 9 3 Bを介して圧力調整用液体 ί共給部 9 1に接続されている。圧力調整用液体供給部 9 1が駆動されることにより、圧力調整用供給口 9 7 A s 9 7 Bを介して液体 L Qを供給することができる。圧力調整用供給口 9 7 Aは、流路形成部材 7 0の下面 7 0 Aに形成された凹部 7 8のうち、投影領域 A R 1に対して非走査方向一方側（一 Y側）に設けられ、圧力調整用供給口 9 7 Bは、他方側（+ Y側）に設けられている。そして、圧力調整用供給口 9 7 A、 9 7 Bは投影光学系 P Lによる投影領域 A R 1の近くに設けられ、投影光学系 P Lの投影領域 A R 1に対して液体供給機構 1 0の液体供給口 1 3 A、 1 3 Bよりも近くに配置されている。そして、液体供給口 1 3 A、 1 3 Bは、投影領域 A R 1、圧力調整用供給口 9 7 ( 9 7 A、 9 7 B ) 、及び圧力調整用回収口 9 8 ( 9 8 A、 9 8 B ) を囲むように設けられている。なお、本実施形態においては、圧力調整用供給口 9 7 A、 9 7 Bは、投影光学系 Pしの投影領域 A R 1に対して圧力調整用回収口 9 8 A、 9 8 Bの外側に設けられているが、内側に設けられていてもよいし、圧力調整用供給口 9 7 A、 9 7 Bと圧力調整用回収口 9 8 A、 9 8 Bとが近接して設けられていてもよい。あるし、は、例えば圧力調整用供給口 9 7 A、 9 7 Bを X軸方向（又は Y軸方向）に関して投影領域 A R 1の両側のそれぞれに設け、圧力調整用回収口 9 8 A、 9 8 B を Y軸方向（又は X軸方向）に関して投影領域 A R 1の両側のそれぞれに設けてもよい。この場合、投影領域 A R 1に対する圧力調整用供給口 9 7 A、 9 7 Bの距離と、投影領域 A 1に対する圧力調整用回収口 9 8 A、 9 8 Bの距離とは、異なっていてもよいし、ぼぼ等しくてもよい。図 5は図 3の A— A断面矢視図、図 6は図 3の B— B断面矢視図である。図 5 に示すように、供給流路 1 4 A、 1 4 Bのそれぞれは、その一端部を供給管 1 2 A 1 2 Bに接続しており、他端部を液体供給口 1 3 A、 1 3 Bに接続している。また、供給流路 1 4 A、 1 4 Bのそれぞれは、水平流路部 1 4 hと鉛直流路部 1 4 sとを有している。液体供給部 1 1 (図 1参照）より供給管 1 2 A、 2 Bを介して供給された液体 L Qは、供給路 1 4 A、 1 4 Bに流入し、水平流路部 1 4 hをほぼ水平方向（X Y平面方向）に流れた後、ほぼ直角に曲げられて鉛直流路部 1 4 sを鉛直方向（一 Z方向）に流れ、液体供給口 1 3 A、 1 3 Bより基板 Pの上方より基板 P上に供給される。回収流路 2 4 A、 2 4 Bのそれぞれは、その一端部を回収管 2 2 A、 2 2日に接続しており、他端部を液体回収口 2 3 A、 2 3 Bに接続している。また、回収流路 2 4 A、 2 4 Bのそれぞれは、水平流路部 2 4 hと鉛直流路部 2 4 sとを有している。真空系を有する第 1液体回収部 2 1 (図 1参照）の駆動により、基板 P上の液体 L Qは、その基板 Pの上方に設けられ tいる液体回収口 2 3 A、 2 3 Bを介して回収流路 2 4 A、 2 4 bに鉛直上向き（+ Z方向）に流入し、鉛直流路部 2 4 sを流れる。このとき、液体回収口 2 3 A、 2 3 Bからは、基板 P上の液体 L Qとともにその周囲の気体（空気）も流入（回収）される。回収流路 2 4 A、 2 4 Bに + Z方向に流入した液体 L Qは、ほ ( 水平方向に流れの向きを変えられた後、水平流路部 2 4 hをほぼ水平方向に流れる。その後、回収管 2 2 A、 2 2 Bを介して第 1液体回収部 2 1に吸引回収される。回収流路 4 4 A、 4 4 Bのそれぞれは、その一端部を回収管 4 2 A、 4 2巳に接続しており、他端部を補助液体回収口 4 3 A、 4 3 Bに接続している。また、回收流路 .4 4 A、 4 4 Bのそれぞれは、水平流路部 4 4 hと鉛直流路部 4 4 sとを有している。真空系を有する第 2液体回収部 4 1 (図 1参照）の駆動により、基板 P上の液体 L Qは、補助液体回収口 4 3 A、 4 3 Bを介して回収流路 4 4 A、 4 4 bに鉛直上向き（+ Z方向）に流入し、鉛直流路部 4 4 sを流れる。このとき、補助液体回収口 4 3 A、 4 3日からば、基板 P上の液体 L Qとともにその周囲の気体（空気）も流入（回収）される。回収流路 4 4 A、 4 4 8に+∑方向に流入した液体 L Qは、ほぼ水平方向に流れの向きを変えられた後、水平流路部 4 4 hをほぼ水平方向に流れる。その後、回収管 4 2 A、 4 2 Bを介して第 2液体回収部 4 1に吸引回収される。流路形成部材 7 0と投影光学系 P L 'の光学素子 2との間には間隙部 Gが設けられている。間隙部 Gは、投影光学系 P Lの光学素子 2と流路形成部材 7 0とを振動的に分離するために設けられたものである。また、流路形成部材 7 0を含む液体供給機構 Γ0、第 1液体回収機構 2 0、及び第 2液体回収機構 4 0と、投影光学系 P Lとはそれぞれ別の支持機構で支持されており、振動的に分離されている。これにより、流路形成部材 7 0を含む液体供給機構 1 0、第 1液体回収機構 2 0、及び第 2液体回収機構 4 0で発生した振動が、投影光学系 P L側に伝達することを防止している。また、間隙部 Gを形成する流路形成部材 7 0の内側面 7 0 T、及び光学素子 2 の側面 2 Tのそれぞれは撥液性となっている。具体的には、内側面 7 0 T及び側面 2 Tのそれぞれは、撥液処理を施されることによって撥液性を有している。撥液処理としては、フッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、シリコン系樹脂材料等の撥液性材料を塗布、あるいは前記撥液性材料からなる薄膜を貼付する。また、表面処理のための膜は、単層膜であってもよいし複数の層からなる膜であってもよい。一方、上述したように、投影光学系 P Lの光学素子 2の液体接触面 2 A、及び第 1、第 2光学部材 8 3、 8 4の下面を含む流路形成部材 7 0の下面（液体接触面） 7 O Aは親液性（親水性）を有している。流路形成部材 7 0の下面 7 0 Aのうち、投影領域 A R 1に対して液体供給口 1 3 A 1 3 Bの外側には溝部 1 3 0が形成されている。液体回収口 2 3 A、 2 3 Bは、流路形成部材 7 0の下面 7 0 Aのうち溝部 1 3 0の内部に形成されている。溝部 1 3 0は、流路形成部材 7 0の下面 7 0 Aにおいて液体回収口 2 3に沿うように形成されているとともに、図 4及び 6から分るように、第 1、第 2光学部材 8 3、 8 4の下面においても連続して形成されており、投影領域 A R 1を囲むように環状に形成されている。また、投影領域 A R 1に対して溝部 1 3 0の外側には環状の壁部 1 3 1が形成されている。壁部 1 3 1は基板 P側に突出する凸部である。本実施形態において、壁部 1 3 1の下面 1 3 1 Aと基板 Pとの距離は、投影光学系 P Lの光学素子 2の下面 2 Aと基板 Pとの距離 Dとほぼ同じである。壁部 1 3 1は、溝部 1 3 0を含む壁部 1 ' 3 1の内側の領域の少なくとも一部に液体 L Qを保持可能である。図 7は液体供給口 1 3 A、 1 3 B、液体回収口 2 3 A、 2 3 B、溝部 1 3 0、及び壁部 1 3 1の位置関係を示す平面図である。液体供給口 1 3 A、 1 3日から供給された液体 L Qは、投影光学系 P Lの光学素子 2と基板 Pとの間に液浸領域 A R 2を形成するとともに、壁部 1 3 1の内側の領域である溝部 1 30の一部を満たし、予備液浸領域 A R 3を形成する。なお、溝部 1 30の全てが常に液体 L Qで満たされるわけではなく、その一部が液体 LQで満たされて、予備液浸領域 A R 3が形成される。このように、液体回収口 23 A、 23 Bの外側に壁部 1 3 1を設けて液体回収口 23 A、 23 Bを含むように溝部（バッファ部） 1 30を形成したことにより、液浸領域 A R 2の外側に液体 LQを保持する予備液浸領域 AR 3が形成される。ここで、液浸領域 A R 2の液体 L Qと予備液浸領域 A R 3 の液体 LQとは密接しており、液体 LQは液浸領域 A R 2と予備液浸領域 A R 3 との間を行き来（流通）可能である。光学素子 2等と同様、壁部 1 3 1及び溝部 1 30の表面は親液性であるので、液浸領域 A R 2の液体 LQと予備液浸領域 A R 3の液体 LQとは分離することなく連続する。液体供給機構 1 0から基板 P上に供給された液体 LQは、投影光学系 P Lの光学素子 2 Aと基板 Pとの間を液体 LQで満たして投影領域 A R 1を覆うように液浸領域 A R 2を形成する。更に、液浸領域 A R 2が形成された後も、液体 L Qが供給され続けることにより、液浸領域 A R 2の外側領域の一部にも液体 LQが満たされて予備液浸領域 A R 3が形成される。そして、液浸領域 A R 2及び予備液浸領域 A R 3を形成した後、第 1液体回収捧構 20を駆動し、液体 LQの供給量と回収量とが略同一あるいは供給量が回収量をやや上回る程度に設定し、その状態を維持する。このようにして、露光開始時には、例えば、液浸領域 A R 2を形成する液体 L Qの約 1 0〜 20%程度以上と同量の液体 L Qで予備液浸領域 A R 3が形成される。図 8は走査露光時における予備液浸'領域 A R 3の挙動を示す模式図である。図 2との関係で説明したように、基板 Pの走査露光時（ステップ移動及びスキャン移動）には、投影光学系 P Lに対して基板 Pが XY方向に移動する。投影光学系 P Lの光学素子 2の下面 2 A、すなわち液浸領域 A R 2の液体 LQは、基板 Pの移動に引きずられて、基板 Pの移動方向に沿う方向に移動する。特に走査露光時には、基板 Pが高速移動（例えば、 4 0 0 m m/秒程度）するので、液体 L Qの移動量が大きくなる。この場合、液体 L Qが基板 Pとともに移動すると、投影光学系 P Lの下面 2 Aの一部（基板 Pの移動方向の後方側）において、液体 L Qの剥離が発生して液浸領域 A R 2が良好に形成されず、露光精度の劣化を引き起こす可能性がある。ところが、液浸領域 A R 2の外側に更に予備液浸領域 A R 3を設けることで、基板 Pが移動すると、液浸領域 A R 2の液体 L Qが基板 Pの移動方向前方側の予備液浸領域 A R 3に流れ込む。それと同時に、基板 Pの移動方向後方側の予備液浸領域 A R 3の液体 L Qが液浸領域 A R 2に流れ込む。すなわち、予備液浸領域 A R 3が液浸領域 A R 2の予備タンクとして機能し、基板 Pの移動に伴って、液浸領域 A R 2から溢れた液体 L Qを回収し、一方では液浸領域 A R 2に向けて液体 L Qを供給する。これにより、液体 L Qの流出を防止するとともに、液浸領域 A R 2の液体 L Qの不足を補い、常に液浸領域 A R 2を液体 L Qで満たすことができる。そして、予備液浸領域 A R 3が形成される領域、すなわち壁部 1 3 1に囲まれた領域は、全領域が完全に液体 L Qで満たされないので、液浸領域 A R 2から予備液浸領域 A R 3に回収された液体 L Qが壁部 1. 3 1の外側に漏れだすことなく、壁部 1 3 1に囲まれた領域内に留まることができる。また、基板 Pの移動方向が反転した場合等には、予備液浸領域 A R 3に回収された液体 L Qが液浸領域 A R 2に戻され、一方、液浸領域 A R 2の液体し Qが予備液浸領域 A R 3に戻されるように移動する。また、基板 Pが非走査方向に往復移動する場合や、走査方向の移動と非走査方向の移動を繰り返すような場合であつても、同様に液体 L Qは、液浸領域 A R 2と予備液浸領域 A R 3との間で行き来して、常に液浸領域 A R 2を液体 L Qで満たすことができる。なおここでは、壁部 1 3 1の下面 1 ' 3 1 Aと基板 Pとの距離は、投影光学系 P Lの光学素子 2の下面 2 Aと基板 Pとの距離 Dとほぼ同じであるが、異なっていてもよい。例えば、壁部 1 3 1の下面 1 3 1 Aと基板 Pとの距離を、光学素子 2 の下面 2 Aと基板 Pとの距離 Dよりも小さくなるようにしてもよいし、その逆の関係にしてもよい。なお、壁部 1 3 1の下面 1 3 1 Aと基板 Pとの距離は、できるだけ近い（狭い）方が好ましい。距離が近いほど液体 L Qの表面張力により液体 L Qを確実に保持でき、外側への液体 L Qの流出を防止できることができる。一方、壁部 1 3 1の下面 1 3 1 Aと基板 Pとの距離が近いほど、基板 Pなどと干渉する不都合が発生する可能性が高くなるので、本実施形態のように、壁部 1 .3 1の下面 1 3 1 Aが投影光学系 P Lの光学素子 2の下面 2 Aとほぼ同じ位置（Z 方向）となるように形成することにより、上記不都合の発生を回避できる。同様に、図 5や図 6に示したように、流路形成部材 7 0の下面 7 0 Aにおいて、投影領域 A R 1に対して壁部 1 3 1の外側には第 2壁部 1 3 2及び第 3壁部 1 3 3が形成されており、第 2壁部 1 3 2及び第 3壁部 1 3 3の間に形成された溝部 1 3 4に、補助液体回収部 4 3 A、 4 3 Bが設けられている。これら第 2、第 3 壁部 1 3 2、 1 3 3によって、基板 Pの外側への液体 L Qの流出を更に確実に防止することができる。図 6に示すように、流路形成部材 7 0の下面 7 O Aには凹部 7 8が形成されており、凹部 7 8内に形成された平坦部 7 8 Bは、投影光学系 P Lの光学素子 2の液体接触面 2 A、及び第 1、第 2光学部材 8 3、 8 4の下面より高く（基板に対して遠く）なっている。つまり、流路形成部材 7 0の凹部 7 8における平坦部 7 8 8と第1 .、第 2光学部材 8 3、 8 4との間に段差部が形成されているとともに、流路形成部材 7 0の凹部 7 8における下面と光学素子 2の液体接触面 2 Aとの間にも段差部が形成されている。すなわち、流路形成部材 7 0の下面 7 O Aのうちで凹部 7 8内の平坦部 7 8日が、鉛直方向（Z方向）に関して、最も高い位置に形成され、かつその平坦部 7 8 Bは、鉛直方向（Z方向）に関して、投影光学系 P Lの光学素子 2の下面 2 Aよりも高い位置に形成されている。流路形成部材 7 0の下面 7 O Aに凹部 7 8を設けない構成の場合、すなわち流路形成部材 7 0の下面 7 0 Aと光学素子 2の下面（液体接触面） 2 Aと第 1、第 2光学部材 8 3、 8 4の下面とが面一の場合、フォーカス ' レベリング検出系 8 0 (図 3参照）の検出光 L aを所定の入射角 Θで基板 Pの所望領域（この場合、投影領域 A R 1 ) に照射しょうとすると、検出光 L aの光路上に例えば流路形成部材 7 0が配置されて検出光 L aの照射が妨げられたり、あるいは検出光 L aの光路を確保するために入射角 Θや投影光学系 P Lの光学素子 2の下面（液体接触面） 2 Aと基板 P表面との距離（ワーキングディスタンス） Dを変更しなければならないなどの不都合が生じる。しかしながら、流路形成部材 7 0の下面 7 0 A のうち、フォーカス · レペリング検出系 8 0を構成する第 1、第 2光学部材 8 3、 8 4に連続するように凹部 7 8を設けたことにより、投影光学系 P Lの光学素子 2の下面.（液体接触面） 2 Aと基板 P表面との距離 Dを所望の値に保ちつつ、フオーカス · レべリング検出系 8 0の検出光 L aの光路を確保して基板 P上の所望領域に検出光 L aを照射することができる。図 9は第 1〜第 4部材 7 1〜7 4によって形成される流路形成部材 7 0のうち第 4部材 7 4を除いた状態を示す斜視図である。図 9に示すように、第 3部材 7 3のうち投影光学系 P Lの一 X側及び + X側のそれぞれには、供給流路 1 4 Aのうち鉛直流路 1 4 sを形成する貫通穴であるスリツ卜部が形成されている。また、不図示ではあるが、第 2部材 7 2には第 3部材 7 3と接続したときに前記スリヅ卜部と接続されるスリット部が形成されており、第 1部材 7 1にも同様のスリッ卜部が形成されている。そして、第 1〜第 3部材 7 1〜7 3を接続して前記スリッ卜部どうしを接続することにより、鉛直流路 1 4 sが形成される。また、第 3 部材 7 3の上面には、供給管 1 2 A、 1 2 Bのそれぞれと鉛直流路部 1 4 sとを接続する水平流路部 1 4 hを形成するテーパ状溝部が形成されている。水平流路部 1 4 hを形成するテーパ状溝部は、供給管 1 2 A、 1 2 Bに対する接続部から鉛直流路部 1 4 sに向かって水平方向に漸次拡がるように形成されている。このように、水平流路部 1 4 hをテーパ状に形成することで、液体供給部 1 1から供給管 1 2 A、 1 2 Bを介して供給さ iた液体 L Qは水平流路部 1 4 hにおいて Y 軸方向に十分に拡がった後、垂直流路部 1 4 sを介して基板 P上に供給されるため、基板 P上の広い領域に同時に液体 L Qを供給することができる。図 1 0は第 1〜第 4部材 7 1〜 7 4によつて形成される流路形成部材 7 0のうち第 1 、第 2部材 7 1及び 7 2を除いた状態を下面 7 O A側から見た斜視図である。図 1 0に示すように、第 3部材 7 3のうち投影光学系 P Lの— X側及び + X 側のそれぞれには、回収流路 2 4 Aのうち鉛直流路 2 4 sを形成する貫通穴であるスリット部が形成されている。また、不図示ではあるが、第 2部材 7 2には第 3部材 7 3と接続したときに前記スリツ卜部と接続されるスリツ卜部が形成されており、第 1部材 7 1にも同様のスリヅ卜部が形成されている。そして、第 1〜第 3部材 7 1〜7 3を接続して前記スリッ卜部どうしを接続することにより、鉛直流路.2 4 sが形成される。また、第 3部材 7 3の下面には、回収管 2 2 A、 2 2 Bの'それぞれと鉛直流路部 2 4 sとを接続する水平流路部 2 4 hを形成するテ一パ状溝部が形成されている。水平流路部 2 4 hを形成するテーパ状溝部は、鉛直流路部 2 4 sから回収管 2 2 A、 2 2 Bに対する接続部に向かって水平方向に漸次窄まるように形成されている。このように、水平流路部 2 4 hをテーパ状に形成することで、 Y軸方向を長手方向とする液体回収口 2 3 A、 2 3 Bでの液体回収力分布が均一化され、基板 P上の広い領域の液体 L Qを液体回収口 2 3 A、 2 3 Bを介して同時に回収することができる。次に、上述した構成を有する露光装置 E Xを用いてマスク Mのパターン像を基板 Pに露光する方法について図 1 1に示す模式図を参照しながら説明する。マスク Mがマスクステージ M S Tに口一ドされるとともに、基板 Pが基板ステージ P S Tにロードされた後、基板 Pの走査露光処理を行うに際し、制御装置 C 0 N Tは液体供給機構 1 0を駆動し、基板 P上に対する液体供給動作を開始する (図 1参照）。液浸領域 A R 2を形成するために液体供給機構 1 0の液体供給部 1 1から供給された液体 L Qは、図 1 ' 1 ( a ) に示すように、供給管 1 2 Α、 1 2 Βを流通した後、供給流路 1 4 Α、 1 4 Βを介して液体供給口 1 3 Α、 1 3 Β より基板 Ρ上に供給される。制御装置 C O N Tは、液体供給機構 1 0を使って基板 P上に対する液体 L Qの供給を開始するときに、圧力調整機構 9 0のうち、真空系を有する圧力調整用液体回収部 9 2を駆動する（図 1参照）。真空系を有する圧力調整用液体回収部 9

2が駆動されることにより、投影光学系 P Lの像面側の光学素子 2近傍に設けられている圧力調整用回収口 9 8 A、 9 8 Bを介して、投影光学系 P Lの像面側近傍の空間の気体が排出され、その空間が負圧化される。このように、制御装置 C

〇N Tは、圧力調整機構 9 0の圧力調整用液体回収部 9 2を駆動し、液体供給機構 1 0の液体供給口 1 3 A、 1 3 Bよりも投影光学系 P Lの投影領域 A R 1の近くに配置された圧力調整用回収口 9 8 A、 9 8 Bを介して、投影光学系 P Lの像面側の気体の排出を行いながら、液浸領域 A R 2を形成するための液体供給機構

1 0による液体供給を開始する。投影光学系 P Lの投影領域 A R 1の近〈に配置された圧力調整用回収口 9 8 A、 9 8 Bを介して投影光学系 P Lの像面側の気体の排出を行いながら、液体供給機構 1 0による液体 L Qの供給を行うことにより、その圧力調整用回収口 9 .8 A、 9 8 B近傍が負圧化されるので、供給された液体 L Qはその負圧化された負圧化領域（空間）に円滑に配置される。圧力調整用回収口 9 8 A、 9 8 Bは液体供給口 1 3 A、 1 3 Bより投影領域 A R 1の近くに設けられているので、投影領域 A R 1を液体 L Qで良好に覆うことができる。特に、本実施形態においては、投影光学系 P Lの像面側には流路形成部材 7 0 の凹部 7 8が形成されているため、液浸領域 A R 2を形成するために液体 L Qを供給した際、供給した液体 L Qが凹部 7 8に入り込まず、液浸領域 A R 2の液体 L Q中に気泡などの気体部分が生成される可能性が高くなる。気体部分が生成されると、その気体部分によって、基板 P上にパターン像を形成するための露光光 E Lが基板 P上に到達しない、あるいは基板 P上にパターン像を形成するための露光光 E Lが基板 P上の所望の位置に到達しない、あるいは例えばフォーカス - レペリング検出系 8 0の検出光 L aが基板 P上ゃ受光部 8 2に到達しない、あるいは検出光 L aが基板 P上の所望の位置に到達しないなどの現象が生じ、露光精度及び計測精度の劣化を招く。ところが、投影光学系 P Lの像面側の気体を排気出しながら液体供給機構 1 0による液体供給を開始することで、前記凹部 78に液体 LQを円滑に配置することができる。したがって、投影光学系 PLの像面側に形成される液浸領域 A R 2に気体部分が生成される不都合を防止することができ、高い露光精度及び計測精度を得ることができる。特に本実施形態では、排気機構の排気口を構成する圧力調整用回収口 98 A、 98 Bを凹部 78の内側であつて、流路形成部材 70の下面 7 OAの最も高い位置に設けたので、液体 LQをより円滑に凹部 78に配置することができる。また、排気機構の排気口を構成する圧力調整用回収口 98 A、 98 Bを投影光学系 P Lの光学素子 2の下面 2 Aよりも高い位置に設けたので、光学素子 2の下面 2 Aに気体が残ってしまう不都合も防止できる。そして、基板 P上に供給された液体 LQによって、投影光学系 PLと基板 Pとの間に液浸領域 A R 2が形成される。ここで、供給管 1 2A、 1 2 Bを流通した液体 L Qはスリッ卜状に形成された供給流路 14 A、 14 B及び液体供給口 1 3 A、 1 3 Bの幅方向に拡がり、基板 P上の広い範囲に供給される。液体供給口 1 3A、 1 3 Bから基板 P上に供給された液体 LQは、投影光学系 PLの先端部 (光学素子 2)の下端面と基板 Pとの間に濡れ拡がるように供給され、投影領域 A R 1を含む基板 P上の一部に、基板 Pよりも小さく且つ投影領域 A R 1よりも大きい液浸領域 A R 2を局所的に形成する。このとき、制御装置 CONTは、液体供給機構 1 0のうち投影領域 A R 1の X軸方向（走査方向）両側に配置された液体供給口 1 3 A、 1 3 Bのそれぞれより、投影領域 A R 1の両側から基板 PI への液体 L Qの供給を同時に行う。また、制御装置 CO NTは、液体 ί共給機構 10の駆動と並行して、第 1液体回收機構 20の第 1液体回収部 21を駆動し、図 1 1 (b) に示すように基板 PI の液体 LQの回収を行う。そして、制御装置 CONTは、上述したように、液体供給機構 1 0及び第 1液体回収機構 20の駆動を制御して、液浸領域 A R 2とともに予備液浸領域 A R 3も形成する。液浸領域 A R 2が形成された後、制御装置 CON Tは、圧力調整機構 90の圧力調整用液体回収部 92による投影光学系 P Lの像面側の気体排出動作を停止する〇制御装置 CON Tは、液体供給機構 1 0による基板 P上に対する液体 LQの供給と並行して、第 1液体回収機構 20による基板 P上の液体 LQの回収を行いつつ、基板 Pを支持する基板ステージ P S Tを X軸方向（走査方向）に移動しながら、マスク Mのパターン像を投影光学系 P Lと基板 Pとの間の液体 L Q及び投影光学系 P Lを介して基板 P上に投影露光する。このとき、液体供給機構 1 0は走査方向に関し T投影領域 A R 1の両側から液体供給口 1 3 A、 1 3 Bを介して液体 LQの供給を同時に行っているので、液浸領域 A R 2は均一且つ良好に形成されている。本実施形態において、投影領域 A R 1の走査方向両側から基板 Pに対して液体 LQを供給する際、制御装置 CON Tは、液体供給機構 1 0の流量制御器 1 6 A、 1 6 Bを使って単位時間あたりの液体供給量を調整し、基板 P上の 1つのショッ卜領域の走査露光中に、走査方向に関して投影領域 A R 1の一方側から供給する液体量（単位時間あたりの液体供給量）を、他方側から供給する液体量と異ならせる。具体的には、制御装置 CO NTは、走査方向に関して投影領域 A R 1の手前から供給する単位時間あたりの液体供給量を、その反対側で供給する液体供給量よりも多く設定する。例えば、基板 Pを +X方向に移動しつつ露光処理する場合、制御装置 CO N T は、投影領域 A R 1に対して— X側（'すなわち液体供給口 1 3 A) からの液体量を、 +χ側（すなわち液体供給口 1 3 B) からの液体量より多くし、一方、基板 Pを一 X方向に移動しつつ露光処理する場合、投影領域 A R 1に対して +X側からの液体量を、一X側からの液体量より多くする。のように、制御装置 C〇N Tは、基板 Ρの移動方向に応じて、液体供給口 1 3 Α、 1 3 Βからのそれぞれの単位時間あたりの液体供給量を変える。基板 Ρを液浸露光中、液浸領域 A R 2の液体 L Qの圧力は圧力センサ 1 20により常時モニタされている（図 5参照）。圧力センサ 1 20の検出結果は制御装置 CO NTに出力される。制御装置 CO N Tは、基板 Pの液浸露光中に、圧力センサ 1 20の検出結果に基づいて、液体供給機構 1 0から基板 P上に供給された液体 L Qの圧力を圧力調整機構 90を使って調整する。制御装置 C 0 N Tは、圧力調整機構 90の圧力調整用液体供給部 91及び圧力調整用液体回収部 92を使って基板 P上に対する液体 LQの追加、又は基板 P上の液体 LQの一部回収を行うことによって、液体 LQが基板 Pに及ぼす力を低減するように液体 L Qの圧力を調整する。例えば、圧力センサ 1 20の検出結果に基づいて、液浸領域 A R 2の液体 LQ の圧力が予め設定されている所定値に対して低いと判断したとき、あるいは液浸領域 A R 2の圧力が液浸領域 A R 2の外の圧力（大気圧）より低い（負圧である）と判断したとき、制御装置 CON Tは、液体 LQが基板 Pに及ぼす力を低減するように、つまりその液体 L Qの圧ガが所定値になるように、圧力調整用液体供給部 91を駆動し、図 1 1 (b) に示すように、圧力調整用供給口 97 A、 9 7 Bを介して、液浸領域 A R 2の液体 L Qに更に液体 L Qを追加する。液体 L Q が追加されることにより、液浸領域 A R 2の液体 LQの圧力が上昇して前記所定値となる。これにより、液体 LQが基板 Pに及ぼす力が低減される。逆に、圧力センサ 1 2◦の検出結果に基づいて、液浸領域 A R 2の液体 LQの圧力が予め設定されている所定値に対して高いと判断したとき、あるいは液浸領域 A R 2の圧力が液浸領域 A R 2の外の圧力（大気圧）より高い（陽圧である）と判断したとき、制御装置 CONTは、液体 LQが基板 Pに及ぼす力を低減するように、つまりその液体 LQの圧力が所定値になるように、圧力調整用液体回収部 9 2を駆動し、図 1 1 ( c ) に示すように、圧力調整用回収口 9 8 A、 9 8 B を介して、液浸領域 A R 2の液体 L Qの一部を回収する。液伴 L Qの一部が回収されることにより、液浸領域 A R 2の液体 L Qの圧力が下降して前記所定値となる。これにより、液体 L Qが基板 Pに及ぼす力が低減される。このように、圧力調整機構 9 0で液体供給機構 1 0から供給された液体 L Qの圧力を調整することで、例えば液体 L Qの圧力変動に伴う基板 Pや基板ステ一ジ P S Tの変形、あるいは投影光学系 P Lの光学素子 2の変位や振動の発生を防止することができる。したがって、高い露光精度及び計測精度を得ることができる。特に、本実施形態においては、投影光学系 P Lの像面側の液浸領域 A R 2の液体 L Qに接する流路形成部材 7 0に凹部 7 8が設けられており、その凹部 7 8においては液体 L Qの圧力変動が生じやすい。また、基板 Pを走査移動することによって液体 L Qが移動するため、圧力変動は顕著となる。そこで、その凹部 7 8 の内側に、液浸領域 A R 2の液体 L Qの圧力調整をするために液体し pを追加する圧力調整用供給口 9 7 A、 9 7 Bを設けるとともに、液体 L Qの一部を回収する圧力調整用回収口 9 8 A、 9 8 Bを設けたので、上記凹部 7 8で生じる圧力変 . 動を効果的に低減するとができ、また圧力調整を良好に行うことができる。また、基板 P上の液浸領域 A R 2の液体 L Qを第 1液体回収機構 2 0の液体回収ロ 2 3 A、 2 3 Bを介して回収しきれなかった場合、その回収しきれなかった液体 L Qは液体回収口 2 3 A、 2 3 Bの外側に流出するが、図 1 1 ( d ) に示すように、第 2液体回収機構 4 0の補助液体回収口 4 3 A、 4 3 Bを介して回収されるので、液体し Qの流出を防止することができる。また、第 1液体回収機構 2 0に何らかの異常が生じて液体回収動 ^; [乍不能となった場合や、液体供給機構 1· 0 に何らかの異常が生じて誤作動レ、大量に液体 L Qが供給されてしまって第 1液体回収機構 2 0だけでは液体 L Qを回収しきれない場合でも、第 2液体回収機構 4 0で液体 L Qを回収することができ、液体し Qの流出を防止することができる。したがって、流出した液体 L Qに起因する機械部品等の鲭びゃ駆動系の漏電の発生、あるいは流出した液体 L Qの気化による基板 Pの置かれている環境変動も防止することができ、露光精度及び計測精度の劣化を防止することができる。この場合、第 2液体回収機構 4 0にマスフローコントローラ等を設けておき、第 2液体回収機構 4 0で液体 L Qが回収されたときに、液体供給機構 1 0からの液体供給を止めるようにしてもよい。また、図 1に示したように、第 2液体回収機構 4 0は無停電電源 1 0 0 Bを有しており、第 1液体回収機構 2 0を含む露光装置 E X全体の駆動源である商用電源 1 0 O Aが停電などの異常を生じても、第 2液体回収機構 4 0に対する電力の供給は無停電電源 1 0 0 Bに切り替わるので、第 2液体回収機構 4 0で液体 L Q を良好に囱収することができる。したがって、液体 L Qの流出を防止することができ、また、基板 P上に残留した液体 L Qを放置せずに第 2液体回収機構 4 0で回収できるので、基板 Pを支持する基板ステージ P S T周辺の機械部品の鏡びや故障、あるいは基板 Pの置かれている環境変動等といった不都合の発生を防止することができる。例えば商用電源 1 0 0 Aが停電したとき、無停電電源 1 0 0 Bは、第 2液体回収機構 2 4 0を構成する例えば真空系の電力駆動部、気液分離器の電力駆動部等に対してそれぞれ電力を供給する。具体的には、商用電源 1 0 0 Aが停電したとき、無停電電源 1 0 0 Bは、第 2液体回収機構 4 0に対する電力供給を、例えば内蔵バッテリに切り替えて無瞬断給電する。その後、無停電電源 1 0 0 Bは、長時間の停電に備えて、内蔵発電機を起動し、第 2液体回収機構 4 0に対する電力供給をバッテリから発電機に切り替える。こうすることにより、商用電源 1 0 0 Aが停電しても、第 2液体回収機構 4 0に対する電力供給が継続され、第 2液体回収機構 4 0による液体回収動作を維 i寺することができる。なお、無停電電源 1 0 0 Bとしては上述した形態に限られず、公知の無停電電源を採用することができる。また、本実施形態では、商用電源 1 0 O Aが停電したときのバヅクアップ電源として無停電電源装置を例にして説明したが、もちろん、バックアップ電源としてバックアップ用バッテリを用い、商用電源 1 0 0 Aの停電時に、そのバッテリに切り替えるようにしてもよい。また、商用電源 1 0 0 Aが停電したとき、無停電電源 1 0 0 Bは、第 3液体回収機構 6 0に対しても電力の供給を行うようにしてもよい。こうすることにより、例えば液体 L Qの液浸領域 A R 2の一部がプレート部材 5 6上に配置されている状態のときに商用電源 1 0 0 Aが停電して、基板 Pの外側に液体 L Qが流出しても、第 3液体回収機構 6 0はその流出した液体 L Qを回収することができる。なお、商用電源 1 0 0 Aが停電したとき、無停電電源 1 0 0 Bは、基板 Pを保持する基板ステージ P S Tの吸着機構に電力を供給するようにしてもよい。こうすることにより、商用電源 1 0 0 Aが停電した場合であっても基板ステージ P S T ( Zチル卜ステージ 5 2 ) による基板 Pの吸着保持を維持することができるので、停電によって Zチル卜ステージ 5 2に対する基板 Pの位置ずれが生じない。したがって、停電復帰後において露光動作を再開する場合の露光理再開動作を円滑に行うことができる。また、商用電源 1 0 0 Aの停電時に、無停電電源 1 0 0 Bは、露光装置 E Xを構成する各機構（装置）のうち、第 2液体回収機構 4 0以外の機構に電力（駆動力）を供給するようにしてもよい。例えば商用電源 1 0 0 Aの停電時に、第 2液体回収機構 4 0に加えて、第 1液体回収機構 1 0に対しても電力を供給することで、液体 L Qの流出を更に確実に防止することができる。なお、液体供給機構 1 0の供給管 1 2にノーマルクローズ方式のバルブを設けておき、商用電源 1 0 0 Aが停電したとき、そのノーマルクローズ方式のバルブが供給管 1 2の流路を機械的に遮断 iるようにしてもよい。こうすることにより、商用電源 1 0 0 Aの停電後において、液体供給機構 1 0から基板 P上に液体 L Q が漏出する不都合がなくなる。ところで、基板 P表面（液体接触面）の材料特性に応じて、液体 L Qが基板 P に及ぼす力が変化する。具体的には基板 P表面と液体 L Qとの親和性、更に具体的には基板 Pの液体 L Qに対する接触角に応じて、液体 L Q力基板 Pに及ぼす力が変化する。基板 P表面の材料特性は、その基板 P表面に塗布される感光材ゃ、その感光材上に塗布される例えば感光材を保護する保護膜などの所定の膜に応じて変化する。圧力調整機構 9 0は、基板 P表面と液体 L Qとの親和性を考慮して液体 L Qの圧力調整を行うことができる。例えば基板 P表面が親液性の場合には、その液体 L Qは基板 P上において濡れ拡がろうとするため、基板 P上での液体 L Qの圧力は低下する（負圧化する）。したがって、基板 P表面が親液性の場合には、圧力調整機構 9 0は圧力調整用供給口 9 7 A、 9 7 Bを介して液体 P Qの追加を行い、基板 P上の液浸領域 A R 2の液体 L Qの圧力を上昇させて、液体 L Q が基板 Pに及ぼす力を低減させる。一方、基板 P表面が撥液性の場合には、基板 P上での液体 L Qの圧力は上昇する（陽圧化する）。したがつ,て、基板 P表面が撥液性の場合には、圧力調整機構 9 0は圧力調整用回収口 9 8 A、 9 8 Bを介して液体 P Qの一部回収を行い、基板 P上の液浸領域 A R 2の液体 L Qの圧力を下降させて、液体 L Qが基板 Pに及ぼす力を低減させる。そして、液体 L Qの基板 P上での圧力は、基板 Pの液体 L Qに対する親和性 (接触角）に応じた値となるため、基板 Pの液体 L Qに対する親和性（接触角）を予め求めておき、その求めた結果に基づいて基板 P上での液体 L Qの圧力を予め実験又はシミュレーションによって求めておき、その求めた圧力に関する情報を制御装置 C O N T (あるいはこれに接続する記憶装置）に記憶しておくことにより、上記圧力センサ 1 2 0を用いなくても、制御装置 C O N Tは、前記圧力に関する情報に基づいて、液体 L Qの圧力を調整するための調整量（圧力調整用供給口 9 7から供給する単位時間あたりの液体供給量又は圧力調整用回収口 9 8を介して回収する単位時間あたりの液体回収量）を求め、その求めた調整量に基づいて、液体 L Qの追加又は一部回収を行うことができる。なおここでは、基板 Pの表面（液体接触面）の液体 L Qに対する親和性（接触角）を考慮して液体 L Qの圧力調整が行われるように説明したが、基板 P上の液浸領域 A R 2の液体 L Qの圧力調整を、流路形成部材 7 0の下面（液体接触面） 7 0 Aや投影光学系 P Lの光学素子 ·2の下面（液体接触面） 2 Αの液体 L Qに対する親和性（接触角）を考慮して行うようにしてもよい。なお、光学素子 2や流路形成部材 7 0の液体 L Qに対する親和性は大きく変化せず、一方、基板 Pの液体 L Qに対する親和性は使用する感光材などに応じて例えばロッ卜毎に変化するため、実際には、光学素子 2ゃ流路形成部材 7 0の液体 L Qに対する親和性は考慮しなくても、基板 P表面の液体 L Qに対する親和性を考慮することで、液体し Qの圧力調整を良好に行うことができる。なお、上述した実施形態においては、液体 L Qの液浸領域 A R 2を基板 P上に形成する場合について説明したが、図 2を参照して説明したような、基準部材 3 0 0の上面 3 0 1に液体' L Qの液浸領域 A R 2を形成する場合もある。そして、その上面 3 0 1上の液浸領域 A R 2の液体 L Qを介して各種計測処理を行う場合がある。その場合、圧力調整機構 9 0は、基準部材 3 0 0上に形成された液浸領域 A R 2の液体 L Qが基準部材 3 0 0に及ぼす力を低減するように液体 L Qの圧力調整を行うことができる。このとき、圧力調整機構 9 0は、基準部材 3 0 0の上面 3 0 1 と液体 L Qとの親和性を考慮して、.液体 L Qの圧力調整を行うことができる。同様に、圧力調整機構 9 0は、照度ムラセンサ 4 0 0の上板 4 0 2の上面 4 0 1や、空間像計測センサ 5 0 0の上板 5 0 2の上面 5 0 1等に液体 L Qの液浸領域 A R 2が形成されたときにも、液体 L Qが上板 4 0 2や上板 5 0 2に及ぼす力を低減するように、液体 L Qの圧力調整を行うことができる。更には、 Z チル卜ステージ 5 2 (基板ステージ P S T ) 上面に液浸領域 A R 2を形成する構成も考えられ、その場合、圧力調整^構 9 0は、液体 L Qが基板ステージ P S T に及ぼす力を低減するように圧力調整を行うことができる。なお、上述した実施形態においては、圧力調整機構 9 0は、基板 P上に形成された液浸領域 A R 2の液体 L Qの圧力調整動作を基板 Pの液浸露光中に行っているが、基板 Pを液浸露光する前や後に行ってもよい。なお、上述した実施形態においては、圧力調整用供給口 9 7と圧力調整用回収口 9 8とは互いに独立した口であるが、液体供給部 9 1及び液体回収部 9 2が 1 つの口を兼用し、その 1つの口を介して液体供給及び回収を行ってもよい。上述した実施形態において、複数（2つ）並べて設けられた圧力調整用供給口 9 7 A s 9 7 Bのそれぞれからの単位時間あたりの液体供給量を、液体 L Qが基板 Pに及ぼす力を低減するように、例えば基板 Pの移動方向や走査速度に応じて互いに異なる値にしてもよい。同様に、複数並んだ圧力調整用回収口 9 8 A、 9 8 Bのそれぞれを介した単位時間あたりの液体回収量を互いに異なる値にしてもよい。なお、上述した実施形態においては、圧力調整用供給口 9 7及び圧力調整用供給口 9 8は、非走査方向（Y軸方向）に 2つずつ並べて設けられているが、走査方向（X軸方向）に関して複数並べで設けてもよい。 X軸方向に関して複数並べて設ける場合、投影領域 A R 1 を挟んでその両側にそれぞれ設けることができる。この場合においても、液体 L Q圧力調整を行うときに、 X軸方向に複数並んだ圧力調整用供給口 9 7のそれぞれからの液体供給量を、液体 L Qが基板 Pに及ぼす力を低減するように、例えば基板 Pの走査方向や走査速度に応じて互いに異なる値にしてもよい。同様に、 X軸方向に複数並んだ圧力調整用回収口 9 8それぞれからの液体回収量を互いに異なる値にしてもよい。また、上述した実施形態においては、圧力調整用供給口 9 7及び圧力調整用回収ロ 9 8はそれぞれ 2つずつ設けられているが、 1つずつでもよいし、 2つ以上の任意の複数箇所に設けられてもよい。また、圧力調整用供給口 9 7及び圧力調整用回収口 9 8の形状は円形状に限られず、例えば矩形状や多角形状、円弧状、所定方向を長手方向とするスリッ卜状であってもよい。また、上述した実施形態においては、圧力センサ 1 2 0は 1つ設けられている構成であるが、液浸領域 A R 2の液体 L Qに接する位置において任意の複数箇所のそれぞれに設け Tもよい。その場合、複数の圧力センサ 1 2 0それぞれの出力に基づいて、複数の圧力調整用供給口 9 7 ( 9 7 A、 9 7 B ) それぞれからの液体供給量を互いに異なる値にしてもよい。同様に、複数の圧力センサ 1 2 0それそれの出力に基づいて、複数の圧力調整用回収口 9 8 ( 9 8 A、 9 8 B ) それぞれを介した液体回収量を互いに異なる値にしてもよい。また、上述した実施形態においては、液体 L Qの供給又は回収を行って、液体 L Qの圧力調整を行っているが、液体 L Qの接触角を調整するようにしてもよし、。なお、上述した実施形態において、液体供給口 1 3、液体回収口 2 3、及び補助液体回収口 4 3や、それらに接続される供給流路 1 4、回収流路 2 4、及び回収流路 4 4などに、スポンジ状部材ゃ多孔質セラミックスなどからなる多孔質体を配置してもよい。なお、上述した実施形態においては、基板 Pの露光中に、液体供給口 1 3 A、 1 3 Bの両方から液体 L Qを供給するようにしているが、どちら'か一方から供給するようにしてもよい。また、液体供給機構 1 0 (液体供給口 1 3 A、 1 3 B ) を省略して、圧力調整用供給口 9 7からの液体 L Qの供給のみで液浸領域 A R 2 を形成するようにしてもよい。以下、本発明の別の実施形態について説明する。以下の説明において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もし〈は省略する。図 1 2は流路形成部材 7 0及びその流路形成部材 7 0に取り付けられたフォーカス■ レペリング検出系 8 0の光学系を構成する第 1、第 2光学部材の別の実施形態を示す図である。図 1 2において、第 1、第 2光学部材 8 3 A、 8 4 Aのそれぞれはプリズムによって構成されており、プリズムからなる第 1 '、第 2光学部材 8 3 A、 8 4 Aによって、フ才一カス ' レべリング検出系 8 0 (図 3参照）の検出光 L aの進行方向の向きが変えられるようになつている。本実施形態においては、第 1、第 2光学部材 8 3 A、 8 4 Aのそれぞれは平行シフ卜プリズム、具体的には菱形プリズムによって構成されており、入射した検出光 L aを平行移動する。第 1、第 2光学部材 8 3 A、 8 4 Aのそれぞれは、流路形成部材 7 0の内側面

7 0 Tに取り付けられている。そして、第 1、第 2光学部材 8 3 A、 8 4 Aのうち、少なくとも検出光 L aの通過する上端領域 K A 1及び下端領域 K A 2は流路形成部材 7 0から露出しいる。第 1、第 2光学部材 8 3 A、 8 4 Aの上端領域 K A 1は流路形成部材 7 0の上面より突出（露出）しており、下端領域 K A 2は投影光学系 P Lと基板 Pとの間の空間に対して露出している。なお図 1 2に示す例では、第 1光学部材 8 3 Aは投影光学系 P L (光学素子 2 ) の— X側に設けられ、第 2光学部材 8 4 Aは + X側に設けられている。第 1、第 2光学部材 8 3 A、

8 4 Aを投影光学系 P Lの— X側及び + X側のそれぞれに設けることにより、圧力調整用供給口 9 7に接続する供給流路 9 4や供給管 9 3、及び圧力調整用回収口 9 8に接続する回収流路 9 6や回収管 9 5 (図 6参照）と、第 1、第 2光学部材 8 3 A、 8 4 Aとの干渉が防止されている。フォーカス · レペリング検出系 8 0の投光部 8 1から射出された検出光 L aは X Z平面にほぼ平行な面に沿って進行し、第 1光学部材 8 3 Aの上端領域 K. A 1 より入射した後、第 1光学部材 8 3 Aを通過することによって— Z方向にシフ卜され、下端領域 K A 2より射出される。そして、第 1光学部材 8 3 Aを通過した検出光 L aは基板 Pに照射されて反射した後、第 2光.学部材 8 4 Aに対して下端領域 K A 2より入射する。第 2光学部材 8 4 Aに下端領域 K A 2より入射した検出光 Laは +Z方向にシフ卜した後、上端領域 K A 1より射出され、受光部 82 に受^ ceれる。このように、流路形成部材 70にフ才一カス ■ レべリング検出系 80の光学系 ^構成する第 1、第 2光学部材 83 A、 84 Aをプリズムによって構成することで、検出光 Laの基板 Pに対する入射角 Θを大き〈することができ、流路形成部材 70を含む装置構成の設計の自由度を向上することができる。また、流路形成部材 70の大きさを小さくすることもできる。図 1 3は圧力調整機構 90の別の実施形態を示す模式図である。図 1 3において、圧力調整機構 90は、液体 LQを送出可能な液体供給部 91 を備えている。図 1 3における液体供給部 9 1は液体回収部（92) の機能を兼ね備えているものとする。流路形成部材 70の内側面 70 Tには供給口 97 C、 97 Dが形成されている。また、流路形成部材 70の内部には、その一端部を供給管 93 A、 9 3 Bを介して液体供給部 9 1に接続し、他端部を供給口 97 C、 97 Dに接続した供給流路 94 A、 94 Bが形成されている。また、流路形成部材 70の下面 7 OAには.、上述した実施形態同様、液体供給口 1 3 A、 1 3 B、液体回収口 23 As 23 B、及び補助液体回収口 43 A、 43 Bが形成されている。そして、液体供給部 91から送出される液体 LQは、供給管 93 A、 93 B、及び供給流路 94A、 94 Bを介して、供給口 97 C、 97 Dより、流路形成部材 70の内側面 70 Tと投影光学系 P Lの光学素子 2の側面 2 Tとの間の間隙部 Gに供給されるようになっている。また、上述したように本実施形態における液体供給部 9 1は液体回収部の機能を有しており、液体回収部が駆動されることにより、間隙部 Gの液体 LQ又は気体は、供給口（回収口） 97 C、 97 D、供給流路（回収流路） 94A、 94 B、及び供給管（回収管） 93 A、 93 Bを介して液体供給部（液体回収部） 9 1に吸引回収されるようになっている。基板 P上に液体 LQの液浸領域 AR 2を形成したとき、例えば毛細管現象などによって基板 P上の液体 LQが間隙部 Gに流入し、滞留する可能性がある。間隙部 Gに液体 L Qが長時間滞留すると、その液体 L Qは汚染される可能性が高くなり、その汚染された間隙部 Gの液体七 Qが例えば基板 Pの液浸露光中に投影光学系 P Lと基板 Pとの間に流入すると、露光精度の劣化をもたらす可能性がある。そこで、制御装置 CO N Tは圧力調整機構 90を適宜駆動することで、流路形成部材 70の内側面 70 Tと光学素子 2の側面 2 Tとの間に滞留する液体 L Qを除去することができる。すなわち、本実施形態における圧力調整機構 90は、流路形成部材 70の内側面 70 Tと光学素子 2の側面 2との間の液体 L Qを除去する液体除去機構としての機能を有している。図 1 4は、図 1 3に示した圧力調整機構（液体除去機構） 90の動作の一例を示す図である。図 1 4 (a) に.示すよ'うに、投影光学系 P Lと液浸領域 A R 2の液体 LQとを介して基板 Pに露光光 E Lを照射中に、圧力調整機構 90を駆動して、流路形成部材 70の内側面 70 Tと光学素子 2の側面 2 Tとの間の間隙部 G に滞留する液体 LQを除去することができる。図 1 4 (a) に示す例では、液体 . 供給部 91より送出された液体 L Qが供給口 97 C、 97 Dより間隙部 Gに供給されている。供給口 97 C、 97 Dより供給された液体 LQにより、間隙部 Gに配置されていた（滞留していた）液体 L Qは下方に排出されて基板 P上に流出し、基板 P上の液体 L Qとともに第 1液体回収機構 20の液体回収口 23 A、 23 B より回収される。図 1 4 (a) に示す例では、基板 Pの露光中においても供給口 97C、 97 Dより液体 LQが常時間隙部 Gに供給されるので、間隙部 Gに配置された液体 LQは汚染される前に基板 P上に流出するため、露光精度に影響を与えない。なお図 1 4 (a) に示す例では基板 Pに露光光 E Lを照射しながら間隙部 Gに液体 L Qを供給しているが、もちろん基板 Pに対して露光光 E Lを照射する前や後に、間隙部 Gに液体 LQを供給してもよい。

' 図 1 4 (b) に示すように、供給口 97 C、 97 Dを介して間隙部 Gに液体 L Qを供給することにより間隙部 Gより排出した液体 L Qを、第 3液体回収機構 6 0を使って回収するようにしてもよい。こうすることにより、間隙部 Gにおいて汚染された液体 L Qを基板 Pなどに付着させることなく、間隙部 Gより排出して回収することができる。図 1 4 (c) に示すように、間隙部 Gの液体 LQを回収口 97C、 97 Dを介して吸引回収するようにしてもよい。こうすることによつても、間隙部 Gの液体 LQを除去することができる。上述した間隙部 Gの液体 LQの除去処理は、基板ステージ P S Tに対する基板 Pの交換時（口一ド ·アン口一ド時）や基板 Pのロ卜毎など、所定のタイミングで定期的に行うことができる。また、図 1 4 (a) を参照して説明したように、基板 Pの露光中に液体除去動作を行ってもよいし、露光中以外のタイミングで行つてもよい。また、図 1 4 (d) に示すように、基板 Pを露光処理していないときにおいて、液体供給部 91を駆動して液体 LQを常に間隙部 Gに供給するようにしてもよい。この場合、液体供給量を調整することにより、供給口 97C、 97 Dより供給された液体 LQは投影光学系 P L (光学素子 2) の側面 2 Tを伝わって、下面（液体接触面） 2 Aに濡れ拡がる。光学素子 2から滴り落ちた液体 LQは、第 3液体回収機構 60で回収することができる。供給口 97C、 97 Dより供給した液体 L Qで光学素子 2の下面 2 Aを含む表面を常に濡らしておくことにより、光学素子 2 (投影光学系 P L) の乾燥を防止し、液体 LQの付着跡（所謂ウォーターマ —ク）が生成される不都合を防止することができる。ところで、上述した各実施形態においては、液体供給機構 1 0及び液体回収機構 20 (40、 60) を使って液体 LQの供給及び回収を行い、基板 P上を含む基板ステージ P S T上に局所的に液浸領域 A R 2を形成している状態で、その基板ステージ P S Tを移動しつつ露光処理や計測処理を行っているが、基板ステ一ジ P S Tの移動条件によっては、基板 Pの外側に液体 LQが流出したり、液浸領域 A R 2に気体部分が生成されるなど、投影光学系 P Lの像面側に液体 L Qを良好に保持することができず、液浸領域 A R 2が良好に形成されない状況が発生する可能性がある。 , そこで、液体供給機構 1 0と液体回収機構 2 0とによって基板ステージ P S T 上に保持された基板 P上を含む基板ステージ P S T上に局所的に液浸領域 A R 2 を形成している状態で、基板ステージ P S Tを第 1位置から第 2位置へほぼ直線的に移動させるときに、第 1位置と第 2位置との間隔に応じて基板ステージ P S Tの移動速度を異ならせるとよい。なおここで、「基板ステージ P S T上の液浸領域 A R 2」は「基板ステ一ジ P S T上に保持された基板 P上の液浸領域 A R 2」も含む。本実施形態においては、基板 Pをステップ ·アンド ·スキャン方式で移動しながら各ショウ卜領域に対する走査露光処理を順次行う構成であるが、例えば露光装置 E Xのリセッ卜動作やキャリブレーション動作など（以下、「キヤリプレーシヨン動作」と総称する）において、制御装置 C O N Tは、キャリブレーション動作の開始を指令したときの基板ステージ P S Tの位置（第 1位置）から、キヤリプレーシヨン動作を行うための位置（第 2位置）まで基板ステージ P S Tを長距離移動する。その距離（第 1位置と第 2位置との間隔）は、上記ステップ移動やスキャン移動の距離に比べて大きく、投影光学系 P Lの像面側に液体 L Qを保持しておくことが困難である。そこで、制御装置 C O N Tは、第 1位置と第 2位置との間隔が、予め設定されている所定量以上の場合には、第 1位置と第 2位置との間隔が所定量よりも短い場合に比べて、基板ステージ P S Tの移動速度を小さくする。例えば、上述したようなキヤリプレーション動作のために長距離移動するときの基板ステージ P S Tの移動距離が、露光処理時におけるステップ 'アンド■スキャン時の基板ステージ P S Tの移動距離に比べて長い（例えば 2倍以上）場合には、'前記長距離移動するときの移動速度を、露光処理時におけるステップ■アンド■スキャン時の基板ステージ P S Tの移動速度に比べて遅くする。こうすることにより、投影光学系 P Lの像面側に液体 L Qの液浸領域 A R 2を良好に形成することができる。

' 以上説明したように、第 1位置と第 2位置との間隔が長く、基板ステージ P S Tが長距離を移動するような場合、投影光学系 P Lの像面側に液体 L Qを良好に保持しておくことが困難になる可能性があるが、そのような場合には基板ステ一ジ P S Tの移動速度を遅くすることで、投影光学系 P Lの像面側に液体 L Qを良好に保持することができる。したがって、液体 L Qの流出や気体部分の生成などを防止し、液体 L Qの流出や気体部分の生成などに起因する露光精度及び計測精度の劣化を防止することができる。一方、第 1位置と第 2位置との間隔が短く、基板ステージ P S Tが長距離を移動しない場合、基板ステージ P S Tの移動速度を速くすることで、スループッ卜を向上することができる。なお上記所定量、及びその所定量以上の距離を移動するときの基板ステージ P S Tの移動速度は、例えば基板 P、光学素子 2、流路形成部材 7 0などの液体 L Qに対する親和性（液体 L Qの接触角）を考慮して、実験やシミュレーションを行うことで予め求めておくことができる。なおこの場合において、基板ステージ P S Tの移動速度を遅くするよりも、スループッ卜の向上を優先する場合には、第 ·1位置から第 2位置へ直線的な移動を行わずに、且つ移動速度を小さくすることなしに、前記所定量よりも短い直線距離で基板ステージ P S Τの移動方向を変更しながら、第 2位置へ到達するようにしてもよい。また、液体供給機構 1 0と液体回収機構 2 0とによって基板ステージ P S T上に局所的に液浸領域 A R 2を形成している状態で、基板ステージ P S Tを第 1位置から第 2位置へほぼ直線的に移動させるときに、投影光学系 P Lの像面側に液体 L Qを良好に保持するために、第 1位置から第 2位置への基板ステージ P S T の移動方向に応じて基板ステージ P S Tの移動速度を異ならせることもできる。例えば図 1 5の模式図に示すように、液浸領域 A R 2を形成するための液体供給機構 1 0の液体供給口 1 3 A、 1 3 B、及び液体回収機構 2 0の液体回収口 2 3 A、 2 3 Bに対して基板ステージ P S Tを移動する際、基板ステージ P S Tを X軸方向に移動するときと Y軸方向に移動するときとで、基板ステージ P S丁の移動速度を異ならせる。本実施形態における液体回収機構 2 0の液体回収口 2 3は、図 4などを参照して説明したように、流路形成部材 7 0の下面 7 O Aのうち、投影領域 A R 1に対して + Y側及び一 Y側の領域には設けられていない。すなわち、投影領域 A R 1 (液浸領域 A R 2 ) に対して Y軸方向側には液体回収口 2 3が配置されておらず、その Y軸方向側においては、液体回収機構 2 0による液体回収力が弱くなつている。すなわち、 Y軸方向に沿う方向が、液体回収機構 2 0·による液体回収力が弱い方向である。そこで、制御装置 C O N Tは、基板ステージ P S Tを液体回収機構 2 0による液体回収力が弱い方向、すなわち Y軸方向に移動させる場合には、その基板ステージ P S Tを Y軸方向とは異なる方向（例えば X軸方向に沿う方向）に移動させる場合に比べて、基板ステージ P S Tの移動速度を小さくする。例えば、露光処理時において基板ステージ P S Tを X軸方向にスキャン移動させるときの基板ステージ P S Tの移動速度（例えば 4 0 0 m m/秒程度）に対して、 Y軸方向にステップ移動するときや、上述したようなキャリブレーション動作をするために Y軸方向や X軸方向に関して斜め方向に移動するときの基板ステ —ジ P S Tの移動速度を例えば 2 0 0 m m/秒程度に遅〈する。こうすることにより、投影光学系 P Lの像面側に液体 L Qを保持しておくことができ、液体 L Q の流出や液浸領域 A R 2での気体部分の生成を防止することができる。なおこの場合も、基板ステージ P S Tの移動速度を遅くするよりも、スループッ卜の向上を優先する場合には、第 1位置から第 2位置へ直線的な移動を行わずに、且つ移動速度を小さくすることなしに、前記所定量よりも短い直線距離で基板ステージ P S Tの移動方向を変更しながら、第 2位置へ到達するようにしてもよい。また、回収力の弱い方向、及びその方向へ移動するときの基板ステージ P S Tの移動速度は、例えば基板 P、光学素子 2、流路形成部材 7 0などの液体 L Qに対する親和性（液体 L Qの接触角）を考慮して、実験やシミュレーションを行うことで予め求めておくことができる。以上説明したように、液体 L Qの供給口 1 3及び回収口 2 3の配置や大きさによっては、基板ステージ P S Tの移動方向によって投影光学系 P Lの像面側に液体 L Qを良好に保持できずにその液体 L Qが流出したり、あるいは液浸領域 A R 2の液体 L Qが枯渴した.'り剥離するなど、投影光学系 P Lの像面側の液浸領域に気体部分が生成される不都合が生じる可能性があるが、基板ステージ P S Tの移動方向に応じて基板ステージ P S Tの移動速度を異ならせることで、液体 L Qの流出や気体部分の生成などの不都合の発生を防止することができ、液体 L Qの流出に起因する露光精度及び計測精度の劣化を防止することができる。そして、基板ステージ P S. Tを液体回収力が弱い方向に移動させる場合には、基板ステージ P S Tの移動速度を遅くすることで、投影光学系 P Lの像面側に液浸領域 A R 2 を良好に形成することができる。一方、例えば液体回収力や液体供給力が強い方向に基板ステージ P S Tを移動する場合には、基板ステージ P S Tの移動速度を速くすることで、スループヅ卜を向上することができる。なお、本実施形態においては、液浸領域 A R 2の Y軸方向側に液体回収口 2 3 が配置されておらず、その Y軸方向において液体回収機構 2 0による液体回収力が弱くなるように説明したが、液体回収口 2 3が配置されていない場合だけでなく、例えば図 1 6に示すように、液浸領域 A R 2の Y軸方向側に液体回収口 2 3 ( 2 3 D ) が配置されていても、その Y軸方向側に配置された液体回収口 2 3 D は複数に分割された（まばらな）ものである場合、その Y軸方向での液体回収力は弱い。このような構成を有する液体回収口 2 3においても、基板ステージ P S Tを Y軸方向へ移動させる場合には、基板ステージ P S Tを Y軸方向とは異なる方向に移動させる場合に比べて、基板ステージ P S Tの移動速度を小さくすることが好ましい。あるいは、複数に分割された液体回収口 2 3が投影領域 A R 1 (液浸領域 A R 2 ) を囲むように配置されている場合において、前記複数の液体回収口 2 3のうち、例えば液浸領域 A R 2に対して Y軸方向側の位置に設けられた液体回収口 2 3による液体回収力が弱い場合には、基板ステージ P S Tを Y軸方向へ移動させるとき、 Y軸方向とは異なる方向に移動させる場合に比べて、基板ステージ P S Tの移動速度を小さ〈することが好ましい。また、基板 Pの周囲に形成されている基板ステージ P S T上の平坦面 5 7が液浸領域 A R 2を形成する十分な広さを有している場合には、基板ステージ P S T の移動速度を落として第 1位置から第 2位置へ移動するのではなく、基板ステ一ジ P S Tを第 1位置からその第 1位置近傍で液浸領域 A R 2が平坦面 5 7上に形成される第 1中継位置へ移動し、さらに液浸領域 A R 2を平坦面 5 7上に形成したまま、第 1中継位置から基板ステージ P S Tを第 2位置近傍で液浸領域 A R 2 が平坦面 5 7上に形成される第 2中継位置へ移動し、その第 2中継位置から基板ステージ P S Tを第 2位置へ移動するようにしてもよい。この場合、基板ステ一ジ P S T上の平坦面 5 7表面は液体 L Qに対して撥液性なので、投影光学系 P L の像面側に液浸領域 A R 2を保持した状態で、基板ステージ P S Tを高速に移動することができ、基板ステージ P S Tの移動速度を落として直線的に移動するよりも、第 1位置から第 2位置へより短時間に基板ステ一ジ P S Tを移動できる場合あある。なお以上において、キャリブレーション動作において、基板ステージ P S Tを第 1位置から第 2位置へ移動するときに、その移動方向や移動距離を考慮して、基板ステージ P s Tの速度や移動経路を調整する場合を一例として説明をしたが、キャリブレーション動作に限らず、基板 Ρ上のあるショッ卜領域の露光完了後に次のショッ卜領域の露光を開始するためのステップ移動など、露光装置 Ε Χで実行される各種の動作において基板ステージ P S Τの速度や移動経路を調整することができる。また、基板ステージ P S Tに限らず、投影光学系 P Lに対向する物体上に液浸領域 A R 2を形成した状態で、その物体を移動する場合には、その物体の移動速度や移動経路を調整してもよい。上述したように、本実施形態における液体 L Qは純水を用いた。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板 P上のフ才卜レジストゃ光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板 Pの表面、及び投影光学系 P Lの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。そして、波長が 1 9 3 n m程度の露光光 E Lに対する純水（水）の屈折率 nはほぼ 1 . 4 4程度と言われており、露光光 E Lの光源として A「 Fエキシマレーザ光（波長 1 9 3 n m ) を用いた場合、基板 P上では 1 / η、すなわち約 1 3 4 n m程度に短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比ベて約 n倍、すなわち約 1 . 4 4倍程度に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系 P Lの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。なお、上述したように液浸法を用いた場合には、投影光学系の開口数 N Aが 0 . 9〜1 . 3になることもある。このように投影光学系の開口数 N Aが大きくなる場合には、従来から露光光として用いられているランダム偏光光では偏光効果によって結像性能が悪化するごともあるので、偏光照明を用いるのが望ましい。その場合、マスク（レチクル）のライン 'アンド■スぺ一スパターンのラインパタ —ンの長手方向に合わせた直線偏光照明を行い、マスク（レチクル）のパターンからは、 S偏光成分（T E偏光成分) 、すなわちラインパターンの長手方向に沿つた偏光方向成分の回折光が多く射出されるようにするとよい。投影光学系 P L と基板 P表面に塗布されたレジス卜との間が液体で満たされている場合、投影光学系 P Lと基板 P表面に塗布されたレジス卜との間が空気（気体）で満たされている場合に比べて、コントラストの向上に寄与する S偏光成分（T E偏光成分）の回折光のレジス卜表面での透過率が高くなるため、投影光学系の開口数 N Aが 1 - 0を越えるような場合でも高い結像性能を得ることができる。また、位相シフ卜マスクゃ特開平 6—1 8 8 1 6 9号公報に開示されているようなラインバタ一ンの長手方向に合わせた斜入射照明法（特にダイボール照明法）等を適宜組み合わせると更に効果的である。また、例えば A r Fエキシマレーザを露光光とし、 1 /4程度の縮小倍率の投影光学系 P Lを使って、微細なライン ·アンド ·スペースパターン（例えば 2 5 〜5 0 n m程度のライン、アンド 'スペース）を基板 P上に露光するような場合、マスク Mの構造（例えばパターンの微細度やクロムの厚み）（こよっては、 W a v e g u i d e効果によりマスク Mが偏光板として作用し、コントラス卜を低下さ.せる P偏光成分（T M偏光成分）の回折光より S偏光成分（T E偏光成分）の回折光が多くマスク Mから射出されるようになるので、上述の直線偏光照明を用いることが望ましいが、ランダム偏光光でマスク Mを照明しても、投影光学系 P Lの開口数 N Aが 0 . 9〜1 . 3のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。また、マスク M上の極微細なライン 'アンド 'スペースパターンを基板 P上に露光するような場合、 W i r e G r i d効果により P偏光成分（T M偏光成分）が S偏光成分（T E偏光成分）よりも大きくなる可能性もあるが、例えば A r Fエキシマレ一ザを露光光とし、 1 /4程度の縮小倍率の投影光学系 P Lを使って、 2 5 n mより大きいライン 'アンド 'スペースパターンを基板 P 上に露光するような場合には、 S偏光成分（T E偏光成分）の回折光が P偏光成分（T M偏光成分）の回折光よりも多〈マスク Mから射出されるので、投影光学系 P Lの開口数 N Aが 0 . 9〜1 . 3のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。更に、マスク（レチクル）のラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明（S偏光照明）だけでなく、特開平 6— 5 3 1 2 0号公報に開示されているように、光軸を中心とした円の接線（周）方向に直線偏光する偏光照明法と斜入射照明法との組み合わせも効果的である。特に、マスク（レチクル）のパターンが所定の一方向に延びるラインパターンだけでなく、複数.の異なる方向に延びるラインパターンが混在する場合には、同じく特開平 6— 5 3 1 2 0号公報に開示されているように、光軸を中心とした円の接線方向に直線偏光する偏光照明法と輪帯照明法とを併用することによって、投影光学系の開口数 N Aが大きい場合でも高い結像性能を得ることができる。本実施形態では、投影光学系 P Lの先端に光学素子 2が取り付けられており、このレンズにより投影光学系 P Lの光学特性、例えば収差（球面収差、コマ収差等）の調整を行うことができる _d なお、投影光学系 P Lの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系 P Lの光学特性の調整に用いる光学プレー卜であってもよい。あるいは露光光 Ε· _を透過可能な平行平面板であってもよい。液体 L Q と接触する光学素子を、レンズより安価な平行平面板とすることにより、露光装置 Ε Χの運搬、組立、調整時等において投影光学系 P Lの透過率、基板 Ρ上での露光光 E Lの照度、及び照度分布の均一性を低下させる物質（例えばシリコン系有機物等）がその平行平面板に付着しても、液体 L Qを供給する直前にその平行平面板を交換するだけでよく、液体 L Qと接触する光学素子をレンズとする場合に比べてその交換コス卜が低〈なるという利点がある。即ち、露光光 Εしの照射によりレジス卜から発生する飛散粒子、または液体 L Q中の不純物の付着などに起因して液体 L Qに接触する光学素子の表面が汚れるため、その光学素子を定期的に交換する必要があるが、この光学素子を安価な平行平面板とすることにより、レンズに比べて交換部品のコス卜が低く、且つ交換に要する時間を短くすることができ、メンテナンスコスト（ランニングコスト）の上昇やスループットの低下を抑えることができる。なお、液体 L Qの流れによって生じる投影光学系 P Lの先端の光学素子と基板 Pとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。なお、本実施形態では、投影光学系 P Lと基板 P表面との間は液体 L Qで満たされている構成であるが、例えば基板 Pの表面に平行平面板からなるカバ一ガラスを取り付けた状態で液体 L Qを満たす構成であってもよい。また、上述の液浸法を適用した露光装置は、投影光学系 P Lの終端光学素子 2 の射出側の光路空間を液体 (純水)で満たして基板 Pを露光する構成になっているが、国際公開第 2 0 0 4 / 0 1 9 1 2 8号に開示されているように、投影光学系 P Lの終端光学素子 2の入射側の光路空間も液体（純水）で満たすようにしてもよい。この場合、上述の実施形態と同様にして、投影光学系 P Lの終端光学素子 2の入射側の光路空間の液体の圧力を調整するようにしてもよい。また、投影光学系 P Lの終端光学素子 2の入射側の光路空間の気体を排気しながら液体の供給を開始することによって、その光路空間を速やかに、且つ良好に液体で満たすことができる。なお、本実施形態の液体 L Qは水であるが、水以外の液体であってもよい。例えば、露光光 E Lの光源が F ₂レーザである場合、この F ₂レーザ光は水を透過しないので、液体 L Qとしては F ₂レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル（P F P E ) やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体 L Qと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体 L Qとしては、その他にも、露光光 E Lに対する透過性があつてできるだけ屈折率が高く、投影光学系 P Lや基板 P表面に塗布されているフォトレジス卜に対して安定なもの（例えばセダ一油）を用いることも可能である。この場合も表面処理は用いる液体 L Qの極性に応じて行われる。また、液体 LQの純水の代わりに、所望の屈折率を有する種々の流体、例えば、超臨界流体や高屈折率の気体を用いることも可能である。なお、上記各実施形態の基板 Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ゥェ八のみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気へヅド用のセラミックウェハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版 (合成石英、シリコンウェハ）等が適用される。露光装置 E Xとしては、マスク Mと基板 Pとを同期移動してマスク Mのパ夕一ンを走査露光するステップ ·アンド■スキャン方式の走査型露光装置（スキヤ二ングステツパ）の他に、マスク Mと基板 Pとを静止した状態でマスク Mのパターンを一括露光し、基板 Pを順次ステップ移動させるステップ 'アンド ' リピ一卜方式の投影露光装置（スツパ）にも適用することができる。また、本発明は基板 P上で少なくとも 2つのパターンを部分的に重ねて転写するステヅプ■アンド ·スティツチ方式の露光装置にも適用できる。また、本発明は、ウェハ等の被処理基板を別々に載置して XY方向に独立に移動可能な 2つのステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平 1 0— 1 63 099号及び特開平 1 0— 21 4783号（対応米国特許 6, 341 , 007、 6, 400, 441、 6, 549, 269及び 6, 590, 634) 、特表 200 0— 505958号（対応米国特許 5 , 969, 441 ) あるいは米国特許 6 , 208, 407に開示されており、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、それらの開示を援用して本文の記載の一部とする。また、上述の実施形態においては、投影光学系 P Lと基板 Pとの間を局所的に液体で満たす露光装置を採用しているが、露光対象の基板の表面全体が液体で覆われる液浸露光装置にも本発明を適用可能である。露光対象の基板の表面全体が液体で覆われる液浸露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平 6— 1 2 4 8 7 3号公報、特開平 1 0— 3 0 3 1 1 4号公報、米国特許第 5 , 8 2 5 , 0 4 3 号などに詳細に記載されており、本国際出願で指定または選択されだ国の法令で許容される限りにおいて、この文献の記載内容を援用して本文の記載の一部とする o 露光装置に搭載した投影光学系として、種々のタイプの投影光学系を用いることもできる。例えば、反射素子と屈折素子とを含む反射屈折型の投影光学系であつてもよいし、反射素子のみを含む反射型の投影投影光学系であってもよい。また、 .投影光学系を持たないタイプの露光装置、例えば、プロキシミティ型露光装置に本発明を適用することもできる。また、上述の実施形態においては、液体 L Qを介して基板 P表面の面位置情報を検出するフォーカス■ レべリング検出系を採用しているが、液体を介さずに、露光前、あるいは露光中に基板 P表面の面位置情報を検出するフォーカス ■ レべリング検出系を採用してもよい。上記具体例では、流路形成部材 7 0の開口部 7 0 B (光透過部）に、所定の間隔を隔てて投影光学系 P Lの先端の光学素子 2を配置させたが、流路形成部材 7 0の開口部 7 0 Bに任意の光学素子を装着してもよい。すなわち、光学素子 2や前述の光学プレー卜を流路形成部材 7 0に保持させてもよい。この場合にも投影光学系 P Lと流路成部材 7 0とは振動伝達防止の観点から別の支持構造であることが望ましい。また、本発明は、ウェハ等の被処理基板を保持して移動可能な露光ステージと、各種の基準部材ゃ計測センサなどの計測部材を備えた計測ステ一ジとを備えた露光装置にも適用することができる。この場合、上述の実施形態において基板ステージ P S Tに配置されている基準部材ゃ各種計測セサの少なくとも一部を計測ステ一ジに配置することができる。露光ステージと計測ステ一ジとを備えた露光装置は、例えば特開平 1 1 一 1 35400号に記載されており、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、この文献の記載内容を援用して本文の記載の一部とする。露光装置 EXの種類としては、基板 Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はデイスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気へッド、撮像素子（CC D) あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。基板ステージ P S Tやマスクステージ M S Tにリニアモ一夕を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージ P S T、 MS Tは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。ステージ ίこリニアモータを用いた例は、米国特許 5， 623, 8 53及び 5， 528, 1 1 8に開示されており、それぞれ本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、これらの文献の記載内容を援用して本文の記載の一部とする。各ステージ P S T、 MS Tの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ュニッ卜と、二次元にコイルを配置した電機子ュニヅ卜とを対向させ電磁力により各ステージ P S T、 MS Tを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ュニッ卜と電機子ュニヅ卜とのいずれか一方をステージ P S T、 MS Τに接続し、磁石ュニッ卜と電機子ュニヅ卜との他方をステージ P S丁、 MS Tの移動面側に設ければよい。基板ステージ P S Tの移動により発生する反力は、投影光学系 P Lに伝わらないように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。この反力の処理方法は、例えば、米国特許 5 , 528, 1 1.8 (特開平 8— 1 6647 5号公報）に詳細に開示されており、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、この文献の記載内容を援用して本文の記載の一部とする。，マスクステージ M S Tの移動により発生する反力は、投影光学系 P Lに伝わらないように、フレー厶部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。この反力の処理方法は、例えば、米国特許第 5 , 8 7 4 , 8 2 0 (特開平 8— 3 3 0 2 2 4号公報）に詳細に開示されており、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、この文献の開示を援用して本文の記載の一部とする。以上のように、本願実施形態の露光装置 E Xは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立て.の前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図 1 7に示すように、マイクロデバイスの機能 ·性能設計を行うステップ 2 0 1、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ 2 0 2、デバイスの基材である基板を製造するステップ 2 0 3、前述した実施形態の露光装置 E Xによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ 2 0 4、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む） 2 0 5、検査ステップ 2 0 6等を経て製造される。産業上の利用可能性本発明によれば、基板上に供給された液体の圧力による悪影響を抑制することができる。基板上に供給された液体に気体領域が生じることが防止される。また、第 1及び第 2の液体回収機構を備えているために、停電などの電力供給中断によつても液体漏れが生じることがない。また、基板や基板ステージの移動時に液浸領域から液体が漏れ出ないように移動速度が調整されている。それゆえ、液浸領域を良好に形成して高い露光精度及び計測精度を得ることができ、それにより、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。

Claims

請求の範囲

1 . 基板に液体を介して露光光を照射して前記基板を露光する露光装置であつて：

'基板上に液体を供給する液体供給機構と；

投影光学系と；

前記液体供給機構から供給された液体の圧力を調整する圧力調整機構を備える露光装置。

2 . 前記圧力調整機構は、前記液体の追加又は前記液体の一部回収を行うことによって前記液体の圧力調整を行う請求項 1に記載の露光装置。

3 . 前記液体は前記投影光学系の像面側に配置された物体上に液浸領域を形成し、前記圧力調整機構は、前記液体が前記物体に及ぼす力を低減するように前記液体の圧力調整を行う請求項 1に記載の露光装置。

4 . 前記液体は前記投影光学系の像面側に配置された物体上に液浸領域を形成し、前記圧力調整機構は、前記物体の液体接触面と前記液体との親和性を考慮して前記液体の圧力調整を行う請求項 1に記載の露光装置。

5 . 前記物体は前記基板である請求項 3に記載の露光装置。

6 . 前記投影光学系の像面側の気体を排出する排気機構を備え、前記排気機構による気体の排出を行いながら前記液体供給機構による液体供給を開始する請求項 1に記載の露光装置。 ' '

7 . 前記排気機構の排気口は、前記投影光学系の投影領域に対して前記液体供給機構の液体供給口よりも近〈に配置されている請求項 6に記載の露光装置。

8 . 液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置であつて：

投影光学系と；

前記液体を供給するための液体供給機構と；

前記投影光学系の像面側の気体を排出する排気機構とを備え；

前記排気機構の排気口は、前記液体供給機構の液体供給口よりも前記投影光学系による投影領域の近くに配置され、前記液体供給機構による液体供給は、前記排気機構による気体の排出を行いながら開始される露光装置。

9 . 前記液体供給機構の液体供給口は前記投影光学系の投影領域の両側に配置され、前記投影領域の両側から液体供給が可能である請求項 1 または 8に記載の

1 0 . 前記投影光学系の投影領域に対して前記液体供給機構の液体供給口の外側に液体回収口を有する第 1液体回収機構を備えた請求項 1 または 8に記載の露

1 1 . 前記第 1液体回収機構とは別の駆動源を有し、前記投影光学系の投影領域に対して前記第 1液体回収機構の液体回収口の外側に回収口を有する第 2液体回収機構を備える請求項 1 0に記載の露光装置。

1 2 . 液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置であつて：

投影光学系と；

前記液体を供給するための液体供機構と；

前記投影光学系の投影領域に対して前記液体供給機構の液体供給口の外側に液体回収口を有する第 1液体回収機構と；前記第 1液体回収機構とは別の駆動源を有し、前記投影光学系の投影領域に対して前記第 1液体回収機構の液体回収口の外側に液体回収口を有する第 2液体回収機構とを備える露光装置。

1 3 . 前記駆動源は無停電電源を含む請求項 1 1 または 1 2に記載の露光装置。

1 4 . 液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置であつて：

投影光学系と；

前記液体を供給するための液体供給機構と；

前記液体、を回収するための液体回収機構と；

前記基板を保持する基板ステージとを備え；

前記液 ί本供給機構.と前記液体回収機構とによつて前記基板ステージ上に局所的に液浸領域が形成されている状態で、前記基板ステージが第 1位置から第 2位置へほぼ直線的に移動するときに、前記第 1位置と前記第 2位置との間隔に応じて前記基板ステージの移動速度が異なる露光装置。

1 5 . 前記第 1位 *と前記第 2位置との間隔が所定量以上の場合には、前記第 · 1位置と前記第 2位置との間隔が前記所定量よりも短い場合に比べて、前記基板ステージの移動速度を小さくする請求項 1 4に記載の露光装置。

1 6 . 液体を介して基板に露光光を照射して、前記基板を露光する露光装置であって：

投影光学系と；

前記液体を供給するための液体供給 i 構と；

前記液体を回収するための液体回収機構と；

前記基板を保持する基板ステージとを備え；

前記液体供給機構と前記液体回収機構とによつて前記基板ステジ上に局所的に液浸領域が形成されている状態で、前記基板ステージが第 1位置から第 2位置へぼぼ直線的に移動するときに、前記第 1位置から前記第 2位置への前記基板ステ一ジの移動方向に応じて前記基板ステージの移動速度が異なる露光装置。

1 7 . 前記基板ステージを前記液体回収機構による液体回収力が弱い所定方向へ移動させる場合には、前記基板ステージを前記所定方向とは異なる方向へ移動させる場合に比べて、前記基板ステージの移動速度を小さ〈する請求項 1 6に記載の露光装置。

1 8 . 前記液体回収機構による液体回収力が弱い所定方向には、前記液体回収機構の液体回収口が配置されていない請求項 1 7に記載の露光装置。

1 9 . 基板上にもたらされた液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置であって：

光透過部を有し且つ内部に液体の流路が形成された流路形成部材と；前記流路形成部材の流路を通じて基板と流路形成部材の間に液体を供給する液体供給装置とを備え；

基板と流路形成部材の間に供給された液体の圧力が前記流路を通じて供給される液体の流量により調節される露光装置。

2 0 . さらに、投影光学系を備え、前記光透過部が開口であり、投影光学系の先端が前記開口内に収容されている請求項 1 9に記載の露光装置。

2 1 . さらに、前記基板上の液体を前記流路を通じて回収する液体回収装置を備える請求項 1 9に記載の露光装置。

2 2 . 前記流路形成部材の前記基板に対向する面に、前記流路の開放端が、投影光学系の投影領域を包囲する環状溝として形成されている請求項 2 1に記載の民光 ¾¾

2 3 . 前記流路形成部材の前記基板に対向する面に凹部が形成され、凹部内に液体の圧力を測定する圧力センサが設けられている青求項 1 9に記載の露光装置。

2 4 . 前記流路形成部材が、液体供給流路と液体回収流路を有する請求項 2 0 に記載の露光装置。

2 5 . 前記流路形成部材が、さらに、圧力調整用の流路を含む請求項 2 4に記載の露光装置。

2 6 . 圧力調整用の流路が、供給流路と、該供給流路ょりも投影光学系の投影領域に近い側に形成された回収流路を含む請求項 2 5に記載の露光装置。

2 7 . 圧力調整用の流路の端部が、前記投影光学系に向かって開放されている請求項 2 5に記載の露光装置。

2 8 . さらに、フォーカスレべリング機構を備え、前記流路形成部材にフォーカスレべリング機構から射出される光線を透過させる光学部材が設けられている請求項 1 9に記載の露光装嗇。

2 9 . 前記流路形成部材の前記基板に対向する面が親水性である請求項 1 9に記載の露光装置。

3 0 . 請求項 1、 8、 1 2、 1 4、 1 6及び 1 9のいずれか一項に記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。 -

3 1 . 基板に液体を介して露光光を照射して前記基板を露光する露光方法であつて：

基板上に液体を供給することと；

基板上に供給した液体の圧力を調整することと；液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光することを含む露光方法。

3 2 . 基板上に前記液体を追加し又は前記液体の一部を回収することによって前記液体の圧力を調整する請求項 3 1に記載の露光方法。

3 3 . 前記基板の液体接触面と前記液体との親和性を考慮して前記液体の圧力を調整する請求項 3 1に記載の露光方法。

3 4 . 基板上に供給された液体の圧力を測定し、測定された圧力に応じて前記液体の圧力を調整する請求項 3 1に記載の露光方法。

3 5 . 投影光学系と液体とを介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光方法であって：

前記液体を基板に供給することと；

投影光学系の近傍に配置され、鉛直方向に関して、投影光学系の終端面よりも高い位置で気体を排気することと；

液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光することを含む露光方法。

3 6 . 前記液体の供給は、前記気体の排出を行いながら開始される請求項 3 5 に記載の露光方法。

3 7 . 液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光方法であつて：

前記液体を基板に供給することと；

投影光学系に対して、前記液体が供給される位置よりも遠い位置で、第 1及び第 2液体回収機構により基板上の液体を回収することと；

液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光することを含み；

第 1及び第 2液体回収機構の駆動電源が異なる露光方法。

3 8 . 第 1及び第 2液体回収機構の一方の駆動電源が無停電電源である請求項

3 7に記載の露光方法。 ·

3 9 . 液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光方法であつて：

液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光することと；

基板を露光していないときに、基板上に液体を保持したまま基板を第 1位置から第 2位置へ移動することと；

前記第 1位置と前記第 2位置との位置関係に応じて、前記第 1位置から前記第

2位置への前記基板の移動速度を調整することを含む露光方法。

4 0 . 前記移動の距離が所定距離以上の場合には、所定距離未満の場合よりも前記基板の移動速度を小さくする請求項 3 9に記載の露光方法。

4 1 . さらに基板上から液体を回收することを含み、液体の回収ガが弱い所定方向へ基板を移動させる場合には、前記基板を前記所定方向とは異なる方向へ移動させる場合に比べて、前記基板の移動速度を小さくする請求項 3 9に記載の露光方法。

4 2 . 請求項 3 1、 3 5、. 3 7及び 3 9のいずれか一項に記載の露光方法を用いるデバイス製造方法。