JP2737010B2 - 露光装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、ウエハの温度を制御する装置を備えたウエ
ハ搭載台を備えた露光装置に関するものである。
ハ搭載台を備えた露光装置に関するものである。
[従来の技術] 半導体リソグラフィ工程においては露光装置によりマ
スクを介してウエハを露光しすることによりウエハ上に
パターンを転写形成しているが、高精度のパターンを形
成するためにはウエハが所定の温度となるように厳密に
制御する必要がある。なぜならば、露光中の温度上昇に
よるウエハの熱歪を防止し、または特開昭53−15768に
示されるようにプロセス歪を取り除くために、ウエハの
温度を制御して、露光開始前に熱収縮によって倍率補正
をするためである。
スクを介してウエハを露光しすることによりウエハ上に
パターンを転写形成しているが、高精度のパターンを形
成するためにはウエハが所定の温度となるように厳密に
制御する必要がある。なぜならば、露光中の温度上昇に
よるウエハの熱歪を防止し、または特開昭53−15768に
示されるようにプロセス歪を取り除くために、ウエハの
温度を制御して、露光開始前に熱収縮によって倍率補正
をするためである。
そこで従来、ウエハ搭載台内部に恒温水のような温度
調整用の流体を流してウエハの温度を制御している。
調整用の流体を流してウエハの温度を制御している。
[発明が解決しようとする課題] ところが、このような従来技術によれば、恒温水がウ
エハ搭載台内の流路を通過する際に外乱を伝えてウエハ
搭載台自身が振動し、解像度や位置決めの低下を及ぼす
可能性がある。
エハ搭載台内の流路を通過する際に外乱を伝えてウエハ
搭載台自身が振動し、解像度や位置決めの低下を及ぼす
可能性がある。
更に、転写されるパターンの寸法が微細になるにつれ
てウエハの温度調節も±0.01deg程度に管理する必要が
生じてきており、温調水の温度制御に過度の負担が要求
されるようになってきた。
てウエハの温度調節も±0.01deg程度に管理する必要が
生じてきており、温調水の温度制御に過度の負担が要求
されるようになってきた。
本発明の目的は、上記の従来技術の欠点に鑑み、ウエ
ハ搭載台を備えた露光装置において、恒温水の流れによ
る振動を防止すると同時に、恒温水の温度制御に関する
負担を軽減することにある。
ハ搭載台を備えた露光装置において、恒温水の流れによ
る振動を防止すると同時に、恒温水の温度制御に関する
負担を軽減することにある。
[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するための本発明は、ウエハを載置し
て露光を行なうための搭載台を備えた露光装置であっ
て、該搭載台に設けられ載置されたウエハの温度を無振
動で制御する温度制御手段と、露光によって蓄積された
熱を排出するために温度調節媒体を循環させるための流
路と、非露光時には露光時よりも該温度調節媒体の流量
を大きくするように調節する流量調節手段と、を有する
ことを特徴とする。
て露光を行なうための搭載台を備えた露光装置であっ
て、該搭載台に設けられ載置されたウエハの温度を無振
動で制御する温度制御手段と、露光によって蓄積された
熱を排出するために温度調節媒体を循環させるための流
路と、非露光時には露光時よりも該温度調節媒体の流量
を大きくするように調節する流量調節手段と、を有する
ことを特徴とする。
ここで好ましくは、前記無振動の温度制御手段は、前
記搭載台の表面と前記流路との間に設けられたペルチェ
素子、ヒータ、またはヒートパイプを有する。
記搭載台の表面と前記流路との間に設けられたペルチェ
素子、ヒータ、またはヒートパイプを有する。
[作用] この構成において、ウエハの露光や描画あるいは位置
決め等に際しては、温度制御手段のみより、あるいはこ
れとともに振動の影響が生じない程度に流量制御手段に
よって流量が制限された温度調節媒体により、ウエハの
温度が調整されるため、振動の影響なく精度の高い露光
や描画あるいは位置決め等が行なわれる。温度制御手段
によるウエハの温調は、例えば、ウエハの熱を、温度調
節媒体が循環するための流路側に伝達し、あるいはウエ
ハを加温することにより、比較的厳密にきめ細かく行な
われる。そして、ウエハの露光や描画あるいは位置決め
等以外の場合には、多少の振動が生じても不都合はない
ので、流量制御手段によって充分な温度調節媒体の流量
を確保し、露光等によりウエハ載置台に蓄積した熱が排
出される。したがって、本発明によれば、温度制御と防
振とを同時に達成したウエハの処理が行なわれる。
決め等に際しては、温度制御手段のみより、あるいはこ
れとともに振動の影響が生じない程度に流量制御手段に
よって流量が制限された温度調節媒体により、ウエハの
温度が調整されるため、振動の影響なく精度の高い露光
や描画あるいは位置決め等が行なわれる。温度制御手段
によるウエハの温調は、例えば、ウエハの熱を、温度調
節媒体が循環するための流路側に伝達し、あるいはウエ
ハを加温することにより、比較的厳密にきめ細かく行な
われる。そして、ウエハの露光や描画あるいは位置決め
等以外の場合には、多少の振動が生じても不都合はない
ので、流量制御手段によって充分な温度調節媒体の流量
を確保し、露光等によりウエハ載置台に蓄積した熱が排
出される。したがって、本発明によれば、温度制御と防
振とを同時に達成したウエハの処理が行なわれる。
[実施例] 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
第1図は本発明の一実施例に係るウエハ載置台を示す
模式図である。同図において、1はX線や光等の露光光
線、2は所望の露光時間だけ露光するためのシャッタ、
3はマスク、4はウエハである。5はウエハ搭載台であ
り、内部にウエハを保持するための真空孔6、露光エネ
ルギーを恒温水側に伝達するペルチエ素子7、ペルチエ
素子7の熱を除去するための恒温水が循環する流路8、
およびウエハの温度を検出するための温度検出器9を備
える。10と11はそれぞれ恒温水の排出口と導入口、13は
恒温水を循環させるための恒温循環装置、12は恒温水の
流量を制御するための流量制御弁、14はシャッタ2を駆
動するシャッタ駆動部、15はシャッタ制御部、16は温度
検出器9により温度を測定する温度測定部、17はペルチ
エ素子7の駆動部、18はペルチエ素子制御部、19は流量
制御弁12を制御する流量制御部、20は各制御部を制御す
るためのCPUである。
模式図である。同図において、1はX線や光等の露光光
線、2は所望の露光時間だけ露光するためのシャッタ、
3はマスク、4はウエハである。5はウエハ搭載台であ
り、内部にウエハを保持するための真空孔6、露光エネ
ルギーを恒温水側に伝達するペルチエ素子7、ペルチエ
素子7の熱を除去するための恒温水が循環する流路8、
およびウエハの温度を検出するための温度検出器9を備
える。10と11はそれぞれ恒温水の排出口と導入口、13は
恒温水を循環させるための恒温循環装置、12は恒温水の
流量を制御するための流量制御弁、14はシャッタ2を駆
動するシャッタ駆動部、15はシャッタ制御部、16は温度
検出器9により温度を測定する温度測定部、17はペルチ
エ素子7の駆動部、18はペルチエ素子制御部、19は流量
制御弁12を制御する流量制御部、20は各制御部を制御す
るためのCPUである。
次にこの構成における動作を説明する。
ウエハの温度を制御するための情報として、まず、ウ
エハ4の温度が温度検出素子9によって測定され、温度
測定部16から測定結果を示す信号がペルチエ素子制御部
18へ送られる。これを受信すると、ベルチエ素子制御部
18はウエハ4の温度が常にCPU20によって定められた温
度、例えば23±0.01℃になるように駆動部17を経てペル
チエ素子7を作動させる。
エハ4の温度が温度検出素子9によって測定され、温度
測定部16から測定結果を示す信号がペルチエ素子制御部
18へ送られる。これを受信すると、ベルチエ素子制御部
18はウエハ4の温度が常にCPU20によって定められた温
度、例えば23±0.01℃になるように駆動部17を経てペル
チエ素子7を作動させる。
一方、恒温循環装置13より所定の温度、例えば23.1±
0.1℃に制御された恒温水が送出され、流量制御弁12を
経て導入口11より流路8に導入され、ペルチエ素子7の
裏面(ウエハ4と反対側)の熱を奪い、排出口10より排
出され、そして再び恒温循環装置13に戻るように循環さ
れる。
0.1℃に制御された恒温水が送出され、流量制御弁12を
経て導入口11より流路8に導入され、ペルチエ素子7の
裏面(ウエハ4と反対側)の熱を奪い、排出口10より排
出され、そして再び恒温循環装置13に戻るように循環さ
れる。
ここで恒温循環水は、露光時およびマスク3とウエハ
4の位置合せ時には循環が停止され、それ以外(以下、
非露光時と称す)のときに循環される。
4の位置合せ時には循環が停止され、それ以外(以下、
非露光時と称す)のときに循環される。
露光中は恒温水の循環が停止されるが、ペルチエ素子
4の駆動によってウエハ4の温度は一定に保たれると同
時に、ウエハ搭載台5も振動しない。しかし、露光によ
って生じた熱は恒温水によってウエハ搭載台5の外部へ
除去されないので、ペルチエ素子7の裏面側の温度は上
昇する。そのため、非露光時にはペルチエ素子4の裏面
側が露光前と同様の温度、またはウエハ4と同様の温度
等の所定の値に回復するようにCPU20から指令が出さ
れ、流量調節制御部19を経て流量調節弁12によって恒温
水の流量が調節される。
4の駆動によってウエハ4の温度は一定に保たれると同
時に、ウエハ搭載台5も振動しない。しかし、露光によ
って生じた熱は恒温水によってウエハ搭載台5の外部へ
除去されないので、ペルチエ素子7の裏面側の温度は上
昇する。そのため、非露光時にはペルチエ素子4の裏面
側が露光前と同様の温度、またはウエハ4と同様の温度
等の所定の値に回復するようにCPU20から指令が出さ
れ、流量調節制御部19を経て流量調節弁12によって恒温
水の流量が調節される。
次に、第2図のフローチャートに従って露光シーケン
スを説明する。露光シーケンスが開始されると、まず恒
温水の循環が停止する(ステップa)。次に、マスク3
のパターンがウエハ4の所定位置に転写されるようにウ
エハ搭載台5の位置合せが行なわれる(ステップb)。
次に、シャッタ2が所定時間開けられ、露光が開始され
る(ステップc)。そして、所定時間経過したらシャッ
タ2が閉じられ露光が終了する(ステップd)。その
後、恒温水の循環が開始され(ステップe)続いて次の
露光が行なわれるようにウエハ搭載台5が移動される
(ステップf)。以降、ステップaに戻り同様の露光シ
ーケンスが繰り返される。
スを説明する。露光シーケンスが開始されると、まず恒
温水の循環が停止する(ステップa)。次に、マスク3
のパターンがウエハ4の所定位置に転写されるようにウ
エハ搭載台5の位置合せが行なわれる(ステップb)。
次に、シャッタ2が所定時間開けられ、露光が開始され
る(ステップc)。そして、所定時間経過したらシャッ
タ2が閉じられ露光が終了する(ステップd)。その
後、恒温水の循環が開始され(ステップe)続いて次の
露光が行なわれるようにウエハ搭載台5が移動される
(ステップf)。以降、ステップaに戻り同様の露光シ
ーケンスが繰り返される。
以上の露光シーケンスが実行されている際、前述のよ
うに、ウエハ4が常に所定温度となるようにペルチエ素
子7が駆動される。
うに、ウエハ4が常に所定温度となるようにペルチエ素
子7が駆動される。
なお、前述においては、位置合せ時と露光時は循環水
を停止するものとして説明したが、ウエハ搭載台5の振
動が位置合せ精度や解像度に影響を与えない程度に、恒
温水を循環させることは何ら問題ない。
を停止するものとして説明したが、ウエハ搭載台5の振
動が位置合せ精度や解像度に影響を与えない程度に、恒
温水を循環させることは何ら問題ない。
[他の実施例] 第3図は本発明の他の実施例を示す。
同図において、21は恒温水の温度を測定するための温
度検出素子であり、その測定値は温度測定部22を経てCP
U20へ送られる。これ以外の構成は第1図の場合と同様
である。
度検出素子であり、その測定値は温度測定部22を経てCP
U20へ送られる。これ以外の構成は第1図の場合と同様
である。
この構成においては、露光終了後、上述ステップeに
対応する処理において恒温水が所定温度に達するように
CPU20より指令が出され、流量制御部19を経て流量調節
弁が開閉され、恒温水の水量が調節される。そして、恒
温水が所定温度に戻ったら次の露光が開始される。
対応する処理において恒温水が所定温度に達するように
CPU20より指令が出され、流量制御部19を経て流量調節
弁が開閉され、恒温水の水量が調節される。そして、恒
温水が所定温度に戻ったら次の露光が開始される。
ただしこの場合、所定温度はウエハ4の設定温度であ
る必要はない。また、循環される恒温水の温度は、必ず
しもウエハ4の設定温度である必要はない。
る必要はない。また、循環される恒温水の温度は、必ず
しもウエハ4の設定温度である必要はない。
例えば、ウエハ4の設定温度が23±0.01℃であり、22
±0.1℃の恒温水が恒温水循環装置13より送出されるよ
うにしてもよい。その場合、シャッタ2が閉じられ、露
光光線1がウエハ4に到達していない状態では、ウエハ
4の温度が23±0.01℃の設定温度より低くなる可能性が
ある。そこで、ペルチエ素子7の極性を反転させてヒー
タとして作動させウエハ4を所定温度にする。そして、
露光が開始されるとエネルギーが投入されるので、ウエ
ハの温度が上昇するのを防ぐために、ペルチエ素子7を
ヒートポンプとして作動させ熱を恒温水側に逃がす。
±0.1℃の恒温水が恒温水循環装置13より送出されるよ
うにしてもよい。その場合、シャッタ2が閉じられ、露
光光線1がウエハ4に到達していない状態では、ウエハ
4の温度が23±0.01℃の設定温度より低くなる可能性が
ある。そこで、ペルチエ素子7の極性を反転させてヒー
タとして作動させウエハ4を所定温度にする。そして、
露光が開始されるとエネルギーが投入されるので、ウエ
ハの温度が上昇するのを防ぐために、ペルチエ素子7を
ヒートポンプとして作動させ熱を恒温水側に逃がす。
さらに他の実施例を第4図に示す。この実施例はペル
チエ素子の替わりに、ヒータ23を備えたものである。こ
の場合、恒温水の循環が停止し、ヒータ23が駆動しない
状態において露光中のウエハ4の温度が設定温度23℃よ
り低くなるように、恒温水の温度が決められる。例えば
露光中のウエハ4の温度上昇が1.5degである場合、21.5
℃より低い温度例えば21℃に恒温循環装置13より送出さ
れる恒温水の温度が設定される。そして、ウエハ4の温
度が、設定温度である23゜±0.01℃に保たれるようにヒ
ータ23が駆動される。露光中や非露光時の恒温水の循環
は第1図の実施例の場合と同様である。
チエ素子の替わりに、ヒータ23を備えたものである。こ
の場合、恒温水の循環が停止し、ヒータ23が駆動しない
状態において露光中のウエハ4の温度が設定温度23℃よ
り低くなるように、恒温水の温度が決められる。例えば
露光中のウエハ4の温度上昇が1.5degである場合、21.5
℃より低い温度例えば21℃に恒温循環装置13より送出さ
れる恒温水の温度が設定される。そして、ウエハ4の温
度が、設定温度である23゜±0.01℃に保たれるようにヒ
ータ23が駆動される。露光中や非露光時の恒温水の循環
は第1図の実施例の場合と同様である。
なお、上述においては、恒温循環水の他の温度制御手
段としてはペルチエ素子またはヒータを用いた例を示し
たが、これらの他にヒートパイプ等の無振動型の温度制
御手段であれば有効に用いることができる。また、ウエ
ハ載置台5の外部へ熱を取り去る手段としては恒温循環
水を用いたものである必要はなく、他の冷却媒体を用い
たものでもよい。更に、ヒートパイプ等を用いてもよ
い。
段としてはペルチエ素子またはヒータを用いた例を示し
たが、これらの他にヒートパイプ等の無振動型の温度制
御手段であれば有効に用いることができる。また、ウエ
ハ載置台5の外部へ熱を取り去る手段としては恒温循環
水を用いたものである必要はなく、他の冷却媒体を用い
たものでもよい。更に、ヒートパイプ等を用いてもよ
い。
また、上述実施例においては露光中のウエハ温度を一
定にする場合について述べたが、本発明のウエハ搭載台
は無振動でウエハの温度を所定の値に設定できるように
したものであるから、例えば、特開昭53−15768に示さ
れるようなプロセス中の歪を補正するためにウエハの温
度を変化させて拡大または縮小させるような系において
も有効であることはいうまでもない。
定にする場合について述べたが、本発明のウエハ搭載台
は無振動でウエハの温度を所定の値に設定できるように
したものであるから、例えば、特開昭53−15768に示さ
れるようなプロセス中の歪を補正するためにウエハの温
度を変化させて拡大または縮小させるような系において
も有効であることはいうまでもない。
また、本発明は露光装置のみならず、電子ビーム描画
装置のような正確な位置決めを要するウエハ搭載台にも
有効である。
装置のような正確な位置決めを要するウエハ搭載台にも
有効である。
[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、搭載台に設けら
れ載置されたウエハの温度を無振動で制御する温度制御
手段と、露光によって蓄積された熱を排出するために温
度調節媒体を循環させるための流路と、非露光時には露
光時よりも該温度調節媒体の流量を大きくするように調
節する流量調節手段とを備えているため、ウエハ温度を
所定の値に保つと同時に、露光時における振動による焼
付パターンの精度低下等を防ぐことができ、高精度のパ
ターニング等のウエハ処理が可能となる。更に、きめ細
かな温度制御が困難である恒温水等による温度制御を緩
かにすることができ、これによる温度制御の負担が軽減
されるという効果がある。
れ載置されたウエハの温度を無振動で制御する温度制御
手段と、露光によって蓄積された熱を排出するために温
度調節媒体を循環させるための流路と、非露光時には露
光時よりも該温度調節媒体の流量を大きくするように調
節する流量調節手段とを備えているため、ウエハ温度を
所定の値に保つと同時に、露光時における振動による焼
付パターンの精度低下等を防ぐことができ、高精度のパ
ターニング等のウエハ処理が可能となる。更に、きめ細
かな温度制御が困難である恒温水等による温度制御を緩
かにすることができ、これによる温度制御の負担が軽減
されるという効果がある。
第1図は、本発明の一実施例を示す模式図、 第2図は、第1図の装置を有する露光装置における露光
シーケンスを示すフローチャート、そして 第3図および第4図は、本発明の他の実施例を示す模式
図である。 1:露光光線、2:シャッター、3:マスク、4:ウエハ、5:は
ウエハ塔載台、6:真空溝、7:ペルチエ素子、8:流路、9:
温度検出素子、10:排出管、11:導入管、12:流量調節
弁、13:恒温循環槽、14:シャッター駆動部、15:シャッ
ター制御部、16:温度測定部、17:ペルチエ素子駆動部、
18:ペルチエ素子制御部、19:流量制御部、20:CPU、21:
温度検出素子、22:温度検出部、23:ヒータ。
シーケンスを示すフローチャート、そして 第3図および第4図は、本発明の他の実施例を示す模式
図である。 1:露光光線、2:シャッター、3:マスク、4:ウエハ、5:は
ウエハ塔載台、6:真空溝、7:ペルチエ素子、8:流路、9:
温度検出素子、10:排出管、11:導入管、12:流量調節
弁、13:恒温循環槽、14:シャッター駆動部、15:シャッ
ター制御部、16:温度測定部、17:ペルチエ素子駆動部、
18:ペルチエ素子制御部、19:流量制御部、20:CPU、21:
温度検出素子、22:温度検出部、23:ヒータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小澤 邦貴 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 岩本 和徳 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 鵜澤 俊一 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 丸茂 光司 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−73519(JP,A)
Claims (2)
- 【請求項1】ウエハを載置して露光を行なうための塔載
台を備えた露光装置であって、該搭載台に設けられ載置
されたウエハの温度を無振動で制御する温度制御手段
と、露光によって蓄積された熱を排出するために温度調
節媒体を循環させるための流路と、非露光時には露光時
よりも該温度調節媒体の流量を大きくするように調節す
る流量調節手段と、を有することを特徴とする露光装
置。 - 【請求項2】前記無振動の温度制御手段は、前記塔載台
の表面と前記流路との間に設けられたペルチェ素子、ヒ
ータ、またはヒートパイプを有することを特徴とする請
求項1記載の露光装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1197957A JP2737010B2 (ja) | 1989-08-01 | 1989-08-01 | 露光装置 |
EP90308447A EP0411916B1 (en) | 1989-08-01 | 1990-07-31 | Wafer table and exposure apparatus with the same |
DE69030848T DE69030848T2 (de) | 1989-08-01 | 1990-07-31 | Wafertisch und damit versehene Belichtungsvorrichtung |
US07/821,888 US5231291A (en) | 1989-08-01 | 1992-01-17 | Wafer table and exposure apparatus with the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1197957A JP2737010B2 (ja) | 1989-08-01 | 1989-08-01 | 露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0362920A JPH0362920A (ja) | 1991-03-19 |
JP2737010B2 true JP2737010B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=16383128
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1197957A Expired - Fee Related JP2737010B2 (ja) | 1989-08-01 | 1989-08-01 | 露光装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0411916B1 (ja) |
JP (1) | JP2737010B2 (ja) |
DE (1) | DE69030848T2 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3091804B2 (ja) * | 1993-03-16 | 2000-09-25 | 日本碍子株式会社 | 半導体ウエハー用サセプターおよび半導体ウエハーの温度測定方法 |
JPH0711140U (ja) * | 1993-08-02 | 1995-02-21 | フルタ電機株式会社 | 地磁気撹乱現象を生成する磁気特性を備えた防霜ファン |
JP3188363B2 (ja) * | 1994-01-21 | 2001-07-16 | エフエスアイ・インターナショナル・インコーポレーテッド | 循環クーラントを用いた温度コントローラ及びそのための温度制御方法 |
US5667622A (en) * | 1995-08-25 | 1997-09-16 | Siemens Aktiengesellschaft | In-situ wafer temperature control apparatus for single wafer tools |
KR100274127B1 (ko) * | 1996-04-23 | 2001-01-15 | 이시다 아키라 | 기판 온도 제어방법, 기판 열처리장치 및 기판 지지장치 |
WO1998005060A1 (en) * | 1996-07-31 | 1998-02-05 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Multizone bake/chill thermal cycling module |
US5835334A (en) * | 1996-09-30 | 1998-11-10 | Lam Research | Variable high temperature chuck for high density plasma chemical vapor deposition |
DE19700839C2 (de) * | 1997-01-13 | 2000-06-08 | Siemens Ag | Chuckanordnung |
US6035101A (en) * | 1997-02-12 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods |
US6415858B1 (en) * | 1997-12-31 | 2002-07-09 | Temptronic Corporation | Temperature control system for a workpiece chuck |
KR100574924B1 (ko) * | 1999-08-18 | 2006-04-28 | 삼성전자주식회사 | 세라믹 링을 구비하는 정전척 및 그 제조방법 |
US6472643B1 (en) * | 2000-03-07 | 2002-10-29 | Silicon Valley Group, Inc. | Substrate thermal management system |
JP2005109158A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Canon Inc | 冷却装置及び方法、それを有する露光装置、デバイスの製造方法 |
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US8208119B2 (en) * | 2004-02-04 | 2012-06-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1843206B1 (en) * | 2006-04-06 | 2012-09-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101571714B (zh) * | 2008-04-30 | 2012-10-03 | 联华电子股份有限公司 | 控制集成电路制造程序的结果参数的方法 |
US9176398B2 (en) | 2008-06-10 | 2015-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Method and system for thermally conditioning an optical element |
EP2656378B1 (de) | 2010-12-20 | 2015-03-18 | Ev Group E. Thallner GmbH | Aufnahmeeinrichtung zur halterung von wafern |
WO2016150622A1 (en) * | 2015-03-24 | 2016-09-29 | Asml Netherlands B.V. | A lithography apparatus and a method of manufacturing a device |
WO2019167234A1 (ja) | 2018-03-01 | 2019-09-06 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57169244A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Canon Inc | Temperature controller for mask and wafer |
DE3306999A1 (de) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | Censor Patent Versuch | Einrichtung zum festhalten eines werkstueckes |
JPH01152639A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-15 | Canon Inc | 吸着保持装置 |
DE68921687T2 (de) * | 1988-09-02 | 1995-08-03 | Canon Kk | Belichtungseinrichtung. |
-
1989
- 1989-08-01 JP JP1197957A patent/JP2737010B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-07-31 DE DE69030848T patent/DE69030848T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-31 EP EP90308447A patent/EP0411916B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0411916B1 (en) | 1997-06-04 |
JPH0362920A (ja) | 1991-03-19 |
DE69030848T2 (de) | 1997-10-16 |
DE69030848D1 (de) | 1997-07-10 |
EP0411916A3 (en) | 1991-10-30 |
EP0411916A2 (en) | 1991-02-06 |
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