JP3091804B2 - 半導体ウエハー用サセプターおよび半導体ウエハーの温度測定方法 - Google Patents
半導体ウエハー用サセプターおよび半導体ウエハーの温度測定方法Info
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- JP3091804B2 JP3091804B2 JP5584393A JP5584393A JP3091804B2 JP 3091804 B2 JP3091804 B2 JP 3091804B2 JP 5584393 A JP5584393 A JP 5584393A JP 5584393 A JP5584393 A JP 5584393A JP 3091804 B2 JP3091804 B2 JP 3091804B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハーを保持
するためのサセプターに関するものである。
するためのサセプターに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置では、ＰＶＤ，ＣＶＤ，
拡散，アニール等の工程を実施する。この際には、半導
体ウエハーをサセプター上に設置し、加熱する枚葉式処
理法が工業的に行われている。このウエハーを加熱する
際には、サセプター上に半導体ウエハーを載せて固定し
たり、静電チャックに半導体ウエハーを吸着して固定し
たりして、赤外線ランプで間接加熱する。また、本発明
者は、円盤状セラミックス基体中に高融点金属製の抵抗
発熱体を埋設し、この基体の表面に半導体ウエハーを固
定し、抵抗発熱体に通電して半導体ウエハーを加熱する
技術を、公開している。
拡散，アニール等の工程を実施する。この際には、半導
体ウエハーをサセプター上に設置し、加熱する枚葉式処
理法が工業的に行われている。このウエハーを加熱する
際には、サセプター上に半導体ウエハーを載せて固定し
たり、静電チャックに半導体ウエハーを吸着して固定し
たりして、赤外線ランプで間接加熱する。また、本発明
者は、円盤状セラミックス基体中に高融点金属製の抵抗
発熱体を埋設し、この基体の表面に半導体ウエハーを固
定し、抵抗発熱体に通電して半導体ウエハーを加熱する
技術を、公開している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、近年、半導
体製造用装置においては、プラズマによる反応を用いる
ことが多くなってきており、ＲＩＥ，ＰＥＣＶＤ，ＥＣ
Ｒ等の実用化が盛んである。しかし、こうした装置で
は、半導体ウエハーの温度制御が非常に困難である。
体製造用装置においては、プラズマによる反応を用いる
ことが多くなってきており、ＲＩＥ，ＰＥＣＶＤ，ＥＣ
Ｒ等の実用化が盛んである。しかし、こうした装置で
は、半導体ウエハーの温度制御が非常に困難である。
【０００４】例えばＥＣＲ等では、プロセス圧力が10-4
torrであり、一般のスパッタに比べ高真空化が進んでい
るうえ、プラズマ出力も大きくなってきている。従っ
て、プラズマイオンのボンバードメントによって半導体
ウエハーに急激に熱が流入する。この熱量は約１W/cm2
程度であり、温度に換算すると、１分間に 100℃ほど温
度が上昇することになる。このため、半導体ウエハーの
温度制御ができなくなっていた。
torrであり、一般のスパッタに比べ高真空化が進んでい
るうえ、プラズマ出力も大きくなってきている。従っ
て、プラズマイオンのボンバードメントによって半導体
ウエハーに急激に熱が流入する。この熱量は約１W/cm2
程度であり、温度に換算すると、１分間に 100℃ほど温
度が上昇することになる。このため、半導体ウエハーの
温度制御ができなくなっていた。
【０００５】一つの方法としては、サセプター内に冷却
液を循環させ、半導体ウエハーを急速に冷却することが
考えられる。しかし、これでは冷却液の供給、排出系が
必要であるし、かつサセプターを同時に高温まで加熱す
ることができない。
液を循環させ、半導体ウエハーを急速に冷却することが
考えられる。しかし、これでは冷却液の供給、排出系が
必要であるし、かつサセプターを同時に高温まで加熱す
ることができない。
【０００６】本発明者は、サセプターの表面に凹部を設
け、この上に半導体ウエハーを設置し、半導体ウエハー
の温度が急上昇すると、上記の凹部に冷却ガスを流すこ
とも検討した。しかし、冷却ガスを流すと、装置内の真
空度が下がるので、プラズマ反応が阻害される。また半
導体ウエハーに供給される熱量が多くなると、冷却能力
が不充分であり、温度の急上昇を止めることができな
い。
け、この上に半導体ウエハーを設置し、半導体ウエハー
の温度が急上昇すると、上記の凹部に冷却ガスを流すこ
とも検討した。しかし、冷却ガスを流すと、装置内の真
空度が下がるので、プラズマ反応が阻害される。また半
導体ウエハーに供給される熱量が多くなると、冷却能力
が不充分であり、温度の急上昇を止めることができな
い。
【０００７】本発明の課題は、半導体ウエハー用のサセ
プターにおいて、半導体ウエハー上で熱量の出入りがあ
り、温度が変動するときに、半導体ウエハーの温度をサ
セプター上に設置されている状態でリアルタイムで測定
する新規な方法および装置を提供することである。
プターにおいて、半導体ウエハー上で熱量の出入りがあ
り、温度が変動するときに、半導体ウエハーの温度をサ
セプター上に設置されている状態でリアルタイムで測定
する新規な方法および装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウエハ
ーの設置面を有する半導体ウエハー用サセプターであっ
て、緻密質セラミックスからなる基材、この基材中に埋
設されている前記設置面とほぼ平行な平板状の熱電変換
素子、およびこの熱電変換素子に対して接続されている
負荷を備えており、半導体ウエハーの温度に応じて熱電
変換素子に生ずる自己起電力に応じて負荷を流れる電流
値を測定し、この測定値から半導体ウエハーの温度を検
出することを特徴とする。また、本発明は、半導体ウエ
ハー用サセプターの半導体ウエハー設置面に設置されて
いる半導体ウエハーの温度を測定する方法であって、半
導体ウエハー用サセプターが、緻密質セラミックスから
なる基材、この基材中に埋設されている設置面とほぼ平
行な平板状の熱電変換素子、およびこの熱電変換素子に
対して接続されている負荷を備えており、半導体ウエハ
ーの温度に応じて熱電変換素子に生ずる自己起電力に応
じて前記負荷を流れる電流値を測定し、この測定値から
半導体ウエハーの温度を検出することを特徴とする。
ーの設置面を有する半導体ウエハー用サセプターであっ
て、緻密質セラミックスからなる基材、この基材中に埋
設されている前記設置面とほぼ平行な平板状の熱電変換
素子、およびこの熱電変換素子に対して接続されている
負荷を備えており、半導体ウエハーの温度に応じて熱電
変換素子に生ずる自己起電力に応じて負荷を流れる電流
値を測定し、この測定値から半導体ウエハーの温度を検
出することを特徴とする。また、本発明は、半導体ウエ
ハー用サセプターの半導体ウエハー設置面に設置されて
いる半導体ウエハーの温度を測定する方法であって、半
導体ウエハー用サセプターが、緻密質セラミックスから
なる基材、この基材中に埋設されている設置面とほぼ平
行な平板状の熱電変換素子、およびこの熱電変換素子に
対して接続されている負荷を備えており、半導体ウエハ
ーの温度に応じて熱電変換素子に生ずる自己起電力に応
じて前記負荷を流れる電流値を測定し、この測定値から
半導体ウエハーの温度を検出することを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明によれば、緻密質セラミックスからなる
基材内に平板状の熱電変換素子が埋設されているので、
半導体ウエハー上で熱量の出入りがあるときに、熱電変
換素子によって起電力が生じ、この起電力によって負荷
に電流が流れる。この電流値を測定することによって、
所定の検量線から、半導体ウエハーの温度を測定でき
る。この熱電変換素子とは、金属や半導体中の温度が一
様でなくなると、キャリアの移動がおこると、ゼーベッ
ク効果、ペルチェ効果、トムソン効果、エッチングハウ
ゼン効果、ネルンスト効果などの電気効果が生じる機能
を有しているものである。しかも、熱電変換素子は、緻
密質セラミックスからなる基材内に埋設されているの
で、半導体製造用のプラズマガス、腐食性ガスから保護
される。従って、長期間に亘って、半導体ウエハーの温
度を測定する機能が、損なわれない。しかも、高温下や
高真空下でも、問題なく使用できる。
基材内に平板状の熱電変換素子が埋設されているので、
半導体ウエハー上で熱量の出入りがあるときに、熱電変
換素子によって起電力が生じ、この起電力によって負荷
に電流が流れる。この電流値を測定することによって、
所定の検量線から、半導体ウエハーの温度を測定でき
る。この熱電変換素子とは、金属や半導体中の温度が一
様でなくなると、キャリアの移動がおこると、ゼーベッ
ク効果、ペルチェ効果、トムソン効果、エッチングハウ
ゼン効果、ネルンスト効果などの電気効果が生じる機能
を有しているものである。しかも、熱電変換素子は、緻
密質セラミックスからなる基材内に埋設されているの
で、半導体製造用のプラズマガス、腐食性ガスから保護
される。従って、長期間に亘って、半導体ウエハーの温
度を測定する機能が、損なわれない。しかも、高温下や
高真空下でも、問題なく使用できる。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明の実施例に係るサセプター１
を模式的に示す断面図である。サセプター１の基材２
は、緻密質セラミックスからなる。基材２の平面的形状
は、円形の他、楕円形、正方形等であってよい。
を模式的に示す断面図である。サセプター１の基材２
は、緻密質セラミックスからなる。基材２の平面的形状
は、円形の他、楕円形、正方形等であってよい。
【００１１】基材２の内部に、Ｐ型半導体素子３とＮ型
半導体素子４とからなる熱電変換素子が埋設されてい
る。Ｐ型半導体素子３は、平板状部３ａと、平板状部３
ａから突出した棒状端子３ｂとからなっている。Ｎ型半
導体素子４は、平板状部４ａと、平板状部４ａから突出
した棒状端子４ｂとからなっている。平板状部４ａの貫
通孔４ｃを、棒状端子３ｂが通っている。棒状端子３
ｂ，４ｂの末端が、それぞれサセプターの背面に露出し
ている。
半導体素子４とからなる熱電変換素子が埋設されてい
る。Ｐ型半導体素子３は、平板状部３ａと、平板状部３
ａから突出した棒状端子３ｂとからなっている。Ｎ型半
導体素子４は、平板状部４ａと、平板状部４ａから突出
した棒状端子４ｂとからなっている。平板状部４ａの貫
通孔４ｃを、棒状端子３ｂが通っている。棒状端子３
ｂ，４ｂの末端が、それぞれサセプターの背面に露出し
ている。
【００１２】ケーブル５Ａ，５Ｂは、棒状端子４ａ，４
ｂの各々と熱電変換効果の少ない材料で構成されてい
る。
ｂの各々と熱電変換効果の少ない材料で構成されてい
る。
【００１３】ケーブル５Ａと５Ｂとの間に、リレースイ
ッチ８，負荷７が配線されている。設置面２ａ上に設置
された半導体ウエハーに対し、プラズマイオンのボンバ
ードメントによって熱量が与えられると、素子３，４が
熱電変換素子として働く。このときリレースイッチ８を
オンにすると、矢印Ａのように電流が流れる。この結
果、熱量が電力として消費され、半導体ウエハーが冷却
される。
ッチ８，負荷７が配線されている。設置面２ａ上に設置
された半導体ウエハーに対し、プラズマイオンのボンバ
ードメントによって熱量が与えられると、素子３，４が
熱電変換素子として働く。このときリレースイッチ８を
オンにすると、矢印Ａのように電流が流れる。この結
果、熱量が電力として消費され、半導体ウエハーが冷却
される。
【００１４】図１の例では、自己起電力を利用し、負荷
７を流れる電流を測定すれば、起電力の大きさから半導
体ウエハーの温度を検出することができるし、基材２が
加熱中であれば冷却することもできる。
７を流れる電流を測定すれば、起電力の大きさから半導
体ウエハーの温度を検出することができるし、基材２が
加熱中であれば冷却することもできる。
【００１５】基材２を構成する緻密質セラミックスとし
ては、窒化珪素、窒化アルミニウム、サイアロン、炭化
珪素、アルミナ、チタニア等が好ましい。また、熱電冷
却素子の材料は、Bi2Te3−Sb2Te3系化合物, PbTe系化合
物, TAGS, Si0.8Ge0.2, FeSi2 系化合物，SiC 系化合物
などを例示できる。特に、FeSi2, SiCは、セラミック製
造技術によって、複雑な形状のｐ−ｎ接合素子を簡単に
作ることができるので、好ましい。
ては、窒化珪素、窒化アルミニウム、サイアロン、炭化
珪素、アルミナ、チタニア等が好ましい。また、熱電冷
却素子の材料は、Bi2Te3−Sb2Te3系化合物, PbTe系化合
物, TAGS, Si0.8Ge0.2, FeSi2 系化合物，SiC 系化合物
などを例示できる。特に、FeSi2, SiCは、セラミック製
造技術によって、複雑な形状のｐ−ｎ接合素子を簡単に
作ることができるので、好ましい。
【００１６】サセプター１は、例えば、次の方法によっ
て製造することができる。まず、図２に示すように、焼
結後のセラミックス基材９，10，Ｐ型半導体素子３，Ｎ
型半導体素子４を準備する。基材９は、Ｐ型半導体素子
３の表面を覆うためのものであり、平板状である。基材
10には、半導体素子３及び４を収容可能な凹部10ａが設
けられており、かつ貫通孔４ｃに嵌合可能な突起10ｂが
設けられている。
て製造することができる。まず、図２に示すように、焼
結後のセラミックス基材９，10，Ｐ型半導体素子３，Ｎ
型半導体素子４を準備する。基材９は、Ｐ型半導体素子
３の表面を覆うためのものであり、平板状である。基材
10には、半導体素子３及び４を収容可能な凹部10ａが設
けられており、かつ貫通孔４ｃに嵌合可能な突起10ｂが
設けられている。
【００１７】そして、まずＮ型半導体素子４を凹部10ａ
に密着させ、棒状端子４ｂを貫通孔10ｄに貫通させ、突
起10ｂを貫通孔４ｃに嵌合させる。次いで、棒状端子３
ｂを貫通孔10ｃに挿通させ、平板状部３ａを４ａに密着
させる。この上から基材９を載せ、接合する。接合方法
は、ろう接合、ガラス接合が用いられる。半導体素子
は、セラミック系の焼結体の他、メタル製のもの、プリ
ントタイプの薄膜等が用いられる。
に密着させ、棒状端子４ｂを貫通孔10ｄに貫通させ、突
起10ｂを貫通孔４ｃに嵌合させる。次いで、棒状端子３
ｂを貫通孔10ｃに挿通させ、平板状部３ａを４ａに密着
させる。この上から基材９を載せ、接合する。接合方法
は、ろう接合、ガラス接合が用いられる。半導体素子
は、セラミック系の焼結体の他、メタル製のもの、プリ
ントタイプの薄膜等が用いられる。
【００１８】本発明者は、上記した製法でサセプター１
を試作し、作動実験を行った。即ち、Ｐ型半導体素子３
を、マンガンをドープしたFeSi2 で形成し、Ｎ型半導体
素子４を、コバルトをドープしたFeSi2 で形成した。基
材９，10は、いずれも窒化珪素で形成した。窒化珪素中
には、焼結助剤として、Y2O3を添加した。30重量％のY2
O3，30重量％のAl2O3, 30 重量％のSiO2及び10重量％の
Si3N4 の混合粉末を用い、1500℃で加熱してオキシナイ
トライドガラスを形成することによって、基材９と10と
を接合した。
を試作し、作動実験を行った。即ち、Ｐ型半導体素子３
を、マンガンをドープしたFeSi2 で形成し、Ｎ型半導体
素子４を、コバルトをドープしたFeSi2 で形成した。基
材９，10は、いずれも窒化珪素で形成した。窒化珪素中
には、焼結助剤として、Y2O3を添加した。30重量％のY2
O3，30重量％のAl2O3, 30 重量％のSiO2及び10重量％の
Si3N4 の混合粉末を用い、1500℃で加熱してオキシナイ
トライドガラスを形成することによって、基材９と10と
を接合した。
【００１９】基材９，10及びＰ，Ｎ半導体素子３，４
は、予め緻密な焼結体を使用し、一体化しているが、セ
ラミックスの成形体を一体焼結する事も可能である。更
に、基材９，10，ＰＮ半導体素子３，４は、スパッタ、
ＣＶＤ法によって形成する事も可能である。
は、予め緻密な焼結体を使用し、一体化しているが、セ
ラミックスの成形体を一体焼結する事も可能である。更
に、基材９，10，ＰＮ半導体素子３，４は、スパッタ、
ＣＶＤ法によって形成する事も可能である。
【００２０】なお、基材９，10、及びＰＮ半導体素子
３，４は、接合界面にスキ間が無く、吸熱、加熱が速や
かに基材９，10とＰＮ半導体素子３，４の間で行なわれ
るよう、固体接触している状況が好ましく、一体化が重
要となる。このため、各材料の熱膨張率はできるだけ近
い方が良い。AlN やSi3N4, SiCを基材９，10に使用した
時には、半導体素子はSiC,SiGe等が好ましい。
３，４は、接合界面にスキ間が無く、吸熱、加熱が速や
かに基材９，10とＰＮ半導体素子３，４の間で行なわれ
るよう、固体接触している状況が好ましく、一体化が重
要となる。このため、各材料の熱膨張率はできるだけ近
い方が良い。AlN やSi3N4, SiCを基材９，10に使用した
時には、半導体素子はSiC,SiGe等が好ましい。
【００２１】図１に示すように配線した。設置面２ａを
外部より赤外線ランプで加熱し、温度を 800℃にした。
回路の発熱部の温度は室温とした。リレースイッチ８を
オンにし、ケーブル全体を閉回路にすると、５Ａの電流
が流れた。この電流の値を検出することにより、加熱温
度を検出することができる。更に、ケーブルを閉回路に
した後、１分後には、設置面２ａの温度が 690℃まで低
下した。
外部より赤外線ランプで加熱し、温度を 800℃にした。
回路の発熱部の温度は室温とした。リレースイッチ８を
オンにし、ケーブル全体を閉回路にすると、５Ａの電流
が流れた。この電流の値を検出することにより、加熱温
度を検出することができる。更に、ケーブルを閉回路に
した後、１分後には、設置面２ａの温度が 690℃まで低
下した。
【００２２】図３の実施例においては、基体２の内部に
抵抗発熱体11を埋設するのと共に、ケーブル５Ａ，５Ｂ
にリレースイッチ８、負荷７を接続した。この部分の動
作は、図２に示したものと同じである。基材２の内部に
は、高融点金属からなる抵抗発熱体11が埋設されてお
り、抵抗発熱体11の端部に、棒状端子12が接続されてい
る。各棒状端子12にリード線14が接続され、リード線14
が交流電源13に接続されている。
抵抗発熱体11を埋設するのと共に、ケーブル５Ａ，５Ｂ
にリレースイッチ８、負荷７を接続した。この部分の動
作は、図２に示したものと同じである。基材２の内部に
は、高融点金属からなる抵抗発熱体11が埋設されてお
り、抵抗発熱体11の端部に、棒状端子12が接続されてい
る。各棒状端子12にリード線14が接続され、リード線14
が交流電源13に接続されている。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、半導体ウエハー用サセ
プター上の半導体ウエハー上で熱量の出入りがあるとき
に、半導体ウエハーの温度をリアルタイムで測定でき
る。しかも、熱電変換素子は、緻密質セラミックスから
なる基材内に埋設されているので、半導体製造用のプラ
ズマガス、腐食性ガスから保護される。従って、長期間
に亘って、半導体ウエハーの温度を測定する機能が、損
なわれない。しかも、高温下や高真空下でも、問題なく
使用できる。また、熱電変換素子が平板状なので、半導
体ウエハーの全体の平均的な温度を検出できる。
プター上の半導体ウエハー上で熱量の出入りがあるとき
に、半導体ウエハーの温度をリアルタイムで測定でき
る。しかも、熱電変換素子は、緻密質セラミックスから
なる基材内に埋設されているので、半導体製造用のプラ
ズマガス、腐食性ガスから保護される。従って、長期間
に亘って、半導体ウエハーの温度を測定する機能が、損
なわれない。しかも、高温下や高真空下でも、問題なく
使用できる。また、熱電変換素子が平板状なので、半導
体ウエハーの全体の平均的な温度を検出できる。
【図１】本発明のサセプターを模式的に示す断面図であ
る。
る。
【図２】サセプター１の製造工程を説明するための断面
図である。
図である。
【図３】本発明のサセプターを模式的に示す断面図であ
る。
る。
１，21 サセプター ２ 基材 ３ Ｐ型半導体素子 ４ Ｎ型半導体素子 ５Ａ，５Ｂ ケーブル 11 抵抗発熱体 13 電源 Ａ 電流が流れる方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−215135（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−62920（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−261131（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−87178（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−299832（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−152639（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】半導体ウエハーの設置面を有する半導体ウ
エハー用サセプターであって、緻密質セラミックスから
なる基材、この基材中に埋設されている前記設置面とほ
ぼ平行な平板状の熱電変換素子、およびこの熱電変換素
子に対して接続されている負荷を備えており、前記半導
体ウエハーの温度に応じて前記熱電変換素子に生ずる自
己起電力に応じて前記負荷を流れる電流値を測定し、こ
の測定値から前記半導体ウエハーの温度を検出すること
を特徴とする、半導体ウエハー用サセプター。 - 【請求項２】前記半導体ウエハー用サセプターが、真空
下で使用される半導体ウエハー用サセプターであり、前
記基材が、窒化珪素、窒化アルミニウム、サイアロン、
炭化珪素、アルミナおよびチタニアからなる群より選ば
れた一種以上の緻密質セラミックスによって形成されて
おり、前記熱電変換素子が、Bi2Te3−Sb2Te3系化合物、
PbTe系化合物、ＴＡＧＳ、ＳｉＧｅ、FeSi2 系化合物お
よびSiC 系化合物からなる群より選ばれた一種以上の材
質によって形成されていることを特徴とする、請求項１
記載の半導体ウエハー用サセプター。 - 【請求項３】前記熱電変換素子が、FeSi2 系化合物およ
びSiC 系化合物からなる群より選ばれた一種以上の材質
によって形成されていることを特徴とする、請求項２記
載の半導体ウエハー用サセプター。 - 【請求項４】前記基材が、窒化珪素、窒化アルミニウム
および炭化珪素からなる群より選ばれた一種以上の緻密
質セラミックスによって形成されており、前記熱電変換
素子がＳｉＧｅおよびSiC 系化合物からなる群より選ば
れた一種以上の材質によって形成されていることを特徴
とする、請求項２記載の半導体ウエハー用サセプター。 - 【請求項５】半導体ウエハー用サセプターの半導体ウエ
ハー設置面に設置されている半導体ウエハーの温度を測
定する方法であって、前記半導体ウエハー用サセプター
が、緻密質セラミックスからなる基材、この基材中に埋
設されている前記設置面とほぼ平行な平板状の熱電変換
素子、およびこの熱電変換素子に対して接続されている
負荷を備えており、前記半導体ウエハーの温度に応じて
前記熱電変換素子に生ずる自己起電力に応じて前記負荷
を流れる電流値を測定し、この測定値から前記半導体ウ
エハーの温度を検出することを特徴とする、半導体ウエ
ハーの温度測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5584393A JP3091804B2 (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 半導体ウエハー用サセプターおよび半導体ウエハーの温度測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5584393A JP3091804B2 (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 半導体ウエハー用サセプターおよび半導体ウエハーの温度測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06268053A JPH06268053A (ja) | 1994-09-22 |
| JP3091804B2 true JP3091804B2 (ja) | 2000-09-25 |
Family
ID=13010300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5584393A Expired - Lifetime JP3091804B2 (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 半導体ウエハー用サセプターおよび半導体ウエハーの温度測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3091804B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4442171B2 (ja) | 2003-09-24 | 2010-03-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2908457B2 (ja) * | 1988-07-25 | 1999-06-21 | ヤマハ発動機株式会社 | ガスエンジンの混合気供給装置 |
| JPH02215135A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-28 | Fujitsu Ltd | 気相エピタキシャル成長装置 |
| JP2737010B2 (ja) * | 1989-08-01 | 1998-04-08 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| JPH0736391B2 (ja) * | 1990-03-12 | 1995-04-19 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用ウエハー加熱装置 |
| JPH088215B2 (ja) * | 1990-07-27 | 1996-01-29 | 日本碍子株式会社 | 半導体ウエハー加熱装置 |
| JPH0785473B2 (ja) * | 1991-03-28 | 1995-09-13 | 日本碍子株式会社 | 半導体ウエハー加熱装置 |
-
1993
- 1993-03-16 JP JP5584393A patent/JP3091804B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06268053A (ja) | 1994-09-22 |
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