JP3235472B2 - 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は投影露光装置及びそ
れを用いたデバイスの製造方法に関し、特にＩＣ，ＬＳ
Ｉ，ＣＣＤ，液晶パネル等のデバイスを製造する際にレ
チクル（第１物体）面上の電子回路パターンを投影光学
系（投影レンズ）によりウエハ等の基板（第２物体）面
上に投影するとき、該投影光学系が露光光を吸収し、温
度が上昇して光学特性が変化したときの該光学性能の変
化が所定値以上に変化しないように調整し、高精度な投
影パターン像が得られるようにしたものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子
製造用に高解像力、高スループット化が比較的容易な投
影露光装置が多く用いられている。この投影露光装置で
は１回の露光によりウエハ面全面にパターン像を形成す
る一括露光方式に比べ、１回の露光が終了する毎にウエ
ハを移動しながら他の領域を露光し、このような露光を
順次複数回繰り返すことにより、ウエハ面全体にパター
ン像を形成していくステップアンドリピート露光方式が
多く用いられている。

【０００３】一般に投影露光装置においては投影光学系
を構成するレンズが露光光の一部を吸収し、熱的変化を
生じ、例えば焦点位置や各種収差や結像倍率が投影露光
の時間経過と共に変化してくる。

【０００４】焦点位置の変動は変動量が小さいときには
問題ないが、変動量が投影光学系の焦点深度の範囲を越
えてくると投影解像力が低下してきて大きな問題となっ
てくるし、収差も同様である。又、結像倍率の変動は回
路パターンの重ね合わせ誤差に直接影響し、微細な回路
パターンを焼き付ける場合には大きな問題となってく
る。

【０００５】従来の投影露光装置では投影露光の開始に
伴う焦点位置の変動に対してはウエハを載置しているウ
エハステージを投影光学系の光軸方向に移動させてウエ
ハと投影光学系との間隔を焦点位置の変動に応じて調整
して補正していた。

【０００６】又結像倍率の変動に対しては投影光学系中
の複数のレンズ間隔のうち特定のレンズ間隔を密閉空間
として、該密閉空間内の空気圧を結像倍率の変動に応じ
て調整して補正していた。

【０００７】この他、特開平８−８８１６４号公報では
投影光学系の結像性能を維持するための、投影光学系の
環境条件や照明光吸収量の変化が所定の基準値に到達し
た場合に、警告を表示したり露光動作を停止したりする
が、このとき要求される結像性能の精度に応じて複数設
定された基準値の中から前記所定の基準値として最適な
ものを選択して露光動作を制御した投影露光装置を提案
している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従来より投影光学系が
露光光を吸収して熱的変化を起こし、そのとき生じる投
影光学系の光学性能の変化を種々の方法で補正するよう
にした投影露光装置が種々と提案されている。

【０００９】しかしながらエキシマレーザや水銀ランプ
等の強力な露光光を用いると投影光学系に大きな熱負荷
が加わってくる。この場合には、投影光学系の露光光の
吸収に伴い光学性能が大きく変化してくる。そうする
と、もはや簡易な構成により露光光の吸収に伴う光学性
能の変化を精度良く補正するのが大変難しくなってく
る。

【００１０】本発明は、投影光学系を構成するレンズの
露光光の吸収による熱的変化に伴う光学性能の変化が予
め設定した許容値を越えないように投影露光の繰り返し
時間間隔を適切に設定することによって高解像力の投影
パターン像が容易に得られる投影露光装置及びそれを用
いたデバイスの製造方法の提供を目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の投影露光装置
は、 (1-1) 照明系からの露光光で照明したマスクのパター
ンを投影光学系によりウエハ上に投影する投影露光を該
ウエハの各ショットに対し順次行なう投影露光装置にお
いて、前記投影露光の度に前記投影光学系の前記露光光
の吸収に基づく所定の光学性能の変化量が許容値ＦＬ以
上であるか判別し、前記所定の光学性能の変化量が前記
許容値ＦＬ以上である時には、前記所定の光学性能の変
化量が前記許容値ＦＬを超えないための休止時間ＴＤを ＴＤ ＝（ＦＳ ／ＦＬ ×ΣＴＥｊ−Ｔall ）／ＮＳ ここで、ＦＳは実験により求めた熱負荷に対する前記光
学性能の変化の飽和値、ΣＴＥｊは２番目のショットか
ら現在までの各ショットの露光時間の和、Ｔallは１番
目のショットの露光が終了してから現在までの時間、Ｎ
Ｓは２番目のショットから現在までのショット数、の式
に基づいて算出し、それ以後の前記投影露光は前記休止
時間ＴＤを経た後で行なうことを特徴としている。

【００１２】

【００１３】

【００１４】特に、本発明は、 （1-2）構成（1-1）において、前記光学性能は焦点位置
であることを特徴としている。

【００１５】本発明のデバイスの製造方法は構成(1-1)
又は構成(1-2) の投影露光装置を用いてレチクルのパタ
ーンでウエハを露光する段階と、該露光したウエハを現
像する段階とを含むことを特徴とするデバイスを製造し
ていることを特徴としている。

【００１６】

【００１７】

【００１８】

【００１９】

【００２０】

【００２１】

【発明の実施の形態】図１は本発明の投影露光装置の実
施形態１の要部概略図である。同図において２はレチク
ル（第１物体）であり、その面上には電子回路パターン
が形成されている。２ａはレチクルチャックであり、レ
チクル２を吸着保持している。４は照明系であり、例え
ばエキシマレーザ、又は超高圧水銀灯等を有した光源手
段４ａからの露光光束を照明光学系４ｂによって集光し
てレチクル２面上の電子回路パターンを均一な照度分布
で照明している。

【００２２】１は投影光学系（投影レンズ）であり、照
明系４からの露光光で照明されたレチクル２面上の電子
回路パターンを所定倍率（例えば１／５又は１／２）で
ウエハ（第２物体）３面上に投影している。

【００２３】ウエハ３はその面上にレジスト等の感光材
料が塗布されている。５はウエハチャックであり、ウエ
ハ３を吸着保持している。６はウエハステージであり、
ウエハチャック５を所定面内（ＸＹ平面内）で駆動して
いる。

【００２４】９は積算露光計であり、照明系４から投影
光学系１にどの程度、露光光が入射したのかを検出し、
その検出結果を制御手段８に入力している。制御手段８
は後述する算出手段１０からの投影露光の時間間隔デー
タに基づいてシャッター手段７のシャッター開閉時間を
制御して投影露光の時間間隔を変化（制御）させてい
る。又積算露光計９からの露光量データを後述する算出
手段１０に入力している。

【００２５】１１は入力手段であり、投影露光時間の経
過に伴って投影光学系１の露光光の吸収量が増加し、こ
れによって熱的変化が生じ投影光学系１の光学性能（焦
点位置や投影倍率等）が変化してくるので、このときの
変化量の許容値を入力している。

【００２６】１０は算出手段であり、投影光学系の露光
光の吸収による光学性能の変化が入力手段で入力された
許容値を越えない為の投影露光の時間間隔(Delay Time)
を制御手段８からの露光量データを利用して算出して、
その算出結果を制御手段８に入力している。

【００２７】本実施形態ではレチクル２とウエハ３を所
定の関係となるように位置決めした後、制御手段８から
のシャッター速度信号に基づいてシャッター制御手段７
を開閉動作させて、レチクル２面上の電子回路パターン
をウエハ３面上に投影露光する。

【００２８】その後、ウエハ３をウエハステージ６によ
り所定量Ｘ・Ｙ平面内に駆動させてウエハ３の他の領域
を所定の時間間隔で同じように投影露光する。つまり所
謂ステップアンドリピート方式の投影露光を行なう。ウ
エハ３を投影露光した後は、デバイス（半導体素子）を
製造するために、ウエハを現像処理する。

【００２９】既に説明した通り投影露光を繰り返し行う
と投影光学系１が露光光を吸収して熱負荷がかかってき
て投影光学系１の光学性能が変化してくる。

【００３０】そこで本実施形態では算出手段で光学性能
が許容値を越えない露光時間間隔を算出し、算出した投
影露光の時間間隔に基づいて制御手段８によりシャッタ
ー手段７を駆動制御している。

【００３１】本実施形態では、ステップアンドリピート
方式の投影露光の１ショット毎に一定の休止時間を設け
ることを特徴としている。露光光の吸収に伴う投影光学
系１にかかる熱負荷は、光学部品に吸収される熱と、鏡
筒等を伝わって逃げていく熱との差で決まる。一定の速
度で露光を行った場合、単位時間に光学部品に吸収され
る熱は一定である。

【００３２】一方、鏡筒等を伝わって逃げていく熱は、
光学部品の温度の上昇に比例する。投影光学系にかかる
熱負荷は、吸収される熱量と逃げる熱量が等しくなるま
で大きくなる。従って、単位時間に光学部品に吸収され
る熱を減らすことによって、投影光学系にかかる熱負荷
を減らすことができる。単位時間に光学部品に吸収され
る熱を減らす方法には、光学部品の透過率を良くする方
法と、単位時間に投影光学系に入射する露光光量を減ら
す方法とがある。光学部品の透過率を良くする方法は、
投影光学系の光学設計上の困難と、光学材料の製造上の
困難が存在する。

【００３３】そこで本実施形態では投影露光の時間間隔
を広げて単位時間に投影光学系に入射する光量を減らす
方法を用い、これによって投影光学系にかかる熱負荷を
減らしている。

【００３４】又、単位時間に投影光学系に入射する露光
光量を減らす方法には、照明光の照度を減らす方法と、
単位時間当たりの露光の回数を減らす方法がある。照明
光の照度を減らす方法は光源の光量を減らすのが簡単で
はあるが、光源として例えば放電灯を用いている場合、
アーク形状が変化してしまい、実効的な有効光源形状が
変化したり、像面上での照度分布が変化する可能性があ
る。

【００３５】一方、フィルターを光学系内に挿入し、照
度を落とす方法は、フィルターの出し入れをする機構が
必要になったり、連続的に照度を変えられないという不
都合がある。又、フィルターにかかる熱負荷により、フ
ィルターの特性が変化することも起こり得る。

【００３６】そこで本実施形態は単位時間あたりの露光
の回数を減らす方法をとることにより、投影光学系にか
かる熱負荷を減らしている。

【００３７】より具体的には、露光の１ショット毎に一
定の休止時間を設けることによって、投影光学系に過大
な熱負荷がかかることを防ぎ、投影光学系の結像性能が
許容値以上に変化し、不適正な像を形成してしまうこと
を防いでいる。

【００３８】図２は図１の露光装置で実施可能な露光動
作の一例を示すフローチャートである。投影光学系が露
光光を吸収し、該露光光の熱により発生する諸収差は、
露光を繰り返していくうちに熱平衡に達し、一定値で止
まる。この一定値は単位時間当たりに投影光学系にかか
る熱負荷に比例する。熱により発生する収差をある一定
値以下に抑えたい場合、投影光学系にかかる単位時間当
たりの熱負荷を減らせば良い。

【００３９】図２の例では単位時間当たりの熱負荷を減
らす為に、各ショットの露光前に一定の休止時間を設け
ている。

【００４０】次に図２のフローチャートを順次説明す
る。

【００４１】ステップ１０１０：入力手段より１ショッ
ト毎の休止時間(Delay Time T_D) を入力する。この値は
過去の実績等に基づいて決定する数値である。

【００４２】ステップ１０２０：ウエハステージ上への
ウエハの出し入れや必要に応じてレチクル交換等を行
う。

【００４３】ステップ１０４０：ウエハのアライメント
やレベリング等、露光の為の最終準備を行う。

【００４４】ステップ１０５０：露光の準備ができた
後、ステップ１０１０で入力された休止時間Ｔ_D 秒だけ
露光を遅らせる。

【００４５】ステップ１０６０：ウエハへの露光を行
う。

【００４６】ステップ１０８０：現在ウエハステージに
乗っているウエハへの露光が全て終了していたらステッ
プ１０２０でウエハを交換する。終了していなければ、
ステップ１０４０で次の露光の準備を行う。

【００４７】図３は図１の露光装置で実施可能な露光方
法の他の例を示すフローチャートである。図３の例は図
２の例に比べて、入力手段より Delay Time を入力する
のではなく、計算で求める点が異なっており、その他は
同じである。 Delay Time の算出をする為に、必要な情
報をステップ２０１０とステップ２０２０で得ている。
以下に、Delay Time の計算方法を示す。

【００４８】熱により発生する投影光学系の諸収差は、
熱によるフォーカス変動に概略比例する。そこで、像性
能の劣化とフォーカスの変動との関係を、予め実験等に
より求めておき、熱によるフォーカス変動がステップ２
００５で入力したフォーカスの許容値を越えないよう
な、 Delay Time をステップ２０１５で求める。ここで
熱による像性能の悪化を直接用いず、代わりにフォーカ
ス変動を用いる理由は、熱によるフォーカスの変動は実
験が容易であるからと、フォーカス変動をモニターする
のは比較的容易であるからである。従って、像性能の悪
化（コントラスト）や各種収差の変化量から Delay Tim
e を求めることもできる。

【００４９】投影光学系に一定の単位時間当たりの露光
負荷を加えたときのフォーカス変動の飽和値（Ｆ_S ）は
以下のように表せる。

【００５０】 ＦS ＝ＦC ×Ｅ×ＳMB×τR ×Ｄ ‥‥（２０１） ＦC ：実験等により求めた比例定数 Ｅ ：露光像面照度（ステップ２０２０で得られる） ＳMB：マスキングブレードの開口面積（ステップ２０１
０で得られる） τR ：レチクル透過率（ステップ２０１０で得られる） Ｄ ：露光のＤｕｔｙ フォーカスの飽和値が許容値（ＦL ）を越えてはいけな
いことから、（２０１）式よりＤｕｔｙの許容値（ＤL
）が求められ、 ＤL ＝ＦL ／（ＦC ×Ｅ×ＳＭＢ×τＲ）‥‥（２０２） ステップ２００５のアライメント方法等の入力情報よ
り、ある露光が終了してから次の露光が始まるまでの所
要時間（Ｔr ）が計算できる。

【００５１】ステップ２００５の露光量（Ｑ）の入力情
報とステップ２０１０の照度の測定値（Ｅ）より１ショ
ット当たりの露光時間（Ｔ_B ）が求められる。

【００５２】Ｔ_B ＝Ｑ／Ｅ ‥‥（２０３） ここでＤｕｔｙの定義より Delay Time （Ｔ_D ）が以下
のように求められる。

【００５３】ＴD ＝ＴB ／ＤL −ＴB−Ｔr ‥‥（２０４） （２０４）式の結果、ＴD ＜０であった場合は Delay T
ime を設けなくてもフォーカスの許容値を越えることが
ないことを示している。従って、ＴD ＝０を代入すれば
よい。以上のようにして、 Delay Time （ＴD ）を求め
ている。

【００５４】図４は本発明の一実施形態の露光動作のフ
ローチャートである。本実施形態は図３の例に比べて焦
点位置、即ちフォーカスの変動量が変動限界値より小さ
いときは、通常の速度で露光し、フォーカスの変動量が
変動限界値を越えたら露光の速度を落とす点と、その際
の Delay Time は露光速度を落とす前の露光速度から直
接計算する点が異なっており、その他は同じである。

【００５５】次に、図４のフローチャートに従って説明
する。

【００５６】ステップ３０２０：ウエハステージ上への
ウエハの出し入れや必要に応じてレチクル交換等を行
う。

【００５７】ステップ３０３０：熱によるフォーカスの
変動値Ｆ（ｔ）を計算により予測する。このフローチャ
ート以前に露光が行われていた場合、投影レンズが冷え
切らず、Ｆ（ｔ）が０になっていない可能性がある。計
算式についてはステップ３０７０で説明する。

【００５８】ステップ３０４０：ウエハのアライメント
やレベリング等、露光のための最終準備を行う。この
時、ステップ３０３０で計算されたＦ（ｔ）値が使われ
る。

【００５９】ステップ３０６０：露光の準備ができ次
第、露光を行う。

【００６０】ステップ３０７０：熱によるフォーカスの
変動値Ｆ（ｔ）を計算により予測する。

【００６１】前回の算出したＦ（ｔ）値から現在のフォ
ーカス値を計算する。計算式を以下に示す。

【００６２】時刻ｔからｔ＋Δｔまで非露光状態の場
合： Ｆ（ｔ＋Δｔ）＝Ｆ（ｔ）ｅ^-Δt/K ‥‥（３０１） 時刻ｔからｔ＋Δｔまで露光状態の場合： Ｆ（ｔ＋Δｔ）＝Ｆ_S ＋（Ｆ（ｔ）−Ｆ_S ）ｅ^-Δt/K ‥‥（３０２） Ｆ（ｔ）：時刻ｔにおける熱によるフォーカス変動 Ｆ_S ：実験により求めた熱負荷に対するフォーカス
変動の飽和値 Ｋ ：実験により求めた熱によるフォーカス変動の
時定数 ステップ３０８０：ウエハを交換するしかないかを判断
する。現在ウエハステージに乗っているウエハの露光が
終了していたらステップ３０２０でウエハ交換を行う。

【００６３】ステップ３０９０：熱によるフォーカスの
変動が許容値を越えたかどうかを判断する。

【００６４】ステップ３１１０：このままの露光速度で
露光を続けると、熱による結像性能の変化が許容できな
くなるのでスループットを落とすことによって結像性能
の変化が許容値を保つようにする。スループットを落と
すために各露光前に休止時間を設ける。

【００６５】ここではこの休止時間（ Delay Time ）を
求める。 Delay Time （Ｔ_D ）は以下の式で計算でき
る。

【００６６】 Ｔ_D ＝（Ｆ_S ／Ｆ_L ×ΣＴ_Ej−Ｔ_all ）／Ｎ_S ‥‥（３０３） ΣＴ_Ej：２ショット目から現在までの各ショットの露光
時間（シャッターが開いている時間）の和 Ｔ_all ：１ショット目の露光が終了してから現在までの
時間 Ｎ_S ：２ショット目から現在までのショット数 ステップ３１４０：ウエハのアライメントやレベリング
等、露光のための最終準備を行う。

【００６７】ステップ３１５０：露光の準備ができた
後、ステップ３１１０で計算された休止時間Ｔ_D 秒だけ
露光を遅らせる。

【００６８】ステップ３１６０：露光を行う。

【００６９】ステップ３１７０：熱によるフォーカスの
変動値Ｆ（ｔ）を計算により予測する。計算方法はステ
ップ３０７０と同じ。

【００７０】ステップ３１８０：ウエハを交換するかし
ないかを判断する。現在ウエハステージに乗っているウ
エハの露光が終了していたら、ステップ３０２０でウエ
ハ交換を行う。ウエハ交換には１０秒程度の時間がかか
り、その間に熱によるフォーカス変動が小さくなる。そ
のためスループットは落とさずに露光を始める。ウエハ
交換をしない場合は、このままの Delay Time を使いス
ループットを落として露光を行う。

【００７１】図３の例ではデューティーを予想すること
によって Delay Time を計算していたため、アライメン
ト時間等を正確に見積もる必要があった。しかし本実施
形態によれば、実際に露光に要した時間を用いるので、
より正確に Delay Time を求めることができる。

【００７２】露光によるフォーカスの変動値を（３０
１），（３０２）式で求めたが、一般には、投影光学系
に用いられている各光学部品等のような各フォーカス変
動要素の和で表される。式で示すと次のように表され
る。

【００７３】時刻ｔからｔ＋Δｔまで露光状態の場合： Ｆ（ｔ＋Δｔ）＝Σｆ_i （ｔ＋Δｔ） ‥‥（３０４） ｆ_i （ｔ＋Δｔ）＝ｆ_s,i ＋（ｆ_i （ｔ）−ｆ_s,i ）ｅ^-Δt/Ki ‥‥（３０５） 時刻ｔからｔ＋Δｔまで非露光状態の場合： Ｆ（ｔ＋Δｔ）＝Σｆ_i （ｔ＋Δｔ） ‥‥（３０６） ｆ_i （ｔ＋Δｔ）＝ｆ_i （ｔ）ｅ^-Δt/Ki ‥‥（３０７） Ｆ（ｔ）：時刻ｔにおける熱によるフォーカス変動値 ｆ_i （ｔ）：時刻ｔにおける熱によるｉ番目のフォーカ
ス変動要素のフォーカス変動値 ｆ_S,i ：実験により求めた熱負荷に対するｉ番目のフ
ォーカス変動要素のフォーカス変動の飽和 Ｋ_i ：実験により求めた熱によるｉ番目のフォーカ
ス変動要素の時定数 従って、熱によるフォーカスの変動の予測値を、２つ以
上の変動要素の和として表してもよい。

【００７４】図５は本発明の他の実施形態の露光動作の
フローチャートである。本実施形態は図４の実施形態に
フォーカス（焦点位置）の測定を加えたものである。先
の実施形態ではＦ（ｔ）はフォーカス変動の予想値であ
った。この為、実際のフォーカス変動とズレが生じる可
能性がある。

【００７５】そこで本実施形態では図４の実施形態と同
様に、熱によるフォーカス変動を予測し、そのフォーカ
ス値により露光動作を制御するが、さらに、ウエハ毎、
またはウエハ複数枚毎等に、露光装置に備え付けられて
いるフォーカス測定機能を用いてフォーカスを測定す
る。そのフォーカス測定値をＦ（ｔ）に代入することに
よって、フォーカス変動の予想値と実際のフォーカス変
動とのズレを補正する。これにより、予想以上の像性能
の悪化を見逃すことなく、また、必要以上にスループッ
トを落とさずに済むようにしている。

【００７６】尚、投影光学系のフォーカス位置の検出方
法としては例えば特開平４−２１９９１９号公報や特開
平５−１８２８９５号公報等で提案されている方法が適
用可能である。

【００７７】図６は本発明の半導体デバイス（ＩＣやＬ
ＳＩ等の半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の
製造のフローチャートである。

【００７８】本実施例においてステップ１（回路設計）
では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２
（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマ
スクを製作する。

【００７９】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。

【００８０】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。

【００８１】ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。

【００８２】図７は上記ステップ４のウエハプロセスの
詳細なフローチャートである。まずステップ１１（酸
化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（Ｃ
ＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。

【００８３】ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。

【００８４】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。

【００８５】尚本実施例の製造方法を用いれば高集積度
の半導体デバイスを容易に製造することができる。

【００８６】

【発明の効果】本発明によれば以上のように、投影光学
系を構成するレンズの露光光の吸収による熱的変化に伴
う光学性能の変化が予め設定した許容値を越えないよう
に投影露光の繰り返し時間間隔を適切に設定することに
よって高解像力の投影パターン像が容易に得られるステ
ップ＆リピート或いはステップ＆スキャンタイプの投影
露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法を達成す
ることかできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態の要部概略図

【図２】 露光動作のフローチャート

【図３】 露光動作のフローチャート

【図４】 本発明の一実施形態の露光動作のフローチャ
ート

【図５】 本発明の他の実施形態の露光動作のフローチ
ャート

【図６】 本発明のデバイスの製造方法のフローチャー
ト

【図７】 図６のウエハプロセスのフローチャート

【符号の説明】

１ 投影光学系 ２ レチクル（第１物体） ３ ウエハ（第２物体） ４ 照明系 ４ａ 光源手段 ４ｂ 照明光学系 ５ ウエハチャック ６ ウエハステージ ７ シャッター手段 ８ 制御手段 ９ 積算露光計 １０ 算出手段 １１ 入力手段

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 照明系からの露光光で照明したマスクの
   パターンを投影光学系によりウエハ上に投影する投影露
   光を該ウエハの各ショットに対し順次行なう投影露光装
   置において、前記投影露光の度に前記投影光学系の前記
   露光光の吸収に基づく所定の光学性能の変化量が許容値
   ＦＬ以上であるか判別し、前記所定の光学性能の変化量
   が前記許容値ＦＬ以上である時には、前記所定の光学性
   能の変化量が前記許容値ＦＬを超えないための休止時間
   ＴＤを ＴＤ ＝（ＦＳ ／ＦＬ×ΣＴＥｊ−Ｔall ）／ＮＳ ここで、 ＦＳは実験により求めた熱負荷に対する前記光学性能の
   変化の飽和値、 ΣＴＥｊは２番目のショットから現在までの各ショット
   の露光時間の和、 Ｔallは１番目のショットの露光が終了してから現在ま
   での時間、 ＮＳは２番目のショットから現在までのショット数、 の式に基づいて算出し、 それ以後の前記投影露光は前記
   休止時間ＴＤを経た後で行なうことを特徴とする投影露
   光装置。
2. 【請求項２】 前記光学性能は焦点位置であることを特
   徴とする請求項１記載の投影露光装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の投影露光
   装置を用いてレチクルのパターンでウエハを露光する段
   階と、該露光したウエハを現像する段階とを含むことを
   特徴とするデバイス製造方法。