JP5713082B2 - 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5713082B2 JP5713082B2 JP2013223332A JP2013223332A JP5713082B2 JP 5713082 B2 JP5713082 B2 JP 5713082B2 JP 2013223332 A JP2013223332 A JP 2013223332A JP 2013223332 A JP2013223332 A JP 2013223332A JP 5713082 B2 JP5713082 B2 JP 5713082B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- optical system
- projection optical
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/52—Details
- G03B27/522—Projection optics
- G03B27/525—Projection optics for slit exposure
- G03B27/528—Projection optics for slit exposure in which the projection optics remain stationary
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関するものである。
また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度(DOF)も重要となる。解像度R、及び焦点深度δはそれぞれ以下の式で表される。
δ=±k2・λ/NA2 … (2)
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k1、k2はプロセス係数である。(1)式、(2)式より、解像度Rを高めるために、露光波長λを短くして、開口数NAを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。
流路形成部材70は、中央に開口部70B(光透過部)が形成された環状部材であり、開口部70Bには光学素子2が収容される。すなわち、流路形成部材70は、基板P(基板ステージPST)の上方において光学素子2の周りを囲むように設けられた環状部材である。流路形成部材70は、例えばアルミニウム、チタン、ステンレス鋼、ジュラルミン、及びこれらを含む合金によって形成可能である。あるいは、流路形成部材70は、ガラス(石英)等の光透過性を有する透明部材(光学部材)によって構成されてもよい。
フォーカス・レベリング検出系80の投光部81は、基板P表面に投影光学系PLの光軸AXに対して所定の入射角θで検出光Laを照射する。投光部81から射出された検出光Laは、第1光学部材83を通過し、基板P上の液体LQを介して基板P上に斜め方向から入射角θで照射される。基板P上で反射した検出光Laの反射光は、第2光学部材84を通過した後、受光部82に受光される。ここで、フォーカス・レベリング検出系80の投光部81は、基板P上に複数の検出光Laを照射する。これにより、フォーカス・レベリング検出系80は、基板P上における例えばマトリクス状の複数の各点(各位置)での各フォーカス位置を求めることができ、求めた複数の各点でのフォーカス位置に基づいて、基板P表面のZ軸方向の位置情報、及び基板PのθX及びθY方向の傾斜情報を検出することができる。
液体供給口13A、13Bのそれぞれは、Y軸方向に延びる平面視略コ字状(円弧状)のスリット状に形成されている。流路形成部材70の下面70AのうちY軸方向両側には第1、第2光学部材83、84が配置されており、液体供給口13A、13Bは、流路形成部材70の下面70Aのうち、第1、第2光学部材83、84が配置されている以外の領域に亘って形成されている。そして、液体供給口13A、13BのY軸方向における長さは少なくとも投影領域AR1のY軸方向における長さより長くなっている。液体供給口13A、13Bは、少なくとも投影領域AR1を囲むように設けられている。液体供給機構10は、液体供給口13A、13Bを介して投影領域AR1の両側で液体LQを同時に供給可能である。
つまり、流路形成部材70の凹部78における平坦部78Bと第1、第2光学部材83、84との間に段差部が形成されているとともに、流路形成部材70の凹部78における下面と光学素子2の液体接触面2Aとの間にも段差部が形成されている。すなわち、流路形成部材70の下面70Aのうちで凹部78内の平坦部78Bが、鉛直方向(Z方向)に関して、最も高い位置に形成され、かつその平坦部78Bは、鉛直方向(Z方向)に関して、投影光学系PLの光学素子2の下面2Aよりも高い位置に形成されている。流路形成部材70の下面70Aに凹部78を設けない構成の場合、すなわち流路形成部材70の下面70Aと光学素子2の下面(液体接触面)2Aと第1、第2光学部材83、84の下面とが面一の場合、フォーカス・レベリング検出系80の検出光Laを所定の入射角θで基板Pの所望領域(この場合、投影領域AR1)に照射しようとすると、検出光Laの光路上に例えば流路形成部材70が配置されて検出光Laの照射が妨げられたり、あるいは検出光Laの光路を確保するために入射角θや投影光学系PLの光学素子2の下面(液体接触面)2Aと基板P表面との距離(ワーキングディスタンス)Dを変更しなければならないなどの不都合が生じる。しかしながら、流路形成部材70の下面70Aのうち、フォーカス・レベリング検出系80を構成する第1、第2光学部材83、84に連続するように凹部78を設けたことにより、投影光学系PLの光学素子2の下面(液体接触面)2Aと基板P表面との距離Dを所望の値に保ちつつ、フォーカス・レベリング検出系80の検出光Laの光路を確保して基板P上の所望領域に検出光Laを照射することができる。
光学素子2から滴り落ちた液体LQは、第3液体回収機構60で回収することができる。
供給口97C、97Dより供給した液体LQで光学素子2の下面2Aを含む表面を常に濡らしておくことにより、光学素子2(投影光学系PL)の乾燥を防止し、液体LQの付着跡(所謂ウォーターマーク)が生成される不都合を防止することができる。
Claims (35)
- 液体を介して露光光を基板上に照射することによって、前記基板を露光する露光装置であって、
投影光学系と、
前記投影光学系の終端部の光学素子を配置可能な開口部と、前記投影光学系の像面側に配置された物体の表面が対向するように設けられた第1液体供給口と、前記投影光学系の像面側に配置された物体の表面が対向するように設けられた第1液体回収口と、前記開口部に配置される前記光学素子との間に間隙を形成する内側面に設けられた第2液体供給口と、を有する流路形成部材と、
前記基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダに保持された前記基板の表面とほぼ面一である上面を有する基準部材と、を有する基板ステージと、備え、
前記流路形成部材を用いて前記基板上の一部に液浸領域を形成するとともに、前記液浸領域の液体を介して前記投影光学系からの露光光を前記基板に照射し、
前記流路形成部材を用いて前記基準部材の上面に前記液浸領域を形成可能である露光装置。 - 液体を介して露光光を基板上に照射することによって、前記基板を露光する露光装置であって、
投影光学系と、
前記投影光学系の終端部の光学素子を配置可能な開口部と、前記投影光学系の像面側に配置された物体の表面が対向するように設けられた第1液体供給口と、前記投影光学系の像面側に配置された物体の表面が対向するように設けられた第1液体回収口と、前記開口部に配置される前記光学素子との間に間隙を形成する内側面に設けられた第2液体回収口と、を有する流路形成部材と、
前記基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダに保持された前記基板の表面とほぼ面一である上面を有する基準部材と、を有する基板ステージと、備え、
前記流路形成部材を用いて前記基板上の一部に液浸領域を形成するとともに、前記液浸領域の液体を介して前記投影光学系からの露光光を前記基板に照射し、
前記流路形成部材を用いて前記基準部材の上面に前記液浸領域を形成可能である露光装置。 - 前記基板上のアライメントマークを検出する基板アライメント系を備え、
前記基準部材には、前記基板アライメント系で検出される基準マークが設けられている請求項1又は2記載の露光装置。 - 前記基準部材に設けられた基準マークを前記投影光学系を介して検出するマスクアライメント系を備えた請求項1〜3のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記基準部材の上面上の前記液浸領域の液体を介して計測が行われる請求項1〜4のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記基板ステージには、光学センサの上板が設けられ、
前記光学センサの上板の上面は、前記基板ホルダに保持された前記基板の表面とほぼ面一である請求項1〜5のいずれか一項記載の露光装置。 - 液体を介して露光光を基板上に照射することによって、前記基板を露光する露光装置であって、
投影光学系と、
前記投影光学系の終端部の光学素子を配置可能な開口部と、前記投影光学系の像面側に配置された物体の表面が対向するように設けられた第1液体供給口と、前記投影光学系の像面側に配置された物体の表面が対向するように設けられた第1液体回収口と、前記開口部に配置される前記光学素子との間に間隙を形成する内側面に設けられた第2液体供給口と、を有する流路形成部材と、
前記基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダに保持された前記基板の表面とほぼ面一である上面を有する光学センサの上板と、を有する基板ステージと、備え、
前記流路形成部材を用いて前記基板上の一部に液浸領域を形成するとともに、前記液浸領域の液体を介して前記投影光学系からの露光光を前記基板に照射し、
前記流路形成部材を用いて前記光学センサの前記上板の上面に前記液浸領域を形成可能である露光装置。 - 液体を介して露光光を基板上に照射することによって、前記基板を露光する露光装置であって、
投影光学系と、
前記投影光学系の終端部の光学素子を配置可能な開口部と、前記投影光学系の像面側に配置された物体の表面が対向するように設けられた第1液体供給口と、前記投影光学系の像面側に配置された物体の表面が対向するように設けられた第1液体回収口と、前記開口部に配置される前記光学素子との間に間隙を形成する内側面に設けられた第2液体回収口と、を有する流路形成部材と、
前記基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダに保持された前記基板の表面とほぼ面一である上面を有する光学センサの上板と、を有する基板ステージと、備え、
前記流路形成部材を用いて前記基板上の一部に液浸領域を形成するとともに、前記液浸領域の液体を介して前記投影光学系からの露光光を前記基板に照射し、
前記流路形成部材を用いて前記光学センサの前記上板の上面に前記液浸領域を形成可能である露光装置。 - 前記光学センサの前記上板は光透過部を有する請求項6〜8のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記基板の露光処理をしてないときに、前記第2液体供給口から前記間隙に液体が供給される請求項1又は7記載の露光装置。
- 前記基板の露光中に、前記第2液体供給口から前記間隙に液体が供給される請求項1、7、10のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記基板の露光中に、前記第1液体供給口と前記第2液体供給口から、液体供給が行われる請求項11記載の露光装置。
- 前記第2液体供給口からの液体供給により、前記投影光学系と前記投影光学系の像面側に配置された物体との間に保持された液体の圧力が調整される請求項1、7、10〜12のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記第2液体供給口からの液体供給により、前記間隙から液体が除去される請求項1、7、10〜13のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記第2液体供給口から供給された液体は、前記第1液体回収口から回収される請求項1、7、10〜14のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記第2液体供給口は、前記間隙から液体を回収する液体回収口としても機能する請求項1、7、10〜15のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記間隙の液体が前記第2液体回収口から除去される請求項2又は8記載の露光装置。
- 前記第2液体回収口からの液体回収により、前記投影光学系と前記投影光学系の像面側に配置された物体との間に保持された液体の圧力が調整される請求項2、8、17のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記投影光学系の投影領域の両側から液体供給が行われるように前記第1液体供給口が設けられている請求項1〜18のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記流路形成部材の下面において、前記第1液体回収口は、前記第1液体供給口を囲むように配置されている請求項1〜19のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記流路形成部材の下面に設けられた凹部を有し、
前記第1液体回収口は、前記下面において、前記凹部の周囲に配置されている請求項1〜20のいずれか一項記載の露光装置。 - 前記凹部は、前記投影光学系の光軸とほぼ垂直な平坦面を有する請求項21記載の露光装置。
- 前記内側面は、撥液性の領域を含む請求項1〜22のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記撥液性の領域は、撥液性材料を塗布する、あるいは撥液性材料の薄膜を添付する撥液化処理によって形成される請求項23記載の露光装置。
- 前記基板ステージを制御する制御装置を備え、
前記制御装置は、前記基板ステージを第1位置から第2位置へ移動する場合に、前記投影光学系の像面側の液体が流出しないように、前記第1位置と前記第2位置との間隔に基づいて前記基板ステージの移動速度を制御する請求項1〜24のいずれか一項記載の露光装置。 - 前記基板ステージを制御する制御装置を備え、
前記制御装置は、前記基板ステージを第1位置から第2位置へ移動する場合に、前記投影光学系の像面側の液体中に気体部分が生成されないように、前記第1位置と前記第2位置との間隔に基づいて前記基板ステージの移動速度を制御する請求項1〜25のいずれか一項記載の露光装置。 - 前記制御装置は、前記第1位置と前記第2位置との間隔に基づいて、前記第1位置から前記第2位置への前記基板ステージの移動速度を制御する請求項25又は26記載の露光装置。
- 前記制御装置は、前記第1位置と前記第2位置との間隔が所定量以上の場合には、前記第1位置と前記第2位置との間隔が前記所定量より短い場合に比べて、前記基板ステージの速度を遅くする請求項25〜27のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記制御装置は、前記第1位置から前記第2位置への前記基板ステージの移動方向に基づいて前記基板ステージの移動速度を制御する請求項25〜28のいずれか一項記載の露光装置。
- 請求項1〜請求項29のいずれか一項記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
- 液体を介して露光光を基板上に照射することによって、前記基板を露光する露光方法であって、
基板ステージに前記基板を保持することと、
投影光学系の終端部の光学素子を配置可能な開口部と、前記投影光学系の像面側に配置された前記基板の表面が対向するように設けられた第1液体供給口と、前記投影光学系の像面側に配置された前記基板の表面が対向するように設けられた第1液体回収口と、前記開口部に配置される前記光学素子との間に間隙を形成する内側面に設けられた第2液体供給口と、を有する流路形成部材を用いて、前記基板の表面の一部に液浸領域を形成することと、
前記基板上の液浸領域の液体を介して露光光を前記基板に照射することと、を含み、
前記基板ステージには、前記保持された基板の表面とほぼ面一である上面を有し、その上面上に液浸領域を形成可能な基準部材が設けられている露光方法。 - 液体を介して露光光を基板上に照射することによって、前記基板を露光する露光方法であって、
基板ステージに前記基板を保持することと、
投影光学系の終端部の光学素子を配置可能な開口部と、前記投影光学系の像面側に配置された前記基板の表面が対向するように設けられた第1液体供給口と、前記投影光学系の像面側に配置された前記基板の表面が対向するように設けられた第1液体回収口と、前記開口部に配置される前記光学素子との間に間隙を形成する内側面に設けられた第2液体回収口と、を有する流路形成部材を用いて、前記基板の表面の一部に液浸領域を形成することと、
前記基板上の液浸領域の液体を介して露光光を前記基板に照射することと、を含み、
前記基板ステージには、前記保持された基板の表面とほぼ面一である上面を有し、その上面上に液浸領域を形成可能な基準部材が設けられている露光方法。 - 液体を介して露光光を基板上に照射することによって、前記基板を露光する露光方法であって、
基板ステージに前記基板を保持することと、
投影光学系の終端部の光学素子を配置可能な開口部と、前記投影光学系の像面側に配置された前記基板の表面が対向するように設けられた第1液体供給口と、前記投影光学系の像面側に配置された前記基板の表面が対向するように設けられた第1液体回収口と、前記開口部に配置される前記光学素子との間に間隙を形成する内側面に設けられた第2液体供給口と、を有する流路形成部材を用いて、前記基板の表面の一部に液浸領域を形成することと、
前記基板上の液浸領域の液体を介して露光光を前記基板に照射することと、を含み、
前記基板ステージには、前記保持された基板の表面とほぼ面一である上面を有し、その上面上に液浸領域を形成可能な光学センサの上板が設けられている露光方法。 - 液体を介して露光光を基板上に照射することによって、前記基板を露光する露光方法であって、
基板ステージに前記基板を保持することと、
投影光学系の終端部の光学素子を配置可能な開口部と、前記投影光学系の像面側に配置された前記基板の表面が対向するように設けられた第1液体供給口と、前記投影光学系の像面側に配置された前記基板の表面が対向するように設けられた第1液体回収口と、前記開口部に配置される前記光学素子との間に間隙を形成する内側面に設けられた第2液体回収口と、を有する流路形成部材を用いて、前記基板の表面の一部に液浸領域を形成することと、
前記基板上の液浸領域の液体を介して露光光を前記基板に照射することと、を含み、
前記基板ステージには、前記保持された基板の表面とほぼ面一である上面を有し、その上面上に液浸領域を形成可能な光学センサの上板が設けられている露光方法。 - 請求項31〜請求項34のいずれか一項記載の露光方法を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013223332A JP5713082B2 (ja) | 2004-01-05 | 2013-10-28 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004000236 | 2004-01-05 | ||
JP2004000236 | 2004-01-05 | ||
JP2013223332A JP5713082B2 (ja) | 2004-01-05 | 2013-10-28 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012015913A Division JP5609899B2 (ja) | 2004-01-05 | 2012-01-27 | 露光装置、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014217182A Division JP5862746B2 (ja) | 2004-01-05 | 2014-10-24 | 流路形成部材、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014060414A JP2014060414A (ja) | 2014-04-03 |
JP5713082B2 true JP5713082B2 (ja) | 2015-05-07 |
Family
ID=34746939
Family Applications (9)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004375494A Expired - Fee Related JP4774735B2 (ja) | 2004-01-05 | 2004-12-27 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2010180221A Expired - Fee Related JP5077400B2 (ja) | 2004-01-05 | 2010-08-11 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010246602A Expired - Fee Related JP5488404B2 (ja) | 2004-01-05 | 2010-11-02 | 流路形成部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012012100A Expired - Fee Related JP5549946B2 (ja) | 2004-01-05 | 2012-01-24 | 露光装置、露光方法、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012015913A Expired - Fee Related JP5609899B2 (ja) | 2004-01-05 | 2012-01-27 | 露光装置、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013223332A Expired - Fee Related JP5713082B2 (ja) | 2004-01-05 | 2013-10-28 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014146256A Expired - Fee Related JP5895979B2 (ja) | 2004-01-05 | 2014-07-16 | 露光装置、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014217182A Active JP5862746B2 (ja) | 2004-01-05 | 2014-10-24 | 流路形成部材、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2015159807A Active JP6119810B2 (ja) | 2004-01-05 | 2015-08-13 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Family Applications Before (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004375494A Expired - Fee Related JP4774735B2 (ja) | 2004-01-05 | 2004-12-27 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2010180221A Expired - Fee Related JP5077400B2 (ja) | 2004-01-05 | 2010-08-11 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010246602A Expired - Fee Related JP5488404B2 (ja) | 2004-01-05 | 2010-11-02 | 流路形成部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012012100A Expired - Fee Related JP5549946B2 (ja) | 2004-01-05 | 2012-01-24 | 露光装置、露光方法、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012015913A Expired - Fee Related JP5609899B2 (ja) | 2004-01-05 | 2012-01-27 | 露光装置、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014146256A Expired - Fee Related JP5895979B2 (ja) | 2004-01-05 | 2014-07-16 | 露光装置、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014217182A Active JP5862746B2 (ja) | 2004-01-05 | 2014-10-24 | 流路形成部材、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2015159807A Active JP6119810B2 (ja) | 2004-01-05 | 2015-08-13 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US8064044B2 (ja) |
EP (3) | EP1703548B1 (ja) |
JP (9) | JP4774735B2 (ja) |
KR (8) | KR101911681B1 (ja) |
AT (1) | ATE467902T1 (ja) |
DE (1) | DE602004027162D1 (ja) |
TW (4) | TWI403853B (ja) |
WO (1) | WO2005067013A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014197714A (ja) * | 2004-01-05 | 2014-10-16 | 株式会社ニコン | 露光装置、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
Families Citing this family (96)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101484435B1 (ko) | 2003-04-09 | 2015-01-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
CN1771463A (zh) * | 2003-04-10 | 2006-05-10 | 株式会社尼康 | 用于沉浸光刻装置收集液体的溢出通道 |
KR101753496B1 (ko) | 2003-04-11 | 2017-07-03 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치 및 액침 리소그래피 장치에 사용되는 세정 방법 |
TWI616932B (zh) | 2003-05-23 | 2018-03-01 | Nikon Corp | Exposure device and component manufacturing method |
TWI457712B (zh) | 2003-10-28 | 2014-10-21 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、投影曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
US7528929B2 (en) | 2003-11-14 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI612338B (zh) | 2003-11-20 | 2018-01-21 | 尼康股份有限公司 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法 |
WO2005069355A1 (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
TWI412067B (zh) | 2004-02-06 | 2013-10-11 | 尼康股份有限公司 | 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法 |
US7898642B2 (en) * | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101264936B1 (ko) * | 2004-06-04 | 2013-05-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
KR101747662B1 (ko) * | 2004-06-09 | 2017-06-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR101681101B1 (ko) * | 2004-06-09 | 2016-11-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 유지 장치 및 그것을 구비하는 노광 장치, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 그리고 발액 플레이트 |
KR20170010906A (ko) | 2004-06-10 | 2017-02-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
US20070139628A1 (en) * | 2004-06-10 | 2007-06-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8717533B2 (en) | 2004-06-10 | 2014-05-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
EP3203321A1 (en) | 2004-06-10 | 2017-08-09 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8373843B2 (en) | 2004-06-10 | 2013-02-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8508713B2 (en) | 2004-06-10 | 2013-08-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US7481867B2 (en) | 2004-06-16 | 2009-01-27 | Edwards Limited | Vacuum system for immersion photolithography |
WO2006009573A1 (en) | 2004-06-17 | 2006-01-26 | Nikon Corporation | Fluid pressure compensation for immersion lithography lens |
JP4565272B2 (ja) | 2004-07-01 | 2010-10-20 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための動的流体制御システム |
US7701550B2 (en) * | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1801850B1 (en) * | 2004-09-17 | 2014-11-26 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
US7379155B2 (en) | 2004-10-18 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7423720B2 (en) | 2004-11-12 | 2008-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20080192222A1 (en) * | 2004-12-02 | 2008-08-14 | Nikon Corporation | Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Manufacturing Method |
US8692973B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
US20090262316A1 (en) * | 2005-01-31 | 2009-10-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
US8018573B2 (en) | 2005-02-22 | 2011-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7324185B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2006106833A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
TW200644079A (en) * | 2005-03-31 | 2006-12-16 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, and device production method |
US7411654B2 (en) * | 2005-04-05 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4858062B2 (ja) * | 2005-04-27 | 2012-01-18 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、デバイス製造方法、及び膜の評価方法 |
CN102520592A (zh) * | 2005-04-27 | 2012-06-27 | 株式会社尼康 | 曝光方法、曝光装置、组件制造方法、以及膜的评估方法 |
US8248577B2 (en) | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP5449672B2 (ja) | 2005-05-12 | 2014-03-19 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
JP4508028B2 (ja) | 2005-08-01 | 2010-07-21 | ソニー株式会社 | 情報処理装置,情報処理方法およびコンピュータプログラム |
JP2009508327A (ja) * | 2005-09-13 | 2009-02-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 光学撮像特性設定方法および投影露光装置 |
JP4125315B2 (ja) * | 2005-10-11 | 2008-07-30 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007127939A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-24 | Nikon Corp | 液浸顕微鏡装置 |
JP2007133077A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Nikon Corp | 液浸対物レンズ鏡筒および液浸顕微鏡 |
TWI397945B (zh) * | 2005-11-14 | 2013-06-01 | 尼康股份有限公司 | A liquid recovery member, an exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method |
JP2007194484A (ja) | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Toshiba Corp | 液浸露光方法 |
JP2007201252A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US8045134B2 (en) | 2006-03-13 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method |
US8027019B2 (en) | 2006-03-28 | 2011-09-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1843206B1 (en) * | 2006-04-06 | 2012-09-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7701551B2 (en) * | 2006-04-14 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9477158B2 (en) * | 2006-04-14 | 2016-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8027023B2 (en) | 2006-05-19 | 2011-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical imaging device and method for reducing dynamic fluctuations in pressure difference |
DE102006023876A1 (de) * | 2006-05-19 | 2007-11-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung |
JP2008034801A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-02-14 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US20080043211A1 (en) * | 2006-08-21 | 2008-02-21 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography |
JP2008124194A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Canon Inc | 液浸露光方法および液浸露光装置 |
SG143137A1 (en) | 2006-11-13 | 2008-06-27 | Asml Netherlands Bv | Conduit system for a lithographic apparatus, lithographic apparatus, pump, and method for substantially reducing vibrations in a conduit system |
US20080158531A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US9632425B2 (en) | 2006-12-07 | 2017-04-25 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface |
US11136667B2 (en) * | 2007-01-08 | 2021-10-05 | Eastman Kodak Company | Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure |
US8004651B2 (en) * | 2007-01-23 | 2011-08-23 | Nikon Corporation | Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method |
JP4366407B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2008300771A (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Nikon Corp | 液浸露光装置、デバイス製造方法、及び露光条件の決定方法 |
US9025126B2 (en) * | 2007-07-31 | 2015-05-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus adjusting method, exposure apparatus, and device fabricating method |
NL1035757A1 (nl) * | 2007-08-02 | 2009-02-03 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
SG151198A1 (en) | 2007-09-27 | 2009-04-30 | Asml Netherlands Bv | Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus |
JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
CN101681123B (zh) | 2007-10-16 | 2013-06-12 | 株式会社尼康 | 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法 |
WO2009050977A1 (en) | 2007-10-16 | 2009-04-23 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2009145048A1 (ja) | 2008-05-28 | 2009-12-03 | 株式会社ニコン | 空間光変調器の検査装置および検査方法、照明光学系、照明光学系の調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法 |
NL2003225A1 (nl) * | 2008-07-25 | 2010-01-26 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2003362A (en) * | 2008-10-16 | 2010-04-19 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US20100328637A1 (en) * | 2008-12-04 | 2010-12-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method and device fabricating method |
US8896806B2 (en) * | 2008-12-29 | 2014-11-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
EP2221669A3 (en) * | 2009-02-19 | 2011-02-09 | ASML Netherlands B.V. | A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a device manufacturing method |
NL2004547A (en) | 2009-05-14 | 2010-11-18 | Asml Netherlands Bv | An immersion lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
US8619231B2 (en) * | 2009-05-21 | 2013-12-31 | Nikon Corporation | Cleaning method, exposure method, and device manufacturing method |
EP2264529A3 (en) * | 2009-06-16 | 2011-02-09 | ASML Netherlands B.V. | A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus |
NL2005951A (en) | 2010-02-02 | 2011-08-03 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
US20120012191A1 (en) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid recovery apparatus, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
JP2013004942A (ja) | 2011-06-22 | 2013-01-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
NL2009692A (en) * | 2011-12-07 | 2013-06-10 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
NL2009899A (en) * | 2011-12-20 | 2013-06-24 | Asml Netherlands Bv | A pump system, a carbon dioxide supply system, an extraction system, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
US20130169944A1 (en) * | 2011-12-28 | 2013-07-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US9352073B2 (en) | 2013-01-22 | 2016-05-31 | Niko Corporation | Functional film |
US9057955B2 (en) | 2013-01-22 | 2015-06-16 | Nikon Corporation | Functional film, liquid immersion member, method of manufacturing liquid immersion member, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP5979302B2 (ja) | 2013-02-28 | 2016-08-24 | 株式会社ニコン | 摺動膜、摺動膜が形成された部材、及びその製造方法 |
JP6467506B2 (ja) | 2014-07-25 | 2019-02-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP7093221B2 (ja) * | 2018-04-26 | 2022-06-29 | キヤノン株式会社 | 光学装置の調整方法、光学装置の製造方法、および、物品製造方法 |
TWI721307B (zh) * | 2018-09-21 | 2021-03-11 | 禾宬科技有限公司 | 半導體清洗裝置及方法 |
WO2024090384A1 (ja) * | 2022-10-24 | 2024-05-02 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Family Cites Families (103)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US32795A (en) * | 1861-07-09 | Hay-rake | ||
DE221563C (ja) * | ||||
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) * | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JP2737010B2 (ja) * | 1989-08-01 | 1998-04-08 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
DE69033002T2 (de) * | 1989-10-02 | 1999-09-02 | Canon K.K. | Belichtungsvorrichtung |
JP2897355B2 (ja) | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JP2714502B2 (ja) * | 1991-09-18 | 1998-02-16 | キヤノン株式会社 | 移動ステージ装置 |
JP3246615B2 (ja) | 1992-07-27 | 2002-01-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
JPH06188169A (ja) | 1992-08-24 | 1994-07-08 | Canon Inc | 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP3412704B2 (ja) * | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
US5699145A (en) * | 1993-07-14 | 1997-12-16 | Nikon Corporation | Scanning type exposure apparatus |
US6118515A (en) * | 1993-12-08 | 2000-09-12 | Nikon Corporation | Scanning exposure method |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
JP3555230B2 (ja) * | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5623853A (en) * | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH09102453A (ja) | 1995-10-03 | 1997-04-15 | Nikon Corp | 基板保持部材及び露光装置 |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
AU5067898A (en) | 1996-11-28 | 1998-06-22 | Nikon Corporation | Aligner and method for exposure |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
EP0890136B9 (en) | 1996-12-24 | 2003-12-10 | ASML Netherlands B.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
JPH11204390A (ja) | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Canon Inc | 半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
US6293799B1 (en) * | 1998-11-10 | 2001-09-25 | Walker, Ii Randall L. | Method of applying pigmented material to a screen to create an artistic image and the resulting pigmented screen |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
US20020041377A1 (en) * | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
US6969441B2 (en) * | 2000-05-15 | 2005-11-29 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Method and apparatus for producing laminated articles |
TW591653B (en) * | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
JP2002343759A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
KR100887360B1 (ko) | 2001-01-23 | 2009-03-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
JP3907448B2 (ja) * | 2001-11-07 | 2007-04-18 | キヤノン株式会社 | ショットレイアウト作成方法 |
JP2003197506A (ja) | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Nikon Corp | 位置検出方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
AU2003228973A1 (en) | 2002-05-07 | 2003-11-11 | Memgen Corporation | Electrochemically fabricated hermetically sealed microstructures |
JP2003338448A (ja) | 2002-05-21 | 2003-11-28 | Nikon Corp | 位置計測方法と位置計測装置、及び露光方法と露光装置並びにマーク計測方法 |
JP4137521B2 (ja) | 2002-05-27 | 2008-08-20 | 株式会社ニコンシステム | 装置管理方法及び露光方法、リソグラフィシステム及びプログラム |
US7362508B2 (en) | 2002-08-23 | 2008-04-22 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
US20040055803A1 (en) | 2002-09-24 | 2004-03-25 | Patmont Motor Werks | Variable speed transmission for scooter |
TW559895B (en) * | 2002-09-27 | 2003-11-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | Exposure system and exposure method thereof |
JP3953460B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2007-08-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ投影装置 |
JP3977324B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2007-09-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101424881B (zh) * | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
SG131766A1 (en) * | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG2011031200A (en) | 2002-12-10 | 2014-09-26 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus and device manufacturing method |
CN1723539B (zh) * | 2002-12-10 | 2010-05-26 | 株式会社尼康 | 曝光装置和曝光方法以及器件制造方法 |
JP4595320B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2010-12-08 | 株式会社ニコン | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
ATE424026T1 (de) | 2002-12-13 | 2009-03-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht |
CN1771463A (zh) | 2003-04-10 | 2006-05-10 | 株式会社尼康 | 用于沉浸光刻装置收集液体的溢出通道 |
KR101178754B1 (ko) | 2003-04-10 | 2012-09-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템 |
JP2004320016A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Nikon Corp | 液浸リソグラフィシステム |
TWI463533B (zh) * | 2003-05-23 | 2014-12-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method |
JP4720106B2 (ja) * | 2003-05-23 | 2011-07-13 | 株式会社ニコン | 露光方法、並びにデバイス製造方法 |
EP2937893B1 (en) * | 2003-06-13 | 2016-09-28 | Nikon Corporation | Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US6867844B2 (en) * | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
TWI543235B (zh) | 2003-06-19 | 2016-07-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
EP1498778A1 (en) | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6809794B1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
EP1494074A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101209540B1 (ko) | 2003-07-09 | 2012-12-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR20060026883A (ko) * | 2003-07-09 | 2006-03-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 결합장치, 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
EP1503244A1 (en) * | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7779781B2 (en) * | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4378136B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2005029559A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1524558A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1524557A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411653B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
EP2267536B1 (en) * | 2003-10-28 | 2017-04-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
KR101121260B1 (ko) * | 2003-10-28 | 2012-03-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스의 제조 방법 |
JP4513534B2 (ja) * | 2003-12-03 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
KR101911681B1 (ko) | 2004-01-05 | 2018-10-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
KR101707294B1 (ko) * | 2004-03-25 | 2017-02-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7295283B2 (en) * | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7057702B2 (en) * | 2004-06-23 | 2006-06-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7701550B2 (en) * | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4625673B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2011-02-02 | 株式会社東芝 | 露光方法及び露光装置 |
US7265813B2 (en) * | 2004-12-28 | 2007-09-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8289497B2 (en) * | 2008-03-18 | 2012-10-16 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography |
-
2004
- 2004-12-27 KR KR1020177015811A patent/KR101911681B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-27 KR KR1020187030370A patent/KR20180117228A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-12-27 EP EP04808163A patent/EP1703548B1/en not_active Not-in-force
- 2004-12-27 WO PCT/JP2004/019813 patent/WO2005067013A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2004-12-27 US US10/584,950 patent/US8064044B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-27 JP JP2004375494A patent/JP4774735B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-27 EP EP17210252.7A patent/EP3376523A1/en not_active Withdrawn
- 2004-12-27 DE DE602004027162T patent/DE602004027162D1/de active Active
- 2004-12-27 KR KR1020157011338A patent/KR101748504B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-27 KR KR1020137017236A patent/KR101440743B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-27 AT AT04808163T patent/ATE467902T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-12-27 KR KR1020147014875A patent/KR101636632B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-27 KR KR1020117025142A patent/KR101561727B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-27 KR KR1020127025529A patent/KR101324810B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-27 EP EP10003902.3A patent/EP2199859B1/en not_active Not-in-force
-
2005
- 2005-01-05 TW TW094100209A patent/TWI403853B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-05 TW TW106128330A patent/TW201743139A/zh unknown
- 2005-01-05 TW TW101148294A patent/TWI553420B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-05 TW TW105112403A patent/TWI617896B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-05-04 KR KR1020067008813A patent/KR101266648B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-08-11 JP JP2010180221A patent/JP5077400B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-02 JP JP2010246602A patent/JP5488404B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-10-12 US US13/317,170 patent/US9588436B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-01-24 JP JP2012012100A patent/JP5549946B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-01-27 JP JP2012015913A patent/JP5609899B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-10-28 JP JP2013223332A patent/JP5713082B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-07-16 JP JP2014146256A patent/JP5895979B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-10-24 JP JP2014217182A patent/JP5862746B2/ja active Active
-
2015
- 2015-08-13 JP JP2015159807A patent/JP6119810B2/ja active Active
-
2017
- 2017-03-06 US US15/450,611 patent/US9910369B2/en active Active
-
2018
- 2018-01-31 US US15/884,634 patent/US20180149984A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014197714A (ja) * | 2004-01-05 | 2014-10-16 | 株式会社ニコン | 露光装置、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6119810B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP5741875B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP4479269B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2005209705A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140826 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141024 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150210 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150223 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5713082 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |