TWI721307B

TWI721307B - 半導體清洗裝置及方法

Info

Publication number: TWI721307B
Application number: TW107128490A
Authority: TW
Inventors: 林芝帆
Original assignee: 禾宬科技有限公司
Priority date: 2018-09-21
Filing date: 2018-09-21
Publication date: 2021-03-11
Also published as: TW202021007A

Abstract

本發明在於提供一種能提高清潔效果與效率，減少清潔耗材與縮短清潔時間的半導體清潔裝置及方法。其技術手段：裝置方面，其包括有承載平台及清潔組件，承載平台能供承載半導體晶片用，清潔組件能供對半導體晶片進行高壓沖洗和吹氣乾燥用，其特徵在於：承載平台包括承載台、主要驅動裝置；而清潔組件包括驅動裝置、高壓噴頭組及取像裝置。方法方面，其包括：定位步驟、取相步驟、清洗步驟及、以及乾燥步驟。

Description

半導體清洗裝置及方法

本發明涉及一種半導體製程中的清洗裝置結構及應用方法，尤指一種半導體清洗裝置及方法。

當前由於消費性電子產品的盛行，導致出現對於可攜式[Portability]及多功能[Multi-function]的大量需求，以致於微電子構裝逐漸往朝小尺寸、高性能、及降低成本前進發展。

晶圓級構裝[Wafer Level Package；簡稱WLP]具備縮小構裝尺寸的優勢，配合上面板級封裝[Panel Level Package；簡稱PLP]可達到大幅降低成本的目的，剛好迎合行動電子產品的市場趨勢。

晶圓級構裝的各種製程中，一般都會有一清洗間隙[gap]的過程，目前傳統清洗機一般多為使用流水線式清洗機、與旋轉式清洗機。

流水線式清洗機的耗液體量大、噴頭高度及角度受限、機台體積大、清洗時簡長，清洗間隙距離需大於120μm，連續式流線移動會使大部分藥液、或藥水噴灑在無效區，而維修時須整台停機，對生產效率影響非常大。

旋轉式清洗機為通過離心力將藥液、或藥水帶離被洗物，但離心力於在圓心處無作用，導致圓心至外圍的清洗效果不同；離心力在高速旋轉下才能發揮較大作用，在高速旋轉下，需大量補充藥液、或藥水，且高速旋轉下大部分藥液、或藥水會噴灑在無效區，導致藥液、或藥水尚未進入被洗區域的間隙，就會被甩出，增加耗材使用量以及清洗時間，而且旋轉式清洗機皆是搭配一或多組移動擺臂，擺臂移動路徑為圓弧狀，行程受限，無法移動至被洗物的每個位置。

最重要的問題是，當前清洗的間隙大多小於120um，毛細作用力大，間隙中的藥液、或藥水難以排出，導致清洗不易，兩者的清洗效果，並不能有效符合當前業者的應用需求，對良率的提昇幫助低下。

有鑑於此，如何提供一種能解決前述問題，縮短清潔時間、減少清潔耗材消耗，並確保清潔效果與效率的半導體清潔裝置及方法，便成為本發明欲改進的課題。

本發明的目的在於提供一種能提高清潔效果與效率，減少清潔耗材與縮短清潔時間的半導體清潔裝置及方法。

本發明正是為了解決上述問題而研發的，為達到本發明的目的，本發明裝置方面的第一種技術手段是這樣實現的，為一種半導體清潔裝置，其包括有一承載平台(100)、及一設於該承載平台(100)頂端的清潔組件(200)，該承載平台(100)能供承載半導體晶片(10)用，該清潔組件(200)能供對該半導體晶片(10)進行高壓沖洗和吹氣乾燥用，其特徵在於：所述承載平台(100)，其包括有一承載台(1)、以及一主要驅動裝置(2)；所述承載台(1)，其能供承載定位該半導體晶片(10)用；所述主要驅動裝置(2)，其包括有一位於底端的主要縱向驅動裝置(21)、及一設於該主要縱向驅動裝置(21)與該承載台(1)間的主要橫向驅動裝置(22)；所述主要縱向驅動裝置(21)，能帶動該主要縱向驅動裝置(21)，使其上的該承載台(1)在水平面(A)上做縱向移動；所述該主要橫向驅動裝置(22)，能帶動該承載台(1)在水平面(A)上做橫向移動。

優選的是，所述承載平台(100)，其還包括有一次要驅動裝置(3)，其包括有設於該承載台(1)與該主要驅動裝置(2)間的一旋轉馬達(31)、及一支架(32)，該旋轉馬達(31)能帶動該承載台(1)旋轉，該支架(32)為位於該旋轉馬達(31)外；所述支架(32)，其還包括有以三腳架型態設置於該承載台(1)與該主要驅動裝置(2)間的三支可動伸縮單元(321)，該可動伸縮單元(321)能配合帶動該承載台(1)以水平面(A)為基準，做至少一方向的面偏轉。

優選的是，所述清潔組件(200)，其包括有驅動裝置(4)、一高壓噴頭組(5)、以及一取像裝置(6)；所述驅動裝置(4)，其能供承載帶動該高壓噴頭組(5)用；所述高壓噴頭組(5)，其設置於該驅動裝置(4)上，能被該驅動裝置(4)帶動做至少一方向的立體移動，並能對該半導體晶片(10)進行高壓沖洗、吹氣乾燥其中之一的動作，且包括有至少一可調整角度的噴頭(51)；所述取像裝置(6)，其設於該承載平台(100)上方，能對該承載平台(100)上所承載的該半導體晶片(10)取像，以計算流道後設定出沖洗運行路徑(R)，使該高壓噴頭組(5)能依據前述沖洗運行路徑(R)進行沖洗。

優選的是，所述驅動裝置(4)，其還包括有一縱向驅動裝置(41)、一設於該縱向驅動裝置(41)底端的橫向驅動裝置(42)、及一設於該橫向驅動裝置(42)上的垂直驅動裝置(43)，該垂直驅動裝置(43)能供承載帶動該高壓噴頭組(5)用。

本發明裝置方面的第二種技術手段是這樣實現的，為一種半導體清潔裝置，其包括有一承載平台(100)、及一設於該承載平台(100)頂端的清潔組件(200)，該承載平台(100)能供承載半導體晶片(10)用，該清潔組件(200)能供對該半導體晶片(10)進行高壓沖洗和吹氣乾燥用，其特徵在於：所述清潔組件(200)，其包括有驅動裝置(4)、一高壓噴頭組(5)、以及一取像裝置(6)；所述驅動裝置(4)，其能供承載帶動該高壓噴頭組(5)用；所述高壓噴頭組(5)，其設置於該驅動裝置(4)上，能被該驅動裝置(4)帶動做至少一方向的立體移動，並能對該半導體晶片(10)進行高壓沖洗、吹氣乾燥其中之一的動作，且包括有至少一可調整角度的噴頭(51)；所述取像裝置(6)，其設於該承載平台(100)上方，能對該承載平台(100)上所承載的該半導體晶片(10)取像，以計算流道後設定出沖洗運行路徑(R)，使該高壓噴頭組(5)能依據前述沖洗運行路徑(R)進行沖洗。

優選的是，所述承載平台(100)，其包括有一承載台(1)、以及一主要驅動裝置(2)；所述承載台(1)，其能供承載定位該半導體晶片(10)用；所述主要驅動裝置(2)，其包括有一位於底端的主要縱向驅動裝置(21)、及一設於該主要縱向驅動裝置(21)與該承載台(1)間的主要橫向驅動裝置(22)；所述主要縱向驅動裝置(21)，能帶動該主要縱向驅動裝置(21)，使其上的該承載台(1)在水平面(A)上做縱向移動；所述該主要橫向驅動裝置 (22)，能帶動該承載台(1)在水平面(A)上做橫向移動。

本發明裝置方面的第三種技術手段是這樣實現的，為一種半導體清潔裝置，其包括有一承載平台(100)、及一設於該承載平台(100)頂端的清潔組件(200)，該承載平台(100)能供承載半導體晶片(10)用，該清潔組件(200)能供對該半導體晶片(10)進行高壓沖洗和吹氣乾燥用，其特徵在於：所述承載平台(100)，其包括有一承載台(1)、以及一主要驅動裝置(2)；所述承載台(1)，其能供承載定位該半導體晶片(10)用；所述主要驅動裝置(2)，其包括有一位於底端的主要縱向驅動裝置(21)、及一設於該主要縱向驅動裝置(21)與該承載台(1)間的主要橫向驅動裝置(22)；所述主要縱向驅動裝置(21)，能帶動該主要縱向驅動裝置(21)，使其上的該承載台(1)在水平面(A)上做縱向移動；所述該主要橫向驅動裝置(22)，能帶動該承載台(1)在水平面(A)上做橫向移動；所述驅動裝置(4)，其能供承載帶動該高壓噴頭組(5)用；所述高壓噴頭組(5)，其設置於該驅動裝置(4)上，能被該驅動裝置(4)帶動做至少一方向的立體移動，並能對該半導體晶片(10)進行高壓沖洗、吹氣乾燥其中之一的動作，且包括有至少一可調整角度的噴頭(51)；所述取像裝置 (6)，其設於該承載平台(100)上方，能對該承載平台(100)上所承載的該半導體晶片(10)取像，以計算流道後設定出沖洗運行路徑(R)，使該高壓噴頭組(5)能依據前述沖洗運行路徑(R)進行沖洗。

本發明方法方面的技術手段，是這樣實現的，為一種半導體清潔方法，能配合半導體清潔裝置應用，其包括：定位步驟(I)，為裝載半導體晶片後，移動至定位；取相步驟(Ⅱ)，為取相後計算流道，並設定出沖洗運行路徑；清洗步驟(Ⅲ)，為調整清潔組件，使承載台與清潔組件其中之一或其兩者，在水平面上做至少一方向的相對性直線移動，進行一次高壓沖洗；以及乾燥步驟(Ⅳ)，為調整清潔組件，以進行吹氣乾燥。

優選的是，所述清洗步驟(Ⅲ)中，還包括有讓承載台與清潔組件兩者，以水平面為基準，做至少一方向的面偏轉後，使承載台與清潔組件其中之一或其兩者，在水平面上做至少一方向的相對性直線移動，進行再次高壓沖洗的偏斜清洗步驟(Ⅲ-I)。

優選的是，所述清洗步驟(Ⅲ)中，還包括有讓承載台與清潔組件兩者，使承載台與清潔組件其中之一或其兩者，在水平面上做至少一方向，但異於一次高壓沖洗方向的相對性直線移動，進行再次高壓沖洗的異向清洗步驟(Ⅲ-Ⅱ)。

與現有技術相比，本發明的效果如下所示：綜上所述，根據本發明半導體清潔裝置方面，為利用承載平台(100)及清潔組件(200)的配合，有別於傳統半導體清潔裝置，能確保清潔效果與效率，同時減少清潔耗材消耗，並縮短清潔時間；而方法方面，利用定位步驟(I)、取相步驟(Ⅱ)、清洗步驟(Ⅲ)及乾燥步驟(Ⅳ)，更是有別於傳統半導體清潔裝置，而且清洗步驟(Ⅲ)之中，應用移動式的高壓沖洗，能配合各種半導體製程，讓半導體晶片(10)能確實地被清潔，但又不會浪費耗材，並縮短工時。

1:承載台

2:主要驅動裝置

21:主要縱向驅動裝置

22:主要橫向驅動裝置

3:次要驅動裝置

31:旋轉馬達

32:支架

321:可動伸縮單元

4:驅動裝置

41:縱向驅動裝置

42:橫向驅動裝置

43:垂直驅動裝置

5:高壓噴頭組

51:噴頭

6:取像裝置

10:半導體晶片

100:承載平台

200:清潔組件

A:水平面

R:沖洗運行路徑

I:裝載半導體晶片後，移動至定位

Ⅱ:取相後計算流道，並設定出沖洗運行路徑

Ⅲ:調整清潔組件，使承載台與清潔組件其中之一或其兩者，在水平面上做至少一方向的相對性直線移動，進行一次高壓沖洗

Ⅲ-I:讓承載台與清潔組件兩者，以水平面為基準，做至少一方向的面偏轉後，使承載台與清潔組件其中之一或其兩者，在水平面上做至少一方向的相對性直線移動，進行再次高壓沖洗

Ⅲ-Ⅱ:讓承載台與清潔組件兩者，使承載台與清潔組件其中之一或其兩者，在水平面上做至少一方向，但異於一次高壓沖洗方向的相對性直線移動，進行再次高壓沖洗

Ⅳ:調整清潔組件，以進行吹氣乾燥

第1圖：本發明的立體示意圖。

第2圖：本發明的分解示意圖。

第3圖：為第2圖中清潔組件的分解示意圖。

第4圖：為第2圖中承載台和次要驅動裝置的分解示意圖。

第5圖：為第2圖中主要驅動裝置的分解示意圖。

第6圖：本發明中主要驅動裝置作動時的立體實施示意圖。

第7圖：本發明中主要驅動裝置往另一方向作動時的立體實施示意圖。

第8圖：本發明中次要驅動裝置作動時的立體實施示意圖。

第9圖：本發明中清潔組件縱向作動時的立體實施示意圖。

第10圖：本發明中清潔組件橫向作動時的立體實施示意圖。

第11圖：本發明中清潔組件垂直作動與調整噴頭時的立體實施示意圖。

第12圖：本發明清潔方法的流程方塊示意圖。

第13圖：本發明清洗步驟的第一實施型式示意圖。

第14圖：本發明清洗步驟的第二實施型式示意圖。

第15圖：本發明清洗步驟的第三實施型式示意圖。

第16圖：本發明偏斜清洗步驟的第一實施型式示意圖。

第17圖：本發明偏斜清洗步驟的第二實施型式示意圖。

第18圖：本發明異向清洗步驟的實施示意圖。

第19圖；本發明乾燥步驟的實施示意圖。

以下依據圖面所示的實施例詳細說明如後。首先需要注意的是，在附圖中，相同的構成要素或部件盡可能用相同的附圖標記代表。在說明本發明方面，為了不混淆本發明的要旨，省略關於相關公知功能或構成的具體說明。

請參閱第1圖至第11圖，關於清潔裝置方面，本發明的第一技術方案，為一種半導體清潔裝置，其包括有一承載平台(100)、及一設於該承載平台(100)頂端的清潔組件(200)，該承載平台(100)能供承載半導體晶片(10)用，該清潔組件(200)能供對該半導體晶片(10)進行高壓沖洗和吹氣乾燥用，其特徵在於：所述承載平台(100)，其包括有一承載台(1)、以及一主要驅動裝置(2)；所述承載台(1)，其能供承載定位該半導體晶片(10)用；所述主要驅動裝置(2)，其包括有一位於底端的主要縱向驅動裝置(21)、及一設於該主要縱向驅動裝置(21)與該承載台(1)間的主要橫向驅動裝置(22)；所述主要縱向驅動裝置(21)，能帶動該主要縱向驅動裝置(21)，使其上的該承載台(1)在水平面(A)上做縱向移動；所述該主要橫向驅動裝置(22)，能帶動該承載台(1)在水平面(A)上做橫向移動。

其中，通過此種承載平台(100)的應用，利用承載台(1)來承載定位半導體晶片(10)，利用主要驅動裝置(2)來帶動承載台(1)，通過主要縱向驅動裝置(21)與主要橫向驅動裝置(22)的應用，能帶動承載台(1)及次要驅動裝置(3)作縱向與橫向運動，讓清潔動作能多元化，以配合不同的清潔需要，避免應用範圍受到限制，能使承載台(1)上的半導體晶片(10)，被清潔組件(200)順利地高壓沖洗和吹氣乾燥，半導體晶片(10)能順利地被完整吹氣乾燥。

其次，本發明半導體清潔裝置，與傳統半導體清潔裝置不同，應用上無問題，能在確保清潔效果與效率的同時，減少清潔耗材消耗，並且縮短清潔時間，維修時無須整台停機，對生產效率影響非常小。

請參閱第1圖至第11圖，關於清潔裝置方面，本發明的第二技術方案，為一種半導體清潔裝置，其包括有一承載平台(100)、及一設於該承載平台(100)頂端的清潔組件(200)，該承載平台(100)能供承載半導體晶片(10)用，該清潔組件(200)能供對該半導體晶片(10)進行高壓沖洗和吹氣乾燥用，其特徵在於：所述清潔組件(200)，其包括有驅動裝置(4)、一高壓噴頭組(5)、以及一取像裝置(6)；所述驅動裝置(4)，其能供承載帶動該高壓噴頭組(5)用；所述高壓噴頭組(5)，其設置於該驅動裝置(4)上，能被該驅動裝置(4)帶動做至少一方向的立體移動，並能對該半導體晶片(10)進行高壓沖洗、吹氣乾燥其中之一的動作，且包括有至少一可調整角度的噴頭(51)；所述取像裝置(6)，其設於該承載平台(100)上方，能對該承載平台(100)上所承載的該半導體晶片(10)取像，以計算流道後設定出沖洗運行路徑(R)，使該高壓噴頭組(5)能依據前述沖洗運行路徑(R)進行沖洗。

其中，通過此種清潔組件(200)的應用，利用驅動裝置(4)來帶動高壓噴頭組(5)移動，以完整清潔半導體晶片(10)，利用高壓噴頭組(5)，對半導體晶片(10)進行高壓沖洗與噴氣乾燥，利用取像裝置(6)對承載平台(100)上所承載的半導體晶片(10)取像，以計算流道後設定出沖洗運行路徑(R)，以依據沖洗運行路徑(R)進行沖洗，確保每次的清潔都正常運作，相對於傳統半導體清潔裝置，能配合現在的應用需求，清潔效率更高。

請參閱第1圖至第11圖，關於清潔裝置方面，本發明的第三技術方案，為一種半導體清潔裝置，其包括有一承載平台(100)、及一設於該承載平台(100)頂端的清潔組件(200)，該承載平台(100)能供承載半導體晶片(10)用，該清潔組件(200)能供對該半導體晶片(10)進行高壓沖洗和吹氣乾燥用，其特徵在於：所述承載平台(100)，其包括有一承載台(1)、以及一主要驅動裝置(2)；所述承載台(1)，其能供承載定位該半導體晶片(10)用；所述主要驅動裝置(2)，其包括有一位於底端的主要縱向驅動裝置(21)、及一設於該主要縱向驅動裝置(21)與該承載台(1)間的主要橫向驅動裝置(22)；所述主要縱向驅動裝置(21)，能帶動該主要縱向驅動裝置(21)，使其上的該承載台(1)在水平面(A)上做縱向移動；所述該主要橫向驅動裝置(22)，能帶動該承載台(1)在水平面(A)上做橫向移動；所述驅動裝置(4)，其能供承載帶動該高壓噴頭組(5)用；所述高壓噴頭組(5)，其設置於該驅動裝置(4)上，能被該驅動裝置(4)帶動做至少一方向的立體移動，並能對該半導體晶片(10)進行高壓沖洗、吹氣乾燥其中之一的動作，且包括有至少一可調整角度的噴頭(51)；所述取像裝置(6)，其設於該承載平台(100)上方，能對該承載平台(100)上所承載的該半導體晶片(10)取像，以計算流道後設定出沖洗運行路徑(R)，使該高壓噴頭組(5)能依據前述沖洗運行路徑(R)進行沖洗。

其中，將本發明的第一和第二技術方案整合，成為本發明的第三技術方案，將第一技術方案中的承載平台(100)，與第二技術方案中的清潔組件(200)做更為有效的結合，讓本發明半導體清潔裝置，能配合應用的範圍更加廣泛，能配合實施不同的清潔方法，增加整體的應用性。

請參閱第5圖至第7圖，所述承載平台(100)，其還包括有一次要驅動裝置(3)，其包括有設於該承載台(1)與該主要驅動裝置(2)間的一旋轉馬達(31)、及一支架(32)，該旋轉馬達(31)能帶動該承載台(1)旋轉，該支架(32)為位於該旋轉馬達(31)外；所述支架(32)，其還包括有以三腳架型態設置於該承載台(1)與該主要驅動裝置(2)間的三支可動伸縮單元(321)，該可動伸縮單元(321)能配合帶動該承載台(1)以水平面(A)為基準，做至少一方向的面偏轉。

其中，通過次要驅動裝置(3)的旋轉馬達(31)與支架(32)應用，讓承載台(1)能夠旋轉，以更有效地乾燥，避免發生乾燥不佳的問題。

其次，通過三腳架型態設的可動伸縮單元(321)應用，除了能提供穩定的支撐之外，還能便於控制承載台(1)的面偏轉，讓操作上能配合各種應用需要，不用擔心會有無法應用的問題發生。

請參閱第3圖、第9圖至第11圖，所述驅動裝置(4)，其還包括有一縱向驅動裝置(41)、一設於該縱向驅動裝置(41)底端的橫向驅動裝置(42)、及一設於該橫向驅動裝置(42)上的垂直驅動裝置(43)，該垂直驅動裝置(43)能供承載帶動該高壓噴頭組(5)用。

其中，通過縱向驅動裝置(41)的應用，能帶動高壓噴頭組(5)作縱向移動，而橫向驅動裝置(42)的應用，能帶動高壓噴頭組(5)作橫向移動，且垂直驅動裝置(43)的應用，能帶動高壓噴頭組(5)垂直移動，以調整對半導體晶片(10)進行清潔時的壓力，如此一來，便能快速且自由地調整高壓噴頭組(5)的位置，能實現清潔過程全程高壓沖洗，及更清晰與準確的取像。

請參閱第12圖至第15圖和第18圖，本發明清潔方法方面，為一種半導體清潔方法，能配合半導體清潔裝置應用，其包括：定位步驟(I)，為裝載半導體晶片後，移動至定位；取相步驟(Ⅱ)，為取相後計算流道，並設定出沖洗運行路徑；清洗步驟(Ⅲ)，為調整清潔組件，使承載台與清潔組件其中之一或其兩者，在水平面上做至少一方向的相對性直線移動，進行一次高壓沖洗；以及乾燥步驟(Ⅳ)，為調整清潔組件，以進行吹氣乾燥。

其中，通過此清潔方法的應用，定位步驟(I)能確保每次的定位能夠正確；取相步驟(Ⅱ)能配合裝載半導體晶片，確保每次的清洗能夠足夠、更有效率；清洗步驟(Ⅲ)因為配合的半導體清潔裝置，有別於傳統半導體清潔裝置，因此清洗時能進行真正的高壓沖洗，還能更為精確的進行清潔；乾燥步驟(Ⅳ)的投入，能讓整體的加工速度提高，縮短工時，以便於進行下一階段的處理。

其次，本發明清潔方法的重點在於，清洗步驟(Ⅲ)的調配，通過不同的清洗方式，以配合應用需要。

應用例一：定位步驟和取相步驟，配合如第13圖的第一實施型式清洗步驟，高壓噴頭組(5)能依據沖洗運行路徑(R)作動，配合不動的承載台(1)，以進行沖洗，最後在加上如第19圖的乾燥步驟，完成半導體晶片清潔。

應用例二：定位步驟和取相步驟，配合如第14圖的第二實施型式清洗步驟，承載台(1)能依據沖洗運行路徑(R)作動，配合不動的高壓噴頭組(5)，以進行沖洗，最後在加上如第19圖的乾燥步驟，完成半導體晶片清潔。

應用例三：定位步驟和取相步驟，配合如第15圖的第三實施型式清洗步驟，承載台(1)、承載台(1)能依據沖洗運行路徑(R)作動，以進行沖洗，最後在加上如第19圖的乾燥步驟，完成半導體晶片清潔。

請參閱第12圖和第16圖、第17圖，所述清洗步驟(Ⅲ)中，還包括有讓承載台與清潔組件兩者，以水平面為基準，做至少一方向的面偏轉後，使承載台與清潔組件其中之一或其兩者，在水平面上做至少一方向的相對性直線移動，進行再次高壓沖洗的偏斜清洗步驟(Ⅲ-I)。

其中，在清洗步驟(Ⅲ)中，增加偏斜清洗步驟(Ⅲ-I)的調配，能提高清潔效果，以配合需要更仔細清潔半導體晶片清洗需求。

應用例一：定位步驟和取相步驟，配合如第13圖的第一實施型式清洗步驟，高壓噴頭組(5)能依據沖洗運行路徑(R)作動，配合不動的承載台(1)，以進行沖洗，之後在加上如第16圖的第一實施型式偏斜清洗步驟，最後在加上如第19圖的乾燥步驟，完成半導體晶片清潔。

應用例二：定位步驟和取相步驟，配合如第14圖的第二實施型式清洗步驟，承載台(1)能依據沖洗運行路徑(R)作動，配合不動的高壓噴頭組(5)，以進行沖洗，之後在加上如第17圖的第二實施型式偏斜清洗步驟，最後在加上如第19圖的乾燥步驟，完成半導體晶片清潔。

請參閱第12圖和第18圖，所述清洗步驟(Ⅲ)中，還包括有讓承載台與清潔組件兩者，使承載台與清潔組件其中之一或其兩者，在水平面上做至少一方向，但異於一次高壓沖洗方向的相對性直線移動，進行再次高壓沖洗的異向清洗步驟(Ⅲ-Ⅱ)。

其中，在清洗步驟(Ⅲ)中，增加異向清洗步驟(Ⅲ-Ⅱ)的調配，能提高清潔效果，以配合不適合偏斜清洗的半導體晶片清潔，增加應用範圍。

應用例：定位步驟和取相步驟，配合如第14圖的第二實施型式清洗步驟，承載台(1)能依據沖洗運行路徑(R)作動，配合不動的高壓噴頭組(5)，以進行沖洗，之後在加上如第18圖的異向清洗步驟，最後在加上如第19圖的乾燥步驟，完成半導體晶片清潔。

最後應說明的是，前述如第19圖的乾燥步驟中，雖然圖中未揭示，其承載台(1)亦能不用旋轉，只通過高壓噴頭組(5)，將半導體晶片吹乾。

以上在圖式和說明書中公開了最佳實施例。其中使用了特定的術語，但這只是出於為了說明本發明的目的而使用的，並非用於意義限定或限制申請專利範圍中記載的本發明的範圍。因此，只要是本技術領域的技術人員便會理解，可以由此導致多樣的變形及均等的其他實施例。因此，本發明的真正的技術保護範圍應根據附帶的申請專利範圍的技術思想確定。