WO2012002125A1 - 金属膜形成装置 - Google Patents

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WO2012002125A1
WO2012002125A1 PCT/JP2011/063235 JP2011063235W WO2012002125A1 WO 2012002125 A1 WO2012002125 A1 WO 2012002125A1 JP 2011063235 W JP2011063235 W JP 2011063235W WO 2012002125 A1 WO2012002125 A1 WO 2012002125A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
nozzle
metal
processing container
unit
metal film
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/063235
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
尚文 木下
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Publication of WO2012002125A1 publication Critical patent/WO2012002125A1/ja

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/08Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of metallic material
    • C23C18/10Deposition of aluminium only

Definitions

  • the present invention relates to a metal film forming apparatus for applying a metal mixed solution obtained by mixing a metal complex and a solvent onto a substrate and forming a metal film on the substrate.
  • aluminum is used as a material for wiring and electrodes used in electronic devices such as semiconductor devices.
  • a predetermined pattern is formed on a substrate, a trench is formed in a portion to be a wiring or an electrode, and an aluminum film is formed on the substrate including the inside of the trench.
  • a method of removing excess portions by chemical mechanical polishing or the like was generally employed.
  • a method of forming this aluminum film a method of forming an aluminum film by a vacuum process such as sputtering, vacuum deposition, or CVD (Chemical Vapor Deposition) has been used.
  • the structures of wirings and electrodes have been miniaturized and complicated, and an improvement in accuracy regarding these shapes is required.
  • the opening width of the trench on the substrate is reduced, and the aspect ratio of the trench (the value obtained by dividing the trench depth by the minimum distance of the surface opening of the trench) is increased.
  • a conventional sputtering method, vacuum evaporation method, CVD method or the like is employed when forming an aluminum film on a substrate, aluminum deposited in a region close to the opening of the trench closes the opening of the trench.
  • a defective portion that is not filled with aluminum is generated in the trench.
  • a method for forming an aluminum film for example, a method is proposed in which a metal mixed solution in which a complex of an amine compound and aluminum hydroxide is dissolved in a solvent is applied on the substrate, and the aluminum film is formed on the substrate.
  • Patent Document 1 a metal mixed solution in which a complex of an amine compound and aluminum hydroxide is dissolved in a solvent is applied on the substrate, and the aluminum film is formed on the substrate.
  • the present state is a stage where a method using such a metal mixed solution is experimentally performed, and an apparatus for forming an aluminum film while appropriately controlling the processing atmosphere is still in a development stage. Therefore, it is practically difficult to continuously form aluminum films on a plurality of substrates, and it cannot cope with mass production of semiconductor devices.
  • the present invention has been made in view of this point, and an object thereof is to appropriately form a metal film on a substrate using a metal mixed solution while appropriately controlling a processing atmosphere.
  • the present invention is a metal film forming apparatus for forming a metal film on a substrate by applying a metal mixed solution obtained by mixing a metal complex and a solvent onto the substrate, and containing the substrate
  • a processing vessel capable of switching the inside to an atmospheric pressure atmosphere or a reduced pressure atmosphere of an inert gas
  • a holding unit provided inside the processing vessel and holding a substrate, and provided inside the processing vessel and holding the holding
  • a cup body provided so as to surround the side of the substrate held by the unit, an application nozzle provided inside the processing container and for discharging the metal mixed solution onto the substrate held by the holding unit
  • a standby unit that is provided inside the processing container and outside the cup body and that waits for the application nozzle that has been retreated from above the holding unit; and provided outside the processing container, at a predetermined angle from a horizontal direction.
  • a nozzle driving unit for moving the coating nozzle between the holding unit and the standby unit, and is provided inside the processing container, supports the coating nozzle, and powers the nozzle driving unit
  • the nozzle driving unit for moving the coating nozzle since the nozzle driving unit for moving the coating nozzle is provided outside the processing container, particles generated from the nozzle driving unit as a power generation source do not flow into the processing container. Since impurities such as particles do not occur inside the processing container in this way, even if the inside of the processing container is depressurized when processing the substrate, an appropriate reduced pressure atmosphere can be obtained, and then an appropriate inert gas atmospheric pressure is used. Can be an atmosphere. And a metal liquid mixture is discharged on a board
  • the application nozzle moves between the holding unit and the standby unit along a direction inclined at a predetermined angle from the horizontal direction, the application nozzle does not interfere with the cup body during this movement. Therefore, according to the present invention, the metal film can be appropriately formed on the substrate using the metal mixed solution while appropriately controlling the processing atmosphere.
  • the metal film can be appropriately formed on the substrate using the metal mixed solution while appropriately controlling the processing atmosphere.
  • FIG.1 and FIG.2 is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the metal film forming apparatus 1 concerning this Embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an outline of the configuration of the metal film forming apparatus 1.
  • a predetermined pattern (not shown) is formed in advance on a wafer W as a substrate. Further, on the predetermined pattern, for example, a base film (not shown) having an organometallic compound is formed in advance in order to improve the fixing property between the wafer W and the metal film, for example.
  • an aluminum film is formed on the wafer W as the metal film.
  • the metal film forming apparatus 1 has a processing container 10 that can be hermetically sealed as shown in FIG.
  • a loading / unloading port (not shown) for the wafer W is formed on the side surface of the processing container 10, and a gate valve (not shown) is provided at the loading / unloading port.
  • a gas supply port 11 for supplying an inert gas such as nitrogen gas is formed inside the processing container 10 on the ceiling surface of the processing container 10.
  • a gas supply pipe 13 communicating with a gas supply source 12 is connected to the gas supply port 11.
  • the gas supply pipe 13 is provided with a control valve 14 that controls the flow of the inert gas.
  • a spin chuck 20 is provided as a holding unit that holds the wafer W by suction.
  • the spin chuck 20 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking the wafer W, for example, is provided on the upper surface.
  • the wafer W can be sucked and held on the spin chuck 20 by suction from the suction port.
  • a chuck driving unit 22 as a holding unit driving unit provided outside the processing container 10 is attached to the spin chuck 20 via a shaft 21.
  • the chuck driving unit 22 includes, for example, a motor, and the chuck driving unit 22 can rotate the spin chuck 20 at a predetermined speed.
  • the chuck drive unit 22 is provided with a lift drive source such as a cylinder, and the spin chuck 20 can be lifted and lowered.
  • a lift drive source such as a cylinder
  • an O-ring or vacuum grease is provided at a portion where the shaft 21 passes through the processing container 10 in order to seal the inside of the processing container 10.
  • the shaft 21 itself may have a cylinder structure.
  • a guide ring 30 having a mountain shape in cross section is provided on the lower side of the spin chuck 20, and the outer peripheral edge of the guide ring 30 is bent and extends downward.
  • a cup body 31 is provided so as to surround the spin chuck 20, the wafer W held by the spin chuck 20 and the guide ring 30. The cup body 31 can receive and collect the liquid scattered or dropped from the wafer W.
  • the cup body 31 is formed with an opening larger than the wafer W so that the spin chuck 20 can move up and down on the upper surface, and a gap 32 that forms a discharge path between the side peripheral surface and the outer peripheral edge of the guide ring 30. Is formed.
  • the lower side of the cup body 31 forms a gas-liquid separation part by forming a curved path together with the outer peripheral edge portion of the guide ring 30.
  • an air inlet 33 for sucking the atmosphere in the cup body 31 and the atmosphere in the processing container 10 is formed.
  • An intake pipe 34 is connected to the intake port 33, and the intake pipe 34 is branched into two intake pipes 34a and 34b.
  • the one intake pipe 34a communicates with, for example, the vacuum pump 35 and is used to suck the internal atmosphere of the processing container 10 when, for example, the inside of the processing container 10 is in a reduced pressure atmosphere.
  • a control valve 36 for controlling the gas flow is provided in one intake pipe 34a.
  • the other intake pipe 34b communicates with, for example, the vacuum pump 37 and is used to suck the internal atmosphere of the processing container 10 when, for example, the inside of the processing container 10 is set to an atmospheric pressure atmosphere of an inert gas.
  • the other intake pipe 34b is provided with a control valve 38 for controlling the gas flow.
  • the metal film forming apparatus 1 is configured to be able to switch the inside of the processing container 10 to an atmospheric pressure atmosphere or a reduced pressure atmosphere of an inert gas.
  • a drain port 39 for discharging the collected liquid is formed in the outer region of the bottom of the cup body 31, and a drain tube 40 is connected to the drain port 39.
  • a back rinse nozzle 50 that injects a rinse liquid toward the back surface of the wafer W is provided below the spin chuck 20 and on the guide ring 30, for example, at two locations.
  • a rinse liquid supply device 51 that supplies a rinse liquid to the back rinse nozzle 50 is connected to the back rinse nozzle 50.
  • a coating nozzle 60 that discharges a metal mixed solution obtained by mixing a metal complex and a solvent is provided on the center portion of the wafer W held by the spin chuck 20.
  • a liquid supply device 61 that supplies the metal complex and the solvent to the coating nozzle 60 is connected to the coating nozzle 60.
  • the application nozzle 60 is comprised so that the metal complex and solvent which were supplied from the liquid supply apparatus 61 may be mixed in the inside, and a metal liquid mixture may be formed.
  • the metal complex a complex having an aluminum atom is used.
  • a complex of an amine compound and aluminum hydroxide is used.
  • the solvent for dissolving the metal complex is not limited as long as it dissolves the metal complex. For example, ethers and hydrocarbons are used.
  • the nozzle drive part 65 is attached to the application nozzle 60 via the support member 62, the moving part 63, and the nozzle transmission part 64 as shown in FIG.2 and FIG.3.
  • the support member 62, the moving unit 63, and the nozzle transmission unit 64 are each provided inside the processing container 10, and the nozzle driving unit 65 is provided outside the processing container 10.
  • Nozzle bath 66 is provided as a standby unit that waits for the application nozzle 60 retracted from above the spin chuck 20 inside the processing container 10 and outside the cup body 31 on the positive side in the Y direction (right direction in FIGS. 2 and 3).
  • Nozzle bath 66 is provided. In the nozzle bath 66, the tip of the application nozzle 60 can be accommodated and the application nozzle 60 can be cleaned. In the nozzle bath 66, dummy dispensing of the metal mixed solution from the application nozzle 60 can also be performed.
  • the support member 62 has a horizontal support portion 62a extending in the horizontal direction and a vertical support portion 62b extending in the vertical direction.
  • a coating nozzle 60 is supported at the tip of the horizontal support portion 62a.
  • the moving part 63 is attached to the base end part of the vertical support part 62b.
  • the nozzle transmission part 64 is provided in the X direction negative direction (downward direction of FIG. 3) side of the cup body 31, as shown in FIG. Further, the end of the Y-direction negative direction (left direction in FIG. 3) of the nozzle transmission portion 64 is positioned slightly on the Y-direction negative direction side from the center portion C of the cup body 31, and the Y-direction positive direction (FIG. 3). (Right direction) side end of the processing vessel 10 is provided on the side wall. In order to seal the inside of the processing container 10, for example, an O-ring or vacuum grease is provided at a portion where the nozzle transmission unit 64 passes through the processing container 10. Further, as shown in FIG.
  • the nozzle transmission unit 64 extends in a direction inclined at a predetermined angle from the Y direction ((left and right direction in FIG. 2)).
  • the predetermined angle is determined to be an angle at which the application nozzle 60 does not interfere with the cup body 31 when the application nozzle 60 moves between the spin chuck 20 and the nozzle bath 66 as will be described later.
  • the nozzle transmission part 64 for example, a ball screw is used.
  • the moving part 63 is provided so as to surround the outer peripheral surface of the nozzle transmission part 64. Further, on the inner peripheral surface of the moving portion 63, a female screw portion that is screwed into a male screw portion formed on the outer peripheral surface of the nozzle transmission portion 64 is formed.
  • the nozzle drive unit 65 includes a motor, for example, and can rotate the nozzle transmission unit 64. By rotating the nozzle transmission unit 64 in this way, the power of the nozzle driving unit 65 is transmitted to the coating nozzle 60, the support member 62, and the moving unit 63 via the nozzle transmission unit 64.
  • the application nozzle 60, the support member 62, and the moving unit 63 are configured to be movable between the central portion of the spin chuck 20 and the nozzle bus 66 along the nozzle transmission unit 64.
  • vacuum grease is provided between the male screw portion of the nozzle transmission portion 63 and the female screw portion of the moving portion 63 in order to suppress generation of particles or the like due to sliding.
  • a bus drive unit 68 as a standby unit drive unit is attached to the nozzle bus 66 via a bus transmission unit 67 as a standby unit transmission unit.
  • the bus transmission unit 67 is provided inside the processing container 10. Further, the bus transmission part 67 supports the nozzle bus 66 and is provided extending in the vertical direction.
  • the bus transmission unit 67 has, for example, a cylinder structure, and can transmit the power of the bus drive unit 68 to the nozzle bus 66. That is, a piston (not shown), for example, is provided inside the bus transmission unit 67, and the nozzle bus 66 can be raised and lowered.
  • the O-ring and the grease for vacuum are provided in the connection part of the bus transmission part 67 and the nozzle bus 66, for example. Further, for example, an O-ring or vacuum grease is provided at a portion where the bus transmission unit 67 passes through the processing container 10 in order to seal the inside of the processing container 10.
  • the bus driving unit 68 is provided outside the processing container 10. Further, the bus driving unit 68 includes, for example, a motor, and can move the nozzle bus 66 up and down as described above.
  • an edge rinse nozzle 70 that discharges a rinse liquid onto the outer periphery of the wafer W held by the spin chuck 20 is provided inside the processing container 10.
  • a rinse liquid supply device 71 that supplies a rinse liquid to the edge rinse nozzle 70 is connected to the edge rinse nozzle 70.
  • the edge rinse nozzle 70 is also configured in a direction inclined at a predetermined angle from the horizontal direction, like the coating nozzle 60 described above.
  • a nozzle drive unit 75 is attached to the edge rinse nozzle 70 via a support member 72, a moving unit 73, and a nozzle transmission unit 74 as shown in FIGS.
  • the support member 72, the moving unit 73, and the nozzle transmission unit 74 are provided inside the processing container 10, and the nozzle driving unit 75 is provided outside the processing container 10.
  • a nozzle bath 76 that waits for the edge rinse nozzle 70 retracted from above the spin chuck 20 inside the processing vessel 10 and outside the cup body 31 in the negative Y direction (left direction in FIGS. 2 and 3). Is provided.
  • the edge portion of the edge rinse nozzle 70 can be accommodated and the edge rinse nozzle 70 can be cleaned.
  • dummy dispensing of the rinsing liquid from the edge rinsing nozzle 70 can also be performed.
  • the support member 72 has a horizontal support portion 72a extending in the horizontal direction and a vertical support portion 72b extending in the vertical direction.
  • An edge rinse nozzle 70 is supported at the tip of the horizontal support portion 72a.
  • the moving part 73 is attached to the base end part of the vertical support part 72b.
  • the nozzle transmission part 74 is provided in the X direction negative direction (downward direction of FIG. 3) side of the cup body 31, as shown in FIG. Further, the nozzle transmission portion 74 has an end portion on the Y direction positive direction (right direction in FIG. 3) side slightly located on the Y direction negative direction side with respect to the center portion C of the cup body 31, and the nozzle transmission portion 64 described above. Located so as not to interfere. Further, the end of the nozzle transmission portion 74 on the Y direction positive direction (right direction in FIG. 3) side is located on the side wall of the processing container 10. In order to seal the inside of the processing container 10, for example, an O-ring or vacuum grease is provided at a portion where the nozzle transmission unit 74 passes through the processing container 10. Further, as shown in FIG.
  • the nozzle transmission unit 74 extends in a direction inclined at a predetermined angle from the Y direction ((left and right direction in FIG. 2)).
  • the predetermined angle is determined so that the edge rinse nozzle 70 does not interfere with the cup body 31 when the edge rinse nozzle 70 moves between the spin chuck 20 and the nozzle bath 76 as will be described later.
  • a ball screw is used for the nozzle transmission part 74.
  • the moving unit 73 is provided so as to surround the outer peripheral surface of the nozzle transmission unit 74. Further, on the inner peripheral surface of the moving portion 73, a female screw portion that is screwed into a male screw portion formed on the outer peripheral surface of the nozzle transmission portion 74 is formed.
  • the nozzle drive part 75 is provided with the motor etc., for example, and can rotate the nozzle transmission part 74. FIG. By rotating the nozzle transmission unit 74 in this way, the power of the nozzle drive unit 75 is transmitted to the edge rinse nozzle 70, the support member 72 and the moving unit 73 via the nozzle transmission unit 74.
  • the edge rinse nozzle 70, the support member 72, and the moving unit 73 are configured to be movable between the outer peripheral portion of the spin chuck 20 and the nozzle bath 76 along the nozzle transmission unit 74.
  • vacuum grease is provided between the male screw portion of the nozzle transmission portion 73 and the female screw portion of the moving portion 73 in order to suppress generation of particles or the like due to sliding.
  • a bus driving unit 78 is attached to the nozzle bus 76 described above via a bus transmission unit 77.
  • the bus transmission unit 77 is provided inside the processing container 10. Further, the bus transmission unit 77 supports the nozzle bus 76 and is provided extending in the vertical direction.
  • the bus transmission unit 77 has a cylinder structure, for example, and can transmit the power of the bus drive unit 78 to the nozzle bus 76. That is, a piston (not shown), for example, is provided inside the bus transmission unit 77, and the nozzle bus 76 can be raised and lowered.
  • the O-ring and the grease for vacuum are provided in the connection part of the bus transmission part 77 and the nozzle bus 76, for example. Further, for example, an O-ring or vacuum grease is provided at a portion where the bus transmission unit 77 passes through the processing container 10 in order to seal the inside of the processing container 10.
  • the bus driving unit 78 is provided outside the processing container 10.
  • the bus driving unit 78 includes, for example, a motor, and can move the nozzle bus 76 up and down as described above.
  • the liquid supply device 61 includes a metal supply source 100 that stores a metal complex therein.
  • An air supply pipe 101 for supplying air, for example, an inert gas, into the metal supply source 100 is connected to the upper part of the metal supply source 100.
  • the air supply pipe 101 communicates with an air supply source 102 that stores air therein.
  • the air supply pipe 101 is provided with a control valve 103 that controls the flow of air. Then, air is supplied from the air supply source 102 into the metal supply source 100, the pressure in the metal supply source 100 is maintained at a predetermined pressure, and the metal complex in the metal supply source 100 is a metal supply pipe 104 described later. To be supplied.
  • a metal supply pipe 104 for supplying a metal complex to the coating nozzle 60 is connected to the upper part of the metal supply source 100. That is, the metal supply pipe 104 is provided by connecting the metal supply source 100 and the coating nozzle 60.
  • a first gas supply pipe 121 that supplies an inert gas is connected to the metal supply pipe 104 as will be described later.
  • the metal supply pipe 104 downstream of the first gas supply pipe 121 is provided with a first main control valve 105 that controls the flow of the metal complex or the inert gas.
  • a metal control valve 106 that controls the flow of the metal complex is provided in the metal supply pipe 104 upstream of the first gas supply pipe 121.
  • the liquid supply device 61 has a solvent supply source 110 for storing the solvent therein.
  • An air supply pipe 111 for supplying air, for example, an inert gas, to the solvent supply source 110 is connected to the upper part of the solvent supply source 110.
  • the air supply pipe 111 communicates with an air supply source 112 that stores air therein.
  • the air supply pipe 111 is provided with a control valve 113 for controlling the air flow. Then, air is supplied from the air supply source 112 into the solvent supply source 110, the pressure in the solvent supply source 110 is maintained at a predetermined pressure, and the solvent in the solvent supply source 110 is supplied to a solvent supply pipe 114 described later. It comes to be supplied.
  • a solvent supply pipe 114 for supplying a solvent to the coating nozzle 60 is connected to the upper part of the solvent supply source 110. That is, the solvent supply pipe 114 is provided by connecting the solvent supply source 110 and the coating nozzle 60.
  • the solvent supply pipe 114 is connected to a second gas supply pipe 123 that supplies an inert gas as will be described later.
  • the solvent supply pipe 114 on the downstream side of the second gas supply pipe 123 is provided with a second main control valve 115 that controls the flow of the solvent or the inert gas.
  • a solvent control valve 116 that controls the flow of the solvent is provided in the solvent supply pipe 114 upstream of the second gas supply pipe 123.
  • the liquid supply device 61 has a gas supply source 120 for storing an inert gas such as nitrogen gas therein.
  • the first gas supply pipe 121 described above is connected between the gas supply source 120 and the metal supply pipe 104.
  • the first gas supply pipe 121 is provided with a first gas control valve 122 that controls the flow of the inert gas.
  • the second gas supply pipe 123 described above is connected between the gas supply source 120 and the solvent supply pipe 114.
  • the second gas supply pipe 123 is provided with a second gas control valve 124 that controls the flow of the inert gas.
  • the opening and closing of the first main control valve 105, the opening and closing of the metal control valve 106, the opening and closing of the first gas control valve 122, the opening and closing of the second main control valve 115, the opening and closing of the solvent control valve 116, the second The opening and closing of the gas control valve 124 is controlled by a control unit 150 described later.
  • the metal complex and the solvent are supplied from the liquid supply device 61 to the coating nozzle 60.
  • the metal complex and the solvent are mixed by a stirring mechanism (not shown) to generate a metal mixed solution, and the metal mixed solution is discharged from the coating nozzle 60.
  • the rinse liquid supply device 71 has a rinse liquid supply source 130 for storing a rinse liquid therein as shown in FIG.
  • An air supply pipe 131 for supplying air, for example, an inert gas, into the rinse liquid supply source 130 is connected to the upper part of the rinse liquid supply source 130.
  • the air supply pipe 131 communicates with an air supply source 132 that stores air therein.
  • the air supply pipe 131 is provided with a control valve 133 that controls the flow of air. Then, air is supplied from the air supply source 132 into the rinse liquid supply source 130, the pressure in the rinse liquid supply source 130 is maintained at a predetermined pressure, and the rinse liquid in the rinse liquid supply source 130 is rinsed as described later.
  • the liquid is supplied to the liquid supply pipe 134.
  • a rinse liquid supply pipe 134 for supplying a rinse liquid to the edge rinse nozzle 70 is connected to the upper part of the rinse liquid supply source 130. That is, the rinse liquid supply pipe 134 is provided by connecting the rinse liquid supply source 130 and the edge rinse nozzle 70.
  • a gas supply pipe 141 for supplying an inert gas is connected to the rinse liquid supply pipe 134 as will be described later.
  • a rinsing liquid supply pipe 134 on the downstream side of the gas supply pipe 141 is provided with a main control valve 135 for controlling the flow of the rinsing liquid or the inert gas.
  • a rinse liquid control valve 136 for controlling the flow of the rinse liquid is provided in the rinse liquid supply pipe 134 upstream of the gas supply pipe 141.
  • the rinse liquid supply device 71 has a gas supply source 140 for storing an inert gas such as nitrogen gas therein.
  • the gas supply pipe 141 described above is connected between the gas supply source 140 and the rinse liquid supply pipe 134.
  • the gas supply pipe 141 is provided with a gas control valve 142 that controls the flow of the inert gas.
  • the opening / closing of the main control valve 135, the opening / closing of the rinse liquid control valve 136, and the opening / closing of the gas control valve 142 are controlled by the control unit 150 described later.
  • the configuration of the rinsing liquid supply device 51 connected to the back rinse nozzle 50 is the same as the configuration of the rinsing liquid supply device 71 described above, and a description thereof will be omitted.
  • the control unit 150 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown).
  • the program storage unit stores a program for executing the metal film forming process for the wafer W in the metal film forming apparatus 1.
  • This program is recorded on a computer-readable storage medium H such as a computer-readable hard disk (HD), flexible disk (FD), compact disk (CD), magnetic optical desk (MO), or memory card. May have been installed in the control unit 150 from the storage medium H.
  • a computer-readable storage medium H such as a computer-readable hard disk (HD), flexible disk (FD), compact disk (CD), magnetic optical desk (MO), or memory card. May have been installed in the control unit 150 from the storage medium H.
  • the metal film forming apparatus 1 is configured as described above. Next, the process which forms the metal film performed with the metal film formation apparatus 1 is demonstrated. 6 to 8 show a state in which the metal mixed solution is applied onto the wafer W in the metal film forming apparatus 1.
  • the wafer W carried into the metal film forming apparatus 1 is first sucked and held by the spin chuck 20 as shown in FIG.
  • the application nozzle 60 stands by in the nozzle bath 66.
  • the metal control valve 106 is closed, the first main control valve 105 and the first gas control valve 122 are opened, and the first gas supply pipe 121 and the gas supply source 120 are opened.
  • An inert gas is supplied to the coating nozzle 60 via the metal supply pipe 104.
  • the solvent control valve 116 is closed, the second main control valve 115 and the second gas control valve 124 are opened, and the second gas supply pipe 123 and the solvent supply pipe 114 are connected from the gas supply source 120. Then, an inert gas is supplied to the coating nozzle 60.
  • the inert gas supplied to the application nozzle 60 causes the metal mixture remaining in the application nozzle 60 to be expelled to the nozzle bath 66. If it does so, even if it depressurizes the inside of the processing container 10 so that it may mention later, an unnecessary metal liquid mixture does not flow out from the coating nozzle 60.
  • the metal is deposited after a predetermined time, for example, 90 seconds. Therefore, the metal mixed liquid used when processing the previous wafer W remains in the coating nozzle 60 in standby, and metal is deposited. Even in such a case, by supplying the inert gas to the coating nozzle 60 as described above, the metal mixed solution remaining in the coating nozzle 60 is removed, and the subsequent coating process can be performed appropriately.
  • the inside of the metal supply pipe 104 and the inside of the solvent supply pipe 114 are cleaned by the inert gas supplied to the coating nozzle 60.
  • the rinsing liquid supply device 71 also closes the rinsing liquid control valve 136, opens the main control valve 135 and the gas control valve 142, and connects the gas supply pipe 141 and the rinsing liquid supply pipe 134 from the gas supply source 140. Then, an inert gas is supplied to the edge rinse nozzle 70. By this inert gas, the rinse liquid remaining in the edge rinse nozzle 70 is driven out to the nozzle bath 76.
  • the vacuum pump 35 is operated to suck the inside atmosphere of the processing container 10 and the inside of the processing container 10 is depressurized to a predetermined degree of vacuum, for example, 13.3 Pa.
  • a predetermined degree of vacuum for example, 13.3 Pa.
  • an inert gas is supplied from the gas supply source 12 to the inside of the processing container 10 and the vacuum pump 37 is operated.
  • the inside of the processing container 10 is equalized to an inert gas atmosphere at atmospheric pressure.
  • the reason why the atmosphere inside the processing container 10 is reduced is that oxygen and moisture are quickly discharged from the inside of the processing container 10 and the inside atmosphere is quickly changed to an inert gas atmosphere.
  • the internal atmosphere is not required to be strictly reduced to a vacuum atmosphere, and may be reduced to a vacuum degree of 13.3 Pa, for example, as described above. Therefore, the atmosphere inside the processing container 10 can be reduced to a predetermined degree of vacuum in a very short time.
  • the nozzle transmission 66 and the bus driving unit 68 lower the nozzle bath 66 as shown in FIG.
  • the application nozzle 60 is moved along the nozzle transmission unit 64 by the nozzle driving unit 65 and is disposed at a predetermined position above the center of the wafer W.
  • the application nozzle 60 moves along a direction inclined at a predetermined angle from the horizontal direction, the application nozzle 60 does not interfere with the cup body 31.
  • the inside of the coating nozzle 60 is cleaned with an inert gas, so that an unnecessary metal mixture does not flow out of the coating nozzle 60. For this reason, after disposing the coating nozzle 60 at a predetermined position above the center of the wafer W, the inside of the processing container 10 may be decompressed.
  • the inside of the processing vessel 10 is set to an atmospheric pressure atmosphere of an inert gas and the coating nozzle 60 is disposed at a predetermined position above the wafer W, the wafer W sucked and held by the spin chuck 20 is rotated at a predetermined number of rotations. Rotate with.
  • the first gas control valve 122 is closed, the first main control valve 105 and the metal control valve 106 are opened, and coating is performed from the metal supply source 100 through the metal supply pipe 104.
  • a metal complex is supplied to the nozzle 60.
  • the second gas control valve 124 is closed, the second main control valve 115 and the solvent control valve 116 are opened, and the solvent is supplied from the solvent supply source 110 to the coating nozzle 60 through the solvent supply pipe 114. Supply.
  • the supplied metal complex and solvent are mixed inside the coating nozzle 60 to generate a metal mixed solution. Then, the metal mixed solution is discharged from the coating nozzle 60 onto the rotating wafer W.
  • the metal mixed solution is generated immediately before being discharged onto the wafer W, an appropriate metal mixed solution can be discharged onto the wafer W without metal being deposited.
  • the discharged metal mixture is diffused on the wafer W by centrifugal force, and the metal mixture is applied to the entire surface of the wafer W.
  • the supply of the metal complex and the solvent from the liquid supply device 61 to the application nozzle 60 is stopped, and the discharge of the metal mixed solution from the application nozzle 60 to the wafer W is stopped.
  • the application nozzle 60 is moved to the nozzle bath 66 by the nozzle drive unit 65, and the edge rinse nozzle 70 is moved along the nozzle transmission unit 74 by the nozzle drive unit 75, and is arranged at a predetermined position above the outer peripheral portion of the wafer W. To do.
  • the rinse liquid is discharged from the edge rinse nozzle 70 to the rotating wafer W, and the outer peripheral portion of the wafer W is cleaned. Further, the rinse liquid is also ejected from the back rinse nozzle 50, and the back surface of the wafer W is cleaned.
  • the gas control valve 142 is closed, the main control valve 135 and the rinsing liquid control valve 136 are opened, and the rinsing liquid supply source 130 through the rinsing liquid supply pipe 134.
  • a rinse liquid is supplied to the edge rinse nozzle 70 and the back rinse nozzle 50, respectively. After the cleaning, the supply of the rinsing liquid from the edge rinse nozzle 70 and the back rinse nozzle 50 is stopped, and the wafer W is rotated to dry the wafer W.
  • a metal film is formed on the wafer W, and a series of metal film forming processes in the metal film forming system 1 is completed.
  • a heat treatment is performed. By performing such heat treatment, the organic components in the metal mixture on the wafer W are volatilized, the aluminum is metalized, and a metal film of an aluminum film is formed on the wafer W.
  • the nozzle driving unit 65 for moving the coating nozzle 60 since the nozzle driving unit 65 for moving the coating nozzle 60 is provided outside the processing container 10, particles generated from the nozzle driving unit 65 as a power generation source are processed. It does not flow into the container 10. Similarly, the nozzle drive unit 75 for moving the edge rinse nozzle 70, the bus drive unit 68 for moving the nozzle bus 66 up and down, the bus drive unit 78 for moving up and down the nozzle bus 76, and the spin chuck 20 are moved up and down. Since the chuck driving unit 22 for the purpose is also provided outside the processing container 10, particles generated from these power generation sources do not flow into the processing container 10.
  • the application nozzle 60 is made to stand by in the nozzle bath 66 and is supplied to the application nozzle 60 through the first gas supply pipe 121 and the metal supply pipe 104. While supplying the inert gas, the inert gas is supplied to the coating nozzle 60 through the second gas supply pipe 123 and the solvent supply pipe 114. The metal mixture remaining in the coating nozzle 60 is driven out by the inert gas. Then, even if the inside of the processing container 10 is depressurized when processing a new wafer W after that, an unnecessary metal mixed liquid does not flow out from the coating nozzle 60. Further, even when aluminum, which is a metal, is deposited on the metal mixture remaining in the coating nozzle 60, the metal mixture is removed by the inert gas.
  • the inside of the processing vessel 10 is set to an atmospheric pressure atmosphere of an inert gas, and the metal complex is transferred to the coating nozzle 60 via the metal supply pipe 104 in a state where the coating nozzle 60 is disposed at a predetermined position above the spin chuck 20.
  • the solvent is supplied to the coating nozzle 60 via the solvent supply pipe 114.
  • the metal mixed solution is generated immediately before being discharged onto the wafer W in the coating nozzle 60, an appropriate metal mixed solution on which no metal is deposited can be discharged onto the wafer W. Processing can be performed appropriately. Therefore, according to the present embodiment, the metal film can be appropriately formed on the wafer W using the metal mixed solution while appropriately controlling the processing atmosphere in the processing container 10.
  • the structure of the nozzle transmission part 64 is not limited to this and can take various structures.
  • the nozzle transmission part 64 may have a cylinder structure and may be provided with a ball screw inside. And if the inside of the nozzle transmission part 64 is sealed, the particle which generate
  • the nozzle transmission part 74 of the edge rinse nozzle 70 can also take various structures, such as a cylinder structure having a ball screw, like the nozzle transmission part 64.
  • the bus transmission part 67 of the nozzle bus 66 has a cylinder structure, but the structure of the bus transmission part 67 is not limited to this and can take various structures.
  • a metal bellows may be used for the bus transmission unit 67.
  • the bus transmission part 77 of the nozzle bus 76 can also take various structures, such as a metal bellows, similarly to the bus transmission part 67.
  • the coating nozzle 60 is moved by the nozzle driving unit 65 via the support member 62, the moving unit 63, and the nozzle transmission unit 64.
  • the configuration for moving the coating nozzle 60 is not limited thereto. It is not limited and can take various configurations.
  • a nozzle transmission unit 160 composed of a manipulator and the nozzle transmission unit 160.
  • a nozzle drive unit 161 that expands and contracts.
  • the nozzle transmission unit 160 is provided inside the processing container 10. Further, the nozzle transmission unit 160 is configured to be extendable and contractible in a direction inclined at a predetermined angle from the horizontal direction. The predetermined angle is determined to be an angle at which the application nozzle 60 does not interfere with the cup body 31 when the application nozzle 60 moves between the spin chuck 20 and the nozzle bus 66, as in the above embodiment. Note that, for example, an O-ring or vacuum grease is provided in a portion where the nozzle transmission unit 160 passes through the processing container 10 in order to seal the inside of the processing container 10.
  • the nozzle driving unit 161 is provided outside the processing container 10. Moreover, the nozzle drive part 161 is provided with a motor etc., for example, and can expand-contract the nozzle transmission part 160 as mentioned above.
  • the nozzle transmission unit 170 made of a manipulator and the nozzle transmission unit 170 are expanded and contracted instead of the support member 72, the moving unit 73, the nozzle transmission unit 74, and the nozzle driving unit 75. You may provide the nozzle drive part 171 to be made.
  • the nozzle transmission unit 170 is provided inside the processing container 10. Moreover, the nozzle transmission part 170 is comprised so that expansion-contraction is possible in the direction inclined by the predetermined angle from the horizontal direction.
  • the predetermined angle is determined to be an angle at which the edge rinse nozzle 70 does not interfere with the cup body 31 when the edge rinse nozzle 70 moves between the spin chuck 20 and the nozzle bath 76 as in the above embodiment.
  • an O-ring or vacuum grease is provided in a portion where the nozzle transmission unit 170 is inserted through the processing container 10 in order to seal the inside of the processing container 10.
  • the nozzle driving unit 171 is provided outside the processing container 10.
  • the nozzle driving unit 171 includes, for example, a motor, and can expand and contract the nozzle transmission unit 170 as described above.
  • the other configuration of the metal film forming apparatus 1 is the same as that of the above-described embodiment, and the description thereof is omitted. Even in such a case, since the nozzle driving units 161 and 171 that are power generation sources are provided outside the processing container 10, the generation of particles and the like in the processing container 10 can be prevented, and the processing atmosphere is appropriately controlled. However, the metal film can be appropriately formed on the wafer W using the metal mixed solution.
  • the metal mixed solution is generated inside the coating nozzle 60 and the metal mixed solution is discharged from the coating nozzle 60 onto the wafer W.
  • the method of discharging the metal mixed solution is limited to this. Various methods can be taken. For example, after the metal mixed solution is generated in the liquid supply device 61, the metal mixed solution may be supplied to the coating nozzle 60. Then, the metal mixed solution is discharged from the coating nozzle 60 onto the wafer W.
  • a metal complex nozzle that discharges a metal complex and a solvent nozzle that discharges a solvent may be used instead of the coating nozzle 60.
  • the metal complex discharged from the metal complex nozzle and the solvent discharged from the solvent nozzle may be mixed before reaching the wafer W to generate a metal mixed solution.
  • the metal complex and the solvent may be mixed on the wafer W to generate a metal mixed solution.
  • the metal complex and the solvent may be mixed on the wafer W to generate a metal mixed solution.
  • the metal complex and the solvent may be mixed on the wafer W to generate a metal mixed solution.
  • the metal complex has an aluminum atom, but may have another metal atom such as a copper atom, a gold atom, or a silver atom.
  • the metal film forming apparatus 1 of the above embodiment may include a coupling rinse nozzle that cleans the cup body 31.
  • the present invention is not limited to the wafer, but may be another substrate such as an FPD (flat panel display) or a photomask mask reticle. It can also be applied in some cases. Furthermore, the present invention can be applied to, for example, a manufacturing process of an organic solar cell or a film forming process in a low oxygen atmosphere.

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Abstract

 本発明は、基板を収容し、内部を不活性ガスの大気圧雰囲気又は減圧雰囲気に切り換え可能な処理容器と、この処理容器の内部に設けられた基板保持部、保持された基板の側方を囲むように設けられたカップ体、基板上に金属混合液を吐出する塗布ノズル、基板保持部上方から退避した塗布ノズルを待機させるカップ体の外側に設けられた待機部、基板保持部と待機部との間で塗布ノズルを移動させるノズル駆動部、塗布ノズルを支持し、ノズル駆動部の動力を塗布ノズルに伝達するノズル伝達部とを有する。

Description

金属膜形成装置
 本発明は、基板上に金属錯体と溶媒を混合した金属混合液を塗布して、当該基板上に金属膜を形成する金属膜形成装置に関する。
 例えば半導体デバイスなどの電子デバイスに使用されている配線や電極の材料として、例えばアルミニウムが使用されている。従来、アルミニウムの配線や電極を形成するには、例えば基板上に所定のパターンを形成して配線又は電極となるべき部位にトレンチを形成し、当該トレンチ内を含む基板上にアルミニウム膜を形成した後、余剰の部分を化学機械研磨等により除去する方法が一般的に採用されていた。また、このアルミニウム膜を形成する方法として、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、CVD法(Chemical Vapor Deposition、化学気相成長法)などの真空プロセスでアルミニウム膜を形成する方法が用いられていた。
 ところで、近年、半導体デバイスのさらなる高集積化を図るため、配線や電極の構造の微細化、複雑化が進んでおり、これらの形状に関する精度の向上が要求されている。かかる場合、基板上のトレンチの開口幅が小さくなり、またトレンチのアスペクト比(トレンチの深さをトレンチの表面開口部の最小距離で除した値)が大きくなる。このため、基板上にアルミニウム膜を形成する際に、従来のスパッタリング法、真空蒸着法、CVD法などを採用すると、トレンチの開口に近い領域に堆積したアルミニウムがトレンチの開口を閉塞し、その結果としてトレンチの内部にアルミニウムが充填されない欠陥部分が生じるおそれがある。
 そこで、アルミニウム膜を形成する方法として、例えばアミン化合物と水酸化アルミニウムの錯体を溶媒に溶解した金属混合液を基板上に塗布して、当該基板上にアルミニウム膜を形成する方法が提案されている。(特許文献1)。かかる場合、金属混合液が流動性を有するため、基板上のトレンチが微小の場合でも、当該トレンチ内に金属混合液が流入し、アルミニウム膜の欠陥の発生を抑制できる。
日本国特開2009-227864号公報
 特許文献1の方法を用いて基板上にアルミニウム膜を形成する場合、処理雰囲気中に微量の酸素や水分が存在すると、金属混合液はこれら酸素や水分と反応して劣化するおそれがある。このため、低酸素濃度且つ低水分濃度の処理雰囲気、例えば窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中で、金属混合液の塗布処理を行う必要がある。また、処理雰囲気を効率よく不活性ガス雰囲気にするため、すなわち効率よく低酸素濃度且つ低水分濃度の処理雰囲気にするため、一旦減圧雰囲気にすることが好ましい。
 このように金属混合液を用いた方法では、基板処理の処理雰囲気を厳格に制御する必要がある。しかしながら、現状は、かかる金属混合液を用いた方法が試験的に行われている段階であり、処理雰囲気を適切に制御しつつアルミニウム膜を形成する装置も未だ開発段階である。したがって、複数の基板に対してアルミニウム膜を連続的に形成することは現実的に困難であり、半導体デバイスの量産化に対応できていない。
 本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、処理雰囲気を適切に制御しつつ、金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切に形成することを目的とする。
 前記の目的を達成するため、本発明は、基板上に金属錯体と溶媒を混合した金属混合液を塗布して、当該基板上に金属膜を形成する金属膜形成装置であって、基板を収容し、内部を不活性ガスの大気圧雰囲気又は減圧雰囲気に切り換え可能な処理容器と、前記処理容器の内部に設けられ、基板を保持する保持部と、前記処理容器の内部に設けられ、前記保持部に保持された基板の側方を囲むように設けられたカップ体と、前記処理容器の内部に設けられ、前記保持部に保持された基板上に前記金属混合液を吐出する塗布ノズルと、前記処理容器の内部であって前記カップ体の外側に設けられ、前記保持部上方から退避した前記塗布ノズルを待機させる待機部と、前記処理容器の外部に設けられ、水平方向より所定の角度で傾斜した方向に沿って、前記保持部と前記待機部との間で前記塗布ノズルを移動させるためのノズル駆動部と、前記処理容器の内部に設けられ、前記塗布ノズルを支持し、前記ノズル駆動部の動力を前記塗布ノズルに伝達するノズル伝達部と、を有する。
 本発明によれば、塗布ノズルを移動させるためのノズル駆動部が処理容器の外部に設けられているので、動力発生源であるノズル駆動部から発生するパーティクル等が処理容器の内部に流入しない。このように処理容器の内部にパーティクル等の不純物が発生しないので、基板を処理する際に処理容器の内部を減圧しても、適切な減圧雰囲気にでき、さらにその後適切な不活性ガスの大気圧雰囲気にできる。そして、塗布ノズルから基板上に金属混合液を吐出して、当該基板上に金属膜が適切に形成される。しかも、水平方向より所定の角度で傾斜した方向に沿って、塗布ノズルは保持部と待機部との間で移動するので、この移動中に塗布ノズルがカップ体と干渉することがない。したがって、本発明によれば、処理雰囲気を適切に制御しつつ、金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切に形成することができる。
 本発明によれば、処理雰囲気を適切に制御しつつ、金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切に形成することができる。
本実施の形態にかかる金属膜形成装置の構成の概略を示す縦断面図である。 本実施の形態にかかる金属膜形成装置の構成の概略を示す縦断面図である。 本実施の形態にかかる金属膜形成装置の構成の概略を示す横断面図である。 液供給装置の構成の概略を示す説明図である。 リンス液供給装置の構成の概略を示す説明図である。 塗布ノズルをノズルバスで待機させた様子を示す説明図である。 ノズルバスを下降させた様子を示す説明図である。 塗布ノズルをウェハ上方まで移動させた様子を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる金属膜形成装置の構成の概略を示す縦断面図である。
 以下、本発明の実施の形態について説明する。図1及び図2は、本実施の形態にかかる金属膜形成装置1の構成の概略を示す縦断面図である。図3は、金属膜形成装置1の構成の概略を示す横断面図である。なお、基板としてのウェハW上には、所定のパターン(図示せず)が予め形成されている。さらに、所定のパターン上には、例えばウェハWと金属膜との定着性を向上させるため、例えば有機金属化合物を有する下地膜(図示せず)が予め形成されている。また、本実施の形態の金属膜形成装置1では、金属膜として、アルミニウム膜をウェハW上に形成する。
 金属膜形成装置1は、図1に示すように内部を密閉可能な処理容器10を有している。処理容器10の側面にはウェハWの搬入出口(図示せず)が形成され、当該搬入出口にはゲートバルブ(図示せず)が設けられている。
 処理容器10の天井面には、当該処理容器10の内部に例えば窒素ガスなどの不活性ガスを供給するガス供給口11が形成されている。ガス供給口11には、ガス供給源12に連通するガス供給管13が接続されている。ガス供給管13には、不活性ガスの流通を制御する制御弁14が設けられている。
 処理容器10の内部には、ウェハWを吸着保持する保持部としてのスピンチャック20が設けられている。スピンチャック20は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハWを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハWをスピンチャック20上に吸着保持できる。
 スピンチャック20には、シャフト21を介して、処理容器10の外部に設けられた保持部用駆動部としてのチャック駆動部22が取り付けられている。チャック駆動部22は例えばモータなどを備え、このチャック駆動部22によりスピンチャック20は所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部22にはシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック20は昇降自在になっている。なお、シャフト21が処理容器10を挿通する部分には、処理容器10の内部を密閉するために例えばOリングや真空用グリスが設けられている。また、シャフト21自体がシリンダ構造を有していてもよい。
 スピンチャック20の下方側には断面形状が山形のガイドリング30が設けられており、このガイドリング30の外周縁は下方側に屈曲して延びている。前記スピンチャック20、スピンチャック20に保持されたウェハW及びガイドリング30を囲むようにカップ体31が設けられている。カップ体31は、ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収することができる。
 このカップ体31は上面にスピンチャック20が昇降できるようにウェハWよりも大きい開口部が形成されていると共に、側周面とガイドリング30の外周縁との間に排出路をなす隙間32が形成されている。前記カップ体31の下方側は、ガイドリング30の外周縁部分と共に屈曲路を形成して気液分離部を構成している。
 カップ体31の底部の内側領域には、カップ体31内の雰囲気及び処理容器10内の雰囲気を吸引するための吸気口33が形成されている。吸気口33には吸気管34が接続され、この吸気管34は2本の吸気管34a、34bに分岐している。一の吸気管34aは、例えば真空ポンプ35に連通し、例えば処理容器10の内部を減圧雰囲気にする際に、当該処理容器10の内部雰囲気を吸引するために用いられる。また、一の吸気管34aには、ガスの流れを制御する制御弁36が設けられている。一方、他の吸気管34bは、例えば真空ポンプ37に連通し、例えば処理容器10の内部を不活性ガスの大気圧雰囲気にする際に、当該処理容器10の内部雰囲気を吸引するために用いられる。また、他の吸気管34bには、ガスの流通を制御する制御弁38が設けられている。かかる構成により、金属膜形成装置1は、その処理容器10の内部を不活性ガスの大気圧雰囲気又は減圧雰囲気に切り替え可能に構成されている。
 カップ体31の底部の外側領域には、回収した液体を排出する排液口39が形成されており、この排液口39には排液管40が接続されている。
 スピンチャック20の下方であってガイドリング30上には、ウェハWの裏面に向けてリンス液を噴射するバックリンスノズル50が例えば2箇所に設けられている。バックリンスノズル50には、当該バックリンスノズル50にリンス液を供給するリンス液供給装置51が接続されている。
 処理容器10の内部には、スピンチャック20に保持されたウェハWの中心部上に、金属錯体と溶媒を混合した金属混合液を吐出する塗布ノズル60が設けられている。塗布ノズル60には、当該塗布ノズル60に金属錯体と溶媒を供給する液供給装置61が接続されている。そして、塗布ノズル60は、その内部において液供給装置61から供給された金属錯体と溶媒を混合して金属混合液を形成するように構成されている。なお、金属錯体には、アルミニウム原子を有する錯体が用いられる。本実施の形態においては、例えばアミン化合物と水酸化アルミニウムの錯体が用いられる。また、金属錯体を溶解させる溶媒としては、金属錯体を溶解させるものであれば限定されないが、例えばエーテル類や炭化水素類が用いられる。
 塗布ノズル60には、図2及び図3に示すように支持部材62、移動部63及びノズル伝達部64を介して、ノズル駆動部65が取り付けられている。これら支持部材62、移動部63及びノズル伝達部64はそれぞれ処理容器10の内部に設けられ、ノズル駆動部65は処理容器10の外部に設けられている。また、処理容器10の内部であってカップ体31のY方向正方向(図2及び図3の右方向)側の外側には、スピンチャック20上方から退避した塗布ノズル60を待機させる待機部としてのノズルバス66が設けられている。ノズルバス66では、塗布ノズル60の先端部を収容して、当該塗布ノズル60を洗浄することができる。また、ノズルバス66では、塗布ノズル60からの金属混合液のダミーディスペンスも行うことができる。
 支持部材62は、水平方向に延伸する水平支持部62aと鉛直方向に延伸する鉛直支持部62bとを有している。水平支持部62aの先端部には、塗布ノズル60が支持されている。また、鉛直支持部62bの基端部には、移動部63が取り付けられている。
 ノズル伝達部64は、図3に示すようにカップ体31のX方向負方向(図3の下方向)側に設けられている。また、ノズル伝達部64は、そのY方向負方向(図3の左方向)側の端部がカップ体31中心部Cより僅かにY方向負方向側に位置し、Y方向正方向(図3の右方向)側の端部が処理容器10の側壁に位置するように設けられている。なお、ノズル伝達部64が処理容器10を挿通する部分には、処理容器10の内部を密閉するために例えばOリングや真空用グリスが設けられている。さらに、ノズル伝達部64は、図2に示すようにY方向(図2の(左右方向))より所定の角度で傾斜した方向に延伸している。なお、所定の角度は、後述するように塗布ノズル60がスピンチャック20とノズルバス66との間で移動する際、当該塗布ノズル60がカップ体31と干渉しない角度に決定される。
 ノズル伝達部64には、例えばボールネジが用いられる。移動部63は、このノズル伝達部64の外周面を囲うように設けられている。また、移動部63の内周面には、ノズル伝達部64の外周面に形成された雄ネジ部に螺合する雌ネジ部が形成されている。さらに、ノズル駆動部65は、例えばモータなどを備えており、ノズル伝達部64を回転させることができる。このようにノズル伝達部64を回転させることにより、ノズル駆動部65の動力がノズル伝達部64を介して塗布ノズル60、支持部材62及び移動部63に伝達される。そして、これら塗布ノズル60、支持部材62及び移動部63は、ノズル伝達部64に沿って、スピンチャック20の中心部とノズルバス66との間を移動自在に構成されている。なお、ノズル伝達部63の雄ネジ部と移動部63の雌ネジ部との間には、摺動によるパーティクル等の発生を抑制するために例えば真空用グリスが設けられている。
 上述したノズルバス66には、図1に示すように待機部用伝達部としてのバス伝達部67を介して、待機部用駆動部としてのバス駆動部68が取り付けられている。
 バス伝達部67は、処理容器10の内部に設けられている。また、バス伝達部67は、ノズルバス66を支持し、鉛直方向に延伸して設けられている。バス伝達部67は、例えばシリンダ構造を有し、バス駆動部68の動力をノズルバス66に伝達できる。すなわち、バス伝達部67の内部には、例えばピストン(図示せず)が設けられ、ノズルバス66を昇降させることができる。なお、バス伝達部67とノズルバス66との接続部分には、バス伝達部67の内部を密閉するために例えばOリングや真空用グリスが設けられている。また、バス伝達部67が処理容器10を挿通する部分には、処理容器10の内部を密閉するために例えばOリングや真空用グリスが設けられている。
 バス駆動部68は、処理容器10の外部に設けられている。また、バス駆動部68は、例えばモータなどを備え、上述したようにノズルバス66を昇降させることができる。
 また、処理容器10の内部には、スピンチャック20に保持されたウェハWの外周部上にリンス液を吐出するエッジリンスノズル70が設けられている。エッジリンスノズル70には、当該エッジリンスノズル70にリンス液を供給するリンス液供給装置71が接続されている。エッジリンスノズル70も、上述した塗布ノズル60と同様に水平方向より所定の角度で傾斜した方向に構成されている。
 すなわち、エッジリンスノズル70には、図2及び図3に示すように支持部材72、移動部73及びノズル伝達部74を介して、ノズル駆動部75が取り付けられている。これら支持部材72、移動部73及びノズル伝達部74はそれぞれ処理容器10の内部に設けられ、ノズル駆動部75は処理容器10の外部に設けられている。また、処理容器10の内部であってカップ体31のY方向負方向(図2及び図3の左方向)側の外側には、スピンチャック20上方から退避したエッジリンスノズル70を待機させるノズルバス76が設けられている。ノズルバス76では、エッジリンスノズル70の先端部を収容して、当該エッジリンスノズル70を洗浄することができる。また、ノズルバス76では、エッジリンスノズル70からのリンス液のダミーディスペンスも行うことができる。
 支持部材72は、水平方向に延伸する水平支持部72aと鉛直方向に延伸する鉛直支持部72bとを有している。水平支持部72aの先端部には、エッジリンスノズル70が支持されている。また、鉛直支持部72bの基端部には、移動部73が取り付けられている。
 ノズル伝達部74は、図3に示すようにカップ体31のX方向負方向(図3の下方向)側に設けられている。また、ノズル伝達部74は、そのY方向正方向(図3の右方向)側の端部がカップ体31中心部Cより僅かにY方向負方向側に位置し、上述したノズル伝達部64と干渉しないように位置している。また、ノズル伝達部74のY方向正方向(図3の右方向)側の端部は、処理容器10の側壁に位置している。なお、ノズル伝達部74が処理容器10を挿通する部分には、処理容器10の内部を密閉するために例えばOリングや真空用グリスが設けられている。さらに、ノズル伝達部74は、図2に示すようにY方向(図2の(左右方向))より所定の角度で傾斜した方向に延伸している。なお、所定の角度は、後述するようにエッジリンスノズル70がスピンチャック20とノズルバス76との間で移動する際、当該エッジリンスノズル70がカップ体31と干渉しない角度に決定される。
 ノズル伝達部74には、例えばボールネジが用いられる。移動部73は、このノズル伝達部74の外周面を囲うように設けられている。また、移動部73の内周面には、ノズル伝達部74の外周面に形成された雄ネジ部に螺合する雌ネジ部が形成されている。さらに、ノズル駆動部75は、例えばモータなどを備えており、ノズル伝達部74を回転させることができる。このようにノズル伝達部74を回転させることにより、ノズル駆動部75の動力がノズル伝達部74を介してエッジリンスノズル70、支持部材72及び移動部73に伝達される。そして、これらエッジリンスノズル70、支持部材72及び移動部73は、ノズル伝達部74に沿って、スピンチャック20の外周部とノズルバス76との間を移動自在に構成されている。なお、ノズル伝達部73の雄ネジ部と移動部73の雌ネジ部との間には、摺動によるパーティクル等の発生を抑制するために例えば真空用グリスが設けられている。
 上述したノズルバス76には、図1に示すようにバス伝達部77を介してバス駆動部78が取り付けられている。
 バス伝達部77は、処理容器10の内部に設けられている。また、バス伝達部77は、ノズルバス76を支持し、鉛直方向に延伸して設けられている。バス伝達部77は、例えばシリンダ構造を有し、バス駆動部78の動力をノズルバス76に伝達できる。すなわち、バス伝達部77の内部には、例えばピストン(図示せず)が設けられ、ノズルバス76を昇降させることができる。なお、バス伝達部77とノズルバス76との接続部分には、バス伝達部77の内部を密閉するために例えばOリングや真空用グリスが設けられている。また、バス伝達部77が処理容器10を挿通する部分には、処理容器10の内部を密閉するために例えばOリングや真空用グリスが設けられている。
 バス駆動部78は、処理容器10の外部に設けられている。また、バス駆動部78は、例えばモータなどを備え、上述したようにノズルバス76を昇降させることができる。
 次に、上述した液供給装置61の構成について説明する。液供給装置61は、図4に示すように内部に金属錯体を貯留する金属供給源100を有している。金属供給源100の上部には、当該金属供給源100内に空気、例えば不活性ガスを供給するための空気供給管101が接続されている。空気供給管101は、内部に空気を貯留する空気供給源102に連通している。また、空気供給管101には、空気の流通を制御する制御弁103が設けられている。そして、空気供給源102から金属供給源100内に空気が供給され、金属供給源100内の圧力が所定の圧力に維持されると共に、金属供給源100内の金属錯体が後述する金属供給管104に供給されるようになっている。
 また、金属供給源100の上部には、塗布ノズル60に金属錯体を供給するための金属供給管104が接続されている。すなわち、金属供給管104は、金属供給源100と塗布ノズル60とを接続して設けられている。
 金属供給管104には、後述するように不活性ガスを供給する第1のガス供給管121が接続されている。第1のガス供給管121より下流側の金属供給管104には、金属錯体又は不活性ガスの流通を制御する第1の主制御弁105が設けられている。また、第1のガス供給管121より上流側の金属供給管104には、金属錯体の流通を制御する金属制御弁106が設けられている。
 また、液供給装置61は、内部に溶媒を貯留する溶媒供給源110を有している。溶媒供給源110の上部には、当該溶媒供給源110内に空気、例えば不活性ガスを供給するための空気供給管111が接続されている。空気供給管111は、内部に空気を貯留する空気供給源112に連通している。また、空気供給管111には、空気の流通を制御する制御弁113が設けられている。そして、空気供給源112から溶媒供給源110内に空気が供給され、溶媒供給源110内の圧力が所定の圧力に維持されると共に、溶媒供給源110内の溶媒が後述する溶媒供給管114に供給されるようになっている。
 溶媒供給源110の上部には、塗布ノズル60に溶媒を供給するための溶媒供給管114が接続されている。すなわち、溶媒供給管114は、溶媒供給源110と塗布ノズル60とを接続して設けられている。
 溶媒供給管114には、後述するように不活性ガスを供給する第2のガス供給管123が接続されている。第2のガス供給管123より下流側の溶媒供給管114には、溶媒又は不活性ガスの流通を制御する第2の主制御弁115が設けられている。第2のガス供給管123より上流側の溶媒供給管114には、溶媒の流通を制御する溶媒制御弁116が設けられている。
 液供給装置61は、内部に例えば窒素ガスなどの不活性ガスを貯留するガス供給源120を有している。ガス供給源120と金属供給管104との間には、上述した第1のガス供給管121が接続されている。第1のガス供給管121には、不活性ガスの流通を制御する第1のガス制御弁122が設けられている。ガス供給源120と溶媒供給管114との間には、上述した第2のガス供給管123が接続されている。第2のガス供給管123には、不活性ガスの流通を制御する第2のガス制御弁124が設けられている。
 なお、以上の第1の主制御弁105の開閉、金属制御弁106の開閉、第1のガス制御弁122の開閉、第2の主制御弁115の開閉、溶媒制御弁116の開閉、第2のガス制御弁124の開閉は、後述する制御部150により制御される。
 以上のように液供給装置61から塗布ノズル60に金属錯体と溶媒が供給される。そして、塗布ノズル60内では、攪拌機構(図示せず)によって金属錯体と溶媒が混合されて金属混合液が生成され、塗布ノズル60から金属混合液が吐出される。
 次に、上述したリンス液供給装置71の構成について説明する。リンス液供給装置71は、図5に示すように内部にリンス液を貯留するリンス液供給源130を有している。リンス液供給源130の上部には、当該リンス液供給源130内に空気、例えば不活性ガスを供給するための空気供給管131が接続されている。空気供給管131は、内部に空気を貯留する空気供給源132に連通している。また、空気供給管131には、空気の流通を制御する制御弁133が設けられている。そして、空気供給源132からリンス液供給源130内に空気が供給され、リンス液供給源130内の圧力が所定の圧力に維持されると共に、リンス液供給源130内のリンス液が後述するリンス液供給管134に供給されるようになっている。
 また、リンス液供給源130の上部には、エッジリンスノズル70にリンス液を供給するためのリンス液供給管134が接続されている。すなわち、リンス液供給管134は、リンス液供給源130とエッジリンスノズル70とを接続して設けられている。
 リンス液供給管134には、後述するように不活性ガスを供給するガス供給管141が接続されている。ガス供給管141より下流側のリンス液供給管134には、リンス液又は不活性ガスの流通を制御する主制御弁135が設けられている。また、ガス供給管141より上流側のリンス液供給管134には、リンス液の流通を制御するリンス液制御弁136が設けられている。
 リンス液供給装置71は、内部に例えば窒素ガスなどの不活性ガスを貯留するガス供給源140を有している。ガス供給源140とリンス液供給管134との間には、上述したガス供給管141が接続されている。ガス供給管141には、不活性ガスの流通を制御するガス制御弁142が設けられている。
 以上の主制御弁135の開閉、リンス液制御弁136の開閉、ガス制御弁142の開閉は、後述する制御部150により制御される。
 バックリンスノズル50に接続されるリンス液供給装置51の構成は、上述したリンス液供給装置71の構成と同様であるので説明を省略する。
 以上の金属膜形成装置1には、図1に示すように制御部150が設けられている。制御部150は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、金属膜形成装置1におけるウェハWの金属膜形成処理を実行するプログラムが格納されている。なお、このプログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部150にインストールされたものであってもよい。
 本実施にかかる金属膜形成装置1は以上のように構成されている。次に、その金属膜形成装置1で行われる金属膜を形成する処理について説明する。なお、図6~図8は、金属膜形成装置1においてウェハW上に金属混合液を塗布する際の様子を示す。
 金属膜形成装置1に搬入されたウェハWは、先ず、図6に示すようにスピンチャック20に吸着保持される。このとき、塗布ノズル60はノズルバス66に待機している。そして、液供給装置61において、金属制御弁106を閉塞し、且つ第1の主制御弁105と第1のガス制御弁122をそれぞれ開放し、ガス供給源120から第1のガス供給管121と金属供給管104を介して塗布ノズル60に不活性ガスを供給する。同様に、溶媒制御弁116を閉塞し、且つ第2の主制御弁115と第2のガス制御弁124をそれぞれ開放し、ガス供給源120から第2のガス供給管123と溶媒供給管114を介して塗布ノズル60に不活性ガスを供給する。
 このように塗布ノズル60に供給された不活性ガスによって、当該塗布ノズル60内に残留する金属混合液がノズルバス66に追い出される。そうすると、その後、後述するように処理容器10の内部を減圧しても、塗布ノズル60から不要な金属混合液が流出することがない。また、金属混合液は、金属であるアルミニウムが析出し易い。例えば金属錯体と溶媒が混合されて金属混合液が形成されてから、所定の時間、例えば90秒間経過すると、金属が析出する。したがって、待機中の塗布ノズル60内には、前のウェハWを処理する際に用いた金属混合液が残留し、金属が析出している。かかる場合でも、上述のように塗布ノズル60に不活性ガスを供給することによって、塗布ノズル60内に残留する金属混合液が除去され、その後の塗布処理を適切に行うことができる。
 また、塗布ノズル60に供給された不活性ガスによって、金属供給管104の内部と溶媒供給管114の内部も洗浄される。
 一方、リンス液供給装置71においても、リンス液制御弁136を閉塞し、且つ主制御弁135とガス制御弁142をそれぞれ開放し、ガス供給源140からガス供給管141とリンス液供給管134を介してエッジリンスノズル70に不活性ガスを供給する。この不活性ガスによって、エッジリンスノズル70内に残留するリンス液がノズルバス76に追い出される。
 その後、真空ポンプ35を作動させて、処理容器10の内部雰囲気を吸引し、処理容器10の内部を所定の真空度、例えば13.3Paに減圧する。その後、ガス供給源12から処理容器10の内部に不活性ガスを供給すると共に、真空ポンプ37を作動させる。そして、処理容器10の内部を大気圧の不活性ガス雰囲気に均圧する。なお、処理容器10の内部の雰囲気を減圧するのは、当該処理容器10の内部から酸素や水分を迅速に排出し、内部の雰囲気を迅速に不活性ガス雰囲気にするためである。このため、内部雰囲気の減圧は厳格に真空雰囲気にすることまでは要求されず、上述の通り例えば13.3Paの真空度まで減圧すればよい。したがって、極めて短時間で処理容器10の内部の雰囲気を所定の真空度まで減圧することができる。
 このように処理容器10の内部を減圧し、不活性ガスの大気圧雰囲気にする間、バス伝達部67とバス駆動部68によって、図7に示すようにノズルバス66を下降させる。続いて、図8に示すようにノズル駆動部65によって、塗布ノズル60をノズル伝達部64に沿って移動させ、ウェハWの中心部上方の所定の位置に配置する。このとき、塗布ノズル60は水平方向より所定の角度で傾斜した方向に沿って移動するので、当該塗布ノズル60がカップ体31と干渉することはない。また、このように塗布ノズル60を移動させても、塗布ノズル60内は不活性ガスによって洗浄されているため、塗布ノズル60から不要な金属混合液が流出することがない。このため、塗布ノズル60をウェハWの中心部上方の所定の位置に配置した後、処理容器10の内部を減圧してもよい。
 その後、すなわち処理容器10の内部を不活性ガスの大気圧雰囲気にして、塗布ノズル60をウェハW上方の所定の位置に配置した後、スピンチャック20に吸着保持されたウェハWを所定の回転数で回転させる。
 また、液供給装置61では、第1のガス制御弁122を閉塞し、且つ第1の主制御弁105と金属制御弁106をそれぞれ開放し、金属供給源100から金属供給管104を介して塗布ノズル60に金属錯体を供給する。同様に、第2のガス制御弁124を閉塞し、且つ第2の主制御弁115と溶媒制御弁116をそれぞれ開放し、溶媒供給源110から溶媒供給管114を介して塗布ノズル60に溶媒を供給する。供給された金属錯体と溶媒は塗布ノズル60の内部で混合され、金属混合液が生成される。そして、回転中のウェハWに対して塗布ノズル60から金属混合液が吐出される。このとき、ウェハWに吐出される直前に金属混合液が生成されるので、金属が析出することなく、適切な金属混合液をウェハW上に吐出することができる。吐出された金属混合液は遠心力によってウェハW上を拡散し、ウェハWの表面全面に金属混合液が塗布される。
 こうしてウェハW上に金属混合液が塗布されると、液供給装置61から塗布ノズル60への金属錯体と溶媒の供給を停止し、塗布ノズル60からウェハWへの金属混合液の吐出を停止する。その後、ノズル駆動部65によって塗布ノズル60をノズルバス66に移動させると共に、ノズル駆動部75によってエッジリンスノズル70をノズル伝達部74に沿って移動させ、ウェハWの外周部上方の所定の位置に配置する。
 その後、回転中のウェハWに対してエッジリンスノズル70からリンス液が吐出され、ウェハWの外周部が洗浄される。また、バックリンスノズル50からもリンス液が噴射され、ウェハWの裏面が洗浄される。このとき、リンス液供給装置71、51では、ガス制御弁142を閉塞し、且つ主制御弁135とリンス液制御弁136をそれぞれ開放し、リンス液供給源130からリンス液供給管134を介してエッジリンスノズル70とバックリンスノズル50にそれぞれリンス液が供給される。そして、かかる洗浄後、エッジリンスノズル70とバックリンスノズル50からのリンス液の供給を停止し、さらにウェハWを回転させることでウェハWを乾燥させる。
 こうして、ウェハW上に金属膜が形成され、金属膜形成システム1における一連の金属膜形成処理が終了する。なお、ウェハW上に金属膜を形成する場合、本実施の形態では省略しているが、実際には金属膜形成システム1での塗布処理の後、加熱処理が行われる。かかる加熱処理を行うことにより、ウェハW上の金属混合液中の有機成分が揮発し、アルミニウムが金属化して、ウェハW上にアルミニウム膜の金属膜が形成される。
 以上の実施の形態によれば、塗布ノズル60を移動させるためのノズル駆動部65が処理容器10の外部に設けられているので、動力発生源であるノズル駆動部65から発生するパーティクル等が処理容器10の内部に流入しない。同様に、エッジリンスノズル70を移動させるためのノズル駆動部75、ノズルバス66を昇降させるためのバス駆動部68、ノズルバス76を昇降させるためのバス駆動部78、及びスピンチャック20を昇降且つ回転させるためのチャック駆動部22もそれぞれ処理容器10の外部に設けられているので、これら動力発生源から発生するパーティクル等が処理容器10の内部に流入しない。このように処理容器10の内部にパーティクル等の不純物が発生しないので、ウェハWを処理する際に処理容器10の内部を減圧しても、適切な減圧雰囲気にでき、さらにその後適切な不活性ガスの大気圧雰囲気にできる。そして、塗布ノズル60からウェハW上に金属混合液を吐出して、当該ウェハW上に金属膜が適切に形成される。しかも、水平方向より所定の角度で傾斜した方向に沿って、塗布ノズル60はスピンチャック20とノズルバス66との間で移動するので、この移動中に塗布ノズル60がカップ体31と干渉することがない。したがって、本実施の形態によれば、処理雰囲気を適切に制御しつつ、金属混合液を用いてウェハW上に金属膜を適切に形成することができる。
 また、ノズル伝達部64、74にはそれぞれボールネジが用いられ、ノズル伝達部64、74と移動部63、73との間にはそれぞれ真空用グリスが設けられている。したがって、処理容器10の内部において、これらノズル伝達部64、74と移動部63、73と間の摺動によるパーティクルが発生しない。
 また、制御部150によって、処理容器10の内部を減圧する前に、塗布ノズル60をノズルバス66で待機させた状態で、第1のガス供給管121と金属供給管104を介して塗布ノズル60へ不活性ガスが供給されると共に、第2のガス供給管123と溶媒供給管114を介して塗布ノズル60へ不活性ガスが供給される。この不活性ガスによって、塗布ノズル60内に残留する金属混合液が追い出される。そうすると、その後新たなウェハWを処理する際に処理容器10の内部を減圧しても、塗布ノズル60から不要な金属混合液が流出することがない。また、塗布ノズル60内に残留する金属混合液に金属であるアルミニウムが析出しても、かかる金属混合液は上記不活性ガスによって除去される。
 続いて、処理容器10の内部を不活性ガスの大気圧雰囲気にして、塗布ノズル60をスピンチャック20上方の所定位置に配置した状態で、金属供給管104を介して塗布ノズル60へ金属錯体が供給されると共に、溶媒供給管114を介して塗布ノズル60へ溶媒が供給される。そして、塗布ノズル60内において、ウェハWに吐出される直前に金属混合液が生成されるので、金属が析出していない適切な金属混合液をウェハWに吐出することができ、ウェハWの塗布処理を適切に行うことができる。したがって、本実施の形態によれば、処理容器10内の処理雰囲気を適切に制御しつつ、金属混合液を用いてウェハW上に金属膜を適切に形成することができる。
 以上の実施の形態の塗布ノズル60のノズル伝達部64はボールネジであったが、ノズル伝達部64の構造はこれに限定されず種々の構造を取り得る。例えばノズル伝達部64は、シリンダ構造を有し、内部にボールネジが設けられていてもよい。そして、ノズル伝達部64の内部を密閉すれば、当該ノズル伝達部64の内部で発生するパーティクルが処理容器10の内部に流出することはない。なお、エッジリンスノズル70のノズル伝達部74も、ノズル伝達部64と同様にボールネジを有するシリンダ構造等の種々の構造を取り得る。
 また、以上の実施の形態では、ノズルバス66のバス伝達部67はシリンダ構造を有していたが、バス伝達部67の構造はこれに限定されず種々の構造を取り得る。例えばバス伝達部67に金属ベローズを用いてもよい。なお、ノズルバス76のバス伝達部77も、バス伝達部67と同様に金属ベローズ等の種々の構造を取り得る。
 また、以上の実施の形態では、支持部材62、移動部63及びノズル伝達部64を介してノズル駆動部65によって塗布ノズル60を移動させていたが、この塗布ノズル60を移動させる構成はこれに限定されず、種々の構成を取り得る。例えば金属膜形成装置1には、上記支持部材62、移動部63、ノズル伝達部64及びノズル駆動部65に代えて、図9に示すようにマニピュレータからなるノズル伝達部160と当該ノズル伝達部160を伸縮させるノズル駆動部161が設けられる。
 ノズル伝達部160は、処理容器10の内部に設けられている。また、ノズル伝達部160は、水平方向より所定の角度で傾斜した方向に伸縮自在に構成されている。この所定の角度は、上記実施の形態と同様に、塗布ノズル60がスピンチャック20とノズルバス66との間で移動する際、当該塗布ノズル60がカップ体31と干渉しない角度に決定される。なお、ノズル伝達部160が処理容器10を挿通する部分には、処理容器10の内部を密閉するために例えばOリングや真空用グリスが設けられている。
 ノズル駆動部161は、処理容器10の外部に設けられている。また、ノズル駆動部161は、例えばモータなどを備え、上述したようにノズル伝達部160を伸縮させることができる。
 また、エッジリンスノズル70を移動させる構成についても、上記支持部材72、移動部73、ノズル伝達部74及びノズル駆動部75に代えて、マニピュレータからなるノズル伝達部170と当該ノズル伝達部170を伸縮させるノズル駆動部171を設けてもよい。
 ノズル伝達部170は、処理容器10の内部に設けられている。また、ノズル伝達部170は、水平方向より所定の角度で傾斜した方向に伸縮自在に構成されている。この所定の角度は、上記実施の形態と同様に、エッジリンスノズル70がスピンチャック20とノズルバス76との間で移動する際、当該エッジリンスノズル70がカップ体31と干渉しない角度に決定される。なお、ノズル伝達部170が処理容器10を挿通する部分には、処理容器10の内部を密閉するために例えばOリングや真空用グリスが設けられている。
 ノズル駆動部171は、処理容器10の外部に設けられている。また、ノズル駆動部171は、例えばモータなどを備え、上述したようにノズル伝達部170を伸縮させることができる。
 なお、本実施の形態において、金属膜形成装置1のその他の構成については上記実施の形態と同様であるので説明を省略する。かかる場合でも、動力発生源であるノズル駆動部161、171が処理容器10の外部に設けられているので、処理容器10内にパーティクル等の発生を防止することができ、処理雰囲気を適切に制御しつつ、金属混合液を用いてウェハW上に金属膜を適切に形成することができる。
 以上の実施の形態では、塗布ノズル60の内部で金属混合液を生成して、当該塗布ノズル60から金属混合液をウェハWに吐出していたが、金属混合液の吐出方法はこれに限定されず種々の方法を取り得る。例えば液供給装置61内で金属混合液を生成した後、当該金属混合液を塗布ノズル60に供給してもよい。そして、塗布ノズル60からウェハWに金属混合液が吐出される。
 また、例えば塗布ノズル60に代えて、金属錯体を吐出する金属錯体ノズルと溶媒を吐出する溶媒ノズルとを用いてもよい。かかる場合、金属錯体ノズルから吐出された金属錯体と溶媒ノズルから吐出された溶媒をウェハWに到達する前に混合して金属混合液を生成してもよい。あるいは、これら金属錯体と溶媒をウェハW上で混合して金属混合液を生成してもよい。さらに、ウェハW上を溶媒でプリウェットした後、金属錯体と溶媒をウェハW上で混合して金属混合液を生成してもよい。
 また、以上の実施の形態では、金属錯体はアルミニウム原子を有していたが、他の金属原子、例えば銅原子や金原子、銀原子などを有していてもよい。また、以上の実施の形態の金属膜形成装置1は、カップ体31を洗浄するカップリンスノズルを備えていてもよい。
 また、以上の実施の形態では、基板としてウェハWを用いた場合について説明したが、本発明は、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。さらに、本発明は、例えば有機太陽電池の製造プロセスや低酸素雰囲気下での成膜プロセスにも適用することができる。
 以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
  1  金属膜形成装置
  10 処理容器
  12 ガス供給源
  20 スピンチャック
  22 チャック駆動部
  31 カップ体
  35、37 真空ポンプ
  50 バックリンスノズル
  51 リンス液供給装置
  60 塗布ノズル
  61 液供給装置
  62 支持部材
  64 ノズル伝達部
  65 ノズル駆動部
  66 ノズルバス
  67 バス伝達部
  68 バス駆動部
  70 エッジリンスノズル
  71 リンス液供給装置
  72 支持部材
  74 ノズル伝達部
  75 ノズル駆動部
  76 ノズルバス
  77 バス伝達部
  78 バス駆動部
  100 金属供給源
  104 金属供給管
  105 第1の主制御弁
  106 金属制御弁
  110 溶媒供給源
  114 溶媒供給管
  115 第2の主制御弁
  116 溶媒制御弁
  120 ガス供給源
  121 第1のガス供給管
  122 第1のガス制御弁
  123 第2のガス供給管
  124 第2のガス制御弁
  150 制御部
  160 ノズル伝達部
  160 ノズル駆動部
  170 ノズル伝達部
  170 ノズル駆動部
  W  ウェハ

Claims (6)

  1. 基板上に金属錯体と溶媒を混合した金属混合液を塗布して、当該基板上に金属膜を形成する金属膜形成装置であって、
    基板を収容し、内部を不活性ガスの大気圧雰囲気又は減圧雰囲気に切り換え可能な処理容器と、
    前記処理容器の内部に設けられ、基板を保持する保持部と、
    前記処理容器の内部に設けられ、前記保持部に保持された基板の側方を囲むように設けられたカップ体と、
    前記処理容器の内部に設けられ、前記保持部に保持された基板上に前記金属混合液を吐出する塗布ノズルと、
    前記処理容器の内部であって前記カップ体の外側に設けられ、前記保持部上方から退避した前記塗布ノズルを待機させる待機部と、
    前記処理容器の外部に設けられ、水平方向より所定の角度で傾斜した方向に沿って、前記保持部と前記待機部との間で前記塗布ノズルを移動させるためのノズル駆動部と、
    前記処理容器の内部に設けられ、前記塗布ノズルを支持し、前記ノズル駆動部の動力を前記塗布ノズルに伝達するノズル伝達部と、を有する。
  2. 請求項1に記載の金属膜形成装置において、
    前記ノズル伝達部は、水平方向より前記所定の角度で傾斜した方向に延伸するボールネジを有し、
    前記金属膜形成装置は、前記塗布ノズルを支持し、且つボールネジに沿って移動自在の支持部材を有する。
  3. 請求項1に記載の金属膜形成装置において、
    前記ノズル伝達部は、マニピュレータである。
  4. 請求項1に記載の金属膜形成装置において、
    前記処理容器の外部に設けられ、前記待機部を昇降させるための待機部用駆動部と、
    前記処理容器の内部に設けられ、前記待機部を支持し、前記待機部用駆動部の動力を前記待機部に伝達する待機部用伝達部と、を有する。
  5. 請求項1に記載の金属膜形成装置において、
    前記処理容器の外部に設けられ、前記保持部を回転させるための保持部用駆動部を有する。
  6. 請求項1に記載の金属膜形成装置において、
    前記金属錯体はアルミニウム原子を有する。
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