JP2011023764A - 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011023764A JP2011023764A JP2010246602A JP2010246602A JP2011023764A JP 2011023764 A JP2011023764 A JP 2011023764A JP 2010246602 A JP2010246602 A JP 2010246602A JP 2010246602 A JP2010246602 A JP 2010246602A JP 2011023764 A JP2011023764 A JP 2011023764A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- optical system
- exposure
- projection optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/52—Details
- G03B27/522—Projection optics
- G03B27/525—Projection optics for slit exposure
- G03B27/528—Projection optics for slit exposure in which the projection optics remain stationary
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】露光装置EXは、液体供給機構10から供給された液体LQと投影光学系PLとを介して基板P上に露光光ELを照射して、基板Pを露光するものであって、液体供給機構10から供給された液体LQの圧力を調整する圧力調整機構90を備えている。
【選択図】図1
Description
δ=±k2・λ/NA2 … (2)
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k1、k2はプロセス係数である。(1)式、(2)式より、解像度Rを高めるために、露光波長λを短くして、開口数NAを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。
り、液体LQの流出を防止するとともに、液浸領域AR2の液体LQの不足を補い、常に液浸領域AR2を液体LQで満たすことができる。そして、予備液浸領域AR3が形成される領域、すなわち壁部131に囲まれた領域は、全領域が完全に液体LQで満たされないので、液浸領域AR2から予備液浸領域AR3に回収された液体LQが壁部131の外側に漏れだすことなく、壁部131に囲まれた領域内に留まることができる。
Claims (40)
- 液体供給機構から供給された液体と投影光学系とを介して基板上に露光光を照射して、前記基板を露光する露光装置において、
前記液体供給機構から供給された液体の圧力を調整する圧力調整機構を備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記圧力調整機構は、前記液体の追加又は前記液体の一部回収を行うことによって前記液体の圧力調整を行うことを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- 前記液体は前記投影光学系の像面側に配置された物体上に液浸領域を形成し、
前記圧力調整機構は、前記液体が前記物体に及ぼす力を低減するように前記液体の圧力調整を行うことを特徴とする請求項1又は2記載の露光装置。 - 前記液体は前記投影光学系の像面側に配置された物体上に液浸領域を形成し、
前記圧力調整機構は、前記物体の液体接触面と前記液体との親和性を考慮して前記液体の圧力調整を行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の露光装置。 - 前記物体は前記基板であることを特徴とする請求項3又は4記載の露光装置。
- 前記投影光学系の像面側の気体を排出する排気手段を備え、前記排気手段による気体の排出を行いながら前記液体供給機構による液体供給を開始することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記排気手段の排気口は、前記投影光学系の投影領域に対して前記液体供給機構の液体供給口よりも近くに配置されていることを特徴とする請求項6記載の露光装置。
- 投影光学系と液体とを介して基板上に露光光を照射して、前記基板を露光する露光装置において、
前記液体を供給するための液体供給機構と、
前記投影光学系の像面側の気体を排出する排気手段とを備え、
前記排気手段の排気口は、前記液体供給機構の液体供給口よりも前記投影光学系による投影領域の近くに配置され、
前記液体供給機構による液体供給は、前記排気手段による気体の排出を行いながら開始されることを特徴とする露光装置。 - 前記液体供給機構の液体供給口は前記投影光学系の投影領域の両側に配置され、前記投影領域の両側から液体供給が可能であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記投影光学系の投影領域に対して前記液体供給機構の液体供給口の外側に液体回収口を有する第1液体回収機構を備えたことを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記第1液体回収機構とは別の駆動源を有し、前記投影光学系の投影領域に対して前記第1液体回収機構の液体回収口の外側に回収口を有する第2液体回収機構を備えたことを特徴とする請求項10記載の露光装置。
- 投影光学系と液体とを介して基板上に露光光を照射して、前記基板を露光する露光装置において、
前記液体を供給するための液体供給機構と、
前記投影光学系の投影領域に対して前記液体供給機構の液体供給口の外側に液体回収口を有する第1液体回収機構と、
前記第1液体回収機構とは別の駆動源を有し、前記投影光学系の投影領域に対して前記第1液体回収機構の液体回収口の外側に液体回収口を有する第2液体回収機構とを備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記駆動源は無停電電源を含むことを特徴とする請求項11又は12記載の露光装置。
- 投影光学系と液体とを介して基板上に露光光を照射して、前記基板を露光する露光装置において、
前記液体を供給するための液体供給機構と、
前記液体を回収するための液体回収機構と、
前記基板を保持する基板ステージとを備え、
前記液体供給機構と前記液体回収機構とによって前記基板ステージ上に局所的に液浸領域を形成している状態で、前記基板ステージを第1位置から第2位置へほぼ直線的に移動させるときに、前記第1位置と前記第2位置との間隔に応じて前記基板ステージの移動速度を異ならせることを特徴とする露光装置。 - 前記第1位置と前記第2位置との間隔が所定量以上の場合には、前記第1位置と前記第2位置との間隔が前記所定量よりも短い場合に比べて、前記基板ステージの移動速度を小さくすることを特徴とする請求項14記載の露光装置。
- 投影光学系と液体とを介して基板上に露光光を照射して、前記基板を露光する露光装置において、
前記液体を供給するための液体供給機構と、
前記液体を回収するための液体回収機構と、
前記基板を保持する基板ステージとを備え、
前記液体供給機構と前記液体回収機構とによって前記基板ステージ上に局所的に液浸領域を形成している状態で、前記基板ステージを第1位置から第2位置へほぼ直線的に移動させるときに、前記第1位置から前記第2位置への前記基板ステージの移動方向に応じて前記基板ステージの移動速度を異ならせることを特徴とする露光装置。 - 前記基板ステージを前記液体回収機構による液体回収力が弱い所定方向へ移動させる場合には、前記基板ステージを前記所定方向とは異なる方向へ移動させる場合に比べて、前記基板ステージの移動速度を小さくすることを特徴とする請求項16記載の露光装置。
- 前記液体回収機構による液体回収力が弱い所定方向には、前記液体回収機構の液体回収口が配置されていないことを特徴とする請求項17記載の露光装置。
- 基板上にもたらされた液体を介して前記基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置であって、
光透過部を有し且つ内部に液体の流路が形成された流路形成部材と;
前記流路形成部材の流路を通じて前記基板と流路形成部材の間に液体を供給する液体供給装置とを備え;
前記基板と前記流路形成部材の間に供給された液体の圧力が前記流路を通じて供給される液体の流量により調節される露光装置。 - さらに投影光学系を備え、
前記光透過部が開口であり、前記投影光学系の先端が前記開口内に配置されている請求項19記載の露光装置。 - 前記流路形成部材の前記基板に対向する面に凹部が形成され、凹部内に液体の圧力を測定する圧力センサが設けられている請求項19又は20に記載の露光装置。
- さらに、前記基板上の液体を前記流路を通じて回収する液体回収装置を備える請求項19〜21のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記流路形成部材の前記基板に対向する面に、前記液体を回収するための流路の開放端が、前記投影光学系の投影領域を包囲する環状溝として形成されている請求項22に記載の露光装置。
- 前記流路形成部材が、さらに、圧力調整用の流路を含む請求項19〜23のいずれか一項記載に記載の露光装置。
- 前記圧力調整用の流路が、液体供給流路と、該液体供給流路よりも投影光学系の投影領域に近い側に形成された液体回収流路を含む請求項24に記載の露光装置。
- 前記圧力調整用の流路の端部が、前記投影光学系に向かって開放されている請求項24又は25に記載の露光装置。
- 前記流路形成部材の前記基板に対向する面が親水性である請求項19〜26のいずれか一項に記載の露光装置。
- 請求項1〜請求項27のいずれか一項記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
- 基板に液体を介して露光光を照射して前記基板を露光する露光方法であって:
前記基板上に液体を供給することと;
前記基板上に供給した液体の圧力を調整することと;
前記液体を介して前記基板に露光光を照射して前記基板を露光することを含む露光方法。 - 前記基板上に前記液体を追加し又は前記液体の一部を回収することによって前記液体の圧力を調整する請求項29に記載の露光方法。
- 前記基板の液体接触面と前記液体との親和性を考慮して前記液体の圧力を調整する請求項29又は30に記載の露光方法。
- 前記基板上に供給された液体の圧力を測定し、該測定された圧力に応じて前記液体の圧力を調整する請求項29〜31のいずれか一項に記載の露光方法。
- 投影光学系と液体とを介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光方法であって:
前記基板に液体を供給することと;
前記投影光学系の近傍に配置され、鉛直方向に関して、前記投影光学系の終端面よりも高い位置で気体を排気することと;
前記液体を介して前記基板に露光光を照射して前記基板を露光することを含む露光方法。 - 前記液体の供給は、前記気体の排出を行いながら開始される請求項33に記載の露光方法。
- 液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光方法であって:
前記液体を基板上に供給することと;
前記投影光学系に対して、前記液体が供給される位置よりも遠い位置で、第1及び第2液体回収機構により前記基板上の液体を回収することと;
前記液体を介して前記基板に露光光を照射して前記基板を露光することを含み;
前記第1及び第2液体回収機構の駆動電源が異なる露光方法。 - 前記第1及び第2液体回収機構の一方の駆動電源が無停電電源である請求項35に記載の露光方法。
- 液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光方法であって:
前記液体を介して前記基板に露光光を照射して前記基板を露光することと;
前記基板を露光していないときに、前記基板上に液体を保持したまま前記基板を第1位置から第2位置へ移動することと;
前記第1位置と前記第2位置との位置関係に応じて、前記第1位置から前記第2位置への前記基板の移動速度を調整することを含む露光方法。 - 前記移動の距離が所定距離以上の場合には、所定距離未満の場合よりも前記基板の移動速度を小さくする請求項37に記載の露光方法。
- さらに前記基板上から液体を回収することを含み、前記液体の回収力が弱い所定方向へ前記基板を移動させる場合には、前記基板を前記所定方向とは異なる方向へ移動させる場合に比べて、前記基板の移動速度を小さくする請求項37又は38に記載の露光方法。
- 請求項29〜39のいずれか一項に記載の露光方法を用いるデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010246602A JP5488404B2 (ja) | 2004-01-05 | 2010-11-02 | 流路形成部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004000236 | 2004-01-05 | ||
JP2004000236 | 2004-01-05 | ||
JP2010246602A JP5488404B2 (ja) | 2004-01-05 | 2010-11-02 | 流路形成部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010180221A Division JP5077400B2 (ja) | 2004-01-05 | 2010-08-11 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012012100A Division JP5549946B2 (ja) | 2004-01-05 | 2012-01-24 | 露光装置、露光方法、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011023764A true JP2011023764A (ja) | 2011-02-03 |
JP2011023764A5 JP2011023764A5 (ja) | 2012-03-15 |
JP5488404B2 JP5488404B2 (ja) | 2014-05-14 |
Family
ID=34746939
Family Applications (9)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004375494A Expired - Fee Related JP4774735B2 (ja) | 2004-01-05 | 2004-12-27 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2010180221A Expired - Fee Related JP5077400B2 (ja) | 2004-01-05 | 2010-08-11 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010246602A Expired - Fee Related JP5488404B2 (ja) | 2004-01-05 | 2010-11-02 | 流路形成部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012012100A Expired - Fee Related JP5549946B2 (ja) | 2004-01-05 | 2012-01-24 | 露光装置、露光方法、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012015913A Expired - Fee Related JP5609899B2 (ja) | 2004-01-05 | 2012-01-27 | 露光装置、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013223332A Expired - Fee Related JP5713082B2 (ja) | 2004-01-05 | 2013-10-28 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014146256A Expired - Fee Related JP5895979B2 (ja) | 2004-01-05 | 2014-07-16 | 露光装置、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014217182A Active JP5862746B2 (ja) | 2004-01-05 | 2014-10-24 | 流路形成部材、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2015159807A Active JP6119810B2 (ja) | 2004-01-05 | 2015-08-13 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004375494A Expired - Fee Related JP4774735B2 (ja) | 2004-01-05 | 2004-12-27 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2010180221A Expired - Fee Related JP5077400B2 (ja) | 2004-01-05 | 2010-08-11 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012012100A Expired - Fee Related JP5549946B2 (ja) | 2004-01-05 | 2012-01-24 | 露光装置、露光方法、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012015913A Expired - Fee Related JP5609899B2 (ja) | 2004-01-05 | 2012-01-27 | 露光装置、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013223332A Expired - Fee Related JP5713082B2 (ja) | 2004-01-05 | 2013-10-28 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014146256A Expired - Fee Related JP5895979B2 (ja) | 2004-01-05 | 2014-07-16 | 露光装置、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014217182A Active JP5862746B2 (ja) | 2004-01-05 | 2014-10-24 | 流路形成部材、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2015159807A Active JP6119810B2 (ja) | 2004-01-05 | 2015-08-13 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US8064044B2 (ja) |
EP (3) | EP1703548B1 (ja) |
JP (9) | JP4774735B2 (ja) |
KR (8) | KR101440743B1 (ja) |
AT (1) | ATE467902T1 (ja) |
DE (1) | DE602004027162D1 (ja) |
TW (4) | TWI403853B (ja) |
WO (1) | WO2005067013A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013120933A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Families Citing this family (97)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101532824B1 (ko) | 2003-04-09 | 2015-07-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
CN1771463A (zh) * | 2003-04-10 | 2006-05-10 | 株式会社尼康 | 用于沉浸光刻装置收集液体的溢出通道 |
KR101324818B1 (ko) | 2003-04-11 | 2013-11-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법 |
TWI518742B (zh) | 2003-05-23 | 2016-01-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
TWI573175B (zh) | 2003-10-28 | 2017-03-01 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造 方法 |
JP4295712B2 (ja) | 2003-11-14 | 2009-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
TWI519819B (zh) | 2003-11-20 | 2016-02-01 | 尼康股份有限公司 | 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法 |
US8064044B2 (en) * | 2004-01-05 | 2011-11-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device producing method |
KR20060128912A (ko) * | 2004-01-15 | 2006-12-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법 |
TW201809727A (zh) | 2004-02-06 | 2018-03-16 | 日商尼康股份有限公司 | 偏光變換元件 |
US7898642B2 (en) * | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN1954408B (zh) * | 2004-06-04 | 2012-07-04 | 尼康股份有限公司 | 曝光装置、曝光方法及元件制造方法 |
WO2005122219A1 (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Nikon Corporation | 基板保持装置及びそれを備える露光装置、露光方法、デバイス製造方法、並びに撥液プレート |
WO2005122218A1 (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20070139628A1 (en) * | 2004-06-10 | 2007-06-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8508713B2 (en) | 2004-06-10 | 2013-08-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8373843B2 (en) | 2004-06-10 | 2013-02-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
EP2605068A3 (en) | 2004-06-10 | 2013-10-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
KR20170010906A (ko) | 2004-06-10 | 2017-02-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
US8717533B2 (en) | 2004-06-10 | 2014-05-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US7481867B2 (en) | 2004-06-16 | 2009-01-27 | Edwards Limited | Vacuum system for immersion photolithography |
EP1756663B1 (en) | 2004-06-17 | 2015-12-16 | Nikon Corporation | Fluid pressure compensation for immersion lithography lens |
US7426014B2 (en) | 2004-07-01 | 2008-09-16 | Nikon Corporation | Dynamic fluid control system for immersion lithography |
US7701550B2 (en) * | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG10201801998TA (en) * | 2004-09-17 | 2018-04-27 | Nikon Corp | Substrate holding device, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7379155B2 (en) | 2004-10-18 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7423720B2 (en) | 2004-11-12 | 2008-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100483625C (zh) * | 2004-12-02 | 2009-04-29 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法以及器件制造方法 |
US8692973B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
KR20180125636A (ko) | 2005-01-31 | 2018-11-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US8018573B2 (en) | 2005-02-22 | 2011-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7324185B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20090226846A1 (en) * | 2005-03-30 | 2009-09-10 | Nikon Corporation | Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Manufacturing Method |
TW200644079A (en) * | 2005-03-31 | 2006-12-16 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, and device production method |
US7411654B2 (en) * | 2005-04-05 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR20080005362A (ko) * | 2005-04-27 | 2008-01-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 디바이스 제조 방법 및 막의 평가방법 |
JP4858062B2 (ja) * | 2005-04-27 | 2012-01-18 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、デバイス製造方法、及び膜の評価方法 |
US8248577B2 (en) | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101544336B1 (ko) | 2005-05-12 | 2015-08-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 |
JP4508028B2 (ja) | 2005-08-01 | 2010-07-21 | ソニー株式会社 | 情報処理装置,情報処理方法およびコンピュータプログラム |
WO2007031182A1 (de) * | 2005-09-13 | 2007-03-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage und verfahren zur einstellung einer optischen abbildungseigenschaft derselben |
JP4125315B2 (ja) * | 2005-10-11 | 2008-07-30 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007127939A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-24 | Nikon Corp | 液浸顕微鏡装置 |
JP2007133077A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Nikon Corp | 液浸対物レンズ鏡筒および液浸顕微鏡 |
EP1962328B1 (en) * | 2005-11-14 | 2013-01-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method |
JP2007194484A (ja) | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Toshiba Corp | 液浸露光方法 |
JP2007201252A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US8045134B2 (en) | 2006-03-13 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method |
US8027019B2 (en) | 2006-03-28 | 2011-09-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1843206B1 (en) * | 2006-04-06 | 2012-09-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9477158B2 (en) * | 2006-04-14 | 2016-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7701551B2 (en) * | 2006-04-14 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102006023876A1 (de) * | 2006-05-19 | 2007-11-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung |
US8027023B2 (en) | 2006-05-19 | 2011-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical imaging device and method for reducing dynamic fluctuations in pressure difference |
JP2008034801A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-02-14 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US20080043211A1 (en) * | 2006-08-21 | 2008-02-21 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography |
JP2008124194A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Canon Inc | 液浸露光方法および液浸露光装置 |
SG143137A1 (en) | 2006-11-13 | 2008-06-27 | Asml Netherlands Bv | Conduit system for a lithographic apparatus, lithographic apparatus, pump, and method for substantially reducing vibrations in a conduit system |
US20080158531A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US9632425B2 (en) * | 2006-12-07 | 2017-04-25 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface |
US11136667B2 (en) * | 2007-01-08 | 2021-10-05 | Eastman Kodak Company | Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure |
US8004651B2 (en) * | 2007-01-23 | 2011-08-23 | Nikon Corporation | Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method |
JP4366407B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2008300771A (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Nikon Corp | 液浸露光装置、デバイス製造方法、及び露光条件の決定方法 |
US9025126B2 (en) * | 2007-07-31 | 2015-05-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus adjusting method, exposure apparatus, and device fabricating method |
NL1035757A1 (nl) * | 2007-08-02 | 2009-02-03 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
SG151198A1 (en) | 2007-09-27 | 2009-04-30 | Asml Netherlands Bv | Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus |
JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
CN101681123B (zh) | 2007-10-16 | 2013-06-12 | 株式会社尼康 | 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法 |
SG185313A1 (en) | 2007-10-16 | 2012-11-29 | Nikon Corp | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101695034B1 (ko) | 2008-05-28 | 2017-01-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 공간 광 변조기의 검사 장치, 조명 광학계, 노광 장치, 검사 방법, 조명 광학계의 조정 방법, 조명 방법, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
JP4922359B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2012-04-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
NL2003362A (en) * | 2008-10-16 | 2010-04-19 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US20100328637A1 (en) * | 2008-12-04 | 2010-12-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method and device fabricating method |
US8896806B2 (en) * | 2008-12-29 | 2014-11-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
EP2221669A3 (en) | 2009-02-19 | 2011-02-09 | ASML Netherlands B.V. | A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a device manufacturing method |
NL2004547A (en) | 2009-05-14 | 2010-11-18 | Asml Netherlands Bv | An immersion lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
US8619231B2 (en) * | 2009-05-21 | 2013-12-31 | Nikon Corporation | Cleaning method, exposure method, and device manufacturing method |
EP2264529A3 (en) * | 2009-06-16 | 2011-02-09 | ASML Netherlands B.V. | A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus |
NL2005951A (en) | 2010-02-02 | 2011-08-03 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
US20120012191A1 (en) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid recovery apparatus, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
JP2013004942A (ja) | 2011-06-22 | 2013-01-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
NL2009899A (en) * | 2011-12-20 | 2013-06-24 | Asml Netherlands Bv | A pump system, a carbon dioxide supply system, an extraction system, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
US20130169944A1 (en) * | 2011-12-28 | 2013-07-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US9057955B2 (en) | 2013-01-22 | 2015-06-16 | Nikon Corporation | Functional film, liquid immersion member, method of manufacturing liquid immersion member, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9352073B2 (en) | 2013-01-22 | 2016-05-31 | Niko Corporation | Functional film |
JP5979302B2 (ja) | 2013-02-28 | 2016-08-24 | 株式会社ニコン | 摺動膜、摺動膜が形成された部材、及びその製造方法 |
JP6467506B2 (ja) | 2014-07-25 | 2019-02-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP7093221B2 (ja) * | 2018-04-26 | 2022-06-29 | キヤノン株式会社 | 光学装置の調整方法、光学装置の製造方法、および、物品製造方法 |
TWI721307B (zh) * | 2018-09-21 | 2021-03-11 | 禾宬科技有限公司 | 半導體清洗裝置及方法 |
CN113189849B (zh) | 2021-04-22 | 2023-08-11 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种近场光刻浸没系统及其浸没单元和接口模组 |
WO2024090384A1 (ja) * | 2022-10-24 | 2024-05-02 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
JP2004289126A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2005045223A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-02-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ機器及びデバイスの製造方法 |
JP2005167211A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-06-23 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置 |
Family Cites Families (99)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US32795A (en) * | 1861-07-09 | Hay-rake | ||
DE221563C (ja) * | ||||
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) * | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JP2737010B2 (ja) * | 1989-08-01 | 1998-04-08 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
EP0422814B1 (en) * | 1989-10-02 | 1999-03-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
JP2897355B2 (ja) | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JP2714502B2 (ja) * | 1991-09-18 | 1998-02-16 | キヤノン株式会社 | 移動ステージ装置 |
JP3246615B2 (ja) | 1992-07-27 | 2002-01-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
JPH06188169A (ja) | 1992-08-24 | 1994-07-08 | Canon Inc | 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法 |
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
US5699145A (en) * | 1993-07-14 | 1997-12-16 | Nikon Corporation | Scanning type exposure apparatus |
US6118515A (en) * | 1993-12-08 | 2000-09-12 | Nikon Corporation | Scanning exposure method |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
JP3555230B2 (ja) * | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH09102453A (ja) | 1995-10-03 | 1997-04-15 | Nikon Corp | 基板保持部材及び露光装置 |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
KR20030096435A (ko) | 1996-11-28 | 2003-12-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법 |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
WO1998028665A1 (en) | 1996-12-24 | 1998-07-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US6208407B1 (en) * | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
JPH11204390A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Canon Inc | 半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
AU2747999A (en) * | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
US6293799B1 (en) * | 1998-11-10 | 2001-09-25 | Walker, Ii Randall L. | Method of applying pigmented material to a screen to create an artistic image and the resulting pigmented screen |
US20020041377A1 (en) * | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
US6969441B2 (en) * | 2000-05-15 | 2005-11-29 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Method and apparatus for producing laminated articles |
TW591653B (en) * | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
JP2002343759A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
US20020096196A1 (en) | 2001-01-23 | 2002-07-25 | Takayuki Toshima | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP3907448B2 (ja) * | 2001-11-07 | 2007-04-18 | キヤノン株式会社 | ショットレイアウト作成方法 |
JP2003197506A (ja) | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Nikon Corp | 位置検出方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP4554357B2 (ja) | 2002-05-07 | 2010-09-29 | マイクロファブリカ インク | 電気化学的に成型加工され、気密的に封止された微細構造および上記微細構造を製造するための方法および装置 |
JP2003338448A (ja) | 2002-05-21 | 2003-11-28 | Nikon Corp | 位置計測方法と位置計測装置、及び露光方法と露光装置並びにマーク計測方法 |
JP4137521B2 (ja) | 2002-05-27 | 2008-08-20 | 株式会社ニコンシステム | 装置管理方法及び露光方法、リソグラフィシステム及びプログラム |
AU2003256081A1 (en) | 2002-08-23 | 2004-03-11 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
US20040055803A1 (en) | 2002-09-24 | 2004-03-25 | Patmont Motor Werks | Variable speed transmission for scooter |
TW559895B (en) * | 2002-09-27 | 2003-11-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | Exposure system and exposure method thereof |
JP3953460B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2007-08-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ投影装置 |
CN101470360B (zh) * | 2002-11-12 | 2013-07-24 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG131766A1 (en) * | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4595320B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2010-12-08 | 株式会社ニコン | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
KR101036114B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2011-05-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법 |
KR20050085235A (ko) | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
AU2003276569A1 (en) | 2002-12-13 | 2004-07-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer |
CN1771463A (zh) * | 2003-04-10 | 2006-05-10 | 株式会社尼康 | 用于沉浸光刻装置收集液体的溢出通道 |
SG141426A1 (en) | 2003-04-10 | 2008-04-28 | Nikon Corp | Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus |
JP2004320016A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Nikon Corp | 液浸リソグラフィシステム |
TWI511181B (zh) * | 2003-05-23 | 2015-12-01 | 尼康股份有限公司 | Exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP4720106B2 (ja) * | 2003-05-23 | 2011-07-13 | 株式会社ニコン | 露光方法、並びにデバイス製造方法 |
TWI607292B (zh) * | 2003-06-13 | 2017-12-01 | Nikon Corp | Exposure device, exposure method, and device manufacturing method |
US6867844B2 (en) * | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
TWI515769B (zh) * | 2003-06-19 | 2016-01-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method |
US6809794B1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
EP1494074A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005006416A1 (ja) * | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4835155B2 (ja) * | 2003-07-09 | 2011-12-14 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1503244A1 (en) * | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7779781B2 (en) * | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4378136B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4444920B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2010-03-31 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1524558A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1524557A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1528433B1 (en) | 2003-10-28 | 2019-03-06 | ASML Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and method of operating the same |
JP4605014B2 (ja) * | 2003-10-28 | 2011-01-05 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法 |
JP4513534B2 (ja) * | 2003-12-03 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
US8064044B2 (en) * | 2004-01-05 | 2011-11-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device producing method |
KR101253355B1 (ko) | 2004-03-25 | 2013-04-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7295283B2 (en) * | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7057702B2 (en) * | 2004-06-23 | 2006-06-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7701550B2 (en) * | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4625673B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2011-02-02 | 株式会社東芝 | 露光方法及び露光装置 |
US7265813B2 (en) * | 2004-12-28 | 2007-09-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8289497B2 (en) * | 2008-03-18 | 2012-10-16 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography |
-
2004
- 2004-12-27 US US10/584,950 patent/US8064044B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-27 KR KR1020137017236A patent/KR101440743B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-27 DE DE602004027162T patent/DE602004027162D1/de active Active
- 2004-12-27 KR KR1020147014875A patent/KR101636632B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-27 WO PCT/JP2004/019813 patent/WO2005067013A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2004-12-27 KR KR1020177015811A patent/KR101911681B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-27 KR KR1020127025529A patent/KR101324810B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-27 KR KR1020157011338A patent/KR101748504B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-27 AT AT04808163T patent/ATE467902T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-12-27 JP JP2004375494A patent/JP4774735B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-27 EP EP04808163A patent/EP1703548B1/en not_active Not-in-force
- 2004-12-27 KR KR1020117025142A patent/KR101561727B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-27 KR KR1020187030370A patent/KR20180117228A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-12-27 EP EP17210252.7A patent/EP3376523A1/en not_active Withdrawn
- 2004-12-27 EP EP10003902.3A patent/EP2199859B1/en not_active Not-in-force
-
2005
- 2005-01-05 TW TW094100209A patent/TWI403853B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-05 TW TW101148294A patent/TWI553420B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-05 TW TW105112403A patent/TWI617896B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-05 TW TW106128330A patent/TW201743139A/zh unknown
-
2006
- 2006-05-04 KR KR1020067008813A patent/KR101266648B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-08-11 JP JP2010180221A patent/JP5077400B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-02 JP JP2010246602A patent/JP5488404B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-10-12 US US13/317,170 patent/US9588436B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-01-24 JP JP2012012100A patent/JP5549946B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-01-27 JP JP2012015913A patent/JP5609899B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-10-28 JP JP2013223332A patent/JP5713082B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-07-16 JP JP2014146256A patent/JP5895979B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-10-24 JP JP2014217182A patent/JP5862746B2/ja active Active
-
2015
- 2015-08-13 JP JP2015159807A patent/JP6119810B2/ja active Active
-
2017
- 2017-03-06 US US15/450,611 patent/US9910369B2/en active Active
-
2018
- 2018-01-31 US US15/884,634 patent/US20180149984A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
JP2004289126A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2005045223A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-02-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ機器及びデバイスの製造方法 |
JP2005167211A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-06-23 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013120933A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
US9274436B2 (en) | 2011-12-07 | 2016-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a device manufacturing method |
US10222707B2 (en) | 2011-12-07 | 2019-03-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a device manufacturing method |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6119810B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP5741875B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP4479269B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2005209705A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101102 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131008 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131218 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20131227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5488404 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |