JP2005045223A - リソグラフィ機器及びデバイスの製造方法 - Google Patents
リソグラフィ機器及びデバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005045223A JP2005045223A JP2004187276A JP2004187276A JP2005045223A JP 2005045223 A JP2005045223 A JP 2005045223A JP 2004187276 A JP2004187276 A JP 2004187276A JP 2004187276 A JP2004187276 A JP 2004187276A JP 2005045223 A JP2005045223 A JP 2005045223A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- seal member
- space
- seal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Public Health (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】シール部材4は、投影システムPLの最終要素と基板Wの表面の間に配置され、それによってスペース2が画定される。シール部材4と基板Wの表面の間に液体シールが形成され、それによって、スペース2からの液体の漏れが妨げられる。シール部材4は、基板に面するその表面に、液体注入口6及び液体排出口8を有する。排出口8は、投影システムの光軸に関して注入口6の半径方向内側に配置される。その注入口から排出口に至る液体の流れによって、液体シールが形成される。
【選択図】図4
Description
放射投影ビームを提供する放射システムと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化する働きをするパターン化手段を支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
基板の目標部分上にパターン化されたビームを投影する投影システムと、
前記投影システムの最終要素と前記基板の間のスペースに液体を提供する液体供給システムとを備えるリソグラフィ投影機器であって、
前記液体供給システムが、
前記投影システムの最終要素と前記基板の間の前記スペースの境界の少なくとも一部に沿って延びるシール部材と、
液体の流れによって前記シール部材と基板表面の間にシールを形成する液体シール手段とを備えることを特徴とする機器において達成される。
放射投影ビームを提供する放射システムと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化する働きをするパターン化手段を支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
基板の目標部分上にパターン化されたビームを投影する投影システムと、
前記投影システムの最終要素と前記基板の間のスペースに液体を提供する液体供給システムとを備えるリソグラフィ投影機器であって、
前記液体供給システムが、
前記投影システムの最終要素と前記基板の間の前記スペースの境界の少なくとも一部に沿って延びるシール部材を備え、
前記シール部材が、前記基板に面する前記シール部材の表面上に配置された液体注入口を備えることを特徴とする機器が提供される。
前記基板表面と前記シール部材の間隔を確定する少なくとも1つのセンサと、
前記センサによって確定された間隔に基づいて、少なくとも1つのアクチュエータを制御して、前記基板表面と前記シール部材の所望の間隔を維持する制御システムとをさらに備える。
放射感受性材料の層で少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップと、
放射システムを使用して放射投影ビームを提供するステップと、
パターン化手段を使用して投影ビームの横断面にパターンを付与するステップと、
投影システムを使用して放射感受性材料の層の目標部分上にパターン化された放射ビームを投影するステップと、
前記投影システムの最終要素と前記基板の間のスペースに液体を提供するステップとを含む、デバイスを製造する方法であって、
前記基板表面とシール部材の間に液体シールを形成することを特徴とする方法が提供される。
放射感受性材料の層で少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップと、
放射システムを使用して放射投影ビームを提供するステップと、
パターン化手段を使用して投影ビームの横断面にパターンを付与するステップと、
投影システムを使用して放射感受性材料の層の目標部分上にパターン化された放射ビームを投影するステップと、
前記投影システムの最終要素と前記基板の間のスペースに液体を提供するステップとを含む、デバイスを製造する方法であって、
シール部材上に設けられ、前記基板表面に面する液体注入口を介して液体を供給することを特徴とする方法が提供される。
前記基板表面と前記シール部材の間隔を確定するステップと、
確定された間隔に基づいて、少なくとも1つのアクチュエータを制御して、前記基板表面と前記シール部材の所望の間隔を維持するステップとをさらに含む。
図1に、本発明の特定の実施例によるリソグラフィ機器を概略的に示す。この機器は、
放射投影ビーム(例えばUV放射)PBを提供する照明システム(照明器)ILと、
パターン化装置(例えばマスク)MAを支持し、要素PLに対してパターン化装置を正確に位置決めする第1位置決め装置PMに連結された第1支持構造(例えばマスク・テーブル)MTと、
基板(例えばレジストを被覆したウエハ)Wを保持し、要素PLに対して基板を正確に位置決めする第2位置決め装置PWに連結された基板テーブル(例えばウエハ・テーブル)WTと、
基板Wの(例えば1つ又は複数のダイを含む)目標部分C上に、パターン化装置MAによって投影ビームPBに付与されたパターンを結像する投影システム(例えば屈折型投影レンズ)PLとを備える。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは本質的に固定したまま、目標部分C上に投影ビームに付与されたパターン全体を1回で(すなわち1回の静止露光で)投影する。次いで、基板テーブルWTをX方向及び/又はY方向に移動して、異なる目標部分Cを露光することができる。ステップ・モードでは、露光領域の最大サイズが、1回の静止露光で画像形成される目標部分Cのサイズを制限する。
2.スキャン・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが同期して走査され、投影ビームに付与されたパターンが目標部分C上に投影される(すなわち1回の動的な露光)。マスク・テーブルMTに対する相対的な基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの倍率(縮小率)及び像の反転特性によって決まる。スキャン・モードでは、露光領域の最大サイズが、1回の動的な露光における目標部分の(非走査方向の)幅を制限し、走査移動長により、目標部分の(走査方向の)高さが決まる。
3.別のモードでは、プログラム可能なパターン化手段を保持するマスク・テーブルMTが本質的に固定され、基板テーブルWTが移動すなわち走査され、目標部分C上に投影ビームに付与されたパターンが投影される。一般に、このモードでは、パルス化された放射源を用い、基板テーブルWTの各移動動作後に、あるいは、走査中に連続放射パルス間に、プログラム可能なパターン化手段が必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で言及したタイプのプログラム可能なミラー・アレイなどのプログラム可能なパターン化手段を利用するマスクなしリソグラフィに容易に適用することができる。
図5に、本発明の第2実施例による液体供給システムの断面を示す。この実施例の構造は、以下で説明することを除いて第1実施例と同様である。
図6に、本発明の第3実施例によるシール部材の断面を示す。この実施例の構造は、以下で説明することを除いて第2実施例と同様である。
図7に、本発明の第4実施例による液体供給システムの断面を示す。この実施例の構造は、以下で説明することを除いて第1実施例と同様である。
−能動的な位置測定を実施し、基板に対してシール部材を制御してシールの機能を保証する。
−基板に対してシール部材に減衰を加えて、シール部材中で生成された乱れ、例えば真空の変動の影響を小さくする。
−真空力にてあらかじめ引っ張られたガス支持部などと組み合わせて重力を補償する。
−液体支持部などと組み合わせて追加の事前張力を生成することと、
−非作動方向のホース連結部又は固定部材などによる他の外力及びモーメントを補償する。
−基板のローディング中又は保守時などに、アクチュエータによる動きを多目的用途として提供する。
図8に、本発明の第5実施例による液体供給システムを示す。この実施例の構造は、以下で説明することを除いて第1実施例と同様である。
本発明の第6実施例では、以下で説明することを除いて上記で説明した実施例と同じであるが、シール部材の一部を回転させることによって液体をさらに閉じ込める。
3 シール部材
3’ シール部材
4 シール部材
6 液体注入口
7 排出口
7’ 排出口
8 液体排出口
9 液体注入口
9’ 液体注入口
10 真空排出口
11 液体排出口
12 液体注入口
14 受動ばね
16 水平部材
18 シール部材
20 液体注入口
22 上部排出口
24 下部排出口
26 第3排出口
28 第1ガス注入口
30 第2ガス注入口
32 チャンバ
34 チャンバ
36 シール部材
38 液体注入口
40 液体排出口
42 排出口
44 ローレンツ・アクチュエータ
50 シール部材
51 液体注入口
52 液体排出口
53 らせん溝
AM 調節装置
BD ビーム送達システム
C 目標部分
CO コンデンサ
h1 高さ
h2 高さ
h3 間隔
h4 間隔
IF 位置決めセンサ
IL 照明システム
IN 統合器
MA パターン化装置
MT 第1支持構造
M1 マスク位置合わせマーク
M2 マスク位置合わせマーク
PB 放射投影ビーム
PL 投影システム
PM 第1位置決め装置
PW 第2位置決め装置
P1 基板位置合わせマーク
P2 基板位置合わせマーク
RF 基準フレーム
SO 放射源
W 基板
WT 基板テーブル
Claims (26)
- 放射投影ビームを提供する放射システムと、
所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化する働きをするパターン化手段を支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記基板の目標部分上に前記パターン化されたビームを投影する投影システムと、
前記投影システムの最終要素と前記基板の間のスペースに液体を提供する液体供給システムとを備えるリソグラフィ投影機器であって、
前記液体供給システムが、
前記投影システムの前記最終要素と前記基板の間の前記スペースの境界の少なくとも一部に沿って延びるシール部材と、
液体の流れによって前記シール部材と前記基板の表面の間にシールを形成する液体シール手段とを備えることを特徴とする、機器。 - 前記液体シール手段が、前記基板表面の上で前記シール部材を少なくとも部分的に支持する静圧又は動圧支持部である、請求項1に記載の機器。
- 前記シール部材が、前記スペース及び前記液体シール手段から液体を除去する共用液体排出口をさらに備える、請求項1又は2に記載の機器。
- 前記共用排出口が、前記基板に面する前記シール部材の表面上に配置され、前記スペースと前記液体シール手段の間に置かれる、請求項3に記載の機器。
- 前記共用液体排出口が、前記基板にほぼ平行な面内で、液体注入口の断面積よりも大きい断面積を有する、請求項3又は4に記載の機器。
- 放射投影ビームを提供する放射システムと、
所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化する働きをするパターン化手段を支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記基板の目標部分上に前記パターン化されたビームを投影する投影システムと、
前記投影システムの最終要素と前記基板の間のスペースに液体を提供する液体供給システムとを備えるリソグラフィ投影機器であって、
前記液体供給システムが、
前記投影システムの前記最終要素と前記基板の間の前記スペースの境界の少なくとも一部に沿って延びるシール部材を備え、
前記シール部材が、前記基板に面する前記シール部材の表面上に配置された液体注入口を備えることを特徴とする、機器。 - 前記スペースと前記液体注入口の間の領域では、その他のところよりも前記基板表面の上の前記シール部材の高さが高い、請求項6に記載の機器。
- 前記液体供給システムが、前記液体注入口から半径方向外側に位置するガス・シール手段をさらに備え、それによって、前記シール部材と前記基板表面の間でガス・シールが形成される、請求項7に記載の機器。
- 前記シール部材が、それぞれ前記液体注入口から半径方向外側に位置し、ともに前記基板に面する前記シール部材の前記表面上に配置された中間ガス注入口及び液体排出口をさらに備える、請求項6から8までのいずれか一項に記載の機器。
- 前記中間ガス注入口と前記液体排出口の間では、前記液体注入口と前記中間ガス注入口の間よりも、前記基板表面の上の前記シール部材の高さが高い、請求項9に記載の機器。
- 前記静圧又は動圧支持部中の液体の圧力が、周囲の圧力に対して相対的に100Pa〜100kPaの範囲の値をとる、請求項2に記載の機器。
- 前記液体供給システムが、半径方向外向きの液体の漏れを防止する低圧源をさらに備え、前記低圧源が、前記基板に面する前記シール部材の表面上に配置される、前記請求項のいずれか一項に記載の機器。
- 前記基板表面に向けられたバイアス力を前記シール部材に加える手段をさらに備える、前記請求項のいずれか一項に記載の機器。
- 前記シール部材と機械のフレームの間に結合された、前記シール部材を支持する部材をさらに備える、前記請求項のいずれか一項に記載の機器。
- 前記シール部材が、少なくとも1つの液体注入口、少なくとも1つの液体排出口並びに液体及びガス両用の少なくとも1つの共用排出口を備える、前記請求項のいずれか一項に記載の機器。
- 前記液体供給システムが、0.1〜10リットル/分の速度で前記スペースに液体を供給する、前記請求項のいずれか一項に記載の機器。
- 前記液体供給システムが、前記基板と前記シール部材の相対運動によって、前記スペースから運び去られる液体を補償する圧力で前記スペースに液体を供給する、前記請求項のいずれか一項に記載の機器。
- 前記シール部材の注入口の上流及び/又は排出口の下流に形成された少なくとも1つのチャンバをさらに備える、前記請求項のいずれか一項に記載の機器。
- 前記シール部材の位置を確定する少なくとも1つのセンサと、
前記センサによって確定された位置に基づいて、少なくとも1つのアクチュエータを制御する制御システムとをさらに備える、前記請求項のいずれか一項に記載の機器。 - 前記制御システムにおいて前記基板表面と前記シール部材の間隔を確定する前記センサが、前記少なくとも1つのアクチュエータを制御して、前記基板表面と前記シール部材の所望の間隔を維持する、請求項19に記載の機器。
- 前記制御システムが、前記少なくとも1つのアクチュエータを制御して、前記シール部材にかかる外力を少なくとも部分的に補償する、請求項19に記載の機器。
- 前記制御システムが、前記シール部材を減衰させるように働く、請求項19に記載の機器。
- 前記制御システムが、システム・エラーの場合に、前記シール部材を引っ込めるように構成される、請求項19に記載の機器。
- 前記制御システムが、前記少なくとも1つのアクチュエータを制御して、前記静圧又は動圧支持部に事前張力を加えるように構成される、請求項19に記載の機器。
- 前記部材中の少なくとも1つの注入口及び/又は排出口が、丸く加工された縁部を有する、前記請求項のいずれか一項に記載の機器。
- 前記基板表面に隣接する前記シール部材の少なくとも1つの縁部が丸く加工される、前記請求項のいずれか一項に記載の機器。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP03254078A EP1498778A1 (en) | 2003-06-27 | 2003-06-27 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005045223A true JP2005045223A (ja) | 2005-02-17 |
JP4028860B2 JP4028860B2 (ja) | 2007-12-26 |
Family
ID=33462227
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004187276A Expired - Fee Related JP4028860B2 (ja) | 2003-06-27 | 2004-06-25 | リソグラフィ投影機器 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7119874B2 (ja) |
EP (1) | EP1498778A1 (ja) |
JP (1) | JP4028860B2 (ja) |
KR (1) | KR100614294B1 (ja) |
CN (2) | CN100533273C (ja) |
DE (1) | DE602004010961T2 (ja) |
SG (1) | SG118282A1 (ja) |
TW (1) | TWI294137B (ja) |
Cited By (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005223315A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-08-18 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
WO2005081294A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Nikon Corporation | 露光装置、液体処理方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2006261645A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-09-28 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2006101120A1 (ja) * | 2005-03-23 | 2006-09-28 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2007005363A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007013151A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2007180555A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Asml Netherlands Bv | 露光装置および基板端部シール |
JP2007288185A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2007294947A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-08 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2008010864A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2008505485A (ja) * | 2004-07-01 | 2008-02-21 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための動的流体制御システム |
JP2008537356A (ja) * | 2005-04-19 | 2008-09-11 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 傾斜したシャワーヘッドを備える液浸リソグラフィシステム |
JP2009044168A (ja) * | 2003-09-03 | 2009-02-26 | Nikon Corp | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP2009111349A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-05-21 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2009164623A (ja) * | 2004-05-18 | 2009-07-23 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2009295978A (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-17 | Asml Netherlands Bv | 基板テーブル、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2010103532A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Asml Netherlands Bv | 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2010205914A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010287889A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Asml Netherlands Bv | 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2011066416A (ja) * | 2005-04-05 | 2011-03-31 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2011082539A (ja) * | 2005-02-21 | 2011-04-21 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2011171767A (ja) * | 2006-12-07 | 2011-09-01 | Asml Netherlands Bv | 乾燥器、ウェッティングユニットおよび表面から液体を除去する方法 |
JP2011223034A (ja) * | 2011-07-22 | 2011-11-04 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2012514315A (ja) * | 2008-12-29 | 2012-06-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012147039A (ja) * | 2005-06-28 | 2012-08-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2012524983A (ja) * | 2009-04-24 | 2012-10-18 | 株式会社ニコン | 液浸部材 |
JP2013093576A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Asml Netherlands Bv | 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2013236096A (ja) * | 2004-03-25 | 2013-11-21 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2014057115A (ja) * | 2004-09-17 | 2014-03-27 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2014057106A (ja) * | 2009-03-10 | 2014-03-27 | Nikon Corp | 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014099649A (ja) * | 2004-06-10 | 2014-05-29 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2014140079A (ja) * | 2003-07-28 | 2014-07-31 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2016095528A (ja) * | 2007-01-23 | 2016-05-26 | 株式会社ニコン | 液浸部材、液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 |
JPWO2014104139A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-01-12 | 株式会社ニコン | 液浸部材及び露光装置 |
US9632425B2 (en) | 2006-12-07 | 2017-04-25 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface |
JP2017116969A (ja) * | 2004-06-09 | 2017-06-29 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法及び露光方法 |
US9746781B2 (en) | 2005-01-31 | 2017-08-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
Families Citing this family (158)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7372541B2 (en) * | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1420299B1 (en) | 2002-11-12 | 2011-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100568101C (zh) * | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121818A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4362867B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
DE10261775A1 (de) * | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
TW201908879A (zh) * | 2003-02-26 | 2019-03-01 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法 |
SG141425A1 (en) | 2003-04-10 | 2008-04-28 | Nikon Corp | Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus |
KR101177330B1 (ko) | 2003-04-10 | 2012-08-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치 |
JP4315198B2 (ja) | 2003-04-11 | 2009-08-19 | 株式会社ニコン | 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法 |
US7213963B2 (en) * | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7684008B2 (en) | 2003-06-11 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP3401946A1 (en) * | 2003-06-13 | 2018-11-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US6867844B2 (en) * | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
KR101146962B1 (ko) | 2003-06-19 | 2012-05-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
DE60308161T2 (de) | 2003-06-27 | 2007-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
US6809794B1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
EP1639391A4 (en) * | 2003-07-01 | 2009-04-29 | Nikon Corp | USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS |
EP2264531B1 (en) | 2003-07-09 | 2013-01-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
WO2005006418A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2005006416A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
EP1650787A4 (en) * | 2003-07-25 | 2007-09-19 | Nikon Corp | INVESTIGATION METHOD AND INVESTIGATION DEVICE FOR AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM |
EP1503244A1 (en) * | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7370659B2 (en) | 2003-08-06 | 2008-05-13 | Micron Technology, Inc. | Photolithographic stepper and/or scanner machines including cleaning devices and methods of cleaning photolithographic stepper and/or scanner machines |
SG145780A1 (en) * | 2003-08-29 | 2008-09-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device fabricating method |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR20180077311A (ko) * | 2003-08-29 | 2018-07-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
JP4517367B2 (ja) | 2003-09-03 | 2010-08-04 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2005029559A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101421398B1 (ko) | 2003-09-29 | 2014-07-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
US7369217B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
KR101111364B1 (ko) | 2003-10-08 | 2012-02-27 | 가부시키가이샤 자오 니콘 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광방법, 디바이스 제조 방법 |
KR20060126949A (ko) | 2003-10-08 | 2006-12-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법 |
JP2005136364A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-05-26 | Zao Nikon Co Ltd | 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
TW201738932A (zh) | 2003-10-09 | 2017-11-01 | Nippon Kogaku Kk | 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法 |
US7352433B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4295712B2 (ja) | 2003-11-14 | 2009-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
TWI470371B (zh) | 2003-12-03 | 2015-01-21 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, an exposure method, an element manufacturing method, and an optical component |
US20070081133A1 (en) * | 2004-12-14 | 2007-04-12 | Niikon Corporation | Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method |
JPWO2005057635A1 (ja) * | 2003-12-15 | 2007-07-05 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法 |
KR101499405B1 (ko) | 2003-12-15 | 2015-03-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
US7589822B2 (en) * | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2005076321A1 (ja) | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7034917B2 (en) * | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
EP1747499A2 (en) | 2004-05-04 | 2007-01-31 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7486381B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005119368A2 (en) | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Carl Zeiss Smt Ag | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
JP4543767B2 (ja) * | 2004-06-10 | 2010-09-15 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
ATE441937T1 (de) * | 2004-07-12 | 2009-09-15 | Nikon Corp | Belichtungsgerät und bauelemente- herstellungsverfahren |
EP3258318B1 (en) | 2004-08-03 | 2019-02-27 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US7701550B2 (en) * | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060044533A1 (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Asmlholding N.V. | System and method for reducing disturbances caused by movement in an immersion lithography system |
JP4772306B2 (ja) * | 2004-09-06 | 2011-09-14 | 株式会社東芝 | 液浸光学装置及び洗浄方法 |
SG10201802153XA (en) * | 2004-09-17 | 2018-05-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing device |
US7133114B2 (en) * | 2004-09-20 | 2006-11-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411657B2 (en) | 2004-11-17 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7362412B2 (en) * | 2004-11-18 | 2008-04-22 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate in an immersion lithography system |
US7256121B2 (en) * | 2004-12-02 | 2007-08-14 | Texas Instruments Incorporated | Contact resistance reduction by new barrier stack process |
US7446850B2 (en) * | 2004-12-03 | 2008-11-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7397533B2 (en) * | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7196770B2 (en) * | 2004-12-07 | 2007-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Prewetting of substrate before immersion exposure |
US7365827B2 (en) * | 2004-12-08 | 2008-04-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7352440B2 (en) | 2004-12-10 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
US7403261B2 (en) * | 2004-12-15 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7880860B2 (en) * | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7528931B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7491661B2 (en) * | 2004-12-28 | 2009-02-17 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method, top coat material and substrate |
US7405805B2 (en) | 2004-12-28 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060147821A1 (en) | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124351A1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1681597B1 (en) * | 2005-01-14 | 2010-03-10 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8692973B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
US8859188B2 (en) | 2005-02-10 | 2014-10-14 | Asml Netherlands B.V. | Immersion liquid, exposure apparatus, and exposure process |
US7224431B2 (en) * | 2005-02-22 | 2007-05-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7378025B2 (en) | 2005-02-22 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8018573B2 (en) * | 2005-02-22 | 2011-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7428038B2 (en) | 2005-02-28 | 2008-09-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid |
US7282701B2 (en) * | 2005-02-28 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Sensor for use in a lithographic apparatus |
US7786252B2 (en) * | 2005-03-02 | 2010-08-31 | Eastman Chemical Company | Preparation of transparent multilayered articles |
JP4262252B2 (ja) * | 2005-03-02 | 2009-05-13 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US7951900B2 (en) * | 2005-06-17 | 2011-05-31 | Eastman Chemical Company | Dialysis filter housings comprising polyester compositions formed from 2,2,4,4-tetramethyl-1,3-cyclobutanediol and 1,4-cyclohexanedimethanol |
US7324185B2 (en) * | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7684010B2 (en) * | 2005-03-09 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing |
US7330238B2 (en) * | 2005-03-28 | 2008-02-12 | Asml Netherlands, B.V. | Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method |
US7291850B2 (en) * | 2005-04-08 | 2007-11-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7433016B2 (en) | 2005-05-03 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7317507B2 (en) | 2005-05-03 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8248577B2 (en) | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7315033B1 (en) | 2005-05-04 | 2008-01-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for reducing biological contamination in an immersion lithography system |
CN100445872C (zh) * | 2005-05-09 | 2008-12-24 | 浙江大学 | 浸没式光刻系统中的液体传送及气密封装置 |
US7751027B2 (en) | 2005-06-21 | 2010-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7652746B2 (en) * | 2005-06-21 | 2010-01-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7474379B2 (en) * | 2005-06-28 | 2009-01-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7583358B2 (en) | 2005-07-25 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for retrieving residual liquid during immersion lens photolithography |
US8054445B2 (en) * | 2005-08-16 | 2011-11-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7456928B2 (en) | 2005-08-29 | 2008-11-25 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for controlling ambient pressure during processing of microfeature workpieces, including during immersion lithography |
JP2007096050A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Canon Inc | 露光装置 |
US7411658B2 (en) * | 2005-10-06 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4125315B2 (ja) * | 2005-10-11 | 2008-07-30 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007142366A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-06-07 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7656501B2 (en) * | 2005-11-16 | 2010-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7864292B2 (en) * | 2005-11-16 | 2011-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7804577B2 (en) | 2005-11-16 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7633073B2 (en) * | 2005-11-23 | 2009-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7773195B2 (en) * | 2005-11-29 | 2010-08-10 | Asml Holding N.V. | System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography |
US20070124987A1 (en) * | 2005-12-05 | 2007-06-07 | Brown Jeffrey K | Electronic pest control apparatus |
US20070126999A1 (en) * | 2005-12-07 | 2007-06-07 | Nikon Corporation | Apparatus and method for containing immersion liquid in immersion lithography |
US7839483B2 (en) | 2005-12-28 | 2010-11-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8472004B2 (en) | 2006-01-18 | 2013-06-25 | Micron Technology, Inc. | Immersion photolithography scanner |
US7893047B2 (en) * | 2006-03-03 | 2011-02-22 | Arch Chemicals, Inc. | Biocide composition comprising pyrithione and pyrrole derivatives |
US8045134B2 (en) * | 2006-03-13 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method |
CN100590173C (zh) * | 2006-03-24 | 2010-02-17 | 北京有色金属研究总院 | 一种荧光粉及其制造方法和所制成的电光源 |
US7969548B2 (en) * | 2006-05-22 | 2011-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method |
US8208116B2 (en) * | 2006-11-03 | 2012-06-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography system using a sealed wafer bath |
US8045135B2 (en) * | 2006-11-22 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method |
US8634053B2 (en) | 2006-12-07 | 2014-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7791709B2 (en) * | 2006-12-08 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Substrate support and lithographic process |
US11136667B2 (en) * | 2007-01-08 | 2021-10-05 | Eastman Kodak Company | Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure |
US8817226B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-08-26 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography |
US8654305B2 (en) * | 2007-02-15 | 2014-02-18 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography |
JP2008218653A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
CN100462848C (zh) * | 2007-03-15 | 2009-02-18 | 浙江大学 | 浸没式光刻系统中的液体供给及回收的密封控制装置 |
US7900641B2 (en) * | 2007-05-04 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
US8011377B2 (en) * | 2007-05-04 | 2011-09-06 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
US7866330B2 (en) * | 2007-05-04 | 2011-01-11 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US8947629B2 (en) | 2007-05-04 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US20090040482A1 (en) * | 2007-08-10 | 2009-02-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US8654306B2 (en) * | 2008-04-14 | 2014-02-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, cleaning method, and device fabricating method |
NL1036709A1 (nl) * | 2008-04-24 | 2009-10-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus. |
JP5097166B2 (ja) | 2008-05-28 | 2012-12-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置の動作方法 |
EP2159304A1 (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-03 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Apparatus and method for atomic layer deposition |
SG159467A1 (en) * | 2008-09-02 | 2010-03-30 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20100323303A1 (en) * | 2009-05-15 | 2010-12-23 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
NL2005207A (en) * | 2009-09-28 | 2011-03-29 | Asml Netherlands Bv | Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP5514915B2 (ja) | 2009-10-09 | 2014-06-04 | クリー インコーポレイテッド | サセプタ装置 |
US20110134400A1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, liquid immersion member, and device manufacturing method |
US8946514B2 (en) * | 2009-12-28 | 2015-02-03 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Sorghum fertility restorer genotypes and methods of marker-assisted selection |
EP2521163A1 (en) | 2009-12-28 | 2012-11-07 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, method for manufacturing liquid immersion member, exposure apparatus, and device manufacturing method |
NL2005951A (en) * | 2010-02-02 | 2011-08-03 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
NL2006076A (en) * | 2010-03-04 | 2011-09-06 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus. |
EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
CN102338987A (zh) * | 2010-07-16 | 2012-02-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光刻设备 |
NL2009692A (en) * | 2011-12-07 | 2013-06-10 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
CN103186056B (zh) * | 2011-12-31 | 2016-01-06 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 浸没式光刻系统的投影系统 |
US9494870B2 (en) * | 2012-10-12 | 2016-11-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US9057955B2 (en) | 2013-01-22 | 2015-06-16 | Nikon Corporation | Functional film, liquid immersion member, method of manufacturing liquid immersion member, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9352073B2 (en) | 2013-01-22 | 2016-05-31 | Niko Corporation | Functional film |
JP5979302B2 (ja) | 2013-02-28 | 2016-08-24 | 株式会社ニコン | 摺動膜、摺動膜が形成された部材、及びその製造方法 |
CN104950585B (zh) * | 2014-03-25 | 2017-06-27 | 上海微电子装备有限公司 | 一种浸液限制机构 |
NL2017128A (en) | 2015-07-16 | 2017-01-23 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus, a projection system, a last lens element, a liquid control member and a device manufacturing method |
CN107315322B (zh) * | 2017-07-20 | 2018-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种曝光距离调整方法及装置 |
CN107219730B (zh) * | 2017-07-28 | 2020-04-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板装载系统及曝光机 |
Family Cites Families (76)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE221563C (ja) | ||||
US600547A (en) * | 1898-03-15 | Anton mazzanovich | ||
DE206607C (ja) | ||||
DE242880C (ja) | ||||
DE224448C (ja) | ||||
GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US3573975A (en) | 1968-07-10 | 1971-04-06 | Ibm | Photochemical fabrication process |
EP0023231B1 (de) | 1979-07-27 | 1982-08-11 | Tabarelli, Werner, Dr. | Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
JPS5754317A (en) | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Method and device for forming pattern |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4390273A (en) | 1981-02-17 | 1983-06-28 | Censor Patent-Und Versuchsanstalt | Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
US5040020A (en) | 1988-03-31 | 1991-08-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography |
JPH03209479A (ja) | 1989-09-06 | 1991-09-12 | Sanee Giken Kk | 露光方法 |
US5121256A (en) | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP2520833B2 (ja) | 1992-12-21 | 1996-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 浸漬式の液処理装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US6104687A (en) | 1996-08-26 | 2000-08-15 | Digital Papyrus Corporation | Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) * | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
US5900354A (en) | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
EP1039511A4 (en) | 1997-12-12 | 2005-03-02 | Nikon Corp | PROJECTION EXPOSURE PROCESSING METHOD AND PROJECTION APPARATUS |
AU2747999A (en) * | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
TWI242111B (en) | 1999-04-19 | 2005-10-21 | Asml Netherlands Bv | Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus |
JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
JP2001272604A (ja) | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Olympus Optical Co Ltd | 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置 |
EP1279070B1 (en) | 2000-05-03 | 2007-10-03 | ASML Holding N.V. | Apparatus for providing a purged optical path in a projection photolithography system and a corresponding method |
TW591653B (en) | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
US6539527B2 (en) * | 2001-03-19 | 2003-03-25 | Hewlett-Packard Company | System and method of determining the noise sensitivity of an integrated circuit |
US20020163629A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
US6600547B2 (en) | 2001-09-24 | 2003-07-29 | Nikon Corporation | Sliding seal |
KR20050044371A (ko) | 2001-11-07 | 2005-05-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 광학 스폿 그리드 어레이 프린터 |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
US7362508B2 (en) | 2002-08-23 | 2008-04-22 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
US6788477B2 (en) | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
DE10258718A1 (de) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
WO2004053951A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
TW200421444A (en) | 2002-12-10 | 2004-10-16 | Nippon Kogaku Kk | Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device |
SG171468A1 (en) | 2002-12-10 | 2011-06-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
CN100429748C (zh) | 2002-12-10 | 2008-10-29 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件制造方法 |
JP4362867B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
KR20050085236A (ko) | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
EP1429190B1 (en) | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
WO2004053957A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101036114B1 (ko) | 2002-12-10 | 2011-05-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법 |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
KR20050062665A (ko) | 2002-12-10 | 2005-06-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
JP4184346B2 (ja) | 2002-12-13 | 2008-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去 |
KR100971440B1 (ko) | 2002-12-19 | 2010-07-21 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 레이어 상의 스폿을 조사하기 위한 방법 및 장치 |
DE60307322T2 (de) | 2002-12-19 | 2007-10-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts |
US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
WO2004090633A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
SG141425A1 (en) * | 2003-04-10 | 2008-04-28 | Nikon Corp | Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus |
KR101177330B1 (ko) | 2003-04-10 | 2012-08-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치 |
US6867844B2 (en) * | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
-
2003
- 2003-06-27 EP EP03254078A patent/EP1498778A1/en not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-06-23 US US10/873,647 patent/US7119874B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-23 SG SG200404066A patent/SG118282A1/en unknown
- 2004-06-25 CN CNB2004100550652A patent/CN100533273C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-25 KR KR1020040047942A patent/KR100614294B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-25 JP JP2004187276A patent/JP4028860B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-25 CN CN2009101401658A patent/CN101604122B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-25 DE DE602004010961T patent/DE602004010961T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-25 TW TW093118654A patent/TWI294137B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (91)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014140079A (ja) * | 2003-07-28 | 2014-07-31 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2015172772A (ja) * | 2003-07-28 | 2015-10-01 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2009044168A (ja) * | 2003-09-03 | 2009-02-26 | Nikon Corp | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP2014197716A (ja) * | 2003-09-03 | 2014-10-16 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP2014003330A (ja) * | 2003-09-03 | 2014-01-09 | Nikon Corp | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP2016026309A (ja) * | 2003-09-03 | 2016-02-12 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP2012080147A (ja) * | 2003-09-03 | 2012-04-19 | Nikon Corp | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
US10203610B2 (en) | 2003-09-03 | 2019-02-12 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
JP2017016158A (ja) * | 2003-09-03 | 2017-01-19 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP2011035429A (ja) * | 2003-09-03 | 2011-02-17 | Nikon Corp | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP2017116968A (ja) * | 2003-09-03 | 2017-06-29 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置及び液浸リソグラフィ方法 |
US9817319B2 (en) | 2003-09-03 | 2017-11-14 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US9588436B2 (en) | 2004-01-05 | 2017-03-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device producing method |
JP2010251808A (ja) * | 2004-01-05 | 2010-11-04 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2005223315A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-08-18 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US8064044B2 (en) | 2004-01-05 | 2011-11-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device producing method |
US9910369B2 (en) | 2004-01-05 | 2018-03-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device producing method |
JP2011023764A (ja) * | 2004-01-05 | 2011-02-03 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
WO2005081294A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Nikon Corporation | 露光装置、液体処理方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013236096A (ja) * | 2004-03-25 | 2013-11-21 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2015092623A (ja) * | 2004-03-25 | 2015-05-14 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2018041107A (ja) * | 2004-03-25 | 2018-03-15 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2017021375A (ja) * | 2004-03-25 | 2017-01-26 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2016029513A (ja) * | 2004-03-25 | 2016-03-03 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2014132666A (ja) * | 2004-03-25 | 2014-07-17 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US10126661B2 (en) | 2004-03-25 | 2018-11-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabrication method |
JP2017004027A (ja) * | 2004-03-25 | 2017-01-05 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US9623436B2 (en) | 2004-05-18 | 2017-04-18 | Asml Netherlands B.V. | Active drying station and method to remove immersion liquid using gas flow supply with gas outlet between two gas inlets |
US10761438B2 (en) | 2004-05-18 | 2020-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Active drying station and method to remove immersion liquid using gas flow supply with gas outlet between two gas inlets |
JP2009164623A (ja) * | 2004-05-18 | 2009-07-23 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2017116969A (ja) * | 2004-06-09 | 2017-06-29 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法及び露光方法 |
US9529273B2 (en) | 2004-06-10 | 2016-12-27 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
JP2016048395A (ja) * | 2004-06-10 | 2016-04-07 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US9778580B2 (en) | 2004-06-10 | 2017-10-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US9134621B2 (en) | 2004-06-10 | 2015-09-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US10203614B2 (en) | 2004-06-10 | 2019-02-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
JP2014099649A (ja) * | 2004-06-10 | 2014-05-29 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2008505485A (ja) * | 2004-07-01 | 2008-02-21 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための動的流体制御システム |
US8194229B2 (en) | 2004-07-01 | 2012-06-05 | Nikon Corporation | Dynamic fluid control system for immersion lithography |
JP2014057115A (ja) * | 2004-09-17 | 2014-03-27 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US9746781B2 (en) | 2005-01-31 | 2017-08-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
JP2011101034A (ja) * | 2005-02-21 | 2011-05-19 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006261645A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-09-28 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2011082539A (ja) * | 2005-02-21 | 2011-04-21 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP5040646B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2012-10-03 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
WO2006101120A1 (ja) * | 2005-03-23 | 2006-09-28 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2011066416A (ja) * | 2005-04-05 | 2011-03-31 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP4848003B2 (ja) * | 2005-04-19 | 2011-12-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 傾斜したシャワーヘッドを備える液浸リソグラフィシステムおよび液浸リソグラフィ方法 |
US8203693B2 (en) | 2005-04-19 | 2012-06-19 | Asml Netherlands B.V. | Liquid immersion lithography system comprising a tilted showerhead relative to a substrate |
JP2008537356A (ja) * | 2005-04-19 | 2008-09-11 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 傾斜したシャワーヘッドを備える液浸リソグラフィシステム |
JP2007005363A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US9448494B2 (en) | 2005-06-28 | 2016-09-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9099501B2 (en) | 2005-06-28 | 2015-08-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2007013151A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2010021568A (ja) * | 2005-06-28 | 2010-01-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
US9766556B2 (en) | 2005-06-28 | 2017-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2012147039A (ja) * | 2005-06-28 | 2012-08-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP4675877B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2011-04-27 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 露光装置および基板端部シール |
JP2007180555A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Asml Netherlands Bv | 露光装置および基板端部シール |
US8634059B2 (en) | 2006-04-14 | 2014-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2007288185A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2007294947A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-08 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2011035423A (ja) * | 2006-04-14 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2011023749A (ja) * | 2006-04-14 | 2011-02-03 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2008010864A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP4643616B2 (ja) * | 2006-06-22 | 2011-03-02 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
US10649349B2 (en) | 2006-12-07 | 2020-05-12 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface |
US10185231B2 (en) | 2006-12-07 | 2019-01-22 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface |
JP2011171767A (ja) * | 2006-12-07 | 2011-09-01 | Asml Netherlands Bv | 乾燥器、ウェッティングユニットおよび表面から液体を除去する方法 |
US9632425B2 (en) | 2006-12-07 | 2017-04-25 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface |
JP2016095528A (ja) * | 2007-01-23 | 2016-05-26 | 株式会社ニコン | 液浸部材、液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 |
TWI610147B (zh) * | 2007-01-23 | 2018-01-01 | Nikon Corp | 液浸構件、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法 |
JP2009111349A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-05-21 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
US8681308B2 (en) | 2007-09-13 | 2014-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2011171760A (ja) * | 2007-09-13 | 2011-09-01 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2009295978A (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-17 | Asml Netherlands Bv | 基板テーブル、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2010103532A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Asml Netherlands Bv | 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
US8508712B2 (en) | 2008-10-23 | 2013-08-13 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2014027320A (ja) * | 2008-12-29 | 2014-02-06 | Nikon Corp | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2012514315A (ja) * | 2008-12-29 | 2012-06-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010205914A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014057106A (ja) * | 2009-03-10 | 2014-03-27 | Nikon Corp | 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012524983A (ja) * | 2009-04-24 | 2012-10-18 | 株式会社ニコン | 液浸部材 |
JP2010287889A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Asml Netherlands Bv | 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
US8405815B2 (en) | 2009-06-09 | 2013-03-26 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2011223034A (ja) * | 2011-07-22 | 2011-11-04 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2015084455A (ja) * | 2011-10-24 | 2015-04-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
US9140995B2 (en) | 2011-10-24 | 2015-09-22 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method |
JP2013093576A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Asml Netherlands Bv | 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2018136561A (ja) * | 2012-12-27 | 2018-08-30 | 株式会社ニコン | 液浸部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JPWO2014104139A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-01-12 | 株式会社ニコン | 液浸部材及び露光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4028860B2 (ja) | 2007-12-26 |
US20050018155A1 (en) | 2005-01-27 |
KR100614294B1 (ko) | 2006-08-22 |
DE602004010961D1 (de) | 2008-02-14 |
CN1577098A (zh) | 2005-02-09 |
CN101604122B (zh) | 2012-01-04 |
TW200507049A (en) | 2005-02-16 |
US7119874B2 (en) | 2006-10-10 |
EP1498778A1 (en) | 2005-01-19 |
CN100533273C (zh) | 2009-08-26 |
CN101604122A (zh) | 2009-12-16 |
KR20050001433A (ko) | 2005-01-06 |
DE602004010961T2 (de) | 2009-01-02 |
SG118282A1 (en) | 2006-01-27 |
TWI294137B (en) | 2008-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4028860B2 (ja) | リソグラフィ投影機器 | |
JP4526572B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
JP4277014B2 (ja) | リソグラフィー装置及びデバイス製造方法 | |
KR100660505B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
KR100620980B1 (ko) | 리소그래피장치, 디바이스 제조방법 | |
JP5085585B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4689693B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
KR100622089B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
JP2019074770A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
KR100729243B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
JP4939283B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2005294839A (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びその方法により製造したデバイス | |
JP2007013152A (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
EP1494079B1 (en) | Lithographic Apparatus | |
JP2006108687A (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP4450782B2 (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法及びコンピュータ・プログラム製品 | |
KR101077047B1 (ko) | 침지 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
JP4777933B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060904 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070530 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070601 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070618 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070913 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071001 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071012 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4028860 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111019 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S802 | Written request for registration of partial abandonment of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311802 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111019 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111019 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121019 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131019 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |