JP2017016158A - 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 - Google Patents
液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017016158A JP2017016158A JP2016200712A JP2016200712A JP2017016158A JP 2017016158 A JP2017016158 A JP 2017016158A JP 2016200712 A JP2016200712 A JP 2016200712A JP 2016200712 A JP2016200712 A JP 2016200712A JP 2017016158 A JP2017016158 A JP 2017016158A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fluid
- pressure
- porous member
- space
- recovery
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/52—Details
- G03B27/522—Projection optics
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Public Health (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
Abstract
Description
この出願は、2003年9月3日に提出された米国仮特許出願第60/500,312、及び2004年2月2日に提出された米国仮特許出願第60/541,329の全ての開示に基づくとともに、それらの優先権の利益を主張し、これらの仮出願の全ての開示を援用して本文の記載の一部とする。
ラフィプロセス中に、レンズと基板との間の空間に供給される。流体は、前記空間に流体的に接続された多孔質部材を介して該空間に供給されかつ該空間から回収される。前記多孔質部材のバブルポイントより低く該多孔質部材の圧力を維持することで、流体回収中に該流体に空気が混入することにより発生するノイズの除去が可能となる。前記バブルポイントは、前記多孔質部材中の孔(最大孔)の大きさ及び流体が前記多孔質部材に対してなす接触角(前記多孔質材の性質及び前記流体の性質に基づくパラメータとしての)に依存して決まる多孔質部材の特性である。前記バブルポイントは一般に非常に低圧力なので、この低圧力の制御は重要な課題である。
、前記圧力制御システムは、前記多孔質部材に流体的に接続された流体レベルバッファと;前記流体レベルバッファでの圧力又は流体レベルを検出するように構成されたセンサと;前記多孔質部材を介して前記空間から前記流体を引き出している間に、前記センサからの検出信号に基づいて、前記流体回収出口を通じて前記空間から引き出される前記流体の流速(流量)を調節して前記多孔質部材の前記表面での圧力を前記多孔質部材のバブルポイントより低く維持するように構成されたコントローラとを備えている。前記圧力制御システムは、前記流体回収出口の下流に配置されたバルブを備え、前記コントローラは前記バルブを制御して前記流体回収出口を通じて前記空間から引き出される前記流体の前記流速(流量)を調整するように構成されている。更に他の実施形態では、前記圧力制御システムは、前記流体回収出口に流体的に接続された回収タンクと;前記回収タンク内の圧力を調整するように構成された可制御バキュームレギュレータとを備えている。前記コントローラは前記可制御バキュームレギュレータを制御して、前記回収タンク内の前記圧力を制御することによって前記回収タンクに前記流体回収出口を通じて前記空間から引き出される前記流体の前記流速(流量)を調節するように構成されている。
換される必要がある。独立した部品として外側部30を形成することは、メンテナンスの容易化を促進する。それは、ノズル20全体を交換するのに対して、外側部の交換後の再調整や再キャリブレーションの時間を最小にすることもできる。ノズル20の製造性は、ノズル20が2つの独立した部品で形成される場合に、改善することもできる。代替の実施形態では、ノズル20は単一の部品から製造され得ることが理解される。
でない場合にはオフされる。
Claims (36)
- 液浸リソグラフィシステムにおいてレンズと基板との間の空間から流体を回収する方法であって、
回収流路を介し、多孔質部材を通じて前記空間から前記流体を引き出すことと、
前記空間から前記流体を引き出し中に前記多孔質部材内の前記流体の圧力を前記多孔質部材のバブルポイントより低く維持することと、
を備える方法。 - 前記圧力を維持することは、
予め設定された圧力に保たれたオーバーフローコンテナを提供することと、
前記回収流路を介し、前記多孔質部材を通じて前記空間から引き出された前記流体を前記オーバーフローコンテナへ導くことと、
を備える請求項1に記載の方法。 - 前記圧力を維持することは、前記オーバーフローコンテナから回収タンクに前記流体を吸い出すことを更に備える請求項2に記載の方法。
- 前記流体は、前記オーバーフローコンテナの下方に配置された前記回収タンクへ重力によって吸い落とされる請求項3に記載の方法。
- 前記圧力を維持することは、
流体レベルバッファを提供することと、
バッファ流路を介し、前記多孔質部材を通じて前記空間から前記流体レベルバッファに前記流体を引き出すことと、
前記流体レベルバッファでの圧力又は流体レベルを検出することと、
前記流体レベルバッファでの前記検出された圧力又は流体レベルに基づいて、前記回収流路を介し、前記多孔質部材を通じて前記空間から引き出される前記流体のフローを制御することと、
を備える請求項1に記載の前記方法。 - 前記流体のフローを制御することは、前記多孔質部材の下流の前記回収流路に配置された可変バルブを制御することを備える請求項5に記載の方法。
- 前記圧力を維持することは、
流体レベルバッファを提供することと、
バッファ流路を介し、前記多孔質部材を通じて前記空間から前記流体レベルバッファに前記流体を引き出すことと、
前記流体レベルバッファでの圧力又は流体レベルを検出することと、
前記流体レベルバッファでの前記検出された圧力又は流体レベルに基づいて、前記多孔質部材を通じた前記回収流路の出口でのバキューム圧を制御することと、
を備える請求項1に記載の方法。 - 前記バキューム圧を制御することは、前記回収流路の前記出口の回収タンクのバキュームレギュレータを制御することを備える請求項7に記載の方法。
- 液浸リソグラフィシステムにおいてレンズと基板との間の空間から流体を回収する装置であって、
レンズの一部を収容するとともに、前記レンズを前記空間によって分離される前記基板から離間して位置付けて、前記レンズと前記基板との間の前記空間中の流体を受け入れる
ためのレンズ開口を含む内側部と、
前記内側部の周囲に配置された外側部であって、前記空間と流体回収出口とに流体的に接続された多孔質部材を含み、前記多孔質部材を介して前記空間から前記流体回収出口に流体を吸引する外側部と、
前記多孔質部材を介して前記空間からの前記流体を引き出し中に前記多孔質部材の表面での圧力を前記多孔質部材のバブルポイントより低く維持するように、前記多孔質部材に流体的に接続された圧力制御システムと、
を備える装置。 - 前記圧力制御システムは、
前記多孔質部材に流体的に接続されたオーバーフローコンテナと、
前記オーバーフローコンテナ内の圧力を調節するように構成されたバキュームレギュレータと、
を備える請求項9に記載の装置。 - 前記オーバーフローコンテナに流体的に接続されるとともに、該オーバーフローコンテナの下方に配置された回収タンクを更に備える請求項10に記載の装置。
- 前記圧力制御システムは、
前記多孔質部材に流体的に接続された流体レベルバッファと、
前記流体レベルバッファでの圧力又は流体レベルを検出するように構成されたセンサと、
前記多孔質部材を介して前記空間から前記流体を引き出し中に、前記センサからの検出信号に基づいて、前記流体回収出口を介して前記空間から引き出される前記流体の流速を調整して、前記多孔質部材の前記表面での圧力を前記多孔質部材のバブルポイントより低く維持するように構成されたコントローラと、
を備える請求項9に記載の装置。 - 前記圧力制御システムは、前記流体回収出口の下流に配置されたバルブを備え、前記コントローラは前記バルブを制御して、前記流体回収出口を通じて前記空間から引き出される前記流体の前記流速を調整するように構成された請求項12に記載の装置。
- 前記圧力制御システムは、
前記流体回収出口に流体的に接続された回収タンクと、
前記回収タンク内の圧力を調整するように構成された可制御バキュームレギュレータとを備え、
前記コントローラは、前記可制御バキュームレギュレータを制御して、前記回収タンク内の前記圧力を制御することによって前記流体回収出口を通じて前記空間から前記回収タンクへ引き出される前記流体の前記流速を調整するように構成された請求項12に記載の装置。 - 前記内側部は介在空間によって前記外側部から離間された請求項9に記載の装置。
- 前記内側部は前記レンズと前記基板との間の前記空間の一部を形成する内側キャビティを含み、前記内側部は、前記内側キャビティに流体を導入すること及び該内側キャビティから流体を引き出すことの少なくとも一方を行うように、前記内側キャビティの上方に配置された開口を含む請求項9に記載の装置。
- 前記内側部は、前記内側キャビティ内に流体を導入するために、前記レンズ開口に関して対向する両側に配置された開口を含む請求項16に記載の装置。
- 前記内側部は、前記レンズ開口に関して対向する両側に配置された一対のバッファスロットを含む請求項9に記載の装置。
- 前記内側部はパージ孔を含み、前記一対のバッファスロットの各々は、前記パージ孔の少なくとも一つに流体的に接続された請求項18に記載の装置。
- 前記多孔質部材は、メッシュ、多孔質材、及びその内部にエッチング孔を有する部材からなる群から選択される請求項9に記載の装置。
- 終端光学素子を有し、ワークピース上に像を投影するように構成された投影光学系と、
前記像が前記ワークピース上に投影されている時に、前記投影光学系に近接して前記ワークピースを支持するように構成されたステージと、
前記終端光学素子と前記ワークピースの間の隙間であって、液浸流体で満たされるように構成された隙間と、
前記隙間に近接して位置付けられ、該隙間に存在する流体を回収するように構成された多孔質材と、
前記多孔質材上の圧力を前記多孔質材の当該バブルポイントか又はそれより低く維持するように構成された制御システムと、
を備える装置。 - 前記制御システムは、
前記多孔質部材に流体的に接続されたオーバーフローコンテナと、
前記オーバーフローコンテナ中の圧力を調節するように構成されたバキュームレギュレータと、
を備える請求項21に記載の装置。 - 前記オーバーフローコンテナに流体的に接続されるとともに、その下方に配置された回収タンクを更に備える請求項22に記載の装置。
- 前記制御システムは、
前記多孔質材に流体的に接続された流体レベルバッファと、
前記流体レベルバッファでの圧力又は流体レベルを検出するように構成されたセンサと、
前記多孔質材を介して前記空間から前記流体を引き出している間に、前記センサからの検出信号に基づいて、流体回収口を経由する前記隙間から吸引された前記流体の流速を調節して、前記多孔質材の前記表面での圧力を前記多孔質材のバブルポイントより低く維持するように構成されたコントローラと、
を備える請求項21に記載の装置。 - 前記制御システムは前記流体回収口の下流に配置されたバルブを備え、前記コントローラは、前記バルブを制御して、前記流体回収口を通じて前記空間から引き出される前記流体の前記流速を調節するように構成された請求項24に記載の装置。
- 前記制御システムは、
前記流体回収出口に流体的に接続された回収タンクと、
前記回収タンク内の圧力を調節するように構成された可制御バキュームレギュレータとを備え、
前記コントローラは、前記可制御バキュームレギュレータを制御して、前記回収タンク内の前記圧力を制御することによって前記回収タンクへ前記流体回収出口を通じて前記空
間から引き出される前記流体の前記流速を調節するように構成された請求項24に記載の装置。 - 終端光学素子を有し、ワークピース上に像を投影するように構成された投影光学系と、
前記像が前記ワークピース上に投影されている時に、前記投影光学系に近接して前記ワークピースを支持するように構成されたステージと、
前記終端光学素子と前記ワークピースの間の隙間に液浸流体を供給するように構成されたノズルとを備え、
前記ノズルは、前記隙間に前記液浸流体を保持するための内側キャビティと、前記内側キャビティから出る液浸流体を回収するための外側キャビティとを含む装置。 - 前記ノズルは、前記内側キャビティと前記外側キャビティの間に溝を更に備える請求項27に記載の装置。
- 前記ノズルは、前記外側キャビティ内に配置された多孔質部材を更に備える請求項27に記載の装置。
- 前記多孔質部材は、メッシュ、多孔質材、及びその内部にエッチング孔を有する部材からなる群から選択される請求項29に記載の装置。
- 前記内側キャビティは前記終端光学素子と前記ワークピースとの間の間隙の一部を形成し、
前記ノズルは、前記内側キャビティ内へ流体を導入すること及び該内側キャビティから流体を引き出すことの少なくとも一方を行うように、前記内側キャビティの上方に配置された開口を含む請求項27に記載の装置。 - 前記開口は前記終端光学素子に関して対向する両側に配置される請求項31に記載の装置。
- 前記ノズルは、前記ステージの前記投影光学系に対する移動方向に沿って、前記終端光学素子に関して対向する両側に配置された一対のバッファスロットを更に備える請求項27に記載の装置。
- 前記ノズルはパージ孔を更に備え、
前記一対のバッファスロットの各々は前記パージ孔の少なくとも一つに流体的に接続された請求項33に記載の装置。 - 前記流体レベルバッファに流体的に接続された流体供給器又は流体回収器を更に備える請求項12に記載の装置。
- 前記流体レベルバッファに流体的に接続された流体供給器又は流体回収器を更に備える請求項24に記載の装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US50031203P | 2003-09-03 | 2003-09-03 | |
US60/500,312 | 2003-09-03 | ||
US54132904P | 2004-02-02 | 2004-02-02 | |
US60/541,329 | 2004-02-02 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015166994A Division JP6123855B2 (ja) | 2003-09-03 | 2015-08-26 | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017069846A Division JP6447653B2 (ja) | 2003-09-03 | 2017-03-31 | 液浸リソグラフィ装置及び液浸リソグラフィ方法 |
JP2017224256A Division JP2018028701A (ja) | 2003-09-03 | 2017-11-22 | 液浸リソグラフィシステムにおいてレンズと基板との間の空間から流体を回収する方法及び液浸リソグラフィ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017016158A true JP2017016158A (ja) | 2017-01-19 |
Family
ID=34278701
Family Applications (10)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006525323A Expired - Lifetime JP4288426B2 (ja) | 2003-09-03 | 2004-07-16 | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP2008242895A Expired - Fee Related JP4894834B2 (ja) | 2003-09-03 | 2008-09-22 | 液浸リソグラフィのための装置、露光方法、及び液浸装置 |
JP2010255404A Expired - Fee Related JP5338791B2 (ja) | 2003-09-03 | 2010-11-15 | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP2012015910A Expired - Fee Related JP5435051B2 (ja) | 2003-09-03 | 2012-01-27 | 液浸リソグラフィシステム、液浸リソグラフィ方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013186437A Expired - Fee Related JP5692316B2 (ja) | 2003-09-03 | 2013-09-09 | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP2014148358A Expired - Fee Related JP5835428B2 (ja) | 2003-09-03 | 2014-07-18 | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP2015166994A Expired - Lifetime JP6123855B2 (ja) | 2003-09-03 | 2015-08-26 | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP2016200712A Ceased JP2017016158A (ja) | 2003-09-03 | 2016-10-12 | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP2017069846A Expired - Fee Related JP6447653B2 (ja) | 2003-09-03 | 2017-03-31 | 液浸リソグラフィ装置及び液浸リソグラフィ方法 |
JP2017224256A Pending JP2018028701A (ja) | 2003-09-03 | 2017-11-22 | 液浸リソグラフィシステムにおいてレンズと基板との間の空間から流体を回収する方法及び液浸リソグラフィ装置 |
Family Applications Before (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006525323A Expired - Lifetime JP4288426B2 (ja) | 2003-09-03 | 2004-07-16 | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP2008242895A Expired - Fee Related JP4894834B2 (ja) | 2003-09-03 | 2008-09-22 | 液浸リソグラフィのための装置、露光方法、及び液浸装置 |
JP2010255404A Expired - Fee Related JP5338791B2 (ja) | 2003-09-03 | 2010-11-15 | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP2012015910A Expired - Fee Related JP5435051B2 (ja) | 2003-09-03 | 2012-01-27 | 液浸リソグラフィシステム、液浸リソグラフィ方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013186437A Expired - Fee Related JP5692316B2 (ja) | 2003-09-03 | 2013-09-09 | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP2014148358A Expired - Fee Related JP5835428B2 (ja) | 2003-09-03 | 2014-07-18 | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP2015166994A Expired - Lifetime JP6123855B2 (ja) | 2003-09-03 | 2015-08-26 | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017069846A Expired - Fee Related JP6447653B2 (ja) | 2003-09-03 | 2017-03-31 | 液浸リソグラフィ装置及び液浸リソグラフィ方法 |
JP2017224256A Pending JP2018028701A (ja) | 2003-09-03 | 2017-11-22 | 液浸リソグラフィシステムにおいてレンズと基板との間の空間から流体を回収する方法及び液浸リソグラフィ装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (8) | US7292313B2 (ja) |
EP (4) | EP2960702B1 (ja) |
JP (10) | JP4288426B2 (ja) |
KR (8) | KR101748923B1 (ja) |
CN (1) | CN101430508B (ja) |
HK (2) | HK1091271A1 (ja) |
TW (6) | TWI578112B (ja) |
WO (1) | WO2005024517A2 (ja) |
Families Citing this family (201)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7367345B1 (en) * | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
SG121818A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100568101C (zh) | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
JP4362867B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7948604B2 (en) | 2002-12-10 | 2011-05-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
SG171468A1 (en) | 2002-12-10 | 2011-06-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
KR20050062665A (ko) | 2002-12-10 | 2005-06-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
US7242455B2 (en) | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
DE10261775A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
TW201908879A (zh) | 2003-02-26 | 2019-03-01 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法 |
EP1610361B1 (en) | 2003-03-25 | 2014-05-21 | Nikon Corporation | Exposure system and device production method |
WO2004090956A1 (ja) | 2003-04-07 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101177331B1 (ko) | 2003-04-09 | 2012-08-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
SG141425A1 (en) | 2003-04-10 | 2008-04-28 | Nikon Corp | Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus |
KR101177330B1 (ko) | 2003-04-10 | 2012-08-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치 |
EP2921905B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-12-27 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
JP4315198B2 (ja) | 2003-04-11 | 2009-08-19 | 株式会社ニコン | 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法 |
KR101508809B1 (ko) | 2003-04-11 | 2015-04-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법 |
JP4582089B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
JP2006523958A (ja) | 2003-04-17 | 2006-10-19 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造 |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI421906B (zh) | 2003-05-23 | 2014-01-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method |
TWI424470B (zh) | 2003-05-23 | 2014-01-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
CN100541717C (zh) | 2003-05-28 | 2009-09-16 | 株式会社尼康 | 曝光方法、曝光装置以及器件制造方法 |
TWI442694B (zh) * | 2003-05-30 | 2014-06-21 | Asml Netherlands Bv | 微影裝置及元件製造方法 |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7684008B2 (en) | 2003-06-11 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP3401946A1 (en) | 2003-06-13 | 2018-11-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
KR101146962B1 (ko) | 2003-06-19 | 2012-05-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
EP2466382B1 (en) | 2003-07-08 | 2014-11-26 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
WO2005006418A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP2264531B1 (en) | 2003-07-09 | 2013-01-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
WO2005006416A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
EP1650787A4 (en) | 2003-07-25 | 2007-09-19 | Nikon Corp | INVESTIGATION METHOD AND INVESTIGATION DEVICE FOR AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM |
EP1503244A1 (en) | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
EP2264534B1 (en) | 2003-07-28 | 2013-07-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus |
US7175968B2 (en) | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG145780A1 (en) | 2003-08-29 | 2008-09-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device fabricating method |
KR101748923B1 (ko) * | 2003-09-03 | 2017-06-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
JP4378136B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2005029559A1 (ja) | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101421398B1 (ko) | 2003-09-29 | 2014-07-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
KR101111364B1 (ko) | 2003-10-08 | 2012-02-27 | 가부시키가이샤 자오 니콘 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광방법, 디바이스 제조 방법 |
KR20060126949A (ko) | 2003-10-08 | 2006-12-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법 |
TW201738932A (zh) | 2003-10-09 | 2017-11-01 | Nippon Kogaku Kk | 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法 |
US7411653B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7352433B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005041276A1 (ja) | 2003-10-28 | 2005-05-06 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法 |
JP4295712B2 (ja) | 2003-11-14 | 2009-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
TWI470371B (zh) | 2003-12-03 | 2015-01-21 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, an exposure method, an element manufacturing method, and an optical component |
KR101499405B1 (ko) | 2003-12-15 | 2015-03-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1706793B1 (en) | 2004-01-20 | 2010-03-03 | Carl Zeiss SMT AG | Exposure apparatus and measuring device for a projection lens |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2005076321A1 (ja) | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
TWI402893B (zh) | 2004-03-25 | 2013-07-21 | 尼康股份有限公司 | 曝光方法 |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2490248A3 (en) * | 2004-04-19 | 2018-01-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
EP1747499A2 (en) | 2004-05-04 | 2007-01-31 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005119368A2 (en) | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Carl Zeiss Smt Ag | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
EP2966670B1 (en) | 2004-06-09 | 2017-02-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US8508713B2 (en) | 2004-06-10 | 2013-08-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8717533B2 (en) | 2004-06-10 | 2014-05-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8373843B2 (en) | 2004-06-10 | 2013-02-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
EP3067750B1 (en) | 2004-06-10 | 2019-01-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
JP4543767B2 (ja) * | 2004-06-10 | 2010-09-15 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR20180072867A (ko) | 2004-06-10 | 2018-06-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US7481867B2 (en) | 2004-06-16 | 2009-01-27 | Edwards Limited | Vacuum system for immersion photolithography |
EP1756663B1 (en) | 2004-06-17 | 2015-12-16 | Nikon Corporation | Fluid pressure compensation for immersion lithography lens |
WO2006007111A2 (en) | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Nikon Corporation | A dynamic fluid control system for immersion lithography |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
ATE441937T1 (de) | 2004-07-12 | 2009-09-15 | Nikon Corp | Belichtungsgerät und bauelemente- herstellungsverfahren |
EP1801853A4 (en) | 2004-08-18 | 2008-06-04 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG10201802153XA (en) | 2004-09-17 | 2018-05-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing device |
US7522261B2 (en) | 2004-09-24 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7379155B2 (en) | 2004-10-18 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7423720B2 (en) | 2004-11-12 | 2008-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411657B2 (en) | 2004-11-17 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7397533B2 (en) * | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7365827B2 (en) | 2004-12-08 | 2008-04-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7352440B2 (en) | 2004-12-10 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
US7528931B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7880860B2 (en) | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7405805B2 (en) | 2004-12-28 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1681597B1 (en) | 2005-01-14 | 2010-03-10 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124351A1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2506289A3 (en) | 2005-01-31 | 2013-05-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for manufacturing device |
US8692973B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
US8859188B2 (en) | 2005-02-10 | 2014-10-14 | Asml Netherlands B.V. | Immersion liquid, exposure apparatus, and exposure process |
US8018573B2 (en) | 2005-02-22 | 2011-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7282701B2 (en) | 2005-02-28 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Sensor for use in a lithographic apparatus |
US7428038B2 (en) | 2005-02-28 | 2008-09-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid |
US7324185B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4072543B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2008-04-09 | キヤノン株式会社 | 液浸露光装置及びデバイス製造方法 |
US7411654B2 (en) | 2005-04-05 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4872916B2 (ja) * | 2005-04-18 | 2012-02-08 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US7433016B2 (en) | 2005-05-03 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8248577B2 (en) | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7652746B2 (en) | 2005-06-21 | 2010-01-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7468779B2 (en) * | 2005-06-28 | 2008-12-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7834974B2 (en) | 2005-06-28 | 2010-11-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7474379B2 (en) * | 2005-06-28 | 2009-01-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8054445B2 (en) | 2005-08-16 | 2011-11-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7751026B2 (en) | 2005-08-25 | 2010-07-06 | Nikon Corporation | Apparatus and method for recovering fluid for immersion lithography |
US7580112B2 (en) | 2005-08-25 | 2009-08-25 | Nikon Corporation | Containment system for immersion fluid in an immersion lithography apparatus |
US7411658B2 (en) | 2005-10-06 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7929109B2 (en) | 2005-10-20 | 2011-04-19 | Nikon Corporation | Apparatus and method for recovering liquid droplets in immersion lithography |
JPWO2007055373A1 (ja) | 2005-11-14 | 2009-04-30 | 株式会社ニコン | 液体回収部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US7804577B2 (en) * | 2005-11-16 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7864292B2 (en) | 2005-11-16 | 2011-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2007201252A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US8045134B2 (en) | 2006-03-13 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method |
WO2007105645A1 (ja) | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Nikon Corporation | 露光装置、メンテナンス方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP4889331B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2012-03-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2007118014A2 (en) | 2006-04-03 | 2007-10-18 | Nikon Corporation | Incidence surfaces and optical windows that are solvophobic to immersion liquids |
US9477158B2 (en) | 2006-04-14 | 2016-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102006021797A1 (de) | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung |
KR101486086B1 (ko) | 2006-05-10 | 2015-01-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US20070273856A1 (en) * | 2006-05-25 | 2007-11-29 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for inhibiting immersion liquid from flowing below a substrate |
US7532309B2 (en) | 2006-06-06 | 2009-05-12 | Nikon Corporation | Immersion lithography system and method having an immersion fluid containment plate for submerging the substrate to be imaged in immersion fluid |
US20080043211A1 (en) * | 2006-08-21 | 2008-02-21 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography |
US7872730B2 (en) | 2006-09-15 | 2011-01-18 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method |
JP5120377B2 (ja) | 2006-09-29 | 2013-01-16 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US20080100812A1 (en) * | 2006-10-26 | 2008-05-01 | Nikon Corporation | Immersion lithography system and method having a wafer chuck made of a porous material |
US8253922B2 (en) | 2006-11-03 | 2012-08-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography system using a sealed wafer bath |
US8208116B2 (en) | 2006-11-03 | 2012-06-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography system using a sealed wafer bath |
JP5055971B2 (ja) | 2006-11-16 | 2012-10-24 | 株式会社ニコン | 表面処理方法及び表面処理装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US8045135B2 (en) | 2006-11-22 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method |
US8068208B2 (en) * | 2006-12-01 | 2011-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for improving immersion scanner overlay performance |
US8634053B2 (en) | 2006-12-07 | 2014-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9632425B2 (en) | 2006-12-07 | 2017-04-25 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface |
US8004651B2 (en) | 2007-01-23 | 2011-08-23 | Nikon Corporation | Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method |
US8237911B2 (en) | 2007-03-15 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine |
US20080225248A1 (en) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Nikon Corporation | Apparatus, systems and methods for removing liquid from workpiece during workpiece processing |
US8068209B2 (en) | 2007-03-23 | 2011-11-29 | Nikon Corporation | Nozzle to help reduce the escape of immersion liquid from an immersion lithography tool |
US8134685B2 (en) | 2007-03-23 | 2012-03-13 | Nikon Corporation | Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method |
US20080231823A1 (en) * | 2007-03-23 | 2008-09-25 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for reducing the escape of immersion liquid from immersion lithography apparatus |
US8947629B2 (en) | 2007-05-04 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US7900641B2 (en) | 2007-05-04 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
US8300207B2 (en) | 2007-05-17 | 2012-10-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, immersion system, exposing method, and device fabricating method |
US20090122282A1 (en) * | 2007-05-21 | 2009-05-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, liquid immersion system, exposing method, and device fabricating method |
US8164736B2 (en) | 2007-05-29 | 2012-04-24 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
US7576833B2 (en) * | 2007-06-28 | 2009-08-18 | Nikon Corporation | Gas curtain type immersion lithography tool using porous material for fluid removal |
US8681308B2 (en) * | 2007-09-13 | 2014-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP5369443B2 (ja) | 2008-02-05 | 2013-12-18 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US8610873B2 (en) * | 2008-03-17 | 2013-12-17 | Nikon Corporation | Immersion lithography apparatus and method having movable liquid diverter between immersion liquid confinement member and substrate |
US8289497B2 (en) | 2008-03-18 | 2012-10-16 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography |
US8233139B2 (en) * | 2008-03-27 | 2012-07-31 | Nikon Corporation | Immersion system, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
US8421993B2 (en) * | 2008-05-08 | 2013-04-16 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2131241B1 (en) * | 2008-05-08 | 2019-07-31 | ASML Netherlands B.V. | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP5097166B2 (ja) * | 2008-05-28 | 2012-12-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置の動作方法 |
US20100045949A1 (en) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, maintaining method and device fabricating method |
NL2003226A (en) * | 2008-08-19 | 2010-03-09 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, drying device, metrology apparatus and device manufacturing method. |
JP2010098172A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Canon Inc | 液体回収装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
US8634055B2 (en) * | 2008-10-22 | 2014-01-21 | Nikon Corporation | Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials |
US8477284B2 (en) * | 2008-10-22 | 2013-07-02 | Nikon Corporation | Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials |
WO2010050240A1 (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP5001343B2 (ja) | 2008-12-11 | 2012-08-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 流体抽出システム、液浸リソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置で使用される液浸液の圧力変動を低減する方法 |
US8896806B2 (en) * | 2008-12-29 | 2014-11-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US20100196832A1 (en) | 2009-01-30 | 2010-08-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, liquid immersion member and device fabricating method |
US20100220301A1 (en) * | 2009-02-27 | 2010-09-02 | Nikon Corporation | Apparatus and method to control liquid stagnation in immersion liquid recovery |
KR101712219B1 (ko) | 2009-03-10 | 2017-03-03 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
US8953143B2 (en) * | 2009-04-24 | 2015-02-10 | Nikon Corporation | Liquid immersion member |
US20100323303A1 (en) * | 2009-05-15 | 2010-12-23 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
JP5016705B2 (ja) * | 2009-06-09 | 2012-09-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 流体ハンドリング構造 |
JP2011013321A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Hoya Corp | フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び塗布装置 |
NL2005207A (en) | 2009-09-28 | 2011-03-29 | Asml Netherlands Bv | Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2005610A (en) | 2009-12-02 | 2011-06-06 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and surface cleaning method. |
US20110222031A1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
US20120012191A1 (en) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid recovery apparatus, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120188521A1 (en) | 2010-12-27 | 2012-07-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program and storage medium |
US9329496B2 (en) | 2011-07-21 | 2016-05-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, method of manufacturing device, program, and storage medium |
US20130135594A1 (en) | 2011-11-25 | 2013-05-30 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US20130169944A1 (en) | 2011-12-28 | 2013-07-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US9323160B2 (en) | 2012-04-10 | 2016-04-26 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposure method, device fabricating method, program, and recording medium |
US9823580B2 (en) | 2012-07-20 | 2017-11-21 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium |
US9568828B2 (en) | 2012-10-12 | 2017-02-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US9494870B2 (en) | 2012-10-12 | 2016-11-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium |
CN102937777B (zh) * | 2012-11-12 | 2014-07-30 | 浙江大学 | 用于浸没式光刻机的气密封和气液隔离装置 |
JP6119242B2 (ja) | 2012-12-27 | 2017-04-26 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US9720331B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-08-01 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium |
US9651873B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-05-16 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium |
JP6369472B2 (ja) | 2013-10-08 | 2018-08-08 | 株式会社ニコン | 液浸部材、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
KR102288916B1 (ko) | 2014-12-19 | 2021-08-12 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 유체 핸들링 구조체, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
TWI557274B (zh) * | 2016-04-11 | 2016-11-11 | 嘉聯益科技股份有限公司 | 基材蝕刻處理方法 |
KR102446678B1 (ko) * | 2017-12-15 | 2022-09-23 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 유체 핸들링 구조체, 리소그래피 장치, 유체 핸들링 구조체를 사용하는 방법 및 리소그래피 장치를 사용하는 방법 |
US11007526B2 (en) * | 2018-07-06 | 2021-05-18 | Qorvo Us, Inc. | Capless sample well port for a cartridge |
US10877378B2 (en) * | 2018-09-28 | 2020-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Vessel for extreme ultraviolet radiation source |
KR20210011086A (ko) * | 2019-07-22 | 2021-02-01 | 엘지전자 주식회사 | 급수 레벨 검출 장치 및 방법 |
US10948830B1 (en) | 2019-12-23 | 2021-03-16 | Waymo Llc | Systems and methods for lithography |
CN112558432B (zh) * | 2020-12-18 | 2022-07-15 | 浙江启尔机电技术有限公司 | 一种浸液供给系统及其浸没流场撤除方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06168866A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-14 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH07112102A (ja) * | 1993-10-15 | 1995-05-02 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 気液分離装置 |
WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2002526853A (ja) * | 1998-10-08 | 2002-08-20 | モット・メタラージカル・コーポレーション | 流体流制御 |
JP2004289126A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2005045223A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-02-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ機器及びデバイスの製造方法 |
JP4288426B2 (ja) * | 2003-09-03 | 2009-07-01 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP4650413B2 (ja) * | 2003-04-10 | 2011-03-16 | 株式会社ニコン | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
JP4775256B2 (ja) * | 2003-04-10 | 2011-09-21 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用の減圧排出を含む環境システム |
Family Cites Families (193)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
EP0023231B1 (de) * | 1979-07-27 | 1982-08-11 | Tabarelli, Werner, Dr. | Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe |
FR2474708B1 (fr) * | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) * | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) * | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH056417A (ja) * | 1991-06-20 | 1993-01-14 | Hitachi Ltd | 図形指定システム |
JP2919649B2 (ja) * | 1991-06-27 | 1999-07-12 | 富士写真フイルム株式会社 | 画像処理装置 |
JPH0520299A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Chubu Nippon Denki Software Kk | カナキー項目の作成処理方式 |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US6001189A (en) * | 1996-09-30 | 1999-12-14 | Micron Technology, Inc. | Method for reducing gaseous species of contamination in wet processes |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
CN1144263C (zh) | 1996-11-28 | 2004-03-31 | 株式会社尼康 | 曝光装置以及曝光方法 |
USRE40043E1 (en) | 1997-03-10 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Positioning device having two object holders |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH11176727A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP2000058436A (ja) * | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
US6995930B2 (en) | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7187503B2 (en) | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
KR20020006369A (ko) * | 2000-07-12 | 2002-01-19 | 김광교 | 약액 회수 시스템 및 회수 방법 |
TW591653B (en) * | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
US6488039B1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-12-03 | Chartered Semiconductor Manufacturing | State of the art constant flow device |
KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
US20020163629A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
TW525303B (en) * | 2001-06-06 | 2003-03-21 | Macronix Int Co Ltd | MOS transistor and method for producing the same |
US6954255B2 (en) | 2001-06-15 | 2005-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
KR20030025436A (ko) * | 2001-09-20 | 2003-03-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조용 포토레지스트 공급시스템 |
KR20030070391A (ko) * | 2002-02-25 | 2003-08-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 제조 공정에서의 캐미컬 공급 시스템 및 그 제어방법 |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
US7092069B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
US7362508B2 (en) | 2002-08-23 | 2008-04-22 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
US7383843B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
US7252097B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-08-07 | Lam Research Corporation | System and method for integrating in-situ metrology within a wafer process |
US6988326B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
US6988327B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
CN101424881B (zh) | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100568101C (zh) | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
EP2495613B1 (en) * | 2002-11-12 | 2013-07-31 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10253679A1 (de) | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
DE10258718A1 (de) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
JP4362867B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR20050062665A (ko) | 2002-12-10 | 2005-06-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
EP1429190B1 (en) | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
JP4184346B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2008-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去 |
US7010958B2 (en) | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
KR100971440B1 (ko) | 2002-12-19 | 2010-07-21 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 레이어 상의 스폿을 조사하기 위한 방법 및 장치 |
DE60307322T2 (de) | 2002-12-19 | 2007-10-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts |
US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
US7090964B2 (en) | 2003-02-21 | 2006-08-15 | Asml Holding N.V. | Lithographic printing with polarized light |
JP4352930B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
TW201908879A (zh) | 2003-02-26 | 2019-03-01 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法 |
US7206059B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US6943941B2 (en) | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7029832B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
WO2004090956A1 (ja) | 2003-04-07 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101177331B1 (ko) | 2003-04-09 | 2012-08-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
WO2004090633A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
EP2921905B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-12-27 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
JP4315198B2 (ja) | 2003-04-11 | 2009-08-19 | 株式会社ニコン | 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法 |
JP4582089B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
JP2004320016A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Nikon Corp | 液浸リソグラフィシステム |
KR101508809B1 (ko) | 2003-04-11 | 2015-04-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법 |
JP2006523958A (ja) | 2003-04-17 | 2006-10-19 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造 |
JP4025683B2 (ja) | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
JP4146755B2 (ja) | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
EP1477856A1 (en) * | 2003-05-13 | 2004-11-17 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6995833B2 (en) | 2003-05-23 | 2006-02-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2004349645A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Sony Corp | 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法 |
TWI442694B (zh) | 2003-05-30 | 2014-06-21 | Asml Netherlands Bv | 微影裝置及元件製造方法 |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7684008B2 (en) * | 2003-06-11 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4084710B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4054285B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6867844B2 (en) * | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP4029064B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084712B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP2005019616A (ja) | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
JP4343597B2 (ja) | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
DE60308161T2 (de) | 2003-06-27 | 2007-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
JP3862678B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1494074A1 (en) | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1639391A4 (en) | 2003-07-01 | 2009-04-29 | Nikon Corp | USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS |
WO2005006418A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP2264531B1 (en) | 2003-07-09 | 2013-01-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
EP1646074A4 (en) | 2003-07-09 | 2007-10-03 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE |
JP4729876B2 (ja) * | 2003-07-09 | 2011-07-20 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US7738074B2 (en) | 2003-07-16 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
EP1500982A1 (en) | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005045082A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Sony Corp | 露光装置 |
US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7326522B2 (en) | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
US7175968B2 (en) | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
EP1503244A1 (en) | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7700267B2 (en) | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
US7579135B2 (en) | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7061578B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
KR101613384B1 (ko) | 2003-08-21 | 2016-04-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
US6954256B2 (en) | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7014966B2 (en) | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
JP4378136B2 (ja) | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6961186B2 (en) | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
US7369217B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
US7678527B2 (en) | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
WO2005041276A1 (ja) | 2003-10-28 | 2005-05-06 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法 |
JP2007525824A (ja) | 2003-11-05 | 2007-09-06 | ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ. | マイクロチップを製造するための方法および装置 |
US7924397B2 (en) | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
WO2005054953A2 (en) | 2003-11-24 | 2005-06-16 | Carl-Zeiss Smt Ag | Holding device for an optical element in an objective |
US7545481B2 (en) | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7125652B2 (en) | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
WO2005059654A1 (en) | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens |
WO2005106589A1 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore |
KR101200654B1 (ko) | 2003-12-15 | 2012-11-12 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 고 개구율 및 평평한 단부면을 가진 투사 대물렌즈 |
US7460206B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
US20050185269A1 (en) | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
JP5102492B2 (ja) | 2003-12-19 | 2012-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ |
US7589818B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7119884B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050147920A1 (en) | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
US7088422B2 (en) | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
JP4371822B2 (ja) | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4429023B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050153424A1 (en) | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
CN102169226B (zh) | 2004-01-14 | 2014-04-23 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 反射折射投影物镜 |
US8279524B2 (en) | 2004-01-16 | 2012-10-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarization-modulating optical element |
WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
EP1706793B1 (en) * | 2004-01-20 | 2010-03-03 | Carl Zeiss SMT AG | Exposure apparatus and measuring device for a projection lens |
US7026259B2 (en) | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
US7391501B2 (en) | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
EP1723467A2 (en) | 2004-02-03 | 2006-11-22 | Rochester Institute of Technology | Method of photolithography using a fluid and a system thereof |
EP1716454A1 (en) | 2004-02-09 | 2006-11-02 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
US7050146B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2007522508A (ja) | 2004-02-13 | 2007-08-09 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィック投影露光装置のための投影対物レンズ |
WO2005081030A1 (en) | 2004-02-18 | 2005-09-01 | Corning Incorporated | Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light |
US20050205108A1 (en) | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
US7027125B2 (en) | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
US7084960B2 (en) | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
US7034917B2 (en) | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7227619B2 (en) | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7295283B2 (en) | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005098504A1 (en) | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2490248A3 (en) * | 2004-04-19 | 2018-01-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US7271878B2 (en) | 2004-04-22 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Wafer cell for immersion lithography |
US7244665B2 (en) | 2004-04-29 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Wafer edge ring structures and methods of formation |
US7379159B2 (en) | 2004-05-03 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1747499A2 (en) | 2004-05-04 | 2007-01-31 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7091502B2 (en) | 2004-05-12 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
KR101213831B1 (ko) | 2004-05-17 | 2012-12-24 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈 |
US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005119368A2 (en) | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Carl Zeiss Smt Ag | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
US8605257B2 (en) | 2004-06-04 | 2013-12-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection system with compensation of intensity variations and compensation element therefor |
JP4655763B2 (ja) * | 2004-06-04 | 2011-03-23 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP4515335B2 (ja) * | 2004-06-10 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、ノズル部材、及びデバイス製造方法 |
KR20180072867A (ko) * | 2004-06-10 | 2018-06-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US7481867B2 (en) * | 2004-06-16 | 2009-01-27 | Edwards Limited | Vacuum system for immersion photolithography |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7133114B2 (en) | 2004-09-20 | 2006-11-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7379155B2 (en) * | 2004-10-18 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1681597B1 (en) | 2005-01-14 | 2010-03-10 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7804577B2 (en) | 2005-11-16 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US20080003069A1 (en) * | 2006-06-16 | 2008-01-03 | Harper David J | Apparatus and method for removing inner member of plastic pipe joint |
US7576833B2 (en) * | 2007-06-28 | 2009-08-18 | Nikon Corporation | Gas curtain type immersion lithography tool using porous material for fluid removal |
-
2004
- 2004-07-16 KR KR1020147029538A patent/KR101748923B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-16 EP EP15158998.3A patent/EP2960702B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-07-16 KR KR1020177015903A patent/KR20170070264A/ko active IP Right Grant
- 2004-07-16 EP EP16207513.9A patent/EP3223053A1/en not_active Withdrawn
- 2004-07-16 CN CN2008100922579A patent/CN101430508B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-16 EP EP17156010.5A patent/EP3223074A1/en not_active Withdrawn
- 2004-07-16 KR KR1020117019694A patent/KR101288140B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-16 KR KR1020127020883A patent/KR101308826B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-16 JP JP2006525323A patent/JP4288426B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-07-16 KR KR1020147005373A patent/KR101523180B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-16 KR KR1020137016869A patent/KR101590686B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-16 WO PCT/US2004/022915 patent/WO2005024517A2/en active Application Filing
- 2004-07-16 KR KR1020117024246A patent/KR101371917B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-16 KR KR1020067003381A patent/KR101238114B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-16 EP EP04778426.9A patent/EP1660925B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-09-03 TW TW103140760A patent/TWI578112B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-09-03 TW TW107110311A patent/TW201827944A/zh unknown
- 2004-09-03 TW TW101118936A patent/TWI489221B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-09-03 TW TW105134272A patent/TW201708974A/zh unknown
- 2004-09-03 TW TW100146764A patent/TWI475332B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-09-03 TW TW093126654A patent/TWI362567B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-02-28 US US11/362,833 patent/US7292313B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2006-11-24 HK HK06112925.9A patent/HK1091271A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-04-24 US US11/790,233 patent/US20070195303A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-09-22 JP JP2008242895A patent/JP4894834B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-08-05 US US12/461,243 patent/US8520187B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-11-15 JP JP2010255404A patent/JP5338791B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-01-27 JP JP2012015910A patent/JP5435051B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-07-17 US US13/944,281 patent/US8896807B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-09-09 JP JP2013186437A patent/JP5692316B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-07-18 JP JP2014148358A patent/JP5835428B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-10-21 US US14/519,573 patent/US9547243B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-08-26 JP JP2015166994A patent/JP6123855B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2016
- 2016-02-26 HK HK16102215.7A patent/HK1214367A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-10-12 JP JP2016200712A patent/JP2017016158A/ja not_active Ceased
- 2016-12-29 US US15/394,016 patent/US9817319B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-03-31 JP JP2017069846A patent/JP6447653B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2017-10-18 US US15/786,758 patent/US10203610B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2017-11-22 JP JP2017224256A patent/JP2018028701A/ja active Pending
-
2019
- 2019-01-03 US US16/238,887 patent/US20190137888A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06168866A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-14 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH07112102A (ja) * | 1993-10-15 | 1995-05-02 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 気液分離装置 |
WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2002526853A (ja) * | 1998-10-08 | 2002-08-20 | モット・メタラージカル・コーポレーション | 流体流制御 |
JP2004289126A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP5088388B2 (ja) * | 2003-04-10 | 2012-12-05 | 株式会社ニコン | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
JP4650413B2 (ja) * | 2003-04-10 | 2011-03-16 | 株式会社ニコン | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
JP4775256B2 (ja) * | 2003-04-10 | 2011-09-21 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用の減圧排出を含む環境システム |
JP2005045223A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-02-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ機器及びデバイスの製造方法 |
JP4288426B2 (ja) * | 2003-09-03 | 2009-07-01 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP5338791B2 (ja) * | 2003-09-03 | 2013-11-13 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP5435051B2 (ja) * | 2003-09-03 | 2014-03-05 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィシステム、液浸リソグラフィ方法、及びデバイス製造方法 |
JP2016026309A (ja) * | 2003-09-03 | 2016-02-12 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP6123855B2 (ja) * | 2003-09-03 | 2017-05-10 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP6447653B2 (ja) * | 2003-09-03 | 2019-01-09 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置及び液浸リソグラフィ方法 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6447653B2 (ja) | 液浸リソグラフィ装置及び液浸リソグラフィ方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161110 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20170725 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170919 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171122 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20180112 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20180115 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20180124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180508 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180525 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180905 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190205 |
|
A045 | Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045 Effective date: 20190625 |