TW201512792A - 提供流體用於浸液微影的裝置及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的實施例係指向控制流體流動及壓力來提供用於浸液式微影之穩定狀況的一種系統及一種方法。在該浸液式微影的製程期間，一種流體係被提供在一個介於該鏡片與該基材之間的空間之中。流體係被供應到該空間並且係從該空間處經由一個多孔構件而被回收，而該多孔構件係以流體的方式與該空間相連通。將該多孔構件之中的壓力維持在該多孔構件之起泡點之下係可以消除藉著在流體的回收期間混合空氣與該流體所產生的噪音。在一個實施例之中，該方法係包含有以下的步驟：經由一個回收流體管線將流體通過一個多孔構件而從該空間處被抽出；以及，在將流體從該空間處抽出期間，將在該多孔構件中之流體的一個壓力維持在該多孔構件的一個起泡點之下。

Description

提供流體用於浸液微影的裝置及方法 [相關申請案之交互參照]
本申請案係基於且主張2003年9月3日提出申請之美國臨時申請案第60/500,312號、以及在2004年2月2日提出申請之美國臨時申請案第60/541,329號的利益，該二個申請案的全部揭示內容係加入本文以做為參考。
本發明大體上係相關於用於提供用於浸液微影術之流體的一種裝置及一種方法，更特別的是，用於控制流體流動及壓力來提供用於浸液微影術之穩定狀況的一種裝置及一種方法。
曝光裝置是通常被使用來在半導體製程期間將圖像從一個標線板轉換到一個半導體晶圓上之一種類型的精密組件。一個典型的曝光裝置係包括有一個照明來源、一個保持著一個標線板的標線板台架、一個光學組件、一個保持著一個半導體晶圓的晶圓台架組件、一個測量系統以及一個控制系統。覆蓋著抗蝕劑的晶圓係被放置在從一個具有圖案之遮罩發散出的放射路徑中，並且藉著放射線被曝光。當抗蝕劑被發展出來時，遮罩的圖案會被轉移到晶圓上。在顯微鏡學上，極限的紫外線(EUV)放 射係經由一個薄樣本被傳送到一個抗蝕劑覆蓋的板件處。當抗蝕劑被發展出來時，係會留下一種關於該樣本之結構的形貌形狀。
浸液式微影術是一種可以藉著容許以大於1的數值孔徑(NA)(其對傳統式的“乾式”系統來說為理論上的最大值)來進行曝光以增強投影式微影術之分辨率的技術。藉著填充介於最後之光學元件與抗蝕劑塗覆之目標(亦即，晶圓)之間的空間，浸液微影術係容許能夠藉著在其他方面會在一個光學鏡片-空氣介面處被內部全反射的光線曝光。具有與浸液液體一樣大之指數(或是抗蝕劑或鏡片材料的指數，不管哪一個是最小的)的數值孔徑是有可能的。與具有相同數值孔徑的乾式系統相較，液體浸液也會藉著該浸液液體的指數而增加晶圓的焦點深度(亦即，在晶圓之垂直方向中可以容忍的錯誤)。浸液式微影術因此具有能夠提供等於從248到193nm之移位之增強分辨率的可能性。然而，與在曝光波長中之一種移位所不同的是，採用浸液的方式將不會需要發展出新的光源、光學材料或是塗層，並且使用與傳統式微影術相同或相似而具有相同波長的抗蝕劑應該是容許的。在一種其中僅有最後的光學元件及其殼體以及晶圓(或許以及該晶圓台)會與浸液流體相接觸的浸液系統之中，許多為了在該領域中之傳統式工具所發展出來的技術及設計(像是污染控制)可以直接繼續被應用到浸液微影術。
浸液微影術的其中一項挑戰是設計出一種用於在最後的光學元件與該晶圓之間運送及回收一種流體(像是水)的系統，以便於提供浸液微影術的一種定狀況。
10‧‧‧浸液微影系統
12‧‧‧標線板台架
14‧‧‧投射鏡片
16‧‧‧晶圓
18‧‧‧晶圓台架
20‧‧‧浸液裝置/噴嘴
20’‧‧‧噴嘴
22‧‧‧最後光學元件
30‧‧‧外部部件
32‧‧‧內部部件
33‧‧‧平坦部位
34‧‧‧內部空穴
38‧‧‧開孔
40‧‧‧緩衝器或緩衝器狹縫
42‧‧‧凈化洞孔
44‧‧‧掃描方向
48‧‧‧中間間隔或溝槽
50‧‧‧流體回收開口
51‧‧‧多孔構件
53‧‧‧狹縫或外部空穴
56‧‧‧流體緩衝器出口
58‧‧‧流體回收出口
102‧‧‧真空調節器
104‧‧‧溢流容器或溢流箱
106‧‧‧回收流動管線
108‧‧‧虹吸管線
110‧‧‧收集箱
112‧‧‧流動路徑
120‧‧‧壓力控制系統
122‧‧‧真空調節器
124‧‧‧水位緩衝器
126‧‧‧緩衝器流動管線
128‧‧‧壓力變換器或水位感測器
130‧‧‧反饋控制裝置
132‧‧‧閥
134‧‧‧回收流體管線
136‧‧‧收集箱
138‧‧‧高度真空調節器
140‧‧‧開/關閥
160‧‧‧壓力控制系統
162‧‧‧真空調節器
180‧‧‧壓力控制系統
182‧‧‧水供應裝置或水回收裝置
圖1為概略地顯示出根據本發明實施例之一個浸液微影系統的簡化平面視圖；圖2為用於根據本發明實施例之浸液微影系統之流體運送及回收的一個噴嘴的立體圖；圖3為圖2之噴嘴的簡化剖面視圖；圖4為圖2之噴嘴之內部部件的剖面視圖；圖5為根據本發明另一個實施例之一個噴嘴的簡化剖面圖；圖6為概略地顯示出一個壓力控制系統的簡化視圖，該壓力控制系統係用於在一個根據本發明之一個實施例之浸液微影系統中的流體回收；圖7為概略地顯示出一個壓力控制系統的簡化視圖，該壓力控制系統係用於在一個根據本發明之另一個實施例之浸液微影系統中的流體回收；圖8為概略地顯示出一個壓力控制系統的簡化視圖，該壓力控制系統係用於在一個根據本發明之另一個實施例之浸液微影系統中的流體回收；以及圖9為概略地顯示出一個壓力控制系統的簡化視圖，該壓力控制系統係用於在一個根據本發明之另一個實施例之浸液微影系統中的流體回收，且該浸液微影系統係具有防止水之停滯的裝置。
本發明之進一步細節及優點將自以下參考附加圖式對若干非限制性實施例之詳細描述顯而易見。
圖1係顯示出一個浸液微影系統10，該系統包括有一個其上係支撐著一個標線板的標線板台架12、一個投射鏡片14、以及一個晶圓 16，該晶圓係被支撐在一個晶圓台架18上。一個浸液裝置20(其在本文中有時係被稱為一個蓮蓬頭或是一個噴嘴)係被配置在該投射鏡片14的最後光學元件22周圍，用以在該最後光學元件22與該晶圓16之間提供並且回收流體，該流體可以是一種像是水或是一種氣體的液體。在目前的實施例之中，在該浸液微影系統10之中，在一個掃描曝光期間，該標線板及該晶圓16係在各自的掃描方向中被同步地移動。
圖2及圖3係顯示出用於浸液微影術之在最後的光學元件22與該晶圓16之間運送或回收流體的裝置或是噴嘴20。圖2係顯示出該噴嘴20的仰視立體圖，該噴嘴係包括有一個外部部件30及一個內部部件32。該內部部件32係界定出一個內部空穴34，用以在最後的光學元件22與該晶圓16之間接收流體。該內部部件32係包括有用於流入及流出該內部空穴34之流體的開孔38。如同可以從圖2之中看出的，其中係有被配置在該最後光學元件22之二個側邊上的開孔38。該內部部件32具有一個圍繞著該內部空穴34的平坦部位33。該平坦部位33係實質上平行於該晶圓16。介於該最後光學元件22的端部表面與該晶圓16之間的距離D1係大於介於該平坦部位33與該晶圓16之間的距離D2。距離D1可以是1.0到5.0mm，並且距離D2可以是0.2到2.0mm。在另一個實施例之中，距離D1係實質上等於距離D2。該內部部件32更包括有一對帶有凈化洞孔42的緩衝器或是緩衝器狹縫40。該等緩衝器40係被配置在或是接近該平坦部位33處。該等緩衝器40係被配置在最後光學元件22的相對側邊上。內部部件32在掃描方向44上的一個剖面視圖係被顯示在圖4之中。
該外部部件30係從該內部部件32處被隔開一個中間間隔或 是溝槽48，該溝槽可以被稱作為一個大氣溝槽。該外部部件30包括有一個或多個被配置在該最後光學元件22之相對側邊上的流體回收開口50。一個多孔構件51係被配置在一個狹縫或是外部空穴53之中，其中，該狹縫或是外部空穴係在該內部部件32周圍延伸並且以流體的方式與該等流體回收開口50相連通。該多孔構件51可以是一個網篩或是可以是以一種具有洞孔的多孔材料所形成者，其中，該洞孔的的尺寸範圍一般是在大約50到200微米。舉例來說，該多孔構件51可以是一種包括有以金屬、塑膠、或是類似物製成之編織件或是材料層的纜線網篩、一種多孔金屬、一種多孔玻璃、一種多孔塑膠、一種多孔陶瓷、或是具有化學蝕刻(例如，藉著照相蝕刻)洞孔的材料薄片。該外部部件30更包括有一個流體緩衝器出口56以及一個流體回收出口58。在另一個如同可以從圖5看到之噴嘴20’的實施例之中，該內部部件32並不會接觸最後的光學元件22或是與該元件形成一個密封，而是會從該最後的光學元件22處分隔開。該空隙係防止了噴嘴的震動被傳送到該最後的光學元件22。然而，該空隙可以容許流體被暴露到空氣中。
該噴嘴20的一個特徵是，其係被製作成二個部件，易言之， 該外部部件30及該內部部件32。該內部部件32係維持著介於鏡片與晶圓表面之間的流體，並且該內部部件30主要是提供用於流體的回收。震動可以在流體的回收期間從該外部部件30處經由該多孔構件51被引導到微影系統的其他元件處，包括有可以被使用於將一種自動聚焦光束引導到該晶圓16的內部部件32。一個阻尼材料可以被裝設在該外部部件30與該外部部件30所裝設之裝設用元件之間，用以將來自於該外部部件30之震動的傳輸作用減小到最小的程度。除此之外，包括有該多孔構件的外部部件30可以具 有污染的傾向，並且因此必須被更換或是維修。使該外部部件30成為一種個別的部件係有助於較容易的維修。其也可以將在要相對於更換整個噴嘴20而將外部部件更換之後的重新調整以及重新校準的時間減小到最小的程度。如果該噴嘴20被製作成二個分開的部件的話，也可以增進該噴嘴20的可製造性。所了解的是，在替代的實施例之中，該噴嘴20可以被製作成一個單獨的部件。
該噴嘴20的另一個特徵是介於該內部部件32與該外部部件 30之間的大氣溝槽48。這個大氣溝槽48係作用如同一個斷裂邊緣，用以防止如果流體的回收速率比流體的供應速率更快的話在該內部部件30之中的流體被位於該外部部件30上的多孔構件51抽出。在其中沒有斷裂邊緣的情況之中，介於該流體回收速率與該流體供應速率之間的一個平衡必須被保持，使得流體可以在掃描期間的所有時間被保持在該內部部件32之內。具有該大氣溝槽48係容許回收速率可以被設定在一個最大值，用以將在掃描期間洩漏出該外部部件30之外的流體減少到最小的程度。該大氣溝槽48亦作用如同一個用於在掃描期間進入及離開之流體的緩衝器，將水之供應及回收的需求減少到最小的程度。
在浸液微影的製程之中，一種流體係要從一種乾的狀態被填 充在該投射鏡片14與該晶圓16之間，並且，在其他的時間，該流體係要被回收。舉例來說，在一個新晶圓的曝光開始時，該流體係要在曝光開始之前完全地填滿該內部部件32的內部空穴34。在這個製程期間，理想的狀況是投射鏡片14與晶圓16之間或是其他像是該自動聚焦光束的光學路徑沒有空氣氣泡的存在。該內部部件32之內部空穴中之流體的供應係被設計在位 於在該空穴之中的最高位置點(經由開孔38)，使得該流體可以從上到下地填充，容許空氣的氣泡可以在填充製程期間被推出該內部穴之外。在這個實施例之中，所希求的是該流體在一開始時是從一個側邊處被供應(該組開孔38係位於一個側邊上)，使得該流體會從一個側邊被填充到另一個，而再次容許空氣氣泡可以被推出來避免空氣被捕捉於其中。其他的配置方式也是有可能的，只要該流體是從內向外地被填充即可。
有些時候，流體必須從該內部部件32的內部空穴處被完全 回收。在圖1之中，在該內部空穴的每個緩衝器40之中係會有小型的洞孔42。這些洞孔42係被提供以用於在當流體必須被完全恢復時快速地回收流體或是凈化流體。使用與在該晶圓台架18中之某種運動結合在一起的高度真空來將該流體從這些洞孔42之中吸抽出來係容許可以在一個合理的時間之內回收所有的流體。
該內部部件32具有二個群組或是二排開孔38，用於供應或 是回收該流體。每排開孔可以被獨立地控制，用以供應或是回收流體。在其中二排開孔都被選擇來供應流體的情況中，所有的流體是經由在該外部部件30之中的多孔構件51而被回收。由於二排開孔都是用來供應流體，可以在該內部空穴之中建立起一個壓力，而導致該投射鏡片14的最後光學元件22或是晶圓16或是二者係會產生變形。橫越該最後光學元件22的流體流動也可以被限制住，並且因此，介於該最後光學元件22與晶圓16之間之流體的溫度可能會在最後上升，而產生了不利的效果。在另一方面，如果一排開孔係被選擇用於供應流體且另一排開孔則用來回收流體，一個流體的流動係會被驅使越過最後光學元件22，將溫度的上升減小到最小的程 度。也可以在其他方面降低藉著從二排開孔供應流體所產生的壓力。在這種情況中，需要經由該多孔構件51被回收的流體系會較少，而降低了在該多孔構件中流體回收的需求。在其他的噴嘴構造之中，可以提供多重的流體供應以及回收，以便於將性能予以最佳化。
在該晶圓台架18的掃描運動(在圖2之中的掃描方向44之 中)期間，流體可以被吸出及吸入內部部件32的內部空穴之中。當該流體被吸出時，其係經由在該外部部件30中的多孔構件51而被回收。當該晶圓台架18在相反的方向中被移動時，空氣係可以被吸入內部部件32的內部空穴之中。在這個時間期間，在該緩衝器40之中的流體、以及從該內部空穴之內被供應的流體係有助於再裝滿沿著掃描方向被吸引的流體，防止空氣進入該內部空穴之中。該緩衝器44以及該多孔構件51係一起作用，用以將從該外部部件30被洩漏出去的流體、以及在該晶圓台架18的掃描運動期間被吸入該內部部件32之內部空穴中的空氣減少到最小的程度。
藉著將在該多孔構件51之中的壓力保持在起泡點以下來經 由該多孔構件51回收流體係可以消除在流體回收期間藉著混合空氣與流體所產生的噪音。該起泡點為該多孔構件51的一個特性，其係取決於在該多孔構件51之中之洞孔(最大的洞孔)的尺寸大小以及流體與該多孔構件51所形成的接觸角度(如同一個以多孔材料的特性以及流體之特性為基礎的參數)。由於該起泡點一般來說是一個非常低的壓力(例如，大約1000巴斯卡)，這個低壓的控制係變成了一個重要議題。圖6及圖7係顯示出在流體的回收期間將壓力保持在該起泡點以下的三種特殊方法。
在圖6的壓力控制系統之中，一個在起泡點之下的壓力係使 用一個真空調節器102以及一個溢流容器或是溢流箱104的幫助而被保持在該多孔構件51的表面處，其中，該溢流容器或是溢流箱104係以流體的方式藉著一個回收流動管線106(其係被連接到該流體緩衝器出口56處)而被連結到該多孔構件51。在該多孔構件51之表面處的壓力係等於藉著該真空調節器102所保持的壓力減去在該多孔構件51上方之流體的高度所產生的壓力。藉著使用該溢流箱104來將在該多孔構件51上方的流體維持在一個固定的高度係可以容易地控制在該多孔構件51隻表面處的壓力。經由該多孔構件51被回收的流體將會溢流出來，並且沿著一個虹吸管線108以虹吸作用被向下運送到一個收集箱110，該收集箱110係被配置在該溢流箱104的下方。一個選擇性的流動路徑112係被連接於該溢流箱104與該收集箱110之間，用以幫助使在介於該溢流箱104與該收集箱與該收集箱110之間的壓力相等，並且促進沿著該虹吸管線108的流動。這個壓力控制系統100的一個特性係為該系統是一個沒有控制之需要的被動系統。
在圖7的壓力控制系統120之中，在該多孔構件51之表面 處的壓力係使用一個位於一個水位緩衝器124處的真空調節器122而被保持在起泡點以下，其中，該水位緩衝器124係以流體的方式藉著一個緩衝器流動管線126(其係被連接到該流體緩衝器出口56)與該多孔構件51相連結。一個壓力變換器或是一個水位感測器128係被用來測量在該水位緩衝器124處的壓力或是流體位準。感測器的訊號係接著被使用於到達一個閥132的反饋控制裝置130，而該閥132則被配置在一個被連接於該多孔構件51與一個收集箱136之間的回收流體管線134(其係被連接到該流體回收出口58)之中。該閥132可以是任何一種適當的閥體，像是一個成比例 或是可變的閥。該可變的閥132係被調整以控制通過該流體回收管線134而到達該收集箱136的流體，用以將該流體位準緩衝器124的壓力或是流體位準維持在一個預設值。該收集箱136係處於一個相對較高的真空狀況之下，該真空狀況係被一個高度真空調節器138所控制住，用於流體的回收。在這個流體控制系統120之中，並不需要溢流的容器，並且該收集箱136可以被放置在該系統中的任何位置而不需要被配置在一個溢流箱的下方。一個開/關閥140係如所希求地被提供在該流體回收管線134之中，並且當不需要回收流體時係會打開開關。
在圖8之中，壓力控制系統160係相似於圖7的系統120，並且相同的元件參考符號係使用於相同的元件。這個系統並沒有使用閥132來用於流體回收的反饋控制，反而是利用了一個可控制的真空調節器162，用於流體回收的反饋控制。該真空調節器162典型上係可以透過電子的手段而控制的，用以根據來自於壓力變換器或是一個水位感測器128的感測器訊號來調整在該收集箱136之中的真空壓力。該真空調節器162係被調整以控制通過該流體回收管線134而到達該收集箱136的流體流動，用以將該流體位準緩衝器124的壓力或是流體位準維持在一個預設值。在該流體回收管線134之中的開/關閥140在不需要回收流體時係會打開開關。
圖9係顯示出在一個浸液微影系統中用於回收流體的一個壓力控制系統，其係具有根據本發明之另一個實施例之防止水之停滯的裝置。該壓力控制系統180係相似於圖7的系統120，並且具有相同的元件參考符號的相同元件。除此之外，該水位緩衝器142係以流體的方式與一個水供應裝置或是水回收裝置182相連結，用以將水供應到水位緩衝器142 或是回收來自於該水位緩衝器142的水，用以防止水的停滯之產生。一個選擇性的泵或是一個相似的移動部件可以被用來引發介於該水位緩衝器142與該水供應裝置或是水回收裝置182之間的流動。在過長時間停滯的水或是流體中係會有細菌/真菌增生的可能性。在正常的操作之下，在該水位緩衝器142處的水會因為從網篩51被回收的水將會通過在該網篩位準處的小型管件到達該收集箱136而停滯。藉著在正常的操作期間引起流入或流出該水位緩衝器142的流動，細菌/真菌增生的問題係可以被防止。
要了解的是，以上的描述是說明性且並非是限制性的。在重新探討以上的描述之後，許多實施例對於那些熟習技術者來說將會變得明顯。因此，本發明的範疇不應該藉著以上描述的參照而被決定，反而是應該藉著參照後附的申請專利範圍以及其同等物的完整範疇來決定。
而且，本發明可以被應用到雙台架類型的微影系統。雙台架類型的微影系統係例如是被揭示於美國專利第6,262,796號及美國專利第6,341,007號之中者，該等專利的完整揭示物係被加入本文中以作為參照。
20‧‧‧浸液裝置/噴嘴
22‧‧‧最後光學元件
30‧‧‧外部部件
32‧‧‧內部部件
33‧‧‧平坦部位
34‧‧‧內部空穴
38‧‧‧開孔
40‧‧‧緩衝器或緩衝器狹縫
44‧‧‧掃描方向
48‧‧‧中間間隔或溝槽
50‧‧‧流體回收開口
53‧‧‧狹縫或外部空穴
56‧‧‧流體緩衝器出口
58‧‧‧流體回收

Claims (26)

  1. 一種浸液微影系統，其中基材透過一液體曝光，該系統包含：一投射鏡片；一浸液裝置，基材被置放於該浸液裝置下方，該浸液裝置被配置成圍繞該投射鏡片的一最後光學元件，且該浸液裝置包含一回收開口，用於回收來自基材的上表面的液體；以及一壓力控制系統，其控制用於經由回收開口回收來自基材的上表面的液體的壓力，該壓力控制系統具有經由一回收流動管線而連接至該回收開口的第一箱，以及用以控制在第一箱中的壓力的真空調節器。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的系統，其中該壓力控制系統具有一配置在回收流動管線中的閥，其調整從回收開口到第一箱的液體流動。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的系統，其中該壓力控制系統具有一配置在回收流動管線中的閥，在不需要來自回收開口的液體回收時，該閥被關閉。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的系統，其中該回收流動管線被連接至第一箱的上部分。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的系統，其中該真空調節器被連接至第一箱的上部分。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的系統，其中該壓力控制系統具有一壓力感測器，以測量用於回收液體的壓力，該真空調節器根據來自該壓力感測器的感測器信號被控制。
  7. 如申請專利範圍第2項所述的系統，其中該壓力控制系統具有一壓力感測器，以測量用於回收液體的壓力，該真空調節器根據來自該壓力感測器的感測器信號被控制。
  8. 如申請專利範圍第3項所述的系統，其中該壓力控制系統具有一壓力感測器，以測量用於回收液體的壓力，該真空調節器根據來自該壓力感測器的感測器信號被控制。
  9. 如申請專利範圍第4項所述的系統，其中該壓力控制系統具有一壓力感測器，以測量用於回收液體的壓力，該真空調節器根據來自該壓力感測器的感測器信號被控制。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的系統，其中該壓力控制系統具有一第二箱，其設置在第一箱下方且連接至第一箱，以將液體從第一箱流動至第二箱。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的系統，其中該壓力控制系統具有一路徑，其係連接於第一箱的上部分和第二箱的上部分之間，使第一箱和第二箱之間的壓力相等。
  12. 如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述的系統，其中該液體包含水。
  13. 如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述的系統，其中該基材包含晶圓。
  14. 一種浸液微影方法，其包含：透過介於一投射鏡片的最後光學元件以及基材之間的液體將基材曝光； 經由一浸液裝置的回收開口回收來自基材的上表面的液體，基材被置放於該浸液裝置下方，該浸液裝置被配置成圍繞該投射鏡片的最後光學元件；以及藉由一壓力控制系統控制經由該回收開口回收來自基材的上表面的液體的壓力，該壓力控制系統具有經由一回收流動管線而連接至該回收開口的第一箱，以及用以控制在第一箱中的壓力的真空調節器。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的方法，其中該壓力控制系統具有一配置在回收流動管線中的閥，其調整從回收開口到第一箱的液體流動。
  16. 如申請專利範圍第14項所述的方法，其中該壓力控制系統具有一配置在回收流動管線中的閥，在不需要來自回收開口的液體回收時，該閥被關閉。
  17. 如申請專利範圍第14項所述的方法，其中該回收流動管線被連接至第一箱的上部分。
  18. 如申請專利範圍第14項所述的方法，其中該真空調節器被連接至第一箱的上部分。
  19. 如申請專利範圍第14項所述的方法，其中該壓力控制系統具有一壓力感測器，以測量用於回收液體的壓力，該真空調節器根據來自該壓力感測器的感測器信號被控制。
  20. 如申請專利範圍第15項所述的方法，其中該壓力控制系統具有一壓力感測器，以測量用於回收液體的壓力，該真空調節器根據來自該壓力感測器的感測器信號被控制。
  21. 如申請專利範圍第16項所述的方法，其中該壓力控制系統具有一壓力感測器，以測量用於回收液體的壓力，該真空調節器根據來自該壓力感測器的感測器信號被控制。
  22. 如申請專利範圍第17項所述的方法，其中該壓力控制系統具有一壓力感測器，以測量用於回收液體的壓力，該真空調節器根據來自該壓力感測器的感測器信號被控制。
  23. 如申請專利範圍第14項所述的方法，其中該壓力控制系統具有一第二箱，其設置在第一箱下方且連接至第一箱，以將液體從第一箱流動至第二箱。
  24. 如申請專利範圍第23項所述的方法，其中該壓力控制系統具有一路徑，其係連接於第一箱的上部分和第二箱的上部分之間，使第一箱和第二箱之間的壓力相等。
  25. 如申請專利範圍第14項至第24項中任一項所述的方法，其中該液體包含水。
  26. 如申請專利範圍第14項至第24項中任一項所述的方法，其中該基材包含晶圓。
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Families Citing this family (201)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7367345B1 (en) * 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
SG121818A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100568101C (zh) 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
JP4362867B2 (ja) 2002-12-10 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7948604B2 (en) 2002-12-10 2011-05-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
SG171468A1 (en) 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
KR20050062665A (ko) 2002-12-10 2005-06-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
US7242455B2 (en) 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
TW201908879A (zh) 2003-02-26 2019-03-01 日商尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
EP1610361B1 (en) 2003-03-25 2014-05-21 Nikon Corporation Exposure system and device production method
WO2004090956A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR101177331B1 (ko) 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
SG141425A1 (en) 2003-04-10 2008-04-28 Nikon Corp Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
KR101177330B1 (ko) 2003-04-10 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
JP4315198B2 (ja) 2003-04-11 2009-08-19 株式会社ニコン 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法
KR101508809B1 (ko) 2003-04-11 2015-04-06 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI421906B (zh) 2003-05-23 2014-01-01 尼康股份有限公司 An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method
TWI424470B (zh) 2003-05-23 2014-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
CN100541717C (zh) 2003-05-28 2009-09-16 株式会社尼康 曝光方法、曝光装置以及器件制造方法
TWI442694B (zh) * 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684008B2 (en) 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3401946A1 (en) 2003-06-13 2018-11-14 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
KR101146962B1 (ko) 2003-06-19 2012-05-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
EP2466382B1 (en) 2003-07-08 2014-11-26 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP2264531B1 (en) 2003-07-09 2013-01-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
WO2005006416A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法
EP1650787A4 (en) 2003-07-25 2007-09-19 Nikon Corp INVESTIGATION METHOD AND INVESTIGATION DEVICE FOR AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
EP2264534B1 (en) 2003-07-28 2013-07-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG145780A1 (en) 2003-08-29 2008-09-29 Nikon Corp Exposure apparatus and device fabricating method
KR101748923B1 (ko) * 2003-09-03 2017-06-19 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4378136B2 (ja) * 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005029559A1 (ja) 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR101421398B1 (ko) 2003-09-29 2014-07-18 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
KR101111364B1 (ko) 2003-10-08 2012-02-27 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광방법, 디바이스 제조 방법
KR20060126949A (ko) 2003-10-08 2006-12-11 가부시키가이샤 니콘 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법
TW201738932A (zh) 2003-10-09 2017-11-01 Nippon Kogaku Kk 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7352433B2 (en) 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005041276A1 (ja) 2003-10-28 2005-05-06 Nikon Corporation 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び装置製造方法
TWI470371B (zh) 2003-12-03 2015-01-21 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, an exposure method, an element manufacturing method, and an optical component
KR101499405B1 (ko) 2003-12-15 2015-03-05 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1706793B1 (en) 2004-01-20 2010-03-03 Carl Zeiss SMT AG Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2005076321A1 (ja) 2004-02-03 2005-08-18 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
TWI402893B (zh) 2004-03-25 2013-07-21 尼康股份有限公司 曝光方法
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2490248A3 (en) * 2004-04-19 2018-01-03 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
EP1747499A2 (en) 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005119368A2 (en) 2004-06-04 2005-12-15 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system
EP2966670B1 (en) 2004-06-09 2017-02-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8508713B2 (en) 2004-06-10 2013-08-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8717533B2 (en) 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8373843B2 (en) 2004-06-10 2013-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP3067750B1 (en) 2004-06-10 2019-01-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP4543767B2 (ja) * 2004-06-10 2010-09-15 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR20180072867A (ko) 2004-06-10 2018-06-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US7481867B2 (en) 2004-06-16 2009-01-27 Edwards Limited Vacuum system for immersion photolithography
EP1756663B1 (en) 2004-06-17 2015-12-16 Nikon Corporation Fluid pressure compensation for immersion lithography lens
WO2006007111A2 (en) 2004-07-01 2006-01-19 Nikon Corporation A dynamic fluid control system for immersion lithography
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
ATE441937T1 (de) 2004-07-12 2009-09-15 Nikon Corp Belichtungsgerät und bauelemente- herstellungsverfahren
EP1801853A4 (en) 2004-08-18 2008-06-04 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG10201802153XA (en) 2004-09-17 2018-05-30 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing device
US7522261B2 (en) 2004-09-24 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379155B2 (en) 2004-10-18 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7423720B2 (en) 2004-11-12 2008-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411657B2 (en) 2004-11-17 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7397533B2 (en) * 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352440B2 (en) 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US7528931B2 (en) 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7405805B2 (en) 2004-12-28 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1681597B1 (en) 2005-01-14 2010-03-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124351A1 (en) * 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2506289A3 (en) 2005-01-31 2013-05-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8859188B2 (en) 2005-02-10 2014-10-14 Asml Netherlands B.V. Immersion liquid, exposure apparatus, and exposure process
US8018573B2 (en) 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7282701B2 (en) 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
US7428038B2 (en) 2005-02-28 2008-09-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4072543B2 (ja) * 2005-03-18 2008-04-09 キヤノン株式会社 液浸露光装置及びデバイス製造方法
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4872916B2 (ja) * 2005-04-18 2012-02-08 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7652746B2 (en) 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7468779B2 (en) * 2005-06-28 2008-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7834974B2 (en) 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7474379B2 (en) * 2005-06-28 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8054445B2 (en) 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7751026B2 (en) 2005-08-25 2010-07-06 Nikon Corporation Apparatus and method for recovering fluid for immersion lithography
US7580112B2 (en) 2005-08-25 2009-08-25 Nikon Corporation Containment system for immersion fluid in an immersion lithography apparatus
US7411658B2 (en) 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7929109B2 (en) 2005-10-20 2011-04-19 Nikon Corporation Apparatus and method for recovering liquid droplets in immersion lithography
JPWO2007055373A1 (ja) 2005-11-14 2009-04-30 株式会社ニコン 液体回収部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US7804577B2 (en) * 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7864292B2 (en) 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007201252A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US8045134B2 (en) 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
WO2007105645A1 (ja) 2006-03-13 2007-09-20 Nikon Corporation 露光装置、メンテナンス方法、露光方法及びデバイス製造方法
JP4889331B2 (ja) * 2006-03-22 2012-03-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
WO2007118014A2 (en) 2006-04-03 2007-10-18 Nikon Corporation Incidence surfaces and optical windows that are solvophobic to immersion liquids
US9477158B2 (en) 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
KR101486086B1 (ko) 2006-05-10 2015-01-23 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US20070273856A1 (en) * 2006-05-25 2007-11-29 Nikon Corporation Apparatus and methods for inhibiting immersion liquid from flowing below a substrate
US7532309B2 (en) 2006-06-06 2009-05-12 Nikon Corporation Immersion lithography system and method having an immersion fluid containment plate for submerging the substrate to be imaged in immersion fluid
US20080043211A1 (en) * 2006-08-21 2008-02-21 Nikon Corporation Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography
US7872730B2 (en) 2006-09-15 2011-01-18 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method
JP5120377B2 (ja) 2006-09-29 2013-01-16 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US20080100812A1 (en) * 2006-10-26 2008-05-01 Nikon Corporation Immersion lithography system and method having a wafer chuck made of a porous material
US8253922B2 (en) 2006-11-03 2012-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography system using a sealed wafer bath
US8208116B2 (en) 2006-11-03 2012-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography system using a sealed wafer bath
JP5055971B2 (ja) 2006-11-16 2012-10-24 株式会社ニコン 表面処理方法及び表面処理装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US8045135B2 (en) 2006-11-22 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method
US8068208B2 (en) * 2006-12-01 2011-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for improving immersion scanner overlay performance
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9632425B2 (en) 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US8004651B2 (en) 2007-01-23 2011-08-23 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
US8237911B2 (en) 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
US20080225248A1 (en) * 2007-03-15 2008-09-18 Nikon Corporation Apparatus, systems and methods for removing liquid from workpiece during workpiece processing
US8068209B2 (en) 2007-03-23 2011-11-29 Nikon Corporation Nozzle to help reduce the escape of immersion liquid from an immersion lithography tool
US8134685B2 (en) 2007-03-23 2012-03-13 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
US20080231823A1 (en) * 2007-03-23 2008-09-25 Nikon Corporation Apparatus and methods for reducing the escape of immersion liquid from immersion lithography apparatus
US8947629B2 (en) 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US7900641B2 (en) 2007-05-04 2011-03-08 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US8300207B2 (en) 2007-05-17 2012-10-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, immersion system, exposing method, and device fabricating method
US20090122282A1 (en) * 2007-05-21 2009-05-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid immersion system, exposing method, and device fabricating method
US8164736B2 (en) 2007-05-29 2012-04-24 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device
US7576833B2 (en) * 2007-06-28 2009-08-18 Nikon Corporation Gas curtain type immersion lithography tool using porous material for fluid removal
US8681308B2 (en) * 2007-09-13 2014-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5369443B2 (ja) 2008-02-05 2013-12-18 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US8610873B2 (en) * 2008-03-17 2013-12-17 Nikon Corporation Immersion lithography apparatus and method having movable liquid diverter between immersion liquid confinement member and substrate
US8289497B2 (en) 2008-03-18 2012-10-16 Nikon Corporation Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography
US8233139B2 (en) * 2008-03-27 2012-07-31 Nikon Corporation Immersion system, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
US8421993B2 (en) * 2008-05-08 2013-04-16 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2131241B1 (en) * 2008-05-08 2019-07-31 ASML Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5097166B2 (ja) * 2008-05-28 2012-12-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び装置の動作方法
US20100045949A1 (en) * 2008-08-11 2010-02-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, maintaining method and device fabricating method
NL2003226A (en) * 2008-08-19 2010-03-09 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, drying device, metrology apparatus and device manufacturing method.
JP2010098172A (ja) * 2008-10-17 2010-04-30 Canon Inc 液体回収装置、露光装置及びデバイス製造方法
US8634055B2 (en) * 2008-10-22 2014-01-21 Nikon Corporation Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials
US8477284B2 (en) * 2008-10-22 2013-07-02 Nikon Corporation Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials
WO2010050240A1 (ja) * 2008-10-31 2010-05-06 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP5001343B2 (ja) 2008-12-11 2012-08-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 流体抽出システム、液浸リソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置で使用される液浸液の圧力変動を低減する方法
US8896806B2 (en) * 2008-12-29 2014-11-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20100196832A1 (en) 2009-01-30 2010-08-05 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, liquid immersion member and device fabricating method
US20100220301A1 (en) * 2009-02-27 2010-09-02 Nikon Corporation Apparatus and method to control liquid stagnation in immersion liquid recovery
KR101712219B1 (ko) 2009-03-10 2017-03-03 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
US8953143B2 (en) * 2009-04-24 2015-02-10 Nikon Corporation Liquid immersion member
US20100323303A1 (en) * 2009-05-15 2010-12-23 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
JP5016705B2 (ja) * 2009-06-09 2012-09-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 流体ハンドリング構造
JP2011013321A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Hoya Corp フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び塗布装置
NL2005207A (en) 2009-09-28 2011-03-29 Asml Netherlands Bv Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2005610A (en) 2009-12-02 2011-06-06 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and surface cleaning method.
US20110222031A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
US20120012191A1 (en) * 2010-07-16 2012-01-19 Nikon Corporation Liquid recovery apparatus, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
US20120188521A1 (en) 2010-12-27 2012-07-26 Nikon Corporation Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program and storage medium
US9329496B2 (en) 2011-07-21 2016-05-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, method of manufacturing device, program, and storage medium
US20130135594A1 (en) 2011-11-25 2013-05-30 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium
US20130169944A1 (en) 2011-12-28 2013-07-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium
US9323160B2 (en) 2012-04-10 2016-04-26 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposure method, device fabricating method, program, and recording medium
US9823580B2 (en) 2012-07-20 2017-11-21 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium
US9568828B2 (en) 2012-10-12 2017-02-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium
US9494870B2 (en) 2012-10-12 2016-11-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium
CN102937777B (zh) * 2012-11-12 2014-07-30 浙江大学 用于浸没式光刻机的气密封和气液隔离装置
JP6119242B2 (ja) 2012-12-27 2017-04-26 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US9720331B2 (en) 2012-12-27 2017-08-01 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium
US9651873B2 (en) 2012-12-27 2017-05-16 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium
JP6369472B2 (ja) 2013-10-08 2018-08-08 株式会社ニコン 液浸部材、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
KR102288916B1 (ko) 2014-12-19 2021-08-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 유체 핸들링 구조체, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI557274B (zh) * 2016-04-11 2016-11-11 嘉聯益科技股份有限公司 基材蝕刻處理方法
KR102446678B1 (ko) * 2017-12-15 2022-09-23 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 유체 핸들링 구조체, 리소그래피 장치, 유체 핸들링 구조체를 사용하는 방법 및 리소그래피 장치를 사용하는 방법
US11007526B2 (en) * 2018-07-06 2021-05-18 Qorvo Us, Inc. Capless sample well port for a cartridge
US10877378B2 (en) * 2018-09-28 2020-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Vessel for extreme ultraviolet radiation source
KR20210011086A (ko) * 2019-07-22 2021-02-01 엘지전자 주식회사 급수 레벨 검출 장치 및 방법
US10948830B1 (en) 2019-12-23 2021-03-16 Waymo Llc Systems and methods for lithography
CN112558432B (zh) * 2020-12-18 2022-07-15 浙江启尔机电技术有限公司 一种浸液供给系统及其浸没流场撤除方法

Family Cites Families (202)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
EP0023231B1 (de) * 1979-07-27 1982-08-11 Tabarelli, Werner, Dr. Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe
FR2474708B1 (fr) * 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) * 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD221563A1 (de) * 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) * 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH056417A (ja) * 1991-06-20 1993-01-14 Hitachi Ltd 図形指定システム
JP2919649B2 (ja) * 1991-06-27 1999-07-12 富士写真フイルム株式会社 画像処理装置
JPH0520299A (ja) * 1991-07-12 1993-01-29 Chubu Nippon Denki Software Kk カナキー項目の作成処理方式
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3258469B2 (ja) * 1993-10-15 2002-02-18 日本特殊陶業株式会社 気液分離装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US6001189A (en) * 1996-09-30 1999-12-14 Micron Technology, Inc. Method for reducing gaseous species of contamination in wet processes
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
CN1144263C (zh) 1996-11-28 2004-03-31 株式会社尼康 曝光装置以及曝光方法
USRE40043E1 (en) 1997-03-10 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Positioning device having two object holders
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH11176727A (ja) * 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
AU2747999A (en) * 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000058436A (ja) * 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
US6152162A (en) * 1998-10-08 2000-11-28 Mott Metallurgical Corporation Fluid flow controlling
US6995930B2 (en) 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
KR20020006369A (ko) * 2000-07-12 2002-01-19 김광교 약액 회수 시스템 및 회수 방법
TW591653B (en) * 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
US6488039B1 (en) * 2000-09-27 2002-12-03 Chartered Semiconductor Manufacturing State of the art constant flow device
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
US20020163629A1 (en) 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
TW525303B (en) * 2001-06-06 2003-03-21 Macronix Int Co Ltd MOS transistor and method for producing the same
US6954255B2 (en) 2001-06-15 2005-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
KR20030025436A (ko) * 2001-09-20 2003-03-29 삼성전자주식회사 반도체 제조용 포토레지스트 공급시스템
KR20030070391A (ko) * 2002-02-25 2003-08-30 주식회사 하이닉스반도체 반도체 제조 공정에서의 캐미컬 공급 시스템 및 그 제어방법
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US7092069B2 (en) 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
US7362508B2 (en) 2002-08-23 2008-04-22 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US7383843B2 (en) 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US7093375B2 (en) 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US7252097B2 (en) 2002-09-30 2007-08-07 Lam Research Corporation System and method for integrating in-situ metrology within a wafer process
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US6988327B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
CN101424881B (zh) 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100568101C (zh) 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP2495613B1 (en) * 2002-11-12 2013-07-31 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121818A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
JP4362867B2 (ja) 2002-12-10 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR20050062665A (ko) 2002-12-10 2005-06-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
EP1429190B1 (en) 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
JP4184346B2 (ja) * 2002-12-13 2008-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去
US7010958B2 (en) 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
KR100971440B1 (ko) 2002-12-19 2010-07-21 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 레이어 상의 스폿을 조사하기 위한 방법 및 장치
DE60307322T2 (de) 2002-12-19 2007-10-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
US7090964B2 (en) 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
JP4352930B2 (ja) * 2003-02-26 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
TW201908879A (zh) 2003-02-26 2019-03-01 日商尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6943941B2 (en) 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
WO2004090956A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR101177331B1 (ko) 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
KR101177330B1 (ko) * 2003-04-10 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
SG141425A1 (en) 2003-04-10 2008-04-28 Nikon Corp Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
JP4315198B2 (ja) 2003-04-11 2009-08-19 株式会社ニコン 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
JP2004320016A (ja) * 2003-04-11 2004-11-11 Nikon Corp 液浸リソグラフィシステム
KR101508809B1 (ko) 2003-04-11 2015-04-06 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
JP4025683B2 (ja) 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
JP4146755B2 (ja) 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
EP1477856A1 (en) * 2003-05-13 2004-11-17 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6995833B2 (en) 2003-05-23 2006-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2004349645A (ja) * 2003-05-26 2004-12-09 Sony Corp 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法
TWI442694B (zh) 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684008B2 (en) * 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6867844B2 (en) * 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP2005019616A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
JP4343597B2 (ja) 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
JP3862678B2 (ja) * 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1498778A1 (en) * 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1494074A1 (en) 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1639391A4 (en) 2003-07-01 2009-04-29 Nikon Corp USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP2264531B1 (en) 2003-07-09 2013-01-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
EP1646074A4 (en) 2003-07-09 2007-10-03 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE
JP4729876B2 (ja) * 2003-07-09 2011-07-20 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、並びにデバイス製造方法
US7738074B2 (en) 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
EP1500982A1 (en) 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005045082A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Sony Corp 露光装置
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7700267B2 (en) 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7579135B2 (en) 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7085075B2 (en) 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
KR101613384B1 (ko) 2003-08-21 2016-04-18 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
KR101748923B1 (ko) * 2003-09-03 2017-06-19 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4378136B2 (ja) 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6961186B2 (en) 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
US7369217B2 (en) 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
US7678527B2 (en) 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
WO2005041276A1 (ja) 2003-10-28 2005-05-06 Nikon Corporation 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法
JP2007525824A (ja) 2003-11-05 2007-09-06 ディーエスエム アイピー アセッツ ビー．ブイ． マイクロチップを製造するための方法および装置
US7924397B2 (en) 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
WO2005054953A2 (en) 2003-11-24 2005-06-16 Carl-Zeiss Smt Ag Holding device for an optical element in an objective
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
WO2005059654A1 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
WO2005106589A1 (en) 2004-05-04 2005-11-10 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
KR101200654B1 (ko) 2003-12-15 2012-11-12 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 고 개구율 및 평평한 단부면을 가진 투사 대물렌즈
US7460206B2 (en) 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US20050185269A1 (en) 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
CN102169226B (zh) 2004-01-14 2014-04-23 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射折射投影物镜
US8279524B2 (en) 2004-01-16 2012-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
EP1706793B1 (en) * 2004-01-20 2010-03-03 Carl Zeiss SMT AG Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US7026259B2 (en) 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
EP1723467A2 (en) 2004-02-03 2006-11-22 Rochester Institute of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
EP1716454A1 (en) 2004-02-09 2006-11-02 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007522508A (ja) 2004-02-13 2007-08-09 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー マイクロリソグラフィック投影露光装置のための投影対物レンズ
WO2005081030A1 (en) 2004-02-18 2005-09-01 Corning Incorporated Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light
US20050205108A1 (en) 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
US7027125B2 (en) 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005098504A1 (en) 2004-04-08 2005-10-20 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2490248A3 (en) * 2004-04-19 2018-01-03 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US7271878B2 (en) 2004-04-22 2007-09-18 International Business Machines Corporation Wafer cell for immersion lithography
US7244665B2 (en) 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1747499A2 (en) 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
KR101213831B1 (ko) 2004-05-17 2012-12-24 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005119368A2 (en) 2004-06-04 2005-12-15 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system
US8605257B2 (en) 2004-06-04 2013-12-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection system with compensation of intensity variations and compensation element therefor
JP4655763B2 (ja) * 2004-06-04 2011-03-23 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP4515335B2 (ja) * 2004-06-10 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、ノズル部材、及びデバイス製造方法
KR20180072867A (ko) * 2004-06-10 2018-06-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US7481867B2 (en) * 2004-06-16 2009-01-27 Edwards Limited Vacuum system for immersion photolithography
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7133114B2 (en) 2004-09-20 2006-11-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379155B2 (en) * 2004-10-18 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1681597B1 (en) 2005-01-14 2010-03-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7804577B2 (en) 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US20080003069A1 (en) * 2006-06-16 2008-01-03 Harper David J Apparatus and method for removing inner member of plastic pipe joint
US7576833B2 (en) * 2007-06-28 2009-08-18 Nikon Corporation Gas curtain type immersion lithography tool using porous material for fluid removal

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