WO2007105645A1

WO2007105645A1 - 露光装置、メンテナンス方法、露光方法及びデバイス製造方法

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Publication number: WO2007105645A1
Application number: PCT/JP2007/054706
Authority: WO
Inventors: Yasufumi Nishii
Original assignee: Nikon Corporation
Priority date: 2006-03-13
Filing date: 2007-03-09
Publication date: 2007-09-20
Also published as: EP1995768A1; TW200809915A; KR20080114691A; US8035800B2; EP1995768A4; JP2007281441A; US20080013064A1

Abstract

露光装置ＥＸは、液浸システム８６，８７と、液浸部材７０を交換する交換システムＣＳを備えている。交換システムＣＳは、液浸部材７０を着脱可能に保持する保持装置３０及び搬送装置５０を有する。交換システムＣＳを用いることで、液浸部材７０の洗浄または交換に起因する稼動率の低下などを抑制することができる。

Description

明細書

露光装置、メンテナンス方法、露光方法及びデバイス製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、基板を露光する露光装置、メンテナンス方法、露光方法及びデバイス製造方法に関する。

背景技術

[0002] フォトリソグラフイエ程で用いられる露光装置において、下記特許文献に開示されているような、基板上に液体の液浸領域を形成し、その液体を介して基板を露光する液浸露光装置が開示されて！ヽる。

特許文献 1：国際公開第 99Z49504号パンフレット

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0003] 液浸露光装置にお!、て、液浸領域の液体と接触する液浸部材に汚染等の不具合が生じると、所望状態の液浸領域を形成できず、その結果、露光精度及び Z又は計測精度などが劣化する可能性がある。そのため、不具合が生じた液浸部材に作業者がアクセスし、メンテナンス作業を行なったり、交換作業を行ったりすることが考えられる。し力しながら、液浸部材のメンテナンス作業、交換作業などのために露光装置の動作を停止した場合、露光装置の稼動率が低下する。

[0004] 本発明は、稼動率の低下、及び Z又は液浸部材の不具合に起因する露光精度などの劣化を抑制することができる露光装置、メンテナンス方法、露光方法及びデバィス製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0005] 上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。

[0006] 本発明の第 1の態様に従えば、液体 (LQ)を介して基板 (P)に露光光 (EL)を照射して基板 (P)を露光する露光装置であって、基板 (P)上に液浸領域 (LR)を形成する液浸システム（86, 87など）と、液浸システム（86, 87など）の一部を構成するとともに、液浸領域 (LR)を形成する液体 (LQ)と接触する液浸部材 (70)を交換する交換システム (CS)とを備えた露光装置 (EX)が提供される。

[0007] 本発明の第 1の態様によれば、液浸部材の交換などによる稼動率の低下を抑制することができる。また、例えば汚染などの不具合が生じた液浸部材の交換などを行う場合、露光精度及び Z又は計測精度の劣化などを抑制することができる。

[0008] 本発明の第 2の態様に従えば、液体 (LQ)を介して基板 (P)に露光光 (EL)を照射して基板 (P)を露光する露光装置 (EX)であって、基板上に液浸領域 (LR)を形成する液浸システム（86, 87など）と；液浸領域を形成する液体と接触する液浸部材（70) と;液浸部材を着脱可能に保持する保持装置 (30)とを備える露光装置が提供される

[0009] 本発明の第 2の態様によれば、保持装置により液浸部材を着脱することで、液浸部材の洗浄または交換による露光装置の稼動率の低下を抑制することができる。また、例えば汚染などの不具合が生じた液浸部材の洗浄または交換を行う場合、露光精度及び Z又は計測精度の劣化などを抑制することができる。

[0010] 本発明の第 3の態様に従えば、液体 (LQ)を介して露光光 (EL)で基板 (P)を露光する露光装置 (EX)であって、露光光を射出する光学部材 (FS)と基板との間の空間を囲みかつその内側に液浸領域 (LR)の少なくとも一部が形成される液浸部材（70) と、液浸部材が設けられるフレーム部材（7)と、フレーム部材との間で液浸部材の受け渡しが行われる支持装置 (55)と、を備える露光装置が提供される。

[0011] 本発明の第 3の態様によれば、液浸部材の取り外し及び取り付けが容易となってその時間短縮を図ることができ、ひいては液浸部材の洗浄または交換に起因する露光装置の稼働率の低下などを抑制することができる。

[0012] 本発明の第 4の態様に従えば、第 1、第 2及び第 3態様のいずれかの露光装置 (EX )を用いるデバイス製造方法が提供される。本発明のデバイス製造方法によれば、露光装置の稼動率の低下が抑制され、高、生産性でデバイスを製造することができる。また、例えば汚染などの不具合が生じた液浸部材の洗浄または交換を行う場合、露光精度及び Z又は計測精度などの劣化が抑制され、高、精度でデバイスを製造することがでさる。

[0013] 本発明の第 5の態様に従えば、基板 (P)が対向して配置される液浸部材 (70)を有し、液浸部材で保持される液体 (LQ)を介して基板 (P)を露光をする露光装置 (EX) のメンテナンス方法であって、液浸部材（70)を露光装置から取り外すことと、取り外した液浸部材を洗浄 (S38)又は交換する（S18)ことを含むメンテナンス方法が提供される。本発明の第 5の態様によれば、液浸部材を洗浄又は交換することにより、露光精度及び Z又は計測精度の劣化などを抑制することができる。

[0014] 本発明の第 6の態様に従えば、光学部材 (FS)と基板 (P)との間に液体 (LQ)を保持する液浸部材 (70)を有し、光学部材及び液体を介して露光光 (EL)で基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、液浸部材の交換 (S 18)または洗浄 (S 38)のためにその搬出入を行うことを含むメンテナンス方法が提供される。本発明の第 6の態様によれば、液浸部材の搬出入によりメンテナンスが容易となる。

[0015] 本発明の第 7の態様に従えば、本発明のメンテナンス方法により液浸部材を有する露光装置をメンテナンス（S 18、 S38など）することと；液体を介して基板を露光すること（204)を含む露光方法が提供される。本発明の第 7の態様によれば、高精度な液浸露光を行うことができる。

[0016] 本発明の第 8の態様に従えば、液体 (LQ)を介して露光光 (EL)で基板 (P)を露光する露光方法であって、露光光を射出する光学部材 (FS)と基板との間の空間を囲む液浸部材（70)によってその空間に液体を保持しつつ露光光で基板を露光することと、液浸部材の交換 (S 18)または洗浄 (S38)のためにその搬出入を行うこととを含む露光方法が提供される。本発明の第 8の態様によれば、液浸部材の交換または洗浄を容易に行うことができる。

[0017] 本発明の第 9の態様に従えば、第 7又は第 8の態様の露光方法により基板を露光すること（204)と；露光した基板を現像すること (204)と；現像した基板を加工すること (205)を含むデバイスの製造方法が提供される。本発明のデバイスの製造方法によれば、高精度で信頼性の高、デバイスを高ヽスループットで製造することができる。図面の簡単な説明

[0018] [図 1]第 1実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 [図 2]第 1実施形態に係る露光装置の要部を示す断面図である。

圆 3]第 1実施形態に係る液浸部材を示す斜視図の一部破断図である。

圆 4]第 1実施形態に係る液浸部材を下側力も見た斜視図である。

圆 5]第 1実施形態に係る交換システムの動作の一例を示す図である。

圆 6]第 1実施形態に係る検出装置を説明するための模式図である。

圆 7]第 1実施形態に係る交換システムの動作を説明するための模式図である。圆 8]第 1実施形態に係る交換システムの動作を説明するための模式図である。圆 9]第 1実施形態に係る交換システムの動作を説明するための模式図である。圆 10]第 1実施形態に係る交換システムの動作を説明するための模式図である。圆 11]第 1実施形態に係る交換システムの動作を説明するための模式図である。圆 12]第 1実施形態に係る交換システムの動作を説明するための模式図である。圆 13]第 1実施形態に係る交換システムの動作を説明するための模式図である。圆 14]第 1実施形態に係る交換システムの動作を説明するための模式図である。圆 15]第 1実施形態に係る交換システムの動作を説明するための模式図である。圆 16]第 1実施形態に係る交換システムの動作を説明するための模式図である。圆 17]第 1実施形態に係る交換システムの動作を説明するための模式図である。

[図 18]第 2実施形態に係る露光装置の要部を示す断面図である。

圆 19]第 3実施形態に係る露光装置を示す模式図である。

圆 20]第 4実施形態に係る露光装置を示す模式図である。

[図 21]第 5実施形態に係る露光装置の一部を示す模式図である。

[図 22]第 5実施形態に係る露光装置の一部を示す模式図である。

圆 23]液浸部材の交換動作を含むメンテナンス方法及び露光方法の一例を示すフローチャート図である。

[図 24]液浸部材の洗浄動作を含むメンテナンス方法及び露光方法の一例を示すフローチャート図である。

[図 25]マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。

符号の説明

1…マスクステージ、 2…基板ステージ、 2'…移動体、 3…制御装置、 17· ··入力装置、 20· ··収容ステーション、 30…保持装置、 32· ··吸着機構、 40· ··支持機構、 43〜支持部材、 44…斜面、 50· ··搬送装置、 51· ··第 1サブ搬送系、 52…第 2サブ搬送系、 53· ··移動機構、 70· ··液浸部材、 71· ··供給口、 72· ··回収口、 74Κ· ··切欠、 74M …凹部、 75A…上面、 75B…下面、 76· ··斜面、 88· ··多孔部材、 90…検出装置、 91 …圧力センサ、 92…撮像装置、 130…光学装置、 131· ··投射装置、 132· ··受光装置、 CS…交換システム、 EL…露光光、 EX…露光装置、 FS…終端光学素子、 LQ …液体、 LS…液浸システム、 M…マスク、 P…基板、 PL…投影光学系、 PS1…第 1 位置、 PS2- "第 2位置、 PS3- "第 3位置

発明を実施するための最良の形態

[0020] 以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、 XYZ直交座標系を設定し、この XY Z直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向を X軸方向、水平面内にお！ヽて X軸方向と直交する方向を Y軸方向、 X軸方向及び Y軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）を Z軸方向とする。また、 X軸、 Y軸、及び Z軸まわりの回転 (傾斜)方向をそれぞれ、 Θ X、 θ Y,及び 0 Z方向とする。

[0021] <第 1実施形態 >

第 1実施形態について説明する。図 1は、第 1実施形態に係る露光装置 EXを示す概略構成図である。図 1において、露光装置 EXは、マスク Mを保持して移動可能なマスクステージ 1と、基板 Pを保持して移動可能な基板ステージ 2と、マスク Mのパターンを露光光 ELで照明する照明系 ILと、露光光 ELで照明されたマスク Mのパターンの像を基板 P上に投影する投影光学系 PLと、露光装置 EX全体の動作を制御する制御装置 3とを備えている。また、露光装置 EXは、制御装置 3に接続され、露光装置 EXに操作信号を入力可能な入力装置 17と、制御装置 3に接続され、露光装置 EX の動作状況を出力可能な出力装置 18とを備えている。入力装置 17は、例えばキーボード、マウス、及びタツチパネル等の少なくとも 1つを含む。出力装置 18は、例えばフラット 'パネル'ディスプレイ等の表示装置、光を発する発光装置、及び音 (警報を含む)を発する発音装置等の少なくとも 1つを含む。 [0022] なお、ここでいう基板は、例えばシリコンウェハのような半導体ウェハ等の基材上に感光材 (フォトレジスト)を塗布したものを含み、感光膜とは別に保護膜 (トップコート膜 )などの各種の膜を塗布したものも含む。マスクは、基板上に縮小投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含み、例えばガラス板等の透明板部材上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成されたものである。この透過型マスクは、遮光膜でパターンが形成されるバイナリーマスクに限られず、例えばノヽーフトーン型、あるいは空間周波数変調型などの位相シフトマスクも含む。また、本実施形態においては、マスクとして透過型のマスクを用いる力反射型のマスクを用いてもよい。

[0023] 本実施形態の露光装置 EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、投影光学系 PLの像面側 (光射出側）の露光光 ELの光路を含む光路空間 Kを液体 L Qで満たすように基板 P上に液浸領域 LRを形成する液浸システム LSを備えて、る。液浸システム LSの動作は制御装置 3に制御される。液浸システム LSは、光路空間 K 近傍に配置され、液体 LQを供給可能な供給口 71及び液体 LQを回収可能な回収口 72を有する液浸部材 70を備えている。液浸システム LSは、液浸部材 70を用いて、投影光学系 PLの複数の光学素子のうち、投影光学系 PLの像面に最も近い終端光学素子 FSと、投影光学系 PLの像面側に配置された基板ステージ 2上の基板 Pの表面との間の露光光 ELの光路を含む光路空間 Kを液体 LQで満たすように基板 P上に液浸領域 LRを形成する。本実施形態においては、液体 LQとして、水（純水）を用いる。

[0024] 露光装置 EXは、少なくともマスク Mのパターンの像を基板 P上に投影している間、液浸システム LSを用いて基板 P上に液浸領域 LRを形成する。露光装置 EXは、投影光学系 PLと光路空間 Kに満たされた液体 LQとを介してマスク Mを通過した露光光 ELを基板ステージ 2に保持された基板 P上に照射することによって、マスク Mのパターンの像を基板 P上に投影して、基板 Pを露光する。また、本実施形態の露光装置 EXは、終端光学素子 FSと基板 Pとの間の露光光 ELの光路を含む光路空間 Kに満たされた液体 LQ力投影光学系 PLの投影領域 ARを含む基板 P上の一部の領域に、投影領域 ARよりも大きく且つ基板 Pよりも小さヽ液体 LQの液浸領域 LRを局所的に形成する局所液浸方式を採用して、る。

[0025] なお、本実施形態にぉヽては、主に液浸領域 LRが基板 P上に形成される場合について説明するが、投影光学系 PLの像面側において、終端光学素子 FSと対向する位置に配置された物体、例えば基板ステージ 2の一部にも形成可能である。また、例えば基板 Pの外周付近のショット領域の露光時には、液浸領域 LRはその一部が基板 P上に形成され、残り一部が基板ステージ 2上に形成される。

[0026] また、後に詳述するように、露光装置 EXは、液浸部材 70を交換する交換システム CSを備えている。交換システム CSは、光路空間 K近傍で液浸部材 70を着脱可能に保持する保持装置 30と、液浸部材 70を搬送する搬送装置 50とを備えている。搬送装置 50は、液浸部材 70を、第 1位置 PS1と、第 1位置 PS1とは異なる第 2位置 PS2との間で搬送可能である。本実施形態では、第 1及び第 2位置 PS1、 PS2が Y軸方向に離れて設定されている。

[0027] また、露光装置 EXは、少なくとも投影光学系 PLを収容するチャンバ装置 19を備えている。本実施形態においては、チャンバ装置 19には、少なくともマスクステージ 1、基板ステージ 2、照明系 ILの少なくとも一部、投影光学系 PL、液浸システム LSの少なくとも一部、及び交換システム CSの少なくとも一部が収容されている。また、入力装置 17及び出力装置 18は、チャンバ装置 19の外側に配置されている。

[0028] また、チャンバ装置 19の外側には、液浸部材 70を収容可能な収容ステーション 20 が配置されている。本実施形態においては、第 1位置 PS1には保持装置 30が設けられ、第 2位置 PS2には収容ステーション 20が設けられており、搬送装置 50は、液浸部材 70を、保持装置 30と収容ステーション 20との間で搬送可能である。

[0029] また、本実施形態の露光装置 EXは、マスク Mと基板 Pとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスク Mのパターンの像を基板 P上に投影する走査型露光装置 (所謂スキャニングステツパ）である。本実施形態においては、基板 Pの走査方向（同期移動方向）を Y軸方向とし、マスク Mの走査方向（同期移動方向）も Y軸方向とする。露光装置 EXは、基板 Pのショット領域を投影光学系 PLの投影領域 ARに対して Y軸方向に移動するとともに、その基板 Pの Y軸方向への移動と同期して、照明系 ILの照明領域 IAに対してマスク Mのパターン形成領域を Y軸方向に移動しつつ、投影光学系 P L及び液体 LQを介して投影領域 ARに露光光 ELを照射することによって、投影領域 ARに形成されるパターンの像で基板 P上のショット領域を露光する。

[0030] 露光装置 EXは、例えばクリーンルーム内の床面（またはベースプレート） FL上に設けられた第 1コラム CL1、及び第 1コラム CL1上に設けられた第 2コラム CL2を含むボディ BDを備えている。第 1コラム CL1は、複数の第 1支柱 11と、それら第 1支柱 11に防振装置 9を介して支持された鏡筒定盤 7とを備えている。第 2コラム CL2は、鏡筒定盤 7上に設けられた複数の第 2支柱 12と、それら第 2支柱 12に防振装置 4を介して支持されたマスクステージ定盤 6とを備えて、る。

[0031] 照明系 ILは、マスク M上の所定の照明領域 IAを均一な照度分布の露光光 ELで照明する。照明系 IL力も射出される露光光 ELとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線 (g線、 h線、 i線)及び KrFエキシマレーザ光 (波長 248nm)等の遠紫外光（ DUV光）、 ArFエキシマレーザ光（波長 193nm)及び Fレーザ光（波長 157nm)等

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の真空紫外光 (VUV光)などが用いられる。本実施形態にぉ、ては ArFエキシマレ一ザ光が用いられる。なお、図 1では照明系 ILはその全てがチャンバ装置 19内に配置されている力照明系 ILの一部をチャンバ装置 19の外部に配置してもよい。例えば、露光光 ELとして ArFエキシマレーザ光を発生する ArFエキシマレーザ装置をクリーンルームの床下に配置し、ビームマッチングユニットを含む伝送光学系によって、少なくとも一部がチャンバ装置 19内に配置される照明光学系に露光光 ELを導いてちょい。

[0032] マスクステージ 1は、例えばリニアモータ等のァクチユエータを含むマスクステージ駆動装置 1Dの駆動により、マスク Mを保持して、マスクステージ定盤 6上で、少なくとも X軸、 Y軸、及び Θ Z方向に移動可能である。マスクステージ 1は、エアベアリング（エアパッド）により、マスクステージ定盤 6の上面 (ガイド面）に対して非接触支持されている。マスクステージ 1は、基板 Pの露光時に露光光 ELを通過させるための第 1開口 1Kを有しており、マスクステージ定盤 6は、露光光 ELを通過させるための第 2開口 6Kを有している。照明系 ILから射出され、マスク Mのパターン形成領域を照明した露光光 ELは、マスクステージ 1の第 1開口 1K、及びマスクステージ定盤 6の第 2開口 6Κを通過した後、投影光学系 PLに入射する。 [0033] マスクステージ 1 (ひ、てはマスク M)の位置情報（回転情報を含む）はレーザ干渉計 13によって計測される。レーザ干渉計 13は、マスクステージ 1上に固設された移動鏡の反射面 (あるいは、マスクステージ 1の側面に形成された反射面） 14を用いてマスクステージ 1の位置情報を計測する。制御装置 3は、レーザ干渉計 13の計測結果に基づ!/、てマスクステージ駆動装置 1Dを駆動し、マスクステージ 1に保持されて、るマスク Mの位置制御を行う。

[0034] 投影光学系 PLは、マスク Mのパターンの像を所定の投影倍率で基板 Pに投影する。投影光学系 PLは、複数の光学素子を有しており、それら光学素子は鏡筒 5で保持されている。鏡筒 5はフランジ 5Fを有しており、投影光学系 PLはフランジ 5Fを介して鏡筒定盤 7に支持されている。また、鏡筒定盤 7と鏡筒 5との間に防振装置を設けることができる。本実施形態の投影光学系 PLは、その投影倍率が例えば 1Z4、 1/5, あるいは 1Z8等の縮小系である。

[0035] 基板ステージ 2は、基板 Pを保持する基板ホルダ 2Hを有しており、例えばリニアモータ等のァクチユエータを含む基板ステージ駆動装置 2Dの駆動により、基板ホルダ 2Hに基板 Pを保持して、基板ステージ定盤 8上で、 X軸、 Y軸、 Z軸、 0 X、 0 Y、及び θ Z方向の 6自由度の方向に移動可能である。基板ステージ 2は、エアベアリングにより基板ステージ定盤 8の上面 (ガイド面）に対して非接触支持されている。基板ステージ定盤 8は、床面 FL上に防振装置 10を介して支持されている。基板ステージ 2 ( ひいては基板 P)の位置情報はレーザ干渉計 15によって計測される。レーザ干渉計 15は、基板ステージ 2に設けられた反射面 16を用いて基板ステージ 2の X軸、 Y軸、及び θ Z方向に関する位置情報を計測する。また、露光装置 EXは、基板ステージ 2 に保持されている基板 Pの表面の面位置情報 (Z軸、 Θ X、及び Θ Y方向に関する位置情報）を検出可能な不図示のフォーカス ·レベリング検出系を備えている。制御装置 3は、レーザ干渉計 15の計測結果及びフォーカス'レべリング検出系の検出結果に基づ!/ヽて基板ステージ駆動装置 2Dを駆動し、基板ステージ 2に保持されてヽる基板 Pの位置制御を行う。なお、フォーカス'レべリング検出系としては、例えば米国特許第 6,608,681号などに開示されるように、複数の検出点でそれぞれ基板 Pの高さ情報 (Z軸方向に関する位置情報)を検出する多点位置検出系を用いることができる。本実施形態では、複数の検出点はその少なくとも一部が露光領域 AR内に設定されるが、全ての検出点が露光領域 AR (又は液浸領域 LR)の外側に設定されてもよい。また、レーザ干渉計 15は、例えば特表 2001— 510577号公報 (対応国際公開第 1999/28790号パンフレット）などに開示されているように、基板ステージ 2の Z軸、 Θ X及び Θ Y方向に関する位置情報をも計測可能としてよい。この場合、少なくとも基板 Pの位置制御ではフォーカス ·レベリング検出系の検出結果を用いなくてもよいし、フォーカス ·レべリング検出系を投影光学系 PL力も離して配置してもよ、。

[0036] また、本実施形態においては、基板ステージ 2上には凹部 2Rが設けられており、基板ホルダ 2Hはその凹部 2Rに配置されている。そして、基板ステージ 2上のうち凹部 2R以外の上面 2Fは、基板ホルダ 2Hに保持された基板 Pの表面とほぼ同じ高さ（面一）になるような平坦面となっている。なお、基板ホルダ 2Hは基板ステージ 2と一体に構成してちょい。

[0037] 次に、図 1〜図 4を参照しながら、交換システム CS及び液浸システム LSについて説明する。図 2は、交換システム CSの保持装置 30に保持された液浸部材 70を示す YZ平面と平行な側断面図、図 3は、液浸システム LSの液浸部材 70を示す概略斜視図の一部破断図、図 4は液浸部材 70を下側から見た斜視図である。

[0038] 図 2に示すように、保持装置 30は、液浸部材 70の上面 75Aの少なくとも一部と接触する保持面 31を有している。保持面 31は、終端光学素子 FSを囲むように設けられている。本実施形態においては、保持面 31は、鏡筒 5の一部に設けられており、 X Y平面とほぼ平行である。また、液浸部材 70の上面 75Aのうち、保持面 31と接触する領域は、 XY平面とほぼ平行な平面である。

[0039] 保持装置 30は、液浸部材 70を吸着する吸着機構 32を有している。吸着機構 32は、保持面 31の複数の所定位置のそれぞれに設けられた吸引口 33と、それら吸引口 33に第 1流路 34を介して接続された真空系 35とを備えている。本実施形態においては、第 1流路 34は、鏡筒 5の内部に形成された第 1内部流路 34Aと、第 1内部流路 34Aと真空系 35とを接続する第 1管部材 34Bで形成される流路とを含む。吸引口 33 は、第 1内部流路 34Aの一端に接続され、第 1内部流路 34Aの他端は第 1管部材 3 4Bに接続されている。真空系 35は、例えば真空ポンプ等を含み、制御装置 3は、吸着機構 32の真空系 35を駆動して、吸引口 33より気体を吸引することにより、液浸部材 70を保持面 31で吸着保持することができる。また、制御装置 7は、真空系 35を含む吸着機構 32を制御して、吸着機構 32による液浸部材 70の吸着を解除することにより、液浸部材 70を保持面 31から離すことができる。

[0040] このように、本実施形態においては、制御装置 3は、吸着機構 32を含む保持装置 3 0を制御することにより、液浸部材 70を保持装置 30の保持面 31に取り付け及び取り外しすることができる。なお、保持装置 30の保持面 31は、鏡筒 5の内部への液体の浸入を防止するために、撥液性処理が施されていることが望ましい。または、吸引口 33を囲むシール部材を設けて、鏡筒内部への液体の侵入を防止してもよい。

[0041] なお本実施形態にお!、ては、保持装置 30の吸着機構 32は、液浸部材 70を真空吸着する真空吸着機構を備えているが、真空吸着機構に限られるものでなぐ例えば静電気の力を用いた静電吸着機構を備えていてもよい。静電吸着機構によっても、保持装置 30は液浸部材 70を着脱可能に保持することができる。

[0042] 保持装置 30に保持された液浸部材 70は、基板 P上に露光光 ELを射出する終端光学素子 FSの近傍にぉ、て、基板 P (基板ステージ 2)と対向するように配置される。液浸部材 70は環状部材であって、保持装置 30に保持されることにより、基板 P (基板ステージ 2)の上方にお 1、て終端光学素子 FSを囲むように配置される。保持装置 30 に保持された液浸部材 70と終端光学素子 FSとは離れている。

[0043] 液浸システム LSは、液体 LQを供給可能な供給口 71及び液体 LQを回収可能な回収口 72を有する液浸部材 70と、液浸部材 70の供給口 71に供給流路 81及び第 2流路 84を介して接続された液体供給装置 86と、液浸部材 70の回収口 72に回収流路 82及び第 3流路 85を介して接続された液体回収装置 87とを備えている。

[0044] 本実施形態においては、第 2流路 84は、鏡筒 5の内部に形成された第 2内部流路 84Aと、第 2内部流路 84Aと液体供給装置 86とを接続する第 2管部材 84Bとで形成される流路とを含む。供給流路 81は液浸部材 70の内部に形成されており、供給口 7 1は、供給流路 81の一端 (下端）に接続され、供給流路 81の他端 (上端）は、第 2内部流路 84Aの一端に接続されている。また、第 2内部流路 84Aの他端は、第 2管部材 84Bに接続されている。 [0045] また、本実施形態においては、第 3流路 85は、鏡筒 5の内部に形成された第 3内部流路 85Aと、第 3内部流路 85Aと液体回収装置 87とを接続する第 3管部材 85Bとで形成される流路とを含む。回収流路 82は液浸部材 70の内部に形成されており、回収ロ 72は、回収流路 82の一端 (下端）に接続され、回収流路 82の他端 (上端）は、第 3内部流路 85Aの一端に接続されている。また、第 3内部流路 85Aの他端は、第 3 管部材 85Bに接続されて、る。

[0046] 本実施形態の露光装置 EXは、供給流路 81の他端と第 2内部流路 84Aの一端とを接続する第 1接続機構 101と、回収流路 82の他端と第 3内部流路 85Aの一端とを接続する第 2接続機構 102とを備えて、る。保持装置 30が液浸部材 70を保持したとき、すなわち保持装置 30の保持面 31と液浸部材 70の上面 75Aとが接触したとき、第 1 接続機構 101により供給流路 81の他端と第 2内部流路 84Aの一端とが接続され、第 2接続機構 102により回収流路 82の他端と第 3内部流路 85Aの一端とが接続される。また、保持装置 30が液浸部材 70の保持を解除したとき、すなわち保持装置 30の保持面 31と液浸部材 70の上面 75とが離れたとき、第 1接続機構 101による供給流路 81の他端と第 2内部流路 84Aの一端との接続が解除され、第 2接続機構 102による回収流路 82の他端と第 3内部流路 85Aの一端との接続が解除される。

[0047] すなわち、本実施形態においては、保持装置 30で液浸部材 70を保持したとき、第 2流路 84と供給流路 81との接続、及び第 3流路 85と回収流路 82との接続が自動的に行われ、保持装置 30での液浸部材 70の保持を解除したとき、第 2流路 84と供給流路 81との接続、及び第 3流路 85と回収流路 82との接続が自動的に解除される。

[0048] また、第 1接続機構 101及び第 2接続機構 102は、例えば Oリング等のシール部材を有しており、液体 LQの漏れを抑制している。なお、本実施形態では保持装置 30の保持面 31と液浸部材 70の上面 75Aの両方が平坦面であるものとした力保持面 31 及び Z又は上面 75Aが平坦面でなくてもよい。また、保持装置 30で液浸部材 70を保持する際に保持面 31と上面 75Aとがその少なくとも一部で接触しなくてもよい。保持面 31と上面 75Aとの間にギャップが存在しても、第 1及び第 2接続機構 101、 102 によって、第 2流路 84と供給流路 81との接続、及び第 3流路 85と回収流路 82との接続が行われる。 [0049] 液体供給装置 86及び液体回収装置 87の動作は制御装置 3によって制御される。液体供給装置 86は清浄で温度調整された液体 LQを送出可能であり、真空系等を含む液体回収装置 87は液体 LQを回収可能である。液体供給装置 86は、第 2流路 84、供給流路 81、及び供給口 71を介して液体 LQを供給可能であり、液体回収装置 87は、回収口 72、回収流路 82、及び第 3流路 85を介して液体 LQを回収可能である。

[0050] 図 2及び図 3に示すように、液浸部材 70は、終端光学素子 FSの下面 T1と対向する上面 79を有する底板 78を有している。底板 78の一部は、 Z軸方向に関して、終端光学素子 FSの下面 T1と基板 P (基板ステージ 2)との間に配置されて、る。

[0051] また、図 2、図 3、及び図 4に示すように、底板 78の中央には、露光光 ELが通過する開口 78Kが形成されている。本実施形態においては、投影光学系 PLの視野内で露光光 ELの断面形状 (すなわち投影領域 AR)は略矩形状であり、開口 78Kは、投影領域 ARに応じて略矩形状に形成されてヽる。

[0052] 液浸部材 70のうち、基板ステージ 2に保持された基板 Pの表面と対向する下面 77 は平坦面となっている。下面 77は開口 78Kを囲むように底板 78に設けられている。以下の説明においては、液浸部材 70の下面 77を適宜、ランド面 77と称する。ランド面 77は、投影光学系 PLの終端光学素子 FSの下面 T1と基板 Pの表面との間において、露光光 ELの光路（開口 78K)を囲むように設けられている。ランド面 77は、液浸部材 70のうち、基板ステージ 2に保持された基板 Pに最も近い位置に設けられており、基板 Pの表面との間で液体 LQを保持可能である。光路空間 Kを満たす液体 LQは底板 78及び終端光学素子 FSに接触する。また、終端光学素子 FSの下面 T1と底板 78の上面 79との間には所定のギャップを有する空間が設けられている。以下の説明においては、終端光学素子 FSの下面 T1と底板 78の上面 79との間の空間を含む液浸部材 70の内側の空間を適宜、内部空間 K2と称する。

[0053] 供給口 71は内部空間 K2に接続されており、内部空間 K2に液体 LQを供給可能である。また、本実施形態においては、供給口 71は、露光光 ELが通過可能な開口 78 Kの外側において開口 78Kを挟んだ X軸方向両側のそれぞれの所定位置に設けられている。 [0054] また、液浸部材 70は、内部空間 K2の気体を外部空間（大気空間を含む）に排出（排気)する排出口 73を有している。排出口 73は内部空間 K2に接続されており、本実施形態においては、開口 78Kの外側において、開口 78Kを挟んだ Y軸方向両側のそれぞれの所定位置に設けられている。内部空間 K2の気体は、排出口 73及び液浸部材 70の内部に設けられた排出流路 83を介して外部空間に排出可能となっている。

[0055] 回収口 72は、基板ステージ 2に保持された基板 Pの上方において、その基板 Pの表面と対向するように設けられている。回収口 72は、開口 78Kに対して供給口 71及び排出口 73の外側に設けられており、ランド面 77、供給口 71、及び排出口 73を囲むように環状に設けられている。回収口 72には、複数の孔を有する多孔部材 88が配置されている。多孔部材 88は基板ステージ 2に保持された基板 Pと対向する下面 89 を有している。本実施形態においては、多孔部材 88の下面 89はほぼ平坦であり、多孔部材 88の下面 89とランド面 77とはほぼ面一 (Z軸方向の位置がほぼ同一）に設けられている。なお、回収流路 82の圧力の最適値 (許容範囲）は、例えば実験又はシミユレーシヨンにより予め求めることができる。

[0056] ランド面 77は、液体 LQに対して親液性を有して、る。本実施形態にぉ、ては、ランド面 77を形成する底板 78はチタンによって形成されており、親液性 (親水性)を有している。本実施形態においては、ランド面 77における液体 LQの接触角は例えば 4 0° 以下である。なお、ランド面 77に親液性を高めるための表面処理を施してもよい。また、本実施形態においては、多孔部材 88はチタン製のメッシュ部材であり、液体 LQに対して親液性 (親水性)を有している。なお、多孔部材 88に親液性を高めるための表面処理を施してもよい。なお、底板 78及び多孔部材 88の材料はチタンに限られるものでなぐ他の材料、例えばアルミニウム、あるいはセラミックスなどでもよい。

[0057] また、本実施形態の液浸部材 70は、フランジ 74を備えて、る。フランジ 74は、液浸部材 70の上部に設けられており、 +Y方向及び Y方向のそれぞれに延びるように形成されている。

[0058] また本実施形態にぉ、ては、液浸部材 70の上面 75Aと側面 75Bとは斜面 (テーパ面） 76で接続されている。斜面 76は、上面 75Aの +X側、 X側、 +Y側、及び— Y 側のそれぞれに形成されており、保持面 31に対して所定の角度で形成されている。

[0059] また、液浸部材 70のフランジ 74の側面 75Bの複数の所定位置のそれぞれには切欠 74Kが形成されている。切欠 74Kは、フランジ 74の厚み方向（Z軸方向）に延びるように形成されている。本実施形態においては、切欠 74Kは、フランジ 74の +X側及び— X側のそれぞれの側面 75Bの所定位置に 2つずつ、全部で 4つ形成されて、る

[0060] また、液浸部材 70のフランジ 74の側面 75Bの複数の所定位置のそれぞれには凹部 74Mが形成されている。本実施形態においては、凹部 74Mは、フランジ 74の +Y 側及び—Y側のそれぞれの側面 75Bの所定位置に 2つずつ、全部で 4つ形成されている。

[0061] 鏡筒 5の内部への液体 LQの浸入を防止するために、液浸部材 70の上面 75A、側面 75B、斜面 76には、撥液性処理が施されていることが望ましい。特に、保持装置 3 0の保持面 31と液浸部材 70の上面 75Aの間に、液体が浸入することを防止するために、液浸部材 70の上面 75Aには撥液性処理が施されていることが望ましぐこの場合、前述したように保持装置 30の保持面 31にも撥液性処理が施されてヽることが望ましい。撥液性処理として、例えば、保持面 31や上面 75Aに撥液性膜を塗布することができる。撥液性膜としては、例えば、ポリ四フッ化工チレン (テフロン (登録商標） )等のフッ素系榭脂材料、アクリル系榭脂材料、あるいはシリコン系榭脂材料等を用い得る。このような撥液性膜を上記面に塗布することにより液体 LQの接触角を 90° 以上にすることができる。これらの撥液性膜は、液浸部材 70のフランジ 74の側面 75 B及び凹部 74M並びに支持部材 43に設けてもよい。なお、液体の侵入防止などのために、撥液性処理とは別の手法を採用する、例えばシール部材を用いてもよい。

[0062] 図 2に示すように、露光装置 EXは、保持装置 30とは別に設けられ、液浸部材 70を支持可能な支持機構 40を備えている。支持機構 40は、液浸部材 70を囲むように設けられた基材 41と、基材 41の内側面 42に形成された開口 42Kに配置され、液浸部材 70の側面 75Bに設けられた凹部 74Mに揷脱可能な支持部材 43とを備えている。基材 41は、保持面 31に対して所定位置に設けられている。本実施形態においては、支持機構 40の基材 41は、保持面 31を囲むように鏡筒 5の下面に配置されている。支持部材 43は、複数の凹部 74Mに対応するように複数 (4つ)設けられている。支持部材 43はピン状の部材であって、例えばエアシリンダ等のァクチユエータにより、その先端を Y軸方向に移動可能に設けられて、る。

[0063] また、基材 41の内側面 42は、液浸部材 70の斜面 (テーパ面） 76に応じた斜面 (テーパ面) 44を含む。基材 41の斜面 44と液浸部材 70の斜面 76とが接触することにより、基材 41と液浸部材 70との位置関係が調整され、さらに保持装置 30の保持面 31 と液浸部材 70との位置関係が所望状態に調整 (位置決め）される。それゆえ、液浸部材 70の斜面 76と基材 41の斜面 44はァライメント装置として機能する。

[0064] そして、支持機構 40は、液浸部材 70の凹部 74Mに支持部材 43を挿入することにより、液浸部材 70を支持することができる。また、制御装置 3は、液浸部材 70が保持装置 30に保持されていないときに、支持機構 40を用いて、液浸部材 70を支持可能である。支持機構 40は、保持装置 30の故障などによって保持装置 30から液浸部材 70が外れたときに支持部材 43で液浸部材 70を支持して、液浸部材 70の落下を防止する。すなわち、支持機構 40は液浸部材 70の落下を防止するための安全機構として機能する。このように、支持機構 40は保持装置 30と独立して液浸部材を支持する。また、支持機構 40は、液浸部材 70の凹部 74M力も支持部材 43を抜くことにより、液浸部材 70に対する支持を解除することができる。

[0065] なお、図 2において、基板 Pを保持する基板ホルダ 2Hは、基板ホルダ 2Hの基材の上面に設けられ、シール部材として機能する周壁 2Aと、周壁 2Aの内側に配置され、基板 Pの裏面を支持する支持部材 2Bと、周壁 2Aの内側における基材の上面に設けられた吸引口 2Cとを備えている。制御装置 3は、吸引口 2Cに接続された真空系を含む吸引装置を駆動し、基板 Pの裏面と周壁 2Aと基材とで囲まれた空間の気体を吸引して、その空間を負圧にすることによって、基板 Pの裏面を支持部材 2Bで吸着保持する。また、吸引口 2Cに接続された吸引装置による吸引動作を解除することにより、基板ホルダ 2H力も基板 Pを外すことができる。このように、本実施形態においては、吸引口 2Cを用いた吸引動作及び吸引動作の解除を行うことにより、基板 Pを基板ホルダ 2Hに対して着脱することができる。本実施形態における基板ホルダ 2Hは所謂ピンチャック機構を含む。すなわち、支持部材 2Bは多数のピン状部材を含む。 [0066] 次に、搬送装置 50について、図 1及び図 2を参照しながら説明する。搬送装置 50 は、液浸部材 70を、第 1位置 PS1と、第 1位置 PS1とは異なる第 2位置 PS2との間で搬送可能である。本実施形態においては、第 1位置 PS1には保持装置 30が設けられ、第 2位置 PS2には液浸部材 70を収容可能な収容ステーション 20が設けられており、搬送装置 50は、液浸部材 70を、保持装置 30と収容ステーション 20との間で搬送可能である。

[0067] 搬送装置 50は、第 1サブ搬送系 51と、第 2サブ搬送系 52とを備えている。第 1サブ搬送系 51は、第 1位置 PS 1にお、て保持装置 30との間で液浸部材 70の受け渡しを行う移動機構 53を含む。

[0068] 移動機構 53は、基板ステージ 2に設けられている。図 2に示すように、移動機構 53 は、基板ステージ 2の基板ホルダ 2Hの基材の上面に形成された開口 54に配置されるピン状部材 55と、ピン状部材 55を Z軸方向に移動 (昇降)させる駆動装置 56とを備えている。ピン状部材 55は複数 (例えば 3本)設けられており、駆動装置 56は、複数のピン状部材 55のそれぞれを昇降することができる。

[0069] 図 5は、第 1位置 PS1でピン状部材 55が液浸部材 70を支持している状態を示す図である。図 5に示すように、移動機構 53のピン状部材 55は、保持部材 30の保持が解除された液浸部材 70のランド面 77を支持可能である。ピン状部材 55の上面には吸引口が設けられており、ピン状部材 55は、液浸部材 70のランド面 77を吸着保持することができる。移動機構 53のピン状部材 55で液浸部材 70を支持する場合には、基板 Pは基板ホルダ 2Hに載置されて!、な!/、。

[0070] 第 1サブ搬送系 51の移動機構 53は、液浸部材 70を支持して Z軸方向に移動可能であり、保持装置 30の保持面 31 (すなわち、終端光学素子 FSの下面 T1)と液浸部材 70の上面 75Aとの間隔を調整可能である。図 5に示すように、制御装置 3は、支持機構 40の支持部材 43を液浸部材 70の凹部 74M力も抜くとともに、保持装置 30の吸着機構 32による液浸部材 70に対する吸着保持を解除し、第 1位置 PS1において移動機構 53のピン状部材 55で液浸部材 70のランド面 77を支持する。移動機構 53 のピン状部材 55で液浸部材 70のランド面 77を支持した状態で、駆動装置 56によりピン状部材 55を— Z軸方向に移動することにより、第 1位置 PS 1から液浸部材 70を —Z軸方向に移動することができ、保持装置 30から液浸部材 70を遠ざけることができる。

[0071] また、制御装置 3は、移動機構 53を制御してピン状部材 55を +Z軸方向に移動することにより、ピン状部材 55で支持した液浸部材 70を、保持装置 30に近づくように + Z軸方向に第 1位置 PS1まで上昇させることができる。また、制御装置 3は、第 1位置 PS1で支持されている液浸部材 70の凹部 74Mに支持機構 40の支持部材 43を挿入するとともに、保持装置 30の吸着機構 32により液浸部材 70を保持することによつて、液浸部材 70を移動機構 53から保持装置 30へ渡すことができる。このように、移動機構 53を含む第 1サブ搬送系 51は、第 1位置 PS1において保持装置 30と液浸部材 70の受け渡しを行うことができる。

[0072] また、ピン状部材 55を含む移動機構 53は、 X軸及び Y軸方向に移動可能な基板ステージ 2に設けられており、制御装置 3は、ピン状部材 55で液浸部材 70を支持した状態で、あるいは基板ステージ 2に液浸部材 70を載置した状態で、基板ステージ 2を少なくとも Y軸方向に移動することにより、液浸部材 70を、投影光学系 PLの直下から移動するとともに、その直下まで移動することができる。すなわち、第 1及び第 2位置 P Sl、 PS2の間での液浸部材 70の移動にあたって、液浸部材 70を搭載した基板ステージ 2を XY平面内で駆動しても、 Z軸方向に関して液浸部材 70の上面 75Aは終端光学素子 FSの下面 T1よりも下がっているので、液浸部材 70が終端光学素子 FSと接触することがない。これにより、露光装置のメンテナンス時などにおいて、例えば洗浄または交換のための液浸部材 70の搬出入が可能となる。すなわち、投影光学系 P Lを介して基板 Pの露光を行う露光本体部からの液浸部材 70の搬出、及び洗浄または交換された液浸部材の露光本体部への搬入が可能となる。なお、本実施形態では保持装置 30とピン状部材 55との間で液浸部材 70の受け渡しが行われる位置を第 1位置 PS1とした力その受け渡し時に XY平面内で基板ステージ 2が配置される位置も、正確には Z軸方向に関して第 1位置 PS1とは異なるものの、以下では第 1位置 PS1と呼ぶものとする。

[0073] なお、本実施形態では液浸部材 70の着脱 (搬出入)時、移動機構 53によって終端光学素子 FSと液浸部材 70とを Z軸方向に相対移動するものとしたが、これに限らず、例えば液浸部材 70を搭載した基板ステージ 2及び Z又は投影光学系 PLを Z軸方向に移動してもよい。また、保持装置 30から取り外された液浸部材あるいは保持装置 30に取り付ける液浸部材を支持する、すなわち保持装置 30との間で液浸部材 70 の受け渡しが行われる部材はピン状部材 55に限られるものでなぐ例えば基板ホルダ 2Hの支持部材 2B、あるいは XY平面内で移動可能な可動部材 (例えば、搬送ァーム）などでもよい。

[0074] また、本実施形態において、移動機構 53は、基板 Pの搬送にも使用される。すなわち、移動機構 53は、基板ホルダ 2Hに対する基板 Pのロード及びアンロード時において、駆動装置 56によりピン状部材 55を昇降することで、基板 Pの裏面を支持して Z軸方向に移動可能である。

[0075] 第 2サブ搬送系 52は、第 1搬送機構 61と第 2搬送機構 62とを含む。第 2サブ搬送系 52は、第 1位置 PS1と第 2位置 PS2との間に設けられている。なお、第 2サブ搬送系 52は、第 1位置 PS1と第 2位置 PS2とを結ぶ直線上に設けられている必要はなぐ第 1位置 PS1と第 2位置 PS2との間で液浸部材 70を搬送可能に配置されていればよい。本実施形態においては、第 1搬送機構 61は、鏡筒 5の +Y側において第 1コラム CL1の鏡筒定盤 7に設けられている。第 2搬送機構 62は、基板ステージ定盤 8の + Y側にお、て床面 FL上に配置されて、る。

[0076] 第 1搬送機構 61及び第 2搬送機構 62を含む第 2サブ搬送系 52は、第 1位置 PS1 及び第 2位置 PS 2とは異なる第 3位置 PS 3で、第 1サブ搬送系 51との間で液浸部材 70の受け渡しを行うことができる。また、第 2サブ搬送系 52は、第 3位置 PS3と第 2位置 PS2との間で液浸部材 70の搬送を行うことができる。第 1搬送機構 61は、液浸部材 70のフランジ 74を保持可能な第 1アーム 63を有し、第 2搬送機構 62は、液浸部材 70のランド面（下面） 77を保持可能な第 2アーム 64を有している。第 1搬送機構 61 の第 1アーム 63及び第 2搬送機構 62の第 2アーム 64のそれぞれは、 X軸、 Y軸、 Z軸、 Θ Χ, 0 Y、及び 0 Z方向の 6自由度の方向に移動可能である。第 1搬送機構 61と第 2搬送機構 62とは液浸部材 70の受け渡しを行うことができる。第 1アーム 63及び第 2アーム 64の駆動動作にっ、ては後述する。

[0077] また、第 2サブ搬送系 52の第 1搬送機構 61は、第 3位置 PS3近傍に配置されており、第 1サブ搬送系 51の移動機構 53は、基板ステージ 2を移動することによって、第 1位置 PS1と第 3位置 PS3近傍との間で移動可能である。そして、搬送装置 50は、第 3位置 PS3で、移動機構 53を含む第 1サブ搬送系 51と、第 1搬送機構 61を含む第 2 サブ搬送系 52との間で液浸部材 70の受け渡しを行うことができる。このように、本実施形態においては、搬送装置 50は、保持装置 30が設けられた第 1位置 PS1及び収容ステーション 20が設けられた第 2位置 PS2とは異なる第 3位置 PS3で、液浸部材 7 0の受け渡しを行う第 1サブ搬送系 51と第 2サブ搬送系 52とを有している。

[0078] また、チャンバ装置 19の収容ステーション 20近傍には開口 21が形成されており、その開口 21には扉 22が配置されている。第 2搬送機構 62の第 2アーム 64は、収容ステーション 20にアクセス可能となっている。制御装置 3は、第 2アーム 64を収容ステーシヨン 20にアクセスするとき、扉 22を開けて開口 21を解放する。例えば、第 2ァーム 64は、収容ステーション 20に収容されて、る液浸部材 70を収容ステーション 20から取り出すことができるし、保持した液浸部材 70を収容ステーション 20に収容することもできる。こうして搬送装置 50の第 2搬送機構 62は、液浸部材 70を第 2位置 PS2と第 3位置 PS3との間で受け渡しする。

[0079] なお、本実施形態の搬送装置 50は、基板 Pも搬送可能である。制御装置 3は、不図示の基板収容ステーション、あるいはコータ装置等の周辺装置力チャンバ装置 1 9内に搬送された露光処理されるべき基板 Pを、第 2サブ搬送系 52の第 2搬送機構 6 2で受け取ることができる。第 2搬送機構 62は、保持した基板 Pを第 1搬送機構 61〖こ渡すことができる。そして、第 1搬送機構 61は、保持している基板 Pを、例えば第 3位置 PS 3にお、て基板ステージ 2に設けられて、る第 1サブ搬送系 51のピン状部材 53 を含む移動機構 53に渡すことができる。第 1サブ搬送系 51の移動機構 53が第 2サブ搬送系 52の第 1搬送機構 61から基板 Pを受け取るときには、ピン状部材 55は上昇しており、第 2サブ搬送系 52の第 1搬送機構 61は、その上昇しているピン状部材 55 に基板 Pを渡す。そして、制御装置 3は、移動機構 53の駆動装置 56を制御して、ピン状部材 55を下降することにより、基板ホルダ 2H上に基板 Pを載置することができる。また、露光後の基板 Pを基板ステージ 2からアンロードする場合には、制御装置 3は、基板ステージ 2を第 3位置 PS3に移動し、移動機構 53の駆動装置 56を制御してピン状部材 55を上昇させ、基板 Pを基板ホルダ 2Hカゝら離す。基板ホルダ 2Hから離された基板 Pは、第 3位置 PS3において、第 2サブ搬送系 52の第 1搬送機構 61に渡される。第 1搬送機構 61は、その基板 Pを第 2搬送機構 62に渡し、第 2搬送機構 62は、その基板 Pを不図示の基板収容ステーション、あるいはデベロツバ装置等の周辺装置に渡す。なお、本実施形態では液浸部材 70と基板 Pとで搬送装置 50を兼用するものとしたが、液浸部材 70と基板 Pとでそれぞれ専用の搬送装置を設けてもよい。また、搬送装置 50は上記構成に限られるものでない。例えば、第 1位置 PS1と第 3位置 PS3 (又は第 2位置 PS2)との間を移動可能な可動部材 (例えば、搬送アーム)を設け、この可動部材によって液浸部材 70の搬送を行ってもよい。この場合、保持装置 3 0と可動部材との間で液浸部材 70の受け渡しを行ってもよい。

[0080] また、図 2に示すように、露光装置 EXは、液浸部材 70の状態を検出する検出装置 90を備えている。検出装置 90は、液浸部材 70の回収口 72に接続する流路の圧力を検出する圧力センサ 91を含む。本実施形態においては、圧力センサ 91は、第 3流路 85の第 3管部材 85Bに設けられて、る。

[0081] 制御装置 3は、圧力センサ 91を用いて、回収口 72に接続する回収流路 82の圧力の値を検出することができるとともに、圧力センサ 91の検出結果に基づいて、回収流路 82の圧力と外部空間の圧力との差を求めることができる。したがって、制御装置 3 は、圧力センサ 91の検出結果に基づいて、液浸部材 70の回収口 72が所望状態で液体 LQを回収しているかどうかを判断することができる。

[0082] また、検出装置 90は、液浸部材 70の表面 (主に下面)の状態を観察可能な撮像装置 92を含む。図 1に示すように、本実施形態においては、撮像装置 92は、基板ステージ 2の、基板ホルダ 2Hとは異なる位置に設けられて、る。

[0083] 図 6は、撮像装置 92を示す模式図である。基板ステージ 2の上面 2Fの一部には開口部 2Kが形成されており、その開口 2Kには石英や蛍石等の透明部材 93が配置されている。なお、透明部材 93の材料は、後述する撮像素子に導かれる光の波長により適宜選択可能である。透明部材 93の上面 (撮像装置 92の検出面）は平坦面であり、基板ステージ 2の上面 2Fとほぼ面一となつて!/、る。

[0084] 基板ステージ 2には、開口 2Kに接続する内部空間 2Lが形成されており、撮像装置 92は内部空間 2Lに配置されている。撮像装置 92は、透明部材 93の下側に配置された光学系 94と、 CCD等の撮像素子 95とを備えている。撮像素子 95は、液浸部材 70の下面 (ランド面 77、多孔部材 88の下面 89を含む）の光学像 (画像)を透明部材 93及び光学系 94を介して取得可能である。また、撮像素子 95は、液体 LQ、終端光学素子 FSの下面などの光学像 (画像)も取得可能である。撮像素子 95は取得した画像を電気信号に変換し、その信号 (画像情報)を制御装置 3に出力する。また、撮像装置 92は、光学系 94の焦点位置を調整可能な調整機構 96を有している。なお、撮像装置 92はその全てが基板ステージ 2に設けられていなくてもよいし、基板ステージ 2とは独立に可能な計測ステージ (不図示）に設けてもよい。

次に、上述の構成を有する露光装置 EXのメンテナンス方法及び露光装置 EXを用いて基板 Pを露光する方法の一例について、図 23を参照しつつ説明する。マスク M のパターンの像で基板 Pを露光する場合、制御装置 3は、露光光 ELの光路を含む光路空間 Kを液体 LQで満たすために、液体供給装置 86及び液体回収装置 87のそれぞれを駆動する。液体供給装置 86から送出された液体 LQは、第 2流路 84を流れた後、液浸部材 70の供給流路 81を介して、供給口 71より内部空間 K2に供給される。供給口 71から内部空間 K2に供給された液体 LQは、内部空間 K2を満たした後、開口 78Kを介してランド面 77と基板 P (基板ステージ 2)との間の空間に流入し、光路空間 Kを満たす。このように、液浸システム LSは、供給口 71から終端光学素子 FSと底板 78との間の内部空間 K2に液体 LQを供給することによって、終端光学素子 FS (投影光学系 PL)と基板 Pとの間の露光光 ELの光路を含む光路空間 Kを液体 LQで満たす。このとき、液体回収装置 87は、単位時間当たり所定量の液体 LQを回収している。真空系を含む液体回収装置 87は、回収流路 82を負圧にすることにより、回収口 72 (多孔部材 88)と基板 Pとの間に存在する液体 LQを、回収口 72を介して回収することができる。光路空間 Kに満たされている液体 LQは、液浸部材 70の回収口 72を介して回収流路 82に流入し、第 3流路 85を流れた後、液体回収装置 87に回収される。制御装置 3は、液浸システム LSを制御して、液体供給装置 86による液体供給動作と液体回収装置 87による液体回収動作とを並行して行うことで、光路空間 Kを液体 LQで満たし、基板 P上の一部に液体 LQの液浸領域 LRを局所的に形成する。そして、制御装置 3は、光路空間 Kを液体 LQで満たした状態で、光路空間 Kに対して基板 Pを Y軸方向に移動しつつ液体 LQを介して基板 P上に露光光 ELを照射して液浸露光を実行する（S10)。

[0086] 制御装置 3は、少なくとも液浸領域 LRの形成動作中（基板の露光中を含む）においては、保持装置 30で液浸部材 70を支持している。また、制御装置 3は、液浸部材 70の凹部 74Mに支持部材 43を挿入する。これにより、例えば液浸領域 LRの形成動作中に、何らかの原因で保持装置 30による液浸部材 70の保持が解除されたり、保持力が弱まったりした場合でも、液浸部材 70が落下することを防止することができる。したがって、液浸部材 70の落下に起因して、基板ステージ 2、基板ステージ定盤 8、及び液浸部材 70等が損傷するなどといった不具合の発生を防止することができる。

[0087] ところで、液浸部材 70は劣化及び Z又は汚染が生じる可能性がある。例えば、液浸領域 LRの液体 LQは基板 Pの表面と液浸部材 70との両方に接触する力基板 P の感光材、あるヽは感光材上に塗布されるトップコート等の材料が液体 LQ中に異物として混入し、その異物が液浸部材 70に付着し、液浸部材 70を汚染する可能性がある。あるいは、空中を浮遊する異物が液浸部材 70に付着し、液浸部材 70を汚染する可能性もある。液浸部材 70のランド面 77が汚染すると、液浸部材 70と基板 Pとの間で液体 LQを良好に保持できなくなり、例えば液浸部材 70に対して基板 Pを移動するときに、液体 LQの流出を招く可能性がある。また、液浸部材 70の回収口 72に配置された多孔部材 88が汚染されると、液体 LQを良好に回収できなくなり、液浸部材 70と基板 Pとの間で液体 LQを良好に保持できなくなる可能性がある。また、液浸部材 70に付着していた異物が、基板 Pの露光中に液体 LQ中に混入し、露光光 ELの光路上で浮遊したり、基板 P上に付着したりする可能性がある。また、何らかの原因で、液浸部材 70が損傷する可能性もある。そのような不具合が生じている液浸部材 70 (異常状態の液浸部材 70)を使用し続けた場合、所望状態の液浸領域 LRを形成できず、その結果、露光精度及び Z又は計測精度などが劣化する可能性がある。

[0088] そこで、本実施形態にぉ、ては、露光装置 EXは、交換システム CSを用いて、液浸部材 70を自動的に交換する。

[0089] 次に、液浸部材 70を交換する動作について、図 7〜図 16の模式図を参照して説明する。ここで、液浸部材 70の交換動作は、基板 Pを露光していないときに実行される。また、液浸部材 70の交換動作を実行する際には、基板ホルダ 2Hには、基板 Pは載置されていない。

[0090] 制御装置 3は、液浸部材 70の状態を検出装置 90を用いて検出する。本実施形態においては、図 7に示すように、制御装置 3は、基板ステージ 2の位置を調整して、液浸部材 70の下面と基板ステージ 2に設けられている透明部材 93とを対向させ、撮像装置 92を用いて、液浸部材 70の表面の状態、具体的には液浸部材 70のランド面 7 7、多孔部材 88の状態を観察する (S 12)。本実施形態においては、制御装置 3は、液浸領域 LRの液体 LQを全て回収した後（液浸部材 70、基板ステージ 2などの内部の液体 LQも全て除去した後）に、撮像装置 92を用いた液浸部材 70の表面の状態の観察を行う。なお、撮像装置 92を用いた観察動作中において、液浸部材 70と基板ステージ 2の上面 2F (透明部材 93)との間に液体 LQが満たされていてもよい。この場合、撮像装置 92は、液体 LQを介して、液浸部材 70の状態を観察し、撮像装置 92を用いた観察動作の終了後に、液浸部材 70の交換を行う場合には、液浸領域 LRの液体 LQを全て回収する動作が実行される。

[0091] また、本実施形態においては、制御装置 3は、検出装置 90の撮像装置 92を用いた液浸部材 70の状態の検出動作を、所定枚数の基板の露光処理が行われるたびに実行する。なお、制御装置 3は、検出装置 90の撮像装置 92を用いた液浸部材 70の状態の検出動作を、所定時間間隔で実行してもよい。

[0092] 撮像装置 92で撮像された画像情報は制御装置 3に出力される。制御装置 3は、撮像装置 92の検出結果に基づいて、液浸部材 70の交換の要否を判断する (S 14)。そして、制御装置 3は、撮像装置 92の検出結果に応じて、液浸部材 70の交換動作を実行する。例えば、制御装置 3は、撮像装置 92で撮像された画像情報を画像処理し、その処理結果に基づいて、液浸部材 70の交換の要否を判断する。

[0093] 制御装置 3には、液浸部材 70の汚染状態についての許容範囲に関する情報が予め記憶されており、制御装置 3は、その記憶情報と画像処理結果とに基づいて、液浸部材 70の交換の要否を判断する。例えば、記憶情報と画像処理結果とに基づいて、液浸部材 70の汚染状態が許容範囲内であると判断した場合、制御装置 3は、液浸部材 70の交換を行わず、その液浸部材 70を用いた液浸露光動作を継続する（S16 )。ここで、液浸部材 70の汚染状態が許容範囲内であるとは、その液浸部材 70を用 V、て所望の露光精度及び計測精度を維持できる状態を!、う。汚染状態につ!、ての許容範囲は、例えば実験あるいはシミュレーションにより予め求め、制御装置 3に記憶しておくことができる。

[0094] 一方、記憶情報と画像処理結果とに基づ!/、て、液浸部材 70の汚染状態が許容範囲外であると判断した場合、制御装置 3は、液浸部材 70の交換動作を開始する (S1 8)。制御装置 3は、基板ステージ 2上の液体 LQを全て回収した後、液浸部材 70の交換動作を開始する。

[0095] 図 8に示すように、制御装置 3は、液浸部材 70の下面と基板ステージ 2の移動機構 53とが対向するように基板ステージ 2の位置を調整するとともに、移動機構 53のピン状部材 55を上昇させ、そのピン状部材 55の上面と液浸部材 70のランド面 77とを接触させる。次に、制御装置 3は、支持機構 40の支持部材 43を、液浸部材 70の凹部 7 4K力も抜き、その後に保持装置 30による液浸部材 70の保持を解除する。すなわち、制御装置 3は、図 5に示した状態にする。これにより、液浸部材 70は、第 1位置 PS1 において、保持装置 30から第 1サブ搬送系 51の移動機構 53に渡される。

[0096] 次に、制御装置 3は、移動機構 53のピン状部材 55で液浸部材 70を支持した状態で、ピン状部材 55を下降する。これにより、図 9に示すように、液浸部材 70の上面 75 Aと保持装置 30の保持面 31とが離れる。また、制御装置 3は、液浸部材 70の上面 7 5Aが終端光学素子 FSの下面 T1よりも下側（一 Z側）に配置されるまで、ピン状部材 55を下降する。なお、ピン状部材 55を下降するのみでは、液浸部材 70の上面 75A を終端光学素子 FSの下面 T1よりも下側に配置できない場合には、制御装置 3は、基板ステージ定盤 8を支持する防振装置 10を制御して、基板ステージ定盤 8を基板ステージ 2とともに下降することができる。防振装置 10は、ァクチユエータとダンノ機構とを備えたアクティブ防振装置であり、その防振装置 10のァクチユエータは、基板ステージ定盤 8を少なくとも Z軸方向に移動可能である。そのため、制御装置 3は、防振装置 10のァクチユエータを駆動して、基板ステージ定盤 8を Z方向に移動することにより、基板ステージ 2を— Z方向に移動（下げる）ことができる。したがって、制御装置 3は、防振装置 10のァクチユエータを駆動することで、基板ステージ 2に設けられて、る移動機構 53のピン状部材 55に支持されて、る液浸部材 70も Z方向に移動することができ、液浸部材 70の上面 75Aを終端光学素子 FSの下面 T1よりも下側に配置することができる。もちろん、可能であれば、液浸部材 70の上面 75Aが終端光学素子 FSの下面 T1よりも下側（一 Z側）に配置されるように、鏡筒定盤 7を +Z方向に移動してもよいし、鏡筒定盤 7と基板ステージ定盤 8の両方を動力ゝしてもよい。また、搬送装置 50の少なくとも一部として、 XY平面内で可動かつ液浸部材 70を保持可能な可動部材 (例えば、搬送アーム)を設け、基板ステージ 2を投影光学系 PLの直下力も退避させた状態で、液浸部材 70を保持した可動部材を Z軸方向に移動してもよい。これにより、液浸部材 70の Z軸方向の移動量を、保持装置 30の保持面 31と終端光学素子 FSの下面 T1との間隔よりも大きくでき、液浸部材 70の上面 75Aを終端光学素子 FSの下面 T1よりも下側（一 Z側）に配置することが可能となる。

[0097] 次に、制御装置 3は、基板ステージ 2を少なくとも Y軸方向に移動して、第 2サブ搬送系 52の第 1搬送機構 61が配置されている第 3位置 PS3近傍まで移動する。基板ステージ 2が第 3位置 PS3近傍まで移動することにより、基板ステージ 2の移動機構 5 3に支持されている液浸部材 70も、基板ステージ 2と一緒に第 3位置 PS3に移動する。上述のように、液浸部材 70の上面 75Aは終端光学素子 FSの下面 T1よりも下側に配置されているので、基板ステージ 2を第 3位置 PS3近傍に移動するために、基板ステージ 2を XY平面内で移動した場合でも、基板ステージ 2上の液浸部材 70と終端光学素子 FSとは接触しない。

[0098] そして、図 10に示すように、制御装置 3は、第 1搬送機構 61の第 1アーム 63と移動機構 53のピン状部材 55との少なくとも一方を Z軸方向に移動し、第 3位置 PS3近傍に配置されている基板ステージ 2上の液浸部材 70と第 1アーム 63とを接近させる。次に、制御装置 3は、第 1アーム 63の支持面が液浸部材 70のフランジ 74の下に位置するように、第 1搬送機構 61の第 1アーム 63と移動機構 53 (基板ステージ 2)とを少なくとも X軸方向に相対的に移動する。次に、制御装置 3は、第 1アーム 63とピン状部材 55とが離れるように Z軸方向に相対的に移動して、第 1搬送機構 61の第 1アーム 6 3で、液浸部材 70のフランジ 74を保持する。こうして、液浸部材 70は、第 3位置 PS3 で、第 1サブ搬送系 51の移動機構 53 (ピン状部材 55)から、第 2サブ搬送系 52の第 1搬送機構 61 (第 1搬送アーム 63)に渡される。

[0099] 次に、図 11に示すように、制御装置 3は、第 1搬送機構 61の第 1アーム 63で上側力も保持されている液浸部材 70を、第 2搬送機構 62の第 2アーム 64に渡す。第 2搬送機構 62の第 2アーム 64は、液浸部材 70を下側から受け取る。すなわち、制御装置 3は、第 1搬送機構 61の— Z側に第 2搬送機構 62の第 2アーム 64をのばした後、第 1アーム 63と第 2アーム 64とが近づくように Z軸方向に相対的に移動し、第 1搬送機構 61の第 1アーム 63から第 2搬送機構の第 2アーム 64へ液浸部材 70を受け渡す。なお、第 2搬送アーム 64は液浸部材 70のランド面 77とのみ接触するように液浸部材 70を保持する。

[0100] 次に、図 12に示すように、制御装置 3は、第 2搬送機構 62を用いて、液浸部材 70 を、第 2位置 PS 2の収容ステーション 20に収容する。すなわち制御装置 3は、第 2ァーム 64を少なくとも Y軸方向に移動して、収容ステーション 20 (第 2位置 PS2)に液浸部材 70を搬入する。なお、制御装置 3は、第 2搬送機構 62を用いて液浸部材 70を収容ステーション 20に収容するとき、扉 22を開けて開口 21を解放する。

[0101] 次に、制御装置 3は、新たな清浄な液浸部材 70を取り付ける動作を実行する。なお、新たな液浸部材 70を取り付ける動作は、液浸部材 70を取り外す動作とほぼ逆の順序で各搬送機構を動作させればよいので、説明は簡略化する。制御装置 3は、第 2 サブ搬送系 52の第 2搬送機構 62を用いて、収容ステーション 20に収容されている新たな清浄な液浸部材 70を、その収容ステーション 20から搬出する。図 13に示すように、制御装置 3は、その新たな液浸部材 70を、第 2搬送機構 62 (第 2搬送アーム 64 )から第 1搬送機構 61 (第 1搬送アーム 63)に渡す。

[0102] 次に、図 14に示すように、制御装置 3は、第 3位置 PS3近傍に基板ステージ 2を移動するとともに、その第 3位置 PS3において、第 1搬送機構 61 (第 1搬送アーム 61)から基板ステージ 2上の移動機構 53 (ピン状部材 55)に新たな液浸部材 70を渡す。こうして、液浸部材 70は、第 3位置 PS3で、第 2サブ搬送系 52の第 1搬送機構 61から、第 1サブ搬送系 51の移動機構 53に渡される。なお、図 14では、基板ステージ 2上でピン状部材 55が下降して、る状態を示して、る。 [0103] 次に、図 15に示すように、制御装置 3は、基板ステージ 2を少なくとも Y軸方向に移動して、基板ステージ 2上の液浸部材 70を、保持装置 30 (投影光学系 PL)の下方に配置する。なお、基板ステージ 2を移動して、液浸部材 70を保持装置 30の下方に配置する際、基板ステージ 2上の液浸部材 70と終端光学素子 FSとが接触しないように、制御装置 3は、鏡筒定盤 7と基板ステージ定盤 8 (すなわち、投影光学系 PLと基板ステージ 2)を Z軸方向に相対的に移動しておくことができる。

[0104] 制御装置 3は、基板ステージ 2上の液浸部材 70を保持装置 30の下方に配置した後、保持装置 30と、移動機構 53に支持された液浸部材 70とが近づくように、鏡筒定盤 7と基板ステージ定盤 8とを Z軸方向に相対的に移動するとともに、第 1サブ搬送系 51の移動機構 53を制御して、ピン状部材 55に支持された液浸部材 70を第 1位置 P S1まで上昇させる。これにより、図 16に示すように、ピン状部材 55に支持された液浸部材 70は、保持装置 30に接近し、液浸部材 70の上面 75と保持装置 30の保持面 3 1とが接触する。

[0105] 図 17は、ピン状部材 55に支持された液浸部材 70を保持装置 30の保持面 31に接近させている状態を示す図である。制御装置 3は、ピン状部材 55を上昇させることにより、基材 41に形成された斜面 44でガイドしつつ、そのピン状部材 55に支持されて V、る液浸部材 70を保持装置 30に接近させることができる。新たな液浸部材 70にも斜面 76が形成されており、制御装置 3は、基材 41の斜面 44と、液浸部材 70の斜面 76 とを接触させつつ、その液浸部材 70の上面 75Aを保持装置 30の保持面 31に接近させることができる。したがって、基材 41の斜面 44で液浸部材 70の +Z方向への移動をガイドすることができ、保持装置 30と、その保持装置 30に保持される液浸部材 7 0との位置関係を調整することができる。

[0106] そして、制御装置 3は、第 1位置 PS1において、保持装置 30の保持面 31と液浸部材 70の上面 75Aとを接触させた状態で、保持装置 30の吸引機構 32を用いて、液浸部材 70を吸着する。これにより、液浸部材 70は、第 1位置 PS1において、第 1サブ搬送系 51の移動機構 53により、保持装置 30に渡され、保持装置 30に保持される。ここで、第 1流路 34の圧力を検出する圧力センサを設けておくことにより、制御装置 3は、その圧力センサの検出結果に基づいて、保持装置 30の吸着機構 32が液浸部材 70 を良好に保持できた力どうかを判断することができる。

[0107] また、液浸部材 70が保持装置 30に保持されることにより、第 1接続機構 101によつて、第 2流路 84と供給流路 81とが接続されるとともに、第 2接続機構 102によって、第 3流路 85と回収流路 82とが接続される。

[0108] また、制御装置 3は、そのピン状部材 55に支持されて、る液浸部材 70を保持装置 30に接近させることができ、支持機構 40の支持部材 43を液浸部材 70の凹部 74M に挿入する。保持装置 30と液浸部材 70との位置関係は、斜面 76、 44によって調整されているので、支持機構 40は、支持部材 43を液浸部材 70の凹部 74Mに円滑に挿入することができる。これにより、制御装置 3は、液浸部材 70が保持装置 30に保持されて、な、ときにぉ、て、支持機構 40で液浸部材 70を支持することができる。

[0109] 保持装置 30で液浸部材 70を保持した後、制御装置 3は、液浸部材 70とピン状部材 55とが離れるように、移動機構 53のピン状部材 55を—Z方向に移動し、ピン状部材 55を基板ステージ 2内に格納する。なお、ピン状部材 55を— Z方向に移動する前に、支持機構 40の支持部材 43が液浸部材 70の凹部 74Mに挿入されているので、万が一、保持装置 30から液浸部材 70が外れたとしても、支持機構 40の支持部材 43 で液浸部材 70を支持して、液浸部材 70の落下を防止することができる。

[0110] 次に、制御装置 3は、液浸部材 70と基板ステージ 2の上面 2Fとを対向させた状態で、液体供給装置 86の液体供給動作と液体回収装置 87の液体回収動作とを、所定時間、並行して行う。すなわち、制御装置 3は、基板ステージ 2の上面 2F上に液浸領域 LQを形成しつつ、所定時間、第 2流路 84、供給流路 81、回収流路 82、及び第 3 流路 85に液体 LQを流し続け、液体 LQと接触する各流路を、液体 LQで洗浄 (フラッシング)する。また、液体 LQを流し続けることにより、液浸部材 70のランド面 77、上面 79等の液体 LQと接触する液体接触面、あるいは終端光学素子 FSの液体 LQと接触する液体接触面を液体 LQで洗浄 (フラッシング)することができる (S 20)。また、液浸部材 70の液体接触面 (ランド面 77、多孔部材 88の下面 89など）の親液性 (親水性)を高めることができる。なお、このフラッシング動作のときに、基板 Pの代わりに、基板ホルダ 2Hにダミー基板を載置し、液浸部材 70とダミー基板とを対向させた状態でフラッシングを行うこともできる。 [0111] そして、フラッシングの終了後、制御装置 3は、次に露光される基板 Pを基板ステージ 2上にロードして、その新たな液浸部材 70を用いて基板 Pの液浸露光を再開する（ S16)。

[0112] 以上説明したように、液浸部材 70を交換する交換システム CSを設けたので、その交換システム CSを用いて液浸部材 70の交換を円滑に行うことができる。したがって、露光装置 EXの稼動率の低下を抑制することができるとともに、異常状態の液浸部材 70を使用し続けることに起因する露光精度及び計測精度の劣化を抑制することができる。

[0113] すなわち、不具合が生じている液浸部材 70を交換あるいはメンテナンスするために、例えば作業者が液浸部材 70にアクセスする場合、露光装置の動作を停止する必要が生じる可能性がある。また、液浸部材 70の交換作業等を円滑に行うために、液浸部材 70の周辺に取り付けられている部材、機器などの取り外し作業、分解作業を行う必要が生じる可能性もある。また、露光装置の動作の停止、あるいは作業者の液浸部材 70へのアクセスにより、空調エリア (チャンバ装置 19内）の環境が変動する可能性もある。また、液浸部材 70の交換作業終了後、露光装置 EXの動作を再開させるために、取り外したり分解したりした周辺の部材、機器などを元の状態に戻すための復帰作業や、空調エリアの環境を元の状態に戻すための待ち時間を設定する必要が生じる可能性がある。また、露光装置 EXの動作を停止したことにより、露光装置 EXを構成する各種機器のキャリブレーション作業を実行する必要が生じる可能性もある。その場合、露光装置 EXの稼動率が著しく低下する可能性がある。

[0114] 本実施形態においては、交換システム CSを設けたので、上述のような取り外し作業、分解作業、及び復帰作業や、キャリブレーション作業、あるいは待ち時間の設定を省くことができ、露光装置 EXの稼動率の低下を招くことなぐ液浸部材 70を円滑に交換することができる。なお、本実施形態では液浸部材 70を介して投影光学系 PLに振動が伝達する可能性があるので、例えば防振装置などによってその振動の伝達を抑制してもよい。

[0115] <第 2実施形態 >

次に、第 2実施形態について、図 18を参照して説明する。以下の説明において、上述の第 1実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

[0116] 図 18は、第 2実施形態に係る露光装置 EXの要部を示す断面図である。本実施形態の特徴的な部分は、液浸部材 70を保持するための保持装置 30の保持面 31が、鏡筒 5とは別の支持部材 110に設けられている点にある。支持部材 110は、終端光学素子 FSを囲むように配置された環状部材であって、その下面に、液浸部材 70を保持するための保持面 31が設けられている。支持部材 110の保持面 31には、上述の第 1実施形態と同様、吸着機構 32の吸引口 33が形成されている。

[0117] 支持部材 110は、支持機構 113を介して、第 1コラム CL1の鏡筒定盤 7に接続されている。支持機構 113は、鏡筒定盤 7に接続された防振装置 111と、防振装置 111と支持部材 110とを接続する接続部材 112とを含む。そして、第 1流路 34の第 1内部流路 34Aは、支持部材 110及び接続部材 112の内部に形成されている。また、第 2 流路 84の第 2内部流路 84A、及び第 3流路 85の第 3内部流路 85Aも、支持部材 11 0及び接続部材 112の内部に形成されて!ヽる。

[0118] このように、液浸部材 70を保持するための保持面 31を有する部材は任意に設定することができ、本実施形態のように、液浸部材 70を保持するための保持面 31を有する部材が、鏡筒定盤 7を含む第 1コラム CL1に接続されていてもよい。また、第 1コラム CL1の鏡筒定盤 7と支持部材 110及び接続部材 112とは防振装置 111を介して接続されているので、支持部材 110及び接続部材 112で発生した振動が、鏡筒定盤 7に支持された投影光学系 PLに伝達することを抑制することができる。

[0119] また、保持面 31は、 XY平面と平行に限らず、 XY平面と交差するように (例えば垂直に）配置されていてもよい。また、本実施形態では支持部材 110が環状であるものとしたが、これに限らず、例えば複数の支柱などでもよい。なお、上述の第 1、第 2実施形態では、液浸部材 70を設ける部材 (鏡筒 5あるいは支持部材 110)が保持面 31 を有するものとしたが、液浸部材 70の保持機構の構成などによってはその部材に保持面 31を設けなくてもよい。

[0120] <第 3実施形態 >

次に、第 3実施形態について、図 19を参照して説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。上述の実施形態においては、第 1サブ搬送系 51の移動機構 53のピン状部材 55は、基板ホルダ 2Hの開口 54内に設けられ、基板 Pも搬送可能 (昇降可能)であったが、本実施形態においては図 19の模式図に示すように、ピン状部材 55が、基板ホルダ 2Hとは異なる位置に設けられていてもよい。図 19に示す例では、ピン状部材 55は、基板ステージ 2の上面 2Fに配置されている。本実施形態においては、基板 Pを昇降するピン状部材と、液浸部材 70を昇降するピン状部材とは別の部材である。それゆえ、液浸部材 70を昇降するピン状部材と基板 Pを昇降するピン状部材の寸法や配置などを、搬送する対象に応じて適宜最適化させることができる。

[0121] <第 4実施形態 >

次に、第 4実施形態について、図 20を参照して説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。上述の実施形態においては、第 1サブ搬送系 51の移動機構 53は、基板ステージ 2に設けられている力基板ステージ 2に設けなくても良い。例えば、図 20に示すように、基板ステージ 2とは別の移動体 2'に設けられていてもよい。本実施形態においては、移動体 2'が、保持装置 30が配置された第 1位置 PS1 の近傍位置と、第 1搬送機構 61が配置された第 3位置 PS3の近傍位置との間で移動可能である。

[0122] また、本実施形態においては、基板 Pを搬送する搬送装置 50'と、液浸部材 70を搬送する搬送装置 50とは別の装置である。本実施形態においては、液浸部材 70を搬送する搬送装置 50は、移動体 2'を含み、保持装置 30が配置された第 1位置 PS1 と、収容ステーション 20が配置された第 2位置 PS2との間で、液浸部材 70を搬送可能である。また、基板 Pを搬送する搬送装置 50'は、基板収容ステーション 20'又はコータ 'デベロッパ装置等の周辺装置との間で基板 Pの受け渡しを行う第 4位置 PS4で、基板 Pを基板ステージ 2にロード可能である。本実施形態では、第 4位置 PS4で基板ステージ 2から基板 Pのアンロードを行うものとした力第 4位置 PS4と異なる位置でアンロードを行ってもよい。すなわち、基板 Pのロード位置とアンロード位置とを異ならせてもよい。また、計測部材を有する計測ステージを備える露光装置では、移動体 2 ，としてその計測ステージを用いてもよ!、。

[0123] <第 5実施形態 >

次に、第 5実施形態について、図 21及び図 22を参照して説明する。上述の実施形態にお、ては、保持装置 30に接近する液浸部材 70の移動を斜面 44でガイドすることによって、液浸部材 70と保持装置 30との位置関係を調整しているが、本実施形態の特徴的な部分は、液浸部材 70と保持装置 30との位置関係を調整する装置 (ァライメント装置）として、搬送装置 50の搬送経路上に設けられ、検出光 Laを射出する投射装置 131及び検出光 Laを受光可能な受光装置 132を有し、搬送装置 50に保持された液浸部材 70の位置情報を光学的に取得する光学装置 130を設けた点にある。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。

[0124] 本実施形態においては、光学装置 130は、第 1搬送機構 61の搬送経路上に配置されている。図 21に示すように、光学装置 130は、第 1搬送機構 61の第 1アーム 63 に対して所定位置に配置された複数の投射装置 131と、投射装置 131に対して所定位置に配置された複数の受光装置 132とを備えている。本実施形態においては、受光装置 132のそれぞれは、第 1搬送機構 61の上板部材 61Aの下面に設けられ、投射装置 131のそれぞれは、受光装置 132と対向するように配置されている。

[0125] 投射装置 131及び受光装置 132のそれぞれは、液浸部材 70に複数 (4つ)形成された切欠 74Kに対応するように設けられている。投射装置 131のそれぞれは、液浸部材 70のエッジに形成された切欠 74K近傍に検出光 Laを投射可能である。制御装置 3は、液浸部材 70を保持した第 1アーム 63を 6自由度の方向に動力しつつ、投射装置 131より検出光 Laを射出する。制御装置 3は、各投射装置 131より射出され、各切欠 74Kを介した検出光 Laのそれぞれが、所定状態で各受光装置 132に受光されるように、液浸部材 70を保持した第 1アーム 63を動かす。このときの第 1アーム 63の位置情報は、例えばエンコーダ等の位置検出装置により検出される。制御装置 3は、検出光 Laのそれぞれが所定状態で各受光装置 132に受光されたときの第 1アーム 6 3の位置情報、ひいてはそのときの液浸部材 70の位置情報を記憶する。検出光 La のそれぞれが所定状態で各受光装置 132に受光されるときの液浸部材 70の位置と、保持装置 30の位置との関係は既知であり、制御装置 3は、位置検出装置の検出結果、及びレーザ干渉計 15の計測結果等をモニタしつつ、第 1搬送機構 61及び基板ステージ 2上の移動機構 53を用いて、液浸部材 70を保持装置 30に搬送する。これにより、制御装置 3は、保持装置 30に対して所望の位置関係で液浸部材 70を保持装置 30に搬送することができる。このように、本実施形態においては、液浸部材 70と他の部材との接触を少なくして、保持装置 30に液浸部材 70を所望の状態で取り付けることができる。

[0126] なお、光学装置 130の配置は、液浸部材 70の位置、及び Z又は回転を検出できれば、任意に決めることができる。すなわち、光学装置 130は上記構成に限られるものでない。

[0127] なお、上述の第 1〜第 5実施形態においては、制御装置 3は、撮像装置 92を用いて液浸部材 70の状態を検出し、その検出結果に基づいて、液浸部材 70の交換の要否を判断しているが、圧力センサ 91の検出結果に基づいて、液浸部材 70の交換の要否を判断してもよい。この場合、撮像装置 92を省いてもよいし、撮像装置 92と圧力センサ 91とを併用して、液浸部材 70の交換の要否を判断するようにしてもよい。

[0128] また、液体供給装置 86、及び Z又は液体回収装置 87に、液体 LQの状態をチエツクするセンサ（例えば、パーティクルカウンターなど）を設置して、そのセンサで検出される液体 LQの状態に基づ、て液浸部材 70の交換の要否を判断するようにしてもよい。なお、上述の第 1〜第 5実施形態では、検出装置 90が圧力センサ 91、撮像装置 92、及びパーティクルカウンターの少なくとも 1つを含むものとした力検出装置 90のセンサの種類及び Z又は数はこれに限られるものでない。

[0129] また、液浸部材 70の下面 (ランド面 77など）の汚染など、液浸部材 70が不良状態の場合には、液浸領域 LRの形状が所望状態に維持できなくなる可能性がある。した力て、液浸領域 LRの形状に基づいて液浸部材 70の交換の要否を判断するようにしてもよい。この場合、例えば、作業者が目視によって又は撮像装置 92の像を観測することによって交換または洗浄の要否を判断し得る。

[0130] また、液浸部材 70の下面 (ランド面 77など）の汚染など、液浸部材 70が不良状態の場合には、基板 P上に液体 LQの滴が残留し、その残留した滴に起因して、基板 P 上に形成されたパターンに欠陥が増加する可能性ある。したがって、基板 Pの露光結果 (欠陥）に基づ、て液浸部材 70の交換の要否を判断するようにしてもょ、。

[0131] また、例えば、撮像装置 92の撮像結果を出力装置 18の表示装置で表示するようにしてもよい。作業者は、表示装置の表示内容を確認することができるので、表示装置の表示結果に基づいて、作業者が液浸部材 70の交換に要否を判断するようにしてもよい。そして、表示装置の表示結果に応じて、液浸部材 70の交換動作を実行する場合には、交換システム CSを作動させるための指令信号を入力装置 17より入力することができる。制御装置 3は、入力装置 17の入力信号に基づいて、液浸部材 70の交換動作を制御することができる。

[0132] また、上述の第 1〜第 5実施形態においては、所定処理基板枚数毎あるいは所定時間間隔毎に撮像装置 92を用、て液浸部材 70の状態を検出して、る力例えば、作業者が、任意のタイミングで、撮像装置 92を用いた検出動作を実行させるための指令信号を入力装置 17より入力するようにしてもよい。そして、制御装置 3又は作業者は、その撮像装置 92の検出結果 (撮像結果）に基づいて、液浸部材 70の交換の要否を判断することができる。

[0133] また、液浸部材 70の交換の要否を判断するための撮像装置 92などを省、て、所定のタイミングで作業者が液浸部材 70の交換の指令を入力装置 17から入力してもよい。または、制御装置 3が所定のタイミングで液浸部材 70の交換の指令を出力してもよい。すなわち、作業者または制御装置 3が液浸部材 70の交換の要否判断を行うことなぐ液浸部材 70の交換を行ってもよい。この場合、検出装置 90などの検出結果を使用しな、だけでもよ、し、ある、は要否判断のための検出動作を行わなくてもよい。これは、後述の第 6実施形態における液浸部材 70の洗浄の要否判断においても全く同様である。

[0134] なお、上述の第 1〜第 5実施形態において、液浸部材 70は、供給口 71と回収口 72 との両方を備えて、るが、液体供給口及び液体回収口の、ずれか一方を有する部材を交換システム CSで交換するようにしてもよい。また、本実施形態の交換システム CSを用いて、例えば特開 2004— 289126号公報（対応米国特許第 6,952,253号及び第 7,075,616号）に開示されているようなシール部材 (液浸部材)を交換することもできる。また、液浸部材 70の一部のみを交換システム CSを用いて交換するようにしてちよい。

[0135] なお、上述の第 1〜第 5実施形態においては、保持装置 30による液浸部材 70の保持が確実に実行可能であれば、支持機構 40を省ヽてもよヽ。

[0136] また、上述の第 1〜第 5実施形態において、液浸部材 70を搬送するための搬送装置 50は、移動機構 53、第 1搬送機構 61,第 2搬送機構 62を備えているが、これらをすべて必ず備えている必要はなぐ保持装置 30が配置される第 1位置 PS 1と収容ステーシヨン 20が配置された第 2位置 PS2との間で液浸部材 70を搬送可能であれば、その構成は任意である。例えば、基板ステージ 2を、第 2搬送機構 62の近くまで移動することができる場合には、基板ステージ 2に配置された移動機構 53 (ピン状部材 55 )と第 2搬送機構 62 (第 2搬送アーム 64)との間で液浸部材 70の受け渡しを行うことができるので、第 1搬送機構 61を省くことができる。また、第 2搬送機構 62の第 2搬送アーム 64と保持装置 30との間で液浸部材 70の受け渡しが可能な場合には、移動機構 53、第 1搬送機構 61を省くことができる。

[0137] 上述の第 1〜第 5実施形態において、交換システム CSの第 2位置 PS2は、チャンバ装置 19の外側に設定されているが、第 2位置 PS2はこれに限られず、例えばチヤンバ装置 19内に設定してもよい。例えば、搬送システム 50を、 Z軸方向において、保持装置 30から液浸部材 70を遠ざける、あるいは保持装置 30に液浸部材 70を接近させる機構 (例えば上述の移動機構 53)のみで構成し、第 1位置 PS1の直下（一 Z側）に第 2位置 PS2に設定してもよい。この場合、作業者などが、チャンバ装置 19内にァクセスする必要が生じる力液浸部材 70の交換に要する時間を短縮することができるので、露光装置 EXの稼働率の低下を抑制することができる。

[0138] 上述の第 1〜第 5実施形態において、液浸部材 70の交換作業は、交換システム C Sを用いて行った力上記各実施形態のメンテナンス方法においては、交換システム CSは必ずしも用いる必要はなぐその交換作業の少なくとも一部を作業者が手作業で行ってもよい。

[0139] また、上述の第 1〜第 5実施形態では、液浸部材 70との交換で別の液浸部材を露光本体部に装着するものとした力露光本体部力も搬出した液浸部材 70を、例えば露光本体部と隔離された空間（例えば、収容ステーション 20あるいは露光装置の外部など）内で洗浄し、この洗浄した液浸部材 70を露光本体部に搬入して再装着してもよい。すなわち、上述の各実施形態では液浸部材 70の交換ではなく洗浄の要否を判断してもよいし、交換と洗浄の両方の要否を判断してもよい。以下、このメンテナンス動作について説明する。

[0140] <第 6実施形態 >

上述の第 1〜第 5実施形態において、交換システム CSを用いて液浸部材 70を清浄な液浸部材 70と交換するメンテナンス動作を説明してきたが、この実施形態では液浸部材 70を交換する代わりに液浸部材 70を洗浄して再利用するメンテナンス動作を説明する。以下の説明において、第 1実施形態との相違点のみを図 1及び図 24 を参照しながら説明し、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を省略する。第 1実施形態と同様にして図 1との関係で説明した露光装置 EXを用いて基板 P上の一部に液体 LQの液浸領域 LRを局所的に形成し、光路空間 Kに対して基板 Pを Y軸方向に移動しつつ基板 P上に露光光 ELを照射して液浸露光を実行する（S30)。液浸露光終了後、制御装置 3は、液浸部材 7 0の状態を観察する。液浸部材 70の観察は、図 7に示したような撮像装置 92を用いてもよくあるいは作業者が目視で観察してもよい (S32)。前者の場合、制御装置 3 (または作業者）は、撮像装置 92の検出結果に基づいて、液浸部材 70の洗浄の要否を判断し、後者の場合は作業者の目視により液浸部材 70の洗浄の要否を判断する (S 34)。例えば、制御装置 3は、撮像装置 92で撮像された画像情報を画像処理し、その処理結果に基づ!、て、液浸部材 70の洗浄の要否を判断する。

[0141] 前述のように制御装置 3には、液浸部材 70の汚染状態についての許容範囲に関する情報が予め記憶されており、制御装置 3は、その記憶情報と画像処理結果とに基づいて、液浸部材 70の洗浄の要否を判断する。例えば、記憶情報と画像処理結果とに基づいて、液浸部材 70の汚染状態が許容範囲内であると判断した場合、制御装置 3は、液浸部材 70の洗浄を行わず、その液浸部材 70を用いた液浸露光動作を継続する（S36)。 [0142] 一方、記憶情報と画像処理結果とに基づ!/、て、液浸部材 70の汚染状態が許容範囲外であると判断した場合、第 1実施形態で説明したように第 1サブ搬送系 51及び第 2サブ搬送系 52を有する搬送装置 50を用いて液浸部材 70をチャンバ装置 19の外部に搬送する。搬送された液浸部材 70の洗浄は、図 1に示したように収容ステーシヨン 20と X方向に並列して配置されている洗浄ステーション 200で行うことができる。洗浄ステーション 200には、搬送装置 50により搬送された液浸部材 70を洗浄する、例えば洗浄液噴射ノズルを備えた洗浄装置 (不図示)などが装備されている。洗浄ステーション 200にて、液浸部材 70に洗浄液、及び純水のようなリンス液が噴射されることで液浸部材 70の洗浄が行われる（S38)。洗浄は、洗浄液を充満した容器に桶に液浸部材 70を浸すことによって行ってもよい。洗浄後、液浸部材 70を回転ステージなどに載置して回転ステージの回転により洗浄液及びリンス液を振り払うことができる。回転ステージに代えてまたは回転ステージと共に送風機及び Z又はヒータにより液浸部材 70を乾燥してもよい。洗浄後、第 1実施形態で説明したように、再び搬送装置 50を用いて液浸部材 70がチャンバ装置 19内に戻され、第 2搬送機構 62、第 1搬送機構 61、及び基板ステージ 2 (移動機構 53)を介して保持装置 30により保持される。

[0143] 制御装置 3は、基板ステージ 2の上面 2F上に液浸領域 LQを形成しつつ、所定時間、第 2流路 84、供給流路 81、回収流路 82、及び第 3流路 85に液体 LQを流し続け、液体 LQと接触する各流路を、液体 LQで洗浄 (フラッシング)する（S40)。フラッシングは省略してもよい。フラッシング終了後、制御装置 3は、洗浄された液浸部材 70 を用いて、次に露光される基板 Pを基板ステージ 2上にロードして、基板 Pの液浸露光を再開する (S36)。

[0144] 以上説明したように、交換システム CSが有する搬送装置 50及び保持装置 30と洗浄ステーション 200とを用いて液浸部材 70をチャンバ装置 19の外部に搬送して液浸部材 70を洗浄することができる。この洗浄動作により露光装置 EXの稼動率の低下を抑制することができるとともに、異常状態の液浸部材 70を使用し続けることに起因する露光精度及び計測精度の劣化を抑制することができる。

[0145] この実施形態では、搬送装置 50の移動機構 53を用いて液浸部材 70を保持装置 3 0に対して着脱したが、それらを用いることなく作業者が手作業で液浸部材 70の着脱作業を行ってもよい。また、液浸部材 70のチャンバ装置 19の外部への搬送は、搬送装置 50を用いることなく作業者が手作業で行ってもよい。すなわち、本実施形態のメンテナンス方法は作業者が手作業で実行してもよヽ。

[0146] 上述の第 1実施形態で説明した液浸部材 70の交換動作と、第 6実施形態で説明した液浸部材 70の洗浄動作とを適宜使い分けることも可能である。例えば、撮像装置 92で液浸部材 70の状態を検出した結果、洗浄により液浸部材 70の汚れを除去できな、ような場合にのみ液浸部材 70の交換動作を行、、それより低、レベルの汚染であって洗浄が必要なレベルの汚染である場合には液浸部材 70の洗浄動作を実行することができる。これにより、露光装置のスループット (稼働率)の低下を抑制して、きめ細かで且つ効率のよいメンテナンス作業を行うことができる。

[0147] なお、上述の第 1〜第 6実施形態の投影光学系は、終端光学素子 (最終光学素子 FS)の像面側 (射出面)の光路空間を液体で満たしているが、例えば、国際公開第 2 004Z019128号パンフレット（対応する米国特許出願公開第 2005Z0248856号 )などに開示されているように、終端光学素子の物体面側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。そして、その物体面側の光路空間を液体で満たすための液浸部材が設けられて、る場合には、交換システム CSを用いてその液浸部材を交換するようにしてもょ、。

[0148] また、上述の第 1〜第 6実施形態では、投影光学系 PLを鏡筒定盤 7で支持するものとした力例えば国際公開第 2006Z038952号パンフレットに開示されているように、投影光学系 PLの上方に配置される不図示のメインフレーム部材、あるいはマスクステージ定盤 6などに対して投影光学系 PLを吊り下げ支持しても良い。さらに、上述の各実施形態では、液浸部材 70を支持部材 110 (すなわち、鏡筒定盤 7)または鏡筒 5に設けるものとしたが、例えば投影光学系 PLと一体に液浸部材 70を吊り下げ支持する、投影光学系 PLとは独立に吊り下げ支持される計測フレームに液浸部材 70 を設ける、あるいは第 1コラム CL1とは別設される架台に液浸部材 70を設けてもよい。また、上述の各実施形態では交換システム CSの一部を鏡筒定盤に設けるものとしたが、例えば前述の計測フレームあるいは第 1コラム CL1とは別設される架台に交換システム csの少なくとも一部を設けてもよい。

[0149] なお、投影光学系 PLは縮小系のみならず等倍系及び拡大系のいずれでもよい。

また、投影光学系 PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、及び反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系 (カタディ，ォプトリック系）のいずれであってもよい。例えば、国際公開第 2004Z107011号パンフレット（対応する米国特許出願公開第 2006Z0121364号)などに開示されるように、複数の反射面を有しかつ中間像を少なくとも 1回形成する光学系 (反射系または反屈系）がその一部に設けられ、かつ単一の光軸を有する、いわゆるインライン型の反射屈折系を用いてもよい。また、投影光学系 PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。さら〖こ、照明領域 IA及び露光領域 ARは、投影光学系 PLの視野内で光軸を含むオンァクシス領域であるものとしたが、例えばインライン型の反射屈折系のように光軸を含まないオファクシス領域であってもよい。また、照明領域 IA及び露光領域 ARはその形状が矩形に限られず、他の形状、例えば円弧状、台形、あるいは平行四辺形などでもよヽ。

[0150] 上述したように、本実施形態における液体 LQは純水である。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板 P上のフォトレジストや光学素子（レンズ)等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板 Pの表面、及び投影光学系 PL の先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。

[0151] そして、波長が 193nm程度の露光光 ELに対する純水（水）の屈折率 nはほぼ 1. 4 4と言われており、露光光 ELの光源として ArFエキシマレーザ光（波長 193nm)を用いた場合、基板 P上では lZn、すなわち約 134nmに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約 n倍、すなわち約 1. 44倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系 PLの開口数をより増カロさせることができ、この点でも解像度が向上する。

[0152] 上述の各実施形態では、投影光学系 PLの先端に終端光学素子 FSが取り付けられており、この光学素子により投影光学系 PLの光学特性、例えば収差 (球面収差、コマ収差等)の調整を行うことができる。なお、投影光学系 PLの終端光学素子としては、投影光学系 PLの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光 ELを透過可能な平行平面板であってもよい。

[0153] なお、液体 LQの流れによって生じる投影光学系 PLの先端の光学素子と基板 Pとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなぐその圧力によって光学素子が動かな、ように堅固に固定してもよ、。

[0154] なお、上述の各実施形態では、投影光学系 PLと基板 P表面との間は液体 LQで満たされて!/ヽる構成であるが、例えば基板 Pの表面に平行平面板カゝらなるカバーガラスを取り付けた状態で液体 LQを満たす構成であってもよい。

[0155] なお、上述の各実施形態の液体 LQは水（純水）であるが、水以外の液体であってもよい。例えば、露光光 ELが Fレーザ光である場合、この Fレーザ光は水を透過し

2 2

ないので、液体 LQは、例えば過フッ化ポリエーテル（PFPE)やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体 LQと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さ!/、分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体 LQとしては、その他にも、露光光 ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高ぐ投影光学系 PLや基板 P表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。

[0156] ここで、純水よりも屈折率が高い（例えば 1. 5以上）の液体 LQとしては、例えば、屈折率が約 1. 50のイソプロパノール、屈折率が約 1. 61のグリセロール（グリセリン）といった C—H結合あるいは O—H結合を持つ所定液体、へキサン、ヘプタン、デカン等の所定液体 (有機溶剤）、あるいは屈折率が約 1. 60のデカリン (Decalin: Decahydr ◦naphthalene)などが挙げられる。また、液体 LQは、これら液体のうち任意の 2種類以上の液体を混合したものでもよいし、純水にこれら液体の少なくとも 1つを添カ卩（混合）したものでもよい。さらに、液体 LQは、純水に H+、 Cs+、 K+、 Cl^_、 SO ^2_、 PO ^2_等

4 4 の塩基又は酸を添加（混合)したものでもよヽし、純水に A1酸ィ匕物等の微粒子を添カロ (混合)したものでもよい。なお、液体 LQとしては、光の吸収係数が小さぐ温度依存性が少なぐ第 1、第 2投影系 PL1、 PL2、及び Z又は基板 Pの表面に塗布されている感光材 (又はトップコート膜あるいは反射防止膜など）に対して安定なものであることが好ましい。また、液体 LQとしては、水よりも露光光 ELに対する屈折率が高い液体、屈折率が 1. 6〜1. 8程度のものを使用してもよい。液体 LQとして、超臨界流体を用いることも可能である。

[0157] また、投影光学系 PLの終端光学素子 FSを、例えば石英 (シリカ）、あるいは、フッ化カルシウム（蛍石）、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム、フッ化リチウム、及びフッ化ナトリウム等のフッ化化合物の単結晶材料で形成してもよ、し、石英や蛍石よりも屈折率が高い（例えば 1. 6以上)材料で形成してもよい。屈折率が 1. 6以上の材料としては、例えば、国際公開第 2005Z059617号パンフレットに開示されるサフアイァ、二酸化ゲルマニウム等、あるいは、国際公開第 2005Z059618号パンフレットに開示される塩化カリウム (屈折率は約 1. 75)等を用いることができる。なお、投影光学系 PLの、終端光学素子 FSとは別の光学素子が液体 LQと接触する場合、その別の光学素子も終端光学素子 FSと同様の材料で形成してもよい。例えば、米国特許出願公開第 2005Z0248856号などに開示されているように、投影光学系の終端光学素子 FSの物体面側の光路空間も液体 LQで満たす場合、終端光学素子 FSの物体面側の光学素子を、石英、蛍石、あるいは屈折率が 1. 6以上の材料などで形成してもよい。また、液体 LQと接触する光学素子、例えば終端光学素子 FSの表面の一部（少なくとも液体 LQとの接触面を含む)又は全部に、親液性及び Z又は溶解防止機能を有する薄膜を形成してもよい。なお、石英は液体 LQとの親和性が高ぐかつ溶解防止膜も不要であるが、蛍石は少なくとも溶解防止膜を形成することが好ましい。さら〖こ、終端光学素子 FSの、露光光 ELが通過する領域と異なる領域に遮光膜を設け、露光光 ELによる光学部品（例えば、シール部材)の劣化などを抑制してもよい。

[0158] また、投影光学系 PLでは、露光光 ELに対する終端光学素子 FSの屈折率 nを、露光光 ELに対する液体 LQの屈折率 nよりも小さくしてもよい。例えば、終端光学素子

2

FSを石英 (屈折率は約 1. 5)で形成し、液体 LQはその屈折率 nが石英の屈折率よ

2

りも高い（例えば 1. 6〜1. 8程度）のものが使用される。あるいは、投影光学系 PLでは、終端光学素子 FSの屈折率 nを、液体 LQの屈折率 nよりも大きくしてもよい。例

1 2

えば、屈折率が 1. 6以上の材料で終端光学素子 FSを形成し、液体 LQはその屈折率 nが純水よりも大きくかつ終端光学素子 FSよりも小さいものが使用される。この場

2

合、終端光学素子 FSの屈折率 nよりも小さい液体 LQの屈折率 nを、投影光学系 P Lの開口数 NAよりも大きくすることが好ましい。

[0159] 上記各実施形態では干渉計システムを用いてマスクステージ 1及び基板ステージ 3 の各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムの両方を備えるノ、イブリツドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正（キヤリブレーション）を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り替えて用いる、あるいはその両方を用いて、ステージの位置制御を行うようにしてもよい。

[0160] また、上記各実施形態では露光光 ELを発生する光源としてエキシマレーザを用いるものとしたが、水銀ランプ、あるいは半導体レーザなどの高調波発生装置などを用いてもよい。露光光 ELとして ArFエキシマレーザ光を発生する光源装置として、例えば、国際公開第 1999Z46835号パンフレット (対応米国特許 7,023,610号）に開示されているように、 DFB半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長 193 nmのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもょ、。

[0161] また、上述の各実施形態にお!、て、液浸部材など液浸システムの構成は上述のものに限られず、例えば国際公開第 2004Z086468号パンフレット（対応米国特許出願公開第 2005Z0280791号）、国際公開第 2005/024517号パンフレット、欧州特許公開第 1420298号公報、国際公開第 2004Z055803号公報、国際公開第 2 004Z057589号公報、国際公開第 2004/057590号公報、国際公開第 2005Z 029559号公報 (対応米国特許出願公開第 2006Z0231206号）、及び米国特許第 6,952,253号などに開示されている液浸システムを用いることもできる。

[0162] なお、上記各実施形態の基板 Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウェハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックゥェノ、、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版 (合成石英、シリコンウェハ）、またはフィルム部材等が適用される。また、基板 Pの形状は円形のみならず、矩形など他の形状でもよい。

[0163] 露光装置 EXとしては、マスク Mと基板 Pとを同期移動してマスク Mのパターンを走查露光するステップ ·アンド'スキャン方式の走査型露光装置 (スキャニングステツパ）の他に、マスク Mと基板 Pとを静止した状態でマスク Mのパターンを一括露光し、基板 Pを順次ステップ移動させるステップ ·アンド ·リピート方式の投影露光装置 (ステツノにも適用することができる。この場合、投影光学系、例えば、 1Z8縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系が用いられる。

[0164] さらに、ステップ'アンド'リピート方式の露光において、第 1パターンと基板 Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第 1パターンの縮小像を基板 P上に転写した後、第 2パターンと基板 Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて、第 2バターンの縮小像を第 1パターンと部分的に重ねて基板 P上に一括露光してもよい (ステイッチ方式の一括露光装置)。また、ステイッチ方式の露光装置としては、基板 P上で少なくとも 2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板 Pを順次移動させるステップ •アンド'ステイッチ方式の露光装置にも適用できる。

[0165] また、上記各実施形態の露光装置は、例えば特開平 10— 163099号公報、特開平 10— 214783号公報（対応米国特許 6, 341, 007、 6, 400, 441、 6, 549, 269 及び 6, 590,634)、特表 2000— 505958号公報（対応米国特許 5, 969, 441) ¾ どに開示されて、るような複数の基板ステージを備えたマルチステージ型 (ツインステージ型）の露光装置でもよい。この場合、すべての基板ステージに移動機構 53を配置して液浸部材の交換に用いてもよいし、特定の基板ステージのみに移動機構 53を配置して液浸部材の交換に用いるようにしてもょ、。指定国及び選択国の国内法令が許す限りにおいて、上記米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

[0166] 更に、上記各実施形態の露光装置は、例えば特開平 11— 135400号公報 (対応国際公開 1999/23692)、特開 2000— 164504号公報（対応米国特許第 6, 897 , 963号）に開示されているように、基板を保持する基板ステージと、計測部材 (例えば、基準マークが形成された基準部材、及び Z又は各種の光電センサ）を搭載した計測ステージとを備えた露光装置でもよい。例えば、図 20を参照して説明した移動体 2，が計測ステージであってもよ!/、。

[0167] また、上記各実施形態の露光装置は、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置でもよい。 [0168] また、上述の各実施形態においては、投影光学系 PLと基板 Pとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、例えば特開平 6— 124873号公報、特開平 10— 303114号公報、米国特許第 5, 825, 043号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸力つて、る状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。

[0169] 上記各実施形態では投影光学系 PLを備えた露光装置を例に挙げて説明してきた力投影光学系 PLを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系 PLを用いない場合であっても、露光光はレンズなどの光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸領域が形成される。

[0170] 露光装置 EXの種類としては、基板 Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン、 MEMS, DNAチップ、撮像素子 (C CD)あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

[0171] なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン '減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いた力このマスクに代えて、例えば米国特許第 6, 778, 257号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づ、て透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（可変成形マスクとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種である DMD (Digital Micro -mirror Device)などを含む）を用いてもよい。

[0172] また、上記各実施形態の露光装置は、例えば国際公開第 2001Z035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板 P上に形成することによって、基板 P上にライン 'アンド'スペースパターンを露光する露光装置でもよい。さらに、上記各実施形態の露光装置は、例えば特表 2004— 519850号公報 (対応米国特許第 6, 611 , 316号）に開示されているように、 2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、 1回の走査露光によって基板上の 1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置でもよ、。

[0173] 以上のように、本願実施形態の露光装置 EXは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

[0174] 半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図 25〖こ示すよう〖こ、マイクロデバイスの機能 ·性能設計を行うステップ 201、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル)を製作するステップ 202、デバイスの基材である基板を製造するステップ 203、前述した実施形態の露光装置 EXによりマスクのパターンを基板に露光する露光工程及び露光した基板の現像工程を含む基板処理ステップ 204、デバイス組み立てステップ (ダイシング工程、ボンディング工程、ノッケージ工程などの加工プロセスを含む） 205、検査ステップ 206等を経て製造される。なお、上述の実施形態で説明した液浸部材の交換及び Zまたは洗浄を含むメンテナンス方法は基板処理ステップ 204に含まれる。

産業上の利用可能性

[0175] 本発明によれば、液浸部材をメンテナンスすることにより、デバイスの生産性の低下を抑制することができる。特に、液浸部材の汚染に伴う不都合を未然に防止して、高密度な回路パターンを有するデバイスを高、スループットで生産することができる。このため、本発明は、我国の半導体産業を含むハイテク産業及び IT技術の発展に貢献するであろう。

Claims

請求の範囲

[I] 液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置であって、前記基板上に液浸領域を形成する液浸システムと、

前記液浸システムの一部を構成するとともに、前記液浸領域を形成する液体と接触する液浸部材を交換する交換システムとを備えた露光装置。

[2] 前記液浸部材は、前記基板が対向して配置される請求項 1記載の露光装置。

[3] 前記露光光が射出する光学部材を備え、

前記液浸部材は、前記光学部材を囲むように配置される請求項 1又は 2記載の露光装置。

[4] 前記交換システムは、前記液浸部材を着脱可能に保持する保持装置と、前記液浸部材を搬送する搬送装置とを含む請求項 1〜3のいずれか一項記載の露光装置。

[5] 前記保持装置は、前記液浸部材を吸着する吸着部を含む請求項 4記載の露光装置。

[6] 前記保持装置とは別に設けられ、前記液浸部材を支持可能な支持機構を更に備える請求項 4又は 5記載の露光装置。

[7] 前記液浸部材が前記保持装置に保持されていないときに、前記支持機構は前記液浸部材を支持可能である請求項 6記載の露光装置。

[8] 前記保持装置は、前記液浸部材の上面と接触し、

前記支持機構は、前記液浸部材の側面に設けられた凹部に挿脱可能な支持部材を有する請求項 6又は 7記載の露光装置。

[9] 前記搬送装置は、前記液浸部材を、第 1位置と前記第 1位置とは異なる第 2位置との間で搬送可能である請求項 4〜8のいずれか一項記載の露光装置。

[10] 前記液浸部材を収容可能な収容ステーションを備え、

前記収容ステーションは、前記第 2位置に設けられて、る請求項 9記載の露光装置

[II] 前記搬送装置は、前記第 1位置及び前記第 2位置とは異なる所定位置で、前記液浸部材の受け渡しを行う第 1サブ搬送系と第 2サブ搬送系とを有し、

前記第 1サブ搬送系は、前記第 1位置において前記保持装置と前記液浸部材の受け渡しを行い、

前記第 2サブ搬送系は、前記所定位置と前記第 2位置との間で前記液浸部材の搬送を行う請求項 9又は 10記載の露光装置。

[12] 前記第 1サブ搬送系は、前記液浸部材を支持して所定方向に移動可能であり、前記保持装置と前記液浸部材との間隔を調整可能な移動機構を含む請求項 11記載の露光装置。

[13] 前記移動機構は、前記所定方向とほぼ垂直な方向に移動可能な移動体に設けられている請求項 12記載の露光装置。

[14] 前記移動体は、前記基板を保持して移動可能な基板ステージを含む請求項 13記載の露光装置。

[15] 前記搬送装置は、前記基板も搬送可能である請求項 4〜 14のいずれか一項記載の露光装置。

[16] 前記液浸部材と前記保持装置との位置関係を調整するァライメント装置を備えた請求項 4〜 15の、ずれか一項記載の露光装置。

[17] 前記ァライメント装置は、前記保持装置に接近する前記液浸部材の移動をガイドするガイド面を有する請求項 16記載の露光装置。

[18] 前記ァライメント装置は、前記搬送装置の搬送経路上に設けられ、検出光を射出する投射装置及び前記検出光を受光可能な受光装置を有し、前記搬送装置に保持された前記液浸部材の位置情報を光学的に取得する光学装置を有する請求項 16又は 17記載の露光装置。

[19] 前記液浸部材の状態を検出する検出装置と、

前記検出装置の検出結果に基づいて、前記液浸部材の交換の要否を判断する制御装置とを備えた請求項 1〜18のいずれか一項記載の露光装置。

[20] 前記制御装置は、前記検出装置の検出結果に応じて、前記液浸部材の交換動作を実行する請求項 19記載の露光装置。

[21] 前記検出装置は、前記液浸部材の液体回収口に接続する流路の圧力を検出する圧力センサを含む請求項 19又は 20記載の露光装置。

[22] 前記液体回収口に配置された多孔部材を有する請求項 21記載の露光装置。

[23] 前記検出装置は、前記液浸部材の表面の状態を観察可能な撮像装置を含む請求項 19〜22のいずれか一項記載の露光装置。

[24] 指令信号が入力される入力装置と、

前記入力装置の入力信号に基づ!、て、前記液浸部材の交換動作を制御する制御装置とを備えた請求項 1〜23のいずれか一項記載の露光装置。

[25] 前記液浸部材は、前記液浸領域を形成するための液体供給口及び液体回収口の少なくとも一方を有する請求項 1〜24のいずれか一項記載の露光装置。

[26] 前記交換システムは、前記液浸システムから取り外されて洗浄が行われた前記液浸部材を前記液浸システムに再装着する請求項 1〜25のいずれか一項記載の露光装置。

[27] 液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置であって、前記基板上に液浸領域を形成する液浸システムと、

前記液浸領域を形成する液体と接触する液浸部材と、

前記液浸部材を着脱可能に保持する保持装置とを備える露光装置。

[28] 前記保持装置は、前記液浸部材を吸着して保持する請求項 27記載の露光装置。

[29] さらに、前記基板との間に前記液浸領域が形成される光学部材を有し、前記基板にパターンの像を投影する投影光学系を備え、前記保持装置は、前記光学部材とは非接触に前記液浸部材を保持する請求項 27記載の露光装置。

[30] 前記保持装置は、前記液浸部材を前記投影光学系に着脱可能に保持する請求項 29記載の露光装置。

[31] 前記保持装置は、前記液浸部材を、前記投影光学系を支持する部材に着脱可能に保持する請求項 29記載の露光装置。

[32] さらに、前記保持装置と独立して前記液浸部材を支持する支持機構を備える請求項 27〜31のいずれか一項記載の露光装置。

[33] 前記支持機構は、前記液浸部材の搬出に先立ち、前記保持装置による保持が解除された前記液浸部材を支持する請求項 32記載の露光装置。

[34] 前記保持装置が保持面を有し、該保持面に液浸部材の一面が吸着され、該保持面と液浸部材の一面の少なくとも一方に撥液膜が付与されている請求項 28記載の露光装置。

[35] 液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、

前記露光光を射出する光学部材と前記基板との間の空間を囲みかつその内側に液浸領域の少なくとも一部が形成される液浸部材と、

前記液浸部材が設けられるフレーム部材と、

前記フレーム部材との間で前記液浸部材の受け渡しが行われる支持装置と、を備える露光装置。

[36] 前記支持装置を含み、前記液浸部材の交換または洗浄のためにその搬出入を行う搬送システムを備える請求項 35記載の露光装置。

[37] 前記搬送システムは、前記搬出入時、前記基板が移動する所定の平面と垂直な方向に関して前記液浸部材と前記光学部材とを相対移動する請求項 36記載の露光装置。

[38] 前記液浸部材の状態に関する情報を検出する検出装置を備え、前記情報は、少なくとも前記液浸部材のメンテナンスに用いられる請求項 35〜37のいずれか一項記載の露光装置。

[39] 前記フレーム部材に設けられ、前記光学部材を有する投影光学系を備える請求項

35〜38の!、ずれか一項記載の露光装置。

[40] 請求項 1〜39のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。

[41] 基板が対向して配置される液浸部材を有し、前記液浸部材で保持される液体を介して前記基板を露光をする露光装置のメンテナンス方法であって、

前記液浸部材を前記露光装置から取り外すことと、

取り外した液浸部材を洗浄又は交換することを含むメンテナンス方法。

[42] 所定時間または所定枚数の基板の露光ごとに、前記液浸部材を前記露光装置から取り外す請求項 41記載のメンテナンス方法。

[43] さらに、前記液浸部材の状態を検出し、該検出結果に基づいて前記液浸部材を前記露光装置から取り外す請求項 41又は 42記載のメンテナンス方法。

[44] 前記露光装置が、前記液浸部材を着脱可能に保持する保持装置を有しており、該保持装置による保持を解除して前記液浸部材を前記露光装置から取り外す請求項 4 1〜43の、ずれか一項記載のメンテナンス方法。

[45] 前記取り外した液浸部材は前記露光装置内の所定位置または外部まで搬送される請求項 41〜44のいずれか一項記載のメンテナンス方法。

[46] さらに、洗浄又は交換した液浸部材を前記露光装置に取り付けることを含む請求項 41〜45のいずれか一項記載のメンテナンス方法。

[47] 前記液浸部材によって前記基板との間に前記液体が保持される光学部材を介して前記基板が露光され、前記液浸部材の洗浄又は交換のための搬出入時、前記基板が移動する所定の平面と垂直な方向に関して前記液浸部材と前記光学部材とを相対移動する請求項 41〜46のいずれか一項記載のメンテナンス方法。

[48] 光学部材と基板との間に液体を保持する液浸部材を有し、前記光学部材及び前記液体を介して露光光で前記基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、前記液浸部材の交換または洗浄のためにその搬出入を行うことを含むメンテナンス方法。

[49] 前記搬出入時、前記基板が移動する所定の平面と垂直な方向に関して前記液浸部材と前記光学部材とを相対移動する請求項 48記載のメンテナンス方法。

[50] 請求項 41〜49のヽずれか一項記載のメンテナンス方法により液浸部材を有する露光装置をメンテナンスすることと、

液体を介して基板を露光することを含む露光方法。

[51] 液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、

前記露光光を射出する光学部材と前記基板との間の空間を囲む液浸部材によってその空間に前記液体を保持しつつ前記露光光で前記基板を露光することと、前記液浸部材の交換または洗浄のためにその搬出入を行うこととを含む露光方法。

[52] 前記搬出入時、前記基板が移動する所定の平面と垂直な方向に関して前記液浸部材と前記光学部材とを相対移動する請求項 51記載の露光方法。

[53] 前記液浸部材の状態に関する情報を検出することを含み、前記情報は、少なくとも前記液浸部材のメンテナンスに用いられる請求項 51又は 52記載の露光方法。

[54] 請求項 50〜53のいずれか一項記載の露光方法により基板を露光することと、露光した基板を現像することと、現像した基板を加工することを含むデバイスの製造方法。