JP4872916B2 - 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
本願は、2005年4月18日に出願された特願2005−120185号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
図1は第1実施形態に係る露光装置EXを示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージMSTと、基板Pを保持する基板ホルダPHを有し、基板ホルダPHに基板Pを保持して移動可能な基板ステージST1と、露光処理に関する計測を行う計測装置の少なくとも一部を搭載して移動可能な計測ステージST2と、マスクステージMSTに保持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板ステージST1に保持されている基板Pに投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。基板ステージST1及び計測ステージST2のそれぞれは、投影光学系PLの像面側で、ベース部材BP上において互いに独立して移動可能となっている。
(4×γ×cosθ)/d ≧ (Pa−Pc) …(1)
の条件を満足するように設定されている。なお、上記(1)式においては、説明を簡単にするために多孔部材25の上側の液体LQの静水圧は考慮してない。
θ ≦ 90° …(2)
の条件を満足する必要がある。
第2実施形態について図6を参照しながら説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
第3実施形態について図7を参照しながら説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図7において、ノズル部材70は、光路空間K1に対して液体LQを供給するための供給口12に接続する供給流路14、及び光路空間K1の液体LQを回収するための回収口22に接続する回収流路24とは別の、ノズル部材70の温度を調整するための液体LQが流れる内部流路61を有している。図7に示す例では、ノズル部材70の傾斜板部72、側板部73、及び天板部75のそれぞれの内部に内部流路61が設けられている。内部流路61は、例えば光路空間K1を囲むように、ノズル部材70の内部において環状に形成されていてもよいし、螺旋状に形成されていてもよい。内部流路61の一部には第2供給管15に接続される導入口が設けられており、温度調整機構60を構成する液体供給装置11は、第2供給管15及び導入口を介して内部流路61に液体LQを供給する。また、内部流路61の他部には内部流路61を流れた液体LQを排出するための排出口が設けられている。そして、温度調整機構60は、内部流路61に対して導入口より液体LQを供給するとともに、排出口より液体LQを排出することにより、内部流路61に温度調整用の液体LQを流し続けることができる。
第4実施形態について図8を参照して説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図8において、温度調整機構60は、ノズル部材70の壁面に対向し、ノズル部材70を温度調整するための液体LQが流れるジャケット部材62を有している。
次に、第5実施形態について図9を参照しながら説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図9において、温度調整機構60は、ノズル部材70に取り付けられたヒータ63を有している。
次に、第6実施形態について図10を参照しながら説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図10において、温度調整機構60は、ノズル部材70に向かって熱を放射する放射部64を有している。放射部64は、計測ステージST2に設けられている。本実施形態においては、放射部64は、計測ステージST2のうち、ノズル部材70に対向可能な上面59に設けられている。
Claims (37)
- 露光光の光路空間に満たされた第1液体を介して基板を露光する露光装置において、
前記光路空間を前記第1液体で満たして液浸空間を形成する液浸空間形成部材と、
前記液浸空間の形成の解除に伴う前記液浸空間形成部材の温度変化を抑制する温度調整機構と、を備える露光装置。 - 前記液浸空間の形成の解除では、前記光路空間から前記第1液体が取り去られる請求項1記載の露光装置。
- 前記液浸空間形成部材は、前記光路空間に前記第1液体を供給する供給口及び前記光路空間の前記第1液体を回収する回収口の少なくとも一方を有する請求項1又は2記載の露光装置。
- 前記液浸空間形成部材は、前記供給口及び前記回収口の少なくとも一方が設けられるノズル部材を含み、前記基板に前記露光光が照射されているときに、前記ノズル部材と前記基板との間の少なくとも一部に前記第1液体が保持される請求項3記載の露光装置。
- 前記露光光は、少なくとも射出側に前記液浸空間が形成される光学部材、及び前記液浸空間の第1液体を介して前記基板に照射される請求項1〜4のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記光学部材は、少なくとも前記液浸空間の形成が解除されている間、その温度調整が行われる請求項5記載の露光装置。
- 前記温度調整機構は、前記第1液体の気化熱による前記液浸空間形成部材の温度低下を抑制する請求項1〜6のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記温度調整機構は、温調用流体を用いて前記液浸空間形成部材の温度変化を抑制する請求項1〜7のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記温度調整機構は、前記光路空間が前記第1液体で満たされていない間、前記温調用流体を前記液浸空間形成部材に供給する請求項8記載の露光装置。
- 前記温調用流体は、前記光路空間に供給される前記第1液体と同じ物質である請求項8又は9記載の露光装置。
- 前記温度調整機構は、前記温調用流体の温度調整を行う温調器を有する請求項8〜10のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記温調用流体はその温度が前記光路空間に供給される前記第1液体の温度とほぼ同じである請求項8〜11のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記温調用流体はその温度が前記光路空間に供給される前記第1液体の温度よりも高い請求項8〜11のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記液浸空間形成部材は、前記光路空間の前記第1液体を回収する回収口に接続される回収流路が設けられるノズル部材を含み、
前記温度調整機構は、前記回収流路に温調用の第2液体を供給する請求項1〜13のいずれか一項記載の露光装置。 - 前記光路空間に前記第1液体が有る間も、前記第2液体は前記回収流路に供給される請求項14記載の露光装置。
- 前記回収流路の前記第1及び第2液体を回収する液体回収装置をさらに備える請求項14又は15記載の露光装置。
- 前記回収口に多孔部材が配置される請求項16記載の露光装置。
- 前記多孔部材の各孔の一方側の開口径は、他方側の開口径と異なる請求項17記載の露光装置。
- 前記液体回収装置は、前記光路空間の前記第1液体が、実質的に気体の通過なく、前記多孔部材を通過するように、前記回収流路の圧力を調整する請求項17又は18記載の露光装置。
- 前記第1液体の供給停止と、前記第1液体の回収とによって、前記光路空間から前記第1液体が取り去られる請求項14〜19のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記光路空間から前記第1液体が取り去られた後に前記回収流路に供給される前記第2液体の単位時間当たりの量は、前記基板の露光中に前記回収流路に供給される前記第2液体の単位時間当たりの量よりも多い請求項14〜20のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記光路空間から前記第1液体が取り去られた後に前記回収流路に供給される前記第2液体の単位時間当たりの量は、前記基板の露光中に前記回収流路に供給される前記第2液体の単位時間当たりの量と、前記光路空間に供給される前記第1液体の単位時間当たりの量との和にほぼ等しい請求項14〜21のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記液浸空間形成部材は、前記光路空間に前記第1液体を供給する供給口、及び前記光路空間の前記第1液体を回収する回収口から流体的に独立した第1温調流体流路を有する請求項1〜22のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記温度調整機構は、前記液浸空間形成部材の少なくとも一部を覆う第2温調流体流路を有するジャケット部材を有する請求項1〜23のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記温度調整機構は、前記液浸空間形成部材に向かって熱を放射する放射部を有する請求項1〜24のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記温度調整機構は、前記液浸空間形成部材に取り付けられたヒータを有する請求項1〜25のいずれか一項記載の露光装置。
- 請求項1〜請求項26のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
- 液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
前記露光光の光路空間を前記液体で満たして液浸空間を形成する液浸空間形成部材を用いて前記基板を露光するとともに、前記液浸空間の形成の解除に伴う前記液浸空間形成部材の温度変化を抑制する露光方法。 - 前記液浸空間の形成の解除では、前記光路空間から前記液体が取り去られる請求項28記載の露光方法。
- 前記露光光は、少なくとも射出側に前記液浸空間が形成される光学部材、及び前記液浸空間の液体を介して前記基板に照射される請求項28又は29記載の露光方法。
- 前記光学部材は、少なくとも前記液浸空間の形成が解除されている間、その温度調整が行われる請求項30記載の露光方法。
- 前記液体の気化熱による前記液浸空間形成部材の温度低下が抑制される請求項28〜31のいずれか一項記載の露光方法。
- 前記液浸空間形成部材は温調用流体によってその温度変化が抑制される請求項28〜32のいずれか一項記載の露光方法。
- 前記温調用流体は、前記光路空間に供給される前記液体と同じ物質である請求項33記載の露光方法。
- 前記温調用流体はその温度が前記液浸空間の液体の温度と同程度以上である請求項33又は34記載の露光方法。
- 前記液浸空間形成部材は熱の放射によってその温度変化が抑制される請求項28〜35のいずれか一項記載の露光方法。
- 請求項28〜請求項36のいずれか一項記載の露光方法を用いるデバイス製造方法。
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Families Citing this family (13)
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---|---|---|---|---|
DE602005019689D1 (de) * | 2004-01-20 | 2010-04-15 | Zeiss Carl Smt Ag | Belichtungsvorrichtung und messeinrichtung für eine projektionslinse |
KR101555707B1 (ko) * | 2005-04-18 | 2015-09-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
DE102006021797A1 (de) | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung |
US20090122282A1 (en) * | 2007-05-21 | 2009-05-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, liquid immersion system, exposing method, and device fabricating method |
JP5369443B2 (ja) * | 2008-02-05 | 2013-12-18 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010118527A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Canon Inc | 露光装置、およびデバイス製造方法 |
US20100220301A1 (en) * | 2009-02-27 | 2010-09-02 | Nikon Corporation | Apparatus and method to control liquid stagnation in immersion liquid recovery |
NL2005610A (en) | 2009-12-02 | 2011-06-06 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and surface cleaning method. |
JP2011192991A (ja) | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
US20120019802A1 (en) * | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
JP6122252B2 (ja) | 2012-05-01 | 2017-04-26 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
KR101911400B1 (ko) * | 2012-05-29 | 2018-10-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 대상물 홀더 및 리소그래피 장치 |
JP5598524B2 (ja) * | 2012-10-26 | 2014-10-01 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002005586A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-09 | Canon Inc | 物体温度調節用熱交換装置、該熱交換装置を使用して製造した投影レンズ及び該熱交換装置を使用した光学系を具備する装置 |
JP2005019864A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Canon Inc | 露光装置及び露光方法 |
WO2005038888A1 (ja) * | 2003-10-22 | 2005-04-28 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法 |
WO2005071491A2 (en) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Exposure apparatus and measuring device for a projection lens |
JP2006024915A (ja) * | 2004-06-10 | 2006-01-26 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2006054468A (ja) * | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
WO2006059636A1 (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-08 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006165500A (ja) * | 2004-06-10 | 2006-06-22 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (95)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
US4780617A (en) | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPH0782981B2 (ja) | 1986-02-07 | 1995-09-06 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
EP0357423B1 (en) | 1988-09-02 | 1995-03-15 | Canon Kabushiki Kaisha | An exposure apparatus |
JP2897355B2 (ja) | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JP3200874B2 (ja) | 1991-07-10 | 2001-08-20 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5243195A (en) | 1991-04-25 | 1993-09-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JP3246615B2 (ja) | 1992-07-27 | 2002-01-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
JPH06188169A (ja) | 1992-08-24 | 1994-07-08 | Canon Inc | 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
US5738165A (en) | 1993-05-07 | 1998-04-14 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US6721034B1 (en) | 1994-06-16 | 2004-04-13 | Nikon Corporation | Stage unit, drive table, and scanning exposure apparatus using the same |
US5850280A (en) | 1994-06-16 | 1998-12-15 | Nikon Corporation | Stage unit, drive table, and scanning exposure and apparatus using same |
JP3484684B2 (ja) | 1994-11-01 | 2004-01-06 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び走査型露光装置 |
US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH09232213A (ja) | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3661291B2 (ja) | 1996-08-01 | 2005-06-15 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JP3695000B2 (ja) | 1996-08-08 | 2005-09-14 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置 |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
CN1244018C (zh) | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 曝光方法和曝光装置 |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
DE69735016T2 (de) | 1996-12-24 | 2006-08-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
US6020964A (en) | 1997-12-02 | 2000-02-01 | Asm Lithography B.V. | Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US6897963B1 (en) | 1997-12-18 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Stage device and exposure apparatus |
KR20010033118A (ko) | 1997-12-18 | 2001-04-25 | 오노 시게오 | 스테이지 장치 및 노광장치 |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
US6819414B1 (en) | 1998-05-19 | 2004-11-16 | Nikon Corporation | Aberration measuring apparatus, aberration measuring method, projection exposure apparatus having the same measuring apparatus, device manufacturing method using the same measuring method, and exposure method |
JP4505989B2 (ja) | 1998-05-19 | 2010-07-21 | 株式会社ニコン | 収差測定装置並びに測定方法及び該装置を備える投影露光装置並びに該方法を用いるデバイス製造方法、露光方法 |
TW490596B (en) | 1999-03-08 | 2002-06-11 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus |
US7116401B2 (en) | 1999-03-08 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus using catoptrics in an optical sensor system, optical arrangement, method of measuring, and device manufacturing method |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
JP2001267239A (ja) | 2000-01-14 | 2001-09-28 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US20020041377A1 (en) | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2002231622A (ja) | 2000-11-29 | 2002-08-16 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
EP1231514A1 (en) | 2001-02-13 | 2002-08-14 | Asm Lithography B.V. | Measurement of wavefront aberrations in a lithographic projection apparatus |
JP4714403B2 (ja) | 2001-02-27 | 2011-06-29 | エーエスエムエル ユーエス,インコーポレイテッド | デュアルレチクルイメージを露光する方法および装置 |
TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
TWI300953B (en) | 2002-03-15 | 2008-09-11 | Nikon Corp | Exposure system and device manufacturing process |
US20050088634A1 (en) | 2002-03-15 | 2005-04-28 | Nikon Corporation | Exposure system and device production process |
US7362508B2 (en) | 2002-08-23 | 2008-04-22 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
EP1420300B1 (en) | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101470360B (zh) | 2002-11-12 | 2013-07-24 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
EP1420298B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
SG2010050110A (en) | 2002-11-12 | 2014-06-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
EP1573730B1 (en) | 2002-12-13 | 2009-02-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer |
EP1732075A3 (en) | 2002-12-19 | 2007-02-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
CN100437358C (zh) | 2003-05-15 | 2008-11-26 | 株式会社尼康 | 曝光装置及器件制造方法 |
JP4729661B2 (ja) * | 2003-07-11 | 2011-07-20 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | ヒロックが無いアルミニウム層及びその形成方法 |
EP1498781B1 (en) | 2003-07-16 | 2019-04-17 | ASML Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG109000A1 (en) | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP3223074A1 (en) * | 2003-09-03 | 2017-09-27 | Nikon Corporation | Apparatus and method for immersion lithography for recovering fluid |
JP4444920B2 (ja) | 2003-09-19 | 2010-03-31 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2005031823A1 (ja) | 2003-09-29 | 2005-04-07 | Nikon Corporation | 液浸型レンズ系及び投影露光装置、並びにデバイス製造方法 |
TWI598934B (zh) | 2003-10-09 | 2017-09-11 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
EP1524557A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4371822B2 (ja) | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4429023B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2005076324A1 (ja) | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
CN105467775B (zh) * | 2004-06-09 | 2018-04-10 | 株式会社尼康 | 曝光装置及元件制造方法 |
EP3067749B1 (en) | 2004-06-10 | 2017-10-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
KR101699965B1 (ko) | 2004-06-10 | 2017-01-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US7701550B2 (en) * | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4349236B2 (ja) * | 2004-08-19 | 2009-10-21 | ウシオ電機株式会社 | エキシマランプ |
KR101559621B1 (ko) * | 2004-12-06 | 2015-10-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 메인터넌스 방법, 메인터넌스 기기, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
US20070132976A1 (en) * | 2005-03-31 | 2007-06-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
KR101555707B1 (ko) * | 2005-04-18 | 2015-09-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
-
2006
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-
2011
- 2011-11-18 US US13/299,891 patent/US8724077B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002005586A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-09 | Canon Inc | 物体温度調節用熱交換装置、該熱交換装置を使用して製造した投影レンズ及び該熱交換装置を使用した光学系を具備する装置 |
JP2005019864A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Canon Inc | 露光装置及び露光方法 |
WO2005038888A1 (ja) * | 2003-10-22 | 2005-04-28 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法 |
WO2005071491A2 (en) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Exposure apparatus and measuring device for a projection lens |
JP2006024915A (ja) * | 2004-06-10 | 2006-01-26 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2006165500A (ja) * | 2004-06-10 | 2006-06-22 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2006054468A (ja) * | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
WO2006059636A1 (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-08 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8089608B2 (en) | 2012-01-03 |
EP1873816A4 (en) | 2010-11-24 |
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KR101555707B1 (ko) | 2015-09-25 |
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US8724077B2 (en) | 2014-05-13 |
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KR20070115861A (ko) | 2007-12-06 |
JPWO2006112436A1 (ja) | 2008-12-11 |
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