JP2011023749A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
液浸液を除去してチャンバに入れるために、複数の抽出導管が設けられる。抽出導管は、基板のターゲット部分から様々な距離に配置される。チャンバからは、吸引力が加えられる通路が設けられる。全ての導管が液浸液で充填されると、1本または複数の導管がガスを含む場合より抽出容量が大きくなる。
【選択図】図6
Description
中心を有するイメージフィールドにパターン付放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
イメージフィールド内に基板のターゲット位置を位置決めするように構成された基板テーブルと、
投影システムと基板との間のスペースの少なくとも一部に沿って延在するように構成されたバリア部材であって、スペースに液体を供給するように構成された液体供給システムを備えるバリア部材と
液体抽出システムであって、
過小圧力または吸引流を受けるように構成された通路、および
液体を除去するために通路とスペースの間に接続され、イメージフィールドの中心から様々な距離に配置された複数の導管、を備える液体抽出システムと、
を備えるリソグラフィ装置が提供される。
投影システムを使用して、中心を有するイメージフィールドに放射投影ビームを投影し、
基板のターゲット部分をイメージフィールドに配置し、
投影システムと基板の間のスペースに液体を供給し、
スペースから液体を除去するために吸引を提供することを含み、該吸引は、イメージフィールドの中心から様々な距離に配置され且つ通路に接続された複数の導管を通して作動する、デバイス製造方法、また、
中心光軸を有する投影システムを使用して、中心を有するイメージフィールドに放射投影ビームを投影し、
基板のターゲット部分をイメージフィールドに配置し、
投影システムの最終要素と基板の間のスペースに液浸液を供給し、
液浸液を除去するために吸引を提供することを含み、
前記吸引が、通路に接続され且つイメージフィールドの中心から様々な距離に配置された複数の導管を通して作動する、
ことを含むデバイス製造方法、が提供される。
イメージフィールドにパターン付放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
基板のターゲット部分をイメージフィールドに配置するように構成された基板テーブルと、
投影システムと基板の間のスペースの少なくとも一部に沿って延在するように構成されたバリア部材であって、スペースに液体を供給するように構成された液体供給システムを備えたバリア部材と、
液体抽出システムであって、
過小圧力または吸引流を受けるように構成された通路、および
液体を除去するために通路とスペースの間に接続され、イメージフィールドに対して様々な高さに配置された複数の導管、とを備える液体集中システムと、
を備えるリソグラフィ装置が提供される。
投影システムを使用して、放射投影ビームを基板のターゲット部分に投影し、
投影システムと基板の間のスペースに液体を供給し、
液体を除去するために吸引を提供することを含み、吸引が、様々な高さに配置され且つ通路に接続された複数の導管を通して作動する、
ことを含むデバイス製造方法が提供される。
ここに示している本装置は透過タイプである(例えば透過マスクを使用する)。あるいは、装置は反射タイプでもよい(例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する)。
Claims (20)
- 中心を有するイメージフィールドにパターン付放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
前記イメージフィールド内に基板のターゲット位置を位置決めするように構成された基板テーブルと、
前記投影システムと前記基板との間のスペースの少なくとも一部に沿って延在するように構成されたバリア部材であって、前記スペースに液体を供給するように構成された液体供給システムを備えるバリア部材と、
液体抽出システムであって、
過小圧力または吸引流を受けるように構成された通路、および
液体を除去するために前記通路と前記スペースの間に接続され、前記イメージフィールドの中心から様々な距離に配置された複数の導管、を備える液体抽出システムと、
を備えるリソグラフィ装置。 - 前記複数の導管が、前記イメージフィールドの中心から互いに異なる半径方向距離に配置される、請求項1に記載の装置。
- ある導管の断面積が、半径方向で前記イメージフィールドの中心に近い方に配置されたある導管の断面積より小さい、請求項2に記載の装置。
- 複数の液体抽出システムが前記投影システムの周囲に配置される、請求項1に記載の装置。
- 前記複数の導管および前記通路がそれぞれ、チャンバに接続される、請求項1に記載の装置。
- 前記通路が、前記複数の導管のうちのある導管の前記イメージフィールドの中心から実質的に同じ距離、またはこれより遠い距離に配置される、請求項5に記載の装置。
- 投影システムを使用して、中心を有するイメージフィールドに放射投影ビームを投影し、
基板のターゲット部分を前記イメージフィールドに配置し、
前記投影システムと前記基板の間のスペースに液体を供給し、
前記スペースから液体を除去するために吸引を提供することを含み、前記吸引が、前記イメージフィールドの中心から様々な距離に配置され且つ通路に接続された複数の導管を通して作動する、デバイス製造方法。 - 前記複数の導管が、前記イメージフィールドの中心から互いに異なる半径方向距離に配置される、請求項7に記載の方法。
- ある導管の断面積が、半径方向で前記イメージフィールドの中心に近い方に配置されたある導管の断面積より小さい、請求項8に記載の方法。
- 前記複数の導管および前記通路がそれぞれ、チャンバに接続される、請求項7に記載の装置。
- 前記通路が、前記複数の導管のうちのある導管の前記イメージフィールドの中心から実質的に同じ距離、またはこれより遠い距離に配置される、請求項10に記載の装置。
- イメージフィールドにパターン付放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
基板のターゲット部分を前記イメージフィールドに配置するように構成された基板テーブルと、
前記投影システムと前記基板の間のスペースの少なくとも一部に沿って延在するように構成されたバリア部材であって、前記スペースに液体を供給するように構成された液体供給システムを備えたバリア部材と、
液体抽出システムであって、
過小圧力または吸引流を受けるように構成された通路、および
液体を除去するために前記通路と前記スペースの間に接続され、前記イメージフィールドに対して様々な高さに配置された複数の導管、を備える液体抽出システムと、
を備えるリソグラフィ装置。 - ある導管の断面積が、前記基板テーブルに対してその下に配置されたある導管の断面積より小さい、請求項12に記載の装置。
- 複数の液体抽出システムが前記投影システムの周囲に配置される、請求項12に記載の装置。
- 前記複数の導管および前記通路がそれぞれ、チャンバに接続される、請求項12に記載の装置。
- 前記通路が、前記複数の導管のうちのある導管の前記イメージフィールドに対して実質的に同じ高さ、またはこれより高く配置される、請求項15に記載の装置。
- 投影システムを使用して、放射投影ビームを基板のターゲット部分に投影し、
前記投影システムと前記基板の間のスペースに液体を供給し、
液体を除去するために吸引を提供することを含み、前記吸引が、様々な高さに配置され且つ通路に接続された複数の導管を通して作動する、デバイス製造方法。 - ある導管の断面積が、前記基板テーブルに対してその下に配置されたある導管の断面積より小さい、請求項17に記載の方法。
- 前記複数の導管および前記通路がそれぞれ、チャンバに接続される、請求項17に記載の方法。
- 前記通路が、前記複数の導管のうちのある導管の前記イメージフィールドに対して実質的に同じ高さ、またはこれより高く配置される、請求項19に記載の方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4543767B2 (ja) * | 2004-06-10 | 2010-09-15 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US8477284B2 (en) * | 2008-10-22 | 2013-07-02 | Nikon Corporation | Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials |
US8896806B2 (en) * | 2008-12-29 | 2014-11-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP5407383B2 (ja) * | 2009-02-05 | 2014-02-05 | 株式会社ニコン | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
NL2006076A (en) | 2010-03-04 | 2011-09-06 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus. |
CN111381448B (zh) * | 2018-12-28 | 2021-05-25 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 浸没光刻设备的液体控制系统及方法 |
CN112558432B (zh) * | 2020-12-18 | 2022-07-15 | 浙江启尔机电技术有限公司 | 一种浸液供给系统及其浸没流场撤除方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004289126A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2005045223A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-02-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ機器及びデバイスの製造方法 |
WO2005029559A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005167211A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-06-23 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置 |
JP2005191344A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005223315A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-08-18 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
WO2005081290A1 (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-01 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005353820A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (147)
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GB1242527A (en) * | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US3573975A (en) * | 1968-07-10 | 1971-04-06 | Ibm | Photochemical fabrication process |
DE2963537D1 (en) | 1979-07-27 | 1982-10-07 | Tabarelli Werner W | Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
JPS5754317A (en) * | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Method and device for forming pattern |
US4509852A (en) * | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4390273A (en) * | 1981-02-17 | 1983-06-28 | Censor Patent-Und Versuchsanstalt | Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
US4405701A (en) * | 1981-07-29 | 1983-09-20 | Western Electric Co. | Methods of fabricating a photomask |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
DD206607A1 (de) | 1982-06-16 | 1984-02-01 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten |
DD242880A1 (de) | 1983-01-31 | 1987-02-11 | Kuch Karl Heinz | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
US5040020A (en) * | 1988-03-31 | 1991-08-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography |
JPH03209479A (ja) | 1989-09-06 | 1991-09-12 | Sanee Giken Kk | 露光方法 |
NL9002334A (nl) * | 1990-10-25 | 1992-05-18 | Optische Ind De Oude Delft Nv | Sanitaire zit. |
US5121256A (en) * | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP2520833B2 (ja) | 1992-12-21 | 1996-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 浸漬式の液処理装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
WO1998009278A1 (en) * | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Digital Papyrus Technologies | Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
US5900354A (en) * | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
WO1999031717A1 (fr) | 1997-12-12 | 1999-06-24 | Nikon Corporation | Procede d'exposition par projection et graveur a projection |
WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
TWI242111B (en) * | 1999-04-19 | 2005-10-21 | Asml Netherlands Bv | Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus |
JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
TW591653B (en) * | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
US20020163629A1 (en) * | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
US6600547B2 (en) * | 2001-09-24 | 2003-07-29 | Nikon Corporation | Sliding seal |
CN1791839A (zh) * | 2001-11-07 | 2006-06-21 | 应用材料有限公司 | 光点格栅阵列光刻机 |
DE10229818A1 (de) * | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
CN101713932B (zh) * | 2002-11-12 | 2012-09-26 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1420300B1 (en) | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7372541B2 (en) * | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101424881B (zh) * | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
SG131766A1 (en) * | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
AU2003302830A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for manufacturing device |
CN1723539B (zh) * | 2002-12-10 | 2010-05-26 | 株式会社尼康 | 曝光装置和曝光方法以及器件制造方法 |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
JP4352874B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR20120127755A (ko) | 2002-12-10 | 2012-11-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
EP1429190B1 (en) * | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
US7242455B2 (en) * | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
JP4179283B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2008-11-12 | 株式会社ニコン | 光学素子及びその光学素子を用いた投影露光装置 |
AU2003302831A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device |
CN100446179C (zh) * | 2002-12-10 | 2008-12-24 | 株式会社尼康 | 曝光设备和器件制造法 |
AU2003289272A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method |
SG171468A1 (en) | 2002-12-10 | 2011-06-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
EP1571696A4 (en) | 2002-12-10 | 2008-03-26 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4184346B2 (ja) | 2002-12-13 | 2008-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去 |
US7514699B2 (en) | 2002-12-19 | 2009-04-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
EP1732075A3 (en) | 2002-12-19 | 2007-02-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
US6781670B2 (en) * | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
SG115613A1 (en) * | 2003-02-12 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus comprising a gas flushing system |
TWI591445B (zh) | 2003-02-26 | 2017-07-11 | 尼康股份有限公司 | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP4289906B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2009-07-01 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
WO2004086470A1 (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-07 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
ATE426914T1 (de) * | 2003-04-07 | 2009-04-15 | Nikon Corp | Belichtungsgerat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung |
KR20110104084A (ko) | 2003-04-09 | 2011-09-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
EP3352010A1 (en) | 2003-04-10 | 2018-07-25 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
JP4656057B2 (ja) | 2003-04-10 | 2011-03-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子 |
EP2950148B1 (en) | 2003-04-10 | 2016-09-21 | Nikon Corporation | Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus |
KR101431938B1 (ko) | 2003-04-10 | 2014-08-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
CN106444292A (zh) | 2003-04-11 | 2017-02-22 | 株式会社尼康 | 沉浸式光刻装置、清洗方法、器件制造方法及液体沉浸式光刻装置 |
JP4582089B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
KR101861493B1 (ko) | 2003-04-11 | 2018-05-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
JP2006523958A (ja) | 2003-04-17 | 2006-10-19 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造 |
TWI295414B (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7274472B2 (en) | 2003-05-28 | 2007-09-25 | Timbre Technologies, Inc. | Resolution enhanced optical metrology |
US7317504B2 (en) * | 2004-04-08 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1486827B1 (en) * | 2003-06-11 | 2011-11-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6867844B2 (en) * | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP4343597B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005019616A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1494074A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2853943B1 (en) | 2003-07-08 | 2016-11-16 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
KR20060026883A (ko) * | 2003-07-09 | 2006-03-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 결합장치, 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
SG109000A1 (en) * | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101288632B1 (ko) * | 2003-08-21 | 2013-07-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7070915B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
EP3223053A1 (en) | 2003-09-03 | 2017-09-27 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
JP4378136B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3870182B2 (ja) * | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101443001B1 (ko) * | 2003-09-29 | 2014-09-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 노광 장치, 투영 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
EP1524558A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7352433B2 (en) * | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005159322A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
EP1695148B1 (en) * | 2003-11-24 | 2015-10-28 | Carl Zeiss SMT GmbH | Immersion objective |
JP2005175016A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP2005175034A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
US20070081133A1 (en) * | 2004-12-14 | 2007-04-12 | Niikon Corporation | Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method |
US7589818B2 (en) * | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US7394521B2 (en) * | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005191393A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP2005191381A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP4429023B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4018647B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2007-12-05 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置およびデバイス製造方法 |
JP4510494B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2010-07-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP2005286068A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
US7688421B2 (en) * | 2004-06-17 | 2010-03-30 | Nikon Corporation | Fluid pressure compensation for immersion lithography lens |
US7304715B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7701550B2 (en) * | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7133114B2 (en) * | 2004-09-20 | 2006-11-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7894040B2 (en) * | 2004-10-05 | 2011-02-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7414699B2 (en) * | 2004-11-12 | 2008-08-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7251013B2 (en) * | 2004-11-12 | 2007-07-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7362412B2 (en) * | 2004-11-18 | 2008-04-22 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate in an immersion lithography system |
US7397533B2 (en) * | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7403261B2 (en) * | 2004-12-15 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7903233B2 (en) * | 2005-01-21 | 2011-03-08 | Nikon Corporation | Offset partial ring seal in immersion lithographic system |
US7411654B2 (en) * | 2005-04-05 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7433016B2 (en) * | 2005-05-03 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060250588A1 (en) * | 2005-05-03 | 2006-11-09 | Stefan Brandl | Immersion exposure tool cleaning system and method |
WO2006122577A1 (en) * | 2005-05-17 | 2006-11-23 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of distancing a bubble and bubble displacement apparatus |
US7474379B2 (en) * | 2005-06-28 | 2009-01-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7291569B2 (en) * | 2005-06-29 | 2007-11-06 | Infineon Technologies Ag | Fluids for immersion lithography systems |
US7583358B2 (en) * | 2005-07-25 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for retrieving residual liquid during immersion lens photolithography |
WO2007071280A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Immersion lithography apparatus and method of performing immersion lithography |
US7307687B2 (en) * | 2006-03-20 | 2007-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and substrate |
US7701551B2 (en) * | 2006-04-14 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4722812B2 (ja) | 2006-10-24 | 2011-07-13 | シャープ株式会社 | 光ピックアップ装置、及び当該光ピックアップ装置を備える光情報記録再生装置 |
-
2006
- 2006-04-14 US US11/404,101 patent/US9477158B2/en active Active
-
2007
- 2007-04-05 JP JP2007098992A patent/JP4777933B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-10-20 JP JP2010235673A patent/JP5412399B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-10-20 US US15/299,240 patent/US10802410B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004289126A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2005045223A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-02-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ機器及びデバイスの製造方法 |
WO2005029559A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005167211A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-06-23 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置 |
JP2005191344A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005223315A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-08-18 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
WO2005081290A1 (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-01 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005353820A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007294947A (ja) | 2007-11-08 |
US9477158B2 (en) | 2016-10-25 |
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US10802410B2 (en) | 2020-10-13 |
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