TWI591445B - Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method - Google Patents

Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
TWI591445B
TWI591445B TW103143643A TW103143643A TWI591445B TW I591445 B TWI591445 B TW I591445B TW 103143643 A TW103143643 A TW 103143643A TW 103143643 A TW103143643 A TW 103143643A TW I591445 B TWI591445 B TW I591445B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
substrate
recovery
supply
flow path
Prior art date
Application number
TW103143643A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201516584A (zh
Inventor
長坂博之
大和壯一
西井康文
Original Assignee
尼康股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 尼康股份有限公司 filed Critical 尼康股份有限公司
Publication of TW201516584A publication Critical patent/TW201516584A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI591445B publication Critical patent/TWI591445B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers

Description

曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
本發明係有關在投影光學系統和基板間形成浸液區域之狀態下，將圖案曝光於基板上之曝光裝置、曝光方法及元件製造方法。
半導體元件或液晶顯示元件，係藉由將光罩上所形成之圖案轉印在感光性基板上之光微影之方法來製造。在該光微影步驟所使用之曝光裝置具有：支持光罩之光罩載台和支持基板之基板載台，邊逐步移動光罩載台和基板載台，邊透過投影光學系統將光罩之圖案轉印於基板上。近年來，為了對應元件圖案之更進一步高積體化，而期望投影光學系統之更高解析度化。投影光學系統之解析度，係所使用之曝光波長越短，且投影光學系統之數值孔徑越大，變成越高。因此，曝光裝置所使用之曝光波長係逐年短波長化，投影光學系統之數值孔徑也增大。而且，現在主流之曝光波長係KrF準分子雷射之248nm，但更短波長之ArF準分子雷射之193nm也正實用化。又，當進行曝光之際，與解析度同樣，焦點深度(DOF)也變成重要。解析度R、及焦點深度δ能分別用以下之公式來表示。
R=k1×λ/NA…(1)
δ=±k2×λ/NA2…(2)
式中，λ係曝光波長，NA係投影光學系統之數值孔徑，k1、k2係處理係數。由(1)式、(2)式可知，為了提高解析度R，若縮短曝光波長 λ來增大數值孔徑NA，則焦點深度δ變小。若焦點深度δ太小，則不易使基板表面與投影光學系統之像面對準，會有曝光動作時裕度不足之虞。因此，就實際縮短曝光波長，且加大焦點深度之方法而言，例如，已提案下列專利文獻1所揭示之浸液法。該浸液法係用水或有機溶劑來填滿投影光學系統之下面與基板表面之間，形成浸液區域，液體中之曝光用光之波長係用空氣中之1/n(n係液體之折射率，通常為1.2~1.6程度)，來提高解析度，並且將焦點深度擴大約n倍。
專利文獻1：國際公開第99/49504號小冊子。
但是，在上述習知技術中，存在以下所述之問題。
上述習知技術係當把基板邊朝既定方向移動邊掃描曝光之際，在投影光學系統和基板之間，因能形成浸液區域，故有效果，但關於基板之移動方向，係在光罩之圖案像被投影之投影區域側供應液體之構成，將液體從投影區域前側沿著基板之移動方向單向流動之構成。並且，從該既定方向，將基板之移動方向切換成相反方向之際，也切換供應液體之位置(嘴部)之構成。但在切換時，係對投影區域急遽停止從單方向供應液體，而開始從另一方向供應液體，故在投影光學系統和基板之間，發生液體之振動(所謂水錘現象)，在液體供應裝置本身(供應管或供應嘴等)發生振動，產生引起圖案像劣化之問題，又，因對投影區域，從單向流液體之構成，故在投影光學系統和基板之間，也產生不能充分形成浸液區域情形之問題。
又，在上述習知技術，由於供回收液體用之回收部只在朝該基板之移動方向流動之液體之下流側回收液體之構成，故也產生不能充分 回收液體之問題。若不能充分回收液體，則液體會殘留在基板上，產生因該殘留之液體而產生曝光不均之虞。又，若不能完全回收液體，殘留之液體就會飛散到周邊之機械元件，而產生生銹等不良情形。並且，若殘留液體飛散等，則會使基板所處之環境(溼度等)變動，引起使用於載台位置測量之光干涉計之檢測光之光路上折射率之變化，因此，也會產生不能得到所欲之圖案轉印精度之虞。
又，在上述習知技術，係按照基板移動方向之切換，不僅切換回收液體之位置(嘴部)，而且，藉由液體回收口，當回收基板上之液體之際，在液體回收裝置本身(回收管或回收口等)，可能發生振動。若該振動傳達至投影光學系統、基板載台、或用來測量基板載台位置之干涉計之光學構件等，則在基板上會有無法精度佳地形成電路圖案之虞。
本發明有鑑於此，其目的在於提供一種曝光裝置、曝光方法及元件製造方法，在投影光學系統和基板之間形成浸液區域之狀態下進行曝光處理之際，能穩定形成浸液區域，並且能良好地回收該液體，能防止液體向周邊流出或飛散等，能精度佳地進行曝光處理。又，本發明之目的在於提供一種曝光裝置、及元件製造方法，在投影光學系統和基板之間形成浸液區域之狀態下進行曝光處理之際，不會受到液體供應或回收之際所產生之振動之影響，能精度佳地進行曝光處理。
為了解決上述問題，本發明係採用實施形態所示之對應於第1圖~第21圖之以下構成。但是，各要件所附之括弧符號只不過係該要件之例示，並無限定各要件之意圖。
依本發明之第1形態，係提供一種曝光裝置EX，透過液體(1)將既定圖案像投影於基板(P)上，藉此將基板曝光，其具備：投影光學系統(PL)，用以將該圖案像投影於基板上；液體供應機構(10、11、12、13、13A、14、14A)，在投影區域(AR1)之複數個不同方向上之複數個位置，同時進行供應液體(1)於基板(P)上，俾在包含投影光學系統(PL)之投影區域(AR1)之基板(P)上之一部份形成浸液區域(AR2)。
依本發明，用來形成浸液區域之液體供應機構，由於係在投影區域之複數個不同方向上之複數個位置(即，從投影區域之不同複數側，例如，若是矩形之投影區域，則從X側、-X側、+Y側、-Y側之至少二側)，同時進行液體供應，故在投影光學系統和基板之間能形成所欲之浸液區域。又，由於在複數個方向上之複數個位置同時進行液體供應，故邊移動基板邊進行曝光處理之際，即使改變基板之移動方向，也能經常良好地形成浸液區域。若在投影區域兩側同時供應液體，因不需切換液體供應位置，故能防止液體之振動(水錘現象)之發生，能將圖案像精度佳地投影於基板上。
依本發明之第2形態，係提供一種曝光裝置(EX)，透過液體(1)將既定圖案像投影於基板(P)上，藉此將基板曝光，其具備：投影光學系統(PL)，用以將該圖案像投影於基板上；液體供應機構(10、11、12、13、13A、14、14A)，將液體(1)供應於基板(P)上，俾在包含投影光學系統(PL)之投影區域AR1之基板上之一部份形成浸液區域(AR2)；以及 液體回收機構(20、21、22、22A)，在該投影區域(AR1)之複數個不同方向上之複數個位置，同時進行該基板(P)上之液體(1)之回收。
依本發明，用來回收液體之液體回收機構，由於係在投影區域之複數個不同方向上之複數個位置(即，從不同投影區域之複數側，例如，若是矩形之投影區域，則從X側、-X側、+Y側、-Y側之至少二側)，同時進行液體回收，故能確實進行液體回收。因此，能防止液體殘留於基板上之狀態產生，能防止曝光不均之產生、及基板所處之環境變動，能將圖案像精度佳地投影於基板上。
依本發明之第3形態，係提供一種曝光裝置(EX)，透過液體(1)將既定圖案像投影於基板(P)上，藉此將基板曝光，其具備：投影光學系統(PL)，用以將該圖案像投影於基板上；液體供應機構(10、11、12、13、13A、14、14A)，將液體(1)供應於基板(P)上，俾在包含投影光學系統(PL)之投影區域(AR1)之基板(P)上之一部份形成浸液區域(AR2)；以及液體回收機構(20、21、22、22A、22D、24)，在複數個位置，同時進行該基板P上之液體1之回收；液體回收機構(20、21、22、22A、22D、24)係利用依液體回收位置而不同之回收力來回收液體。
依本發明，在基板上之複數個位置同時進行液體回收之液體回收機構，由於係利用依液體回收位置而不同之回收力來回收液體，故能圓滑地進行液體回收動作。因此，能用適量之液體來填滿投影光學系統和基板之間，在基板上之所欲區域內能形成浸液區域。例如，關於基板之移 動(掃描)方向，將前方側(下流側)之液體回收力設成較後方側(上流側)為大，藉此能圓滑地進行液體回收動作。或將沿著基板之移動(掃描)方向之位置配置之液體回收機構之液體回收力，設成較沿著與移動方向相交的方向之位置配置之液體回收機構之液體回收力為大，藉此也能圓滑地進行液體回收動作。
依本發明之第4形態，係提供一種曝光裝置(EX)，透過液體(1)將既定圖案像投影於基板(P)上，藉此將基板曝光，其具備：投影光學系統(PL)，用以將該圖案像投影於基板上；液體供應機構(10、11、12、13、13A、14、14A)，將液體(1)供應於基板(P)上，俾在包含投影光學系統(PL)之投影區域(AR1)之基板(P)上之一部份形成浸液區域(AR2)；液體回收機構(20、21、22、22A)，在離投影區域(AR1)之回收位置，進行該基板(P)上之液體(1)的回收；以及捕集構件(30)，對該投影區域(AR1)配置於該液體回收機構(20、21、22、22A)之液體回收位置外側，且形成液體捕集面(31)，以捕集液體(1)。
依本發明，在採用液體回收機構之液體回收位置外側設置捕集構件(形成有用以捕集液體之既定長度之液體捕集面)，藉此，假如即使用液體回收機構也不能完全回收液體，則藉由該捕集構件來捕集液體，能防止液體向周圍流出或飛散等不良情況之發生。因此，能防止基板所處環境變動之發生，能以所欲之圖案精度將圖案像投影於基板上。
依本發明之第5形態，係提供一種曝光裝置(EX)，透過液體(1)將既定圖案像投影於基板(P)上，藉此將基板曝光，其具備： 投影光學系統(PL)，用以將該圖案像投影於基板(P)上；液體供應機構(10、11、12、13、13A、14、14A)，將液體1供應於基板(P)上，俾在包含投影光學系統(PL)之投影區域(AR1)之基板(P)上之一部份形成浸液區域(AR2)；以及液體回收機構(20、21、22、22A)，從離投影區域(AR1)之回收位置，進行基板(P)上之液體(1)之回收；液體供應機構(10、11、12、13、13A、14、14A)之液體(1)之供應，係在液體回收機構(20、21、22、22A)之液體回收位置與投影區域(AR1)之間進行。
依本發明，由於液體供應機構之液體供應係在液體回收機構之液體回收位置與投影區域之間進行，故液體能圓滑地供應給投影區域，並且，所供應之液體能從基板上圓滑地回收。
依本發明之第6形態，係提供一種曝光方法，透過液體(1)將既定圖案像藉由投影光學系統(PL)投影於基板(P)上，藉此將基板曝光，其包含以下步驟：供應與投影光學系統(PL)前端之液體接觸面2a之親和性較與基板(P)表面之親和性為高之液體(1)，俾在包含投影光學系統(PL)之投影區域(AR1)之基板(P)上之一部份形成浸液區域(AR2)；透過供應於該浸液區域(AR2)之液體(1)，將既定圖案像投影於基板(P)上。
依本發明，能將液體密合於投影光學系統前端之液體接觸面，能將投影光學系統和基板間之光路設定在穩定之浸液狀態，並且，能圓滑地回收基板上之液體。
本發明之元件製造方法，其特徵在於，係使用上述形態之曝光裝置(EX)或曝光方法來製造。依本發明，具有以良好之圖案精度來形成圖案，可提供能發揮所欲性能之元件。
依本發明之第7形態，係提供一種曝光裝置(EX)，透過液體(1)將既定圖案像投影於基板(P)上，藉此將基板曝光，其具備：投影光學系統(PL)，用以將該圖案像投影於基板(P)上；液體供應機構(10、11、12、41、42)，具有將液體(1)供應於基板(P)上之供應流路(94A、95A、94B、95B)；以及液體回收機構(20、61、62、63、64、71、72、73、74)，具有回收所供應的液體回收流路(96A、97A、98A、99A、96B、97B、98B、99B、96T、97T、98T、99T)；該供應流路和回收流路之至少一方，係形成於複數個板狀構件(91、92、93)所積層之積層構件中。
在浸液曝光，雖將均勻之液體流供應於浸液區域，而且，必須從該處進行回收，但具備本發明之曝光裝置之積層構件，係將分別形成流路之複數個板狀構件，以連通這些流路且分別形成供應流路和回收流路之至少一方的方式來積層形成。因此，即使係複雜之流路構造，也極容易小型化，而且能以低成本來形成。
依本發明之第8形態，係提供一種曝光裝置(EX)，透過液體(1)將既定圖案像投影於基板(P)上，藉此將基板曝光，其具備：投影光學系統(PL)，用以將該圖案像投影於基板(P)上；以及液體供應機構(10)，將液體(1)供應於基板(P)上，俾在包含投影光學系統 (PL)之投影區域(AR1)之基板(P)上之一部份形成浸液區域(AR2)；液體供應機構(10)與投影光學系統(10)係形成振動分離。
依第8形態之曝光裝置，由於投影光學系統和液體供應機構係形成振動分離，故在液體供應機構即使發生振動，該振動也不會傳達至投影光學系統。因此，能防止因投影光學系統之振動而產生圖案像劣化之不良情況，能將圖案像精度佳地地投影於基板上。
曝光裝置進一步具備支持投影光學系統(PL)之第1支持構件(100)、及與第1支持構件(100)形成振動分離且支持液體供應機構(10)之第2支持構件(102)。依該構造，因支持投影光學系統之第1支持構件與支持液體供應機構之第2支持構件形成振動分離，故在液體供應機構所發生之振動不會傳達至投影光學系統。又，例如，將用來測量基板載置台之位置資訊之干涉計安裝於第1支持構件，將基準鏡(固定鏡)安裝於投影光學系統的鏡筒，藉此因振動不傳達於這些干涉計或基準鏡，故根據基板載台之位置資料之測量及該測量結果，能精度佳地進行位置控制。
依本發明之第9形態，係提供一種曝光裝置(EX)，透過液體(1)將既定圖案像投影於基板(P)上，藉此將基板曝光，其具備：投影光學系統(PL)，用以將該圖案像投影於基板(P)上；以及液體回收機構(20)，用以回收包含投影光學系統(PL)之投影區域(AR1)之基板(P)上之一部份所供應之液體(1)；液體回收機構20與投影光學系統PL係形成振動分離。
依本發明之第9形態之曝光裝置，因投影光學系統和液體回收機構形成振動分離，故即使在液體回收機構發生振動，該振動也不會傳 達至投影光學系統。因此，能防止因投影光學系統之振動而產生圖案像劣化之不良情況，能將圖案像精度佳地地投影於基板上。
第9形態之曝光裝置(EX)係進一步具備支持投影光學系統(PL)之第1支持構件(100)、及與第1支持構件100形成振動分離且支持液體回收機構(20)之第2支持構件(102)。依該構成，因支持投影光學系統之第1支持構件與支持液體回收機構之第2支持構件形成振動分離，故在液體回收機構所發生之振動不會傳達至投影光學系統。又，例如，將用來測量基板載台之位置資訊之干涉計係安裝於第1支持構件，將基準鏡(固定鏡)安裝於投影光學系統之鏡筒，藉此因振動不傳達至這些干涉計或基準鏡，故根據基板載台之位置資料之測量及該測量結果，能精度佳地進行位置控制。
依本發明之第10形態，係提供一種曝光裝置(EX)，透過液體(1)將既定圖案像投影於基板(P)上，將基板上之複數個照射區域依序進行曝光，其具備：投影光學系統(PL)，用以將該圖案像投影於基板上；液體供應機構(10、11、12、13、14)，從與該基板呈對向配置之供應嘴(13A、14A)供應液體，俾在包含投影光學系統之投影區域的基板上之一部份形成浸液區域；該液體供應機構係在進行該基板上之複數個照射區域之曝光處理期間，從該供應嘴持續供應液體。
依本發明之第10形態之曝光裝置，因在進行該基板上之複數個照射區域之曝光處理期間，不按照基板之移動方向等，而從配置於既定位置之供應嘴持續供應液體，故能防止液體供應機構本身之振動和液體 之振動(水錘現象)，能將圖案像精度佳地投影於基板上。
依本發明之第11形態，係提供一種曝光裝置(EX)，透過液體(1)將既定圖案像投影於基板(P)上，將基板上之複數個照射區域依序進行曝光，其具備：投影光學系統(PL)，用以將該圖案像投影於基板(P)上；液體供應機構(10、11、12、13、14)，從配置於既定位置之供應嘴(13A、14A)供應液體，俾在包含投影光學系統之投影區域的基板上之一部份形成浸液區域；以及液體回收機構(20、21、22)，具有與該基板呈對向配置之回收口22A，以回收從該液體供應機構所供應之液體；該液體回收機構係在進行該基板上之複數個照射區域之曝光處理期間，從該回收口持續回收液體。
依本發明之第11形態之曝光裝置，則不按照基板之移動方向等，而從回收口持續回收液體，故能更確實回收液體，回收之停止或開始時所帶來之振動受到控制，能將圖案像精度佳地投影於基板上。
本發明之元件製造方法，其特徵在於，係使用上述形態之曝光裝置(EX)來製造。依本發明，具有以良好之圖案精度所形成之圖案，可提供能發揮所欲性能之元件。
依本發明，在投影光學系統和基板之間形成浸液區域之狀態下，在進行曝光處理之際也能精度佳地進行曝光處理。
AR1‧‧‧投影區域
AR2‧‧‧浸液區域
CONT‧‧‧控制裝置
EL‧‧‧曝光用光
EX‧‧‧曝光裝置
IL‧‧‧照明光學系統
M‧‧‧光罩
MST‧‧‧光罩載台
MSTD‧‧‧光罩載台驅動裝置
P‧‧‧基板
PK‧‧‧鏡筒
PL‧‧‧投影光學系統
PST‧‧‧基板載台
1‧‧‧液體
2‧‧‧光學元件
2a‧‧‧液體接觸面
10、11、12、13、13A、14、14A、41、42‧‧‧液體供應機構
11A、12A‧‧‧供應管
13D、14D‧‧‧供應構件
13H、14H‧‧‧內部空間(內部流路)
20、21、22、22A、22D、61、62、63、64、71、72、73、74‧‧‧液體回收機構
23‧‧‧隔離構件
24‧‧‧分割空間
25‧‧‧歧管部
30‧‧‧捕集構件
31‧‧‧液體捕集面
32‧‧‧葉片構件
33‧‧‧空間部
43、45、75、77、79、81‧‧‧直管部
44、46、76、78、80、82‧‧‧狹縫管部
22H、44H、46H、76H、78H、80H、82H‧‧‧內部流路
52‧‧‧Z載台
53‧‧‧XY載台
54‧‧‧基座
55‧‧‧移動鏡
56‧‧‧雷射干涉計
57‧‧‧輔助板
58‧‧‧點線箭頭
73、74‧‧‧液體回收機構
85‧‧‧葉片構件
90‧‧‧流路形成構件
91‧‧‧第1構件
92‧‧‧第2構件
93‧‧‧第3構件
91A、92A、93A‧‧‧孔部
94A、95A、94B、95B‧‧‧供應流路
94C‧‧‧第1供應槽部
94T、95T‧‧‧錐狀槽部
95C‧‧‧第2供應槽部
96A、97A、98A、99A、96B、97B、98B、99B、96T、97T、98T、99T‧‧‧回收流路
100‧‧‧第1支持構件
102‧‧‧第2支持構件
102A‧‧‧上側層部
102B‧‧‧下側層部
104‧‧‧凸緣
110、106、122‧‧‧防振裝置
112‧‧‧載台基座
114‧‧‧基準鏡(固定鏡)
124‧‧‧光罩基座
126、130‧‧‧空氣軸承
第1圖係表示本發明曝光裝置之一實施形態之概略構成圖。
第2圖係表示本發明特徵部分之液體供應機構及液體回收機構之概略構成的俯視圖。
第3圖係表示本發明特徵部分之液體供應機構及液體回收機構之概略構成的立體圖。
第4圖係表示本發明特徵部分之液體供應機構及液體回收機構之概略構成之側截面圖。
第5圖係表示設定於基板上之照射區域圖。
第6(a)、(b)圖係表示液體流動之示意圖。
第7圖係表示液體供應機構及液體回收機構之另一實施形態圖。
第8圖係表示液體供應機構及液體回收機構之另一實施形態圖。
第9圖係表示液體供應機構及液體回收機構之另一實施形態圖。
第10(a)、(b)圖係表示液體供應機構之另一實施形態圖。
第11圖係表示捕集構件之另一實施形態的側截面圖。
第12圖係表示捕集構件之另一實施形態的側截面圖。
第13圖係表示捕集構件之另一實施形態的側截面圖。
第14圖係表示本發明液體供應機構及液體回收機構之另一實施形態之概略立體圖。
第15圖係表示第14圖之狹縫管部之另一實施形態圖。
第16圖係表示本發明液體供應機構及液體回收機構之另一實施形態之概略立體圖。
第17圖係表示流路形成構件中，第1構件之立體圖。
第18(a)、(b)圖係表示流路形成構件中，第2構件之立體圖。
第19(a)、(b)圖係表示流路形成構件中，第3構件之立體圖。
第20圖係表示本發明之曝光裝置之另一實施形態之概略構成圖。
第21圖係表示半導體元件製造步驟之一例之流程圖。
以下，針對本發明之曝光裝置，邊參照圖式邊加以說明。第1圖係表示本發明曝光裝置之一實施形態之概略構成圖。
在第1圖中，曝光裝置EX係具備：支持光罩M之光罩載台MST；支持基板P之基板載台PST；照明光學系統IL，以曝光用光EL來照明支持於光罩載台MST之光罩M；投影光學系統PL，將被曝光用光EL所照明之光罩M之圖案像投影曝光於基板載台PST所支持之基板P上；以及控制裝置CONT，統合控制曝光裝置EX全體之動作。
又，本實施形態之曝光裝置EX係實質上縮短曝光波長來提高解析度，並且，為了擴大焦點深度，適用浸液法之浸液曝光裝置具備：液體供應機構10，其係將液體1供應於基板P上；及液體回收機構20，其係回收基板P上之液體1。曝光裝置EX係在至少將光罩M之圖案像轉印於基板P上期間，藉由從液體供應機構10所供應之液體1，在包含投影光學系統PL之投影區域AR1之基板P上之一部份形成浸液區域AR2。具體而言，曝光裝置EX係在投影光學系統PL之前端部之光學元件2和基板P之表面間填滿液體1，透過該投影光學系統PL和基板P間之液體1及投影光學系統PL，將光罩M之圖案像投影於基板P上，而將基板P曝光。
此處，本實施形態係針對曝光裝置EX，邊將光罩M和基板 P朝掃描方向彼此不同的方向(反方向)同步移動，邊將形成於光罩M之圖案曝光於基板P之掃描型曝光裝置(所謂掃描步進機)為例加以說明。在以下之說明中，把與投影光學系統PL之光軸AX一致方向當作Z軸方向，在與Z軸方向垂直之平面內把光罩M和基板P之同步移動方向(掃描方向)當作X軸方向，與Z軸方向及Y軸方向垂直之方向(非掃描方向)當作Y軸方向。又，分別把環繞X軸、Y軸、Z軸的方向當作θ X、θ Y及θ Z方向。又，此處所謂之「基板」係包含將感光性材料之光阻塗布於半導體晶圓上者，「光罩」係包含在基板上縮小投影之標線片(形成有元件圖案)。
照明光學系統IL係以曝光用光EL來照明支持於光罩載台MST之光罩M者，具有：曝光用光源、光學積分器(用以將從曝光用光源射出之光束照度均勻化)、聚光透鏡(將來自光學積分器之曝光用光EL聚光)、中繼透鏡系統、可變視野光圈(將藉曝光用光EL之光罩M上之照明區域設定成狹縫狀)。光罩M上既定之照明區域係藉由照明光學系統IL，以均勻之照度分布之曝光用光EL來進行照明。就從照明光學系統IL所射出之曝光用光EL而言，例如，使用從水銀燈所射出之紫外線域之輝線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm等遠紫外線光(DUV光)、或ArF準分子雷射光(波長193nm)及F2雷射光(波長157nm)等之真空紫外光(VUV光)等。在本實施形態中係使用ArF準分子雷射光。
光罩載台MST係支持光罩M者，在與投影光學系統PL之光軸AX垂直之平面內，即在XY平面內能2維移動及微小旋轉於θ z方向。光罩載台MST係藉由線性馬達等光罩載台驅動裝置MSTD來驅動。光罩載台驅動裝置MSTD係藉由控制裝置CONT來控制。在光罩載台MST上，設 置移動鏡50。又，在與移動鏡50對向之位置設置雷射干涉計51。光罩載台MST上之光罩M之2維方向位置、及旋轉角，係藉由雷射干涉計51用即時來測量，測量結果係輸出至控制裝置CONT。控制裝置CONT係依據雷射干涉計51之測量結果來驅動光罩載台驅動裝置MSTD，藉此進行支持於光罩載台MST之光罩M之定位。
投影光學系統PL，係以既定之投影倍率β將光罩M之圖案投影曝光於基板P上，且以包含設置於基板P側前端部之光學元件(透鏡)2之複數個光學元件來構成，這些光學元件係以鏡筒PK來支持。在本實施形態中，投影光學系統PL之投影倍率β，例如，係1/4或1/5之縮小系統。又，投影光學系統PL即使等倍系統或放大系統中之任一系統皆可。又，本實施形態之投影光學系統PL之前端部之光學元件2係對鏡筒PK設置成能裝卸(更換)，光學元件2係與浸液區域AR2之液體1接觸。
光學元件2係由螢石所形成。因螢石與水之親和性高，故能使液體1密合於光學元件2之液體接觸面2a之大致全面。即，在本實施形態中，因供應與光學元件2之液體接觸面2a之親和性高的液體(水)1，故光學元件2之液體接觸面2a和液體1之密合性高，能以液體1確實填滿光學元件2和基板P間之光路。又，光學元件2亦可為與水親和性高之石英。又，也可在光學元件2之液體接觸面2a施以親水化(親液化)之處理，來更提高與液體1之親和性。
基板載台PST係支持基板P，具備：透過基板保持具支持基板P之Z載台52、支持Z載台52之XY載台53、支持XY載台53之基座54。基板載台PST係藉由線性馬達等基板載台驅動裝置PSTD來加以驅動。 基板載台驅動裝置PSTD係藉由控制裝置CONT來進行控制。驅動Z載台52，藉此來控制保持於Z載台52之基板P之Z軸方向之位置(聚焦位置)、及θ X、θ Y方向之位置。又，驅動XY載台53，藉此控制基板P之XY方向之位置(與投影光學系統PL之像面實質平行的方向之位置)。即，Z載台52係控制基板P之聚焦位置及傾斜角，利用自動聚焦方式及自動調平方式，將基板P之表面與投影光學系統PL之像面對準，XY載台53係進行基板P之X軸方向及Y軸方向之定位。又，當然也能一體性地設定Z載台和XY載台。
在基板載台PST(Z載台52)上，設置與基板載台PST一起相對於投影光學系統PL移動之移動鏡55。又，在與移動鏡55對向之位置，設置雷射干涉計56。基板載台PST上之基板P之2維方向位置及旋轉角係藉由雷射干涉計56，以即時(real time)來進行測量，測量結果係輸出至控制裝置CONT。控制裝置CONT係依據雷射干涉計56之測量結果，來驅動基板載台驅動裝置PSTD，藉此進行支持於基板載台PST之基板P之定位。
又，在基板載台PST(Z載台52)上，設置輔助板57。輔助板57係具有與保持於基板保持具之基板P表面大致相同高度之平面。此處，在基板P之邊緣和輔助板57之間，雖有0.1~2mm程度之間隙，但由於液體1之表面張力，液體1幾乎不會流入該間隙，當把基板P之周緣附近進行曝光時，也藉由輔助板57將液體1保持於投影光學系統統PL之下。
液體供應機構10係將既定之液體1供應於基板P上，具備：第1液體供應部11及第2液體供應部12，能供應液體1；第1供應構件13，係具有供應嘴13A，透過具有流路之供應管11A連接於第1液體供應部11， 將從該第1液體供應部11所送出之液體1供應於基板P上；及第2供應構件14，係具有供應嘴14A，透過具有流路之供應管12A連接於第2液體供應部12，將從該第2液體供應部12所送出之液體1供應於基板P上。第1、第2供應構件13、14係近接於基板P表面，設置於在基板P之面方向彼此不同之位置。具體而言，液體供應機構10之第1供應構件13係設置於對投影區域AR1之掃描方向一方側(-X側)，第2供應構件14係設置於掃描方向之另一側(+X側)。
各第1、第2液體供應部11、12係具備收容液體1之槽及加壓泵等，透過各供應管11A、12A及供應構件13、14，將液體1供應於基板P上。又，第1、第2液體供應部11、12之液體供應動作係藉由控制裝置CONT來進行控制，控制裝置CONT係藉由第1、第2液體供應部11、12能分別獨立控制對基板P上之每單位時間之液體供應量。
在本實施形態中，液體1係使用純水。純水不僅能使ArF準分子雷射光透過，例如，也能使從水銀燈射出之紫外線域之輝線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)透過。
液體回收機構20係回收基板P上之液體1者，具備：回收構件22，其係具有回收口22A，回收口22A係近接於基板P表面；及液體回收部21，其係透過具有流路之回收管21A連接於該回收構件22。液體回收部21，例如，具備：真空泵等吸引裝置、及收容所回收的液體1之槽；透過回收構件22及回收管21A，來回收基板P上之液體1。液體回收部21之液體回收動作係藉由控制裝置CONT來進行控制，控制裝置CONT係藉由液體回收部21，能控制每單位時間之液體回收量。
又，在液體回收機構20之回收構件22外側，配置形成有供捕集液體1之既定長度之液體捕集面31之捕集構件30。
第2圖係表示液體供應機構10及液體回收機構20之概略構成的俯視圖，第3圖係表示部分截面所示之立體圖。
如第2圖所示，投影光學系統PL之投影區域AR1係將Y軸方向(非掃描方向)當作長邊方向設定為矩形狀，填滿液體1之浸液區域AR2係以包含投影區域AR1的方式形成於基板P之一部份。並且，用來形成投影區域AR1之浸液區域AR2之液體供應機構10之第1供應構件13係對投影區域AR1設置於掃描方向一方側(-X側)，第2供應構件14係設置於掃描方向另一側(+X側)。
如第2圖及第3圖所示，第1、第2供應構件13、14係分別具有內部空間(內部流路)13H、14H，係流通從第1、第2液體供應部11、12所送出之液體1；及供應嘴13A、14A，其係將流通內部空間13H、14H之液體1供應於基板P上。又，在第3圖中，第2液體供應部12雖未圖示，但構造係與第1液體供應部11相同。第1、第2供應構件13、14之供應嘴13A、14A係分別形成俯視大致圓弧狀，在該供應嘴13A、14A之Y軸方向之大小，係設成至少較投影區域AR1之Y軸方向之大小為大。而且，形成俯視大致圓弧狀之供應嘴13A、14A係對掃描方向(X方向)，配置成隔著投影區域AR1。液體供應機構10係從供應嘴13A、14A，在投影區域AR1之複數個不同方向上之複數個位置，即，從矩形之投影區域AR1之不同側(此例，係指投影區域AR1兩側(+X方向側、-X方向側))，同時供應液體1。
液體回收機構20之回收構件22係雙重環狀構件，具有：回 收口22A，其係朝基板P之表面，環狀連續性地形成；及環狀內部空間(內部流路)22H，其係流通從回收口22A所回收之液體1。液體回收機構20之回收構件22係配置成圍繞液體回收機構10之供應構件13、14及投影區域AR1。並且，在回收構件22內部，沿周方向將該內部空間22H分割為複數個空間(分割空間)24之隔離構件(隔離物)23係以既定間隔來設定。即，成為在為了圍繞投影領域AR1連續性地形成之回收口22A內部，設置隔離構件23之構成。分別被隔離構件23所分割之分割空間24係朝上下方向貫穿。並且，在回收構件22之中，具有回收口22A之下端部係近接於基板P表面，另一方面，上端部係成為空間性地集合複數個分割空間24之集合空間部之歧管部25。並且，在該歧管部25連接回收管21A之一端部，另一端部係連接於液體回收部21。液體回收機構20係驅動液體回收部21，藉此透過回收口22A(回收構件22)及回收管21A來回收基板P上之液體1。即，回收口22A之設置位置係進行基板P上之液體1的回收之回收位置，液體回收機構20係在離投影區域AR1之回收位置進行基板P上之液體1之回收。此處，液體回收機構20之回收口22A係俯視大致圓環狀，成為圍繞投影區域AR1之構成。即，回收口22A係位於矩形投影區域AR1之4側(+X方向側、-X方向側、+Y方向側、-Y方向側)，換言之，位於離與投影區域AR1正交之4個方向之4個位置。因此，液體回收機構20係從以圍繞投影區域AR1的方式而設置之回收口22A，在離投影領域AR1之複數個不同方向之複數個位置，能同時進行基板P上之液體1之回收。
又，液體供應機構10之第1、第2供應構件13、14之各供應嘴13A、14A之設置位置，即，對基板P上之液體1之供應位置係設置於 液體回收位置(回收口22A之位置)和投影區域AR1之間之構成，即，藉由液體供應機構10之液體1之供應，係在液體回收機構20之液體回收位置和投影領域AR1之間來進行。
第4圖係表示與基板P近接配置之第1、第2供應構件13、14及回收構件22之要部放大側截面圖。如第4圖所示，液體供應機構10之第1、第2供應構件13、14之各之內部流路13H、14H係對基板P之表面大致垂直設置。同樣地，液體回收機構20之回收構件22之內部流路22H(分割空間24)亦對基板P之表面大致垂直設置。並且，藉由第1、第2供應構件13、14對基板P之液體1之供應位置(供應嘴13A、14A之設置位置)，係設置於液體回收機構20之液體回收位置(回收口22A之設置位置)和投影區域AR1之間。又，投影光學系統PL和第1、第2供應構件13、14係只相隔既定距離，並且，回收構件22和第1、第2供應構件13、14也只相隔既定距離。又，本實施形態，基板P表面和供應嘴13A、14A之距離、基板P表面和回收口22A之距離、以及基板P表面和投影光學系統PL下端面之距離係大致相同。換言之，供應嘴(13A、14A)、回收口22A、及投影光學系統PL之下端面各Z軸方向之位置(高度)係相同。
並且，從第1、第2供應構件13、14之供應嘴13A、14A，在基板P，從對基板面大致垂直方向所供應之液體1係以使投影光學系統PL之前端部(光學元件2)之下端面和基板P之間擴大潤溼的方式來供應。又，對投影區域AR1，從供應構件13、14外側所流出之液體1，係以較供應構件13、14對投影區域AR1更靠外側之回收構件22之回收口22A，從與基板面大致垂直方向進行回收(吸引)。
此處，構成液體供應機構10及液體回收機構20之各構件中至少流通液體1之構件，例如，係由聚四氟化乙烯等合成樹脂所形成。藉此，能抑制液體1中所含之雜質。
在液體回收機構20之回收構件22中，於投影區域AR1外側設置捕集構件30，形成有既定長度之液體捕集面31以捕集液體回收機構20之回收構件22不能完全回收之液體1。捕集構件30係安裝於回收構件22之外側面。液體捕集面31係在捕集構件30中朝基板P側之面(即下面)，如第4圖所示，對水平面傾斜。具體而言，捕集面31係呈愈朝投影區域AR1(浸液區域AR2)外側，愈與基板P之表面遠離(如向上般)地傾斜。捕集構件30，例如係由不銹鋼等金屬所形成。
如第2圖所示，捕集構件30係俯視環狀構件，以嵌合於回收構件22的方式連接於回收構件22之外側面。並且，捕集構件30之捕集面31係以圍繞投影區域AR1(浸液區域AR2)的方式配置，本實施形態之捕集構件30及其下面之捕集面31係成為俯視大致橢圓形狀。即，捕集構件30之捕集面31係以投影光學系統PL之光軸AX為基準，輻射方向之長度係按照其位置而不同般設置。本實施形態，掃描方向(X軸方向)之捕集面31之長度係較非掃描方向(Y軸方向)為長。更具體而言，對應投影區域AR1之Y軸方向中央部位置之捕集面31之長度為最長。
在捕集面31，施以提高與液體1之親和性之親液化處理(親水化處理)。在本實施形態中，因液體1係水，故在捕集面31施以對應於液體1之親和性之表面處理。又，在基板P之表面，塗布撥水性(接觸角70~80°程度)之ArF準分子雷射用之感光材料(例如，東京應化工業股份有限公司 製TARF-P6100)，對應捕集面31之液體1之液體親和性係較對基板P表面之液體1之液體親和性為高。
對捕集面31之表面處理係按照液體1之極性來進行。因本實施形態之液體1係極性大之水，故對捕集面31之親水化處理而言，例如，用乙醇等極性大之分子構造物質來形成薄膜，藉此，對該捕集面31賦予親水性。或是，對捕集面31，例如使用氧氣(O2)來作為處理氣體，也能藉由施以電漿處理之O2電漿處理來賦予親水性。因此，當使用水來作為液體1之情形，較佳係將捕集面31具有OH基等極性大的分子構造者配置於表面之處理。此處，用來表面處理之薄膜係對液體1，由非溶解性之材料所形成。又，親液化處理係按照所使用之液體1之材料特性，適當變更該處理條件。
其次，針對使用上述曝光裝置EX，將光罩M之圖案像曝光於基板P之方法加以說明。
此處，在實施形態之曝光裝置EX係將光罩M和基板P邊沿X軸方向(掃描方向)移動邊將光罩M之圖案像進行投影曝光於基板P者，掃描曝光時，在投影光學系統PL之前端部下方矩形狀之投影區域AR1，投影光罩M之一部份之圖案像，對投影光學系統PL，光罩M係朝-X方向(或+X方向)以速度V同步移動，透過XY載台53，基板P係朝+X方向(或-X方向)以速度β‧V(β係投影倍率)移動。並且，如第5圖之俯視圖所示，在基板P上，設定複數個照射區域S1~S12，在朝1個照射區域進行曝光完成後，藉由基板P之步進移動使下一照射區域移動至掃描開始位置，以下，用步進掃描方式邊移動基板P邊對各照射區域依序進行掃描曝光處理。又，本實施形態，控制裝置CONT之投影光學系統PL之光軸AX係沿 著第5圖之虛線箭頭58前進，邊監控雷射干涉計56之輸出，邊移動XY載台53者。
首先，光罩M係載置於光罩載台MST，而且，基板P係載置於基板載台PST(參照第1圖)。其次，當進行曝光處理之際，控制裝置CONT係驅動液體供應機構10，開始對基板P上之液體供應動作。為了形成浸液區域AR2，從液體供應機構10之第1、第2液體供應部11、12分別供應之液體1係流通供應管11A、12A後，透過第1、第2供應構件13、14供應於基板P上，在投影光學系統PL和基板P之間形成浸液區域AR2。此處，如第4圖所示，流通供應管11A、12A之液體1係在供應構件13、14之內部流路13H、14H之寬度方向擴散，從供應嘴13A、14A，供應於基板P上之廣範圍。此時，供應嘴13A、14A係配置於投影區域AR1之X軸方向(掃描方向)兩側，控制裝置CONT係從液體供應機構10之供應嘴13A、14A，從投影區域AR1兩側朝基板P上同時進行液體1之供應。
液體供應機構10係從設置於投影區域AR1兩側之供應嘴13A、14A，即，在投影區域AR1之複數個不同方向(+X方向、-X方向)上之複數個位置同時供應液體1。藉此，從供應嘴13A、14A供應於基板P上之液體1係至少以較投影區域AR1為廣之範圍來形成浸液區域AR2。
在本實施形態中，當從投影區域AR1之掃描方向兩側，對基板P供應液體1之際，控制裝置CONT係控制液體供應機構10之第1、第2液體供應部11、12之液體供應動作，關於掃描方向，係設定從投影區域AR1之前所供應之每單位時間之液體供應量較其相反側所供應之液體供應量為多。例如，當邊將基板P向+X方向移動邊進行曝光處理之情形， 控制裝置CONT係對投影區域AR1使來自-X側(即供應嘴13A)之液體量較來自+X側(即供應嘴14A)之液體量為多，另一方面，當邊將基板P向-X方向移動邊進行曝光處理之情形，係對投影區域AR1使來自+X側之液體量較來自-X側之液體量為多。
又，控制裝置CONT係驅動液體回收機構20之液體回收部21，與液體供應機構10之液體1之供應動作並行，進行基板P上之液體回收動作。藉此，如第4圖所示，從供應嘴13A、14A，對投影區域AR1流向外側之基板P上之液體1係從回收口22A進行回收。從回收口22A所回收之液體1係流通被隔離構件23所隔離之各分割空間24後，集合於歧管部25。集合於歧管部25之液體1係通過回收管21A，回收於液體回收部21。因此，本實施形態係具備對1個液體回收部21，連接複數個分割空間24之構造。並且，液體回收機構20係以圍繞投影區域AR1的方式設置之回收口22A，在投影區域AR1之複數個不同方向上之複數個位置，即，從矩形之投影區域AR1之4側(+X方向側、-X方向側、+Y方向側、-Y方向側)，同時進行基板P上液體1之回收。
控制裝置CONT係藉由液體供應機構10及液體回收機構20，與對基板P表面之液體1之供應並行，邊進行基板P上之液體1之回收，邊將支持基板P之基板載台PST沿X軸方向(掃描方向)移動，且透過投影光學系統PL和基板P間之液體1及投影光學系統PL，將光罩M之圖案像投影曝光於基板P上。此時，液體供應機構10係相對於掃描方向，從投影區域AR1兩側透過供應嘴13A、14A同時進行液體1之供應，故浸液區域AR2能均勻且良好地形成。又，液體回收機構20係透過圍繞投影區域 AR1之回收構件22之回收口22A，在包含投影區域AR1之掃描方向兩側之投影區域AR1周圍之複數位置，同時進行液體1之回收，故能防止液體1向基板P周圍流出或飛散。又，在本實施形態中，因供應與基板P表面之感光材料之親和性低的純水來作為液體1，故能藉由液體回收機構20圓滑地進行回收。
第6(a)圖係表示邊將基板P向+X方向移動，邊將設置於基板P上之第1照射區域(例如，第5圖之S1、S3等)進行曝光處理之際，液體1之流動示意圖。在第6(a)圖中，對投影光學系統PL和基板P間之空間，從供應嘴13A、14A同時供應液體1，藉此以含有投影區域AR1的方式形成浸液區域AR2。此處，對投影區域AR1，從設置於-X側之供應嘴13A所供應之液體1每單位時間之液體量，係設為較從設置於+X側之供應嘴14A所供應之液體1每單位時間之液體量為多，故從供應嘴13A所供應之液體1係被拉伸至朝+X方向移動之基板P，圓滑地配置於投影光學系統PL和基板P間之空間。又，從供應嘴13A、14A向外側流出之液體1係從回收口22A進行回收，能抑制向基板P周圍流出之不良情況的發生。
此處，基板P向+X方向移動，藉此，對投影區域AR1，向+X側移動之液體量增加，在+X側，設置液體回收位置之回收口22A會有無法全部回收液體1的情形。但是，如第6(a)圖所示，無法以+X側之回收口22A完全回收之液體1係從該液體回收位置，以設置於+X側之捕集構件30之捕集面31來進行捕集，故不會向基板P之周圍等流出或飛散。此處，捕集面31係對液體1進行親液化處理，而且，因具有較基板P之表面為高之液體親和性，故欲從回收口22A之液體回收位置向外側流出之液 體1不被拉伸到基板P側，而被拉伸到捕集面31側。藉此，能抑制在基板P上殘留液體1等不良情況之發生。
此處，捕集面31係以包含投影區域AR1之浸液區域AR2為基準愈向外側愈朝上方向傾斜，故能更有效防止液體1向外部流出。即，藉由朝上方向傾斜，相較於基板P和投影光學系統PL間之第1體積(對應基板P之單位面積之體積)，基板P和捕集面31間之第2體積較大，故欲流出之液體1係圓滑地保持於第2之體積部分。又，朝上方向傾斜，藉此欲向外側流出之流體能係沿著捕集面31朝上方向移動而轉換為位能，藉此能有效防止液體1向外側流出。
又，從設置於+X側之供應嘴14A所供應之液體量，係設為較從設置於-X側之供應嘴13A所供應之液體量為少。即，從位於較供應嘴13A更靠近+X側之回收口22A之供應嘴14A之液體供應量設定為較少，故即使液體1被拉伸至向+X側移動之基板P，欲從基板P之+X側向外部流出之液體量受到抑制。
在第1照射區域之曝光處理完成後，因控制裝置CONT將投影光學系統PL之投影區域AR1配置於與該第1照射區域不同之第2照射區域，故步進移動基板P。具體而言，例如，對照射區域S1之掃描曝光處理結束後，為了對照射區域S2進行掃描曝光處理，控制裝置CONT係在基板P上之2個照射區域S1、S2間，向Y軸方向步進移動。此時，液體供應機構10係使基板P上之2個照射區域間之步進移動中之液體1之供應量與照射區域之曝光中之供應量不同。具體而言，控制裝置CONT，係使步進移動中來自液體供應機構10之對基板P上之每單位時間之液體供應量，較照射 區域之掃描曝光中之液體供應量為少。藉此，能抑制在步進移動中無助於曝光處理之對基板P之液體供應量，能抑制曝光處理全體(基板P載置於基板載台PST，對所有照射區域S1~S12之曝光處理結束後，從基板載台PST卸下為止)之液體使用量。如此，控制裝置CONT，係按照構成曝光處理執行動作之一部份之基板P之移動動作(步進移動或掃描移動)，來改變各第1、第2液體供應部11、12每單位時間之液體供應量。
此處，液體供應機構10係在基板P之步進移動中，雖減低液體1之每單位時間之供應量，但維持(繼續)液體1之供應動作。即，液體供應機構10係藉由改變照射區域來改變掃描方向，或在步進移動時，也維持(繼續)來自供應嘴13A、14A之液體供應動作。如此，當液體供應機構10依序曝光基板P上之複數個照射區域時，從設置於複數個位置之供應嘴13A、14A持續供應液體1，未按照掃描方向來改變液體供應位置，步進移動時亦不改變液體供應位置。換言之，液體供應機構10係在對1片基板P之一連串曝光處理動作結束前(基板P載置於基板載台PST，對所有照射區域S1~S12之曝光處理結束後，從基板載台PST卸下為止)，從複數個位置持續供應液體1。藉此，能防止因液體1之供應及停止所造成之液體振動(水錘現象)。
第6(b)圖係表示邊將基板P朝-X方向移動，邊將設定於基板P上之第2照射區域(例如，第5圖之S2、S4等)進行曝光處理之際，液體1之流動示意圖。在第6(b)圖中，對投影光學系統PL和基板P間之空間，從供應嘴13A、14A供應液體1，藉此，以含有投影區域AR1的方式形成浸液區域AR2。此處，對投影區域AR1，從設置於+X之供應嘴14A所供應 之液體1之每單位時間之液體量，係設為較設置於-X側之供應嘴之供應嘴13A所供應之液體1之每單位時間之液體量為多，故從供應嘴14A所供應之液體1係被拉伸到朝-X方向移動之基板P，圓滑地配置於投影光學系統PL和基板P間之空間。如此，控制裝置CONT係按照構成曝光處理執行動作一部份之基板P之移動方向(移動動作)，來改變各第1、第2液體供應部11、12之每單位時間之液體供應量。又，欲從供應嘴13A、14A向外側流出之液體1係從回收口22A進行回收，能抑制欲向基板P周圍流出之不良情況產生。
此處，藉由基板P朝-X方向移動，使被+X側之捕集面31所捕集之液體1係沿著捕集面31下降，從液體回收機構20之回收口22A進行回收。藉此，能確實防止液體1之殘留或向外部流出。並且，隨著向基板P之-X側之移動，增加朝-X側移動之液體量，藉此，即使無法以-X側之回收口22A全部回收液體1，亦能如第6(b)圖所示般，從該液體回收位置以設置於-X側之捕集構件30之捕集面31來捕集液體1。
又，此處，捕集面31係對投影區域AR1愈向外側愈朝上方向傾斜般形成，但即使水平(0度)亦可。另一方面，若捕集面31朝下方向傾斜，則欲向外側流出之流體能無法轉換為位能，而且，當朝反方向移動基板P之際，液體1係無法以沿著捕集面31下降的方式移動至回收口22A，故無法以回收口22A圓滑地回收液體1。因此，較佳係捕集面31為水平面(0度)或朝上方向之傾斜面。
又，當對基板P上之每單位時間之液體供應量多之情形或掃描速度為高速之情形，因欲向外側流出之液體量也變多，故捕集面31之傾 斜角度也按照這些液體供應量及掃描速度來設定為最佳角度。即，液體供應量多之情形或掃描速度為高速之情形，將捕集面31之傾斜角度設定大。另一方面，若捕集面31之傾斜角度太大，則會有在捕集面31無法完全捕集(保持)液體1。此處，藉由親液化處理來加強親液性，藉此捕集面31之液體保持力變大，故增大傾斜角度之情形，變更親液化處理之處理條件，對捕集面31賦與最佳之親液性，藉此即使增大傾斜角度，也能保持液體1。因此，捕集面31之傾斜角度係根據液體供應量、掃描速度、及液體之材料特性(捕集面之液體親和性)等各參數來設成最佳角度。
又，本實施形態之回收構件22具有：圓環狀連續形成之回收口22A、設置於回收口22A內部之隔離構件23、及被該隔離構件23所分割之複數個分割空間24，在集合複數個分割空間24之歧管部25透過回收管21A連接液體回收部21。藉此，由於包含真空泵等所構成之液體回收部21可設置1個，故能簡化裝置構成。此處，在回收構件22周方向之各位置，會發生用來回收液體1之吸引負載不同之狀態，因此，液體回收部21之吸引力降低，會有無法圓滑地進行回收動作的情形。但是，藉由設置隔離構件23，能圓滑地進行回收動作。即，例如，起因於液體1之流動，在回收構件22之中，在+X側之回收口22A僅回收(吸引)液體1，而在-X側之回收口22A會發生包含空氣(嚙入)吸引之狀態。這種情形，在-X側之回收口22A之空氣嚙入區域擴大，如本實施形態般，在以單一系統之液體回收部21來回收液體1之情形，由於嚙入空氣而產生構成液體回收部21之真空泵之吸引力降低之不良情況。然而，由於在連續形成之回收口22A內部(內部空間22H)設置隔離構件23，且設置彼此獨立之分割空間24，對嚙入空氣之 區域能空間性地分離只吸引液體1之區域，故能防止空氣嚙入區域擴大、因所嚙入之空氣產生降低液體回收部21之吸引力之不良情況，藉此，液體回收部21即使係單一系統，液體回收機構20也能圓滑地回收液體1。
如以上說明，為了形成浸液區域AR2，對在投影區域AR1之複數個不同方向上之複數個位置(從投影區域AR1之彼此不同之複數側)，設置同時進行基板P上之液體1之供應之液體供應機構10，故基板P即使朝包含掃描方向(±X方向)及步進方向(±Y方向)之複數個方向移動的情形，亦能在投影光學系統PL和基板P之間經常圓滑且良好地形成浸液區域AR2。因此，能在高解析度及大焦點深度之狀態下進行曝光處理。
當依序曝光處理基板P上之複數個照射區域之際，由於藉由液體供應機構10，從複數個位置持續供應液體1，故能防止液體1之供應及停止所產生之液體振動(水錘現象)，藉此能防止轉印之圖案劣化。
又，液體供應機構10係從供應嘴13A、14A，從投影區域AR1之掃描方向兩側供應液體1，故所供應之液體1朝沿掃描方向移動之基板P拉伸的方式而於投影區域AR1擴大潤濕，因此浸液區域AR2能以包含投影區域AR1的方式圓滑地形成。又，在本實施形態，由於液體供應機構10對掃描方向，使從投影區域AR1前方供應之液體量，設為較從其相反側供應之液體量為多，因此供應至基板P上之液體1，係朝移動之基板P拉伸，且沿著基板P之移動方向流動，而圓滑地配置成能引入投影光學系統PL和基板P間之空間。因此，從液體供應機構10所供應之液體1，即使該供應能小，也能圓滑地配置於投影光學系統PL和基板P之間，而能良好地形成浸液區域AR2。並且，按照掃描方向來變更從各供應嘴13A、14A所供應之 液體量，而能切換液體1所流之方向，藉此，當沿+X方向或-X方向之任一方向掃描基板P之情形，亦能在投影光學系統PL和基板P之間圓滑地形成浸液區域AR2，能得到高解析度及大焦點深度。
又，液體回收機構20之回收構件22係以圍繞投影區域AR1及供應構件13、14的方式形成圓環狀，在投影區域AR1之複數個不同方向上之複數個位置(從投影區域AR1之不同之複數側)，同時進行基板P上之液體1之回收，能確實防止發生液體1向基板P外側流出或飛散等不良情況。即，液體回收機構20係在有關一片基板P之一連串曝光處理動作結束前(對基板P上之全部照射區域S1~S12之曝光處理結束後，形成浸液區域AR2之液體1之回收完成前)，從以圍繞投影區域AR1的方式形成之回收口22A持續進行回收動作，故在基板P之一連串曝光處理動作中，即使液體1朝任一方向擴大潤溼，也能良好地回收液體1。又，在基板P之一連串曝光處理動作中，因不必使從回收口22之液體吸引停止，故能抑制伴隨由此之振動所造成影響。
又，設置捕集液體回收機構20所無法完全回收之液體1之捕集構件30，藉此能防止發生液體1向基板P外側流出或飛散等不良情況。並且，在本實施形態中，捕集面31係把液體1沿著基板P外側最容易流出之掃描方向(X軸方向)之方向當作長邊方向形成俯視橢圓形狀，故能防止液體1向外部流出。又，在捕集面31，施以提高與液體1之親和性之親液化處理，故能良好地捕集欲流出之液體1。又，以使捕集面31之液體親和性較基板P表面之液體親和性為高的方式來進行表面處理，故欲向外部流出之液體1不會附著於基板P而被捕集面31捕集，故能防止在基板P之表面 發生殘留液體1之不良情況。又。捕集面31係對投影區域AR1愈向外側愈朝上方向傾斜，故能良好地捕集欲向外部流出之液體1，而且，當基板P之掃描方向成為反方向之際，所捕集之液體1係於捕集面31下方傳送，故能以連接於捕集面31之回收口22A良好地回收。
又，從液體供應機構10，與投影光學系統PL之前端液體接觸面2a之親和性係較與塗布於基板P表面之感光材料之親和性為高，因將液體(水)1供應作為浸液曝光用，故能用液體1確實填滿投影光學系統PL和基板P間之光路，並且，供應於基板P上之液體1被圓滑地回收，故能防止液體1之流出或飛散等不良情況。
又，本實施形態，當從投影區域AR1之掃描方向兩側供應液體1之際，從掃描方向前方所供應之液體量雖較其相反側所供應之液體量為多，但亦可使從投影區域AR1兩側所供應之液體1同量。在此情形，在切換掃描方向之際，因亦不會產生液體1之供應量變動，故能更確實防止發生水錘現象。另一方面，邊供應液體1，邊按照掃描方向來變化從投影區域AR1之掃描方向兩側所供應之液體量，藉此不僅能抑制水錘現象之發生，而且能抑制液體1之使用量。
又，本實施形態，對1片基板P之曝光處理動作中，雖係持續供應來自供應嘴13A、14A之液體1之構成，但也可在途中停止。例如，也可係在沿+X側掃描移動基板P之際，停止來自供應嘴14A之液體供應，只從供應嘴13A供應液體1之構成，也可係在沿-X側掃描移動基板P之際，停止來自供應嘴13A之液體供應，只從供應嘴14A供應液體1之構成。並且，基板P之步進移動時，液體供應機構10也可係對基板P停止供應液 體1之構成。這種情形，當開始掃描曝光之際，也可用既定時間進行液體1之供應，待液體振動被穩定後，再掃描曝光。藉由這種構成，能抑制液體1之使用量。另一方面，藉由持續供應液體1，由於不必設定液體振動穩定前之等待時間，故能提高生產量。
本實施形態，液體供應嘴10之供應嘴13A、14A雖對投影區域AR1，設置於掃描方向兩側之構成，惟亦可例如以圍繞全部投影區域AR1之周圍的方式，即，亦可在投影區域AR1之非掃描方向兩側設置供應嘴(供應構件)。並且，也可從以圍繞投影區域AR1的方式設置之各供應嘴，將液體1供應於基板P上。此處，對投影區域AR1，在掃描方向之各兩側和非掃描方向之各兩側設置供應嘴之際，即，以圍繞投影區域AR1的方式設置彼此獨立之4個供應嘴之際，邊沿掃描方向移動基板P，邊進行曝光處理之際，也可從所有之4個供應嘴供應液體1，也可只從設置於掃描方向兩側之供應嘴供應液體1，而停止(或少量供應)從設置於非掃描方向兩側之供應嘴供應液體。並且，當朝非掃描方向移動基板P時，也可從設置於非掃描方向兩側之供應嘴供應液體。或亦可以圍繞投影區域AR1的方式設置環狀之供應構件，透過該供應構件將液體1供應於基板P上之構成。這種情形，因將液體1送出至供應構件之液體供應部也可為1個，故能簡化裝置構成。另一方面，如上述實施形態般，對投影區域AR1，若在掃描方向兩側有供應嘴13A、14A，則能將投影區域AR1充分設定於浸液區域AR2，能抑制液體1之使用量。
又，本實施形態，液體供應機構10之供應嘴13A、14A係對投影區域AR1，設置於掃描方向兩側之構成，但投影光學系統PL和基板 P間之曝光用光之曝光係以液體1充分填滿之情形，也可從配置於投影區域AR1附近之1處供應嘴來供應液體。這種情形，也在1片基板P上之全部照射之曝光結束前，從該1處之供應嘴持續供應液體，藉此能抑制產生水錘現象，並且能抑制液體1之使用量。
又，上述實施形態，第1、第2供應構件13、14和回收構件22雖係分離，惟第1、第2供應構件13、14和回收構件22也可連接，也可在第1、第2供應構件13、14和回收構件22之間設置用以連接該等之連接構件。又，上述實施形態，供應構件13、14之內部流路13H、14H和回收構件22之內部流路22H係對基板P之表面垂直的方式來加以說明，但也可傾斜。例如，也可將供應構件13、14之內部流路13H、14H(或供應嘴13A、14A)朝投影區域AR1側般設置。並且，也可對供應嘴13A、14A和回收構件22之回收口22A之基板P表面，距離(高度)不同般設置。
又，包含供應構件13、14之液體供應機構10、及包含回收構件22之液體回收機構20，較佳係用投影光學系統PL及支持該投影光學系統PL之支持構件以外之支持構件來支持。藉此，能防止液體供應機構10或液體回收機構20所發生之振動傳達於投影光學系統PL。又，相反地，使投影光學系統PL和供應構件13、14無間隙地接觸，藉此，也能期待防止大氣混入液體1之效果。
以下，針對本發明之另一實施形態加以說明。此處，在以下之說明中，針對與上述之實施形態相同或同等之構成部分，附上同一符號，將該說明予以簡化或省略。
上述實施形態之液體回收機構20係具備1個液體回收部 21、及回收構件22(具有回收口22A，透過回收管21A連接於該液體回收部21，連續形成圓環狀)之構成，但也可設置複數個液體回收部。藉此，能抑制在回收口22A之各回收位置之回收力的偏差。又，控制裝置CONT也可使該複數個分別之液體回收部之回收力按照液體回收位置而不同。邊參照第7圖，邊將此部分加以說明。
第7圖係表示本發明之另一實施形態之圖，表示液體回收機構20之另一例之俯視示意圖。在第7圖中，液體回收機構20係具備：第1液體回收部26、第2液體回收部27、第1回收構件28(透過回收管26A連接於該第1液體回收部26)、及第2回收構件29(透過回收管27A連接於該第2液體回收部27)。各第1、第2回收構件28、29，係形成俯視大致圓弧狀，第1回收構件28係配置於投影區域AR1之-X側，另一方面，第2回收構件29係配置於投影區域AR1之+X側。又，第1、第2回收構件28、29係與上述實施形態同樣，具備朝基板P側之回收口、和設置於其內部之隔離構件。又，第1、第2液體回收部26、27之回收動作係藉由控制裝置CONT，分別獨立進行。
在將基板P上之照射區域掃描曝光之際，控制裝置CONT係從液體供應機構10，將液體1供應於基板P上，並且，在液體回收機構20中，分別驅動第1、第2液體回收部26、27，回收基板P上之液體1。此處，控制裝置CONT係將液體回收機構20之液體回收力控制成按照液體回收位置而不同。具體而言，控制裝置CONT係對掃描方向，將投影區域AR1前方之每單位時間之液體回收量(回收力)設為較其相反側之液體回收量減為少。即，增多掃描方向前方側(液體1流動之下流側)之液體回收力。具體 而言，當基板P朝+X方向移動時，對投影區域AR1，於設置於+X側之第2回收構件29(第2液體回收部27)之回收力係設為較設置於-X側之第1回收構件28(第1液體回收部26)之回收力為大。藉此，不僅能防止液體1向外部流出，而且能圓滑地進行基板P上之液體回收動作。
又，上述實施形態，雖係同時進行採用第1、第2液體回收部26、27之液體回收動作，但也可係分別進行之構成。例如，當基板P朝+X方向移動時，對投影區域AR1，可僅藉由設置於+X側之第2回收構件29(第2液體回收部27)進行液體回收動作，而使藉由第1回收構件28(第1液體回收部26)，之液體回收動作停止。這種情形，因液體1係主要在+X側流動，故只藉由第2液體回收部27之回收動作也能回收液體1。
又，上述各實施形態，液體回收機構20之回收構件係以圍繞全部投影區域AR1的方式配置，但也可只位於投影區域AR1之掃描方向兩側之構成。
又，上述各實施形態，液體回收機構20之回收構件係以圍繞投影區域AR1的方式連續形成，但如第8圖所示，也可係間斷性地配置複數個回收構件22D之構成。同樣地，關於液體供應機構10，也可係間斷性地配置複數個供應構件13D、14D之構成。這種情形，也以圍繞投影區域AR1的方式形成之回收口持續性地進行回收動作，故液體1即使在任一方向擴大潤溼，也能良好地回收液體1。
又，在設置複數個液體回收機構20之回收構件之情形等，液體回收機構20係對投影區域AR1，在離掃描方向之位置之液體回收力(每單位時間之液體回收量)，設為較與此另一位置、具體而言係離非掃描方向 之位置之液體回收力為大，藉此，當進行掃描曝光之際，能圓滑地回收基板P上之液體1。
又，對被隔離構件23分割之各分割空間24，係透過回收管分別連接具有真空泵等之複數個液體回收部，個別控制這些複數個液體回收部之回收動作，藉此，也可按照液體回收位置而使回收力不同。又，在各分割空間24，並非個別連接液體回收部，而係以複數個回收管來連接1個液體回收部和複數個分割空間24，在各回收管設置閥，藉由調整閥之開度，按照液體回收位置而使回收力不同。並且，藉由變更該複數條回收管之長度，也能藉壓力損失而使各分割空間24之回收力不同。
又，上述各實施形態，液體供應機構10係俯視大致圓弧狀，如第9圖所示，也可係直線狀。此處，第9圖所示之俯視直線狀之供應構件13、14係分別設置於投影區域AR1之掃描方向兩側。同樣地，液體回收機構20之回收構件22也不限定於圓環狀，也可如第9圖所示之矩形狀。
如第10(a)圖所示，亦可在液體供應機構10之供應構件13(14)之內部流路13H(14H)設置多孔質體40。或如第10(b)圖所示，設置隔離構件41，形成狹縫狀之流路。藉此，能將從供應構件13(14)供應於基板P上之液體1整流，能抑制基板P上產生亂流，且能抑制液體振動不良情況之發生。
上述各實施形態，捕集構件30(捕集面31)係俯視橢圓形狀般加以說明，但也可係圓形狀或矩形狀。另一方面，因液體1容易流出之處係投影區域AR1之掃描方向兩側，故如上述實施形態般，將捕集構件30作成橢圓形狀，藉此能良好地捕集欲流出之液體1。又，上述實施形態，捕集構件30(捕集面31)係橢圓形狀，在回收構件22之液體回收位置外側全 部，以圍繞回收構件22的方式設置之構成，但例如能只設置於投影區域AR1之掃描方向兩側，對投影區域AR1，能作成不設置於離非掃描方向之位置之構成。因液體1容易流出之處係掃描方向兩側，故即使只在投影區域AR1之掃描方向兩側設置捕集構件30，也能捕集欲流出之液體1。又，捕集面31之傾斜角度也可按照其位置而不同來加以設定。例如，在捕集面31中，也可將投影區域AR1之掃描方向兩側附近之傾斜角度設成較其他部分為大。又，捕集面31不需為平面，例如也可係組合複數個平面之形狀。
第11圖係表示捕集構件30之捕集面31之另一實施形態之圖。如第11圖所示，捕集面31也可係曲面狀。具體而言，如第11圖所示，捕集面31也可係截面視呈例如2次曲線狀或圓弧狀。此處，捕集面31較佳係膨出於基板側P之曲面。即使這種形狀，也能良好捕集液體1。
或如第12圖所示，也可對捕集面31施以表面積擴大處理，具體施以粗面處理，藉此，捕集面31之表面積擴大，能更進一步良好地捕集液體1。又，粗面處理不需在捕集面31之全面，在捕集面31中，例如也可係只在沿著掃描方向之部分區域施以粗面處理之構成。
如第13圖所示，也可藉由葉片構件32來構成捕集構件30。在第13圖中，葉片構件32係側視圖大致三角形狀，與基板P對向之邊(下邊)係對投影區域AR1愈朝外側愈朝上方向傾斜。並且，這些複數個葉片構件32係在回收構件22之外側面，以使該長邊方向朝向外側的方式安裝成輻射狀。此處，複數個葉片構件32彼此間係隔離，在各葉片構件32間形成空間部33。無法以回收部22完全回收之液體1係在葉片構件32間之空間部33利用表面張力來捕集，藉此能防止液體1向基板P外部流出。
又，複數個葉片構件32也可以等間隔來設置，也可係非等間隔。例如，也可將沿著掃描方向之位置所設置之葉片構件32之間隔，設為較沿著非掃描方向之位置所設置之葉片構件32之間隔為小。又，複數之各葉片構件32之長度(輻射方向之尺寸)也可相同，也可將沿著掃描方向之位置所設置之葉片構件32之長度，設為較此以外之位置所設置之葉片構件32為長。又，在捕集構件30中，也能藉由葉片構件來構成部分區域，而以捕集面來構成剩餘之區域。並且，也可係在參照第4圖等所說明之捕集面31，安裝葉片構件32之構成。又，較佳係也對葉片構件32之表面，事先施以提高與液體1之親和性的親液化處理。
在上述各實施形態中，當對捕集面31(或葉片構件32)施以親液化處理之情形，也可使該捕集面31之親液性具有分布。換言之，針對表面處理面上之複數個區域能進行表面處理，俾使液體之接觸角分別成為不同之值。例如，在捕集面31中，對投影區域AR1，也可使外側之部分區域之親液性設為較內側之區域為低。而且，不必將捕集面31之全部進行親液化處理，例如，也可係將沿著掃描方向之部分區域進行親液化處理之構成。
又，上述實施形態，係對捕集面31施以親液化處理加以說明，但在液體供應機構10或液體回收機構20中，即使對液體1所流之流路表面也能施以親液化處理。特別係在液體回收機構20之回收構件22，預先施以親液化處理，藉此，能圓滑地進行液體回收。或是，對包含接觸液體1之鏡筒PK之投影光學系統PL之前端部，也能施以親液化處理。又，當在光學元件2形成薄膜之情形，因係配置於曝光用光EL之光路上者，故對曝 光用光EL，係由具有透過性之材料所形成，該膜厚亦設定在能使曝光用光EL透過之程度。
又，表面處理用之薄膜也可係單層膜，也可係由複數層所構成之膜。又，若該形成材料也係金屬、金屬化合物、及有機物等，能發揮所欲性能之材料，則能使用任意之材料。
又，也可在基板P之表面，配合與液體1之親和性施以表面處理。又，如上述，較佳係捕集面31之液體親和性較基板P表面之液體親和性為高。
其次，邊參照第14圖，邊針對本發明之液體供應機構10及液體回收機構20之另一實施形態加以說明。
在第14圖中，液體供應機構10係具備：第1液體供應部11及第2液體供應部12、第1供應構件13(對投影區域AR1，設置於掃描方向一方側(-X側))、第2供應構件14(設置於掃描方向另一方側(+X側))、第1供應管41(連接第1液體供應部11和第1供應構件13)、第2供應管42(連接第2液體供應部12和第2供應構件14)。第1、第2供應構件13、14係與參照第2圖及第3圖所說明之實施形態同樣，分別具備：內部流路13H、14H、和形成於內部流路下端部之供應嘴13A、14A，形成俯視大致圓弧狀。
連接第1液體供應部11和第1供應構件13之第1供應管41，係具有直管部43和狹縫管部44。直管部43之一端部係連接於第1液體供應部11，直管部43之另一端部係連接於狹縫管部44之一端部。又，狹縫管部44之另一端部係連接於第1供應構件13之內部流路13H之上端部。狹縫管部44之一端部係形成與直管部43大致相同之大小，另一端部係 形成與第1供應構件13之上端部大致相同之大小。並且，狹縫管部44係從一端部向另一端部，朝水平方向逐漸擴大的方式形成俯視大致三角形狀，形成於狹縫管部44之狹縫狀之內部流路44H係從一端部向另一端部，朝水平方向逐漸擴大的方式形成。
同樣地，連接第2液體供應部12和第2供應構件14之第2供應管42，係具有直管部45和狹縫管部46。直管部45之一端部係連接於第2液體供應部12，直管部45之另一端部係連接於狹縫管部46之一端部。又，狹縫管部46之另一端部係連接於第2供應構件14之內部流路14H之上端部。狹縫管部46之一端部係形成與直管部45大致相同之大小，另一端部係形成與第2供應構件14之上端部大致相同之大小。並且，狹縫管部46係從一端部向另一端部，朝水平方向逐漸擴大的方式形成俯視大致三角形狀，形成於狹縫管部46之狹縫狀之內部流路46H係從一端部向另一端部，朝水平方向逐漸擴大的方式形成。
液體回收機構20係具備：回收構件22(形成俯視環狀)、複數個液體回收部61~64、複數個回收管71~74(分別連接回收構件22和液體回收部61~64)。在本實施形態中，液體回收部係由4個第1~第4液體回收部61~64所構成，為了對應這些液體回收部，回收管係由4個第1~第4回收管71~74所構成。回收構件22係與參照第2圖及第3圖所說明之實施形態同樣，具備環狀之內部流路22H和形成於內部流路下端部之回收口22A。又，在第14圖所示之實施形態之內部流路22H中，未設置隔離構件23。液體回收機構20之回收構件22係配置於液體供應機構10之第1、第2供應構件13、14外側。
在複數個液體回收部中，連接第1液體回收部61和回收構件22之第1回收管71係具有直管部75和狹縫管部76。直管部75之一端部係連接於第1液體回收部61，直管部75之另一端部係連接於狹縫管部76之一端部。又，狹縫管部76之另一端部係連接於回收構件22之內部流路22H之上端部。此處，狹縫管部76之一端部係形成與直管部75大致相同之大小。另一方面，狹縫管部76之另一端部係形成圓環狀之回收構件22之上端部大致約1/4之大小。並且，狹縫管部76係從一端部向另一端部，朝水平方向逐漸擴大的方式形成俯視大致三角形狀，形成於狹縫管部76之狹縫狀之內部流路76H係從一端部向另一端部，朝水平方向逐漸擴大的方式形成。
同樣地，連接第2液體回收部62和回收構件22之第2回收管72係具有直管部77和狹縫管部78。狹縫管部78之一端部係形成與直管部77大致相同之大小。另一方面，狹縫管部78之另一端部係形成圓環狀之回收構件22之上端部大致1/4之大小。並且，狹縫管部78係形成俯視大致三角形狀，形成於狹縫管部78之狹縫狀之內部流路78H係從一端部向另一端部，朝水平方向逐漸擴大的方式形成。又，連接第3液體回收部63和回收構件22之第3回收管73係具有直管部79和狹縫管部80。連接第4液體回收部64和回收構件22之第4回收管74係具有直管部81和狹縫管部82。並且，狹縫管部80、82之另一端部係分別形成於圓環狀之回收構件22之上端部大致1/4之大小。並且，狹縫管部80、82係分別形成俯視大致三角形狀，形成於狹縫管部80、82之狹縫狀之內部流路80H、82H係從一端部向另一端部，朝水平方向逐漸擴大的方式形成。
在構成液體供應機構10及液體回收機構20之構件中，液體流通之構件，具體而言，供應管41、42及回收管71~74係如上述般，也可由聚四氟化乙烯等合成樹脂來形成，例如也可由不銹鋼或鋁等金屬來形成。在本實施形態中，液體流通之構件係金屬製。特別係在液體供應機構10及液體回收機構20中，以鋁當作構成液體流路之構件，藉此，因鋁與液體(水)之接觸角小，故能圓滑地流通液體。又，雖未表示於第14圖，但在液體回收機構20回收構件之周圍，和先前之實施形態同樣，設置捕集構件30。
其次，針對液體供應機構10及液體回收機構20之動作加以說明。為了形成浸液區域AR2，控制裝置CONT係分別驅動液體供應機構10之第1、第2液體供應部11、12。從各第1、第2液體供應部11、12所送出之液體1係分別流通於第1、第2供應管41、42後，透過第1、第2供應構件13、14供應於基板P上。此處，從第1液體供應部11所送出之液體1係流通第1供應管41之直管部43後，流通狹縫管部44，藉此朝水平方向(橫方向)擴散，在狹縫管部44之另一端部，擴散到第1供應構件13之內部流路13H(供應嘴13A)之大致Y軸方向之大小後，透過第1供應構件13之內部流路13H供應於基板P上。藉此，液體1係在把Y軸方向當作長邊方向之大致圓弧狀之供應嘴13A之各位置，以大致均勻的液體供應量供應於基板P上。同樣地，從第2液體供應部12所送出之液體1也流通第2供應管42之直管部45後，通過狹縫管部46，朝水平方向(橫方向)擴散後，供應於第2供應構件14，在供應嘴14A之各位置，以大致均勻的液體供應量供應於基板P上。
即，參照第2圖及第3圖所說明之實施形態，因供應管11A全部由直管所構成，故若從該直管之供應管11A，將液體直接供應於把Y軸方向當作長邊方向之第1供應構件13，則因該流路面積之不同，故在第1供應構件13之供應嘴13A之長邊方向中央部，即供應管11A之下方位置之液體供應量、和供應嘴13A之長邊方向端部，即與供應管11A分離位置之液體供應量產生差異，液體供應量在供應嘴13A之各位置會有不均勻的情形。具體而言，供應嘴13A之長邊方向中央部(供應管11A之下方位置)之液體供應量係較供應嘴13A之長邊方向端部(與供應管11A分離之位置)之液體供應量為多，無法供應均勻的液體，浸液區域AR2可能變成不均勻。但是，當從第1液體供應部11，將液體1供應於把Y軸方向當作長邊方向之第1供應構件13(供應嘴13A)之際，按照第1供應構件13之大小來設定供應管41之至少其一部份之流路之大小，如本實施形態般，在朝第1供應構件13之水平方向，具有將供應管41之一部份逐漸擴大之錐狀之內部流路44H之狹縫管部44，藉此，把Y軸方向當作長邊方向之第1供應構件13之供應嘴13A之各位置，能以大致均勻的液體供應量將液體1供應於基板P上。同樣地，從第2液體供應部12所送出之液體1亦透過第2供應管42及第2供應構件14均勻地供應於基板P上。
又，控制裝置CONT係分別驅動液體回收機構20之第1~第4液體回收部61~64，透過回收構件22及第1~第4回收管71~74回收基板P上之液體1。各第1~第4液體回收部61~64係透過第1~第4回收管71~74，吸引基板P上之液體1來進行回收。並且，基板P上之液體1係在圓環狀之回收構件22之回收口22A之各位置，以大致均勻之回收量(回 收力)來進行回收。
即，與上述同樣，若直接連接直管之回收管和回收構件22，則因該流路面積不同，在回收口22A之各位置之液體回收量(回收力)產生差異，液體回收量在回收口22A之各位置會有不均勻的情形。例如，在回收管下方位置之液體回收量係較下方以外位置之液體供應量為多，無法進行均勻的液體回收，浸液區域AR2可能產生不均勻。但是，如本實施形態般，在朝回收構件22之水平方向，具有將回收管之一部份逐漸擴大之錐狀內部流路之狹縫管部76、78、80、82，藉此，在圓環狀之回收構件22之回收口22A之各位置，能以大致均勻之液體回收量回收基板P上之液體。
因此，在供應嘴13A、14A之各位置能均勻地供應液體，並且，在回收口22A之各位置能均勻地進行回收，故能形成均勻的浸液區域AR2。
參照第14圖所說明之實施形態，狹縫管部44(46)之內部流路44H(46H)係空洞狀，但如第15圖所示，也可在構成液體供應機構10之供應管41(42)一部份之狹縫管部44(46)之內部流路44H(46H)，沿著液體1之流通方向(從狹縫管部之一端部向另一端部)，設置複數個葉片構件85。藉此，將液體1加以整流後，透過供應構件13(14)供應於基板P上。又，也可將該葉片構件85沿伸至供應構件13(14)之內部流路13H(14H)。又，也可在構成液體回收機構20之回收管之狹縫管部76、78、80、82之內部流路76H、78H、80H、82H，設置葉片構件85。
又，例如，基板P高速進行掃描移動之情形等，在第14圖所示之實施形態中，也無法完全回收基板P上之液體1，基板P上之液體1 會有從回收構件22外側流出的情形。這種情形，能使用設置於沿著基板P之掃描方向(X軸方向)位置之俯視大致三角形狀之狹縫管部44、46之下面來作為捕集面，來取代捕集構件30。
又，本實施形態，係對1個回收構件22連接複數條回收管71~74之構成，但為了對應複數條回收管71~74，也可係將複數個回收構件(回收口)近接基板P設置之構成。
其次，邊參照第16圖~第19圖，針對本發明之液體供應機構10及液體回收機構20之另一實施形態加以說明。
第16圖係表示本實施形態之液體供應機構10及液體回收機構20之概略立體圖。在第16圖中，液體供應機構10係具備：第1(第2)液體供應部11(12)、第1(第2)供應管41(42)(分別連接第1、第2液體供應部11、12)。液體回收機構20係具備：第1~第4液體回收部61~64、第1~第4液體回收管71~74(分別連接第1~第4液體回收部61~64)。並且，在第1、第2供應管41、42之各一端部連接第1、第2液體供應部11、12，另一端部係連接於由流路形成構件90所形成之後述之供應流路。第1~第4液體回收管71~74之各一端部係連接於第1~第4液體回收部61~64，另一端部係連接於由流路形成構件90所形成之後述之回收流路。
流路形成構件90係具備：第1構件91、第2構件92(配置於第1構件91之上部)、第3構件93(配置於第2構件92之上部)。流路形成構件90係以圍繞投影光學系統PL的方式配置，構成該流路形成構件90之各第1~第3構件91~93係用同一外形尺寸之矩形板狀構件，在其中央部，具有能配置投影光學系統PL之孔部91A~93A。孔部91A~93A係以彼 此連通的方式形成。又，第1、第2供應管41、42係在第1~第3構件中連接於最上層之第3構件93，第1~第4回收管71~74係連接於中層之第2構件92。
第17圖係表示在第1~第3構件中，配置於最下層之第1構件91之立體圖。第1構件91係具備：第1供應孔部94A，形成於投影光學系統PL之-X側，且形成有將液體1供應於基板P之供應嘴；及第2供應孔部95A，形成於投影光學系統PL之+X側，且形成有將液體1供應於基板P之供應嘴。第1供應孔部94A及第2供應孔部95A係分別形成俯視大致圓弧狀。進而，第1構件91係具備：第1回收孔部96A，形成於投影光學系統PL之-X側，且形成有回收基板P上之液體的回收口；第2回收孔部97A，形成於投影光學系統PL之-Y側，且形成有回收基板P上之液體的回收口；第3回收孔部98A，形成於投影光學系統PL之+X側，且形成有回收基板P上的液體之回收口；及第4回收孔部99A，形成於投影光學系統PL之+Y側，且形成有回收基板P上的液體之回收口。各第1~第4回收孔部96A~99A係形成俯視大致圓弧狀，沿著投影光學系統PL周圍大致等間隔設置。又，各回收孔部96A~99A係設於較供應孔部94A、95A更靠投影光學系統PL外側。
第18圖係表示在第1~第3構件中，配置於中層之第2構件92之立體圖，第18(a)圖係從上側所見之立體圖，第18(b)圖係從下側往上看之立體圖。第2構件92係具備：第3供應孔部94B，形成於投影光學系統PL之-X側，連接於第1構件91之第1供應孔部94A；及第4供應孔部95B，形成於投影光學系統PL之+X側，連接於第1構件91之第2供應 孔部95A。第3、第4供應孔部94B、95B之各形狀及大小係對應於第1、第2供應孔部94A、95A。
進而，第2構件92在其下面具備：第1回收槽部96B，形成於投影光學系統PL之-X側，連接於第1構件91之第1回收孔部96A；第2回收槽部97B，形成於投影光學系統PL之-Y側，連接於第1構件91之第2回收孔部97A；第3回收槽部98B形成於投影光學系統PL之+X側，連接於第1構件91之第3回收孔部98A；及第4回收槽部99B，形成於投影光學系統PL之+Y側，連接於第1構件91之第4回收孔部99A。各第1~第4回收槽部96B~99B以對應於第1~第4回收孔部96A~99A之形狀及大小的方式形成俯視大致圓弧狀，沿著投影光學系統PL周圍大致等間隔設置。又，第1回收管71和第1回收槽部96B係透過錐狀槽部96T來加以連接。錐狀槽部96T係以從對第1回收管71之連接部向第1回收槽部96B沿水平方向逐漸擴大的方式形成。同樣地，第2回收管72和第2回收槽部97B係透過錐狀槽部97T來加以連接，第3回收管73和第3回收槽部98B係透過錐狀槽部98T來加以連接，第4回收管74和第4回收槽部99B係透過錐狀槽部99T來加以連接。
第19圖係表示在第1~第3構件中，配置於最上層之第3構件93之立體圖，第19(a)圖係從上側所見之立體圖，第19(b)圖係從下側往上看之立體圖。第3構件93係具備：第1供應槽部94C，形成於投影光學系統PL之-X側，連接於第2構件92之第3供應孔部94B；第2供應槽部95C，形成於投影光學系統PL之+X側，連接於第2構件92之第4供應孔部95B。第1、第2供應槽部94C、95C之各形狀及大小係對應於第3、第 4供應孔部94B、95B(及第1、第2供應孔部94A、95A)，形成俯視大致圓弧狀。又，第1供應管41和第1供應槽部94C係透過錐狀槽部94T來加以連接。錐狀槽部94T係從對第1供應管41之連接部向第1供應槽部94C，沿水平方向逐漸擴大的方式形成。同樣地，第2供應管42和第2供應槽部95C係透過錐狀槽部95T來加以連接。
第1~第3構件91~93，係藉由不銹鋼、鈦、鋁、或包含這些之合金等金屬來形成，各構件91~93之孔部和槽部，例如係藉由放電加工來形成。藉由放電加工對各構件91~93進行加工後，使用接著劑、熱壓著法等來接合這些各構件91~93，藉此來形成流路形成部90。將各構件91~93積層並加以接合，藉此來連接(連通)各錐狀槽部94T、第1供應槽部94C、第3供應孔部94B、及第1供應孔部94A，藉此，形成連接(連通)於第1供應管41之供應流路。同樣地，連接(連通)各錐狀槽部95T、第2供應槽部95C、第4供應孔部95B、及第2供應孔部95A，藉此，形成連接(連通)於第2供應管41之供應流路。並且，從各第1、第2液體供應部11、12所送出之液體1係透過第1、第2供應管41、42及上述供應流路供應於基板P上。即，將板狀構件91~93加以積層來形成液體供應流路。
又，連接(連通)各錐狀槽部96T、第1回收槽部96B、及第1回收孔部96A，藉此來形成連接(連通)於第1回收管71之回收流路。同樣地，連接(連通)各錐狀槽部97T、第2回收槽部97B、及第2回收孔部97A，藉此來形成連接(連通)於第2回收管72之回收流路，連接(連通)各錐狀槽部98T、第3回收槽部98B、及第3回收孔部98A，藉此來形成連接(連通)於第3回收管73之回收流路，連接(連通)各錐狀槽部99T、第4回收槽部99B、 及第4回收孔部99A，藉此來形成連接(連通)於第4回收管74之回收流路。即，將板狀構件91~93加以積層，藉此來形成液體回收流路。並且，基板P上之液體係透過各上述回收流路、及第1~第4回收管71~74，進行回收。
此時，在各第1、第2供應管41、42，因連接錐狀槽部94T、95T，故與參照第14圖所說明之實施形態同樣，能在把Y軸方向當作長邊方向之供應嘴之各位置，進行液體供應。同樣地，在各回收管71~74，因也連接錐狀槽部，故能以均勻的回收力來回收液體。
又，藉由以各板狀構件之第1~第3構件91~93來形成流路形成構件90，例如在液體回收之際，能以流路形成構件90來加以吸收因嚙入空氣、吸引液體之際所發生之振動。又，對各複數個板狀構件91~93施以放電加工等加工來形成流路之一部份，藉組合這些板狀構件來形成液體之流路，故能容易形成各供應流路及回收流路。
又，在形成流路形成構件90之複數個構件91~93中，在配置於最下層之第1構件91下面之第1~第4回收孔部96A~99A周圍，設置對XY平面傾斜之面，將該面進行親液處理，也可用來作為捕集無法以液體回收機構完全回收之液體之捕集面。又，形成流路形成構件90之構件91~93係四角形之板狀構件，但也可使用圓形之板狀構件，也可在X方向使用長橢圓狀之板狀構件。
又，上述之流路形成構件90係在其內部形成供應流路和回收流路兩者，也可在流路形成構件90內部只設置任何一方。又，也可在供應流路用和回收流路用，分別具備將複數個構件積層來形成之流路形成構件。
其次，針對本發明之另一實施形態加以說明。如上述，包含供應構件13、14之液體供應機構10及包含回收構件22之液體回收機構20，較佳係以投影光學系統PL及支持該投影光學系統PL之支持構件以外之支持構件來支持。以下，針對支持液體供應機構10及液體回收機構20之支持構造，邊參照第20圖邊加以說明。
第20圖係表示液體供應機構10及液體回收機構20之支持構造之概略圖。在第20圖中，曝光裝置EX係具備：支持投影光學系統PL之鏡筒基座(第1支持構件)100；以及支持鏡筒基座100、光罩載台MST、及基板載台PST之主框體(第2支持構件)102。又，在第20圖中，Z載台及XY載台係以一體來圖示。主框體102係在潔淨室等地面上，透過腳部108大致水平設置。在主框體102，形成向內側突出之上側層部102A及下側層部102B。
照明光學系統IL係藉由固定於主框體102上部之支持框體120來支持。在主框體102之上側層部102A，透過防振裝置122來支持光罩基座124。在光罩載台MST及光罩基座124中央部，形成使光罩M之圖案像通過之開口部。在光罩載台MST下面，設置複數個非接觸軸承之空氣軸承126。光罩載台MST係藉由空氣軸承126，非接觸支持於光罩基座124之上面(導引面)，藉由光罩載台驅動裝置，在XY平面內能進行2維移動及朝θ Z方向能微小旋轉。
在保持投影光學系統PL之鏡筒PK外周設置凸緣104，投影光學系統PL係透過凸緣104，支持於鏡筒基座100。在鏡筒基座100和主框體102之下側層部102B之間，配置包含氣墊式避震器(air mount)等之防振 裝置106，支持投影光學系統PL之鏡筒基座100係在主框體102之下側層部102B，透過防振裝置106來支持。藉由該防振裝置106，使鏡筒基座100和主框體102形成振動分離，俾使主框體102之振動避免傳達於支持投影光學系統PL之鏡筒基座100。
在基板載台PST下面，設置複數個非接觸軸承之空氣軸承130。又，在主框體102上，透過包含氣墊式避震器等之防振裝置110來支持載台基座112。基板載台PST係藉由空氣軸承130，對載台基座112之上面(導引面)加以非接觸支持，藉由基板載台驅動裝置在XY平面內能2維移動及朝θ Z方向能微小旋轉。而且，基板載台PST沿Z軸方向、θ X方向、及θ Y方向也能移動。藉由該防振裝置110，使載台基座112和主框體102形成振動分離，俾使主框體102之振動避免傳達於非接觸支持基板載台PST之載台基座112。
在基板載台PST上之+X側之既定位置設置移動鏡55，在鏡筒PK之+X側之既定位置設置基準鏡(固定鏡)114。又，在與移動鏡55及基準鏡114對向之位置設置雷射干涉計56。雷射干涉計56係安裝於鏡筒基座100，故雷射干涉計56與液體供應機構10及液體回收機構20形成振動分離。雷射干涉計56係將測長光束(測定光)照射於移動鏡55，並且，將基準光束(基準光)照射基準鏡114。根據所照射之測長光束及基準光束，來自移動鏡55及基準鏡114之各反射光係被雷射干涉計56之受光部受光，雷射干涉計56係干涉這些光，來測量以基準光束之光路長為基準之測長光束之光路長之變化量、及以基準鏡114為基準之移動鏡55之位置資訊(即，基板載台PST之位置資訊)。同樣地，雖未圖示，但在基板載台PST上及鏡筒 PK之+Y側，也設置移動鏡及基準鏡，在與這些對向之位置設置雷射干涉計。
又，在鏡筒基座100，用來測量基板P之聚焦位置(Z位置)及傾斜之自動聚焦檢測系統、檢測出基板P上之對準標記之對準系統等、及未圖示之測量系統也被加以支持，這些測量系統之主框體102、液體供應機構10、液體回收機構20亦形成振動分離。
液體供應機構10及液體回收機構20係支持於主框體102之下側層部102B。本實施形態，構成液體供應機構10之第1(第2)供應構件13(14)、構成供應管11A(12A)及液體回收機構20之回收構件22、回收管21A等係藉由支持構件104來支持，該支持構件104係成為連接於主框體102之下側層部102B之構成。又，在第20圖中，供應構件13(14)、回收構件22、供應管11A(12A)、及回收管21A等係被簡化加以圖示。
因此，以與支持投影光學系統PL之鏡筒基座100形成振動分離之主框體102來支持液體供應機構10及液體回收機構20，藉此，使液體供應機構10及液體回收機構20和投影光學系統PL形成振動分離。因此，供應液體之際，或回收液體之際所產生之振動不會透過鏡筒基座100而傳達於投影光學系統PL、雷射干涉計56及自動聚焦檢測系統和對準系統等測量系統。因此，能防止產生因投影光學系統之振動而使圖案像劣化之不良情況，又，因能精度佳地進行基板載台(基板P)之位置控制，故能將圖案像精度佳地投影於基板上，又，以與支持基板載台PST之載台基座112形成振動分離之主框體102，來支持液體供應機構10及液體回收機構20，藉此使液體供應機構10及液體回收機構20和載台基座112形成振動分離。因 此，供應液體之際或回收液體之際所產生之振動不會傳達至載台基座112，能防止產生基板載台PST之定位精度或移動精度降低之不良情況。
又，在本實施形態中，雖液體供應機構10及液體回收機構20係一體支持於主框體102，但也可將液體供應機構10及液體回收機構20加以分離而安裝於主框體102。進而，將有別於主框體102之其他支持構件配置於潔淨室等之地面，也可將液體供應機構及液體回收機構支持於該支持構件。
如上述，本實施形態之液體1係使用純水。純水係在半導體製造工廠等能大量取得，並且，具有對基板P上之光阻和光學元件(透鏡)不會產生不良影響之優點。又，純水對環保無不良影響，並且，因雜質之含有量極低，故洗淨基板P表面及設置於投影光學系統PL之前端面之光學元件表面之作用也能期待。並且，純水對波長193nm程度之曝光用光EL之折射率n為1.44程度，就曝光用光EL之光源而言，當使用ArF準分子雷射光(波長193nm)之情形，在基板P上，進行1/n，即約134nm程度之短波長化，能得到高解析度。並且，焦點深度與空氣中相較約為n倍，即被放大約1.44倍程度，在空氣中使用之情形和能確保同程度之焦點深度之情形，能更增加投影光學系統PL之數值孔徑，此點也能提高解析度。
又，如上述，使用浸液法之情形，投影光學系統之數值孔徑NA為0.9~1.3。因此，當投影光學系統之數值孔徑NA變大之情形，從習知用來作為曝光用光之任意偏光用光，因偏光效應，會有成像性能惡化的情形，故較佳使用偏光照明。這種情形，配合光罩(標線片)之線與間隙圖案之線圖案之長邊方向，進行直線偏光照明，從光罩(標線片)之圖案，使S 偏光成分(沿著線圖案長邊方向之偏光方向成分)之繞射光也可作成大量射出。在投影光學系統PL和塗布於基板P表面之光阻之間以液體來填滿之情形，較用空氣(氣體)來填滿投影光學系統PL和塗布於基板P表面之光阻間之情形，由於有助於提高對比之S偏光成分之繞射光之光阻表面之透過率變高，即使投影光學系統之數值孔徑NA超過1.0之情形也能得到高成像性。又，若適當組合配合移相光罩和線圖案之長邊方向之斜入射照明法(特別係偶極子照明法)則更有效。又，針對配合線圖案之長邊方向之斜入射照明法，例如，揭示於日本專利特開平6-188169號公報，在本案所指定或選擇國之法令容許下，援用該揭示以當作本文記載之一部份。
本實施形態，係在投影光學系統PL前端安裝透鏡來作為光學元件2，藉由該透鏡，能進行投影光學系統PL之光學特性之調整，例如，像差(球面像差、慧形像差等)之調整。又，就光學元件2而言，也可係用以調整該光學特性之光學板。另一方面，也能將與液體1接觸之光學元件2作成較透鏡為廉價之平行平面板。藉由把光學元件2作成平行平面板，在曝光裝置EX之搬運、組裝、調整時等，用以降低投影光學系統PL之透過率、基板P上之曝光用光EL之照度、及照度分布均勻度之物質(例如，矽系有機物等)，即使附著於該平行平面板，在供應液體1之前，只要更換該平行平面板即可，相較於把與液體1接觸之光學元件作成透鏡之情形，具有降低其更換成本之優點。即，藉由曝光用光EL之照射，起因於從光阻所產生之飛散粒子、或附著液體1中之雜質，因與液體1接觸之光學元件之表面受到污染，故必須定期性更換該光學元件，把該光學元件設為廉價之平行平面板，藉此，與透鏡相較，可使更換元件之成本變低，且能縮短更 換所需要之時間，能抑制維護成本(運轉成本)之上升及生產量之降低。
又，當因液體1之流動所產生之投影光學系統PL前端之光學元件和基板P間之壓力大之情形，不必將該光學元件設為可更換，而可牢固地固定以避免光學元件因該壓力而移動。
又，本實施形態之液體1係水，但也可係水以外之液體，例如，當曝光用光EL之光源為F2雷射之情形，該F2雷射光係不透過水，故就液體1而言，也可係能透過F2雷射光，例如，過氟化聚酯(PFPE)或氟系油等氟系流體。這種情形，與以捕集面31為主之液體1接觸之部分，例如，以含氟之極性小之分子構造物質來形成薄膜，藉此來進行親液化處理。又，就液體1而言，除此之外，儘量使用具有對曝光用光EL之透過性、折射率高、對投影光學系統PL和塗布於基板P表面之光阻穩定者(例如柏木油)。這種情形，也能按照所使用之液體1之極性來進行表面處理。
又，上述之投影光學系統PL雖係在用液體1(純水)來填滿其像面側之浸液狀態，進行構成(設計)俾使該成像性能成為最佳，惟亦可更換投影光學系統PL部分之光學元件(接近基板P之光學元件)，以使在其像面側即使在無液體之非浸液狀態、或用其他之液體來填滿該像面側之浸液狀態，也能得到所欲之成像性能之構成。若把投影光學系統PL事先作成這種構成，例如當需要大焦點深度DOF之情形，係在浸液狀態下來使用曝光裝置EX，要求高生產量之情形，更換部分之光學元件，在非浸液狀態下使用曝光裝置EX。這種情形，更換部分之光學元件後，為了測定成像性能，較佳係在基板載台PST上，事先配置揭示於日本特開2002-14005號(對應美國專利公開20020041377)之空間像感測器或揭示於國際公開第02/63664號 公報之波面像差測定感測器。當然，也可使用波面像差測定用之光罩，依據該成像性能之測定結果，使部分之光學元件動作，進行曝光用光EL之波長之微調整，俾在各狀態下獲得所欲之成像性能。
又，部分光學元件之更換，較佳係投影光學系統PL仍搭載在曝光裝置EX之狀態下進行，但也可從曝光裝置EX拆下投影光學系統PL來進行。
又，就上述各實施形態之基板P而言，不僅適用於半導體元件製造用之半導體晶圓，也適用於顯示元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、或在曝光裝置所使用之光罩或標線片之原版(合成石英、矽晶圓)等。
就曝光裝置EX而言，不僅能適用同步移動光罩M和基板P，以將光罩M之圖案掃描曝光之步進掃描方式之掃描型曝光裝置之外，也能適用在使光罩M和基板P靜止之狀態下，將光罩M之圖案整體曝光，使基板P依序步進移動之步進重複方式之投影曝光裝置。又，本發明也能適用於將基板P上至少2個圖案局部重疊轉印之步進縫合方式之曝光裝置。
又，本發明也適用於雙載台型之曝光裝置。雙載台型曝光裝置之構造及曝光動作，例如揭示於日本專利特開平10-163099號及特開平10-214783號(對應美國專利6,341,007、6,400,441、6,549,269及6,590,634)、日本專利特表2000-505958號(對應美國專利5，969，441)或美國專利6,208,407，在被本案所指定或選擇之國之法令許可下，援用這些揭示作為本文記載之一部份。
就曝光裝置EX之種類而言，不限於將半導體元件圖案曝光 於基板P上之半導體元件製造用之曝光裝置，亦廣泛適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置、或用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)或標線片或光罩等之曝光裝置等。
當在基板載台PST和光罩載台MST使用線性馬達之情形，也可使用空氣軸承之氣浮型及使用洛倫茲力或電抗力之磁浮型之任一型。又，各載台PST、MST也可用沿著導件移動之類型，也可係未設置導件引之無導件型。載台使用線性馬達之例，如揭示於美國專利5,623,853及5,528,118，在本案所指定或選擇之國之法令許可下，援用這些揭示作為本文記載之一部份。
就各載台PST、MST之驅動機構而言，也可使用平面馬達，其係使二維配置磁鐵之磁鐵單元、和二維配置線圈之電樞單元對向，並利用電磁力來驅動各載台PST、MST。這種情形，可將磁鐵單元和電樞單元之任一方連接於載台PST、MST，將磁鐵單元和電樞單元之另一方設置於載台PST、MST之移動面側。
因基板載台PST之移動所產生之反作用力，為避免傳達至投影光學系統PL，也可使用框體構件將其機械性地釋放到地面(大地)。該反作用力之處理方法，例如詳細揭示於美國專利5,528,118(日本專利特開平8-166475號公報)，在本案所指定或選擇之國之法令許可下，援用這些揭示作為本文記載之一部份。
因光罩載台MST所產生之反作用力，為避免傳達至投影光學系統PL，也可使用框體構件將其機械性地釋放到地面(大地)。該反作用力之處理方法，例如詳細揭示於美國專利5,874,820(日本特開平8-330224號 公報)，在本案所指定或選擇之國之法令許可下，援用這些揭示作為本文記載之一部份。
如以上所述，本案實施形態之曝光裝置EX，以保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度的方式，組裝包含本專利申請範圍所列舉之各構成要件之各種副系統來製造。為了確保這些各種精度，在其組裝前後，針對各種光學系統進行用來達成光學精度之調整、針對各種機械系統進行用來達成機械精度之調整、以及針對各種電氣系統進行用來達成電氣精度之調整。從各種副系統至曝光裝置之組裝步驟，係包含各種副系統相互之機械性連接、電氣電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。在從各種副系統至曝光裝置之組裝步驟前，當然有各副系統之組裝步驟。在各種副系統之組裝步驟結束後，進行統合調整，能確保曝光裝置全體之各種精度。又，曝光裝置之製造較佳係在溫度及潔淨度受到控制之潔淨室來進行。
半導體元件等之微元件，如第21圖所示，係經由進行微元件之功能及性能設計之步驟201、依據設計步驟來製作光罩(標線片)之步驟202、用以製造元件基材之基板製造步驟203、藉由前述之實施形態之曝光裝置EX將光罩之圖案曝光於基板上之曝光處理步驟204、元件組裝步驟(包含切割、接合步驟、封裝步驟)205、檢查步驟206等來製造。
依本發明，使用浸液法，在投影光學系統和基板間形成浸液區域之狀態下進行曝光處理之際，也能精度佳地進行曝光處理。
1‧‧‧液體
2‧‧‧光學元件
10、11、12、13、13A、14、14A‧‧‧液體供應機構
11A、12A‧‧‧供應管
20、21、22‧‧‧液體回收機構
21A‧‧‧回收管
22A‧‧‧回收口
30‧‧‧捕集構件
31‧‧‧液體捕集面
32‧‧‧葉片構件
33‧‧‧空間部
50‧‧‧移動鏡
51‧‧‧雷射干涉計
52‧‧‧Z載台
53‧‧‧XY載台
54‧‧‧基座
55‧‧‧移動鏡
56‧‧‧雷射干涉計
57‧‧‧輔助板
AR1‧‧‧投影區域
AR2‧‧‧浸液區域
AX‧‧‧光軸
CONT‧‧‧控制裝置
EL‧‧‧曝光用光
EX‧‧‧曝光裝置
IL‧‧‧照明光學系統
M‧‧‧光罩
MST‧‧‧光罩載台
MSTD‧‧‧光罩載台驅動裝置
P‧‧‧基板
PK‧‧‧鏡筒
PL‧‧‧投影光學系統
PST‧‧‧基板載台

Claims (41)

  1. 一種曝光裝置，係透過液體將圖案像投影於基板，藉此將該基板曝光，其特徵在於具備：投影光學系統，係將該圖案像投影於該基板；供應流路，係將液體供應至該基板上；以及回收流路，係將已供應的液體回收；該供應流路，形成於積層有複數個構件之積層構件中。
  2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該積層構件，具有供配置該投影光學系統之一部分的貫通孔。
  3. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該供應流路，包含設於該積層構件之複數個供應孔部。
  4. 如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，該複數個供應孔部，以與該基板之表面對向的方式設於該積層構件。
  5. 如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，該供應孔部，設於被投影該圖案像之投影區域的兩側。
  6. 一種曝光裝置，係透過液體將圖案像投影於基板，藉此將該基板曝光，其特徵在於具備：投影光學系統，係將該圖案像投影於該基板；供應流路，係將液體供應至該基板上；以及回收流路，係將已供應的液體回收；該回收流路，形成於積層有複數個構件之積層構件中。
  7. 如申請專利範圍第6項之曝光裝置，其中，該供應流路，形成於該 積層構件中。
  8. 如申請專利範圍第6項之曝光裝置，其中，該回收流路，包含複數個回收孔部，該複數個回收孔部係以與該基板之表面對向的方式、且以圍繞被投影該圖案像之投影區域的方式，設於該積層構件。
  9. 如申請專利範圍第7項之曝光裝置，其中，該回收流路，包含複數個回收孔部，該複數個回收孔部係以與該基板之表面對向的方式、且以圍繞被投影該圖案像之投影區域的方式，設於該積層構件。
  10. 如申請專利範圍第9項之曝光裝置，其中，該供應流路，包含設於該積層構件之複數個供應孔部。
  11. 如申請專利範圍第10項之曝光裝置，其中，該複數個供應孔部，以與該基板之表面對向的方式設於該積層構件。
  12. 如申請專利範圍第11項之曝光裝置，其中，該回收孔部，相對於該投影區域配置在該供應孔部之外側。
  13. 如申請專利範圍第11或12項之曝光裝置，其中，該積層構件，具有可配置該投影光學系統之前端部的貫通孔；該供應孔部，設於該貫通孔與該回收孔部之間。
  14. 如申請專利範圍第6項之曝光裝置，其中，該積層構件，具有可配置該投影光學系統之前端部的貫通孔。
  15. 如申請專利範圍第11或12項之曝光裝置，其中，該回收孔部，設置成圍繞該供應孔部。
  16. 如申請專利範圍第11或12項之曝光裝置，其中，該供應孔部，設於該投影區域之兩側。
  17. 如申請專利範圍第8項之曝光裝置，其中，該複數個回收孔部，呈圓環狀配置。
  18. 如申請專利範圍第8項之曝光裝置，其中，該積層構件，包含具有該複數個回收孔部之第1構件、及具有複數個回收槽部之第2構件；藉由積層該第1構件與該第2構件，以形成該回收流路之方式連接該複數個回收孔部與該回收槽部。
  19. 如申請專利範圍第8項之曝光裝置，其中，該液體回收機構，透過該複數個回收孔部將該液體與氣體一起回收。
  20. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第1至19項中任一項之曝光裝置使基板曝光的步驟；以及對已曝光之該基板進行處理的步驟。
  21. 一種曝光方法，係透過投影光學系統與液體將圖案像投影於基板，藉此將該基板曝光，其特徵在於包含以下步驟：將該液體，透過設於以積層複數個構件之方式形成的積層構件之供應流路而供應至該基板上；將已供應至該基板上之液體透過回收流路回收；以及透過液浸區域，將圖案像投影至該基板，其中該液浸區域係藉由透過該供應流路之液體供應、與透過該回收流路之液體回收而形成於該基板表面之一部分。
  22. 如申請專利範圍第21項之曝光方法，其中，該供應流路，包含設於該積層構件之複數個供應孔部。
  23. 如申請專利範圍第22項之曝光方法，其中，該複數個供應孔部，以與該基板之表面對向的方式設於該積層構件。
  24. 如申請專利範圍第22項之曝光方法，其中，該供應孔部，設於被投影該圖案像之投影區域的兩側。
  25. 一種曝光方法，係透過投影光學系統與液體將圖案像投影於基板，藉此將該基板曝光，其特徵在於包含以下步驟：將該液體透過供應流路而供應至該基板上；將已供應至該基板上之液體，透過設於以積層複數個構件之方式形成的積層構件之回收流路回收；以及透過液浸區域，將圖案像投影至該基板，其中該液浸區域係藉由透過該供應流路之液體供應、與透過該回收流路之液體回收而形成於該基板表面之一部分。
  26. 如申請專利範圍第25項之曝光方法，其中，該供應流路，設於該積層構件。
  27. 如申請專利範圍第25項之曝光方法，其中，該回收流路，包含複數個回收孔部，該複數個回收孔部係以與該基板之表面對向的方式、且以圍繞被投影該圖案像之投影區域的方式，設於該積層構件。
  28. 如申請專利範圍第26項之曝光方法，其中，該回收流路，包含複數個回收孔部，該複數個回收孔部係以與該基板之表面對向的方式、且以圍繞被投影該圖案像之投影區域的方式，設於該積層構件。
  29. 如申請專利範圍第28項之曝光方法，其中，該供應流路，包含設於該積層構件之複數個供應孔部。
  30. 如申請專利範圍第29項之曝光方法，其中，該複數個供應孔部，以與該基板之表面對向的方式設於該積層構件。
  31. 如申請專利範圍第30項之曝光方法，其中，該回收孔部，相對於該投影區域配置在該供應孔部之外側。
  32. 如申請專利範圍第30或31項之曝光方法，其中，該積層構件，具有可配置該投影光學系統之前端部的貫通孔；該供應孔部，設於該貫通孔與該回收孔部之間。
  33. 如申請專利範圍第25項之曝光方法，其中，該積層構件，具有可配置該投影光學系統之前端部的貫通孔。
  34. 如申請專利範圍第30或31項之曝光方法，其中，該回收孔部，設置成圍繞該供應孔部。
  35. 如申請專利範圍第29至31、33項中任一項之曝光方法，其中，該供應孔部，設於該投影區域之兩側。
  36. 如申請專利範圍第27項之曝光方法，其中，該複數個回收孔部，呈圓環狀配置。
  37. 如申請專利範圍第27項之曝光方法，其中，該積層構件，包含具有該複數個回收孔部之第1構件、及具有複數個回收槽部之第2構件；藉由積層該第1構件與該第2構件，以形成該回收流路之方式連接該複數個回收孔部與該回收槽部。
  38. 如申請專利範圍第27項之曝光方法，其中，透過該複數個回收孔部將該液體與氣體一起從該基板上回收。
  39. 如申請專利範圍第21至31、33、36至38項中任一項之曝光方法， 其中，對該基板之複數個照射區域之各個，一邊移動該基板一邊進行掃描曝光。
  40. 如申請專利範圍第39項之曝光方法，其中，該基板之複數個照射區域之一個，係一邊沿第1掃描方向移動該基板一邊被曝光，其他之一個照射區域，係沿與該第1掃描方向相反方向之第2掃描方向一邊移動該基板一邊被曝光。
  41. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第21至40項中任一項之曝光方法使基板曝光的步驟；以及對已曝光之該基板進行處理的步驟。
TW103143643A 2003-02-26 2004-02-26 Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method TWI591445B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003049365 2003-02-26
JP2003110748 2003-04-15
JP2003320100 2003-09-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201516584A TW201516584A (zh) 2015-05-01
TWI591445B true TWI591445B (zh) 2017-07-11

Family

ID=33101941

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100140676A TWI621923B (zh) 2003-02-26 2004-02-26 Exposure apparatus, exposure method, and component manufacturing method
TW101105430A TWI468876B (zh) 2003-02-26 2004-02-26 Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
TW106102146A TW201719296A (zh) 2003-02-26 2004-02-26 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
TW107141889A TW201908879A (zh) 2003-02-26 2004-02-26 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
TW093104895A TW200500813A (en) 2003-02-26 2004-02-26 Exposure apparatus and method, and method of producing device
TW103143643A TWI591445B (zh) 2003-02-26 2004-02-26 Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method

Family Applications Before (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100140676A TWI621923B (zh) 2003-02-26 2004-02-26 Exposure apparatus, exposure method, and component manufacturing method
TW101105430A TWI468876B (zh) 2003-02-26 2004-02-26 Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
TW106102146A TW201719296A (zh) 2003-02-26 2004-02-26 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
TW107141889A TW201908879A (zh) 2003-02-26 2004-02-26 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
TW093104895A TW200500813A (en) 2003-02-26 2004-02-26 Exposure apparatus and method, and method of producing device

Country Status (9)

Country Link
US (15) US7268854B2 (zh)
EP (9) EP2945184B1 (zh)
JP (11) JP4640516B2 (zh)
KR (11) KR20180126102A (zh)
CN (2) CN104678715B (zh)
HK (9) HK1168912A1 (zh)
SG (4) SG10201401559QA (zh)
TW (6) TWI621923B (zh)
WO (1) WO2004086468A1 (zh)

Families Citing this family (147)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101101737B1 (ko) * 2002-12-10 2012-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
KR20180126102A (ko) 2003-02-26 2018-11-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
KR101484435B1 (ko) 2003-04-09 2015-01-19 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
JP4650413B2 (ja) 2003-04-10 2011-03-16 株式会社ニコン 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム
WO2004090634A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation Environmental system including vaccum scavange for an immersion lithography apparatus
TWI612557B (zh) * 2003-05-23 2018-01-21 Nikon Corp 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
JP3862678B2 (ja) * 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1494079B1 (en) * 2003-06-27 2008-01-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic Apparatus
ATE513309T1 (de) 2003-07-09 2011-07-15 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementeherstellung
WO2005006418A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
TWI245163B (en) * 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3223074A1 (en) 2003-09-03 2017-09-27 Nikon Corporation Apparatus and method for immersion lithography for recovering fluid
WO2005029559A1 (ja) 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
TWI569308B (zh) 2003-10-28 2017-02-01 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造 方法
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び装置製造方法
TWI612338B (zh) 2003-11-20 2018-01-21 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法
TWI360837B (en) 2004-02-06 2012-03-21 Nikon Corp Polarization changing device, optical illumination
DE102004013886A1 (de) 2004-03-16 2005-10-06 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Mehrfachbelichtung, Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage und Projektionssystem
KR20180042456A (ko) 2004-03-25 2018-04-25 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
EP1753016B1 (en) * 2004-04-19 2012-06-20 Nikon Corporation Exposure apparatus and device producing method
WO2005111722A2 (en) 2004-05-04 2005-11-24 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1768169B9 (en) * 2004-06-04 2013-03-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
US20070103661A1 (en) * 2004-06-04 2007-05-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US20070139628A1 (en) * 2004-06-10 2007-06-21 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP2624282B1 (en) 2004-06-10 2017-02-08 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and method, and methods for producing a device
CN101685269B (zh) 2004-06-10 2011-09-14 尼康股份有限公司 曝光装置及元件制造方法
US20070222959A1 (en) * 2004-06-10 2007-09-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8373843B2 (en) 2004-06-10 2013-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8508713B2 (en) 2004-06-10 2013-08-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8717533B2 (en) 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
CN1998229B (zh) * 2004-06-15 2011-06-22 量子半导体有限公司 可以多个纵横比进行操作的成像设备
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101285963B1 (ko) 2004-09-17 2013-07-12 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US7133114B2 (en) 2004-09-20 2006-11-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI649790B (zh) * 2004-11-18 2019-02-01 日商尼康股份有限公司 位置測量方法、位置控制方法、測量方法、裝載方法、曝光方法及曝光裝置、及元件製造方法
EP1821337B1 (en) 2004-12-06 2016-05-11 Nikon Corporation Maintenance method
US7180571B2 (en) * 2004-12-08 2007-02-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and actuator
CN100576444C (zh) 2004-12-15 2009-12-30 株式会社尼康 衬底保持装置、曝光装置以及器件制造方法
EP1681597B1 (en) * 2005-01-14 2010-03-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US20090262316A1 (en) 2005-01-31 2009-10-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006261606A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Canon Inc 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2006106832A1 (ja) 2005-03-30 2006-10-12 Nikon Corporation 露光条件の決定方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US20070132976A1 (en) * 2005-03-31 2007-06-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
TW200644079A (en) * 2005-03-31 2006-12-16 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and device production method
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060232753A1 (en) 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
KR101466533B1 (ko) 2005-04-25 2014-11-27 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치 및 액체 공급 방법
KR101479392B1 (ko) 2005-04-28 2015-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US7317507B2 (en) 2005-05-03 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101544336B1 (ko) 2005-05-12 2015-08-12 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법
US20070085989A1 (en) * 2005-06-21 2007-04-19 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, maintenance method, and device manufacturing method
JP5045437B2 (ja) 2005-06-21 2012-10-10 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7170583B2 (en) * 2005-06-29 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus immersion damage control
WO2007004552A1 (ja) 2005-06-30 2007-01-11 Nikon Corporation 露光装置及び方法、露光装置のメンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
WO2007023813A1 (ja) 2005-08-23 2007-03-01 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7751026B2 (en) 2005-08-25 2010-07-06 Nikon Corporation Apparatus and method for recovering fluid for immersion lithography
JPWO2007043535A1 (ja) * 2005-10-07 2009-04-16 株式会社ニコン 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに検査装置及び計測方法
KR20080065981A (ko) 2005-11-09 2008-07-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 방법, 및 디바이스 제조 방법
US20070127002A1 (en) * 2005-11-09 2007-06-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and method, and device manufacturing method
US7773195B2 (en) * 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
TW200725195A (en) 2005-12-06 2007-07-01 Nikon Corp Exposure method, exposure apparatus, and unit manufacturing method
TW200722935A (en) 2005-12-06 2007-06-16 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, projection optical system and device manufacturing method
US7782442B2 (en) 2005-12-06 2010-08-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, projection optical system and device producing method
US8953148B2 (en) * 2005-12-28 2015-02-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and making method thereof
EP1978546A4 (en) * 2005-12-28 2010-08-04 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
KR101525373B1 (ko) 2006-01-19 2015-06-09 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
EP1986222A4 (en) 2006-02-16 2010-09-01 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
KR20080103564A (ko) 2006-02-16 2008-11-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
EP1986223A4 (en) 2006-02-16 2010-08-25 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
JPWO2007094470A1 (ja) * 2006-02-16 2009-07-09 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2007097380A1 (ja) 2006-02-21 2007-08-30 Nikon Corporation パターン形成装置及びパターン形成方法、移動体駆動システム及び移動体駆動方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP5177674B2 (ja) 2006-02-21 2013-04-03 株式会社ニコン 測定装置及び方法、パターン形成装置及び方法、並びにデバイス製造方法
KR101356270B1 (ko) 2006-02-21 2014-01-28 가부시키가이샤 니콘 패턴 형성 장치, 마크 검출 장치, 노광 장치, 패턴 형성 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP5077770B2 (ja) 2006-03-07 2012-11-21 株式会社ニコン デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置
WO2007105645A1 (ja) 2006-03-13 2007-09-20 Nikon Corporation 露光装置、メンテナンス方法、露光方法及びデバイス製造方法
JP4889331B2 (ja) * 2006-03-22 2012-03-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
WO2007119821A1 (ja) * 2006-04-14 2007-10-25 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US9477158B2 (en) 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101438385B (zh) 2006-05-10 2011-02-16 尼康股份有限公司 曝光装置及元件制造方法
CN102298274A (zh) 2006-05-18 2011-12-28 株式会社尼康 曝光方法及装置、维护方法、以及组件制造方法
JP2008004928A (ja) 2006-05-22 2008-01-10 Nikon Corp 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
EP2034515A4 (en) * 2006-05-23 2012-01-18 Nikon Corp MAINTENANCE METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
JP5218049B2 (ja) 2006-05-31 2013-06-26 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP5245825B2 (ja) 2006-06-30 2013-07-24 株式会社ニコン メンテナンス方法、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US7826030B2 (en) * 2006-09-07 2010-11-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7872730B2 (en) 2006-09-15 2011-01-18 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method
JP5120377B2 (ja) 2006-09-29 2013-01-16 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US8253922B2 (en) 2006-11-03 2012-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography system using a sealed wafer bath
US8208116B2 (en) * 2006-11-03 2012-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography system using a sealed wafer bath
US20080158531A1 (en) * 2006-11-15 2008-07-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP5055971B2 (ja) 2006-11-16 2012-10-24 株式会社ニコン 表面処理方法及び表面処理装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
KR20100014357A (ko) 2007-04-12 2010-02-10 가부시키가이샤 니콘 계측 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP2009033111A (ja) 2007-05-28 2009-02-12 Nikon Corp 露光装置、デバイス製造方法、洗浄装置、及びクリーニング方法並びに露光方法
US8164736B2 (en) * 2007-05-29 2012-04-24 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device
US8098362B2 (en) 2007-05-30 2012-01-17 Nikon Corporation Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US20080304025A1 (en) * 2007-06-08 2008-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
US8194232B2 (en) 2007-07-24 2012-06-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method
US8547527B2 (en) 2007-07-24 2013-10-01 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method
WO2009013903A1 (ja) 2007-07-24 2009-01-29 Nikon Corporation 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US8023106B2 (en) 2007-08-24 2011-09-20 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US9304412B2 (en) 2007-08-24 2016-04-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and measuring method
US8218129B2 (en) 2007-08-24 2012-07-10 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, measuring method, and position measurement system
US8867022B2 (en) 2007-08-24 2014-10-21 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method
US20090051895A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, device manufacturing method, and processing system
US8237919B2 (en) 2007-08-24 2012-08-07 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
SG185313A1 (en) 2007-10-16 2012-11-29 Nikon Corp Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
CN101681123B (zh) 2007-10-16 2013-06-12 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
US8279399B2 (en) 2007-10-22 2012-10-02 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9013681B2 (en) * 2007-11-06 2015-04-21 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4986185B2 (ja) * 2007-11-07 2012-07-25 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US9256140B2 (en) * 2007-11-07 2016-02-09 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method with measurement device to measure movable body in Z direction
US8665455B2 (en) * 2007-11-08 2014-03-04 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US8422015B2 (en) 2007-11-09 2013-04-16 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US8711327B2 (en) * 2007-12-14 2014-04-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
KR20100102580A (ko) * 2007-12-17 2010-09-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
TW201907243A (zh) 2007-12-28 2019-02-16 日商尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法
NL1036715A1 (nl) * 2008-04-16 2009-10-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus.
WO2009145048A1 (ja) 2008-05-28 2009-12-03 株式会社ニコン 空間光変調器の検査装置および検査方法、照明光学系、照明光学系の調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法
WO2010005081A1 (ja) * 2008-07-10 2010-01-14 株式会社ニコン 変形計測装置、露光装置、変形計測装置用治具、位置計測方法、及びデバイス製造方法
NL2003225A1 (nl) 2008-07-25 2010-01-26 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method.
US8384875B2 (en) 2008-09-29 2013-02-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8619231B2 (en) 2009-05-21 2013-12-31 Nikon Corporation Cleaning method, exposure method, and device manufacturing method
EP2495586A4 (en) * 2009-10-29 2013-06-12 Lg Chemical Ltd SUBSTRATE WITH LOW REFLECTION AND HIGH CONTACT ANGLES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
WO2011063347A2 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Pelican Imaging Corporation Capturing and processing of images using monolithic camera array with heterogeneous imagers
US9651873B2 (en) 2012-12-27 2017-05-16 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium
US9057955B2 (en) 2013-01-22 2015-06-16 Nikon Corporation Functional film, liquid immersion member, method of manufacturing liquid immersion member, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9352073B2 (en) 2013-01-22 2016-05-31 Niko Corporation Functional film
WO2014132923A1 (ja) 2013-02-28 2014-09-04 株式会社ニコン 摺動膜、摺動膜が形成された部材、及びその製造方法
US20140292111A1 (en) * 2013-03-28 2014-10-02 Ebara Corporation Stage device and electron beam application apparatus
JP6649636B2 (ja) 2015-02-23 2020-02-19 株式会社ニコン 計測装置、リソグラフィシステム及び露光装置、並びにデバイス製造方法
TWI768409B (zh) 2015-02-23 2022-06-21 日商尼康股份有限公司 基板處理系統及基板處理方法、以及元件製造方法
TW202343158A (zh) 2015-02-23 2023-11-01 日商尼康股份有限公司 測量裝置、曝光裝置、微影系統、測量方法以及曝光方法
KR20190040279A (ko) 2016-08-24 2019-04-17 가부시키가이샤 니콘 계측 시스템 및 기판 처리 시스템, 그리고 디바이스 제조 방법
JPWO2018061945A1 (ja) 2016-09-30 2019-07-11 株式会社ニコン 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法
JP7431597B2 (ja) * 2020-02-05 2024-02-15 キヤノン株式会社 振動制御装置、露光装置、および物品製造方法

Family Cites Families (246)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1242527A (en) * 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) * 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
EP0023231B1 (de) 1979-07-27 1982-08-11 Tabarelli, Werner, Dr. Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) * 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4390273A (en) * 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
DD221563A1 (de) * 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6194342U (zh) 1984-11-27 1986-06-18
JPS6265326A (ja) * 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
US5040020A (en) * 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
JPH0263664A (ja) 1988-08-31 1990-03-02 Keihin Seiki Mfg Co Ltd 真空ダイカスト装置
JPH069195B2 (ja) * 1989-05-06 1994-02-02 大日本スクリーン製造株式会社 基板の表面処理方法
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
US5121256A (en) * 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
JPH06188169A (ja) 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
US5304759A (en) 1992-10-15 1994-04-19 Johnson Service Company Direct mount pressure control with a field adjustable trip point and reset point
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JPH07220990A (ja) * 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US7365513B1 (en) 1994-04-01 2008-04-29 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
US6989647B1 (en) 1994-04-01 2006-01-24 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
US5623853A (en) 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
US6008500A (en) 1995-04-04 1999-12-28 Nikon Corporation Exposure apparatus having dynamically isolated reaction frame
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5661092A (en) * 1995-09-01 1997-08-26 The University Of Connecticut Ultra thin silicon oxide and metal oxide films and a method for the preparation thereof
US6297871B1 (en) * 1995-09-12 2001-10-02 Nikon Corporation Exposure apparatus
WO1998009278A1 (en) * 1996-08-26 1998-03-05 Digital Papyrus Technologies Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
WO1998024115A1 (fr) 1996-11-28 1998-06-04 Nikon Corporation Dispositif d'alignement et procede d'exposition
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP3728613B2 (ja) * 1996-12-06 2005-12-21 株式会社ニコン 走査型露光装置の調整方法及び該方法を使用する走査型露光装置
US5815246A (en) 1996-12-24 1998-09-29 U.S. Philips Corporation Two-dimensionally balanced positioning device, and lithographic device provided with such a positioning device
JP2000505958A (ja) 1996-12-24 2000-05-16 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ２個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
US6262796B1 (en) 1997-03-10 2001-07-17 Asm Lithography B.V. Positioning device having two object holders
JPH10255319A (ja) * 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) * 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
US5744294A (en) * 1997-04-30 1998-04-28 Eastman Kodak Company Radiographic element modified to provide protection from visual fatigue
JP3817836B2 (ja) * 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US5900354A (en) * 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
US6563565B2 (en) * 1997-08-27 2003-05-13 Nikon Corporation Apparatus and method for projection exposure
EP1041607A4 (en) 1997-11-12 2003-11-05 Nikon Corp PROJECTION EXPOSURE APPARATUS
JPH11176727A (ja) * 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
AU1505699A (en) 1997-12-12 1999-07-05 Nikon Corporation Projection exposure method and projection aligner
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
US6603103B1 (en) * 1998-07-08 2003-08-05 Ppt Vision, Inc. Circuit for machine-vision system
KR19980081982A (ko) * 1998-08-11 1998-11-25 양승창 형광등 반사갓
JP2000058436A (ja) * 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
JP2000173884A (ja) * 1998-12-02 2000-06-23 Canon Inc デバイス製造装置および方法ならびにデバイス製造装置の配線・配管実装方法
US6377332B1 (en) * 1999-02-03 2002-04-23 Nikon Corporation Optical member for photolithography and photolithography apparatus
AU2327800A (en) * 1999-02-12 2000-08-29 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
DE60034840T3 (de) 1999-03-23 2011-02-24 Kaneka Corp., Osaka-shi Photovoltaisches Modul
TWI242111B (en) * 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP2001021875A (ja) 1999-07-12 2001-01-26 Seiko Epson Corp 液晶装置及びこれを用いた投写型表示装置
CN1260772C (zh) * 1999-10-07 2006-06-21 株式会社尼康 载物台装置、载物台驱动方法和曝光装置及曝光方法
JP3679668B2 (ja) 1999-12-20 2005-08-03 キヤノン株式会社 インクジェット記録ヘッドの製造方法
US6995930B2 (en) * 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7187503B2 (en) * 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
JP2001272604A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
US20020014403A1 (en) * 2000-04-07 2002-02-07 Eiichi Hoshino Method of fabricating reflective mask, and methods and apparatus of detecting wet etching end point and inspecting side etching amount
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
US20020041377A1 (en) 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
AU2001259331A1 (en) 2000-05-03 2001-11-12 Silicon Valley Group Inc Non-contact seal using purge gas
US6488040B1 (en) 2000-06-30 2002-12-03 Lam Research Corporation Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying
JP3682914B2 (ja) 2000-07-31 2005-08-17 巌 秋月 データ通信システムおよびこれに用いるデータ処理装置、ブラウザを利用した接続維持方法、記録媒体
TW591653B (en) * 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
JP2002198286A (ja) * 2000-12-25 2002-07-12 Nikon Corp 露光装置
US6791664B2 (en) * 2001-01-19 2004-09-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufacturing thereby
KR20040007444A (ko) 2001-02-06 2004-01-24 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 그리고 디바이스 제조방법
US7095482B2 (en) * 2001-03-27 2006-08-22 Nikon Corporation Multiple system vibration isolator
WO2002091078A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
JP2002333018A (ja) * 2001-05-09 2002-11-22 Canon Inc 流体軸受装置、およびこれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
US6618205B2 (en) * 2001-05-14 2003-09-09 Pentax Corporation Endoscope objective optical system
JP2002343565A (ja) * 2001-05-18 2002-11-29 Sharp Corp 有機ｌｅｄ表示パネルの製造方法、その方法により製造された有機ｌｅｄ表示パネル、並びに、その方法に用いられるベースフィルム及び基板
US6600547B2 (en) * 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
US20030091767A1 (en) 2001-11-02 2003-05-15 Podhajny Richard M. Anti-microbial packaging materials and methods for making the same
CN1791839A (zh) * 2001-11-07 2006-06-21 应用材料有限公司 光点格栅阵列光刻机
US20040007589A1 (en) * 2002-02-12 2004-01-15 Lindsay Leveen Device and method for dispensing carbonated beverages
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
DE10229818A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
US7092069B2 (en) * 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
TWI242691B (en) 2002-08-23 2005-11-01 Nikon Corp Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US6988326B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US7093375B2 (en) * 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US6988327B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus
US6954993B1 (en) * 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US7383843B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101470360B (zh) * 2002-11-12 2013-07-24 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
CN101713932B (zh) * 2002-11-12 2012-09-26 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG121818A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) * 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
EP1571701A4 (en) 2002-12-10 2008-04-09 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
WO2004053953A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
AU2003302831A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device
KR20050085026A (ko) 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 광학 소자 및 그 광학 소자를 사용한 투영 노광 장치
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
WO2004053955A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US6992750B2 (en) * 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
AU2003289237A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
KR101101737B1 (ko) 2002-12-10 2012-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
KR101037057B1 (ko) 2002-12-10 2011-05-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
CN100370533C (zh) * 2002-12-13 2008-02-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于照射层的方法和用于将辐射导向层的装置
WO2004057589A1 (en) 2002-12-19 2004-07-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
ES2268450T3 (es) 2002-12-19 2007-03-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Metodo y dispositivo para irradiar puntos en una capa.
US7010958B2 (en) * 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
US7112727B2 (en) * 2002-12-20 2006-09-26 Peotec Seeds S.R.L. Mutant allele of tomato
US6781670B2 (en) * 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
US7090964B2 (en) * 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
KR20180126102A (ko) * 2003-02-26 2018-11-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP4352930B2 (ja) * 2003-02-26 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7206059B2 (en) * 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6943941B2 (en) * 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
TW585291U (en) * 2003-03-25 2004-04-21 Quanta Comp Inc A strap buckle apparatus for a notebook computer
KR101177331B1 (ko) 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
JP4650413B2 (ja) 2003-04-10 2011-03-16 株式会社ニコン 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム
JP4656057B2 (ja) 2003-04-10 2011-03-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子
WO2004090634A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation Environmental system including vaccum scavange for an immersion lithography apparatus
CN1771463A (zh) 2003-04-10 2006-05-10 株式会社尼康 用于沉浸光刻装置收集液体的溢出通道
EP2613193B1 (en) 2003-04-11 2016-01-13 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
JP4837556B2 (ja) 2003-04-11 2011-12-14 株式会社ニコン 液浸リソグラフィにおける光学素子の洗浄方法
SG152078A1 (en) 2003-04-17 2009-05-29 Nikon Corp Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
JP4025683B2 (ja) * 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
JP4146755B2 (ja) * 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
TWI295414B (en) * 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6995833B2 (en) 2003-05-23 2006-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2004349645A (ja) * 2003-05-26 2004-12-09 Sony Corp 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法
TWI347741B (en) * 2003-05-30 2011-08-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684008B2 (en) * 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4054285B2 (ja) * 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084710B2 (ja) * 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6867844B2 (en) * 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4084712B2 (ja) * 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4029064B2 (ja) * 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP2005019616A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
JP4343597B2 (ja) * 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1498778A1 (en) * 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3862678B2 (ja) * 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6809794B1 (en) * 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
EP1494074A1 (en) * 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1639391A4 (en) 2003-07-01 2009-04-29 Nikon Corp USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS
ATE513309T1 (de) 2003-07-09 2011-07-15 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementeherstellung
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7326522B2 (en) * 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7175968B2 (en) * 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7061578B2 (en) * 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7700267B2 (en) * 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7579135B2 (en) * 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7085075B2 (en) * 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
EP3223074A1 (en) 2003-09-03 2017-09-27 Nikon Corporation Apparatus and method for immersion lithography for recovering fluid
US6961186B2 (en) 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
US7369217B2 (en) * 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
US7678527B2 (en) 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US20070105050A1 (en) 2003-11-05 2007-05-10 Dsm Ip Assets B.V. Method and apparatus for producing microchips
US7924397B2 (en) * 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
JP4295712B2 (ja) * 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び装置製造方法
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4747263B2 (ja) 2003-11-24 2011-08-17 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー オブジェクティブにおける光学素子のための保持装置
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
EP1700163A1 (en) 2003-12-15 2006-09-13 Carl Zeiss SMT AG Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
WO2005106589A1 (en) 2004-05-04 2005-11-10 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
KR101200654B1 (ko) 2003-12-15 2012-11-12 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 고 개구율 및 평평한 단부면을 가진 투사 대물렌즈
US20050185269A1 (en) * 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
WO2005059645A2 (en) 2003-12-19 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection objective with crystal elements
US7460206B2 (en) * 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) * 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) * 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
KR101407204B1 (ko) * 2004-01-14 2014-06-13 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 투영 대물렌즈
EP1716457B9 (en) 2004-01-16 2012-04-04 Carl Zeiss SMT GmbH Projection system with a polarization-modulating element having a variable thickness profile
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
DE602005019689D1 (de) 2004-01-20 2010-04-15 Zeiss Carl Smt Ag Belichtungsvorrichtung und messeinrichtung für eine projektionslinse
US7026259B2 (en) * 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) * 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
WO2005074606A2 (en) 2004-02-03 2005-08-18 Rochester Institute Of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
US7050146B2 (en) * 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005076084A1 (en) 2004-02-09 2005-08-18 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
KR101115111B1 (ko) 2004-02-13 2012-04-16 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로 리소그래프 투영 노광 장치 투영 대물 렌즈
JP2007523383A (ja) 2004-02-18 2007-08-16 コーニング インコーポレイテッド 深紫外光による大開口数結像のための反射屈折結像光学系
US20050205180A1 (en) * 2004-03-16 2005-09-22 Goudeau Michael C Method and apparatus for three dimensional object covers
US20050205108A1 (en) 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
US7027125B2 (en) * 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) * 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005098504A1 (en) 2004-04-08 2005-10-20 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7271878B2 (en) 2004-04-22 2007-09-18 International Business Machines Corporation Wafer cell for immersion lithography
US7244665B2 (en) 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US20050241694A1 (en) 2004-04-29 2005-11-03 Red Flame Hot Tap Services Ltd. Hot tapping method, system and apparatus
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005111722A2 (en) 2004-05-04 2005-11-24 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
KR20180078354A (ko) 2004-05-17 2018-07-09 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101833247B (zh) 2004-06-04 2013-11-06 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投影曝光系统的投影物镜的光学测量的测量系统
WO2005119369A1 (en) 2004-06-04 2005-12-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection system with compensation of intensity variatons and compensation element therefor
US8717533B2 (en) * 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7701550B2 (en) * 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
HK1170070A1 (zh) 2013-02-15
SG183572A1 (en) 2012-09-27
US20070263185A1 (en) 2007-11-15
SG10201809095SA (en) 2018-11-29
EP2945184A2 (en) 2015-11-18
US20140253889A1 (en) 2014-09-11
US10180632B2 (en) 2019-01-15
EP2466621A3 (en) 2012-11-21
US7535550B2 (en) 2009-05-19
CN102495540B (zh) 2015-03-18
KR20140110089A (ko) 2014-09-16
US7268854B2 (en) 2007-09-11
EP2945184B1 (en) 2017-06-28
JP2014112741A (ja) 2014-06-19
KR20180126102A (ko) 2018-11-26
JP2014112716A (ja) 2014-06-19
KR101875296B1 (ko) 2018-07-05
HK1247997A1 (zh) 2018-10-05
JP5807691B2 (ja) 2015-11-10
JP5353862B2 (ja) 2013-11-27
EP2466624A2 (en) 2012-06-20
EP1598855A1 (en) 2005-11-23
JP2011023765A (ja) 2011-02-03
US20060146306A1 (en) 2006-07-06
JP5126190B2 (ja) 2013-01-23
US20160246188A1 (en) 2016-08-25
KR20120088846A (ko) 2012-08-08
US7453550B2 (en) 2008-11-18
TW200500813A (en) 2005-01-01
US20170371253A1 (en) 2017-12-28
US7911583B2 (en) 2011-03-22
KR20050102676A (ko) 2005-10-26
US8736809B2 (en) 2014-05-27
EP2466621A2 (en) 2012-06-20
JP2012129565A (ja) 2012-07-05
US9766555B2 (en) 2017-09-19
EP2466624A3 (en) 2012-11-28
EP2466622A3 (en) 2012-11-28
EP2945016A2 (en) 2015-11-18
JP2009302596A (ja) 2009-12-24
EP2466623A2 (en) 2012-06-20
KR101506408B1 (ko) 2015-03-26
US7907253B2 (en) 2011-03-15
CN104678715B (zh) 2017-05-17
HK1168912A1 (zh) 2013-01-11
HK1214372A1 (zh) 2016-07-22
CN102495540A (zh) 2012-06-13
TW201908879A (zh) 2019-03-01
KR101381538B1 (ko) 2014-04-04
KR101169288B1 (ko) 2012-08-02
EP2466623A3 (en) 2012-11-21
TWI361957B (zh) 2012-04-11
KR20130119989A (ko) 2013-11-01
KR101288767B1 (ko) 2013-07-23
US20190121244A1 (en) 2019-04-25
WO2004086468A1 (ja) 2004-10-07
JP5699977B2 (ja) 2015-04-15
EP2466623B1 (en) 2015-04-22
US20050280791A1 (en) 2005-12-22
JP6428800B2 (ja) 2018-11-28
HK1170064A1 (zh) 2013-02-15
US20140240684A1 (en) 2014-08-28
SG10201401559QA (en) 2014-06-27
EP2945016A3 (en) 2016-03-30
EP2945016B1 (en) 2017-09-06
JP6004030B2 (ja) 2016-10-05
TW201719296A (zh) 2017-06-01
KR20160089545A (ko) 2016-07-27
EP1598855A4 (en) 2007-08-22
EP2466624B1 (en) 2015-04-22
US20060274293A1 (en) 2006-12-07
US20070258066A1 (en) 2007-11-08
HK1208088A1 (zh) 2016-02-19
EP2466622B1 (en) 2015-05-27
HK1214405A1 (zh) 2016-07-22
JP4640516B2 (ja) 2011-03-02
EP2466622A2 (en) 2012-06-20
JP5126191B2 (ja) 2013-01-23
US20070258065A1 (en) 2007-11-08
KR20120063524A (ko) 2012-06-15
US20070263183A1 (en) 2007-11-15
US9348239B2 (en) 2016-05-24
JP2010028127A (ja) 2010-02-04
KR20170143017A (ko) 2017-12-28
US20070258067A1 (en) 2007-11-08
US7907254B2 (en) 2011-03-15
TW201516584A (zh) 2015-05-01
KR101563453B1 (ko) 2015-10-26
JP6187614B2 (ja) 2017-08-30
KR20150052334A (ko) 2015-05-13
JP5807696B2 (ja) 2015-11-10
JP2017068287A (ja) 2017-04-06
US20110032498A1 (en) 2011-02-10
HK1170066A1 (zh) 2013-02-15
EP1598855B1 (en) 2015-04-22
JP2009147386A (ja) 2009-07-02
EP2466621B1 (en) 2015-04-01
EP2466625A2 (en) 2012-06-20
TWI468876B (zh) 2015-01-11
JP2018106206A (ja) 2018-07-05
KR20130019022A (ko) 2013-02-25
EP2466625B1 (en) 2015-04-22
KR101442361B1 (ko) 2014-09-23
US9182684B2 (en) 2015-11-10
US20070263186A1 (en) 2007-11-15
KR20110061633A (ko) 2011-06-09
CN104678715A (zh) 2015-06-03
TW201229691A (en) 2012-07-16
EP2945184A3 (en) 2016-03-23
US8102504B2 (en) 2012-01-24
EP3301511A1 (en) 2018-04-04
US7932991B2 (en) 2011-04-26
KR101562447B1 (ko) 2015-10-21
SG2012087615A (en) 2015-08-28
TWI621923B (zh) 2018-04-21
JP2015121825A (ja) 2015-07-02
EP2466625A3 (en) 2012-11-28
KR101643112B1 (ko) 2016-07-26
JP2016075963A (ja) 2016-05-12
TW201220002A (en) 2012-05-16
US7542128B2 (en) 2009-06-02
HK1170067A1 (zh) 2013-02-15
KR101921572B1 (ko) 2018-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI591445B (zh) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP4596077B2 (ja) 真空システム、液浸露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP4352930B2 (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2005101488A (ja) 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees