TWI468876B - Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method - Google Patents

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TWI468876B
TWI468876B TW101105430A TW101105430A TWI468876B TW I468876 B TWI468876 B TW I468876B TW 101105430 A TW101105430 A TW 101105430A TW 101105430 A TW101105430 A TW 101105430A TW I468876 B TWI468876 B TW I468876B
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大和壯一
西井康文
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尼康股份有限公司
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Description

曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
本發明係有關在投影光學系統和基板間形成浸液區域之狀態下,將圖案曝光於基板上之曝光裝置、曝光方法及元件製造方法。
半導體元件或液晶顯示元件,係藉由將光罩上所形成之圖案轉印在感光性基板上之光微影之方法來製造。在該光微影步驟所使用之曝光裝置具有:支持光罩之光罩載台和支持基板之基板載台,邊逐步移動光罩載台和基板載台,邊透過投影光學系統將光罩之圖案轉印於基板上。近年來,為了對應元件圖案之更進一步高積體化,而期望投影光學系統之更高解析度化。投影光學系統之解析度,係所使用之曝光波長越短,且投影光學系統之數值孔徑越大,變成越高。因此,曝光裝置所使用之曝光波長係逐年短波長化,投影光學系統之數值孔徑也增大。而且,現在主流之曝光波長係KrF準分子雷射之248nm,但更短波長之ArF準分子雷射之193nm也正實用化。又,當進行曝光之際,與解析度同樣,焦點深度(DOF)也變成重要。解析度R、及焦點深度δ能分別用以下之公式來表示。
R=k1 ×λ/NA …(1)
δ=±k2 ×λ/NA2  …(2)
式中,λ係曝光波長,NA係投影光學系統之數值孔徑,k1 、k2 係處理係數。由(1)式、(2)式可知,為了提高解析度R,若縮短曝光波長λ來增大數值孔徑NA,則焦點深度δ變小。若焦點深度δ太小,則不易使基板表面與投影光學系統之像面對準,會有曝光動作時裕度不足之虞。因此,就實際縮短曝光波長,且加大焦點深度之方法而言,例如,已提案下列專利文獻1所揭示之浸液法。該浸液法係用水或有機溶劑來填滿投影光學系統之下面與基板表面之間,形成浸液區域,液體中之曝光用光之波長係用空氣中之1/n(n係液體之折射率,通常為1.2~1.6程度),來提高解析度,並且將焦點深度擴大約n倍。
(專利文獻1)
國際公開第99/49504號小冊子。
但是,在上述習知技術中,存在以下所述之問題。
上述習知技術係當把基板邊朝既定方向移動邊掃描曝光之際,在投影光學系統和基板之間,因能形成浸液區域,故有效果,但關於基板之移動方向,係在光罩之圖案像被投影之投影區域側供應液體之構成,將液體從投影區域前側沿著基板之移動方向單向流動之構成。並且,從該既定方向,將基板之移動方向切換成相反方向之際,也切換供應液體之位置(嘴部)之構成。但在切換時,係對投影區域急遽停止從單方向供應液體,而開始從另一方向供應液體,故在投影光學系統和基板之間,發生液體之振動(所謂水錘現象),在液體供應裝置本身(供應管或供應嘴等)發生振動,產生引起圖案像劣化之問題,又,因對投影區域,從單向流液體之構成,故在投影光學系統和基板之間,也產生不能充分形成浸液區域情形之問題。
又,在上述習知技術,由於供回收液體用之回收部只在朝該基板之移動方向流動之液體之下流側回收液體之構成,故也產生不能充分回收液體之問題。若不能充分回收液體,則液體會殘留在基板上,產生因該殘留之液體而產生曝光不均之虞。又,若不能完全回收液體,殘留之液體就會飛散到周邊之機械元件,而產生生銹等不良情形。並且,若殘留液體飛散等,則會使基板所處之環境(溼度等)變動,引起使用於載台位置測量之光干涉計之檢測光之光路上折射率之變化,因此,也會產生不能得到所欲之圖案轉印精度之虞。
又,在上述習知技術,係按照基板移動方向之切換,不僅切換回收液體之位置(嘴部),而且,藉由液體回收嘴,當回收基板上之液體之際,在液體回收裝置本身(回收管或回收嘴等),可能發生振動。若該振動傳達至投影光學系統、基板載台、或用來測量基板載台位置之干涉計之光學構件等,則在基板上會有無法精度佳地形成電路圖案之虞。
本發明有鑑於此,其目的在於提供一種曝光裝置、曝光方法及元件製造方法,在投影光學系統和基板之間形成浸液區域之狀態下進行曝光處理之際,能穩定形成浸液區域,並且能良好地回收該液體,能防止液體向周邊流出或飛散等,能精度佳地進行曝光處理。又,本發明之目的在於提供一種曝光裝置、及元件製造方法,在投影光學系統和基板之間形成浸液區域之狀態下進行曝光處理之際,不會受到液體供應或回收之際所產生之振動之影響,能精度佳地進行曝光處理。
為了解決上述問題,本發明係採用實施形態所示之對應於第1圖~第21圖之以下構成。但是,各要件所附之括弧符號只不過係該要件之例示,並無限定各要件之意圖。
依本發明之第1形態,係提供一種曝光裝置EX,透過液體(1)將既定圖案像投影於基板(P)上,藉此將基板曝光,其具備:投影光學系統(PL),用以將該圖案像投影於基板上;液體供應機構(10、11、12、13、13A、14、14A),在投影區域(AR1)之複數個不同方向上之複數個位置,同時進行供應液體(1)於基板(P)上,俾在包含投影光學系統(PL)之投影區域(AR1)之基板(P)上之一部份形成浸液區域(AR2)。
依本發明,用來形成浸液區域之液體供應機構,由於係在投影區域之複數個不同方向上之複數個位置(即,從投影區域之不同複數側,例如,若是矩形之投影區域,則從X側、-X側、+Y側、-Y側之至少二側),同時進行液體供應,故在投影光學系統和基板之間能形成所欲之浸液區域。又,由於在複數個方向上之複數個位置同時進行液體供應,故邊移動基板邊進行曝光處理之際,即使改變基板之移動方向,也能經常良好地形成浸液區域。若在投影區域兩側同時供應液體,因不需切換液體供應位置,故能防止液體之振動(水錘現象)之發生,能將圖案像精度佳地投影於基板上。
依本發明之第2形態,係提供一種曝光裝置(EX),透過液體(1)將既定圖案像投影於基板(P)上,藉此將基板曝光,其具備:投影光學系統(PL),用以將該圖案像投影於基板上;液體供應機構(10、11、12、13、13A、14、14A),將液體(1)供應於基板(P)上,俾在包含投影光學系統(PL)之投影區域AR1之基板上之一部份形成浸液區域(AR2);以及液體回收機構(20、21、22、22A),在該投影區域(AR1)之複數個不同方向上之複數個位置,同時進行該基板(P)上之液體(1)之回收。
依本發明,用來回收液體之液體回收機構,由於係在投影區域之複數個不同方向上之複數個位置(即,從不同投影區域之複數側,例如,若是矩形之投影區域,則從X側、-X側、+Y側、-Y側之至少二側),同時進行液體回收,故能確實進行液體回收。因此,能防止液體殘留於基板上之狀態產生,能防止曝光不均之產生、及基板所處之環境變動,能將圖案像精度佳地投影於基板上。
依本發明之第3形態,係提供一種曝光裝置(EX),透過液體(1)將既定圖案像投影於基板(P)上,藉此將基板曝光,其具備:投影光學系統(PL),用以將該圖案像投影於基板上;液體供應機構(10、11、12、13、13A、14、14A),將液體(1)供應於基板(P)上,俾在包含投影光學系統(PL)之投影區域(AR1)之基板(P)上之一部份形成浸液區域(AR2);以及液體回收機構(20、21、22、22A、22D、24),在複數個位置,同時進行該基板P上之液體1之回收;液體回收機構(20、21、22、22A、22D、24)係利用依液體回收位置而不同之回收力來回收液體。
依本發明,在基板上之複數個位置同時進行液體回收之液體回收機構,由於係利用依液體回收位置而不同之回收力來回收液體,故能圓滑地進行液體回收動作。因此,能用適量之液體來填滿投影光學系統和基板之間,在基板上之所欲區域內能形成浸液區域。例如,關於基板之移動(掃描)方向,將前方側(下流側)之液體回收力設成較後方側(上流側)為大,藉此能圓滑地進行液體回收動作。或將沿著基板之移動(掃描)方向之位置配置之液體回收機構之液體回收力,設成較沿著與移動方向相交的方向之位置配置之液體回收機構之液體回收力為大,藉此也能圓滑地進行液體回收動作。
依本發明之第4形態,係提供一種曝光裝置(EX),透過液體(1)將既定圖案像投影於基板(P)上,藉此將基板曝光,其具備:投影光學系統(PL),用以將該圖案像投影於基板上;液體供應機構(10、11、12、13、13A、14、14A),將液體(1)供應於基板(P)上,俾在包含投影光學系統(PL)之投影區域(AR1)之基板(P)上之一部份形成浸液區域(AR2);液體回收機構(20、21、22、22A),在離投影區域(AR1)之回收位置,進行該基板(P)上之液體(1)的回收;以及捕集構件(30),對該投影區域(AR1)配置於該液體回收機構(20、21、22、22A)之液體回收位置外側,且形成液體捕集面(31),以捕集液體(1)。
依本發明,在採用液體回收機構之液體回收位置外側設置捕集構件(形成有用以捕集液體之既定長度之液體捕集面),藉此,假如即使用液體回收機構也不能完全回收液體,則藉由該捕集構件來捕集液體,能防止液體向周圍流出或飛散等不良情況之發生。因此,能防止基板所處環境變動之發生,能以所欲之圖案精度將圖案像投影於基板上。
依本發明之第5形態,係提供一種曝光裝置(EX),透過液體(1)將既定圖案像投影於基板(P)上,藉此將基板曝光,其具備:投影光學系統(PL),用以將該圖案像投影於基板(P)上;液體供應機構(10、11、12、13、13A、14、14A),將液體1供應於基板(P)上,俾在包含投影光學系統(PL)之投影區域(AR1)之基板(P)上之一部份形成浸液區域(AR2);以及液體回收機構(20、21、22、22A),從離投影區域(AR1)之回收位置,進行基板(P)上之液體(1)之回收;液體供應機構(10、11、12、13、13A、14、14A)之液體(1)之供應,係在液體回收機構(20、21、22、22A)之液體回收位置與投影區域(AR1)之間進行。
依本發明,由於液體供應機構之液體供應係在液體回收機構之液體回收位置與投影區域之間進行,故液體能圓滑地供應給投影區域,並且,所供應之液體能從基板上圓滑地回收。
依本發明之第6形態,係提供一種曝光方法,透過液體(1)將既定圖案像藉由投影光學系統(PL)投影於基板(P)上,藉此將基板曝光,其包含以下步驟:供應與投影光學系統(PL)前端之液體接觸面2a之親和性較與基板(P)表面之親和性為高之液體(1),俾在包含投影光學系統(PL)之投影區域(AR1)之基板(P)上之一部份形成浸液區域(AR2);透過供應於該浸液區域(AR2)之液體(1),將既定圖案像投影於基板(P)上。
依本發明,能將液體密合於投影光學系統前端之液體接觸面,能將投影光學系統和基板間之光路設定在穩定之浸液狀態,並且,能圓滑地回收基板上之液體。
本發明之元件製造方法,其特徵在於,係使用上述形態之曝光裝置(EX)或曝光方法來製造。依本發明,具有以良好之圖案精度來形成圖案,可提供能發揮所欲性能之元件。
依本發明之第7形態,係提供一種曝光裝置(EX),透過液體(1)將既定圖案像投影於基板(P)上,藉此將基板曝光,其具備:投影光學系統(PL),用以將該圖案像投影於基板(P)上;液體供應機構(10、11、12、41、42),具有將液體(1)供應於基板(P)上之供應流路(94A、95A、94B、95B);以及液體回收機構(20、61、62、63、64、71、72、73、74),具有回收所供應的液體回收流路(96A、97A、98A、99A、96B、97B、98B、99B、96T、97T、98T、99T);該供應流路和回收流路之至少一方,係形成於複數個板狀構件(91、92、93)所積層之積層構件中。
在浸液曝光,雖將均勻之液體流供應於浸液區域,而且,必須從該處進行回收,但具備本發明之曝光裝置之積層構件,係將分別形成流路之複數個板狀構件,以連通這些流路且分別形成供應流路和回收流路之至少一方的方式來積層形成。因此,即使係複雜之流路構造,也極容易小型化,而且能以低成本來形成。
依本發明之第8形態,係提供一種曝光裝置(EX),透過液體(1)將既定圖案像投影於基板(P)上,藉此將基板曝光,其具備:投影光學系統(PL),用以將該圖案像投影於基板(P)上;以及液體供應機構(10),將液體(1)供應於基板(P)上,俾在包含投影光學系統(PL)之投影區域(AR1)之基板(P)上之一部份形成浸液區域(AR2);液體供應機構(10)與投影光學系統(10)係形成振動分離。
依第8形態之曝光裝置,由於投影光學系統和液體供應機構係形成振動分離,故在液體供應機構即使發生振動,該振動也不會傳達至投影光學系統。因此,能防止因投影光學系統之振動而產生圖案像劣化之不良情況,能將圖案像精度佳地地投影於基板上。
曝光裝置進一步具備支持投影光學系統(PL)之第1支持構件(100)、及與第1支持構件(100)形成振動分離且支持液體供應機構(10)之第2支持構件(102)。依該構造,因支持投影光學系統之第1支持構件與支持液體供應機構之第2支持構件形成振動分離,故在液體供應機構所發生之振動不會傳達至投影光學系統。又,例如,將用來測量基板載置台之位置資訊之干涉計安裝於第1支持構件,將基準鏡(固定鏡)安裝於投影光學系統的鏡筒,藉此因振動不傳達於這些干涉計或基準鏡,故根據基板載台之位置資料之測量及該測量結果,能精度佳地進行位置控制。
依本發明之第9形態,係提供一種曝光裝置(EX),透過液體(1)將既定圖案像投影於基板(P)上,藉此將基板曝光,其具備:投影光學系統(PL),用以將該圖案像投影於基板(P)上;以及液體回收機構(20),用以回收包含投影光學系統(PL)之投影區域(AR1)之基板(P)上之一部份所供應之液體(1);液體回收機構20與投影光學系統PL係形成振動分離。
依本發明之第9形態之曝光裝置,因投影光學系統和液體回收機構形成振動分離,故即使在液體回收機構發生振動,該振動也不會傳達至投影光學系統。因此,能防止因投影光學系統之振動而產生圖案像劣化之不良情況,能將圖案像精度佳地地投影於基板上。
第9形態之曝光裝置(EX)係進一步具備支持投影光學系統(PL)之第1支持構件(100)、及與第1支持構件100形成振動分離且支持液體回收機構(20)之第2支持構件(102)。依該構成,因支持投影光學系統之第1支持構件與支持液體回收機構之第2支持構件形成振動分離,故在液體回收機構所發生之振動不會傳達至投影光學系統。又,例如,將用來測量基板載台之位置資訊之干涉計係安裝於第1支持構件,將基準鏡(固定鏡)安裝於投影光學系統之鏡筒,藉此因振動不傳達至這些干涉計或基準鏡,故根據基板載台之位置資料之測量及該測量結果,能精度佳地進行位置控制。
依本發明之第10形態,係提供一種曝光裝置(EX),透過液體(1)將既定圖案像投影於基板(P)上,將基板上之複數個照射區域依序進行曝光,其具備:投影光學系統(PL),用以將該圖案像投影於基板上;液體供應機構(10、11、12、13、14),從與該基板呈對向配置之供應嘴(13A、14A)供應液體,俾在包含投影光學系統之投影區域的基板上之一部份形成浸液區域,;該液體供應機構係在進行該基板上之複數個照射區域之曝光處理期間,從該供應嘴持續供應液體。
依本發明之第10形態之曝光裝置,因在進行該基板上之複數個照射區域之曝光處理期間,不按照基板之移動方向等,而從配置於既定位置之供應嘴持續供應液體,故能防止液體供應機構本身之振動和液體之振動(水錘現象),能將圖案像精度佳地投影於基板上。
依本發明之第11形態,係提供一種曝光裝置(EX),透過液體(1)將既定圖案像投影於基板(P)上,將基板上之複數個照射區域依序進行曝光,其具備:投影光學系統(PL),用以將該圖案像投影於基板(P)上;液體供應機構(10、11、12、13、14),從配置於既定位置之供應嘴(13A、14A)供應液體,俾在包含投影光學系統之投影區域的基板上之一部份形成浸液區域;以及液體回收機構(20、21、22),具有與該基板呈對向配置之回收嘴22A,以回收從該液體供應機構所供應之液體;該液體回收機構係在進行該基板上之複數個照射區域之曝光處理期間,從該回收嘴持續回收液體。
依本發明之第11形態之曝光裝置,則不按照基板之移動方向等,而從回收嘴持續回收液體,故能更確實回收液體,回收之停止或開始時所帶來之振動受到控制,能將圖案像精度佳地投影於基板上。
本發明之元件製造方法,其特徵在於,係使用上述形態之曝光裝置(EX)來製造。依本發明,具有以良好之圖案精度所形成之圖案,可提供能發揮所欲性能之元件。
依本發明,在投影光學系統和基板之間形成浸液區域之狀態下,在進行曝光處理之際也能精度佳地進行曝光處理。
以下,針對本發明之曝光裝置,邊參照圖式邊加以說明。第1圖係表示本發明曝光裝置之一實施形態之概略構成圖。
在第1圖中,曝光裝置EX係具備:支持光罩M之光罩載台MST;支持基板P之基板載台PST;照明光學系統IL,以曝光用光EL來照明支持於光罩載台MST之光罩M;投影光學系統PL,將被曝光用光EL所照明之光罩M之圖案像投影曝光於基板載台PST所支持之基板P上;以及控制裝置CONT,統合控制曝光裝置EX全體之動作。
又,本實施形態之曝光裝置EX係實質上縮短曝光波長來提高解析度,並且,為了擴大焦點深度,適用浸液法之浸液曝光裝置具備:液體供應機構10,其係將液體1供應於基板P上;及液體回收機構20,其係回收基板P上之液體1。曝光裝置EX係在至少將光罩M之圖案像轉印於基板P上期間,藉由從液體供應機構10所供應之液體1,在包含投影光學系統PL之投影區域AR1之基板P上之一部份形成浸液區域AR2。具體而言,曝光裝置EX係在投影光學系統PL之前端部之光學元件2和基板P之表面間填滿液體1,透過該投影光學系統PL和基板P間之液體1及投影光學系統PL,將光罩M之圖案像投影於基板P上,而將基板P曝光。
此處,本實施形態係針對曝光裝置EX,邊將光罩M和基板P朝掃描方向彼此不同的方向(反方向)同步移動,邊將形成於光罩M之圖案曝光於基板P之掃描型曝光裝置(所謂掃描步進機)為例加以說明。在以下之說明中,把與投影光學系統PL之光軸AX一致方向當作Z軸方向,在與Z軸方向垂直之平面內把光罩M和基板P之同步移動方向(掃描方向)當作X軸方向,與Z軸方向及Y軸方向垂直之方向(非掃描方向)當作Y軸方向。又,分別把環繞X軸、Y軸、Z軸的方向當作θX、θY及θZ方向。又,此處所謂之「基板」係包含將感光性材料之光阻塗布於半導體晶圓上者,「光罩」係包含在基板上縮小投影之標線片(形成有元件圖案)。
照明光學系統IL係以曝光用光EL來照明支持於光罩載台MST之光罩M者,具有:曝光用光源、光學積分器(用以將從曝光用光源射出之光束照度均勻化)、聚光透鏡(將來自光學積分器之曝光用光EL聚光)、中繼透鏡系統、可變視野光圈(將藉曝光用光EL之光罩M上之照明區域設定成狹縫狀)。光罩M上既定之照明區域係藉由照明光學系統IL,以均勻之照度分布之曝光用光EL來進行照明。就從照明光學系統IL所射出之曝光用光EL而言,例如,使用從水銀燈所射出之紫外線域之輝線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm等遠紫外線光(DUV光)、或ArF準分子雷射光(波長193nm)及F2 雷射光(波長157nm)等之真空紫外光(VUV光)等。在本實施形態中係使用ArF準分子雷射光。
光罩載台MST係支持光罩M者,在與投影光學系統PL之光軸AX垂直之平面內,即在XY平面內能2維移動及微小旋轉於θz方向。光罩載台MST係藉由線性馬達等光罩載台驅動裝置MSTD來驅動。光罩載台驅動裝置MSTD係藉由控制裝置CONT來控制。在光罩載台MST上,設置移動鏡50。又,在與移動鏡50對向之位置設置雷射干涉計51。光罩載台MST上之光罩M之2維方向位置、及旋轉角,係藉由雷射干涉計51用即時來測量,測量結果係輸出至控制裝置CONT。控制裝置CONT係依據雷射干涉計51之測量結果來驅動光罩載台驅動裝置MSTD,藉此進行支持於光罩載台MST之光罩M之定位。
投影光學系統PL,係以既定之投影倍率β將光罩M之圖案投影曝光於基板P上,且以包含設置於基板P側前端部之光學元件(透鏡)2之複數個光學元件來構成,這些光學元件係以鏡筒PK來支持。在本實施形態中,投影光學系統PL之投影倍率β,例如,係1/4或1/5之縮小系統。又,投影光學系統PL即使等倍系統或放大系統中之任一系統皆可。又,本實施形態之投影光學系統PL之前端部之光學元件2係對鏡筒PK設置成能裝卸(更換),光學元件2係與浸液區域AR2之液體1接觸。
光學元件2係由螢石所形成。因螢石與水之親和性高,故能使液體1密合於光學元件2之液體接觸面2a之大致全面。即,在本實施形態中,因供應與光學元件2之液體接觸面2a之親和性高的液體(水)1,故光學元件2之液體接觸面2a和液體1之密合性高,能以液體1確實填滿光學元件2和基板P間之光路。又,光學元件2亦可為與水親和性高之石英。又,也可在光學元件2之液體接觸面2a施以親水化(親液化)之處理,來更提高與液體1之親和性。
基板載台PST係支持基板P,具備:透過基板保持具支持基板P之Z載台52、支持Z載台52之XY載台53、支持XY載台53之基座54。基板載台PST係藉由線性馬達等基板載台驅動裝置PSTD來加以驅動。基板載台驅動裝置PSTD係藉由控制裝置CONT來進行控制。驅動Z載台52,藉此來控制保持於Z載台52之基板P之Z軸方向之位置(聚焦位置)、及θX、θY方向之位置。又,驅動XY載台53,藉此控制基板P之XY方向之位置(與投影光學系統PL之像面實質平行的方向之位置)。即,Z載台52係控制基板P之聚焦位置及傾斜角,利用自動聚焦方式及自動調平方式,將基板P之表面與投影光學系統PL之像面對準,XY載台53係進行基板P之X軸方向及Y軸方向之定位。又,當然也能一體性地設定Z載台和XY載台。
在基板載台PST(Z載台52)上,設置與基板載台PST一起相對於投影光學系統PL移動之移動鏡55。又,在與移動鏡55對向之位置,設置雷射干涉計56。基板載台PST上之基板P之2維方向位置及旋轉角係藉由雷射干涉計56,以即時(real time)來進行測量,測量結果係輸出至控制裝置CONT。控制裝置CONT係依據雷射干涉計56之測量結果,來驅動基板載台驅動裝置PSTD,藉此進行支持於基板載台PST之基板P之定位。
又,在基板載台PST(Z載台52)上,設置輔助板57。輔助板57係具有與保持於基板保持具之基板P表面大致相同高度之平面。此處,在基板P之邊緣和輔助板57之間,雖有0.1~2mm程度之間隙,但由於液體1之表面張力,液體1幾乎不會流入該間隙,當把基板P之周緣附近進行曝光時,也藉由輔助板57將液體1保持於投影光學系統統PL之下。
液體供應機構10係將既定之液體1供應於基板P上,具備:第1液體供應部11及第2液體供應部12,能供應液體1;第1供應構件13,係具有供應嘴13A,透過具有流路之供應管11A連接於第1液體供應部11,將從該第1液體供應部11所送出之液體1供應於基板P上;及第2供應構件14,係具有供應嘴14A,透過具有流路之供應管12A連接於第2液體供應部12,將從該第2液體供應部12所送出之液體1供應於基板P上。第1、第2供應構件13、14係近接於基板P表面,設置於在基板P之面方向彼此不同之位置。具體而言,液體供應機構10之第1供應構件13係設置於對投影區域AR1之掃描方向一方側(-X側),第2供應構件14係設置於掃描方向之另一側(+X側)。
各第1、第2液體供應部11、12係具備收容液體1之槽及加壓泵等,透過各供應管11A、12A及供應構件13、14,將液體1供應於基板P上。又,第1、第2液體供應部11、12之液體供應動作係藉由控制裝置CONT來進行控制,控制裝置CONT係藉由第1、第2液體供應部11、12能分別獨立控制對基板P上之每單位時間之液體供應量。
在本實施形態中,液體1係使用純水。純水不僅能使ArF準分子雷射光透過,例如,也能使從水銀燈射出之紫外線域之輝線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)透過。
液體回收機構20係回收基板P上之液體1者,具備:回收構件22,其係具有回收嘴22A,回收嘴22A係近接於基板P表面;及液體回收部21,其係透過具有流路之回收管21A連接於該回收構件22。液體回收部21,例如,具備:真空泵等吸引裝置、及收容所回收的液體1之槽;透過回收構件22及回收管21A,來回收基板P上之液體1。液體回收部21之液體回收動作係藉由控制裝置CONT來進行控制,控制裝置CONT係藉由液體回收部21,能控制每單位時間之液體回收量。
又,在液體回收機構20之回收構件22外側,配置形成有供捕集液體1之既定長度之液體捕集面31之捕集構件30。
第2圖係表示液體供應機構10及液體回收機構20之概略構成的俯視圖,第3圖係表示部分截面所示之立體圖。
如第2圖所示,投影光學系統PL之投影區域AR1係將Y軸方向(非掃描方向)當作長邊方向設定為矩形狀,填滿液體1之浸液區域AR2係以包含投影區域AR1的方式形成於基板P之一部份。並且,用來形成投影區域AR1之浸液區域AR2之液體供應機構10之第1供應構件13係對投影區域AR1設置於掃描方向一方側(-X側),第2供應構件14係設置於掃描方向另一側(+X側)。
如第2圖及第3圖所示,第1、第2供應構件13、14係分別具有內部空間(內部流路)13H、14H,係流通從第1、第2液體供應部11、12所送出之液體1;及供應嘴13A、14A,其係將流通內部空間13H、14H之液體1供應於基板P上。又,在第3圖中,第2液體供應部12雖未圖示,但構造係與第1液體供應部11相同。第1、第2供應構件13、14之供應嘴13A、14A係分別形成俯視大致圓弧狀,在該供應嘴13A、14A之Y軸方向之大小,係設成至少較投影區域AR1之Y軸方向之大小為大。而且,形成俯視大致圓弧狀之供應嘴13A、14A係對掃描方向(X方向),配置成隔著投影區域AR1。液體供應機構10係從供應嘴13A、14A,在投影區域AR1之複數個不同方向上之複數個位置,即,從矩形之投影區域AR1之不同側(此例,係指投影區域AR1兩側(+X方向側、-X方向側)),同時供應液體1。
液體回收機構20之回收構件22係雙重環狀構件,具有:回收嘴22A,其係朝基板P之表面,環狀連續性地形成;及環狀內部空間(內部流路)22H,其係流通從回收嘴22A所回收之液體1。液體回收機構20之回收構件22係配置成圍繞液體回收機構10之供應構件13、14及投影區域AR1。並且,在回收構件22內部,沿周方向將該內部空間22H分割為複數個空間(分割空間)24之隔離構件(隔離物)23係以既定間隔來設定。即,成為在為了圍繞投影領域AR1連續性地形成之回收嘴22A內部,設置隔離構件23之構成。分別被隔離構件23所分割之分割空間24係朝上下方向貫穿。並且,在回收構件22之中,具有回收嘴22A之下端部係近接於基板P表面,另一方面,上端部係成為空間性地集合複數個分割空間24之集合空間部之歧管部25。並且,在該歧管部25連接回收管21A之一端部,另一端部係連接於液體回收部21。液體回收機構20係驅動液體回收部21,藉此透過回收嘴22A(回收構件22)及回收管21A來回收基板P上之液體1。即,回收嘴22A之設置位置係進行基板P上之液體1的回收之回收位置,液體回收機構20係在離投影區域AR1之回收位置進行基板P上之液體1之回收。此處,液體回收機構20之回收嘴22A係俯視大致圓環狀,成為圍繞投影區域AR1之構成。即,回收嘴22A係位於矩形投影區域AR1之4側(+X方向側、-X方向側、+Y方向側、-Y方向側),換言之,位於離與投影區域AR1正交之4個方向之4個位置。因此,液體回收機構20係從以圍繞投影區域AR1的方式而設置之回收嘴22A,在離投影領域AR1之複數個不同方向之複數個位置,能同時進行基板P上之液體1之回收。
又,液體供應機構10之第1、第2供應構件13、14之各供應嘴13A、14A之設置位置,即,對基板P上之液體1之供應位置係設置於液體回收位置(回收嘴22A之位置)和投影區域AR1之間之構成,即,藉由液體供應機構10之液體1之供應,係在液體回收機構20之液體回收位置和投影領域AR1之間來進行。
第4圖係表示與基板P近接配置之第1、第2供應構件13、14及回收構件22之要部放大側截面圖。如第4圖所示,液體供應機構10之第1、第2供應構件13、14之各之內部流路13H、14H係對基板P之表面大致垂直設置。同樣地,液體回收機構20之回收構件22之內部流路22H(分割空間24)亦對基板P之表面大致垂直設置。並且,藉由第1、第2供應構件13、14對基板P之液體1之供應位置(供應嘴13A、14A之設置位置),係設置於液體回收機構20之液體回收位置(回收嘴22A之設置位置)和投影區域AR1之間。又,投影光學系統PL和第1、第2供應構件13、14係只相隔既定距離,並且,回收構件22和第1、第2供應構件13、14也只相隔既定距離。又,本實施形態,基板P表面和供應嘴13A、14A之距離、基板P表面和回收嘴22A之距離、以及基板P表面和投影光學系統PL下端面之距離係大致相同。換言之,供應嘴(13A、14A)、回收嘴22A、及投影光學系統PL之下端面各Z軸方向之位置(高度)係相同。
並且,從第1、第2供應構件13、14之供應嘴13A、14A,在基板P,從對基板面大致垂直方向所供應之液體1係以使投影光學系統PL之前端部(光學元件2)之下端面和基板P之間擴大潤溼的方式來供應。又,對投影區域AR1,從供應構件13、14外側所流出之液體1,係以較供應構件13、14對投影區域AR1更靠外側之回收構件22之回收嘴22A,從與基板面大致垂直方向進行回收(吸引)。
此處,構成液體供應機構10及液體回收機構20之各構件中至少流通液體1之構件,例如,係由聚四氟化乙烯等合成樹脂所形成。藉此,能抑制液體1中所含之雜質。
在液體回收機構20之回收構件22中,於投影區域AR1外側設置捕集構件30,形成有既定長度之液體捕集面31以捕集液體回收機構20之回收構件22不能完全回收之液體1。捕集構件30係安裝於回收構件22之外側面。液體捕集面31係在捕集構件30中朝基板P側之面(即下面),如第4圖所示,對水平面傾斜。具體而言,捕集面31係呈愈朝投影區域AR1(浸液區域AR2)外側,愈與基板P之表面遠離(如向上般)地傾斜。捕集構件30,例如係由不銹鋼等金屬所形成。
如第2圖所示,捕集構件30係俯視環狀構件,以嵌合於回收構件22的方式連接於回收構件22之外側面。並且,捕集構件30之捕集面31係以圍繞投影區域AR1(浸液區域AR2)的方式配置,本實施形態之捕集構件30及其下面之捕集面31係成為俯視大致橢圓形狀。即,捕集構件30之捕集面31係以投影光學系統PL之光軸AX為基準,輻射方向之長度係按照其位置而不同般設置。本實施形態,掃描方向(X軸方向)之捕集面31之長度係較非掃描方向(Y軸方向)為長。更具體而言,對應投影區域AR1之Y軸方向中央部位置之捕集面31之長度為最長。
在捕集面31,施以提高與液體1之親和性之親液化處理(親水化處理)。在本實施形態中,因液體1係水,故在捕集面31施以對應於液體1之親和性之表面處理。又,在基板P之表面,塗布撥水性(接觸角70~80°程度)之ArF準分子雷射用之感光材料(例如,東京應化工業股份有限公司製TARF-P6100),對應捕集面31之液體1之液體親和性係較對基板P表面之液體1之液體親和性為高。
對捕集面31之表面處理係按照液體1之極性來進行。因本實施形態之液體1係極性大之水,故對捕集面31之親水化處理而言,例如,用乙醇等極性大之分子構造物質來形成薄膜,藉此,對該捕集面31賦予親水性。或是,對捕集面31,例如使用氧氣(O2 )來作為處理氣體,也能藉由施以電漿處理之O2 電漿處理來賦予親水性。因此,當使用水來作為液體1之情形,較佳係將捕集面31具有OH基等極性大的分子構造者配置於表面之處理。此處,用來表面處理之薄膜係對液體1,由非溶解性之材料所形成。又,親液化處理係按照所使用之液體1之材料特性,適當變更該處理條件。
其次,針對使用上述曝光裝置EX,將光罩M之圖案像曝光於基板P之方法加以說明。
此處,在實施形態之曝光裝置EX係將光罩M和基板P邊沿X軸方向(掃描方向)移動邊將光罩M之圖案像進行投影曝光於基板P者,掃描曝光時,在投影光學系統PL之前端部下方矩形狀之投影區域AR1,投影光罩M之一部份之圖案像,對投影光學系統PL,光罩M係朝-X方向(或+X方向)以速度V同步移動,透過XY載台53,基板P係朝+X方向(或-X方向)以速度β‧V(β係投影倍率)移動。並且,如第5圖之俯視圖所示,在基板P上,設定複數個照射區域S1~S12,在朝1個照射區域進行曝光完成後,藉由基板P之步進移動使下一照射區域移動至掃描開始位置,以下,用步進掃描方式邊移動基板P邊對各照射區域依序進行掃描曝光處理。又,本實施形態,控制裝置CONT之投影光學系統PL之光軸AX係沿著第5圖之虛線箭頭58前進,邊監控雷射干涉計56之輸出,邊移動XY載台53者。
首先,光罩M係載置於光罩載台MST,而且,基板P係載置於基板載台PST(參照第1圖)。其次,當進行曝光處理之際,控制裝置CONT係驅動液體供應機構10,開始對基板P上之液體供應動作。為了形成浸液區域AR2,從液體供應機構10之第1、第2液體供應部11、12分別供應之液體1係流通供應管11A、12A後,透過第1、第2供應構件13、14供應於基板P上,在投影光學系統PL和基板P之間形成浸液區域AR2。此處,如第4圖所示,流通供應管11A、12A之液體1係在供應構件13、14之內部流路13H、14H之寬度方向擴散,從供應嘴13A、14A,供應於基板P上之廣範圍。此時,供應嘴13A、14A係配置於投影區域AR1之X軸方向(掃描方向)兩側,控制裝置CONT係從液體供應機構10之供應嘴13A、14A,從投影區域AR1兩側朝基板P上同時進行液體1之供應。
液體供應機構10係從設置於投影區域AR1兩側之供應嘴13A、14A,即,在投影區域AR1之複數個不同方向(+X方向、-X方向)上之複數個位置同時供應液體1。藉此,從供應嘴13A、14A供應於基板P上之液體1係至少以較投影區域AR1為廣之範圍來形成浸液區域AR2。
在本實施形態中,當從投影區域AR1之掃描方向兩側,對基板P供應液體1之際,控制裝置CONT係控制液體供應機構10之第1、第2液體供應部11、12之液體供應動作,關於掃描方向,係設定從投影區域AR1之前所供應之每單位時間之液體供應量較其相反側所供應之液體供應量為多。例如,當邊將基板P向+X方向移動邊進行曝光處理之情形,控制裝置CONT係對投影區域AR1使來自-X側(即供應嘴13A)之液體量較來自+X側(即供應嘴14A)之液體量為多,另一方面,當邊將基板P向-X方向移動邊進行曝光處理之情形,係對投影區域AR1使來自+X側之液體量較來自-X側之液體量為多。
又,控制裝置CONT係驅動液體回收機構20之液體回收部21,與液體供應機構10之液體1之供應動作並行,進行基板P上之液體回收動作。藉此,如第4圖所示,從供應嘴13A、14A,對投影區域AR1流向外側之基板P上之液體1係從回收嘴22A進行回收。從回收嘴22A所回收之液體1係流通被隔離構件23所隔離之各分割空間24後,集合於歧管部25。集合於歧管部25之液體1係通過回收管21A,回收於液體回收部21。因此,本實施形態係具備對1個液體回收部21,連接複數個分割空間24之構造。並且,液體回收機構20係以圍繞投影區域AR1的方式設置之回收嘴22A,在投影區域AR1之複數個不同方向上之複數個位置,即,從矩形之投影區域AR1之4側(+X方向側、-X方向側、+Y方向側、-Y方向側),同時進行基板P上液體1之回收。
控制裝置CONT係藉由液體供應機構10及液體回收機構20,與對基板P表面之液體1之供應並行,邊進行基板P上之液體1之回收,邊將支持基板P之基板載台PST沿X軸方向(掃描方向)移動,且透過投影光學系統PL和基板P間之液體1及投影光學系統PL,將光罩M之圖案像投影曝光於基板P上。此時,液體供應機構10係相對於掃描方向,從投影區域AR1兩側透過供應嘴13A、14A同時進行液體1之供應,故浸液區域AR2能均勻且良好地形成。又,液體回收機構20係透過圍繞投影區域AR1之回收構件22之回收嘴22A,在包含投影區域AR1之掃描方向兩側之投影區域AR1周圍之複數位置,同時進行液體1之回收,故能防止液體1向基板P周圍流出或飛散。又,在本實施形態中,因供應與基板P表面之感光材料之親和性低的純水來作為液體1,故能藉由液體回收機構20圓滑地進行回收。
第6(a)圖係表示邊將基板P向+X方向移動,邊將設置於基板P上之第1照射區域(例如,第5圖之S1、S3等)進行曝光處理之際,液體1之流動示意圖。在第6(a)圖中,對投影光學系統PL和基板P間之空間,從供應嘴13A、14A同時供應液體1,藉此以含有投影區域AR1的方式形成浸液區域AR2。此處,對投影區域AR1,從設置於-X側之供應嘴13A所供應之液體1每單位時間之液體量,係設為較從設置於+X側之供應嘴14A所供應之液體1每單位時間之液體量為多,故從供應嘴13A所供應之液體1係被拉伸至朝+X方向移動之基板P,圓滑地配置於投影光學系統PL和基板P間之空間。又,從供應嘴13A、14A向外側流出之液體1係從回收嘴22A進行回收,能抑制向基板P周圍流出之不良情況的發生。
此處,基板P向+X方向移動,藉此,對投影區域AR1,向+X側移動之液體量增加,在+X側,設置液體回收位置之回收嘴22A會有無法全部回收液體1的情形。但是,如第6(a)圖所示,無法以+X側之回收嘴22A完全回收之液體1係從該液體回收位置,以設置於+X側之捕集構件30之捕集面31來進行捕集,故不會向基板P之周圍等流出或飛散。此處,捕集面31係對液體1進行親液化處理,而且,因具有較基板P之表面為高之液體親和性,故欲從回收嘴22A之液體回收位置向外側流出之液體1不被拉伸到基板P側,而被拉伸到捕集面31側。藉此,能抑制在基板P上殘留液體1等不良情況之發生。
此處,捕集面31係以包含投影區域AR1之浸液區域AR2為基準愈向外側愈朝上方向傾斜,故能更有效防止液體1向外部流出。即,藉由朝上方向傾斜,相較於基板P和投影光學系統PL間之第1體積(對應基板P之單位面積之體積),基板P和捕集面31間之第2體積較大,故欲流出之液體1係圓滑地保持於第2之體積部分。又,朝上方向傾斜,藉此欲向外側流出之流體能係沿著捕集面31朝上方向移動而轉換為位能,藉此能有效防止液體1向外側流出。
又,從設置於+X側之供應嘴14A所供應之液體量,係設為較從設置於-X側之供應嘴13A所供應之液體量為少。即,從位於較供應嘴13A更靠近+X側之回收嘴22A之供應嘴14A之液體供應量設定為較少,故即使液體1被拉伸至向+X側移動之基板P,欲從基板P之+X側向外部流出之液體量受到抑制。
在第1照射區域之曝光處理完成後,因控制裝置CONT將投影光學系統PL之投影區域AR1配置於與該第1照射區域不同之第2照射區域,故步進移動基板P。具體而言,例如,對照射區域S1之掃描曝光處理結束後,為了對照射區域S2進行掃描曝光處理,控制裝置CONT係在基板P上之2個照射區域S1、S2間,向Y軸方向步進移動。此時,液體供應機構10係使基板P上之2個照射區域間之步進移動中之液體1之供應量與照射區域之曝光中之供應量不同。具體而言,控制裝置CONT,係使步進移動中來自液體供應機構10之對基板P上之每單位時間之液體供應量,較照射區域之掃描曝光中之液體供應量為少。藉此,能抑制在步進移動中無助於曝光處理之對基板P之液體供應量,能抑制曝光處理全體(基板P載置於基板載台PST,對所有照射區域S1~S12之曝光處理結束後,從基板載台PST卸下為止)之液體使用量。如此,控制裝置CONT,係按照構成曝光處理執行動作之一部份之基板P之移動動作(步進移動或掃描移動),來改變各第1、第2液體供應部11、12每單位時間之液體供應量。
此處,液體供應機構10係在基板P之步進移動中,雖減低液體1之每單位時間之供應量,但維持(繼續)液體1之供應動作。即,液體供應機構10係藉由改變照射區域來改變掃描方向,或在步進移動時,也維持(繼續)來自供應嘴13A、14A之液體供應動作。如此,當液體供應機構10依序曝光基板P上之複數個照射區域時,從設置於複數個位置之供應嘴13A、14A持續供應液體1,未按照掃描方向來改變液體供應位置,步進移動時亦不改變液體供應位置。換言之,液體供應機構10係在對1片基板P之一連串曝光處理動作結束前(基板P載置於基板載台PST,對所有照射區域S1~S12之曝光處理結束後,從基板載台PST卸下為止),從複數個位置持續供應液體1。藉此,能防止因液體1之供應及停止所造成之液體振動(水錘現象)。
第6(b)圖係表示邊將基板P朝-X方向移動,邊將設定於基板P上之第2照射區域(例如,第5圖之S2、S4等)進行曝光處理之際,液體1之流動示意圖。在第6(b)圖中,對投影光學系統PL和基板P間之空間,從供應嘴13A、14A供應液體1,藉此,以含有投影區域AR1的方式形成浸液區域AR2。此處,對投影區域AR1,從設置於+X之供應嘴14A所供應之液體1之每單位時間之液體量,係設為較設置於-X側之供應嘴之供應嘴13A所供應之液體1之每單位時間之液體量為多,故從供應嘴14A所供應之液體1係被拉伸到朝-X方向移動之基板P,圓滑地配置於投影光學系統PL和基板P間之空間。如此,控制裝置CONT係按照構成曝光處理執行動作一部份之基板P之移動方向(移動動作),來改變各第1、第2液體供應部11、12之每單位時間之液體供應量。又,欲從供應嘴13A、14A向外側流出之液體1係從回收嘴22A進行回收,能抑制欲向基板P周圍流出之不良情況產生。
此處,藉由基板P朝-X方向移動,使被+X側之捕集面31所捕集之液體1係沿著捕集面31下降,從液體回收機構20之回收嘴22A進行回收。藉此,能確實防止液體1之殘留或向外部流出。並且,隨著向基板P之-X側之移動,增加朝-X側移動之液體量,藉此,即使無法以-X側之回收嘴22A全部回收液體1,亦能如第6(b)圖所示般,從該液體回收位置以設置於-X側之捕集構件30之捕集面31來捕集液體1。
又,此處,捕集面31係對投影區域AR1愈向外側愈朝上方向傾斜般形成,但即使水平(0度)亦可。另一方面,若捕集面31朝下方向傾斜,則欲向外側流出之流體能無法轉換為位能,而且,當朝反方向移動基板P之際,液體1係無法以沿著捕集面31下降的方式移動至回收嘴22A,故無法以回收嘴22A圓滑地回收液體1。因此,較佳係捕集面31為水平面(0度)或朝上方向之傾斜面。
又,當對基板P上之每單位時間之液體供應量多之情形或掃描速度為高速之情形,因欲向外側流出之液體量也變多,故捕集面31之傾斜角度也按照這些液體供應量及掃描速度來設定為最佳角度。即,液體供應量多之情形或掃描速度為高速之情形,將捕集面31之傾斜角度設定大。另一方面,若捕集面31之傾斜角度太大,則會有在捕集面31無法完全捕集(保持)液體1。此處,藉由親液化處理來加強親液性,藉此捕集面31之液體保持力變大,故增大傾斜角度之情形,變更親液化處理之處理條件,對捕集面31賦與最佳之親液性,藉此即使增大傾斜角度,也能保持液體1。因此,捕集面31之傾斜角度係根據液體供應量、掃描速度、及液體之材料特性(捕集面之液體親和性)等各參數來設成最佳角度。
又,本實施形態之回收構件22具有:圓環狀連續形成之回收嘴22A、設置於回收嘴22A內部之隔離構件23、及被該隔離構件23所分割之複數個分割空間24,在集合複數個分割空間24之歧管部25透過回收管21A連接液體回收部21。藉此,由於包含真空泵等所構成之液體回收部21可設置1個,故能簡化裝置構成。此處,在回收構件22周方向之各位置,會發生用來回收液體1之吸引負載不同之狀態,因此,液體回收部21之吸引力降低,會有無法圓滑地進行回收動作的情形。但是,藉由設置隔離構件23,能圓滑地進行回收動作。即,例如,起因於液體1之流動,在回收構件22之中,在+X側之回收嘴22A僅回收(吸引)液體1,而在-X側之回收嘴22A會發生包含空氣(嚙入)吸引之狀態。這種情形,在-X側之回收嘴22A之空氣嚙入區域擴大,如本實施形態般,在以單一系統之液體回收部21來回收液體1之情形,由於嚙入空氣而產生構成液體回收部21之真空泵之吸引力降低之不良情況。然而,由於在連續形成之回收嘴22A內部(內部空間22H)設置隔離構件23,且設置彼此獨立之分割空間24,對嚙入空氣之區域能空間性地分離只吸引液體1之區域,故能防止空氣嚙入區域擴大、因所嚙入之空氣產生降低液體回收部21之吸引力之不良情況,藉此,液體回收部21即使係單一系統,液體回收機構20也能圓滑地回收液體1。
如以上說明,為了形成浸液區域AR2,對在投影區域AR1之複數個不同方向上之複數個位置(從投影區域AR1之彼此不同之複數側),設置同時進行基板P上之液體1之供應之液體供應機構10,故基板P即使朝包含掃描方向(±X方向)及步進方向(±Y方向)之複數個方向移動的情形,亦能在投影光學系統PL和基板P之間經常圓滑且良好地形成浸液區域AR2。因此,能在高解析度及大焦點深度之狀態下進行曝光處理。
當依序曝光處理基板P上之複數個照射區域之際,由於藉由液體供應機構10,從複數個位置持續供應液體1,故能防止液體1之供應及停止所產生之液體振動(水錘現象),藉此能防止轉印之圖案劣化。
又,液體供應機構10係從供應嘴13A、14A,從投影區域AR1之掃描方向兩側供應液體1,故所供應之液體1朝沿掃描方向移動之基板P拉伸的方式而於投影區域AR1擴大潤濕,因此浸液區域AR2能以包含投影區域AR1的方式圓滑地形成。又,在本實施形態,由於液體供應機構10對掃描方向,使從投影區域AR1前方供應之液體量,設為較從其相反側供應之液體量為多,因此供應至基板P上之液體1,係朝移動之基板P拉伸,且沿著基板P之移動方向流動,而圓滑地配置成能引入投影光學系統PL和基板P間之空間。因此,從液體供應機構10所供應之液體1,即使該供應能小,也能圓滑地配置於投影光學系統PL和基板P之間,而能良好地形成浸液區域AR2。並且,按照掃描方向來變更從各供應嘴13A、14A所供應之液體量,而能切換液體1所流之方向,藉此,當沿+X方向或-X方向之任一方向掃描基板P之情形,亦能在投影光學系統PL和基板P之間圓滑地形成浸液區域AR2,能得到高解析度及大焦點深度。
又,液體回收機構20之回收構件22係以圍繞投影區域AR1及供應構件13、14的方式形成圓環狀,在投影區域AR1之複數個不同方向上之複數個位置(從投影區域AR1之不同之複數側),同時進行基板P上之液體1之回收,能確實防止發生液體1向基板P外側流出或飛散等不良情況。即,液體回收機構20係在有關一片基板P之一連串曝光處理動作結束前(對基板P上之全部照射區域S1~S12之曝光處理結束後,形成浸液區域AR2之液體1之回收完成前),從以圍繞投影區域AR1的方式形成之回收嘴22A持續進行回收動作,故在基板P之一連串曝光處理動作中,即使液體1朝任一方向擴大潤溼,也能良好地回收液體1。又,在基板P之一連串曝光處理動作中,因不必使從回收嘴22之液體吸引停止,故能抑制伴隨由此之振動所造成影響。
又,設置捕集液體回收機構20所無法完全回收之液體1之捕集構件30,藉此能防止發生液體1向基板P外側流出或飛散等不良情況。並且,在本實施形態中,捕集面31係把液體1沿著基板P外側最容易流出之掃描方向(X軸方向)之方向當作長邊方向形成俯視橢圓形狀,故能防止液體1向外部流出。又,在捕集面31,施以提高與液體1之親和性之親液化處理,故能良好地捕集欲流出之液體1。又,以使捕集面31之液體親和性較基板P表面之液體親和性為高的方式來進行表面處理,故欲向外部流出之液體1不會附著於基板P而被捕集面31捕集,故能防止在基板P之表面發生殘留液體1之不良情況。又。捕集面31係對投影區域AR1愈向外側愈朝上方向傾斜,故能良好地捕集欲向外部流出之液體1,而且,當基板P之掃描方向成為反方向之際,所捕集之液體1係於捕集面31下方傳送,故能以連接於捕集面31之回收嘴22A良好地回收。
又,從液體供應機構10,與投影光學系統PL之前端液體接觸面2a之親和性係較與塗布於基板P表面之感光材料之親和性為高,因將液體(水)1供應作為浸液曝光用,故能用液體1確實填滿投影光學系統PL和基板P間之光路,並且,供應於基板P上之液體1被圓滑地回收,故能防止液體1之流出或飛散等不良情況。
又,本實施形態,當從投影區域AR1之掃描方向兩側供應液體1之際,從掃描方向前方所供應之液體量雖較其相反側所供應之液體量為多,但亦可使從投影區域AR1兩側所供應之液體1同量。在此情形,在切換掃描方向之際,因亦不會產生液體1之供應量變動,故能更確實防止發生水錘現象。另一方面,邊供應液體1,邊按照掃描方向來變化從投影區域AR1之掃描方向兩側所供應之液體量,藉此不僅能抑制水錘現象之發生,而且能抑制液體1之使用量。
又,本實施形態,對1片基板P之曝光處理動作中,雖係持續供應來自供應嘴13A、14A之液體1之構成,但也可在途中停止。例如,也可係在沿+X側掃描移動基板P之際,停止來自供應嘴14A之液體供應,只從供應嘴13A供應液體1之構成,也可係在沿-X側掃描移動基板P之際,停止來自供應嘴13A之液體供應,只從供應嘴14A供應液體1之構成。並且,基板P之步進移動時,液體供應機構10也可係對基板P停止供應液體1之構成。這種情形,當開始掃描曝光之際,也可用既定時間進行液體1之供應,待液體振動被穩定後,再掃描曝光。藉由這種構成,能抑制液體1之使用量。另一方面,藉由持續供應液體1,由於不必設定液體振動穩定前之等待時間,故能提高生產量。
本實施形態,液體供應嘴10之供應嘴13A、14A雖對投影區域AR1,設置於掃描方向兩側之構成,惟亦可例如以圍繞全部投影區域AR1之周圍的方式,即,亦可在投影區域AR1之非掃描方向兩側設置供應嘴(供應構件)。並且,也可從以圍繞投影區域AR1的方式設置之各供應嘴,將液體1供應於基板P上。此處,對投影區域AR1,在掃描方向之各兩側和非掃描方向之各兩側設置供應嘴之際,即,以圍繞投影區域AR1的方式設置彼此獨立之4個供應嘴之際,邊沿掃描方向移動基板P,邊進行曝光處理之際,也可從所有之4個供應嘴供應液體1,也可只從設置於掃描方向兩側之供應嘴供應液體1,而停止(或少量供應)從設置於非掃描方向兩側之供應嘴供應液體。並且,當朝非掃描方向移動基板P時,也可從設置於非掃描方向兩側之供應嘴供應液體。或亦可以圍繞投影區域AR1的方式設置環狀之供應構件,透過該供應構件將液體1供應於基板P上之構成。這種情形,因將液體1送出至供應構件之液體供應部也可為1個,故能簡化裝置構成。另一方面,如上述實施形態般,對投影區域AR1,若在掃描方向兩側有供應嘴13A、14A,則能將投影區域AR1充分設定於浸液區域AR2,能抑制液體1之使用量。
又,本實施形態,液體供應機構10之供應嘴13A、14A係對投影區域AR1,設置於掃描方向兩側之構成,但投影光學系統PL和基板P間之曝光用光之曝光係以液體1充分填滿之情形,也可從配置於投影區域AR1附近之1處供應嘴來供應液體。這種情形,也在1片基板P上之全部照射之曝光結束前,從該1處之供應嘴持續供應液體,藉此能抑制產生水錘現象,並且能抑制液體1之使用量。
又,上述實施形態,第1、第2供應構件13、14和回收構件22雖係分離,惟第1、第2供應構件13、14和回收構件22也可連接,也可在第1、第2供應構件13、14和回收構件22之間設置用以連接該等之連接構件。又,上述實施形態,供應構件13、14之內部流路13H、14H和回收構件22之內部流路22H係對基板P之表面垂直的方式來加以說明,但也可傾斜。例如,也可將供應構件13、14之內部流路13H、14H(或供應嘴13A、14A)朝投影區域AR1側般設置。並且,也可對供應嘴13A、14A和回收構件22之回收嘴22A之基板P表面,距離(高度)不同般設置。
又,包含供應構件13、14之液體供應機構10、及包含回收構件22之液體回收機構20,較佳係用投影光學系統PL及支持該投影光學系統PL之支持構件以外之支持構件來支持。藉此,能防止液體供應機構10或液體回收機構20所發生之振動傳達於投影光學系統PL。又,相反地,使投影光學系統PL和供應構件13、14無間隙地接觸,藉此,也能期待防止大氣混入液體1之效果。
以下,針對本發明之另一實施形態加以說明。此處,在以下之說明中,針對與上述之實施形態相同或同等之構成部分,附上同一符號,將該說明予以簡化或省略。
上述實施形態之液體回收機構20係具備1個液體回收部21、及回收構件22(具有回收嘴22A,透過回收管21A連接於該液體回收部21,連續形成圓環狀)之構成,但也可設置複數個液體回收部。藉此,能抑制在回收嘴22A之各回收位置之回收力的偏差。又,控制裝置CONT也可使該複數個分別之液體回收部之回收力按照液體回收位置而不同。邊參照第7圖,邊將此部分加以說明。
第7圖係表示本發明之另一實施形態之圖,表示液體回收機構20之另一例之俯視示意圖。在第7圖中,液體回收機構20係具備:第1液體回收部26、第2液體回收部27、第1回收構件28(透過回收管26A連接於該第1液體回收部26)、及第2回收構件29(透過回收管27A連接於該第2液體回收部27)。各第1、第2回收構件28、29,係形成俯視大致圓弧狀,第1回收構件28係配置於投影區域AR1之-X側,另一方面,第2回收構件29係配置於投影區域AR1之+X側。又,第1、第2回收構件28、29係與上述實施形態同樣,具備朝基板P側之回收嘴、和設置於其內部之隔離構件。又,第1、第2液體回收部26、27之回收動作係藉由控制裝置CONT,分別獨立進行。
在將基板P上之照射區域掃描曝光之際,控制裝置CONT係從液體供應機構10,將液體1供應於基板P上,並且,在液體回收機構20中,分別驅動第1、第2液體回收部26、27,回收基板P上之液體1。此處,控制裝置CONT係將液體回收機構20之液體回收力控制成按照液體回收位置而不同。具體而言,控制裝置CONT係對掃描方向 將投影區域AR1前方之每單位時間之液體回收量(回收力)設為較其相反側之液體回收量減為少。即,增多掃描方向前方側(液體1流動之下流側)之液體回收力。具體而言,當基板P朝+X方向移動時,對投影區域AR1,於設置於+X側之第2回收構件29(第2液體回收部27)之回收力係設為較設置於-X側之第1回收構件28(第1液體回收部26)之回收力為大。藉此,不僅能防止液體1向外部流出,而且能圓滑地進行基板P上之液體回收動作。
又,上述實施形態,雖係同時進行採用第1、第2液體回收部26、27之液體回收動作,但也可係分別進行之構成。例如,當基板P朝+X方向移動時,對投影區域AR1,可僅藉由設置於+X側之第2回收構件29(第2液體回收部27)進行液體回收動作,而使藉由第1回收構件28(第1液體回收部26),之液體回收動作停止。這種情形,因液體1係主要在+X側流動,故只藉由第2液體回收部27之回收動作也能回收液體1。
又,上述各實施形態,液體回收機構20之回收構件係以圍繞全部投影區域AR1的方式配置,但也可只位於投影區域AR1之掃描方向兩側之構成。
又,上述各實施形態,液體回收機構20之回收構件係以圍繞投影區域AR1的方式連續形成,但如第8圖所示,也可係間斷性地配置複數個回收構件22D之構成。同樣地,關於液體供應機構10,也可係間斷性地配置複數個供應構件13D、14D之構成。這種情形,也以圍繞投影區域AR1的方式形成之回收嘴持續性地進行回收動作,故液體1即使在任一方向擴大潤溼,也能良好地回收液體1。
又,在設置複數個液體回收機構20之回收構件之情形等,液體回收機構20係對投影區域AR1,在離掃描方向之位置之液體回收力(每單位時間之液體回收量),設為較與此另一位置、具體而言係離非掃描方向之位置之液體回收力為大,藉此,當進行掃描曝光之際,能圓滑地回收基板P上之液體1。
又,對被隔離構件23分割之各分割空間24,係透過回收管分別連接具有真空泵等之複數個液體回收部,個別控制這些複數個液體回收部之回收動作,藉此,也可按照液體回收位置而使回收力不同。又,在各分割空間24,並非個別連接液體回收部,而係以複數個回收管來連接1個液體回收部和複數個分割空間24,在各回收管設置閥,藉由調整閥之開度,按照液體回收位置而使回收力不同。並且,藉由變更該複數條回收管之長度,也能藉壓力損失而使各分割空間24之回收力不同。
又,上述各實施形態,液體供應機構10係俯視大致圓弧狀,如第9圖所示,也可係直線狀。此處,第9圖所示之俯視直線狀之供應構件13、14係分別設置於投影區域AR1之掃描方向兩側。同樣地,液體回收機構20之回收構件22也不限定於圓環狀,也可如第9圖所示之矩形狀。
如第10(a)圖所示,亦可在液體供應機構10之供應構件13(14)之內部流路13H(14H)設置多孔質體40。或如第10(b)圖所示,設置隔離構件41,形成狹縫狀之流路。藉此,能將從供應構件13(14)供應於基板P上之液體1整流,能抑制基板P上產生亂流,且能抑制液體振動不良情況之發生。
上述各實施形態,捕集構件30(捕集面31)係俯視橢圓形狀般加以說明,但也可係圓形狀或矩形狀。另一方面,因液體1容易流出之處係投影區域AR1之掃描方向兩側,故如上述實施形態般,將捕集構件30作成橢圓形狀,藉此能良好地捕集欲流出之液體1。又,上述實施形態,捕集構件30(捕集面31)係橢圓形狀,在回收構件22之液體回收位置外側全部,以圍繞回收構件22的方式設置之構成,但例如能只設置於投影區域AR1之掃描方向兩側,對投影區域AR1,能作成不設置於離非掃描方向之位置之構成。因液體1容易流出之處係掃描方向兩側,故即使只在投影區域AR1之掃描方向兩側設置捕集構件30,也能捕集欲流出之液體1。又,捕集面31之傾斜角度也可按照其位置而不同來加以設定。例如,在捕集面31中,也可將投影區域AR1之掃描方向兩側附近之傾斜角度設成較其他部分為大。又,捕集面31不需為平面,例如也可係組合複數個平面之形狀。
第11圖係表示捕集構件30之捕集面31之另一實施形態之圖。如第11圖所示,捕集面31也可係曲面狀。具體而言,如第11圖所示,捕集面31也可係截面視呈例如2次曲線狀或圓弧狀。此處,捕集面31較佳係膨出於基板側P之曲面。即使這種形狀,也能良好捕集液體1。
或如第12圖所示,也可對捕集面31施以表面積擴大處理,具體施以粗面處理,藉此,捕集面31之表面積擴大,能更進一步良好地捕集液體1。又,粗面處理不需在捕集面31之全面,在捕集面31中,例如也可係只在沿著掃描方向之部分區域施以粗面處理之構成。
如第13圖所示,也可藉由葉片構件32來構成捕集構件30。在第13圖中,葉片構件32係側視圖大致三角形狀,與基板P對向之邊(下邊)係對投影區域AR1愈朝外側愈朝上方向傾斜。並且,這些複數個葉片構件32係在回收構件22之外側面,以使該長邊方向朝向外側的方式安裝成輻射狀。此處,複數個葉片構件32彼此間係隔離,在各葉片構件32間形成空間部33。無法以回收部22完全回收之液體1係在葉片構件32間之空間部33利用表面張力來捕集,藉此能防止液體1向基板P外部流出。
又,複數個葉片構件32也可以等間隔來設置,也可係非等間隔。例如,也可將沿著掃描方向之位置所設置之葉片構件32之間隔,設為較沿著非掃描方向之位置所設置之葉片構件32之間隔為小。又,複數之各葉片構件32之長度(輻射方向之尺寸)也可相同,也可將沿著掃描方向之位置所設置之葉片構件32之長度,設為較此以外之位置所設置之葉片構件32為長。又,在捕集構件30中,也能藉由葉片構件來構成部分區域,而以捕集面來構成剩餘之區域。並且,也可係在參照第4圖等所說明之捕集面31,安裝葉片構件32之構成。又,較佳係也對葉片構件32之表面,事先施以提高與液體1之親和性的親液化處理。
在上述各實施形態中,當對捕集面31(或葉片構件32)施以親液化處理之情形,也可使該捕集面31之親液性具有分布。換言之,針對表面處理面上之複數個區域能進行表面處理,俾使液體之接觸角分別成為不同之值。例如,在捕集面31中,對投影區域AR1,也可使外側之部分區域之親液性設為較內側之區域為低。而且,不必將捕集面31之全部進行親液化處理,例如,也可係將沿著掃描方向之部分區域進行親液化處理之構成。
又,上述實施形態,係對捕集面31施以親液化處理加以說明,但在液體供應機構10或液體回收機構20中,即使對液體1所流之流路表面也能施以親液化處理。特別係在液體回收機構20之回收構件22,預先施以親液化處理,藉此,能圓滑地進行液體回收。或是,對包含接觸液體1之鏡筒PK之投影光學系統PL之前端部,也能施以親液化處理。又,當在光學元件2形成薄膜之情形,因係配置於曝光用光EL之光路上者,故對曝光用光EL,係由具有透過性之材料所形成,該膜厚亦設定在能使曝光用光EL透過之程度。
又,表面處理用之薄膜也可係單層膜,也可係由複數層所構成之膜。又,若該形成材料也係金屬、金屬化合物、及有機物等,能發揮所欲性能之材料,則能使用任意之材料。
又,也可在基板P之表面,配合與液體1之親和性施以表面處理。又,如上述,較佳係捕集面31之液體親和性較基板P表面之液體親和性為高。
其次,邊參照第14圖,邊針對本發明之液體供應機構10及液體回收機構20之另一實施形態加以說明。
在第14圖中,液體供應機構10係具備:第1液體供應部11及第2液體供應部12、第1供應構件13(對投影區域AR1,設置於掃描方向一方側(-X側))、第2供應構件14(設置於掃描方向另一方側(+X側))、第1供應管41(連接第1液體供應部11和第1供應構件13)、第2供應管42(連接第2液體供應部12和第2供應構件14)。第1、第2供應構件13、14係與參照第2圖及第3圖所說明之實施形態同樣,分別具備:內部流路13H、14H、和形成於內部流路下端部之供應嘴13A、14A,形成俯視大致圓弧狀。
連接第1液體供應部11和第1供應構件13之第1供應管41,係具有直管部43和狹縫管部44。直管部43之一端部係連接於第1液體供應部11,直管部43之另一端部係連接於狹縫管部44之一端部。又,狹縫管部44之另一端部係連接於第1供應構件13之內部流路13H之上端部。狹縫管部44之一端部係形成與直管部43大致相同之大小,另一端部係形成與第1供應構件13之上端部大致相同之大小。並且,狹縫管部44係從一端部向另一端部,朝水平方向逐漸擴大的方式形成俯視大致三角形狀,形成於狹縫管部44之狹縫狀之內部流路44H係從一端部向另一端部,朝水平方向逐漸擴大的方式形成。
同樣地,連接第2液體供應部12和第2供應構件14之第2供應管42,係具有直管部45和狹縫管部46。直管部45之一端部係連接於第2液體供應部12,直管部45之另一端部係連接於狹縫管部46之一端部。又,狹縫管部46之另一端部係連接於第2供應構件14之內部流路14H之上端部。狹縫管部46之一端部係形成與直管部45大致相同之大小,另一端部係形成與第2供應構件14之上端部大致相同之大小。並且,狹縫管部46係從一端部向另一端部,朝水平方向逐漸擴大的方式形成俯視大致三角形狀,形成於狹縫管部46之狹縫狀之內部流路46H係從一端部向另一端部,朝水平方向逐漸擴大的方式形成。
液體回收機構20係具備:回收構件22(形成俯視環狀)、複數個液體回收部61~64、複數個回收管71~74(分別連接回收構件22和液體回收部61~64)。在本實施形態中,液體回收部係由4個第1~第4液體回收部61~64所構成,為了對應這些液體回收部,回收管係由4個第1~第4回收管71~74所構成。回收構件22係與參照第2圖及第3圖所說明之實施形態同樣,具備環狀之內部流路22H和形成於內部流路下端部之回收嘴22A。又,在第14圖所示之實施形態之內部流路22H中,未設置隔離構件23。液體回收機構20之回收構件22係配置於液體供應機構10之第1、第2供應構件13、14外側。
在複數個液體回收部中,連接第1液體回收部61和回收構件22之第1回收管71係具有直管部75和狹縫管部76。直管部75之一端部係連接於第1液體回收部61,直管部75之另一端部係連接於狹縫管部76之一端部。又,狹縫管部76之另一端部係連接於回收構件22之內部流路22H之上端部。此處,狹縫管部76之一端部係形成與直管部75大致相同之大小。另一方面,狹縫管部76之另一端部係形成圓環狀之回收構件22之上端部大致約1/4之大小。並且,狹縫管部76係從一端部向另一端部,朝水平方向逐漸擴大的方式形成俯視大致三角形狀,形成於狹縫管部76之狹縫狀之內部流路76H係從一端部向另一端部,朝水平方向逐漸擴大的方式形成。
同樣地,連接第2液體回收部62和回收構件22之第2回收管72係具有直管部77和狹縫管部78。狹縫管部78之一端部係形成與直管部77大致相同之大小。另一方面,狹縫管部78之另一端部係形成圓環狀之回收構件22之上端部大致1/4之大小。並且,狹縫管部78係形成俯視大致三角形狀,形成於狹縫管部78之狹縫狀之內部流路78H係從一端部向另一端部,朝水平方向逐漸擴大的方式形成。又,連接第3液體回收部63和回收構件22之第3回收管73係具有直管部79和狹縫管部80。連接第4液體回收部64和回收構件22之第4回收管74係具有直管部81和狹縫管部82。並且,狹縫管部80、82之另一端部係分別形成於圓環狀之回收構件22之上端部大致1/4之大小。並且,狹縫管部80、82係分別形成俯視大致三角形狀,形成於狹縫管部80、82之狹縫狀之內部流路80H、82H係從一端部向另一端部,朝水平方向逐漸擴大的方式形成。
在構成液體供應機構10及液體回收機構20之構件中,液體流通之構件,具體而言,供應管41、42及回收管71~74係如上述般,也可由聚四氟化乙烯等合成樹脂來形成,例如也可由不銹鋼或鋁等金屬來形成。在本實施形態中,液體流通之構件係金屬製。特別係在液體供應機構10及液體回收機構20中,以鋁當作構成液體流路之構件,藉此,因鋁與液體(水)之接觸角小,故能圓滑地流通液體。又,雖未表示於第14圖,但在液體回收機構20回收構件之周圍,和先前之實施形態同樣,設置捕集構件30。
其次,針對液體供應機構10及液體回收機構20之動作加以說明。為了形成浸液區域AR2,控制裝置CONT係分別驅動液體供應機構10之第1、第2液體供應部11、12。從各第1、第2液體供應部11、12所送出之液體1係分別流通於第1、第2供應管41、42後,透過第1、第2供應構件13、14供應於基板P上。此處,從第1液體供應部11所送出之液體1係流通第1供應管41之直管部43後,流通狹縫管部44,藉此朝水平方向(橫方向)擴散,在狹縫管部44之另一端部,擴散到第1供應構件13之內部流路13H(供應嘴13A)之大致Y軸方向之大小後,透過第1供應構件13之內部流路13H供應於基板P上。藉此,液體1係在把Y軸方向當作長邊方向之大致圓弧狀之供應嘴13A之各位置,以大致均勻的液體供應量供應於基板P上。同樣地,從第2液體供應部12所送出之液體1也流通第2供應管42之直管部45後,通過狹縫管部46,朝水平方向(橫方向)擴散後,供應於第2供應構件14,在供應嘴14A之各位置,以大致均勻的液體供應量供應於基板P上。
即,參照第2圖及第3圖所說明之實施形態,因供應管11A全部由直管所構成,故若從該直管之供應管11A,將液體直接供應於把Y軸方向當作長邊方向之第1供應構件13,則因該流路面積之不同,故在第1供應構件13之供應嘴13A之長邊方向中央部,即供應管11A之下方位置之液體供應量、和供應嘴13A之長邊方向端部,即與供應管11A分離位置之液體供應量產生差異,液體供應量在供應嘴13A之各位置會有不均勻的情形。具體而言,供應嘴13A之長邊方向中央部(供應管11A之下方位置)之液體供應量係較供應嘴13A之長邊方向端部(與供應管11A分離之位置)之液體供應量為多,無法供應均勻的液體,浸液區域AR2可能變成不均勻。但是,當從第1液體供應部11,將液體1供應於把Y軸方向當作長邊方向之第1供應構件13(供應嘴13A)之際,按照第1供應構件13之大小來設定供應管41之至少其一部份之流路之大小,如本實施形態般,在朝第1供應構件13之水平方向,具有將供應管41之一部份逐漸擴大之錐狀之內部流路44H之狹縫管部44,藉此,把Y軸方向當作長邊方向之第1供應構件13之供應嘴13A之各位置,能以大致均勻的液體供應量將液體1供應於基板P上。同樣地,從第2液體供應部12所送出之液體1亦透過第2供應管42及第2供應構件14均勻地供應於基板P上。
又,控制裝置CONT係分別驅動液體回收機構20之第1~第4液體回收部61~64,透過回收構件22及第1~第4回收管71~74回收基板P上之液體1。各第1~第4液體回收部61~64係透過第1~第4回收管71~74,吸引基板P上之液體1來進行回收。並且,基板P上之液體1係在圓環狀之回收構件22之回收嘴22A之各位置,以大致均勻之回收量(回收力)來進行回收。
即,與上述同樣,若直接連接直管之回收管和回收構件22,則因該流路面積不同,在回收嘴22A之各位置之液體回收量(回收力)產生差異,液體回收量在回收嘴22A之各位置會有不均勻的情形。例如,在回收管下方位置之液體回收量係較下方以外位置之液體供應量為多,無法進行均勻的液體回收,浸液區域AR2可能產生不均勻。但是,如本實施形態般,在朝回收構件22之水平方向,具有將回收管之一部份逐漸擴大之錐狀內部流路之狹縫管部76、78、80、82,藉此,在圓環狀之回收構件22之回收嘴22A之各位置,能以大致均勻之液體回收量回收基板P上之液體。
因此,在供應嘴13A、14A之各位置能均勻地供應液體,並且,在回收嘴22A之各位置能均勻地進行回收,故能形成均勻的浸液區域AR2。
參照第14圖所說明之實施形態,狹縫管部44(46)之內部流路44H(46H)係空洞狀,但如第15圖所示,也可在構成液體供應機構10之供應管41(42)一部份之狹縫管部44(46)之內部流路44H(46H),沿著液體1之流通方向(從狹縫管部之一端部向另一端部),設置複數個葉片構件85。藉此,將液體1加以整流後,透過供應構件13(14)供應於基板P上。又,也可將該葉片構件85沿伸至供應構件13(14)之內部流路13H(14H)。又,也可在構成液體回收機構20之回收管之狹縫管部76、78、80、82之內部流路76H、78H、80H、82H,設置葉片構件85。
又,例如,基板P高速進行掃描移動之情形等,在第14圖所示之實施形態中,也無法完全回收基板P上之液體1,基板P上之液體1會有從回收構件22外側流出的情形。這種情形,能使用設置於沿著基板P之掃描方向(X軸方向)位置之俯視大致三角形狀之狹縫管部44、46之下面來作為捕集面,來取代捕集構件30。
又,本實施形態,係對1個回收構件22連接複數條回收管71~74之構成,但為了對應複數條回收管71~74,也可係將複數個回收構件(回收嘴)近接基板P設置之構成。
其次,邊參照第16圖~第19圖,針對本發明之液體供應機構10及液體回收機構20之另一實施形態加以說明。
第16圖係表示本實施形態之液體供應機構10及液體回收機構20之概略立體圖。在第16圖中,液體供應機構10係具備:第1(第2)液體供應部11(12)、第1(第2)供應管41(42)(分別連接第1、第2液體供應部11、12)。液體回收機構20係具備:第1~第4液體回收部61~64、第1~第4液體回收管71~74(分別連接第1~第4液體回收部61~64)。並且,在第1、第2供應管41、42之各一端部連接第1、第2液體供應部11、12,另一端部係連接於由流路形成構件90所形成之後述之供應流路。第1~第4液體回收管71~74之各一端部係連接於第1~第4液體回收部61~64,另一端部係連接於由流路形成構件90所形成之後述之回收流路。
流路形成構件90係具備:第1構件91、第2構件92(配置於第1構件91之上部)、第3構件93(配置於第2構件92之上部)。流路形成構件90係以圍繞投影光學系統PL的方式配置,構成該流路形成構件90之各第1~第3構件91~93係用同一外形尺寸之矩形板狀構件,在其中央部,具有能配置投影光學系統PL之孔部91A~93A。孔部91A~93A係以彼此連通的方式形成。又,第1、第2供應管41、42係在第1~第3構件中連接於最上層之第3構件93,第1~第4回收管7L~74係連接於中層之第2構件92。
第17圖係表示在第1~第3構件中,配置於最下層之第1構件91之立體圖。第1構件91係具備:第1供應孔部94A,形成於投影光學系統PL之-X側,且形成有將液體1供應於基板P之供應嘴;及第2供應孔部95A,形成於投影光學系統PL之+X側,且形成有將液體1供應於基板P之供應嘴。第1供應孔部94A及第2供應孔部95A係分別形成俯視大致圓弧狀。進而,第1構件91係具備:第1回收孔部96A,形成於投影光學系統PL之-X側,且形成有回收基板P上之液體的回收嘴;第2回收孔部97A,形成於投影光學系統PL之-Y側,且形成有回收基板P上之液體的回收嘴;第3回收孔部98A,形成於投影光學系統PL之+X側,且形成有回收基板P上的液體之回收嘴;及第4回收孔部99A,形成於投影光學系統PL之+Y側,且形成有回收基板P上的液體之回收嘴。各第1~第4回收孔部96A~99A係形成俯視大致圓弧狀,沿著投影光學系統PL周圍大致等間隔設置。又,各回收孔部96A~99A係設於較供應孔部94A、95A更靠投影光學系統PL外側。
第18圖係表示在第1~第3構件中,配置於中層之第2構件92之立體圖,第18(a)圖係從上側所見之立體圖,第18(b)圖係從下側往上看之立體圖。第2構件92係具備:第3供應孔部94B,形成於投影光學系統PL之-X側,連接於第1構件91之第1供應孔部94A;及第4供應孔部95B,形成於投影光學系統PL之+X側,連接於第1構件91之第2供應孔部95A。第3、第4供應孔部94B、95B之各形狀及大小係對應於第1、第2供應孔部94A、95A。
進而,第2構件92在其下面具備:第1回收槽部96B,形成於投影光學系統PL之-X側,連接於第1構件91之第1回收孔部96A;第2回收槽部97B,形成於投影光學系統PL之-Y側,連接於第1構件91之第2回收孔部97A;第3回收槽部98B形成於投影光學系統PL之+X側,連接於第1構件91之第3回收孔部98A;及第4回收槽部99B,形成於投影光學系統PL之+Y側,連接於第1構件91之第4回收孔部99A。各第1~第4回收槽部96B~99B以對應於第1~第4回收孔部96A~99A之形狀及大小的方式形成俯視大致圓弧狀,沿著投影光學系統PL周圍大致等間隔設置。又,第1回收管71和第1回收槽部96B係透過錐狀槽部96T來加以連接。錐狀槽部96T係以從對第1回收管71之連接部向第1回收槽部96B沿水平方向逐漸擴大的方式形成。同樣地,第2回收管72和第2回收槽部97B係透過錐狀槽部97T來加以連接,第3回收管73和第3回收槽部98B係透過錐狀槽部98T來加以連接,第4回收管74和第4回收槽部99B係透過錐狀槽部99T來加以連接。
第19圖係表示在第1~第3構件中,配置於最上層之第3構件93之立體圖,第19(a)圖係從上側所見之立體圖,第19(b)圖係從下側往上看之立體圖。第3構件93係具備:第1供應槽部94C,形成於投影光學系統PL之-X側,連接於第2構件92之第3供應孔部94B;第2供應槽部95C,形成於投影光學系統PL之+X側,連接於第2構件92之第4供應孔部95B。第1、第2供應槽部94C、95C之各形狀及大小係對應於第3、第4供應孔部94B、95B(及第1、第2供應孔部94A、95A),形成俯視大致圓弧狀。又,第1供應管41和第1供應槽部94C係透過錐狀槽部94T來加以連接。錐狀槽部94T係從對第1供應管41之連接部向第1供應槽部94C,沿水平方向逐漸擴大的方式形成。同樣地,第2供應管42和第2供應槽部95C係透過錐狀槽部95T來加以連接。
第1~第3構件91~93,係藉由不銹鋼、鈦、鋁、或包含這些之合金等金屬來形成,各構件91~93之孔部和槽部,例如係藉由放電加工來形成。藉由放電加工對各構件91~93進行加工後,使用接著劑、熱壓著法等來接合這些各構件91~93,藉此來形成流路形成部90。將各構件91~93積層並加以接合,藉此來連接(連通)各錐狀槽部94T、第1供應槽部94C、第3供應孔部94B、及第1供應孔部94A,藉此,形成連接(連通)於第1供應管41之供應流路。同樣地,連接(連通)各錐狀槽部95T、第2供應槽部95C、第4供應孔部95B、及第2供應孔部95A,藉此,形成連接(連通)於第2供應管41之供應流路。並且,從各第1、第2液體供應部11、12所送出之液體1係透過第1、第2供應管41、42及上述供應流路供應於基板P上。即,將板狀構件91~93加以積層來形成液體供應流路。
又,連接(連通)各錐狀槽部96T、第1回收槽部96B、及第1回收孔部96A,藉此來形成連接(連通)於第1回收管71之回收流路。同樣地,連接(連通)各錐狀槽部97T、第2回收槽部97B、及第2回收孔部97A,藉此來形成連接(連通)於第2回收管72之回收流路,連接(連通)各錐狀槽部98T、第3回收槽部98B、及第3回收孔部98A,藉此來形成連接(連通)於第3回收管73之回收流路,連接(連通)各錐狀槽部99T、第4回收槽部99B、及第4回收孔部99A,藉此來形成連接(連通)於第4回收管74之回收流路。即,將板狀構件91~93加以積層,藉此來形成液體回收流路。並且,基板P上之液體係透過各上述回收流路、及第1~第4回收管71~74,進行回收。
此時,在各第1、第2供應管41、42,因連接錐狀槽部94T、95T,故與參照第14圖所說明之實施形態同樣,能在把Y軸方向當作長邊方向之供應嘴之各位置,進行液體供應。同樣地,在各回收管71~74,因也連接錐狀槽部,故能以均勻的回收力來回收液體。
又,藉由以各板狀構件之第1~第3構件91~93來形成流路形成構件90,例如在液體回收之際,能以流路形成構件90來加以吸收因嚙入空氣、吸引液體之際所發生之振動。又,對各複數個板狀構件91~93施以放電加工等加工來形成流路之一部份,藉組合這些板狀構件來形成液體之流路,故能容易形成各供應流路及回收流路。
又,在形成流路形成構件90之複數個構件91~93中,在配置於最下層之第1構件91下面之第1~第4回收孔部96A~99A周圍,設置對XY平面傾斜之面,將該面進行親液處理,也可用來作為捕集無法以液體回收機構完全回收之液體之捕集面。又,形成流路形成構件90之構件91~93係四角形之板狀構件,但也可使用圓形之板狀構件,也可在X方向使用長橢圓狀之板狀構件。
又,上述之流路形成構件90係在其內部形成供應流路和回收流路兩者,也可在流路形成構件90內部只設置任何一方。又,也可在供應流路用和回收流路用,分別具備將複數個構件積層來形成之流路形成構件。
其次,針對本發明之另一實施形態加以說明。如上述,包含供應構件13、14之液體供應機構10及包含回收構件22之液體回收機構20,較佳係以投影光學系統PL及支持該投影光學系統PL之支持構件以外之支持構件來支持。以下,針對支持液體供應機構10及液體回收機構20之支持構造,邊參照第20圖邊加以說明。
第20圖係表示液體供應機構10及液體回收機構20之支持構造之概略圖。在第20圖中,曝光裝置EX係具備:支持投影光學系統PL之鏡筒基座(第1支持構件)100;以及支持鏡筒基座100、光罩載台MST、及基板載台PST之主框體(第2支持構件)102。又,在第20圖中,Z載台及XY載台係以一體來圖示。主框體102係在潔淨室等地面上,透過腳部108大致水平設置。在主框體102,形成向內側突出之上側層部102A及下側層部102B。
照明光學系統IL係藉由固定於主框體102上部之支持框體120來支持。在主框體102之上側層部102A,透過防振裝置122來支持光罩基座124。在光罩載台MST及光罩基座124中央部,形成使光罩M之圖案像通過之開口部。在光罩載台MST下面,設置複數個非接觸軸承之空氣軸承126。光罩載台MST係藉由空氣軸承126,非接觸支持於光罩基座124之上面(導引面),藉由光罩載台驅動裝置,在XY平面內能進行2維移動及朝θZ方向能微小旋轉。
在保持投影光學系統PL之鏡筒PK外周設置凸緣104,投影光學系統PL係透過凸緣104,支持於鏡筒基座100。在鏡筒基座100和主框體102之下側層部102B之間,配置包含氣墊式避震器(air mount)等之防振裝置106,支持投影光學系統PL之鏡筒基座100係在主框體102之下側層部102B,透過防振裝置106來支持。藉由該防振裝置106,使鏡筒基座100和主框體102形成振動分離,俾使主框體102之振動避免傳達於支持投影光學系統PL之鏡筒基座100。
在基板載台PST下面,設置複數個非接觸軸承之空氣軸承130。又,在主框體102上,透過包含氣墊式避震器等之防振裝置110來支持載台基座112。基板載台PST係藉由空氣軸承130,對載台基座112之上面(導引面)加以非接觸支持,藉由基板載台驅動裝置在XY平面內能2維移動及朝θZ方向能微小旋轉。而且,基板載台PST沿Z軸方向、θX方向、及θY方向也能移動。藉由該防振裝置110,使載台基座112和主框體102形成振動分離,俾使主框體102之振動避免傳達於非接觸支持基板載台PST之載台基座112。
在基板載台PST上之+X側之既定位置設置移動鏡55,在鏡筒PK之+X側之既定位置設置基準鏡(固定鏡)114。又,在與移動鏡55及基準鏡114對向之位置設置雷射干涉計56。雷射干涉計56係安裝於鏡筒基座100,故雷射干涉計56與液體供應機構10及液體回收機構20形成振動分離。雷射干涉計56係將測長光束(測定光)照射於移動鏡55,並且,將基準光束(基準光)照射基準鏡114。根據所照射之測長光束及基準光束,來自移動鏡55及基準鏡114之各反射光係被雷射干涉計56之受光部受光,雷射干涉計56係干涉這些光,來測量以基準光束之光路長為基準之測長光束之光路長之變化量、及以基準鏡114為基準之移動鏡55之位置資訊(即,基板載台PST之位置資訊)。同樣地,雖未圖示,但在基板載台PST上及鏡筒PK之+Y側,也設置移動鏡及基準鏡,在與這些對向之位置設置雷射干涉計。
又,在鏡筒基座100,用來測量基板P之聚焦位置(Z位置)及傾斜之自動聚焦檢測系統、檢測出基板P上之對準標記之對準系統等、及未圖示之測量系統也被加以支持,這些測量系統之主框體102、液體供應機構10、液體回收機構20亦形成振動分離。
液體供應機構10及液體回收機構20係支持於主框體102之下側層部102B。本實施形態,構成液體供應機構10之第1(第2)供應構件13(14)、構成供應管11A(12A)及液體回收機構20之回收構件22、回收管21A等係藉由支持構件104來支持,該支持構件104係成為連接於主框體102之下側層部102B之構成。又,在第20圖中,供應構件13(14)、回收構件22、供應管11A(12A)、及回收管21A等係被簡化加以圖示。
因此,以與支持投影光學系統PL之鏡筒基座100形成振動分離之主框體102來支持液體供應機構10及液體回收機構20,藉此,使液體供應機構10及液體回收機構20和投影光學系統PL形成振動分離。因此,供應液體之際,或回收液體之際所產生之振動不會透過鏡筒基座100而傳達於投影光學系統PL、雷射干涉計56及自動聚焦檢測系統和對準系統等測量系統。因此,能防止產生因投影光學系統之振動而使圖案像劣化之不良情況,又,因能精度佳地進行基板載台(基板P)之位置控制,故能將圖案像精度佳地投影於基板上,又,以與支持基板載台PST之載台基座112形成振動分離之主框體102,來支持液體供應機構10及液體回收機構20,藉此使液體供應機構10及液體回收機構20和載台基座112形成振動分離。因此,供應液體之際或回收液體之際所產生之振動不會傳達至載台基座112,能防止產生基板載台PST之定位精度或移動精度降低之不良情況。
又,在本實施形態中,雖液體供應機構10及液體回收機構20係一體支持於主框體102,但也可將液體供應機構10及液體回收機構20加以分離而安裝於主框體102。進而,將有別於主框體102之其他支持構件配置於潔淨室等之地面,也可將液體供應機構及液體回收機構支持於該支持構件。
如上述,本實施形態之液體1係使用純水。純水係在半導體製造工廠等能大量取得,並且,具有對基板P上之光阻和光學元件(透鏡)不會產生不良影響之優點。又,純水對環保無不良影響,並且,因雜質之含有量極低,故洗淨基板P表面及設置於投影光學系統PL之前端面之光學元件表面之作用也能期待。並且,純水對波長193nm程度之曝光用光EL之折射率n為1.44程度,就曝光用光EL之光源而言,當使用ArF準分子雷射光(波長193nm)之情形,在基板P上,進行1/n,即約134nm程度之短波長化,能得到高解析度。並且,焦點深度與空氣中相較約為n倍,即被放大約1.44倍程度,在空氣中使用之情形和能確保同程度之焦點深度之情形,能更增加投影光學系統PL之數值孔徑,此點也能提高解析度。
又,如上述,使用浸液法之情形,投影光學系統之數值孔徑NA為0.9~1.3。因此,當投影光學系統之數值孔徑NA變大之情形,從習知用來作為曝光用光之任意偏光用光,因偏光效應,會有成像性能惡化的情形,故較佳使用偏光照明。這種情形,配合光罩(標線片)之線與間隙圖案之線圖案之長邊方向,進行直線偏光照明,從光罩(標線片)之圖案,使S偏光成分(沿著線圖案長邊方向之偏光方向成分)之繞射光也可作成大量射出。在投影光學系統PL和塗布於基板P表面之光阻之間以液體來填滿之情形,較用空氣(氣體)來填滿投影光學系統PL和塗布於基板P表面之光阻間之情形,由於有助於提高對比之S偏光成分之繞射光之光阻表面之透過率變高,即使投影光學系統之數值孔徑NA超過1.0之情形也能得到高成像性。又,若適當組合配合移相光罩和線圖案之長邊方向之斜入射照明法(特別係偶極子照明法)則更有效。又,針對配合線圖案之長邊方向之斜入射照明法,例如,揭示於日本專利特開平6-188169號公報,在本案所指定或選擇國之法令容許下,援用該揭示以當作本文記載之一部份。
本實施形態,係在投影光學系統PL前端安裝透鏡來作為光學元件2,藉由該透鏡,能進行投影光學系統PL之光學特性之調整,例如,像差(球面像差、慧形像差等)之調整。又,就光學元件2而言,也可係用以調整該光學特性之光學板。另一方面,也能將與液體1接觸之光學元件2作成較透鏡為廉價之平行平面板。藉由把光學元件2作成平行平面板,在曝光裝置EX之搬運、組裝、調整時等,用以降低投影光學系統PL之透過率、基板P上之曝光用光EL之照度、及照度分布均勻度之物質(例如,矽系有機物等),即使附著於該平行平面板,在供應液體1之前,只要更換該平行平面板即可,相較於把與液體1接觸之光學元件作成透鏡之情形,具有降低其更換成本之優點。即,藉由曝光用光EL之照射,起因於從光阻所產生之飛散粒子、或附著液體1中之雜質,因與液體1接觸之光學元件之表面受到污染,故必須定期性更換該光學元件,把該光學元件設為廉價之平行平面板,藉此,與透鏡相較,可使更換元件之成本變低,且能縮短更換所需要之時間,能抑制維護成本(運轉成本)之上升及生產量之降低。
又,當因液體1之流動所產生之投影光學系統PL前端之光學元件和基板P間之壓力大之情形,不必將該光學元件設為可更換,而可牢固地固定以避免光學元件因該壓力而移動。
又,本實施形態之液體1係水,但也可係水以外之液體,例如,當曝光用光EL之光源為F2 雷射之情形,該F2 雷射光係不透過水,故就液體1而言,也可係能透過F2 雷射光,例如,過氟化聚酯(PFPE)或氟系油等氟系流體。這種情形,與以捕集面31為主之液體1接觸之部分,例如,以含氟之極性小之分子構造物質來形成薄膜,藉此來進行親液化處理。又,就液體1而言,除此之外,儘量使用具有對曝光用光EL之透過性、折射率高、對投影光學系統PL和塗布於基板P表面之光阻穩定者(例如柏木油)。這種情形,也能按照所使用之液體1之極性來進行表面處理。
又,上述之投影光學系統PL雖係在用液體1(純水)來填滿其像面側之浸液狀態,進行構成(設計)俾使該成像性能成為最佳,惟亦可更換投影光學系統PL部分之光學元件(接近基板P之光學元件),以使在其像面側即使在無液體之非浸液狀態、或用其他之液體來填滿該像面側之浸液狀態,也能得到所欲之成像性能之構成。若把投影光學系統PL事先作成這種構成,例如當需要大焦點深度DOF之情形,係在浸液狀態下來使用曝光裝置EX,要求高生產量之情形,更換部分之光學元件,在非浸液狀態下使用曝光裝置EX。這種情形,更換部分之光學元件後,為了測定成像性能,較佳係在基板載台PST上,事先配置揭示於日本特開2002-14005號(對應美國專利公開20020041377)之空間像感測器或揭示於國際公開第02/63664號公報之波面像差測定感測器。當然,也可使用波面像差測定用之光罩,依據該成像性能之測定結果,使部分之光學元件動作,進行曝光用光EL之波長之微調整,俾在各狀態下獲得所欲之成像性能。
又,部分光學元件之更換,較佳係投影光學系統PL仍搭載在曝光裝置EX之狀態下進行,但也可從曝光裝置EX拆下投影光學系統PL來進行。
又,就上述各實施形態之基板P而言,不僅適用於半導體元件製造用之半導體晶圓,也適用於顯示元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、或在曝光裝置所使用之光罩或標線片之原版(合成石英、矽晶圓)等。
就曝光裝置EX而言,不僅能適用同步移動光罩M和基板P,以將光罩M之圖案掃描曝光之步進掃描方式之掃描型曝光裝置之外,也能適用在使光罩M和基板P靜止之狀態下,將光罩M之圖案整體曝光,使基板P依序步進移動之步進重複方式之投影曝光裝置。又,本發明也能適用於將基板P上至少2個圖案局部重疊轉印之步進縫合方式之曝光裝置。
又,本發明也適用於雙載台型之曝光裝置。雙載台型曝光裝置之構造及曝光動作,例如揭示於日本專利特開平10-163099號及特開平10-214783號(對應美國專利6,341,007、6,400,441、6,549,269及6,590,634)、日本專利特表2000-505958號(對應美國專利5,969,441)或美國專利6,208,407,在被本案所指定或選擇之國之法令許可下,援用這些揭示作為本文記載之一部份。
就曝光裝置EX之種類而言,不限於將半導體元件圖案曝光於基板P上之半導體元件製造用之曝光裝置,亦廣泛適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置、或用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)或標線片或光罩等之曝光裝置等。
當在基板載台PST和光罩載台MST使用線性馬達之情形,也可使用空氣軸承之氣浮型及使用洛倫茲力或電抗力之磁浮型之任一型。又,各載台PST、MST也可用沿著導件移動之類型,也可係未設置導件引之無導件型。載台使用線性馬達之例,如揭示於美國專利5,623,853及5,528,118,在本案所指定或選擇之國之法令許可下,援用這些揭示作為本文記載之一部份。
就各載台PST、MST之驅動機構而言,也可使用平面馬達,其係使二維配置磁鐵之磁鐵單元、和二維配置線圈之電樞單元對向,並利用電磁力來驅動各載台PST、MST。這種情形,可將磁鐵單元和電樞單元之任一方連接於載台PST、MST,將磁鐵單元和電樞單元之另一方設置於載台PST、MST之移動面側。
因基板載台PST之移動所產生之反作用力,為避免傳達至投影光學系統PL,也可使用框體構件將其機械性地釋放到地面(大地)。該反作用力之處理方法,例如詳細揭示於美國專利5,528,118(日本專利特開平8-166475號公報),在本案所指定或選擇之國之法令許可下,援用這些揭示作為本文記載之一部份。
因光罩載台MST所產生之反作用力,為避免傳達至投影光學系統PL,也可使用框體構件將其機械性地釋放到地面(大地)。該反作用力之處理方法,例如詳細揭示於美國專利5,874,820(日本特開平8-330224號公報),在本案所指定或選擇之國之法令許可下,援用這些揭示作為本文記載之一部份。
如以上所述,本案實施形態之曝光裝置EX,以保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度的方式,組裝包含本專利申請範圍所列舉之各構成要件之各種副系統來製造。為了確保這些各種精度,在其組裝前後,針對各種光學系統進行用來達成光學精度之調整、針對各種機械系統進行用來達成機械精度之調整、以及針對各種電氣系統進行用來達成電氣精度之調整。從各種副系統至曝光裝置之組裝步驟,係包含各種副系統相互之機械性連接、電氣電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。在從各種副系統至曝光裝置之組裝步驟前,當然有各副系統之組裝步驟。在各種副系統之組裝步驟結束後,進行統合調整,能確保曝光裝置全體之各種精度。又,曝光裝置之製造較佳係在溫度及潔淨度受到控制之潔淨室來進行。
半導體元件等之微元件,如第21圖所示,係經由進行微元件之功能及性能設計之步驟201、依據設計步驟來製作光罩(標線片)之步驟202、用以製造元件基材之基板製造步驟203、藉由前述之實施形態之曝光裝置EX將光罩之圖案曝光於基板上之曝光處理步驟204、元件組裝步驟(包含切割、接合步驟、封裝步驟)205、檢查步驟206等來製造。
依本發明,使用浸液法,在投影光學系統和基板間形成浸液區域之狀態下進行曝光處理之際,也能精度佳地進行曝光處理。
(二) 元件代表符號
AR1...投影區域
AR2...浸液區域
CONT...控制裝置
EL...曝光用光
EX...曝光裝置
IL...照明光學系統
M...光罩
MST...光罩載台
MSTD...光罩載台驅動裝置
P...基板
PK...鏡筒
PL...投影光學系統
PST...基板載台
1...液體
2...光學元件
2a...液體接觸面
10、11、12、13、13A、14、14A、41、42...液體供應機構
11A、12A...供應管
13D、14D...供應構件
13H、14H...內部空間(內部流路)
20、21、22、22A、22D、61、62、63、64、71、72、73、74...液體回收機構
23...隔離構件
24...分割空間
25...歧管部
30...捕集構件
31...液體捕集面
32...葉片構件
33...空間部
43、45、75、77、79、81...直管部
44、46、76、78、80、82...狹縫管部
22H、44H、46H、76H、78H、80H、82H...內部流路
52...Z載台
53...XY載台
54...基座
55...移動鏡
56...雷射干涉計
57...輔助板
58...點線箭頭
73、74...液體回收機構
85...葉片構件
90...流路形成構件
91...第1構件
92...第2構件
93...第3構件
91A、92A、93A‧‧‧孔部
94A、95A、94B、95B‧‧‧供應流路
94C‧‧‧第1供應槽部
94T、95T‧‧‧錐狀槽部
95C‧‧‧第2供應槽部
96A、97A、98A、99A、96B、97B、98B、99B、96T、97T、98T、99T‧‧‧回收流路
100‧‧‧第1支持構件
102‧‧‧第2支持構件
102A‧‧‧上側層部
102B‧‧‧下側層部
104‧‧‧凸緣
110、106、122‧‧‧防振裝置
112‧‧‧載台基座
114‧‧‧基準鏡(固定鏡)
124‧‧‧光罩基座
126、130‧‧‧空氣軸承
(一)圖式部分
第1圖係表示本發明曝光裝置之一實施形態之概略構成圖。
第2圖係表示本發明特徵部分之液體供應機構及液體回收機構之概略構成的俯視圖。
第3圖係表示本發明特徵部分之液體供應機構及液體回收機構之概略構成的立體圖。
第4圖係表示本發明特徵部分之液體供應機構及液體回收機構之概略構成之側截面圖。
第5圖係表示設定於基板上之照射區域圖。
第6(a)、(b)圖係表示液體流動之示意圖。
第7圖係表示液體供應機構及液體回收機構之另一實施形態圖。
第8圖係表示液體供應機構及液體回收機構之另一實施形態圖。
第9圖係表示液體供應機構及液體回收機構之另一實施形態圖。
第10(a)、(b)圖係表示液體供應機構之另一實施形態圖。
第11圖係表示捕集構件之另一實施形態的側截面圖。
第12圖係表示捕集構件之另一實施形態的側截面圖。
第13圖係表示捕集構件之另一實施形態的側截面圖。
第14圖係表示本發明液體供應機構及液體回收機構之另一實施形態之概略立體圖。
第15圖係表示第14圖之狹縫管部之另一實施形態圖。
第16圖係表示本發明液體供應機構及液體回收機構之另一實施形態之概略立體圖。
第17圖係表示流路形成構件中,第1構件之立體圖。
第18(a)、(b)圖係表示流路形成構件中,第2構件之立體圖。
第19(a)、(b)圖係表示流路形成構件中,第3構件之立體圖。
第20圖係表示本發明之曝光裝置之另一實施形態之概略構成圖。
第21圖係表示半導體元件製造步驟之一例之流程圖。
1...液體
2...光學元件
10、11、12、13、13A、14、14A...液體供應機構
11A、12A...供應管
20、21、22...液體回收機構
21A...回收管
22A...回收嘴
30...捕集構件
31...液體捕集面
32...葉片構件
33...空間部
50...移動鏡
51...雷射干涉計
52...Z載台
53...XY載台
54...基座
55...移動鏡
56...雷射干涉計
57...輔助板
AR1...投影區域
AR2...浸液區域
AX...光軸
CONT...控制裝置
EL...曝光用光
EX...曝光裝置
IL...照明光學系統
M...光罩
MST...光罩載台
MSTD...光罩載台驅動裝置
P...基板
PK...鏡筒
PL...投影光學系統
PST...基板載台

Claims (158)

  1. 一種曝光裝置,係透過液體將曝光用光投影於基板上,藉此將基板曝光,其特徵在於具備:基板載台,用以保持該基板且可移動;投影光學系統,用以將該曝光用光投影於投影區域;液體回收機構,透過回收口回收液體;第1支持構件,支持該投影光學系統;以及第2支持構件,支持具有該回收口之回收構件。
  2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置,其進一步具備配置在該第1支持構件與該第2支持構件之間之防振機構。
  3. 如申請專利範圍第2項之曝光裝置,其中,該防振機構包含空氣吊架。
  4. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置,其進一步具備支持於該第1支持構件之測量系統。
  5. 如申請專利範圍第4項之曝光裝置,其中,該測量系統包含測量該基板之焦點位置之檢測系統。
  6. 、如申請專利範圍第5項之曝光裝置,其中,該檢測系統亦測量該基板之傾斜。
  7. 如申請專利範圍第4項之曝光裝置,其中,該測量系統包含檢測該基板上之對準標記之對準系統。
  8. 如申請專利範圍第4項之曝光裝置,其中,該測量系統測量該基板載台之位置資訊。
  9. 如申請專利範圍第8項之曝光裝置,其中,該測 量系統包含雷射干涉計。
  10. 如申請專利範圍第8項之曝光裝置,其進一步具備支持該基板載台之基座構件。
  11. 如申請專利範圍第2項之曝光裝置,其進一步具備支持於該第1支持構件之測量系統。
  12. 如申請專利範圍第11項之曝光裝置,其中,該測量系統包含測量該基板之焦點位置之檢測系統。
  13. 如申請專利範圍第12項之曝光裝置,其中,該檢測系統亦測量該基板之傾斜。
  14. 如申請專利範圍第11項之曝光裝置,其中,該測量系統包含檢測該基板上之對準標記之對準系統。
  15. 如申請專利範圍第11項之曝光裝置,其中,該測量系統測量該基板載台之位置資訊。
  16. 如申請專利範圍第12項之曝光裝置,其中,該測量系統包含雷射干涉計。
  17. 如申請專利範圍第12項之曝光裝置,其進一步具備支持該基板載台之基座構件。
  18. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置,其進一步具備抑制從該第2支持構件往該投影光學系統之振動傳達的防振機構。
  19. 如申請專利範圍第18項之曝光裝置,其中,該防振機構抑制從該第2支持構件往該第1支持構件之振動傳達。
  20. 如申請專利範圍第18項之曝光裝置,其中,該 防振機構包含空氣吊架。
  21. 如申請專利範圍第18項之曝光裝置,其進一步具備支持於該第1支持構件之測量系統。
  22. 如申請專利範圍第21項之曝光裝置,其中,該測量系統包含測量該基板之焦點位置之檢測系統。
  23. 如申請專利範圍第22項之曝光裝置,其中,該檢測系統亦測量該基板之傾斜。
  24. 如申請專利範圍第21項之曝光裝置,其中,該測量系統包含檢測該基板上之對準標記之對準系統。
  25. 如申請專利範圍第21項之曝光裝置,其中,該測量系統測量該基板載台之位置資訊。
  26. 如申請專利範圍第25項之曝光裝置,其中,該測量系統包含雷射干涉計。
  27. 如申請專利範圍第26項之曝光裝置,其進一步具備支持該基板載台之基座構件。
  28. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置,其具備:基座構件,用以支持該基板載台。
  29. 如申請專利範圍第10、17、27、28項中任一項之曝光裝置,其中,從該第2支持構件往該基座構件之振動之傳達受到抑制。
  30. 如申請專利範圍第10、17、27、28項中任一項之曝光裝置,其進一步具備配置在該第2支持構件與該基座構件之間之防振機構。
  31. 如申請專利範圍第30項之曝光裝置,其中,配 置在該第2支持構件與該基座構件之間之該防振機構包含空氣吊架。
  32. 如申請專利範圍第1至28項中任一項之曝光裝置,其中,從該第2支持構件往該第1支持構件之振動之傳達受到抑制。
  33. 如申請專利範圍第1至28項中任一項之曝光裝置,其中,該基板載台包含配置成包圍該基板載台所保持之該基板之平坦面。
  34. 如申請專利範圍第1至28項中任一項之曝光裝置,其進一步具備液體供應機構,該液體供應機構透過供應口供應該液體。
  35. 如申請專利範圍第34項之曝光裝置,其中,該液體供應機構包含具有該供應口之供應構件;該供應構件係支持於該第2支持構件。
  36. 如申請專利範圍第35項之曝光裝置,其中,該供應構件與該回收構件連接。
  37. 如申請專利範圍第36項之曝光裝置,其中,在該供應構件與該回收構件之間設置有連接構件。
  38. 如申請專利範圍第34項之曝光裝置,其中,該液體供應機構具有配置有多孔構件之內部流路;從該供應口經由配置在該內部流路之該多孔構件供應該液體。
  39. 如申請專利範圍第34項之曝光裝置,其中,該供應口係配置成與該基板之表面對向。
  40. 如申請專利範圍第34項之曝光裝置,其中,該回收口相對該投影區域配置在該供應口之外側。
  41. 如申請專利範圍第34項之曝光裝置,其中,該基板之複數個照射區域分別移動並同時曝光。
  42. 如申請專利範圍第41項之曝光裝置,其中,在進行對該複數個照射區域之掃描曝光之期間,該液體回收機構持續從該回收口回收該液體。
  43. 如申請專利範圍第42項之曝光裝置,其中,在進行對該複數個照射區域之掃描曝光之期間,該液體供應機構持續從該供應口供應該液體。
  44. 如申請專利範圍第41項之曝光裝置,其中,該液體供應機構依據執行動作改變液體之供應量。
  45. 如申請專利範圍第44項之曝光裝置,其中,該液體供應機構,在該基板上之該複數個照射區域之中之二個照射區域間進行之步進移動之期間中之液體之供應量,與該複數個照射區域分別曝光之期間中之液體之供應量不同。
  46. 如申請專利範圍第1至28項中任一項之曝光裝置,其中,該回收口係配置成包圍該投影區域。
  47. 如申請專利範圍第46項之曝光裝置,其中,該回收口係配置成圓環狀。
  48. 如申請專利範圍第46項之曝光裝置,其中,該回收口係配置成四角形狀。
  49. 如申請專利範圍第46項之曝光裝置,其中,該 回收口係配置成與該基板之表面對向。
  50. 如申請專利範圍第49項之曝光裝置,其中,該液體回收機構從該回收口將該液體與氣體一起回收。
  51. 一種曝光裝置,係於基板之表面之一部分形成液浸區域,透過該液浸區域之液體將曝光用光投影於基板上,藉此將基板曝光,其特徵在於具備:基板載台,用以保持該基板且可移動;投影光學系統,用以將該曝光用光投影於投影區域;液浸區域形成構件,具有液體流通之流通口,用以形成該液浸區域而配置;第1支持構件,支持該投影光學系統;以及第2支持構件,支持該液浸區域形成構件。
  52. 如申請專利範圍第51項之曝光裝置,其進一步具備配置在該第1支持構件與該第2支持構件之間之防振機構。
  53. 如申請專利範圍第52項之曝光裝置,其中,該防振機構包含空氣吊架。
  54. 如申請專利範圍第51項之曝光裝置,其進一步具備支持於該第1支持構件之測量系統。
  55. 如申請專利範圍第54項之曝光裝置,其中,該測量系統包含測量該基板之焦點位置之檢測系統。
  56. 如申請專利範圍第55項之曝光裝置,其中,該檢測系統亦測量該基板之傾斜。
  57. 如申請專利範圍第54項之曝光裝置,其中,該 測量系統包含檢測該基板上之對準標記之對準系統。
  58. 如申請專利範圍第54項之曝光裝置,其中,該測量系統測量該基板載台之位置資訊。
  59. 如申請專利範圍第58項之曝光裝置,其中,該測量系統包含雷射干涉計。
  60. 如申請專利範圍第58項之曝光裝置,其進一步具備支持該基板載台之基座構件。
  61. 如申請專利範圍第52項之曝光裝置,其進一步具備支持於該第1支持構件之測量系統。
  62. 如申請專利範圍第61項之曝光裝置,其中,該測量系統包含測量該基板之焦點位置之檢測系統。
  63. 如申請專利範圍第62項之曝光裝置,其中,該檢測系統亦測量該基板之傾斜。
  64. 如申請專利範圍第61項之曝光裝置,其中,該測量系統包含檢測該基板上之對準標記之對準系統。
  65. 如申請專利範圍第61項之曝光裝置,其中,該測量系統測量該基板載台之位置資訊。
  66. 如申請專利範圍第62項之曝光裝置,其中,該測量系統包含雷射干涉計。
  67. 如申請專利範圍第62項之曝光裝置,其進一步具備支持該基板載台之基座構件。
  68. 如申請專利範圍第51項之曝光裝置,其進一步具備抑制從該第2支持構件往該投影光學系統之振動傳達的防振機構。
  69. 如申請專利範圍第68項之曝光裝置,其中,該防振機構抑制從該第2支持構件往該第1支持構件之振動傳達。
  70. 如申請專利範圍第68項之曝光裝置,其中,該防振機構包含空氣吊架。
  71. 如申請專利範圍第68項之曝光裝置,其進一步具備支持於該第1支持構件之測量系統。
  72. 如申請專利範圍第71項之曝光裝置,其中,該測量系統包含測量該基板之焦點位置之檢測系統。
  73. 如申請專利範圍第72項之曝光裝置,其中,該檢測系統亦測量該基板之傾斜。
  74. 如申請專利範圍第71項之曝光裝置,其中,該測量系統包含檢測該基板上之對準標記之對準系統。
  75. 如申請專利範圍第71項之曝光裝置,其中,該測量系統測量該基板載台之位置資訊。
  76. 如申請專利範圍第75項之曝光裝置,其中,該測量系統包含雷射干涉計。
  77. 如申請專利範圍第76項之曝光裝置,其進一步具備支持該基板載台之基座構件。
  78. 如申請專利範圍第51項之曝光裝置,其具備:基座構件,用以支持該基板載台。
  79. 如申請專利範圍第60、67、77、78項中任一項之曝光裝置,其中,從該第2支持構件往該基座構件之振動之傳達受到抑制。
  80. 如申請專利範圍第60、67、77、78項中任一項之曝光裝置,其進一步具備配置在該第2支持構件與該基座構件之間之防振機構。
  81. 如申請專利範圍第80項之曝光裝置,其中,配置在該第2支持構件與該基座構件之間之該防振機構包含空氣吊架。
  82. 如申請專利範圍第51至78項中任一項之曝光裝置,其中,從該第2支持構件往該第1支持構件之振動之傳達受到抑制。
  83. 如申請專利範圍第51至78項中任一項之曝光裝置,其中,該基板載台包含配置成包圍該基板載台所保持之該基板之平坦面。
  84. 如申請專利範圍第51至78項中任一項之曝光裝置,其中,該流通口係供應液體之供應口。
  85. 如申請專利範圍第84項之曝光裝置,其中,該供應口係配置成與該基板之表面對向。
  86. 如申請專利範圍第85項之曝光裝置,其進一步具備相對該投影區域配置在該供應口之外側的回收口;該回收口係配置成與該基板之表面對向。
  87. 如申請專利範圍第84項之曝光裝置,其中,該基板之複數個照射區域分別移動並同時曝光;在進行對該複數個照射區域之掃描曝光之期間,持續從該供應口供應液體。
  88. 如申請專利範圍第84項之曝光裝置,其中,依 據執行動作改變來自該供應口之供應量。
  89. 如申請專利範圍第88項之曝光裝置,其中,在該基板上之該複數個照射區域之中之二個照射區域間進行之步進移動之期間中之來自該供應口之液體供應量,與該複數個照射區域分別曝光之期間中之來自該供應口之液體供應量不同。
  90. 如申請專利範圍第51至78項中任一項之曝光裝置,其中,該流通口係回收液體之回收口。
  91. 如申請專利範圍第90項之曝光裝置,其中,該回收口係配置成與該基板之表面對向。
  92. 如申請專利範圍第91項之曝光裝置,其中,該回收口係配置成包圍該投影區域。
  93. 如申請專利範圍第92項之曝光裝置,其中,該回收口係配置成圓環狀。
  94. 如申請專利範圍第92項之曝光裝置,其中,該回收口係配置成四角形狀。
  95. 如申請專利範圍第91項之曝光裝置,其中,該液體回收機構從該回收口將該液體與氣體一起回收。
  96. 如申請專利範圍第90項之曝光裝置,其中,在進行對該複數個照射區域之掃描曝光之期間,持續從該回收口回收液體。
  97. 如申請專利範圍第1至28、51至78項中任一項之曝光裝置,其進一步具備補集構件,該補集構件相對該投影區域係配置在該回收口之外側,補集未由該回收口回 收之液體。
  98. 如申請專利範圍第97項之曝光裝置,其中,該補集構件具有補集面。
  99. 如申請專利範圍第98項之曝光裝置,其中,該補集面施加有提高對該液體之親和性之處理。
  100. 如申請專利範圍第98項之曝光裝置,其中,該補集面與該液體之親和性較該基板之表面與該液體之親和性高。
  101. 如申請專利範圍第98項之曝光裝置,其中,該補集面相對水平面傾斜。
  102. 如申請專利範圍第97項之曝光裝置,其中,該補集構件係設成包圍該投影區域。
  103. 如申請專利範圍第1至28、51至78項中任一項之曝光裝置,其中,該液體為純水;該投影光學系統之前端部之液體接觸面係親水性。
  104. 如申請專利範圍第1至28、51至78項中任一項之曝光裝置,其中,該液體為純水;該基板包含撥水性材料之表面。
  105. 一種元件製造方法,其特徵在於包含:使用申請專利範圍第1至104項中任一項之曝光裝置對基板進行曝光之動作;對已曝光之該基板進行處理之動作。
  106. 一種曝光方法,係透過液體將曝光用光投影於基板上,藉此將該基板曝光,其特徵在於包含: 將來自第1支持構件所支持之投影光學系統之該曝光用光投影於投影區域之動作;從供應口供應該液體之動作;以及從第2支持構件所支持之回收構件之回收口回收該供應後液體之動作;透過藉由來自該供應口之液體供應與來自該回收口之液體回收形成在該基板上之一部分之液浸區域使該基板曝光。
  107. 如申請專利範圍第106項之曝光方法,其中,從該第2支持構件往該第1支持構件之振動之傳達受到抑制。
  108. 如申請專利範圍第106項之曝光方法,其中,該第1支持構件與該第2支持構件分離以使振動不會從該第2支持構件往該第1支持構件傳達。
  109. 如申請專利範圍第106項之曝光方法,其中,藉由防振機構抑制從該第2支持構件往該第1支持構件之振動之傳達。
  110. 如申請專利範圍第106項之曝光方法,其中,在該第1支持構件支持有測量系統。
  111. 如申請專利範圍第110項之曝光方法,其中,該測量系統包含用以測量該基板之焦點位置之檢測系統。
  112. 如申請專利範圍第110項之曝光方法,其中,該測量系統包含檢測該基板上之對準標記之對準系統。
  113. 如申請專利範圍第110項之曝光方法,其中, 該基板係保持在基板載台;該測量系統測量該基板載台之位置資訊。
  114. 如申請專利範圍第113項之曝光方法,其中,該測量系統包含雷射干涉計。
  115. 如申請專利範圍第109項之曝光方法,其中,在該第1支持構件支持有測量系統。
  116. 如申請專利範圍第115項之曝光方法,其中,該測量系統包含用以測量該基板之焦點位置之檢測系統。
  117. 如申請專利範圍第115項之曝光方法,其中,該測量系統包含檢測該基板上之對準標記之對準系統。
  118. 如申請專利範圍第115項之曝光方法,其中,該基板係保持在基板載台;該測量系統測量該基板載台之位置資訊。
  119. 如申請專利範圍第115項之曝光方法,其中,該測量系統包含雷射干涉計。
  120. 如申請專利範圍第106項之曝光方法,其中,從該第2支持構件往該投影光學系統之振動之傳達受到抑制。
  121. 如申請專利範圍第106項之曝光方法,其中,該第1支持構件與該第2支持構件分離以使振動不會從該第2支持構件往該投影光學系統傳達。
  122. 如申請專利範圍第106項之曝光方法,其中,藉由防振機構抑制從該第2支持構件往該投影光學系統之振動之傳達。
  123. 如申請專利範圍第122項之曝光方法,其中,在該第1支持構件支持有測量系統。
  124. 如申請專利範圍第122項之曝光方法,其中,該測量系統包含用以測量該基板之焦點位置之檢測系統。
  125. 如申請專利範圍第122項之曝光方法,其中,該測量系統包含檢測該基板上之對準標記之對準系統。
  126. 如申請專利範圍第122項之曝光方法,其中,該基板係保持在基板載台;該測量系統測量該基板載台之位置資訊。
  127. 如申請專利範圍第126項之曝光方法,其中,該測量系統包含雷射干涉計。
  128. 如申請專利範圍第106至127項中任一項之曝光方法,其中,包含具有該供應口之供應構件;該供應構件係支持於該第2支持構件。
  129. 如申請專利範圍第128項之曝光方法,其中,該供應構件與該回收構件連接。
  130. 如申請專利範圍第128項之曝光方法,其中,在該供應構件與該回收構件之間設置有連接構件。
  131. 如申請專利範圍第106至127項中任一項之曝光方法,其中,該供應口與該回收口係配置成與該基板之表面對向;該回收口係配置成包圍該投影區域與該供應口;該液體從該回收口與氣體一起被回收。
  132. 一種曝光方法,係透過液體將曝光用光投影於 基板上,藉此將該基板曝光,其特徵在於包含:於該基板上之一部分形成液浸區域之動作;以及將來自第1支持構件所支持之投影光學系統之該曝光用光,透過該液浸區域投影於投影區域之動作;該液浸區域之形成,包含使液體透過設置成與該基板表面對向之流通口而流通於配置成用以形成該液浸區域而包圍該曝光用光之光路的液浸區域形成構件之動作;該液浸區域形成構件,係支持於第2構件。
  133. 如申請專利範圍第132項之曝光方法,其中,從該第2支持構件往該第1支持構件之振動之傳達受到抑制。
  134. 如申請專利範圍第132項之曝光方法,其中,該第1支持構件與該第2支持構件分離以使振動不會從該第2支持構件往該第1支持構件傳達。
  135. 如申請專利範圍第132項之曝光方法,其中,藉由防振機構抑制從該第2支持構件往該第1支持構件之振動之傳達。
  136. 如申請專利範圍第132項之曝光方法,其中,在該第1支持構件支持有測量系統。
  137. 如申請專利範圍第136項之曝光方法,其中,該測量系統包含用以測量該基板之焦點位置之檢測系統。
  138. 如申請專利範圍第136項之曝光方法,其中,該測量系統包含檢測該基板上之對準標記之對準系統。
  139. 如申請專利範圍第136項之曝光方法,其中, 該基板係保持在基板載台;該測量系統測量該基板載台之位置資訊。
  140. 如申請專利範圍第139項之曝光方法,其中,該測量系統包含雷射干涉計。
  141. 如申請專利範圍第135項之曝光方法,其中,在該第1支持構件支持有測量系統。
  142. 如申請專利範圍第141項之曝光方法,其中,該測量系統包含用以測量該基板之焦點位置之檢測系統。
  143. 如申請專利範圍第141項之曝光方法,其中,該測量系統包含檢測該基板上之對準標記之對準系統。
  144. 如申請專利範圍第141項之曝光方法,其中,該基板係保持在基板載台;該測量系統測量該基板載台之位置資訊。
  145. 如申請專利範圍第144項之曝光方法,其中,該測量系統包含雷射干涉計。
  146. 如申請專利範圍第132項之曝光方法,其中,從該第2支持構件往該投影光學系統之振動之傳達受到抑制。
  147. 如申請專利範圍第132項之曝光方法,其中,該第1支持構件與該第2支持構件分離以使振動不會從該第2支持構件往該投影光學系統傳達。
  148. 如申請專利範圍第132項之曝光方法,其中,藉由防振機構抑制從該第2支持構件往該投影光學系統之振動之傳達。
  149. 如申請專利範圍第148項之曝光方法,其中,在該第1支持構件支持有測量系統。
  150. 如申請專利範圍第149項之曝光方法,其中,該測量系統包含用以測量該基板之焦點位置之檢測系統。
  151. 如申請專利範圍第149項之曝光方法,其中,該測量系統包含檢測該基板上之對準標記之對準系統。
  152. 如申請專利範圍第149項之曝光方法,其中,該基板係保持在基板載台;該測量系統測量該基板載台之位置資訊。
  153. 如申請專利範圍第152項之曝光方法,其中,該測量系統包含雷射干涉計。
  154. 如申請專利範圍第132至153項中任一項之曝光方法,其中,透過該流通口將液體供應至該基板上。
  155. 如申請專利範圍第132至153項中任一項之曝光方法,其中,透過該流通口從該基板上回收液體。
  156. 如申請專利範圍第106至127、132至153項中任一項之曝光方法,其中,該液體為純水;該基板包含撥水性材料之表面。
  157. 如申請專利範圍第106至127、132至153項中任一項之曝光方法,其中,該投影光學系統之液體接觸面與該液體之親和性較該基板之表面與該液體之親和性高。
  158. 一種元件製造方法,其特徵在於包含:使用申請專利範圍第106至157項中任一項之曝光方法對基板進行曝光之動作; 對已曝光之該基板進行處理之動作。
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