JP5194792B2 - 露光装置及び方法、露光装置のメンテナンス方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、液体を介して基板を露光する露光装置及び方法、露光装置のメンテナンス方法、並びにデバイス製造方法に関するものである。
本願は、２００５年６月３０日に出願された特願２００５−１９１５６１号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

半導体デバイス等のマイクロデバイスの製造工程の一つであるフォトリソグラフィ工程では、マスクのパターン像を感光性の基板上に露光する露光装置が用いられる。この露光装置は、マスクを保持するマスクステージと基板を保持する基板ステージとを有し、マスクのパターン像を投影光学系を介して基板に露光するものである。マイクロデバイスの製造においては、デバイスの高密度化のために、基板上に形成されるパターンの微細化が要求されている。この要求に応えるために露光装置の更なる高解像度化が望まれており、その高解像度化を実現するための手段の一つとして、下記特許文献に開示されているような、投影光学系と基板との間の露光光の光路空間を液体で満たし、投影光学系及び液体を介して基板を露光する液浸露光装置が案出されている。
国際公開第９９／４９５０４号パンフレット

ところで、投影光学系と基板との間の光路空間を液体で満たしたとき、その液体中に、例えば基板上から発生した不純物が混入する可能性がある。不純物を含んだ液体が投影光学系の光学部材に接触すると、その光学部材が汚染される可能性がある。光学部材の汚染は、露光装置の性能の劣化をもたらす。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液浸法を適用する場合にも、その性能の劣化を防止できる露光装置及び方法、並びにその露光装置及び方法を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。また、液浸法を用いる露光装置の性能の劣化を防止できるメンテナンス方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。

本発明の第１の態様に従えば、液体（ＬＱ）を介して基板（Ｐ）上に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光装置において、液体（ＬＱ）に接触する第１面（Ｔ１）を有する光学部材（ＦＬ）と、基板（Ｐ）上に露光光（ＥＬ）が照射される第１状態において、露光光（ＥＬ）の照射領域（ＩＡ、ＡＲ）を設定する設定装置（４５）とを備え、基板（Ｐ）上に露光光（ＥＬ）が照射されない第２状態において、光学部材（ＦＬ）の第１面（Ｔ１）のうち、第１状態で露光光（ＥＬ）が通過する第１領域（Ｃ１）とは異なる第２領域（Ｃ２）に露光光（ＥＬ）を照射して第２領域（Ｃ２）を光洗浄する露光装置（ＥＸ）が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、液体（ＬＱ）を介して基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、液体（ＬＱ）に接触する第１面（Ｔ１）を有する光学部材（ＦＬ）と、露光光（ＥＬ）の照射領域（ＩＡ、ＡＲ）を設定する設定装置（４５）とを備える露光装置（ＥＸ）が提供される。設定装置（４５）は、光学部材（ＦＬ）の第１面（Ｔ１）の第１領域（Ｃ１）を介して基板（Ｐ）に露光光（ＥＬ）が照射される露光モードと、光学部材（ＦＬ）の第１面（Ｔ１）の第２領域（Ｃ２）に露光光（ＥＬ）が照射される光洗浄モードとを有する。

本発明の第１及び第２の態様によれば、光学部材の液体と接触する第１面の第２領域を光洗浄することができるので、露光装置の性能の劣化を防止できる。

本発明の第３の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いるデバイス製造方法が提供される。

本発明の第３の態様によれば、性能の劣化が防止された露光装置を用いてデバイスを製造することができる。

本発明の第４の態様に従えば、光学部材（ＦＬ）及び液体（ＬＱ）を介して基板（Ｐ）上に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光装置（ＥＸ）のメンテナンス方法において、光学部材（ＦＬ）の液体（ＬＱ）と接触する第１面（Ｔ１）のうち、基板（Ｐ）上に露光光（ＥＬ）を照射するときに露光光（ＥＬ）が通過する第１領域（Ｃ１）とは異なる第２領域（Ｃ２）に露光光（ＥＬ）を照射して、第２領域（Ｃ２）を光洗浄するメンテナンス方法が提供される。

本発明の第５の態様に従えば、液体（ＬＱ）と、液体（ＬＱ）と接触する第１面（Ｔ１）を有する光学部材（ＦＬ）とを介して基板（Ｐ）に露光光（ＥＬ）を照射する工程であり、光学部材（ＦＬ）の第１面（Ｔ１）の第１領域（Ｃ１）を露光光（ＥＬ）が通過する前記工程と；光学部材（ＦＬ）の第１面（Ｔ１）の第２領域（Ｃ２）に露光光（ＥＬ）を照射して第２領域（Ｃ２）を光洗浄する工程と、を備える露光方法が提供される。

本発明の第４及び第５の態様によれば、光学部材の液体と接触する第１面の第２領域を光洗浄することができるので、露光装置の性能の劣化を防止できる。

第１実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 液浸機構の要部を示す側断面図である。 液浸機構の要部を示す斜視図である。 第１状態における設定装置と露光光の照射領域との関係を示す模式図である。 第１状態における設定装置と露光光の照射領域との関係を示す模式図である。 第１実施形態に係るメンテナンス方法を説明するための図である。 第２状態における設定装置と露光光の照射領域との関係を示す模式図である。 第２状態における設定装置と露光光の照射領域との関係を示す模式図である。 第２実施形態に係る設定装置を示す模式図である。 第２実施形態に係る設定装置を示す模式図である。 第３実施形態に係る設定装置を示す模式図である。 第３実施形態に係る設定装置を示す模式図である。 第４実施形態に係るメンテナンス方法を説明するための図である。 第５実施形態に係るメンテナンス方法を説明するための図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャート図である。

符号の説明

１…液浸機構、４…基板ステージ、６…ノズル部材、８…計測ステージ、１１…液体供給装置、２１…液体回収装置、４３…第１ブラインド（設定部材）、４３Ｄ…駆動装置、４３Ｋ…開口、４４、４４’…第２ブラインド（設定部材）、４４Ｄ…駆動装置、４４Ｋ…開口、４５…ブラインド装置（設定装置、調整機構）、ＡＲ…投影領域（照射領域）、Ｃ１…第１領域、Ｃ２…第２領域、ＤＰ…ダミー基板、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＦＬ…最終光学素子（光学部材）、ＩＡ…照明領域（照射領域）、Ｋ…光路空間、ＬＱ…液体、ＬＲ…液浸領域、Ｐ…基板、Ｔ１…下面（第１面）、Ｔ２…上面（第２面）

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ３と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ４と、マスクステージ３に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置７とを備えている。

なお、ここでいう基板は半導体ウエハ等の基材上に感光材（フォトレジスト）、保護膜（トップコート膜）、反射防止膜などの各種の膜を少なくとも１層塗布したものを含み、マスクは基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。また、本実施形態においては、マスクとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。

本実施形態の露光装置ＥＸは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置である。露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬの像面側の露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たし、基板Ｐ上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを形成する液浸機構１を備えている。露光装置ＥＸは、少なくともマスクＭのパターン像を基板Ｐに露光している間、液浸機構１を用いて、露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たす。露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬと光路空間Ｋに満たされた液体ＬＱとを介してマスクＭを通過した露光光ＥＬを基板Ｐ上に照射することによって、マスクＭのパターン像を基板Ｐに露光する。また、本実施形態の露光装置ＥＸは、光路空間Ｋに満たされた液体ＬＱが、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲを含む基板Ｐ上の一部の領域に、投影領域ＡＲよりも大きく且つ基板Ｐよりも小さい液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成する局所液浸方式を採用している。本実施形態においては、液体ＬＱとして純水を用いる。

本実施形態では、露光装置ＥＸとしてマスクＭと基板Ｐとを走査方向に同期移動しつつマスクＭに形成されたパターンを基板Ｐに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）を使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、水平面内においてマスクＭと基板Ｐとの同期移動方向（走査方向）をＹ軸方向、水平面内においてＹ軸方向と直交する方向をＸ軸方向（非走査方向）、Ｘ軸及びＹ軸方向に直交する方向（本例では投影光学系ＰＬの光軸と平行な方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

照明系ＩＬは、光源３０及び照明光学系４０を含んで構成されており、マスクＭ上の所定の照明領域ＩＡを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明するものである。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においては、光源３０としてＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられ、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。

照明光学系４０は、コリメータレンズ、及びフライアイレンズ等のオプティカルインテグレータ等を含む照度均一化光学系４１、リレー光学系４２、４６、第１ブラインド４３及び第２ブラインド４４を含むブラインド装置４５、ミラー４７、及びコンデンサレンズ４８等を備えている。

ブラインド装置４５は、露光光ＥＬの光路上に設けられ、マスクＭ上での露光光ＥＬの照射領域（照明領域）ＩＡ、及び基板Ｐ上での露光光ＥＬの照射領域（投影領域）ＡＲを調整可能である。本実施形態のブラインド装置４５は、例えば特開平４−１９６５１３号公報（対応米国特許第５，４７３，４１０号）、あるいは国際公開第９９／６３５８５号パンフレット（対応米国特許第６，５９７，００２号）に開示されているような、露光光ＥＬの光路上に設けられ、マスクＭ上の露光光ＥＬの照射領域（照明領域）ＩＡを設定するための開口４３Ｋを形成する第１ブラインド４３と、走査露光の開始時及び終了時において不要な部分の露光を防止するために照明領域ＩＡを更に制限する第２ブラインド４４とを備えている。また、本実施形態のブラインド装置４５は、第１ブラインド４３を駆動する第１駆動装置４３Ｄと、第２ブラインド４４を駆動する第２駆動装置４４Ｄとを備えている。第１ブラインド４３は、マスクＭ上の照明領域ＩＡを設定するための開口４３Ｋを備えており、マスクＭのパターン面に対する共役面から僅かにデフォーカスした面に配置されている。本実施形態においては、第１ブラインド４３の開口４３Ｋは矩形状（スリット状）に形成されている。ブラインド装置４５の第１ブラインド４３によってマスクＭ上の露光光ＥＬの照射領域（照明領域）ＩＡが設定されることにより、基板Ｐ上の露光光ＥＬの照射領域（投影領域）ＡＲも設定される。第１ブラインド４３の開口４３Ｋを適宜調整することにより、マスクＭ上での露光光ＥＬの照射領域（照明領域）ＩＡ、及び基板Ｐ上での露光光ＥＬの投影領域（照射領域）ＡＲを調整することができる。

第２ブラインド４４は第１ブラインド４３の近傍に配置されており、マスクＭの走査方向（Ｙ軸方向）及び非走査方向（Ｘ軸方向）のそれぞれに対応する方向の位置及び幅を可変とする開口４４Ｋを有している。第２ブラインド４４は、複数の板状部材を組み合わせて構成されており、制御装置７は、第２駆動装置４４Ｄを用いて板状部材のそれぞれを駆動することによって、開口４４Ｋの大きさを調整して露光光ＥＬの少なくとも一部を遮ることが可能である。ブラインド装置４５は、走査露光の開始時及び終了時に第２ブラインド４４を介して照明領域ＩＡを更に制限することによって、不要な部分の露光を防止する。

なお、走査方向（Ｙ軸方向）及び非走査方向（Ｘ軸方向）の少なくとも一方に関する照明領域ＩＡ（投影領域ＡＲ）の幅の調整では、第１ブラインド４３の代わりに、あるいはそれと組み合わせて、第２ブラインド４４を用いることとしてもよい。また、例えばオプティカルインテグレータとして内面反射型インテグレータ（ロッドなど）を用いる場合、その射出面で第１ブラインド４３を兼用し、照明領域ＩＡ（投影領域ＡＲ）の調整に用いる第２ブラインド４４のみを設けることとしてもよい。さらに、第１及び第２ブラインド４３、４４は照明系内に配置するものとしたが、これに限らず、マスクＭのパターン面との共役面、あるいはパターン面及びその共役面の一方の近傍に配置すればよい。また、第１及び第２ブラインド４３、４４はどちらが上流側に配置されてもよいし、互いに近接して配置しなくてもよい。なお、照明領域ＩＡ（投影領域ＡＲ）の少なくとも幅の調整に用いるブラインド（エッジ）はマスクＭのパターン面と共役に配置することが好ましい。

このようにして構成された照明系ＩＬの作用を簡単に説明すると、光源３０から射出された露光光ＥＬは、照度均一化光学系４１によって均一な照度分布に調整される。照度均一化光学系４１から射出された露光光ＥＬは、第１リレーレンズ４２を通過した後、ブラインド装置４５の第１ブラインド４３の開口４３Ｋ及び第２ブラインド４４を通過する。ブラインド装置４５を通過した露光光ＥＬは、第２リレーレンズ４６を通過した後、ミラー４７によって光路を折り曲げられる。ミラー４７によって光路を折り曲げられた露光光ＥＬは、コンデンサレンズ４８を通過した後、マスクステージ３に保持されたマスクＭ上の照明領域ＩＡを均一な照度分布で照明する。

マスクステージ３は、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動装置３Ｄの駆動により、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。マスクステージ３（ひいてはマスクＭ）の位置情報はレーザ干渉計３Ｌによって計測される。レーザ干渉計３Ｌはマスクステージ３上に設けられた移動鏡３Ｋを用いてマスクステージ３の位置情報を計測する。制御装置７は、レーザ干渉計３Ｌの計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置３Ｄを駆動し、マスクステージ３に保持されているマスクＭの位置制御を行う。

なお、移動鏡３Ｋは平面鏡のみでなくコーナーキューブ（レトロリフレクタ）を含むものとしてもよいし、移動鏡３Ｋをマスクステージ３に固設する代わりに、例えばマスクステージ３の端面（側面）を鏡面加工して形成される反射面を用いてもよい。

投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターン像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影するものであって、複数の光学素子を有しており、それら光学素子は鏡筒ＰＫで保持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、１／８等の縮小系であり、前述の照明領域ＩＡと共役な投影領域ＡＲにマスクパターンの縮小像を形成する。なお、投影光学系ＰＬは縮小系、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い最終光学素子ＦＬのみが光路空間Ｋの液体ＬＱと接触する。

基板ステージ４は、基板Ｐを保持する基板ホルダ４Ｈを有しており、ベース部材５上で、基板ホルダ４Ｈに基板Ｐを保持して移動可能である。基板ホルダ４Ｈは、基板ステージ４上に設けられた凹部４Ｒに配置されており、基板ステージ４のうち凹部４Ｒ以外の上面４Ｆは、基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（面一）になるような平坦面となっている。なお、基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐの表面と基板ステージ４の上面４Ｆとの間に段差があってもよい。また、基板ステージ４の上面４Ｆはその一部、例えば基板Ｐ（凹部４Ｒ）を囲む所定領域のみ、基板Ｐの表面とほぼ同じ高さとしてもよい。さらに、基板ホルダ４Ｈを基板ステージ４の一部と一体に形成してもよいが、本実施形態では基板ホルダ４Ｈと基板ステージ４の一部とを別々に構成し、例えば真空吸着などによって基板ホルダ４Ｈを凹部４Ｒに固定している。

基板ステージ４は、リニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動装置４Ｄの駆動により、基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。基板ステージ４（ひいては基板Ｐ）の位置情報はレーザ干渉計４Ｌによって計測される。レーザ干渉計４Ｌは基板ステージ４に設けられた移動鏡４Ｋを用いて基板ステージ４のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、基板ステージ４に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）は、不図示のフォーカス・レベリング検出系によって検出される。制御装置７は、レーザ干渉計４Ｌの計測結果及びフォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて基板ステージ駆動装置４Ｄを駆動し、基板ステージ４に保持されている基板Ｐの位置制御を行う。

なお、レーザ干渉計４Ｌは基板ステージ４のＺ軸方向の位置、及びθＸ、θＹ方向の回転情報をも計測可能としてよく、その詳細は、例えば特表２００１−５１０５７７号公報（対応国際公開第１９９９／２８７９０号パンフレット）に開示されている。さらに、移動鏡４Ｋを基板ステージ４に固設する代わりに、例えば基板ステージ４の一部（側面など）を鏡面加工して形成される反射面を用いてもよい。

また、フォーカス・レベリング検出系はその複数の計測点でそれぞれ基板ＰのＺ軸方向の位置情報を計測することで、基板ＰのθＸ及びθＹ方向の傾斜情報（回転角）を検出するものであるが、この複数の計測点はその少なくとも一部が液浸領域ＬＲ（又は投影領域ＡＲ）内に設定されてもよいし、あるいはその全てが液浸領域ＬＲの外側に設定されてもよい。さらに、例えばレーザ干渉計４Ｌが基板ＰのＺ軸、θＸ及びθＹ方向の位置情報を計測可能であるときは、基板Ｐの露光動作中にそのＺ軸方向の位置情報が計測可能となるようにフォーカス・レベリング検出系を設けなくてもよく、少なくとも露光動作中はレーザ干渉計４Ｌの計測結果を用いてＺ軸、θＸ及びθＹ方向に関する基板Ｐの位置制御を行うようにしてもよい。

次に、図２及び図３を参照しながら液浸機構１について説明する。図２は液浸機構１の要部を示す側断面図、図３は斜視図である。液浸機構１は、基板ステージ４に保持された基板Ｐと、その基板Ｐと対向する位置に設けられ、露光光ＥＬが通過する投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬとの間の光路空間Ｋを液体ＬＱで満たす。液浸機構１は、光路空間Ｋの近傍に設けられ、光路空間Ｋに対して液体ＬＱを供給する供給口１２及び液体ＬＱを回収する回収口２２を有するノズル部材６と、供給管１３、及びノズル部材６の供給口１２を介して液体ＬＱを供給する液体供給装置１１と、ノズル部材６の回収口２２、及び回収管２３を介して液体ＬＱを回収する液体回収装置２１とを備えている。ノズル部材６は、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬを囲むように設けられた環状部材である。また、ノズル部材６の内部には、供給口１２と供給管１３とを接続する供給流路１４、及び回収口２２と回収管２３とを接続する回収流路２４が形成されている。液体供給装置１１及び液体回収装置２１の動作は制御装置７に制御される。液体供給装置１１は清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能であり、真空系等を含む液体回収装置２１は液体ＬＱを回収可能である。

ノズル部材６は、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１と対向する上面１９を有する底板１８を有している。底板１８の一部は、Ｚ軸方向に関して、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１と基板Ｐ（基板ステージ４）との間に配置されている。また、底板１８の中央部には、露光光ＥＬが通過する開口１８Ｋが形成されている。開口１８Ｋは、露光光ＥＬが照射される投影領域ＡＲよりも大きく形成されている。これにより、投影光学系ＰＬ（最終光学素子ＦＬ）を通過した露光光ＥＬは、底板１８に遮られることなく、基板Ｐ上に到達できる。本実施形態においては、開口１８Ｋは、露光光ＥＬの断面形状（すなわち投影領域ＡＲ）に応じた平面視略矩形状に形成されている。なお、底板１８の開口１８Ｋの形状は、露光光ＥＬを通過可能であれば、適宜変更可能である。

ノズル部材６のうち、基板ステージ４に保持された基板Ｐの表面と対向する下面は、ＸＹ平面と平行な平坦面となっている。ノズル部材６の下面とは、底板１８の下面１７を含むものである。基板ステージ４に保持された基板Ｐの表面はＸＹ平面とほぼ平行であるため、ノズル部材６の下面１７は、基板ステージ４に保持された基板Ｐの表面と対向するように、且つ基板Ｐの表面と略平行となるように設けられている。以下の説明においては、ノズル部材６（底板１８）の下面１７を適宜、ランド面１７と称する。ランド面１７は、ノズル部材６のうち、基板ステージ４に保持された基板Ｐに最も近い位置に設けられた平坦面であり、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１と基板Ｐの表面との間において、露光光ＥＬの光路（投影領域ＡＲ）を囲むように設けられている。

基板Ｐの表面と最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１との距離は、基板Ｐの表面とランド面１７との距離よりも長くなっている。すなわち、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１は、ランド面１７より高い位置に設けられている。本実施形態においては、基板Ｐの表面と最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１との距離は、約３ｍｍ程度に設定されている。また、基板Ｐの表面とランド面１７との距離は、約１ｍｍ程度に設定されている。そして、ランド面１７には光路空間Ｋに満たされた液体ＬＱが接触するようになっており、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１にも光路空間Ｋに満たされた液体ＬＱが接触するようになっている。すなわち、ノズル部材６のランド面１７及び最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１は、光路空間Ｋに満たされた液体ＬＱと接触する液体接触面となっている。

また、底板１８は、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１及び基板Ｐ（基板ステージ４）とは接触しないように設けられており、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１と底板１８の上面１９との間には所定のギャップを有する空間が設けられている。以下の説明においては、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１と底板１８の上面１９との間の空間を含むノズル部材６の内側の空間を適宜、内部空間ＳＰと称する。

ノズル部材６の内部には、供給口１２に接続する供給流路１４が形成されている。供給流路１４は、ノズル部材６の一部を貫通するスリット状の貫通孔によって形成されている。本実施形態においては、供給流路１４は、光路空間Ｋ（投影領域ＡＲ）に対してＹ軸方向両側のそれぞれに設けられている。そして、供給流路１４の上端部と液体供給装置１１とが供給管１３を介して接続されている。一方、供給流路１４の下端部は、最終光学素子ＦＬと底板１８との間の内部空間ＳＰに接続されており、この供給流路１４の下端部が供給口１２となっている。したがって、供給口１２と液体供給装置１１とは、供給管１３及び供給流路１４を介して接続されている。本実施形態においては、供給口１２は、露光光ＥＬの光路空間Ｋの外側において、光路空間Ｋを挟んだＹ軸方向両側のそれぞれの所定位置に設けられている。供給管１３及び供給流路１４は、複数（本実施形態では２つ）の供給口１２に対応するように複数設けられている。

図３に示すように、ノズル部材６は、内部空間ＳＰの気体を外部空間（大気空間）ＳＴに排出（排気）する排出口１６と、排出口１６に接続する排出流路１５とを備えている。排出流路１５は、ノズル部材６の一部を貫通するスリット状の貫通孔によって形成されている。本実施形態においては、排出流路１５は、光路空間Ｋ（投影領域ＡＲ）に対してＸ軸方向両側のそれぞれに設けられている。そして、排出流路１５の上端部は外部空間（大気空間）ＳＴに接続されており、大気開放された状態となっている。一方、排出流路１５の下端部は、最終光学素子ＦＬと底板１８との間の内部空間ＳＰに接続されており、この排出流路１５の下端部が排出口１６となっている。排出口１６は、露光光ＥＬの光路空間Ｋの外側において、光路空間Ｋを挟んだＸ軸方向両側のそれぞれの所定位置に設けられている。排出口１６は、内部空間ＳＰに接続され、内部空間ＳＰの気体、すなわち投影光学系ＰＬの像面周囲の気体は、排出口１６を介して、排出流路１５の上端部より、外部空間ＳＴに排出（排気）可能となっている。なお、排出流路１５の上端部と真空系を含む吸引装置とを接続し、吸引装置を駆動することによって、内部空間ＳＰの気体を強制的に排出するようにしてもよい。

ノズル部材６の内部には、回収口２２に接続する回収流路２４が形成されている。ノズル部材６には、下向きに開口する空間が形成されており、回収流路２４はその空間によって構成されている。そして、回収口２２は、下向きに開口する空間の開口によって構成されている。回収流路２４は、光路空間Ｋに対して供給流路１４及び排出流路１５の外側に設けられている。

回収口２２は、基板ステージ４に保持された基板Ｐの上方において、その基板Ｐの表面と対向する位置に設けられている。基板ステージ４に保持された基板Ｐの表面とノズル部材６に設けられた回収口２２とは所定距離だけ離れている。回収口２２は、投影光学系ＰＬの像面側の光路空間Ｋに対して供給口１２及び排出口１６の外側に設けられており、光路空間Ｋ（投影領域ＡＲ）、ランド面１７、供給口１２、及び排出口１６を囲むように環状に形成されている。本実施形態においては、回収口２２は平面視円環状に形成されている。そして、回収流路２４と液体回収装置２１とが回収管２３を介して接続されている。したがって、回収口２２と液体回収装置２１とは、回収管２３及び回収流路２４を介して接続されている。なお、回収口２２は連続的に形成される単一の回収口でもよいし、あるいは断続的に形成される複数の回収口でもよい。

ノズル部材６は、回収口２２を覆うように配置され、複数の孔を有する多孔部材２５を備えている。多孔部材２５は、例えばチタン製のメッシュ部材、あるいはセラミックス製の多孔体によって構成可能である。多孔部材２５は、基板ステージ４に保持された基板Ｐと対向する下面２５Ｂを有している。多孔部材２５の基板Ｐと対向する下面２５Ｂはほぼ平坦である。多孔部材２５は、その下面２５Ｂが基板ステージ４に保持された基板Ｐの表面（すなわちＸＹ平面）とほぼ平行になるように回収口２２に設けられている。液体ＬＱは、回収口２２に配置された多孔部材２５を介して回収される。また、回収口２２は、光路空間Ｋを囲むように環状に形成されているため、その回収口２２に配置される多孔部材２５は、回収口２２に対応するように、光路空間Ｋを囲むように環状に形成されている。
また、多孔部材２５は、その下面２５Ｂとランド面１７とがＺ軸方向においてほぼ同じ位置（高さ）になるように、且つ下面２５Ｂとランド面１７とが連続するように、回収口２２に設けられている。すなわち、ランド面１７と多孔部材２５の下面２５Ｂとはほぼ面一に設けられている。

また、本実施形態においては、液浸機構１は、多孔部材２５の各孔の径、多孔部材２５と液体ＬＱとの接触角、及び液体ＬＱの表面張力などに応じて、回収流路２４の圧力と外部空間（大気空間）ＳＴの圧力との差を最適化することによって、回収口２２を介して液体ＬＱのみを回収するように設けられている。具体的には、液浸機構１は、液体回収装置２１による回収流路２４に対する吸引力を制御して、回収流路２４の圧力を最適化することによって、液体ＬＱのみを回収する。

なお、ノズル部材６の供給口、回収口、排出口の数、位置、形状は、図３で示したものに限られず、液浸領域ＬＲを良好に維持できるものであればよい。例えば、供給口１２をＸ軸方向の両側に設け、排出口１６をＹ軸方向の両側に設けてもよい。

次に、上述した構成を有する露光装置ＥＸを用いてマスクＭのパターン像を基板Ｐに露光する方法について説明する。

露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすために、制御装置７は、液体供給装置１１及び液体回収装置２１のそれぞれを駆動する。制御装置７の制御のもとで液体供給装置１１から送出された液体ＬＱは、供給管１３を流れた後、ノズル部材６の供給流路１４を介して、供給口１２より投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬと底板１８との間の内部空間ＳＰに供給される。内部空間ＳＰに液体ＬＱが供給されることにより、内部空間ＳＰに存在していた気体部分は排出口１６及び／又は開口１８Ｋを介して外部に排出される。

内部空間ＳＰに供給された液体ＬＱは、開口１８Ｋを介してランド面１７と基板Ｐ（基板ステージ４）との間の空間に流入し、光路空間Ｋを満たす。このとき、制御装置７は、液体回収装置２１を用いて、単位時間当たり所定量の液体ＬＱを回収している。ランド面１７と基板Ｐとの間の空間の液体ＬＱは、ノズル部材６の回収口２２を介して回収流路２４に流入し、回収管２３を流れた後、液体回収装置２１に回収される。

制御装置７は、液浸機構１を制御して、液体供給装置１１による液体供給動作と液体回収装置２１による液体回収動作とを並行して行うことで、光路空間Ｋを液体ＬＱで満たし、基板Ｐ上の一部の領域に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成する。そして、制御装置７は、露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たした状態で、投影光学系ＰＬと基板Ｐとを相対的に移動しながらマスクＭのパターン像を投影光学系ＰＬ及び光路空間Ｋの液体ＬＱを介して基板Ｐ上に露光する。本実施形態の露光装置ＥＸは、Ｙ軸方向を走査方向とする走査型露光装置であるため、制御装置７は、基板ステージ４を制御して、基板Ｐを所定速度でＹ軸方向に移動しながら露光する。

制御装置７は、基板Ｐに露光光ＥＬを照射するとき、ブラインド装置４５を用いて、基板Ｐ上における露光光ＥＬの照射領域（投影領域）ＡＲを設定する。基板Ｐの表面には、露光光ＥＬが照射される照射領域（投影領域）ＡＲがブラインド装置４５によってスリット状に設定される。すなわち、図４Ａの模式図に示すように、基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射する第１状態においては、制御装置７は、ブラインド装置４５を用いて、マスクＭ上における露光光ＥＬの照射領域（照明領域）ＩＡ、ひいては基板Ｐ上における露光光ＥＬの照射領域（投影領域）ＡＲを設定する。そして、図４Ｂの模式図に示すように、基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射している第１状態においては、最終光学素子ＦＬの上面Ｔ２に入射し、最終光学素子ＦＬを通過した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬの液体ＬＱと接触する下面（液体接触面）Ｔ１のうち、照射領域（投影領域）ＡＲに応じた第１領域Ｃ１を通過する。最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第１領域Ｃ１を通過した露光光ＥＬは、液体ＬＱを通過した後、基板Ｐ上に照射される。このように、露光光ＥＬは、最終光学素子ＦＬ及び光路空間Ｋの液体ＬＱを介して基板Ｐ上に照射される。

本実施形態においては、ノズル部材６は、基板Ｐと対向するランド面１７を有する底板１８を有しており、露光光ＥＬの光路を囲むように、基板Ｐとランド面１７との間に小さいギャップが形成されるので、液体ＬＱを基板Ｐの表面とランド面１７との間で良好に保持することができる。したがって、液体ＬＱが満たされた光路空間Ｋに対して基板Ｐを移動する場合でも、液体ＬＱの流出を防止することができる。

ところで、図２に示すように、基板Ｐは、半導体ウエハなどからなる基材Ｗと、その基材Ｗの表面を覆う感光材（フォトレジスト）からなる第１膜Ｒｇとを備えている。そして、光路空間Ｋを満たす液体ＬＱ中には、第１膜Ｒｇから発生した不純物（異物）が混入する可能性がある。なお、感光材から発生する不純物とは、感光材の破片、感光材に含まれる電解質の析出物等を含む。また、感光材が化学増幅型レジストである場合には、感光材から発生する不純物として、ベース樹脂中に含まれる光酸発生剤（ＰＡＧ：Photo Acid Generator）、及びクエンチャーと呼ばれるアミン系物質等が挙げられる。感光材は有機物を含んでいるため、光路空間Ｋを満たす液体ＬＱ中に有機物を含む不純物が混入する可能性がある。光路空間Ｋを満たす液体ＬＱは、最終光学素子ＦＬの下面（液体接触面）Ｔ１にも接触するため、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１に不純物（有機物）が付着する可能性がある。また、基板Ｐとして、基材Ｗと、第１膜Ｒｇと、その第１膜Ｒｇを覆うトップコート膜と呼ばれる保護膜を形成した場合でも、そのトップコート膜から液体ＬＱ中に不純物が発生したり、あるいはトップコート膜を介して感光材（第１膜Ｒｇ）から不純物が液体ＬＱ中に混入する可能性があり、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１に不純物（有機物）が付着する可能性がある。

本実施形態においては、露光光ＥＬとして、光洗浄効果を有する紫外光であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いているため、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１のうち、露光光ＥＬが通過する第１領域Ｃ１は光洗浄される。紫外光である露光光ＥＬが照射されることにより、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第１領域Ｃ１に付着した不純物（有機物）は、酸化分解されて除去される。すなわち、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第１領域Ｃ１は、基板Ｐに露光光ＥＬを照射している第１状態において、露光光ＥＬによって光洗浄されている。このように、露光光ＥＬの照射により、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第１領域Ｃ１を光洗浄することができ、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第１領域Ｃ１に付着した不純物（有機物）を除去することができる。また、露光光ＥＬが照射されることにより、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第１領域Ｃ１の親液性を維持する（あるいは高める）ことができる。

また、基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射している第１状態においては、制御装置７は、液浸機構１の液体供給装置１１及び液体回収装置２１を用いて、液体ＬＱの供給と回収とを並行して行っている。このように、液体供給装置１１及び液体回収装置２１を用いて液体ＬＱの供給及び回収を行いながら、露光光ＥＬの照射による光洗浄によって最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第１領域Ｃ１から除去された異物（不純物）を、液体ＬＱとともに回収することができる。

ところが、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１のうち、露光光ＥＬが通過する第１領域Ｃ１とは異なる第２領域（第１領域Ｃ１を除く下面Ｔ１の残りの領域の少なくとも一部を含む）Ｃ２にも不純物（有機物）が付着する可能性がある。そこで、本実施形態においては、例えば露光装置ＥＸのメンテナンス時など、基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射しない第２状態において、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１のうち、第１領域Ｃ１とは異なる第２領域Ｃ２に露光光ＥＬを照射して、その第２領域Ｃ２を光洗浄する処理が行われる。

図５は最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第２領域Ｃ２を光洗浄している状態を示す図である。ここで、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第２領域Ｃ２とは、第１領域Ｃ１及び第１領域Ｃ１の周囲の領域を含む領域である。本実施形態では、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１のほぼ全部の領域が第２領域Ｃ２であるものとして説明する。

図５に示すように、露光光ＥＬを用いて第２領域Ｃ２を光洗浄するときには、液浸機構１によって、最終光学素子ＦＬと基板Ｐ以外の所定部材との間に液体ＬＱで満たされる。本実施形態においては、所定部材として、基板ステージ４に保持され、デバイスを製造するための基板Ｐとは異なるダミー基板ＤＰが用いられる。ダミー基板ＤＰは、デバイスを製造するための基板Ｐとほぼ同じ外形を有しており、基板ステージ４の基板ホルダ４Ｈによって保持可能である。ダミー基板ＤＰは、液体ＬＱ中に不純物を発生させない撥液性の表面を有している。

第２領域Ｃ２に露光光ＥＬを照射して第２領域Ｃ２を光洗浄するときに、露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬと基板ステージ４に保持されたダミー基板ＤＰとを対向させる。その状態で、露光装置ＥＸは、液浸機構１を用いて、投影光学系ＰＬとダミー基板ＤＰとの間を液体ＬＱで満たし、ダミー基板ＤＰ上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを形成する。

制御装置７は、投影光学系ＰＬとダミー基板ＤＰとの間を液体ＬＱで満たした状態で、第２領域Ｃ２を光洗浄するために、ブラインド装置４５を駆動する。具体的には、図６Ａの模式図に示すように、制御装置７は、第２領域Ｃ２に露光光ＥＬを照射するために、第１駆動装置４３Ｄを用いて、露光光ＥＬの光路上に設けられている第１ブラインド４３を駆動して露光光ＥＬの光路上から退かす。また、制御装置７は、第２駆動装置４４Ｄを用いて、第２ブラインド４４を駆動して、開口４４Ｋを調整する。具体的には、第２領域Ｃ２に露光光ＥＬを照射するために、制御装置７は、開口４４Ｋの大きさを、基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射しているときよりも大きくする。こうすることにより、図６Ｂの模式図に示すように、基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射していない第２状態においては、最終光学素子ＦＬの上面Ｔ２に入射した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬの液体ＬＱと接触する下面（液体接触面）Ｔ１の第２領域Ｃ２に照射される。

このように、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第２領域Ｃ２に光洗浄効果を有する紫外光である露光光ＥＬが照射されることにより、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第２領域Ｃ２に付着した不純物（有機物）を酸化分解して除去することができる。また、露光光ＥＬが照射されることにより、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第２領域Ｃ２の親液性を維持する（あるいは高める）ことができる。

また、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第２領域Ｃ２を通過した露光光ＥＬは、ノズル部材６の底板１８の上面１９にも照射される。したがって、ノズル部材６の底板１８の上面１９に付着した不純物（有機物）を酸化分解して除去することができる。また、露光光ＥＬが照射されることにより、ノズル部材６の底板１８の上面１９の親液性を維持する（あるいは高める）ことができる。

また、制御装置７は、液浸機構１の液体供給装置１１及び液体回収装置２１を用いて、液体ＬＱの供給と回収とを並行して行いつつ、第２領域Ｃ２に露光光ＥＬを照射する。これにより、光洗浄によって最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第２領域Ｃ２から除去された異物（不純物）を、液体ＬＱとともに回収することができる。

以上説明したように、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１のうち基板Ｐの露光時には露光光ＥＬが通過しない第２領域Ｃ２に露光光ＥＬを照射することで、第１領域Ｃ１以外の第２領域Ｃ２に付着した不純物（有機物）を光洗浄効果によって除去することができる。したがって、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１における透過率の低下、投影光学系ＰＬの結像特性の変動等といった不都合の発生を防止し、露光装置ＥＸの性能の劣化を防止することができる。このように、本実施形態においては、露光光ＥＬの光路空間Ｋを満たすための液体ＬＱに接触する光学部材の汚染に起因する露光装置ＥＸの性能の劣化を防止することができる。

また、露光光ＥＬを照射することによって、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の親液性を維持することができる。したがって、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１に液体ＬＱを良好に密着させることができ、泡などの混入を抑えて、所望状態の液浸領域ＬＲを形成することができる。

また、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第２領域Ｃ２を通過した露光光ＥＬがノズル部材６の底板１８の上面１９に照射されることにより、底板１８の上面１９に付着した不純物を除去することができるとともに、底板１８の上面１９の親液性を維持することができる。

本実施形態においては、液浸領域ＬＲを良好に形成するために、ノズル部材６にはランド面１７を有する底板１８が設けられており、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１と底板１８との間に所定のギャップを有する内部空間ＳＰが形成されているが、内部空間ＳＰに不純物を含んだ液体ＬＱが入り込んだ場合、その液体ＬＱの流れによっては、内部空間ＳＰにおける液体ＬＱ中の不純物の濃度が高まり、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１及び底板１８の上面１９に不純物が付着し易くなる可能性がある。

不純物の付着等によって最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の親液性が劣化した場合（下面Ｔ１が撥液化した場合）、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１と液体ＬＱとの密着性が低下し、光路空間Ｋを満たす液体ＬＱ中に気泡（気体部分）が生成されやすくなったり、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１に気泡が付着しやすくなる可能性がある。また、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１のうち第１領域Ｃ１以外の領域に付着していた気泡が基板Ｐの露光中に最終光学素子ＦＬから離れて露光光ＥＬの光路上に配置されてしまう不都合が生じる可能性もある。

同様に、底板１８の上面１９の親液性が劣化した場合、光路空間Ｋを満たす液体ＬＱ中に気泡（気体部分）が生成されやすくなったり、底板１８の上面１９に気泡が付着しやすくなったり、底板１８の上面１９に付着していた気泡が基板Ｐの露光中に底板１８の上面１９から離れて露光光ＥＬの光路上に配置されてしまう不都合が生じる可能性もある。

本実施形態では、メンテナンス時などにおいて、基板Ｐの露光中には露光光ＥＬが照射されない最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第２領域Ｃ２及び底板１８の上面１９に光洗浄効果を有する光（露光光）を照射して、その第２領域Ｃ２及び底板１８の上面１９を光洗浄することで、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１及び底板１８の上面１９に付着した不純物（有機物）を除去することができるとともに、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１及び底板１８の上面１９の親液性を維持することができる。したがって、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１と液体ＬＱとの密着性を維持することができ、液体ＬＱ中に気泡が生成されたり、下面Ｔ１に気泡が付着する等の不都合の発生を防止することができる。同様に、底板１８の上面１９に気泡が付着する等の不都合の発生を防止することができる。

また、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第２領域Ｃ２を光洗浄するために、最終光学素子ＦＬの上面Ｔ２に入射し、その最終光学素子ＦＬを通過した露光光ＥＬを第２領域Ｃ２に照射するようにしたので、第２領域Ｃ２を円滑に光洗浄することができる。そして、その最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１に対向する底板１８の上面１９にも露光光ＥＬを円滑に照射することができる。

また、露光装置ＥＸは、露光光ＥＬの光路上に設けられ、基板Ｐ上での露光光ＥＬの照射領域（投影領域）ＡＲを調整可能なブラインド装置４５を駆動することによって、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第２領域Ｃ２に露光光ＥＬを円滑に照射することができ、既存の機器・部材を用いて、第２領域Ｃ２を円滑に光洗浄することができる。

最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第２領域Ｃ２に露光光ＥＬを照射してその第２領域Ｃ２を光洗浄する動作は、メンテナンス時など、所定期間間隔で行うことができる。あるいは、第２領域Ｃ２の汚染状態（下面Ｔ１での透過率低下量）を、感光材の種類（物性）及び／又は、基板Ｐと液体ＬＱとの接触時間などに応じて、実験及び／又はシミュレーションを用いて予め求めることができるのであれば、その求めた汚染状態に応じて、第２領域Ｃ２に露光光ＥＬを照射する動作を行うようにしてもよい。あるいは、第２領域Ｃ２の汚染状態を計測可能な計測装置によって、第２領域Ｃ２の汚染状態を計測し、その計測結果に基づいて、汚染状態が許容状態を越えたとき、第２領域Ｃ２に露光光ＥＬを照射するようにしてもよい。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について図７Ａ及び７Ｂを参照して説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図７Ａに示すように、露光光ＥＬの照射領域（ＩＡ、ＡＲ）を設定するためのブラインド装置４５は、第１ブラインド４３のみを有した構成であってもよい。ブラインド装置４５は、露光光ＥＬの光路上に設けられ、照射領域を設定するための開口４３Ｋを形成する第１ブラインド４３と、第１ブラインド４３を駆動する駆動装置４３Ｄとを有している。制御装置７は、第２領域Ｃ２に露光光ＥＬを照射するために、図７Ｂに示すように、駆動装置４３Ｄを用いて、第１ブラインド４３を駆動して、露光光ＥＬの光路上から退かす。これにより、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第２領域Ｃ２に露光光ＥＬが照射される。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について図８Ａ及び８Ｂを参照して説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図８Ａにおいて、ブラインド装置４５は、露光光ＥＬの光路上に設けられ、照射領域（ＩＡ、ＡＲ）を設定するための開口４４Ｋを形成する第２ブラインド４４’と、開口４４Ｋの大きさを調整可能な駆動装置４４Ｄとを備えている。第２ブラインド４４’は、複数の板状部材を組み合わせて構成されており、板状部材のそれぞれを駆動することによって、開口４４Ｋ、ひいては露光光ＥＬの照射領域を調整可能である。制御装置７は、第２領域Ｃ２に露光光ＥＬを照射するために、図８Ｂに示すように、駆動装置４４Ｄを用いて、第２ブラインド４４’の板状部材を駆動し、開口４４Ｋを大きくする。これにより、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第２領域Ｃ２に露光光ＥＬが照射される。

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について図９を参照して説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図９に示すように、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第２領域Ｃ２に露光光ＥＬを照射するときに、最終光学素子ＦＬと基板ステージ４の上面４Ｆとを対向させ、その最終光学素子ＦＬと基板ステージ４の上面４Ｆとの間を液体ＬＱで満たした状態で、第２領域Ｃ２に露光光ＥＬを照射することができる。この場合、基板ステージ４の上面４Ｆには、液体ＬＱ中に不純物を混入させず、且つ露光光ＥＬの照射により、その表面状態が変化しない所定領域が設けられており、液体ＬＱは、最終光学素子ＦＬとその所定領域との間に満たされる。なお、露光光ＥＬの照射によりその表面状態が変化しない所定領域とは、上面４Ｆの撥液性が劣化しない領域を含む。

＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について図１０を参照して説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図１０に示す露光装置ＥＸは、例えば、特開平１１−１３５４００号公報（対応国際公開１９９９／２３６９２）及び特開２０００−１６４５０４号公報（対応米国特許第６，８９７，６９３号）などに開示されているような、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ４と、基準マークが形成された基準部材、各種の光電センサ等、露光処理に関する計測を行う計測器を搭載して移動可能な計測ステージ８とを備えている。

図１０に示すように、最終光学素子ＦＬの第２領域Ｃ２に露光光ＥＬを照射するときに、最終光学素子ＦＬと計測ステージ８の上面８Ｆとを対向させ、その最終光学素子ＦＬと計測ステージ８の上面８Ｆとの間を液体ＬＱで満たした状態で、第２領域Ｃ２に露光光ＥＬを照射することができる。この場合、計測ステージ８の上面８Ｆには、計測器が設けられた領域以外の領域であって、液体ＬＱ中に不純物を混入させず、且つ露光光ＥＬの照射により、その表面状態が変化しない領域が設けられており、液体ＬＱは、最終光学素子ＦＬとその領域との間に満たされる。

なお、上述の各実施形態においては、液浸機構１を用いて液体ＬＱの供給と回収とを並行して行いつつ、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第２領域Ｃ２に露光光ＥＬを照射しているが、最終光学素子ＦＬと所定部材との間を液体ＬＱで満たした後、液体ＬＱの供給動作を回収動作とを停止した状態で、第２領域Ｃ２に露光光ＥＬを照射してもよい。

なお、第２領域Ｃ２に露光光ＥＬを照射するときには、基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射するときに対して、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１における露光光ＥＬの強度（照度）を変えるようにしてもよい。例えば、第２領域Ｃ２に露光光ＥＬを照射するときの照度を、基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射するときの照度よりも大きくすることにより、下面Ｔ１に付着した不純物をより良好に除去することができる。なお、露光光ＥＬの照射により最終光学素子ＦＬ、あるいは露光光ＥＬの光路上に設けられている各種光学部材の劣化が生じる場合には、照射する露光光ＥＬの強度（照度）を適宜調整することができる。

なお、上述の実施形態のノズル部材６は、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１と対向する上面１９を有する底板１８を備えているが、底板１８が無いノズル部材６を有した露光装置ＥＸにももちろん適用可能である。すなわち、ノズル部材６を含む液浸機構１は、上述の構成に限られず、例えば欧州特許公開第１，４２０，２９８号公報、国際公開第２００４／０５５８０３号公報、国際公開第２００４／０５７５９０号公報、国際公開第２００５／０２９５５９号公報、国際公開第２００４／０８６４６８号パンフレット（対応米国公開２００５／０２８０７９１Ａ１）、特開２００４−２８９１２６号公報（対応米国特許第６，９５２，２５３号）などに開示される液浸機構（ノズル部材）を用いてもよい。また、液浸機構１の少なくとも一部（例えば、液体供給装置１１及び／又は液体回収装置２１を構成する部材）は、露光装置ＥＸが備えている必要はなく、例えば露光装置ＥＸが設置される工場等の設備を代用してもよい。

なお、上述の実施形態において、基板Ｐを液浸露光するときに用いる液体ＬＱは、液浸領域ＬＲにおける気泡発生の防止等を目的として、投影光学系ＰＬの像面側に供給される前に脱気処理されている。すなわち、液体供給装置１１は、液体ＬＱ中の溶存酸素（溶存気体）を低減するための脱気装置を備えており、投影光学系ＰＬの像面側に供給する前の液体ＬＱに対して脱気処理を行った後に、その脱気処理した液体ＬＱを投影光学系ＰＬの像面側に供給している。一方で、光洗浄は、光洗浄効果を有する光を照射することによって不純物（有機物）を酸化分解する構成であるため、光洗浄するときにおいては、液体ＬＱ中に所定濃度の酸素が存在（溶存）していることが望ましい。したがって、最終光学素子ＦＬと所定部材との間を液体ＬＱで満たした状態で、最終光学素子ＦＬの第２領域Ｃ２に露光光ＥＬを照射することによって最終光学素子ＦＬの第２領域Ｃ２及び底板１８の上面１９等を光洗浄するときには、制御装置７は、投影光学系ＰＬの像面側に供給する液体ＬＱの酸素濃度を、基板Ｐを露光するときの液体ＬＱの酸素濃度よりも多くするようにしてもよい。すなわち、光洗浄するときには、制御装置７は、例えば脱気処理を施さない液体ＬＱを投影光学系ＰＬの像面側に供給するようにしてもよい。あるいは、最終光学素子ＦＬと所定部材との間に液体ＬＱを満たした状態で、第２領域Ｃ２に露光光ＥＬを照射して光洗浄するときには、制御装置７は、基板Ｐの露光に用いる液体（純水）とは別の液体、例えば過酸化水素水を、投影光学系ＰＬの像面側に供給するようにしてもよい。

なお、上述の各実施形態においては、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の第２領域Ｃ２及び／又は底板１８の上面１９に露光光ＥＬが照射されるようにブラインド装置４５のブラインド（４３及び／又は４４）の位置を調整しているが、露光光ＥＬの光路上に配置された光学素子を用いて、露光光ＥＬの照射領域を調整（拡大及び／又は縮小）してもよい。この場合、すでに露光光ＥＬの光路上に配置されている光学素子を用いてもよいし、上述の光洗浄処理を行う直前に露光光ＥＬの光路上にその光学素子を配置してもよい。

また、ブラインド装置４５とその光学素子とを併用して光洗浄を行ってもよい。さらに、この光学素子として、例えばズームレンズ系あるいはビームエキスパンダなどを用いることとしてもよい。また、上述の実施形態では、光洗浄時に露光光ＥＬが照射される第２領域Ｃ２は、露光時に露光光ＥＬが照射される第１領域Ｃ１を含むものとしたが、これに限らず、第２領域Ｃ２は第１領域Ｃ１の少なくとも一部を含まなくてもよく、要は第１領域Ｃ１を除く下面Ｔ１の残りの領域の少なくとも一部を含んでいればよい。さらに、上述の実施形態では露光光ＥＬを用いて光洗浄を行うものとしたが、露光光以外の光を洗浄光として用いてもよい。

上述したように、上記各実施形態における液体ＬＱは純水であるものとした。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板Ｐ上のフォトレジスト、光学素子（レンズ）等に対する悪影響が少ない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Ｐの表面、及び投影光学系ＰＬの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。

そして、波長が１９３ｎｍ程度の露光光ＥＬに対する純水（水）の屈折率ｎはほぼ１．４４と言われており、露光光ＥＬの光源としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いた場合、基板Ｐ上では１／ｎ、すなわち約１３４ｎｍに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約ｎ倍、すなわち約１．４４倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系ＰＬの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。

上記各実施形態では、投影光学系ＰＬの先端に光学素子ＦＬが取り付けられており、この光学素子により投影光学系ＰＬの光学特性、例えば収差（球面収差、コマ収差等）の調整を行うことができる。なお、投影光学系ＰＬの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系ＰＬの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ＥＬを透過可能な平行平面板であってもよい。

なお、液体ＬＱの流れによって生じる投影光学系ＰＬの先端の光学素子と基板Ｐとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。

なお、上記各実施形態では、投影光学系ＰＬと基板Ｐ表面との間は液体ＬＱで満たされている構成であるが、例えば基板Ｐの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体ＬＱを満たす構成であってもよい。

また、上述の実施形態の投影光学系は、先端の光学素子ＦＬの像面（射出面）側の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、先端の光学素子の物体面（入射面）側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。

なお、上記各実施形態の液体ＬＱは水（純水）であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ＥＬの光源がＦ_２レーザである場合、このＦ_２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ_２レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体ＬＱと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体ＬＱとしては、その他にも、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬ及び基板Ｐ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。

また、液体ＬＱとしては、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。更に、石英及び蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で光学素子ＦＬを形成してもよい。液体ＬＱとして、種々の液体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。

なお、上記各実施形態では露光光ＥＬの照射領域（ＩＡ、ＡＲ）が矩形状であるものとしたが、これに限らず、例えば円弧状などでもよい。また、照射領域（ＩＡ、ＡＲ）は投影光学系ＰＬの視野内で光軸を含んで設定されるものとしたが、これに限らず、例えば光軸を含まず偏心して設定されてもよい。さらに、上記各実施形態では干渉計システム（３Ｌ、４Ｌ）を用いてマスクステージ３及び基板ステージ４の各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムの両方を備えるハイブリッドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正（キャリブレーション）を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り替えて用いる、あるいはその両方を用いて、ステージの位置制御を行うようにしてもよい。

なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

また、露光装置ＥＸとしては、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第１パターンの縮小像を投影光学系（例えば１／８縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系）を用いて基板Ｐ上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第２パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、本発明は、例えば特開平１０−１６３０９９号公報及び特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許第６，５９０，６３４号）、特表２０００−５０５９５８号公報（対応米国特許第５，９６９，４４１号）、米国特許第６，２０８，４０７号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。

また、本発明は、複数の基板ステージと複数の計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。

また、上述の実施形態においては、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、例えば特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。

さらに、上記各実施形態では投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。投影光学系を用いない場合であっても、露光光はマスク又は回折光学素子などの光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸領域が形成される。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（可変成形マスクとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示装置（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）などを含む）を用いてもよい。

また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

さらに、例えば特表２００４−５１９８５０号公報（対応米国特許第６，６１１，３１６号）に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも本発明を適用することができる。

なお、本国際出願で指定又は選択された国の法令で許容される限りにおいて、上記各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１１に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などの基板処理プロセスを含むステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

本発明によれば、露光装置の性能劣化を防止して、基板を良好に露光することができ、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。このため、本発明は、我国の半導体産業を含むハイテク産業及びＩＴ技術の発展に貢献するであろう。

Claims (23)

1. 液体を介して基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
   前記露光光を前記基板に照射するための光学部材と、
   前記光学部材と対向する表面を有し、前記光学部材と前記基板との間に液体を供給するノズル部材と、
   前記基板上に前記露光光が照射される第１状態において、前記露光光の照射領域を設定する設定装置と、を備え、
   前記設定装置は、前記基板上に前記露光光が照射されない第２状態において、前記ノズル部材の前記表面に付着した異物を除去するために前記ノズル部材の表面に前記露光光が照射されるように前記照射領域を設定する露光装置。
2. 液体を介して基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置であって、
   前記露光光を前記基板に照射するための光学部材と、
   前記光学部材と対向する表面を有し、前記光学部材と前記基板との間に液体を供給するノズル部材と、
   前記露光光の照射領域を設定する設定装置であり、前記光学部材の前記第１面の第１領域を介して前記基板に前記露光光が照射される露光モードと、前記ノズル部材の前記表面に付着した異物を除去するために当該表面に前記露光光が照射される光洗浄モードとを有する前記設定装置と、を備える露光装置。
3. 前記光学部材下に前記液体が供給された状態で、前記ノズル部材の前記表面に前記露光光が照射される請求項１又は２記載の露光装置。
4. 前記ノズル部材は、前記光学部材に面して前記液体を供給する供給口を含む請求項１〜３のいずれか一項記載の露光装置。
5. 前記光学部材は前記液体に接触する第１面を有し、
   前記光学部材の前記第１面のうち、前記基板の露光中に前記露光光が通過する第１領域とは異なる第２領域に前記露光光を照射して光洗浄する請求項１〜４のいずれか一項記載の露光装置。
6. 前記第２領域は、前記光学部材の前記第１面における、前記第１領域及び該第１領域の周囲の領域を含む請求項５記載の露光装置。
7. 前記第２領域に照射される露光光は、前記第１面とは異なる前記光学部材の第２面から前記第１面に向けて、前記光学部材を通過する請求項５記載の露光装置。
8. 前記設定装置は、前記露光光の光路上に設けられ、前記露光光が通過する開口を形成する設定部材と、前記開口の大きさを調整する調整機構と有する請求項１〜７のいずれか一項記載の露光装置。
9. 前記設定装置を駆動する駆動装置をさらに備え、
   前記設定装置は、前記露光光の光路上に設けられ、前記露光光が通過する開口を形成する設定部材を有し、
   前記駆動装置は、前記設定部材を駆動して前記露光光の光路上から退かす請求項１〜７のいずれか一項記載の露光装置。
10. 前記ノズル部材は、前記光学部材と前記基板以外の所定部材との間を前記液体で満たす請求項１〜９のいずれか一項記載の露光装置。
11. 前記ノズル部材は前記液体を供給する供給口と、供給された前記液体を回収する回収口を含み、
    前記供給口と前記回収口により前記液体の供給と回収とを並行して行いつつ、前記第２領域に前記露光光を照射する請求項１０記載の露光装置。
12. 前記基板を保持して移動可能な基板ステージをさらに備え、
    前記所定部材は、前記基板ステージの一部を含む請求項１０又は１１記載の露光装置。
13. 前記基板を保持して移動可能な基板ステージをさらに備え、
    前記所定部材は、前記基板ステージに保持され、前記基板とは異なるダミー基板を含む請求項１０〜１２のいずれか一項記載の露光装置。
14. 前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、
    露光処理に関する計測を行う計測器を搭載して移動可能な計測ステージとをさらに備え、
    前記所定部材は、前記計測ステージの一部を含む請求項１０〜１３のいずれか一項記載の露光装置。
15. 前記基板上に前記露光光を照射するときに、前記光学部材と前記基板との間を前記液体で満たす請求項１〜１４のいずれか一項記載の露光装置。
16. 請求項１〜請求項１５のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
17. 光学部材及び液体を介して基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置のメンテナンス方法において、
    前記光学部材と対向する表面を有して前記光学部材と前記基板との間に液体を供給するノズル部材の前記表面に対し、前記基板上に前記露光光が照射されない状態において、前記ノズル部材の前記表面に付着した異物を除去するために前記露光光を照射して光洗浄を行なうメンテナンス方法。
18. 前記露光光の光路上に設けられ、前記基板上での前記露光光の照射領域を調整可能な調整機構を駆動することによって、前記ノズル部材の前記表面に前記露光光を照射する請求項１７記載のメンテナンス方法。
19. 前記光学部材のうち前記液体と接触する第１面とは異なる第２面に入射し、該光学部材を通過した前記露光光を前記ノズルの前記表面に照射する請求項１７又は１８記載のメンテナンス方法。
20. 前記ノズル部材の前記表面に前記露光光を照射するときに、前記光学部材と前記基板以外の所定部材とを対向させる請求項１７〜１９のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
21. 前記ノズル部材の前記表面に前記露光光を照射するときに、前記光学部材と前記所定部材との間を前記液体で満たす請求項１７〜２０のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
22. 前記露光光の照射により前記ノズル部材の前記表面の親液性を維持する請求項１７〜２１のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
23. 前記所定部材は、前記基板を保持する基板ステージの一部と、前記基板ステージに保持されたダミー基板と、露光処理に関する計測を行う計測器が搭載された計測ステージの一部との少なくとも１つを含む請求項２０記載のメンテナンス方法。

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