KR100555930B1 - 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스 - Google Patents

리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스 Download PDF

Info

Publication number
KR100555930B1
KR100555930B1 KR1020020002766A KR20020002766A KR100555930B1 KR 100555930 B1 KR100555930 B1 KR 100555930B1 KR 1020020002766 A KR1020020002766 A KR 1020020002766A KR 20020002766 A KR20020002766 A KR 20020002766A KR 100555930 B1 KR100555930 B1 KR 100555930B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
silent
projection
main plate
projection system
scale
Prior art date
Application number
KR1020020002766A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020062201A (ko
Inventor
프랑크 아우어
프란시수스 안드레아스 코르넬리스요 하네스 스판예르스
얀 홀테르만
마리누스 피에터 코스테르
프리에스 데오도루스 야코부스 아드리아누스 데
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20020062201A publication Critical patent/KR20020062201A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100555930B1 publication Critical patent/KR100555930B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

압전 센서를 사용하여 렌즈와 메인플레이트간의 상대적인 움직임을 검출하고, 상기 압전 센서와 직렬로 연결된 압전 엑추에이터를 사용해서 진동을 감소시키기 위해 상기 움직임을 보상하는 렌즈 지지체를 상기 렌즈와 상기 메인플레이트 사이에 부착함으로써, 렌즈의 최상부와 렌즈가 장착된 메인플레이트간의 진동 움직임이 감소된다. 상기 구동되는 압전전자기기(actuated piezoelectrics)를 구동시키도록 발생되는 제어신호는 제어기에 의하여 발생된다.

Description

리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스{LITHOGRAPHIC APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY}
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 도시한 도,
도 2는 본 발명이 적용된 리소그래피 투영장치의 관련 구성성분의 도면,
도 3a는 공동배치된 검출 및 작동수단을 포함하는 렌즈 지지체블럭의 단면도,
도 3b는 기울어진, 공동배치된 검출 및 작동수단을 포함하는 렌즈 지지체블럭의 단면도,
도 4는 메인플레이트와 거기에 부착된 투영시스템의 단면도,
도 5a 내지 도 5d는 서로 다른 조건하에서 렌즈의 주파수 응답에 대한 실험결과의 보드 도표이다. 파워 스펙트럼 밀도가 (라디안)2/㎐ 단위로, 주파수의 함수로서 세로축을 따라 그려진다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 무음계를 도시한 도.
본 발명은,
- 방사선의 투영빔을 제공하는 방사선시스템,
- 소정 패턴에 따라 투영빔을 패터닝하는 패터닝수단,
- 기판을 잡아주는 기판테이블, 및
- 기판의 타겟부상에 패터닝된 빔을 묘화하는 투영시스템을 포함하며 방진시스템에 의하여 지지되는 무음계(silent world)를 포함하여 이루어진 리소그래피 투영장치의 진동감지부내에서 진동을 줄이는 것과 관련된다.
"패터닝수단(patterning means)"이라는 용어는 기판의 타겟부에 형성되어야 할 패턴에 대응하는 패터닝된 단면을 입사하는 방사선빔에 부여하도록 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 하며, 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 사용된다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 타겟부에 형성될 디바이스 내의 특정 기능층에 해당할 것이다(이하 참조). 그러한 패터닝수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.
- 마스크를 잡아주는 마스크테이블. 마스크의 개념은 리소그래피 분야에서 이미 잘 알려져 있고, 바이너리(binary)형, 교번 위상반전(alternating phase-shift)형 및 감쇠 위상반전형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크 형식도 포함한다. 투영빔 내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크의 패턴에 따라 마스크에 입사되는 방사선의 선택적인 투과(투과 마스크의 경우) 또는 반사(반사 마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크테이블은 마스크가 입사하는 방사선빔 내의 소정 위치에 올 수 있게 하며 필요에 따라서는 빔에 대하여 이동될 수 있게 한다.
- 프로그래밍 가능한 거울배열. 이러한 장치의 예로는, 점탄성 제어 층(viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본원리는, (예를 들어) 반사면의 어드레스된 영역(addressed area)에서는 입사광이 회절광으로 반사되는 한편, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광이 비회절광으로 반사되는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 반사된 빔 중에서 상기 비회절광을 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로, 상기 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어스레싱은 적당한 전자수단을 사용하여 수행될 수 있다. 여기에 언급된 거울배열에 관한 더 많은 정보는, 예를 들어 본 명세서에서 참고자료로 채용되고 있는 미국 특허 US 5,296,891호 및 US 5,523,193호로부터 얻을 수 있다.
- 프로그래밍 가능한 LCD 배열. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참고 자료로 채용되고 있는 미국특허 US 5,229,872호에 개시되어 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는 그 자체가 마스크와 마스크테이블을 포함하는 예시적인 용어로서 지칭될 수도 있다. 하지만, 그러한 예시에서 논의된 일반적인 원리는 상술한 바와 같은 패터닝수단의 광의의 개념으로 이해되어야 한다.
편의상, 상기 투영시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급될 것이다. 하지만 이 용어는 예를 들어, 굴절광학, 반사광학 및 카타디옵트릭(catadioptric)시스템을 포함한 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭 넓게 해석되어야 한다. 또한 상기 방사선시스템은 방사선 투영빔의 지향, 성형 또는 제어를 위한 임의의 설계방식에 따라 작동하는 구성요소를 포함할 수 있고, 이후의 설명에서는 이러한 구성요소들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급할 것이다. 나아가, 상기 리소그래피 장치는 2이상의 기판테이블(및/또는 2이상의 마스크)테이블을 구비하는 형태가 될 수도 있다. 이러한 "복수 스테이지" 장치에서는, 추가 테이블이 병행으로 사용될 수 있으며, 1이상의 스테이지가 노광에 사용되고 있는 동안, 1이상의 다른 스테이지에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
예를 들어, 리소그래피 투영장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 경우에, 패터닝수단은 IC의 각각의 층에 대응되는 회로 패턴을 생성할 수 있으며, 이 패턴은 감광물질(레지스트)의 층으로 코팅된 기판(실리콘 웨이퍼)상의 타겟부(예를 들어, 1이상의 다이로 구성되는)에 묘화될 수 있다. 일반적으로 한 장의 웨이퍼는 인접한 타겟부들의 전체적인 네트워크를 가지고 있어, 이들 타겟부가 투영시스템을 통해 한번에 하나씩 연속적으로 조사된다. 현재 통용되는 장치에서, 마스크테이블상의 마스크에 의한 패터닝을 채택하는 데에는, 두 가지의 서로 다른 형식의 기계로 구분될 수 있다. 일 형태의 리소그래피 투영장치에서는 타겟부상에 전체 마스크 패턴을 한번에 노광함으로써 각 타겟부가 조사되는데, 이러한 장치를 통상 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라고 한다. 통상, 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라고 불리워지는 대체 장치에서는 투영빔 하에서 소정의 기준 방향("스캐닝" 방향)으로 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 상기 스캐닝 방향과 같은 방향 또는 반대 방향으로 기판을 동기화 시켜 스캐닝함으로써 각 타겟 부가 조사된다. 일반적으로 투영시스템은 배율 인자(magnification factor) Ｍ(일반적으로 <1)을 가지므로 기판테이블이 스캐닝되는 속도(V)는 마스크테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 Ｍ배가 된다. 여기에 서술된 리소그래피 장치와 관련된 보다 상세한 정보는 본 명세서에서 참고자료로 채용되고 있는 US 6,046,792호에서 찾을 수 있다.
본 발명에 따른 리소그래피 투영장치를 사용하는 제조공정에서, (예컨데, 마스크의) 패턴은 에너지감응재(레지스트)의 층이 최소한의 부분에라도 도포된 기판상에 묘화된다. 이 묘화 단계(imaging step)에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트 코팅 및 소프트 베이크와 같은 여러가지 과정을 거칠 수 있다. 노광 후에는, 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 묘화된 피처(imaged feature)의 측정/검사와 같은 또 다른 과정을 거치게 된다. 이러한 일련의 과정은, 예를 들어 IC와 같은 디바이스의 각각의 층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그런 다음 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 연마 등과 같은, 각각의 층을 마무르기 위한 여러 공정을 거친다. 여러 개의 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체 공정 또는 그것의 변형된 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 그 결과로, 기판(웨이퍼)상에는 디바이스의 배열이 존재하게 될 것이다. 이들 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의하여 서로 분리되고, 이들 각각의 디바이스는 캐리어에 장착되고 핀 등에 접속될 수 있다. 이와 같은 공정에 관한 추가 정보는 예를 들어, "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing" (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill출판사, 1997, ISBN 0-07-067250-4)으로부터 얻을 수 있으며, 본 명세서에서 참고자료로 채용된다.
리소그래피 투영장치에서는 투영시스템내의 투영광학기에 대한 기판테이블 및 패터닝수단의 상대위치를 매우 높은 정확도로 제어해야 할 필요가 있다. 진동에 의하여 이 상대위치에서의 일시적 부정확이 유발될 수 있는데, 이는 그 정확성에 해로울 수 있다. 그 중에서도 예를 들어, 바닥 진동(floor vibration), 간접 스캐닝힘(indirect scanning force)(스텝-앤드-스캐닝 장치의 경우), (장치내의 공기현가장치에서 기원하는)방진시스템(vibration isolation system)에서의 소음 또는 음향적 소음에 의하여 렌즈 떨림(lens vibration)이 유발될 수 있다.
US 5,953,105호, US 6,038,013호, US 5,187,519호, EP 1 041 607호 및 GB 2 299 867호에 의하면, 방진시스템을 가진 장치의 나머지 부분에 매달린 메인플레이트상에 투영시스템을 장착함으로써 상기 문제를 완화시킬 수 있다. 방진시스템은 메인플레이트 및 투영시스템을 장치의 나머지 부분에서의 진동으로부터 격리시켜 투영시스템의 투영광학기에서의 진동을 감소시킨다.
리소그래피 투영장치는 렌즈에 대한 기판테이블(및/또는 마스크테이블)의 위치 에러를 2nm급 이하로 요구할 수 있다. 또한, 실제 고려되는 서보시스템 설계에서는 렌즈의 위치 안정도를 1nm급의 공차 이내로 하도록 요구할 수 있다. 본 발명자는 (수백 내지 수천 kg의 질량을 가질 수 있는 기계상에 작용하는) 1N 정도의 작은 교란력에 의하여 상기 규모의 위치 에러가 생길 수 있음을 인식하였다. 통상적으로, 리소그래피 투영장치는 0 내지 500 ㎐ 범위의 낮은 주파수를 갖는 진동에 특히 민감하다. 따라서 원하는 정도의 안정도를 성취하기가 매우 어려울 수 있다.
본 발명의 목적은 렌즈 떨림의 나쁜 영향을 감소시키기 위해서 효과적인 수단들이 취해지는 개선된 리소그래피 투영장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따라,
- 방사선의 투영빔을 제공하는 방사선시스템,
- 소정 패턴에 따라 투영빔을 패터닝하는 패터닝수단,
- 기판을 잡아주는 기판테이블, 및
- 기판의 타겟부상에 패터닝된 빔을 묘화하는 투영시스템을 포함하며 방진시스템에 의하여 지지되는 무음계(silent world)를 포함하며,
상기 무음계의 제1부분과 제2부분의 사이에서의 상대적 움직임을 탐지하고 그것을 표현하는 적어도 하나의 움직임신호를 발생시키는 검출수단,
적어도 하나의 제어신호에 응답하여 상기 무음계에 힘을 가하는 작동수단, 및
상기 적어도 하나의 움직임신호에 응답하여 상기 적어도 하나의 제어신호를 발생시키고 이에 따라 상기 제1부분과 제2부분의 사이에서의 상대적인 움직임을 감소시키는 제어수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피에서 상기 목적 및 그 밖의 목적을 이룰 수 있다.
본 발명에 의하여 제공되는 제어는 실질적으로 렌즈와 테이블의 상대적인 위치상에 가해지는 (예컨대, 장치의 메인프레임 또는 베이스플레이트에서의) 진동의 영향을 감소시킬 수 있다. 구체적으로는 이 제어가 특정 주파수 대역, 예를 들어 렌즈의 고유주파수 주변 이내에서 최대 보상을 제공하도록 튜닝될 수 있다.
본 발명은 각 블럭이 상기 검출 및 작동수단을 포함하는 하나의 블럭으로 기계가동된 렌즈 지지체를 사용하여 구현될 수 있다. 하나의 '세트'(또는 몇 개의 세트로 된 검출 및 작동수단)를 형성하도록 검출 및 작동수단을 공동배치(co-locate)하면, 검출 및 작동수단이 세트로 짝을 이루지 않을 때 요구되는 제어 알고리즘에 비하여 상대적으로 간단한 제어 알고리즘을 사용할 수 있다. 상기 렌즈 지지체블럭은 그것들이 어떤 방향으로는 유연(compliant)하지만 그 밖의 방향으로는 경직(stiff)되도록 제작될 수도 있다.
본 발명의 다른 형태에 따르면, 리소그래피 투영장치를 사용하는 디바이스 제조방법에 있어서,
- 적어도 부분적으로는 방사선감응재의 층으로 덮인 기판을 제공하는 단계,
- 상기 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계,
- 상기 패터닝수단을 사용하여 상기 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계, 및
- 무음계에 제공된 투영시스템을 사용하여 방사선감응재의 층의 타겟부상에 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하며,
상기 무음계의 적어도 제1부분과 제2부분간의 상대적인 움직임을 탐지하고 그것을 표현하는 적어도 하나의 움직임신호를 발생시키는 단계,
적어도 하나의 제어신호에 응답하여 상기 무음계상에 힘을 가하는 작동수단을 사용하는 단계, 및
상기 적어도 하나의 움직임신호에 응답하여 상기 적어도 하나의 제어신호를 발생시키고 이에 따라 상기 무음계의 상기 제1부분과 제2부분간의 상대적인 움직임을 감소시키는 제어수단을 사용하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따른 장치의 사용례 중, 본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서의 특정 예시에 대하여만 언급하였으나, 이러한 장치가 그 밖에도 다른 가능한 응용례를 가지고 있음은 명백히 이해되어야 한다. 예를 들어, 상기 장치는 집적광학시스템, 자기영역메모리용 유도 및 검출 패턴, 액정표시패널, 박막자기헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 당업자라면, 전술한 기타 응용분야들을 고려할 때, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어가 "마스크", "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 각각 대체될 수 있음이 이해될 것이다.
본 명세서에서, 조명방사선 및 조명빔이라는 용어는 이온빔이나 전자빔과 같은 입자빔뿐만 아니라, (예컨대, 365, 248, 193, 157 또는 126nm의 파장을 가진) 자외선 및 EUV을 포함하는 모든 종류의 전자기 방사선을 포괄하는 것으로 사용된다.
첨부된 개략적인 도면을 참고로 단지 예시의 일환으로서 본 발명의 실시예를 서술한다.
제1실시예
도 1은 본 발명의 특정 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도 시한 도면이다. 상기 장치는,
ㆍ방사선(예를 들어, EU 또는 EUV 방사선, 전자 혹은 이온)의 투영빔(PB)을 공급하는 방사선시스템 (LA, Ex IL),
ㆍ마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 잡아주는 마스크 홀더가 마련된 제1대물테이블(마스크테이블)(MT);
ㆍ기판(W)(예를 들어, 레지스트가 코팅된 실리콘 웨이퍼)을 잡아주는 기판 홀더를 구비하며, 아이템(11)에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 위치설정수단에 연결된 제2대물테이블(기판테이블)(WT); 및
ㆍ기판(W)의 타겟부(C)(1이상의 다이를 포함)에 마스크(MA)의 조사된 부분을 묘화시키는 투영시스템("렌즈")(11)(예를 들어, 굴절 또는 카타디옵트릭, 거울그룹 또는 필드 디플렉터의 세트)을 포함하여 이루어진다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 투과형(transmissive type)(즉, 반사마스크를 구비한)이다. 하지만, 일반적으로는, 예를 들어 (반사마스크를 구비한) 반사형일 수도 있다. 대안적으로는, 상기 장치는 위에서 언급한 바와 같은 형태의 프로그래밍 가능한 거울배열과 같은 그 밖의 다른 종류의 패터닝수단을 채용할 수도 있다.
상기 방사선시스템은 방사선의 빔을 만드는 방사원(LA)(예를 들어, 램프나 엑시머레이저, 싱크로트론이나 스토리지 링내 전자빔의 경로 주변에 제공된 위글러, 플라즈마원, 또는 전자나 이온빔원)을 포함한다. 상기 빔은 곧바로 조명시스템(일루미네이터)(IL)에 들어 가거나, 예를 들어 빔 익스펜더(Ex)와 같은 컨디셔닝 수단을 거친 다음에 조명시스템으로 들어간다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔에서 세기 분포의 외측 및/또는 내측 반지름 범위(통상 각각 σ-외측 및 σ-내측이라 함)를 설정하는 조정수단(AM)을 포함하여 이루어진다. 또한 그것은 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 그 밖의 다른 다양한 구성요소들을 포함하고 있다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 입사되는 빔(PB)은 그 단면에 소정의 균일성과 세기 분포를 갖게 된다.
도 1과 관련하여, 상기 방사원(LA)은 리소그패피 투영장치의 하우징내에 놓이지만(흔히 방사원(LA)이 예를 들어, 수은램프인 경우에서처럼), 그것이 리소그래피 투영장치로부터 멀리 떨어져 있어서 그것이 만들어 낸 방사빔이 (가령, 적절한 지향거울에 의하여) 장치 내부로 들어오게 할 수도 있다. 방사원(LA)이 엑시머 레이저인 경우에는 후자 쪽이기 쉽다. 본 발명과 청구범위는 이러한 두 경우를 모두 포괄하고 있다.
이후, 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 잡혀있는 마스크(MA)를 통과한다. 마스크(MA)를 통과한 빔(PB)은 렌즈(11)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)위에 빔(PB)의 초점을 맞춘다. 위치설정수단(및 간섭계 측정수단(IF))에 의하여, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캐닝하는 동안, 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 긴 행 정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 행해질 것이다. 하지만, (스텝-앤드-스캔 장치와는 대조적으로) 웨이퍼 스테퍼의 경우에는 마스크테이블(MT)은 단행정 위치설정수단에 단지 연결되어 있거나 고정되어 있을 수도 있다.
상술한 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서는, 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 전체 마스크 이미지는 한번에(즉, 단일 "섬광"으로) 타겟부(C)에 투영된다. 이후 기판 테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 쉬프트되어 다른 타겟부(C)가 빔(PB)에 의하여 조사될 수 있다.
2. 스캔 모드에서는, 소정 목표영역(C)이 단일 "섬광"으로 노광되지 않는 것을 제외하고는 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크 테이블(MT)이 ν의 속도로 소정 방향(소위 "스캐닝 방향", 예를 들어 x 방향)으로 이동 가능해서, 투영빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하도록 되고, 동시에 기판 테이블(WT)은 속도 V=Mv로, 동일 방향 또는 그 반대 방향으로 동시에 이동하며,이 때 M은 렌즈(11)의 배율(통상 M=1/4 또는 M=1/5)이다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어뜨리지 않고도 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
도 2는 본 발명이 적용된 리소그래피 투영장치(10)의 관련 구성성분의 개략적인 도면이다. 상기 구성성분은 덩어리(mass)들로 나타내어져 있으며, 그것들간의 상호연결은 스프링 및 댐퍼로 표현된다.
도 2에서, 렌즈(11)는 검출 및 작동수단(20)을 개재하여 메인플레이트(12)상 에 장착되며, 계속해서 상기 메인플레이트(12)는 방진시스템(125)(예컨대, 에어베어링)을 거쳐 베이스프레임(BF)에 장착된다. 베이스프레임(BF)는 바닥(14) 위에 장착되며 상기 바닥(14)은 분석적 의도에서 움직이지 않는 것으로 간주된다. 메인플레이트(12)는 장치에 대한 메트롤로지프레임으로 역할하며 간섭계의 구성요소 및 기타 첨부된 측정장비를 구비할 수 있다. 장치의 나머지 부분으로부터 진동 격리되어 있어 투영시스템과 함께 메인플레이트도 "무음계"로 간주되며 상기 "무음계"에 힘을 가하는 엑추에이터는 없으므로 메인플레이트는 측정을 위한 양호한 기준을 형성하게 된다.
전형적인 리소그래피 투영장치에서 렌즈(11)는 흔히 약 250 내지 750 kg 급의 질량과, 대략적인 범위가 50 내지 150 ㎐ 인 고유주파주를 갖는다. 메인플레이트(12) 및 베이스프레임(BF)의 각각의 질량은 일반적으로 수백 내지 수천 kg의 급이 되며, 부품(11, 12, BF)들을 포함한 합성 시스템의 고유주파수는 통상 1 내지 20 ㎐의 범위에 있다.
검출수단(210)은 메인플레이트와 렌즈간의 모든 상대적인 움직임을 탐지하며 거기에 응답하여 적어도 하나의 움직임신호를 발생시킨다. 이들 신호는 정보를 처리하고 작동수단(220)에 제어신호를 보내어 메인플레이트에 대하여 렌즈를 이동시키는 제어기(21)에 보내지며, 이에 따라 렌즈와 메인플레이트간의 상대적인 움직임을 감소시킨다.
만일 제어기(21)의 작동없이도 렌즈의 주파수 응답이 알려진다면 상기 제어기는 가장 쉽게 소정 주파수 대역에서의 진동을 보상하도록 튜닝될 수 있다. 현재 로선 제어기에 폴 위치 및 게인에 대한 값을 제공하려 한다. 폴 위치는 렌즈의 고유주파수의 위치에 관련하며 게인은 나오는 제어신호의 크기에 관련한다. 일반적으로, 폴 위치는 고유주파수 아래의 주파수에 놓이게 된다.
도시된 실시예에서, 검출 및 작동수단(20)은 도 3a에 개략적인 단면도로 도시된 복수의 렌즈 지지체(120)를 포함한다. 렌즈 지지체(120)는 블럭(25)이 화살표(70) 방향으로 신장 및 수축할 수 있고 화살표(80) 방향으로 휘어질 수도 있도록, 즉 따라서 그 상부면과 바닥면(27, 28)이 서로에 대하여 회전할 수 있도록 그 안에 일체로 제작된 벨로즈(50)를 구비한 단단한 금속 케이스(25)를 포함하여 이루어진다. 상기 블럭(25)은 예를 들어, 화살표(70)에 직각인 방향으로(도시된 지면의 안팎으로)는 움직이지 않을 수 있다. 상기 벨로즈(50)는 예를 들어, 불꽃마식(spark erosion)에 의하여 블럭(25)의 안에 제작될 수 있다. 각각의 렌즈 지지체(120)는 직렬로(검출 및 작동수단의 쌍에 대응하여) 나란히 엑추에이터 압전블럭(30)과 힘센서 압전블럭(40)의 2세트를 포함한다. 원칙적으로 압전블럭(30, 40)은 인장력을 받지 않아야 하기 때문에, 전체 블럭(25)은 단단히 죄어진 볼트(60)에 의하여 압축을 받아 상부면과 바닥면(27, 28)을 함께 압박한다. 벨로즈(50)는 압전블럭(30, 40)을 간단하게 장착할 수 있게 있다.
블럭(25)의 상부면(27)과 바닥면(28)(반대 쪽 면)간의 움직임은 센서 압전블럭(40)내에, 예를 들어 힘에 비례하는 전압을 가져온다. 볼트(60)를 중심으로 하는 회전 모멘트는 각각의 센서 압전블럭(40)에 서로 다른 전압을 가져오고 따라서 그러한 회전은 측정이 가능하다. 이 방식으로, 렌즈 지지체(120)에서의 상하 움직 임뿐만 아니라 회전 모멘트를 감지하고 상부면과 바닥면(27, 28)의 움직임을 표현하는 움직임신호를 제어기(21)에 보낼 수 있다. 메인플레이트(12)와 렌즈(11)의 사이에 렌즈 지지체를 부착하기 위한 부착 구멍(90)이 있다.
압전 엑추에이터 블럭(30)을 가로질러 제어신호 전압을 가하면, 렌즈 지지체(120)의 상부면과 바닥면(27, 28)은 따로따로 또는 함께 움직일 수 있고 상기 상부면과 바닥면(27, 28)이 서로에 대하여 회전할 수 있다.
다른 실시예에서는 상기 요소(30, 40)에 의하여 형성된 피에조스택(piezo-stack)이 상부면과 바닥면(27, 28)에 대하여 기울어져 있다. 이것은 도 3b에 도시되어 있다. 바닥면(28)에 대한 상부면(27)의 전단변형(shearing movement)(화살표(81)로 나타낸 움직임)은 센서 압전블럭(40)에 반대부호의 전압신호를 가져온다. 도 3a에서와 마찬가지로, 화살표(70) 방향으로의 바닥면(28)에 대한 상부면(27)의 "압축" 움직임은 같은 부호의 센서신호를 가져온다. 이 방식으로, 제어기(21)를 통하여 상기 전단변형 및 압축 움직임(81, 70)의 발생으로부터 기인하는 진동의 완화를 이룰 수 있다.
도 4는 메인플레이트(12)와 렌즈(11)가 어떻게 부착되는 지를 보여주는 단면도이다. 메인플레이트(12)는 에어마운트(125)를 거쳐 베이스프레임(BF)에 부착된다. 3개의 렌즈 지지체(120)는 그 바닥면(28)에 의하여 메인플레이트(12)에, 그 상부면(27)에 의하여 렌즈(11)의 플랜지(110)에 견고하게 부착된다. 렌즈 지지체(120)는 렌즈(11)의 외주 플랜지(110)의 주위에 반경 방향의 등간격으로 놓인다.
이 방식으로 메인플레이트(12)와 렌즈(11)간에 어떠한 상대적인 움직임, 기 울임 또는 변위가 있으면 6개의 힘센서 압전블럭(40) 중 적어도 하나에서 전압이 발생되게 된다. 그러면 적절히 프로그램된 제어기(21)를 사용하여 6개의 엑추에이터 압전블럭(30) 중 적어도 하나를 가로질러 제어전압을 가함으로써 탐지된 동작에 대한 보상을 하고 렌즈(11)와 메인플레이트(12)간의 상대적인 동작을 감소시킬 수 있다.
장치의 성능을 향상시키기 위해서 도 4에 도시된 구성을 이용하려면, 제어기의 구조 및 설계 과정이 올바르게 선택되어야 한다. 제어기의 구조는 제어기가 주어진 시스템에 어떠한 종류의 영향을 미치는 지를 결정한다. 예를 들어, 제어기의 구조에 따라 감쇠(damping)이나 강성(stiffness), 또는 둘 모두를 덧붙일 수 있다.
본 발명에서는 적분력(integral force) 피드백 제어기를 사용하는 능동감쇠(active damping)만을 첨가하려 한다. 이를 위해서, 제어기는 소정의 폴 위치 및 게인을 갖는 리킹 인티그레이터(leaking integrator)인 전달함수(transfer fuction)를 구비한다. 이것은 주어진 힘센서(40)의 전압출력이 주파수 의존 게인(frequency dependant gain)으로 곱해지고 관련 압전 엑추에이터(30)에 가해진다는 것을 의미한다. 이 시스템은 그 구조가 간단하고 직관적이며, 주어진 시스템에 대하여 딜레이나 필터로 인한 제어신호와 움직임간에 현저한 부차적인 위상지연(phase lag)이 없다면 항상 안정적이라는 장점을 갖는다.
적합한 전달함수는 다음과 같다.
Figure 112002001469152-pat00001
여기에서, Uin 은 엑추에이터 증폭기에 인가된 전압이고, Uout 은 센서 증폭기로부터의 전압이며, β는 게인이고 α는 폴 위치이다.
게인 및 폴의 위치는 제어기를 최적화하여 궁극적 목표를 이루도록 즉, 예를 들어 렌즈 탑(lens-top)에서 진동의 폭을 줄이도록 변화될 수 있다. 진동폭은 메인플레이트(12)에 가해진 여기(excitation)에 의하여, 그리고 검출 및 작동수단(20)의 구조와 제어기(21)의 감응성에 의하여 결정된다.
다음에, 본 발명이 보상하려고 하는 특수한 진동으로서 소위 "조이스틱 모드"가 있다. 이 모드에서는 렌즈(11)의 플랜지(110)가 실질적으로 메인플레이트(12)에 대하여 정지상태를 유지하지만 플랜지의 가장 먼 쪽 렌즈(11)의 최상부(및 따라서 메인프레임(12)으로의 렌즈(11)의 연결점)은 비교적 먼 거리를 움직인다(화살표(82) 참조). 움직임의 조이스틱 성질을 표현하기 위해서, 도 4에서 렌즈 탑 움직임(82)이 가상의 회전중심(83) 주위로의 렌즈(11)의 "상대 회전"(84)(도면의 평면내에서, 메인플레이트(12)에 대하여)으로 표현될 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 에어마운트(125)에 공급된 백색잡음신호에 대한 상대회전(84)의 보드 도표이다. 도 5a는 종래방식으로 지지된 렌즈에 대한 것이며 도 5b는 제어기(21)에는 연결되지 않았으나 상술한 검출 및 작동수단(20)에 의하여 지지된 렌즈에 대한 것이다. 검출 및 작동수단(20)이 렌즈(11)를 메인플레이트(12)에 연결시킬 때의 상황에 대한 주파수 응답이 중요한 이유는 제어기의 제어 파라미터가 알고 있는 그 파라미터로부터 가장 쉽게 최적화될 수 있기 때문이다.
도 5c 및 도 5d는 제어기의 폴이 실질적으로 주파수 F에서의 주파수응답곡선 5b의 첫 번째 피크에 설정되어 있는 경우의 결과를 도시한다. 두 도표간의 차이는 주파수응답곡선 5c에서보다 주파수응답곡선 5d에서 게인이 더 크다는 것이며, 이것은 첫 번째 폴에서 곡선의 크기에 감소를 가져온다는 것을 명확히 알 수 있다. 이것은 본 발명의 제어기가 주어진 주파수에서 진동 움직임을 감소시키도록 튜닝될 수 있음을 보여준다.
제2실시예
도 6 및 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예를 보여준다. 투영시스템(11) 및 메인플레이트(12)를 포함하는 무음계(13)는 에어마운트(125)에 의하여 리소그래피 장치의 나머지 부분으로부터 현수되어(suspended) 있다. 무음계(13)에는 또한 측정위치에서 얼라인먼트 센서 및 레벨링 센서를 사용하여 기판 토폴로지의 측정을 수행하기 위해서 트윈스테이지 리소그래피 투영장치에서 사용되는 광학측정시스템(OM)이 제공된다. 트윈스테이지 리소그래피 장치는 예를 들어, 본 명세서에서 참조되고 있는, 1998년 2월 27일자 출원된 US 출원 제 09/180,011호(WO 98/40791호) 및 US 5,969,441에 기술되어 있다. 또한 무음계에는 리소그래피 투영장치에서 기판테이블(WT)의 위치를 결정하는 간섭계시스템(interferometry system)이 제공된다. 투영시스템(11)과 광학측정시스템(OM)이 모두 동일한 무음계(13)에 있다는 것은 그 둘간에 메인플레이트(12)를 거쳐 매우 견고하게 연결되어 있어서 투영시스템(11)의 아래에 있는 노광위치에서 광학측정시스템(OM)으로부터의 측정을 매우 높은 정확도로 재현할 수 있게 한다는 것이다. 무음계(13)에는 또한 무음계(13)의 나머지 부분에 대하여 1이상의 자유도로 자유롭게 움직일 수 있는 반작용 매스(reaction mass)(RM)가 제공된다. 검출수단(210)은 반작용 매스(RM)와 무음계(13)의 나머지 부분간의 상대적 변위를 검출하고 거기에 응답하여 제어기(21)에 적어도 하나의 움직임신호를 보낸다. 제어기(21)는 이 정보를 처리하고, 무음계(13)내의 진동을 감소시키도록 반작용매스(RM)를 무음계(13)의 나머지 부분에 대하여 변위시키는 작동수단(220)에 제어신호를 보낸다. 도 6은 반작용 매스(RM), 검출수단(210) 및 작동수단(220)이 렌즈(11)상에 힘을 가하도록 제공되고 있음을 보여준다. 후자가 유리한데, 이것은 메인플레이트(12)에 대하여 렌즈의 최상부의 선회량을 감소시키는 데 많은 도움을 줄 수 있기 때문이다. 도 7에서 메인플레이트(12)의 바깥 쪽 끝 중 하나에 검출 및 작동수단이 제공된다. 도 6과 도 7의 실시예를 조합하여 사용하는 것도 고려될 수 있다. 그러한 방식에서는 도 6에서 렌즈(11)의 최상부 부근에 놓인 검출수단(210)이 메인플레이트의 끝에 위치된 도 7의 작동수단(220)에 제어신호를 제공하는 데 사용될 수 있다. 이것은 검출이 발생하는 때마다 서로 다른 위치에서 힘이 가해지기 때문에 많은 캘리브레이션과 계산을 요구할 것이다. 따라서 무음계(13)의 동일한 장소에 그 둘 모두가 있으면 매우 유리하다.
이상, 본 발명의 특정 실시예를 기술하였지만, 본 발명이 기술된 바와 다르게도 실시될 수 있다. 상기 서술내용은 본 발명을 한정짓지 않는다.
본 발명에 따르면, 렌즈 떨림의 나쁜 영향을 감소시키기 위해서 효과적인 측정이 이루어지는 개선된 리소그래피 투영장치가 제공된다.

Claims (13)

  1. 리소그래피 투영장치에 있어서,
    - 방사선의 투영빔을 제공하는 방사선시스템,
    - 소정 패턴에 따라 투영빔을 패터닝하는 패터닝수단,
    - 기판을 잡아주는 기판테이블, 및
    - 상기 기판의 타겟부상에 상기 패터닝된 빔을 묘화하는 투영시스템을 포함하며 방진시스템에 의하여 지지되는 무음계를 포함하여 이루어지고,
    상기 무음계의 제1부분과 제2부분간의 상대적인 움직임을 탐지하고 그것을 표현하는 하나 이상의 움직임신호를 발생시키는 검출수단,
    하나 이상의 제어신호에 응답하여 상기 무음계에 힘을 가하는 작동수단, 및
    상기 하나 이상의 움직임신호에 응답하여 상기 하나 이상의 제어신호를 발생시키고 이에 따라 상기 제1부분과 상기 제2부분간의 상대적인 움직임을 감소시키는 제어수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 작동수단은 상기 제1부분 및 상기 제2부분에 힘을 가하도록 구성되고 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 작동수단은 상기 무음계에 제공된 반작용 매스를 상기 무음계의 나머지 부분에 대하여 가속시킴으로써 상기 힘을 가하도록 구성되고 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 검출수단은 상기 반작용 매스와 상기 무음계의 나머지 부분간의 상대적 변위를 검출하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 검출수단 및 상기 작동수단은 상기 제1부분과 상기 제2부분을 연결하도록 구성되고 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  6. 제1항 또는 제5항에 있어서,
    상기 제1부분은 상기 투영시스템이고 상기 제2부분은 상기 투영시스템을 지지하는 메인플레이트인 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 검출수단은 상기 투영시스템과 상기 메인플레이트간의 상대적 기울어짐을 검출하고, 상기 작동수단은 상기 메인플레이트에 대하여 상기 투영시스템을 기울게 하며, 상기 제어수단은 상기 하나 이상의 제어신호를 발생시킴으로써 상기 투영시스템과 상기 메인플레이트간의 상대적 기울어짐을 감소시키는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 검출수단은 상기 투영시스템과 상기 메인플레이트간의 상대적 변위를 검출하고, 상기 작동수단은 상기 메인플레이트에 대하여 상기 투영시스템을 변위시키는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 검출수단, 상기 작동수단 및 상기 제어수단은, 20 내지 200 ㎐ 범위의 주파수를 갖는 상기 무음계의 부분들간의 상대적 움직임을 검출하고 감소시키기에 적합하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 검출수단, 상기 작동수단 및 상기 제어수단은, 상기 투영시스템의 고유주파수의 주변내, 특히 ±20 ㎐ 이내에 있는 주파수 대역에서의 상기 투영시스템의 움직임을 보상하도록 튜닝되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 검출수단 및 상기 작동수단은 엑추에이터블럭과 직렬로 연결된 압전 센서블럭의 복수의 평행한 세트를 포함하고, 상기 복수의 세트는 상기 투영시스템을 상기 메인플레이트에 연결시키는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  12. 리소그래피 투영장치를 사용하는 디바이스 제조방법에 있어서,
    - 적어도 부분적으로는 방사선감응재의 층으로 덮인 기판을 제공하는 단계,
    - 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계,
    - 패터닝수단을 사용하여 상기 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계, 및
    - 무음계에 제공된 투영시스템을 사용하여 상기 방사선감응재의 층의 타겟부상에 상기 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하며,
    상기 무음계의 적어도 제1부분과 제2부분간의 상대적인 움직임을 탐지하고 그것을 표현하는 하나 이상의 움직임신호를 발생시키는 단계,
    상기 무음계상에 힘을 가하기 위하여 하나 이상의 제어신호에 응답하는 작동수단을 사용하는 단계, 및
    상기 하나의 이상의 제어신호를 발생시키기 위하여 상기 하나 이상의 움직임신호에 응답하는 제어수단을 사용하고, 이에 따라 상기 무음계의 상기 제1부분과 상기 제2부분간의 상대적인 움직임을 감소시키는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  13. 제12항의 방법에 따라 제조된 디바이스.
KR1020020002766A 2001-01-19 2002-01-17 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스 KR100555930B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP01300479 2001-01-19
EP01300479.1 2001-01-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020062201A KR20020062201A (ko) 2002-07-25
KR100555930B1 true KR100555930B1 (ko) 2006-03-03

Family

ID=8181655

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020002766A KR100555930B1 (ko) 2001-01-19 2002-01-17 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6791664B2 (ko)
JP (1) JP3961311B2 (ko)
KR (1) KR100555930B1 (ko)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1321822A1 (en) * 2001-12-21 2003-06-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG129259A1 (en) * 2002-10-03 2007-02-26 Asml Netherlands Bv Radiation source lithographic apparatus, and device manufacturing method
SG2012087615A (en) 2003-02-26 2015-08-28 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
NL1022886C2 (nl) * 2003-03-10 2004-09-14 Fei Co Deeltjes optische inrichting voor het bestralen van een object.
US7110083B2 (en) * 2003-11-19 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7817243B2 (en) * 2004-04-12 2010-10-19 Asml Netherlands B.V. Vibration isolation system
EP1783821B1 (en) 2004-06-09 2015-08-05 Nikon Corporation Exposure system and device production method
JP4656448B2 (ja) * 2004-09-30 2011-03-23 株式会社ニコン 投影光学装置及び露光装置
US8300210B2 (en) * 2004-10-08 2012-10-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical projection system
WO2006046101A1 (en) * 2004-10-27 2006-05-04 Carl Zeiss Smt Ag A six degree of freedom (dof) actuator reaction mass
WO2006120927A1 (ja) * 2005-05-02 2006-11-16 Nikon Corporation 光学要素駆動装置、投影光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法
US7936443B2 (en) * 2006-05-09 2011-05-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8908144B2 (en) * 2006-09-27 2014-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8044373B2 (en) * 2007-06-14 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7804579B2 (en) * 2007-06-21 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Control system, lithographic projection apparatus, method of controlling a support structure, and a computer program product
US8174671B2 (en) * 2007-06-21 2012-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and method for controlling a support structure
JP5008630B2 (ja) * 2007-10-02 2012-08-22 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
EP2045664B1 (en) * 2007-10-04 2013-03-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, projection assembly and active damping
NL1036034A1 (nl) * 2007-10-11 2009-04-15 Asml Netherlands Bv Imprint lithography.
US8164737B2 (en) * 2007-10-23 2012-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having an active damping subassembly
NL1036161A1 (nl) * 2007-11-20 2009-05-25 Asml Netherlands Bv Combination of structure and an active damping system, and a lithographic apparatus.
NL2005701A (en) 2009-12-22 2011-06-23 Asml Netherlands Bv Active mount, lithographic apparatus comprising such active mount and method for tuning such active mount.
NL2007155A (en) 2010-08-25 2012-02-28 Asml Netherlands Bv Stage apparatus, lithographic apparatus and method of positioning an object table.
EP2447777B1 (en) * 2010-10-27 2019-08-07 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus for transferring pattern from patterning device onto substrate, and damping method
JP5641878B2 (ja) * 2010-10-29 2014-12-17 キヤノン株式会社 振動制御装置、リソグラフィー装置、および、物品の製造方法
EP2469340B1 (en) 2010-12-21 2021-01-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN102141741B (zh) * 2011-04-15 2012-07-25 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种光刻机投影物镜微调平机构
CN102289154A (zh) * 2011-08-02 2011-12-21 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种用于光刻投影物镜安装的调平定位装置
JP6830486B2 (ja) * 2015-12-03 2021-02-17 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 能動的に調整可能なメトロロジー支持ユニットを備える光学結像装置
CN110190778B (zh) * 2019-06-05 2020-09-15 北京市劳动保护科学研究所 一种低频隔振与压电俘能耦合装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2249189B (en) 1990-10-05 1994-07-27 Canon Kk Exposure apparatus
JPH08115872A (ja) 1994-10-13 1996-05-07 Nikon Corp 露光装置
JP3506158B2 (ja) 1995-04-14 2004-03-15 株式会社ニコン 露光装置及び走査型露光装置、並びに走査露光方法
EP1341044A3 (en) 1995-05-30 2003-10-29 ASML Netherlands B.V. Positioning device with a reference frame for a measuring system
JP3201233B2 (ja) 1995-10-20 2001-08-20 ウシオ電機株式会社 裏面にアライメント・マークが設けられたワークの投影露光方法
JPH10112433A (ja) 1996-10-04 1998-04-28 Nikon Corp 除振装置及び露光装置
EP1041607A4 (en) 1997-11-12 2003-11-05 Nikon Corp PROJECTION EXPOSURE APPARATUS

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020062201A (ko) 2002-07-25
US6791664B2 (en) 2004-09-14
JP3961311B2 (ja) 2007-08-22
US20020149754A1 (en) 2002-10-17
JP2002319543A (ja) 2002-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100555930B1 (ko) 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스
KR100588119B1 (ko) 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
KR100522885B1 (ko) 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
JP3822072B2 (ja) リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法
EP2053461B1 (en) Lithographic apparatus having a damping subassembly.
US6441884B1 (en) Projection exposure apparatus
JP4933509B2 (ja) リソグラフィ装置および投影アセンブリ
US6999162B1 (en) Stage device, exposure system, method of device manufacture, and device
JP2007040537A (ja) リソグラフィ投影装置
JP2006114927A (ja) 投影システム
KR100554883B1 (ko) 서보 제어법 및 리소그래피 투영장치에의 적용
CN109564392A (zh) 光刻设备、光刻投影设备和器件制造方法
US7110083B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100552638B1 (ko) 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
KR20030075134A (ko) 압전 엑추에이터와 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법
EP1225482A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP6209234B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
TWI298427B (en) Damped mount for use in lithographic projection apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee