CN101438385B - 曝光装置及元件制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的曝光装置，具备配置成与基板表面相对向、与基板表面之间形成液浸空间的第1构件，及吸收存在于基板表面的液体的第2构件。第2构件与基板的距离小于第1构件与基板的距离。

Description

曝光装置及元件制造方法
技术领域
本发明有关于一种使基板曝光的曝光装置及元件制造方法。
本发明根据2006年5月10日申请的日本特愿2006—131280号主张优先权，将其内容援引于此。
背景技术
使用于光光刻制造工艺的曝光装置，如下述专利文献所揭示，已有一种透过液体使基板曝光的液浸曝光装置。
专利文献1：国际公开第99/49504号小册子
发明内容
然而，于曝光装置，为了提升元件的产率等，例如要求提升基板的移动速度。当提升基板的移动速度时，液体有可能从基板上的既定空间漏出。从既定空间泄漏的液体残留在基板上时，会有引起基板曝光不良、形成于基板的图案产生缺陷等的问题。
本发明的目的在于提供一种可抑制基板上的液体残留的曝光装置及使用该曝光装置的元件制造方法。
本发明采用与显示实施方式的各图对应的下述构成。然而，附加于各元件的带有括号的符号仅为该元件的例示，并非限定各元件。
本发明第1方式的曝光装置EX，将曝光用光EL照射至基板P以使基板P曝光，具备：第1构件20，配置成与基板P表面相对向，与基板P表面之间形成液浸空间LS；以及第2构件60，吸收存在于基板P表面的液体LQ，此第2构件60与基板P的距离D2小于第1构件20与基板P的距离D1。
依据本发明第1方式，可抑制液体的漏出。
本发明第2方式的曝光装置EX，系将曝光用光EL照射至基板P以使基板P曝光，具备：第1构件20，具有配置成与基板P表面相对向的第1液体回收口22，与基板P表面之间形成液浸空间LS；第2液体回收口41，用以回收存在于基板P表面的液体LQ，第2液体回收口41与基板P表面的距离D3小于第1构件20与基板P的距离D1；以及气体吹送口45，相对曝光用光EL的光路空间K配置于第2液体回收口41的外侧，朝向基板P表面吹送气体。
依据本发明第2方式，可抑制液体的漏出。
本发明第3方式的元件制造方法，使用上述方式的曝光装置EX。
依据本发明第3方式，能使用可抑制液体的漏出的曝光装置制造元件。
依据本发明，可抑制液体的漏出，良好地进行曝光处理及测量处理。
附图说明
图1是显示第1实施方式的曝光装置的概略构成图。
图2是显示第1实施方式的嘴构件附近的与YZ平面平行的侧截面图。
图3是显示第1实施方式的嘴构件附近的与XZ平面平行的侧截面图。
图4是显示第1实施方式的嘴构件附近的概略立体图的一部分剖开图。
图5是从下侧观察第1实施方式的嘴构件附近的立体图。
图6是显示第1实施方式的吸收构件附近的侧截面图。
图7是从+Y侧观察第1实施方式的吸收构件附近的图。
图8A是用以说明液体的变动的一例的示意图。
图8B是用以说明液体的变动的一例的示意图。
图8C是用以说明液体的变动的一例的示意图。
图8D是用以说明液体的变动的一例的示意图。
图9是显示吸收构件吸收液体的状态的示意图。
图10是显示吸收构件吸收液体的状态的示意图。
图11是用以说明第1实施方式的吸收构件的动作的一例的图。
图12是显示第2实施方式的吸收构件附近的图。
图13是显示第3实施方式的吸收构件附近的图。
图14是显示第4实施方式的吸收构件附近的图。
图15是用以说明第4实施方式的吸收构件的动作的一例的图。
图16是显示第5实施方式的吸收构件附近的图。
图17是显示第6实施方式的吸收构件附近的图。
图18是显示第7实施方式的吸收构件附近的图。
图19是从下侧观察第8实施方式的嘴构件附近的立体图。
图20是显示第8实施方式的嘴构件附近的与YZ平面平行的侧截面图。
图21是显示元件的制造工艺的一例的流程图。
主要元件符号说明
3       控制装置
20      嘴构件
22      第1液体回收口
27      平台面
40      液体回收构件
40B     下面
41      第2液体回收口
45      气体吹送口
50      驱动装置
51      检测装置
60      吸收构件
80      第1支持机构
80’    支持机构
81     弹性体
82     内部空间
90     第2支持机构
EA1    第1延伸区域
EA2    第2延伸区域
EL     曝光用光
EX     曝光装置
K      光路空间
LQ     液体
LS     液浸空间
P      基板
具体实施方式
以下，参考图式说明本发明的实施方式，但本发明并不限于此。此外，以下说明中，设定XYZ正交坐标系统，参考此XYZ正交坐标系统来说明各构件的位置关系。此外，以水平面内的既定方向作为X轴方向，在水平面内与X轴方向正交的方向作为Y轴方向，分别与X轴方向及Y轴方向正交的方向(即铅垂方向)作为Z轴方向。又，绕X轴、Y轴、及Z轴的旋转(倾斜)方向分别作为θX、θY、及θZ方向。
(第1实施方式)
接着说明第1实施方式。图1显示第1实施方式的曝光装置EX的概略构成图。图1中，曝光装置EX具备可保持光掩膜M并移动的光掩膜载台1、可保持基板P并移动的基板载台2、以曝光用光EL照明光掩膜M的图案的照明系统IL、将曝光用光EL照明的光掩膜M的图案像投影至基板P上的投影光学系统PL、及控制曝光装置EX整体的动作的控制装置3。此外，此处所谓的基板，包含例如在硅晶片般的半导体晶片基材上涂布感光材(光刻胶)者，也包含不涂布感光膜而涂布保护膜(被覆膜)等各种膜者。光掩膜包含在基板上形成缩小投影的元件图案的标线片。光掩膜包含玻璃板等透明板构件、及使用铬等遮光膜在透明板构件上形成的既定图案。此透射型光掩膜并不限于以遮光膜形成图案的二元光掩膜，例如也包含半色调型、或空间频率调变型等移相光掩膜。又，本实施方式中，光掩膜使用透射型光掩膜，但也可使用反射型光掩膜。
本实施方式中，曝光装置EX，适用于用以实质上缩短曝光波长以提升分辨率，且实质上加深焦点深度的液浸法的液浸曝光装置。曝光装置EX具备配置成与基板P表面相对向，在与基板P表面之间形成液浸(液浸空间LS)的嘴构件20。液浸空间LS以液体LQ充满的空间。嘴构件20具备供应用以形成液浸空间LS的液体LQ的液体供应口21(图1中未图示)、及回收液体LQ的第1液体回收口22(图1中未图示)。嘴构件20在与基板P表面之间形成液浸空间LS，以使液体LQ充满投影光学系统PL的像面侧(光射出侧)的曝光用光EL的光路空间K，具体而言，以使液体LQ充满投影光学系统PL与基板P之间的曝光用光EL的光路空间K。图1中，在基板P及与其相对向的投影光学系统PL、嘴构件20之间形成液浸空间LS。曝光用光EL的光路空间K，包含曝光用光EL行进的光路的空间。本实施方式中，液体LQ使用水(纯水)。
曝光装置EX，至少于将光掩膜M的图案像投影至基板P上时，在嘴构件20与基板P表面之间形成液浸空间LS。曝光装置EX，以液体LQ充满曝光用光EL的光路空间K以形成液浸空间LS，透过该液体LQ，将通过光掩膜M的曝光用光EL照射至基板载台2所保持的基板P上。据此，光掩膜M的图案像投影至基板P上，使基板P曝光。
又，本实施方式中，当基板P曝光时，在包含投影光学系统PL的投影区域AR的基板P上的一部分形成液浸区域。即，采用以液浸空间LS的液体LQ覆盖包含投影光学系统PL的投影区域AR的基板P上的一部分区域的局部液浸方式。
本实施方式，主要说明在嘴构件20与基板P表面相对向的状态下形成液浸空间LS的情形。此外，嘴构件20，也可于投影光学系统PL的像面侧，在与配置于曝光用光EL可照射的位置的物体的表面之间、即在与配置于与投影光学系统PL的光射出面相对向的位置的物体的表面之间形成液浸空间LS。例如，嘴构件20也可在与配置于与投影光学系统PL的光射出面相对向的位置的基板载台2的上面之间形成液浸空间LS。
本实施方式中，如后述，曝光装置EX具备吸收存在于基板P表面的液体LQ的吸收构件60。吸收构件60设于相对曝光用光EL的光路空间K的嘴构件20的外侧。在相对曝光用光EL的光路空间K的嘴构件20的外侧，配置具有不同于嘴构件20的第1液体回收口22(图1中未图示)的另一个第2液体回收口41(图1中未图示)的液体回收构件40。本实施方式中，吸收构件60被液体回收构件40所支持。本实施方式中，在至少形成液浸空间LS的状态下，吸收构件60与基板P的距离D2小于嘴构件20与基板P的距离D1。
本实施方式中，曝光装置EX是扫描型曝光装置(即扫描步进器)，其一边使光掩膜M与基板P在既定扫描方向同步移动，一边将光掩膜M的图案像投影至基板P上。本实施方式中，将基板P的扫描方向(同步移动方向)作为Y轴方向，光掩膜M的扫描方向(同步移动方向)也作为Y轴方向。曝光装置EX，使基板P的照射区域相对投影光学系统PL的投影区域AR在Y轴方向移动，且与该基板P往Y轴方向的移动同步，使光掩膜M的图案形成区域相对照明系统IL的照明区域IA在Y轴方向移动。透过投影光学系统PL及液体LQ将曝光用光EL照射至投影区域AR，以形成于投影区域AR的图案像使基板P上的照射区域曝光。
曝光装置EX具备包含设于例如无尘室内的地面17上的第1立柱CL1、及设于第1立柱CL1上的第2立柱CL2的主体BD。第1立柱CL1具备多数个第1支柱11、及透过防振装置9被这些第1支柱11所支持的镜筒平台7。第2立柱CL2具备设于镜筒平台7上的多数个第2支柱12、及透过防振装置4被这些第2支柱12所支持的第1平台6。防振装置4及防振装置9分别包含具备既定致动器及减振器机构的主动防振装置。
照明系统IL以均匀照度分布的曝光用光EL照明光掩膜M上的既定照明区域IA。作为从照明系统IL射出的曝光用光EL，例如可使用从水银灯射出的辉线(g线、h线、i线)及KrF准分子激光(波长248nm)等远紫外光(DUV光)、或ArF准分子激光(波长193nm)及F2激光(波长157nm)等真空紫外光(VUV光)等。本实施方式使用ArF准分子激光。
光掩膜载台1通过包含线性马达等致动器的光掩膜载台驱动装置1D的驱动，在保持光掩膜M的状态下，可在第1平台6上于X轴、Y轴、及θZ方向移动。光掩膜载台1，以未接触第1平台6上面(导引面)的方式由空气轴承(气垫)所支持。光掩膜载台1具有当使基板P曝光时用以使曝光用光EL通过的第1开口1K。第1平台6具有用以使曝光用光EL通过的第2开口6K。从照明系统IL射出，照明光掩膜M的图案形成区域的曝光用光EL，在通过光掩膜载台1的第1开口1K及第1平台6的第2开口6K后，射入投影光学系统PL。
光掩膜载台1(或光掩膜M)的位置信息，通过激光干涉仪13测量。激光干涉仪13，使用设于光掩膜载台1上的测量镜14测量光掩膜载台1的位置信息。控制装置3依据激光干涉仪13的测量结果驱动光掩膜载台驱动装置1D，进行光掩膜载台1所保持的光掩膜M的位置控制。
投影光学系统PL将光掩膜M的图案像以既定投影倍率投影至基板P上者，具有多数个光学元件，这些光学元件被镜筒5所保持。镜筒5具有凸缘5F。投影光学系统PL透过凸缘5F被镜筒平台7所支持。又，可在镜筒平台7与镜筒5之间设置防振装置。本实施方式的投影光学系统PL的投影倍率例如为1/4、1/5、或1/8等的缩小系统，在基板上的曝光区域形成图案的缩小像。此外，投影光学系统PL可为缩小系统、等倍系统、及放大系统中任一种。又，投影光学系统PL可为不含反射光学元件的折射系统、不含折射光学元件的反射系统、包含反射光学元件与折射光学元件的反射折射系统中任一种。又，投影光学系统PL可形成倒立像或正立像。
基板载台2具有保持基板P的基板保持具2H。基板载台2通过包含线性马达等致动器的基板载台驱动装置2D的驱动，在基板保持具2H保持基板P的状态下，可在第2平台8上于X轴、Y轴、Z轴、θX、θY、及θZ方向的6个自由度方向移动。基板载台2的基板保持具2H保持基板P以使基板P表面与XY平面大致平行。基板载台2，以未接触第2平台8上面(导引面)的方式由空气轴承所支持。第2平台8透过防振装置10被地面17所支持。防振装置10包含具备既定致动器及减振器机构的主动防振装置。基板载台2(或基板P)的位置信息，通过激光干涉仪15测量。激光干涉仪15，使用设于基板载台2上的测量镜16测量基板载台2的X轴、Y轴、及θZ方向相关的位置信息。又，曝光装置EX具备可检测基板载台2所保持的基板P表面的面位置信息(Z轴、θX、及θY方向相关的位置信息)的未图标的聚焦调平检测系统。控制装置3依据激光干涉仪15的测量结果及聚焦调平检测系统的检测结果驱动基板载台驱动装置2D，进行基板载台2所保持的基板P的位置控制。
例如美国专利第6608681号等所揭示，聚焦调平检测系统能以多数个测量点分别测量基板P的Z轴方向的位置信息，由此检测基板P的面位置信息。激光干涉仪15也可测量基板载台2的Z轴、θX、及θY方向的位置信息，其详细揭示于例如日本特表2001—510577号公报(对应国际公开第1999/28790号小册子)。
又，本实施方式中，基板载台2上设有凹部2R，基板保持具2H配置于该凹部2R。凹部2R以外的基板载台2的上面2F，与基板保持具2H所保持的基板P的表面大致相同高度(面高相同)的平坦面。
接着，参考图1～图5说明嘴构件20、吸收构件60、及液体回收构件40。图2是与显示嘴构件20、吸收构件60、及液体回收构件40的附近的YZ平面平行的侧截面图，图3是与XZ平面平行的侧截面图，图4是概略立体图的一部分剖开图，图5是从下侧观察的立体图。
曝光装置EX具备配置成与基板P表面相对向、在与基板P表面之间形成液浸空间LS的嘴构件20，吸收存在于基板P表面的液滴状及/或薄膜状的液体LQ的吸收构件60，及相对曝光用光EL的光路空间K配置于嘴构件20外侧的液体回收构件40。
嘴构件20以使投影光学系统PL与基板P之间的曝光用光EL的光路空间K充满液体LQ的方式形成液浸空间LS。具体而言，嘴构件20以使投影光学系统PL的多数个光学元件中的最接近投影光学系统PL的像面的终端光学元件FL的光射出面(下面)、与配置于投影光学系统PL的像面侧的基板载台2上的基板P的表面之间的曝光用光EL的光路空间K充满液体LQ的方式形成液浸空间LS。
如图1、图2、及图3所示，曝光装置EX具备保持嘴构件20的保持机构70。本实施方式中，保持机构70的至少一部分设于镜筒5。嘴构件20被设于该镜筒5的保持机构70所保持。又，曝光装置EX具备支持吸收构件60的第1支持机构80、及支持液体回收构件40的第2支持机构90。本实施方式中，第1支持机构80连接于液体回收构件40。吸收构件60透过第1支持机构80被液体回收构件40所支持。又，本实施方式中，第2支持机构90连接于第1立柱CL1的镜筒平台7。液体回收构件40透过第2支持机构90被第1立柱CL1的镜筒平台7所支持。
保持机构70具有形成于镜筒5下端，与嘴构件20的上面20A的至少一部分接触的保持面71。保持面71设成围绕终端光学元件FL。本实施方式的嘴构件20具备凸缘20F。凸缘20F设于嘴构件20的上部。当以保持机构70保持嘴构件20时，保持机构70的保持面71与嘴构件20的凸缘20F的上面20A的既定区域会接触。
保持机构70具有吸附嘴构件20的吸附机构72。吸附机构72具备分别设于保持面71的多数个既定位置的吸引口73、及透过流路连接于这些吸引口73的未图标的吸引装置。连接吸引口73与吸引装置的流路的至少一部分形成于镜筒5的内部。吸引装置包含例如真空泵等的真空系统。控制装置3驱动吸附机构72的吸引装置，以吸引口73吸引气体，由此可将嘴构件20吸附于保持面71。又，控制装置3控制包含吸引装置的吸附机构72，解除吸附机构72的嘴构件20的吸附，由此能使嘴构件20从保持面71分离。以此方式，本实施方式中，包含吸附机构72的保持机构70，将嘴构件20保持成可拆装。此外，保持机构70可具备使用静电气的力的静电吸附机构。通过静电吸附机构，保持机构70也可将嘴构件20保持成可拆装。又，嘴构件20也可固定于镜筒5或其它构件(例如，镜筒平台7)。
吸附于保持面71的嘴构件20，于射出曝光用光EL的终端光学元件FL的附近配置成与基板P表面(及/或基板载台2的上面2F)相对向。嘴构件20是环状构件，于基板P(及/或基板载台2)的上方配置成围绕终端光学元件FL。本实施方式中，终端光学元件FL被嘴构件20所支持。本实施方式中，终端光学元件FL具备凸缘FLF。嘴构件20保持终端光学元件FL的凸缘FLF。凸缘FLF形成于终端光学元件FL的上部。嘴构件20在其上面20A的既定区域保持终端光学元件FL的凸缘FLF的下面。此外，也能以镜筒5支持终端光学元件FL。
投影光学系统PL的终端光学元件FL具有倾斜的侧面FS。嘴构件20具有与终端光学元件FL的侧面FS相对向，沿着此侧面FS形成的内侧面20T。终端光学元件FL的侧面FS与嘴构件20的内侧面20T，随着从曝光用光EL的光路空间K朝向外侧(随着从终端光学元件FL的光轴离开)，与基板P的距离变大般地倾斜。在终端光学元件FL的侧面FS与嘴构件20的内侧面20T之间形成第1间隙G1。
如图3、图4、图5等所示，嘴构件20具有供应用以形成液浸空间LS的液体LQ的液体供应口21、及回收液体LQ的第1液体回收口22。液体供应口21透过形成于嘴构件20内部的供应流路23，连接于液体供应装置25。第1液体回收口22透过形成于嘴构件20内部的第1回收流路24，连接于第1液体回收装置26。液体供应装置25可送出洁净并经调温的液体LQ。又，第1液体回收装置26，包含真空系统等，可回收液体LQ。液体供应装置25可透过供应流路23、及液体供应口21，供应用以形成液浸空间LS的液体LQ。第1液体回收装置26可透过第1液体回收口22、及第1回收流路24，回收液浸空间LS的液体LQ。液体供应装置25及第1液体回收装置26的动作被控制装置3控制。
嘴构件20具备具有与终端光学元件FL的下面(光射出面)的一部分区域相对向的上面29的底板28。底板28的一部分在Z轴方向配置于终端光学元件FL的下面与基板P(基板载台2)之间。
又，如图2、图3、图4、图5所示，在底板28中央形成曝光用光EL通过的开口28K。本实施方式中，于开口28K，曝光用光EL的截面形状(与投影区域AR大致相同形状)，以X轴方向为长边方向的大致矩形(狭缝状)。开口28K与投影区域AR对应，于XY方向形成大致矩形。
本实施方式中，与基板载台2所保持的基板P表面相对向的嘴构件20的下面27为平坦。下面27设于底板28。下面27与基板P表面(XY平面)大致平行。以下说明中，将嘴构件20的下面27适当称为平台面27。平台面27于投影光学系统PL的终端光学元件FL的下面与基板P表面之间，设成与基板P表面相对向，且围绕曝光用光EL的光路空间K(开口28K)。本实施方式中，与嘴构件20的基板P的相对向的面中，平台面27设于最接近基板载台2所保持的基板P的位置，可于与基板P表面之间保持液体LQ。又，在终端光学元件FL的下面与底板28的上面29之间设置具有既定间隙的空间。
液体供应口21连接于终端光学元件FL的下面与底板28的上面29之间的空间，可将液体LQ供应至此空间。又，本实施方式中，液体供应口21设于相对光路空间K的X轴方向两侧的个别的既定位置。
又，本实施方式中，曝光装置EX具备将气体供应至液体供应口21的气体供应装置30。气体供应装置30可送出洁净并经调温的液体LQ。气体供应装置30供应与收容曝光装置EX的处理室内的气体大致相同的气体(例如干空气)。气体供应装置30与液体供应口21透过供应流路23的至少一部分连接。曝光装置EX具备切换对液体供应口21及供应流路23的液体供应装置25与气体供应装置30的连接的阀机构31。控制装置3控制阀机构31，透过供应流路23流体地连接液体供应口21与液体供应装置25。据此，将液体LQ从液体供应装置25供应至液体供应口21，透过此液体供应口21能将液体LQ供应至终端光学元件FL的下面与底板28的上面29之间的空间。又，控制装置3，例如于液体供应动作停止时等的既定时序，控制阀机构31，透过供应流路23流体地连接液体供应口21与气体供应装置30。据此，将气体从气体供应装置30供应至液体供应口21，透过此液体供应口21能将气体供应至终端光学元件FL的下面与底板28的上面29之间的空间。例如，在进行用以回收所有液浸空间LS的液体LQ的回收动作后，从液体供应口21吹送气体，以吹送的气体能除去残留于终端光学元件FL的端面(光射出面)的液体LQ、或使终端光学元件FL的端面干燥。此外，替代气体供应装置30，也可设置气体吸引装置。此时，通过从液体供应口21吸引气体，能除去(回收)残留于终端光学元件FL的端面(光射出面)的液体LQ、或使终端光学元件FL的端面干燥。
又，嘴构件20具有将终端光学元件FL的下面与底板28的上面29之间的空间及其附近的气体排出(排气)至外部空间(包含大气空间)的排出口32。排出口32与外部空间透过形成于嘴构件20内部的排出流路33连接。本实施方式中，排出口32配置于比液体供应口21更接近光轴的位置，且比液体供应口21更接近基板P的位置。本实施方式中，排出口32形成于朝向光路空间K的底板28的内侧面28T。本实施方式中，排出口32设于相对光路空间K的Y轴方向两侧的个别的既定位置。终端光学元件FL的下面与底板28的上面29之间的空间及其附近的气体，可透过排出口32及排出流路33排出至外部空间。
第1液体回收口22，于基板载台2所保持的基板P的上方，配置成与此基板P表面相对向。在嘴构件20内部形成空间。第1液体回收口22形成于此空间的下端，第1回收流路24的一部分通过此空间形成。第1液体回收口22设于相对曝光用光EL的光路空间K(开口28K)的液体供应口21及排出口32的外侧。又，第1液体回收口22配置于相对曝光用光EL的光路空间K(开口28K)的平台面27的外侧。本实施方式中，第1液体回收口22设成围绕光路空间K、平台面27、液体供应口21、及排出口32的环状。
具有多数个孔的多孔构件34配置于第1液体回收口22。多孔构件34具有与基板载台2所保持的基板P相对向的下面35。本实施方式中，多孔构件34的下面35为大致平坦。本实施方式中，多孔构件34配置于第1液体回收口22，以使该下面35与XY平面大致平行。此外，多孔构件34的下面35相对XY平面也可为倾斜。又，本实施方式中，多孔构件34的下面35，较平台面27更离开基板P表面。此外，多孔构件34的下面35与平台面27面高也可大致相同。此外，第1回收流路24的压力的最佳值(容许范围)，可通过实验或模拟预先求出。
如此，嘴构件20的下面包含平台面27与多孔构件34的下面35，液浸空间LS形成于终端光学元件FL的下面及嘴构件20的下面与基板P表面之间。
平台面27对液体LQ具有亲液性。本实施方式中，形成平台面27的底板28通过钛形成，具有亲液性(亲水性)。本实施方式中，平台面27的液体LQ的接触角为40°以下。此外，也可在平台面27施加用以提高亲液性的表面处理。又，本实施方式中，多孔构件34是钛制的筛孔构件，对液体LQ具有亲液性(亲水性)。此外，也可在多孔构件34施加用以提高亲液性的表面处理。
又，在嘴构件20的内侧面20T的上部的既定位置，形成可将第1间隙G1的空间的流体(包含气体及液体LQ中至少—者)排出至外部空间的上端排出口36。上端排出口36于内侧面20T的上部，分别形成于围绕终端光学元件FL的多数个既定位置。各上端排出口36透过形成于嘴构件20内部的排出流路37，与外部空间(包含大气空间)流体地连接。各排出流路37，于相对曝光用光EL的光路空间K的第1回收流路24的外侧，形成为在Z轴方向贯通嘴构件20内部。排出流路37的上端透过上端排出口36流体地连接于第1间隙G1的空间，排出流路37的下端透过下端排出口38流体地连接于嘴构件20与基板P之间的空间(外部空间)。本实施方式中，嘴构件20的内侧面20T与终端光学元件FL的侧面FS分别具有疏液性，可抑制流入第1间隙G1的液体LQ的表面不至于上升至上端排出口36附近。又，第1间隙G1的空间与外部空间透过排出流路37流体地连接，第1间隙G1的空间透过排出流路37敞开于大气。据此，可抑制流入第1间隙G1的液体LQ造成的第1间隙G1的空间的较大压力变动。
又，当液体LQ的表面上升至上端排出口36时，可透过排出流路37从下端排出口38将液体LQ排出。从下端排出口38排出的液体LQ可通过第1液体回收口22及/或后述第2液体回收口41回收。
图6是显示吸收构件60附近的侧截面图，图7是从+Y侧观察图6的吸收构件60的图。曝光装置EX具备吸收存在于基板表面的液体LQ的吸收构件60。吸收构件60，是与嘴构件20分离设于相对曝光用光EL的光路空间K的设于嘴构件20的第1液体回收口22的外侧。吸收构件60被相对曝光用光EL的光路空间K的设于嘴构件20外侧的液体回收构件40所支持。液体回收构件40具备与第1液体回收口22不同的另一个第2液体回收口41。第2液体回收口41设于相对曝光用光EL的光路空间K的第1液体回收口22的外侧。如上述，本实施方式中，至少于形成液浸空间LS的状态下，吸收构件60与基板P的距离D2小于嘴构件20与基板P的距离D1。
曝光装置EX具备连接于液体回收构件40、支持吸收构件60的第1支持机构80，及连接于第1立柱CL1的镜筒平台7、支持液体回收构件40的第2支持机构90。
如图1所示，第2支持机构90将液体回收构件40支持成相对第1立柱CL1的镜筒平台7几乎不移动。第2支持机构90与保持机构70所保持的嘴构件20机械上分离，而支持液体回收构件40。
第1支持机构80将吸收构件60支持成可相对基板P表面移动。第1支持机构80与保持机构70所保持的嘴构件20机械上分离，而支持吸收构件60。又，第1支持机构80所支持的吸收构件60与液体回收构件40分离。吸收构件60可在+Z方向及—Z方向移动。此外，也可使用液体回收构件40作为不使第1支持机构80所支持的吸收构件60移动(落下)至较既定位置更—Z侧的制动件。又，也可使液体回收构件40接触以使第1支持机构80所支持的吸收构件60不往—Z方向移动。
此外，第2支持机构90也可将液体回收构件40支持成可相对第1立柱CL1的镜筒平台7移动。例如，第2支持机构90也可具有弹性体。通过第2支持机构90具有弹性体，能以该弹性体的弹性变形将液体回收构件40支持成可摆动。又，第2支持机构90也可具备具有既定致动器及减振器机构的主动防振装置。
液体回收构件40配置成与基板P表面(基板载台2的上面2F)相对向。液体回收构件40是环状构件，第2支持机构90所支持的液体回收构件40，于基板P(基板载台2)的上方，配置成围绕嘴构件20。
吸收构件60于相对光路空间K的嘴构件20的外侧，配置成与包含终端光学元件FL的光轴的面交叉。本实施方式中，吸收构件60于曝光用光EL的光路空间K的外侧，配置成围绕曝光用光EL的光路空间K。又，本实施方式中，多数个吸收构件60排列成与包含终端光学元件FL的光轴的面交叉。如图5及图7所示，在Y轴方向于嘴构件20的两侧以沿着X轴方向的既定间隔配置多数个吸收构件60，在X轴方向于嘴构件20的两侧以沿着Y轴方向的既定间隔配置多数个吸收构件60。即，本实施方式中，多数个吸收构件60配置成围绕光路空间K。又，本实施方式中，吸收构件60是多数个板状构件(凸片状构件)。板状构件的吸收构件60的一部分，是多数个配置成相对曝光用光EL的光路空间K(光轴AX)成放射状。更具体而言，本实施方式中，在Y轴方向于嘴构件20的两侧，板状吸收构件60配置成分别与YZ平面大致平行。又，在X轴方向于嘴构件20的两侧，板状吸收构件60配置成分别与XZ平面大致平行。
如图7所示，第2液体回收口41设置多数个以围绕曝光用光EL的光路空间K。本实施方式中，多数个第2液体回收口41分别配置于相邻吸收构件60(板状构件)之间。即，本实施方式中，多数个第2液体回收口41分别配置成与相邻吸收构件60之间的空间连接。
本实施方式中，吸收构件60是可挠性构件。本实施方式中，吸收构件60以合成树脂、橡胶等具有柔软可挠性的材料形成。又，较佳为，吸收构件60的表面具有亲液性(亲水性)。例如，吸收构件60的基材使用聚四氟乙烯(PTFE)等的柔软氟系树脂材料时，通过对该基材施加无电场镀敷处理，可赋予该基材表面亲液性。当然，不限于PTFE，能以具有可挠性的任意材料形成吸收构件60，适当施加赋予该吸收构件60的表面亲液性的表面处理。又，吸收构件60的表面也可不具有亲液性(亲水性)。
第1支持机构80所支持的吸收构件60配置成与基板P表面相对向。吸收构件60可吸收(捕集)第1液体回收口22无法完全回收，存在于基板P表面的液体LQ的薄膜、液滴等。
液体回收构件40的第2液体回收口41配置于吸收构件60附近，回收吸收构件60所吸收的液体LQ。本实施方式中，第2液体回收口41形成于液体回收构件40的内侧面40T的下端。第2液体回收口41透过形成于液体回收构件40内部的第2回收流路42，连接于第2液体回收装置43。第2液体回收装置43包含真空系统等，可回收液体LQ。第2液体回收装置43可透过第2液体回收口41、第2回收流路42，一起回收吸收构件60所吸收的液体LQ与气体。第2液体回收装置43的动作被控制装置3控制。
第1支持机构80包含弹性体81，将吸收构件60支持成可相对基板P表面移动。第1支持机构80将吸收构件60柔软地支持成可在Z方向摆动。如图6等所示，第1支持机构80的弹性体81具有充满气体的内部空间82。本实施方式中，弹性体81包含蛇腹管状的构件。第1支持机构80具备形成矩形环状的第1蛇腹管构件81A，形成矩形环状、设成围绕第1蛇腹管构件81A的第2蛇腹管构件81B，及分别与多数个吸收构件60的上端连接、支持这些多数个吸收构件60的支持板构件83。多数个吸收构件60连接于支持板构件83的下面，第1、第2蛇腹管构件81A，81B连接于支持板构件83的上面。第1、第2蛇腹管构件81A，81B设成连接与支持板构件83的上面相对向的液体回收构件40的支持面44与支持板构件83。支持面44与支持板构件83分别形成矩形环状。气体充满支持面44、支持板构件83、第1蛇腹管构件81A、第2蛇腹管构件81B所围绕的内部空间82。
本实施方式中，第1支持机构80将连接于支持板构件83的多数个吸收构件60支持成可在Z轴、θX、及θY方向移动。又，第1支持机构80将连接于支持板构件83的多数个吸收构件60支持成在X轴、Y轴、及θZ方向几乎不移动。
又，如图6等所示，曝光装置EX具备调整第1支持机构80的弹性体81的内部空间82的气体压力的调整装置88。调整装置88具备可排出内部空间82的气体的排气口84，连接于排气口84的排气流路85，设于排气流路85途中的阀机构86，及包含设成可透过阀机构86连接于排气流路85、可吸引气体的真空系统的吸引装置87。又，通过控制阀机构86，排气口84与外部空间(包含大气空间)可透过排气流路85流体地连接。即，阀机构86可切换对排气口84及排气流路85的吸引装置87与外部空间的连接。包含吸引装置87及阀机构86的调整装置88的动作被控制装置3控制。
控制装置3可控制调整装置88，调整弹性体81的内部空间82的气体压力。通过调整此内部空间82的气体压力，可调整吸收构件60与基板P表面的距离D2。控制装置3使用调整装置88能使吸收构件60相对基板P表面在接近方向(—Z方向)及离开方向(+Z方向)移动，可调整距离D2。例如，控制装置3可控制阀机构86，连接排气口84与吸引装置87，驱动吸引装置87以吸引内部空间82的气体，使内部空间82成为负压，以使弹性体81压缩于Z轴方向。通过使弹性体81压缩于Z轴方向，透过支持板构件83连接于该弹性体81的吸收构件60在+Z方向移动，可加大吸收构件60与基板P表面的距离。又，控制装置3可控制阀机构86，流体地连接排气口84与外部空间(包含大气空间)，通过使内部空间82敞开于大气(通过使内部空间82成为大致大气压)，将透过支持板构件83连接于该弹性体81的吸收构件60的Z轴方向的位置设成与弹性体81的弹力(弹压力)对应的既定位置。即，控制装置3可控制阀机构86，通过使内部空间82敞开于大气，将吸收构件60与基板P表面的距离设成既定值。本实施方式中，在至少形成液浸空间LS的状态下，弹性体81的内部空间82敞开于大气，此状态下，吸收构件60与基板P的距离D2，设成小于嘴构件20与基板P的距离D1。
又，如图6所示，在嘴构件20的外侧面20S与吸收构件60之间形成具有气体可流通的第2间隙G2的空间。
如上述，本实施方式中，在至少形成液浸空间LS的状态下，弹性体81的内部空间82敞开于大气，吸收构件60与基板P的距离D2，设成小于嘴构件20与基板P的距离D1。具体而言，吸收构件60的下端与基板P表面在Z轴方向的距离D2，设成小于嘴构件20的平台面27与基板P表面在Z轴方向的距离D1。嘴构件20的平台面27与基板P表面的距离D1，依据例如液体LQ的物性(黏性等)、基板P的表面条件(液体LQ的接触角等)、及基板P的移动条件(移动速度等)设成最佳值，以在平台面27与基板P表面之间良好地保持液体LQ。吸收构件60的下端与基板P表面在Z轴方向的距离D2设成最佳值，以良好地吸收存在于基板P表面的液体LQ的薄膜、液滴等，且曝光时基板P在Z轴、θX、及θY方向移动(倾斜)时，吸收构件60与基板P表面也不会接触。
又，本实施方式中，在至少形成液浸空间LS的状态下，吸收构件60的下端与基板P表面的距离D2，小于液体回收构件40的第2液体回收口41与基板P表面的距离D3。又，吸收构件60的下端与基板P表面的距离D2，也小于液体回收构件40的下面40B与基板P表面的距离D4。此外，本实施方式中，第2液体回收口41形成于液体回收构件40的内侧面40T的下端，因此距离D3与距离D4大致相同。
本实施方式中，嘴构件20的平台面27与基板P表面的距离D1为例如大约1mm。又，第2液体回收口41与基板P表面的距离D3(D4)也为大约1mm。又，吸收构件60的下端与基板P表面的距离D2为大约0.3mm。
以此方式，本实施方式中，吸收构件60的下端配置于较嘴构件20的平台面27更接近基板P表面的位置，且配置于较液体回收构件40的下面40B更接近基板P表面的位置。
又，如图6及图7所示，本实施方式的多数个吸收构件60，配置成能导引流向第2液体回收口41的流体(气体及液体LQ中至少一者)的流动。又，吸收构件60配置成可提高流向第2液体回收口41的流体的流速。
如图7所示，板状构件的吸收构件60分别沿着基板P表面排列多数个。为了提高相邻吸收构件60之间的空间的流体的流速，较佳为仅可能缩小相邻吸收构件60的间隔。本实施方式中，吸收构件60的厚度为大约0.5mm，吸收构件60是薄板状构件。又，吸收构件60彼此的距离为0.1～0.2mm左右非常狭窄，可提高流体的流速。又，通过缩小相邻吸收构件60的间隔，存在于基板P上的液体LQ的薄膜、液滴等因毛细管作用可流入相邻吸收构件60之间。因此，可更确实吸收存在于基板P上的液体LQ的薄膜、液滴等。
此外，图5中，为简化图标，显示较少数量的吸收构件60。
接着，说明使用具有上述构成的曝光装置EX使光掩膜M的图案像曝光于基板的方法。
为了以液体LQ持续充满曝光用光EL的光路空间K，控制装置3分别驱动液体供应装置25及第1液体回收装置26。从液体供应装置25送出的液体LQ，在流过嘴构件20的供应流路23后，通过液体供应口21供应至终端光学元件FL的下面与底板28的上面29之间的空间。通过将液体LQ供应至终端光学元件FL的下面与底板28的上面29之间的空间，存在于该空间的气体透过排出口32及开口28K等排出至外部。
供应至终端光学元件FL的下面与底板28的上面29之间的空间的液体LQ，透过开口28K流入平台面27与基板P(基板载台2)之间的空间，充满光路空间K般地在嘴构件20与基板P之间形成液浸(液浸空间LS)。此时，控制装置3使用第1液体回收装置26，每单位时间回收既定量的液体LQ。平台面27与基板P之间的空间的液体LQ，透过嘴构件20的第1液体回收口22流入第1回收流路24，在流过该第1回收流路24后，回收至第1液体回收装置26。
以此方式，控制装置3从液体供应口21对光路空间K每单位时间供应既定量的液体LQ，且从第1液体回收口22每单位时间回收既定量的液体LQ，由此以液体LQ充满投影光学系统PL与基板P之间的曝光用光EL的光路空间K，形成液浸空间LS。接着，控制装置3，在以液体LQ充满曝光用光EL的光路空间K的状态下，一边使投影光学系统PL与基板P相对移动，一边使光掩膜M的图案像透过投影光学系统PL与液浸空间LS的液体LQ投影至基板P上。本实施方式的曝光装置EX，以Y轴方向为扫描方向的扫描型曝光装置。是以，控制装置3控制基板载台2，一边使基板P以既定速度在Y轴方向移动，一边进行基板P的扫描曝光。
于此种扫描型曝光装置，伴随例如基板P的移动速度(扫描速度)的高速化，透过第1液体回收口22无法充分回收液体LQ，形成液浸空间LS的液体LQ的一部分有可能漏出至较嘴构件20与基板P之间的空间更外侧。即，液体LQ的一部分有可能漏出至相对光路空间K的第1液体回收口22更外侧。
例如，如图8A的示意图所示，以液体LQ充满嘴构件20的下面与基板P表面之间形成液浸空间LS，当使基板P相对此液浸空间LS的液体LQ移动于扫描方向(Y轴方向)时，例如，当基板P的移动距离及移动速度中至少一者变大时，液体LQ有可能流出。例如，从图8A的示意图所示的第1状态，使基板P相对液浸空间LS的液体LQ以较低的速度短距离移动于—Y方向时，如图8B所示，基板P上的液体LQ与嘴构件20维持接触状态之下，可维持液浸空间LS的液体LQ与其外侧的气体空间的界面(气液界面)LG移动的第2状态，不会产生液体LQ的流出。
另一方面，例如，从图8A的示意图所示的第1状态，使基板P相对液浸空间LS的液体LQ以高速及/或长距离移动于—Y方向时，如图8C的示意图所示，当基板P移动时，于液浸空间LS的界面LG附近，基板P上的液体LQ从嘴构件20下面离开，有可能在基板P上形成液体LQ的膜(薄膜)。由于液体LQ的膜相对嘴构件20下面(第1液体回收口22的多孔构件34的下面35)离开，因此有可能产生无法自第1液体回收口22回收薄膜状的液体LQ的状况。即，由于形成于基板P上的液体LQ的膜未接触配置于第1液体回收口22的多孔构件34，因此有可能无法从第1液体回收口22回收该薄膜状的液体LQ而残留在基板P上。又，如图8D的示意图所示，形成于基板P上的液体LQ的膜的一部分在基板P上分离，有可能产生液滴状的液体LQ残留在基板P上等的缺陷。残留在基板P上的液体LQ成为曝光不良(图案缺陷)的原因，有可能成为降低曝光装置EX的产率的原因。
因此，本实施方式中，为抑制液体LQ残留等缺陷的产生，使用吸收构件60，吸收存在于基板P表面的液体LQ(包含液体LQ的膜、液滴等)。即，以吸收构件60吸收无法与嘴构件20下面接触的基板P上的液体LQ的薄膜、液滴等。
图9显示在形成液浸空间LS的状态下，吸收构件60吸收存在于基板P表面的液体LQ的状态的示意图。控制装置3，在至少形成液浸空间LS的状态下，驱动第2液体回收装置43，进行使用第2液体回收口41的回收动作(吸引动作)。又，控制装置3，在至少形成液浸空间LS的状态下，使第1支持机构80的弹性体81的内部空间82成为大致大气压，使吸收构件60下端与基板P表面的距离D2小于嘴构件20的平台面27与基板P表面的距离D1。当驱动第2液体回收装置43，进行第2液体回收口41的回收动作(吸引动作)时，通过吸收构件60使流向第2液体回收口41的流体(气体及液体LQ的至少一者)的流动一致，提高朝向第2液体回收口41流动的流体的流速。
如图9的示意图所示，伴随基板P的往—Y轴方向的移动，在基板P上形成液体LQ的膜。即使第1液体回收口22产生无法完全回收该薄膜状的液体LQ的状况时，存在于基板P上的薄膜状的液体LQ，被相对光路空间K配置在第1液体回收口22的外侧(—Z侧)的吸收构件60所吸收。由于吸收构件60配置在比嘴构件20更接近基板P的位置，因此能以第1液体回收口22吸收无法完全回收而存在于基板P上的液体LQ。即，吸收构件60与基板P表面的距离D2小于嘴构件20与基板P表面的距离D1，吸收构件60能与以第1液体回收口22无法完全回收的液体LQ的膜接触。通过以吸收构件60吸收液体LQ，可抑制以第1液体回收口22无法完全回收的液体LQ残留在基板P上。
以吸收构件60吸收的液体LQ，被配置在该吸收构件60附近的第2液体回收口41所回收。如上述，由于吸收构件60配置成可导引流向第2液体回收口41的流体(气体及液体LQ的至少一者)的流动，配置成可提高朝向第2液体回收口41流动的流体的流速，因此以吸收构件60吸收的液体LQ顺利且迅速地流入第2液体回收口41，被第2液体回收装置43所回收。是以，可抑制液体LQ残留于基板P上及吸收构件60。
又，如图10所示，形成在基板P上的液体LQ的膜的一部分分离成为液滴状，即使第1液体回收口22产生无法完全回收该液滴状的液体LQ的状况时，存在于基板P上的液体LQ的液滴，被相对光路空间K配置在第1液体回收口22的外侧(—Y侧)的吸收构件60所吸收。如上述，由于吸收构件60配置在比嘴构件20更接近基板P的位置，因此也可吸收存在于基板P上的液滴状的液体LQ。吸收构件60吸收的液体LQ被第2液体回收口41迅速且顺利地回收。
此处，虽说明使基板P移动于Y轴方向时的例，但也有步进移动等、使基板P相对液浸空间LS移动于X轴方向的情形。又，也有使基板P相对液浸空间LS在XY平面内移动于与Y轴方向倾斜的方向的情形。本实施方式中，由于多数个吸收构件60配置成围绕曝光用光EL的光路空间K，因此即使基板P移动于任一方向，也能以吸收构件60吸收以第1液体回收口22无法回收的基板P上的液体LQ的薄膜、液滴等。因此，可抑制液体LQ残留于基板P上。又，由于第2液体回收口41也配置成围绕曝光用光EL的光路空间K，因此可良好地回收吸收构件60吸收的液体LQ，也可防止吸收构件60吸收的液体LQ滴落至基板P上。
如上述说明，由于将吸收构件60配置在比嘴构件20更接近基板P表面的位置，因此即使薄膜状的液体LQ、液滴状的液体LQ存在于基板P上，也能以吸收构件60吸收该液体LQ。是以，可防止液体LQ残留于基板P上，可抑制形成于基板P上的图案缺陷的产生。
又，本实施方式中，由于可抑制液体LQ残留于基板P上，因此可抑制因液体LQ的气化在基板P上形成液体的附着痕迹(亦即，水痕)。又，可抑制因液体LQ残留、漏出、或飞散所造成的对周边机器及周边构件的影响。
又，如上述，吸收构件60下端与基板P表面的Z轴方向的距离D2设定成最佳值，而可良好地吸收存在于基板P表面的液体LQ，且在曝光时，例如为使基板P表面(曝光面)相对投影光学系统PL的像面成为所希望的位置关系，当基板P移动(倾斜)于Z轴、θX、及θY方向时，吸收构件60与基板P表面也不接触。又，由于基板P的移动的控制错误等，即使吸收构件60与基板P表面接触，因吸收构件60被包含弹性体81的第1支持机构80支持成可摆动，且是以具有可挠性的柔软的材料形成，因此可将对基板P及保持基板P的基板载台2的损伤抑制在最小限。
又，如上述，本实施方式中，第1支持机构80，通过调整弹性体81的内部空间82的气体的压力，可调整吸收构件60与基板P表面的距离D2。例如，控制装置3驱动吸引装置87，调整弹性体81的内部空间82的压力，以调整弹性体81的Z轴方向的压缩量，由此，可使嘴构件20的平台面27与吸收构件60的下端成为所欲的位置关系。
又，如图11的示意图所示，控制装置3，例如在未形成液浸空间LS的状态下，驱动吸引装置87，使弹性体81的内部空间82成为负压。据此，可调整吸收构件60的位置，以使吸收构件60下端与基板P表面的距离D2大于嘴构件20的平台面27与基板P表面的距离D1。即，驱动吸引装置87，使弹性体81压缩，由此可将吸收构件60的下端配置在比嘴构件20的平台面27更上方(+Z侧)。例如，当进行曝光装置EX的初始化动作时，在曝光装置EX的维修作业时，使吸收构件60退开至比嘴构件20更上方时，驱动吸引装置87，使弹性体81的内部空间82成为负压，可将吸收构件60配置在所欲位置。例如，在初始化动作时或维修作业时等，驱动包含致动器及减振器机构的防振装置10，有基板载台2及第2平台8移动于Z轴方向的情形。此种情形，驱动吸引装置87，使弹性体81的内部空间82成为负压，使吸收构件60上升，由此可抑制基板载台2与吸收构件60接触。
又，如日本特开平10—92722号公报、日本特开平11—260706号公报、及日本特开2001—338868号公报等所揭示般，将可测量曝光用光EL的照射状态的测量器安装于基板载台2成为可拆装时，例如安装于基板载台2的测量器的上面配置在比基板载台2的上面2F更+Z侧时，该测量器与吸收构件60有可能接触。以此方式，将与基板P的厚度不同的构件，替代基板P安装于基板载台2时，也驱动吸引装置87，使弹性体81的内部空间82成为负压，使吸收构件60上升，由此可抑制该构件(测量器等)与吸收构件60接触。
(第2实施方式)
接着说明第2实施方式。以下说明中，对与上述实施方式相同或同等的构成部分赋予相同符号，以简化或省略其说明。
图12是显示第2实施方式的曝光装置EX的一部分的放大图。第2实施方式是第1实施方式的变形例，第1支持机构80具有弹簧构件(螺旋弹簧构件)81’作为弹性体。第1支持机构80使用螺旋弹簧构件81’，将吸收构件60支持成可摆动。本实施方式的第1支持机构80不具备上述第1实施方式般的具有内部空间82的弹性体81及调整装置88等。据此，第1支持机构80能以简单的构成将吸收构件60支持成可摆动。
此外，图12所示的例，虽第1支持机构80具有螺旋弹簧构件81’，但也可具有板弹簧构件等其它的弹性体。又，第1支持机构80并不限于蛇腹管构件及弹簧构件等弹性体，也可具有例如铰链机构、橡胶等具有可挠性的可挠性构件等。
(第3实施方式)
接着说明第3实施方式。以下说明中，对与上述实施方式相同或同等的构成部分赋予相同符号，以简化或省略其说明。本实施方式的特征部分在于，第1支持机构80包含移动吸收构件60的驱动装置。
图13是显示第3实施方式的曝光装置EX的一部分的放大图。图13中，第1支持机构80具备移动吸收构件60的驱动装置50、及检测吸收构件60与基板P的位置关系的检测装置51。本实施方式中，第1支持机构80从保持机构70所保持的嘴构件20机械上分离，而支持吸收构件60。
驱动装置50包含以例如罗伦兹力(Lorentz force)驱动的音圈马达及线性马达等，可将吸收构件60驱动于至少Z轴、θX、及θY方向。以罗伦兹力驱动的音圈马达具有线圈单元及磁铁单元，这些线圈单元及磁铁单元以非接触状态驱动。据此，可抑制驱动吸收构件60的驱动装置50产生的振动。
与上述实施方式相同，多数个吸收构件60连接于支持板构件83，驱动装置50设成将液体回收构件40的支持面44与支持板构件83连接。控制装置3驱动驱动装置50，以使连接于支持板构件83的多数个吸收构件60可相对液体回收构件40的支持面44，移动于至少Z轴、θX、及θY方向。
检测装置51具备检测液体回收构件40的支持面44与支持吸收构件60的支持板构件83的位置关系的第1检测装置51A、及检测液体回收构件40的支持面44与基板载台2所保持的基板P的位置关系的第2检测装置51B。第1检测装置51A包含例如设于支持面44的激光干涉仪等，使用设于支持板构件83的上面的反射面，光学检测支持板构件83(或吸收构件60)相对支持面44的位置。第2检测装置51B亦光学检测基板P相对支持面44的位置。
第1检测装置51A对分别设于支持板构件83的上面的多数个既定位置的各反射面照射检测光，可检测支持吸收构件60的支持板构件83的Z轴、θX、及θY方向相关的位置。此处，由于支持板构件83的上面(反射面)与吸收构件60的下端的位置关系，因设计值等而为既知，因此第1检测装置51A使用支持板构件83的上面的反射面，可检测吸收构件60下端的Z轴、θX、及θY方向相关的位置。又，第2检测装置51B对基板P表面的多数个既定位置分别照射检测光，可检测基板载台2所保持的基板P表面的Z轴、θX、及θY方向相关的位置。包含第1、第2检测装置51A，51B的检测装置51的检测结果系输出至控制装置3。控制装置3可依据检测装置51的检测结果，求出吸收构件60下端与基板P表面的Z轴、θX、及θY方向相关的位置关系，即吸收构件60下端与基板P表面的距离D2。此外，检测装置51并不限于激光干涉仪，例如也可使用静电电容传感器、编码器等的具有其它构成的检测装置。
控制装置3在至少形成液浸空间LS时，依据检测装置51的检测结果，一边维持吸收构件60与基板P的距离D2小于嘴构件20与基板P的距离D1的状态，一边控制驱动装置50以使吸收构件60与基板P不接触。当使基板P扫描曝光时，即使基板P的位置及姿势(倾斜)产生变化时，控制装置3也可依据检测装置51的检测结果，驱动驱动装置50以使基板P表面与吸收构件60下端的距离D2维持大致一定。据此，可一边抑制基板P与吸收构件60接触，一边以吸收构件60吸收液体LQ，可抑制液体LQ漏出。
又，控制装置3驱动驱动装置50，能使吸收构件60往上方退开。例如，控制装置3驱动驱动装置50，可调整吸收构件60的位置，以使吸收构件60下端与基板P表面的距离D2大于嘴构件20的平台面27与基板P表面的距离D1。
此外，本实施方式中，虽使用驱动装置50移动吸收构件60，以使基板P表面与吸收构件60下端的距离D2维持大致一定，即，追随基板P的位置及姿势的变化，但例如通过基板P的位置及姿势的变化，使基板P表面与吸收构件60下端的距离D2成为既定值以下时，也可使用驱动装置50移动吸收构件60，以使吸收构件60与基板P不接触。
(第4实施方式)
接着说明第4实施方式。图14是显示第4实施方式的曝光装置EX的一部分的放大图。以下说明中，对与上述实施方式相同或同等的构成部分赋予相同符号，以简化或省略其说明。又，本实施方式未设置吸收构件。
图14中，曝光装置EX具备具有配置成与基板P表面相对向的第1液体回收口22、在与基板P表面之间形成液浸空间LS的嘴构件20，及用以回收存在于基板P表面的液体LQ的第2液体回收口141。又，本实施方式的曝光装置EX具备相对曝光用光EL的光路空间K配置在第2液体回收口141的外侧、朝向基板P表面吹送气体的气体吹送口45。本实施方式中，在至少形成液浸空间LS的状态下，第2液体回收口141与基板P表面的距离D3小于嘴构件20与基板P的距离D1。
本实施方式中，第2液体回收口141设于液体回收构件140，气体吹送口45也设于液体回收构件140。第2液体回收口141形成于液体回收构件140的内侧面140T的下端。气体吹送口45形成于与基板P表面相对向的液体回收构件140的下面140B。液体回收构件140的下面140B与XY平面大致平行。本实施方式中，液体回收构件140的下面140B与基板P表面的距离D4小于第2液体回收口141与基板P表面的距离D3。此外，第2液体回收口141可连续地配置成一个以围绕嘴构件20，也可离散地配置多数个以围绕嘴构件20。
曝光装置EX具备将液体回收构件140支持成相对基板P表面可动的支持机构80’。支持机构80’包含弹性体81’。弹性体81’包含蛇腹管状的构件。支持机构80’具备形成为矩形环状的第1蛇腹管构件81G，形成为矩形环状、设成围绕第1蛇腹管构件81G的第2蛇腹管构件81H，形成为矩形环状、设成围绕第2蛇腹管构件81H的第3蛇腹管构件81C，形成为矩形环状、设成围绕第3蛇腹管构件81C的第4蛇腹管构件81D，形成为矩形环状、设成围绕第4蛇腹管构件81D的第5蛇腹管构件81E，形成为矩形环状、设成围绕第5蛇腹管构件81E的第6蛇腹管构件81F。又，支持机构80’具有透过第1～第6蛇腹管构件81C～81H支持液体回收构件140的支持构造体89。支持构造体89连接于第1立柱CL1的镜筒平台7。支持构造体89与嘴构件20分离。
第1～第6蛇腹管构件81C～81H设成连接液体回收构件140的上面140A、及与该液体回收构件140的上面140A相对向的支持构造体89的支持面89B。液体回收构件140的上面140A及支持构造体89的支持面89B分别形成为矩形环状。此外，在第1蛇腹管构件81G与第2蛇腹管构件81H之间形成第1内部空间82A，在第3蛇腹管构件81C与第4蛇腹管构件81D之间形成第2内部空间82B，在第5蛇腹管构件81E与第6蛇腹管构件81F之间形成第3内部空间82C。包含第1～第6蛇腹管构件81C～81H及支持构造体89的支持机构80’，从保持机构70所保持的嘴构件20机械上分离，而支持液体回收构件140。
液体回收构件140的第2液体回收口141，透过形成于液体回收构件140的内部的第2回收流路142、第1内部空间82A、及形成于支持构造体89的回收流路46，连接于第2液体回收装置43。第2液体回收装置43可透过第2液体回收口141、第2回收流路142、第1内部空间82A、及回收流路46回收液体LQ。
液体回收构件140的气体吹送口45，透过形成于液体回收构件140的内部的气体供应流路47、第2内部空间82B、及形成于支持构造体89的气体供应流路48，连接于气体供应装置49。气体供应装置49可将洁净并经调温的气体供应至气体吹送口45。气体供应装置49供应与收容曝光装置EX的处理室内的气体大致相同的气体(例如干空气)。气体供应装置49的动作被控制装置3所控制。控制装置3从气体供应装置49吹送气体，通过气体吹送口45，朝向基板P表面吹送气体。从设于液体回收构件140的下面140B的气体吹送口45吹送气体，以在液体回收构件140的下面140B与基板P表面之间形成气体轴承。
又，曝光装置EX具备调整支持机构80’的第3内部空间82C的气体压力的调整装置88。与上述实施方式相同，调整装置88’具备可吸引第3内部空间82C的气体的排气口84’，连接于排气口84’的排气流路85’，设于排气流路85’途中的阀机构86’，及包含设成可透过阀机构86’连接于排气流路85’、可吸引气体的真空系统的吸引装置87’。又，通过控制阀机构86’，排气口84’与外部空间(大气空间)可透过排气流路85’流体地连接。控制装置3驱动阀机构86’，可调整弹性体81’的第3内部空间82C的气体压力。通过调整此第3内部空间82C的气体压力，可调整液体回收构件140与基板P表面的距离D4。又，控制装置3可控制阀机构86’，将排气口84’与外部空间(大气空间)流体地连接，使第3内部空间82C敞开于大气。
包含弹性体81’的支持机构80’，将液体回收构件140支持成可在Z轴、θX、及θY方向摆动(移动)。又，支持机构80’，将液体回收构件140支持成在X轴、Y轴、及θZ方向不移动。以支持机构80’支持成可摆动的液体回收构件140，通过在液体回收构件140的下面140B与基板P表面之间形成气体轴承，能与基板P不接触，一边维持液体回收构件140的下面140B与基板P表面之间的距离D4的间隙，一边追随基板P的移动(位置及姿势)。是以，即使基板P在Z轴、θX、及θY方向移动时，液体回收构件140也可将其下面140B与基板P表面的距离D4维持成大致一定。即，相对基板P表面被非接触支持的液体回收构件140，通过将液体回收构件140支持成可摆动的支持机构80’的作用(弹性体81’的弹性作用)、及气体轴承的作用(形成于液体回收构件140的下面140B与基板P表面之间的气体层的作用)，即使基板P在Z轴、θX、及θY方向移动时，也可一边抑制基板P与液体回收构件140接触，一边维持微小距离D4的间隙。
又，支持机构80’，将嘴构件20与液体回收构件140支持成分离状态。因此，即使支持机构80’所支持的液体回收构件140摆动，嘴构件20与液体回收构件140也不会产生冲突。
本实施方式中，在至少形成液浸空间LS的状态下，设于液体回收构件140的第2液体回收口141与基板P表面的距离D3小于嘴构件20与基板P表面的距离D1。因此，能以第2液体回收口141顺利回收嘴构件20的第1液体回收口22无法完全回收而存在于基板P上的液体LQ(包含液体LQ的膜、液滴)。
又，气体吹送口45设于与基板P表面相对向的位置，朝向基板P表面吹送气体。通过从气体吹送口45吹送的气体，在液体回收构件140的下面140B与基板P表面之间形成具有高压的气体层(膜)。因此，通过该具有高压的气体层，可防止液体LQ流出。又，液体回收构件140的下面140B与基板P表面之间的距离D4微小。因此，即使在基板P上形成液体LQ的薄膜、液滴等，也可抑制该液体LQ漏出至相对光路空间K的液体回收构件140的更外侧。
又，从气体吹送口45吹送的气体的一部分，在吹送至基板P后，沿着基板P表面产生朝向光路空间K的气流。通过产生朝向光路空间K的气流，通过该气体的力量，能使形成在基板P上的液体LQ的薄膜及/或液滴接近第2液体回收口141，能更顺利回收形成于基板P上的薄膜状及/或液滴状的液体LQ。以此方式，通过设于接近基板P表面的位置的第2液体回收口141、及从气体吹送口45吹送的气体，可防止液体LQ残留于基板P上。
又，如图15的示意图所示，控制装置3使用吸引装置87’，调整支持机构80’的第3内部空间82C的压力，由此可调整液体回收构件140的位置。驱动吸引装置87’，调整弹性体81’的第3内部空间82C的压力，以调整弹性体81’的Z轴方向的压缩量，由此可调整液体回收构件140的Z方向的位置。是以，例如，当进行曝光装置EX的初始化动作时，在曝光装置EX的维修作业时，使液体回收构件140的下面退开至比嘴构件20的下面更上方时，驱动吸引装置87’，使弹性体81’的第3内部空间82C成为负压，由此可将液体回收构件140的位置调整成，基板P表面与液体回收构件140的下面140B的距离D4大于基板P表面与嘴构件20的平台面27的距离。
又，例如，即使为在与液体回收构件140的下面140B相对向的位置没有基板P的状态，控制装置3也可使用吸引装置87’，使弹性体81’的第3内部空间82C成为负压。据此，可将液体回收构件140的位置调整成，液体回收构件140的下面140B配置在比嘴构件20的平台面27更上方。例如，在基板P的液浸曝光结束后，为了卸载基板载台2上的基板P，使保持基板P的基板载台2移动至基板更换位置时，用以在与液体回收构件140的下面140B之间形成气体轴承的基板P(或基板载台2等物体)，有可能移动至未与液体回收构件140的下面140B相对向的位置。当在与液体回收构件140的下面140B相对向的位置没有基板P时，液体回收构件140有可能下降(下垂)，产生与周边机器及周边构件冲突的缺陷。本实施方式中，控制装置3使用吸引装置87’，使弹性体81’的第3内部空间82C成为负压，由此可调整液体回收构件140的下面140B的Z轴方向的位置。因此，即使是液体回收构件140未与基板P等物体相对向的状态，也可抑制液体回收构件140下降(下垂)。当然，即使是在与液体回收构件140的下面140B相对向的位置具有基板P的状态，也可使用吸引装置87’，调整弹性体81’的第3内部空间82C，由此可调整液体回收构件140的下面140B的Z轴方向相关的位置。
此外，本实施方式中，气体吹送口45不须连续设置以围绕液体回收构件140，也可离散配置以围绕液体回收构件140。
(第5实施方式)
接着说明第5实施方式。以下说明中，对与上述实施方式相同或同等的主要构成部分赋予相同符号，以简化或省略其说明。第5实施方式是上述第4实施方式的变形例，第5实施方式的特征部分在于，将吸收构件160配置在液体回收构件140的第2液体回收口141的附近。
图16是显示第5实施方式的曝光装置EX的一部分的放大图。图16中，吸收构件160被液体回收构件140所支持。支持吸收构件160的液体回收构件140，与上述第4实施方式相同，具备回收存在于基板P上的液体LQ的第2液体回收口141、及设于与基板P表面相对向的下面140B的气体吹送口45。吸收构件160的下端与基板P表面的距离D2小于第2液体回收口141与基板P表面的距离D3。吸收构件160配置于第2液体回收口141的附近，以第2液体回收口141回收吸收构件160吸收的液体LQ。
气体吹送口45，相对曝光用光EL的光路空间K，设于第2液体回收口141及配置在其附近的吸收构件160的外侧。本实施方式中，气体吹送口45朝向基板P吹送气体。又，通过从气体吹送口45吹送气体，在基板P表面与支持吸收构件160的液体回收构件140的下面140B之间形成气体轴承。
如以上说明，能以具备第2液体回收口141与气体吹送口45的液体回收构件140支持吸收构件160，能更进一步抑制液体LQ漏出。
又，通过从气体吹送口45吹送的气体，能使基板P上的薄膜状及/或液滴状的液体LQ接近吸收构件160，使该液体LQ接触吸收构件160。据此，吸收构件160可良好地吸收液体LQ。
(第6实施方式)
接着说明第6实施方式。以下说明中，对与上述实施方式相同或同等的主要构成部分赋予相同符号，以简化或省略其说明。第6实施方式是上述第1实施方式的变形例，第6实施方式的特征部分在于，朝向基板P表面吹送气体的气体吹送口，设于与设有第2液体回收口41的液体回收构件40不同的构件。
图17是显示第6实施方式的曝光装置EX的一部分的放大图。图17中，曝光装置EX，与上述实施方式相同，具备具有第2液体回收口41的液体回收构件40、及透过第1支持机构80支持在液体回收构件40的吸收构件60。本实施方式的液体回收构件40、第1支持机构80、及吸收构件60等与上述第1实施方式相同。
曝光装置EX具有设于相对曝光用光EL的光路空间K的吸收构件60的外侧、朝向基板P表面吹送气体的气体吹送口45’。本实施方式中，气体吹送口45’是设于与液体回收构件40不同的另一个气体用嘴构件52。嘴构件52的气体吹送口45’，是设于相对曝光用光EL的光路空间K的吸收构件60及第2液体回收口41的外侧。嘴构件52是环状构件，在基板P(基板载台2)上方，设成围绕液体回收构件40。
嘴构件52具有相对基板P表面倾斜的突起部，气体吹送口45’设于该突起部的大致前端。嘴构件52的突起部，随着从曝光用光EL的光路空间K朝向外侧，倾斜成与基板P的距离变大。本实施方式中，气体吹送口45’形成为环状以围绕光路空间K及第2液体回收口41，形成为具有既定狭缝宽度的狭缝状。气体吹送口45’，在基板载台2所保持的基板P的上方，设于与该基板P表面相对向的位置。气体吹送口45’与基板P表面的距离D5，与平台面27与基板P表面的距离D1大致相同、或小于距离D1。
此外，气体吹送口45’不须连续设置以围绕第2液体回收构件40，也可离散配置以围绕第2液体回收构件40。
从气体供应装置49’将气体供应至气体吹送口45’。气体吹送口45’朝向光路空间K将气体吹送至相对基板P呈倾斜的方向。从气体吹送口45’吹送的气体的一部分，在吹送至基板P后，沿着基板P表面产生朝向光路空间K的气流。通过产生朝向光路空间K的气流，通过该气体的力量，能使基板P上的液体LQ的薄膜及/或液滴接近吸收构件60，能使该液体LQ接触吸收构件60。据此，吸收构件60可良好地吸收液体LQ。又，通过将气体吹送口45’设于与液体回收构件40不同的另一个气体用嘴构件52，设置例如可移动嘴构件52的驱动装置，由此，使用该驱动装置，可调整嘴构件52的气体吹送口45’与光路空间K、嘴构件20、吸收构件60、及液体回收构件40的至少一者的位置关系。
(第7实施方式)
接着说明第7实施方式。以下说明中，对与上述实施方式相同或同等的主要构成部分赋予相同符号，以简化或省略其说明。
图18是显示第7实施方式的曝光装置EX的一部分的放大图。图18中，支持机构280’具备移动液体回收构件240的驱动装置50’、及检测液体回收构件240与基板P的位置关系的检测装置51’。本实施方式中，支持机构280’也从保持机构70所保持的嘴构件20机械上分离，而支持液体回收构件240。
驱动装置50’包含以例如罗伦兹力驱动的音圈马达及线性马达等，可将液体回收构件240驱动于至少Z轴、θX、及θY方向。
驱动装置50’设成将支持构造体289的支持面289B与液体回收构件240的上面240A连接。控制装置3驱动驱动装置50’，以使液体回收构件240可相对支持构造体289的支持面289B，移动于至少Z轴、θX、及θY方向。
检测装置51’具备检测支持构造体289的支持面289B与液体回收构件240的位置关系的第1检测装置51A’、及检测支持构造体289的支持面289B与基板载台2所保持的基板P的位置关系的第2检测装置51B’。第1检测装置51A’包含例如设于支持面289B的激光干涉仪等，使用设于液体回收构件240的上面240A的反射面，光学检测液体回收构件240相对支持面289B的位置。第2检测装置51B’亦光学检测基板P相对支持面289B的位置。
第1检测装置51A’对分别设于液体回收构件240的上面240A的多数个既定位置的各反射面照射检测光，可检测液体回收构件240的Z轴、θX、及θY方向相关的位置。此处，由于液体回收构件240的上面(反射面)240A与液体回收构件240的下面240B的位置关系，因设计值等而为既知，因此第1检测装置51A’使用液体回收构件240的上面240A的反射面，可检测液体回收构件240的下面240B的Z轴、θX、及θY方向相关的位置。又，第2检测装置51B’对基板P表面的多数个既定位置分别照射检测光，可检测基板载台2所保持的基板P表面的Z轴、θX、及θY方向相关的位置。包含第1、第2检测装置51A’，51B’的检测装置51’的检测结果系输出至控制装置3。控制装置3可依据检测装置51’的检测结果，求出液体回收构件240的下面240B与基板P表面的Z轴、θX、及θY方向相关的位置关系，亦即液体回收构件240的下面240B与基板P表面的距离D4。此外，检测装置51’并不限于激光干涉仪，例如也可使用静电电容传感器、编码器等的具有其它构成的检测装置。
本实施方式中，在至少形成液浸空间LS的状态下，第2液体回收口241与基板P表面的距离D3小于嘴构件20与基板P表面的距离D1。
控制装置3依据检测装置51’的检测结果，一边维持第2液体回收口241与基板P的距离D3小于嘴构件20与基板P的距离D1的状态，一边控制驱动装置50’以使液体回收构件240与基板P不接触。当使基板P扫描曝光时，即使基板P的位置及姿势(倾斜)产生变化时，控制装置3也可依据检测装置51’的检测结果，驱动驱动装置50’以使基板P表面与液体回收构件240的下面240B的距离D4维持大致一定。据此，可一边抑制基板P与液体回收构件240接触，一边以设于液体回收构件240的第2液体回收口241回收以第1液体回收口22无法完全回收而存在于基板P上的薄膜状及/或液滴状的液体LQ，可防止液体LQ残留在基板P上。此外，第2液体回收口241可连续地配置成一个以围绕嘴构件20，也可离散地配置多数个以围绕嘴构件20。
又，本实施方式中，液体回收构件240的下面240B设有朝向基板P吹送气体的气体吹送口245。通过从气体吹送口245吹送的气体，在液体回收构件240的下面240B与基板P表面之间形成具有高压的气体层(膜)。因此，通过该具有高压的气体层，可抑制液体LQ流出。
又，从气体吹送口245吹送的气体的一部分，在吹送至基板P后，沿着基板P表面产生朝向光路空间K的气流。通过产生朝向光路空间K的气流，通过该气体的力量，能使基板P上的液体LQ接近第2回收口241，能更确实地回收漏出至第1液体回收口22外侧的基板P上的液体LQ。
又，控制装置3能驱动驱动装置50’，使液体回收构件240往上方退开。例如，控制装置3驱动驱动装置50’，可调整液体回收构件240的位置，以使液体回收构件240的下面240B与基板P表面的距离D4大于嘴构件20的平台面27与基板P表面的距离D1。
此外，本实施方式中，在液体回收构件240与基板P表面之间，也可不形成气体轴承。控制装置3能依据检测装置51’的检测结果，通过驱动驱动装置50’，以液体回收构件240与基板P不接触的方式维持微小的距离D4，使第2液体回收口241接近基板P表面。又，本实施方式中，也可省略气体吹送口245。
此外，本实施方式中，使用驱动装置50’移动液体回收构件240，以使基板P表面与液体回收构件240的下面240B的距离D4维持大致一定，即，追随基板P的位置及姿势的变化。然而，例如，通过基板P的位置及姿势的变化，使基板P表面与液体回收构件240的下面240B的距离D4成为既定值以下时，也可使用驱动装置50’移动液体回收构件240，以使液体回收构件240与基板P不接触。
又，本实施方式中，在液体回收构件240的下面240B设置第2液体回收口241亦可。液体回收构件240(240B)与基板P表面的距离D4，为第2液体回收口241与基板P表面的距离D3，可迅速从第2液体回收口241回收基板P上的薄膜状及/或液滴状的液体LQ。
又，本实施方式中，与上述实施方式相同，也可在第2液体回收口241附近设置吸收构件60、160。
又，本实施方式中，与上述第6实施方式相同，也可将朝向基板P表面吹送气体的气体吹送口设置在与设有第2液体回收口241的液体回收构件240不同的构件。
(第8实施方式)
接着说明第8实施方式。本实施方式说明嘴构件20的变形例。以下说明中，对与上述实施方式相同或同等的主要构成部分赋予相同符号，以简化或省略其说明。又，第8实施方式中，虽嘴构件以外的构成与第1实施方式相同，但当然也可将第8实施方式的嘴构件适用于第2～第7实施方式。
图19是从下侧观察第8实施方式的嘴构件120、吸收构件60、及液体回收构件40附近的立体图，图20是与YZ平面平行的侧截面图。
如图19及图20所示，于嘴构件120，第1液体回收口122配置于相对曝光用光EL的光路空间K延伸于Y轴方向(扫描方向)的第1延伸区域EA1的外侧。本实施方式中，第1液体回收口122在Y轴方向配置于第1延伸区域EA1的两侧。第1延伸区域EA1的X轴方向的大小，与曝光用光EL的光路空间K的截面形状的X轴方向的大小(投影区域AR的X轴方向的大小)大致相同。
与上述实施方式相同，嘴构件120具有设成与基板P表面相对向且围绕曝光用光EL的光路空间K、可在与基板P表面之间保持液体LQ的平台面127。平台面127对液体LQ具有亲液性。平台面127与基板载台2所保持的基板P表面(XY平面)大致平行。本实施方式中，平台面127的外形，以X轴方向为长边方向的大致矩形。平台面127的X轴方向的大小大于曝光用光EL的光路空间K的X轴方向的大小。此外，第1液体回收口122配置于相对平台面127延伸于Y轴方向(扫描方向)的第2延伸区域EA2的外侧。
第2延伸区域EA2包含第1延伸区域EA1，第2延伸区域EA2的X轴方向的大小大于第1延伸区域EA1的X轴方向的大小。本实施方式中，第1液体回收口122在Y轴方向配置于包含第1延伸区域EA1的第2延伸区域EA2的两侧。
又，嘴构件120具有设成与基板P表面相对向且相对平台面127位在Y轴方向两侧的斜面127S。斜面127S也与平台面127相同，对液体LQ具有亲液性(例如，液体LQ的接触角为40°以下)。斜面127S可在与基板P表面之间保持液体LQ。斜面127S设于相对基板P表面比平台面127更远离的位置。具体而言，斜面127S倾斜成在Y轴方向随着从曝光用光EL的光路空间K朝向外侧、与基板P的距离变大。又，平台面127与斜面127S之间几乎无段差。斜面127S的X轴方向的大小与平台面127的X轴方向的大小大致相同。即，第2延伸区域EA2包含斜面127S。
即，第1液体回收口122以相对曝光用光EL的光路空间K在X轴方向两侧、延伸于Y轴方向的方式设成彼此大致平行。
又，与上述实施方式相同，多孔构件134配置于第1液体回收口122。配置于平台面127的两侧的多孔构件134的下面135，与基板载台2所保持的基板P的表面(XY平面)大致平行，配置于斜面127S的两侧的多孔构件134的下面135，倾斜成在Y轴方向随着从曝光用光EL的光路空间K朝向外侧、与基板P的距离变大。本实施方式中，配置于平台面127的两侧的多孔构件134的下面135与平台面127的面高大致相同。配置于斜面127S的两侧的多孔构件134的下面135与斜面127S的面高也大致相同。
本实施方式中，能缩小平台面127的外形，在液体LQ可充分充满曝光用光EL的光路空间K的范围内，能缩小液浸空间LS。据此，可抑制液体LQ漏出，谋求曝光装置EX的小型化。又，即使在形成液浸空间LS的状态下使基板P移动于Y轴方向时，也可抑制在基板P上液体LQ变成薄膜、或变成液滴。
又，第1液体回收口122，配置在相对曝光用光EL的光路空间K在Y轴方向延伸的延伸区域EA1，EA2的外侧。因此，即使例如基板P在XY平面内移动于与Y轴方向倾斜的方向、或移动于X轴方向时，能以第1液体回收口122良好地回收液体LQ，抑制液体LQ的漏出或残留。又，即使在形成液浸空间LS的状态下使基板P移动于Y轴方向时，第1液体回收口122也配置于相对曝光用光EL的光路空间K在Y轴方向延伸的延伸区域EA1，EA2的外侧，因此可抑制例如液体LQ回收过多，能一边良好地形成液浸空间LS，一边进行曝光。
又，本实施方式中，由于能与液体LQ接触的嘴构件120的液体接触面(包含平台面127、斜面127S、及多孔构件134的下面135)几乎无段差，因此可抑制气泡混入液体LQ中、或液体LQ的漏出。
此外，上述第1～第8实施方式中，虽多数个吸收构件(60，160)配置成矩形的框状，但并不限于矩形，例如也可将多数个吸收构件配置成八角形的框状，也可将多数个吸收构件配置成圆形的框状。将多数个板状吸收构件配置成圆形的框状时，能将所有板状吸收构件相对曝光用光EL的光路空间K(终端光学元件FL的光轴AX)配置成放射状。
又，吸收构件(60，160)并不限于板状，也可为其它形状。例如，吸收构件亦可为棒状、或线状的构件。
又，上述第1～第8实施方式中，虽将吸收构件(60，160)及/或第2液体回收口(41，141，241)配置成围绕嘴构件20，但并不限于此，例如也可将吸收构件及/或第2液体回收口仅配置在Y轴方向的光路空间K的两侧等、在基板P上液体LQ容易成为薄膜及/或液滴的方向(位置)。又，如上述，于上述各实施方式中，虽说明在基板P与嘴构件(20，120)相对向的状态下形成液浸空间LS的情形，但在嘴构件与其它物体(例如基板载台2的上面)相对向时，亦可防止液体LQ残留在该物体上，避免污染该物体。
此外，虽上述实施方式的液体LQ是水，但也可为水以外的液体，例如，曝光用光EL的光源为F2激光时，由于此F2激光不会透射过水，因此能使F2激光透射过的液体LQ，例如可为过氟化聚醚(PFPE)或氟系油等氟系流体。又，液体LQ另外也可使用仅具有适当的对曝光用光EL的透射性且折射率高，对涂布于投影光学系统PL与基板P表面的光刻胶稳定者(例如香柏油)。又，液体LQ也可使用折射率1.6～1.8左右者。再者，也能以折射率较石英或萤石高(例如1.6以上)的材料形成光学元件LS1。
此处，折射率比纯水高(例如1.5以上)的液体LQ，例如有折射率约1.50的异丙醇、折射率约1.61的甘油(glycerine)等具有C—H键结或O—H键结的既定液体、己烷、庚烷、癸烷等既定液体(有机溶剂)、或折射率大约1.60的十氢萘(Decalin：Decahydronaphthalene)等。又，液体LQ也可为混合这些液体中任意两种类以上的液体者，也可为于纯水中添加(混合)这些液体中至少一种者。再者，作为液体LQ，也可为于纯水中添加(混合)H+、Cs+、K+、Cl-、SO4 2-、PO4 2-等碱基或酸者，也可为于纯水中添加(混合)Al氧化物等微粒子者。又，作为液体，较佳为，光的吸收系数较小，温度依存性较少，并对涂布于投影光学系统及/或基板表面的感光材(被覆膜或反射防止膜等)较稳定者。液体也可使用超临界流体。又，基板上可设置保护感光材或基材免于接触液体的被覆膜等。此外，终端光学元件例如能以石英(二氧化硅)、氟化钙(萤石)、氟化钡、氟化锶、氟化锂、氟化纳等氟化化合物的单结晶材料形成，也能以折射率较石英或萤石高(例如1.6以上)的材料形成。折射率1.6以上的材料，例如，能使用国际公开第2005/059617号小册子所揭示的蓝宝石、二氧化锗等、或可使用国际公开第2005/059618号小册子所揭示的氯化钾(折射率约1.75)等。
上述实施方式中，使用干涉仪系统测量光掩膜载台及基板载台的位置信息，但并不限于此，例如也可使用用以检测设于基板载台上面的尺标(绕射光栅)的编码器系统。此时，较佳为，构成具备干涉仪系统与编码器系统双方的混合系统，使用干涉仪系统的测量结果来进行编码器系统的测量结果的校正(calibration)。又，可切换使用干涉仪系统与编码器系统、或使用双方来进行基板载台的位置控制。
此外，虽上述实施方式的投影光学系统，以液体LQ充满终端光学元件FL的像面侧的光路空间K，但如国际公开第2004/019128号小册子所揭示，也可采用使终端光学元件FL的物体面侧的光路空间充满液体的投影光学系统。
又，上述实施方式中，嘴构件的构成并不限于上述者，例如也可使用国际公开第2004/086468号小册子、国际公开第2005/024517号小册子所揭示者。
此外，上述实施方式的基板P，不仅可适用半导体元件制造用半导体晶片，也可适用于显示元件用玻璃基板、薄膜磁头用陶瓷晶片、曝光装置所使用的光掩膜或标线片的原版(合成石英、硅晶片)、或薄膜构件等。又，基板的形状不限于圆形，亦可为矩形等其它形状。
曝光装置EX除了可适用于使光掩膜M与基板P同步移动以使光掩膜M的图案扫描曝光的步进扫描方式的扫描型曝光装置(扫描步进器)的外，也可适用于在光掩膜M与基板P静止的状态下使光掩膜M的图案一次曝光，使基板P依序步进移动的步进重复方式的投影曝光装置(步进器)。
又，曝光装置EX也可适用于在第1图案与基板P大致静止的状态下使用投影光学系统(例如1/8缩小倍率且不含反射元件的折射型投影光学系统)使第1图案的缩小像在基板P上一次曝光的方式的曝光装置。此时，也可适用于进一步在之后，在第2图案与基板P大致静止的状态下使用该投影光学系统使第2图案的缩小像与第1图案一部分重迭，在基板P上一次曝光的接合方式的一次曝光装置。又，接合方式的曝光装置，也可适用于在基板P上使至少2个图案一部分重迭转印，使基板P依序移动的步进接合方式的曝光装置。
又，本发明也可适用日本特开平10—163099号公报、日本特开平10—214783号公报、日本特表2000—505958号公报等所揭示的具备多数个基板载台的多载台型曝光装置。
再者，如日本特开平11—135400号公报(对应国际公开第1999/23692号)、日本特开2000—164504号公报(对应美国专利第6897963号)所揭示，上述各实施方式的曝光装置EX也能具备可与保持基板的基板载台分开独立移动、且装载测量构件(例如，形成有基准标记的基准构件及/或各种光电传感器)的测量载台。又，本发明也可适用于具备多数个基板载台与测量载台的曝光装置。于具备此测量载台的曝光装置，也可于测量载台设置包含例如上述空间像测量器的多数个测量构件全部，也可在基板载台设置该多数个测量构件中至少一个。
其它实施方式中，可使用产生可变图案的电子光掩膜(也称为可变成形光掩膜、主动光掩膜、或图案产生器)。此电子光掩膜，可使用例如非发光型影像显示元件(也称为空间光调变器：Spatial Light Modulator(SLM))的一种的DMD(数字微镜装置：Deformable Micro-mirror Device或DigitalMicro-mirror Device)。DMD具有依据既定电子数据驱动的多数个反射元件(微小反射镜)，多数个反射元件是在DMD表面排列成二维数组状，且以元件单位驱动使曝光用光反射、偏向。各反射构件的反射面角度可调整。DMD的动作可通过控制装置来控制。控制装置依据与在基板上待形成的图案对应的电子数据(图案信息)来驱动各DMD反射元件，以反射元件将照明系统照射的曝光用光图案化。通过使用DMD，相较于当使用形成有图案的光掩膜(标线片)曝光时，当图案改变时，不需要光掩膜更换作业及光掩膜载台的光掩膜对准操作。此外，使用电子光掩膜的曝光装置中，也可不设置光掩膜载台，而仅以基板载台使基板在X轴及Y轴方向移动。又，为了调整基板上的图案像的相对位置，例如通过致动器等来调整分别产生图案的电子光掩膜的相对位置亦可。此外，使用DMD的曝光装置揭示于例如日本特开平8—313842号公报、日本特开2004—304135号公报、美国专利第6778257号公报。
曝光装置EX的种类并不限于在基板P上使半导体元件图案曝光的半导体元件制造用曝光装置，也能广泛适用于液晶显示元件制造用或显示器制造用曝光装置、用以制造薄膜磁头、摄影元件(CCD)、微机器、微机电系统(MEMS)、DNA芯片(基因芯片)、或标线片或光掩膜等的曝光装置。
此外，上述实施方式中，虽使用在光透射性基板上形成既定遮光图案(或相位图案、减光图案)的光透射型光掩膜，但也可替代此光掩膜，使用例如美国专利第6778257号公报所揭示的依据待曝光图案的电子数据形成透射图案或反射图案、或发光图案的电子光掩膜。
又，本发明也可适用于如国际公开第2001/035168号小册子所揭示的在基板P上形成干涉条纹以在基板P上使线宽与线距图案曝光的曝光装置(光刻系统)。
此外，在法令容许的范围内，援引上述各实施方式及变形例所引用的曝光装置等相关的所有公开公报及美国专利等的揭示，作为本说明书的记载的一部分。
上述实施方式的曝光装置EX，以保持包含各构成元件的各种子系统的既定机械精度、电气精度、光学精度的方式来组装制造。为了确保这些各种精度，在该组装前后对各种光学系统进行调整以达成光学精度、对各种机械系统进行调整以达成机械精度、对各种电气系统进行调整以达成电气精度。将各种子系统组装成曝光装置的步骤，包括各种子系统相互间的机械连接、电气电路的配线连接、气压电路的配管连接等。在进行将该各种子系统组装成曝光装置的步骤前，当然还有各子系统个别的组装步骤。将各种子系统组装成曝光装置的步骤结束后，即进行综合调整以确保曝光装置整体的各种精度。此外，较佳为，曝光装置的制造系在温度及真空度等受到管理的无尘室进行。
如图21所示，半导体元件等微元件是经由下述步骤制造：于步骤201进行微元件的功能、性能设计，于步骤202根据该设计步骤制作光掩膜(标线片)，于步骤203制造元件基材的基板，于步骤204进行基板处理，其包含以上述实施方式的曝光装置EX使光掩膜图案在基板曝光的曝光步骤、及使曝光后基板显影的显影步骤，于步骤205进行元件组装(包含芯片切割步骤、接合步骤、封装步骤等加工制造工艺)，于步骤206进行检查等。

Claims (26)

1.一种曝光装置，其将曝光用光照射至基板以使该基板曝光，所述曝光装置具备：
第1构件，其具有配置成与所述基板表面相对向的第1液体回收口，与所述基板表面之间形成液浸空间；
多个板状第2构件，其相对所述曝光用光的光路空间设于所述第1液体回收口的外侧，吸收存在于所述基板表面的液体，此第2构件与所述基板的距离小于所述第1构件与所述基板的距离；以及
第2液体回收口，其配置于所述第2构件附近，用以回收所述第2构件所吸收的液体。
2.如权利要求1所述的曝光装置，其中，所述第2构件配置成能导引流向所述第2液体回收口的流体的流动。
3.如权利要求2所述的曝光装置，其中，所述第2构件配置成可提升流向所述第2液体回收口的流体的流速。
4.如权利要求1所述的曝光装置，其中，所述第2构件吸收所述第1液体回收口无法完全回收而存在于所述基板上的液体。
5.如权利要求1所述的曝光装置，其中，所述第1构件具有设成与所述基板表面相对向且围绕所述曝光用光的光路空间，在与所述基板表面之间保持液体的平坦部；
所述第1液体回收口相对所述曝光用光的光路空间配置于所述平坦部的外侧；
所述第2构件与所述基板的距离小于所述平坦部与所述基板的距离。
6.如权利要求1所述的曝光装置，其中，所述曝光装置一边使所述基板移动于既定方向一边进行所述基板的扫描曝光；
所述第1液体回收口，相对所述曝光用光的光路空间，至少配置于延伸 于所述既定方向的延伸区域的外侧。
7.如权利要求6所述的曝光装置，其中，所述第1液体回收口，在所述既定方向配置于所述延伸区域的两侧。
8.如权利要求1所述的曝光装置，其中，所述第2构件配置成围绕所述曝光用光的光路空间。
9.如权利要求1至8中任一项所述的曝光装置，其中，所述第2构件包含可挠性构件。
10.如权利要求1至8中任一项所述的曝光装置，其中，所述多个板状第2构件的至少一部分，相对所述曝光用光的光路空间配置成放射状。
11.如权利要求1至8中任一项所述的曝光装置，其中，所述曝光装置进一步具备配置成与所述基板相对向，射出所述曝光用光的光学构件；
所述第2构件，包含沿着与含所述光学构件光轴的面交叉方向配置的多个构件。
12.如权利要求1至8中任一项所述的曝光装置，其中，所述曝光装置进一步具备将所述第2构件相对所述基板表面支持成可动的支持装置。
13.如权利要求12所述的曝光装置，其中，所述支持装置包含弹性体。
14.如权利要求13所述的曝光装置，其中，所述弹性体具有内部空间；
所述支持装置调整所述内部空间的气体压力，以调整所述第2构件与所述基板表面的距离。
15.如权利要求12所述的曝光装置，其中，所述支持装置包含移动所述第2构件的驱动装置。
16.如权利要求15所述的曝光装置，其中，所述曝光装置进一步具备：
检测装置，用以检测所述第2构件与所述基板表面的距离；以及
控制装置，根据所述检测装置的检测结果，控制所述驱动装置以使所述第2构件与所述基板不接触。
17.如权利要求12所述的曝光装置，其中，所述曝光装置进一步具备相 对所述曝光用光的光路空间设于所述第2构件的外侧，朝向所述基板表面吹送气体的气体吹送口。
18.如权利要求17所述的曝光装置，其中，所述支持装置具备支持所述第2构件的支持构件，此支持构件具有与所述基板表面相对向的下面；
所述气体吹送口设于所述支持构件的下面。
19.如权利要求18所述的曝光装置，其中，所述曝光装置通过从所述气体吹送口吹送气体，在所述基板表面与所述支持构件下面之间形成气体轴承。
20.如权利要求12所述的曝光装置，其中，所述支持装置从所述第1构件机械上分离，而支持所述第2构件。
21.一种曝光装置，其将曝光用光照射至基板以使所述基板曝光，所述曝光装置具备：
第1构件，其具有配置成与所述基板表面相对向的第1液体回收口，与所述基板表面之间形成液浸空间；
第2液体回收口，其相对所述曝光用光的光路空间设于所述第1液体回收口的外侧，用以回收存在于所述基板表面的液体，所述第2液体回收口与所述基板表面的距离小于所述第1构件与所述基板的距离；
气体吹送口，其相对所述曝光用光的光路空间配置于所述第2液体回收口的外侧，朝向所述基板表面吹送气体；
液体回收构件，具有所述第2液体回收口与所述气体吹送口；以及
支持装置，将所述液体回收构件相对所述基板表面支持成可动；
所述支持装置从所述第1构件机械上分离，而支持所述液体回收构件。
22.如权利要求21所述的曝光装置，其中；
通过从所述气体吹送口吹送气体，在所述液体回收构件与所述基板表面之间形成气体轴承。
23.如权利要求21所述的曝光装置，其中，所述支持装置包含弹性体。 
24.如权利要求21所述的曝光装置，其中，所述支持装置包含移动所述液体回收构件的驱动装置。
25.如权利要求24所述的曝光装置，其中，所述曝光装置进一步具备：
检测装置，用以检测所述液体回收构件与所述基板表面的距离；以及
控制装置，根据所述检测装置的检测结果，控制所述驱动装置以使所述液体回收构件与所述基板不接触。
26.一种元件制造方法，其使用权利要求1至25中任一项所述的曝光装置。 
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